JPH0348249A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ボジ型レジスト組底物に関
するものである。

（従来の技術） 半導体を製造する場合、シリコンウエハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形威し、
次いでそれを現像してネガまたはボジの画像を形戒する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形威が行わ
れている。

従来、半導体素子を形成するためのレジス＋−Ｕ成物と
しては、環化ボリイソプレンとビスアジド化合物からな
るネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨潤が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する。一方、
このネガ型レジスト組成物に対して、ボジ型レジスト組
成物は、解像性に優れているために半導体の高集積化に
十分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである． しかしながら、従来のボジ型レジスト組成物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。

（発明が解決しようとする目的） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特にｌμｍ以下の微細加工に適したボジ型レジス
ト組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂と
感光剤を含有するポジ型レジスト組底物において、該感
光剤として下記一般式（１）で示される化合物のキノン
ジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴とす
るボジ型レジスト組成物によって達戒される。

ＯＨ Ｒ１〜Ｒ”；Ｈ，ハロゲン、０１〜Ｃ４のアルキル基、
アルケニル基又は水酸基 Ｒ’　，Ｒ’　　；　Ｈ，ハｏ））’７又はＣｔ　〜Ｃ
４　（７）７／ｌ／キル基 Ｒ９〜Ｒｌｌ，Ｈ又はＣ１〜Ｃ４のアルキル基本発明に
おいて用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂として
は、例えばフェノール類とアルデヒド類との縮合反応生
成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生戒物、ビ
ニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系
重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物
などが挙げられる。

ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、プ
ロビルフェノール、プチルフェノール、フエニルフェノ
ールなどの一価のフェノール類；レゾルシノール、ビロ
カテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ１ピロ
ガロールなどの多価のフェノール類などが挙げられる。

ここで用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。

ここで用いるケトン類の具体例としては、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフエニルケトン
などが挙げられる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。

また、ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な成分
との共重合体から選択される。共重合可能な威分の具体
例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イミド誘
導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、インプロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な戒分との共重合体から選択される
。共重合可能な戒分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イミド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる． これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達威で
きる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用い
られるが、２種類以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組底物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シエラソクなどを添加することができる
。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００
重量部に対して０〜５０ｉ量部、好ましくは５〜２０重
量部である。

本発明において用いられる感光剤は、前記一般式（１）
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
であれば、特に限定されるものではない。その具体例と
して、エステル部分が１．２ペンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジア
ジド−５一スルホン酸エステル、２．１　−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、２．１−ナフト
キノンジアジドー５−スルホン酸エステル、その他キノ
ンジアジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化合
物が挙げられる， 一般式（１）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ３ （１８１ ０Ｈ 本発明における感光剤は、一般式（Ｉ）で示される化合
物とキノンジアジドスルホン酸化合物のエステル化反応
によって合成することが可能であって、永松元太郎、乾
英夫著「感光性高分子」（１９８０）講談社（東京〉な
どに記載されている常法に従って、合戒することができ
る。

本発明における感光剤は単独でも用いられるが、２種以
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂１００重量部に対して１〜１００重量部であり、好ま
しくは３〜４０重量部である。

１重量部未満では、パターンの形成が不可能となり、１
００重量部を越えると、現像残りが発生しやすくなる。

本発明のボジ型レジスト組底物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノー
ルなどのケトン類、ｎ−プロビルアルコール、ｉＳＯ−
プロビルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアル
コール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチ
レングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエ
ーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール
エーテル類、ギ酸プロビル、ギ酸ブチル、酢酸プロビル
、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロビオン酸エチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル
などのエステル類、セロソルブアセテート、メチルセロ
ソルプアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロ
ビルセロソルブアセテート、プチルセロソルプアセテー
トなどのセロソルブエステル類、プロピレングリコール
、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリ
コール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエ
ーテルなどのジエチレングリコール類、トリクロロエチ
レンなどのハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン
などの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアミド、ジメ
チルホルムアごド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性
溶媒などが挙げられる。

これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよい
． 本発明のボジ型レジスト組底物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、ス｝　ＩＪエーション防
止剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させるこ
とができる． 本発明のボジ型レジスト組威物の現像液としては、アル
カリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアな
どの無機アルカリ類、エチルアミン、プロビルアミンな
どの第一アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン
などの第ニアミン類、トリメチルアξン、トリエチルア
もンなどの第三アくン類、ジエチルエタノールアミン、
トリエタノールアミンなどのアルコールアξン頻、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム
塩などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び％は特に断りのない限り重量
基準である。

大豊班上 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以上が１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物３０部をエチルセロソルブアセテー
ト３２０部に溶解してＯ．　１μ慣のテフロンフィルタ
ーで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形威した。こノウエハーをｇＬ’
ＡステッパーＮＳＲ−１５０５Ｇ６Ｂ（ニコン社製、Ｎ
Ａ＝０．５４＞とテスト用レチクルを用いて露光を行っ
た。次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像して
ボジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００・（テンコー社製）で測定すると１．１５μ
ｍであった。

さらに、このパターンの形威されたウエハーをドライエ
ッチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ（日電アネルバ社製）を
用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ．．ガス
ＣＦ．／Ｈ＝３／１、周波数１　３．　５　６ＭＨｚで
エッチングしたところ、パターンのなかったところのみ
エッチングされていることが観察された。

去４０象ｉ 実施例１のレジスト溶液をシリコンウエハー上にコータ
ーで塗布した後、８０℃で９０秒間ベークし、厚さ１．
２μ醜のレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テッパ−Ｎ　Ｓ　Ｒ−１５０５０６　Ｅとテスト用レチ
クルを用いて露光を行った。次にこのウエハーを１　１
　０　”Ｃで６０秒間ＦＥＢ（ＰＯＳＴＥＸＰＯＳＵＲ
Ｅ　ＢＡκＩＮＧ　）　Ｌた後、２．３８％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、
パドル法により現像してボジ型パターンをえた。

パターンの形威されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で観察すると１．２０μｍであった。

犬益班主 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３，５−キジレノー
ルとをモル比で５０：２０：３０で混合し、これにホル
マリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合し
てえたノボラソク樹脂１００部、化合物（９冫の一〇Ｈ
基８５％以上が１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３３部
を乳酸エチル３００部に溶解して０．１μｍのテフロン
フィルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テフパーＮ　Ｓ　Ｒ−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０．
５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次に
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型パ
ターンをえた。

パターンの形或されたウエハーを取り出して電子顕′Ｒ
ｌ．鏡で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペ
ースが解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルフ
ァステップ２００で測定すると１．１６μｍであった。

実４１組土 ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以上が１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルで
あるキノンジアジド化合物２８部をエチルセロソルブア
セテート３２０部に溶解して０．１μｍのテフロンフィ
ルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μ僧のレジスト膜を形威した。こノウエハーをｇｖＡ
ステッパーＮＳＲ　　１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５４
）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．
３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
２３゜Ｃ、１分間、パドル法により現像してポジ型パタ
ーンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ一のライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．ｌＯμ鵠であった・ 大嵐斑玉 イソプロペニルフェノールとスチレンの共重合体（モル
比？：３）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以
上が１．２−ナフトキノンジアジドー５−スルホン酸エ
ステルであるキノンジアジド化合物２８部をエチルセロ
ソルブアセテート３１０部に溶解して０．　１μ階のテ
フロンフィルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハーをｇ線ス
テッパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０μｍであった。

去１ｕ糺ｉ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４：６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえた、ノボラフク樹脂１０
０部、化合物（９）の一〇Ｈ基８５％以上が１．２−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸のエステルである
キノンジアジド化合物３０部をジグライム３００部に溶
解して０．１μｍのテフロンフィルターで炉過しレジス
ト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．２
０μ一のレジスト膜を形威した。このウエハーをｉ線ス
テッパ−Ａ　Ｌ　Ｓ　　ＷＡＦＥＲＳＴＥＰ２１４２　
ｉ　　（　Ｇ　Ｃ　Ａ社製　ＮＡ＝０．５４）とテスト
用レチクルを用いて露光を行った。

次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ
型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ−のライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μ僧であった。

犬１０４Ｌ ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基６０％以上が１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルで
あるキノンジアジド化合物３０部をジグライム３００部
に溶解して０．１μ椙のテフロンフィルターで炉過しレ
ジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．２
０μ一のレジスト膜を形威した．このウエハーをｉ線ス
テッパーＡ　Ｌ　Ｓ　　ＷＡＦＥＲＳＴＥＰ２１４２ｉ
　　（ＮＡ＝０．５　４）とテスト用レチクルを用いて
露光を行った。次に２．３８％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、パドル法によ
り現像してボジ型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ稲のライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ンプ２００で測定すると１．１５μｍであった● 去Ｉ臼組ｉ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（自）の−ＯＨ基７０％以上が１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物２８部を乳酸エチルセロソルブアセ
テート３２０部に溶解して０．　１μｍのテフロンフィ
ルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テンパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ讃のライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μｍであった． 失襄班エ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４二６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物Ｑωの一〇Ｈ基６０％以上が１．２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノ
ンジアジド化合物２０部を乳酸エチル３００部に溶解し
て０．　１μ糟のテフロンフィルターで炉過しレジスト
溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μ一のレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テッパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝’
３．５　４？　一，：テスト用レチクルを用いて露光を
行った．次Ｋ２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で２３℃、■分間、パドル法により現像
してボジ型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μ鋼であった。

去１１上Ｏ ビニルフェノール重合体の水素添加反応生戊吻（水素添
加率３５％）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基８５％
以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４一スルホン酸
エステルであるキノンジアジド化合物３０部をジグライ
ム３００部に溶解して０．　１μｍのテフロンフィルタ
ーで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形成した。このウエハーをクリプ
トン／フッ素を封入したエキシマレーザー装置Ｃ２９２
６　（浜松ホトニクス社製〉とテスト用マスクを用いて
露光を行った。次にテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９５μｍであった。

去鮭達ＬＬ上 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生威物（水素添
加率３０％）１００部、化合物（９）の−０｝１基９０
％以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸エステルであるキノンジアジド化合物２８部をジグラ
イム３００部に溶解して０．１μ慣のテフロンフィルタ
ーで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形威した。このウエハーを紫外線
照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キヤノン社製）テスト用
マスクを用いて露光を行った。次にテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、パドル法
により現像してボジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９２μ論であった。

（発明の効果〉 本発明のレジス＋−ｍ威物は、感度、解像度、残膜率、
耐熱性、保存安定性などの諸特性が優れているので、特
に１μｍ以下の微細加工に適している。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有す
   るポジ型レジスト組成物において、該感光剤として、下
   記一般式（ I ）で示される化合物のキノンジアジドス
   ルホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レ
   ジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＾１〜Ｒ＾６；Ｈ、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のアル
   キル基、アルケニル基又は水酸基 Ｒ＾７、Ｒ＾８；Ｈ、ハロゲン又はＣ＿１〜Ｃ＿４のア
   ルキル基 Ｒ＾９〜Ｒ＾１＾１；Ｈ又はＣ＿１〜Ｃ＿４のアルキル
   基