KR101337141B1

KR101337141B1 - 전자부품용 적층 배선막

Info

Publication number: KR101337141B1
Application number: KR1020120074270A
Authority: KR
Inventors: 히데오 무라타
Original assignee: 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-13
Filing date: 2012-07-09
Publication date: 2013-12-05
Also published as: KR20130028643A; JP2013038393A; CN102881676B; CN102881676A

Abstract

본 발명은 Mo가 갖는 Si 배리어성, ITO 콘택트성이라고 하는 이점을 유지하면서, 내산화성을 개선하고, 또한 Cu와의 적층시나 신호 케이블의 장착 등의 가열공정을 거쳐도 낮은 전기 저항값을 유지할 수 있는, 전자부품용 적층 배선막을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 전자부품용 적층 배선막은, 기판 상에 금속막을 형성한 전자부품용 적층 배선막에 있어서, Cu로 되는 주도전층과, 그 주도전층의 한쪽 면 및/또는 다른쪽 면을 덮는 피복층으로 되고, 그 피복층은 원자비에 있어서의 조성식이 Mo₁₀₀ _- _XNi_X, 10≤X≤70으로 표시되며, 잔부 불가피적 불순물로 되는 Mo-Ni 합금인 것을 특징으로 한다.

Description

전자부품용 적층 배선막{Layered interconnection for a electronic device}

본 발명은, 예를 들면 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, 이하, LCD라고 한다), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display ㎩nel, 이하, PDP라고 한다), 전자 페이퍼 등에 이용되는 전기 영동형 디스플레이 등의 평면 표시장치(Flat ㎩nel Display, 이하, FPD라고 한다)에 더하여, 각종 반도체 디바이스, 박막 센서, 자기 헤드 등의 박막 전자부품 등에 사용되는 전자부품용 적층 배선막에 관한 것이다.

유리 기판 상에 박막 디바이스를 제작하는 LCD, PDP, 유기 EL 디스플레이 등의 FPD는, 대화면화, 고정세화, 동영상 깨짐 해소를 위한 고속 구동화가 요구된다. FPD의 구동 소자로서 사용되고 있는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하, TFT라고 한다)의 주도전층에 대해서는, 상기의 고속 구동화를 위해서는 저저항화가 필요하여, 주도전층의 재료를 Al으로부터 보다 저저항인 Cu로 변경하는 검토가 행해지고 있다.

또한, FPD에 조작성을 더하는 터치 패널이나 수지 기판을 사용한 플렉시블한 FPD 등, 새로운 제품도 개발이 진행되고 있고, 이들에 있어서도 저저항화를 위해서 Cu를 주도전층에 사용하는 검토가 진행되고 있다.

현재, TFT에는, Si 반도체막이 주로 사용되고 있다. 이러한 TFT에 Cu를 주 배선재료로서 사용하는 경우, Cu는 Si와 직접 접촉하면, TFT 제조 중의 가열공정에 있어서, TFT를 구성하는 Si 반도체막 중에 Cu 원자가 열확산되어 버리기 때문에, TFT의 특성을 열화(劣化)시키는 경우가 있다. 이 현상을 방지하기 위해서, Cu로 되는 주도전층과 Si 반도체막 사이에, 내열성이 우수한 Mo나 Mo 합금으로 되는 배리어막을 설치한 적층 배선막이 사용되고 있다.

또한, TFT로부터 이어지는 화소 전극이나 휴대형 단말이나 태블릿 PC 등에 사용되고 있는 터치 패널의 위치 검출 전극에는, 일반적으로 투명 도전막인 ITO(인듐-주석 산화물)가 사용되고 있다. Cu는, ITO와의 콘택트성은 얻어지지만, 기판과의 밀착성이 낮다. 그 때문에 밀착성을 확보할 수 있는 Cu를 Mo나 Mo 합금으로 피복한 적층 배선막이 유효하다.

본 출원인은, 유리 등과의 밀착성이 낮은 Cu를 주성분으로 하는 막과 Mo를 주체로 하여 V 및/또는 Nb를 함유하는 Mo 합금을 적층한 적층 배선막을 채용함으로써, Cu나 Ag가 갖는 낮은 전기 저항값을 살리면서, 배선막의 내식성, 내열성, 밀착성을 개선할 수 있는 것을 제안하고 있다(특허문헌 1).

일본국 특허공개 제2004-140319호 공보

전술의 특허문헌 1에서 제안되는 Mo를 주체로 하여 V 및/또는 Nb를 함유하는 Mo 합금은, 순Mo보다 내식성, 내열성, 밀착성이 우수하기 때문에, 유리 기판 상에 형성하는 FPD 용도로는 널리 사용되고 있다.

그러나, 전자부품의 제조에 있어서, 기판 상에 적층 배선막을 형성한 후, 다음 공정으로 기판을 이동할 때나, 터치 패널 용도로 단자부 등에 신호 케이블을 장착할 때의 가열공정에서는, 대기 중에 장시간 폭로되는 경우가 있다. 본 발명자의 검토에 의하면, 전술한 적층 배선막을 대기 중에서 가열했을 때에는, 내산화성이 충분하지 않아, 적층 배선막이 변색되어 버리는 등의 내산화성의 저하라는 문제가 발생하는 경우가 있다. 이 내산화성 저하의 문제는, 전기적 콘택트성을 열화시켜, 전자부품의 신뢰성 저하로 이어진다.

또한, 고속 구동 때문에 TFT 제조공정 중의 가열온도는 상승하는 경향이 있어, 보다 높은 온도에서의 가열공정을 거치면, 적층 배선막에 포함되는 합금 원소가 Cu로 확산되어 전기 저항값이 증가할 가능성이 있다. 가열공정을 거친 후에도 낮은 전기 저항을 유지하기 위해서는, 합금 원소의 바람직하지 않은 확산을 방지할 필요가 있다.

본 발명의 목적은, Mo가 갖는 Si 배리어성, ITO 콘택트성 등의 이점을 유지하면서, 내산화성을 개선하고, 또한 Cu와의 적층시나 신호 케이블의 장착 등의 가열공정을 거쳐도 낮은 전기 저항값을 유지할 수 있는, 전자부품용 적층 배선막을 제공하는 것이다.

본 발명자는, 상기 과제를 감안하여 각종 검토한 결과, Mo에 특정량의 Ni를 첨가한 Mo-Ni 합금으로 피복층을 형성함으로써, 대기 중에 있어서의 내산화성을 개선하고, 또한 Cu로 되는 주도전층과의 적층시나 신호 케이블의 장착 등의 가열공정을 거쳐도 낮은 전기 저항값을 유지할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명에 도달하였다.

즉, 본 발명은, 기판 상에 금속막을 형성한 전자부품용 적층 배선막에 있어서, Cu로 되는 주도전층과, 그 주도전층의 한쪽 면 및/또는 다른쪽 면을 덮는 피복층으로 되고, 그 피복층은 원자비에 있어서의 조성식이 Mo₁₀₀ _- _XNi_X, 10≤X≤70으로 표시되며, 잔부가 불가피적 불순물로 되는 Mo-Ni 합금인 전자부품용 적층 배선막의 발명이다.

본 발명에 있어서, 상기 조성식의 X는 20~50의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 피복층의 두께는 10~200 ㎚인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 주도전층의 두께는 100~500 ㎚인 것이 바람직하다.

본 발명의 전자부품용 적층 배선막은, Mo의 우수한 특성을 유지하면서 내산화성을 향상시킬 수 있다. 이것에 의해, 터치 패널이나 수지 기판 상에 형성하는 플렉시블 FPD 등을 포함하는 각종 전자부품의 안정 제조나 신뢰성 향상에 크게 공헌할 수 있다.

도 1은 본 발명의 전자부품용 적층 배선막의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.

본 발명의 전자부품용 적층 배선막의 일례를 나타내는 단면 모식도를 도 1에 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 전자부품용 적층 배선막은, Cu를 주성분으로 하는 주도전층(3)의 한쪽 면 및/또는 다른쪽 면을 덮는 피복층(2),(4)으로 되고, 예를 들면 기판(1) 상에 형성된다. 도 1에서는 주도전층(3)의 양면에 피복층(2),(4)을 형성하고 있는데, 전자부품의 형태에 따라서는 주도전층(3)의 임의의 한쪽 면만을 덮어도 되고, 피복층의 배치는 적절히 선택할 수 있다.

본 발명의 중요한 특징은, 도 1에 나타내는 전자부품용 적층 배선막의 피복층에 있어서, Mo에 Ni를 특정량 첨가함으로써 내산화성을 향상시켜, Cu와의 적층시나 신호 케이블의 장착 등의 가열공정을 거쳐도, 적층 배선막으로서의 낮은 전기 저항값을 유지할 수 있는 점에 있다. 이하에 본 발명의 전자부품용 적층 배선막을 상세하게 기술한다.

순Mo의 막을 대기 중에서 가열하면, 표면이 산화되어 버려, 전기적 콘택트성이 열화되어 버린다. 본 발명의 전자부품용 적층 배선막의 피복층은, Mo에 특정량의 Ni를 첨가함으로써, 내산화성을 향상시키는 효과를 갖는다. 그 효과는, Ni의 첨가량이 10 원자%부터 나타나고, 20 원자% 이상 첨가하면, 대기 중에 있어서의 고온 가열을 거쳐도 전기 저항값의 증가를 억제할 수 있다.

한편, Ni는, Mo보다 Cu에 대해서 열확산되기 쉬운 원소로, Ni의 첨가량이 70%를 초과하면, FPD 등의 전자부품을 제조할 때의 가열공정에 있어서, 피복층에 포함되는 Ni가 주도전층의 Cu로 확산되어 낮은 전기 저항값을 유지하기 어려워진다. 이 때문에, 피복층은, Mo에 첨가하는 Ni량을 10~70 원자%로 한다.

또한, 대기 중에서의 산화를 보다 억제하기 위해서는, Mo에 첨가하는 Ni량을 20 원자% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 주도전층의 Cu를, 피복층을 형성하지 않는 상태에서, 대기 중에서 200℃ 이상의 가열을 행하면, 용이하게 산화되어 변색되어 버려, 전기적 콘택트성이 열화되는 경우가 있다. 본 발명에서는, 주도전층의 Cu의 표면을 Mo-Ni 합금으로 되는 피복층으로 덮고, 산소의 침입을 차단하여 Cu의 산화를 억제하기 위해서, 피복층의 Ni 첨가량을 충분한 효과가 얻어지는 20 원자% 이상으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 고온역에서의 Ni 원자의 열확산에 의한 주도전층의 Cu의 전기 저항값의 증가를 억제하기 위해서는, Ni를 50 원자% 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 전자부품용 적층 배선막에 있어서, 주도전층의 Cu의 막두께는, 주도전층의 막두께가 100 ㎚보다 얇으면, 박막 특유의 전자의 표면 입계나 입계 산란의 영향으로 전기 저항값이 증가하기 쉬워진다. 한편, 주도전층의 막두께가 500 ㎚보다 지나치게 두꺼워지면, 막을 형성하기 위해서 시간이 걸리거나, 막응력에 의해 기판에 휨이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 본 발명의 주도전층의 막두께는 100~500 ㎚가 바람직하다.

또한, 본 발명의 전자부품용 적층 배선막에 있어서, 피복층인 Mo-Ni 합금의 막두께는, 막두께가 10 ㎚보다 얇으면, Mo-Ni 합금막의 연속성이 낮아져서, 내산화성이 불충분해지는 경우가 있다. 한편, 피복층의 막두께가 200 ㎚보다 지나치게 두꺼워지면, 막을 형성하기 위해서 시간이 걸리거나, Mo-Ni 합금막의 전기 저항값이 높기 때문에, 주도전층인 Cu와 적층했을 때에, 전기 저항값이 증가하여, 적층 배선막으로서 낮은 전기 저항값을 얻기 어려워진다. 이 때문에, 본 발명의 피복층은 10~200 ㎚인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 피복층은, Cu의 상층막으로서 산소 차단의 충분한 효과를 얻을 필요가 있어, 30 ㎚ 이상의 막두께인 것이 보다 바람직하다. 한편, 피복층의 막두께가 100 ㎚보다 두꺼워지면, 막응력에 의해 기판에 휨이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 본 발명의 피복층의 막두께는 30~100 ㎚로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 전자부품용 적층 배선막을 형성하기 위해서는, 타겟을 사용한 스퍼터링법이 적합하다. 스퍼터링법으로서는, 피복층의 조성과 동일 조성의 Mo-Ni 합금 타겟재를 사용하여 성막하는 방법이나, Mo와 Ni 각각의 타겟재를 사용하여 동시에 스퍼터하는 코스퍼터 성막법 등을 적용할 수 있다. 스퍼터링의 조건 설정의 간이함이나, 목적하는 조성의 배선 박막을 얻기 쉽다고 하는 점으로부터는, 피복층의 조성과 동일 조성의 Mo-Ni 합금 타겟재를 사용하여 스퍼터링 성막하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 주도전층의 형성도 동일하게, Cu 타겟재를 사용하여 스퍼터링 성막하는 것이 바람직하다.

본 발명의 피복층을 형성하는 Mo-Ni 합금 타겟재에 있어서, 내산화성을 확보하기 위해서 필수 원소인 Ni와 잔부인 Mo 이외는, 되도록 불가피적 불순물의 함유량은 적은 것이 바람직하다. 불가피적 불순물로서는, 본 발명의 작용을 손상시키지 않는 범위에서, 산소, 질소, 탄소, Fe, Cu, Al, Si 등의 불가피적 불순물을 포함해도 된다. 예를 들면, 가스 성분의 산소, 질소는 각각 1000 질량ppm 이하, 탄소, Fe, Cu는 각각 200 질량ppm이하, Al, Si는 각각 100 질량ppm 이하가 바람직하고, 가스 성분을 제외한 순도로서는, 99.9 질량% 이상인 것이 바람직하다.

실시예 1

먼저, 피복층이 되는 Mo-Ni 합금막을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟을 제작하였다.

Mo-15 원자% Ni 및 30 원자% Ni 조성의 타겟재는 분말야금법에 의해 제작하였다. 평균 입경이 6 ㎛인 Mo 분말과 평균 입경이 100 ㎛인 Ni 분말을 Mo-15 원자% Ni, Mo-30 원자% Ni가 되도록 혼합하고, 연강제의 캔에 충전한 후, 가열하면서 진공 배기하여 봉지하였다. 다음으로, 봉지한 캔을 열간 정수압 프레스장치에 넣고, 1100℃, 100 ㎫, 3시간의 조건에서 소결시킨 후에, 기계 가공에 의해 직경 ø100 ㎜×두께 5 ㎜의 Mo-15 원자% Ni, Mo-30 원자% Ni 합금 타겟재를 얻었다. 또한, 상기와 동일한 방법으로 순Mo 타겟재를 얻었다.

Mo-80 원자% Ni 조성의 타겟재에 대해서는 용해법에 의해 제작하였다. 전해 Ni와 괴상의 Mo 원료를 소정량으로 칭량한 후, 진공 유도 가열로에서 용해하여 잉곳(ingot)을 제작하고, 소성가공에 의해 판상으로 늘인 후, 기계 가공에 의해 Mo-80 Ni 원자% 합금 타겟재를 제작하였다.

상기에서 얻은 각 타겟재를 Cu제의 백킹 플레이트에 납땜하여 스퍼터링장치에 장착하였다. 또한, 스퍼터링장치는, 캐논 아넬바 가부시키가이샤 제조의 SPF-440H를 사용하였다.

25 ㎜×50 ㎜의 유리 기판 상에, 표 1에 나타내는 피복층을 두께 30 ㎚로 형성하였다. 피복층의 형성에는, 상기에서 얻은 순Mo, Mo-15 원자% Ni, Mo-30 Ni 원자%는, 피복층과 동일 조성의 타겟을 사용하여 스퍼터 성막하였다. 그것 이외의 피복층에 대해서는, 순Mo와 Mo-80 원자% Ni의 타겟을 동시에 스퍼터하는 코스퍼터 성막법을 사용하여, 그때의 전력을 각각 변화시켜서, 표 1에 나타내는 Mo-Ni 합금 피복층을 형성하였다.

제작한 피복층은, 각각 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조 ICPV-1017의 ICP(유전 플라즈마 발광 분석장치)에 의해 분석하여, 각 피복층의 성분을 확인하였다.

다음으로, 상기에서 얻은 유리 기판 상에 형성한 피복층 상에 두께 300 ㎚의 Cu로 되는 주도전층을 스퍼터링법으로 형성하고, 이어서 주도전층 상에 표 1에 나타내는 피복층을 상기에서 설명한 코스퍼터 성막법에 의해 형성하여, 적층 배선막을 얻었다. 또한, 비교를 위해서 Mo-10 원자% Nb 합금막도 제작하였다.

표 1에 나타내는 적층 배선막을 유리 기판 상에 형성한 각 시료의 산화 정도를, 대기 중에서 250℃, 350℃에서 1시간 가열한 후의 반사율로 평가하였다. 반사율은, 코니카 미놀타 가부시키가이샤 제조의 분광측색계 CM-2500d를 사용하여 가시광역의 특성을, 상피복층측으로부터 측정하였다.

또한, 각 시료의 전기 저항값의 변화에 대해서도 평가하였다. 전기 저항값은, 가부시키가이샤 다이아인스트루먼트 제조의 4단자 박막 저항율 측정기 MCP-T400을 사용하여 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, Cu를 Mo계 합금으로 피복한 적층 배선막을 대기 중에서 가열하면, 전기 저항값은 250℃까지는 성막시와 거의 동일한 전기 저항값이다. 그러나, 350℃까지 가열하면, 비교예의 Mo 피복층, Mo-10 원자% Nb 피복층을 사용한 적층 배선막은, 반사율이 대폭 저하되는 동시에, 전기 저항값이 대폭 증가하는 것을 알 수 있다. 이것은, 피복층 표면이 산화되어, 투과한 산소가 주도전층의 Cu까지 도달하여 주도전층도 산화되어 있기 때문이라고 생각된다.

또한, 피복층의 Ni 첨가량이 본 발명의 범위에서 벗어나는 10 원자% 미만이면, 350℃의 온도에서 가열했을 때의 전기 저항값이 대폭 증가하는 것을 확인하였다.

이에 대해서, 본 발명예의 Mo에 특정량의 Ni를 첨가한 피복층을 사용한 적층 배선막은, 350℃까지 가열해도 반사율의 저하 및 전기 저항값의 증가가 억제되어, 내산화성이 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 본 발명 중에서도 바람직한 범위인 20~50 원자%의 Ni를 첨가하면, 반사율의 저하와 전기 저항값의 증가가 보다 억제되어, 전자부품에 매우 적합한 적층 배선막인 것을 확인할 수 있었다.

실시예 2

실시예 1과 동일하게, 표 2에 나타내는 구성의 피복층이 되는 Mo-Ni 합금막을 25 ㎜×50 ㎜의 유리 기판 상에 스퍼터링법으로 형성하고, 이어서, 그 피복층 상에 두께 200 ㎚의 Cu로 되는 주도전층을 스퍼터링법으로 형성해서, 전자부품용 적층 배선막을 제작하였다.

표 2에 나타내는 각 시료를, 0.1 ㎩ 이하의 진공 중에서, 350℃, 450℃에서 1시간 가열한 후의 주도전층측으로부터의 반사율 및 전기 저항값의 변화를 평가하였다. 진공 가열은, 산화에 의한 특성 변화를 고려하지 않고, 원소의 확산에 의한 특성 변화를 확인할 수 있는 것이기도 하다. 반사율, 전기 저항값 모두 실시예 1과 동일한 측정장치를 사용하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 범위 내에서 Ni를 첨가한 Mo-Ni 합금으로 되는 피복층 상에 Cu로 되는 주도전층을 형성한 적층 배선막은, 0.1 ㎩ 이하의 진공 중에서는 반사율의 저하 및 전기 저항값의 증가도 적은 것을 알 수 있다. 본 발명 중에서도 바람직한 범위인 20~50 원자%의 Ni를 첨가하면, 반사율의 저하 및 전기 저항값의 증가가 보다 억제되어, 전자부품에 매우 적합한 적층 배선막인 것을 확인할 수 있었다.

또한, 산화의 진행을 억제할 수 있다고 여겨지는 진공 분위기에서 가열해도, 피복층의 Ni 첨가량이 65%를 초과하면, 450℃에서는 반사율이 저하되고, 전기 저항값도 증가하고 있는 것을 알 수 있다. 이것은, 피복층의 Mo-Ni 합금 중의 Ni가 주도전층의 Cu 중에 부분적으로 확산되어, Cu막 표면의 요철이 증가하여 금속 광택이 상실되는 동시에 변색되어 있기 때문이라고 추찰된다. 다만, 상기에서 설정한 450℃의 가열 조건은, 특별한 조건으로, 일반적인 전자부품의 경우는 약 350℃까지의 가열이 행해지고 있는 것으로부터, Ni를 70 원자% 첨가한 본 발명예의 시료 No.8이 나타내는 전기 저항값이라면, 전자부품용 적층 배선막으로서 사용할 수 있다.

실시예 3

실시예 1과 동일한 방법으로 피복층이 되는 Mo-Ni 합금 또는 Mo와 주도전층이 되는 Cu의 적층막을 25 ㎜×50 ㎜의 유리 기판 상에 스퍼터링법으로 형성하여, 전자부품용 배선막을 제작하였다. 주도전층인 Cu막의 두께는 300 ㎚로 하고, 그 상부의 피복층의 두께를 변화시켜서, 표 3에 나타내는 구성의 각 시료를 제작하였다. 실시예 1과 동일하게, 각 시료를 대기 중에서, 150, 250, 350℃에서 1시간의 가열처리를 행하고, 전기 저항값, 상피복층측으로부터의 반사율의 변화를 측정하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.

표 3에 나타내는 바와 같이, 비교예가 되는 피복층이 없는 Cu막의 시료 No.1이나 피복층을 Mo로 한 시료 No.2~시료 No.3에서 피복층의 막두께를 변경한 적층 배선막을 대기 중에서 가열한 경우는, 150℃부터 변색되어 반사율은 저하되고, 전기 저항값이 증가하며 250℃ 이상에서 더욱 크게 전기 저항값이 증가하는 것이 확인되었다. 또한, Mo로 피복한 경우는, Mo의 막두께가 10 ㎚에서는 150℃부터 반사율이 저하되고, 250℃에서 전기 저항값이 크게 증가하는 것이 확인되었다. 또한, Mo의 막두께가 30 ㎚, 50 ㎚로 두꺼워지면, 반사율의 저하와 전기 저항값의 증가는 억제된다. 그러나, 피복층을 50 ㎚ 형성해도 350℃의 고온에서의 반사율의 저하, 전기 저항값의 증가를 억제할 수 없는 것이 확인되었다.

그것에 대해서, 본 발명의 Mo-Ni 합금을 피복층으로 한 적층 배선막은, 막두께 10 ㎚부터 반사율의 저하, 전기 저항값의 증가를 억제하는 높은 효과가 나타나고 있고, 막두께 20 ㎚ 이상에서 350℃의 고온까지 전기 저항값의 증가를 억제할 수 있었다. 또한, 피복층의 두께가 증가할수록 적층 배선막의 저항값이 증가하지만, 150 ㎚에서도 4.0 μΩ㎝ 이하의 낮은 전기 저항값을 유지할 수 있다. 이상과 같이, 본 발명에 의하면, 주도전층인 Cu의 산화를 방지할 수 있어, 전자부품용 적층 배선막으로서 유용한 것을 확인할 수 있었다.

Claims

기판 상에 금속막을 형성한 전자부품용 적층 배선막에 있어서, Cu로 되는 주도전층과, 그 주도전층의 한면 또는 양면을 덮는 피복층으로 되고, 그 피복층은 원자비에 있어서의 조성식이 Mo_100-XNi_X, 20≤X≤50으로 표시되며, 잔부가 불가피적 불순물로 되는 Mo-Ni 합금인 것을 특징으로 하는 전자부품용 적층 배선막.
삭제
제1항에 있어서,
상기 피복층의 두께가 10~200 ㎚인 것을 특징으로 하는 전자부품용 적층 배선막.
제1항에 있어서,
상기 주도전층의 두께가 100~500 ㎚인 것을 특징으로 하는 전자부품용 적층 배선막.
제3항에 있어서,
상기 주도전층의 두께가 100~500 ㎚인 것을 특징으로 하는 전자부품용 적층 배선막.