JP6028883B1 - レジスト永久膜用硬化性組成物及びレジスト永久膜 - Google Patents
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Abstract
Description
で表される分子構造を有するフェノール性水酸基含有化合物(A)と、感光剤(B1)または硬化剤(B2)とを含有することを特徴とするレジスト永久膜用硬化性組成物を提供するものである。
で表される分子構造を有する。
で表される分子構造を有することがより好ましい。
で表される構造部位が挙げられ、具体的には、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒドロキシアルコキシフェニル基、アルコキシフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基等が挙げられる。
の何れかで表される化合物等が挙げられる。
測定装置:東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」、
カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HHR−H」(6.0mmI.D.×4cm)+東ソー株式会社製「TSK−GEL GMHHR−N」(7.8mmI.D.×30cm)+東ソー株式会社製「TSK−GEL GMHHR−N」(7.8mmI.D.×30cm)+東ソー株式会社製「TSK−GEL GMHHR−N」(7.8mmI.D.×30cm)+東ソー株式会社製「TSK−GEL GMHHR−N」(7.8mmI.D.×30cm)
検出器:ELSD(オルテックジャパン株式会社製「ELSD2000」)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC−8020モデルIIデータ解析バージョン4.30」
測定条件:カラム温度 40℃
展開溶媒 テトラヒドロフラン(THF)
流速 1.0ml/分
試料:樹脂固形分換算で1.0質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの(5μl)。
標準試料:前記「GPC−8020モデルIIデータ解析バージョン4.30」の測定マニュアルに準拠して、分子量が既知の下記の単分散ポリスチレンを用いた。
東ソー株式会社製「A−500」
東ソー株式会社製「A−1000」
東ソー株式会社製「A-2500」
東ソー株式会社製「A−5000」
東ソー株式会社製「F−1」
東ソー株式会社製「F−2」
東ソー株式会社製「F−4」
東ソー株式会社製「F−10」
東ソー株式会社製「F−20」
東ソー株式会社製「F−40」
東ソー株式会社製「F−80」
東ソー株式会社製「F−128」
東ソー株式会社製「F−288」
東ソー株式会社製「F−550」
装置:日本電子(株)製 AL−400
溶媒:ジメチルスルホキシド−d6、TMS基準
試料濃度 :30wt%
測定モード:SGNNE(NOE消去の1H完全デカップリング法)
パルス角度:45°パルス
積算回数 :10000回
日本分光株式会社製「FT/IR−500」を用いて、KBr錠剤法により測定を行った。
日本電子株式会社製の二重収束型質量分析装置AX505H(FD505H)を用いて測定した。
温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに、1,6−ジヒドロキシナフタレン160g、4−ヒドロキシベンズアルデヒド122g、2−エトキシエタノール290g、95%硫酸1.7gを仕込み、80℃に昇温後8時間撹拌した。反応終了後、酢酸エチル300g、イオン交換水160gを加えた後、分液漏斗で下層よりpH1の水層を棄却した。イオン交換水160gによる有機層洗浄を7回実施し、棄却される水層がpH4であることを確認した。上層の有機層を、エバポレータを用いて加熱減圧濃縮し、更に乾燥を行い、目的のフェノール性水酸基含有化合物(A1)がGPCの面積比で89%含まれる組成物247gを得た。収率は93%であり、FD−MSスペクトルから環状化合物〔前記構造式(1)で表される分子構造を有する化合物)を示す1056のピークが検出された。
4−ヒドロキシベンズアルデヒド122gの代わりにサリチルアルデヒドを122g用いた以外は合成例1と同様にしてフェノール性水酸基含有化合物(A2)がGPCの面積比で95%含まれる組成物252gを得た。FD−MSスペクトルから環状化合物〔前記構造式(1)で表される分子構造を有する化合物)を示す1056のピークが検出された。
温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌器を取り付けたフラスコに、α-ナフトール48g(0.30モル)、42%ホルムアルデヒド水溶液26g(0.36モル)、イソプロピルアルコール50g及び48%水酸化ナトリウム9.4g(0.11モル)を仕込み、室温下、窒素を吹き込みながら撹拌した。その後、80℃に昇温して1時間撹拌した。反応終了後、第1リン酸ソーダ8gを添加して中和し、冷却して結晶物をろ別した。該結晶物を水50gで3回洗浄した後、加熱減圧乾燥して比較対照用環状化合物〔比較対照用フェノール性水酸基含有化合物(A´1)〕47gを得た。
温度計、冷却管、撹拌器を取り付けた1Lの四口フラスコに、1−ナフトール144g(1.0モル)、メチルイソブチルケトン400g、水96g及び92%パラホルムアルデヒド27.7g(0.85モル)を仕込んだ。続いて攪拌しながら50%濃度に調整したパラトルエンスルホン酸の水溶液4.8gを添加した。その後、攪拌しながら80℃に昇温し、2時間反応させた。反応終了後、系内の溶液を分液ロートに移し水層を有機層から分離除去した。次いで洗浄水が中性を示すまで水洗後、有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、比較対照用環状化合物〔ナフトールノボラック樹脂(A´2)〕47gを得た。
フェノール性水酸基含有化合物(A1)を用いて本発明のレジスト永久膜用硬化性組成物(1)を下記に従い調製した。得られたレジスト永久膜用硬化性組成物(1)のの溶剤溶解性と、該組成物(1)を用いて得られる塗膜のアルカリ溶液に対する現像性、光感度及び解像度を下記方法に従い評価した。また、フェノール性水酸基含有化合物(A1)の耐熱性を下記方法に従い評価した。評価結果を第1表に示す。
フェノール性水酸基含有化合物(A1)8部と、と感光剤(東洋合成工業株式会社製「P−200」4,4‘−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド2モルとの縮合物)2部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」と略記する。)を溶液濃度20%になるようPGMEAに加え、本発明のレジスト永久膜用硬化性組成物(1−1)を得た。レジスト永久膜用硬化性組成物(1−1)を常温条件下で振とう機にて撹拌し、PGMEA溶液を得た。撹拌後、容器内の溶剤の状態を目視で評価した。
溶解:均一透明な状態
不溶:固形成分が析出または沈殿した状態
前記<溶剤溶解性の評価方法>で得たPGMEA溶液を直径5インチのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布後、110℃で60秒乾燥し、約1μmの厚さの薄膜を得た。アルカリ溶液(2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)に60秒浸漬させ、浸漬後の膜厚を、膜厚計(フィルメトリクス社製「F−20」)を用いて測定してアルカリ溶解速度(ADR)を測定して、耐アルカリ溶液性を評価した。ADRは薄膜への露光前と露光後とで測定した。露光量は100mJ/cm2である。
フェノール性水酸基含有化合物(A1)16部、硬化剤(東京化成工業(株)製「1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル」)3部をPGMEA 100部に加え、混合、溶解し、0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、本発明のレジスト永久膜用硬化性組成物(1−2)を得た。
レジスト永久膜用硬化性組成物(1−2)を塗布して乾燥したシリコンウェハー上にフォトマスクを乗せ、ウシオ電機(株)製マルチライト(g・h・i線)で100mJ/cm2照射し感光した。得られた感光済み塗膜を上記<溶剤溶解性の評価方法>と同様に現像、乾燥させ、(株)キーエンス製レーザーマイクロスコープVK−8500でパターン状態を下記基準により評価した。
○:L/S=5μmで解像できているもの、
×:L/S=5μmで解像できていないもの。
示差熱熱重量同時測定装置(TG/DTA)を用い、下記条件で、一定速度で昇温時の重量減少を測定し、熱分解開始温度を求めた。この温度が高い程、耐熱性に優れる。
測定機器:セイコーインスツールメント社製TG/DTA 6200
測定範囲:RT〜400℃
昇温速度:10℃/min
雰囲気:窒素
第1表に示す配合を用いた以外は実施例1と同様にして、レジスト永久膜用硬化性組成物及び比較対照用レジスト永久膜用硬化性組成物を得た。実施例1と同様の評価を行い、その結果を第1表に示す。
Claims (8)
- 下記構造式(1)
で表されるアリール基であり、nは2〜10の整数である。R2はアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子の何れかであり、mは0〜4の整数である。mが2以上の場合、複数のR2はそれぞれ同一でも良いし異なっていても良く、ナフチレン骨格の2つの芳香環のうちどちらに結合していても良い。)
で表される分子構造を有するフェノール性水酸基含有化合物(A)と、感光剤(B1)または硬化剤(B2)とを含有することを特徴とするレジスト永久膜用硬化性組成物。 - 前記フェノール性水酸基含有化合物(A)が、下記構造式(1−1)
で表されるアリール基であり、nは2〜10の整数である。R2はアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子の何れかであり、mは0〜4の整数である。mが2以上の場合、複数のR2はそれぞれ同一でも良いし異なっていても良く、ナフチレン骨格の2つの芳香環のうちどちらに結合していても良い。)
で表される分子構造を有するものである請求項1記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。 - 前記構造式(1)又は(1−1)中のR1がヒドロキシフェニル基である請求項1又は2記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。
- 前記フェノール性水酸基含有化合物(A)が、ジヒドロキシナフタレン化合物と芳香族アルデヒドとを酸性触媒の存在下で反応させて得られるものである請求項1記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。
- 前記ジヒドロキシナフタレン化合物が1,6−ジヒドロキシナフタレンであり、前記芳香族アルデヒドが、4−ヒドロキシベンズアルデヒドまたはサリチルアルデヒドである請求項4記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。
- 前記感光剤(B1)をフェノール性水酸基含有化合物(A)100質量部に対し5〜50質量部含有する請求項1記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。
- 前記硬化剤(B2)をフェノール性水酸基含有化合物(A)100質量部に対し0.5〜20質量部含有する請求項1記載のレジスト永久膜用硬化性組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載のレジスト永久膜用硬化性組成物を硬化させてなることを特徴とするレジスト永久膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015006724 | 2015-01-16 | ||
JP2015006724 | 2015-01-16 | ||
PCT/JP2015/082512 WO2016114000A1 (ja) | 2015-01-16 | 2015-11-19 | レジスト永久膜用硬化性組成物及びレジスト永久膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6028883B1 true JP6028883B1 (ja) | 2016-11-24 |
JPWO2016114000A1 JPWO2016114000A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=56405557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016536257A Active JP6028883B1 (ja) | 2015-01-16 | 2015-11-19 | レジスト永久膜用硬化性組成物及びレジスト永久膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10179828B2 (ja) |
JP (1) | JP6028883B1 (ja) |
KR (1) | KR102438520B1 (ja) |
CN (1) | CN107111229B (ja) |
TW (1) | TWI669349B (ja) |
WO (1) | WO2016114000A1 (ja) |
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- 2015-11-19 JP JP2016536257A patent/JP6028883B1/ja active Active
- 2015-11-19 WO PCT/JP2015/082512 patent/WO2016114000A1/ja active Application Filing
- 2015-11-19 KR KR1020177012627A patent/KR102438520B1/ko active IP Right Grant
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CN107111229B (zh) | 2020-11-27 |
TWI669349B (zh) | 2019-08-21 |
TW201638251A (zh) | 2016-11-01 |
CN107111229A (zh) | 2017-08-29 |
JPWO2016114000A1 (ja) | 2017-04-27 |
WO2016114000A1 (ja) | 2016-07-21 |
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KR20170104441A (ko) | 2017-09-15 |
US20170349690A1 (en) | 2017-12-07 |
KR102438520B1 (ko) | 2022-09-01 |
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