JPH03200250A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。
(従来の技術)
半導体を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。
従来、半導体素子を形成するためのレジスト組成物とし
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。
しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集精化に
十分対応できると考えられている。
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集精化に
十分対応できると考えられている。
現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。
しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの緒特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。特に、感度は半導体の生産性を向上させ
るために重要であり、ポジ型レジスト組成物の高感度化
が強く望まれている。この目的のために、ポジ型レジス
ト組成物の基材成分であるノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物に加えて、種々の化合物が添加されている。
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの緒特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。特に、感度は半導体の生産性を向上させ
るために重要であり、ポジ型レジスト組成物の高感度化
が強く望まれている。この目的のために、ポジ型レジス
ト組成物の基材成分であるノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物に加えて、種々の化合物が添加されている。
このように高感度化のために添加される化合物すなわち
増感剤の例としては、ハロゲン化ベンゾトリアゾール誘
導体のような窒素複素環式化合物(特開昭58−376
41 )や環状酸無水物(特公昭5630850 )が
挙げられている。しかしながら、これらの増感剤の添加
では露光部と未露光部の溶解性の差がなくなり、この結
果として残膜率が低下し解像度が劣化したり、増感剤に
よるノボラック樹脂の可塑化効果のために耐熱性が低下
するなどの問題が生じる。
増感剤の例としては、ハロゲン化ベンゾトリアゾール誘
導体のような窒素複素環式化合物(特開昭58−376
41 )や環状酸無水物(特公昭5630850 )が
挙げられている。しかしながら、これらの増感剤の添加
では露光部と未露光部の溶解性の差がなくなり、この結
果として残膜率が低下し解像度が劣化したり、増感剤に
よるノボラック樹脂の可塑化効果のために耐熱性が低下
するなどの問題が生じる。
(発明が解決しようとする目的)
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの緒特性の優
れた、特に1μm以下の微細加工に適した高怒度ポジ型
レジスト組成物を提供することにある。
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの緒特性の優
れた、特に1μm以下の微細加工に適した高怒度ポジ型
レジスト組成物を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂、
キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、およびビ
ニルフェノール化合物及び/又はイソプロペニルフェノ
ール化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト
組成物によって達成される。
キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、およびビ
ニルフェノール化合物及び/又はイソプロペニルフェノ
ール化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト
組成物によって達成される。
本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。
脂としては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフ
ェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加
反応生成物などが挙げられる。
ここで、用いるフェノール類の具体例としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェ
ノールなどの一価のフェノール類、レゾルシノール、ピ
ロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールA1ピ
ロガロールなどの多価のフェノール類などが挙げられる
。
ール、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、
プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェ
ノールなどの一価のフェノール類、レゾルシノール、ピ
ロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールA1ピ
ロガロールなどの多価のフェノール類などが挙げられる
。
ここで、用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テ
レフタルアルデヒドなどが挙げられる。
アルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テ
レフタルアルデヒドなどが挙げられる。
ここで、用いるケトン類の具体例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなどが挙げられる。
メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケト
ンなどが挙げられる。
これらの縮合反応はバルク重合、溶液重合などの常法に
従って行うことができる。
従って行うことができる。
また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イミド誘
導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イミド誘
導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。
また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる。
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる。
これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成で
きる。
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成で
きる。
これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は、再沈分別な
どにより分子量分布をコントロールしたものを用いるこ
とも可能である。また、これらのフェノール樹脂は単独
でも用いられるが、2種頬以上を混合して用いても良い
。
どにより分子量分布をコントロールしたものを用いるこ
とも可能である。また、これらのフェノール樹脂は単独
でも用いられるが、2種頬以上を混合して用いても良い
。
本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジンシェラツクなどを添加することができる。
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジンシェラツクなどを添加することができる。
添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂100重
量部に対して0〜50重量部、好ましくは5〜20重量
部である。
量部に対して0〜50重量部、好ましくは5〜20重量
部である。
本発明において用いられる感光剤は、キノンジアジドス
ルホン酸エステルであれば、特に限定されるものではな
い。その具体例として、エステル部分が1,2−ベンゾ
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2
.1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
、2.1−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、その他キノンジアジド誘導体のスルホン酸エステ
ルなどである化合物が挙げられる。
ルホン酸エステルであれば、特に限定されるものではな
い。その具体例として、エステル部分が1,2−ベンゾ
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2
.1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
、2.1−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、その他キノンジアジド誘導体のスルホン酸エステ
ルなどである化合物が挙げられる。
本発明における感光剤は、キノンジアジドスルホン酸化
合物のエステル化反応によって合成することが可能であ
って、永松元太部、乾英夫著「感光性高分子J (19
80)講談社(東京)8どに記載されている常法に従っ
て、合成することができる。
合物のエステル化反応によって合成することが可能であ
って、永松元太部、乾英夫著「感光性高分子J (19
80)講談社(東京)8どに記載されている常法に従っ
て、合成することができる。
本発明における感光剤は単独でも用いられるが、2種以
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂100重量部に対して1〜100重量部であり、好ま
しくは3〜40重量部である。
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂100重量部に対して1〜100重量部であり、好ま
しくは3〜40重量部である。
1重量部未満では、パターンの形成が不可能となり、1
00重量部を越えると、残像残りが発生しやすくなる。
00重量部を越えると、残像残りが発生しやすくなる。
本発明において用いられる増悪剤は、ビニルフェノール
化合物及び/又はイソプロペニルフェノール化合物、例
えば、ビニルフェノール、イソプロペニルフェノール、
これらの核置換体、オリゴマー(通常2〜10量体)、
及び水素添加物などであれば、特に限定されるものでは
ない。その具体例としては、以下のものがあげられる。
化合物及び/又はイソプロペニルフェノール化合物、例
えば、ビニルフェノール、イソプロペニルフェノール、
これらの核置換体、オリゴマー(通常2〜10量体)、
及び水素添加物などであれば、特に限定されるものでは
ない。その具体例としては、以下のものがあげられる。
(1)
(2)
11
11
(3)
(4)
CH。
(5)
(6)
叶
H
H
(11)
CH13
l3
CH8
(8)
CH3
21
CH8
CH3
CI+3
本発明における増悪剤は単独でも用いられるが、2種以
上を混合して用いても良い。増感剤の配合量は、上記樹
脂100重量部に対して100重量部以下であり、好ま
しくは2〜50重量部である。
上を混合して用いても良い。増感剤の配合量は、上記樹
脂100重量部に対して100重量部以下であり、好ま
しくは2〜50重量部である。
添加剤量が100重量部を越えると残膜率の低下が激し
くなり、パターン形成が難しくなる。
くなり、パターン形成が難しくなる。
本発明のポジ型レジスト組成物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類、
n−プロピルアルコール、1so−プロピルアルコール
、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコー
ルエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プ
ロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブエステル類、プロピレンアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプ
ロピレングリコール類、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル
、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメ
チルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類、ト
リクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミ
ドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらは、単独で
も2種以上を混合して用いてもよい。
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類、
n−プロピルアルコール、1so−プロピルアルコール
、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコー
ルエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プ
ロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブエステル類、プロピレンアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプ
ロピレングリコール類、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル
、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメ
チルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類、ト
リクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミ
ドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらは、単独で
も2種以上を混合して用いてもよい。
本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤
、可塑剤、ハレーション防止剤などの相溶性のある添加
剤を含有させることができる。
活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤
、可塑剤、ハレーション防止剤などの相溶性のある添加
剤を含有させることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンな
どの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン
などの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルア
ミンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、
トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム
塩などが挙げられる。
カリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンな
どの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン
などの第三アミン類、トリメチルアミン、トリエチルア
ミンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、
トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム
塩などが挙げられる。
更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。
(実施例)
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。
。
止較班土
m−クレゾールとp−クレゾールとをモル比で4=6の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの75%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物28
重量部をエチルセロソルブアセテート350重量部に溶
解して0.1μmのテフロンフィルターで濾過しレジス
ト溶液を調製した。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの75%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物28
重量部をエチルセロソルブアセテート350重量部に溶
解して0.1μmのテフロンフィルターで濾過しレジス
ト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ス
テッパーN5R−150506Eにコン社製、NA=0
.54)とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で23°C11分間、パドル法により現像してポジ
型パターンを得た。
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ス
テッパーN5R−150506Eにコン社製、NA=0
.54)とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で23°C11分間、パドル法により現像してポジ
型パターンを得た。
感度を評価すると120mJ/cm”であり、パターン
の膜厚を、膜厚計アルファステップ200(テンコー社
製)で測定すると1.12μmであった。
の膜厚を、膜厚計アルファステップ200(テンコー社
製)で測定すると1.12μmであった。
夫隻桝土
比較例1のレジスト溶液に樹脂100重量部に対して1
0重量部の比率で(7)式の増悪剤を添加、溶解して0
.1μmのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を
調製した。
0重量部の比率で(7)式の増悪剤を添加、溶解して0
.1μmのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を
調製した。
このレジスト溶液を比較例1と同じ方法で処理しポジ型
パターンをえた。
パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると80 m J 7cm”であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.45amのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.13μmであった。比較例1の
レジストに比べ感度が向上していることが分かった。
すると80 m J 7cm”であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.45amのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.13μmであった。比較例1の
レジストに比べ感度が向上していることが分かった。
さらに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置DEM−4517(日型アネルバ社製)を
用いてパワー300W、圧力0.03丁orr、ガスC
F4/H=3/1.周波数13.56MHzでエツチン
グしたところ、パターンのなかったところのみエツチン
グされていることが観察された。
ツチング装置DEM−4517(日型アネルバ社製)を
用いてパワー300W、圧力0.03丁orr、ガスC
F4/H=3/1.周波数13.56MHzでエツチン
グしたところ、パターンのなかったところのみエツチン
グされていることが観察された。
z隻班I
実施例1のレジスト溶液をシリコンウェハー上にコータ
ーで塗布した後、90℃で90秒間べ一りし、厚さ1.
17μmのレジスト膜を形成した。
ーで塗布した後、90℃で90秒間べ一りし、厚さ1.
17μmのレジスト膜を形成した。
このウェハーをg線ステッパーN5R−150506E
とテスト用レチクルを用いて露光を行った。
とテスト用レチクルを用いて露光を行った。
次にこのウェハーを110”Cで60秒間FEB(PO
3T EXPO5IJRE BAKING ) した後
、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で23℃、1分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。
3T EXPO5IJRE BAKING ) した後
、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で23℃、1分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると70 m J 7cm”であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.40μmのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.14μmであった。
すると70 m J 7cm”であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.40μmのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.14μmであった。
フ(13〜 7 び 六 2m−クレゾ
ールとp−クレゾールと3,5−キシレノールとをモル
比で50:2010の割合で混合し、これにホルマリン
を加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してえた
ノボラック樹脂100重量部、2.3,4.4’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンの95%が1.2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸のエステルであるキノ
ンジアジド化合物28重量部、表1に示す増感剤5重量
部を乳酸エチル360重量部に溶解して0.1μmのテ
フロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
ールとp−クレゾールと3,5−キシレノールとをモル
比で50:2010の割合で混合し、これにホルマリン
を加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してえた
ノボラック樹脂100重量部、2.3,4.4’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンの95%が1.2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸のエステルであるキノ
ンジアジド化合物28重量部、表1に示す増感剤5重量
部を乳酸エチル360重量部に溶解して0.1μmのテ
フロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、90°Cで90秒間ベータし、厚さ1.17
μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ステ
ッパーN5R−1505G6Eとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次に、このウェハーを110°Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。
布した後、90°Cで90秒間ベータし、厚さ1.17
μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ステ
ッパーN5R−1505G6Eとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次に、このウェハーを110°Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して評価した結
果を表1に示す。
果を表1に示す。
裏施l−
m−クレゾールとp−クレゾールとをモル比で8:2の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部をエチルセロソルブアセテート400重量部に溶
解し、これを3000重量部のトルエン中に滴下し樹脂
を析出させた。析出させた樹脂を濾別した後、60°C
で30時間真空乾燥させた。真空乾燥した樹脂100重
量部、2゜34.4 ’ −テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの95%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物28
重量部、0ω式に示す増悪剤10重量部を乳酸エチル3
80重量部に溶解して0.1μmのテフロンフィルター
で炉遇しレジスト溶液を調製した。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部をエチルセロソルブアセテート400重量部に溶
解し、これを3000重量部のトルエン中に滴下し樹脂
を析出させた。析出させた樹脂を濾別した後、60°C
で30時間真空乾燥させた。真空乾燥した樹脂100重
量部、2゜34.4 ’ −テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの95%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物28
重量部、0ω式に示す増悪剤10重量部を乳酸エチル3
80重量部に溶解して0.1μmのテフロンフィルター
で炉遇しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、90°Cで90秒間ベータし、厚さ1.17
μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ステ
ンパーN5R−150506Eとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次にこのウェハーを110°Cで6
0秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。
布した後、90°Cで90秒間ベータし、厚さ1.17
μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをg線ステ
ンパーN5R−150506Eとテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次にこのウェハーを110°Cで6
0秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル法
により現像してポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると90mJ/cm”であり、電子顕微鏡で観察した
ところ、0.45μmのライン及スペースが解像してい
た。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ200
で測定すると1.12μmであった。
すると90mJ/cm”であり、電子顕微鏡で観察した
ところ、0.45μmのライン及スペースが解像してい
た。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ200
で測定すると1.12μmであった。
夫詣±工
m−クレゾールとp−クレゾールとをモル比で7=3の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学製)の9
0%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物35重量部、0
0)式に示す増感剤Vinftt部をエチルセロソルブ
アセテート350重量部に溶解して0.1μmのテフロ
ンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学製)の9
0%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物35重量部、0
0)式に示す増感剤Vinftt部をエチルセロソルブ
アセテート350重量部に溶解して0.1μmのテフロ
ンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、100°Cで90秒間ベークし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aにコン社製、NA=0
.45)とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
にこのウェハーを110°Cで60秒間PEBした後、
2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で23°C11分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。
布した後、100°Cで90秒間ベークし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aにコン社製、NA=0
.45)とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
にこのウェハーを110°Cで60秒間PEBした後、
2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で23°C11分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると140mJ/cm”であり、電子顕微鏡で観察し
たところ、0.40μmのライン及スペースが解像して
いた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ20
0で測定すると1.15μmであった。
すると140mJ/cm”であり、電子顕微鏡で観察し
たところ、0.40μmのライン及スペースが解像して
いた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ20
0で測定すると1.15μmであった。
尖施拠土度
ビニルフェノールとスチレンの共重合体(モル比5:5
)100重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学
製)の90%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物36重
量部、02)式に示す増感剤5重量部をジグライム32
0重量部に溶解して0.1μmのテフロンフィルターで
濾過しレジスト溶液を調製した。
)100重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学
製)の90%が1.2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物36重
量部、02)式に示す増感剤5重量部をジグライム32
0重量部に溶解して0.1μmのテフロンフィルターで
濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aとテスト用レチクルを
用いて露光を行った。次にこのウェハーを110°Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル
法により現像してポジ型パターンをえた。
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aとテスト用レチクルを
用いて露光を行った。次にこのウェハーを110°Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル
法により現像してポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると90 m J 7cm2であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.50μmのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.12μmであった。
すると90 m J 7cm2であり、電子顕微鏡で観
察したところ、0.50μmのライン及スペースが解像
していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ
200で測定すると1.12μmであった。
実110」−
m−クレゾールとp−クレゾールとをモル比で5:5の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、2.3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの95%が1.2−ナフトキノンジアジドー5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物14
重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学製)の9
0%が1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物18重量部、(
8)弐に示す増悪剤10重量部を乳酸エチル380重量
部に溶解して0.1μmのテフロンフィルターで;ア過
しレジスト溶液を調製した。
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂100
重量部、2.3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの95%が1.2−ナフトキノンジアジドー5−
スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物14
重量部、トリスフェノールPA(三井石油化学製)の9
0%が1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物18重量部、(
8)弐に示す増悪剤10重量部を乳酸エチル380重量
部に溶解して0.1μmのテフロンフィルターで;ア過
しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aとテスト用レチクルを
用いて露光を行った。次にこのウェハーを110’Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル
法により現像してポジ型パターンをえた。
布した後、100°Cで90秒間ベータし、厚さ1.1
7μmのレジスト膜を形成した。このウェハーをi線ス
テッパーN5R−1505i6Aとテスト用レチクルを
用いて露光を行った。次にこのウェハーを110’Cで
60秒間PEBした後、2.38%テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で23°C11分間、パドル
法により現像してポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して感度を評価
すると120mJ/cm!であり、電子顕微鏡で観察し
たところ、0.40μmのライン&スペースが解像して
いた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ20
0で測定すると1.14μmであった。
すると120mJ/cm!であり、電子顕微鏡で観察し
たところ、0.40μmのライン&スペースが解像して
いた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステップ20
0で測定すると1.14μmであった。
表 1
mJ/cm2 μm
実施例3(6)式の化合物 1301゜14〃4 (
7) 〃110 1.13〃5 (8)
〃110 1.14〃6 (9) ”
110 1.13μm 0045 0.40 0.45 0.45 比較例2 な し 160 1.13(発明
の効果) 本発明のポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜
率、耐熱性、保存安定性などが優れているので、特に1
μm以下の微細加工用として有用性が高い。
7) 〃110 1.13〃5 (8)
〃110 1.14〃6 (9) ”
110 1.13μm 0045 0.40 0.45 0.45 比較例2 な し 160 1.13(発明
の効果) 本発明のポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜
率、耐熱性、保存安定性などが優れているので、特に1
μm以下の微細加工用として有用性が高い。
Claims (1)
- (1)アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジド
スルホン酸エステル系感光剤、およびビニルフェノール
化合物及び/又はイソプロペニルフェノール化合物を含
有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1342192A JP2566170B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1342192A JP2566170B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03200250A true JPH03200250A (ja) | 1991-09-02 |
JP2566170B2 JP2566170B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=18351831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1342192A Expired - Lifetime JP2566170B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2566170B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0497342A2 (en) * | 1991-01-31 | 1992-08-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Negative photoresist composition |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60150047A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JPS6444439A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-16 | Merck Patent Gmbh | Positive photoresist composition |
JPH01277234A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Toshiba Corp | レジスト |
JPH01304455A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Chisso Corp | ポジ型フォトレジスト組成物 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1342192A patent/JP2566170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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EP0497342A2 (en) * | 1991-01-31 | 1992-08-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Negative photoresist composition |
EP0497342A3 (en) * | 1991-01-31 | 1992-09-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Negative photoresist composition |
US5304456A (en) * | 1991-01-31 | 1994-04-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Negative photoresist composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2566170B2 (ja) | 1996-12-25 |
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