JPH11317413A - 接着シ―トから基板へ粒子を移す方法およびその方法で製造された半導体パッケ―ジ - Google Patents

接着シ―トから基板へ粒子を移す方法およびその方法で製造された半導体パッケ―ジ

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JPH11317413A
JPH11317413A JP11041956A JP4195699A JPH11317413A JP H11317413 A JPH11317413 A JP H11317413A JP 11041956 A JP11041956 A JP 11041956A JP 4195699 A JP4195699 A JP 4195699A JP H11317413 A JPH11317413 A JP H11317413A
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solder particles
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B Hotchkiss Gregory
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 粒子を基板へ接着させる方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、接着シート３５へ接着された
粒子１２と基板１４のコンタクトパッド４２とを揃える
工程、温度を粒子１２の融点よりも低く保ちながら接着
シート３５へ熱エネルギー３８を付与する工程、および
リフローの前に接着シート３５を剥がす工程を含む。接
着シート３５は、膜２４にラミネートされた接着性コー
ティング２２を含むことができる。粒子は多様な成分を
含むことができ、それらの中には例えば、半田または樹
脂等の化合物が含まれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に電子デバイス
のパッケージング分野に関するものであって、更に詳細
には導電性粒子を基板へ接着させるための装置と方法と
に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の範囲を限定することなしに、そ
の背景について電子デバイスのパッケージングを例にと
って説明する。
【０００３】最近の電子部品は数多くの集積回路を使用
している。集積回路は互いに、あるいは他の電子部品と
電気的に接続される。集積回路を電子部品へ接続するた
めに用いられる１つの方法は、ボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）パッケージやフリップチップパッケージのよ
うなエリアアレイ式の電子パッケージを利用するもので
ある。エリアアレイパッケージデザイン中に実装された
集積回路とプリント回路板（ＰＣＢ）との間の電気接続
には半田が含まれるのが一般的である。
【０００４】ボールグリッドアレイパッケージでは、集
積回路の各種入出力ポートはワイヤボンドを介してボー
ルグリッドアレイ電子パッケージのコンタクトパッドへ
つながれるのが普通である。ボールグリッドアレイ電子
パッケージのコンタクトパッド上に形成される半田ボー
ルを用いて、プリント回路板（ＰＣＢ）などの別の電子
部品への接続が完成する。
【０００５】集積回路は、また、フリップチップ電子パ
ッケージデザインを介して電子部品へ接続されることも
ある。フリップチップ電子パッケージは、半田ボールを
使用してＰＣＢ等の他の電子部品と接続を取る点ではボ
ールグリッドアレイ電子パッケージと類似している。半
田ボールはフリップチップデザインにおいても基板の入
出力ポートを集積回路のコンタクトパッドへ接着させる
ために用いられる。従って、フリップチップパッケージ
はワイヤボンドを必要としない。これらの半田ボールま
たはバンプは、個々のダイに切り出される前の半導体ウ
エハ上に位置するように集積回路の表面に形成される。
【０００６】従って、多くの電子部品を相互接続する上
での重要な工程は半田ボールの形成と接着である。
【０００７】このことから、この分野では、半田ボール
またはバンプは次の４つの方法の１つを用いて形成され
るのが普通である：（１）ステンシルまたはマスクを通
しての半田ペーストの印刷、（２）電気メッキ、（３）
蒸着、または（４）予備成形された半田球の機械的トラ
ンスファの４つである。ウエハおよび集積回路上へ半田
バンプを形成するためには、一般に電気メッキ、ステン
シルまたはマスクを通しての半田ペーストの印刷、およ
び蒸着法が用いられてきたが、ＢＧＡやチップスケール
のパッケージ（ＣＳＰ）では半田ペーストの印刷法およ
び半田ボールの機械的トランスファ法が一般に用いられ
ている。
【０００８】半田ボールのトランスファは、真空チャッ
クまたは機械加工されたテンプレートを使用して習慣的
に実行されてきた。予備成形された半田ボールをトラン
スファする別の方法は、有機膜にラミネートされた感光
性のコーティング膜上へドットパターンを形成する方法
を採用している。典型的にはこの有機膜にはポリイミド
のような、２００℃を越える温度にさらされてもほとん
ど劣化のない高融点温度を持つ材料が含まれる。
【０００９】コーティング上にフォトマスクを配置し
て、次に一定線量の紫外線照射を行ってコーティングを
露光することでパターンが形成される。例えば、エリア
アレイパッケージデザイン用のフォトマスクはコンタク
トパッドデザインのミラー像を含む。フォトマスクデザ
インによって保護される領域はその接着性を保有してい
るが、保護されない領域では紫外線照射にさらされるこ
とでその接着性が失われる。接着エリアのアレイは、基
板、ウエハ、またはダイなどの半田接続を受け取る側の
上に見いだされるコンタクトパッドのパターンに対応す
る。
【００１０】接着エリアが形成された後で、半田ボール
が膜の表面に置かれると、それは接着エリアに付着し、
非接着性のエリア上にある過剰な半田ボールは除去され
る。次いで、半田ボールで満たされた膜は、位置合わせ
されてコンタクトパッドと接触し、それは流動化される
ことができる。半田リフローが実行されて、接着エリア
から基板のコンタクトパッドへの半田ボールの移転が行
われる。リフローサイクルに続いて、膜が半田ボールか
ら剥がされる。
【００１１】
【発明の解決しようとする課題】リフロー中に有機膜ま
たはポリイミドのキャリアを半田ボールと接触させたま
まにしておくといくつか問題が生ずることが判明した。
例えば、リフロープロセスで生ずるフラックス残留物が
ポリイミドの下側に捕らえられる。この残留物はしばし
ば半田ボールおよび基板上に大きな堆積物を形成する。
これらの大きな堆積物は洗浄による除去を一層困難なも
のとする。
【００１２】フラックス残留物に加えて、有機膜に起因
する接着性の残留物が半田ボール上に残される。リフロ
ーに先だって有機膜を除去することは半田ボール上に残
される接着性残留物を減らすことにつながる。
【００１３】更に、ポリイミドシートが溶融した半田ボ
ールに押しつけられて、平たくなった上部が形成される
ため、それを修正して顧客の仕様に沿うようなものとす
るために第２のリフローが必要となる。付加的なリフロ
ープロセスによって製造コストがかさむとともに、サイ
クル時間も増大する。ポリイミドシートが存在しなけれ
ば第２のリフローは不要のはずである。
【００１４】更に、有機膜は２００℃を越える温度にさ
らされてもほとんど劣化しない高融点温度を持つ材料を
含んでいる。そのような材料の１つはポリイミドであ
る。しかし、ポリイミドは、半田のリフロー温度に対す
る耐性の低いマイラー
【外１】 などのその他の有機膜よりもずっと高価である。リフロ
ーの前に有機膜を除去することは、より安価な有機膜で
置き換えることを可能とするため、それによって製造コ
ストを削減できる。
【００１５】更に、ポリイミドシートは、その熱膨張係
数のために、温度上昇と共に伸張または拡張する傾向が
ある。熱膨張は不均一となりがちで、ポリイミドシート
はしわになったり曲がったりしよう。しわは半田ボール
を平たくし、それらが集まって塊をなす原因となる。し
わはまた、半田ボールが他の半田ボールをコンタクトパ
ッドから押し出す原因ともなり、その結果機能しないデ
バイスが生ずる。
【００１６】更に、フォトポリマーは半田フラックスに
含まれる特定の化学物質と好ましくない反応を起こす。
ポリイミドシートによるフラックスの捕獲はこの状況を
悪化させて、フラックス、フォトポリマー、および半田
ボール間で、もっと悪い反応を引き起こす。
【００１７】従って、従来技術の問題点を解決して、基
板に対して金属または半田ボールを接着させる方法に対
する需要が生ずる。更に、従来技術の問題点を克服す
る、集積回路パッケージ製造装置に対する需要も発生す
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属または半
田の粒子を接着シートから基板へ移す方法であって、例
えば、複数の接着エリアを有する接着シートを得る工
程、粒子を接着シート上へロードする工程、接着エリア
に接着しなかった粒子を除去する工程、接着シート上の
粒子を基板のコンタクトパッドに対して揃える工程、熱
エネルギーを接着シートに付与する工程、リフローに先
だって粒子から接着シートを剥がす工程、およびリフロ
ー技術を用いて粒子をコンタクトパッドへ固着させる工
程を含む方法を含んでいる。本発明の一実施例では、熱
エネルギーを付与する工程は温度を粒子の融点よりも低
く保つことを含んでいる。
【００１９】本発明はまた、集積回路を製造するための
装置であって、粒子の融点よりも低い温度に加熱された
接着シートと、接着シートに取り付けられた複数の粒子
とを含む装置を含んでいる。
【００２０】本発明の特徴および利点をより完全に理解
するために、以下に図面を引用しながら本発明について
の詳しい説明を行う。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の各種実施例を作製
および利用することについて詳細に説明するが、本発明
は多くの応用可能な新規概念を提供するものであって、
それらは幅広い特定状況において具体化することができ
ることを理解されるべきである。ここに述べる特定実施
例は本発明を作製および利用する特定のやり方について
の単なる例示であって、本発明の範囲を限定するもので
はない。
【００２２】ここで図１を参照すると、本発明に従って
半田粒子１２が接着された半導体ウエハ１０が示されて
いる。半田粒子１２は一般的に半導体ウエハ１０のコン
タクトパッド（図１には示されていない）に接着され
る。半導体ウエハ１０はシリコン、ガリウム砒素、ある
いは電子デバイス製造に使用されるその他任意の半導体
材料を含むことができる。半導体ウエハ１０は電子部品
中で使用するために複数のダイ１３に分割されよう。
【００２３】粒子１２は、一般に、個別的で、自由に流
れる粒子であって、多様な成分を含むことができる。例
えば、粒子１２は、錫、鉛、銀、ビスマス、銅、インジ
ウム、アンチモン、およびカドミウムの組み合わせを含
む半田合金を含むことができるが、これらの金属のうち
で別々に使用される任意のものや、樹脂などの合成化合
物を含むその他適当な導電性材料を利用してもよい。合
金でコーティングした金属粒子も有用である。
【００２４】半田粒子１２は典型的には約７６ミクロン
（３ミル）ないし約７６０ミクロン（３０ミル）の範囲
の直径を有する半田球であるが、当業者にとっては本発
明の原理がその他の寸法および形状の半田粒子１２、例
えば直方体や円柱形の粒子に対しても適用可能であるこ
とを理解されよう。
【００２５】更に、半田粒子１２は、インターポーザや
フリップチップパッケージ中の集積回路など、その他の
基板へ直接接着させることもできる。電子基板またはイ
ンターポーザは、電気的な入出力経路を形成する導電性
経路をその表面から反対側の面へインターポーザを貫通
して含んでいる絶縁材料を含む。
【００２６】図２は本発明で使用するための接着シート
を一般に参照符号３５で示している。本発明の一実施例
では、接着シート３５は、例えば図３の断面図に示され
るように、カプトン
【外２】 やマイラー
【外３】 のような膜２４上へラミネートされた感光性接着コーテ
ィング２２を含む。接着性コーティング２２は典型的に
は４ないし６ミクロンの厚さで、膜２４は典型的には５
０ミクロンの厚さである。しかし、当業者は本発明の原
理が多様な厚さに適用できることを理解されよう。
【００２７】接着シート３５を形成する時に、コンタク
トパッドのパターンに対応する複数の個別的な接着エリ
アを生成するためにフォトリソグラフィ技術を利用する
ことができる。フォトリソグラフィ技術を利用して形成
される接着性パターンについてのより詳細な説明は、ケ
アンクロス（Ｃａｉｒｎｃｒｏｓｓ）等に対して発行さ
れた米国特許第５，３５６，７５１号に記述されてい
る。その内容をここに開示として組み込む。
【００２８】接着エリア３０の直径は典型的には半田粒
子１２の直径の約半分であるが、当業者は本発明の原理
がその他の寸法の接着エリア３０に対しても適用できる
ことを理解される。更に、接着エリア３０は図２には球
状の半田粒子１２を受け取るのに適したように円形の領
域として示されているが、当業者は接着エリア３０がそ
の他、卵形、四角形、および長方形を含む多様な形状を
持つことができることを理解される。
【００２９】本発明に従えば、半田粒子１２は図４Ａに
示されるように接着シート３５上へ載置されまたは移さ
れる。過剰な半田粒子３６も含めて、複数の半田粒子１
２が接着シート３５上へ載せられると、半田粒子１２は
接着エリア３０に捕らえられて保持される。過剰な半田
粒子３６は接着シートの非接着性部分上に載っている。
【００３０】完全占有済み接着シート３５が図４Ｂに示
されている。半田粒子１２が各接着エリア３０に接着す
ることを確実なものとするために、接着シート３５の表
面全体にわたって半田粒子１２を強制的に分散させるよ
うな力学的エネルギーを供給することを行っても良い。
ガス流または機械的装置を用いて、すべての過剰な半田
粒子３６を除去する（図４Ｂには示されていない）。こ
うして、半田粒子１２の各々は、図４Ｂに示されるよう
に接着エリア３０の各々に接着し、すべての過剰な半田
粒子３６は除去されてしまって、半田粒子１２のうちで
互いにくっついているものもない。
【００３１】図５において、接着シート３５の接着エリ
ア３０に接着した半田粒子１２と基板１４のコンタクト
パッド４２との位置合わせが示されている。コンタクト
パッド４２には、接着シート３５の除去時に半田粒子１
２の保持を助けるために半田フラックスが塗布されても
よい。位置合わせは、当業者には既知の機械的または光
学的システムを使用して行うことができる。
【００３２】本発明の特徴は、図６に示されるように、
熱エネルギー源４０から放出される熱エネルギー３８を
接着シート３５に供給する工程である。熱エネルギー３
８にさらされることによって、接着エリア３０の接着力
は低下して、それにより半田粒子１２から接着シート３
５を剥がす時の衝撃を最小化することができ、半田粒子
１２のコンタクトパッド４２への移転を改善することが
できる。
【００３３】熱エネルギー源４０は、光学的加熱ランプ
（例えば、タングステン・ハロゲンランプ）、ホットプ
レート、ラジエータ、赤外ヒーター、あるいはその他同
様な装置等の多様な機構で構成されることができる。熱
エネルギー源４０を接着シート３５と直接接触させるこ
とによって、熱エネルギー３８を接着シート３５へ伝導
で伝えることができる。あるいは、熱エネルギー３８を
輻射や対流によって接着シート３５へ与えることもでき
よう。
【００３４】温度は半田粒子１２の融点よりも低く保た
れなければならない。温度は半田粒子１２の融点よりも
低い任意の温度でよいが、それは接着シート３５の化学
的組成に依存する。
【００３５】あるいは、接着シート３５の接着エリア３
０に接着した半田粒子１２がコンタクトパッド４２に接
近する時に、接着シート３５を放射線にさらされてもよ
い。例えば紫外線にさらすことで、接着エリア３０の接
着力は大幅に低下して、半田粒子１２から接着シート３
５を剥がすのが容易になる。そのような露光は、半田粒
子１２の形状および完全性に対する擾乱および干渉をよ
り少なくして接着シート３５の剥離を可能とする。
【００３６】接着シート３５を放射線にさらす時は、接
着シート３５は放射線を透過する材料を含むべきであ
る。例えば、ポリイミドは紫外線に適した材料ではな
い。それは、ポリイミドが紫外線の透過を妨げるからで
ある。
【００３７】熱エネルギー源４０または放射に露出した
後で、接着シート３５は図７Ａに示されるように半田粒
子１２から剥がされよう。
【００３８】本発明に従って、熱エネルギー３８または
放射線の供給の後、そしてリフローの前に接着シート３
５を剥がすことによって顕著な改善がみられる。例え
ば、１つの改善は、半田粒子１２および基板１４表面か
らの過剰な半田フラックス残留物がないことである。更
に、リフローの前に接着シート３５を剥がすことで、接
着シート３５の成分と好ましくない反応を起こす可能性
のある半田フラックスの捕獲の問題が回避されることで
ある。リフローの前に接着シートを剥がすことはまた、
半田粒子１２上に残される接着性残留物を減らす。
【００３９】リフローの前に接着シート３５を剥がすこ
とは更に、半田粒子が平たくなる原因となるしわを排除
する。このように、半田粒子１２が球形であれば、平た
くなった半田粒子１２を元のように丸くするための付加
的なリフローサイクルの必要性が本発明によって解消さ
れる。不必要なサイクルの排除はサイクル時間の短縮と
ともに、運転コストの削減につながる。
【００４０】最後に、リフローの前に接着シート３５を
剥がすことは、予め離剥せずにリフローさせる時に溶融
あるいは劣化されるポリイミド以外の材料の使用を可能
にする。接着シート３５は１回使用する毎に廃棄される
ので、製造コストに占める割合は大きい。ポリイミドよ
りもずっと安価なマイラー
【外４】 などの置換材料を使用することで、製造コストを大幅に
削減することができる。
【００４１】本発明で使用される半田粒子１２は、光学
的加熱リフローシステム、気相半田リフローシステム、
あるいはその他の半田リフローシステム等の多様な半田
リフローシステムを用いてコンタクトパッド４２に対し
てしっかりと接着される。光学的加熱リフローシステム
では、タングステン・ハロゲンランプ等の近赤外光源か
らの輻射熱が利用されて、最小の熱的慣性で以て高速加
熱上昇が行われ、それによりサイクル時間の短縮が達成
される。
【００４２】ランプによって供給される熱量は供給電圧
に正比例する。例えば、電圧設定を高くすればそれだけ
温度は高くなる。光源への電圧入力は、処方された温度
対時間のプロファイルに正確に合致するようにプログラ
ムすることができる。赤外光源からの熱は、基板１４を
均一に加熱して、半田粒子１２を溶融させてコンタクト
パッド４２との間で冶金的な結合を形成するのに十分な
温度にまで加熱できよう。
【００４３】気相半田リフローシステムでは、蒸気の雲
を使用することによって、それを取り囲む基板１４上に
蒸気を凝縮結露させる。非塩素化（非ＣＦＣ）フッ化炭
素等の液体をまず十分なエネルギーで加熱して蒸気を発
生させ、蒸気の雲を保持する。次に基板１４を蒸気中を
通過させると、蒸発した液体がその上に凝縮して気化の
潜熱を放出する。このエネルギーは基板１４へ転送され
る。基板１４が蒸気中にある限り、蒸気は再現性のよい
一定の割合と温度とにおいてエネルギーを放出し続け、
基板１４はついに蒸気の温度にまで到達する。
【００４４】ほとんどの市販されている気相リフロー用
のフロロカーボンは、当業者には既知のように、異なる
半田材に対しても正確に安定なリフロー温度で蒸発する
ように調製されている。
【００４５】蒸発温度は使用される半田のタイプに依存
するであろう。蒸気用液体として使用される非塩素化フ
ッ化炭素の好適な温度の短いリストが、使用される半田
のタイプと一緒に下に示されている。一実施例では、半
田粒子１２の各々の成分は約６０％のＰｂ（鉛）と４０
％のＳｎ（錫）であり、この組成は集積回路パッケージ
間で、あるいは集積回路パッケージとマザーボード、ド
ーターボード、あるいはモジュールボードとの間で強い
接着力を発揮する。６０％Ｐｂ／４０％Ｓｎの成分を使
用することで、これも６０％Ｐｂ／４０％Ｓｎの成分の
強力な接着力のために、半田パッド上に半田ペーストを
供給する必要がなくなる。あるいは以下の表に示される
ようなその他多様な材料を半田粒子１２として使用する
こともできる。下記の成分の半田粒子１２はその他の半
田リフロー技術と一緒に使用することもできよう。
【００４６】
【表１】
【００４７】赤外線または放射線で加熱する半田リフロ
ー技術では、半田システムの各成分は加熱要素からの放
射に直接さらされる。放射エネルギー要素からの熱は、
異なる成分によってそれぞれの分子構造に応じて吸収さ
れる。
【００４８】半田粒子１２のリフローによって、図７Ｂ
に示されるように、半田粒子１２をコンタクトパッド４
２に接着された基板１４が得られる。基板１４は、ボー
ルグリッドアレイパッケージ、フリップチップパッケー
ジ、あるいはインターポーザー等の多様な集積回路パッ
ケージに使用されよう。基板１４はまた、図１に示され
るように半導体ウエハ１０でも、あるいは半導体ウエハ
１０のダイ１３でもよい。
【００４９】ここで図８を参照すると、ボールグリッド
アレイパッケージの例が参照符号１１で示されている。
一実施例では、本発明は複数の粒子１２を基板１４へ接
着させる方法と装置とを提供する。半田粒子１２は典型
的には基板１４のコンタクトパッド（図１には明示され
ていない）へ接着される。ボールグリッドアレイパッケ
ージ１１は集積回路を配置するための集積回路受容エリ
ア１６を備えて形成される。
【００５０】ボールグリッドアレイパッケージ１１は従
来のボールグリッドアレイパッケージで構わない。従来
のボールグリッドアレイ基板材料の例としては、有機ラ
ミネート、セラミックス、金属、およびポリマーシート
および膜が挙げられる。ボールグリッドアレイパッケー
ジ１１はまた、電子デバイスの電気的接続を容易なもの
とするように半田粒子を接着させるようになった任意の
適当な基板で構わない。
【００５１】次に図９を参照すると、本発明に従って接
着済みのボールグリッドアレイパッケージ１１を使用し
た集積回路パッケージ４８例の平面図が示されている。
集積回路パッケージ４８はボールグリッドアレイパッケ
ージ１１を含んでおり、それに対して集積回路５０が接
着されている。ボールグリッドアレイパッケージ１１上
のパッド５６へワイヤボンド５４を介してボンドパッド
５２が電気的につながれる。パッド５６は導電性の相互
接続ライン５８を介してコンタクトパッド４２へ電気的
につながれる。相互接続ライン５８は１層または複数層
にパターン化されており、相互接続ライン５８のいくつ
かはボールグリッドアレイパッケージ１１の表面下に配
置することもできる。集積回路を雰囲気の潜在的な腐食
性から保護するために、集積回路５０、ワイヤボンド５
４、およびボンドパッド５６を取り囲む領域はポリマー
材で以て満たされる。従って、半田粒子１２をコンタク
トパッド４２上へ形成することは、集積回路５０とプリ
ント回路板等の他の部品との間の電気的接続を容易にす
る。
【００５２】図１０は半田粒子１２を基板１４へ接着さ
せるためのプロセスフローである。この方法の工程は工
程６０から始まる。本発明に従えば、工程６２におい
て、コンタクトパッド４２パターンに対応する接着エリ
ア３０パターンを備えた表面を有する接着シート３５が
得られる。工程６４では、図４Ａおよび図４Ｂに関して
説明したように、半田粒子１２が接着シート３５の表面
上へロードされる。
【００５３】半田粒子１２および過剰な半田粒子３６
は、工程６６において例えば力学的なエネルギーを付与
することによって接着シート３５の表面上に分散する。
次に工程６７において、、図４Ａおよび図４Ｂに関して
説明したように、例えば力学的エネルギーの付与によっ
て過剰な半田粒子３６が接着シート３５から除去され
る。判定６８において、もし接着シート３５が完全に占
有されていなければ、完全に占有されるまで工程６４、
６６、および６７が繰り返されよう。
【００５４】接着シート３５が完全に満たされると、プ
ロセスは工程７０へ進んで、そこで接着シート３５に接
着された半田粒子１２が基板１４と位置合わせされて、
図５に関して説明したように、各半田粒子１２が基板１
４の１つのコンタクトパッドと接触するようにされる。
次に、工程７２では、図６に関して説明したように、熱
エネルギー源４０からの熱エネルギー３８が、伝導的、
対流的、あるいは輻射的に接着シート３５へ付与され
る。あるいは、工程７３において、接着シート３５に対
して放射を供給しても良い。工程７４では、図７Ａに関
して説明したように、接着シート３５が半田粒子１２か
ら剥がされるが、半田粒子１２は基板１４のコンタクト
パッド４２に近接して揃っているため、半田粒子１２は
コンタクトパッド４２に接着したままに残される。次に
半田粒子１２は、例えば、図７Ｂに関して説明したよう
などれかの方法に従うリフローによって、工程７６にお
いてコンタクトパッド４２へしっかりと固着される。プ
ロセスフローは工程７８で終了する。
【００５５】本発明は例示実施例に関連して説明してき
たが、この説明は限定的な意図のものではない。本説明
を参照すれば、例示実施例に対する各種の修正や組み合
わせが、本発明のその他の実施例とともに当業者には明
らかであろう。従って、本発明の特許請求の範囲はその
ようなすべての修正や組み合わせを包含するものと解釈
されるべきである。
【００５６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）接着シートから基板へ粒子をトランスファするた
めの方法であって、その上に粒子を接着された接着シー
トを得る工程、前記粒子を基板のコンタクトパッドと密
に揃って接するように配置する工程、熱エネルギー源か
ら接着シートへ熱エネルギーを付与する工程、および接
着シートを粒子から剥がして、粒子が前記コンタクトパ
ッドと接触したままに残るようにする工程、を含む方
法。
【００５７】（２）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、熱エネルギーを付与する前記工程が、更に、温
度を粒子の融点よりも低く保持する工程を含んでいる方
法。
【００５８】（３）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、熱エネルギー源がタングステン・ハロゲンラン
プを含んでいる方法。
【００５９】（４）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、熱エネルギー源がホットプレートを含んでいる
方法。
【００６０】（５）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、粒子が半田合金を含んでいる方法。
【００６１】（６）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、粒子が半田コーティングされた金属ボールを含
んでいる方法。
【００６２】（７）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、基板が集積回路パッケージの一部である方法。
【００６３】（８）第１項記載の方法であって、ここに
おいて、基板が半導体ウエハである方法。
【００６４】（９）第１項記載の方法であって、更に、
前記粒子をコンタクトパッドへ接着させるために粒子を
リフローさせる工程を含む方法。
【００６５】（１０）接着シートから基板へ粒子をトラ
ンスファするための方法であって、その上に粒子を接着
された接着シートを得る工程、前記粒子を基板のコンタ
クトパッドと密に揃って接するように配置する工程、接
着シートを放射に晒す工程、および接着シートを粒子か
ら剥がして、粒子が前記コンタクトパッドと接触したま
まに残す工程、を含む方法。
【００６６】（１１）第１０項記載の方法であって、こ
こにおいて、粒子が半田合金を含んでいる方法。
【００６７】（１２）第１０項記載の方法であって、こ
こにおいて、粒子が合成化合物を含んでいる方法。
【００６８】（１３）第１０項記載の方法であって、こ
こにおいて、前記放射が紫外線放射を含んでいる方法。
【００６９】（１４）第１０項記載の方法であって、こ
こにおいて、基板が半導体ウエハである方法。
【００７０】（１５）第１０項記載の方法であって、更
に、前記粒子をコンタクトパッドへ接着させるために粒
子をリフローさせる工程を含む方法。
【００７１】（１６）接着シートから基板へ粒子をトラ
ンスファするための方法であって、複数の接着エリアを
有する接着シートを得る工程、半田粒子を前記接着シー
トへロードする工程、前記接着エリアへ接着しなかった
半田粒子を除去する工程、前記接着シート上の半田粒子
と基板のコンタクトパッドとを位置合わせする工程、熱
エネルギーを前記接着シートへ付与する工程、前記接着
シートを半田粒子から剥がす工程、および半田粒子を前
記コンタクトパッドへしっかり固着させる工程、を含む
方法。
【００７２】（１７）第１６項記載の方法であって、こ
こにおいて、半田粒子をしっかり固着させる工程が、更
に、半田粒子をリフローさせる工程を含んでいる方法。
【００７３】（１８）第１６項記載の方法であって、こ
こにおいて、熱エネルギーを付与する工程が、更に、温
度を半田粒子の融点よりも低く保持する工程を含んでい
る方法。
【００７４】（１９）第１６項記載の方法であって、こ
こにおいて、基板が半導体ウエハである方法。
【００７５】（２０）接着シートから基板へ粒子をトラ
ンスファするための方法であって、複数の接着エリアを
有する接着シートを得る工程、半田粒子を前記接着シー
トへロードする工程、前記接着エリアへ接着しなかった
半田粒子を除去する工程、前記接着シート上の半田粒子
と基板のコンタクトパッドとを位置合わせする工程、前
記接着シートを放射に晒す工程、前記接着シートを半田
粒子から剥がす工程、および半田粒子を前記コンタクト
パッドへしっかり固着させる工程、を含む方法。
【００７６】（２１）第２０項記載の方法であって、こ
こにおいて、半田粒子をしっかり固着させる工程が、更
に、半田粒子をリフローさせる工程を含んでいる方法。
【００７７】（２２）第２０項記載の方法であって、こ
こにおいて、前記放射が紫外線放射を含んでいる方法。
【００７８】（２３）第１９項記載の方法であって、こ
こにおいて、基板が半導体ウエハである方法。
【００７９】（２４）第１６項記載の方法によって作製
される集積回路パッケージ。
【００８０】（２５）粒子（１２）を基板（１４）へ接
着させる方法が開示されており、それは接着シート（３
５）へ接着された粒子（１２）と基板（１４）のコンタ
クトパッド（４２）とを揃える工程、温度を粒子（１
２）の融点よりも低く保ちながら接着シート（３５）へ
熱エネルギー（３８）を付与する工程、およびリフロー
の前に接着シート（３５）を剥がす工程を含む。接着シ
ート（３５）は、膜（２４）にラミネートされた接着性
コーティング（２２）を含むことができる。粒子は多様
な成分を含むことができ、それらの中には例えば、半田
または樹脂等の化合物が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って半田粒子をその上に接着された
半導体ウエハの平面図。
【図２】本発明で使用するためのウエハスケールの接着
シートの平面図。
【図３】図２の接着シートのライン３−３に沿った断面
図。
【図４】Ａは本発明に従って半田粒子をその上に接着さ
れた接着シートの断面図、Ｂは本発明に従って完全に満
たされた接着シートの断面図。
【図５】本発明に従って、基板のコンタクトパッドに対
して位置合わせされた半田粒子の断面図。
【図６】本発明に従って、基板コンタクトパッドに対し
て位置合わせされ、それに接着された半田粒子を備える
接着シート上の熱エネルギー源の断面図。
【図７】Ａは本発明に従って基板のコンタクトパッド上
に位置する半田粒子から接着シートを剥離する工程の断
面図、Ｂは本発明に従って半田粒子を接着された基板の
断面図。
【図８】本発明の原理を用いて製造されるボールグリッ
ドアレイパッケージの平面図。
【図９】本発明の原理を用いた集積回路パッケージの平
面図。
【図１０】本発明に従って基板へ半田粒子を接着させる
方法のフロー図。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ １１ ボールグリッドアレイパッケージ １２ 半田粒子 １３ ダイ １４ 基板 ２２ 感光性接着コーティング ２４ 膜 ３０ 接着エリア ３５ 接着シート ３６ 過剰な半田粒子 ３８ 熱エネルギー ４０ 熱エネルギー源 ４２ コンタクトパッド ４８ 集積回路パッケージ ５０ 集積回路 ５２ ボンドパッド ５４ ワイヤボンド ５６ パッド ５８ 相互接続ライン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接着シートから基板へ粒子を移す方法で
    あって、 粒子を接着された接着シートを得る工程、 前記粒子を基板のコンタクトパッドと密に揃って接する
    ように配置する工程、 熱エネルギー源から接着シートへ熱エネルギーを付与す
    る工程、および接着シートを粒子から剥がして、粒子が
    前記コンタクトパッドと接触したままに残るようにする
    工程、を含む方法。
  2. 【請求項２】 請求項第１項記載の方法によって製造さ
    れる集積回路パッケージ。
JP11041956A 1998-02-19 1999-02-19 接着シ―トから基板へ粒子を移す方法およびその方法で製造された半導体パッケ―ジ Pending JPH11317413A (ja)

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