WO2021000265A1 - 一种粘合促进剂及包含其的光敏树脂组合物 - Google Patents

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WO2021000265A1
WO2021000265A1 PCT/CN2019/094434 CN2019094434W WO2021000265A1 WO 2021000265 A1 WO2021000265 A1 WO 2021000265A1 CN 2019094434 W CN2019094434 W CN 2019094434W WO 2021000265 A1 WO2021000265 A1 WO 2021000265A1
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optionally substituted
substituent
adhesion promoter
substituents
alkenyl
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PCT/CN2019/094434
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唐地源
李枝芳
白珂
刘斌
孙传明
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山东圣泉新材料股份有限公司
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Definitions

  • the invention relates to the technical field of photoresist, in particular to an adhesion promoter and a photosensitive resin composition containing the same.
  • Photoresist also known as photoresist
  • photoresist can undergo photochemical reaction under light, and it can be coated on semiconductors, conductors and insulators. The part left after exposure and development protects the bottom layer.
  • the etching agent can transfer the required fine patterns from the mask to the substrate to be processed. It is a key chemical material in the microfabrication technology, mainly used in integrated circuits, flat panel displays, LEDs, PCBs and precision sensors And other micro processing.
  • the transfer of the pattern from the reticle to the wafer surface is done in multiple steps, and most of the photolithography processes are variations or options from the ten-step method of basic photolithography.
  • the substrate material can be a silicon substrate, a glass substrate, a sapphire substrate, or a metal film, a non-metal film, or a metal oxide film laid on a silicon substrate, a glass substrate, or a sapphire substrate. , Non-metal oxide film.
  • the second step, coating coating a thin layer of photoresist on the surface of the substrate.
  • photoresist positive photoresist, such as photoresist formed by phenolic and azidoquinone compounds, the substrate pattern is the same as the mask pattern; negative photoresist, such as photolithography using polyvinyl alcohol laurate as the photosensitive material Glue, the pattern formed on the substrate is opposite to the mask.
  • the photoresist coating methods include: brush method, roll method and immersion method.
  • the third step, soft baking the photoresist solvent is partially evaporated by heating.
  • heating for example, hot plate, convection oven, infrared oven, microwave oven, vacuum oven.
  • the fourth step, alignment and exposure the mask is aligned with the substrate to expose the photoresist.
  • Types of lithography machines include contact, proximity, projection, and stepping.
  • Exposure light sources include ultraviolet UV, deep ultraviolet DUV, X-ray, etc.
  • the fifth step, development remove the non-polymer photoresist.
  • the developer is mainly alkaline developer. Tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is commonly used as the developer.
  • Other alkaline developers can also be used for development, such as ammonia, alkali metal hydroxide, alkylamine, alkanolamine, and Aqueous solutions of morpholine, tetraalkylammonium hydroxide, etc.
  • the sixth step, hard baking continue to evaporate the solvent. It is similar to soft baking in equipment and method. Convection ovens, online and manual hot plates, infrared tunnel ovens, moving belt conduction ovens and vacuum ovens are all used for hard baking.
  • the seventh step development inspection: check the alignment and defects of the surface.
  • the eighth step, etching the top layer of the substrate is removed through the opening of the photoresist. Including dry etching and wet etching.
  • the ninth step is to remove the photoresist: also called stripping, to remove the photoresist completely.
  • the tenth step, final inspection surface inspection for irregularities in etching and other problems.
  • the production of sapphire chips for LEDs uses PSS (Patterned Sapphire Substrate) technology, that is, the corresponding pattern is engraved with photoresist on the sapphire substrate, and then the sapphire is etched by inductively coupled plasma etching technology, and then the photoresist is removed , And then grow GaN material on it.
  • PSS Plasma Stimprint Source Source
  • photoresist must adhere well to the surface layer of the substrate in order to faithfully transfer the pattern to the surface of the substrate. The lack of adhesion will result in pattern distortion.
  • an adhesion promoter is often added to the photosensitive resin composition.
  • a nitrogen compound or a thiadiazole compound substituted by adding a sulfonyl group is often added to the photosensitive resin composition.
  • the mechanism of the adhesion promoter is: the cyclic nitrogen compound improves the adhesion of the substrate side, and the sulfonyl group produces hydrogen bonding with the hydroxyl group in the phenolic resin varnish, which can prevent the corrosion of alkaline substances during development and prevent the adhesion from decreasing .
  • the adhesion promoter contains sulfur, which may corrode the substrate, so a milder adhesion promoter is required.
  • the purpose of this patent is to provide an adhesion promoter and a photosensitive resin composition containing the adhesion promoter.
  • the photosensitive resin composition can be used to manufacture semiconductor integrated circuits (IC), organic light emitting diodes (LED), flat panel displays (FPD), such as liquid crystal displays (LCD), organic light emitting displays (OLED), and the like.
  • an adhesion promoter which is represented by formula (I):
  • R 1 , R 2 , R 3 represent hydrogen atoms, C 1 -C 20 alkyl groups optionally substituted with substituents, C 2 -C 20 alkenyl groups optionally substituted with substituents, optionally substituted with substituents
  • the carbon in the group is optionally replaced with one or more N, O, S
  • A represents a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent, C 2 -C 20 alkynyl optionally substituted with substituents, phenyl optionally substituted with substituents, other carbon atom substituents optionally substitute
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent, A C 2 -C 20 alkynyl group substituted with a substituent, and a phenyl group optionally substituted with a substituent.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent, any A C 2 -C 20 alkynyl group substituted by a substituent is selected.
  • R 1 , R 2 , R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 10 alkenyl group optionally substituted with a substituent, any A C 2 -C 10 alkynyl group substituted by a substituent is selected.
  • R 1 , R 2 , R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 6 alkenyl group optionally substituted with a substituent, any A C 2 -C 6 alkynyl group substituted by a substituent is selected.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent ethyl groups optionally substituted with substituents.
  • A represents C 1 -C 20 alkyl optionally substituted with substituents, C 2 -C 20 alkenyl optionally substituted with substituents, C 2 -C 20 optionally substituted with substituents Alkynyl, phenyl optionally substituted with substituents, wherein the carbon in the alkyl, alkenyl, alkynyl, or phenyl is optionally replaced with one or more Ns.
  • A is optionally substituted with C 1 -C 20 alkyl, optionally substituted with C 2 -C 20 alkenyl group, optionally substituted with a C 2 -C 20 alkynyl, wherein the carbon in the alkyl, alkenyl, or alkynyl group is optionally replaced with one or more Ns.
  • A is optionally substituted with C 1 -C 10 alkyl, optionally substituted with C 2 -C 10 alkenyl group, optionally substituted with a C 2 -C 10 Alkynyl, wherein the carbon in the alkyl, alkenyl, and alkynyl groups is optionally replaced with one or more Ns.
  • A is optionally substituted with C 1 -C 6 alkyl, optionally substituted with C 2 -C 6 alkenyl group, a substituted group is optionally substituted with a C 2 -C 6 Alkynyl, wherein the carbon in the alkyl, alkenyl, or alkynyl group is optionally replaced with one or more Ns.
  • A represents a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent, wherein the carbon in the alkyl group is optionally replaced with one or more Ns.
  • A represents a propyl group optionally substituted with a substituent, wherein the carbon in the propyl group is optionally replaced with one or more N, such as 1, 2 or 3, preferably 1 or 2, More preferably one.
  • the substitution can occur at any position of the propyl group, such as the 1-position, the 2-position or the 3-position.
  • X represents a 6-membered aromatic heterocyclic group optionally substituted with a substituent.
  • X represents a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic group optionally substituted with a substituent.
  • X represents a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic group optionally substituted with a substituent, wherein the nitrogen is 1-4, preferably 1-3, more preferably 2-3, most preferably 3. .
  • X represents pyridine, pyrimidine or triazine optionally substituted with substituents.
  • X represents a triazine optionally substituted with a substituent, preferably 1,3,5-triazine.
  • the adhesion promoter is 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine, the structure is as follows:
  • the adhesion promoter is 2-(triethoxysilyl-methylamino-methyl)-4,6-amino-1,3,5-triazine, the structure is as follows:
  • a photosensitive resin composition comprising the aforementioned adhesion promoter.
  • the photosensitive resin composition further contains one or two of an alkali-soluble phenol resin varnish and a naphthoquinonediazide photosensitive compound.
  • the photosensitive resin composition further comprises an alkali-soluble phenolic resin varnish and a naphthoquinonediazide photosensitive compound.
  • the photosensitive resin composition further contains one or more other adhesion promoters.
  • the above-mentioned adhesion promoter is added in an amount of 10-50000 ppm, preferably 100-50000 ppm, more preferably 1000-10000 ppm.
  • the adhesion promoter and photosensitive resin composition can be used to manufacture semiconductor integrated circuits (IC), Light emitting diodes (LED), flat panel displays (FPD), such as liquid crystal displays (LCD), organic light emitting displays (OLED).
  • IC semiconductor integrated circuits
  • LED Light emitting diodes
  • FPD flat panel displays
  • LCD liquid crystal displays
  • OLED organic light emitting displays
  • the substrate material can be a silicon substrate, a glass substrate, a sapphire substrate, etc., or a metal film, a non-metal film, a metal oxide film, or a non-metal oxide film laid on a silicon substrate, a glass substrate, or a sapphire substrate.
  • the aforementioned adhesion promoter and photosensitive resin composition can be used in a sapphire substrate patterning process (PSS process).
  • PSS process sapphire substrate patterning process
  • the lone pair of electrons of the nitrogen atom in the molecule forms a covalent bond with the surface of the substrate, and on the other hand, the hydrophobic group in the molecule improves the binding force of the molecule and the phenolic resin varnish. Therefore, the adhesion between the photosensitive resin composition and the substrate is improved, and the deformation of the pattern is prevented during development.
  • the adhesion promoter of the present invention regardless of the size of the dot pattern on the mask, is accurately transferred to the sapphire substrate without the use of adhesion promoters or other types of adhesion promoters , The graphics are not completely transferred. This fully illustrates the effectiveness of the adhesion promoter of the present invention, which improves the adhesion between the photosensitive resin composition and sapphire in the sapphire patterning process, and improves the yield of the product.
  • Figure 1 shows the pattern formed after development of photoresists with different properties.
  • the blue color represents the sapphire wafer, and the black dots represent the photoresist after exposure and development.
  • the present invention includes compounds of formula (I) having at least one desired atomic isotope substitution in an amount higher than the natural abundance (ie enrichment) of the isotope and uses of the compounds.
  • Isotopes are atoms that have the same atomic number but different mass numbers, that is, the same number of protons but different numbers of neutrons.
  • Isotopic substitutions such as deuterium substitutions, can be partial or complete. Partial deuterium substitution means that at least one hydrogen is replaced by deuterium.
  • the isotope is enriched by 90, 95, or 99% or more at any position of interest. In one embodiment, deuterium is enriched by 90, 95 or 99% at the desired position.
  • alkyl refers to a linear saturated aliphatic hydrocarbon group.
  • the alkyl group is C 1 -C 6 , C 1 -C 10 or C 1 -C 20 (ie, the length of the alkyl chain can be 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 , 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, or 20 carbons).
  • the designated range as used herein means an alkyl group having the length of each member of the range described as a separate species.
  • the term C 1 -C 6 alkyl as used herein means a straight or branched chain alkyl group having 1, 2, 3, 4, 5, or 6 carbon atoms, and is intended to mean that each of these is described It is an independent type.
  • the alkyl group may be further substituted with an alkyl group to form a branched alkyl group.
  • alkyl groups include, but are not limited to, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, tert-pentyl, Neopentyl, n-hexyl, 2-methylpentane, 3-methylpentane, 2,2-dimethylbutane and 2,3-dimethylbutane.
  • the alkyl group is optionally substituted as described above.
  • alkenyl is a straight-chain aliphatic hydrocarbon group having one or more carbon-carbon double bonds, each of which is independently cis or trans and may be at a stable point on the chain appear.
  • Non-limiting examples are C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C 10 alkenyl or C 2 -C 6 alkenyl (ie, having 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, or 20 carbons).
  • the designated range as used herein means an alkenyl group having each member of the range described as a separate species, as described above with respect to the alkyl portion.
  • alkenyl include, but are not limited to, vinyl and propenyl.
  • the alkenyl group may be further substituted with an alkyl group to form a branched alkenyl group. In one embodiment, alkenyl groups are optionally substituted as described above.
  • alkynyl is a straight-chain aliphatic hydrocarbon group with one or more carbon-carbon triple bonds, which can occur at any stable point on the chain, such as C 2 -C 20 alkyne Group, C 2 -C 10 alkynyl or C 2 -C 6 alkynyl (ie, having 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 , 17, 18, 19 or 20 carbons).
  • the designated range as used herein means an alkynyl group with each member of the range described as a separate species, as described above with respect to the alkyl portion.
  • the alkynyl group may be further substituted with an alkyl group to form a branched alkynyl group.
  • alkynyl groups include, but are not limited to, ethynyl, propynyl, 1-butynyl, 2-butynyl, 3-butynyl, 1-pentynyl, 2-pentynyl, 3-pentynyl , 4-pentynyl, 1-hexynyl, 2-hexynyl, 3-hexynyl, 4-hexynyl and 5-hexynyl.
  • alkynyl groups are optionally substituted as described above.
  • substituted with other carbon atoms means that the substituents are composed of carbon atoms.
  • substituents can be chain-like or cyclic, for example with 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 , 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, or 20 carbons.
  • aromatic heterocyclic group refers to a stable monocyclic aromatic ring containing 1 to 3, or in some embodiments, 1 to 2 heteroatoms selected from N, O and S and the rest
  • the ring atom of is carbon, or a stable bicyclic or tricyclic ring system, which contains at least one 5 to 7 membered aromatic ring, the 5 to 7 membered aromatic ring contains 1, 2, 3 or 4, or in some implementations
  • 1 or 2 heteroatoms selected from N, O, B and S and the remaining ring atoms are carbon.
  • the only heteroatom is nitrogen.
  • the only heteroatom is oxygen.
  • the only heteroatom is sulfur.
  • the monocyclic aromatic heterocyclic group usually has 5 to 7 ring atoms. Heteroaryl groups are optionally substituted independently with one or more substituents described herein.
  • substituted means that any one or more hydrogens on the designated atom or group are replaced by a moiety selected from the designated group, provided that the designated atom's normal valence is not exceeded.
  • the oxo group replaces two hydrogens in the aromatic moiety, the corresponding partially unsaturated ring replaces the aromatic ring.
  • pyridyl substituted by oxo is pyridone.
  • the present invention relates to the following embodiments:
  • R 1 , R 2 , R 3 represent hydrogen atoms, C 1 -C 20 alkyl groups optionally substituted with substituents, C 2 -C 20 alkenyl groups optionally substituted with substituents, optionally substituted with substituents
  • the carbon in the group is optionally replaced with one or more N, O, S
  • A represents a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent, C 2 -C 20 alkynyl optionally substituted with substituents, phenyl optionally substituted with substituents, other carbon atom substituents optionally substitute
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, optionally substituted with a substituent C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C 20 alkynyl optionally substituted with substituents, phenyl optionally substituted with substituents.
  • R 1 , R 2 , R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, and optionally substituted with a substituent C 2 -C 20 alkenyl, C 2 -C 20 alkynyl optionally substituted with substituents.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group optionally substituted with a substituent, and optionally substituted with a substituent C 2 -C 10 alkenyl, C 2 -C 10 alkynyl optionally substituted with substituents.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent, and optionally substituted with a substituent C 2 -C 6 alkenyl, C 2 -C 6 alkynyl optionally substituted with substituents.
  • R 1 , R 2 , and R 3 represent ethyl groups optionally substituted with substituents.
  • A represents a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent
  • a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent any A C 2 -C 20 alkynyl group substituted by a substituent or a phenyl group optionally substituted by a substituent group is selected, wherein the carbon in the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, and phenyl group is optionally replaced with one or more N.
  • A represents a C 1 -C 20 alkyl group optionally substituted with a substituent, a C 2 -C 20 alkenyl group optionally substituted with a substituent, any A C 2 -C 20 alkynyl group substituted with a substituent, wherein the carbon in the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group is optionally replaced with one or more N.
  • A represents a C 1 -C 10 alkyl group optionally substituted with a substituent
  • any A C 2 -C 10 alkynyl group substituted with a substituent is selected, wherein the carbon in the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group is optionally replaced with one or more Ns.
  • A represents a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent
  • a C 2 -C 6 alkenyl group optionally substituted with a substituent any A C 2 -C 6 alkynyl group substituted by a substituent is selected, wherein the carbon in the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group is optionally replaced with one or more Ns.
  • A represents a C 1 -C 6 alkyl group optionally substituted with a substituent, wherein the carbon in the alkyl group is optionally replaced with one or more N .
  • A represents a propyl group optionally substituted with a substituent, wherein the carbon in the propyl group is optionally replaced with one or more N.
  • X represents a 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocyclic group optionally substituted with a substituent, wherein the nitrogen is 1-4, preferably 1-3, more preferably 2-3, most preferably 3.
  • adhesion promoter as described above, wherein the adhesion promoter is 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine or 2- (Triethoxysilyl-methylamino-methyl)-4,6-amino-1,3,5-triazine.
  • a photosensitive resin composition comprising the adhesion promoter according to the above.
  • the photosensitive resin composition as described above characterized in that, based on the solid content of the resin varnish and photosensitive compound, the amount of the adhesion promoter added is 10-50000 ppm, preferably 100-50000 ppm, more preferably 1000- 10000ppm.
  • adhesion promoter or photosensitive resin composition according to the above, characterized in that the adhesion promoter and photosensitive resin composition are used to manufacture semiconductor integrated circuits (IC), light emitting diodes (LED), Flat panel displays (FPD), such as liquid crystal displays (LCD), organic light emitting displays (OLED).
  • IC semiconductor integrated circuits
  • LED light emitting diodes
  • FPD Flat panel displays
  • LCD liquid crystal displays
  • OLED organic light emitting displays
  • the adhesion promoter of the present invention such as 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine, is a direct reaction of silicon/alcohol to synthesize triethoxysilane, triethyl
  • the oxysilane generates 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine through hydrosilation reaction.
  • the synthesis route is shown in the following formula (1).
  • the catalyst A uses copper and its compounds as the catalyst precursor;
  • the catalyst B is Pt, Rh, Ru, Ir and other transition metals and their complexes.
  • the adhesion promoter of the present invention can use halogenated alkylsiloxysilane as a raw material, It is obtained by substituting the chlorine of the halogenated hydrocarbon group in the silane with a nucleophilic compound.
  • Nucleophilic compounds can be ammonia, primary amines, secondary amines, tertiary amines, phosphines, urea, alcoholates, carboxylates, sulfites, phosphites, alkali metal sulfides and pseudohalides, and other functional compounds And other nucleophilic compounds.
  • the reaction formula is shown in the following formula (2).
  • the alkali-soluble phenolic resin varnish in the photosensitive resin composition of the present invention refers to a resin obtained by polycondensing one or more phenols with an aldehyde such as formaldehyde.
  • the alkali-soluble phenolic resin varnish may be a resin from which low molecular weight components have not been removed by fractional distillation, or a resin from which low molecular weight components have been removed by fractional distillation.
  • the method of removing low molecular weight components by fractionation can be liquid-liquid fractionation. The principle is that the phenolic resin varnish is fractionated in two solvents with different solubility, or the low molecular weight components are removed by centrifugation.
  • Phenols that can be used to form alkali-soluble phenolic resin varnishes include, for example, phenol, cresols, such as 2-cresol, 3-cresol, and 4-cresol; dimethylphenol, such as 2,5-dimethylphenol , 3,5-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol and 3,4-dimethylphenol; trimethylphenol, such as 2,3,4-trimethylphenol, 2,3,5 -Trimethylphenol, 2,4,5-Trimethylphenol, 3,4,5-Trimethylphenol; Ethylphenol, such as 2-ethylphenol, 3-ethylphenol, 4-ethylphenol , 2,3-diethylphenol, 3,5-diethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 3,4,5-triethylphenol; resorcinols, such as isobenzene Diphenols, 2-methylresorcinol, 4-methylresorcinol, 5-methylresorcinol; catechols, such as 5-methylcatechol; pyrogallol Type
  • the aldehydes used to form the alkali-soluble phenolic resin varnish include, for example, formaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, salicylaldehyde, paraformaldehyde, paraformaldehyde, hydroxybenzaldehyde, and chloroacetaldehyde. They can be used alone or in a mixture of multiple types.
  • the photosensitizer in the photosensitive resin composition of the present invention refers to a photosensitive material used in the photosensitive resin composition, and naphthoquinonediazide photosensitive compounds are commonly used.
  • the naphthoquinone diazide photosensitive compound can be an ester formed by the reaction of a hydroxyl or amino compound with a quinone diazide sulfonyl halide in the presence of a basic catalyst, such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium bicarbonate or triethylamine Class compound.
  • quinonediazide compounds can be cited, for example, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, and the like.
  • examples include hydroxy compounds that react with quinone diazide sulfonyl halides, such as 2,3,4,4'-tetrahydroxyphenone, 2,3,4-trihydroxyphenone, 2,4,6-trihydroxybenzene Ketones and so on. These compounds can be used alone or in a mixture of multiple types.
  • the solvent in the present invention can be enumerated as ethylene glycol monoalkyl ethers, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, etc.; propylene glycol monoalkyl ethers, such as propylene glycol monomethyl ether , Ethylene glycol monoethyl ether acetate, etc.; ethylene glycol monoalkyl acetate, such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate; propylene glycol monoalkyl Ether acetate, such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate; aromatic hydrocarbons, such as toluene, xylene, etc.; lactate, such as methyl lactate, ethyl lactate; ketones, such as methyl ethyl ketone, 2 -Heptanone, cyclohexan
  • one or more adhesion promoters refer to adhesion promoters containing one or more structures of formula (I), regardless of whether they contain adhesion promoters of structures other than formula (I).
  • the amount of adhesion promoter added is based on the solid content of the resin varnish and photosensitive compound, and is usually 10-50000 ppm, preferably 100-50000 ppm, and more preferably 1000-10000 ppm.
  • photolithography techniques are often used to form micro-elements or fine processing.
  • photolithography photosensitive resin compositions are commonly used as resist patterns.
  • the photosensitive resin composition is coated on the substrate to manufacture semiconductor integrated circuits, color filters, flat panel displays such as TFT-LCD, OLED, organic light emitting diodes and other devices.
  • the substrate material can be a glass substrate, a silicon substrate, a sapphire substrate, or other metal or non-metal substrate, and its size is also optional.
  • the substrate material can also be a metal film formed on it, such as an ITO film, a chromium film, and a molybdenum film.
  • a metal film formed on it such as an ITO film, a chromium film, and a molybdenum film.
  • Non-metal film such as silicon carbide, gallium arsenide, etc., or other metal, metal oxide, non-metal, non-metal oxide film, etc.
  • Gluing Spin coating the photosensitive resin composition on a 4-inch silicon wafer.
  • Soft drying drying on a hot plate at 110°C for 100s, with a film thickness of 2.5 ⁇ m.
  • Exposure Exposure with NIKON NSR2005i9.
  • the photosensitive resin composition was coated on the sapphire wafer, and the same mask with different dots (5 ⁇ m, 4 ⁇ m, 3 ⁇ m, 2 ⁇ m, 1 ⁇ m) was used to align the wafer with an exposure of 60mJ/cm 2 Exposure was performed and development was performed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Then, the number of dots of the photosensitive resin composition remaining on the sapphire wafer was inspected to evaluate the adhesiveness of the photosensitive resin composition.
  • the adhesion promoter 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine in Example 1 is a direct reaction of silicon/alcohol to synthesize triethoxysilane , Triethoxysilane generates 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine through hydrosilation reaction.
  • the synthesis route is shown in the following formula (1).
  • the catalyst A uses copper and its compounds as the catalyst precursor;
  • the catalyst B is Pt, Rh, Ru, Ir and other transition metals and their complexes.
  • Example 1 1kg of silicon powder and 100g of catalyst CuCl (AR (Shanghai test), ⁇ 97.0%) were treated at 450°C for 5h, and 5kg of ethanol vapor was passed into the reaction at 180°C for 18h to obtain triethoxy. Silane.
  • the 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine obtained in Example 1 was analyzed by mass spectrometry, and the following peaks existed: 2,4-diaminotriazine structure (m/ z110), -CH 2 CH 2 CH 2 -(m/z42), -SiOCH 2 CH 3 (m/z73), -Si(OCH 2 CH 3 ) 2 (m/z105), -Si(OCH 2 CH 3 ) 3 (m/z135).
  • Example 2 Same as Example 1, except that 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone esterified with 60% 1,2- Naphthoquinone diazide-5-sulfonyl chloride ester and 2,3,4,4'-tetrahydroxyphenone ester and 40% 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonyl chloride and 2 ,3,4-Trihydroxyphenone esters.
  • 2-(triethoxysilyl-methylamino-methyl)-4,6-amino-1,3,5-triazine can be used as a raw material for halogenated alkylsiloxysilane, and by having The nucleophilic compound is obtained by substituting the chlorine of the halohydrocarbon group in the silane.
  • Nucleophilic compounds can be ammonia, primary amines, secondary amines, tertiary amines, phosphines, urea, alcoholates, carboxylates, sulfites, phosphites, alkali metal sulfides and pseudohalides, and other functional compounds And other nucleophilic compounds.
  • the reaction formula is as follows:
  • Example 2 206.5g of chloromethyl-triethoxysilane and 143g of 2-aminomethyl-4,6-amino-1,3,5 triazine were placed in a pressurized reactor at 100°C Reaction for 12h gives 2-(triethoxysilyl-methylamino-methyl)-4,6-amino-1,3,5-triazine.
  • the 2-(triethoxysilyl-methylamino-methyl)-4,6-amino-1,3,5-triazine obtained in Example 3 was analyzed by mass spectrometry, and the following peaks existed: 2,4-diamino Triazine structure (m/z110), -SiOCH 2 CH 3 (m/z73), -Si(OCH 2 CH 3 ) 2 (m/z105), -Si(OCH 2 CH 3 ) 3 (m/z135), -CH 2 NHCH 2 -(m/z43), -CH 2 NH-(m/z29), -NH-(m/z15).
  • 3-aminopropyltriethoxysilane was used instead of 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine as the adhesion promoter.
  • the structure of 3-aminopropyltriethoxysilane is as follows:
  • 1-mesitylenesulfonyl-1,2,4-triazole was used instead of 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine As an adhesion promoter.
  • the structure of 1-Mesitylenesulfonyl-1,2,4-triazole is as follows:
  • hexamethoxymelamine formaldehyde resin was used instead of 2-triethoxysilylpropyl-4,6-amino-1,3,5-triazine as the adhesion promoter.
  • the structure of hexamethoxy melamine formaldehyde resin is as follows:
  • Example 2 Example 3 Comparative example 1 Comparative example 2 Comparative example 3 Comparative example 4 5 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 4 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 3 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 2 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 1 ⁇ m ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

Abstract

一种光敏树脂组合物，包含如式(I)所示的粘合促进剂，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；X表示任选用取代基取代的芳族杂环基。粘合促进剂和光敏树脂组合物可用于制造半导体集成电路(IC)、发光二极管(LED)、平板显示器(FPD)，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)，能够提高光敏树脂组合物与衬底表面的粘结性。

Description

一种粘合促进剂及包含其的光敏树脂组合物 技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种粘合促进剂及包含其的光敏树脂组合物。
背景技术
光刻胶(又称光致抗蚀剂)在光照下可进行光化学反应，将其涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用刻蚀剂进行刻蚀就可以将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，是微细加工技术中关键性化工材料，主要用于集成电路、平板显示、LED、PCB及精密传感器等微细加工。
把图形从掩模版转移到晶圆表面是由多个步骤来完成的，大部分的光刻工艺都是从基本光刻十步法的变异或选项。
第一步，表面准备：清洗并甩干基底表面。在集成电路、平板显示器、LED芯片制造过程中，基底材料可以是硅基底、玻璃基底、蓝宝石基底，或在硅基底、玻璃基底、蓝宝石基底上敷设的金属膜、非金属膜、金属氧化物膜、非金属氧化物膜。
第二步，涂胶：在基底表面涂覆一层薄的光刻胶。光刻胶的种类：正胶，比如酚醛与叠氮醌类化合物形成的光刻胶，衬底图形与掩模版图形相同；负胶，如采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料的光刻胶，在衬底形成的图形与掩模版相反。光刻胶涂胶方法有：刷法、滚转方法和浸泡法。
第三步，软烘焙：通过加热使光刻胶溶剂部分蒸发。比如，热板、对流烘箱、红外烘箱、微波烘箱、真空烘箱。
第四步，对准和曝光：掩模版与衬底对准，使光刻胶曝光。光刻机种类有接触式、接近式、投影式、步进式。曝光光源有紫外UV、深紫外DUV、X射线等。
第五步，显影：去除非聚合物的光刻胶。例如，沉浸式显影、喷雾式显 影、混凝式显影、等离子体去除浮渣。显影液主要为碱性显影液，常用四甲基氢氧化铵水溶液作为显影液，其他碱性显影液也可以用于显影，例如氨水，碱金属氢氧化物，烷基胺，烷醇胺，咕啉，四烷基氢氧化铵等的水溶液。
第六步，硬烘焙：对溶剂的继续蒸发。在设备和方法上与软烘焙类似。对流炉、在线及手动热板、红外隧道炉、移动带传导炉和真空炉都用于硬烘焙。
第七步，显影检查：检查表面的对准和缺陷。
第八步，刻蚀：将衬底顶层通过光刻胶的开口部分去除。包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
第九步，去除光刻胶：又称剥离，将彻底上的光刻胶去除。
第十步，最终检查：对于刻蚀的不规则性和其他问题进行表面检查。
例如，LED用蓝宝石芯片生产采用采用PSS(Patterned Sapphire Substrate)技术，也就是在蓝宝石衬底用光刻胶刻出相应图形，之后采用电感耦合等离子体刻蚀技术刻蚀蓝宝石，之后去除光刻胶，再在其上生长GaN材料。光刻胶作为刻蚀阻挡物，必须与衬底表面层黏结很好，才能忠诚的将图形转移到衬底表面，缺乏黏结性将导致图形畸变。
为了提高光敏树脂组合物与基底的粘合性，常在光敏树脂组合物中加入粘合促进剂。例如，CN1802608B中通过加入磺酰基取代的氮化合物或噻重氮化合物。该粘合促进剂的机理是：环氮化合物提高了基底侧的粘合性，磺酰基与酚醛树脂清漆中的羟基产生氢键作用，可以防止显影时碱性物质的腐蚀，防止粘结性下降。该粘合促进剂中含有硫元素，可能对基底产生腐蚀作用，因此需要更温和的粘性促进剂。
发明内容
本专利的目的是：提供一种粘合促进剂，以及包含该粘合促进剂的光敏树脂组合物。该光敏树脂组合物可以用于制造半导体集成电路(IC)、有机发光二极管(LED)、平板显示器(FPD)，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)等。
根据本发明的一个方面，提供一种粘合促进剂，该粘合促进剂如式(I)所示：
Figure PCTCN2019094434-appb-000001
其中：R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；X表示任选用取代基取代的芳族杂环基。
在一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基。
在另一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基。
在另一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基。
在另一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基。
在另一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基。
在另一个优选的方面，R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的乙基。
在一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基中的碳任选用一个或多个N替换。
在另一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
在另一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
在另一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
在另一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基，其中该烷基中的碳任选用一个或多个N替换。
在另一个优选的方面，A表示任选用取代基取代的丙基，其中该丙基中的碳任选用一个或多个N替换，例如1、2或3个，优选1或2个，更优选1个。所述替换可以发生在丙基的任何位置，例如1位、2位或3位。
在一个优选的方面，X表示任选用取代基取代的6元芳族杂环基。
在另一个优选的方面，X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基。
在另一个优选的方面，X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基，其中氮为1-4，优选为1-3，更优选为2-3，最优选为3。
在另一个优选的方面，X表示任选用取代基取代的吡啶、嘧啶或三嗪。
在另一个优选的方面，X表示任选用取代基取代的三嗪，优选1,3,5-三嗪。
在一个优选的方面，该粘合促进剂为2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000002
在一个优选的方面，该粘合促进剂为2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000003
根据本发明的另一个方面，提供一种光敏树脂组合物，该光敏树脂组合物包含上述粘合促进剂。
在一个优选的方面，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆、萘醌二叠氮光敏化合物中的一种或两种。
在一个优选的方面，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆和萘醌二叠氮光敏化合物。
在一个优选的方面，该光敏树脂组合物还包含其他一种或多种粘合促进剂。
在一个优选的方面，以树脂清漆和光敏化合物的固体含量为基准，上述粘合促进剂的加入量为10-50000ppm，优选100-50000ppm，更优选1000-10000ppm，。
根据本发明的另一个方面，提供一种上述粘合促进剂或光敏树脂组合物的用途，其特征在于，所述粘合促进剂和光敏树脂组合物可以用于制造半导体集成电路(IC)、发光二极管(LED)、平板显示器(FPD)，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)。基底材料可以是硅基底、玻璃基底、蓝宝石基底等，或在硅基底、玻璃基底、蓝宝石基底上敷设的金属膜、非金属膜、金属氧化物膜、非金属氧化物膜。
在一个优选的方面，上述粘合促进剂和光敏树脂组合物可以用于蓝宝石基底图形化工艺(PSS工艺)。
本发明的粘合促进剂，一方面分子中的氮原子的孤对电子与基底表面形成共价键，另一方面分子中的疏水基团提高了分子与酚醛树脂清漆的结合力。从而提高了光敏树脂组合物与基底的粘结性，防止显影时图形发生变形。
参见实施例所示，本发明的粘合促进剂，掩膜版上的圆点图形无论大小，全部准确地转移到了蓝宝石基底上，而不使用粘合促进剂或使用其他类型的粘合促进剂，图形并未完全转移。充分地说明本发明的粘性促进剂的有效性， 在蓝宝石图形化工艺中提高了光敏树脂组合物与蓝宝石的粘结性，提高了产品的良率。
附图说明
图1显示的是具有不同性质的光刻胶显影后形成的图形，其中蓝色表示蓝宝石晶圆，黑色圆点表示曝光显影后的光刻胶。当圆点全部未发生剥离，表示粘结性好，标记为●；当部分圆点发生剥离时，标记为◎；当大部分圆点发生剥离，表示粘结性差，标记为○；当全部圆点发生剥离时，标记为×。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的具体实施例。虽然附图中显示了本发明的具体实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本公开主题可以以许多不同的形式来体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方案。实际上，对于本公开主题所属领域的技术人员来说，将会想到具有本文所包括的描述中给出的教导的益处的本公开主题的许多修改和其他实施方案。因此，应该理解的是，本公开主题不限于所公开的具体实施方案，并且修改和其他实施方案意在被包括在所公开的主题的范围内。
尽管本文使用了特定的术语，但它们仅用于一般性和描述性的意义，而不是为了限制的目的。除非另有定义，否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本公开描述的主题所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。
使用标准命名法来描述化合物。除非另有定义，否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。
本文所述的任何式中的化合物包括对映异构体、对映异构体的混合物、非对映异构体、顺式/反式异构体、互变异构体、外消旋体和其他异构体，诸如旋转异构体，就好像每一个都被具体描述一样。
任何式中的化合物可以通过手性或不对称合成由合适的光学纯前体制备，或通过任何常规技术由外消旋体或对映异构体或非对映异构体混合物获得，例如通过使用手性柱、TLC的色谱拆分，或通过制备非对映异构体、分离和再生所需的对映异构体或非对映异构体。参见例如"Enantiomers， Racemates and Resolutions,"by J.Jacques，A.Collet，and S.H.Wilen，(Wiley-Interscience，New York，1981)；S.H.Wilen，A.Collet，and J.Jacques，Tetrahedron，2725(1977)；E.L.Eliel Stereochemistry of Carbon Compounds(McGraw-Hill，NY，1962)；和S.H.Wilen Tables of Resolving Agents and Optical Resolutions 268(E.L.Eliel ed.，Univ.of Notre Dame Press，Notre Dame，IN，1972，Stereochemistry of Organic Compounds，Ernest L.Eliel，Samuel H.Wilen and Lewis N.Manda(1994 John Wiley & Sons，Inc.)，and Stereoselective Synthesis A Practical Approach，Mihály Nógrádi(1995VCH Publishers，Inc.，NY，NY)。
术语“一”不表示数量的限制，而是表示存在至少一个所引用的项目。数值范围的叙述仅仅意在作为单独提及落入该范围内的每个单独值的速记方法，除非本文另有指出，并且每个单独值被合并到说明书中，就好像其在本文中单独列举一样。所有范围的终点都包括在范围内并且可以独立组合。本文描述的所有方法可以以合适的顺序执行，除非本文另有指示或者与上下文明显矛盾。除非另有声明，否则实例或示例性语言(如“例如”)的使用仅意在更好地说明本发明，并且不构成对本发明范围的限制。
本发明包括具有至少一个期望的原子同位素取代，其量高于同位素的天然丰度(即富集)的式(I)化合物以及化合物的用途。同位素是具有相同原子序数但不同质量数，即相同数量的质子但不同数量的中子的原子。同位素取代，例如氘取代，可以是部分的或完全的。部分氘取代是指至少一个氢被氘取代。在某些实施方案中，同位素在感兴趣的任何位置富集90、95或99％或更多。在一个实施方案中，氘在所需位置富集90、95或99％。
需要说明的是，在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可以理解，技术人员可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名词的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”或“包括”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本发明的较佳实施方式，然所述描述乃以说明书的一般原则为目的，并非用以限定本发明的范围。本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
在权利要求中使用术语“或”用于表示“和/或”，除非明确指出仅指代替代 方案或者替代方案是相互排斥的，尽管本公开内容支持仅指代替代方案和“和/或”的定义。如本文所用，“另一个”可以表示至少第二个或更多个。
在本文中，“烷基”是指直链饱和脂族烃基。在某些实施方案中，烷基为C 1-C 6、C 1-C 10或C 1-C 20(即，烷基链的长度可以是1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20个碳)。如本文所用的指定范围表示具有被描述为独立种类的范围的每个成员的长度的烷基。例如，如本文使用的术语C 1-C 6烷基表示具有1、2、3、4、5或6个碳原子的直链或支链烷基，并且意在表示这些中的每一个被描述为独立的种类。烷基可以进一步被烷基取代以形成支链烷基。烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、新戊基、正己基、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷和2,3-二甲基丁烷。在一个实施方案中，烷基任选如上所述被取代。
在本文中，“烯基”是具有一个或多个碳-碳双键的直链脂族烃基，所述碳-碳双键各自独立地为顺式或反式并且可以在链上的稳定点出现。非限制性实例为C 2-C 20烯基、C 2-C 10烯基或C 2-C 6烯基(即，具有2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20个碳)。如本文所用的指定范围表示具有被描述为独立种类的范围的每个成员的烯基，如上文关于烷基部分所述。烯基的实例包括但不限于乙烯基和丙烯基。烯基可以进一步被烷基取代以形成支链烯基。在一个实施方案中，烯基任选如上所述被取代。
在本文中，“炔基”是具有一个或多个碳-碳三键的直链脂族烃基，所述碳-碳三键可以在链上的任何稳定点出现，例如C 2-C 20炔基、C 2-C 10炔基或C 2-C 6炔基(即，具有2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20个碳)。如本文所用的指定范围表示具有被描述为独立种类的范围的每个成员的炔基，如上文关于烷基部分所述。炔基可以进一步被烷基取代以形成支链炔基。炔基的实例包括但不限于乙炔基、丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、2-己炔基、3-己炔基、4-己炔基和5-己炔基。在一个实施方案中，炔基任选如上所述被取代。
在本文中，“其他碳原子取代基”是指取代基由碳原子组成，此类取代基可以是链状，也可以是环状，例如具有2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19或20个碳。
在本文中，“芳族杂环基”是指稳定的单环芳族环，其含有1至3个，或在一些实施方案中1至2个选自N、O和S的杂原子且其余的环原子为碳，或稳定的双环或三环系统，其含有至少一个5至7元芳族环，所述5至7元芳族环含有1、2、3或4个，或在一些实施方案中1或2个选自N、O、B和S的杂原子且其余的环原子为碳。在一个实施方案中，唯一的杂原子为氮。在一个实施方案中，唯一的杂原子为氧。在一个实施方案中，唯一的杂原子为硫。单环芳族杂环基通常具有5至7个环原子。杂芳基任选独立地被一个或多个本文所述的取代基取代。
在本文中，“任选”是指可以进行后续操作，也可以不进行后续操作。例如“任选用取代基取代”表示可以用取代基取代，也可以不用取代基取代。
在本文中，术语“取代的”是指指定原子或基团上的任何一个或多个氢被选自指定组的部分取代，条件是不超过指定原子的正常化合价。例如，当取代基是氧代(即，＝O)时，则在一个实施方案中，原子上的两个氢被替换。当氧代基替换芳香部分中的两个氢时，相应的部分不饱和环替换芳香环。例如，被氧代取代的吡啶基是吡啶酮。只有当这种组合产生稳定的化合物或有用的合成中间体时，取代基和/或变量的组合才是允许的。
具体而言，本发明涉及以下实施方案：
1、一种粘合促进剂，该粘合促进剂如式(I)所示：
Figure PCTCN2019094434-appb-000004
其中：R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；X表示任选用取代基取代的芳 族杂环基。
2、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基。
3、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基。
4、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基。
5、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基。
6、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基。
7、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的乙基。
8、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基中的碳任选用一个或多个N替换。
9、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
10、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
11、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
12、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代 基取代的C 1-C 6烷基，其中该烷基中的碳任选用一个或多个N替换。
13、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的丙基，其中该丙基中的碳任选用一个或多个N替换。
14、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元芳族杂环基。
15、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基。
16、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基，其中氮为1-4，优选1-3，更优选2-3，最优选3。
17、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的吡啶、嘧啶或三嗪。
18、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的三嗪，优选1,3,5-三嗪。
19、根据以上所述的粘合促进剂，其特征在于，该粘合促进剂为2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪或2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。
20、一种光敏树脂组合物，该光敏树脂组合物包含根据以上所述的粘合促进剂。
21、根据以上所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆、萘醌二叠氮光敏化合物中的一种或两种。
22、根据以上所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆和萘醌二叠氮光敏化合物。
23、根据以上所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含其他一种或多种粘合促进剂。
24、根据以上所述的光敏树脂组合物，其特征在于，以树脂清漆和光敏化合物的固体含量为基准，上述粘合促进剂的加入量为10-50000ppm，优选100-50000ppm，更优选1000-10000ppm。
25、根据以上所述的粘合促进剂或光敏树脂组合物的用途，其特征在于，所述粘合促进剂和光敏树脂组合物用于制造半导体集成电路(IC)、发光二极管(LED)、平板显示器(FPD)，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器 (OLED)。
本发明的粘合促进剂例如2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，是由硅/醇直接反应合成三乙氧基硅烷，三乙氧基硅烷通过硅氢化反应生成2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，合成途径如下式(1)所示。其中催化剂A系以铜及其化合物为催化剂先驱体；催化剂B为Pt、Rh、Ru、Ir等过渡金属及其配合物。
Figure PCTCN2019094434-appb-000005
本发明的粘合促进剂例如2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，可用卤代烷基硅氧基硅烷为原料，通过具有亲核性的化合物对硅烷中的卤烃基的氯进行取代反应得到。具有亲核性的化合物可以是氨、伯胺、仲胺、叔胺、膦、尿素、醇化物、羧酸盐、亚硫酸盐、亚磷酸盐、碱金属硫化物和假卤化物以及其他功能化合物等亲核化合物。反应式如下式(2)所示。
Figure PCTCN2019094434-appb-000006
本发明光敏树脂组合物中的碱溶性酚醛树脂清漆是指通过使用一种或多种酚与醛例如甲醛缩聚得到的树脂。碱溶性酚醛树脂清漆可以是未通过分馏除去低分子量组分的树脂，也可以是通过分馏除去了低分子量组分的树脂。通过分馏除去低分子量组分的方法，可以列举液液分馏法，原理是酚醛树脂清漆在两种不同溶解度的溶剂中分馏出来，或是通过离心方式除去低分子量组分的方式。
可用于形成碱溶性酚醛树脂清漆的酚可以列举，例如，苯酚，甲酚，如2-甲酚，3-甲酚和4-甲酚；二甲基苯酚，如2,5-二甲基苯酚，3,5-二甲基苯酚， 2,3-二甲基苯酚和3,4-二甲基苯酚；三甲基苯酚，如2,3,4-三甲基苯酚，2,3,5-三甲基苯酚，2,4,5-三甲基苯酚，3,4,5-三甲基苯酚；乙基苯酚，如2-乙基苯酚，3-乙基苯酚，4-乙基苯酚，2,3-二乙基苯酚，3,5-二乙基苯酚，2,3,5-三乙基苯酚，3,4,5-三乙基苯酚；间苯二酚类，如间苯二酚，2-甲基间苯二酚，4-甲基间苯二酚，5-甲基间苯二酚；邻苯二酚类，如5-甲基邻苯二酚；连苯三酚类，如5-甲基连苯三酚；双酚类，如双酚A，B，C，D，E，F；氯酚类，如2-氯酚，3-氯酚，4-氯酚，2,3-二氯苯酚；烷氧基苯酚类，如2-甲氧基苯酚，3-甲氧基苯酚，4-甲氧基苯酚，2,3-二乙氧基苯酚，2,5-二乙氧基苯酚等；羟甲基化的酚类，如2,6-二羟甲基-对甲酚；萘酚类，如α-萘酚，β-萘酚等。它们可以单独使用，也可以多种混合使用。
用于形成碱溶性酚醛树脂清漆的醛类，可以列举，例如，甲醛，乙醛，苯甲醛，水杨醛，低聚甲醛，多聚甲醛，羟基苯甲醛，氯乙醛等。它们可以单独使用，也可以多种混合使用。
本发明光敏树脂组合物中的光敏剂，是指用于光敏树脂组合物的感光材料，常用萘醌二叠氮光敏化合物。萘醌二叠氮光敏化合物可以由羟基或氨基化合物与醌二叠氮磺酰卤在碱性催化剂，如氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠或三乙胺的存在下，进行反应形成的酯类化合物。可以列举醌二叠氮化合物的实例，例如，1,2-萘醌二叠氮基-4-磺酰氯，1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰氯等。可以列举与醌二叠氮磺酰卤反应的羟基化合物，如2,3,4,4’-四羟基苯酮，2,3,4-三羟基苯酮，2,4,6-三羟基苯酮等。这些化合物可以单独使用，也可以多种混合使用。
本发明中的溶剂，可以列举的有，乙二醇单烷基醚类，如乙二醇单甲基醚，乙二醇单乙基醚等；丙二醇单烷基醚，如丙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯等；乙二醇单烷基乙酸酯，如乙二醇单甲基醚乙酸酯，乙二醇单乙基醚乙酸酯；丙二醇单烷基醚乙酸酯，如丙二醇单甲醚乙酸酯，丙二醇单乙醚乙酸酯；芳烃，如甲苯、二甲苯等；乳酸酯，如乳酸甲酯、乳酸乙酯；酮类，如甲乙酮、2-庚酮、环已酮等；醇类，如苯甲醇、吡啶乙醇等；酰胺类，如N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等；内酯类，如γ-丁内酯等。这些溶剂可以单独使用，也可以多种混合使用。
在本发明中，一种或多种粘合促进剂，是指包含一种或多种式(I)结构的粘合促进剂，无论是否含有非式(I)结构的粘合促进剂。粘合促进剂 的加入量以树脂清漆和光敏化合物的固体含量为基准，通常为10-50000ppm，优选100-50000ppm，更优选1000-10000ppm。
在制造半导体集成电路(IC)或超大规模集成电路(LSI)、平板显示器(FPD)、有机发光二极管(LED)时，常用光刻技术形成微元件或精细加工。光刻技术中，常用光敏树脂组合物作为抗蚀剂图形。将光敏树脂组合物涂覆在基底上，用来制造半导体集成电路，滤色器，平板显示器如TFT-LCD、OLED，有机发光二极管等装置。其基底材料可以是玻璃基底、硅基底、蓝宝石基底或其他金属、非金属基底，其尺寸也是任选的，基底材料也可以是其上形成的金属膜，如ITO膜、铬膜、钼膜，非金属膜，如碳化硅、砷化镓等，或其他金属、金属氧化物、非金属、非金属氧化物膜等。涂覆光敏树脂组合物后，通过软烘去除部分溶剂，经过曝光、显影，形成刻蚀剂图形。
以下通过具体实施例来详细阐述和说明本发明的实施方式，但以下内容不应理解为对本发明作任何限制。
实施例
以下通过具体实施例来详细阐述和说明本发明的实施方式，但以下内容不应理解为对本发明作任何限制，实施例中采用的物质等如果没有特殊说明均为市售产品。
实验名称 粘合促进剂名称
实施例1 2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪
实施例2 2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪
实施例3 2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪
对比例1 无
对比例2 3-氨丙基三乙氧基硅烷
对比例3 1-均三甲苯磺酰基-1,2,4-三唑
对比例4 六甲氧基三聚氰胺甲醛树脂
实施例1
在相对于100重量份(重量比酚醛树脂1(M/P＝1:1，Mw＝4000)：酚醛树脂2(M/P＝2:1，Mw＝15000)＝85:15)的酚醛树脂清漆树脂中，加入20份的1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰氯与2,3,4,4’-四羟基苯甲酮的酯化物，之后，加入相对于酚醛树脂清漆和萘醌二叠氮化合物总质量2000ppm的FC-4430(3M公司表 面活性剂)，1500ppm的粘合促进剂2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。之后将混合物溶解于750份(相对于100份的酚醛树脂清漆)的丙二醇单甲醚醋酸酯中，搅拌所得溶液，并用0.1μm孔径的特氟龙过滤器过滤得到光敏树脂组合物。2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000007
匀胶：将该光敏树脂组合物旋转涂覆在4吋硅晶圆上。
软烘：在110℃的热板上烘干100s，膜厚为2.5μm。
曝光：用NIKON NSR2005i9进行曝光。
显影：在23℃的2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液中显影80s。
确定最佳曝光量：用1μm的圆点图形(点与点距离1:1)确定最佳曝光量为60mJ/cm 2。
之后将该光敏树脂组合物涂覆在蓝宝石晶圆上，用同一个带有不同圆点(5μm、4μm、3μm、2μm、1μm)的掩膜版对准晶圆，60mJ/cm 2的曝光量进行曝光，用2.38wt％的四甲基氢氧化铵水溶液进行显影。之后检查的蓝宝石晶圆上残留的光敏树脂组合物圆点数量来评估光敏树脂组合物的粘结性。当圆点全部未发生剥离，表示粘结性好，标记为●；当部分圆点发生剥离时，标记为◎；当大部分圆点发生剥离，表示粘结性差，标记为○；当全部圆点发生剥离时，标记为×。
其中，实施例1中的粘合促进剂2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，是由硅/醇直接反应合成三乙氧基硅烷，三乙氧基硅烷通过硅氢化反应生成2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，合成途径如下式(1)所示。其中催化剂A系以铜及其化合物为催化剂先驱体；催化剂B为Pt、Rh、Ru、Ir等过渡金属及其配合物。
在实施例1中，将1kg硅粉和100g催化剂CuCl(AR(沪试)，≥97.0％)在450℃下处理5h，在180℃下通入5kg乙醇蒸汽反应18h，可得到三乙氧基硅烷。
然后将164g的得到的三乙氧基硅烷，与1g的铂催化剂在150℃下处理2h， 通入154g的2-乙烯基甲基-4,6-氨基-1,3,5三嗪在150℃反应12h，从而得到2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。
Figure PCTCN2019094434-appb-000008
实施例1得到的2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪通过质谱分析，存在以下峰：2,4-二氨基三嗪结构(m/z110)，-CH 2CH 2CH 2-(m/z42)，-SiOCH 2CH 3(m/z73)，-Si(OCH 2CH 3) 2(m/z105)，-Si(OCH 2CH 3) 3(m/z135)。
实施例2
与实施例1相同，除了将1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰氯与2,3,4,4’-四羟基苯甲酮的酯化物替换为60％的1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰氯脂与2,3,4,4’-四羟基苯酮的酯化物和40％的1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰氯与2,3,4-三羟基苯酮的酯化物。
实施例3
与实施例1相同，除了将粘合促进剂替换为2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪结构式如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000009
其中，实施例3中2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪，可用卤代烷基硅氧基硅烷为原料，通过具有亲核性的化合物对硅烷中的卤烃基的氯进行取代反应得到。具有亲核性的化合物可以是氨、伯胺、仲胺、叔 胺、膦、尿素、醇化物、羧酸盐、亚硫酸盐、亚磷酸盐、碱金属硫化物和假卤化物以及其他功能化合物等亲核化合物。反应式如下：
在实施例2中，将206.5g氯甲基-三乙氧基硅烷和143g的2-氨基甲基-4,6-氨基-1,3,5三嗪，在加压反应釜中，100℃反应12h得到2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。
Figure PCTCN2019094434-appb-000010
实施例3得到的2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪通过质谱分析，存在以下峰：2,4-二氨基三嗪结构(m/z110)，-SiOCH 2CH 3(m/z73)，-Si(OCH 2CH 3) 2(m/z105)，-Si(OCH 2CH 3) 3(m/z135)，-CH 2NHCH 2-(m/z43)，-CH 2NH-(m/z29)，-NH-(m/z15)。
对比例1
与实施例1相同，除了不使用粘合促进剂。
对比例2
与实施例1相同，除了使用3-氨丙基三乙氧基硅烷代替2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪作为粘合促进剂。3-氨丙基三乙氧基硅烷结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000011
对比例3
与实施例1相同，除了使用1-均三甲苯磺酰基-1,2,4-三唑代替2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪作为粘合促进剂。1-均三甲苯磺酰基-1,2,4- 三唑结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000012
对比例4
与实施例1相同，除了使用六甲氧基三聚氰胺甲醛树脂代替2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪作为粘合促进剂。六甲氧基三聚氰胺甲醛树脂结构如下：
Figure PCTCN2019094434-appb-000013
表一
  实施例1 实施例2 实施例3 对比例1 对比例2 对比例3 对比例4
5μm ● ● ● ○ ◎ ◎ ●
4μm ● ● ● × ◎ ◎ ◎
3μm ● ● ● × ◎ ◎ ◎
2μm ● ● ● × ◎ ◎ ◎
1μm ● ● ● × ◎ ○ ◎
经过上述试验可见，使用2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪作为粘合促进剂，掩膜版上的圆点图形无论大小，全部准确地转移到了蓝宝石基底上，而不使用粘合促进剂或使用其他类型的粘合促进剂，图形并未完全转移。上述试验结果充分地说明了该粘性促进剂的有效性，在PSS工艺中提高了光敏树脂组合物与蓝宝石的粘结性，提高了产品的良率。
前面仅仅示出了本发明的原理，应理解，本发明的范围不预期限制在本文所述的示例性方面，而应包括所有当前已知的和未来开发的等同物。另外，应当指出，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以作出若干改进和修改，这些改进和修改也应被视为本发明的范围。

Claims (25)

  1. 一种粘合促进剂，该粘合促进剂如式(I)所示：
    Figure PCTCN2019094434-appb-100001
    其中：R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基、任选用取代基取代的其他碳原子取代基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基、其他碳原子取代基中的碳任选用一个或多个N、O、S替换；X表示任选用取代基取代的芳族杂环基。
  2. 根据权利要求1所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基。
  3. 根据权利要求1-2中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基。
  4. 根据权利要求1-3中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基。
  5. 根据权利要求1-4中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示氢原子、任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基。
  6. 根据权利要求1-5中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基。
  7. 根据权利要求1-6中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中R 1、R 2、R 3表示任选用取代基取代的乙基。
  8. 根据权利要求1-7中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基、任选用取代基取代的苯基，其中该烷基、烯基、炔基、苯基中的碳任选用一个或多个N替换。
  9. 根据权利要求1-8中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 20烷基、任选用取代基取代的C 2-C 20烯基、任选用取代基取代的C 2-C 20炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
  10. 根据权利要求1-9中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 10烷基、任选用取代基取代的C 2-C 10烯基、任选用取代基取代的C 2-C 10炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
  11. 根据权利要求1-10中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基、任选用取代基取代的C 2-C 6烯基、任选用取代基取代的C 2-C 6炔基，其中该烷基、烯基、炔基中的碳任选用一个或多个N替换。
  12. 根据权利要求1-11中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的C 1-C 6烷基，其中该烷基中的碳任选用一个或多个N替换。
  13. 根据权利要求1-12中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中A表示任选用取代基取代的丙基，其中该丙基中的碳任选用一个或多个N替换。
  14. 根据权利要求1-13中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元芳族杂环基。
  15. 根据权利要求1-14中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基。
  16. 根据权利要求1-15中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的6元含氮芳族杂环基，其中氮为1-4，优选1-3，更优选2-3，最优选3。
  17. 根据权利要求1-16中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的吡啶、嘧啶或三嗪。
  18. 根据权利要求1-17中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，其中X表示任选用取代基取代的三嗪，优选1,3,5-三嗪。
  19. 根据权利要求1-18中任一项所述的粘合促进剂，其特征在于，该粘合促进剂为2-三乙氧基硅烷基丙基-4,6-氨基-1,3,5-三嗪或2-(三乙氧基硅烷基-甲氨基-甲基)-4,6-氨基-1,3,5-三嗪。
  20. 一种光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物包含根据权利要求1-19中任一项所述的粘合促进剂。
  21. 根据权利要求20所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆、萘醌二叠氮光敏化合物中的一种或两种。
  22. 根据权利要求20-21中任一项所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含碱溶性酚醛树脂清漆和萘醌二叠氮光敏化合物。
  23. 根据权利要求20-22中任一项所述的光敏树脂组合物，其特征在于，该光敏树脂组合物还包含其他一种或多种粘合促进剂。
  24. 根据权利要求20-23中任一项所述的光敏树脂组合物，其特征在于，以树脂清漆和光敏化合物的固体含量为基准，上述粘合促进剂的加入量为10-50000ppm，优选100-50000ppm，更优选1000-10000ppm。
  25. 根据权利要求1-19中任一项所述的粘合促进剂或根据权利要求20-24中任一项所述的光敏树脂组合物的用途，其特征在于，所述粘合促进剂和光敏树脂组合物用于制造半导体集成电路(IC)、发光二极管(LED)、平板显示器(FPD)，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)。
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