JP6445901B2 - 光吸収導電膜および光吸収導電膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
光吸収導電膜および光吸収導電膜形成用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Description
スパッタリング条件
基板温度:室温
成膜ガス:ArガスとN2ガスの混合ガス
ガス圧:2mTorr
スパッタパワー:DC500W
真空到達度:1×10-6Torr以下
透明基板として、板厚0.7mm、直径4インチの無アルカリ硝子板を用意し、この無アルカリ硝子板上に、DCマグネトロンスパッタリング法により、表1に示す組成の膜を50nm成膜した。表1のNo.1〜6のAl膜またはAl−N膜のスパッタリング条件を下記に示す。
成膜方法:反応性スパッタリング法
使用ターゲット:純Alターゲット
成膜装置:ULVAC社製 CS−200
基板温度:室温
成膜ガス:Arガス、N2ガスを表1に記載のN2ガス流量比率になるよう調整した。
ガス圧:2mTorr
スパッタパワー:DC500W
真空到達度:1×10-6Torr以下
表1に示す各膜の窒素量を調べるため、アルバック・ファイ株式会社製 PHI−710型走査型オージェ電子分光装置を用い、エネルギー:3keV、電流:約8nAの電子線を、試料傾斜60°で、各膜の表面に照射し、AES(Auger Electron Spectroscopy)スペクトル(オージェスペクトルともいう)を測定した。膜厚が50nmの試料の膜厚深さ方向に、Ar+のイオンスパッタでエッチングしながら、膜表面から深さ5〜20nmの範囲内で検出された各元素濃度の平均値を求めた。そしてこの方法で測定したAl原子とX元素原子と窒素原子との総量を分母としたときの、窒素原子の原子比での含有比率を、膜中窒素量として求めた。本発明では、上述の通り、この膜中窒素量が12〜58原子%の範囲内に含まれる膜を合格とした。
表1に示す膜の構造および結晶子サイズを調べるため、株式会社リガク製 水平型X線回折装置 SmartLabを用いて測定を行った。測定条件を下記に記載する。
測定条件
ターゲット:Cu
単色化:多層膜ミラー+平板モノクロメータ
ターゲット出力:45kV−200mA
スリット入射系:PSC(Parallel Slit Collimator)5°、IS(Incident Slit)0.4mm
スリット受光系:PSA(Parallel Slit Analyzer)0.5°、SS(Soller Slit)5°、RS(Receiving Slit)20mm
走査速度、サンプリング幅:2°/min、0.02°
入射角度:0.5°
測定角度(2θ):10°〜90°
上記成膜方法にて、膜厚が50nmの光吸収率測定用の試料を作製し、日本分光社製V−570分光光度計を用い、光吸収率を求めた。また参考までに反射率についても求めた。本実施例では、波長550nmにおける光吸収率が20.0%以上であるものを合格、即ち、光学特性に優れていると評価した。
上記成膜方法にて、膜厚が200nm以上の電気抵抗率測定用の試料を作製し、4端子法で電気抵抗率を測定した。本実施例では、電気抵抗率が5.0×104Ω・cm以下のものを合格、即ち導電性が高いと評価した。尚、表1において、例えばNo.1の「2.33E−06」は、2.33×10-6を意味する。
Claims (7)
- 窒素原子を53原子%以上58原子%以下含むと共に、Cu、Ti、Ta、およびNiよりなる群から選択される少なくとも1種のX元素を含む窒素含有Al合金膜からなり、アモルファスと結晶子サイズが140Å以下の微結晶とを含む構造であることを特徴とする光吸収導電膜。
- 波長550nmにおいて20.0%以上の光吸収率を有し、電気抵抗率が5.0×10 4 Ω・cm以下である請求項1に記載の光吸収導電膜。
- 請求項1または2に記載の光吸収導電膜を有する反射防止膜。
- 請求項1または2に記載の光吸収導電膜を有する表示装置。
- 請求項1または2に記載の光吸収導電膜を有する入力装置。
- 請求項1または2に記載の光吸収導電膜を有するタッチパネルセンサー電極。
- 請求項1または2に記載の光吸収導電膜形成用スパッタリングターゲット。
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