JP2005023210A - 水性アルカリ可溶性樹脂、感光性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の課題は、高いドライエッチング耐性や耐熱性向上が期待できるナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を重合単位に含み、かつ、重合体組成・構造を精密に制御できる水性アルカリ可溶性樹脂及び、これを用いることで高性能の感光性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】特定のナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂及び、これを樹脂マトリックスにした感光性樹脂組成物による。
【選択図】 図1
【解決手段】特定のナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂及び、これを樹脂マトリックスにした感光性樹脂組成物による。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナフタレン核に直接結合した水酸基を有する化合物、即ち、ナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を重合単位に含む水性アルカリ可溶性樹脂、感光性組成物およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
水性アルカリ現像型レジストのベース樹脂としてノボラック樹脂が広く用いられていたg−線,i−線用ポジ型レジストのドライエッチング耐性や耐熱性向上のために,ノボラック樹脂中にナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を組み込むことが,例えば,特許文献1,特許文献2等で知られている。上記公知の合成方法は、ノボラック樹脂の合成方法、すなわち、m−クレゾールやp−クレゾールなどのフェノール類を重合単位とし、アルデヒド類、たとえばホルムアルデヒドとともに酸触媒下で付加縮合重合させる方法であり、重合単位としてフェノール類に加えて、あるいは替えてナフトール類を用いる方法である。一方、クレゾールノボラック樹脂の改質のために2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールを用いることは非特許文献1に記載されている。g−線,i−線用ポジ型レジストでは、その基本的組成として、ノボラック樹脂と上記特許文献等に記載されているようなナフトキノンジアジド化合物からなる感光性水性アルカリ溶解阻害剤とからなり、未露光部ではノボラック樹脂の水性アルカリ可溶性が当該ナフトキノンジアジド化合物の含有によって溶解性を阻害され、露光部は感光性によって当該化合物が水性アルカリ溶解性物質に光化学変化して、現像溶解することでポジ型パタンを得る。一般にノボラック樹脂の合成方法では、得られる重合体樹脂の分子量分布は、比較的低分子量のオリゴマ領域から、分子量数十万にいたる高分子量成分まで含む広いものとなる。オリゴマ領域の成分は、水性アルカリ溶解性が高く、当該ポジ型レジストの高感度化に寄与するが、樹脂の耐熱性を落とす性質がある。高分子量成分は耐熱性向上には寄与するが水性アルカリ溶解性は小さく、レジスト感度を低下させる性質を持つ。また、重合単位となるフェノール類等は種々の改質のために単一の化合物を用いることは少なく2種あるいはそれ以上の化合物を用いるが、こうした場合、各重合単位化合物の反応性の相違から、重合度によって、重合組成の相違もあり得る。
【0003】
近年、半導装置の高集積化が急速に進み、その微細加工に用いる光リソグラフィの波長もg−線,i−線より短波長のKrFエキシマレーザ等遠紫外線域のものが用いられるに至り、ノボラック樹脂より遠紫外線域の透過率が高いポリヒドロキシスチレン類をレジストのベース樹脂として用いることが主流となった。また、感光機構としても、いわゆる化学増幅系が適用されるようになった。代表的な化学増幅系ポジ型レジスト組成は、必須成分として酸分解性保護基によって保護された水酸基を有し水性アルカリ可溶性を抑制された樹脂マトリックス、酸発生剤からなる所謂2成分系、または、水性アルカリ可溶性樹脂、酸分解性保護基を有する水性アルカリ溶解阻害剤、酸発生剤からなる所謂3成分系からなる。
【0004】
また、代表的な化学増幅系ネガ型レジスト組成は、必須成分として水性アルカリ可溶性樹脂マトリックス、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体、酸発生剤からなる。化学増幅系レジストでは、相対的に少量の酸発生剤から露光によって発生する微量の酸を触媒にして、現像パタンを形成する主たる反応を誘起する機構を持つ。触媒反応機構を利用するので高感度化が容易だが、加工寸法がg−線,i−線ポジ型レジストの時代よりさらに微細化したため、レジスト材料の各成分の制御性は、一層精密なものが要求されている。
【0005】
KrFエキシマレーザ等遠紫外線を用いた光リソグラフィより、原理的にさらに微細な加工が可能な電子線リソグラフィでは、光透過率の問題がないのでノボラック樹脂をベース樹脂にしたレジスト材料も使用可能である。電子線リソグラフィで用いるレジストでも、感度の点で化学増幅系の適用が一般的である。さらに、0.1μmより微細な寸法領域では、ノボラック樹脂のような広い分子量分布を有する樹脂を用いたレジストでは、材料固有のラインエッジラフネスなど微細加工性に問題があることが知られている。すなわち、電子線リソグラフィ用のレジスト材料でも、化学増幅系レジストの要求する精密な制御性をもったベース樹脂として用いるには、従来のノボラック樹脂の合成法で得られる樹脂では不十分である。
【0006】
【特許文献1】
特公平4−260号公報
【特許文献2】
特開平6−130661号公報
【非特許文献1】
A. T. Jeffries, D. J. Brzozowy, N. N. Greene, T. Kokubo, and S. Tan, ”Novel novolak resins produced from 2,6−bishydroxymethyl−p−cresol, p−cresol and m−cresol. A method to more evenly distribute p−cresol units throughout a novolak resin”、1993年、Proc. SPIE、 Vol.1925、 p.235−245
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のナフタレン誘導体を重合単位に含むノボラック樹脂およびその改良樹脂では、高感度・高解像度が実現可能な化学増幅系レジストのベース樹脂に使用可能な、制御性を持たなかった。
【0008】
本発明の目的は、高いドライエッチング耐性や耐熱性向上が期待できるナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を重合単位に含み、かつ、重合体組成・構造を精密に制御できる水性アルカリ可溶性樹脂を提供し、また、これをベース樹脂に用いることで高性能の感光性樹脂組成物を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂によって可能となる。
【0010】
【化2】
[一般式(1)において、R1〜R8は水酸基、水素,炭素数1〜4の置換または無置換アルキル基、ハロゲン,フェニル基,メトキシ基,エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、R1〜R8は、1つまたは2つの水酸基を必ず含み、少なくとも2つの水素原子を含む。]
上記一般式(1)で表されるナフタレン誘導体としては、1―ナフトール、1,3−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。これらは単独または2種以上混合して使用することができる。水酸基を1つ持つナフタレン誘導体、たとえば1−ナフトールと2個以上持つナフタレン誘導体を混合して用いることで、合成された樹脂の溶解速度を、その混合比で制御することができる。同等の平均分子量を持つ樹脂でも水酸基を2個以上持つナフタレン誘導体の比率が高ければ、水性アルカリ現像液に対して高速溶解性となり、水酸基を1つ持つナフタレン誘導体、たとえば1−ナフトールの比率が高くなれば、低速溶解性となる。
【0011】
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールの2つのヒドロキシメチル基は、求電子置換反応性を有し、酸触媒下でフェニル核やナフタレン核などの芳香環との間にメチレン架橋を形成できる。そのため、一般式(1)であらわされるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとを、極性有機溶剤中で酸触媒を用いて脱水縮合反応させることで、当該ナフタレン誘導体間を、メチレン結合を介してp−クレゾールで架橋させた重合体樹脂を生成できる。当該ナフタレン誘導体は、架橋反応性の官能基を持たないので、上記重合体はナフタレン核とp−クレゾールをメチレン結合した構造単位の繰り返し構造となる。
【0012】
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールは、一般式(1)であらわされるナフタレン誘導体の合計1モルに対して、0.5モル〜1モル、好ましくは0.7モル〜0.95モルの割合で使用される。0.5モルより少ない場合、得られる樹脂の平均分子量が小さくなりすぎ、また得られる固形樹脂の収量が少なくなりすぎる。1モルより多い場合、樹脂の分子量が大きくなりすぎ、不溶性の樹脂が生成しやすくなる。
【0013】
縮合反応の反応媒質として用いる極性有機溶剤としては、上記ナフタレン誘導体、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール、および触媒となる酸を均一溶解する安定な溶剤であれば、とくに限定されない。しかし、本発明の当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体を生成するためには、130℃以上200℃以下の沸点を持つアルコール類、エーテル類、ケトン類、エステル類、エーテルアルコール類、エーテルエステル類等が望ましい。かかる極性溶剤としては、1−ブタノール、1−ペンタノール、n−ブチルエーテル、1,2−ジエトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、ビス(2−エトキシエチル)エーテル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、ペンチルアセテート、イソペンチルアセテート、エトキシエタノール、ブトキシエタノール、乳酸エチル、2−メトキシエチルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、等をあげることができる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料10重量部当たり20〜200重量部、望ましくは50〜100重量部である。
【0014】
酸触媒としては、ノボラック樹脂等の脱水縮合反応触媒として一般に用いられている塩酸、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸等、いずれも使用できる。使用量は、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール1モル当たり、0.001〜0.1モルが好ましい。
【0015】
縮合反応の反応温度は、反応媒質に用いる溶剤によって制約を受けるが、概ね130℃〜190℃、通常は160℃〜170℃で進行する。本発明の樹脂構造を合成するには、所定時間例えば0.5〜5時間の縮合反応後、反応容器内部の温度を190℃〜230℃に上げ、所定時間例えば0.5〜3時間かけて系内に存在する反応媒質等揮発分を留去する。次いで溶融した合成樹脂を冷却させながら、所定量の極性溶剤、例えば酢酸エチルに溶解し、室温の溶液とした後、残留する酸触媒を水洗処理する。酢酸エチル等溶液中の合成樹脂は、n−ヘキサン等の非極性溶剤を沈殿剤として注入することで析出させ、析出物を分離、加熱乾燥することで、樹脂固体を得ることができる。このようにして得られた樹脂中には、実質的に2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール由来の未反応のヒドロキシメチル基は存在せず、したがって、縮合重合体末端は実質的にナフタレン誘導体構造を有する。
【0016】
本発明の水性アルカリ可溶性樹脂は、ドライエッチング耐性や耐熱性向上に有利なナフタレン核を樹脂骨格に多く有し、高性能の感光性樹脂組成物のベース樹脂として使用できる。本発明の感光性組成物としては、第1に、ナフトキノンジアジド化合物からなる感光性水性アルカリ溶解阻害剤と組み合わせたg−線,i−線用ポジ型レジストが挙げられる。ナフトキノンジアジド化合物としては、特に限定されないが特許文献1に記載のある多くの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル類が使用できる。本発明の感光性組成物としては、第2に、化学増幅系ネガ型レジストがある。代表的な化学増幅系ネガ型レジスト組成は、必須成分として水性アルカリ可溶性樹脂マトリックス、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体、酸発生剤からなる。本発明の化学増幅系ネガ型レジスト組成物は、水性アルカリ可溶性樹脂マトリックスとして、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂を適用することを特徴とする。酸触媒架橋剤としては、公知のヘキサメトキシメチルメラミン等があるが、そのほか、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体には、芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する一級〜三級アルコール類、例えば、m−キシレングリコール、p−キシレングリコール、1,3,5−ベンゼントリメタノール、2−ヒドロキシ−5−メチル−1,3−ベンゼンジメタノール、3,5,3,5−ヘキサヒドロキシメチル−4,4−ジヒドロキシジフェニル,ビス(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチレン,2,2−ビス(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4−ビス(2−(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン)ベンゼン、1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3−ビス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)−5−メトキシベンゼン、5−クロロ−1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、5−ブロモ−1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,4−ビス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)−2,3,5,6−テトラメチルベンゼン、2−クロロ−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、2−ブロモ−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3,5−トリス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,5−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ナフタレン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ナフタレン、9,10−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)アントラセン等が使用できる。本発明の感光性組成物としては、第3に、化学増幅系ポジ型レジストがある。代表的な化学増幅系ポジ型レジスト組成は、必須成分として酸分解性保護基によって保護された水酸基を有し水性アルカリ可溶性を抑制された樹脂マトリックス、酸発生剤からなる所謂2成分系、または、水性アルカリ可溶性樹脂、酸分解性保護基を有する水性アルカリ溶解阻害剤、酸発生剤からなる所謂3成分系からなる。
【0017】
本発明の化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、樹脂マトリックスとして、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂またはその誘導体を適用することを特徴とする。本発明で水性アルカリ可溶性樹脂の誘導体とは、本発明の水性アルカリ可溶性樹脂を化学修飾した構造の樹脂で、酸分解性保護基によって保護された水酸基を化学的に付加し水性アルカリ可溶性を抑制した樹脂である。酸分解性保護基には、公知のt−ブトキシカルボニル基、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、1−エトキシエチル基等が使用できる。
【0018】
上記化学増幅系ネガ型あるいはポジ型レジスト組成に適用する酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、ジt−ブチルフェニルヨードニウムメタンスルホン酸塩等のオニウム塩、p−トルエンスルホン酸−o−ジニトロベンジル、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、トリス(エタンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスルホン酸エステル,トリフルオロメタンスルホン酸ナフチルイミド等のスルホン酸イミド、トリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレ−ト等のハロゲン化有機化合物等が挙げられる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
(合成例1)
三口フラスコ容量300ml中に1−ナフトール 7.21g(0.05 mol),1,6−ジヒドロキシナフタレン 8.01g(0.05 mol),2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール 13.46g(0.08 mol),シュウ酸0.50gをいれる。ビス(2−メトキシエチル)エーテル200 mlを注入して攪拌、内容物を溶解させる。予めオイルバスは、170℃にしておく。リービッヒ管,温度計,窒素導入管を装備し,反応容器の三口フラスコをセットして攪拌・窒素導入(およそ10 cc/分)し,溶媒および生成水を分留しながらリフラックスする。反応容器内の温度は,約10分で160℃前後まで上昇し、加熱開始後約30分で164℃前後の一定温度となった。加熱開始後1時間30分で分留された溶媒は約50mlとなった。ここで1−ナフトール 0.90gをビス(2−メトキシエチル)エーテル40 mlとともに容器内に注入し、オイルバスの設定温度を200℃に変更し、攪拌しながら約2時間かけてビス(2−メトキシエチル)エーテル溶媒を留去する。溶媒が留去されるに従って反応容器内の温度は、上昇し195℃以上となる。オイルバスを撤去して,リービッヒ管を取り外し,ジムロート管を取り付ける。反応容器内に酢酸エチル200ml注ぎいれ,攪拌冷却しながら溶解する。内溶液を容量1000mlの分液ロートに移す。イオン純水(300ml/回)で1回水洗後,更に塩水で4回(300ml/回)洗浄する。容量300mlビーカに硫酸ナトリウム(無水)約50gを入れ,ここに分液ロート中の酢酸エチル溶液を移し,30分〜1時間放置乾燥する。乾燥に用いた硫酸ナトリウムを濾別し,容量500mlのビーカに移す。さらに酢酸エチルで濾別した硫酸ナトリウムをすすぎ,すべての酢酸エチル溶液を合わせて150ml程度とする。さらに,このビーカ中にヘキサン350 mlをよく攪拌しながら注ぎ入れ,沈殿を生成する。約30分静置後デカンテーションで液部をほぼ除去し,真空乾燥器で6時間乾燥し,残りの溶媒を除去する。粗収量は25g前後になった。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約3500であった。また、この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約120ナノメートル/秒であった。
【0020】
ここで、図2に本合成例1による樹脂の相対エッチング速度をm,p―クレゾール樹脂を基準にして示す。ドライエッチング装置には、プラズマサーモ社製平行平板ドライエッチング装置PK−1441を用いた。エッチング条件としては、ガスにトリフルオロメタンを用い、ガスの流量は、35立方センチメートル/分、圧力は10ミリTorr、パワー150Wとした。このとき、基準に用いたm,p―クレゾール樹脂のエッチング速度は、6.5nm/分であった。
【0021】
図2より、本合成例1による樹脂の相対エッチング速度は、0.51であり、従来のm,p―クレゾール樹脂に比べて、エッチング速度が約1/2に低減できている。従って、高い耐ドライエッチング特性が得られていることが分かる。
(比較合成例)三口フラスコ容量300ml中に1−ナフトール 7.21g(0.05mol),1,6−ジヒドロキシナフタレン 8.01g(0.05mol),2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール 15.98g(0.095mol)をいれる。テトラヒドロフラン 170mlを注入して攪拌、内容物を溶解させる。p−トルエンスルホン酸一水和物 1.50gを秤量,10mlのテトラヒドロフランに溶解させ,これも上記フラスコ中に注ぎ入れ,還流器,温度計,窒素導入管を装備して,予め70℃に設定したオイルバスに,セットして攪拌・窒素導入(およそ10cc/分)しながら8時間リフラックスする。このとき反応容器内の温度は,64〜68℃であった。8時間リフラックスしたら,反応容器をオイルバスから取り出し,窒素雰囲気のまま室温まで空冷する。反応容器内にイオン純水20mlを加え混合後,内溶液を容量500mlのナス型フラスコに移し,エバポレータでほぼ1/2体積まで濃縮する。このときエバポレータの加熱温度は45〜50℃で行う。濃縮した反応溶液に酢酸エチル200mlを加え,よく溶かした後,分液ロートに移す。イオン純水(200ml/回)で4回水洗する。4回で洗浄液はほぼ中性となる。(各洗浄液をpH紙でチェックする。)容量500mlビーカに硫酸ナトリウム(無水)約100gを入れ,ここに分液ロート中の酢酸エチル溶液を移し,2〜3時間放置乾燥する。乾燥に用いた硫酸ナトリウムを濾別し,さらに酢酸エチルで濾別した硫酸ナトリウムをすすぎ,すべての酢酸エチル溶液を合わせて(200から300ml程度とする)、容量500mlのナス型フラスコに移し,エバポレータでほぼ100mlまで濃縮する。このときエバポレータの加熱温度は40〜45℃で行う。予め重量を測定した容量500mlのビーカ中にヘキサン300mlを入れ,ここに濃縮した酢酸エチル溶液をよく攪拌しながら注ぎいれ,沈殿を生成する。デカンテーションで液部をほぼ除去後,真空乾燥機で三時間乾燥し,残りの溶媒を除去する。粗収量は28〜29gほどになった。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約4000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約100ナノメートル/秒であった。
【0022】
図1に、合成例1で得られた樹脂の分子量分布1と比較合成例で得られた樹脂の分子量分布2を示す。測定には、ゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用い、標準ポリスチレンを用いて較正した。分子量は、ポリスチレン換算の値をそのまま用いてある。分子量分布1では、分子量2000以下の領域で,7〜8個の鋭いピークが認められる。このピークの間隔は分子量でおよそ300程度のものである。これは、合成例1の樹脂では、原料の2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール由来のヒドロキシメチレン基が実質的にすべて反応し、原料のナフタレン核化合物と結合したためである。すなわちナフタレン核とp−クレゾールの交互重合体末端がナフタレン核となっているため、分子量2000以下の領域では、顕著にナフタレン核とp−クレゾールが結合した構造単位が重合単位となった効果が分子量分布に現れたものである。比較合成例は、重合体原料は合成例1と同様であるが、合成例1より低温で合成され、重合体末端はナフタレン核のものとp−クレゾール構造のものが混合されたものとなり、分子量2000以下の領域でも重合体差が小さく、分子量分布2のように連続的な分布となる。さらに比較合成例の樹脂では、C13−NMRによる測定で、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールのヒドロキシメチル基のメチレン炭素のシグナル60.113ppmに相当するシグナルが、60.151 ppmに観測できた。これは、比較合成例樹脂中には、原料由来のヒドロキシメチル基が残留していることを示している。測定には、バリアン社製マーキュリー200型核磁気共鳴吸収装置(200MHz)を用いた。試料は、重アセトンに約10重量パーセントに溶解したものを用い、積算回数は25000回で、室温で測定した。同様の測定を合成例1で得られた樹脂に行ったが残留するヒドロキシメチル基は検出できなかった。さらに、合成例1の樹脂を溶剤に溶かし、シリコン基板上に回転塗布法で塗布し200℃2分間加熱した塗膜は、極性有機溶剤可溶性を保ち、水性アルカリ可溶性も維持していたが、比較合成例で得られた樹脂では、200℃2分間加熱した塗膜は、完全に不溶化してしまった。合成例1と比較合成例のように同じ重合体原料であっても、本発明である重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造となっている合成例1の樹脂では、200℃という高温の熱処理にも高い安定性を示す。さらに、波長248ナノメートルにおける、樹脂塗膜の吸光度は、1ミクロン当たり11.35を示し、これは比較合成例で得られた樹脂塗膜の吸光度、1ミクロン当たり7.82より、3以上大きかった。これも重合体末端が、この波長の吸光性の大きなナフタレン核のみになっていることを反映している。
(合成例2)
合成例1で、オイルバスの設定温度を200℃に変更直前に、追加した1−ナフトールを無くす以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約4200であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約80ナノメートル/秒であった。
(合成例3)
合成例1で、オイルバスの設定温度を200℃に変更直前に、追加した1−ナフトールを7.2gとする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約400ナノメートル/秒であった。
(合成例4)
合成例1で、三口フラスコに仕込む1−ナフトール及び1,6−ジヒドロキシナフタレンを各々 10.09g(0.07モル)及び4.81g(0.03モル)とする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2800であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約11.2ナノメートル/秒であった。
【0023】
ここで、図2に本合成例4による樹脂の相対エッチング速度をm,p―クレゾール樹脂を基準にして示す。ドライエッチング装置およびエッチング条件は、(合成例1)と同様である。
【0024】
図2より、本合成例4による樹脂の相対エッチング速度は、0.45であり、従来のm,p―クレゾール樹脂に比べて、エッチング速度が約1/2以下に低減できている。従って、高い耐ドライエッチング特性が得られていることが分かる。
(合成例5)
合成例1で、三口フラスコに仕込む1−ナフトール及び1,6−ジヒドロキシナフタレンを各々 11.53g(0.08モル)及び3.20g(0.02モル)とする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2500であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約0.4ナノメートル/秒であった。
(合成例6)
合成例5で、1,6−ジヒドロキシナフタレンの代わりに2,6−ジヒドロキシナフタレンとする以外は合成例5と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約3000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約0.2ナノメートル/秒であった。
(合成例7)
合成例2で、1,6−ジヒドロキシナフタレンの代わりに2,7−ジヒドロキシナフタレンとする以外は合成例2と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約1300であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約3.2ナノメートル/秒であった。
(感光性樹脂組成物例1)
合成例2で得られた樹脂:100重量部、感光性溶解阻害剤として2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル:25重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:700重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.7μmの塗膜を得た。i−線縮小投影装置でテストパタンを露光した。その後、水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて60秒間現像したところ、0.5μmライン・スペースの良好なポジ型パタンを得た。このポジ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。また、平行平板型反応性イオンエッチング装置を用いて、本感光性樹脂組成物塗膜と市販のポジ型フォトレジストOFPR800(東京応化工業製品)のドライエッチング耐性を比較した。エッチングガスはトリフルオロメタンで、電極間隔:15センチメートル、RFパワー:300W、真空度:50ミリTorrのシリコン酸化膜エッチング条件であった。所定時間の放電後の膜厚減少量を比較したところ、市販品にくらべ1/2と高いドライエッチング耐性を示した。
(感光性樹脂組成物例2)
合成例1の樹脂:100重量部、溶解阻害前駆体として1,3,5−トリス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン:20重量部、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩:10重量部を1−メトキシ−2−プロパノール:900重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過しネガ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.35μmの塗膜を得た。電子線描画装置(電子線の加速電圧は75kV)で、テストパタンを描画した。その後、80℃、2分間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて60秒間現像したところ、電子線照射量、4.0μC/cm2で0.13μmライン・スペースの良好なネガ型パタンを得た。また、このネガ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。
(感光性樹脂組成物例3)
合成例4の樹脂:100重量部、酸触媒脱保護基を有する溶解阻害剤としてB−TP−3M6C−2(本州化学製品):10重量部、酸発生剤としてジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩:5重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:700重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.35μmの塗膜を得た。電子線描画装置(電子線の加速電圧は75kV)で、テストパタンを描画した。その後、110℃、2分間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて120秒間現像したところ、電子線照射量、8.0μC/cm2で0.13μmライン・スペースの良好なポジ型パタンを得た。また、このポジ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。
【0025】
(実施例1)
半導体基板上にレジストパターンを形成する工程において、前述の感光性樹脂組成物例1ないし3を含むレジスト材料を用いて半導体デバイスの形成を行なった。特に、高い加工精度を要求されるパターン形成工程、例えば、ゲート電極形成工程に適用して一層の効果が得られる。
【0026】
(実施例2)
半導体基板上に形成した絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方を選択的にエッチングすることにより、レジストパターンを形成した。
【0027】
ここで、レジスト材料には前述の感光性樹脂組成物例1ないし3を用いた。
【0028】
なお、本感光性樹脂組成物例1ないし3は、耐ドライエッチング性が高いことを活用して、CMPを用いない安価なプロセスの配線工程に適用して、その効果が一層発揮できる。
【0029】
【発明の効果】
本発明の水性アルカリ可溶性樹脂は、その重合体構造中に多量のナフタレン核構造を有し、耐熱性やドライエッチング耐性が高く、また、合成条件の調整で、様々な水性アルカリ溶解速度の樹脂となるので、種々の感光性樹脂組成物の樹脂マトリックスとして効果的である。これを用いた感光性樹脂組成物は、その量的主成分である本発明樹脂の性質を反映し、耐熱性、ドライエッチング耐性にすぐれた効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の水性アルカリ性樹脂の分子量分布および比較合成樹脂の分子量分布を示す。
【図2】本発明による樹脂材料と他のレジスト膜との相対エッチング速度の比較表を示す。
【符号の説明】
1…本発明の水性アルカリ性樹脂の分子量分布、2…比較合成樹脂の分子量分布。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ナフタレン核に直接結合した水酸基を有する化合物、即ち、ナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を重合単位に含む水性アルカリ可溶性樹脂、感光性組成物およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
水性アルカリ現像型レジストのベース樹脂としてノボラック樹脂が広く用いられていたg−線,i−線用ポジ型レジストのドライエッチング耐性や耐熱性向上のために,ノボラック樹脂中にナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を組み込むことが,例えば,特許文献1,特許文献2等で知られている。上記公知の合成方法は、ノボラック樹脂の合成方法、すなわち、m−クレゾールやp−クレゾールなどのフェノール類を重合単位とし、アルデヒド類、たとえばホルムアルデヒドとともに酸触媒下で付加縮合重合させる方法であり、重合単位としてフェノール類に加えて、あるいは替えてナフトール類を用いる方法である。一方、クレゾールノボラック樹脂の改質のために2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールを用いることは非特許文献1に記載されている。g−線,i−線用ポジ型レジストでは、その基本的組成として、ノボラック樹脂と上記特許文献等に記載されているようなナフトキノンジアジド化合物からなる感光性水性アルカリ溶解阻害剤とからなり、未露光部ではノボラック樹脂の水性アルカリ可溶性が当該ナフトキノンジアジド化合物の含有によって溶解性を阻害され、露光部は感光性によって当該化合物が水性アルカリ溶解性物質に光化学変化して、現像溶解することでポジ型パタンを得る。一般にノボラック樹脂の合成方法では、得られる重合体樹脂の分子量分布は、比較的低分子量のオリゴマ領域から、分子量数十万にいたる高分子量成分まで含む広いものとなる。オリゴマ領域の成分は、水性アルカリ溶解性が高く、当該ポジ型レジストの高感度化に寄与するが、樹脂の耐熱性を落とす性質がある。高分子量成分は耐熱性向上には寄与するが水性アルカリ溶解性は小さく、レジスト感度を低下させる性質を持つ。また、重合単位となるフェノール類等は種々の改質のために単一の化合物を用いることは少なく2種あるいはそれ以上の化合物を用いるが、こうした場合、各重合単位化合物の反応性の相違から、重合度によって、重合組成の相違もあり得る。
【0003】
近年、半導装置の高集積化が急速に進み、その微細加工に用いる光リソグラフィの波長もg−線,i−線より短波長のKrFエキシマレーザ等遠紫外線域のものが用いられるに至り、ノボラック樹脂より遠紫外線域の透過率が高いポリヒドロキシスチレン類をレジストのベース樹脂として用いることが主流となった。また、感光機構としても、いわゆる化学増幅系が適用されるようになった。代表的な化学増幅系ポジ型レジスト組成は、必須成分として酸分解性保護基によって保護された水酸基を有し水性アルカリ可溶性を抑制された樹脂マトリックス、酸発生剤からなる所謂2成分系、または、水性アルカリ可溶性樹脂、酸分解性保護基を有する水性アルカリ溶解阻害剤、酸発生剤からなる所謂3成分系からなる。
【0004】
また、代表的な化学増幅系ネガ型レジスト組成は、必須成分として水性アルカリ可溶性樹脂マトリックス、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体、酸発生剤からなる。化学増幅系レジストでは、相対的に少量の酸発生剤から露光によって発生する微量の酸を触媒にして、現像パタンを形成する主たる反応を誘起する機構を持つ。触媒反応機構を利用するので高感度化が容易だが、加工寸法がg−線,i−線ポジ型レジストの時代よりさらに微細化したため、レジスト材料の各成分の制御性は、一層精密なものが要求されている。
【0005】
KrFエキシマレーザ等遠紫外線を用いた光リソグラフィより、原理的にさらに微細な加工が可能な電子線リソグラフィでは、光透過率の問題がないのでノボラック樹脂をベース樹脂にしたレジスト材料も使用可能である。電子線リソグラフィで用いるレジストでも、感度の点で化学増幅系の適用が一般的である。さらに、0.1μmより微細な寸法領域では、ノボラック樹脂のような広い分子量分布を有する樹脂を用いたレジストでは、材料固有のラインエッジラフネスなど微細加工性に問題があることが知られている。すなわち、電子線リソグラフィ用のレジスト材料でも、化学増幅系レジストの要求する精密な制御性をもったベース樹脂として用いるには、従来のノボラック樹脂の合成法で得られる樹脂では不十分である。
【0006】
【特許文献1】
特公平4−260号公報
【特許文献2】
特開平6−130661号公報
【非特許文献1】
A. T. Jeffries, D. J. Brzozowy, N. N. Greene, T. Kokubo, and S. Tan, ”Novel novolak resins produced from 2,6−bishydroxymethyl−p−cresol, p−cresol and m−cresol. A method to more evenly distribute p−cresol units throughout a novolak resin”、1993年、Proc. SPIE、 Vol.1925、 p.235−245
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のナフタレン誘導体を重合単位に含むノボラック樹脂およびその改良樹脂では、高感度・高解像度が実現可能な化学増幅系レジストのベース樹脂に使用可能な、制御性を持たなかった。
【0008】
本発明の目的は、高いドライエッチング耐性や耐熱性向上が期待できるナフトール類(ヒドロキシナフタレン類)を重合単位に含み、かつ、重合体組成・構造を精密に制御できる水性アルカリ可溶性樹脂を提供し、また、これをベース樹脂に用いることで高性能の感光性樹脂組成物を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂によって可能となる。
【0010】
【化2】
[一般式(1)において、R1〜R8は水酸基、水素,炭素数1〜4の置換または無置換アルキル基、ハロゲン,フェニル基,メトキシ基,エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、R1〜R8は、1つまたは2つの水酸基を必ず含み、少なくとも2つの水素原子を含む。]
上記一般式(1)で表されるナフタレン誘導体としては、1―ナフトール、1,3−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。これらは単独または2種以上混合して使用することができる。水酸基を1つ持つナフタレン誘導体、たとえば1−ナフトールと2個以上持つナフタレン誘導体を混合して用いることで、合成された樹脂の溶解速度を、その混合比で制御することができる。同等の平均分子量を持つ樹脂でも水酸基を2個以上持つナフタレン誘導体の比率が高ければ、水性アルカリ現像液に対して高速溶解性となり、水酸基を1つ持つナフタレン誘導体、たとえば1−ナフトールの比率が高くなれば、低速溶解性となる。
【0011】
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールの2つのヒドロキシメチル基は、求電子置換反応性を有し、酸触媒下でフェニル核やナフタレン核などの芳香環との間にメチレン架橋を形成できる。そのため、一般式(1)であらわされるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとを、極性有機溶剤中で酸触媒を用いて脱水縮合反応させることで、当該ナフタレン誘導体間を、メチレン結合を介してp−クレゾールで架橋させた重合体樹脂を生成できる。当該ナフタレン誘導体は、架橋反応性の官能基を持たないので、上記重合体はナフタレン核とp−クレゾールをメチレン結合した構造単位の繰り返し構造となる。
【0012】
2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールは、一般式(1)であらわされるナフタレン誘導体の合計1モルに対して、0.5モル〜1モル、好ましくは0.7モル〜0.95モルの割合で使用される。0.5モルより少ない場合、得られる樹脂の平均分子量が小さくなりすぎ、また得られる固形樹脂の収量が少なくなりすぎる。1モルより多い場合、樹脂の分子量が大きくなりすぎ、不溶性の樹脂が生成しやすくなる。
【0013】
縮合反応の反応媒質として用いる極性有機溶剤としては、上記ナフタレン誘導体、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール、および触媒となる酸を均一溶解する安定な溶剤であれば、とくに限定されない。しかし、本発明の当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体を生成するためには、130℃以上200℃以下の沸点を持つアルコール類、エーテル類、ケトン類、エステル類、エーテルアルコール類、エーテルエステル類等が望ましい。かかる極性溶剤としては、1−ブタノール、1−ペンタノール、n−ブチルエーテル、1,2−ジエトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、ビス(2−エトキシエチル)エーテル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、ペンチルアセテート、イソペンチルアセテート、エトキシエタノール、ブトキシエタノール、乳酸エチル、2−メトキシエチルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、等をあげることができる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料10重量部当たり20〜200重量部、望ましくは50〜100重量部である。
【0014】
酸触媒としては、ノボラック樹脂等の脱水縮合反応触媒として一般に用いられている塩酸、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸等、いずれも使用できる。使用量は、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール1モル当たり、0.001〜0.1モルが好ましい。
【0015】
縮合反応の反応温度は、反応媒質に用いる溶剤によって制約を受けるが、概ね130℃〜190℃、通常は160℃〜170℃で進行する。本発明の樹脂構造を合成するには、所定時間例えば0.5〜5時間の縮合反応後、反応容器内部の温度を190℃〜230℃に上げ、所定時間例えば0.5〜3時間かけて系内に存在する反応媒質等揮発分を留去する。次いで溶融した合成樹脂を冷却させながら、所定量の極性溶剤、例えば酢酸エチルに溶解し、室温の溶液とした後、残留する酸触媒を水洗処理する。酢酸エチル等溶液中の合成樹脂は、n−ヘキサン等の非極性溶剤を沈殿剤として注入することで析出させ、析出物を分離、加熱乾燥することで、樹脂固体を得ることができる。このようにして得られた樹脂中には、実質的に2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール由来の未反応のヒドロキシメチル基は存在せず、したがって、縮合重合体末端は実質的にナフタレン誘導体構造を有する。
【0016】
本発明の水性アルカリ可溶性樹脂は、ドライエッチング耐性や耐熱性向上に有利なナフタレン核を樹脂骨格に多く有し、高性能の感光性樹脂組成物のベース樹脂として使用できる。本発明の感光性組成物としては、第1に、ナフトキノンジアジド化合物からなる感光性水性アルカリ溶解阻害剤と組み合わせたg−線,i−線用ポジ型レジストが挙げられる。ナフトキノンジアジド化合物としては、特に限定されないが特許文献1に記載のある多くの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル類、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル類が使用できる。本発明の感光性組成物としては、第2に、化学増幅系ネガ型レジストがある。代表的な化学増幅系ネガ型レジスト組成は、必須成分として水性アルカリ可溶性樹脂マトリックス、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体、酸発生剤からなる。本発明の化学増幅系ネガ型レジスト組成物は、水性アルカリ可溶性樹脂マトリックスとして、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂を適用することを特徴とする。酸触媒架橋剤としては、公知のヘキサメトキシメチルメラミン等があるが、そのほか、酸触媒架橋剤または酸触媒で溶解抑止剤となる前駆体には、芳香環に直接結合した炭素上に水酸基を有する一級〜三級アルコール類、例えば、m−キシレングリコール、p−キシレングリコール、1,3,5−ベンゼントリメタノール、2−ヒドロキシ−5−メチル−1,3−ベンゼンジメタノール、3,5,3,5−ヘキサヒドロキシメチル−4,4−ジヒドロキシジフェニル,ビス(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチレン,2,2−ビス(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4−ビス(2−(3,5−ジヒドロキシメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン)ベンゼン、1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3−ビス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)−5−メトキシベンゼン、5−クロロ−1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、5−ブロモ−1,3−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,4−ビス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)−2,3,5,6−テトラメチルベンゼン、2−クロロ−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、2−ブロモ−1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3,5−トリス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン、1,3,5−トリス(3−ヒドロキシ−3−ペンチル)ベンゼン、1,5−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ナフタレン、1,4−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ナフタレン、9,10−ビス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)アントラセン等が使用できる。本発明の感光性組成物としては、第3に、化学増幅系ポジ型レジストがある。代表的な化学増幅系ポジ型レジスト組成は、必須成分として酸分解性保護基によって保護された水酸基を有し水性アルカリ可溶性を抑制された樹脂マトリックス、酸発生剤からなる所謂2成分系、または、水性アルカリ可溶性樹脂、酸分解性保護基を有する水性アルカリ溶解阻害剤、酸発生剤からなる所謂3成分系からなる。
【0017】
本発明の化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、樹脂マトリックスとして、一般式(1)で表されるナフタレン誘導体と2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールとの縮合重合反応によって形成される重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂であって、当該重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造を有する重合体からなること特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂またはその誘導体を適用することを特徴とする。本発明で水性アルカリ可溶性樹脂の誘導体とは、本発明の水性アルカリ可溶性樹脂を化学修飾した構造の樹脂で、酸分解性保護基によって保護された水酸基を化学的に付加し水性アルカリ可溶性を抑制した樹脂である。酸分解性保護基には、公知のt−ブトキシカルボニル基、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、1−エトキシエチル基等が使用できる。
【0018】
上記化学増幅系ネガ型あるいはポジ型レジスト組成に適用する酸発生剤としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、ジt−ブチルフェニルヨードニウムメタンスルホン酸塩等のオニウム塩、p−トルエンスルホン酸−o−ジニトロベンジル、トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、トリス(エタンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスルホン酸エステル,トリフルオロメタンスルホン酸ナフチルイミド等のスルホン酸イミド、トリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレ−ト等のハロゲン化有機化合物等が挙げられる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
(合成例1)
三口フラスコ容量300ml中に1−ナフトール 7.21g(0.05 mol),1,6−ジヒドロキシナフタレン 8.01g(0.05 mol),2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール 13.46g(0.08 mol),シュウ酸0.50gをいれる。ビス(2−メトキシエチル)エーテル200 mlを注入して攪拌、内容物を溶解させる。予めオイルバスは、170℃にしておく。リービッヒ管,温度計,窒素導入管を装備し,反応容器の三口フラスコをセットして攪拌・窒素導入(およそ10 cc/分)し,溶媒および生成水を分留しながらリフラックスする。反応容器内の温度は,約10分で160℃前後まで上昇し、加熱開始後約30分で164℃前後の一定温度となった。加熱開始後1時間30分で分留された溶媒は約50mlとなった。ここで1−ナフトール 0.90gをビス(2−メトキシエチル)エーテル40 mlとともに容器内に注入し、オイルバスの設定温度を200℃に変更し、攪拌しながら約2時間かけてビス(2−メトキシエチル)エーテル溶媒を留去する。溶媒が留去されるに従って反応容器内の温度は、上昇し195℃以上となる。オイルバスを撤去して,リービッヒ管を取り外し,ジムロート管を取り付ける。反応容器内に酢酸エチル200ml注ぎいれ,攪拌冷却しながら溶解する。内溶液を容量1000mlの分液ロートに移す。イオン純水(300ml/回)で1回水洗後,更に塩水で4回(300ml/回)洗浄する。容量300mlビーカに硫酸ナトリウム(無水)約50gを入れ,ここに分液ロート中の酢酸エチル溶液を移し,30分〜1時間放置乾燥する。乾燥に用いた硫酸ナトリウムを濾別し,容量500mlのビーカに移す。さらに酢酸エチルで濾別した硫酸ナトリウムをすすぎ,すべての酢酸エチル溶液を合わせて150ml程度とする。さらに,このビーカ中にヘキサン350 mlをよく攪拌しながら注ぎ入れ,沈殿を生成する。約30分静置後デカンテーションで液部をほぼ除去し,真空乾燥器で6時間乾燥し,残りの溶媒を除去する。粗収量は25g前後になった。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約3500であった。また、この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約120ナノメートル/秒であった。
【0020】
ここで、図2に本合成例1による樹脂の相対エッチング速度をm,p―クレゾール樹脂を基準にして示す。ドライエッチング装置には、プラズマサーモ社製平行平板ドライエッチング装置PK−1441を用いた。エッチング条件としては、ガスにトリフルオロメタンを用い、ガスの流量は、35立方センチメートル/分、圧力は10ミリTorr、パワー150Wとした。このとき、基準に用いたm,p―クレゾール樹脂のエッチング速度は、6.5nm/分であった。
【0021】
図2より、本合成例1による樹脂の相対エッチング速度は、0.51であり、従来のm,p―クレゾール樹脂に比べて、エッチング速度が約1/2に低減できている。従って、高い耐ドライエッチング特性が得られていることが分かる。
(比較合成例)三口フラスコ容量300ml中に1−ナフトール 7.21g(0.05mol),1,6−ジヒドロキシナフタレン 8.01g(0.05mol),2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール 15.98g(0.095mol)をいれる。テトラヒドロフラン 170mlを注入して攪拌、内容物を溶解させる。p−トルエンスルホン酸一水和物 1.50gを秤量,10mlのテトラヒドロフランに溶解させ,これも上記フラスコ中に注ぎ入れ,還流器,温度計,窒素導入管を装備して,予め70℃に設定したオイルバスに,セットして攪拌・窒素導入(およそ10cc/分)しながら8時間リフラックスする。このとき反応容器内の温度は,64〜68℃であった。8時間リフラックスしたら,反応容器をオイルバスから取り出し,窒素雰囲気のまま室温まで空冷する。反応容器内にイオン純水20mlを加え混合後,内溶液を容量500mlのナス型フラスコに移し,エバポレータでほぼ1/2体積まで濃縮する。このときエバポレータの加熱温度は45〜50℃で行う。濃縮した反応溶液に酢酸エチル200mlを加え,よく溶かした後,分液ロートに移す。イオン純水(200ml/回)で4回水洗する。4回で洗浄液はほぼ中性となる。(各洗浄液をpH紙でチェックする。)容量500mlビーカに硫酸ナトリウム(無水)約100gを入れ,ここに分液ロート中の酢酸エチル溶液を移し,2〜3時間放置乾燥する。乾燥に用いた硫酸ナトリウムを濾別し,さらに酢酸エチルで濾別した硫酸ナトリウムをすすぎ,すべての酢酸エチル溶液を合わせて(200から300ml程度とする)、容量500mlのナス型フラスコに移し,エバポレータでほぼ100mlまで濃縮する。このときエバポレータの加熱温度は40〜45℃で行う。予め重量を測定した容量500mlのビーカ中にヘキサン300mlを入れ,ここに濃縮した酢酸エチル溶液をよく攪拌しながら注ぎいれ,沈殿を生成する。デカンテーションで液部をほぼ除去後,真空乾燥機で三時間乾燥し,残りの溶媒を除去する。粗収量は28〜29gほどになった。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約4000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約100ナノメートル/秒であった。
【0022】
図1に、合成例1で得られた樹脂の分子量分布1と比較合成例で得られた樹脂の分子量分布2を示す。測定には、ゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用い、標準ポリスチレンを用いて較正した。分子量は、ポリスチレン換算の値をそのまま用いてある。分子量分布1では、分子量2000以下の領域で,7〜8個の鋭いピークが認められる。このピークの間隔は分子量でおよそ300程度のものである。これは、合成例1の樹脂では、原料の2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール由来のヒドロキシメチレン基が実質的にすべて反応し、原料のナフタレン核化合物と結合したためである。すなわちナフタレン核とp−クレゾールの交互重合体末端がナフタレン核となっているため、分子量2000以下の領域では、顕著にナフタレン核とp−クレゾールが結合した構造単位が重合単位となった効果が分子量分布に現れたものである。比較合成例は、重合体原料は合成例1と同様であるが、合成例1より低温で合成され、重合体末端はナフタレン核のものとp−クレゾール構造のものが混合されたものとなり、分子量2000以下の領域でも重合体差が小さく、分子量分布2のように連続的な分布となる。さらに比較合成例の樹脂では、C13−NMRによる測定で、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールのヒドロキシメチル基のメチレン炭素のシグナル60.113ppmに相当するシグナルが、60.151 ppmに観測できた。これは、比較合成例樹脂中には、原料由来のヒドロキシメチル基が残留していることを示している。測定には、バリアン社製マーキュリー200型核磁気共鳴吸収装置(200MHz)を用いた。試料は、重アセトンに約10重量パーセントに溶解したものを用い、積算回数は25000回で、室温で測定した。同様の測定を合成例1で得られた樹脂に行ったが残留するヒドロキシメチル基は検出できなかった。さらに、合成例1の樹脂を溶剤に溶かし、シリコン基板上に回転塗布法で塗布し200℃2分間加熱した塗膜は、極性有機溶剤可溶性を保ち、水性アルカリ可溶性も維持していたが、比較合成例で得られた樹脂では、200℃2分間加熱した塗膜は、完全に不溶化してしまった。合成例1と比較合成例のように同じ重合体原料であっても、本発明である重合体末端が実質的にナフタレン誘導体構造となっている合成例1の樹脂では、200℃という高温の熱処理にも高い安定性を示す。さらに、波長248ナノメートルにおける、樹脂塗膜の吸光度は、1ミクロン当たり11.35を示し、これは比較合成例で得られた樹脂塗膜の吸光度、1ミクロン当たり7.82より、3以上大きかった。これも重合体末端が、この波長の吸光性の大きなナフタレン核のみになっていることを反映している。
(合成例2)
合成例1で、オイルバスの設定温度を200℃に変更直前に、追加した1−ナフトールを無くす以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約4200であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約80ナノメートル/秒であった。
(合成例3)
合成例1で、オイルバスの設定温度を200℃に変更直前に、追加した1−ナフトールを7.2gとする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約400ナノメートル/秒であった。
(合成例4)
合成例1で、三口フラスコに仕込む1−ナフトール及び1,6−ジヒドロキシナフタレンを各々 10.09g(0.07モル)及び4.81g(0.03モル)とする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2800であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約11.2ナノメートル/秒であった。
【0023】
ここで、図2に本合成例4による樹脂の相対エッチング速度をm,p―クレゾール樹脂を基準にして示す。ドライエッチング装置およびエッチング条件は、(合成例1)と同様である。
【0024】
図2より、本合成例4による樹脂の相対エッチング速度は、0.45であり、従来のm,p―クレゾール樹脂に比べて、エッチング速度が約1/2以下に低減できている。従って、高い耐ドライエッチング特性が得られていることが分かる。
(合成例5)
合成例1で、三口フラスコに仕込む1−ナフトール及び1,6−ジヒドロキシナフタレンを各々 11.53g(0.08モル)及び3.20g(0.02モル)とする以外は、合成例1と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約2500であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約0.4ナノメートル/秒であった。
(合成例6)
合成例5で、1,6−ジヒドロキシナフタレンの代わりに2,6−ジヒドロキシナフタレンとする以外は合成例5と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約3000であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約0.2ナノメートル/秒であった。
(合成例7)
合成例2で、1,6−ジヒドロキシナフタレンの代わりに2,7−ジヒドロキシナフタレンとする以外は合成例2と同様の手順で樹脂を合成した。この樹脂の分子量をゲルパーミェーションクロマトグラフィ法を用いて測定したところ、重量平均分子量約1300であった。この樹脂塗膜の水酸化テトラメチルアンモニウム2.38%水溶液に対する溶解速度は、約3.2ナノメートル/秒であった。
(感光性樹脂組成物例1)
合成例2で得られた樹脂:100重量部、感光性溶解阻害剤として2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸トリエステル:25重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:700重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.7μmの塗膜を得た。i−線縮小投影装置でテストパタンを露光した。その後、水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて60秒間現像したところ、0.5μmライン・スペースの良好なポジ型パタンを得た。このポジ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。また、平行平板型反応性イオンエッチング装置を用いて、本感光性樹脂組成物塗膜と市販のポジ型フォトレジストOFPR800(東京応化工業製品)のドライエッチング耐性を比較した。エッチングガスはトリフルオロメタンで、電極間隔:15センチメートル、RFパワー:300W、真空度:50ミリTorrのシリコン酸化膜エッチング条件であった。所定時間の放電後の膜厚減少量を比較したところ、市販品にくらべ1/2と高いドライエッチング耐性を示した。
(感光性樹脂組成物例2)
合成例1の樹脂:100重量部、溶解阻害前駆体として1,3,5−トリス(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼン:20重量部、酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩:10重量部を1−メトキシ−2−プロパノール:900重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過しネガ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.35μmの塗膜を得た。電子線描画装置(電子線の加速電圧は75kV)で、テストパタンを描画した。その後、80℃、2分間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて60秒間現像したところ、電子線照射量、4.0μC/cm2で0.13μmライン・スペースの良好なネガ型パタンを得た。また、このネガ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。
(感光性樹脂組成物例3)
合成例4の樹脂:100重量部、酸触媒脱保護基を有する溶解阻害剤としてB−TP−3M6C−2(本州化学製品):10重量部、酸発生剤としてジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩:5重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:700重量部に溶解し、さらにストリエーション防止のため、少量の界面活性剤を添加した後、これを、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)メンブレムフィルタで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物の溶液を調合した。シリコンウエハ上にこの溶液を滴下、回転塗布後100℃、2分間熱処理して、厚さ0.35μmの塗膜を得た。電子線描画装置(電子線の加速電圧は75kV)で、テストパタンを描画した。その後、110℃、2分間熱処理して水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38%)水溶液を現像液に用いて120秒間現像したところ、電子線照射量、8.0μC/cm2で0.13μmライン・スペースの良好なポジ型パタンを得た。また、このポジ型パタンを形成したシリコンウエハを160℃のホットプレート上で5分間加熱した後、微細パタンを走査型顕微鏡で観察したところ、加熱によるパタン形状の変化は認められなかった。
【0025】
(実施例1)
半導体基板上にレジストパターンを形成する工程において、前述の感光性樹脂組成物例1ないし3を含むレジスト材料を用いて半導体デバイスの形成を行なった。特に、高い加工精度を要求されるパターン形成工程、例えば、ゲート電極形成工程に適用して一層の効果が得られる。
【0026】
(実施例2)
半導体基板上に形成した絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方を選択的にエッチングすることにより、レジストパターンを形成した。
【0027】
ここで、レジスト材料には前述の感光性樹脂組成物例1ないし3を用いた。
【0028】
なお、本感光性樹脂組成物例1ないし3は、耐ドライエッチング性が高いことを活用して、CMPを用いない安価なプロセスの配線工程に適用して、その効果が一層発揮できる。
【0029】
【発明の効果】
本発明の水性アルカリ可溶性樹脂は、その重合体構造中に多量のナフタレン核構造を有し、耐熱性やドライエッチング耐性が高く、また、合成条件の調整で、様々な水性アルカリ溶解速度の樹脂となるので、種々の感光性樹脂組成物の樹脂マトリックスとして効果的である。これを用いた感光性樹脂組成物は、その量的主成分である本発明樹脂の性質を反映し、耐熱性、ドライエッチング耐性にすぐれた効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の水性アルカリ性樹脂の分子量分布および比較合成樹脂の分子量分布を示す。
【図2】本発明による樹脂材料と他のレジスト膜との相対エッチング速度の比較表を示す。
【符号の説明】
1…本発明の水性アルカリ性樹脂の分子量分布、2…比較合成樹脂の分子量分布。
Claims (4)
- 請求項1に記載の水性アルカリ可溶性樹脂を、塗膜性をもたらす高分子樹脂マトリックスとして含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
- 半導体基板上にレジストパターンを形成する工程において、請求項2に記載の感光性樹脂組成物を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に形成した絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記絶縁膜及び導体膜の少なくとも一方を選択的にエッチングする工程とを有し、
前記レジストパターンを形成する工程を請求項2に記載の感光性樹脂組成物を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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