TW201431868A - 胺衍生物、有機發光材料及使用其之有機電致發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種供以一般式(1)所表示之胺衍生物。□(在一般式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3係各自獨立為取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基；前述Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；L係表示結合基團、取代或無取代之伸芳基、或者取代或無取代之雜伸芳基。)

Description

胺衍生物、有機發光材料及使用其之有機電致發 光元件
本發明係關於一種有機發光材料，以及一種使用其之有機電致發光元件；特別是關於一種適合做為電洞傳輸材料等之有機發光材料使用之新穎的胺衍生物。
近年來，針對將發光材料使用在顯示部之發光元件的有機電致發光顯示裝置的開發甚為繁盛。有機電致發光顯示裝置係不同於液晶顯示裝置等；其係讓從陽極及陰極注入的電洞及電子在發光層進行再結合，藉以使得發光層中含有有機化合物的發光材料發光來實現顯示之所謂的自發光型顯示裝置。
近年已提出一種有機電致發光元件，其係由將載體(電洞、電子)輸送到發光層與前述發光層的層等之特性不同的複數個層所構成。
為了增加有機電致發光元件之發光特性及使之長壽命化，因而電洞傳輸層被要求具有優異的電洞傳輸能力及載體耐性。從此類觀點著手，亦已提出各種的電洞傳輸材料了。
在有機電致發光元件之各層所使用的材料，已知道有芳香族胺系化合物等之各種的化合物等。例如，在專利文獻1及 專利文獻6中已提出了以咔唑衍生物做為電洞傳輸材料或電洞注入材料。此外，在專利文獻2中已提案以具三苯基之胺化合物來做為電洞傳輸材料及發光層中之主體材料。在專利文獻3中已提出以具有茀基之胺化合物做為電洞傳輸材料或電洞注入材料。在專利文獻4中已提出以具有二苯并呋喃基之胺衍生物來做為電洞傳輸材料或發光層之主體材料。在專利文獻5中已提出以具有矽烷基之胺衍生物來做為電洞傳輸材料。在專利文獻7及專利文獻8中已提出了一種取代縮合環的咔唑衍生物。在專利文獻9中已提出以三芳基胺衍生物來做為發光層材料、或電洞傳輸材料。在專利文獻10中已提出以三(p-三苯-4-基)胺化合物來做為電洞傳輸材料。在專利文獻11中已提出以二胺化合物來做為電洞傳輸材料。在專利文獻12及專利文獻13中已提出以具有矽烷基之胺化合物來做為發光層材料。在專利文獻14中已提出以具有矽烷基之胺化合物來做為電子阻止層材料、或發光層材料。然而，使用此等之材料的有機電致發光元件難以具有充分的發光壽命，因而現在一直期望有一種能夠以更進一步的高效率在低電壓驅動，且發光壽命長的有機電致發光元件。
〈先前技術文獻〉
〈專利文獻〉
<專利文獻1>美國專利申請公開第2007/0231503號說明書
<專利文獻2>國際公開第2012/091471號
<專利文獻3>國際公開第2010/110553號
<專利文獻4>歐州專利申請公開第2421064號說明書
<專利文獻5>美國專利申請公開第2008/0106188號說明書
<專利文獻6>國際公開第2007/148660號
<專利文獻7>日本特開2009-194042號公報
<專利文獻8>日本特開2010-195708號公報
<專利文獻9>日本專利第3278252號公報
<專利文獻10>國際公開第2008/015963號
<專利文獻11>歐州專利申請公開第02042481號說明書
<專利文獻12>日本特開2007-230951號公報
<專利文獻13>美國專利申請公開第2007/207346號說明書
<專利文獻14>國際公開第2010/052932號
如前述，在將有機電致發光元件應用於顯示裝置時，有機發光材料一直被要求長壽命化。然而，截至目前為止所提出的將化合物用於電洞注入層或電洞傳輸層的元件，由於電子耐性不夠充分，所以一直追求提高元件壽命。
有機電致發光元件的元件壽命之前述問題點的起因係在於：發光層與電洞傳輸層的界面附近之電洞與電子再結合而發光之際，無法再結合的電子入侵到電洞傳輸層，使電洞傳輸材料受到損傷而導致元件劣化所引起的。
本發明係有鑑於上述之課題而完成者，目的在於經由抑制致使元件劣化原因之入侵到電洞傳輸層的電子之元件劣化機構，以提供元件壽命改善之有機電致發光元件、及實現其之有機發光材料。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，係以下述之一般式(1)所表 示。
在一般式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3係各自獨立為取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基；Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代。L係表示單鍵、取代或無取代之伸芳基、或者取代或無取代之雜伸芳基。
根據本發明之一實施形態的胺衍生物，由於在一般 式(1)中之Ar1為經表現強電子耐性的矽烷基所取代的芳基，因而能夠增加電子耐性、提高有機電致發光元件之發光效率、以及實現長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個可以是取代或無取代之雜芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1及Ar2可以是各自獨立為由成環碳數6~18構成之芳基，Ar3可以是取代或無取代之二苯并雜環基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
根據本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個被取代的矽烷基可以是：該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或者該矽烷基中被取代的烷基之碳數為分別是1以上6以下之三烷基矽烷基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1及Ar2可以是分別為一個矽烷基所取代。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3可以是分別為一個矽烷基所取代。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，L可以是單鍵、或成環碳數6~14之伸芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，Ar3可以是取代或無取代之二苯并呋喃基。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由導入二 苯并呋喃基，使得電子耐性更進一步地增加，並使得玻璃轉移溫度變高。因此，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、低電壓化及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，L可以不含單鍵。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，由於藉由使L 不是單鍵而是2價之連結基，致使分子全體的π電子共軛系統擴大的緣故，因而電洞傳輸性增加並更進一步使分子之安定性增加，進而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、低電壓化及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在前述一般 式(1)中，L可以是伸苯基，Ar3之二苯并呋喃基可以是在3位之位置上與L鍵結。
根據本發明之一實施形態，藉由增加電洞傳輸性， 能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、低電壓化及長壽命化。
基於前述以一般式(1)所表示的本發明之一實施形態的胺衍生物，可以是以下述之一般式(2)所表示的化合物。
<化2>
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、低電壓化及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件，在發光層中係含有前述任何項所記載之胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供有一種實現增加發光效率、低電壓化及長壽命化的有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件，在發光層與陽極間之積層膜中之一層中係含有前述任一所記載之胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率、低電壓化及長壽命化的有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在一般式(1)中，前述Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基、或者可以是取代或無取代之雜芳基；前述Ar1及Ar2之中至少1個可以取代或無取代之矽烷基所取代；前述Ar3可以是取代或無取代之二苯并呋喃基；前述L可以是單鍵。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。二苯并呋喃基係表現強電子耐性；此外，由於平面性高而表現出高的玻璃轉移點。因此，能夠增加有機電致發光元件之發光效率，更能夠實現低驅動電壓化及長壽命化。此外，在製作成有機電致發光元件之際，可望能提高成膜性能。
在前述一般式(1)中，前述二苯并呋喃基可以是在3位之位置上與前述L鍵結。
根據本發明之一實施形態，由於二苯并呋喃基係於3位之位置上與前述L鍵結，亦即藉由與胺部位之氮原子(N)鍵結，致使分子全體之π電子之共軛系統擴大，因而可以提高電洞傳輸性，並能夠實現使有機電致發光元件更進一步地增加發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在發光層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在發光層與陽極間之積層膜中之一層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在一般式(1)中，Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基、或者可以是取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個可以為取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3可以是取代或無取代之茀基；L可以是取代或無取代之伸芳基、或者可以是取代或無取代之雜伸芳基。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由透過連結基之L而使茀基鍵結於胺部位上，使得π電子之共軛系統擴大了，並提高了電洞傳輸性及分子之安定性。此外，藉由導入茀基，使得連結基L的取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基平面化，並提高了胺衍生物之電洞傳輸性。因此，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在發光層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在發光層與陽極間之積層膜中之一層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，可以是在一般式(1)中的Ar3為取代或無取代之茀基，而L為單鍵的以下述之一般式(3)所表示的胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，電洞傳輸性提高了，而且能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在一般 式(3)中，前述茀基之取代基可以是各自獨立為氫原子、取代或無取代之烷基、取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
在基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物中，茀基可以在2位之位置上與L鍵結合。
根據本發明之一實施形態，由於藉由使茀基在2位與胺部位之氮原子(N)鍵結合，使得分子全體之π電子之共軛系統擴大，且提高電洞傳輸性並且增加分子之安定性，因而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(3)中、Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(3)中、Ar1可以是取代或無取代之芳基，Ar2可以是取代或無取代之二苯并雜環基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(3)中，可以是在Ar1及Ar2之中只有任一個為取代或無取代之矽烷基所取代。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(3) 中，Ar1及Ar2中之至少1個被取代的矽烷基可以是：該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或者該矽烷基中被取代的烷基之碳數分別是1以上6以下之三烷基矽烷基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件用材料係含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的前述有機電致發光元件用材料可以是電洞傳輸材料。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係含有配置在陰極與陽極間之發光層及電洞傳輸層，而電洞傳輸層係含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在一般式(1)中，Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基、或者取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個可以為取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3可以是取代或無取代之咔唑基；L可以是取代或無取代之伸芳基、或者取代或無取代之雜伸芳基。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由導入咔唑基而使電洞傳輸性提高了，藉由透過取代或無取代之伸芳基、 或取代或無取代之雜伸芳基的L而與胺部位鍵結來調整HOMO之能階，因而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，前述取 代或無取代之咔唑基可以是在2位或3位之位置上與L鍵結。
根據本發明之一實施形態，藉由使咔唑基在2位或3 位之位置上與L鍵結合，使得分子全體之π電子之共軛系統擴大了，電洞傳輸性提高了，並且分子之安定性也增加了，因而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在 發光層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發 光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在 發光層與陽極間之積層膜中之一層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發 光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在一般 式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；前述Ar1及Ar2之中至少1個係被取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之咔唑基；L係取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基；以下述之一般式(4)所表示者。
<化4>
在一般式(4)中，R1~R8係氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、取代或無取代之成環原子數5以上30以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之矽烷基、氰基、鹵素原子、或重氫原子。
本發明之一實施形態有關的胺衍生物係藉由導入咔 唑基以使電洞傳輸性提高，透過連結基L使咔唑基與胺部位鍵結、調整HOMO之能階，因而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(4) 中，R1~R8可以是相互鍵結而形成飽和或不飽和之環。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，在一般式(4) 中，L可以是伸苯基、聯伸苯基或伸茀基。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物係藉由連結基 L為伸苯基、聯伸苯基或伸茀基，藉以擴大分子全體之π電子之共軛系統，因而能夠實現提高電洞傳輸性及分子之安定性，並增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的前述胺衍生物，在L為伸 茀基的情況，一般式(4)中之Ar1及Ar2為成環碳數6以上12以下之芳基。
根據本發明之一實施形態，能夠實現增加有機電致 發光元件之發光效率及長壽命化。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在 發光層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發 光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在 發光層與陽極間之積層膜中之一層中含有前述胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供一種實現增加發 光效率及長壽命化之有機電致發光元件。
在一般式(1)中、Ar1係被矽烷基所取代的以下述之一 般式(5)所表示的芳基；Ar2係成環碳數6以上30以下之取代或無取代之芳基；Ar3係以下述之一般式(6)所表示的芳基；L係以下述之一般式(7)所表示的伸芳基。
<化5> 在一般式(5)中，o可以是滿足0≦o≦2的整數；R11、R12、R13可以是各個獨立地表示碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、或者是成環碳數1以上30以下之雜芳基；在一般式(6)中，R9可以是各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基；m可以是滿足0≦m≦5的整數；在一般式(7)中，R10可以是各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基；1可以是0≦m≦4；n可以是滿足2≦n≦5的整數。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，由於在一般式(1)中之Ar1為被表現強電子耐性的矽烷基所取代之芳基，所以電 子耐性增加，更由於在一般式(7)中具有n為2以上之伸芳基，因而π電子廣泛並表現良好的電洞傳輸性。所以，基於本發明之一實施形態的胺衍生物能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。此外，基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由讓在一般式(7)具有n為2以上的伸芳基，因而使得玻璃轉移溫度(Tg)上升，成膜性能增加。讓胺衍生物之玻璃轉移溫度為120℃以上，在製造上是較為良好的。
在一般式(5)，R11、R12、R13分別可以是苯基。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由讓在一般式(5)的R11、R12、R13為苯基，因而使得玻璃轉移溫度(Tg)上升、成膜性能增加。
在一般式(5)中，o可以是0或1。
基於本發明之一實施形態的胺衍生物，藉由讓在一般式(5)中o為0或1，困而能夠提高阻止電子往電洞傳輸層的侵入能力，抑制電洞傳輸材料之劣化，實現有機電致發光元件之長壽命化。
在一般式(7)中，n可以是2。
根據本發明之一實施形態，藉由讓一般式(7)中的n為2，能夠使得胺衍生物之電子耐性更進一步地向上提高。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件用材料係含有前述任一項所記載之胺衍生物。
根據本發明之一實施形態，可提供具有強電子耐性、並表現良好的電洞傳輸性之有機電致發光元件用材料。
基於本發明之一實施形態的有機電致發光元件係在配置於發光層與陽極之間的積層膜之任何一者之中含有前述有機電致發光元件用材料。
根據本發明之一實施形態，可提供實現增加發光效率、長壽命化之有機電致發光元件。
依照本發明，就能夠提供一種發光效率增加、元件壽命增長的有機電致發光元件、及一種能夠實現其之有機電致發光元件用材料。
100、200‧‧‧有機電致發光元件
102、202‧‧‧玻璃基板
104、204‧‧‧陽極
106、206‧‧‧電洞注入層
108、208‧‧‧電洞傳輸層
110、210‧‧‧發光層
112、212‧‧‧電子傳輸層
114、216‧‧‧陰極
214‧‧‧電子注入層
第1圖為本發明之有機電致發光元件的構造之一實施形態的概略剖面圖。
第2圖為使用本發明之有機電致發光材料所製作而成的有機電致發光元件之概略圖。
本申請發明者檢討研究上述課題之結果，想到使用具有矽烷基的胺衍生物做為有機電致發光元件中之電洞傳輸層的材料，並確認可以達成有機電致發光元件之長壽命化。以下，針對本申請發明者所想到的具有矽烷基之胺衍生物加以說明。但是，本發明之有機電致發光材料及使用其之有機電致發光元件係可以多種不同的態樣來實施，不應解釋成只限於以下所例示的實施形態之記載內容。
本發明的有機電致發光材料係以下述之一般式(1)所表示的具有矽烷基之胺衍生物；其特徵在於：<化6> 一般式(1)中、Ar1、Ar2、及Ar3係各自獨立地為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；前述Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個係以取代或無取代之矽烷基所取代。L係表示單鍵、取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基。
Ar1、Ar2、及Ar3之「取代或無取代之芳基」或「取
代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基；Ar1、Ar2、及Ar3之芳基或雜芳基較佳為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基；特佳為苯基、聯苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。此處，如上述的，Ar1、Ar2、及Ar3中之芳基及雜芳基之中至少1個少被矽烷基所取代。此外，矽烷基較佳為逐一地取代Ar1及Ar2中之至少1個，更佳為逐一地取代Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個。
Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個為取代或無取代之雜芳 基較佳，更佳為取代或無取代之咔唑基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基等之二苯并雜環基。雖然沒有特別的限定，但較佳者是Ar3為取代或無取代之雜芳基，特佳者是Ar3為二苯并雜環基。當Ar3為取代或無取代之雜芳基時，Ar1及Ar2為取代或無取代之芳基較佳者；特佳者是Ar3為二苯并雜環基，而Ar1及Ar2為成環碳數6~18之芳基。
L之「取代或無取代之伸芳基」或「取代或無取代之 雜伸芳基」，舉例來說，可以是與在Ar1、Ar2、及Ar3所列舉的「取代或無取代之芳基」或「取代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基相同者。L之「取代或無取代之伸芳基」或「取代或無取代之雜伸芳基」之伸芳基及雜伸芳基，較佳者為伸苯基、伸萘基、聯伸苯基、噻吩基伸苯硫基、及伸吡啶基。尤其，較理想者為成環碳數6~14之伸芳基，更理想者為伸苯基及聯伸苯基。此外，L為「單鍵」係表示在本發明之具有以一般式(1)所表示的矽烷基之胺衍生物中，胺部位之氮原子(N)與Ar3直接鍵結的狀態。
Ar1、Ar2、及Ar3之芳基或雜芳基中被取代的取代基， 舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之例示的具體例子係與上述之Ar1、Ar2、及Ar3中之芳基及雜芳基相同。
Ar1、Ar2、及Ar3之芳基或雜芳基中被取代的取代基 之烷基，雖然沒有特別限定，然而可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、異丁基、t-丁基、環丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、辛基、壬基、癸基等。
Ar1、Ar2、及Ar3之芳基或雜芳基的取代基之烷氧基，雖然沒有特別限定，然而可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異 丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基等。
L之伸芳基或雜伸芳基之取代基，舉例來說，可以是 烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。所例示的具體例子係與Ar1、Ar2、及Ar3之做為被芳基或雜芳基所取代的取代基所敘述之烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同。
Ar1、Ar2、及Ar3之至少1個被取代的矽烷基之取代基 舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。所例示的具體例子係與做為Ar1、Ar2、及Ar3之芳基或雜芳基中被取代的取代基所敘述之烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同，較佳者為烷基及芳基，特佳者為甲基及苯基。此外，Ar1、Ar2、及Ar3之至少1個被取代的矽烷基，較佳者為該矽烷基中被取代的烷基之碳數分別是1以上6以下之三烷基矽烷基、或該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數分別是6以上18以下之三芳基矽烷基。
具有以式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而並非限定於這些化合物。
具有以式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，舉例來說，較佳者為上述之化合物1、2、3、4、5、6、8、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27，28、29、30、31、32、37、38、40、42、44、45、46、49、50、53、54、55、56、57、59、60、61、62、63、64、74、77、79、85、87、88、89、92、96、98、101、102、107、及110，而其更佳者，舉例來說，例如化合物1、2、3、4、6、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、37、40、44、45、46、49、53、54、55、56、57、59、60、61、62、63、77、85、87、88、89、96、101、102、107、及110。
本發明之具有前述矽烷基的胺衍生物，皆可以利用 來做為有機電致發光元件用材料使用。具有以一般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，其與胺之氮原子(N)或連結基(L)鍵結的Ar1、Ar2、及Ar3之取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基之中至少1個是以表現電子強耐性的取代或無取代之矽烷基所取代。因此，本發明之具有矽烷基的胺衍生物對於電子而言是安定的，能夠被使用來做為有機電致發光元件用材料、特別是與發光層相隣的電洞傳輸層材料。藉由使用具有本發明之矽烷基的胺衍生物來做為電洞傳輸層材料，能夠提高電洞傳輸層之電子耐性，抑制侵入電洞傳輸層的電子所引起的電洞傳輸材料之劣化，並且實現有機電致發光元件之長壽命化。
此外，本發明之具有矽烷基的胺衍生物之用途不是 限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料而已。例如，亦能夠適合使用於電洞注入層之材料。在使用具有矽烷基的胺衍生物來做為電洞注入層之材料的情況，由於能夠抑制電子所引起的電洞注入層之劣化，所以和在使用來做為電洞傳輸層之材料的情況相同，一樣能夠實現有機電致發光元件之長壽命化。
〔有機電致發光元件〕
有機電致發光元件可以例如具有如第1圖所示的構造，然而不限定於此。
第1圖所示之有機電致發光元件100係利用本發明之胺衍生物來做為有機電致發光元件用材料使用的一實施形態之概略剖面圖；可以含有玻璃基板102、配置在玻璃基板102上的陽極104、配置在陽極104上的電洞注入層106、配置在電洞注入層106上的電洞傳輸層108、配置在電洞傳輸層108上的發光層110、配置在發光層110上的電子傳輸層112、及配置在電子傳輸層112上的陰 極114。此處，電子傳輸層112亦具有做為電子注入層的功能。
陽極104係可以使用氧化銦錫(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等來形成。
電洞注入層106可以含有4,4',4"-三(N-1-萘基-N-苯基胺基)三苯基胺(1-TNATA)、或者是4,4',4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基胺基)-三苯基胺(2-TNATA)、4,4-雙(N,N-二(3-甲苯基)胺基)-3,3-二甲基聯苯基(HMTPD)等；例如，也可以含有以下所示之化合物。
在電洞傳輸層108可以使用具有以具有一般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物來形成。
發光層110，例如，也可以含有以下所示之化合物的主體材料。
但，於發光層110所含的做為主體材料之化合物係不限定於上述之化合物，可以使用公知的材料來做為主體材料。
此外，在發光層110中，也可以例如含有如以下所示之化合物來做為摻雜劑。
但，做為摻雜在發光層110中的摻雜劑之化合物係不限定於上述之化合物，可以按照所期望之色域使用公知之材料來做為摻雜劑使用。摻雜劑之較佳者為在構成發光層110的材料摻雜0.1%~50%。
電子傳輸層112，例如，三(8-羥基喹啉酸根)鋁(Alq3)等。此外，也可以含有以下所示之化合物。
陰極114係藉由以Al、Ag、Ca等之金屬或氧化銦錫(ITO)及銦鋅氧化物(IZO)等之透明材料來形成。
在第1圖所示之有機電致發光元件100中，雖然省略了記載，然而有機電致發光元件100也可以在陰極114與電子輸送112之間含有電子注入層。電子注入層可以例如含有氟化鋰(LiF)、鋰8-喹啉酸根等。
如上所述，具有以一般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物係能夠用來做為有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料使用。然而，具有本發明之矽烷基的胺衍生物之用途，不是只限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，也包括在電洞注入層中做為電洞注入材料。
藉由將本發明之胺衍生物使用在前述電洞注入層106及電洞傳輸層108等、構成有機電致發光元件的電洞注入層材 料及電洞傳輸層材料之中的至少其一之材料上，可以達成有機電致發光元件之長壽命化。
如上所述，具有本發明之矽烷基的胺衍生物，由於 具有電子耐性，因而適合用來做為有機電致發光元件之電洞傳輸層材料或電洞注入層材料，然而不是限定於此。例如，也可以用來做為發光層內之主體材料。
〔實施例I〕
對於具有以一般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，以下說明前述化合物1、3、61、63之合成法的例子。但是，以下所述的合成法係例子之一，不是用來限定本發明。
(化合物1之合成)
以下之化學反應式係以圖表示具有以一般式(1)所代表的本發明之矽烷基的胺衍生物之化合物1的合成方法(process)。
本發明之化合物1係實施如以下之作法來合成。
在反應容器中加入化合物(i)(1.57g，4.33mmol)、化合物(ii)(1.50g，3.61mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.37g，0.36mmol)、甲苯(36mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.93mL，1.44mmol、1.56M)、t-丁氧鈉(1.04g，10.8mmol)，對容器內實施氮氣取代，然後於80℃攪拌4小時。冷卻後，於反應溶液中加入水，進行有機層的萃取。將所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，於過濾後， 以旋轉蒸發器濃縮濾液。將所得到的粗生成物以矽膠色譜層析儀(展開溶劑：二氯甲烷/己烷)進行精製，並將所得到的固體，以甲苯/己烷使之再結晶，進而得到2.26g的目標物之化合物1的白色粉末狀固體，產率為90%(FAB-MS：C51H41NSi，測定值695)。
(化合物3之合成)
以下之化學反應式係例示本發明之胺衍生物的化合物3之合成方法的圖。
本發明之化合物3之合成係按照以下之作法來實施。
在反應容器中加入化合物(iii)(1.52g，4.33mmol)、化合物(ii)(1.50g，3.61mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.37g，0.36mmol)、甲苯(36mL)。其次，三(t-丁基)膦(0.93mL，1.44mmol、1.56M)、丁氧鈉(1.04g，10.8mmol)，對容器內實施氮取代，然後於80℃攪拌4小時。冷卻後、在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮濾液。藉由矽膠色譜層析儀對所得到的粗生成物(展開溶劑：二氯甲烷/己烷)進行精製，將所得的固體以甲苯/己烷進行再結晶，得到1.00g的目標物之化合物3的白色粉末狀固體，產率為40%(FAB-MS：C48H35NSSi，測定值685)。
(化合物61之合成)
以下之化學反應式係例示本發明之胺衍生物的化合物61之合成方法的圖。
本發明之化合物61之合成係按照如以下之作法來實施。
在反應容器中加入化合物(iv)(0.70g，1.44mmol)、化合物(v)(0.71g，1.44mmol)、Pd(dba)2(0.04g，0.07mmol)、甲苯(30mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.14mL，0.28mmol、2.00M)、丁氧鈉(0.21g，2.16mmol)，對容器內實施氮取代，然後在迴流下攪拌6小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對所得到的粗生成物(展開溶劑：甲苯/己烷)進行精製，對於所得的固體以二氯甲烷/己烷進行再結晶，得到1.15g的目標物之化合物61的白色粉末狀固體，產率為89%(FAB-MS：C66H48N2Si，測定值897)。
(化合物63之合成)
以下之化學反應式係例示本發明之胺衍生物的化合物63之合成方法的圖。
本發明之化合物63係按照以下之作法來合成。
在反應容器中加入化合物(iv)(1.00g，2.06mmol)、化 合物(ii)(0.85g，2.06mmol)、Pd(dba)2(0.06g，0.10mmol)、甲苯(10mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.03mL，0.06mmol、2.00M)、丁氧鈉(0.30g，3.08mmol)，對容器內實施氮取代，然後在迴流下攪拌4小時。冷卻後、在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：甲苯/己烷)進行精製，對於所得的固體以二氯甲烷/己烷進行再結晶時，得到1.59g的目標物之化合物63的白色粉末狀固體，產率為94%(FAB-MS：C60H44N2Si，測定值821)。
以下，說明本發明之有機電致發光元件材料，於電 洞傳輸層使用上述之化合物1的有機電致發光元件之實施例1。
本發明之實施例1之有機電致發光元件之製作係藉 由真空蒸鍍來進行，為以下述的順序來進行的。首先，在預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板上，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚為150nm。臭氧處理後，立刻將電洞注入材料之4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將本發明之化合物1成膜為正孔輸送材料 (30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成之膜，予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次將做為電子輸送材料之三(8-喹啉酸根)鋁(Alq3) 予以成膜(25nm)，接著，依次積層做為電子注入材料之氟化鋰(LiF)(1.0nm)、及做為陰極之鋁(100nm)，而製作成如第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例2除了使用化合物3來代替在實施例1所用的化合物1之外，和實施例1同樣地製作成有機電致發光元件。
實施例3除了使用化合物61來代替在實施例1所用的化合物1之外，和實施例1同樣地製作成有機電致發光元件。
實施例4除了化合物63使用來代替在實施例1所用的化合物1之外，和實施例1同樣地製作成有機電致發光元件。
比較例1及比較例2使用以下所示的比較化合物1及比較化合物2，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料的化合物，和實施例1同樣地製作成有機電致發光元件。另外，在比較例1及比較例2所用的化合物係含有不具備矽烷基的構造，在此點上係與本發明之胺衍生物不同。
將所製作的有機電致發光元件200之實施例1至實施 例4、比較例1、及比較例2之概略圖表示於第2圖。所製作的有機電致發光元件200係含有陽極204、配置在陽極204上的電洞注入層206、配置在電洞注入層206上的電洞傳輸層208、配置在電洞傳輸層208上的發光層210、配置在發光層210上的電子傳輸層212及電子注入層214、配置在電子注入層214上的陰極216。
將所製作的實施例1至實施例4、比較例1及比較例2 之有機電致發光元件200之元件性能表示於以下之表1中。另外，電流效率係表示於10mA/cm2之值，半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半時間。
另外，對於所製作的有機電致發光元件200之電界發 光特性之評價係使用濱松光學公司製C9920-11亮度配向特性測定裝置。
根據表1所示，可明白本發明之實施例1至實施例4 的有機電致發光元件係比比較例1及比較例2之有機電致發光元件還更長壽命化。
具有以一般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生 物係一種具備具有電子耐性的矽烷基、且對於電子能夠安定地進行電洞傳輸之材料。因此，藉由使用具有本發明之矽烷基的胺衍生物，能夠抑制因電子侵入電洞傳輸層所導致的元件之劣化，進而能夠實現元件之長壽命化。
在前述之實施例1~4中，雖然是已說明了將具有以一 般式(1)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物利用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，具有本發明之矽烷基的胺衍生物之應用不限定於有機電致發光元件，也可以利用於其他之發光元件或發光裝置。此外，第1圖及第2圖所示之有機電致發光元件可以利用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以利用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認藉由以一般式(1)所表示的胺 衍生物之中，特別是具有以下所述的構造之胺衍生物來做為有機電致發光材料並配置在發光層與陽極之間，可以顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係在一 般式(1)中，Ar1及Ar2各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之二苯并呋喃基；而L係不含單鍵的2價之連結基。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基係如前述，舉例來說，可以是苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基；特佳者為苯基、聯苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。 Ar1及Ar2之芳基較佳為成環碳數6以上18以下之芳基；Ar1及Ar2之雜芳基較佳為成環原子數5以上18以下之雜芳基。
Ar1及Ar2之芳基或者是雜芳基中被取代的取代基，舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之例示的具體例子係與上述所列舉的做為Ar1及Ar2之具體的基團之芳基及雜芳基相同。
在本發明之胺衍生物之較佳的構造中，一般式(1)中之Ar3係取代或無取代之二苯并呋喃基。取代二苯并呋喃基的取代基係各自獨立為氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、或取代或無取代之成環碳數5以上20以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上8以下之烷基。
再者，在胺衍生物之較佳的構造中，一般式(1)中之 L係2價之連結基，也可以是取代或無取代之伸芳基、或者取代或無取代之雜伸芳基；具體而言，其也可以是上述所列舉用來做為Ar1及Ar2之基的2價基。L較佳為成環碳數6以上18以下之伸芳基，特佳為伸苯基。在以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造中，L係不含單鍵。藉由透過2價之連結基、特別是苯基，來鍵結取代或無取代之二苯并呋喃基的Ar3與胺部位，使得分子全體之π電子之共軛系統擴大。因此，促進電洞傳輸性增加，並促使有機電致發光元件之低驅動電壓化、長壽命化、及發光效率增加。此外，由於分子之安定性增加，可以抑制有機電致發光元件之劣化，並能夠促進元件之長壽命化。
L之伸芳基或雜伸芳基中被取代的取代基，舉例來 說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，可以是與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基被取代的取代基所述之烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同者。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉 例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，可以是與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所述的烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同者，特佳者為苯基。此外，Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基，較佳者為該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基。
在一般式(1)中，二苯并呋喃基之Ar3為與2價之連結 基L鍵結在一起之胺衍生物，舉例來說，可以是以下所例示之化合物，然而未限定於此。
如上述，本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中， Ar3為取代或無取代之二苯并呋喃基，此種的二苯并呋喃基為鍵結於2價之連結基L。二苯并呋喃基係具有強電子耐性。因此，使用在一般式(1)中的Ar3為取代或無取代之二苯并呋喃基的胺衍生物做為電洞傳輸層材料，能夠增加電洞傳輸層之電子耐性，並能夠抑制因電子侵入電洞傳輸層所導致的電洞傳輸材料之劣化。此外，藉由導入二苯并呋喃基，使得胺衍生物之平面性增加，並使得玻璃轉移溫度提高。因此，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、低驅動電壓化及長壽命化。再者，如上述，透過2價之連結基L來鍵結二苯并呋喃基與胺部位，並擴大分子全體之π電子之共軛系統。因此，使得電洞傳輸性增加、分子之安定性也增加，所以能夠實現有機電致發光元件之低驅動電壓化、長壽命化、及改善發光效率。本發明之較佳的胺衍生物，尤其是能夠實現增加在藍色~藍綠色領域中有機電致發光元件之發光效率、低驅動電壓化及長壽命化。
此外，在以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構 造中，Ar3之取代或無取代之二苯并呋喃基，可以是在2位、3位或4位之位置上與L鍵結，較佳者為在3位之位置上與連結基L鍵結。 此外，Ar3之取代或無取代之二苯并呋喃基，較佳者為鍵結在相對於胺部位之氮原子(N)的2價之連結基的對位(para-)。藉由使二苯并呋喃基鍵結在2價之連結基之對位(para-)，能夠使得分子全體之π電子共軛長度最為擴大，並能夠促進有機電致發光元件之長壽命化。
以二苯并呋喃基的Ar3是與2價之連結基L鍵結為特 徴之以一般式(1)所表示的本發明之胺衍生物，能夠使用來做為如上述之第1圖中所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層之材料。再者，於第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，但並未限定於此，可以有各種的變更。
此外，以二苯并呋喃基的Ar3是鍵結於2價之連結基L 為特徴之一般式(1)所表示的本發明之胺衍生物之用途，不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，亦能夠用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料；在用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用的情況，也是與用來做為電洞傳輸層之材料使用的情況，同樣能夠增加有機電致發光元件之發光效率，並且能夠實現有機電致發光元件之低驅動電壓化及長壽命化。
〔實施例II〕
對於以二苯并呋喃基之Ar3為與2價之連結基L鍵結合為特徴之以一般式(1)所表示的本發明之胺衍生物，於以下說明前述化合物A-10、A-18、A-25、A-35及A-41之合成法之例。但，以下所述之合成法係例子之一而不是用來限定本發明。
(化合物A-10之合成)
本發明之化合物A-10之合成係按照以下之作法來實施。
在氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物 (vi)1.50g、化合物(vii)1.90g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g，於45mL之甲苯溶劑中加熱迴流6小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到1.86g的白色固體之化合物A-10(產率86%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物A-10之化學位移 值為8.00(d,1H),7.96(d,1H),7.78(d,1H),7.64-7.53(m,20H),7.48-7.33(m,14H),7.29-7.25(m,6H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物A-10之分子量為822。
(化合物A-18之合成)
在氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(viii)2.50g、化合物(ii)2.52g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.25g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.10g、丁氧鈉1.85g，於60mL之甲苯溶劑中加熱迴流8小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到3.31g的白色固體之化合物A-18(產率73%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物A-18之化學位移 值係8.13(d,1H),7.98(d,1H),7.69-7.24(m,35H),7.16(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物A-18之分子量為745。
(化合物A-25之合成)
在氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入口部化合物(vii)1.22g、化合物(ix)0.80g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)88mg、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.12g、丁氧鈉0.43g，在 38mL之甲苯溶劑中加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到1.49g的白色固體之化合物A-25(產率79%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物A-25之化學位移 值係8.01(d,1H),7.93-7.86(m,3H),7.76-7.53(m,17H),7.50-7.28(m,22H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物A-25之分子量為822。
(化合物A-35之合成)
在氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(x)0.8g、化合物(xi)0.54g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.06g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.12g、丁氧鈉0.3g；於30mL之甲苯溶劑中加熱迴 流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到0.95g的白色固體之化合物A-35(產率80%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物A-35之化學位移 值係7.99(d,1H),7.91(d,1H),7.87(d,2H),7.62-7.28(m,33H),7.20(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物A-35之分子量為745。
(化合物A-41之合成)
在氬氣下，於100mL之三口燒瓶中加入化合物(vii)1.50g、化合物(xi)0.87g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g；於45mL之甲苯溶劑中加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到 1.86g的白色固體之化合物A-41(產率89%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物A-41之化學位移 值係8.00(d,1H),7.93-7.87(m,3H),7.66-7.53(m,17H),7.50-7.28(m,22H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物A-41之分子量為822。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之 將上述的化合物A-10、化合物A-18、化合物A-25、化合物A-35及化合物A-41使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件進行說明。實施例5為將化合物A-10使用於電洞傳輸層而成之有機電致發光元件；實施例6為將化合物A-18使用於電洞傳輸層而成之有機電致發光元件；實施例7為將化合物A-25使用於電洞傳輸層而成之有機電致發光元件；實施例8為將化合物A-35使用於電洞傳輸層而成之有機電致發光元件；實施例9為將化合物A-41使用於電洞傳輸層 而成之有機電致發光元件。
本發明之實施例5的有機電致發光元件之製作係與 上述的實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來進行，且是按照如下的順序來進行的。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚為150nm。於臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料之4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料之本發明的化合物A-10 予以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成之膜，予以成膜做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料之三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料之氟化鋰(LiF)(1.0nm)及做為陰極之鋁(100nm)，而製作成如第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例6、7、8及9之有機電致發光元件的製作，除 了使用化合物A-18、化合物A-25、化合物A-35、以及化合物A-41來代替實施例5所用的化合物A-10之外，和實施例5同樣地製作成有機電致發光元件。
比較例3、比較例4及比較例5，則使用以下所示之比 較化合物3、比較化合物4、比較化合物5，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料的化合物，和實施例5同樣地製作成有機電致發光元件。
對於在實施例5~實施例9、比較例3~比較例5所作成 的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、發光效率、半衰期之評價。另外，發光效率係表示於10mA/cm2的值，半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表2中。
根據表2可以明白：本發明之實施例5至實施例9之有 機電致發光元件係比比較例3至比較例5之有機電致發光元件具有還高的發光效率、更長壽命化。尤其，使用在一般式(1)所表示的胺衍生物中具有Ar3的二苯并呋喃基為在3位之位置與2價之連結基L鍵結合的構成之化合物A-10來做為電洞傳輸材料的實施例5，可明白其發光效率及壽命顯著地被改善了。這是可推測是因為：藉由使表現強電子耐性的二苯并呋喃基與連結基L鍵結於3位之位置，致使分子全體之π電子擴大、且電洞傳輸能及分子之安定性增加，因而可實現增加有機電致發光元件之發光效率、低驅動電壓化及長壽命化。
在前述的實施例5至實施例9中，雖然是說明了將本發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3為取代或無取代之二苯并呋喃基，L為非單鍵之2價之連結基的胺衍生物，應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明之胺衍生物之應用不是限定於有機電致發光元件，也可以應用於其他的發光元件或發光裝置。此外，使用在一般式(1)中Ar3為取代或無取代之二苯并呋喃基，L為2價之連結基的本發明之較佳的胺衍生物而成之有機電致發光元件，其係可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認藉由以在一般式(1)所表示的胺衍生物之中，特別是具有以下所述的構造之胺衍生物，來做為 有機電致發光材料而配置在發光層與陽極之間，能夠顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係指： 在一般式(1)中，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之二苯并呋喃基；L係單鍵。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是如前述之苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。芳基較佳為成環碳數6以上18以下；雜芳基較佳為成環原子數5以上18以下。
Ar1及Ar2之芳基或者是雜芳基中被取代的取代基，舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之所例示的具體例子，其係與上述的做為Ar1及Ar2之具體的基所列舉的芳基及雜芳基相同。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，其係與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所述之烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同；特佳者為苯基。此外，Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基，較佳者為該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基。
另外，在本發明之較佳的胺衍生物中，也可以是被 取代成在Ar1及Ar2之中只有任一方為取代或無取代之矽烷基。如上所述，由於矽烷基表現出強電子耐性，所以藉由將導入矽烷基的胺衍生物使用來做為電洞傳輸材料，能夠使得電洞傳輸層之電子耐性增加。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，Ar3係取代或 無取代之二苯并呋喃基。取代二苯并呋喃基的取代基係獨立為氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上18以下之芳基。取代二苯并呋喃基的取代基，可以是相互鍵結而形成飽和或不飽和之環。但，取代二苯并呋喃基之1位與9位的位置之取代基彼此不互相鍵結。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，L係單鍵。此 處，Ar3的取代或無取代之二苯并呋喃基之與L的鍵結位置，雖然沒有特別加以限定，然而較佳者為2位、3位或4位的位置，特佳者為3位之位置。亦即，如上所述，由於在本發明的胺衍生物之較佳的構造中之L係單鍵，所以較佳者為Ar3的取代或無取代之二苯并呋喃基係在2位、3位或4位之位置上與胺衍生物中的胺部位之氮原子(N)鍵結；特佳者為在3位之位置與氮原子(N)鍵結。因為藉由使二苯并呋喃基為在3位之位置上與胺部位之氮原子(N)鍵結，致使分子全體之π電子之共軛系統擴大，所以可望提高電洞傳輸性，並能夠期待更進一步地提高有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。此外，由於L為單鍵，所以能夠防止因分子量之增加所引起的成膜性能之劣化。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，Ar3之二苯并 呋喃基係與取代Ar1或Ar2之至少1個的矽烷基同樣地表現強電子耐性。因此，具有二苯并呋喃基的本發明之胺衍生物，對於電子係更為安定，藉由使用來做為有機電致發光元件用材料、特別是做 為在發光層與陽極之間的積層膜之材料，可抑制侵入到積層膜電子所造成的材料之劣化。此外，由於二苯并呋喃基的平面性高，因而表現高的玻璃轉移點。其結果，就能夠提高有機電致發光元件之發光效率，更且能夠進一步地實現低驅動電壓化及長壽命化。尤其，本發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中，Ar3的二苯并呋喃基與單鍵之L鍵結之胺衍生物，能夠提高在藍色~藍綠色領域中的有機電致發光元件之發光效率，並且能夠更進一步實現低驅動電壓化及長壽命化。
如上所述的本發明之較佳的胺衍生物之在一般式 (1)中，Ar3之二苯并呋喃基為與單鍵之L鍵結的胺衍生物，雖然列舉了以下所例示的化合物，然而並未限定於此。
本發明之較的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3的二苯 并呋喃基為與單鍵之L鍵結的胺衍生物，其係能夠使用來做為如上所述的第1圖所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層之材料。另外，第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，因而不限定於此而能夠有各種之變化。
此外，本發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3 的二苯并呋喃基為與單鍵之L鍵結的胺衍生物之用途係不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，也能夠使用來做為電洞注入 層之材料或發光層之材料；在使用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料的情況，亦與使用來做為電洞傳輸層之材料的情況，同樣能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例III〕
以下，針對本發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3的二苯并呋喃基為單鍵之L鍵結的胺衍生物，說明前述化合物B-1、B-16、B-21、B-34及B-39之合成法的例子。但，因為以下所述的合成法係一例子，所以不是用來限定本發明。
(化合物B-1之合成)
在氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xii)1.50g與化合物(x)1.90g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g，於45mL之甲苯溶劑中，於80℃加熱迴流6小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到2.50g的白色固體之化合物B-1(產率88%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物B-1之化學位移值 係7.89(d,2H),7.80(d,2H),7.66-7.51(m,14H),7.50-7.31(m,13H), 7.22(d,2H),7.19(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物B-1之分子量係669。
(化合物B-16之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xiii)2.00g與化合物(v)3.08g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.31g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.13g、丁氧鈉1.15g，在110mL之甲苯溶劑中，於80℃加熱迴流8小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到1.42g的白色固體之化合物B-16(產率68%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物B-16之化學位移 值係7.88(d,1H),7.80(d,1H),7.67-7.59(m,12H),7.58-7.51(m,6H),7.50-7.39(m,11H),7.39-7.31(m,4H),7.22-7.19(m,4H)。又，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物B-16之分子量係745。
(化合物B-21之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(vii)2.09g與化合物(xiv)0.94g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.18g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.38g、丁氧鈉0.74g，在120mL之甲苯溶劑中，於 80℃加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到2.29g的白色固體之化合物B-21(產率85%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物B-21之化學位移 值係7.88-7.81(m,2H),7.61-7.52(m,12H),7.58-7.51(m,6H),7.50-7.39(m,11H),7.39-7.31(m,4H),7.22-7.19(m,4H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物B-21之分子量係745。
(化合物B-34之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(vii)1.11g與化合物(xv)0.47g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.10g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.19g、丁氧鈉0.37g，在60mL之甲苯溶劑中，於80℃加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到0.98g的白色固體之化合物B-34(產率69%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物B-34之化學位移 值係7.88-7.81(m,2H),7.61-7.52(m,12H),7.58-7.51(m,6H),7.50-7.39(m,11H),7.39-7.31(m,4H),7.22-7.19(m,4H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物B-34之分子量係745。
(化合物B-39之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xvi)1.50g與化合物(xv)0.59g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g，在45mL之甲苯溶劑中，於80℃加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到1.36g的白色固體之化合物B-39(產率72%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物B-39之化學位移 值係8.49(d,2H),8.16(d,2H),7.81(d,2H),7.78-7.55(m,12H),749-7.33(m,16H),7.32-7.25(m,,5H),7.13(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物B-39之分子量係795。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之 將上述的化合物B-1、化合物B-16、化合物B-21、化合物B-34及化合物B-39使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件，進行說明。實施例10為將化合物B-1使用於電洞傳輸層的有機電致發光元件；實施例11為將化合物B-16使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例12為將化合物B-21使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例13為將化合物B-34使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例14為將化合物B-39使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件。
本發明之實施例10之有機電致發光元件係與上述的 實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下的順序進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO- 玻璃基板，以臭氧要水行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物B-1 予以成膜(30nm)；接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基-苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)及做為陰極的鋁(100nm)而製作成如第2圖所示的有機電致發光元件200。
實施例11、12、13及14之有機電致發光元件之作製， 除了使用化合物B-16、化合物B-21、化合物B-34、化合物B-39來代替在實施例10所用的化合物B-1之外，與實施例10同樣地製作有機電致發光元件。
比較例6及比較例7，其係使用以下所示之比較化合 物6、比較化合物7，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料的化合物，與實施例10同樣地製作有機電致發光元件。
針對在實施例10~實施例14、比較例6、比較例7所作 成的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、電流效率、半衰期之評價。另外，發光效率係表示在10mA/cm2的值；半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表3中。
根據表3，與比較例6及比較例7之有機電致發光元件 比較之下，可以明白本發明之實施例10至實施例14之有機電致發 光元件的驅動電壓比較低、發光效率更為提高、更長壽命化。特別是使用：在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，Ar3的取代或無取代之二苯并呋喃基為在3位之位置上與胺部位之氮原子(N)鍵結的化合物B-21之實施例12，其驅動電壓顯著地減低、發光效率顯著地加增、及發光壽命顯著地增加。
在前述之實施例10至實施例14中，雖然說明了將本 發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3的二苯并呋喃基為與單鍵的L鍵結之胺衍生物，應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明的胺衍生物之應用不是限定於有機電致發光元件，也可以應於其他的發光元件或發光裝置。此外，本發明之較佳的胺衍生物之一般式(1)中Ar3的二苯并呋喃基為與單鍵的L鍵結之胺衍生物而成的有機電致發光元件，其係可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認藉由將以一般式(1)所表示的 胺衍生物之中，特別是將具有在以下所述的構造之胺衍生物，配置在發光層與陽極之間來做為有機電致發光材料，能夠顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係指： 在一般式(1)，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之茀基；L係取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是如前述之苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸 苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。芳基較佳為成環碳數6以上18以下；雜芳基較佳者成環原子數5以上18以下。
Ar1及Ar2之芳基或者是雜芳基中被取代的取代基， 舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之例示的具體例子係與上述之Ar1及Ar2中之芳基及雜芳基相同。 Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基之烷基，雖然是沒有特別加以限定，然而舉例來說，可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、異丁基、t-丁基、環丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、辛基、壬基、癸基。此外，Ar1、及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基之烷氧基，雖然是沒有特別加以限定，然而舉例來說，可以是甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基等。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉 例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，其係與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所述之烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同，特佳為苯基及甲基。此外，Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基係該矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或該矽烷基中被取代的烷基之碳數為分別是1以上6以下之三烷基矽烷基。
另外，在本發明之較佳的胺衍生物中，可以是在Ar1 及Ar2之中只有任何一方為被取代成取代或無取代之矽烷基。藉由使得在Ar1及Ar2之中只有任何一方為被取代成取代或無取代之矽烷基，能夠抑制LUMO為局部存在於胺部位之周邊，並且能夠防止能階差變小。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，Ar3係取代或 無取代之茀基。取代茀基的取代基係各自獨立為氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上18以下之芳基、或者取代或無取代之成環原子數5以上18以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上10以下之烷基。取代茀基的取代基較佳為取代或無取代之芳基，特佳為在9位之位置被苯基所取代。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，L係取代或無 取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基。此處，L之「取代或無取代之伸芳基」及「取代或無取代之雜伸芳基」中之芳基及雜伸芳基，舉例來說，可以是與在Ar1及Ar2所列舉的「取代或無取代之芳基」或「取代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基同樣者。L之「取代或無取代之伸芳基」及「取代或無取代之雜伸芳基」之伸芳基及雜伸芳基，較佳者為成環碳數6以上18以下之芳基、成環原子數5以上18以下之雜伸芳基；特佳者為伸苯基及聯伸苯基。另外，Ar3之取代或無取代之茀基，較佳者為在2位之位置，相對於胺部位之氮原子(N)而言為對位(para-)上與L鍵結。藉由使得茀基為在2位之位置上與L鍵結，能夠實現適當的HOMO能階及LUMO能階。
本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中，Ar3為取 代或無取代之茀基；L為取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基。藉由使得Ar3的取代或無取代之茀基為透過：取代或無 取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L，而與至少1個與矽烷基被取代的Ar1及Ar2鍵結合之胺部位的氮原子(N)鍵結，藉以使得π電子之共軛系統擴大並提高電洞傳輸性及分子之安定性。此外，藉由導入茀基，使得連結基L的取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基成為平面化，進而提高胺衍生物之電洞傳輸性。因此，藉由將本發明之胺衍生物使用來做為配置在發光層與陽極之間的電洞傳輸層之材料，能夠提高有機電致發光元件之發光效率，並且更進一步地實現低驅動電壓化及長壽命化。尤其，能夠提高在藍色~藍綠色領域中之有機電致發光元件之發光效率，並且能夠更進一步地實現低驅動電壓化及長壽命化。
上述之本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中， Ar3的取代或無取代之茀基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代的L鍵結之胺衍生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而不是限定於此。
本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中，Ar3的取 代或無取代之茀基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結對胺衍生物，其係能夠使用來做為如上述的第1 圖所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層的材料。另外，第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，所以不限定於此等，可以有各種的變化。
此外，本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中Ar3 的茀基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物之用途，係不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，也能夠使用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料；在用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用的情況，也與做為電洞傳輸層之材料使用的情況一樣，同樣地能夠提高有機電致發光元件之發光效率，並且能夠實現有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例IV〕
以下，針對本發明之較佳的胺衍生物之在一般式(1)中Ar3的茀基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物，述說前述化合物C-1、化合物C-2、化合物C-4、化合物C-6之合成法的例子。但，以下所述之合成法係一例子，所以不是用以限定本發明。
(化合物C-1之合成)
首先，於氬氣下在300mL斯蘭克燒瓶中加入4-溴四苯基矽烷7.0g、酸化銅(I)0.241g、N-甲基吡咯烷酮34.16mL、28%氨水11.40mL，於40℃加熱攪拌10分鐘。然後，升溫至80℃，加熱攪拌12小時。將反應溶液注入水中，以乙酸乙酯進行萃取。減壓餾除溶劑，對於殘渣以矽膠色譜層析儀進行精製而得到的5.8g化合物(xvii)。
其次，於氬氣下，在200mL三口燒瓶中加入化合物 (xvii)4.0g與4-溴苯基2.65g、Pd2(dba)3．CHCl30.59g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.46g、丁氧鈉2.19g，在120mL甲苯溶劑中於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到5.34g的化合物(x)。
此外，於氬氣下，在100mL四口燒瓶中加入9,9-二甲 基芴-2-硼酸2.65g、4-溴碘苯3.0g、甲苯21.6mL、乙醇10.6mL、2M碳酸鈉水溶液10.6mL、肆(三苯基膦)鈀(0)0.193g，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到3.3g的化合物(xviii)。
其次，於氬氣下，在100mL三口燒瓶中加入化合物 (xviii)1.04g與化合物(x)1.50g、Pd2(dba)3．CHCl30.15g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.12g、丁氧鈉0.57g，在30mL甲苯溶劑中，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到2.10g的化合物C-1。
(化合物C-2之合成)
首先，於氬氣下，在100mL四口燒瓶中加入9,9-聯苯基芴-2-硼酸4.03g、4-溴碘苯3.0g、甲苯21.6mL、乙醇10.6mL、2M碳酸鈉水溶液10.6mL、肆(三苯基膦)鈀(0)0.193g，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到3.5g的化合物(xix)。
其次，在氬氣下，於100mL四口燒瓶中加入化合物 (xix)1.17g與化合物(x)1.50g、Pd2(dba)3．CHCl30.15g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.12g、丁氧鈉0.57g，在30mL甲苯溶劑中，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到2.30g的化合物C-2。
(化合物C-4之合成)
首先，在氬氣下，於100mL四口燒瓶中加入2-溴-9,9-二甲基芴2.00g、4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷-2-基)苯胺1.76g、甲苯14.7mL、乙醇7.3mL、2M磷酸鈉水溶液3.6mL、肆(三苯基膦)鈀(0)0.254g，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到1.25g的化合物(xx)。
其次，在氬氣下，於200mL四口燒瓶中加入化合物 (xx)1.25g與4-硼烷苯基1.02g、Pd2(dba)3．CHCl30.13g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.18g、丁氧鈉0.84g，在43.8mL甲苯溶劑中，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到1.63g的化合物(xxi)。
其次，在氬氣下，於100mL四口燒瓶中加入化合物 (xxi)1.63g與(4-硼烷苯基)三甲基矽烷0.85g、Pd2(dba)3．CHCl30.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.72g，在37mL甲苯溶劑中，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到2.00g的化合物C-4。
(化合物C-6之合成)
首先，在氬氣下，於200mL四口燒瓶中加入化合物(xx)1.00g與4-硼烷四苯基矽烷1.46g、Pd2(dba)3．CHCl30.1g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.14g、丁氧鈉0.67g，在35.0mL甲苯溶劑中於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到2.05g的化合物(xxii)。
其次，在氬氣下，於100mL四口燒瓶中加入化合物 (xxii)2.05g與1-(4-硼烷苯基)萘0.94g、Pd2(dba)3．CHCl30.10g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.13g、丁氧鈉0.64g，在33mL甲苯溶劑中，於80℃加熱攪拌3小時。以甲苯進行萃取，減壓餾除有機層。對於所得到的殘渣，以矽膠色譜層析儀進行精製而得到2.52g的化合物C-6。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之 將上述的化合物C-1、化合物C-2、化合物C-4及化合物C-6使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件進行說明。實施例15為將化合物C-1使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例16為將化合物C-2使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例17為將化合物C-4使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例18為將化合物C-6使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件。
本發明之實施例15之有機電致發光元件係與上述的 實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下的順序來進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物C-1 予以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基-苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)、及做為陰極的鋁(100nm)而製作成第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例16、17及18之有機電致發光元件之製作係除 了使用化合物C-2、化合物C-4、化合物C-6來代替在實施例15所用的化合物C-1之外，與實施例15同樣地製作成有機電致發光元件。
比較例8，使用以下所示的比較化合物8來做為構成 有機電致發光元件之電洞傳輸層的材料之化合物，與實施例15同樣製作成有機電致發光元件。
針對在實施例15~實施例18、比較例8所作成的有機 電致發光元件200，進行驅動電壓、電流效率、半衰期之評價。另外，發光效率係表示在10mA/cm2的值，半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表4中。
根據表4，可明白與比較例8之有機電致發光元件比 較之下，本發明之實施例15至實施例18之有機電致發光元件的驅動電壓更減低，發光效率更為提高、更長壽命化。尤其，在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，使用苯基分別取代Ar3的取代或無取代之茀基的9位之化合物C-2的實施例16，驅動電壓顕著減低，發光效率顯著提高、及發光壽命顯著增加。
在前述的實施例15至實施例18中，雖然說明了將本 發明之較佳的胺衍生物的在一般式(1)中Ar3的取代或無取代之茀基為與取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結合的胺衍生物，應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明之胺衍生物的應用不限定於有機電致發光元件，也可以應用於其他的發光元件或發光裝置。此外，使用本發明之較佳的胺衍生物而成之有機電致發光元件係可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認藉由將以一般式(1)所表示的 胺衍生物之中，特別是以下所述的構造之胺衍生物做為有機電致發光材料，配置在發光層與陽極之間，可以顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係指在 一般式(1)中，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取 代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之茀基；L係單鍵。於以下之一般式(3)中，表示以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是如前述之苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。芳基較佳為成環碳數6以上18以下之芳基；特佳者為苯基、聯苯基、三伸苯基。此外，雜芳基較佳者為成環原子數5以上18以下之雜芳基；特佳為二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。
Ar1及Ar2可以是各自獨立為取代或無取代之芳基。 此外，Ar1可以是取代或無取代之芳基；Ar2可以是取代或無取代之二苯并雜環基。
Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基，舉例 來說，可以是鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及 雜芳基之例示的具體例子，係與列舉來做為上述之Ar1及Ar2之具體的基相同的芳基及雜芳基。鹵素原子，雖然沒有特別加以限定。 然而可以是氟素原子。烷基，雖然沒有特別加以限定，然而也可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、異丁基、t-丁基、環丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、辛基、壬基、癸基等。烷氧基，雖然沒有特別加以限定，然而也可以是甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基等。
在以一般式(3)所表示的本發明之較佳的胺衍生物 中，一般式(1)之Ar3係取代或無取代之茀基。藉由導入茀基，可促使本發明之胺衍生物的電洞傳輸性提高。因此，藉由將導入有茀基的本發明之較佳的胺衍生物，配置在陽極與發光層之間做為電洞傳輸層之材料使用，能夠實現使有機電致發光元件之發光效率之更進一步地向上增加、以及更長壽命化。茀基之取代基係各自獨立地為氫原子、取代或無取代之烷基、取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基。取代Ar3之茀基的烷基較佳者係碳數1以上10以下之烷基，舉例來說，可以是甲基等。取代Ar3之茀基的芳基，較佳者為成環碳數6以上12以下之芳基，舉例來說，可以是苯基或萘基等。取代Ar3之茀基的雜芳基，較佳者為成環碳數4以上12以下之雜芳基，舉例來說，可以是二苯并呋喃基等。
取代茀基的烷基、芳基、或雜芳基所取代的取代基， 舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基、鹵素原子。芳基及雜芳基之例示的具體例子，也可以是與上述之Ar1及Ar2所列舉之具體的基之芳基及雜芳基相同。鹵素原子，雖然沒有特別加以限定，然而也可以是氟素原子。烷基之具體例也可以是與做為Ar1 及Ar2之芳基或雜芳基被取代的取代基所敘述之烷基相同。
如上述，在本發明之較佳的胺衍生物的一般式(3)所 表示的胺衍生物中，L係單鍵。Ar3的取代或無取代之茀基中與L鍵結的位置，即，與茀基中之氮原子(N)的結合位置，雖然是沒有特別限定，然而較佳為在2位之位置進行鍵結。在本發明之較佳的胺衍生物的一般式(3)中，藉由Ar3的取代或無取代之茀基為與2位的胺部位之氮原子(N)鍵結，致使分子全體之π電子之共軛系統擴大，以及電洞傳輸性增加並且分子之安定性增加，所以能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉 例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，與在做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所敘述的烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同。尤其，Ar1及Ar2之中至少1個被取代的取代之矽烷基，較佳者係被該矽烷基取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或被該矽烷基取代的烷基之碳數為分別是1以上6以下之三烷基矽烷基。
在本發明之較佳的胺衍生物的一般式(3)所表示的胺 衍生物中，Ar1及Ar2之中只有任何一方可以是被取代或無取代之矽烷基所取代。
本發明之較佳的胺衍生物的一般式(3)所表示的胺衍 生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而並非限定於此。
如上述，在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，一般式(1)中之Ar3為取代或無取代之茀基。此種茀基為與單鍵的L鍵結，即Ar3的取代或無取代之茀基為與胺部之氮原子(N)鍵結藉以提高電洞傳輸性。因此，藉由將此種胺衍生物做為有機電致發光材料而配置於發光層與陽極之間，能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。尤其，本發明之胺衍生物能夠實現提高在藍色~藍綠色領域中有機電致發光元件之發光效率、長壽命化。
表示本發明之胺衍生物之較佳的構造的以一般式(3)所表示的本發明之胺衍生物，能夠用來做為如上述的第1圖所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層之材料使用。另外，第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元 件之一實施形態，並非限定於此，其係可以有各種的變化。
此外，表示本發明之胺衍生物之較佳的構造之以一 般式(3)所表示的本發明之胺衍生物之用途，不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，亦能夠使用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料，在使用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料的情況，也是與使用來做為電洞傳輸層之材料的情況一樣，同樣地能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率、有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例V〕
以下，針對以一般式(3)所表示的本發明之胺衍生物，敘述前述化合物D-1、D-3及D-26之合成法的例子。但，以下所述的合成法係一例子，所以本發明不受其限定。另外，化合物D-1係與前述的實施例1中之化合物1相同。
(化合物D-1之合成)
在反應容器中加入化合物(i)(1.57g,4.33mmol)、化合物(ii)(1.50g,3.61mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.37g,0.36mmol)、甲苯(36mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.93mL,1.44mmol、1.56M)、丁氧鈉(1.04g,10.8mmol)，對容器內實施氮取代，然後於80℃攪拌4小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：二氯甲烷/己烷)進行精製，對於所得到的固體以甲苯/己烷進行再結晶時，得到目標物之化合物D-1的2.26g之白色粉末狀固體，產率90%(FAB-MS：C51H41NSi，測定值695)。
(化合物D-3之合成)
在反應容器中加入化合物(xxiii)(1.40g,2.89mmol)、化合物(ii)(1.00g,2.41mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.25g,0.24mmol)、甲苯(28mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.62mL,0.96mmol、1.56M)、丁氧鈉(0.69g,7.22mmol)，對容器內實施氮取代，然後於100℃攪拌8小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：二氯甲烷/己烷)進行精製，對所得到的固體以甲苯/己烷進行再結晶時，得到目標物之化合物D-3的1.38g之白色粉末狀固體，產率70%(FAB-MS：C61H45NSi，測定值819)。
(化合物D-26之合成)
在反應容器中加入化合物(i)(0.79g,2.20mmol)、化合物 (v)(0.90g,1.83mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.19g,0.18mmol)、甲苯(18mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.47mL,0.73mmol、1.56M)、丁氧鈉(0.53g,5.49mmol)，對容器內實施氮取代，然後於100℃攪拌12小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：二氯甲烷/己烷)進行精製，對所得到的固體以甲苯/己烷進行再結晶時，得到目標物之化合物D-26的1.06g之白色粉末狀固體，產率75%(FAB-MS：C57H45NSi，測定值771)。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之 將上述的化合物D-1、化合物D-3及化合物D-26使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件，進行說明。實施例19為將化合物D-1使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例20為將化合物D-3使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例21為將化合物D-26使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件。另外，如上述，化合物D-1係與前述的實施例1中之化合物1相同。
本發明之實施例19之有機電致發光元件係與上述的 實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下之順序來進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO- 玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物D-1 予以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層將做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)、及做為陰極的鋁(100nm)而製作成第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例20及21之有機電致發光元件之製作，除了使 用化合物D-3、化合物D-26來代替在實施例19所用的化合物D-1之外，與實施例19同樣地製作有機電致發光元件。
比較例9及比較例10為與前述之實施例I同樣地使用 以下所示的比較化合物9、比較化合物10來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料的化合物，並與實施例19同樣地製作有機電致發光元件。
針對實施例19~21、比較例9及比較例10所作成的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、電流效率、半衰期之評價。另外，電流效率係表示在10mA/cm2的值，半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表5。
根據表5，可以明白：與比較例9及比較例10之有機電致發光元件相較之下，本發明之實施例19至實施例21之有機電致發光元件的發光效率更為提高、長壽命化。此外，可以明白：與比較例9及比較例10之有機電致發光元件相較之下，本發明之實施例19至實施例21之有機電致發光元件的驅動電壓也比較低。
在前述的實施例19至實施例21中，雖然是說明了將 以一般式(3)所表示的本發明之較佳的胺衍生物應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明之胺衍生物之應用不限定於有機電致發光元件，也可以應用於其他之發光元件或發光裝置。此外，使用具有以一般式(3)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物之有機電致發光元件係可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認將在以一般式(1)所表示的胺 衍生物之中，特別是具有以下所述的構造之胺衍生物做為有機電致發光材料，而配置於發光層與陽極之間，能夠顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係指在 一般式(1)中，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之咔唑基；L係取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是如前述之苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。芳基較佳為成環碳數6以上18以下；雜芳基較佳為成環原子數5以上18以下。
Ar1及Ar2之芳基或者是雜芳基中被取代的取代基， 舉例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之例示的具體例子，其係與上述之Ar1及Ar2中之芳基及雜芳基相同。Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基之烷基雖然沒有特別加以限定，然而，例如其可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、異丁基、t-丁基、環丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、辛基、壬基、癸基等。 此外，Ar1、及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基之烷氧基雖然沒有特別加以限定，然而例如其可以是甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基等。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉 例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所敘述的烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同，特佳者為苯基及甲基。此外，Ar1及Ar2之至少1個被取代的矽烷基，較佳者為被該矽烷基取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或被該矽烷基取代的烷基之碳數為分別是1以上6以下之三芳基甲基。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，在一般式(1) 中的Ar3係取代或無取代之咔唑基。取代咔唑基的取代基係各自獨立地為氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上18以下之芳基、或取代或無取代之成環原子數5以上18以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上10以下之烷基。取代咔唑基的取代基較佳為取代或無取代之芳基，特佳者為咔唑基之9位之位置被苯基所取代。藉由咔唑基之9位被苯基所取代，可以調整離子化潛能，並提高胺衍生物 之電洞傳輸性。此外，藉由使咔唑基之9位之胺成為第3級胺，可以促進胺衍生物之耐久性的增加、並且促進有機電致發光元件之長壽命化。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，L係取代或無 取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基。藉由透過連結基之L，將在一般式(1)的Ar3之咔唑基與胺部位鍵結，致使分子全體之π電子之共軛系統擴大，並提高孔輸送性及分子之安定性。此處，L之「取代或無取代之伸芳基」及「取代或無取代之雜伸芳基」中之芳基及雜伸芳基，舉例來說，可以是與在Ar1及Ar2所列舉的「取代或無取代之芳基」或「取代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基同樣之物。L之「取代或無取代之伸芳基」及「取代或無取代之雜伸芳基」之伸芳基及雜伸芳基，較佳者為成環碳數6以上18以下之芳基、成環原子數5以上18以下之雜伸芳基，特佳者為伸苯基。 藉由使L為伸苯基，能夠實現適當的能量能階。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，Ar3的取代或 無取代之咔唑基係在1位至4位之位置上與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的連結基L鍵結。較佳者係Ar3的取代或無取代之咔唑基為在2位或3位之位置上與L鍵結；更佳者為在3位之位置上與L鍵結。藉由使Ar3的取代或無取代之咔唑基為在2位或3位之位置上與L鍵結合，導致HOMO擴展且電洞傳輸性增加。 特別是在與L鍵結之位置為咔唑基之3位的位置之情況，由於LUMO不在咔唑基上，所以可促進有機電致發光元件之長壽命化。
本發明之較佳的胺衍生物係指在一般式(1)中，Ar3 為取代或無取代之咔唑基；L為取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基。藉由導入Ar3的取代或無取代之咔唑基，致使胺衍生物之電洞傳輸性增加。更且，進一步地使得取代或無取代之 咔唑基，透過取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L，而與在至少一方上被矽烷基取代的Ar1及Ar2鍵結合的胺部位之氮原子(N)相鍵結合，致使π電子之共軛系統擴大，因而電洞傳輸性增加，並且能調整HOMO之能階而使有機電致發光元件之發光效率提高，更且能夠進一步地實現低驅動電壓化及長壽命化。特別是能夠提高在藍色~藍綠色領域中之有機電致發光元件之發光效率，並且能夠更進一步地實現低驅動電壓化及長壽命化。
上述的本發明之較佳的胺衍生物，在一般式(1)中之Ar3的取代或無取代之咔唑基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代的L鍵結之胺衍生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而不限定於此。
本發明之較佳的胺衍生物的一般式(1)中，Ar3的取代或無取代之咔唑基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物，其係能夠用來做為如上述的第1圖 所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層的材料使用。另外，第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，因而不限定於此，可以有各種的變化。
此外，本發明之較佳的胺衍生物的一般式(1)中，Ar3 的咔唑基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物之用途，其係不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，亦能夠用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用；在用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用的情況，也是與用來做為電洞傳輸層之材料使用的情況一樣，同樣地能夠提高有機電致發光元件之發光效率，並且能夠實現有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例VI〕
以下，針對本發明之較佳的胺衍生物的一般式(1)中，Ar3的咔唑基為與取代或無取代之伸芳基或取代或無取代雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物，述說前述化合物E-1、化合物E-2及化合物E-3之合成法的例子。但，因為以下所述的合成法係一例子，所以不應用來限定本發明。另外，化合物E-1係與前述的實施例3中之化合物61相同；而化合物E-2係與前述的實施例4中之化合物63相同。
(化合物E-1之合成)
在反應容器中加入化合物(iv)(0.70g,1.44mmol)、化合物(v)(0.71g,1.44mmol)、Pd(dba)2(0.04g,0.07mmol)、甲苯(30mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.14mL,0.28mmol、2.00M)、丁氧鈉(0.21g,2.16mmol)，對容器內實施氮取代，然後在迴流下攪拌6小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：甲苯/己烷)進行 精製，對於所得的固體以二氯甲烷/己烷進行再結晶，得到目標物之以化合物E-1所示的1.15g之白色粉末狀固體，產率89%(FAB-MS：C66H48N2Si，測定值897)。
(化合物E-2之合成)
在反應容器中加入化合物(iv)(1.00g,2.06mmol)、化合物(ii)(0.85g,2.06mmol)、Pd(dba)2(0.06g,0.10mmol)、甲苯(10mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.03mL,0.06mmol、2.00M)、丁氧鈉(0.30g,3.08mmol)，對容器內實施氮取代，然後在迴流下攪拌4小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：甲苯/己烷)進行精製，對於所得的固體以二氯甲烷/己烷進行再結晶，得到目標物之化合物E-2所示的1.59g之白色粉末狀固體，產率94%(FAB-MS：C60H44N2Si，測定值821)。
(化合物E-3之合成)
在在反應容器中加入化合物(xxiv)(1.00g,2.51mmol)、化合物(x)(1.26g,2.51mmol)、Pd2(dba)3．CHCl3(0.13g,0.13mmol)、甲苯(25mL)。其次，加入三(t-丁基)膦(0.33mL,0.50mmol、1.5M)、丁氧鈉(0.48g,5.02mmol)，對容器內實施氮取代，然後在迴流下攪拌3小時。冷卻後，在反應溶液中加入水萃取有機層。對所得到的有機層以無水硫酸鎂使之乾燥，過濾後，以旋轉蒸發器濃縮過濾液。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(展開溶劑：甲苯/己烷)進行精製，對於所得的固體以二氯甲烷/己烷進行再結晶，得到目標物之化合物E-3所示的2.00g之白色粉末狀固體，產率97%(FAB-MS：C60H44N2Si，測定值821)。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之將上述的化合物E-1、化合物E-2、及化合物E-3使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件，進行說明。實施例22為將化合物E-1使 用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例23為將化合物E-2使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例24為將化合物E-3使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件。另外，如上述，化合物E-1係與前述的實施例3中之化合物61相同；化合物E-2係與前述的實施例4中之化合物63相同。
本發明之實施例22之有機電致發光元件係與上述的 實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下的順序來進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物E-1予 以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基-苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)、以及做為陰極的鋁(100nm)而製作成第2圖所示的有機電致發光元件200。
實施例23及24之有機電致發光元件之製作，除了使 用化合物E-2、化合物E-3來代替在實施例22所用的化合物E-1以外，與實施例22同樣地製作有機電致發光元件。
比較例11、比較例12及比較例13係使用以下所示的 比較化合物11、比較化合物12、比較化合物13，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層的材料之化合物，並與實施例22同樣 地製作有機電致發光元件。
針對實施例22~實施例24、比較例11~比較例13所作 成的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、電流效率、半衰期之評價。另外，發光效率係表示在10mA/cm2的值；半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表6中。
根據表6，可明白：與比較例11、比較例12及比較例 13之有機電致發光元件比較之下，本發明之實施例22至實施例24之有機電致發光元件的驅動電壓更為減低、發光效率更為增加、更長壽命化。
在前述的實施例22至實施例24中，雖然是說明了將 本發明之較佳的胺衍生物的一般式(1)中，Ar3的取代或無取代之咔唑基為與取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基的L鍵結之胺衍生物，應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明之胺衍生物之應用不限定於有機電致發光元件，也可以應用於其他之發光元件或發光裝置。此外，使用本發明之較佳的胺衍生物的有機電致發光元件係、可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認藉由將具有以一般式(1)所表 示的胺衍生物之中，特別是具有以下所述的構造之胺衍生物，做為有機電致發光材料而配置於發光層與陽極之間，可以顯著地改善有機電致發光元件之發光效率、驅動電壓及壽命。
以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造係指： 在一般式(1)中，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；Ar1及Ar2之中至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3為取代或無取代之咔唑基；L為含有取代或無取代之伸芳基、或取代或無取代之雜伸芳基的2價之連結基。將以一般式(1)所表示的胺衍生物之較佳的構造表示成以下之一般式 (4)。
此處，Ar1及Ar2之「取代或無取代之芳基」或「取 代或無取代之雜芳基」中之芳基及雜芳基，舉例來說，可以是如前述之苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、聯伸苯基、芘基、苯并噻唑基、苯硫基、噻吩基苯硫基、噻吩基噻吩基苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等；較佳者為苯基、萘基、聯苯基、三苯基、茀基、三伸苯基、二苯并苯硫基、二苯并呋喃基、N-苯基咔唑基。芳基較佳為成環碳數6以上18以下；雜芳基較佳者成環原子數5以上18以下。
Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基，舉例 來說，可以是鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。芳基及雜芳基之例示的具體例子係與做為上述之Ar1及Ar2之具體的基所列舉的芳基及雜芳基相同。鹵素原子，雖然沒有特別加以限定，然而可以是氟原子。烷基，雖然沒有特別加以限定，然而可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、環丙基、丁基、異丁基、t-丁基、環 丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基、環庚基、辛基、壬基、癸基等。烷氧基，雖然沒有特別加以限定，然而可以是甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、新戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基等。
Ar3係取代或無取代之咔唑基；該咔唑基係在9位之 位置上與L鍵結。一般式(4)中之R1至R8係各自獨立為氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、或取代或無取代之成環原子數5以上30以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之矽烷基、氰基、鹵素原子、或重氫原子。 咔唑基之R1至R8被取代的芳基或雜芳基，也可以是與上述的Ar1及Ar2之取代或無取代之芳基及雜芳基相同。咔唑基之R1至R8被取代的烷基，也可以是上述的Ar1及Ar2中之芳基及雜芳基被取代的烷基相同。以上所述的咔唑基之R1至R8被取代的取代基，例如，也可以是上述的Ar1及Ar2之芳基或雜芳基被取代的取代基相同。另外，在一般式(4)中之R1至R8可以是相互鍵結而形成飽和或不飽和之環。
L係2價之連結基；較佳者為取代或無取代之伸芳 基、或取代或無取代之雜伸芳基。L之取代或無取代之伸芳基，較佳者是成環碳數為6以上18以下。L之取代或無取代之雜伸芳基，較佳者是成環原子數為5以上18以下。L之「取代或無取代之伸芳基」或「取代或無取代之雜伸芳基」之伸芳基及雜伸芳基，舉例來說，可以是伸苯基、伸萘基、聯伸苯基、伸蒽基、三伸苯基、伸茀基等，較佳者為伸苯基、聯伸苯基、伸茀基。
另外，在L為伸茀基的情況，一般式(4)中的Ar1及Ar2 可以是成環碳數為6以上12以下之芳基。
Ar1及Ar2之中至少1個被取代的矽烷基之取代基，舉 例來說，可以是烷基、烷氧基、芳基、雜芳基。具體而言，與做為Ar1及Ar2之芳基或雜芳基中被取代的取代基所述的烷基、烷氧基、芳基、雜芳基相同。尤其，在Ar1及Ar2之中至少1個被取代的經取代的矽烷基，較佳者為該矽烷基所取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下之三芳基矽烷基、或該矽烷基所取代的烷基之碳數為分別是1以上6以下之三烷基矽烷基。
本發明之較佳的胺衍生物之以一般式(4)所表示的胺 衍生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而不限定於此。
在本發明的胺衍生物之較佳的構造中，一般式(1)中 的Ar3為取代或無取代之咔唑基。藉由在本發明之胺衍生物中導入咔唑基，來提高電洞傳輸性。另，具有在Ar1及Ar2之至少一方被取代之矽烷基的本發明之胺衍生物中，藉由導入咔唑基，能夠實現更適當的HOMO能階。此外，藉由透過連結基L使咔唑基與胺部位鍵結，可更進一步地調整HOMO之能階。從而，藉由將此種胺衍生物做為有機電致發光材料而配置在發光層與陽極之間，能夠實現提高有機電致發光元件之發光效率、以及低驅動電壓化及長壽命化。特別是，本發明之胺衍生物尤其能夠實現增加在藍色~藍綠色領域中的有機電致發光元件之發光效率、低驅動電壓化及長壽命化。
表示本發明之胺衍生物之較佳的構造的以一般式(4) 所表示的本發明之胺衍生物係能夠用來做為如上述的第1圖所表示之有機電致發光元件100的電洞傳輸層之材料使用。另外，在第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，不限定於此等，可以有各種的變化。
此外，表示本發明之胺衍生物之較佳的構造之以一 般式(4)所表示的本發明之胺衍生物之用途，不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，亦能夠用來做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用；在做為電洞注入層之材料或發光層之材料使用的情況，也是與做為電洞傳輸層之材料使用的情況一樣，同樣地能夠提高有機電致發光元件之發光效率、並且實現有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例VII〕
以下，針對以一般式(4)所表示的本發明之胺衍生物，敘述前述化合物F-10、F-26、F-38及F-39之合成法的例子。但，以下所述的合成法係一例子，所以不是用來限定本發明的。
(化合物F-1之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xxv)1.50g與化合物(x)1.90g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g，在45mL之甲苯溶劑中加熱迴流6小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到2.50g的白色固體之化合物F-1(產率81%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物F-1之化學位移值 係8.15(d,2H),7.81(d,2H),7.66-7.51(m,14H),7.51-7.34(m,18H),7.34-7.26(m,6H),7.17(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物F-1之分子量係821。
(化合物F-23之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xxvi)1.20g與化合物(x)1.07g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.06g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.09g、丁氧鈉0.31g，在36mL之甲苯溶劑中加熱迴流8小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到1.60g的白色固體之化合物F-23(產率76%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物F-23之化學位移值係8.30(d,2H),7.98(d,2H),7.82(d,1H),7.75-7.18(m,39H), 7.37-7.23(m,6H),7.15(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物F-23之分子量係984。
(化合物F-26之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xxvii)1.50g與化合物(vii)2.70g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.13g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.19g、丁氧鈉0.67g，在45mL之甲苯溶劑中加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到3.29g的白色固體之化合物F-26(產率86%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物F-26之化學位移 值係8.07(d,2H),7.75(d,2H),7.67-7.52(m,12H),7.51-7.33(m,18H),7.33-7.20(m,8H),7.16(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物F-26之分子量係821。
(化合物F-38之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xxvii)1.50g與化合物(x)2.35g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.13g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.19g、丁氧鈉0.67g，在45mL之甲苯溶劑中加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉 由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，在甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到2.74g的白色固體之化合物F-38(產率79%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物F-38之化學位移 值係8.09(d,2H),7.76(d,2H),7.65-7.51(m,10H),7.51-7.35(m,18H),7.32-7.21(m,6H),7.18(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物F-38之分子量係744。
(化合物F-39之合成)
於氬氣下，在100mL之三口燒瓶中，加入化合物(xxv)1.50g與化合物(vii)2.18g、雙(二苯亞甲基丙酮)鈀(0)(Pd(dba)2)0.11g、三-t-丁基膦((t-Bu)3P)0.15g、丁氧鈉0.54g，在45mL之甲苯溶劑中加熱迴流7小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。藉由矽膠色譜層析儀對於所得到的粗生成物(使用二氯甲烷與己烷之混合溶劑)進行精製後，以甲苯/己烷混合溶劑進行再結晶而得到2.97g的白色固體之化合物F-39(產率88%)。
以1H NMR測定所測定到的化合物F-39之化學位移值係8.18(d,2H),7.82(d,2H),7.68-7.51(m,14H),7.51-7.35(m,20H),7.35-7.28(m,8H),7.16(d,2H)。此外，藉由FAB-MS測定所測定到的化合物F-39之分子量係896。
以下，針對做為本發明之有機電致發光元件材料之將上述的化合物F-1、化合物F-23、化合物F-26、化合物F-38及化合物F-39使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件，進行說明。實施例25為將化合物F-1使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例26為將化合物F-23使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例27為將化合物F-26使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例28為將化合物F-38使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件；實施例29為將化合物F-39使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件。
本發明之實施例25之有機電致發光元件係與上述的實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下順序來進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物F-1予 以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基-苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例摻雜而成的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)及做為陰極的鋁(100nm)而製作成第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例26、27、28及29之有機電致發光元件之製作， 除了使用化合物F-23、化合物F-26、化合物F-38、化合物F-39，來代替在實施例25所用的化合物F-1以外，與實施例25同樣地製作成有機電致發光元件。
比較例14及比較例15，其係使用以下所示之比較化 合物14、比較化合物15，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料的化合物，與實施例25同樣地製作成有機電致發光元件。
針對實施例25~實施例29、比較例14及比較例15所作 成的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、電流效率、半衰期之評價。另外，發光效率係表示10mA/cm2的值；半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表7中。
根據表7，可明白與比較例14及比較例15之有機電致 發光元件相較之下，本發明之實施例25至實施例29之有機電致發光元件的發光效率更為提高、更長壽命化。此外，可明白：與比較例14及比較例15之有機電致發光元件相較之下，本發明之實施例25至實施例29之有機電致發光元件之驅動電壓亦變得較低。
在前述的實施例25至實施例29中，雖然說明了以一 般式(4)所表示的本發明之較佳的胺衍生物應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而本發明之胺衍生物之應用不限定於有機電致發光元件，也可以應用於其他之發光元件或發光裝置。此外，使用具有以一般式(4)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物而成的有機電致發光元件，可以應用於被動矩陣驅動方式之 有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
本申請發明人等已確認將具有以一般式(1)所表示的矽烷基之胺衍生物之中，特別是具有以下所述的構造之胺衍生物，做為有機電致發光材料而配置於發光層與陽極之間，可以顯著地改善有機電致發光元件之發光效率與壽命。
具有以一般式(1)所表示的矽烷基之胺衍生物之較佳的構造係表示成以下之一般式(8)。
亦即，在上述之以一般式(1)所表示的胺衍生物中，Ar1係經矽烷基所取代的以下之一般式(5)所表示之芳基。
在一般式(5)中，o係滿足0≦o≦2之整數；R11、R12、R13係各 個獨立地表示碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、或者是成環碳數1以上30以下之雜芳基。R11、R12、R13也可以是相互連結而形成環。
在一般式(5)中，o較佳為0或1。藉由使o為0或1，能 夠提高阻止本發明之胺衍生物的電子侵入電洞傳輸層的能力，並能夠抑制劣化，以及實現有機電致發光元件之長壽命化。此外，在一般式(5)中，R11、R12、R13較佳為分別是甲基、碳數為6以下之正烷基、苯基、聯苯基、三苯基、四苯基、萘基、咔唑基、二苯并呋喃基。特別是在R11、R12、R13分別為苯基時，玻璃轉移溫度(Tg)上升且成膜性能增加。
此外，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之 較佳的胺衍生物係指在上述之一般式(1)所表示者之中，胺衍生物中之Ar2為成環碳數6以上30以下之取代或無取代之芳基。另外，在上述之一般式(1)所表示者之中，胺衍生物中之Ar2，在一般式(8)所表示的胺衍生物中也是以Ar2表示。
Ar2之芳基，舉例來說，可以是苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、三苯基、四苯基等。
此外，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之較佳的胺衍生物，在上述之一般式(1)所表示者之中，胺衍生物中之Ar3為以下之一般式(6)所表示的芳基。
在一般式(6)中，R9係各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳 數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基；m係滿足0≦m≦5之整數。
更且，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之較佳的胺衍生物，在上述之一般式(1)所表示者之中，胺衍生物中之L為以下之一般式(7)所表示的伸芳基。
在一般式(7)中，R10係各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基。l係0≦m≦4；n係滿足2≦n≦5之整數。此處，取代以一般式(7)所表示的伸芳基之R10的種類與其個數1，可以每個伸芳基皆不同。在一般式(7)中，較佳者是n為2或3。藉由使n為2或3，能夠使得胺衍生物之電子耐性更進一步地提高。此外，藉由使分子量增大，就可容易地得到高的玻璃轉移溫度。
具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，舉例來說，可以是以下所例示的化合物，然而不限定此。另外，在以下所例示的化合物之中，Ph係表示苯基；Me係表示甲基。
具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生 物，在以一般式(1)所表示的本發明之胺衍生物中之Ar1為經表示電子強耐性的矽烷基所取代的芳基。因此，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生物，對於電子是安定的，當做為有機電致發光元件用材料、特別是做為與發光層相鄰接的電洞傳輸層材料使用時，能夠使電洞傳輸層之電子耐性提高，並能抑制因電子侵入電洞傳輸層而引起的電洞傳輸材料之劣化，而且能夠實現有機電致發光元件之長壽命化。
此外，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之 胺衍生物，藉由使在一般式(7)中具有n為2以上的伸芳基，致使π電子廣泛，提高電洞傳輸性，並能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。此外，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生物，藉由使一般式(7)中具有n為2以上的伸芳基，致使玻璃轉移溫度(Tg)上升並增加成膜性能。
更且，在具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基 之胺衍生物中，在一般式(7)中n為2的伸芳基之情況，則包括以一般式(6)所表示的芳基，至少1個三苯基為鍵結於胺之N原子。具有三苯基胺骨格的化合物係具有非常高的電洞耐性及電子耐性。因此，在一般式(7)之n為2時，具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生物，藉由用來做為有機電致發光元件用材料，特別是用來做為與發光層相鄰接的電洞傳輸層材料使用時，能夠更進一步地提高對於從發光層流入電洞傳輸層側的電子之耐性，並使有機電致發光元件之發光效率增加、以及使得有機電致發光元件之壽命更進一步地長壽命化。
具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生 物係可以用來做為如上述的第1圖所表示的有機電致發光元件100之電洞傳輸層之材料。另外，第1圖所示的有機電致發光元件100之構成係本發明之有機電致發光元件之一實施形態，不限定於此等，而能夠有各種的變化。
此外，具有以一般式(8)所表示之本發明的矽烷基之 胺衍生物的用途係與具有以一般式(1)所表示的矽烷基之胺衍生物一樣，同樣地不限定於有機電致發光元件之電洞傳輸材料，也能夠使用來做為電洞注入層之材料。在將具有以一般式(8)所表示的矽烷基之胺衍生物做為電洞注入層之材料使用的情況，也是與做為電洞傳輸層之材料使用的情況一樣，同樣地能夠增加有機電致 發光元件之發光效率、並且實現有機電致發光元件之長壽命化。
〔實施例VIII〕
以下，針對具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生物，敘述前述化合物G-8、化合物G-9、化合物G-13、化合物G-18之合成法的例子。但，以下所述的合成法係一例子，而非用來限定本發明。
(化合物G-8之合成)
本發明之化合物G-8之合成係按照以下之作法來實施。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶中加入4-胺基三苯基3g與4-硼烷四苯基矽烷5.08g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.34g、丁氧鈉2.34g、甲苯120ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.5ml，於室溫攪拌24小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對於所得到的固體，以色譜分析儀進行精製而得到以下所示之5.0g的白色固體之前驅物G-8a(產率73%)。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶中加入5.0g的前驅物A-8a、與4-硼烷聯苯基2.0g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.23g、丁氧鈉1.65g、甲苯100ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.35ml，於80℃加熱攪拌12小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對於所得到的固體，以色譜分析儀進行精製而得到以下所示之2.5g的白色固體之化合物 G-8(產率73%)(FAB-MS測定值；731.3)。
(化合物G-9之合成)
本發明之化合物G-9之合成係按照以下之作法來實施。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶加入5.0g之上述的前 驅物A-8a、與1-硼烷-4-苯基蒽2.4g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.23g、丁氧鈉1.65g、甲苯100ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.35ml，於80℃加熱攪拌12小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對所得到的固體，以色譜分析儀進行精製而得到以下所示之4.4g的白色固體之化合物G-9(產率60%)(FAB-MS測定值；781.3)。
(化合物G-13之合成)
本發明之化合物G-13之合成係按照以下之作法來實施。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶中加入2.5g之4-胺基 三苯基、與4-硼烷聯苯基2.3g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.34g、丁氧鈉2.34g、甲苯120ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.5ml，於室溫攪拌24小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對所得到的固體以，色譜分析儀進行精製而得到以下所示之3.0g的白色固體之前驅物G-13a(產率76%)。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶中加入3.0g之前驅物 G-13a、與4-硼烷(4’-三甲基矽烷基)聯苯基2.3g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.23g、丁氧鈉1.65g、甲苯100ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.35ml，於80℃加熱攪拌12小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對所得到的固體，以色譜分析儀進行精製而得到以下所示之4.3g的白色固體之化合物G-13(產率91%)(FAB-MS測定值；621.3)。
(化合物G-18之合成)
本發明之化合物G-18之合成係按照以下之作法來實施。
於氬氣下，在300mL之三口燒瓶中加入3.0g之前驅物 G-13a、與4-硼烷(4’-三苯基矽烷基)聯苯基3.7g、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(Pd2(dba3))0.23g、丁氧鈉1.65g、甲苯100ml，然後加入三(t-丁基)膦之2M甲苯溶液0.35ml，於80℃加熱攪拌12小時。空氣冷卻後，加入水、除去溶劑而餾取有機層。對所得到的固體，以色譜分析儀進行精製而得到以下所示之6.1g的白色固體之化合物G-18(產率90%)(FAB-MS測定值；807.3)。
以下，說明做為本發明之有機電致發光元件材料之 將上述的化合物G-8使用於電洞傳輸層而成的有機電致發光元件之實施例30。
本發明之實施例30之有機電致發光元件係與上述的 實施例1之有機電致發光元件同樣地藉由真空蒸鍍來製作，按照如下之順序來進行。首先，對於預先圖案化並實施洗淨處理過的ITO-玻璃基板，以臭氧進行表面處理。另外，前述ITO膜之膜厚係150nm。於臭氧處理後，立刻將做為電洞注入材料的4,4’,4”-三(N,N-(2-萘基)苯基胺基)三苯基胺(2-TNATA，膜厚60nm)成膜於前述ITO膜上。
其次，將做為電洞傳輸材料的本發明之化合物G-8 予以成膜(30nm)，接著藉由共蒸鍍，將由2,5,8,11-四-t-丁基-苝(TBP)以相對於9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)而言為3%之比例的摻雜的膜予以成膜以做為發光材料(25nm)。
其次，將做為電子輸送材料的三(8-喹啉酸根)鋁 (Alq3)予以成膜(25nm)，接著依序積層做為電子注入材料的氟化鋰(LiF)(1.0nm)、及做為陰極的鋁(100nm)而製作成第2圖所示之有機電致發光元件200。
實施例31，除了使用化合物G-9來代替在實施例30 所用的化合物G-8以外，與實施例30同樣地製作有機電致發光元件。
實施例32，除了使用化合物G-13來代替在實施例30 所用的化合物G-8以外，與實施例30同樣地製作有機電致發光元件。
實施例33，除了使用化合物G-18來代替在實施例30 所用的化合物G-8以外，與實施例30同樣地製作有機電致發光元件。
比較例16、比較例17及比較例18，使用以下所示的 比較化合物16、比較化合物17、比較化合物18，來做為構成有機電致發光元件之電洞傳輸層的材料之化合物，與實施例30同樣地製作有機電致發光元件。
針對實施例30~實施例33、比較例16~比較例18所作 成的有機電致發光元件200，進行驅動電壓、發光效率、半衰期、玻璃轉移溫度(Tg)之評價。另外，發光效率係表示在10mA/cm2之值；半衰期係表示從初期亮度1,000cd/m2到亮度減半的時間。將評價結果表示於表8。
根據表8，可明白：與比較例16、比較例17及比較例18之有機電致發光元件相較之下，本發明之實施例30至實施例33之有機電致發光元件的發光效率更為提高、更長壽命化。
具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基之胺衍生物，由於具備具有電子耐性的矽烷基而具有強電子耐性，更且由於具有在一般式(7)中n為2以上的伸芳基，因而電子耐性增加並且電洞傳輸性亦增加，進而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。使用具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，不但可抑制因電子侵入電洞傳輸層所引起的元件之劣化，並且能夠提高電洞傳輸性，進而能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化。
在前述的實施例30~實施例33中，雖然說明了將具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物，應用於有機電致發光元件之電洞傳輸材料的例子，然而具有本發明之矽烷基之胺衍生物之應用不限定於有機電致發光元件，亦可應用於其他的發光元件或發光裝置。此外，使用具有以一般式(8)所表示的本發明之矽烷基的胺衍生物而成的有機電致發光元件係可以應用於被動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置，也可以應用於主動矩陣驅動方式之有機電致發光顯示裝置。
《產業上之利用可能性》
本發明之胺衍生物係能夠實現增加有機電致發光元件之發光效率及長壽命化，並能夠應用於有機電致發光顯示裝置及照明等之各種的用途。
100‧‧‧有機電致發光元件
102‧‧‧玻璃基板
104‧‧‧陽極
106‧‧‧電洞注入層
108‧‧‧電洞傳輸層
110‧‧‧發光層
112‧‧‧電子傳輸層
114‧‧‧陰極

Claims (47)

  1. 一種胺衍生物，其在以下述之一般式(1)所表示的3個Ar基中之至少1個係具有矽烷基； (前述一般式(1)中，Ar1、Ar2、及Ar3係各自獨立為取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基；前述Ar1、Ar2、及Ar3之中至少有1個為經取代或無取代的矽烷基所取代；L係表示單鍵、取代或無取代之伸芳基、或者是取代或無取代之雜伸芳基)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1、Ar2、及Ar3中的至少1個是取代或無取代的雜芳基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代的芳基。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為由成環碳數6~18構成之芳基；前述Ar3為取代或無取代之二苯并雜環基(dibenzoheterole group)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1、Ar2、及Ar3中之至少1個被取代的矽烷基係：前述矽烷基中被取代的芳基之成環碳數分別是6以上18以下的三芳基矽烷基、或前述矽烷基中被取代的烷基之碳數分別是1以上6以下的三烷基矽烷基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係分別為一個矽烷基所取代。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1、Ar2、及Ar3係分別為一個矽烷基所取代。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述L係單鍵或成環碳數6~14之伸芳基。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar3為取代或無取代之二苯并呋喃基。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述L係不含單鍵。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述L為伸苯基；前述二苯并呋喃基係在3位的位置上與前述L鍵結。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之胺衍生物，其中以前述一般式(1)所表示的胺衍生物係為以下述之一般式(2)所表示的化合物；〈化2〉
  13. 一種有機電致發光元件，其發光層中係含有如申請專利範圍第10項所述之胺衍生物。
  14. 一種有機電致發光元件，其發光層與陽極間之積層膜中的一層中係含有如申請專利範圍第10項所述之胺衍生物。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或取代或無取代之雜芳基；前述Ar1及Ar2中之至少1個係經取代或無取代的矽烷基所取代；前述Ar3係取代或無取代的二苯并呋喃基；前述L係單鍵。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述二苯并呋喃基係在3位的位置上與前述L鍵結。
  17. 一種有機電致發光元件，其係發光層中在含有如申請專利範圍第15項所述之胺衍生物。
  18. 一種有機電致發光元件，其係在發光層與陽極間之積層膜中的一層中含有如申請專利範圍第15項所述之胺衍生 物。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代的芳基、或取代或無取代的雜芳基；前述Ar1及Ar2中之至少1個係經取代或無取代的矽烷基所取代；前述Ar3係取代或無取代的茀基；前述L係取代或無取代之伸芳基、或者是取代或無取代之雜伸芳基。
  20. 一種有機電致發光元件，其發光層中係含有如申請專利範圍第19項所述之胺衍生物。
  21. 一種有機電致發光元件，其發光層與陽極間之積層膜中的一層中係含有如申請專利範圍第19項所述之胺衍生物。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中為以下述一般式(3)所表示者，其中前述Ar3係取代或無取代之茀基；前述L係單鍵；
  23. 如申請專利範圍第22項所述之胺衍生物，其在前述一般式(3)所表示的胺衍生物中，前述茀基之取代基係各自獨立為氫原子、取代或無取代之烷基、取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基。
  24. 如申請專利範圍第22或23項所述之胺衍生物，其中前述茀基係在2位的位置上與前述L鍵結。
  25. 如申請專利範圍第22至24項中任一項所述之胺衍生物，其在前述一般式(3)中，Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基。
  26. 如申請專利範圍第22至24項中任一項所述之胺衍生物，其在前述一般式(3)中，Ar1係取代或無取代之芳基；Ar2係取代或無取代之二苯并雜環基。
  27. 如申請專利範圍第22至26項中任一項所述之胺衍生物，其在前述一般式(3)中，在Ar1及Ar2中只有其中之一係經取代或無取代之矽烷基所取代。
  28. 如申請專利範圍第22至27項中任一項所述之胺衍生物，其在前述一般式(3)中，Ar1及Ar2中之至少1個被取代的矽烷基係：前述矽烷基中被取代的芳基之成環碳數為分別是6以上18以下的三芳基矽烷基、或者前述矽烷基中被取代的烷基對碳數為分別是1以上6以下的三烷基矽烷基。
  29. 一種有機電致發光元件用材料，其係含有如申請專利範圍第22至28項中任一項所述之胺衍生物。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之有機電致發光元件用材料，其係一電洞傳輸材料。
  31. 一種有機電致發光元件，其係含有配置在陰極與陽極之間的發光層及電洞傳輸層；其中前述電洞傳輸層係含有如申請專利範圍第22乃至28項中任一項所述之胺衍生物。
  32. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳 基、或取代或無取代之雜芳基；前述Ar1及Ar2中之至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；前述Ar3係取代或無取代之咔唑基；前述L係取代或無取代之伸芳基、或者是取代或無取代之雜伸芳基。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之胺衍生物，其中前述取代或無取代之咔唑基係在2位或3位之位置上與前述L鍵結。
  34. 一種有機電致發光元件，其發光層中係含有如申請專利範圍第32項所述之胺衍生物。
  35. 一種有機電致發光元件，其發光層與陽極間之積層膜中的一層中係含有如申請專利範圍第32項所述之胺衍生物。
  36. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其前述一般式(1)為以下之一般式(4)所表示者，其中前述Ar1及Ar2係各自獨立為取代或無取代之芳基、或者是取代或無取代之雜芳基；前述Ar1及Ar2中之至少1個係經取代或無取代之矽烷基所取代；Ar3係取代或無取代之咔唑基；L係取代或無取代之伸芳基、或者是取代或無取代之雜伸芳基；〈化4〉 (前述一般式(4)中、R1~R8係氫原子、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基、取代或無取代之成環原子數5以上30以下之雜芳基、取代或無取代之碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之矽烷基、氰基、鹵素原子、或重氫原子)。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之胺衍生物，其中前述R1~R8係互相鍵結而形成飽和或不飽和的環。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之胺衍生物，其中前述L為伸苯基、雙伸苯基或伸茀基。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之胺衍生物，其在前述L為伸茀基的情況，前述Ar1及Ar2係成環碳數為6以上12以下之芳基。
  40. 一種有機電致發光元件，其發光層中係含有如申請專利範圍第36項所述之胺衍生物。
  41. 一種有機電致發光元件，其發光層與陽極間之積層膜中的一層中係含有如申請專利範圍第36項所述之胺衍生物。
  42. 如申請專利範圍第1項所述之胺衍生物，其在前述一般式(1)中，Ar1為經矽烷基所取代的以下述之一般式(5)所表示的 芳基；Ar2係成環碳數為6以上30以下的取代或無取代之芳基；Ar3係以下述之一般式(6)所表示之芳基；L係以下述之一般式(7)所表示之伸芳基； 在前述一般式(5)中，o係滿足0≦o≦2之整數；R11、R12、R13係各個獨立地表示碳數為1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數為6以上30以下之芳基、或者是成環碳數為1以上30以下之雜芳基；在前述一般式(6)中，R9係各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數6以上30以下之芳基；m係滿足0≦m≦5之整數； 在前述一般式(7)中，R10係各個獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數為1以上15以下之烷基、取代或無取代之成環碳數為6以上30以下之芳基；l係0≦m≦4；n係滿足2≦n≦5之整數。
  43. 如申請專利範圍第42項所述之胺衍生物，其中前述R11、R12、R13係分別為苯基。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之胺衍生物，其中前述o係0或1。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之胺衍生物，其中前述n為2。
  46. 一種有機電致發光元件用材料，其係如申請專利範圍第42項所述之胺衍生物。
  47. 一種有機電致發光元件，其配置在發光層與陽極之間的積層膜中之一層係含有如申請專利範圍第46項所述之有機電致發光元件用材料。
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