TW201725634A - 球柵陣列焊料附接件 - Google Patents

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TW201725634A
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solder
rga
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強納森 R. 卡斯田斯
麥可 S. 布雷澤爾
羅素 S. 歐基
勞拉 S. 莫堤摩
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英特爾公司
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Abstract

迴焊柵陣列(RGA)技術可在一插入物裝置上實施，其中該插入物放在一母板與一球柵陣列(BGA)封裝體之間。該插入物可對在該插入物與該BGA封裝體間之迴流焊料提供一控制之熱源。使用RGA技術之一插入物所面臨之一技術問題係施加焊料至該RGA插入物上。在此所述之技術解決方案提供用於施加焊料及形成焊料球以連接一RGA插入物在一BGA封裝體上的製程及設備。

Description

球柵陣列焊料附接件
發明領域 在此所述之實施例係大致有關於在電子裝置中之電氣互連。
背景 電路板總成包括電子組件與電子封裝體之焊料附接件。該焊料附接件提供電氣及機械連接。電子裝置不斷減少使用雙列直插封裝體(DIP)或扁平封裝體，且不斷增加使用球柵陣列(BGA)封裝體。類似地，伺服器及個人電腦不斷減少使用插座封裝體(例如，插座處理器封裝體)，且不斷增加使用BGA封裝體。BGA封裝體提供優於其他封裝體之優點，包括降低成本及較低Z高度屬性。與被設計成可在沒有焊料之情形下插入及移除之一插座封裝體不同，一BGA封裝體係接合在一母板上之一表面安裝技術(SMT)。一BGA封裝體之接合要求需要時間及技術能力來施加焊料以便連接該BGA封裝體與一母板。因此需要改善BGA封裝體技術之使用，同時減少與BGA封裝體二次加工相關之困難。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種方法，其包含以下步驟：將焊料置放在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上的多數插入物接點之各插入物接點上；及迴焊該焊料以形成固體焊料凸塊，該等固體焊料凸塊經組配成要被該RGA插入物迴焊以將一電氣組件接合至該RGA插入物。
實施例之說明 迴焊柵陣列(RGA)係為面臨BGA封裝體之技術問題提供技術解決方案的一技術。RGA技術可在一插入物裝置上實施，其中該插入物放在一母板與一BGA封裝體之間。該插入物可提供一控制之熱源以便在該插入物與該BGA封裝體之間迴焊焊料。在該插入物中使用RGA技術減少這BGA二次加工之技術複雜性，且容許延後附接或移除BGA封裝體。該插入物提供更有效之CPU更換及升級性，例如容許在驗證時調換處理器。該插入物亦減少與BGA封裝體存貨管理(例如，庫存計量單位(SKU)管理、報廢電子裝置相關的成本。該插入物提供優於插座封裝之數種優點，包括較低成本、較少電力損失、較低載入力、較少高度要求、較佳信號完整性及其他優點。
使用RGA技術之一插入物所面臨之一技術問題係施加焊料至該RGA插入物上。在此所述之技術解決方案提供用於施加焊料及形成焊料球以便連接一RGA插入物在一BGA封裝體上的製程及設備。
以下說明及圖充分地顯示特定實施例，使所屬技術領域中具有通常知識者可實施它們。其他實施例可加入結構、邏輯、電性、程序及其他改變。某些實施例之部分及特徵可包括或取代其他實施例之部份及特徵。在申請專利範圍中提出之實施例包含這些申請專利範圍之所有可用等效物。
圖1A至1C係依據本發明之至少一實施例的一RGA組態100的立體圖。圖1A顯示一分開BGA封裝體110A、一RGA插入物120A及一母板130A。如圖1B所示，該RGA插入物120B附接在母板130B上，且在該BGA封裝體110B上之接點與該母板130B上之接點間提供一電氣通道。該RGA插入物120B可藉由使用該RGA插入物120B在該RGA插入物120B與該母板130B之間迴焊焊料來接合在該母板130B上。外來熱可用來在該RGA插入物120B與該母板130B之間迴焊焊料。該RGA插入物120B可製成母板130B之一部分。如圖1C所示，為附接該BGA封裝體130C，將該BGA封裝體130C放在該插入物120C上。該RGA插入物120C局部地加熱以便迴焊焊料球並將該BGA封裝體130C附接在該插入物120C上。一RGA組態100之一橫截面顯示於圖2中。
圖2係依據本發明之至少一實施例的一RGA橫截面200的方塊圖。該RGA橫截面200包括一BGA封裝體205、一RGA插入物220及一母板260。該插入物220包括在該插入物之頂與底之間提供一電氣連接的至少一鍍敷貫穿孔225。該鍍敷貫穿孔225連接一上插入物墊230及一下插入物墊235。該鍍敷貫穿孔跨越穿過至少一插入物介電層240。一插入物介電層240包括一加熱器線路245。該加熱器線路245可包括一銅線路或其他導熱材料。一插入物介電層240包括一熱感測器線路250。該熱感測器線路250可與該加熱器線路245在相同插入物介電層240上，或可在一不同插入物介電層240上。
該RGA插入物220可用以連接該RGA插入物220與該母板260。該加熱器線路245在該RGA插入物220上迴焊焊料215，其中焊料255連接該等下插入物墊235及該等母板接點265。該加熱器線路245及熱感測器線路250可與一外部控制器連接，其中該外部控制器可用來控制該加熱器電流同時監測表面溫度。多數加熱器線路245及熱感測器線路250可用來控制到達在該插入物上之多數特定區域的熱，其中該等特定區域可用來迴焊相鄰焊料球之一部份。該插入物可用於接合或分開該插入物與該母板，或者接合或分開一BGA封裝體與該插入物。
為連接該BGA封裝體205與該RGA插入物220，將該BGA封裝體205放在該RGA插入物220上，且加熱器線路245提供熱以便迴焊焊料215及焊料210。許多BGA封裝體包括附接之焊料球，例如BGA封裝體205及焊料球210。分開配置之多數焊料沈積物215施加在各上插入物墊230上以容許焊料215及焊料210在該BGA封裝體205與該RGA插入物220之間提供一適當電氣及機械連接。將焊料215施加至上插入物墊230上有許多技術上的困難。在一典型IC裝置中，多達數千互連墊需要小心地施加焊料至各墊上。施加焊料之一方法係參照圖3說明。
圖3係依據本發明之至少一實施例的一焊料施加方法300的流程圖。焊料施加方法300包括接收具有一附接插入物之一母板310，且包括清潔及準備該插入物表面320。接著將包括多數插入物接觸孔之一多孔模板(例如，抗蝕圖案)放在該插入物上且對齊該等插入物接點330。施加及迫使焊料糊通過該模板340，施加少量焊料糊至各插入物接點上。被施加及迫使通過該模板340之焊料糊量必須小心地控制。例如，施加太多焊料會橋接該插入物上之多數接點，而施加太少焊料會使該插入物與一BGA封裝體間無法產生一接觸。接著移除該模板350，其中移除必須以充分之準確性進行以避免塗抹施加在該等插入物接點上之焊料糊。接著將一BGA封裝體放置在該插入物上360，且迴焊該焊料以附接該BGA封裝體至該插入物370。最後，清潔該模板380以準備下一次BGA封裝體附接。雖然該焊料施加方法300係對具有附接插入物之一母板來說明，但一類似焊料施加方法300可應用於在沒有一插入物之情形下將一BGA附接在一母板上。
圖4係依據本發明之至少一實施例的一焊料模板400的立體圖。焊料模板400包括一模板殼體410，且焊料糊420施加在該模板殼體410上。該焊料模板配置在一插入物上或直接配置在一母板上。該焊料模板被小心地配置使得在一焊料糊篩440中之孔與在該母板或插入物上之對應接點對齊。一焊料糊施加凸緣430或焊料刮刀(未圖示)被用來迫使該焊料糊420通過一焊料篩440。施加該焊料糊420後，必須小心地移除該焊料模板400以避免塗抹在該母板或插入物上之任何接點間的焊料糊。
圖5係依據本發明之至少一實施例的BGA模板材料500的立體圖。圖5顯示在某些BGA封裝體附接之方法中使用的材料。例如，焊料糊施加需要清潔材料510、焊料糊520、一焊料模板及刮刀530、及一BGA相容之母板540。
圖6係依據本發明之至少一實施例的一濕焊料糊接點陣列600的顯微鏡影像。該接點陣列600包括，例如使用該焊料施加方法300，施加在各接點上之濕焊料糊610。該濕焊料糊610可能未以均一量施加在各接點上，且例如在施加或移除一焊料糊模板時被塗抹。
圖7係依據本發明之至少一實施例的一焊料施加方法700的流程圖。焊料施加方法700包括接收具有一附接插入物之一母板710。與在焊料施加方法300中使用之插入物不同，這插入物包括設置在各插入物接點上之焊料。接著將焊料助熔劑施加在該等插入物接點上720。施加焊料助熔劑720可包括將該焊料助熔劑刮過該插入物以塗布插入物接點。但是，與在焊料施加方法300中將焊料施加在多數獨立插入物接點上不同，助熔劑被用來清潔及減少現存接點及焊料沈積物的氧化，因此可施加該助熔劑成為在全部插入物表面上之一助熔劑層。接著將一BGA封裝體放在該插入物上730，且迴焊該焊料以附接該BGA封裝體在該插入物上740。方法700不需要一模板、準確地施加焊料糊通過一模板、或清潔一模板。
圖8係依據本發明之至少一實施例的RGA插入物材料800的立體圖。圖8顯示使用一RGA插入物附接BGA封裝體之一方法的材料。例如，一助熔劑施加器810可用以施加助熔劑至在一RGA插入物820上之多數接點。該助熔劑可使用一助熔劑刷830散布在該RGA插入物820之表面上。這與在上述焊料施加方法300中需要準確地施加焊料糊不同，且與上述BGA模板材料500之較長清單亦不同。
圖9係依據本發明之至少一實施例的RGA焊料助熔劑材料900的立體圖。圖9顯示在BGA封裝體附接之一建議方法中使用的材料。例如，使用一RGA之BGA封裝體附接需要一RGA插入物910及焊料助熔劑920。這些少數RGA焊料助熔劑材料900與如上述BGA模板材料500之一BGA焊料糊模板所需的許多材料不同。
圖10係依據本發明之至少一實施例的一插入物焊料凸塊陣列1000的顯微鏡影像。該焊料凸塊陣列600包括先前已迴焊在一插入物表面上以形成多數焊料凸塊1010的固化焊料。該等焊料凸塊1010為固體，且不會受到與在上述焊料施加方法300中使用之濕焊料糊610相同的塗抹。
圖11係依據本發明之至少一實施例的一助熔劑就緒RGA插入物1100的方塊圖。助熔劑就緒RGA插入物1100可例如使用方法700只施加助熔劑來連接一BGA封裝體。一RGA1150可包括多數接點1150，其中各接點包括一焊料沈積物1140。各焊料沈積物1140可由先前已迴焊且此時為固體之一低溫焊料形成。一層助熔劑1130施加在所有焊料沈積物1140上。一BGA封裝體1110包括多數焊料球1120。該等焊料球1120可由先前已迴焊且此時為固體之一高溫焊料形成。使該BGA1110封裝體下降至該RGA1150上使得各焊料球1120位在一對應焊料沈積物1140上方。一對齊殼體(未圖示)可被用來對齊該等焊料球1120與該等焊料沈積物1140。該RGA插入物1100對該等焊料沈積物1140及焊料球1120加熱，迴焊各焊料沈積物及焊料球且形成一接合連接。該焊料沈積物1140使用一低溫焊料及該等焊料球1120使用一高溫焊料可進行一控制之迴焊製程。例如，該RGA插入物1100可在一較低溫迴焊該焊料沈積物1140以便由於焊料之表面張力形成一圓形或球形焊料沈積物。該等焊料沈積物1140已形成一所需形狀後，該RGA插入物1100可在一較高溫迴焊該等焊料球1120以便在該等焊料沈積物1140與焊料球1120之間形成一焊料連接。使用各種溫度亦可用來容許該助熔劑清潔該等焊料沈積物1140或焊料球1120。
圖12係依據本發明之至少一實施例的一插入物接點遮罩1200的立體圖。該接點遮罩1200包括一接點遮罩殼體1210，其中該接點遮罩殼體1210包括多數遮罩空間(例如，多數孔)1220，且該等遮罩空間1220對應於在一RGA插入物上之多數接點1230之各接點。接點遮罩1200可為放在一RGA插入物上之一分開結構。例如使用另一層插入物玻璃纖維介電體或一層厚阻焊遮罩，接點遮罩1200可形成為一RGA插入物之一部分。該接點遮罩1200可用來形成多數焊料凸塊，如圖13A至13B所示。
圖13A至13B係依據本發明之至少一實施例的焊料遮罩凸塊形成1300的方塊圖。圖13A顯示插入物接點遮罩1310A，該插入物接點遮罩1310A包括一遮罩空間1320A及一插入物接點1330A。焊料1340A放在該遮罩空間1320A內。在一例子中，焊料糊施加至該遮罩空間1320A，且可由該插入物接點遮罩1310A移除過多焊料糊。圖13B顯示在該焊料已迴焊後的圖13A之組態。當該RGA插入物對該插入物接點1330B加熱時，迴焊該焊料1340B，且焊料表面張力使該焊料1340B形成一彎曲或圓球形狀。該插入物及成形焊料1340B可接著如上所述地用於該助熔劑就緒RGA插入物1100中。
圖14A至14C係依據本發明之至少一實施例的焊料薄膜沈積1400的方塊圖。如圖14A所示，焊料薄膜沈積1400包括一焊料沈積薄膜1410A，且該焊料沈積薄膜1410A包括多數焊料沈積物1420A。該等焊料沈積物1420A可施加在該焊料沈積薄膜1410A上成為一焊料糊、成為黏著焊料沈積物、或為另一焊料形式。圖14B顯示施加在一RGA插入物1430B之表面上的焊料沈積薄膜1410B及多數焊料沈積物1420B。如圖14C所示，可移除該焊料沈積薄膜1410C，在該插入物1430C上留下該等焊料沈積物1420C。該焊料沈積薄膜1410C可藉由剝離、溶解或另一方法移除。使用或不使用一插入物接點遮罩1200均可將焊料沈積薄膜1410C及焊料沈積物1420C施加在RGA插入物1430C上。施加後，該插入物1430C迴焊該等焊料沈積物1420C以形成多數焊料球。該插入物1430C及迴焊後之焊料沈積物1420C可接著如上所述地用於該助熔劑就緒RGA插入物1100中。
圖15係具有依據本發明之至少一實施例之一焊料裝置或方法的一電子裝置1500的方塊圖。圖15顯示用半導體晶片總成之一電子裝置例且包括在本揭露中所述之焊料以顯示用於本發明之一更高級裝置應用的一例。電子裝置1500只是本發明可使用之實施例中的一電子系統之一例。電子裝置1500之例子包括，但不限於個人電腦、平板電腦、行動電話、遊戲裝置、MP3或其他數位音樂播放器等。在這例子中，電子裝置1500包含一資料處理系統，該資料處理系統包括用以耦合該系統之各種組件的一系統匯流排1502。系統匯流排1502在該電子裝置1500之各種組件間提供通信鏈路且可以一單一匯流排、以多數匯流排之組合、或以其他適當方式實施。
一電子總成1510與系統匯流排1502耦合。該電子總成1510可包括任一電路或多數電路之組合。在一實施例中，該電子總成1510包括可為任一種之處理器1512。在此使用之「處理器」表示任一種運算電路，例如但不限於一微處理器、一微控制器、一複雜指令集計算(CISC)微處理器、一精簡指令集計算(RISC)微處理器、一極長指令字(VLIW)微處理器、一圖形處理器、一數位訊號處理器(DSP)、多核心處理器、或任何其他種類之處理器或處理電路。
在電子總成1510中可包括之其他種類的電路係一定製電路、一特殊應用積體電路(ASIC)等，例如，用於如行動電話、個人數位助理、可攜式電腦、雙向無線電及類似電子系統之無線裝置中的一或多數電路(例如一通訊電路1514)。該IC可達成任何其他種類之功能。
該電子裝置1500亦可包括一外部記憶體1520，而該外部記憶體1520又可包括適合特定應用之一或多數記憶體元件，例如呈一隨機存取記憶體(RAM)形式之一主記憶體1522、一或多數硬碟機1524、及/或處理例如光碟(CD)、快閃記憶卡、數位影音光碟(DVD)等之可移除媒體1526的一或多數驅動器。
該電子之裝置1500亦可包括一顯示裝置1516、一或多數揚聲器1518、及一鍵盤及/或控制器1530，該鍵盤及/或控制器1530可包括一滑鼠、軌跡球、觸控螢幕、語音辨識裝置、或允許一系統使用者將資訊輸入該電子裝置1500及由該電子裝置1500接收資訊的任何其他裝置。 為了更佳地顯示在此揭露之方法及裝置，在此提供一系列非限制實施例：
例1係一種方法，其包含以下步驟：將焊料放在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上的多數插入物接點之各插入物接點上；及迴焊該焊料以形成多數固體焊料凸塊，該等固體焊料凸塊係組配成可被該RGA插入物迴焊而將一電氣組件接合至該RGA插入物。
在例2中，例1之標的物選擇地包括其中迴焊該焊料之步驟包括加熱一插入物加熱器線路。
在例3中，例1至2中之一或多數例的標的物選擇地包括將該電氣組件接合至該RGA插入物之步驟。
在例4中，例3之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例5中，例3至4中之一或多數例的標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括施加助熔劑至該等固體焊料凸塊之步驟。
在例6中，例5之標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括將該電氣組件放在該RGA插入物上之步驟。
在例7中，例5至6中之一或多數例的標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊的步驟。
在例8中，例7之標的物選擇地包括其中使該等固體焊料凸塊對齊之步驟包括將一對齊裝置放在該RGA插入物上及將該電氣組件放在該對齊裝置內之步驟。
在例9中，例3至8中之一或多數例的標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括迴焊該等固體焊料凸塊之步驟。
在例10中，例9之標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點的步驟。
在例11中，例1至10中之一或多數例的標的物選擇地包括其中將焊料放在該等多數插入物接點之各插入物接點上的步驟包括將焊料放在一插入物接點遮罩內之多數空洞的空間的各者中的步驟，該等多數空洞的空間對應於該等多數插入物接點。
在例12中，例11之標的物選擇地包括其中放置焊料的步驟包括放置一阻焊材料的步驟。
在例13中，例11至12中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一介電材料。
在例14中，例13之標的物選擇地包括其中該介電材料包括一玻璃纖維材料。
在例15中，例11至14中之一或多數例的標的物選擇地包括其中放置焊料之步驟包括將該插入物接點遮罩放在該RGA插入物上之步驟。
在例16中，例11至15中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩形成在該RGA插入物上。
在例17中，例1至16中之一或多數例的標的物選擇地包括其中放置該焊料之步驟包括將一焊料薄膜放在該RGA插入物上之步驟，該焊料薄膜施加一預分配焊料糊沈積物在多數插入物接點之各插入物接點上。
在例18中，例17之標的物選擇地包括其中該焊料薄膜係成形為與該RGA插入物對齊以使該預分配焊料糊沈積物與該等多數插入物接點對齊。
例19係一種方法，其包含以下步驟：施加助熔劑在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上的多數固體焊料凸塊上；將一電氣組件放在該RGA插入物上；及將該電氣組件接合至該RGA插入物。
在例20中，例19之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例21中，例19至20中之一或多數例的標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括迴焊該等固體焊料凸塊之步驟。
在例22中，例21之標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點的步驟。
在例23中，例19至22中之一或多數例的標的物選擇地包括其中接合該電氣組件之步驟包括使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊的步驟。
在例24中，例23之標的物選擇地包括其中使該等固體焊料凸塊對齊之步驟包括將一對齊裝置放在該RGA插入物上及將該電氣組件放在該對齊裝置內之步驟。
例25係一種機器可讀媒體，其包括多數指令，當由一運算系統執行時，該等指令使該運算系統實行例1至18之方法中之任一方法。
例26係一種設備，其包含用以實行例1至18之方法中之任一方法的裝置。
例27係一種機器可讀媒體，其包括多數指令，當由一運算系統執行時，該等指令使該運算系統實行例19至24之方法中之任一方法。
例28係一種設備，其包含用以實行例19至24之方法中之任一方法的裝置。
例29係一種設備，其包含：一迴焊柵陣列(RGA)插入物，其包括一加熱器線路及多數插入物接點；及多數固體焊料凸塊，其迴焊在該等多數插入物接點之各插入物接點上。
在例30中，例29之標的物選擇地包括接合在該RGA插入物上之一電氣組件，其中該加熱元件係組配成迴焊該等固體焊料凸塊以將該電氣組件接合至該RGA插入物。
在例31中，例30之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例32中，例30至31中之一或多數例的標的物選擇地包括用以使該電氣組件與該RGA插入物對齊之一對齊裝置。
在例33中，例30至32中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該加熱元件係組配成迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點。
例34係一種設備，其包含：一迴焊柵陣列(RGA)插入物，其包括一加熱器線路及多數插入物接點；及一RGA插入物焊料施加裝置，其用以促進一焊料沈積物至該等多數插入物接點之各插入物接點之施加，該加熱器線路係組配成迴焊該焊料沈積物以便在該等多數插入物接點之各插入物接點上形成多數固體焊料凸塊。
在例35中，例34之標的物選擇地包括其中該RGA插入物焊料施加裝置包括一插入物接點遮罩，該插入物接點遮罩包括對應於該等多數插入物接點之多數遮罩空間。
在例36中，例35之標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括在該等多數遮罩空間之各遮罩空間內的一接點遮罩焊料沈積物。
在例37中，例35至36中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一阻焊材料。
在例38中，例35至37中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一介電材料。
在例39中，例38之標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一玻璃纖維材料。
在例40中，例35至39中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩放在該RGA插入物上。
在例41中，例35至40中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩形成在該RGA插入物上。
在例42中，例34至41中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該RGA插入物焊料施加裝置包括一焊料薄膜，該焊料薄膜係組配成將一焊料薄膜焊料沈積物放在該等多數插入物接點之各插入物接點上。
在例43中，例42之標的物選擇地包括其中該焊料薄膜係成形為使該焊料薄膜焊料沈積物與該等多數插入物接點之各插入物對齊。
例44係一種機器可讀儲存媒體，其包含多數指令，該等指令可藉由一電腦控制裝置之處理器電路執行，使該電腦控制裝置：將焊料放在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上之多數插入物接點的各插入物接點上；及迴焊該焊料以形成多數固體焊料凸塊，該等固體焊料凸塊係組配成可被該RGA插入物迴焊而將一電氣組件接合至該RGA插入物。
在例45中，例44之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置加熱一插入物加熱器線路。
在例46中，例44至45中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將電氣組件接合至該RGA插入物。
在例47中，例46之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例48中，例46至47中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置施加助熔劑在該等固體焊料凸塊上。
在例49中，例48之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將該電氣組件放在該RGA插入物上。
在例50中，例48至49中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊。
在例51中，例50之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將一對齊裝置放在該RGA插入物上及將該電氣組件放在該對齊裝置內。
在例52中，例46至51中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置迴焊該等固體焊料凸塊。
在例53中，例52之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點。
在例54中，例45至53中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將焊料放在一插入物接點遮罩內之多數空洞的空間的各者中，該等多數空洞的空間對應於該等多數插入物接點。
在例55中，例54之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置放置一阻焊材料。
在例56中，例54至55中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一介電材料。
在例57中，例56之標的物選擇地包括其中該介電材料包括一玻璃纖維材料。
在例58中，例54至57中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將該插入物接點遮罩放在該RGA插入物上。
在例59中，例54至58中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩形成在該RGA插入物上。
在例60中，例44至59中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將一焊料薄膜放在該RGA插入物上，該焊料薄膜施加一預分配焊料糊沈積物在多數插入物接點之各插入物接點上。
在例61中，例60之標的物選擇地包括其中該焊料薄膜係成形為與該RGA插入物對齊以使該預分配焊料糊沈積物與該等多數插入物接點對齊。
例62係一機器可讀儲存媒體，其包含多數指令，該等指令可藉由一電腦控制裝置之處理器電路執行，使該電腦控制裝置：將助熔劑施加在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上之多數固體焊料凸塊上；將一電氣組件放在該RGA插入物上；及將該電氣組件接合在該RGA插入物上。
在例63中，例62之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例64中，例62至63中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置迴焊該等固體焊料凸塊。
在例65中，例64之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點。
在例66中，例62至65中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊。
在例67中，例66之標的物選擇地包括其中該等指令使該電腦控制裝置將一對齊裝置放在該RGA插入物上及將該電氣組件放在該對齊裝置內。
例68係一種設備，其包含：用以將焊料放在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上之多數插入物接點之各插入物接點上的裝置；及用以迴焊該焊料以形成多數固體焊料凸塊之裝置，該等固體焊料凸塊係組配成可被該RGA插入物迴焊而將一電氣組件接合至該RGA插入物。
在例69中，例68之標的物選擇地包括其中用以迴焊該焊料之裝置包括用以加熱一插入物加熱器線路之裝置。
在例70中，例68至69中之一或多數例的標的物選擇地包括用以將該電氣組件接合至該RGA插入物之裝置。
在例71中，例70之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例72中，例70至71中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以施加助熔劑至該等固體焊料凸塊上之裝置。
在例73中，例72之標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以將該電氣組件放在該RGA插入物上之裝置。
在例74中，例72至73中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以使該等插入物固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊的裝置。
在例75中，例74之標的物選擇地包括其中用以對齊該等固體焊料凸塊之裝置包括用以將一對齊裝置放在該RGA插入物上的裝置及用以將該電氣組件放在該對齊裝置內的裝置。
在例76中，例70至75中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以迴焊該等固體焊料凸塊之裝置。
在例77中，例76之標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點的裝置。
在例78中，例68至77中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以將焊料放在該等多數插入物接點之各插入物接點上的裝置包括用以將焊料放在一插入物接點遮罩內之多數空洞的空間之各者中的裝置，該等多數空洞的空間對應於該等多數插入物接點。
在例79中，例78之標的物選擇地包括其中用以放置焊料之裝置包括用以放置一阻焊材料之裝置。
在例80中，例78至79中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩包括一介電材料。
在例81中，例80之標的物選擇地包括其中該介電材料包括一玻璃纖維材料。
在例82中，例78至81中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以放置焊料之裝置包括將該插入物接點遮罩放在該RGA插入物上之裝置。
在例83中，例78至82中之一或多數例的標的物選擇地包括其中該插入物接點遮罩形成在該RGA插入物上。
在例84中，例68至83中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以放置焊料之裝置包括用以將一焊料薄膜放在該RGA插入物上之裝置，該焊料薄膜施加一預分配焊料糊沈積物在多數插入物接點之各插入物接點上。
在例85中，例84之標的物選擇地包括其中該焊料薄膜係成形為與該RGA插入物對齊以使該預分配焊料糊沈積物與該等多數插入物接點對齊。
例86係一種設備，其包含：用以將助熔劑施加在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上之多數固體焊料凸塊上的裝置；用以將一電氣組件放在該RGA插入物上的裝置；及用以將該電氣組件接合至該RGA插入物的裝置。
在例87中，例86之標的物選擇地包括其中該電氣組件包括一球柵陣列(BGA)組件。
在例88中，例86至87中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以迴焊該等固體焊料凸塊之裝置。
在例89中，例88之標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成多數電氣接點的裝置。
在例90中，例86至89中之一或多數例的標的物選擇地包括其中用以接合該電氣組件之裝置包括用以使該等插入物固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊的裝置。
在例91中，例90之標的物選擇地包括其中用以對齊該等固體焊料凸塊之裝置包括用以將一對齊裝置放在該RGA插入物上的裝置及用以將該電氣組件放在該對齊裝置內的裝置。本模具、模具系統及相關方法之這些及其他例子及特徵將在以下詳細說明部分地提出。這概要係欲提供本標的物之非限制例─它不是要提供一排他或窮舉之說明。以下包含之詳細說明係用以提供關於本模具、模具系統及方法之其他資訊。
以上詳細說明包括參照形成該詳細說明之一部分的附圖。藉由圖示，該等圖顯示可實施本發明之特定實施例。這些實施例在此亦被稱為「例子」。該等例子可包括所示或所述元件以外之元件。但是，本發明人亦可預期只提供所示或所述之這些元件的例子。此外，本發明人亦可預期，相對於一特定例子(或其一或多數態樣)或相對於在此所示或所述之其他例子(或其一或多數態樣)，使用這些所示或所述元件之任何組合或置換的例子(或其一或多數態樣)。
在這文獻中，如在專利文獻中常見地，在此使用之用語「一」包括一或一以上，與任何其他情形或使用「至少一」或「一或多數」無關。在這文獻中，除非另外聲明，該用語「或」係用以表示一非互斥或，使得「A或B」包括「A非B」、「B非A」、及「A與B」。在這文獻中，該等用語「包括」及「在...中」係作為各用語「包含」及「其中」之直白英語等效語使用。此外，在以下申請專利範圍中，該等用語「包括」及「包含」是開放式的，即，包括在一申請專利範圍中在該用語後列舉者以外之多數元件的一系統、裝置、物品、組成物、配方、或製程仍被視為落在該申請專利範圍之範疇內。另外，在以下申請專利範圍中，在此使用之用語「第一」、「第二」、及「第三」等只作為標示使用，且不是要在其物體上加上數值必要條件。
以上說明是說明性的而非限制性的。例如，上述例子(或其一或多數態樣)可互相組合使用。藉由瀏覽上述說明，例如所屬技術領域中具有通常知識者可使用其他實施例。該摘要係為符合37 C.F.R. §1.72(b)而提供，以容許讀者快速地確定該技術揭露內容之本質。它是在了解它不會用以判讀或限制該申請專利範圍之範疇或意義之情形下提出。在以上詳細說明中，各種特徵可組合在一起以簡化該揭露內容。這不應被解讀為一未請求之揭露特徵對任一請求項是必需的意圖。相反地，本發明標的物可為比一特定揭露實施例之所有特徵少。因此，該詳細說明因而加入以下申請專利範圍，且各請求項獨立地作為一分開之實施例，並且可預期的是該等實施例可在各種組合或置換中互相組合。本發明之範疇應參照附加申請專利範圍，及該申請專利範圍給予權利之等效物的全部範疇來決定。
100‧‧‧RGA組態
110A,110B,130C,205,1110‧‧‧BGA封裝體
120A,120B,120C,220,820,910,1430B,1430C‧‧‧RGA插入物
130A,130B,260‧‧‧母板
200‧‧‧RGA橫截面
210,215,255,1340A,1340B‧‧‧焊料
225‧‧‧鍍敷貫穿孔
230‧‧‧上插入物墊
235‧‧‧下插入物墊
240‧‧‧插入物介電層
245‧‧‧加熱器線路
250‧‧‧熱感測器線路
265‧‧‧母板接點
300,700‧‧‧焊料施加方法
310,710‧‧‧接收步驟
320‧‧‧清潔及準備步驟
330,360,730‧‧‧放置步驟
340‧‧‧施加及迫使步驟
350‧‧‧移除步驟
370,740‧‧‧迴焊步驟
380‧‧‧清潔步驟
400‧‧‧焊料模板
410‧‧‧模板殼體
420,520‧‧‧焊料糊
430‧‧‧焊料糊施加凸緣
440‧‧‧焊料糊篩；焊料篩
500‧‧‧BGA模板材料
510‧‧‧清潔材料
530‧‧‧焊料模板及刮刀
540‧‧‧BGA相容之母板
600‧‧‧接點陣列
610‧‧‧濕焊料糊
720‧‧‧施加步驟
800,900‧‧‧RGA插入物材料
810‧‧‧助熔劑施加器
830‧‧‧助熔劑刷
920‧‧‧焊料助熔劑
1000‧‧‧插入物焊料凸塊陣列
1010‧‧‧焊料凸塊
1100‧‧‧助熔劑就緒RGA插入物
1120‧‧‧焊料球
1130‧‧‧助熔劑
1140,1420A,1420B,1420C‧‧‧焊料沈積物
1150‧‧‧RGA；接點
1200‧‧‧接點遮罩
1210‧‧‧接點遮罩殼體
1220,1320A‧‧‧遮罩空間
1230‧‧‧接點
1300‧‧‧焊料遮罩凸塊形成
1310A‧‧‧插入物接點遮罩
1330A,1330B‧‧‧插入物接點
1400‧‧‧焊料薄膜沈積
1410A,1410B,1410C‧‧‧焊料沈積薄膜
1500‧‧‧電子裝置
1502‧‧‧系統匯流排
1510‧‧‧電子總成
1512‧‧‧處理器
1514‧‧‧通訊電路
1516‧‧‧顯示裝置
1518‧‧‧揚聲器
1520‧‧‧外部記憶體
1522‧‧‧主記憶體
1524‧‧‧硬碟
1526‧‧‧可移除媒體
1530‧‧‧鍵盤及/或控制器
圖式簡單說明 圖1A至1C係依據本發明之至少一實施例的一RGA組態的立體圖。
圖2係依據本發明之至少一實施例的一RGA橫截面的方塊圖。
圖3係依據本發明之至少一實施例的一焊料施加方法的流程圖。
圖4係依據本發明之至少一實施例的一焊料模板的立體圖。
圖5係依據本發明之至少一實施例的BGA模板材料的立體圖。
圖6係依據本發明之至少一實施例的一濕焊料糊接點陣列的顯微鏡影像。
圖7係依據本發明之至少一實施例的一焊料施加方法的流程圖。
圖8係依據本發明之至少一實施例的RGA插入物材料的立體圖。
圖9係依據本發明之至少一實施例的RGA焊料助熔劑材料的立體圖。
圖10係依據本發明之至少一實施例的一插入物焊料凸塊陣列的顯微鏡影像。
圖11係依據本發明之至少一實施例的一助熔劑就緒RGA插入物的方塊圖。
圖12係依據本發明之至少一實施例的一插入物接點遮罩的立體圖。
圖13A至13B係依據本發明之至少一實施例的焊料遮罩凸塊形成的方塊圖。
圖14A至14C係依據本發明之至少一實施例的焊料薄膜沈積的方塊圖。
圖15係具有依據本發明之至少一實施例之一焊料裝置或方法的一電子裝置的方塊圖。
100‧‧‧RGA組態
110A‧‧‧BGA封裝體
120A‧‧‧RGA插入物
130A‧‧‧母板

Claims (20)

  1. 一種方法，其包含： 將焊料置放在一迴焊柵陣列(RGA)插入物上的多數插入物接點之各插入物接點上；及 迴焊該焊料以形成固體焊料凸塊，該等固體焊料凸塊經組配成要被該RGA插入物迴焊以將一電氣組件接合至該RGA插入物。
  2. 如請求項1之方法，其中迴焊該焊料包括加熱一插入物加熱器線路。
  3. 如請求項1之方法，更包括將該電氣組件接合至該RGA插入物。
  4. 如請求項3之方法，其中接合該電氣組件包括施加助熔劑至該等固體焊料凸塊。
  5. 如請求項4之方法，其中接合該電氣組件包括使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊。
  6. 如請求項5之方法，其中使該等固體焊料凸塊對齊包括將一對齊裝置放在該RGA插入物上及將該電氣組件置放在該對齊裝置內。
  7. 如請求項3之方法，其中接合該電氣組件包括迴焊該等固體焊料凸塊。
  8. 如請求項7之方法，其中接合該電氣組件之步驟包括迴焊在該電氣組件上之多數電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成電氣接點。
  9. 如請求項1之方法，其中將焊料置放在該等多數插入物接點之各插入物接點上包括將焊料置放在一插入物接點遮罩內之多數空洞之空間的各者中，該等多數空洞之空間對應於該等多數插入物接點。
  10. 一種方法，其包含： 施加助熔劑至一迴焊柵陣列(RGA)插入物上的多數固體焊料凸塊； 將一電氣組件置放在該RGA插入物上；及 將該電氣組件接合至該RGA插入物。
  11. 如請求項10之方法，其中接合該電氣組件包括迴焊該等固體焊料凸塊。
  12. 如請求項11之方法，其中接合該電氣組件包括迴焊在該電氣組件上之電氣組件焊料凸塊以便在該等多數電氣組件焊料凸塊與該等固體焊料凸塊之間形成電氣接點。
  13. 如請求項10之方法，其中接合該電氣組件包括使該等固體焊料凸塊與在該電氣組件上之多數組件接點對齊。
  14. 一種設備，其包含： 一迴焊柵陣列(RGA)插入物，其包括一加熱器線路及多數插入物接點；及 固體焊料凸塊，其迴焊在該等多數插入物接點之各插入物接點上。
  15. 如請求項14之設備，更包括接合至該RGA插入物之一電氣組件，其中該加熱元件經組配以迴焊該等固體焊料凸塊以將該電氣組件接合至該RGA插入物。
  16. 如請求項15之設備，更包括用以使該電氣組件與該RGA插入物對齊之一對齊裝置。
  17. 一種設備，其包含： 一迴焊柵陣列(RGA)插入物，其包括一加熱器線路及多數插入物接點；及 一RGA插入物焊料施加裝置，其用以促進一焊料沈積物至該等多數插入物接點之各插入物接點的施加，該加熱器線路經組配成迴焊該焊料沈積物以便在該等多數插入物接點之各插入物接點上形成固體焊料凸塊。
  18. 如請求項17之設備，其中該RGA插入物焊料施加裝置包括一插入物接點遮罩，該插入物接點遮罩包括對應於該等多數插入物接點之多數遮罩空間。
  19. 如請求項18之設備，其中該插入物接點遮罩包括在該等多數遮罩空間之各遮罩空間內的一接點遮罩焊料沈積物。
  20. 如請求項17之設備，其中該RGA插入物焊料施加裝置包括一焊料薄膜，該焊料薄膜係組配成將一焊料薄膜焊料沈積物置放在該等多數插入物接點之各插入物接點上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112008174A (zh) * 2020-08-30 2020-12-01 郑连财 一种片状电感自动焊锡机

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106227946B (zh) * 2016-07-26 2019-03-12 上海望友信息科技有限公司 一种pcb网板制作方法及系统
US11023247B2 (en) * 2018-06-29 2021-06-01 Intel Corporation Processor package with optimization based on package connection type
US11621237B2 (en) * 2019-01-14 2023-04-04 Intel Corporation Interposer and electronic package
US11545408B2 (en) * 2019-01-16 2023-01-03 Intel Corporation Reflowable grid array to support grid heating
KR20220048754A (ko) * 2020-10-13 2022-04-20 삼성전자주식회사 인터포저 구조 및 이를 포함하는 전자 장치.
TWI807348B (zh) * 2021-06-21 2023-07-01 矽品精密工業股份有限公司 覆晶作業及其應用之接合設備

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6376279A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 株式会社日立製作所 コネクタ及びそれを用いた半導体素子実装構造
US4759491A (en) * 1987-05-18 1988-07-26 American Telephone And Telegraph Company Method and apparatus for applying bonding material to component leads
US5539186A (en) * 1992-12-09 1996-07-23 International Business Machines Corporation Temperature controlled multi-layer module
JPH0832296A (ja) * 1994-07-11 1996-02-02 Ibiden Co Ltd 電子部品を実装する際の位置合わせ方法
US5655703A (en) * 1995-05-25 1997-08-12 International Business Machines Corporation Solder hierarchy for chip attachment to substrates
MY123146A (en) * 1996-03-28 2006-05-31 Intel Corp Perimeter matrix ball grid array circuit package with a populated center
US5818697A (en) * 1997-03-21 1998-10-06 International Business Machines Corporation Flexible thin film ball grid array containing solder mask
US7819301B2 (en) * 1997-05-27 2010-10-26 Wstp, Llc Bumping electronic components using transfer substrates
JPH11317413A (ja) * 1998-02-19 1999-11-16 Texas Instr Inc <Ti> 接着シ―トから基板へ粒子を移す方法およびその方法で製造された半導体パッケ―ジ
WO2000010369A1 (fr) * 1998-08-10 2000-02-24 Fujitsu Limited Realisation de bossages de soudure, methode de montage d'un dispositif electronique et structure de montage pour ce dispositif
JP2006210937A (ja) * 1998-08-10 2006-08-10 Fujitsu Ltd ハンダバンプの形成方法
JP2001203318A (ja) * 1999-12-17 2001-07-27 Texas Instr Inc <Ti> 複数のフリップチップを備えた半導体アセンブリ
US6423939B1 (en) * 2000-10-02 2002-07-23 Agilent Technologies, Inc. Micro soldering method and apparatus
JP2003124624A (ja) * 2001-10-18 2003-04-25 Canon Inc ヒートコネクタ
JP4036786B2 (ja) * 2003-04-24 2008-01-23 唯知 須賀 電子部品実装方法
JPWO2004107432A1 (ja) * 2003-05-29 2006-07-20 富士通株式会社 電子部品の実装方法、取外し方法及びその装置
US7566960B1 (en) * 2003-10-31 2009-07-28 Xilinx, Inc. Interposing structure
JP2007214330A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導体ペーストの供給方法
JP4816194B2 (ja) * 2006-03-29 2011-11-16 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品搭載装置ならびに電子部品実装方法
US7378733B1 (en) * 2006-08-29 2008-05-27 Xilinx, Inc. Composite flip-chip package with encased components and method of fabricating same
CN102744487A (zh) * 2006-11-22 2012-10-24 洛科企业有限公司 改进的球植入装置和方法
US8671561B2 (en) * 2007-05-24 2014-03-18 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Substrate manufacturing method
JP4393538B2 (ja) * 2007-07-25 2010-01-06 新光電気工業株式会社 磁性はんだボールの配列装置および配列方法
US7474540B1 (en) * 2008-01-10 2009-01-06 International Business Machines Corporation Silicon carrier including an integrated heater for die rework and wafer probe
TWI462676B (zh) * 2009-02-13 2014-11-21 Senju Metal Industry Co The solder bumps for the circuit substrate are formed using the transfer sheet
JP2011044512A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Nec Corp 半導体部品
JP2011114114A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Fujikura Ltd フレキシブルプリント基板へのはんだペースト印刷方法およびはんだペースト印刷用凹版
US8360303B2 (en) * 2010-07-22 2013-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Forming low stress joints using thermal compress bonding
JP2013122983A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Fujitsu Ten Ltd はんだ供給方法、回路基板の製造方法、はんだ供給装置及びはんだ転写プレート
US8828860B2 (en) * 2012-08-30 2014-09-09 International Business Machines Corporation Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding
US20140151096A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Hongjin Jiang Low temperature/high temperature solder hybrid solder interconnects
WO2015152855A1 (en) * 2014-03-29 2015-10-08 Intel Corporation Integrated circuit chip attachment using local heat source
CN105140203A (zh) * 2015-08-05 2015-12-09 三星半导体(中国)研究开发有限公司 焊球及其制造方法和包括焊球的球栅阵列封装件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112008174A (zh) * 2020-08-30 2020-12-01 郑连财 一种片状电感自动焊锡机
CN112008174B (zh) * 2020-08-30 2021-10-15 蚌埠市科艺博电子有限公司 一种片状电感自动焊锡机

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