JPH03144454A

JPH03144454A - ポジ型レジスト組成物

Info

Publication number: JPH03144454A
Application number: JP1282721A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Oie; 尾家　正行; Masaji Kawada; 正司河田; Shinya Ikeda; 新也池田
Original assignee: Nippon Zeon Co Ltd
Current assignee: Zeon Corp
Priority date: 1989-10-30
Filing date: 1989-10-30
Publication date: 1991-06-19
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: JPH087434B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。

（従来の技術〉半導体を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形成が行わ
れている。

従来、半導体素子を形成するためのレジストｄ或物茅キ
は、環化ポリイソプレンとビスジアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型しジスト組底物に対して、ポジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているため半導体の高集積化に十
分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。

しかしながら、従来のポジ型レジスト組成物は感度、残
膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必ず
しも満足な結果は得られておらず、性能の向上が望まれ
ている。

（発明が解決しようとする課題）本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
残膜率、解像度、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特に１μｍ以下の微細加工に適したポジ型レジス
ト組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂と
感光剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感
光剤として下記一般式（Ｉ）で示される化合物のキノン
ジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴とす
るポジ型レジスト組成物によって達成される。

Ｒ＋−１０’Ｈ＋　ハロゲン、水酸基、Ｃ＋””Ｃｓの
アルキル基もしくはアルケニル基、又は０１〜Ｃ３の置
換もしくは未置換のヒドロキシアルキル基であって同−
又は異っていてもよい。

本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂としては、例えばフェノール類とアルデヒド類との縮
合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生
成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェ
ノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反
応生成物などが挙げられる。

ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、プ
命ピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノ
ールなどの一価のフェノール類；レゾルシノール、ピロ
カテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ１ピロ
ガロールなどの多価フェノール類などが挙げられる。

ここで用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。

ここで用いるケトン類の具体例としては、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン
などが挙げられる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な成分の具体
例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無
水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリ
ロニトリル又はこれらの誘導体などが挙げられる。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソフロ
ベニルフェノールの単独重合体皮ヒイソブロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イ
ミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル又はこれらの誘導
体などが挙げられる。

フェノール樹脂の水素添加反応生成物を用いる場合、そ
の反応は任意の公知の方法によって実施することが可能
であって、フェノール樹脂を有機溶剤に溶解し、均−系
または不均一系の水素添加触媒の存在下、水素を導入す
ることによって達成できる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用い
られるが、２種以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組成物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シェラツクなどを添加することができる
。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００
重量部に対して０〜５０重量部、好ましくは５〜２０重
量部である。

本発明において用いられる感光剤は、前記−形式（Ｉ）
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
であれば、特に限定されるものではないが、１．２−ベ
ンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ｌ
、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル
、２．１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エス
テル、２．１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
エステル、その他のキノンジアジド誘導体のスルホン酸
エステルなどが挙げられる。

一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

■ ■ ｌｌｌｌ ■ Ｈ０ ■ Ｈ０本発明で用いられる感光剤において、前記−形式（１）
で示されるフェノール化合物に対するキノンジアジド化
合物のエステル化の比率は特に限定されるものではない
が、５０〜１００モル％が好ましい。特に好ましくは７
０〜９５モル％の範囲である。エステル化の比率が低い
とパターン形状、解像性の劣化を招き、エステル化の比
率が高いと感度の劣化を招き好ましくない。

本発明で用いられる感光剤の樹脂成分に対する配合量は
特に限定されるものではないが、樹脂１００重量部に対
して５〜５０重量部が好ましい。

特に好ましくは、１０〜４０重量部の範囲である。

配合量が少ないと十分な残膜率が得られず、解像性の劣
化を招き、配合量が多いと感度、耐熱性の劣化を招き好
ましくない。

本発明で用いる感光剤は単独、又は別の種類の感光剤と
混合して用いることができる。混合する別の種類の感光
剤としては特に限定されるものではなく、一般のキノン
ジアジドのスルホン酸エステルであれば使用できる。具
体例としては、クレゾール、キシレノール、レゾルシン
、カテコール、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログ
ルシノール、フロログルシド、２，３．４−　トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，４．４’　−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２，３，４．４’　−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２．２’　、４．４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２．２’　、３，４．４’　
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２．２’　、３，
４．５’　−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３
．３’　、４．５’　−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３．３’　、４．４’　、５’へキサヒドロキ
シベンゾフェノン、２．３’　、４．４’５′、６−へ
キサヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没食
子酸エチル、没食子酸プロピル、２．２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（２，
３，４−）ジヒドロキシフェニル）プロパン、タレゾー
ルノボラック樹脂、レゾルシン−アセトン樹脂、ピロガ
ロール−アセトン樹脂、ポリビニルフェノール樹脂およ
びビニルフェノールの共重合体などのキノンジアジドス
ルホン酸エステルが挙げられる。

本発明のポジ型しジスト組底物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類、
ｎ−プロピルアルコール、１ｓｏ−プロピルアルコール
、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのア
ルコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコー
ルエーテル類、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテートエチルセロソルブアセテート、プロ
ピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテー
トなどのセロソルブエステル類、プロピレングリコール
、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロレン
ゲリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコ
ール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエ
チルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエー
テルなどのジエチレングリコール類、トリクロロエチレ
ンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性溶
媒などが挙げられる。これらは、単独でも２種以上を混
合して用いてもよい。

本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて染料
、界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーシッン
防止剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させる
ことができる。

本発明のポジ型レジスト組成物の現像液としては、アル
カリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリ類、エチルアミン、プロピルアミンな
どの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン
などの第二アミン類、トリメチルアごン、トリエチルア
ミンなどの第三ア旦ン類、ジメチルメタノールアミン、
トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩
などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶液有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（実施例）以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び％は特に断りのない限り重量
基準である。

実施例１ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３．５−キシレノー
ルをモル比で５０：３０：２０の割合で混合し、これに
ホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮
合してノボランク樹脂を得た。

化合物（前記式の■）と、この−〇Ｈ基の７５モル％に
相当する１、２−ナフトキノンジアジド５−スルホニル
クロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチル
アミンを加えてエステル化を行い感光剤を得た。

上記樹脂１００部と感光剤３０部を乳酸エチル３５０部
に溶解し、０．１部ｍのテフロンフィルターでｔ濾過し
てレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００　’Ｃで９０秒間ベータを行い、厚さ
１．１７μｍのレジスト膜を形成した。

このウェハーをｇ線ステンパーＮ５ＲＩ５０５Ｇ６Ｅ　
にコン社製、ＮＡ＝０．５４）とテスト用レチクルを用
いて露光を行った。次に２．３８％テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ１工分間パドル法
により現像してポジ型パターンを形成した。

このウェハーを取り出して電子顕微鏡で観察したところ
、露光量３５０ｍ５ｅｃ″′ｃｏ、６５μｍのｌ：ｌラ
イン＆スペースパターンが設計寸法通り形成されており
、このとき０．５０μｍのライン＆スペースが解像して
いた。又、露光量３９０ｍ５ｅｃで０．４５μｍのライ
ン＆スペースが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

パターンの膜厚を測定すると１．１４μｍであった。

実施例２化合物（前記式の■）と、この−〇Ｈ基の７０モル％に
相当する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチ
ルアミンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

実施例１で用いた樹脂１００部、上記感光剤３０部を乳
酸エチル＄２−３６０部に溶解し、０．１μｍのテフロ
ンフィルターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例１と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３６０ｍ５ｅｃで０．６５μｍのｌ：ｌライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０．５μｍのライン＆スペースが解像していた。又、露
光ｉｉ４００ｍｓｅｃで０．４５μｍのライン＆スペー
スが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

パターンの膜厚を測定すると１．１４μｍであった。

実施例３ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で５：５の割
合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を
用いて常法により縮合してノボラック樹脂をえた。化合
物（前記式の■）と、この−ＯＨ基の９０モル％に相当
する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
ミンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

上記樹脂１００部と感光剤３０部を乳酸エチル３５０部
に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過して
レジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上に塗布した後、
９０℃で９０秒間ベークし膜厚１．１７μｍのレジスト
膜をも形成した。このウェハーをｇ線ステッパーＮＳｌ
？１５０５Ｇ６Ｅ　にコン社製、ＮＡ＝０．５４）とテ
スト用レチクルを用いて露光を行った。次にこのウェハ
ーを、１１０℃６０秒間ＰＥＢ（ＰＯＳＴＥＸＰＯＳＵ
ＲＢ　ＢＡＫＩＮＧ　）　した後、２．３８％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３°Ｃ１１分
間パドル法により現像してポジ型パターンを形成した。

上記ウェハーを取り出して電子顕微鏡で観察したところ
、露光量４００ｍ５ｅｃで０．６５μｍの１＝１ライン
＆スペースパターンが設計寸法通り形成されており、こ
のとき０．４５μｍのライン＆スペースが解像していた
。又、露光量４３０ｍ５ｅｃで０．４０μｍのライン＆
スペースが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

サラに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置ＯＥＭ−４５１Ｔ　（日型アネルバ社製）
を用いて、パワー３００Ｗ、圧力０．０３　Ｔｏｒｒ、
ガスＣＦ４／Ｈ＝３／１、周波数１３．５６　ＭＨｚで
エツチングしたところ、パターンのなかったところのみ
エツチングされていることが観察された。

実施例４化合物（前記式の■）と、この−ＯＨ基の９０モル％に
相当する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチ
ルアミンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

実施例３で用いた樹脂１００部、上記感光剤３０部を乳
酸エチルに３６０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフ
ィルターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
ｉｉ４３０ｍ　ｓｅｃで０．６５　ｐ　ｍの１：ｌライ
ン＆スペースパターンが設計寸法通り形成されており、
このとき０．４５μｍのライン＆スペースが解像してい
た。又、露光量４８０ｍ５ｅｃで０．４０部ｍのライン
＆スペースが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例５化合物（前記式の■）と、この−ＯＨ基８５モル％に相
当する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチル
アミンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

実施例１で用いた樹脂１００部、上記感光剤３０部を乳
酸エチル＃３６０部に溶解し、０．１ａｍのテフロンフ
ィルターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量４５０ｍ５ｅｃで０．６５μｍのｌ：１ライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０，４５μｍのライン＆スペースが解像していた。又、
露光量５００ｍ５ｅｃで０．４０μｍのライン＆スペー
スが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例６ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で４：６の割
合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を
用いて常法により縮合してノボラック樹脂をえた。化合
物（前記式の■）と、この−０ＨＩの９０モル％に相当
する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチルア
くンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

上記樹脂１００部、上記感光剤２５部を乳酸エチル−２
３６０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターで
濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３６０ｍ５ｅｃで０．６５　ｕ　ｍの１＝１ライン＆
スペースパターンが設計寸法通り形成されており、この
とき０．４５μｍのライン＆スペースが解像していた。

又、露光量４１０ｍ５ｅｃで０．４０μｍのライン＆ス
ペースが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例７化合物（前記式の■）と、この−〇Ｈ基の９５モル％に
相当する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチ
ルアミンを加えてエステル化を行い感光剤をえた。

実施例６で用いた樹脂１００部、上記感光剤２０部を乳
酸エチル茫３６０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフ
ィルターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３００ｍ５ｅｃで０．６５μｍのｌ：１ライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０．５μｍのライン＆スペースが解像していた。又、露
光量５００ｍ５ｅｃで０．４５μｍのライン＆スペース
が解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例８実施例３の樹脂１００部、実施例３の感光剤２０部を乳
酸エチル３５０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液を、シリコンウェハー上にコーターで
塗布した後、９０°Ｃで９０秒間ヘークし膜厚１．２μ
ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをｉ線ステッ
パーＡ　Ｌ　Ｓ　ＷＡＦＥＲＳＴＥＰ　２１４２ｉ（ゼ
ネラルシグナル社製）とテストレチクルを用いて露光を
行った。次にこのウェハーを１１０℃で６０秒間Ｐ　Ｅ
　Ｂ　（ＰＯＳＴ　ＥＸＰＯ５ＵＲＥ　ＢＡＫＩＮＧ　
）　した後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で２３°Ｃ１分間パドル法により現像し
てポジ型パターンを形成した。

このウェハーを取り出して電子顕微鏡で観察したところ
、露光量３４０ｍ５ｅｃで０．７０　ｐ　ｍのｌ：１ラ
イン＆スペースパターンが設計寸法通り形成されており
、このとき０．５μｍのライン＆スペースが解像してい
た。又、露光量３７０ｍ５ｅｃで０．４５μｍのライン
＆スペースが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例９実施例３の樹脂１００部、実施例４の感光剤２０部を乳
酸エチル３５０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィ
ルターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例８と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３６０ｍ５ｅｃで０．７０μｍの１：１ライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０．５μｍのライン＆スペースが解像していた。又、露
光量４００ｍ５ｅｃで０．４５μｍのライン＆スペース
が解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例１０化合物（前記式の■）と、この−〇Ｈ基の９０モル％に
相当する１、２−ナフトキノンジアジド４−スルホニル
クロライドをジオキサン中に溶解し、これに炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加えてエステル化を行い感光剤をえた
。

実施例６の樹脂１００部、上記感光剤２５部を乳酸エチ
ルに３５０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルタ
ーで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例８と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３００ｍ５ｅｃで０．７０μｍのＬ：１ライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０．５μｍのライン＆スペースが解像していた。又、露
光量３４０ｍ５ｅｃで０．４５μｍのライン＆スペース
が解像していた。

実施例１１２，３．４．４’　−テトラヒドロキシベンゾフェノン
と、この−〇Ｈ５の９５モル％に相当する１、２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルクロライドをジオキ
サン中に溶解し、これにトルエチルアくンを加えてエス
テル化をおこない感光剤をえた。

実施例３の樹脂１００部、実施例３の感光剤２０部及び
上記感光剤１０部を乳酸エチル３６０部に溶解し、０．
１ミクロンテフロンフィルターで濾過してレジストン容
液をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
量３６０ｍ５ｅｃで０．６５μｍの１：１ライン＆スペ
ースパターンが設計寸法通り形成されており、このとき
０．４５μｍのライン及スペースが解像していた。又、
露光量４００ｍ５ｅｃで０．４０μｍのライン及スペー
スが解像していた。

このパターンは、垂直で良好な形状をしていた。

実施例１２フロログルシノールと、この−〇Ｈ基の９０モル％に相
当する１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロライドをジオキサン中に溶解し、これにトリエチル
アミンを加えてエステル化をおこなって感光剤をえた。

実施例３の樹脂１００部、実施例３の感光剤２０部及び
上記感光剤１０部を乳酸エチル３６０部に溶解し、０．
１ξクロンテフロンフイルターで濾過してレジスト溶液
をえた。

上記レジスト溶液を、実施例３と同様の方法によってパ
ターンを形成した。電子顕微鏡で観察したところ、露光
ｆｉ１３３０ｍｓｅｃで０．６５μｍの１＝１ライン＆
スペースパターンが設計寸法通り形成されており、この
とき０．４５μｍのライン及スペースが解像していた。

又、露光ＩＪ１３８０ｍｓｅｃで０．４０部ｍのライン
及スペースが解像していた。

このパターンは、垂直な形状をしていた。

実施例１３ビニルフェノール重合体の水素添加反応生成物（水素添
加率３５％）１００部、実施例１０の感光剤２５部をジ
グライム３２０部に溶解し、０．１μｍテフロンフィル
ターで濾過してレジスト溶液をえた。

上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にコーターで塗
布した後、１００℃で９０秒間ベータし、膜厚１．０μ
ｍのレジスト膜を形成した。このウェハーをＫｒＦエキ
シマレーザ−装置Ｃ２９２６（浜松ホトニクス社製）と
テストマスクを用いて露光を行った。次に、２．０％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃
、１分間パドル法により現像してポジ型パターンをえた
。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、露光量２２０ｍＪ／ｃ＋１１で０．
４５μｍのライン＆スペースパターンが解像していた。

（発明の効果）本発明のレジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐
熱性などの緒特性が優れているので、特に１μｍ以下の
微細加工に適している。

Claims

【特許請求の範囲】　アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有するポ
ジ型レジスト組成物において、該感光剤として下記一般
式（ I ）で示される化合物のキノンジアジドスルホン
酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レジスト
組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）Ｒ＿１＿−＿１＿０：Ｈ、ハロゲン、水酸基、Ｃ＿１〜
Ｃ＿３のアルキル基もしくはアルケニル基、又はＣ＿１
〜Ｃ＿３の置換もしくは未置換のヒドロキシアルキル基
であって同一又は異っていてもよい。