JP2009177118A - ポストバンプ及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差から生じさせる不良を防止でき、リフロー時ソルダが必要以上に金属ポストの側面に広がることを防止することにより、ソルダの使用量を最小化できるポストバンプ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポストバンプの形成方法は、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階S200と、開口部の一部に金属性物質を充填し、金属ポストを形成する段階S300と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階S400と、ソルダに熱を加えてリフローする段階S500と、レジスト層を除去する段階S600と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図9
【解決手段】ポストバンプの形成方法は、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階S200と、開口部の一部に金属性物質を充填し、金属ポストを形成する段階S300と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階S400と、ソルダに熱を加えてリフローする段階S500と、レジスト層を除去する段階S600と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図9
Description
本発明はポストバンプ及びその形成方法に関する。
フリップチップパッケージング(flip chip packaging)とは、半導体チップのような電子素子を回路基板に付着する時、ワイヤのような追加的な接続構造を使用しなく、半導体チップや回路基板の電極パターンにソルダバンプを融着して半導体チップと回路基板とをボンディングし、パッケージングをする方式である。
最近、大容量データの高速処理に対する要求や電子製品の軽薄短小化により、電子素子のバンプピッチ(bump pitch)が次第に小さくなっている。このような傾向から、フリップチップパッケージングは、回路基板と半導体チップとのバンプによる接続の信頼性を悪化させるという問題点を惹き起こしている。このようなバンプ接続の信頼性を向上させるために、ソルダバンプの形態がポストバンプ構造に変化している。
図1から図7は、従来技術によるポストバンプの形成方法を示す工程図であり、図8は、従来技術によるポストバンプのボンディング状態を示す状態図である。従来技術によるポストバンプの形成方法を説明すると、先ず、図1及び図2に示すように、電極パッド104が形成されている半導体チップ102にシード層108を形成する。電極パッド104が形成されている半導体チップ102の一面には絶縁物質のソルダペースト106が形成されている。次に、図3に示すように、電極パッド104が形成されている半導体チップ102に感光性ドライフィルム109を積層し、電極パッド104の形成位置に対応する領域を開放して開口部110を形成する。次に、図4に示すように、シード層108を電極として電解メッキを行い、銅で開口部110の一部を充填することにより銅ポスト(post)112を形成する。次に、図5に示すように、シード108層を電極として電解メッキを行い、開口部110の残りの一部にソルダ114を充填する。次に、図6に示すように、半導体チップ102に残留するドライフィルム109を除去し、外気に露出されたシード層を除去する。次に、図7に示すように、銅ポスト112の上部に形成されたソルダ114をリフローして球形ソルダ114を形成する。
このような従来技術によるポストバンプの形成方法は、図5に示すように、開口部110の残りの一部にソルダ114を充填する場合、電解メッキ時に発生する電位差のためメッキ量が均一ではないという問題点があった。
また、銅ポスト112上にメッキされたソルダ114をリフローする場合、ソルダ114が銅ポスト112の側面に広がるため、フリップチップボンディングに必要とされる最小限のソルダ114以外にも銅ポスト112の側面に広がるソルダ114量を考慮してソルダ114をさらに多くメッキしなくてはならないという問題点があった。
また、図8に示すように、ソルダ114の不均一なメッキ量のために、リフローにより形成される球形ソルダ114の形態が不均一になるので(図7参照)、半導体チップ102と回路基板116とをボンディングする時に、隣接バンプとの間にブリッジ(bridge)が発生したり、ソルダ量が足りなくてボンディング不良が発生したりするという問題点があった。
こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は、電解メッキにより発生するソルダのメッキ偏差を防止し、リフロー時にソルダが不要に金属ポストの側面に広がることを防止できるポストバンプ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態によれば、電極パッドが形成されている基板に、電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階と、開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポストを形成する段階と、開口部の残りの一部にソルダを充填する段階と、ソルダに熱を加えてリフローする段階と、レジスト層を除去する段階と、を含むポストバンプの形成方法が提供される。
レジスト層を形成する段階は、電極パッドが形成されている基板に感光性フィルム層を積層する段階と、電極パッドの形成位置に対応する領域が開放されるように感光性フィルム層を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部を形成する段階と、を含むことができる。
レジスト層を除去する段階は、基板に残留する感光性フィルム層を除去する段階を含むことができる。
レジスト層を形成する段階以前に、基板に伝導性物質を蒸着してシード層を形成する段階をさらに含むことができ、この場合、金属ポストを形成する段階はシード層を電極として電解メッキを行う段階を含むことができる。
レジスト層を除去する段階以後に、外気に露出したシード層を除去する段階をさらに含むことができる。
ソルダを充填する段階は、ソルダペーストをスキージングして開口部の残りの一部に圧入する段階を含むことができる。
感光性フィルム層としては、リフローに耐熱性を有するドライフィルムが使用できる。
基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。
ソルダは、Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダの中の何れか一つであることができる。
また、本発明の他の実施形態によれば、外部装置との電気的接続のために基板の電極パッドに形成されるバンプであって、電極パッド上に形成された金属ポストと、金属ポスト上に形成され、金属ポストの外周縁から金属ポストの軸方向に延長される仮想の線により区画される空間が充填されたドーム型のソルダと、を含むポストバンプが提供される。
基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。
ソルダは、Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダの中の何れか一つであることができる。
電解メッキにより発生されるソルダのメッキ偏差による不良を防止でき、リフロー時にソルダが不要に金属ポストの側面に広がることを防止してソルダの使用を最小化できる。
また、均一なドーム型のソルダを形成して電子素子と回路基板との間の接続の信頼性を向上させることができる。
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
本願で利用する用語は、単に特定の実施例を説明するためのものにすぎない。単数の表現は文脈上に明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解されるべきである。
以下、本発明によるポストバンプ及びその形成方法の実施例を添付図面に基づいて詳しく説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は、同一な図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。
図9は、本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す順序図であり、図10から図16は、本発明の一実施例に係るポストバンプの形成方法を示す工程図である。図10から図16を参照すると、基板12、電極パッド14、ソルダレジスト16、シード層18、感光性フィルム層20、開口部22、金属ポスト24、ソルダペースト26、スキージ28、ソルダ30が示されている。
本実施例によるポストバンプの形成方法は、電極パッド14が形成されている基板12に、電極パッド14の形成位置に対応する開口部22が形成されたレジスト層を形成する段階と、開口部22の一部に金属性物質を充填して金属ポスト24を形成する段階と、開口部22の残りの一部にソルダ30を充填する段階と、ソルダ30に熱を加えてリフローする段階と、レジスト層を除去する段階と、を含み、リフロー時にソルダ30が不要に金属ポストの側面に広がることを防止してソルダ30の使用を最小化でき、均一な球形ソルダ30を形成して電子素子と回路基板との間の接続信頼性を向上させることができる。
本実施例に係るポストバンプを形成する方法は、先ず、段階S100で、図10及び図11に示すように、電極パッド14が形成されている基板12に伝導性物質を蒸着してシード層18を形成する。シード層18は、以後電解メッキを行う過程にて電極の役割をする。
基板12は、板状の基材であって、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。電極パッドは、基板と外部装置との電気的接続のためのものであって、ソルダレジスト16により外気に露出されている。
本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子または回路基板の電極パッド14に形成されて、フリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子の電極パッド14にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子を回路基板にボンディングすることが可能であり、回路基板の電極パッド14にポストバンプを形成し、電子素子を回路基板にボンディングすることも可能である。また、図20に示すように、電子素子の電極パッド14と回路基板の電極パッド14の全てにポストバンプを形成し、電子素子と回路基板とをボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルのパッケージ製造時、ウェハに形成された電極パッド14に本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
次に、段階S200で、図12に示すように、電極パッド14が形成されている基板12に、電極パッド14の形成位置に対応する開口部22が形成されるようにレジスト層を形成する。
本実施例では、紫外線に感光する感光性フィルム層20を用いてレジスト層を形成する方法を提示する。
すなわち、段階S201で、電極パッド14が形成されている基板12に感光性フィルム層20を積層し、段階S202で、電極パッド14の形成位置に対応する領域がオープンされるように感光性フィルム層20を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部22を形成する。
感光性フィルム層20には、ドライフィルムまたは紫外線に感光する液状の感光剤が使用できる。ドライフィルムはラミネータ(Laminator)で基板12に密着され、液状の感光剤は基板12にコーティング及び乾燥されて感光性フィルム層20を形成することができる。
感光性フィルム層20に紫外線を照射すると、遮光領域は変化がなく、遮光領域以外の感光性フィルム層20は紫外線に露出されて重合反応により硬化される。電極パッド14が形成される位置に対応する領域を遮光し、紫外線を照射し現像すれば、電極パッド14が形成される位置に対応する領域に開口部22を形成することができる。
一方、感光性フィルム層20は、以後リフローに対して耐熱性を有するドライフィルムであることができる。
次に、段階S300で、図13に示すように、開口部22の一部に金属性物質を充填して金属ポスト24を形成する。本実施例では、段階S301で、開口部22の一部に金属性物質を充填するために、前工程から形成されたシード層18を電極として電解メッキを行い、金属ポスト24を形成した。金属性物質は、電気が移動できる伝導性物質であって、本実施例では電極パッド14と安定的に接合可能な銅(Cu)を電解メッキして金属ポスト24を形成した。金属ポスト24の高さは、ボンディングに必要とされるバンプの高さに応じて調節可能である。
次に、段階S400で、図14に示すように、開口部22の残りの一部にソルダ30を充填する。ソルダ30はリフローにより一時的に溶けて、フリップチップボンディングが可能となる。本実施例では、開口部22の残りの一部にソルダ30を充填するために、段階S401で、ソルダペースト26をスキージング方法により開口部22の残りの一部に圧入する。これは、感光性フィルム層20の上部にソルダペースト26を塗布し、スキージ28を用いて押しながらソルダペースト26を感光性フィルム層20の開口部22に圧入する方法である。このように、スキージング方法によりソルダペースト26を圧入すると、開口部22に均一にソルダペースト26を充填することができる。均一に充填されたソルダ30により、以後のリフローで均一なドーム形態のソルダ30が形成されるようになり、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができる。
勿論、シード層18を電極として電解メッキを行い、ソルダ30を開口部22の残りの一部に充填することも可能である。
ソルダ30は、Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダからなる群より選ばれる何れか一つであることができる。Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダを使用すると、ソルダ使用が低減できる。
次に、段階S500で、図15に示すように、ソルダ30に熱を加えてリフローする。ソルダ30は、金属ポスト24に比べて融点が低いため、リフロー工程にてドーム型のソルダ30になる。本実施例によれば、感光性フィルム層20を除去する前にソルダ30に熱を加えてリフローすることにより、ソルダ30が金属ポスト24の側面に広がることを防止し、必要以上に使われたソルダ30使用量を低減することができる。また、前段階にて開口部22に均一に充填されたソルダ30は、リフロー工程により均一なドーム型のソルダ30を形成することになる。このような、均一なドーム型のソルダ30は、均一なソルダ30の体積を有することになり、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができ、工程制御が容易になる。
すなわち、感光性フィルム層20に形成された開口部22に金属性物質とソルダ30を順次充填し、感光性フィルム層20を除去しなかった状態で、ソルダ30に熱を加えてリフローすると、金属ポスト24の外周縁から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間(例えば、開口部22の残りの一部が形成する空間)が充填されたドーム型のソルダ30が形成できる。リフロー時、ソルダ30が金属ポスト24の上部面以外の側面に広がらないドーム型に形成できるので、ボンディング時に必要とされるソルダ30の量を容易に制御できる。
一方、ソルダ30に熱を加えてリフローするとき、感光性フィルム層20の変形を防止するために、感光性フィルム層20として、リフローに対して耐熱性を有するドライフィルムが使用できる。
次に、段階S600で、図16に示すように、レジスト層を除去する。レジスト層として感光性フィルム層20を用いた場合には、段階S601で、基板12に残存する感光性フィルム層20を除去する。次に、段階S700で、外気に露出したシード層18を除去する。リフローにてドーム型のソルダ30を形成し、ソルダ30が硬化されたら、基板12に残存する感光性フィルム層20と、外気に露出するシード層18を除去する。
したがって、多数の電極パッド14に、本実施例によるポストバンプを形成すれば、ドーム型のソルダ30は均一な形態や体積を有するので、フリップチップボンディング時の接続信頼性を向上させることができ、工程制御も容易にできる。
図17は、本発明の他の実施例に係るポストバンプの斜視図であり、図18は、本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図であり、図19は、本発明のまた他の実施例に係るポストバンプの斜視図である。図17から図19を参照すると、電極パッド14、金属ポスト24、ソルダ30、仮想の線32が示されている。
本実施例に係るポストバンプは、外部装置との電気的接続のために基板の電極パッド14に形成されるバンプであって、電極パッド14上に形成された金属ポスト24と、金属ポスト24上に形成され、金属ポスト24の外周から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間が充填されたドーム型のソルダ30とを構成要素とし、均一な球形ソルダ30を形成することにより電子素子と回路基板との間の接続信頼性を向上させることができる。
電極パッド14が形成される基板とは、板状の基材であって、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることができる。本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子または回路基板の電極パッド14に形成されてフリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子の電極パッド14にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子を回路基板にボンディングすることが可能であり、回路基板の電極パッド14にポストバンプを形成し、電子素子を回路基板にボンディングすることも可能である。また、図20に示すように、電子素子の電極パッド14と回路基板の電極パッド14の全てにポストバンプを形成し、電子素子と回路基板とをボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルパッケージの製造時に、ウェハに形成された電極パッド14に本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
金属ポスト24は伝導性物質からなり、本実施例では、電極パッド14と安定的に接合可能な銅を用いて金属ポスト24を形成する。金属ポスト24の高さはボンディングするために必要とされるバンプの高さに応じて調節可能である。例えば、多数の電極パッド14のピッチ(pitch)が小さく、低い高さのバンプを要する場合には、金属ポスト24の高さを低く形成し、電極パッド14のピッチが大きく、高い高さのバンプを要する場合には、金属ポスト24の高さを高く形成すれば良い。金属ポスト24を形成するためには、前述した一実施例のように、電極パッド14が形成されている基板にシード層を形成し、感光性フィルム層を積層した後、電極パッド14が形成される位置に対応する領域を開放して開口部を形成する。この時、基板に積層される感光性フィルム層の厚さを変更しながらポストバンプの高さを調節し、かつ、金属ポスト24の高さを調節することができる。
開口部が形成されたら、開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポスト24を形成する。
ドーム型のソルダ30は、リフローされて基板と外部装置とをボンディングする。ドーム型のソルダ30は、金属ポスト24の外周縁から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間に、ソルダ30が充填されることにより形成できる。このように形成されたドーム型のソルダ30は、金属ポスト24の上部面以外の側面には広がらないため、ボンディングに必要とされるソルダ30量を容易に制御することができる。
若し、図7に示されたように、ソルダ30が金属ポスト24を覆う形態になると、多数の電極パッド14の金属ポスト24に形成されるソルダ30量を調節しにくくなり、ボンディング時に隣接バンプの間にブリッジが発生したり、ソルダ30量が足りなかったりしてボンディング不良が発生する恐れがある。
金属ポスト24上に形成され、金属ポスト24の外周縁から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間が充填されたドーム型のソルダ30を形成する方法は、前述したように、基板に積層された感光性フィルム層の開口部に金属性物質とソルダ30とを順次充填した後に、感光性フィルム層が除去されていない状態でソルダ30に熱を加えてリフローすれば、金属ポスト24の外周縁から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間(例えば、開口部の残りの一部の空間)が充填されたドーム型のソルダ30を形成できる。
リフロー時、ソルダ30は、金属ポスト24の上部面以外の側面には広がらないドーム型のソルダ30が形成できるため、ボンディングの時に必要とされるソルダ30量を容易に制御できるようになる。
ソルダ30は、Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダからなる群より選ばれる何れか一つであることができる。Sn−Ag系ソルダまたはSn−Ag−Cu系ソルダを用いる場合、ソルダ使用量が低減できる。
図17から図19には、本発明に係るポストバンプの多様な形態が示されている。図17に示すように、多数の電極パッド14のピッチが小さくて隣接するバンプとの間にブリッジが発生する恐れのある場合には、少ないソルダ30量で金属ポスト24上に半球型のソルダ30を形成できる。一方、図18に示すように、電極パッド14のピッチが大きくて、比較的に隣接バンプとの間にブリッジが発生する恐れの少ない場合には、多量のソルダ30を使用して金属ポスト24上に一定厚さのソルダ柱と、その上に半球型のソルダ30を形成することも可能である。このようにボンディングに必要とされるソルダ30量を調節することにより、ソルダ30の使用量が低減でき、ボンディング不良を防止できる。
一方、図19には、四角柱状のポストバンプが示されている。電極パッド14に形成された金属ポスト24が四角柱状である場合には、金属ポスト24の外周縁から金属ポスト24の軸方向に延長される仮想の線32により区画される空間に充填されるソルダ30も四角柱上にドーム型で形成される。
以外の構成要素は、前述した内容と同様であるので、その詳しい説明は省略する。
図20は、本発明の他の実施例に係るポストバンプのボンディング状態を示す使用状態図である。図20を参照すると、電極パッド14、金属ポスト24、ソルダ30、電子素子34、回路基板12が示されている。
本実施例により形成されるポストバンプは、電子素子34または回路基板12の電極パッド14に形成され、フリップチップボンディングに利用できる。例えば、電子素子34の電極パッド14にポストバンプを形成し、ポストバンプが形成された電子素子34を回路基板12にボンディングすることも可能であり、回路基板12の電極パッド14にポストバンプを形成して電子素子34を回路基板12にボンディングすることも可能である。また、ウェハレベルのパッケージの製造時、ウェハに形成された電極パッド14に、本実施例によるポストバンプを形成することも可能である。
一方、図20に示すように、電子素子34の電極パッド14や回路基板36の電極パッド14の全てにポストバンプを形成して電子素子34と回路基板36とをボンディングすることも可能である。
回路基板36に電子素子34をフリップチップボンディングする場合、電子素子34及び回路基板36の電極パッド14のそれぞれに本実施例によるポストバンプを形成し、回路基板36の電極パッド14と電子素子34の電極パッド14とが対応するように整列した後、リフローして相互ボンディングすることが可能である。
本発明によるポストバンプは、金属ポスト24上に形成されるソルダ30量を容易に制御できるため、ボンディング時に必要とされる最小限のソルダ30量でボンディングすることにより、隣接するバンプとのブリッジを防止でき、ボンディングの接続信頼性を向上させることができる。
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、下記の特許請求の範囲に記載した本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。
12 基板
14 電極パッド
16 ソルダレジスト
18 シード層
20 感光性フィルム層
22 開口部
24 金属ポスト
26 ソルダペースト
28 スキージ
30 ソルダ
34 電子素子
36 回路基板
14 電極パッド
16 ソルダレジスト
18 シード層
20 感光性フィルム層
22 開口部
24 金属ポスト
26 ソルダペースト
28 スキージ
30 ソルダ
34 電子素子
36 回路基板
Claims (12)
- 電極パッドが形成されている基板に、前記電極パッドの形成位置に対応する開口部が形成されたレジスト層を形成する段階と、
前記開口部の一部に金属性物質を充填して金属ポストを形成する段階と、
前記開口部の残りの一部にソルダを充填する段階と、
前記ソルダに熱を加えてリフロー(reflow)する段階と、
前記レジスト層を除去する段階と、
を含むポストバンプの形成方法。 - 前記レジスト層を形成する段階は、
前記電極パッドが形成されている基板に感光性フィルム層を積層する段階と、
前記電極パッドの形成位置に対応する領域が開放されるように、前記感光性フィルム層を選択的に露光、現像し、その一部を除去して開口部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1記載のポストバンプの形成方法。 - 前記レジスト層を除去する段階は、
前記基板に残留する前記感光性フィルム層を除去する段階を含むことを特徴とする請求項2記載のポストバンプの形成方法。 - 前記レジスト層を形成する段階以前に、
前記基板に伝導性物質を蒸着してシード層を形成する段階をさらに含み、
前記金属ポストを形成する段階は、
前記シード層を電極として電解メッキを行う段階を含むことを特徴とする請求項1記載のポストバンプの形成方法。 - 前記レジスト層を除去する段階以後に、
外気に露出した前記シード層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項4記載のポストバンプの形成方法。 - 前記ソルダを充填する段階は、
ソルダペーストをスキージング(squeegeing)して前記開口部の残りの一部に圧入する段階を含むことを特徴とする請求項1記載のポストバンプの形成方法。 - 前記感光性フィルム層は、前記リフローに対して耐熱性を有するドライフィルム(dry film)であることを特徴とする請求項2記載のポストバンプの形成方法。
- 前記基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることを特徴とする請求項1記載のポストバンプの形成方法。
- 前記ソルダは、
Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダの中の何れか一つであることを特徴とする請求項1記載のポストバンプの形成方法。 - 外部装置との電気的接続のために基板の電極パッドに形成されるバンプであって、
前記電極パッド上に形成された金属ポストと、
前記金属ポスト上に形成され、前記金属ポストの外周縁から前記金属ポストの軸方向に延長される仮想の線により区画される空間が充填されたドーム(dome)型ソルダと、
を含むポストバンプ。 - 前記基板は、回路基板、半導体ウェハ、または電子素子の中の何れか一つであることを特徴とする請求項10記載のポストバンプ。
- 前記ソルダは、
Sn−Pb系ソルダ、Sn−Ag系ソルダ、またはSn−Ag−Cu系ソルダの中の何れか一つであることを特徴とする請求項10記載のポストバンプ。
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