JPH01189644A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は輻射線に感応するポジ型フォトレジスＪ− トに関するものであり、特に高い解像力と感度、更に良
好なパターンの断面形状をそなえた微細加工用フォトレ
ジスト組成物に関するものである。

本発明によるポジ型フォトレジストは半導体ウェハー、
またはガラス、セラミックス、金属等の基板上にスピン
塗布法またはローラー塗布法で００５〜３μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、現
像してポジ画像が得られる。更にとのポジ画像をマスク
としてエツチングする事により基板にノでターン状の加
工を施す事ができる。代表的な応用分野はＩＣなどの半
導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの回路基板の
製造、更にその他の７オトフアプリケーシヨンエ程であ
る。

〈従来技術〉 ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボラ
ック型フェノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化合
物」としてＵ８Ｐ−３を乙ｔグア３号、Ｕ８Ｆ−ｌｌｉ
ｓｉｘｒ号及び０８Ｐ−μｍ７３１１７０号等に、また
最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムアルデ
ヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−／、／−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テル」の例がトンプソン「イントロダクション・トウー
・マイクロリソグラフィー」（Ｌ、Ｆ、Ｔｈｏｍｐｓｏ
ｎ　「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ｔ。

ＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＪ）（ＡＣ８出版、
屋コ／り号、ｐ／／ｊ〜／、２１　）に記載されている
。

結合剤としてのノボラック樹脂は、膨潤することなくア
ルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエ
ツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエツ
チングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有
用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジド
化合物は、それ自身ノボラック樹脂のアルカリ溶解性を
低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受
けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で特
異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型
フォトレジストの感光物として特に有用である。

これまで、かかる観点からノボラック樹脂とナフトキノ
ンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フォトレ
ジストが開発、実用化され、ｌ。

５μｍ−ｊμｍ程度までの線幅加工に於ては充分な成果
をおさめてきた。

〈本発明が解決しようとする問題点〉 しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超Ｌ
ＳＩなどの半導体基板の製造に於ては１μｍ以下の線幅
から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になっ
てきている。かかる用途に於ては、特に高い解像力、露
光マスクの形状を正確に写しとる高いノミターン形状再
現精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフォト
レジストが要求され、従来の上記ポジ型フォトレジスト
では対応できないのが実情である。

従って本発明の目的とする所は、特に半導体データー 〜イスの製造に於て、 （１〕　　高い解像力を有するポジ型フォトレジスト組
成物、 （２）　　フォトマスク線幅の広い範囲に亘ってマスク
寸法を正確に再現するポジ型フォトレジスト組成物、 （３）７８ｍ以下の線幅のノミターンに於て、高いアス
ペクト比を有する断面形状のしシストパターンを生成し
得るポジ型フォトレジスト組成物、 （４）パターン断面の側壁が垂直に近い形状のパターン
を生成し得るポジ型フォトレジスト組成物、 （５）広い現像ラチチュードを有するポジ型フォトレジ
スト組成物、 （６）得られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フォ
トレジスト組成物、 を提供する事にある。

〈問題点を解決する為の手段〉 本発明者等は、上記諸物件に留意し、鋭意検討した結果
、本発明を完成させるに至った。

即ち本発明は、下記一般式〔■〕、（Ｉｔ）及び（ＩＩ
） Ｒ１□ 一／／− −ｌ　３− 一　ｌ　２− −ｌ　μｍ （ＯＲ）ｎ で表わされる感光物を少くとも一種と、アルカリ可溶性
ノボラック樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォ
トレジスト組成物である。

一般式ＣＩ）、（Ｉｆ’）及び（ＩＩＩ）で表わされる
感光物は、一般式〔Ｉ′〕、（■′〕及び〔■′〕で表
わされるポリヒドロキシトリフェニルメタン系化合物に
、ｌ、２−ナフトキノンジアジド−ｊ−／　ｔ　− （ＨＯ）ｍ（ＯＨ）。

一般式ＣＩ’）　、　ＣＩ’）及び〔■勺で表わされる
化合物は、Ｊ　、Ｅ、Ｄｒｉｖｅｒ等の方法（Ｊ。

Ｃｈｅｍ、８ｏｃ、、／り！≠、ｐりｒｊ〜２ｔり〕に
より置換もしくは非置換フェノール類と置換も七くは非
置換ベンズアルデヒド類を縮合させることにより得られ
る。

一般式ＣＩ’）、（ＩＩ’）及び〔■′〕で表わされる
ポリヒドロキシトリフェニルメタン系化合物とｌ。

λ−ナフトΦノンジアジドーよ一スルホニルクロリドあ
るいは／、２−ナフトキノンジアジド−弘−スルホニル
クロリドとのエステル化反応は通常の方法が用いられる
。即ち、所定量の弐Ｎ’）。

（ＩＩ’）　　あるいは〔■′〕　で表わされるポリヒ
ドロキシトリフェニルメタン系化合物と／、Ｊ−ナフト
キノンジアジド−ｊ−スルホニルクロＩＪ）’するいは
／、２−ナフトキノンジアジド−ｔ−スルホニルクロリ
ド及びジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、Ｎ
−メチルピロリドン等の溶剤をフラスコ中に仕込み、塩
基性触媒、例えば水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン等を滴下し縮合
させる。

得られた生成物は、水洗後精製し乾燥する。以上の方法
により一般式ＣＩ）、（ＩＩ）及び（Ｉ［Ｉ）で表わさ
れる感光物を調製できる。

上述のエステル化反応においては、エステル化数及びエ
ステル化位置が椎々異なる化合物の混合物が得られる。

従って、本発明で言うエステル化率は、この混合物の平
均値として定義される。

このように定義されたエステル化率は、原料である化合
物〔Ｉ’）、（ｎ’）あるいは〔■′〕と、７．２−ナ
フトキノンジアジド−！（及び／又は−り）−スルフォ
ニルクロライドとの混合比により制御できる。即ち、添
加された／、２−ナフトキノンジアジド−！（及び／又
は−４Ｌ）−スルフォニルクロライドは、実質上線てエ
ステル化反応を起こすので、所望のエステル化率の混合
物を得るためには、原料のモル比全調整すれば良い。

本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェ
ノール類１モルに対しアルデヒド類０１Ａ−／、０モル
を酸性触媒下付加縮台することによす得られる。フェノ
ール類としては、フェノール、０−クレゾール、ｍ−ク
レゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール等を単独ま
たは２種以上の組み合せで使用することができる。また
、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、／モラホ
ルムアルデヒドあるいはフルフラール等を、酸性触媒と
しては塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸及び酢酸等を使用で
きる。こうして得られた分子量／、０ｏｏＮｔｏ、ｏｏ
ｏのノボラック樹脂はアルカリ可溶性を示す。

−＋２　／− 本発明における感光物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂
の使用比率は、ノボラック樹脂ｉｏｏ重量部に対し感光
物！〜ｉｏｏ重量部、好ましくは１ｏ−ｚｏｚ量部であ
る。この使用比率が！重量部未満では残膜率が著しく低
下し、またｉｏｏ重量部を超えると感度及び溶剤への溶
解性が低下する。

本発明では、前記感光物を主として用いるべきではある
が必要に応じて通常の感光物、例えばコ。

Ｊ、４ｔ−）ＩＪヒドロキシベンゾフェノン、λ、り。

参′−トリヒドロキシベンゾフェノン１．２，４Ｌ。

４−　）　ＩＪヒドロキシベンゾフェノン等とｌ、−一
ナフトキノンジアジドー≠−又は／及び−！−スルホニ
ルクロリドとのエステル化合物を併用することができる
。この場合、前記ＣＩ）、［、Ｉ［）及び／又はＣＨＩ
）の感光物１００重量部に対し１００重量部以下、好ま
しくは３０重量部以下の割合で使用することができる。

本発明には更に現像液への溶解促進のために、ポリヒド
ロキシ化合ｖＩ！に含有させることができる。

−＋２．２− 好ましいポリヒドロキシ化合物にはフェノール類、レゾ
ルシン、フロログルシン、Ｊ、ｊ、４’−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、λ、ｊ、４’、４４’　−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、λ、ｊ、弘。

３′、μ′、ｊ′−へキサヒドロキシベンゾフェノン、
アセトン−ピロガロール縮合樹脂などが含まれる。

本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、エチレンクリコールモノメチル
エーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコ−
′ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソ
ルブエステル類、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸ブチル
等の脂肪酸エステル類、’　ｌ　’　１．２）　’）ク
ロロエチレン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の高極性溶剤を例示するこ
とができる。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤
を混合して使用することもできる。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、必要に応
じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合する
ことができる。その具体例を挙げるならば、メチルバイ
オレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリー
ン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキ
シ樹脂、アルキッド樹脂等の可塑剤、へΦサメチルジシ
ラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オＺテル
フエノキシボリ（エチレンオキシ）エタノール等の界面
活性剤がある。

上記ポジ型フォトレジスト組成物を精密集積回路素子の
製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シ
リコン被覆）上にスピンナー、コーター等の適当な塗布
方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像
することにより良好なレジスＨ得ることができる。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第≠級アンモニウ
ム塩、ピロール、ビはリジン等の環状アミン類等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。

〈発明の効果〉 本発明のポジ型フォトレジストは高解像力、忠実再現性
、レジスト像の断面形状、現像ラチチュード、耐熱性に
優れている。

−２！− 〈実施例〉 以下、本発明の実施例を示すが、これらに限定されるも
のではない。なお、％は他に指定のない限９重量％を示
す。

実施例（１）〜（６）、比較例（７）〜（９）（１）感
光物ａの合成 ≠、ＩＩ’、！“、μ“−テトラヒドロキシ−３゜ｊ、
！’、ｊ’−テトラメチルトリフェニルメタン１０１、
／、２−ナフトキノンジアジド−１−スルホニルクロリ
ドＩ１．りを及びアセトン３００ｔｄｆ３つロフラスコ
に仕込み均一に溶解した。

次いでトリエチルアミン／アセトン−７，３１１７３０
ｍ１　の混合液を徐々に滴下し、２ｊ０Ｃで３時間反応
させた。反応混合液を７％塩酸水溶液１ｊ００＠ｌ中に
注ぎ、生じた沈澱物’ｔＦ別し、水洗浄、乾燥（μｏ”
Ｃ）を行ない≠、ｌＩ’、３“。

グ“−テトラヒドロキシ−３，ｊ、！’、タ′−テトラ
メチルトリフェニルメタンの／１．２−ナフトキノンジ
アジド−ｊ−スルホン酸エステル、２３２ｔ− Ｖを得た。

（２）感光物すの合成 ≠、≠／　、２／／　、Ｊ／／　、ｐ“−ペンタヒドロ
キシ−３，！、３’、ｊ’−テトラメチルトリフェニル
メタン／θ？、／、、２−ナフトキノンジアジド＝！−
スルホニルクロリド２１１．７ｆ／及びアセトンｊ！Ｏ
ｔｄ’ｔ３つロフラスコに仕込み均一に溶解した。次い
でトリエチルアミン／アセトン＝り。

ｒ　ｆ　／　Ｊ　Ｏ、ＩＯ混合液ｆｆｉ徐々ＫＭ下Ｌ１
．２ｊ０Ｃで３時間反応させた。反応混合液ｉ／％塩酸
水溶液／　７１０−中に注ぎ、生じた沈澱物を戸別し、
水洗浄、乾燥（４ｔＯ’ｃ）を行ない弘　４　／、λ“
。

３“、Ｖ“−はンタヒドロキシー３．ｊ、Ｊ’。

３′−テトラメチルトリフェニルメタンのｌ、コーナフ
トキノンジアジドー！−スルホン酸エステル２１１を得
た。

（３）感光物Ｃの合成 ２、グツ６．コ′、グ′、ｔ′−へキサヒドロキシ−！
、ｊ′−ジプロビオニルトリフェニルメタン１０？、／
、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホニルクロリド
２１．３？及びアセトン３ｊＯｙｎｌを３つロフラスコ
に仕込み均一に溶解した。

次いでトリエチルアミン／アセトン＝／／、３ｆ／３０
ｔｒｔｌの混合液を徐々に滴下し、２！０Ｃで３時間反
応させた。反応混合液を／で塩酸水溶液／７タ０ｙＩＬ
ｌ中に注ぎ、生じた沈澱物１”別し、水洗浄、乾燥（グ
００Ｃ）を行ないコ、グＩ　Ａ　Ｉ　Ｊ　’　＋グ′、
ｔ′−へキサヒドロキシ−ｊ、！′−ジプロビオニルト
リフェニルメタンの／、２−ナフトキノンジアジド−！
−スルホン酸エステル３／。

ｔ？を得た。

（４）感光物ｄの合成 コ、３．弘、２’、３’、μ′、３“、グ“−オクタヒ
ドロキシー３．！’−ジアセチルトリフェニルメタンＩ
Ｏ？、／、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホニル
クロリドｊ７．７ｆ及びアセトン１１００１１Ｌｌ！ｆ
　３つロフラスコに仕込み均一に溶解シた。次いでトリ
エチルアミン／アセトン＝／４ｔ、５’ｆ／ｊＯｙｌ；
の混合液を徐々に滴下し、コｚ　’Ｃで３時間反応させ
た。反応混合液を７％塩酸水溶液ａｏｏｏｄ中に注ぎ生
じた沈澱物を戸別し、水洗浄、乾燥（ｐＯ’ｃ）を行な
いコ、３゜ダ、ｊ’、Ｊ’、μ′、３“、４Ａ“−オク
タヒドロキシ−ｊ、Ｊ’−ジアセチルトリフェニルメタ
ンのｌｌ、２−ナフトキノンジアジド−！−スルホン酸
エステル３１．２ｆを得た。

（５）感光物ｅの合成 コ、４（、，４，−′、グ’、１．２“、３“。

μ“−ノナヒドロキシ−ｊ、Ｊ’−ジプロピオニルトリ
フェニルメタンＩＯ？、　　／、、２−ナフトキノンジ
アジド＝！−スルホニルクロリド３６．３ｆ及Ｕアセト
ン’Ｉ　００　ｄｆ　７つロフラスコに仕込み均一に溶
解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝ｌμ、ｌ
Ａｔ／３０ｔｘｌの混合液を徐々に滴下し、２３″Ｃで
３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液２００
０ｔｘｌ中に注ぎ生じた沈澱物ｔ−Ｐ別し、水洗浄、乾
燥（４？０°Ｃ）を行ないλ、≠、４．２’　、４ｔ／
　、ｊ′、−２“、３“。

≠“−ノナヒドロキシ−！、！′−ジゾロビオニルトリ
フェニルメタンの１．２−ナフトキノンジアジタ− アジド−よ一スルホン酸エステル３り、１Ｉｆｆ得た。

（６）ｇ光物ｆの合成 ２、グ、２’、’Ｉ’、コ“、３“、≠“−へブタヒド
ロキシトリフェニルメタンｉｏｔ、ｉ、ａ−ナフトキノ
ンジアジド−！−スルホニルクロリド３０．Ａｔ及びア
セトン３ｊＯｍｌを仕込み均一に溶解した。次いでトリ
エチルアミン／アセトン＝ｌコ、Ｉｆ７３０ｍｌの混合
液を徐々に滴下し、コｊ　’Ｃで３時間反応させた。反
応混合液を１％塩酸水溶液／７ｊＯｄｊ中に注ぎ生じた
沈澱物を炉別し、水洗浄、乾燥（μＯ’ｃ）１行ない２
．≠。

、２／　、μ／　、２／ｌ　、　３“、≠“−へブタヒ
ドロキシトリフェニルメタンの１．２−ナフトキノンジ
アジ）”−１−スルホン酸エステル３３．７ｔ″ｔ−ｉ
た。

（７）感光物ｇの合成（比較例） ２．３，４Ａ、μ′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
ｉｏｔ、ｉ、ｘ−ナフトキノンジアジド−！−スルホニ
ルクロリド３０？及びアセトン３００ｙｘｌｆ３つロフ
ラスコに仕込み均一に溶解した。

次いで、トリエチルアミン／アセトン＝ｉｉ、３ｔ／３
０ｒｔｔｌの混合液を徐々に滴下し、２！０ｃで３時間
反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液／！θＯゴ中
に注ぎ、生じた沈澱物を戸別し、水洗浄、乾燥（グｏ０
Ｃ）を行ないコ、３．μ、μ′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンのｌ２．２−ナフトキノンジアジドスルホン
酸エステル３．２．♂？を得た。

（８）感光物りの合成（比較例） ！、４．Ｊ’、！’−テトラヒドロキシトリフ工二ルメ
タンＩＯ？、／、２−ナフトキノンジアジド−！−スル
ホニルクロリド／７．ｌＩｔ及びアセトン２ｊＯｍｌを
３つロフラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエ
チルアミン／アセトン＝ｔ、りｆ／３０ｍ１の混合液を
徐々に滴下し、２！ｏＣで３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液／２ｊＯｒｘｌ中に注ぎ、生じた沈
澱物’ｋＰ別し、水洗浄、乾燥（グｏ　６　Ｃ）を行な
い、コ、弘。

２′、≠Ｉ−テトラヒドロキシトリフェニルメタンの／
、λ−ナフトキノンジアジドー！−スルホン酸エステル
２３？を得た。

（９）感光物ｉの合成（比較例） λ、Ｊ、！、２’　、３’　、μ′−へキサヒドロキシ
トリフェニルメタン１０１．／、２−ナフトキノンジア
ジド−！−スルホニルクロリド３り。

！？、及びアセトン１Ｉ００ｄｆ３つロフラスコに仕込
み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン
＝／！、Ａ？／３０ｙｔｔｌの混合液を徐々に滴下し、
２！０Ｃで３時間反応させた。反応混合液を７％塩酸水
溶液２０００１ｄ中に注ぎ、生じた沈澱物を戸別し、水
洗浄、乾燥（グ（７０Ｃ）を行ない、λ、３．グ、＋２
’、Ｊ’、≠′−ヘキサヒドロキシトリフェニルメタン
のｌｌ、２−ナフトキノンジアジド−よ−スルボン酸エ
ステルμ０゜７１を得た。

（１０）　＜ノボラック樹脂の合成〉 メタクレゾール１１０？、ｐ−クレゾールｔｏグ、３７
％ホルマリン水溶液ゲタ、ｊ′？及びシュウ酸０　、　
Ｏｒ　？ｆ３つロフラスコに仕込み、攪拌しながらｉｏ
ｏ　０ｃまで昇温し７時間反応させた。反応後、室温ま
で冷却しｊ　Ｏｍ　ｍ　Ｈｇまで減圧した。

次いで徐々に１ｊ０６ｃまで昇温し、水及び未反応モノ
マーを除去した。得られたノボラック樹脂は重量平均分
子量ｒ、ｏｏｏ（ポリスチレン換算）であった。

〈ポジ型フォトレジスト組成物の調製と評価〉上記（１
）〜（９）で得られた表−／記載の各感光物ａ−〜ｉ／
、Ｊｊｆ及び上記αＱで得られたクレゾールノボラック
樹脂（分子量ｒ、ｏｏｏ）ｚｔをエチルセロソルブアセ
テート／！ｖに溶ｊｌ、ｏ、２μｍのミクロフィルター
を用いて濾過し、フォトレジスト組成物を調製した。こ
のフォトレジストをスピンナーを用いてシリコンウェハ
ーに塗布し、窒素雰囲気下の対流オーブンでりｏ　’Ｃ
１３０分間乾燥して膜厚／、ｊμｍのレジスト膜を得た
。

この膜に縮少投影露光装置にコン社製　Ｎ０Ｒｉｚｏｚ
ａ＞を用い露光した後、コ、３ｔ％のテトラメチルアン
モニウムヒドロオキシド水溶液で１分間現像し、３０秒
間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリコン
ウェハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、レジストを評価した。その結果全表−２に示す。

感度は２．０μｍのマスクパターンを再現スる露光量の
逆数をもって定義し、比較例／の感度の相対値で示した
。

残膜率は未露光部の現像前後の比の百分率で表わした。

解像力はコ、Ｏμｍのマスクパターンを再現する露光量
における限界解像力を表わす。

耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコンウェ
ハーを対流オーブンで３０分間ベークし、その／ｅター
ンの変形が起こらない温度を示した。

レジストの形状は、／、０μｍのレジストノミターン断
面におけるレジスト壁面とシリコンウェハーの平面のな
す角（θ）で表わした。これかられかるように本発明の
感光物ａ　”　ｆ　’に用いたレジストは、特に解像力
及びレジスト形状が優れていた。本発明の感光物は、エ
チルセロソルブアセテートに対する溶解性も優れておシ
、これらの感光物を用いたレジスト組成物溶液はａｏ　
０ｃ、ａｏ日間も放−Ｊ　　４１− 置しても沈澱物の析出はなかったが、比較例の感光物ｉ
を用いたレジスト組成物溶液は同条件で放置した後、沈
澱物の析出が見られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式〔 I 〕、〔II〕、〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔Ｒ＿１〜Ｒ＿１＿３：同一又は異なつてもよく、−Ｈ
   、−ＯＨ、 置換もしくは非置換アルキル基、々アリール基、々アラ
   ルキル基、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ 但し　２≦▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は▲数式、化学式、表等があります▼≦９ Ｒ＿１＿４、Ｒ＿１＿５：置換もしくは非置換アルキル
   基、々アリール基、々アラルキル基〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔Ｒ＿１＿６、Ｒ＿１＿７：同一又は異つてもよく−Ｏ
   Ｈ、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ Ｒ＿１＿８〜Ｒ＿２＿２：同一又は異つてもよく−Ｈ、
   −ＯＨ 置換もしくは非置換アルキル基、 置換もしくは非置換アリール基、々アラルキル基、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ Ｒ＿２＿３〜Ｒ＿２＿６：置換もしくは非置換アルキル
   基、〃アリール基、〃アラルキル基 但し２≦▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 （５≦ｌ＋ｍ＋ｎ≦７ ｌ、ｍ、ｎのうち同時に２種は３をとらない） 〔Ｒ：同一でも異つてもよく−Ｈ、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、２≦▲数式、化学式、表等があります▼ 及び／又は▲数式、化学式、表等があります▼〕 で表わされる感光物を少くとも一種と、アルカリ可溶性
   ノボラック樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォ
   トレジスト組成物。