JPH03158856A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 20
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 19
- -1 quinone diazide sulfonate ester Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 13
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 13
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 13
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 12
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 12
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical class CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1O WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 3
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 2-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N butyl formate Chemical compound CCCCOC=O NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFPFQHQNJCMNBZ-UHFFFAOYSA-N ethyl gallate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 VFPFQHQNJCMNBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N o-Hydroxyethylbenzene Natural products CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 2
- XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trihydroxyphenyl)-(3,4,5-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVZBYIWZUUXJMN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethanol Chemical class OCCOCCO.OCCOCCO OVZBYIWZUUXJMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KICYRZIVKKYRFS-UHFFFAOYSA-N 2-(3,5-dihydroxyphenyl)benzene-1,3,5-triol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(C=2C(=CC(O)=CC=2O)O)=C1 KICYRZIVKKYRFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical class CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 2-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1O LCHYEKKJCUJAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical class [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004262 Ethyl gallate Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-triol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.OC1=CC=CC(O)=C1O HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUSQEGUGRNCRHL-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-diol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.OC1=CC=CC(O)=C1 CUSQEGUGRNCRHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- MIHINWMALJZIBX-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class OC1CC=CC=C1 MIHINWMALJZIBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 235000019277 ethyl gallate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009904 heterogeneous catalytic hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009905 homogeneous catalytic hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004337 hydroquinone Drugs 0.000 description 1
- MYMDYWSMEBELMC-UHFFFAOYSA-M hydroxymethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CO MYMDYWSMEBELMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N methyl gallate Natural products CC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 description 1
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPMOERPGTQLCAT-UHFFFAOYSA-M triethyl(hydroxymethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CO RPMOERPGTQLCAT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。
ては、環化ポリイソプレンとビスジアジド化合物からな
るネガ型レジストが知られている。
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。
スト組成物は、解像性に優れているため半導体の高集積
化に十分対応できると考えられている。現在、この分野
で一般的に用いられているポジ型レジスト組成物は、ノ
ボラック樹脂とキノンジアジド化合物からなるものであ
る。
膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必ず
しも満足な結果は得られておらず、性能の向上が望まれ
ている。
残膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特に1μm以下の微細加工に適したポジ型レジス
ト組成物を提供することにある。
感光剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感
光剤として下記一般d (1)又は(■)に示される化
合物のキノンジアジドスルホン酸エステルを含有するこ
とを特徴とするポジ型レジスト組成物によって達成され
る。
アルキル基もしくはアルケニル 基、又は01〜C8のヒドロキシ アルキル基であって、同−又は異 なっていてもよい。
はアルケニル基、又はアリール 基である。
くとも1個はH以外である。)本発明において用いられ
るアルカリ可溶性フェノール樹脂としては、例えばフェ
ノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノー
ル類とケトン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール
系重合体、イソプロペニルフェノール系重合体、これら
のフェノール樹脂の水素添加反応生成物などが挙げられ
る。
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、プ
ロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノ
ールなどの一価のフェノール類;レゾルシノール、ピロ
カテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールA、ピロ
ガロールなどの多価フェノール類などが挙げられる。
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。
チルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン
などが挙げられる。
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無
水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリ
ロニトリル及びこれらの誘導体などが挙げられる。
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イ
ミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル及びこれらの誘導
体などが挙げられる。
し、均−系または不均一系の水素添加触媒の存在下、水
素を導入することによって達成できる。
られるが、2種以上を混合して用いてもよい。
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シェラツクなどを添加することができる
。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂100
重量部に対して0〜50重量部、好ましくは5〜20重
量部である。
又は(II)で示される化合物のキノンジアジドスルホ
ン酸エステルであれば、特に限定されるものではないが
、1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、2.1−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、2.1−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、その他のキノンジアジド誘導体
のスルホン酸エステルなどが挙げられる。
(1)の化合物は一分子中に含まれる水酸基が3〜4個
で、フェノール核に結合した水酸基以外の置換基が0〜
4個であることが必要であり、−数式(n)の化合物は
一分子中に含まれる水酸基が5個で、フェノール核に結
合した水酸基以外の置換基が1〜4個であることが必要
である。
る感光剤を用いた場合、パターン形状の劣化や、形成さ
れたパターンの露光エネルギーに対する線巾変化が大き
くなる傾向がみられ、一方、水酸基の数が上記より少な
い場合、感度が劣化する傾向がみられる。又、フェノー
ル核に結合した水酸基以外の置換基が嵩高いか、或いは
数が多い物から合成された感光剤を用いた場合も、感度
が劣化する傾向がみられ好ましくない。一般式(I)、
(II)の化合物の具体例としては、 以下のものが ■ 挙げられる。
又は(II)で示されるフェノール化合物に対するキノ
ンジアジド化合物のエステル化の比率は特に限定される
ものではないが、50〜100モル%が好ましい、特に
好ましくは65〜95モル%の範囲である。エステル化
の比率が低いとパターン形状、解像性の劣化を招き、エ
ステル化の比率が高いと感度の劣化を招き好ましくない
。
特に限定されるものではないが、樹脂100重量部に対
して5〜50重量部が好ましい。
化を招き、配合量が多いと感度、耐熱性の劣化を招き好
ましくない。
混合して用いることができる。混合する別の種類の感光
剤としては特に限定されるものでなく、一般のキノンジ
アジドのスルホン酸エステルであれば使用できる。具体
例としては、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、
カテコール、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログル
シノール、フロログルシド、2,3.4−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、2,4.4’ −)リヒドロキシベ
ンゾフエノン、2,3,4.4’ −テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、2.2’ 、4.4’ −テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、2.2’ 、3,4.4’−ペ
ンタヒドロキシヘンシフエノン、2.2’ 、3.4.
5’ −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.3
’ 、4.5’ −ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2,3.3’ 、4.4’ 、5’へキサヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3’ 、4.4’5′、6−へキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没食子酸
エチル、没食子酸プロピル、2.2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス(2,3,
4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、タレゾールノ
ボラック樹脂、レゾルシン−アセトン樹脂、ピロガロー
ル−アセトン樹脂、ポリビニルフェノール樹脂およびビ
ニルフェノールの共重合体などのキノンジアジドスルホ
ン酸エステルが挙げられる。
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類、
n−プロピルアルコール、1so−プロピルアルコール
、n−7’チルアルコール、シクロヘキサノールなどの
アルコール類、工゛チレングリコールジメチルエーテル
、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンな
どのエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアコ
ールエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセ
テートなどのセロソルブエステル類、プロピレングリコ
ール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
レンゲリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモツプチルエーテルなどのプロピレング
リコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチル
エーテルなどのジエチレングリコール類、トリクロロエ
チレンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、N−メチルアセトアミドなどの極
性溶媒などが挙げられる。これらは、単独でも2種以上
を混合して用いてもよい。
、界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション
防止剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させる
ことができる。
カリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンな
どの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン
などの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルア
ミンなどの第三アミン類、ジメチルメタノールアミン、
トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム
塩などが挙げられる。
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。
。なお、実施例中の部及び%は特に断りのない限り重量
基準である。
合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を
用いて常法により縮合してノボラック樹脂を得た。前記
式■の化合物と、この−OH基の70モル%に相当する
1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロラ
イドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルアミン
を加えてエステル化を行い感光剤を得た。
に溶解し、O,lamのテフロンフィルターで濾過して
レジスト溶液を調製した。
布した後、100°Cで90秒間ベータを行い、厚さ1
.17μmのレジスト膜を形成した。
コン社製、NA=0.54)とテスト用レチクルを用い
て露光を行った。次に2.38%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間パドル法に
より現像してポジ型パターンを形成した。
、露光量390m5ecで0.65μmの1:1ライン
&スペースパターンが設計寸法通り形成されており、こ
のとき0.50μmのライン及スペースが解像していた
。又、露光量440m5ecで0.45μmのライン及
スペースが解像していた。
する1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
ミンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。
乳酸エチル360部に溶解し、0.1μmのテフロンフ
ィルターで?p過してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量400m5ecで0.65 a mの1:lライン&
スペースパターンが設計寸法通り形成されており、この
とき0.5μmのライン&スペースが解像していた。又
、露光量440m5ecで0,45μmのライン&スペ
ースが解像していた。このパターンは、垂直で良好な形
状をしていた。パターンの膜厚を測定すると、!、 1
6μmであった。
合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を
用いて常法により縮合してノボラック樹脂を得た。前記
式■の化合物と、この−〇i+基の90モル%に相当す
る1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
ライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルアミ
ンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。
に溶解し、0.1μmのテフロンフィルターで濾過して
レジスト溶液を調製した。
90°Cで90秒間ベータし膜厚1.17μmのレジス
ト膜を形成した。このウェハーをg線ステッパーN5R
1505G6E にコン社製、NA=0.54)とテス
ト用レチクルを用いて露光を行った0次にこのウェハー
を、110°C160秒間F E B (PO5T E
XPO3URE BAKING ) した後、2.38
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23
°C11分間パドル法により現像してポジ型パターンを
形成した。
、露光量400IIlsecで0.65 a mの1=
1ライン&スペースパターンが設計寸法通り形成されて
おり、このとき0.45μmのライン&スペースが解像
していた。又、露光量430m5ecで0.40μmの
ライン&スペースが解像していた。
ツチング装置DEM−45IT (日型アネルバ社製)
を用いて、パワー300W、圧力0、03 Torr
、ガスCF4/H= 3 / 1、周波数13.56
MHzでエツチングしたところ、パターンのなかったと
ころのみエツチングされていることが観察された。
する1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
ミンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。
酸エチル360部に溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量410m5ecで0.65μmの1:1ライン&スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
0.45μmのライン&スペースが解像していた。又、
露光量450m5ecで0.40μmのライン&スペー
スが解像していた。
する1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
ミンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。
酸エチルに350部溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量39 (1+secで0.65μmの1:1ライン&
スペースパターンが設計寸法通り形成されており、この
とき0.45μmのライン&スペースが解像していた。
ペースが解像していた。
する1、2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
ミンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。
酸エチル360部に溶解し、0月μmのテフロンフィル
ターで炉遇してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量420m5ecT:0.65.17 mの1:1ライ
ン&スペースパターンが設計寸法通り形成されており、
このとき0.45μmのライン&スペースが解像してい
た。又、露光量470m5ecで0.40μmのライン
&スペースが解像していた。
た後、90°Cで90秒間ベータし膜厚1.20μmの
レジスト膜を形成した。このウェハーをi線ステッパー
A L S WAFER5TEP2142 i(ゼネラ
ルシグナル社製)とテスト用レチクルを用いて露光を行
った。次にこのウェハーを110°C160秒間PEB
した後、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23°C11分間パドル法により現像して
ポジ型パターンを形成した。
、露光量320m5ecで0.70 u mのl:1ラ
イン&スペースパターンが設計寸法通り形成されており
、このとき0.5μmのライン&スペースが解像してい
た。又、露光量370m5ecで0.45μmのライン
&スペースが解像していた。このパターンは、垂直で良
好な形状をしていた。
酸エチル350部に溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量300tasecで0.70μmの1=1ライン&ス
ペースパターンが設計寸法通り形成されており、このと
き0.5μmのライン&スペースが解像していた。又、
露光量340 m5ecで0.45μmのライン&スペ
ースが解像していた。このパターンは、垂直で良好な形
状をしていた。
酸エチル350部に溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量300m5ecで0.70 u mの1:1ライン&
スペースパターンが設計寸法通り形成されており、この
とき0.5μmのライン&スペースが解像していた。又
、露光量340rasecで0.45μmのライン&ス
ペースが解像していた。このパターンは、垂直で良好な
形状をしていた。
する1、2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これに炭酸水素ナト
リウム水溶液を加えてエステル化を行って感光剤を得た
。
ル350部に溶解し、0.1μmのテフロンフィルター
で炉遇してレジスト溶液を調製した。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量280+secで0.70μmの1:1ライン&スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
0.5μmのライン&スペースが解像していた。又、露
光量340m5ecで0.45μmのライン&スペース
が解像していた。
と、この−0H5の95モル%に相当する1、2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホニルクロライドをジオキ
サン中に溶解し、これにトリエチルアミンを加えてエス
テル化をおこなって感光剤を得た。
上記感光剤10部を乳酸エチル360部に溶解し、0.
1ミクロンテフロンフィルターで炉遇してレジスト溶液
を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量290 ll1secで0.65μmの1:1ライン
&スペースパターンが設計寸法通り形成されており、こ
のとき0.45μmのライン&スペースが解像していた
。又、露光1330 m5ecで0.40μmのライン
&スペースが解像していた。
加率35%)100部、実施例10の感光剤25部をジ
グライム320部に溶解し、0.1μmテフロンフィル
ターで1p過してレジスト溶液を得た。
布した後、100°Cで90秒間ベータし、膜厚1.0
μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをKrFエ
キシマレーザ−装置C2926(浜松ホトニクス社製)
とテストマスクを用いて露光を行った0次に、2.0%
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23
°C51分間パドル法により現像してポジ型パターンを
得た。
で観察したところ、露光量240sJ/cm”で0.4
5μmのライン&スペースパターンが解像していた。
の−〇H基の90モル%に相当する1、2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロライドをジオキサン中
に溶解し、これにトリエチルアミンを加えてエステル化
を行い感光剤を得た。
酸エチル360部に溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで炉遇してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量610m5ecで0.65μmの1:lライン&スペ
ースが設計寸法通り形成されており、このとき0.45
μmのライン&スペースが解像していた。しかし、0.
40μmのライン&スペースを解像するには、730a
+secの露光量が必要であった。
リフェニルメタンと、この65モル%に相当する1、2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロライドを
ジオキサン中に溶解し、これにトリエチルアミンを加え
てエステル化を行い感光剤を得た。
酸エチル350部に溶解し、0.1μmのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を得た。
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量330a+secで0.65 a mの1:1ライン
&スペースが設計寸法通り形成されていたが、このとき
0.50μmのライン&スペースまでしか解像できてい
なかった。また、露光量380m5ecで0.45μm
のライン&スペースが解像していたが、このパターンの
形状はトップの部分が丸くなっており、膜減りが顕著で
あった。
熱性などの緒特性が優れているので、特に1μm以下の
微細加工に適している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有するポジ
型レジスト組成物において、該感光剤として、下記一般
式( I )又は(II)で示される化合物のキノンジアジ
ドスルホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ
型レジスト組成物。 ( I )▲数式、化学式、表等があります▼ (R_1〜R_4:H、ハロゲン、水酸基、C_1〜C
_3のアルキル基もしくはアルケニル 基、又はC_1〜C_3のヒドロキシ アルキル基であって、同一又は異 なっていてもよい。 R_5:H、C_1〜C_3のアルキル基もしくはアル
ケニル基、又はアリール 基である。 但し、水酸基の数は3〜4個である。) (II)▲数式、化学式、表等があります▼ (R_6〜R_9:H、ハロゲン、水酸基、C_1〜C
_3のアルキル基もしくはアルケニル 基、又はC_1〜C_3のヒドロキシ アルキル基であって、同一又は異 なっていてもよい。 R_1_0:H、C_1〜C_3のアルキル基もしくは
アルケニル基、又はアリール 基である。 但し、水酸基の数は5個であり、かつR_6〜R_9の
少なくとも1個はH以外である。)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298857A JP2571136B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型レジスト組成物 |
US07/603,597 US5306596A (en) | 1989-11-17 | 1990-10-26 | Positive resist composition comprising a polyphenolic o-quinone diazide sulfonate |
EP90312294A EP0430477B1 (en) | 1989-11-17 | 1990-11-09 | Positive resist composition |
DE69027099T DE69027099T2 (de) | 1989-11-17 | 1990-11-09 | Positiv arbeitende Photolackzusammensetzung |
US08/227,145 US5532107A (en) | 1989-11-17 | 1994-04-13 | Positive resist composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298857A JP2571136B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03158856A true JPH03158856A (ja) | 1991-07-08 |
JP2571136B2 JP2571136B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17865093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1298857A Expired - Lifetime JP2571136B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5306596A (ja) |
EP (1) | EP0430477B1 (ja) |
JP (1) | JP2571136B2 (ja) |
DE (1) | DE69027099T2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2571136B2 (ja) | 1997-01-16 |
US5532107A (en) | 1996-07-02 |
DE69027099T2 (de) | 1996-10-02 |
EP0430477A1 (en) | 1991-06-05 |
US5306596A (en) | 1994-04-26 |
DE69027099D1 (de) | 1996-06-27 |
EP0430477B1 (en) | 1996-05-22 |
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JPH0325446A (ja) | ポジ型レジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024 Year of fee payment: 11 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |