JPS61130947A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ポジ型レジスト組成物に関する。

更に詳述すれば、特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
と１，２−キノンジアト化合物を配合してなるポジ型レ
ジスト組成物に関する。

従来の技術 集積回路を製造するために使用されるレジストを大別す
ると、環化イソプレンゴムを素材としたネガ型レジスト
とノボラック樹脂を素材としたポジ型レジストになる。

そして集積回路の集積度が年毎上昇している近年では、
解像度の優れたポジ型感光性樹脂が多用される状況にな
ってきている。更に装置上からレジストの解像度を上げ
るため、レクチルを縮少しステップワイズに放射線を照
射する方式からなる縮少放射線投影機が広く使用される
ようになってきている。このように集積回路の集積度を
上げるためにあらゆる努力が続けられており、パターニ
ングされたレジスト層を有する基板のエツチング方式も
ウェットエツチング方式からドライエツチング方式へと
変わりつつある。ウェットエツチング方式とは、具体的
にはシリコン酸化膜を有する基板やアルミニウム基板上
に形成されたレジストパターンをマスクとして使用し、
シリコン酸化膜を有する基板にはフン化水素を、アルミ
ニウム基板にはリン酸を主とする水溶液を作用させて基
板をエツチングする方式である。

この際、ウェットエツチング方式におけるエツチングは
、シリコン酸化膜やアルミニウム面に対して垂直方向の
みに起きるのではな（、水平方向にも起きるために基板
が等方的にエツチングされるようになる。

従って、シリコン酸化膜やアルミニウム面の厚み方向と
同じ長さだけ水平方向にもエツチングされるため、エツ
チングすべき膜の厚みの少なくとも２倍以上の幅を持つ
レジストパターンでなければ、エツチング時にレジスト
パターンが剥離してしまうことになり、集積回路の集積
度に限界を生ぜしむる原因を与えている。

一方、ドライエツチング方式とは、具体的にはシリコン
酸化膜を有する基板の場合はテトラフルオ口メタ−ンを
、アルミニラミ基板の場合はテトラクロロメタン、トリ
クロロボロンなどのハロゲン化合物をプラズマ化して反
応性イオンを生ぜしめ、それを一方向よりレジストパタ
ーンを有する基板に当ててエツチングするため、基板に
垂直方向のみのエツチング、いわゆる異方的にエツチン
グされることになり、マスクとして使用したレジストパ
ターンの形状をそのまま写しとることになる。そのため
、レジストの解像度と同じ゛解像度をエツチング工程で
維持できることになる。

しかし実際には、反応性イオンで基板をエツチングする
場合、基板の温度が上昇するためにレジストパターンが
熱変形を受は寸法精度を低下させたり、反応性イオンが
レジストパターンに損傷・を与えることによってレジス
トの解像度と同じ解像度をエツチング工程で維持するこ
とが困難となる。そして従来のノボラック樹脂系ポジ型
レジストは、比較的この過酷なドライエツチング方式に
耐えうるちのと評価されてい−るが、充分に満足できる
レベルにないのが現状である。

発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記ノボラック系樹脂ポジ型レジスト
の欠点を解決し、耐熱性および耐ドライエツチング性に
優れ、かつ現像性にも優れた集積回路製造用のレジスト
として好適なポジ型レジスト組成物を提供することにあ
る。

問題点を解決するための手段 本発明は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１．２−キ
ノンジアジド化合物からなるポジ型レジスト組成物にお
いて、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が下記一般式（
１） 〔式中、Ｒ＋　ＳＲｚ　、Ｒ３、Ｒ４およびＲ３は　　
・。

同一または異なり、水素原子、水酸基、炭素数１〜４の
アルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を示し、
Ｒ＋　、Ｒｚ　、Ｒ３、ＲａおよびＲ３の少なくとも１
つは水酸基であり、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜４のア
ルキル基またはで示されるアラルキル基（式中、Ｒ１は
水素原子、メチル基、Ｒ１およびＲ９は同一または異な
り、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ハローゲン
原子またはニトロ基であり、ｎはＯ〜２の整数である）
である〕で表される単位を含むことを特徴とするポジ型
レジスト組成物を提供するものである。

本発明で使用されるアルカリ可溶性ノボラッり樹脂は、
とドロキシナフタリン類（Ａ）とアルデヒド類とを酸触
媒の存在下、付加縮合により合成される。

ヒドロキシナフタリン類としては、１−ナフトール、２
−ナフトール、２−メチル−１−ナフトール、３−メチ
ル−１−ナフトール、４−メチル−１−ナフトール、６
−メチル−１−ナフトール、７−メチル−１−ナフトー
ル、１−メチル−２−ナフトール、２−エチル−１−ナ
フトール、２−プロピル−１−ナフトール、２−プチル
ー１−ナフトールなどのナフトール類、１．２−ジヒド
ロキシナフタリン、１．３−ジヒドロキシナフタリン、
１．４−ジヒドロキシナフタリン、１，５−ジヒドロキ
シナフタリン、１．６−ジヒドロキシナフタリン、１．
７−ジヒドロキシナフタリン、２．３−ジヒドロキシナ
フタリン、２．６−ジヒドロキシナフタリン、２．７−
ジヒドロキシナフタリンなどのジヒドロキシナフタリン
類、１．２．３−トリヒドロキシナフタリン、１．２．
４−）ジヒドロキシナフタリン、１，４．５−）ジヒド
ロキシナフタリン、１．６．７−トリヒドロキシナフタ
リンなどのトリヒドロキシナフタリン類、１．２゜３．
４−テトラヒドロナフタリン、１，４，５゜８−テトラ
ヒドロキシナフタリン、１，２．４゜５−テトラヒドロ
キシナフタリン、１，２．４゜６−テトラヒドロキシナ
フタリン、１，２，４゜７−テトラヒドロキシナフタリ
ン、１．２，４゜８−テトラヒドロキシナフタリン、１
，２，５゜８−テトラヒドロキシナフタリン、ｌ、３，
４゜５−テトラヒドロキシナフタリンなどのテトラヒド
ロキシナフタリン類、４−メトキシ−１−ナフトール、
４−エトキシ−１−ナフトール、４−プロポキシ−１−
ナフトール、４−ブトキシ−１−ナフトールなどのアル
コキシナフトール類を挙げることができる。

これらのヒドロキシナフタリン類において、ナフトール
類としては１−ナフトールおよび３−メチル−１−ナフ
トールが、ジヒドロキシナフタリン類としては１．３−
ジヒドロキシナフタリン、１，４−ジヒドロキシナフタ
リンおよび１，５−ジヒドロキシナフタリンが、トリヒ
ドロキシナフタリン類としては１，４．５−トリヒドロ
キシナフタリンが、テトラヒドロキシナフタリン類とし
ては１，４，５．８−テトラヒドロキシナフタリンが、
アルコキシフトール類としては４−メトキシ−１−ナフ
トールが、好ましいとドロキシナフタリン類である。

これらヒドロキシナフタリン類は、単独または２種以上
混合して使用することができる。

本発明で使用されるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、
ヒドロキシナフタリンＩＩ（（Ａ）と共に付加縮合する
ことができるフェノール［（Ｂ）との縮合体でもよい。

フェノール類（Ｂ）としてはフェノール、０−クレゾー
ル、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェ
ノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール
、Ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−
ブチルフェノール、２．３−キシレノール、２．４−キ
シレノール、２．５−キシレノール、３．４−キシレノ
ール、３．５−キシレノール、２．３．５−）リメチル
フェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒドロキノン、
カテコール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノー
ル、ピロガロールなどを、好ましくはフェノール、０−
クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２．５
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３．５−
１−リメチルフェノール、レゾルシノールおよび２−メ
チルレゾルシノールを挙げることができる。これらのフ
ェノール類（Ｂ）は、単独でまたは２種以上混合して使
用することができる。

ヒドロキシナフタリン［（Ａ）とフェノール類（Ｂ）と
の共縮合割合は、（Ａ）／　（Ｂ）＝１０／９０〜１０
０１０（モル比〕がよく、更に好ましくは（Ａ）／　（
Ｂ）＝３０／７０〜１０Ｑ１０（モル比〕である。

また、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
ぼ−フヱニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、Ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロ
ロベンズアルデヒド、ｉ−クロロベンズアルデヒド、０
−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズア
ルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒドなどを、好
ましくはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズ
アルデヒドを挙げることができる。

アルデヒド類は、ヒドロキシナフタリン類（Ａ）および
フェノールｌ［（Ｂ）の合計１モルに対して０．７〜３
モル、好ましくは１．１〜２モルの割合で使用される。

酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸などの無機酸、蟻酸
、蓚酸、酢酸などの有機酸が使用される。これらの酸触
媒の使用量は、ヒドロキシナフタリンＷ　（Ａ）および
フェノール類（Ｂ）の合計１モル当たりｌＸｌ０−’〜
５×１０−モルが好ましい。

縮合反応においては、通常、反応媒質として水を用いる
が、縮合反応において使用するヒト　　。

ワキシナフタリン類（Ａ）、フェノール類（Ｂ）がアル
デヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系に
なる場合には、反応媒質として親水性の溶媒を使用する
ことができる。

かかる溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパツ
ール、ブタノールなどのアルコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテ
ル類を例示することができる。これらの反応媒質の使用
量は、反応原料１００重量部当たり５０〜１０００重量
部が一般的である。　　　　　　　　　　　　　　　　
　１縮合反応時の反応温度は、反応原料の反応性に応じ
て適宜調整することができるが、通常１０〜１５０℃で
あり、好ましくは７０〜１３０℃である。

縮合反応に引き続き通常は系内に存在する未反応モノマ
ー、アルデヒド類、酸触媒および反応媒質を除くため、
内温を１３０〜２３０℃に上げ、減圧下揮発分を留去し
、次いで溶融したノボラック樹脂をスチール製ベルトな
どの上に流灘して、目的とするアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂を回収する。

また縮合反応終了後に前記親水性の溶媒に一反応混合物
を溶解し、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの沈澱
剤に添加することによりノボラック樹脂を析出させ、析
出物を分離し加熱乾燥する方法によってもアルカリ可溶
性ノボラック樹脂を回収することができる。

本発明で使用される１、２−キノンジアジド化合物は、
特に限定されるものではないが、例えば１．２−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどを挙
げることができ、具体的にはｐ−クレゾール−１，２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、レゾ
ルシン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、ピロガロール−１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステルなどの（ポリ）ヒドロキ
シベンゼンの１．２−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル類、２．４−ジヒドロキシフェニル−プロピルケトン
−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、２，４−ジヒドロキシフェニル−ｎ−ヘキシルケ
トン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
エステル、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフ・トキノンジアジドー５−スルホン酸エステル
、２，３．４−）リヒドロキシフェニルーｎ−へキシル
ケトン−１，２−ナフトキ　　　　　・ノンジアジド−
４−スルホン酸エステル、２゜３．４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン−１゜２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステル、２，３．４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル、２，４．６−）リヒドロキシベンゾフ
ェノンーｉ、２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステル、２．　４．　６−トリヒドロキシベンソー
フエノンー１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステルなどの（ポリ）ヒドロキシフェニルアルキ
ルケトンまたは（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケ
トンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２
，４−ジヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２゜
３．４−トリヒドロキシフェニル）メタン−１゜２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２．２
−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，
２−ビス（２゜４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ル、２．２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニ
ル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸エステルなどのビス〔（ポリ）ヒドロキシフェ
ニル〕アルカンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル類、３．５−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル−１
，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル
、２，３．４−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、
３，４．５−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−１，２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３
゜４、　５−　トリヒドロキシ安息香酸フェニル−１゜
２ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなど
の（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは
（ポリ）ヒドロキシ安息香酸アリールエステルの１，２
−キノンジアジドスルホン酸エステル類、ビス（２，５
−ジヒドロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフトキ
ノン−４−スルホン酸エステル、ビス（２，３゜４−ト
リヒドロキシベンゾイル）メタン−１゜２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，４，
６−トリヒドロキシベンゾイル）メタン−１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ｐ−ビス
（２゜５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン−１゜２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸二　゛ステル
、ｐ−ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）
ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル、ｐ−ビス（２，４，６−）ジヒドロキシ
ベンゾイル）ベンゼン−１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸エステルなどのビス〔（ポリ）ヒドロ
キシベンゾイルコアルカンまたはビス〔（ポリ）ヒドロ
キシベンゾイル〕ベンゼンの１．２−キノンジアジドス
ルホン酸エステル類、エチレングリコールージ（３，５
−ジヒドロキシベンゾエート）−１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステル、ポリエチレングリ
コールージ（３，４，５−トリヒドロキシベンゾニー）
）−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステルなどの（ポリ）工゛チレングリコールージ〔（ポ
リ）ヒドロキシベンゾエート〕の１，２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステル類を挙げることができる。これら
例示した１、２−キノンジアジド化合物の他にＪ、Ｋｏ
ｓａｒ著”　Ｌｉｇｈｔ−５ｅｎｓｉｔｉｖｅ　５ｙｓ
ｔｅｖｓｓ″３３９〜３５２　、（１９６５）、Ｊｏｈ
ｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ社（ＮｅｗＹｏｒｋ）や
Ｗ、Ｓ、Ｄｅ　Ｆｏｒｅｓｔ著”　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉ
ｓｉｔ　”５０＋　（１９７５）、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉ
ｌｌ、　Ｉｎｃ、　（Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ）に掲載されて
いる１、２−キノンジアジド化合物を挙げることもでき
る。

これらの１．２−キノンジアジド化合物の配合量は、上
記アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対して
５〜１００重量部であり、好ましくは１０〜５０重量部
である。゛５重量部未満では、１．２−キノンジアジド
化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量が少な
いので、パターニングが困難であり、１００重量部を超
えると、短時間の放射線照射では加えた１、２−キノン
ジアジド化合物の総てを分解することができず、アルカ
リ性水溶液からなる現検液による現像が困難となる。

本発明のポジ型レジスト組成物は、上記アルカリ可溶性
ノボラック樹脂と１，２−キノンジアジド化合物を溶剤
に溶解して作製するが、溶剤としては、例えばエチリン
グリコール七ツメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートな
どのセロソルブエステル類、トルエン、キシレンなどの
芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエ
ステル類を挙げることができる。またこれらの溶剤を２
種類以上混合して使用することもできる。更に、ベンジ
ルエチルエーテル、ジヘキシルエーテルなどのエーテル
類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエ
ーテル類、アセトニルアセトン、イソホロンなどのケト
ン類、カプロン酸、カプリル酸などの脂肪酸類、１−オ
クタツール、１−ノナノール、ベンジルアルコールなど
のアルコール類、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、蓚酸
ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プ
ロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどのエステ
ル類のごとき高沸点溶剤を添加することもできる。

更に、本発明のポジ型レジスト組成物に、必要に応じて
界面活性剤、保存安定剤、色素、顔料などを添加するこ
ともできる。なお、本発明のポジ型レジスト組成物の塗
膜とシリコン酸化膜などの基板との接着力を向上させる
ため、予めヘキサメチルジシラザンやクロロメチルシラ
ンなどを被塗布基板に塗布することもできる。

本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水な
どの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミ
ンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロ
ピルアミンなどの第三アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエタ
ノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコール
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アン
モニウム塩などのアルカリ類の水溶液、ピロール、ピペ
リジン、１．８−ジアザビシクロ（５，４゜０）−７−
ウンデセン、１．５−ジアザビシクロ（４，３，０）−
５−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が使用され、金
属を含有する現像液の使用が問題となる集積回路作製時
には、第四級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液を使
用するのが好ましい。また上記アルカリ類の水溶液にメ
タノール、エタノールのようなアルコール類などの水溶
性有機溶媒や界面活性剤を適量添加した水溶液を現像液
に使用することもできる。

実施例　　・ 次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもので
はない。

実施例１ 内容Ｈ４５００ｍ　ｇの三つロセパラプルフラスコに１
−ナフトール１１５ｇ、３７１１ｔ％ホルマリン水溶液
８４ｇ〔ホルムアルデヒド／１−ナフトール−１，３（
モル比）〕、蓚酸０．３８ｇおよびｎ−ブタノール６５
ｇを仕込み、攪拌して均一溶液とした０次いで、攪拌し
ながらセパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００
℃にコントロールして３時間付加縮合を行った。

反応後、油浴の温度を上げ、内温か１５０℃になるよう
コントロールしながら、２（ｌｎ＋Ｈｇの減圧下で、反
応系の水、未反応物およびｎ−ブタノールを除去しアル
カリ可溶性ノボラック樹脂を得た。

ここで合成したアルカリ可溶性ノボラック樹脂１０．７
ｇおよび２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン−
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸トリエ
ステル２．３ｇをエチルセロソルブアセテート３７ｇに
溶解し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタ−で濾過
してポジ型レジスト組成物の溶液を調整した。

シリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピンナ
ーで上記溶液を塗布したのち、９０℃で３０分間オーブ
ン中でブレベークして１μｍ厚のレジスト膜を形成させ
た。次いでホトマスクを介して、波長４３６　ｒｉｍを
中心とする紫外線を照射した後、２重量％テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、２μｍ巾の
ラインアンドスペースのパターンをイ乍製した。得られ
たパターンは、剥離および現像残りがみられず、現像性
に優れていることが確認された。

このレジストパターンの耐熱性をテストするため、ホッ
トプレート上にレジストパターンを存するウェハーを５
分間載せ、ホットプレートの温度とレジストパターンの
熱変形状態を観察し、パターンが変形しない最高温度を
耐熱温度としたとき、このものの耐熱温度は１５０℃で
あり、非常に耐熱性が良いことがわかった。

次に得られたレジストパターンを平行平板型プラズマド
ライエツチング装置（電極間隔４０寵）に装着し、出力
１００Ｗ、ガス圧１５Ｐａの条件でテトラフルオロメタ
ン／酸素〔９５１５（容を比）　）をプラズマ化し、レ
ジストパターンのドライエツチング性を調べた。レジス
トパターンがエツチングされる速度に対するシリコン酸
化膜のそれの比を選択比と称するが、このレジストパタ
ーンは、選択比が４．０と非常に高い値を示し耐ドライ
エツチング性が優れていることが確認された。

比較例１ 内容積５００ｒｎｌの三つロセパラブルフラスコにｍ−
クレゾール１６２ｇ、３７重ｔ％ホルマリン水溶液１１
５ｇ（ホルムアルデヒド／ｍ−クレゾール−０，９５（
モル比）〕および蓚酸０．０８ｇを仕込んだ。攪拌しな
がら、セパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を１００
℃にコントロールして３時間付加縮合を行った。

反応後、油浴の温度を上げ、内温か１５０℃になるよう
コントロールしながら、２０ｎ＋Ｈｇの減圧下で、反応
系の水および未反応物を除去しアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂を得た。

このアルカリ可溶性ノボラック樹脂を用いた他は、実施
例１と同様にポジ型レジスト組成物溶液を調製し、シリ
コンウェハー上に２μｍ巾のラインアンドスペースのレ
ジストパターンを作製した。しかし得られたレジストパ
ターンは、一部に剥離がみられ現像性の劣るものであっ
た。

次いで得られたレジストパターンの耐熱温度を調べたと
ころ、１１０℃と低いものであった。

また、このレジストパターンの耐ドライエツチング性を
調べたところ、選択比が２．１と低く、耐ドライエツチ
ング性も悪いものであった。

実施例２〜４ 実施例１で合成したアルカリ可溶性ノボラック樹脂に表
１の１，２−キノンジアジド化合物を組み合わせた他は
実施例１と同様にポジ型レジスト組成物の溶液を調製し
、次いでレジストパターンを形成しレジストパターンの
耐熱温度および耐ドライエツチング性を調べた。この結
果、表１に示すようにいずれのレジストパターンも耐熱
温度が高く、かつ耐ドライエフチグ性に優れていた。

また現像性も実施例１と同様に優れていることが確認さ
れた。

実施例５〜１０ 実施例１の１−ナフトールに替え、表２に示すヒドロキ
シナフタリン類とフェノール類との組成物を使用した他
は全て実施例１と同様にアルカリ可溶性ノボラック樹脂
を合成した０次いで実施例１と同様にポジ型レジスト組
成物の溶液を調製し、レジストパターンを形成し、耐熱
温度および耐ドライエツチング性について調べた。結果
は表２に示すように、いずれも優れたものであった。

また現像性も実施例１と同様に優れていることが確認さ
れた。

表２ 発明の効果

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と１，２−キノンジ
   アジド化合物とからなるポジ型レジスト組成物において
   、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂が下記一般式（ I
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・（ I ） 〔式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４およびＲ＿５
   は同一または異なり、水素原子、水酸基、炭素数１〜４
   のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を示し
   、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４およびＲ＿５の少な
   くとも１つは水酸基であり、Ｒ＿６は水素原子、炭素数
   １〜４のアルキル基または▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ で示されるアラルキル基（式中、Ｒ＿７は水素原子、メ
   チル基、Ｒ＿８およびＲ＿９は同一または異なり、水素
   原子、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子または
   ニトロ基であり、ｎは０〜２の整数である）である〕で
   表される単位を含むことを特徴とするポジ型レジスト組
   成物。