TW201418271A - 表面處理方法、表面處理劑以及新化合物 - Google Patents

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Kouichi Kamiyama
Hitomi Chiba
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Abstract

本發明係在提供富於密接機能、反應機能、以及多樣性的表面處理技術。該表面處理方法係以塗布含化合物α的溶液在基板上設置前述化合物α，而前述化合物α，至少含：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三□環，且前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)為至少一個以上，而前述胺基係鍵結於末端上，且鍵結於前述末端的胺基為一個以上，前述三□環亦為一個以上。

Description

表面處理方法、表面處理劑以及新化合物
本發明係關於表面處理之技術。
人類，係使用各種物質(材料)以製造各種製品。材料，又可分類為：金屬材料、陶磁材料、高分子材料、及複合前述材料之複合材料。材料，係各自，具有獨自的特性。該特性之發揮即為該製品的特徵。金屬及陶磁，係在單獨時，亦可成為製品者。然而，二種以上的元素亦可以熔融/混合成為合金及多元素陶磁。高分子材料，即係以C、H、O、N、X(鹵素)、P、S等元素，適當地，構成(合成)者。其種類可謂無限。
材料之性質，係主體性質、及表面性質的總和。主體性質，在材料之種類及組成決定時，大致上，即已決定。但表面性質，即使與主體構成的元素種類及組成均相同，亦不能說無論在何時，均可一定。表面性質，係依循吉布斯自由能(△G=△H-T△S，△H：焓變化，T：絕對溫度，△S：熵變化)之法則，與時間共同配合而依外界之環境而變化。當外界環境中有氧、水分及紫外線時，即會在表面上，引起化學變化，而可隨時地變化為其他物質(性質)。
在自然界中材料表面的變化，在物品製造係應用表面機能時，可能造成大的妨害。雖然妨害亦視表面機能之種類而有差別。然而，至少可以理解，昨日的表面特性可能會與今日的表面特性不同。材料關聯性即係起因於所具有之表面性的固有性質。在迴避此種狀況方面，目前，仍為不可能者。然而，構築使變化在特定時刻可同一化的概念以使非材料關聯性得以實現時，即可能以此為基礎製造物品。如此，可使生存於21世紀的吾等有光明的未來。
材料表面之同一化可如下操作。例如，不論在何時、對任何材料，其化學組成及表面特性均為相同之膜(薄膜)，以設置該種膜(薄膜)的表面處理方法即可使其成為可能。本發明人等，特別，對該藥劑，稱為表面機能同一化劑。本發明人等，亦簡單地，對該表面機能同一化劑，稱為表面處理劑。使材料表面同一化的表面機能同一化劑，係在與材料(例如金屬材料、陶磁材料、高分子材料、有機物個體、其他複合材料)接觸時，可與表面強力地密接，而與表面化學鍵結(反應)者。結果，不論材料之種類，均可使表面的特性相同。亦即，使表面特性不局限於材料而無差異。表現此種作用的藥劑即為表面機能同一化劑。
表面機能同一化劑，係具有強力之密接(或者，鍵結)而可在材料表面上形成膜(薄膜)的機能者。強力密接(或者，鍵結)在材料表面上的表面機能同一化劑，亦具有與其他官能基反應的機能。表面機能同一化劑，又具有對多種材料可有效地作用的機能。亦即，係富於多樣性者。具有此種特 徵的藥劑，本發明人等，特別，稱為表面機能同一化劑。
先前之表面處理劑，亦有具有如密接在材料表面的機能者。然而，卻缺乏反應性。或者，缺乏多樣性。例如，可使用在材料A，卻無法使用在材料B。亦即，其使用範圍狹窄(缺乏多樣性)。
【先前技術文獻】 專利文獻
專利文獻1：WO2012/043631 A1
非專利文獻
非專利文獻1：日本接著學會會誌 森邦夫vol.43(6) 242至248 (2007)
非專利文獻2：表面技術 森邦夫vol.59(5) 299至304 (2008)
非專利文獻3：Top Catal (2009) 52:634至642
因此目前為止的表面處理劑並無法對應廣泛之範圍。
在非專利文獻3中所揭示者已知與以本發明之表面處理劑處理後類似。然而，在非專利文獻3中並未揭示本發明。
因此，本發明所欲解決之問題，係在提供富於密接機能、反應機能、以及多樣性的表面處理技術。
前述問題，可以一種表面處理方法解決，其係以 塗布含化合物α的溶液使前述化合物α設置於基板上的表面處理方法，其特徵在於：前述化合物α，至少具有：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環，且含一個以上之前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，含一個以上之前述三環，而前述胺基中至少一個胺基，在前述三環之C上，間接地，形成鍵結，且前述間接地鍵結之胺基，至少，存在於末端位置上，在前述末端位置上含一個以上之胺基。
前述問題，又可以一種表面處理方法解決，其係以蒸發化合物α使前述化合物α設置於基板上的表面處理方法，其中前述化合物α，至少具有：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環，且含一個以上之前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，含一個以上之前述三環，而前述胺基中至少一個胺基，在前述三環之C上，間接地，形成鍵結，且前述間接地鍵結之胺基，至少，存在於末端位置上，在前述末端位置上含一個以上之胺基。
前述問題，解決之前述表面處理方法，其中前述之表面處理方法，係以，在使前述化合物α設置於基板上之前，在前述基板上以選自：淨化處理、電暈放電處理、電漿放電處理、紫外線照射、酸處理、鹼處理、水蒸氣處理及轉化塗布處理(conversion coating)所成之群中的一種或二種以上處理前述基板為佳。
前述問題，解決之前述表面處理方法，其中前述表面處理方法，可如在使前述化合物α設置於基板上之後，進 行加熱處理。
前述問題，又可以一種表面處理劑解決，其係前述之表面處理方法中所使用的表面處理劑，其特徵在於：前述表面處理劑為化合物α、或含化合物α者，且前述化合物α，至少具有：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環，且含一個以上之前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，含一個以上之前述三環，而前述胺基中至少一個胺基，在前述三環之C上，間接地，形成鍵結，且前述間接地鍵結之胺基，至少，存在於末端位置上，在前述末端位置上含一個以上之胺基。
鍵結在前述末端上的胺基，係以，1級胺基為佳。
前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，係以，烷氧基矽基為佳。
前述化合物α，係以，下述通式[I]所示之化合物為佳。而且，又以，下述通式[Ⅱ]或[Ⅲ]所示之化合物更佳。
通式[I]為{(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d
(通式[I]中，R1、R2、R3、R4為H或官能基。R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同。X、Z、Q、V為鍵結基。但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)。Y為骨架。該骨架具有三環(C3N3)。且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上。W，為{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基。M為選自：si、Al、Ti所成之群中的至少一種。a為1以上之整數，b為1或2，c為 0或1，d為1或2，且b+c+d=3，n為0、1或2。)
通式[Ⅱ]為{(NR1R2)aX-Q}bY(NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}e
通式[Ⅲ]為{(NR1R2)aX-Q}bY[N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2]e
(通式[Ⅱ]、[Ⅲ]中，R1、R2、R3、R4為H或官能基。R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同。X、Q為鍵結基。但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)。Y為骨架。該骨架具有三環(C3N3)。且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上。a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。)
前述化合物α，係以，選自：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基(ketoximino)矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基) 胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺之群中的至少一種為佳。
前述問題，亦可以一種新化合物解決，其係上述通式[I]所示之化合物。
前述問題，亦可以一種新化合物解決，其係上述通式[Ⅱ]所示之化合物。
前述問題，亦可以一種新化合物解決，其係上述通式[Ⅲ]所示之化合物。
本發明可得到表面具有富於密接性、反應性、多樣性之膜的材料
第1發明係新的化合物。該新化合物特別以表面機能同一化劑為佳。前述之新化合物，係如前述通式[I]所示。在前述通式[I]中，R1、R2、R3、R4為H或官能基。該官能基，可具有選自如元素：C、O、N、S之群中的至少一種元素。前述官能基，係以，烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。前述脂族烴基，係以，烷基為佳。前述烴基可為直鏈型亦可為分支型。前述烴基，係以，碳數1至10為佳。鍵結基X、Z、Q、V，可具有選自元素：C、O、N、S之群中的至少一種元素。鍵結基X、V，係以，烴基為佳。當中，係以碳數1至18的烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。前述烴基可為直鏈型亦可為分支型。前述烴基亦可再含：-S-、-O-、-NHCO-、-N<、-NH-。鍵結基Q、Z，係以：-NH-、-N<、-O-、-S-、-NHCO-為佳。官能基W，係以：-NR5R6-、-NHOH-、-NH(CH2)pOH、-N((CH2)pOH)2、-N(CH2)pNH-Y(Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)(Q(X-NR1R2))為佳。R1、R2、R3、R4為H或官能基。R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同。該官能基，亦可具有選自元素：C、O、N、S之群中的至少一種元素。前述官能基，係以，烴基為佳。當中，係 以碳數1至10的烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。特別，以烷基更佳。R5、R6為烴基。當中，係以碳數1至10的烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。X、Z、Q、V為鍵結基。但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)。鍵結基X、Z、Q、V，可具有如選自元素：C、O、N、S之群中的至少一種元素。鍵結基X、V，係以，烴基為佳。當中，係以碳數1至18的烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。前述烴基可為直鏈型亦可為分支型。前述烴基亦可再含：-S-、-O-、-NHCO-、-N<、-NH-。鍵結基Q、Z，係以：-NH-、-N<、-O-、-S-、-NHCO-為佳。Y為骨架。該骨架具有三環(C3N3)。前述三環，又以，未直接，鍵結在-NH2、-N3(疊氮基)上為佳。M為選自：Si、Al、Ti所成之群中的至少一種。p為1以上之整數。特別，以1至12之整數較佳。n為0、1或2。a又以，8以下之整數為佳。
前述之新化合物，特別為，如前述通式[Ⅱ]或前述通式[Ⅲ]所示。前述通式[Ⅱ]、[Ⅲ]中，R1、R2、R3、R4為H或官能基。前述官能基，係以，烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。前述烴基可為直鏈型亦可為分支型。前述烴基，係以，碳數1至10為佳。鍵結基X、Q，可具有如選自元素：C、O、N、S之群中的至少一種元素。鍵結基X，係以，烴基為佳。前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。前述烴基可為直鏈型亦可為分支型。前述烴基，係以，碳數1至18為佳。前述烴基亦可再 含：-S-、-O-、-NHCO-、-N<、-NH-。鍵結基Q，係以：-NH-、-N<、-O-、-S-、-NHCO-為佳。本發明中，三環，可為具有C3N3之雜環。本發明中，三環，係表示含有三聚氰胺構造(C3N3N3H3)之意。三環以1,3,5-三環較佳。a，又以，8以下之整數為佳。m，又以，1至18之整數為佳。前述三環，又以，未直接，鍵結在-NH2、-N3(疊氮基)上為佳。前述通式[I]、[Ⅱ]、[Ⅲ]中，前述官能基{(NR1R2)aX-Q}、W、{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}、{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}、N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2，係以，鍵結在三環之骨架(Y)之C上為佳。特別，{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}、N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2，係介N與前述骨架Y之C鍵結(C-N鍵)，鍵結在骨架Y上。{(NR1R2)aX-Q}、{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}，係介X、Q、Z、V之末端官能基的元素與前述骨架(Y)之C的鍵結(C-N鍵、C-C鍵、C-O鍵)，鍵結在骨架Y上。
前述之新化合物，係以，鍵結在末端之胺基為1級胺基為佳。
前述新化合物之例，可舉如：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基 胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺。但前述具體例，僅為，例舉之數例而已。當然，在此之外，可再舉數種化合物。 但，無法盡列因此予以省略。
前述之新化合物，可如下述通式[Ⅳ]或[V]所示。
上述通式[Ⅳ]、[V]中，A、B、C、D，可例舉如下之基。
A=-N(Ra)Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n、或-N{Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n}2
B=-N(Re)Rf(NH2)m、或-N{Rf(NH2)m}2
C=A、B、或-N(Rg)Rh
D=Ri
[當中，Ra、Re、Rg為H或烴基。Rb、Rc、Rd、Rf、Rh、Ri為烴基。n為0、1或2。m為1或2。前述烴基，有含：-S-、-O-、-NHCO-、-N<、-NH-之情形，亦有不含之情形。前述烴基，有含取代基之情形，亦有不含取代基之情形。]
前述烴基，係以，脂族烴基為佳。該脂族烴基，係以，烷基為佳。
前述Ra，係以，碳數1至12為佳。前述Rb，係以，碳數1至12為佳。前述Rc，係以，碳數1至6為佳。前述Rd，係以，碳數1至6為佳。前述Re，係以，碳數1至12為佳。前 述Rf，係以，碳數1至12為佳。前述Rg，係以，碳數1至12為佳。前述Rh，係以，碳數1至12為佳。前述Ri，係以，碳數1至12為佳。
A、B、C、D具體例之數例如下所示。但，並不限定於此。
{A=-NH-(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3、-N((CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3、-NH-(CH2)l-Si(CH3)(O(CH2)n(CH3))2、或-NH-C6H4-O-(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3 B=-NH-(CH2)l(NH2)、或-N((CH2)l(NH2)2 C=A、B、-NH(CH2)lCH3、-N((CH2)lCH3)2、或-N(CH2CH=CH2)((CH2)mCH3)D=-(CH2)p-l、m、n、p：1以上之整數}
{A=-NH-(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3、-NH-(CH2)l-Si(CH3)(O(CH2)n(CH3))2、或-NH-C6H4-O-(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3 B=-NH-(CH2)l(NH2)、或-N((CH2)l(NH2)2 C=A、或B D=-(CH2)p-l、n、p：1以上之整數}
{A=-N(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3))3、-N((CH2)l-Si(CH3)(O(CH2)n(CH3)2)2、或-N-(C6H4-O-(CH2)l-Si(O(CH2)n(CH3)2)((CH2)pCH3)B=-NH-(CH2)l(NH2)、或-N((CH2)l(NH2)2 C=A、或B D=-(CH2)p-l、n、p：1以上之整數}
第2之發明為表面處理劑。特別以亦可稱為表面機能同一化劑之表面處理劑為佳。前述表面處理劑，係目的為藉由如前述之化合物α接著的藥劑。前述表面處理劑，係目的為藉由如前述化合物α化學反應或物理吸著之藥劑。前述表面處理劑，為化合物α。或者，為含化合物α者。前述化合物α，至少含：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環。前述M-OH基及/或M-OH生成基，係以，直接或間接地(介鍵結基)，鍵結，在前述三環的碳原子上為佳。前述胺基，係以，直接或間接地(介鍵結基)，鍵結，在前述三環的碳原子(C)上為佳。前述胺基之至少一個胺基，係以，間接地，鍵結，在前述三環的碳原子(C)上為佳。前述間接地鍵結的胺基，至少，存在於末端位置上。前述末端位置上至少含一個以上的胺基。如一個、或二個。且含一個以上的前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)。M，係以，Si、Al、Ti為佳。前述三環為一個以上。如一個、或二個。鍵結在前述末端上的胺基，係以，1級胺基為佳。前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，特別，又以，烷氧基矽基為佳。在1分子中含1級胺基及烷氧基矽基的化合物α，在化合物α與選自：金屬材料、陶磁材料、高分子材料等之中的材料接觸時，藉由此類材料與化合物α間之反應所生成(或強力吸著)的化學鍵，可強力鍵結在材料表面上。在即使，在 如高於10-6Pa之超高真空下放置長時間時，化合物α亦無飛散之情形時，該情形，稱為強力密接(吸著)。在係化學鍵結(反應)之情形時，當然，化合物α亦不發生飛散。該狀態可以XPS分析。在1分子中含1級胺基及烷氧基矽基雙方的化合物，係商品化之矽烷偶合劑。然而，已往之矽烷偶合劑，並無可在任何金屬材料、陶磁材料、高分子材料等均可吸著(反應)者。例如，在材料之種類改變時，矽烷偶合劑之種類及處理條件亦須有所不同。特別，在表面上幾乎不具有-OH的材料(例如：高分子材料)時，幾乎無法發生強密接及化學鍵結。亦即，矽烷偶合劑仍未有可稱為可以其一種而對應多種場合之富於多樣性者。亦即，仍未有可發揮如本發明之特點者。在此點上，本發明之化合物α與先前之矽烷偶合劑大為不同。前述化合物α，係以，前述通式[I]所示之化合物為佳。當中，前述通式[Ⅱ]或[Ⅲ]所示之化合物更佳。其例可舉：通式[Ⅳ]、[V]所示之化合物。當中又以，前述三環上，未直接鍵結、-NH2、-N3(疊氮基)者為佳。前述化合物α，又以，末端鍵結之胺基為1級胺基者為佳。特別，以：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基 -1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺為佳。
第3之發明為表面處理方法。係使用前述化合物α的處理方法。前述表面處理，目的係為藉由如前述化合物α接 著。前述表面處理，目的係為藉由如前述化合物α化學反應或物理吸著。第3之發明，係以含如前述化合物α的溶液塗布在基板上之方法。該塗布方法，可舉如：浸漬方法、噴霧方法、毛刷塗布方法等。當然，並不限定於此。取代塗布方法，亦可使用蒸發的方法。第3之發明，係以蒸發如前述化合物α，使蒸發之化合物α附著(堆積)在基板上的方法。當然，與蒸發的方法比較塗布的方法較為簡單。而且，成本方面亦較低廉。以前述化合物α設置在基板上之前，係以，選自以下之群中的一種或二種以上進行處理前述基板。即如：淨化處理、電暈放電處理、電漿放電處理、紫外線照射、酸處理、鹼處理、水蒸氣處理及轉化塗布處理。在以前述化合物α設置在基板上之後，可視必要，再進行加熱處理。前述轉化塗布處理中，可使用如：第I族元素之氫氧化物、第I族元素之鹽、第Ⅱ族元素之氫氧化物、第Ⅱ族元素之鹽、氨水、銨鹽、聯胺、聯胺衍生物、胺類、磷酸、磷酸鹽、碳酸鹽、羧酸、羧酸鹽、矽酸、矽酸鹽及氟化物等。以前述轉化塗布處理，可在金屬表面上形成皮膜等。
在由各種材料所構成之基板上以前述化合物α處理(例如：以前述化合物α塗布設置在基板表面上)時，即可得到表面機能同一的材料。基板中，當然，主體之性質不同，但表面性質基本上相同。此等材料之表面性質，可舉如：金屬催化劑吸著性、化學及生物體化合物之反應性、鍍金屬性、耐熱性、耐蝕性、抗氧化性、UV安定性、疏水性、親水性、焊接性、可接合性、電導性、著色性、染色性、印刷性及轉塗性 等。而且，在表面再以各種如機能性化合物及含官能基化合物(矽烷偶合劑)的官能基及機能賦予劑處理時，應該可得到含有賦予：催化性、化學及生物體反應性、鍍金屬性、耐熱性、耐蝕性、抗氧化性、UV安定性、疏水性、撥水性、親油性及親水性、焊接性、可接合性、可黏著性、電絕緣性、電導性、防污染性、抗菌性、平滑性及粗面性、耐磨損性、著色性、染色性、印刷性、轉塗性、外裝性、生物相容性、發光性及光選擇吸收性等之異種機能性及表面含官能基的材料表面。
在物品製造之加工組裝作業中，表面特性之影響又更為廣大。物品製造中組成材料的種類及數量、加工步驟數及加工時間、組裝步驟及組裝時間等之要點數更多，使物品之製造又面對困難。該困難性原因之一，應該是組成材料的表面特性不同，即非相同之故。相對於此，目前為止，對於許多材料，已開發出多種表面處理技術。此類表面處理技術當然重要。然而，時代之變化又引起激烈之競爭。因此又使目前為止更新的技術無法對應。與技術先進國家競爭更無法取勝。欲打破此種狀況，重要者為開發與先前更新之技術為概念不同的革新技術。為打破先前表面處理技術所具有之材料關聯性，只要可對多種材料，以1種處理劑，並以相同之方法，即可達成同一之表面狀態時，即可大幅解決上述問題。賦予此種非材料關聯性的表面處理劑(表面機能同一化劑)，必須對金屬材料、陶磁材料、高分子材料等多種材料具備「密接性機能」、「反應性機能」、「多樣性機能」的3種機能。
以表面機能同一化劑所得到之表面機能同一化被 膜，不論材料之種類如何，須具有特定的密接強度(可以膠合體失效表示)。因此以在剝離試驗中，對多種材料，不會發生界面剝離為要。亦即，以即使在材料改變時，亦可顯示充分的密接強度及膠合體失效為要。而且，表面機能同一化劑，在使其改變為各種不同機能之表面時，其反應性機能須為可利用者。因此，以具有在被膜全體(或部分)發生化學反應時，可使該部分變化為不同機能之功能者為佳。因此亦以賦予該機能的材料，具有可在材料表面表現各種功能的多樣性機能為要。並且，以可以簡單之方法賦予之點為要。非以特別之方法方可實現者，在實用化上困難。
總體之材料性質，係主體之性質、與表面性質的總和。物品製造上，非熟知此些性質不可。舉例如，材料之表面特性，可舉如：濕潤性、黏著性、撥水性、親水性、接著性、吸著性、平滑性、保水性、帶電性、反應性、硬度等多種因子。但單在理解方面即必須大量的時間及勞力。為迴避此種製造上的煩雜，以可快速進行物品製造，以材料表面之狀態同一為要。亦即，達成表面之同一，在理解如上述的多種因子上可更為便利。且更為實用。因此，為謀求物品製造之快速，材料表面的均一化(同一化)即為不可缺者。然而，目前為止仍未知可在1種化合物中，使多種材料(金屬、陶磁及有機材料)的表面狀態，約90%以上程度均一化的方法。
因此由此觀點，進行檢討。同時，在前述化合物α接觸基板表面時，須可使前述化合物α與基板材料反應(或強力吸著)，使該表面，具有如羥基矽基(或烷氧基矽基)及胺 基，而使基板的特性大幅改質。表面機能化劑(前述之化合物α)在基板上之反應可以化學連結、或強吸著力密接，可在XPS分析中，測出前述表面機能化劑(前述之化合物α)特有的元素N、Si而明瞭。在前述表面機能化劑(前述之化合物α)與可與羥基矽基及/或胺基反應(或吸著)的其他化合物接觸時，即可使表面改變為具有其他機能之表面。如此操作，即可刻意地改質為機能性表面或有用性表面。使所得到的表面機能化材料，成為親水性及疏水性為可逆轉換之親兩性材料、機能化有機材料全面及部分之鍍金屬性、機能化有機材料與金屬材料、陶磁材料與有機材料等材料的不定形體接著及非不定形體接著、機能化金屬材料的非電解電鍍及電氣電鍍、機能化金屬材料防蝕及表面氧化之防止等多種之可利用化。
設置前述化合物α的基板，本身可推想為最終之製品。然而，再發展至其下步驟的中間材料之情形亦多。
以前述化合物α對官能基及/或機能賦予劑接觸處理時，可使前者與後者反應。因此，可得到表面含異種官能基及異種機能性之材料。在此等材料以本身之機能作為製品時，亦有以與此等同種及異種之材料接合、貼合及組合，成為複合製品而使用之情形。亦有再進行電鍍之情形。
以下，再更詳細說明。
[表面處理劑]
本發明之表面處理劑，係具有：[密接性機能]、[反應性機能]、[多樣性機能]。
更具體地說明，即係前述之化合物α。或者，為含前述化 合物α的混合物。
前述之化合物α，係以，前述通式[I]所示者為佳。又以，如前述通式[Ⅱ]或通式[Ⅲ]所示者較佳。又可如，前述通式[Ⅳ]或[V]所示者。其例可舉如：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6.-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基 -1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺。
前述化合物，可以經過如[反應式1]、[反應式2]而合成。
上述反應中所使用之溶劑，以不與：胺基、烷氧基矽基、及在烷氧基矽基中所含之官能基反應為要。可滿足該條件之溶劑，又因與胺基及含烷氧基矽基官能基之組合不同而 異。因此，難以以一義決定。但，可例舉如：水、醇(如：甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、賽路蘇(cellosolve)、卡必醇(carbitol)等)、酮(如：丙酮、甲基乙酮、環己酮等)、芳族烴(如：苯、甲苯、二甲苯等)、脂族烴(如：己烷、辛烷、癸烷、十二碳烷、十八碳烷等)、酯(如：乙酸乙酯、丙酸甲酯、丁酸甲酯)、醚(如：四氫呋喃、乙基丁基醚、苯甲醚等)、及此等之混合物。
上述反應中，反應溫度，係受：構成骨架之三化合物、及與胺基(如：1級二胺或1級三胺)及含烷氧基矽基化合物之官能基的活性所支配，因此難以以一義決定。但，大致，以-20℃至200℃為佳。-10℃至100℃更佳。在溫度比-20℃為低時，可使速度變緩，生產性變差。在200℃以上時，會產生必須增加高壓釜等設備之情形。再者，反應速度過高，亦易於生成副產物。因此之故，以如前述之溫度較佳。
構成骨架之三化合物的一個碳元素相對於胺化合物(如：1級二胺及1級三胺)的比例(莫耳比)，以後者/前者為1以上為要。一般言之，前述比例以2至10為佳。在前述比例未達1時，會有幾乎無法得到目的物之情形並使原料殘餘。在前述比例更大而超過10時，會使不純物之生成量減少，但使未反應胺類之去除耗費時間。而且，使生產效率變差。其次，與含烷氧基矽基化合物之比例(莫耳比)，亦以後者/前者為1以上為要。一般言之，前述比例以1.05至1.50為佳。在前述比例未達1時，會使未反應原料殘餘，減少生產量。在前述比例超過1.50時，會使不純物之生成量增加。而且，會 使生產效率變差。
在前述化合物α為2種以上之混合物時，前述處理即為有效。因此，反應生成物不須分離為單一化合物，而可直接地使用。雖然當中主要得到的化合物以化合物α所示的單體為主體，但亦有合成過程中所副生而具有末端胺基之三與具有未反應碳原子的三所反應之二聚物、寡聚物、烷氧基矽基之縮合物及/或其混合物。
之後該得到之化合物α(通式[I]所示之化合物)再以塗布之手段設置在基板上。例如，在前述化合物α(通式[I]所示之化合物)非液體時，可將此添加在溶劑中。再將基板浸漬在該溶液中，使前述化合物α設置在基板上。前述溶液亦可以噴霧，使前述化合物α設置在基板上。亦可使用旋塗的方法。或使用毛刷塗布的方法。其他，亦可採用各種的塗布方法。塗布的方法以外，亦可使用將前述化合物α蒸發，累積在基板上的方法。然而，無論如何，以塗布的方法，可非常，簡單地實施。再者，所謂塗布之方法，亦可使前述化合物α強力地密接在基板上。或者，發生化學反應，形成鍵結。亦即，單以前述化合物α接觸基板，即可使兩者強力地密接。因此，可發揮同一表面之機能。
前述化合物α的平均膜厚為約1nm至20nm。在前述化合物α對基板為化學鍵結之情形時，前述化合物α的膜厚更薄。在以非化學反應鍵結時，在密接力強之情形時，前述化合物α的膜厚較厚。雖然說是較厚，但亦可說，只不過與化學反應鍵結之情形比較，較厚而已。在前述化合物α與基板表面 係以化學反應鍵結時，平均膜厚為1至5nm程度。在以強力吸著使前述化合物α鍵結在基板之情形時，則比前述之膜厚(1至5nm)為厚。所謂密接力強，係即使在10-6Pa的超高真空下長時間放置，化合物α亦無飛散之情形者。在該狀態下，以XPS可以分析。再者，前述密接強度，係在與聚矽氧膠接著時，可使聚矽氧膠相破壞之程度。再者，該力，應該與化學鍵結之時相當。此種密接力的強度無法想像為分子間之力。
在前述塗布時所使用之溶劑，可使用與前述反應中所使用的溶劑相同之溶劑。亦即，可舉如：水、醇、酮、芳族烴、脂族烴、酯、醚、及此等之混合物。化合物α的濃度為約0.001wt%至10wt%。在未達0.001wt%而過低時缺少效果。在超過10wt%而過高時會使後處理費時。塗布處理時之溫度係以-20℃至200℃程度為佳。處理時間以0.1秒至12小時程度為佳。化合物α之濃度與處理溫度及處理時間係互相關聯，最適條件可藉由重複試驗而得到。
在使化合物α以塗布或蒸發(蒸著)法設置於基板之後，該處理基板，以再於真空條件下、常壓下、或加壓下，維持在-20℃(以15℃以上較佳)至200℃下為佳。該維持之時間以0.1秒至12小時為佳。此操作，可認為係化合物α在基板上之固定處理。
前述化合物α之膜，在前述膜係伴隨化學反應之情形時，係含有：酸醯胺基(-CONH-)、胺基(NH2-、-NH-)、烷氧基矽基(-SiOR)、及/或羥基矽基(-SiOH)者。在前述膜係藉由強力密接而生成之情形時，係含有：胺基(NH2-、-NH-)、 烷氧基矽基(-SiOR)、及/或羥基矽基(-SiOH)者。在水或水溶液中，烷氧基矽基，即水解，而轉換為羥基矽基。烷氧基矽基，在與濕氣接觸之間，即會水解，而轉換為羥基矽基。在胺基(NH2-、-NH-)及三環的電子定域之氮與羥基矽基之間，即可形成氫鍵(H...N...H)、及/或鹽鍵結(>NH2 -...+OSi<)。此種情形，在基板表面上，基本上，應該相同。亦即，應該可發揮與前述化合物α膜表面的同一機能化。
前述化合物α之膜，對多種材料(如：聚烯烴樹脂、尼龍樹脂、聚乙烯醇等之樹脂材料；玻璃、氧化鋁等之陶磁材料；Cu、Al等之金屬材料)，可強力地鍵結。該鍵結力，無法在一次鍵結及二次鍵結之範疇中說明。但由XPS分析中氮原子之原子狀態推測，可確定電子係流入氮原子中。因此推想氮原子為電子過剩狀態，成為倫敦分散力(London dispersion force)，而在聚烯烴樹脂中顯示強的密接性。表面機能同一化膜之特徵，應該是藉由膜之橫及下的相互作用而安定化之結果。一般材料中，可以上下左右為同程度之分子間力而形成膜。而在表面機能同一化膜上，橫方向之鍵結力又比向下的方向為強。
以反應或吸著鍵結在基板上的前述化合物α之膜，在表面上，具有：胺基、烷氧基矽基、及/或羥基矽基。因此，在前述化合物α膜的表面上具有反應性之官能機。利用該反應性之官能機，可賦予更多反應性及機能性。
[機能賦予劑、反應性賦予劑]
在前述化合物α膜的表面上，係存在：胺基、烷氧基矽基 、及/或羥基矽基。此等官能基具有反應性。因此，可與各種物質(藥劑)反應。舉例如，與：同種官能性藥劑、異種官能性藥劑、奈米粒子分散藥劑之間發生反應。以此類物質(藥劑)處理表面，即可轉換為具有多種多樣機能之材料。
所謂同種官能性藥劑，係含2個以上的同一之官能基。可例舉如：二(羥基苯基)甲烷、二(2,4-羥基甲基)酚、二(2,4-羥基甲基)-3,5-二甲苯酚、二(2,4-羥基甲基)間甲苯酚、三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺、三甲氧基甲基三聚氰胺、六甲氧基甲基三聚氰胺、胍胺、四甲基尿素、三聚氰酸、苯二甲酸、對苯二甲酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、苯三甲酸、苯四甲酸、松脂琥珀酸、苯二甲酸酐、苯三甲酸酐、松脂順丁烯二酸酐、苯四甲酸酐、二羥基二甲基聚矽氧、三羥基甲基聚矽氧、辛烷二硫醇、四氫硫基乙酸新戊四醇酯、1,4-二氫硫基苯、1,3,5-三氫硫基苯、1,5-二氫硫基萘、2,4,6-三硫醇-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-二丁基胺基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-苯胺基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-(N-苯基)胺基苯胺基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-(N-苯基)胺基異丙基苯胺基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-(N-苯基)胺基苯氧基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-(N-烯丙基-2-全氟辛基)乙基胺基苯氧基-1,3,5-三、全氟辛醯氯、全氟癸酸、全氟壬二酸、3-(1H,1H,7H-十二碳烷氟化庚氧基)-1,2-環氧丙烷、1,3,5-苯基胺基苯、1,3-萘基胺基苯、1,5-二胺基萘、二-3-(N,N-二甲基胺基苯基)胺、三(4-胺基苯基)胺、二(4-胺基苯基)胺、N-苯基-2,4-苯胺基胺、二(1,4-苯基苯胺基)苯、六亞甲基二異氰酸酯、二苯乙烯二異氰酸酯、三異 氰酸酯苯基甲烷、二環己基二甲基甲烷、p,p'-二異氰酸酯、胺基甲酸六亞甲基二甲酯、胺基甲酸二苯乙烯二乙酯、2,2'-二(4-環氧丙基苯基)丙烷、二環氧丙基辛烷、四環氧丙基胺基二苯基甲烷、二環氧丙基醚、二氧化二乙烯基苯、2,6-二環氧丙基苯基環氧丙基醚等。
異種官能性藥劑可舉如以下之化合物。例如：6-烷氧基矽基丙基胺基-1,3,5-三-2,4-二硫醇一鈉、6-二(3-烷氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二硫醇一鈉、6-N-環己基-N-(3-(三乙氧基矽基)丙基胺基)-1,3,5-三-2,4-二硫醇一鈉、乙烯基甲氧基矽氧烷同質聚合物、四硫化二(三乙氧基矽基丙烷)、3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2,4-二(2-胺基乙基胺基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基胺基)-1,3,5-三、2,4-二肼基-6-(3-三乙氧基矽基丙基胺基)-1,3,5-三、6-烷氧基矽基丙基胺基-1,3,5-三-2,4-二硫醇、6-烷氧基矽基丙基胺、6-二(3-烷氧基矽基丙基)胺、6-N-環己基-N-(3-(三乙氧基矽基)丙基胺)、乙烯基甲氧基矽氧烷同質聚合物、四硫化二(三乙氧基矽基丙烷)、3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(3-丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、三乙氧基矽基十一碳烷醛、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、間胺基苯基三乙氧基矽烷、11-胺基十一碳烷基三甲氧基矽烷、N-(3-三乙氧基矽基丙基)吡咯、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、胺基丙基矽烷三醇、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基矽烷三醇、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-丁胺基丙基三甲氧基 矽烷、氯化-N-三甲氧基矽基丙基三甲基銨、二(三甲氧基矽基丙基)胺、琥珀酸酐-3-(三乙氧基矽基)丙酯、6-疊氮磺醯基己基三乙氧基矽烷、2-(4-氯磺醯基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)三甲氧基矽烷、(3-環氧丙基氧基丙基)三甲氧基矽烷、10-(碳甲氧基)癸基二甲基甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、7-溴庚基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、胺基甲酸-(3-三乙氧基矽基)第三丁酯、2-(二苯基膦基)乙基三乙氧基矽烷、二乙基磷酸酯基乙基三乙氧基矽烷、3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷、5-(二環庚烯基)三乙氧基矽烷、(3-環戊二烯丙基)三乙氧基矽烷、2,4-二硫醇-6-(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、2,4-二硫醇-6-三乙氧基矽基丙基硫基-1,3,5-三、2-硫醇-4,6-二(N,N'-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、2-硫醇-4,6-二(三乙氧基矽基丙基硫基)-1,3,5-三、2,4-二疊氮-6-(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、2-疊氮-4,6-二(N,N'-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、十六氟十二碳-11-烯基-1-三甲氧基矽烷、氯化[三(十三氟-1,1,2,2-四氫辛基)二甲基矽氧烷]矽烷、十三氟-1,1,2,2-四氫辛基三甲氧基矽烷等。
所謂奈米粒子分散藥劑，係：粒徑1nm至100nm的蛋白質及酵素等生物相關之奈米粒子分散藥劑、聚合物奈米粒子(單分散或多分散聚合物奈米粒子)分散藥劑、金屬奈米粒子分散藥劑、金屬氧化物奈米粒子分散藥劑、金屬無機鹽奈米粒子分散藥劑、金屬奈米粒子分散藥劑等。此等物種，可以：氣相法(化學反應法、熱CVD法、電漿CVD法、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy)、蒸發濃縮法、噴濺法、EB加熱 法、氣體中蒸發法、雷射蒸著法(laser ablation)、電阻加熱法)、液相法(化學液相法、化學反應沉積法、微波加熱法、逆相微胞法、正常微胞法、水熱合成法、溶膠凝膠法、物理液相法、噴霧乾燥法)、固相法(燒成法、加熱爐法)等製造。金屬奈米粒子之例，可舉如：Fe、Co、Ni、Au、Ag、Cu、Sn、Pb、Ge、In、Pt、Zn等奈米粒子。金屬氧化物奈米粒子之例，可舉如：Fe3O4、CeO2、BaTiO3、PbSrTiO3、CaPt0.05Ti0.95O3、Al2O3、MgO、Mn3O4、NiO、SiO2、TiO2、ZrO2、YO3-ZnO2、黏土等奈米粒子。金屬無機鹽奈米粒子之例，可舉如：AgCl、AgBr、錫化合物(如：甲酸亞錫、乙酸亞錫、丙酸亞錫、丁酸亞錫、戊酸亞錫、己酸亞錫、辛酸亞錫、癸酸亞錫、月桂酸亞錫、苯甲酸亞錫、順丁烯二酸二亞錫、反丁烯二酸二亞錫、甲氧亞錫、乙氧亞錫、丙氧亞錫、丁氧亞錫、戊氧亞錫、己氧亞錫、苯氧亞錫、苯甲氧亞錫等)等奈米粒子。生物相關奈米粒子之例，可舉如：蛋白質、細菌、病毒、DNA、抗體、酵素、激素等奈米粒子。聚合物奈米粒子之例，可舉如：聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸己酯、聚丙烯醯胺、聚二甲基丙烯醯胺、聚異丙基丙烯醯胺、聚乙酸乙烯酯等奈米粒子。其他之例，可舉如：富樂烯(fullerene)、奈米碳管、碳黑、ZnS、PbSe等奈米粒子。
在使鍵結在前述基板表面的前述化合物α與前述藥劑(機能賦予劑及/或反應性賦予劑)接觸時，即可成為具有多種多樣機能之材料。前述接觸，可採用選自：塗布方法及蒸塗方法或噴濺方法等之中的適當之方法。在塗布當中所使用 之溶劑，亦可使用與前述化合物α之塗布所例舉的相同之溶劑。當中之濃度、處理時間、處理溫度、後處理，亦可循用在前述化合物α之塗布時所例舉的技術精神。前述藥劑(機能賦予劑及/或反應性賦予劑)之膜厚，可適當地設定。前述化合物α與前述藥劑(機能賦予劑及/或反應性賦予劑)，係以：化學鍵、離子鍵、氫鍵、凡得瓦爾力、倫敦分散力等之密接力，形成鍵結。
[基板]
本發明中，對象之基板，可例舉各種例。例如：金屬材料。陶磁材料。有機高分子材料。無機高分子材料。或者，以前述材料複合的複合材料。形態方面亦無限定。舉例如：板、棒、柱、球、半球、架、纖維、絲、粉體、不織布、布、網、發泡體、膜、片、積層體等各種之形態均可使用。
前述金屬材料之例，可舉如：各種金屬、合金、形狀記憶合金、超彈性合金、機能性合金、非晶形金屬、或纖維強化金屬主體等。構成金屬材料之元素，可例舉如：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Nd。合金之例，可舉如：鐵合金(鋼(steel)、碳鋼、生鐵)、銅合金(磷青銅、黃銅、白銅、鈹銅、銅鈦合金)、鋁合金(由Al以外之合金成分為Cu、Mn、Zn、Ni等之群中適當選擇)、鎂合金(由Mg以外之合金成分為Zn、Ca等之群中適當選擇)、鋅合金、錫合金、鎳合金、金合金、銀合金、鉑合金、鈀合金、鉛合金、鈦合金(α 型、β型、α+β型合金)、鎘合金、鋯合金、鈷合金、鉻合金、鉬合金、鎢合金、錳合金、肥粒鐵系不銹鋼(ferrite stainless steel)、麻田散鐵系不銹鋼(martensitic stainless steel)、砷鋅鈣石(austinite)系不銹鋼、析出硬化型不銹鋼、鎳-鈦合金、鐵-錳-鈦合金、超彈性合金(鎳-鈦合金)等。當然，並不限定於此。
前述金屬材料，在以化合物α處理之前，係以，進行表面淨化為佳。可如以：濕式淨化(水系：純水、自來水、機能水；非水系：烴系、不燃性溶劑系)操作。亦可以乾式淨化(紫外線、臭氧、紫外線+臭氧、電漿、電暈放電、氬氣噴霧劑、液態二氧化碳)操作。
前述陶磁材料之例，可舉如：陶磁器(高嶺土、Gairome黏土、絹雲母(sericite)、長石(feldspar)、矽石、石英、氧化鋁等)、玻璃、水泥、石膏、琺瑯等。在組成上，可例舉如：氧化物系、鋯系、氫氧化物系、碳化物系、碳酸鹽系、氮化物系、鹵化物系、磷酸鹽系等。具體之例，可舉如：鈦酸鋇、Bi2Sr2Ca2Cu3O10、高溫超傳導陶磁、氮化硼、亞鐵酸鹽(ferrites)、鈦酸鋯酸鉛、碳化矽、氮化矽、塊滑石(steatite)、氧化鋅、氮化鋁、鎂橄欖石(forsterite)、堇青石(cordierite)、氮化矽(sialon)、機製陶磁(machinable ceramic)、鋯英石(zircon)、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鉛、富鋁紅柱石(mullite)、碳黑、碳白(white carbon)、氧化矽系矽藻土、燒成矽藻土、石英/矽石、白矽石(cristobalite)、高嶺土、高嶺土黏土、燒成黏土、滑石、白雲母、絹雲母、矽灰石(wollastonite)、蛇紋 石(serpentine)、葉蠟石(pyrophyllite)、碳酸鈣、重晶石(barite)、氧化鈦、鹼性碳酸鎂、白雲石(dolomite)、氧化鋁等。當然，並不限定於此。
前述陶磁材料，在以化合物α處理之前，係以，進行表面淨化為佳。可以如：濕式淨化操作。或者，亦可以乾式淨化操作。
前述有機高分子材料，代表者，係具有C-C鍵、及C-H鍵者。可例舉如：熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、纖維強化塑料、光硬化性樹脂、加硫橡膠、未交聯橡膠等。高分子所構成之骨架，有二維線狀構造、及三維網狀構造。二維線狀構造聚合物之例，可舉如：羥乙基纖維素等纖維素、二乙酸纖維素等纖維素酯(衍生物)、澱粉、乙酸乙烯酯、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯聚丙烯共聚物、石油聚合物樹脂、聚苯乙烯、間規聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、苯并呋喃-茚樹脂、萜烯樹脂、苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚(ABS)樹脂、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯腈、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚丙烯酸氰酯、聚乙酸乙烯酯、苯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂、聚乙烯醇、聚乙烯甲醛、聚乙烯乙醛、乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯化乙烯-乙烯共聚物、聚氟化乙烯、二氟乙烯-乙烯共聚物、二氟乙烯-丙烯共聚物、1,4-反聚丁二烯、1,2-反聚丁二烯、聚甲醛、聚乙二醇、聚丙二醇、酚-福馬林樹脂、甲酚-福馬林樹脂、間苯二酚樹脂、三聚氰胺樹脂、二甲苯樹脂、甲苯樹脂、甘酞樹 脂、改質甘酞樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚丁烯對苯二甲酸酯(PBT)、不飽和聚酯樹脂、聚酯丙烯酸酯、烯丙酯樹脂、聚碳酸酯(PC)、6-尼龍、6'6-尼龍、6'10-尼龍、聚醯亞胺(PI)、聚(對亞苯基苯四甲醯亞胺)、聚(對亞苯基聯苯基-3,4,3',4'-四羧醯亞胺)、聚(對亞苯基氧二苯二甲醯亞胺)、聚(對亞苯基二苯甲酮-3,4,3',4'-四羧醯亞胺)、聚(對亞苯基二苯基碸-3,4,3',4'-四羧醯亞胺)、聚(對亞苯基環丁烷-1,2,3,5-四羧醯亞胺)、聚醯亞胺(kapton)類、聚醯胺、聚苯并咪唑、聚醯胺醯亞胺、矽樹脂、加成硬化型聚矽氧膠、聚合硬化型聚矽氧膠(含側鏈乙烯基之聚矽氧烷、兩末端含乙烯基之聚矽氧烷)、縮合硬化型聚矽氧膠、加成硬化型聚矽氧樹脂、呋喃樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂(EP)、聚苯醚、聚二甲基苯醚、聚苯醚(或聚二甲基苯醚)與異三聚氰酸三烯丙酯之聚合物混合體、聚苯醚(或聚二甲基苯醚)與異三聚氰酸三烯丙酯及過氧化物之聚合物混合體、聚二甲苯、聚苯硫醚(PPS)、聚環烯烴(COP)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、液晶樹脂(LCP)、聚脲烷(U)、天然橡膠、1,4-順丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、聚氯丁二烯(polychloroprene)、苯乙烯-丁二烯共聚橡膠(SBR)、氫化苯乙烯-丁二烯共聚橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚橡膠(NBR)、氫化丙烯腈-丁二烯共聚橡膠、聚丁烯橡膠、聚異丁烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠(EPR)、乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM)、乙烯氧-表氯醇(epichlorohydrin)共聚橡膠、氯化聚乙烯橡膠、氯化碸化聚乙烯橡膠、烷基化氯化碸化聚乙烯橡膠、氯化丁二烯橡膠、氯化聚丙烯酸橡膠、溴化聚丙烯酸橡膠、 氟橡膠(FKM)、環氧氯丙烷及丙烯其共聚橡膠、氯化乙烯丙烯橡膠、氯丁烷橡膠、溴丁烷橡膠四氟乙烯、六氟丙烯與氟化亞乙烯及四氟乙烯等之單獨聚合物橡膠及其二元及三元共聚物橡膠、乙烯-四氟乙烯共聚橡膠、丙烯-四氟乙烯共聚橡膠、乙烯丙烯橡膠、過氧化物型矽氧橡膠、加成型矽氧橡膠、縮合型矽氧橡膠、環氧橡膠、聚胺酯橡膠(UR)、兩末端不飽和基合成橡膠等。前述高分子材料，多數之情形，係再含多種之：交聯劑、交聯促進劑、交聯助劑、自由基起始劑、陽離子起始劑、光聚合起始劑、抗焦劑、安定劑、抗老化劑、抗紫外線劑、填充劑、補強劑、塑形劑、軟化劑、著色劑、黏度調整劑等添加劑。三維網狀構造聚合物，係前述二維線狀聚合物中再添加交聯劑(視必要，同時，再以交聯促進劑及交聯助劑)之配合物，在熱及/或光存在下交聯而得(聚合物交聯型高分子)。當然，亦可以單體添加交聯劑(視必要，同時，再以交聯促進劑及交聯助劑)之配合物，在熱及/或光存在下聚合而得(單體交聯型高分子)。單體交聯型高分子中單體之例，可舉如：乙烯基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、環氧基、異氰酸酯基、或氧環丁基之類聚合性單體。其例如：胺酯丙烯酸酯系單體、環氧丙烯酸酯系單體、酯丙烯酸酯系單體、丙烯酸酯系單體、環氧系單體、乙烯醚系單體等。具體地，如丙烯酸酯類。其例如：丙烯酸正烷酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸-β-羥基乙酯、丙烯酸二乙二醇酯、丙烯酸聚乙二醇酯、丙烯酸-β-羥基丙酯、丙烯酸環氧丙酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、二丙烯酸三乙二醇 酯、二丙烯酸聚乙二醇酯、丙烯酸二烷基胺基乙酯、丙烯酸-2-氰基乙酯、丙烯酸-β-乙氧基乙酯、丙烯酸芳酯、丙烯酸苯甲醯氧基乙酯、丙烯酸苯甲酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸苯氧基二乙二醇酯、丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯、丙烯酸四氫呋喃酯、四氫呋喃醇與ε-己內酯之加成物之丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、二丙烯酸-1,4-丁二醇酯、二丙烯酸-1,6-己烷二醇酯、二丙烯酸-1,9-壬烷二醇酯、二丙烯酸新戊二醇酯、二丙烯酸三乙二醇酯、二丙烯酸四乙二醇酯、二丙烯酸聚乙二醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二丙烯酸羥基三甲基乙酸新戊二醇酯、二丙烯酸乙醛二醇酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇與ε-己內酯之加成物之二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷聚乙氧基化三丙烯酸酯(trimethylolpropane polyethoxylate triacrylate)、三羥甲基丙烷聚丙氧基化三丙烯酸酯、三丙烯酸新戊四醇酯、六丙烯酸二新戊四醇酯、二新戊四醇與ε-己內酯之加成物、六丙烯酸酯、磷酸丙烯醯氧基乙酯、氯化丙烯酸烷酯、丙烯酸磺酸基丙酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸丙二醇酯、二丙烯酸聚乙二醇酯、二丙烯酸-1,4-丁烷二醇酯、二丙烯酸-1,6-己烷二醇酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四丙烯酸新戊四醇酯、與丙烯酸加成反應所得到之環氧(甲基)丙烯酸酯、以丙烯酸-2-羥基乙酯與二醇及二異氰酸酯反應所得到之聚胺酯丙烯酸酯、以丙烯酸與多元羧酸及多元醇反應所得到之聚酯丙烯酸酯聚酯丙烯酸酯、胺酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚醇丙烯酸酯等。亦可如甲基丙烯酸酯類。其例如：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯 酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸第二丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-二甲基胺基乙酯、甲基丙烯酸-2-二乙基胺基乙酯、甲基丙烯酸-2-第三丁基胺基乙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸壬基苯酯、甲基丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸二環戊烯酯、甲基丙烯酸莰酯、二甲基丙烯酸-1,4-丁烷二醇酯、二甲基丙烯酸-1,3-丁烷二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、二甲基丙烯酸聚乙二醇酯、二甲基丙烯酸新戊基二醇酯、二甲基丙烯酸-1,6-己烷二醇酯、二甲基丙烯酸二丙二醇酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸丙三醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸丙二醇酯、二甲基丙烯酸聚乙二醇酯、二甲基丙烯酸-1,4-丁烷二醇酯、二甲基丙烯酸-1,6-己烷二醇酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、四甲基丙烯酸新戊四醇酯、與甲基丙烯酸加成反應所得到之環氧甲基丙烯酸酯、以甲基丙烯酸-2-羥基乙酯與二醇及二異氰酸酯反應所得到之聚胺酯甲基丙烯酸酯、以甲基丙烯酸與多元羧酸及多元醇反應所得到之聚酯甲基丙烯酸酯、聚醚甲基丙烯酸酯、聚醇甲基丙烯酸酯等。其他，亦可舉如：磷酸甲基丙烯醯氧基乙酯、磷酸-二-甲基丙烯醯氧基乙酯、芳酮氧環丁 烷(arone oxetane)、二[1-乙基(3-氧環丁基)]甲基醚、3-乙基-3-(己醯氧基甲基)氧環丁烷、亞苯二甲基二氧環丁烷、苯基氧環丁烷、氧環丁烷基矽倍半氧烷(oxetanyl silsesquioxane)、3-乙基-3-(庚氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-(2-乙基己醯氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-(辛氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-(十二碳烷氧基甲基)氧環丁烷、雙酚A、F型環氧單體、酚醛樹脂型環氧單體、甲苯二異氰酸酯等。當然，並不限定於此。聚合起始劑、交聯劑、交聯促進劑、交聯助劑方面各種類均可使用。其例如：過氧化物類、陽離子聚合起始劑、光起始劑、硫、硫系交聯促進劑、聚醇系交聯劑、聚胺系交聯劑、聚硫醇系交聯劑、丙烯酸酯系交聯助劑、甲基丙烯酸酯系交聯助劑、烯丙系交聯助劑等。具體地，可例舉如：偶氮二丁腈、二苯甲酮、米其勒酮、苯偶姻異丙基醚、氯化氧硫、異丙基氧硫、苯甲基二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-苯基丙烷。亦可如苯乙酮衍生物。其例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等。亦可如苯偶姻醚系化合物。其例如：苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚等。亦可如苯甲基二甲基縮酮等之縮酮衍生物化合物。其他，如：鹵化酮、氧化乙醯基膦、磷酸乙醯酯、氧化-二(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦、氯化苯基二甲基鋶、六氟磷酸三芳基鋶、三二硫醇系交聯劑、樹脂交聯劑、聚醇交聯劑、H末端矽氧烷交聯劑、矽烷醇縮合系交聯劑等。二苯并噻唑基二硫、4-N-啉基二硫代苯并噻唑、N-環己基-2-苯并噻唑基 碸烯醯胺、N-第三丁基-2-苯并噻唑基碸烯醯胺、N-氧基二亞乙基-2-苯并噻唑基碸烯醯胺、N-二異丙基-2-苯并噻唑基碸烯醯胺N-二環己基-2-苯并噻唑基碸烯醯胺、四甲基甲硫碳醯胺(thiuram)二硫、四乙基甲硫碳醯胺二硫、四丁基甲硫碳醯胺二硫、四辛基甲硫碳醯胺二硫、胺類、六亞甲基四胺Zarigen、四級銨鹽、鏻鹽、二烷基錫有機酸鹽、鈦酸鹽、聚乙二醇、氯化鈦酸、氯化鋅、氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇、氧化鋁、氫氧化鈣、氧化錫、氧化鐵、氫氧化鈣、碳酸鈣、碳酸鎂、脂酸鈉、辛酸鈣、異辛酸鉀、丁醇鉀、辛酸銫、異硬脂酸鉀、聚乙二醇、聚丙二醇、己烷二醇、環己烷二醇、十二碳烷二醇、六亞甲基二胺、十二碳烷二胺、末端二胺基聚乙二醇、末端二胺基聚丙二醇、苯二硫醇、己烷二硫醇、1,10-癸烷二硫醇、1,12-十二碳烷二硫醇、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、二烯丙醚、異三聚氰酸三烯丙酯、三聚氰酸三烯丙酯。三維網狀構造聚合物(熱硬化性樹脂、交聯橡膠)，可如相對於二維線狀聚合物(或低分子單體)100重量份，各添加：交聯劑、交聯劑促進劑及交聯助劑，0.1至20重量份(又以，0.5至10重量份為佳)之組成物，在20至350℃之溫度下，持續0.1秒至200分鐘，以軋輥加工、壓光輥加工、模壓加工、壓出加工及射出成形加工而得到者。二維線狀構造聚合物(熱塑性樹脂、未交聯橡膠)可以一般已知之方法得到。光硬化樹脂，可相對於光硬化所構成之組成物，在大氣中、氮氣中、氬氣中、或減壓中，以UV裝置(如：高壓汞UV燈、低壓汞UV燈、螢光式UV 燈(短弧氙氣燈、化學燈)、金屬鹵素燈)，以10mJ/m2至20kJ/m2之比例，以200至400nm範圍之紫外線照射而得到。構成光硬化樹脂的組成物，可含如光聚催化劑。其量，相對於具有如環氧基之化合物100重量份，以0.01至5重量份為佳。在光聚催化劑之配合比例低而未達0.01重量份時，即使照射光，亦無法使環氧基之開環反應充分進行。但即使以高而超過5重量份配合時，反應亦不會更改善。加硫橡膠，可以包含玻璃態轉變溫度為-20℃以下的線狀聚合物、交聯劑、及交聯促進劑等設定成分的組成物，在0至300℃(係以，60至180℃較佳)之溫度下，維持在0.1至120分鐘(係以，5至60分鐘較佳)而得到。在溫度低之情形時，所費的時間過多，會使生產性變差。相反地，在溫度高的情形時，會使所費之能量成本過高。因此，可以如上述之條件進行。高分子材料之例可舉如塗膜。但，單獨塗膜之情形少。亦即，塗膜以複合材之情形為多。塗膜，一般，可以二維線狀聚合物(熱塑性樹脂)再混合交聯劑、交聯促進劑、交聯助劑、溶劑，加以塗布、乾燥而得。亦可視必要，進行聚合處理。前述有機高分子材料，亦可視必要，含填充劑、機能性添加劑。機能性添加劑係表現設定的機能之添加劑。機能性添加劑亦可為補強劑。前述藥劑之例，可舉如：碳黑、碳酸鈣、滑石、扁平滑石、Mistron滑石、黏土、高嶺土、扁平高嶺土、纖維素、矽藻土、扁平黏土、高嶺土、玻璃、鈦酸鋇、鈦酸鎢、雲母、氧化矽。補強劑之例，可舉如：嫘縈、尼龍、聚酯、維尼龍(vinylon)、鋼、克維拉纖維(Kevlar)、碳纖維、玻璃纖維等。此等物種可為纖維之形態，亦可為布之 形態。其他，亦可舉銅、鎳、銀、金、錫、碳等之粉體。亦可舉導電材。亦可舉氧化鋁、氮化矽、氮化氧化鋁、碳化矽、鑽石等之傳熱材料。添加量，為視乎目的之量。亦有使用安定劑(抗老化劑、抗紫外線劑)之情形。安定劑，可提高高分子材料的信賴性。舉例如：胺/酮系縮合物(如：聚(2,2,4-三甲基-1-,2-二氫醌)、6-乙氧基-1,2-二氫-2,2,4-三甲基醌等)、芳族二級胺化合物(如：辛烷二苯基胺、4,4-二(α,α-二甲基苯甲基)二苯基胺、N,N-二苯基對苯二胺、N-苯基-N'-異丙基對苯二胺、N-苯基-N'-異丙基-1,3-二甲基丁基對苯二胺等)、單及雙酚系化合物(如：苯乙烯化酚、2,6-二第三丁基-4-酚、丙烯酸-2-第三丁基-6-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯甲基)-4-甲基苯酯、2,2-亞甲基二(4-甲基-6-第三丁基酚)、4,4-硫二(3-甲基-6-第三丁基酚)2,5-二第三丁基氫醌等)、2-氫硫基苯并咪唑、2-Zn-氫硫基苯并咪唑、二甲基二硫胺基甲酸鎳、1,3-二(二甲基胺基丙基)硫化尿素、二丙酸二月桂基-3,3-硫、亞磷酸三(壬基化苯)酯、2-(4-羥基-3,5-第三丁基)苯胺基-1,3,5-三-4,6-二硫醇、2-(4-苯基胺基)苯胺基-1,3,5-三-4,6-二硫醇、2-(N-苯胺基苯基)-N'-異丙基胺基-1,3,5-三-4,6-二硫醇、4-二(N-苯胺基苯基-N'-異丙基胺基)-1,3,5-三-6-硫醇、2,4-二(N-苯胺基苯基-N'-異丙基胺基)-1,3,5-三-6-硫醇、1,3,5-三-2,4,6-三硫醇、二(2,4-二硫醇-1,3,5-三基-6-胺基)苯、2-三乙氧基矽基丙基胺基-1,3,5-三-4,6-二硫醇等。特別，以使用具有抗氧化劑的三硫醇等硫系或磷系或磷系化合物為佳。添加量，為依照目的之量。
前述複合材料，係前述金屬材料與前述陶磁材料 及前述高分子材料適當之組合。舉例如，在金屬材料的表面設置陶磁材料者。在金屬材料的表面設置高分子材料者。在陶磁材料的表面設置金屬材料者。在陶磁材料的表面設置高分子材料者。其他又有各種的組合。在構成組合時，係由材料A與材料B接合而構成。當然，並不限定於此。在複合材料係由前述接合所構成時，各個材料以預先進行淨化處理為佳。或者，如以矽烷偶合劑等處理為佳。
之後以經過前述表面處理劑處理的基板之一方為被接著體，以另一方之前述表面處理劑處理(或者，未經處理)的基板為接著體，藉由使兩者接合，即可得到各種各樣的複合製品。此等材料再以非電解電鍍液浸漬(或者，噴霧)，繼之再電氣電鍍，即可得到電鍍製品。該電鍍後之鍍金屬性製品再以光阻劑材塗布，並將電鍍膜蝕刻即可製作成電路基板。在該基板之表面造成溝或流道，經過疏水化後(或者，親水化後)再貼合在同一材料時，即可簡單地製作成疏水化(或者，親水化)的微流道。在賦予導電性複合體、磁性複合體、或熱導性複合體接著性時，金屬材料、陶磁材料、高分子材料、或複合性高分子材料，即可以不定形體接合(加工接合及交聯接合)或非不定形體接合(組裝接合)。本發明在電子機器、材料範疇、汽車範疇、自動控制儀器範疇、建築/建設範疇、環境/能源範疇等多種之產業範疇中，可有效用。數位機器、隨身/行動通訊機器、高射頻組件機器、網路機器，近年來，快速地發展為多機能化、高性能化、小型化。其實現手段之一，係以將個人電腦及SoC、記憶體等複數之晶片收容在一封裝體中之 SiP(System in Package)製品、CoC製品等加以擴大。因此須要使機器更高性能化及高機能化具體化的SiP技術。而為使高性能化及高機能化具體化不可缺少微小部分接合技術之進化。在此範疇方面本發明可有效用。
實施例
以下，再具體舉實施例，說明本發明。但，本發明並不只限定於以下之實施例。只要非大為損及本發明之特點，當然無須說明各種變形例及應用例亦包含在本發明中。
[實施例1]
先將2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(TEDC)及N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(TEDDA)，依照以下之反應式(1-1)及反應式(1-2)，進行合成。
之後在500mL之三口燒瓶中，將磁攪拌粒、及三聚氰氯(CC：18.325g；99.37mmol：關東化學工業公司製造)加入。之後裝設溫度計及滴液漏斗。並取代燒瓶內為氬氣。當中，再加入THF(200mL)。並冷卻為-20℃。之後，將3-三乙 氧基矽基丙基胺(28mL；120mmol：窒素公司製造)/THF(20mL：關東化學工業公司製造)溶液，在30分鐘之間，徐徐地，滴入。在滴入後，再以三乙胺(17mL；122mmol：和光純藥工業公司製造)/THF(20mL：關東化學工業公司製造)溶液，在30分鐘之間，徐徐地，滴入。滴入後，再於-20℃下進行攪拌1小時。反應後，再過濾去除副產物的三乙胺鹽酸鹽。之後，以旋轉抽氣機進行濃縮、減壓乾燥。經由該操作，即可得到粗精製物。之後對前述粗精製物以矽膠管柱層析(展開溶劑：氯仿)精製。可得到精製物2,4-二氯-6-(3-乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(31.820g；84.96mmol)之淡黃色油狀物。其NMR數據等如下。
1H NMR(400 MHz,CDCl3)d 0.67(t,J=8.0 Hz,2H,CH 2CH2Si),1.24(t,J=6.9 Hz,9H,SiOCH2CH 3),1.73(quint,J=8.0 Hz,2H,CH2CH 2CH2),3.49(q,J=8.0 Hz,2H,NHCH 2CH2),3.83(q,J=6.9 Hz,2H,SiOCH 2CH3),6.60(brs,1H,NH)
元素分析值：測定值(%)：C：38.81,N：15.01,H：6.02；計算值(%，以C12N4H22O3SiCl2計算)：C：39.02,N：15.17,H：6.00
其次，在300mL之三口燒瓶中，置入磁攪拌粒、及乙烷二胺(11mL；165mmol：東京化成工業公司製造：經過分子篩精製)。之後將燒瓶內取代為氬氣。並將2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(7.821g；21.18mmol)及THF(60mL)之混合溶液，滴入。在滴入後，再將反應溶液徐徐加熱至90℃。之後，持續進行反應17小時。然後，再冷卻至室溫。並通過矽藻土，進行抽氣過濾。該濾液並以旋轉抽氣 機濃縮。之後，進行減壓乾燥。並以矽膠管柱層析進行精製。經由該操作，即可得到淡黃色油狀物之N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(TEDDA，6.063g；生產率：69%)。該所得到的化合物之鑑定係進行元素分析、NMR光譜、MS測定。元素分析值N%係以Perkin Elmer 2400CHN型分析儀，NMR光譜測定係以日本Bruker AC400P，MS係以JEOL JMS-700進行。
1H NMR(400 MHz,DMSO-d 6 )d 0.52(brt,J=8.0 Hz,2H,CH2CH 2Si),1.12(t,J=7.0 Hz,9H,SiOCH2CH 3),1.36(brs,4H,CH2NH 2),1.50(brs,2H,CH2CH 2CH2),2.60(brt,J=5.6 Hz,4H,NCH2CH 2N),3.15(brs,6H,CH 2CH2CH2及NCH 2CH2N),3.72(q,J=7.0 Hz,6H,SiOCH 2CH3),6.39(brs,3H,NHCH2×3)
13C NMR(101 MHz,DMSO-d 6 )d 7.4,18.2,22.9,41.6,42.7,43.6,57.6,165.6,165.8
MS(70 eV)m/z 416(M+)
元素分析結果：測定值(%)：C：46.06,N：26.61,H：8.48；計算值(%，以C16N8H38O3Si計算)：C：46.13,N：26.90,H：8.71
[實施例2]
係依照以下之反應式進行反應。
先在200mL之三口燒瓶中，加入磁攪拌粒、及聯 胺一水和鹽(4.0mL；82mmol，東京化成工業公司製造)。之後將燒瓶內取代為氬氣。並冷卻為0℃。在該狀態下，再滴入2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(3.734g；10.11mmol)與乙醇(50mL)之混合溶液。滴入後，再將反應溶液徐徐加熱至50℃。之後，持續在50℃下進行反應2小時。反應後，以抽氣過濾分離析出之白色固體。並以管柱層析進行精製。經由該操作，即可得到無色粉末之6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二聯胺基-1,3,5-三(DTEDH，3.403g；9.44mmol；生產率：93%)。該化合物，在與空氣接觸時，會吸收空氣中的二氧化碳，而析出，再以NMR分析結果可知為目的之化合物。NMR數據等如下。
1H NMR(400MHz,DMSO-d 6 )d 0.53(brt,J=8.0 Hz,2H,CH2CH 2Si),1.12(t,J=6.9 Hz,9H,SiOCH2CH 3),1.50(quint,J=8.0 Hz,2H,CH2CH 2CH2),3.18(brs,2H,NCH 2CH2),3.31(brs,4H,NHNH 2),3.72(q,J=6.9 Hz,6H,SiOCH 2CH3),6.73(brs,1H,NHCH2CH2),7.58(brs,2H,NHNH2)；13C NMR(101 MHz,DMSO-d 6 )d 7.3,18.2,22.8,42.6,57.6,165.3,167.4
元素分析結果：測定值(%)：C：40.12,N：30.81,H：7.68；計算值(%，以C12N8H28O3Si計算)：C：39.98,N：31.09,H：7.83
[實施例3]
反應式(4)
先以三聚氰氯(CC)及二(N,N'-三乙氧基矽基丙基)胺合成DTEDC。之後，再於乙醇及三乙胺(TEA)存在下，使DTEDC與乙烷二胺進行反應。並進行反應溶液之過濾。之後，於減壓為1至10mmHg下，蒸餾去除溶劑及未反應之乙烷二胺。再將該物溶解在甲醇溶液中，並加入活性碳脫色。經過濃縮後，以矽膠管柱層析進行精製。經過濃縮，可得到淡黃色之漿液。該物，由元素分析數據、NMR光譜等，可知為2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三(DTEDEA)。
[實施例4]
先以三聚氰氯(CC)及二(三乙氧基矽基丙基)胺合成DTEC。之後，再於乙醇及三乙胺(TEA)存在下，使DTEC與乙烷二胺進行反應。再進行反應溶液之過濾。之後，於減壓為10mmHg下，蒸餾去除溶劑及未反應之乙烷二胺。再將該物溶解在甲醇溶液中。並加入活性碳進行脫色。經過濃縮後，以 矽膠管柱層析進行精製。經過濃縮，可得到淡黃色之漿液。該物，由元素分析數據、NMR光譜等，可知為2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(DTEEA)。
[實施例5]
係以實施例1之化合物(TEDDA)進行表面處理之例。
先準備10mm×20mm×0.1mm之基板。前述基板，為Ti板、Mo板、Ni板、Cu板、Al板、Ag板、Pt板、Sn板、SUS316板、黃銅板。亦即，準備10種基板。之後對各基板，在乙醇中、40℃下，持續進行超音波脫脂15分鐘。之後，再以乙醇進行潤洗。以此操作，使表面淨化。在淨化後，再於真空乾燥箱中進行乾燥。
之後將上述處理後之基板，浸漬在含TEDDA(0.1wt%)的水溶液中。經過10分鐘後，將基板取出。之後，以蒸餾水充分潤洗。然後，在20℃之乾燥箱中於真空下(0.1mmHg以下)持續放置24小時。
上述處理後，再進行TEDDA處理基板之XPS分析。XPS分析裝置為線光電分光分析儀(ULVAC-PHI公司製造：PHI-Quntera SXM Scanning X-ray Microprobe，照射角度145度)。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用胺基丙基三乙氧基矽烷(APS：AZmax公司製造之AIS 0610.0)，並同樣操作。
XPS分析之結果如下述表-1所示。
由表-1可知如下之情形。TEDDA處理基板，與APS處理基板比較，整體上，表面金屬濃度及氧濃度減少，並且，氮濃度及矽濃度大幅增加。此顯示，相對於TEDDA強力吸著(鍵結)在基板表面上，APS幾乎未吸著(鍵結)在基板表面上。再者該分析中X線之照射角度為45度，大約，可測定自最表面至7nm深的元素。由於TEDDA處理基板之表面分析可充分觀察到金屬原子，可知TEDDA膜之厚度為7nm以下。由於在XPS分析中之測定為10-6Pa以下，可以瞭解TEDDA在基板上，係以比一般分子間力更高之鍵結力(可與化學鍵匹敵之鍵結力)，吸著(鍵結)。
[實施例6]
係以實施例1之化合物(TEDDA)進行表面處理之例。
先準備10mm×10mm×0.1mm之基板。前述基板，為氧化鋁板、碳化矽板、氮化鋁板、氧化鋅板、碳板、玻璃板、氧化鋯板、陶磁器板、水泥板、石膏板。亦即，準備10種基板。之後，再進行與前述實施例5相同之處理。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用胺基丙基三乙氧基矽烷(APS)，並同樣操作。
XPS分析之結果如下述表-2所示。
由表-2可知如下之情形。TEDDA處理基板，與APS處理基板(比較例)比較，整體上，表面金屬濃度及氧濃度減少，並且，氮濃度及矽濃度大幅增加。AlN板係由Al及N所構成，SiC板係由Si及C所構成，因此前述之傾向並不顯著，但仍同樣可觀察到。亦即，可知在陶磁材料表面上TEDDA係強力地吸著(鍵結)。再者該分析中X線之照射角度為45度，大約，可測定自最表面至7nm深的元素。由於TEDDA處理基板之表面分析可充分觀察到金屬原子，可知TEDDA膜之厚度為7nm以下。由於在XPS分析中之測定為10-6Pa以下，可以瞭解TEDDA在基板上，係以比一般分子間力更高之鍵結力(可與化學鍵匹敵之鍵結力)，吸著(鍵結)。
[實施例7]
係以實施例1之化合物(TEDDA)進行表面處理之例。
先準備10mm×20mm×0.2mm之基板。前述基板，為聚乙烯板(PE：LD-PE：07-127-01，HAGITECH公司製造)、聚丙烯板(PP：KOKUGO公司製造：07-175-04)、聚四氟乙烯板(PTFE：NO.903UL，日東電工公司製造)、聚甲醛(polyoxymethylene)板(POM：Duracon M25-44，Polyplastic公司製造)、尼龍板(PA6：P07-142-04，KOKUGO公司製造)、聚乙烯-2,6-萘酸酯板(PEN：帝人Du Pont Film公司製造：Teonex(R))、聚對苯二甲酸乙二酯板(PET：TORAYCON，Toray公司製造)、聚醚醚酮板(PEEK：PEEK 450G，八十島Proceed公司製造)、聚苯硫板(PPS：C-130SG，出光興產公司製造)、及聚碳酸酯板(PC：07-145-04，KOKUGO公司製造)、聚醯亞胺板(PI： Kapton，Du Pont-Toray公司製造)、聚胺酯板(UR：07-007-01，KOKUGO公司製造)。之後，再進行與前述實施例5同樣之處理。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用胺基乙基胺基丙基三乙氧基矽烷(AEPS，AZmax公司製造之SIT 8398.0)，並同樣地處理。
XPS分析之結果如下述表-3所示。
由表-3可知如下之情形。TEDDA處理基板，與AEPS處理基板(比較例)比較，表面碳濃度及氧濃度減少，並且，氮濃度及矽濃度大幅增加。氮濃度方面，除含氮之PA6以外，經由TEDDA處理，所有，均大幅增加。當中並未使用含矽之樹脂，但本發明之情形，全部，含矽。PTFE，由於吸著量少，明顯地，係以相當之密接力鍵結。此情形，顯示TEDDA強力吸著於樹脂材料表面。再者該分析中X線之照射角度為45度，大約，可測定自最表面至7nm深的元素。因此，可知TEDDA膜之厚度為7nm以下。由於在XPS分析中之測定為10-6Pa以下，可以瞭解TEDDA在基板上，係以比一般分子間力更高之鍵結力(可與化學鍵匹敵之鍵結力)，吸著(鍵結)。
[實施例8]
係以實施例1之化合物(TEDDA)進行表面處理之例。
先準備：乙烯丙烯二烯橡膠(EPDM，JSR-EP)、矽氧橡膠板(Q：SH-851U，Dow Corning Toray公司製造)、苯乙烯丁二烯橡膠(SBR：Nipol 1500，日本ZEON公司製造)、腈丁二烯橡膠(NBR：DN300，日本ZEON公司製造)、含氟橡膠(FKM：G-901，Daikin工業公司製造)。再於此等材料中，混合FEF黑(東京材料公司製造)、DCP、及ZnO，再以雙軸輥混拌。如此操作，得到厚度2mm之未交聯橡膠片。再將此等未交聯橡膠片重複置入金屬模中，以真空熱加壓裝置(Mikado Technos公司製造：Vacuum Boy VM01-1010VM)，在160℃下，以30分鐘、2MPa壓力加壓。如此操作，進行交聯。之後可得到各種橡膠製之基板。之後，再進行與前述實施例5同樣之處理。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用胺基乙基胺基丙基三乙氧基矽烷(AEPS，AZmax公司製造之SIT 8398.0)，並同樣地處理。
XPS分析之結果如下述表-4所示。
由表-4可知如下之情形。在交聯橡膠材料中，Q(交聯矽氧橡膠)為矽、NBR為氮包含在材料中為構成成分。然而，其他橡膠並未含矽及氮。因此，可知在TEDDA處理基板及未處理基板的表面分析中，N、Si之存在/增加係由於TEDDA與交聯橡膠反應(或者，強力吸著)而存在於表面上。令人驚奇的是TEDDA竟可鍵結(吸著)在表面分子鏈振動的橡膠上。
[實施例9]
係以實施例1之化合物(TEDDA)進行表面處理之例。
當中基板為複合材料。亦即，以表-5中所載之填充劑混合在Q、PE、SBR、PA6、及PPS等之高分子材料中。對Q及SBR填充劑之混合係以雙軸輥，對PE及PA6填充劑之混合係以混拌機操作。同時，在120℃至180℃之溫度下持續經金屬模進行加壓成形，而得到10mm×20mm×0.1mm之基板。之後，再進行與前述實施例5同樣之處理。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用胺基乙基胺基丙基三乙氧基矽烷(AEPS，AZmax公司製造之SIT 8398.0)，並同樣地處理。
XPS分析之結果如下述表-5所示。
由表-5可知如下之情形。複合材料中，Q(交聯矽氧橡膠)係含Si、NBR以N為構成成分但其他者並未含Si、N。因此，可知在TEDDA處理複合材料及未處理複合材料的表面分析中，N、Si之存在及增加係由於TEDDA在複合材料的表面反應(或者，強力吸著)而存在。
[實施例10]
先準備：實施例5d之基板(TEDDA處理Cu板)、實施例5e之基板(TEDDA處理Al板)、實施例5i之基板(TEDDA處理SUS316板)、實施例6f之基板(TEDDA處理SiO2板)、經過與實施例7同樣處理之PI板(PI：Kapton，Du Pont-Toray公司製造)、經過與實施例7同樣處理之UR板(UR：07-007-01，KOKUGO公司製造)。
並準備：實施例5d中使用之Cu板、實施例7b中使用之PP板、實施例8b中使用之Q板。但並不進行TEDDA處理。之後再對此等基板進行超音波脫脂(在乙醇中，40℃，15分鐘)。然後，以乙醇進行潤洗。同時，進行電暈放電處理(信光電氣計測公司製造之Corona Master，功率電壓：9kV(表面電壓)，振動頻率數：20kHz，溫度：20℃)。
再將上述TEDDA處理基板、及上述TEDDA未處理基板，以夾TEDDA膜，對向配置。之後，再以1MPa壓力加壓。加壓溫度為120℃。加壓時間為10分鐘。
先準備：經過與實施例7同樣處理之PI板(PI：Kapton，Du Pont-Toray公司製造)、實施例5i之基板(TEDDA處理SUS316板)。
之後對TEDDA處理SUS316板(實施例5i之基板)，又再，以聚丙烯酸聚胺酯系塗料(U：Uletcort，複合資材公司製造)塗布。之後，再進行硬化處理(50℃，24小時)。然後，以與實施例5i同樣地，於聚丙烯酸聚胺酯系塗膜上以TEDDA水溶液進行表面處理。
此等TEDDA處理基板，再浸漬(溫度：25℃，時間：1分鐘)於：催化劑處理液(上村工業公司製造之NP-8：150mL/L，HCl：150mL/L)中。藉由此操作，可在表面上負載Pd-Sn催化劑。負載該Pd-Sn催化劑之基板，再浸漬(溫度：33℃，時間：20分鐘)於：非電解銅電鍍浸液(上村工業公司製造之Thru Cup PSY-1A：100mL/L，Thru Cup PSY-1B：55mL/L，18.5%福馬林水溶液：20mL/L)中。之後，再進行電氣電鍍。該電氣電鍍中所使用之電解浸液，為上村工業公司製造之Thru Cup ETN浸液(CuSO4˙5H2O：80g/L，H2SO4：200g/L，Cl-：50ppm)、Thru Cup ETN-1A浸液(1mL/L)、Thru Cup ETN-1B浸液(10mL/L)。電流為2.5A/dm2。時間為60分鐘。溫度為25℃。如此操作所得到之Cu電鍍膜的厚度為30μm。
取代上述TEDDA，比較例中，係使用AEPS(AZmax公司製造)，並同樣地處理。
之後再對本實施例中所得到之試驗品，進行下述之測定，其結果如表-6所示。接著強度(密接強度)之測定，係使用剝離試驗裝置(島津製作所製造之Auto Graph P-100)。測定時之剝離速度條件為5mm/min。
由表-6可知，以本發明所構成之試驗品，接著強度(密接強度)極大。
[實施例11]
先在500mL之三口燒瓶中，加入磁攪拌粒、及N,N-二甲基乙烷二胺(20.0g；0.230mmol)。之後將燒瓶內取代為氬氣。再於其中，加入THF(200mL)。並滴入，2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(8.3g；22.5mmol)與THF(100mL)之混合溶液。滴入後，再將反應溶液徐徐加熱至90℃。之後，持續進行反應8小時。然後，冷卻至室溫。再通過矽藻土，進行抽氣過濾。該濾液並以旋轉抽氣機濃縮。之後， 進行減壓乾燥。經由該操作，即可得到淡黃色油狀物之N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(9.1g；生產率：86%)。該所得到的化合物之鑑定係進行元素分析、NMR光譜、MS測定。元素分析值N%係以Perkin Elmer 2400CHN型分析儀，NMR光譜測定係以日本Bruker AC400P，MS係以JEOL JMS-700進行。
1H NMR(400 MHz,CDCl3)d 0.65(t,2H,CH2CH 2Si),1.22(t,9H,SiOCH2CH 3),1.66(quint,2H,CH2CH 2CH2),2.29(s,12H,CH2NCH 3),2.57(t,4H,NHCH2CH 2),3.34-3.40(m,6H,NHCH 2CH2),3.82(q,6H,SiOCH 2CH3),13C NMR(101 MHz,CDCl3)d 7.7,18.2,23.1,37.7,37.9,43.2,45.1,58.2,165.5,165.9
MS(CI+)m/z 472(M+1)
元素分析結果：測定值(%)：C：50.78,N：23.61,H：9.45；計算值(%，以C20H44N8O3Si計算)：C：50.82,N：23.70,H：9.38
[實施例12]
先在300mL之三口燒瓶中，加入磁攪拌粒及1,6-己烷二胺(46.5g；0.40mol)。之後將燒瓶內取代為氬氣。再於其中，加入THF(80g)。並滴入，2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺 基-1,3,5-三(14.8g；0.04mol)與THF(20g)之混合溶液。滴入後，再將反應溶液徐徐加熱。之後，在循環下持續進行反應5小時。然後，冷卻至室溫。再通過矽藻土，進行抽氣過濾。該濾液並以旋轉抽氣機濃縮。之後，進行減壓乾燥。經由該操作，即可得到淡黃色油狀物之N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(TEDHDA，19.9g；生產率：94%)。該所得到的化合物之鑑定係進行元素分析、NMR光譜、MS測定。元素分析值N%係以Perkin Elmer 2400CHN型分析儀，NMR光譜測定係以日本Bruker AC400P，MS係以JEOL JMS-700進行。
1H NMR(400 MHz,CDCl3)d 0.66(t,2H,CH2CH 2Si),1.22(t,9H,SiOCH2CH 3),1.34-1.54(m,16H,CH 2(CH2)4CH2),1.66(t,2H,CH 2CH2Si),2.67(t,4H,CH2CH 2NH2),3.32(brs,6H,NHCH 2CH2),3.81(q,6H,SiOCH 2CH3)
13C NMR(101 MHz,CDCl3)d 7.7,18.2,23.1,26.6,29.8,33.8,40.5,42.1,43.2,57.86,58.2,166.1
MS(FAB+)m/z 529(M++1)
元素分析結果：測定值(%)：C：54.62,N：21.01,H：10.01；計算值(%，以C24H52N8O3Si計算)：C：54.51,N：21.19,H：9.91
[實施例13]
先在300mL之三口燒瓶中，加入磁攪拌粒及三(2-胺基乙基)胺(29.3g；0.20mmol)。之後將燒瓶內取代為氬氣。再於其中，加入THF(40g)。並滴入，2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(7.8g；0.02mol)與THF(10g)之混合溶液。滴入後，再將反應溶液徐徐加熱至90℃。之後，持續進行反應8小時。然後，冷卻至室溫。再通過矽藻土，進行抽氣過濾。該濾液並以旋轉抽氣機濃縮。之後，進行減壓乾燥。經由該操作，即可得到淡黃色油狀物之N,N'-二{2-[二-(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(TEBTTA，11.2g；生產率：95%)。該所得到的化合物之鑑定係進行元素分析、NMR光譜、MS測定。元素分析值N%係以Perkin Elmer 2400CHN型分析儀，NMR光譜測定係以日本Bruker AC400P，MS係以JEOL JMS-700進行。
1H NMR(400 MHz,DMSO d 6 )d 0.53(brs,2H,CH2CH 2Si),1.06(t,8H,CH2CH2NH 2),1.13(t,9H,SiOCH2CH 3),1.51(brs,2H,CH 2NCH 2CH 2NH2),2.36-2.54(m,20H,CH 2NCH 2CH 2NH2),3.23(m,6H,NHCH 2CH2),3.72(q,6H,SiOCH 2CH3),6.12-6.48(m,3H,NH)
13C NMR(101 MHz,DMSO d 6 )d 7.8,18.6,23.3,54.3,56.4,58.1,58.4,79.6,166.1
MS(FAB+)m/z 588(M+1)
元素分析結果：測定值(%)：C：48.88,N：28.55,H：9.47；計算值(%，以C24H56N12O3Si計算)：C：48.95,N：28.54,H：9.59
[實施例14]
先在500mL之三口燒瓶中，加入磁攪拌粒及1,12-十二碳烷二胺(40.1g；0.20mol)。之後將燒瓶內取代為氬氣。再於其中，加入THF(200g)。並滴入，2,4-二氯-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三(7.8g；0.02mol)與THF(10g)之混合溶液。滴入後，再將反應溶液徐徐加熱。之後，在循環下持續進行反應10小時。然後，冷卻至室溫。再通過矽藻土，進行抽氣過濾。該濾液並以旋轉抽氣機濃縮。之後，進行減壓乾燥。經由該操作，即可得到無色油狀物之N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺(TEDDDA，13.1g；生產率：94%)。該所得到的化合物之鑑定係進行元素分析、NMR光譜、MS測定。元素分析值N%係以Perkin Elmer 2400CHN型分析儀，NMR光譜測定係以日本Bruker AC400P，MS係以JEOL JMS-700進行。
1H NMR(400 MHz,CDCl3)d 0.65(t,2H,CH2CH 2Si),1.20(t,9H,SiOCH2CH 3),1.26-1.51(m,2H,CH2CH 2CH2),1.66(brs,2H,CH 2CH2Si),2.67(t,4H,CH2CH 2NH2),3.31(brs,6H,NHCH 2CH2),3.82(q,6H,SiOCH 2CH3)
13C NMR(101 MHz,CDCl3)d 7.6,8.7,18.2,23.1,26.8,29.5,30.2,33.7,40.5,42.1,43.16,57.3,58.3,165.9
MS(FAB+)m/z 697(M++1)
元素分析結果：測定值(%)：C：54.62,N：21.01,H：10.01；計算值(%，以C24H52N8O3Si計算)：C：54.51,N：21.19,H：9.91
同時，再以前述[0022]等所例舉之其他化合物同樣地合成。
[實施例15]
先準備：實施例5d中所使用之Cu板。當中使用：TEDDA(實施例1)、DTEDH(實施例2)、DTEDEA(實施例3)、DTEEA(實施例4)、TEDDMA(實施例11)、TEDHDA(實施例12)、TEBTTA(實施例13)、TEDDDA(實施例14)。然後，進行與實施例5同樣之表面處理。
再準備：實施例7b中所使用之PP板。但不以化合物α進行處理。再對該基板進行超音波脫脂(在乙醇中，40℃，15分鐘)。然後，以乙醇進行潤洗。同時，進行電暈放電處理(信光電氣計測公司製造之Corona Master，功率電壓：9kV(表面電壓)，振動頻率數：20kHz，溫度：20℃)。
再將以上述各化合物處理之Cu基板、及上述未處理之PP 基板，夾各化合物膜，對向配置。之後，再以1MPa壓力加壓。加壓溫度為120℃。加壓時間為10分鐘。
先準備：PI板(PI：Kapton，Du Pont-Toray公司製造)。當中使用：TEDDA(實施例1)、TEDHDA(實施例12)、TEBTTA(實施例13)、TEDDDA(實施例14)。然後，進行與實施例5同樣之表面處理。
此等處理基板，再浸漬(溫度：25℃，時間：1分鐘)於：催化劑處理液(上村工業公司製造之NP-8：150mL/L，HCl：150mL/L)中。藉由此操作，可在表面負載Pd-Sn催化劑。負載該Pd-Sn催化劑之基板，再浸漬(溫度：33℃，時間：20分鐘)於：非電解銅電鍍浸液(上村工業公司製造之Thru Cup PSY-1A：100mL/L，Thru Cup PSY-1B：55mL/L，18.5%福馬林水溶液：20mL/L)中。之後，再進行電氣電鍍。該電氣電鍍中所使用之電解浸液，為上村工業公司製造之Thru Cup ETN浸液(CuSO4‧5H2O：80g/L，H2SO4：200g/L，Cl-：50ppm)、Thru Cup ETN-1A浸液(1mL/L)、Thru Cup ETN-1B浸液(10mL/L)。電流為2.5A/dm2。時間為60分鐘。溫度為25℃。如此操作所得到之Cu電鍍膜的厚度為30μm。
之後再對本實施例中所得到之試驗品，進行下述之測定，其結果如表-7所示。接著強度(密接強度)之測定，係使用剝離試驗裝置(島津製作所製造之Auto Graph P-100)。測定時之剝離速度條件為5mm/min。
由表-7可知，本發明之試驗品，接著強度(密接強度)極大。
在實施例1中，除變更乙烷二胺(11mL)為乙烷二胺(7mL)以外，進行同樣之操作。結果，可得到TEDDA之單體與TEDDA之二聚物(參照前述[0027]中所載之通式)的混合物。亦即，得到單體與二聚物的混合物(混合比例係依照乙烷二胺之量變化。)。由該混合物並無法簡單地分離二聚物。之後，再與實施例5相同以前述混合物進行表面處理。該表面處理之結果與實施例5的表面處理之結果相同。
本發明之表面處理劑，可使用在多種基板上，因此可知具有多樣性。
由於設置在基板表面的化合物α富於反應性，利用該反應特性，可應用在各種範疇中。例如，可簡單地，使欲與化合物α反應(吸著)的化合物X設置在基板上。
因此可明瞭本發明可適用在各種範疇(如：裝飾品、電路基板、其他複合化製品)中。

Claims (29)

  1. 一種表面處理方法，係以含化合物α之溶液塗布在基板上設置前述化合物α的表面處理方法，其特徵在於：前述化合物α，至少具有：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環，且含一個以上之前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，含一個以上之前述三環，前述胺基中至少一個胺基，在前述三環之C上，間接地，形成鍵結，前述間接地鍵結之胺基，至少，存在於末端位置上，在前述末端位置上含有一個以上之胺基。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理方法，其中前述化合物α為下述通式[I]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d......通式[I]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同；X、Z、Q、V為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；W，為{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基；M為選自：Si、Al、Ti所成之群中的至少一種；a為1以上之整數，b為1或2，c為0或1，d為1或2，且b+c+d=3，n為0、1或2。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面處理方法，其中前述化合物α為下述通式[Ⅱ]或通式[Ⅲ]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}e......通式[Ⅱ] {(NR1R2)aX-Q}bY[N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2]e......通式[Ⅲ]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可相同，亦可不同；X、Q為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。
  4. 如申請專利範圍第3項之表面處理方法，其中鍵結在前述化合物α末端上的胺基係1級胺基。
  5. 如申請專利範圍第3項之表面處理方法，其中前述化合物α為下述通式[Ⅳ]或通式[V]所示之化合物： 式中，A、B、C、D，為如下之基；A=-N(Ra)Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n、或-N{Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n}2 B=-N(Re)Rf(NH2)m、或-N{Rf(NH2)m}2 C=A、B、或-N(Rg)Rh D=Ri Ra、Re、Rg為H或烴基；Rb、Rc、Rd、Rf、Rh、Ri為烴基；n為0、1或2；m為1或2。
  6. 如申請專利範圍第5項之表面處理方法，其中前述化合物α，為選自：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基 乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺之群中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之表面處理方法，其中前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)為烷氧基矽基。
  8. 一種表面處理方法，係以蒸發化合物α使前述化合物α設置於基板上的表面處理方法，其特徵在於：前述化合物α，至少具有：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環，且含一個以上之前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，含一個以上之前述三環，前述胺基中至少一個胺基，在前述三環之C上，間接地，形成鍵結，前述間接地鍵結之胺基，至少，存在於末端位置上，在前述末端位置上含一個以上之胺基。
  9. 如申請專利範圍第8項之表面處理方法，其中前述化合物α 為下述通式[I]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d......通式[I]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同；X、Z、Q、V為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；W，為{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基；M為選自：Si、Al、Ti所成之群中的至少一種；a為1以上之整數，b為1或2，c為0或1，d為1或2，且b+c+d=3，n為0、1或2。
  10. 如申請專利範圍第9項之表面處理方法，其中前述化合物α為下述通式[Ⅱ]或通式[Ⅲ]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}e......通式[Ⅱ] {(NR1R2)aX-Q}bY[N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2]e......通式[Ⅲ]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可相同，亦可不同；X、Q為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。
  11. 如申請專利範圍第10項之表面處理方法，其中鍵結在前述化合物α末端上的胺基係1級胺基。
  12. 如申請專利範圍第10項之表面處理方法，其中前述化合物 α為下述通式[Ⅳ]或通式[V]所示之化合物： 式中，A、B、C、D，為如下之基；A=-N(Ra)Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n、或-N{Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n}2 B=-N(Re)Rf(NH2)m、或-N{Rf(NH2)m}2 C=A、B、或-N(Rg)Rh D=Ri Ra、Re、Rg為H或烴基；Rb、Rc、Rd、Rf、Rh、Ri為烴基；n為0、1或2；m為1或2。
  13. 如申請專利範圍第12項之表面處理方法，其中前述化合物α，為選自：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧 基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺之群中的至少一種。
  14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之表面處理方法，其中在使前述化合物α設置於基板上之前，在前述基板上以選自：淨化處理、電暈放電處理、電漿放電處理、紫外線照射、酸處理、鹼處理、水蒸氣處理及轉化塗布處理所成之群中的一種或二種以上處理。
  15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項之表面處理方法，其中在使前述化合物α設置於基板上之後，進行加熱處理。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之表面處理方法，其中前述表面處理之目的係使前述化合物α接著。
  17. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之表面處理方法，其中前述表面處理之目的係使前述化合物α化學反應或物理吸著。
  18. 一種表面處理劑，係在如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面處理方法使用之表面處理劑，其特徵在於：前述表面處理劑為化合物α、或含化合物α者；前述化合物α，至少含：M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)、胺基、及三環；含一個以上的前述M-OH基及/或M-OH生成基(M：金屬元素)，並含一個以上的三環；且前述胺基的至少一個胺基，間接地，鍵結，在前述三環的C上；前述間接地鍵結的胺基，至少，存在末端位置上；且在前述末端位置上含有一個以上之胺基。
  19. 如申請專利範圍第18項之表面處理劑，其中前述化合物α為下述通式[I]所示之化合物： {(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d......通式[I]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同；X、Z、Q、V為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；W，為{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基；M為選自：Si、Al、Ti所成之群中的至少一種；a為1以上之整數，b為1或2，c為0或1，d為1或2，且b+c+d=3，n為0、1或2。
  20. 如申請專利範圍第19項之表面處理劑，其中前述化合物α為下述通式[Ⅱ]或通式[Ⅲ]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}e......通式[Ⅱ] {(NR1R2)aX-Q}bY[N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2]e......通式[Ⅲ]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可相同，亦可不同；X、Q為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。
  21. 如申請專利範圍第20項之表面處理劑，其中鍵結在前述化合物α末端上的胺基係1級胺基。
  22. 如申請專利範圍第20項之表面處理劑，其中前述化合物α為下述通式[Ⅳ]或通式[V]所示之化合物： 式中，A、B、C、D，為如下之基；A=-N(Ra)Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n、或-N{Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n}2 B=-N(Re)Rf(NH2)m、或-N{Rf(NH2)m}2 C=A、B、或-N(Rg)Rh D=Ri Ra、Re、Rg為H或烴基；Rb、Rc、Rd、Rf、Rh、Ri為烴基；n為0、1或2；m為1或2。
  23. 如申請專利範圍第22項之表面處理劑，其中前述化合物α，為選自：N,N'-二(2-胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-2,4-二肼基-1,3,5-三、2-(N,N'-二-3-三乙氧基矽基丙基)胺基-4,6-二(2-胺基乙基)胺基-1,3,5-三、2-(2-胺基乙基)胺基-4,6-二(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4- 二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基己基)胺基-1,3,5-三、6-(2-胺基乙基)胺基-2,4-二(三乙氧基矽基十二碳烷基)胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(甲基乙基酮羥亞胺基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙醯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙烯氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三異丙氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三苯甲氧基矽基)丙基胺基-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基己基胺基)-1,3,5-三、2,4-二(2-胺基乙基)胺基-6-二(三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三、N,N'-二(2-二甲基胺基乙基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二(2-胺基己基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、N,N'-二{2-[二(2-胺基乙基)胺基]乙基}-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺、或N,N'-二(12-胺基十二碳烷基)-6-(3-三乙氧基矽基丙基)胺基-1,3,5-三-2,4-二胺之群中的至少一種。
  24. 一種新化合物，其特徵在於：如下述通式[I]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY(W)c{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}d......通式[I] 式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可全部相同，亦可不同；X、Z、Q、V為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Z、Q之情形(但，無X、Z、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；前述間接鍵結之胺基，至少一個，存在於末端位置上；W，為{Z(V-M(R3)n(OR4)3-n)}以外之官能基；M為選自：Si、Al、Ti所成之群中的至少一種；a為1以上之整數，b為1或2，c為0或1，d為1或2，且b+c+d=3，n為0、1或2。
  25. 如申請專利範圍第24項之新化合物，其中前述通式[I]所示之化合物為下述通式[Ⅱ]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY{NH(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}e......通式[Ⅱ]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4，可相同，亦可不同；X、Q為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；前述間接鍵結之胺基，至少一個，存在於末端位置上；a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。
  26. 如申請專利範圍第24項之新化合物，其中前述通式[I]所示之化合物為下述通式[Ⅲ]所示之化合物：{(NR1R2)aX-Q}bY[N{(CH2)mSi(R3)n(OR4)3-n}2]e......通式[Ⅲ]式中，R1、R2、R3、R4為H或官能基；R1、R2、R3、R4， 可相同，亦可不同；X、Q為鍵結基；但亦有無鍵結基X、Q之情形(但，無X、Q全部均無之情形)；Y為骨架；該骨架具有三環(C3N3)；且在前述三環中，並未，直接鍵結在-NH2、-N3上；前述間接鍵結之胺基，至少一個，存在於末端位置上；a為1以上之整數，b為1或2，e為1或2，且b+e=3，m為1以上之整數，n為0、1或2。
  27. 如申請專利範圍第24項之新化合物，其中前述通式[I]所示之化合物為下述通式[Ⅳ]或通式[V]所示之化合物： 式中，A、B、C、D，為如下之基；A=-N(Ra)Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n、或-N{Rb-Si(Rc)n(ORd)3-n}2 B=-N(Re)Rf(NH2)m、或-N{Rf(NH2)m}2 C=A、B、或-N(Rg)Rh D=Ri Ra、Re、Rg為H或烴基；Rb、Rc、Rd、Rf、Rh、Ri為烴基；n為0、1或2；m為1或2。
  28. 一種接合製品，其特徵在於：以如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面處理方法所得到之基板與接著體接合為一體。
  29. 一種金屬膜製品，其特徵在於：在如申請專利範圍第1至17項中任一項之表面處理方法所得到之基板之表面上設置金屬膜。
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