TW201329267A

TW201329267A - 鉬合金濺鍍靶材的製造方法及鉬合金濺鍍靶材

Info

Publication number: TW201329267A
Application number: TW101145681A
Authority: TW
Inventors: Hideo Murata; Masashi Kaminada; Keisuke Inoue
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2011-12-22
Filing date: 2012-12-05
Publication date: 2013-07-16
Also published as: KR20130079176A; CN103173728B; CN103173728A; TWI447250B; JP5958822B2; JP2013147734A

Abstract

本發明提供一種可穩定且廉價地提供鉬合金濺鍍靶材的製造方法、及新穎的鉬合金濺鍍靶材，上述鉬合金濺鍍靶材為低電阻，耐熱性、耐濕性及與基板的密接性亦優異，具有適合作為電極、配線膜的高密度、高純度，且非磁性的鉬合金濺鍍靶材。該製造方法包括以滿足含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，且鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質的組成的方式，將鉬粉末與1種或2種以上的鎳合金粉末混合，繼而進行加壓燒結。

Description

鉬合金濺鍍靶材的製造方法及鉬合金濺鍍靶材

本發明是有關於一種用以形成電子零件用的電極、配線膜的鉬合金濺鍍靶材的製造方法及鉬合金濺鍍靶材。

除於玻璃基板上形成薄膜元件的液晶顯示器(Liquid Crystal Display：以下稱為LCD)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel：以下稱為PDP)、用於電子紙等的電泳型顯示器等平面顯示裝置(平板顯示器，Flat Panel Display：以下稱為FPD)以外，在各種半導體元件、薄膜感測器、磁頭等薄膜電子零件中，需要低電阻的配線膜。例如，LCD、PDP、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示器等FPD伴隨大畫面、高精細、高速應答化，其配線膜需要低電阻化。另外，近年來，開發出對FPD賦予操作性的觸控面板或使用樹脂基板的可撓的FPD等新產品。

近年來，用作FPD的驅動元件的薄膜電晶體(Thin Film Transistor：以下稱為TFT)的配線膜需要低電阻化，而正進行將主配線材料自先前的鋁變更成電阻更低的銅的研究。

目前，於TFT中使用矽半導體膜，作為主配線材料的銅若與矽直接接觸，則因TFT製造中的加熱步驟而進行熱擴散，從而使TFT的特性劣化。因此，在銅與矽之間使用將耐熱性優異的純鉬或鉬合金作為障壁膜的積層配線膜。

另外，一面觀看FPD的畫面、一面賦予直接的操作性的觸控面板基板畫面亦不斷大型化，而正進行將低電阻的銅用於主配線材料的研究。

於自TFT所連接的畫素電極、或者可攜式終端或平板電腦(Tablet Personal Computer)等中所使用的觸控面板的位置檢測電極中，通常使用作為透明導電膜的銦-錫氧化物(Indium Tin Oxide：以下稱為ITO)。銅雖然可獲得與ITO的接觸性，但與基板的密接性低，因此為了確保密接性，必須製成利用純鉬或鉬合金包覆銅的積層配線膜。

進而，正進行自迄今為止的非晶矽半導體轉而使用可實現更高速應答的氧化物的透明半導體膜的應用研究，且正研究於這些氧化物半導體的配線膜中亦使用銅與純鉬的積層配線膜。因此，包含用於形成這些積層配線膜的鉬合金薄膜的薄膜配線的需求提高。

作為耐熱性、耐蝕性及與基板的密接性優異的低電阻的鉬合金薄膜，本申請人提出有向鉬中添加3原子%~50原子%的釩，向鈮中進而添加鎳、銅而成的薄膜配線，且於其實例中具體地揭示了以鉬-15鈮-10鎳(原子%)的組成而形成的薄膜配線的發明(專利文獻1)。

另一方面，作為形成上述薄膜配線的方法，最合適的是使用濺鍍靶材的濺鍍法。濺鍍法是物理蒸鍍法的一種，與其他真空蒸鍍或離子鍍相比，其為可大面積地穩定地形成薄膜配線的方法，且為即便是如上所述的添加元素多的合金，亦可獲得組成變動少的優異的薄膜的有效的方法。

作為獲得此種濺鍍靶材的方法，例如如專利文獻2中所揭示般，提出有以下方法：對將原料鉬粉、鎳粉及包含其他添加元素(例如鈮)的粉末混合而成的混合粉末、或藉由霧化法而獲得的鉬合金粉末進行加壓燒結，並對所獲得的燒結體實施機械加工。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-140319號公報

[專利文獻2]日本專利特開2010-132974號公報

為了穩定地獲得高品質的合金薄膜，成為合金薄膜的母材的濺鍍靶材需要高密度、高純度、低氣體成分，及無偏析的均一的組織。為了形成此種組織，如專利文獻2中所提出般，理想的是使用事先將所有成分元素合金化而成的鉬合金粉末。

但是，由於鉬為高熔點金屬，因此將鉬作為主成分的鉬合金的熔點高，難以利用通常所使用的感應加熱裝置進行溶解並藉由霧化法來高良率地製造鉬合金粉末。另外，由於鉬合金的熔點高，因此存在如下的問題：若合金粉末的粒度大，則難以獲得高密度的燒結體；若欲使合金粉末的粒度變細，則所獲得的濺鍍靶材中的雜質增加。

另外，若鉬發生氧化，則其氧化物於到達鉬的熔點之前容易昇華並氣化，故為了抑制步驟中的鉬的氧化而需要控制溶解環境的大型且昂貴的裝置，因此所獲得的鉬合金粉末亦變得昂貴。

進而，若單純將鉬粉末、鎳粉末及鈮粉末作為原料粉進行混合而獲得混合粉末，並對其進行加壓燒結，則有時會產生如下的問題：因合金化不充分而於濺鍍靶材中殘存容易帶磁性的鎳強磁性相、濺鍍速度下降、或濺鍍靶材的壽命變短。

本發明的目的在於提供一種可穩定且廉價地提供鉬合金濺鍍靶材的製造方法、及新穎的鉬合金濺鍍靶材，上述鉬合金濺鍍靶材為低電阻，耐熱性、耐濕性及與基板的密接性亦優異，具有適合作為電極、配線膜的高密度、高純度，且非磁性的鉬合金濺鍍靶材。

鑒於上述課題，本發明者對將高熔點的鉬作為主成分的鉬合金濺鍍靶材進行了努力研究。其結果，發現如下的方法，從而完成了本發明，上述方法是藉由使添加至主成分的鉬中的粉末的性狀最佳化，而可穩定且廉價地製造用以獲得低電阻，耐熱性、耐濕性及與基板的密接性亦優異的高品質的薄膜所需的高密度且高純度的鉬合金濺鍍靶材。

即，本發明是一種鉬合金濺鍍靶材的製造方法的發明，該鉬合金濺鍍靶材的製造方法是含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，且鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其中將鉬粉末與1種或2種以上的鎳合金粉末以滿足上述組成的方式混合，繼而進行加壓燒結。

較佳為上述鎳合金粉末包含鎳-鈮合金，更佳為上述鎳-鈮合金粉末包含Ni₆Nb₇及/或Ni₃Nb。

較佳為上述鎳合金粉末包含鎳-鉬合金，進而添加純鈮粉末進行混合。

另外，本發明是一種鉬合金濺鍍靶材的發明，該鉬合金濺鍍靶材是含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，且鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材，其中具有於鉬的基質中分散有鎳合金相的組織。

較佳為上述鎳合金相包含鎳-鉬合金相及鎳-鈮合金相，更佳為上述鎳-鈮合金相包含Ni₆Nb₇及/或Ni₃Nb。

更佳為本發明的鉬合金濺鍍靶材在上述鎳-鉬合金相與上述鉬的基質的界面具有擴散層。

本發明可穩定且廉價地製造高密度、高純度、且非磁性的鉬合金濺鍍靶材，而可提供低電阻，耐熱性、耐濕性及與基板的密接性亦優異，適合於電極、配線膜的形成的鉬合金濺鍍靶材。因此，本發明成為對於電子零件的製造或可靠性的提昇有用的技術。

將鉬作為主成分的合金的熔點高，難以藉由自先前以來所使用的霧化法來合金化並製成粉末，如上所述，於穩定且廉價地獲得濺鍍靶材時存在各種課題。

本發明的製造方法的重要的特徵在於不溶解高熔點的鉬合金，而將鉬粉末與特定的鎳合金粉末混合，繼而進行加壓燒結。以下，進行詳細說明。

首先，對本發明的製造方法中所使用的粉末進行說明，本發明中所使用的鉬粉末可使用容易獲得的市售的鉬粉末。若鉬粉末的平均粒徑未滿1 μm，則所獲得的濺鍍靶材中的雜質增加，若超過50 μm，則難以獲得高密度的燒結體。因此，較佳為將鉬粉末的平均粒徑的範圍設為1 μm~50 μm。另外，為了形成鉬的基質，較佳為混合總量為50原子%以上的鉬粉末。

本發明的製造方法中所使用的鎳合金粉末例如可使用鎳-鈮合金或鎳-鉬合金的粉末。藉此，可使各自的鎳合金粉末的熔點低於鈮或鉬的熔點，因此合金粉末的製造或混合粉末的燒結、細密化變得容易。這些鎳合金粉末可藉由霧化法將調合成規定的成分比的合金加以粉化而容易地獲得。若鎳合金粉末的平均粒徑未滿5 μm，則所獲得的濺鍍靶材中的雜質增加，若超過300 μm，則難以獲得高密度的燒結體。因此，較佳為將鎳合金粉末的平均粒徑的範圍設為5 μm~300 μm。

再者，本發明中所述的平均粒徑由JIS Z 8901中所規定的由使用雷射光的光散射法所求出的球相當徑來表示。

另外，本發明的製造方法中所使用的鎳合金粉末較佳為設為鎳-鈮合金或鎳-鉬。其原因在於：如上所述鎳為磁性體，若鎳的添加量增加，則於濺鍍靶材中殘存容易帶磁性的鎳強磁性相，在通常用於FPD的磁控濺鍍(magnetron sputtering)中，有時濺鍍速度下降、或濺鍍靶材的壽命變短。因此，於本發明中，較佳為將鎳與鉬或鈮加以合金化，而形成非磁性的鎳合金相。具體而言，為了形成以鎳-鈮合金相及/或鎳-鉬合金相分散於鉬的基質中的組織，而使用鎳合金粉末。藉此，於本發明中，可獲得濺鍍性良好的濺鍍靶材。

另外，鎳合金粉末之中，鎳-鈮合金粉末較佳為由Ni₆Nb₇及/或Ni₃Nb的金屬間化合物形成。由這些的金屬間化合物形成的鎳合金粉末的熔點低於鎳，可藉由霧化法而容易地獲得高純度的合金粉末。

另外，鎳-鉬合金粉末理想的是設為鎳合金含有8原子%以上的於常溫以上成為順磁性的鉬的組成，即便含有至60原子%為止的鉬，熔點亦低於鎳，可容易地獲得合金粉末。另外，由於鎳-鉬合金亦為金屬間化合物，因此具有脆性，藉由進行溶解-粉碎而可容易地獲得合金粉末，而且廉價，故較佳。根據以上所述，於本發明中，較佳為使用鉬的含量為60原子%以下的鎳-鉬粉末。此時，更佳為以成為本發明的成分的方式，添加純鈮粉末進行混合。

於本發明的製造方法中，作為鎳合金粉末，亦可對以熔點低於鎳的方式調整了成分的鎳-鈮-鉬合金進行霧化法或溶解-粉碎，而製作鎳合金粉末來使用。

其次，對本發明的製造方法進行說明，於本發明的鉬合金濺鍍靶材的製造方法中，將以上所說明的鉬粉末與鎳合金粉末以滿足目標組成的方式混合，並進行加壓燒結，藉此可製造高密度且高純度的鉬合金濺鍍靶材。

於本發明的製造方法中，藉由加壓燒結來實施上述混合粉末的燒結。加壓燒結可應用熱均壓(hot isostatic press)或熱壓，較佳為於800℃~1500℃的燒結溫度、10 MPa~200MPa的壓力下進行1小時~10小時。

這些條件的選擇依存於進行加壓燒結的裝置。例如，熱均壓容易應用低溫高壓的條件，熱壓容易應用高溫低壓的條件。本發明的製造方法中，較佳為於加壓燒結中使用熱均壓，該熱均壓在低溫下進行燒結而可抑制鎳或鈮的擴散、且在高壓下進行燒結而可獲得高密度的燒結體。

再者，若燒結溫度未滿800℃，則燒結難以進行而無法獲得高密度的燒結體。另一方面，若燒結溫度超過1500℃，則液相顯現、或燒結體的結晶成長變得顯著，而難以獲得均一微細的組織。

另外，若壓力未滿10 MPa，則燒結難以進行而無法獲得高密度的燒結體。另一方面，若壓力超過200 MPa，則存在可承受的裝置有限的問題。

另外，若燒結時間為1小時以下，則難以使燒結充分地進行，而無法獲得高密度的燒結體。另一方面，若燒結時間超過10小時，則於製造效率方面較佳為加以避免。

再者，當藉由熱均壓或熱壓來進行加壓燒結時，理想的是於將混合粉末填充至加壓容器或加壓用模具中後，一面進行加熱一面進行減壓除氣。減壓除氣理想的是於加熱溫度為100℃~600℃的範圍內，在低於大氣壓(101.3 kPa) 的減壓下進行。其原因在於：可進一步減少所獲得的燒結體的氧，而可獲得高純度的鉬合金濺鍍靶材。

其次，若對本發明的鉬合金濺鍍靶材進行說明，則含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質，且具有於鉬的基質中分散有鎳合金相的組織。此處，所謂鎳合金相，是指鎳-鈮合金相、鎳-鉬合金相、或鎳-鈮-鉬合金相。

本發明中，向鉬中添加鎳或鈮是為了確保作為與銅或鋁等進行積層的保護膜的耐熱性、耐濕性，或作為基底膜的密接性。以下，進行詳細說明。

若鎳添加量未滿10原子%，則作為銅或鋁等的保護膜的氧化抑制效果不充分，另一方面，鎳是容易朝銅或鋁中熱擴散的元素，若成為富含鎳的合金，則特別容易朝銅或鋁中擴散，而導致銅或鋁的電阻值容易增加。因此，本發明將鎳的添加量設為10原子%~49原子%，且將鎳與鈮的合計設為50原子%以下。

另外，若鈮的添加量未滿1原子%，則無法獲得耐濕性的改善效果。另一方面，若鈮的添加量為20原子%以上，則耐濕性的提昇效果飽和，且鈮是昂貴的元素，理想的是添加量儘可能少。因此，本發明將鈮的添加量設為1原子%~20原子%。

於本發明中，除抑制氧化或提昇耐濕性以外，為了抑制朝銅或鋁中的熱擴散，更佳為於15原子%~35原子%的範圍內添加鎳，於3原子%~10原子%的範圍內添加鈮。

另外，本發明的鉬合金濺鍍靶材理想的是主成分的鉬與鎳、鈮以外的元素儘可能少。若主成分以外的雜質多，則有時薄膜的電阻增加、或因元素的種類而與其他積層薄膜進行反應而使密接性或耐濕性、耐氧化性等特性劣化。尤其，氣體成分的氧或氮容易被導入至薄膜中，而使密接性下降、或使薄膜產生缺陷。因此，本發明較佳為純度為99.9%以上，且氧等雜質為1000質量ppm以下，更佳為氧等雜質為300質量ppm以下。

[實例1]

列舉以下的實例來對本發明進行詳細說明。

為了製作以原子比計為15%鎳-5%鈮-剩餘部份為鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材，而準備純度為99.99%、平均粒徑為6 μm的鉬粉末，及藉由霧化法所製作的純度為99.9%、平均粒徑為70 μm的Ni₃Nb合金粉末。為了進行比較而嘗試了藉由溶解法來製作，但鉬溶解殘留，無法製作正常的合金塊。

以成為上述組成的方式稱量各粉末，並利用十字旋轉混合機進行混合而獲得混合粉末。其後，填充至內徑為133 mm、高度為30 mm、厚度為3 mm的軟鋼製的容器中，於450℃下加熱10小時並進行除氣處理後，將軟鋼製容器密封，然後藉由熱均壓(Hot Isostatic Press，HIP)裝置於1180℃、148 MPa下保持3小時來進行燒結。冷卻後，自HIP裝置中取出，藉由機械加工來卸除軟鋼製容器，而獲得直徑為100 mm、厚度為5 mm的鉬合金濺鍍靶材，並自剩餘部份切出試驗片。

藉由阿基米德(Archimedes)法來測定所獲得的試驗片的相對密度，結果為99.9%，可確認根據本發明的製造方法，可獲得高密度的鉬合金濺鍍靶材。此處所述的相對密度是指藉由阿基米德法所測定的容積密度除以理論密度所得的值乘以100而獲得的值，上述理論密度是作為以自鉬合金濺鍍靶材的組成比獲得的質量比所算出的元素單體的加權平均而獲得的理論密度。

另外，利用島津製作所股份有限公司製造的型號編號：ICPV-1017的介電電漿發光分析裝置(感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP))進行所獲得的試驗片的金屬元素的定量分析，並藉由非分散型紅外線吸收法來測定氧的定量，結果鉬、鎳、鈮的分析值的合計的純度為99.9%，氧濃度為350質量ppm，可確認根據本發明的製造方法，可獲得高純度的鉬合金濺鍍靶材。

對上述所獲得的試驗片進行鏡面研磨後，利用硝酸浸蝕液試劑加以腐蝕，將利用光學顯微鏡進行組織觀察的結果示於圖1。如圖1所示，本發明的鉬合金濺鍍靶材具有於鉬的細小的經再結晶的基質中分散有接近球狀的鎳合金相的組織，未確認到偏析或空孔等大的缺陷，可確認其為適合於濺鍍成膜的濺鍍靶材。

另外，將上述所獲得的直徑為100 mm、厚度為5 mm的鉬合金濺鍍靶材焊接於銅製的背板(backing plate)上後，安裝於佳能安內華(Canon Anelva)股份有限公司製造的型號編號：SPF-440HL的濺鍍裝置上，然後於Ar環境、壓力0.5 Pa，電力500 W下實施濺鍍。已確認若使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行濺鍍，則亦無異常放電，而可進行穩定的濺鍍。

分別製作以上述條件於康寧(Corning)公司製造的製品編號：EagleXG的25 mm×50 mm的玻璃基板上形成有膜厚為200 nm的鉬合金薄膜的試樣，並評價密接性、耐濕性、耐熱性。

密接性的評價是藉由JIS K5400中所規定的方法來進行。首先，將住友3M(Sumitomo 3M)股份有限公司製造的透明黏著帶(製品名：透明美色)貼在上述鉬合金薄膜上，並利用切刀切入2 mm見方的柵格，然後將透明黏著帶剝離，以有無薄膜的殘存來進行評價。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜無一柵格被剝離，而具有高密接性。

耐濕性的評價是將上述鉬合金薄膜於溫度85℃、濕度85%的環境下放置100小時，並以目視確認有無鉬合金薄膜表面的變色。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜即便暴露於高溫高濕環境下，亦不會變色，而具有高耐濕性。

耐熱性的評價是將上述鉬合金薄膜於大氣中的300℃的環境下加熱30分鐘，並以目視確認有無鉬合金薄膜的變色。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜是即便於高溫下進行加熱，亦不會變色，而具有高耐熱性的薄膜。

[實例2]

為了製作以原子比計為20%鎳-10%鈮-剩餘部份為鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材，而準備純度為99.99%、平均粒徑為6 μm的鉬粉末，藉由霧化法所製作的純度為99.9%、平均粒徑為100 μm的鎳-30鉬(原子%)合金粉末，及平均粒徑為85 μm的鈮粉末。為了進行比較而嘗試了藉由溶解法來製作，但鉬溶解殘留，無法製作正常的合金塊。

以成為上述組成的方式稱量各粉末，並利用十字旋轉混合機進行混合而獲得混合粉末。其後，填充至內徑為133 mm、高度為30 mm、厚度為3 mm的軟鋼製的容器中，於450℃下加熱10小時並進行除氣處理後，將軟鋼製容器密封，然後藉由熱均壓(HIP)裝置於1100℃、148 MPa下保持5小時來進行燒結。冷卻後，自HIP裝置中取出，藉由機械加工來卸除軟鋼製容器，而獲得直徑為100 mm、厚度為5 mm的鉬合金濺鍍靶材，並自剩餘部份切出試驗片。

藉由阿基米德法並與實例1同樣地測定所獲得的試驗片的相對密度，結果為99.9%，可確認根據本發明的製造方法，可獲得高密度的鉬合金濺鍍靶材。

另外，利用島津製作所股份有限公司製造的型號編號：ICPV-1017的ICP(介電電漿發光分析裝置)進行所獲得的試驗片的金屬元素的定量分析，並藉由非分散型紅外線吸收法來測定氧的定量，結果鉬、鎳、鈮的分析值的合計的純度為99.9%，氧濃度為500質量ppm，可確認根據本發明的製造方法，可獲得高純度的鉬合金濺鍍靶材。

對上述所獲得的試驗片進行鏡面研磨後，利用硝酸浸蝕液試劑加以腐蝕，將利用光學顯微鏡進行組織觀察的結果示於圖2。如圖2所示，本發明的鉬合金濺鍍靶材具有於鉬的細小的經再結晶的基質中分散有藉由霧化法所獲得的接近球狀的鎳-鉬合金相、及藉由粉碎所獲得的鈮粉的組織，且於其周圍存在與鉬的擴散層，未確認到偏析或空孔等大的缺陷，可確認其為適合於濺鍍成膜的濺鍍靶材。

另外，將上述所獲得的直徑為100 mm、厚度為5 mm的鉬合金濺鍍靶材焊接於銅製的背板上後，安裝於佳能安內華股份有限公司製造的型號編號：SPF-440HL的濺鍍裝置上，然後於Ar環境、壓力0.5 Pa，電力500 W下實施濺鍍。已確認若使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行濺鍍，則亦無異常放電，而可進行穩定的濺鍍。

分別製作以上述條件於康寧公司製造的製品編號：EagleXG的25 mm×50 mm的玻璃基板上形成有膜厚為200 nm的鉬合金薄膜的試樣，並評價密接性、耐濕性、耐熱性。

密接性的評價是藉由JIS K5400中所規定的方法來進行。首先，將住友3M股份有限公司製造的透明黏著帶(製品名：透明美色)貼在上述鉬合金薄膜上，並利用切刀切入2 mm見方的柵格，然後將透明黏著帶剝離，以有無薄膜的殘存來進行評價。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜無一柵格被剝離，而具有高密接性。

耐濕性的評價是將上述鉬合金薄膜於溫度85℃、濕度85%的環境下放置300小時，並以目視確認有無鉬合金薄膜表面的變色。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜即便暴露於高溫高濕環境下，亦不會變色，而具有高耐濕性。

耐熱性的評價是將上述鉬合金薄膜於大氣中的400℃的環境下加熱30分鐘，並以目視確認有無鉬合金薄膜的變色。可確認使用本發明的鉬合金濺鍍靶材進行成膜而成的薄膜是即便於高溫下進行加熱，亦不會變色，而具有高耐熱性的薄膜。

圖1是本發明的鉬合金濺鍍靶材的剖面微觀觀察組織照片的一例。

圖2是本發明的鉬合金濺鍍靶材的剖面微觀觀察組織照片的另一例。

Claims

一種鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其特徵在於：其是含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，且鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其中將鉬粉末與1種或2種以上的鎳合金粉末以滿足上述組成的方式混合，繼而進行加壓燒結。
如申請專利範圍第1項所述之鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其中上述鎳合金粉末包含鎳-鈮合金。
如申請專利範圍第2項所述之鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其中上述鎳-鈮合金粉末包含Ni₆Nb₇及/或Ni₃Nb。
如申請專利範圍第1項所述之鉬合金濺鍍靶材的製造方法，其中上述鎳合金粉末包含鎳-鉬合金，進而添加純鈮粉末進行混合。
一種鉬合金濺鍍靶材，其特徵在於：其是含有10原子%~49原子%的鎳、1原子%~20原子%的鈮，且鎳與鈮的合計量為50原子%以下，剩餘部份包含鉬及不可避免的雜質的鉬合金濺鍍靶材，其中具有於鉬的基質中分散有鎳合金相的組織。
如申請專利範圍第5項所述之鉬合金濺鍍靶材，其中上述鎳合金相包含鎳-鉬合金相及/或鎳-鈮合金相。
如申請專利範圍第6項所述之鉬合金濺鍍靶材，其中上述鎳-鈮合金相包含Ni₆Nb₇及/或Ni₃Nb。
如申請專利範圍第6項或第7項所述之鉬合金濺鍍靶材，其中在上述鎳-鉬合金相與上述鉬的基質的界面具有擴散層。