JP2009063824A - ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009063824A JP2009063824A JP2007231525A JP2007231525A JP2009063824A JP 2009063824 A JP2009063824 A JP 2009063824A JP 2007231525 A JP2007231525 A JP 2007231525A JP 2007231525 A JP2007231525 A JP 2007231525A JP 2009063824 A JP2009063824 A JP 2009063824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- positive photoresist
- photoresist composition
- resin
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【課題】光酸発生剤が有する光吸収能に関わらず、様々な波長を有する光によってパターン形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、酸の作用によってアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、ベンゾイル基、チオフェン基、または芳香族多環基を有する光増感剤と、を含有する。
【選択図】なし
【解決手段】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、酸の作用によってアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、ベンゾイル基、チオフェン基、または芳香族多環基を有する光増感剤と、を含有する。
【選択図】なし
Description
本発明は、ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法に関する。
近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、LSI等の高集積化が急激に進んでいる。このため、より高感度な化学増幅型のポジ型ホトレジスト組成物が求められている。
上記化学増幅型のポジ型ホトレジスト組成物としては、例えば、ベースポリマーとして酸によって解離する保護基を有するノボラック樹脂を用いている、特許文献1または2に記載のポジ型ホトレジスト組成物が挙げられる。
特開2006−178423号公報(平成18年7月6日公開)
特開2007−25534号公報(平成19年2月1日公開)
しかし、従来のポジ型ホトレジストにおける光酸発生剤には、通常、i線の高い吸収能が要求される。これは、i線よりも長波長のg線やh線などの光を吸収する光酸発生剤がほとんど知られていないためである。よって、i線の吸収能が低い、またはi線の吸収能を有していない光酸発生剤を用いたポジ型ホトレジストは、光を照射してもほとんど、または全く酸を発生しない。よって、樹脂のほとんど、または全てがアルカリ現像液に不溶性のままであるため、アルカリ現像液に溶解しない。すなわち、露光によって所望のパターンを形成することができない。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、光酸発生剤が有する光の吸収能に関わらず、様々な波長を有する光によってパターン形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、
酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、
i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、
ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、
を含有することを特徴としている。
酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、
i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、
ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、
を含有することを特徴としている。
本発明によれば、光増感剤を含んでいるため、光酸発生剤が有する光(例えば、i線)の吸収能に関わらず、光の照射によってパターン形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供することができる。
本発明に係る実施形態について、以下に説明する。
1.ポジ型ホトレジスト組成物
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、
i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、
ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、
を含有する。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、
i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、
ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、
を含有する。
上記構成において、ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤を含有している。このため、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、g線、h線、i線およびこれらの組み合わせを含む光の照射によって、光酸発生剤が有するi線の吸収能に関わらず、パターン形成が可能である。“光酸発生剤が有するi線の吸収能に関わらず”とは、特に、光酸発生剤が有するi線の吸収能が低い場合を意味している。ここで、i線の吸収能は、i線に対するモル吸光係数(以下、単に“モル吸光係数”と称する)によって表すことができる。i線の吸収能が低い場合とは、光酸発生剤が有するモル吸光係数が1000以下の場合である。つまり、本発明に係る光酸発生剤としては、i線の吸収能を有していないものから、1000のモル吸光係数によって表されるi線の吸収能を有するものまでが含まれる。
通常、1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤を含有するポジ型ホトレジスト組成物を、g線、h線、i線およびこれらの組み合わせを含む光によって露光しても、上記光酸発生剤からの酸の発生量は非常に少ない。このため、樹脂成分がほとんどアルカリ溶液に対して可溶化(ポジ化)しないため、アルカリ現像液によって現像しても露光部分の樹脂成分が溶解しない。つまり、従来、i線の吸収能の低い光酸発生剤を含有するポジ型ホトレジスト組成物を露光しても、パターン形成ができない。
しかし、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤を含有している。よって、i線の吸収能が低い、またはi線の吸収能を有していない光酸発生剤を用いた場合であっても、光の照射によって光酸発生剤から十分な量の酸が発生する。よって、1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤を用いた場合であっても、露光によって所望のパターン形成が可能である。
また、本発明のポジ型ホトレジスト組成物において、100質量部の樹脂成分に対して、0.1〜10質量部の範囲内にある光酸発生剤、および0.1〜40質量部の範囲内にある光増感剤が含まれていることが好ましい。100質量部の樹脂成分に対して0.1質量部以上の光酸発生剤を加えることによって、露光にかかる時間が短縮されるため、生産性を向上させることができる。一方、100質量部の樹脂成分に対して10質量部以下の光酸発生剤を加えることによって、高いマスクリニアリティ(マスクの再現性)を実現することができる。さらに、100質量部の樹脂成分に対して0.1質量部以上の光増感剤を加えることによって、露光にかかる時間が短縮されるため、生産性を向上させることができる。一方、100質量部の樹脂成分に対して40質量部以下の光増感剤を加えることによって、現像性が損なわれるおそれが少なく、かつ粘度の高い厚膜の形成が可能になる。すなわち、ポジ型ホトレジスト組成物に含まれる光酸発生剤および光増感剤のそれぞれが上記範囲内にあることによって、短時間にて再現性よく、パターンを形成することができる。
<光増感剤>
本発明に係る光増感剤は、i線の波長(365nm)以上の長い波長の光を吸収する性質を有し、かつ長い共役二重結合を含む構造を有していればよい。i線を少なくとも吸収するために必要な長さを有する共役二重結合を含む構造としては、ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する構造が挙げられる。
本発明に係る光増感剤は、i線の波長(365nm)以上の長い波長の光を吸収する性質を有し、かつ長い共役二重結合を含む構造を有していればよい。i線を少なくとも吸収するために必要な長さを有する共役二重結合を含む構造としては、ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する構造が挙げられる。
ベンゾイル基を有する化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイルおよびこれらの誘導体などが挙げられる。チオフェン基を有する化合物としては、例えば、チオフェンおよびその誘導体などが挙げられる。多環式の芳香族基を有する化合物としては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペンタセン、クマリン、チオキサントン、アセトフェノン、ナフトキノン、アントラキノン、およびこれらの誘導体などが挙げられる。
<光酸発生剤>
本発明に係る光酸発生剤は、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤であればよい。1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩系光酸発生剤の内の、トリフェニルスルホニウム塩やジフェニルヨードニウム塩などが挙げられる。
本発明に係る光酸発生剤は、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤であればよい。1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩系光酸発生剤の内の、トリフェニルスルホニウム塩やジフェニルヨードニウム塩などが挙げられる。
トリフェニルスルホニウム塩は、トリフェニルカチオンとスルホネートとの塩である。トリフェニルカチオンとしては、例えば、トリフェニルスルホニウム、(4−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、ビス(4−tert−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、トリス(4−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、(3−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、ビス(3−tert−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、トリス(3−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、(3,4−ジtert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、ビス(3,4−ジtert−ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム、トリス(3,4−ジtert−ブトキシフェニル)スルホニウム、ジフェニル(4−チオフェノキシフェニル)スルホニウム、(4−tert−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリス(4−tert−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル)スルホニウム、(4−tert−ブトキシフェニル)ビス(4−ジメチルアミノフェニル)スルホニウム、およびトリス(4−ジメチルアミノフェニル)スルホニウムなどが挙げられる。スルホネートとしては、例えば、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4−(4−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートなどが挙げられる。
ジフェニルヨードニウム塩は、ジフェニルヨードニウムカチオンとスルホネートとの塩である。ジフェニルヨードニウムカチオンとしては、例えば、ジフェニルヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム、(4−tert−ブトキシフェニル)フェニルヨードニウム、(4−メトキシフェニル)フェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオン等があげられる。スルホネートとしては、例えば、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4−(4−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、およびメタンスルホネートなどが挙げられる。
<樹脂成分>
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、樹脂成分として、酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含んでいればよい。酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)などが挙げられる。本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、上記樹脂成分として、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の内の少なくとも1つを含んでいることが好ましい。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、樹脂成分として、酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含んでいればよい。酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)などが挙げられる。本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、上記樹脂成分として、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の内の少なくとも1つを含んでいることが好ましい。
ノボラック樹脂(A)において、構成単位の一部が、保護基とアセタール結合しているため、アルカリ性の溶液(現像液)への溶解から保護されている。つまり、上記保護基を有しているノボラック樹脂(A)は、アルカリ性の溶液に不溶性である。上記保護基は、酸によってノボラックから容易に解離する。言い換えると、ノボラック樹脂(A)は、酸によって容易に脱保護(アルカリ性の溶液に可溶化(ポジ化))される。なお、上記保護基は、後述の(ノボラック樹脂(A))の項において説明する式(I)によって表される基である。
さらに、アクリル樹脂(B)において、メタアクリル酸エステル、またはアクリル酸エステルは、酸によって解離する溶解抑制基を有しているため、アルカリ性の溶液(現像液)への溶解から保護されている。つまり、上記溶解抑制基を有しているアクリル樹脂(B)は、アルカリ性の溶液に不溶性である。上記溶解抑制基は、酸によってメタアクリル酸エステル、またはアクリル酸エステルから容易に解離する。言い換えると、アクリル樹脂(B)は、酸によって容易に脱保護(アルカリ性の溶液に可溶化)される。
ここで、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、光酸発生剤および光増感剤を含有している。よって、ポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層に光を照射すると、光酸発生剤から酸が発生する。このため、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の内の少なくとも1つは、脱保護されて、アルカリ性の現像液に対して可溶性になる(ポジ化する)。すなわち、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層は、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の内の少なくとも1つを樹脂成分として含んでいるため、高感度に現像される。言い換えると、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層を用いれば、コントラストの高いパターンの形成が可能である。
特に、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、樹脂成分としてノボラック樹脂(A)とアクリル樹脂(B)とを同時に含んでいることがより好ましい。ノボラック樹脂(A)を単独に含んでいる場合には、ノボラック樹脂(A)が柔軟性を有していないため、厚膜を形成すると、表面にクラックが生じる場合がある。しかし、アクリル樹脂(B)が樹脂成分に適度な柔軟性を与えるため、厚膜形成時に、表面にクラックが生じにくい。さらに、ノボラック樹脂(A)は、通常、過度に露光すると、アルカリ可溶性から再びアルカリ不溶性に変質してしまう。しかし、樹脂成分としてアクリル樹脂(B)を含んでいるため、1度、ポジ化したノボラック樹脂(A)が、再び、アルカリ不溶性になることが抑制される。すなわち、上記構成によれば、樹脂成分としてノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)を含んでいるため、ムラのない均一な厚膜の形成が可能であり、かつコントラストの高いパターンを高感度に形成することができる。
樹脂成分としてノボラック樹脂(A)とアクリル樹脂(B)とを同時に含んでいる場合には、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、100質量部の樹脂成分当たり、1〜80質量部の範囲内にあるノボラック樹脂(A)、および5〜60質量部の範囲内にあるアクリル樹脂(B)が含まれていることが好ましい。
100質量部の樹脂成分に含まれるノボラック樹脂(A)が1質量部未満の場合には、現像したパターンのコントラストが低下するおそれがある。一方、100質量部の樹脂成分に含まれるノボラック樹脂(A)が80質量部を超える場合には、感光層の表面にクラックが生じ易くなるため、厚膜の形成が困難になり、かつ過度の露光によって、再び、アルカリに不溶化し易くなる場合がある。さらに、アクリル樹脂(B)が5質量部未満の場合には、感光層の表面にクラックが生じ易くなるため、厚膜の形成が困難になる場合がある。また、過度の露光によってノボラック樹脂(A)が、再び、アルカリに不溶化し易くなり、かつパターンのコントラストが低下するおそれがある。一方、アクリル樹脂(B)が60質量部を超える場合には、コントラストが高くなりすぎて、感度が低下するおそれがある。
(ノボラック樹脂(A))
ノボラック樹脂(A)は、ノボラックが有する水酸基の水素原子の少なくとも一部が、以下の式(I):
ノボラック樹脂(A)は、ノボラックが有する水酸基の水素原子の少なくとも一部が、以下の式(I):
(式中、R1,R2およびR3は、互いに独立して、置換または非置換のアルキル、置換または非置換のアリール、あるいは置換または非置換のアラルキルを表す。但し、R1とR2とが、隣接する炭素原子と一緒になってシクロアルキルを形成していてもよく、またはR2とR3とが、隣接するC−C−Oと一緒になって含酸素複素環を形成していてもよい。)によって表される保護基と置換されている。
上記式(I)における、R1,R2およびR3を定義する置換または非置換のアルキル、置換または非置換のアリール、置換または非置換のアラルキル、シクロアルキルならびに含酸素複素環について以下に説明する。
アルキルとしては、例えば、直鎖状または分枝状の炭素数1〜18のアルキルが挙げられる。より詳細には、アルキルとしては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、およびオクタデシルなどが挙げられる。これらの内、特に、炭素数1〜6のアルキルが好ましく、炭素数1〜3のアルキルがより好ましい。低級アルキルとしては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1〜8のアルキルが挙げられる。より詳細には、低級アルキルとしては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、およびオクチルなどが挙げられる。
アリールとしては、例えば、炭素数6〜14のアリールが挙げられる。より詳細には、フェニルおよびナフチルなどが挙げられる。
アラルキルとしては、例えば、炭素数7〜15のアラルキルが挙げられる。より詳細には、アラルキルとしては、例えば、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルおよびナフチルエチルなどが挙げられる。
R1とR2とが隣接する炭素原子と一緒になって形成するシクロアルキルとしては、例えば、炭素数3〜8のシクロアルキルが挙げられる。より詳細には、上記シクロアルキルとしては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、およびシクロオクチルなどが挙げられる。
R2とR3とが隣接するC−C−Oと一緒になって形成する含酸素複素環としては、例えば、5〜8員の複素環が挙げられる。より詳細には、上記含酸素複素環としては、例えば、オキソラン環、オキサン環およびオキセパン環などが挙げられる。
アルキルの置換基としては、例えば、アルコキシ、アルカノイル、シアノ、ニトロ、ハロゲン原子およびアルコキシカルボニルなどが挙げられる。なお、アルコキシおよびアルコキシカルボニルが有するアルキルの部分は、上述したアルキルと同様である。アルカノイルとしては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1〜7のアルカノイルが挙げられる。より詳細には、アルカノイルとしては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイルおよびヘプタノイルなどが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。アリールおよびアラルキルの置換基は、アルキルの上記置換基と同義である。
上記式(I)において、R1、R2およびR3のそれぞれがアルキルであることが好ましい。また、R1、R2およびR3が有する炭素数または分子量が小さいほど、上記式(I)の保護基の解離性が向上する。結果として、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物の感度が向上するので、R1、R2およびR3が有する炭素数または分子量は小さいほど好ましい。
ノボラック樹脂(A)は、例えば、フェノール類(ベンゼン環の炭素原子に水酸基が結合している芳香族化合物)およびアルデヒド類を縮合反応させたノボラック樹脂と、アルケニルエーテルまたはそのハロゲン化物とを反応させることによって製造することができる。上記ノボラック樹脂とアルケニルエーテルまたはそのハロゲン化合物との反応においては、必要に応じて、触媒を使用する。
上記アルケニルエーテルとしては、例えば、1−メトキシ−2−メチルプロペン、1−エトキシ−2−メチルプロペン、1−プロポキシ−2−メチルプロペン、1−イソプロポキシ−2−メチルプロペン、1−ブトキシ−2−メチルプロペン、1−イソブトキシ−2−メチルプロペン、1−(tert−ブトキシ)−2−メチルプロペン、1−ペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−イソペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−ネオペンチルオキシ−2−メチルプロペン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−メチルプロペン、1−ヘキシルオキシ−2−メチルプロペン、1−イソヘキシルオキシ−2−メチルプロペン、1−(2−エチルヘキシルオキシ)−2−メチルプロペン、1−ヘプチルオキシ−2−メチルプロペン、1−オクチルオキシ−2−メチルプロペン、1−ノニルオキシ−2−メチルプロペン、1−デカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−ドデカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−オクタデカニルオキシ−2−メチルプロペン、1−メトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−エトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−プロポキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソプロポキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ブトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソブトキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(tert−ブトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−ペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ネオペンチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−ヘキシルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−イソヘキシルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−(2−エチルヘキシルオキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−ヘプチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−オクチルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ノニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−デカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−ドデカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−オクタデカニルオキシ−2−メチル−1−ブテン、1−メトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−エトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−プロポキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソプロポキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ブトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソブトキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(tert−ブトキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−ペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ネオペンチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(tert−ペンチルオキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−ヘキシルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−イソヘキシルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(2−エチルヘキシルオキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−ヘプチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−オクチルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ノニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−デカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−ドデカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−オクタデカニルオキシ−2−エチル−1−ブテン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−ブトキシエトキシ)−2−メチルプロペン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−ブトキシエトキシ)−2−メチル−1−ブテン、1−(2−メトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテン、1−(2−エトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテン、および1−(2−ブトキシエトキシ)−2−エチル−1−ブテンなどが挙げられる。アルケニルエーテルまたはそのハロゲン化物は、単独にてまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記ノボラック樹脂とアルケニルエーテルまたはそのハロゲン化物との反応において、使用可能な触媒は、酸触媒に限定されるわけではないが、酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、および硫酸などの無機酸、ならびに蟻酸、蓚酸、酢酸、リン酸およびp−トルエンスルホン酸などの有機酸が挙げられる。
すなわち、上記式(I)によって表される基の具体例は、例えば、以下の10の式(I−1)〜(I−10)
によって表すことができる。
ノボラック樹脂(A)が有する水酸基の水素原子の10〜20%が、上記式(I)によって表される基に置換されていることが好ましい。ノボラック樹脂(A)において、ノボラック樹脂が有する水素原子の10%以上が上記式(I)の保護基に置換されている場合には、保護基による作用(アルカリ溶液への不溶性の付与)が十分に得られる。よって、ポジ型ホトレジスト組成物のコントラストの低下を抑制することができる。一方、ノボラック樹脂(A)において、ノボラック樹脂が有する水素原子の20%以下が上記式(I)の保護基に置換されている場合には、酸による保護基の解離性が十分に高い。このため、露光や現像にかかる時間が短いので、結果として、ポジ型ホトレジスト組成物の生産性の向上につながる。すなわち、ノボラック樹脂(A)における上記範囲内の水素原子が上記式(I)の保護基に置換されていることによって、コントラストおよび生産性の高いポジ型ホトレジスト組成物を提供することができる。
なお、コントラストとは、ポジ型ホトレジスト組成物の露光の前後におけるアルカリ溶液への溶解度の変化を意味している。
上述のように、ノボラック樹脂(A)は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒存在下において付加縮合させた樹脂であり、かつ上記樹脂に含まれるフェノール類に由来する水酸基の水素原子の一部が、上記式(I)によって表される保護基によって置換された樹脂である。
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、およびβ−ナフトールなどが挙げられる。
また、上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、およびアセトアルデヒドなどが挙げられる。
上記フェノール類および上記アルデヒド類のそれぞれは、単独にて、または2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、上記フェノール類としてm−クレゾールのみを用いて調製したノボラック樹脂は、特に良好な現像プロファイルを有しているため、ノボラック樹脂(A)の材料として好ましく使用される。
付加縮合反応において使用可能な触媒は酸触媒に限定されるわけではないが、酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、蓚酸、酢酸、およびリン酸などの無機酸、ならびにp−トルエンスルホン酸などの有機酸が挙げられる。
すなわち、ノボラック樹脂(A)が有する単位構造の具体例は、例えば、以下の2つの式(II−1)および(II−2)
によって表すことができる。上記式(II−1)および(II−2)において、Rは上記式(I)によって表される基、または水素原子である。また、nは自然数である。
以上において説明した、本発明に係るノボラック樹脂(A)の詳細およびその製造方法については、公知の技術であるので、例えば、WO03/6407、特開2004−45448号公報、および特開2006−178423号公報を適宜参照すればよい。
(アクリル樹脂(B))
本発明に係るアクリル樹脂(B)は、酸によって解離する溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルまたはアクリル酸エステルから誘導された構成単位(b−1)を含んでいる。上記構成単位(b−1)は、例えば、以下の式(IV)
本発明に係るアクリル樹脂(B)は、酸によって解離する溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルまたはアクリル酸エステルから誘導された構成単位(b−1)を含んでいる。上記構成単位(b−1)は、例えば、以下の式(IV)
(式中、Rは水素原子またはメチル基を表し、Xは酸によって解離する溶解抑制基を表す。)によって表される。
上記式(IV)によって表される構成単位(b−1)を含む樹脂は、化学増幅型のポジ型ホトレジスト組成物を構成する樹脂成分として、従来公知の樹脂である。よって、構成単位(b−1)を含む樹脂は、従来公知の樹脂から適宜選択すればよい。
上記式(IV)におけるX(酸によって解離する溶解抑制基)としては、例えば、tert−ブチル基およびtert−アミル基などの第3級アルキル基、テトラヒドロピラニル基およびテトラヒドロフラニル基などの環状アセタール基、メトキシプロピル基などの鎖状アセタール基、シクロヘキシル基およびシクロペンチル基などのシクロアルキル基、1−メチルシクロヘキシル基および1−エチルシクロアルキル基などの1−アルキル−シクロアルキル基、ならびに1−メチルアダマンチル基および1−エチルアダマンチル基などの1−アルキル−ポリシクロアルキル基が挙げられる。酸によって解離する溶解抑制基は、ここに例示した具体例の内の少なくとも1つを含んでいればよい。
より詳細には、上記構成単位(b−1)としては、例えば、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、(メタ)アクリル酸tert−アミル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフラニル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸1−エチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸1−メチルアダマンチル、(メタ)アクリル酸1−エチルアダマンチル、および(メタ)アクリル酸と2−ヒドロキシ−3−ピナノンとのエステルなどが挙げられる。中でも、(メタ)アクリル酸tert−ブチル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸1−メチルシクロヘキシル、および(メタ)アクリル酸1−エチルシクロヘキシルがより好ましい。上記構成単位(b−1)としては、ここに例示した具体例の内の少なくとも1つを含んでいればよい。なお、上記構成単位(b−1)としては、上記具体例の内、(メタ)アクリル酸tert−ブチルが特に好ましい。
また、上記構成単位(b−1)は、例えば、以下の式(V)
(式中、Yは、置換または非置換のアリール、あるいは置換または非置換のアルキルを表し、nは、0〜3の自然数を表し、R1およびR2は、互いに独立して、水素原子または炭素数1〜5のアルキルを表す。)
によって表される酸によって解離する溶解抑制基(保護基)を有する。
によって表される酸によって解離する溶解抑制基(保護基)を有する。
上記式(V)において、R1、R2は、互いに独立して、水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基を表す。低級アルキル基の好ましい例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的に製造するという観点からは、低級アルキル基はメチル基であることが好ましい。また、R1、R2は、いずれか一方が水素原子であることが好ましく、その両方が水素原子であることがより好ましい。さらに、上記式(V)において、nは0〜3の自然数である。nは、0または1であることが好ましく、0であることがさらに好ましい。
上記式(V)において、Yは、置換または非置換のアリール、あるいは置換または非置換のアルキルである。このうち、Yは、置換または非置換のアリールであることが好ましい。Yとしてのアリールとしては、例えば、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンを挙げることができる。より詳細には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンなどが挙げられる。Yとしては、特に、置換または非置換のアダマンタンが好ましい。Yが置換のアリールである場合には、上記アリールが有する置換基としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子(=O)のような極性基、ならびに炭素数1〜4の直鎖または分岐状の低級アルキル基などが挙げられる。アリールの環状の炭素骨格に対して直接に置換基が結合している場合には、アリールは、上記極性基および上記低級アルキル基の内の少なくとも1つを置換基として有していることが好ましい。なお、上記極性基としては、特に酸素原子(=O)が好ましい。
Yとしてのアルキル基は、炭素数1〜20のアルキル基であり、炭素数6〜15の直鎖状または分岐状のアルキル基であることが好ましい。Yがアルキル基の場合には、上記式(V)で表される直鎖状の保護基の好ましい例としては、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−iso−プロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−iso−ブトキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、1−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチル−エチル基などが挙げられる。また、Yであるアルキル基は長鎖である方が、メッキ耐性を付与することができるため、好ましい。
さらに、上記式(V)の保護基を有する構成単位(b−1)として好ましい例としては、以下の2つの式(V−1)および(V−2)
(式中、Yは置換または非置換のアリールまたはアルキルを表し、nは0〜3の自然数を表し、mは0または1を表し、Rは水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化低級アルキルを表し、R1およびR2は、互いに独立して水素原子または炭素数1〜5の低級アルキルを表す。)
によって表される構成単位が挙げられる。
によって表される構成単位が挙げられる。
上記式(V−1)および(V−2)において、Rは水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化低級アルキルである。フッ素化低級アルキルは、アルキルの一部または全部の水素原子がフッ素原子に置換されたものであり、この内の中でも、アルキルの全部がフッ素原子に置換されているものが好ましい。低級アルキル基の好ましい例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的に製造するという観点からは、メチル基が好ましい。また、炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基は、トリフルオロメチル基、ヘキサフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基などであることが好ましく、この内のトリフルオロメチル基であることがより好ましい。
なお、上記式(V−1)および(V−2)において、Y、n、R1、R2は、上記式(V)におけるY、n、R1、R2と同様である。
すなわち、上記式(V−1)によって表される構成単位の具体例は、例えば、以下の28の式(V−1−1)〜(V−1−28)
によって表すことができる。なお、上記式(V−1−17)〜(V−1−28)において、R31は炭素数1〜4の直鎖または分岐状のアルキル基、水酸基またはCN基を表し、n”は1〜3の自然数を表す。
また、例えば、上記式(V−1)によって表される構成単位の具体例は、以下の22の式(V−2−1)〜(V−1−22)
によって表すことができる。
上記構成単位(b−1)は、上記式(IV)、(V−1)および(V−2)によって表される構成単位の群から選択される1種類以上を含んでいればよい。
また、アクリル樹脂(B)は、上記構成単位(b−1)を10〜50モル%含んでいることが好ましい。アクリル樹脂(B)に上記構成単位(b−1)が10モル%以上含まれている場合には、保護基による作用(アルカリ溶液への不溶性の付与)が十分に得られる。よって、ポジ型ホトレジスト組成物のコントラストの低下を抑制することができる。一方、アクリル樹脂(B)に上記構成単位(b−1)が50モル%以下含まれている場合には、酸による保護基の解離性が十分に高い。このため、露光や現像にかかる時間が短いので、結果として、ポジ型ホトレジスト組成物の生産性の向上につながる。すなわち、アクリル樹脂(B)が上記構成単位(b−1)を10〜50モル%含んでいるため、コントラストおよび生産性の高いポジ型ホトレジスト組成物を提供することができる。
以上のように、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、樹脂成分(ベースポリマー)としてノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)を含んでいるため、上記ポジ型ホトレジスト組成物を用いて、例えば、8μmを超える膜厚を有する感光層を形成した場合に、上記感光層の表面におけるクラック(割れ)の発生を抑制する。これは、樹脂成分として、柔軟性に乏しい(硬い)ノボラック樹脂(A)に加えてアクリル樹脂(B)を含んでいることによって、上記感光層が適度な柔軟性を有しているためである。つまり、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物を用いれば、表面にクラックが生じにくい高感度の厚膜の感光層を形成することができる。よって、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物によれば、厚膜の感光層を形成し、かつクラックが発生することなくパターンを形成することができる。
ノボラック樹脂(A)において、ノボラックは、式(I)によって表される保護基を有しているため、アルカリ性の溶液(現像液)への溶解から保護されている。一方、ノボラック樹脂(A)は、光の照射によって光酸発生剤から発生する酸によって上記保護基が解離(脱保護化)すると、アルカリ性の溶液に可溶性になる。
ここで、ベースポリマーに含まれているノボラック樹脂(A)が多いとき、および/またはアクリル樹脂(B)が少ないとき、過度の露光によって、アルカリ可溶性になったポジ型ホトレジスト組成物が再びアルカリ不溶性(ネガ化)になる場合がある。このため、ベースポリマーに含まれているノボラック樹脂(A)とアクリル樹脂(B)の量を調節することが好ましい。より詳細には、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、100質量部の樹脂成分には、1〜80質量部の範囲内にあるノボラック樹脂(A)、および5〜60質量部の範囲内にあるアクリル樹脂(B)が含まれていることが好ましい。
100質量部の樹脂成分に含まれるノボラック樹脂(A)が1質量部以上であれば、コントラストの低下が起こりにくい。一方、100質量部の樹脂成分に含まれるノボラック樹脂(A)が80質量部以下であれば、感光層の表面および形成されたパターンにおけるクラックの発生を抑制し、かつ上述のネガ化の発生を抑制することができる。
さらに、100質量部の樹脂成分に含まれるアクリル樹脂(B)が5質量部以上であれば、感光層の表面および形成されたパターンにおけるクラックの発生、ポジ型ホトレジスト組成物のネガ化、およびコントラストの低下を抑制することができる。一方、100質量部の樹脂成分に含まれるアクリル樹脂(B)が60質量部以下であれば、極端にコントラストが高くなることがないため、感度の低下が抑制される。
(樹脂成分として使用可能なその他の樹脂)
本発明に係る樹脂成分は、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の他に、現像時間を短縮するために、他の種類の樹脂を含んでいてもよい。現像時間の短縮に寄与する他の種類の樹脂としては、保護基を有していないノボラック樹脂、アクリル系可塑剤、およびヒドロキシスチレン樹脂などが挙げられる。なお、アクリル系可塑剤とは、保護基を有していない、アルカリ可溶性のアクリル樹脂である。
本発明に係る樹脂成分は、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)の他に、現像時間を短縮するために、他の種類の樹脂を含んでいてもよい。現像時間の短縮に寄与する他の種類の樹脂としては、保護基を有していないノボラック樹脂、アクリル系可塑剤、およびヒドロキシスチレン樹脂などが挙げられる。なお、アクリル系可塑剤とは、保護基を有していない、アルカリ可溶性のアクリル樹脂である。
上記ノボラック樹脂は、例えば、100質量部の樹脂成分において、0を越え、かつ90質量部以下含まれていることが好ましい。上記ノボラック樹脂の添加量を90質量部以下にすることによって、ポジ型ホトレジスト組成物のコントラストの低下を抑制することができる。上記ノボラック樹脂としては、ノボラック樹脂(A)の材料として用いるノボラック樹脂を用いることができる。すなわち、上述のフェノール類とアルデヒド類とを付加縮合させた、保護基を有していないノボラック樹脂である。
上記アクリル樹脂は、例えば、100質量部の樹脂成分において、0を越え、かつ60質量部以下含まれていることが好ましい。樹脂成分として上記アクリル樹脂を添加することによって、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物の柔軟性が向上するため、さらなる厚膜の形成が容易になる。また、上記アクリル樹脂の添加量を60質量部以下にすることによって、ポジ型ホトレジスト組成物のコントラストの低下を抑制することができる。
上記アクリル樹脂は、アルカリ可溶性のアクリル樹脂であればよい。上記アクリル樹脂としては、構成単位として、エーテル結合を有する重合性化合物からの誘導体、およびカルボキシル基を有する重合性化合物からの誘導体を含有するものが、特に好ましい。
エーテル結合を有する重合性化合物としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレートなどのエーテル結合およびエステル結合を有する(メタ)アクリル酸の誘導体が挙げられる。これらの内の、2−メトキシエチルアクリレート、またはメトキシトリエチレングリコールアクリレートの誘導体が、カルボキシル基を有する重合性化合物として好ましい。これらの誘導体は、単独にて、または2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸および2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸の誘導体などの、カルボキシル基およびエステル結合を有する化合物が挙げられる。これらの内の、アクリル酸またはメタクリル酸の誘導体が、カルボキシル基を有する重合性化合物として好ましい。これらの誘導体は、単独にて、または2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
上記ヒドロキシスチレン樹脂は、例えば、100質量部の樹脂成分において、0を越え、かつ50質量部以下含まれていることが好ましい。上記ヒドロキシスチレン樹脂の添加量を50質量部以下にすることによって、ポジ型ホトレジスト組成物のコントラストの低下を抑制することができる。上記ヒドロキシスチレン樹脂は、構成単位としてヒドロキシスチレンとスチレンとを少なくとも有する共重合体であることが好ましい。上記ヒドロキシスチレン樹脂の構成単位であるヒドロキシスチレンとしては、例えば、p−ヒドロキシスチレンなどのヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、およびα−エチルヒドロキシスチレンなどのα−アルキルヒドロキシスチレンが挙げられる。上記ヒドロキシスチレン樹脂の構成単位であるスチレンとしては、例えば、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、およびα−メチルスチレンなどが挙げられる。
<ポジ型ホトレジスト組成物に添加する他の成分>
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、酸拡散抑制剤を、さらに含有していてもよい。酸拡散抑制剤としては塩基性化合物を使用することができる。ポジ型ホトレジスト組成物が塩基性化合物を含有している場合には、レジスト膜中における酸の拡散を抑制するため、解像度が向上する。さらに、露光後における感度の変化が抑制され、かつ基板などに対する環境依存性が低下する。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、酸拡散抑制剤を、さらに含有していてもよい。酸拡散抑制剤としては塩基性化合物を使用することができる。ポジ型ホトレジスト組成物が塩基性化合物を含有している場合には、レジスト膜中における酸の拡散を抑制するため、解像度が向上する。さらに、露光後における感度の変化が抑制され、かつ基板などに対する環境依存性が低下する。
上記塩基性化合物としては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、および1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどが挙げられる。これらの内、トリエタノールアミンのようなアルカノールアミンが好ましい。これらの塩基性化合物は単独にて、または2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、必要に応じて、酸をさらに含有していてもよい。酸をさらに含有することによって、上記塩基性化合物による酸の拡散を抑制する作用が向上する。これは、酸と上記塩基性化合物とが塩を形成することによって上記塩基性化合物が安定化するためである。
上記塩基性化合物を安定化させる酸としては、有機カルボン酸、リンのオキソ酸およびリンのオキソ酸の誘導体などが挙げられる。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、およびサリチル酸などが挙げられる。これらの有機カルボン酸の内、サリチル酸が特に好ましい。リンのオキソ酸またはその誘導体としては、例えば、リン酸またはそれらのエステル(リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、およびリン酸ジフェニルエステルなど)、ホスホン酸またはそれらのエステル(ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなど)、ならびにホスフィン酸またはそれらのエステル(ホスフィン酸およびフェニルホスフィン酸など)が挙げられる。これらのリンのオキソ酸またはその誘導体の内、ホスホン酸が特に好ましい。
本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、従来公知の混和性を有する添加物(レジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、および界面活性剤など)を、必要に応じて、本質的な特性を損なわない程度に、添加してもよい。
<有機溶剤>
本発明に係る有機溶剤としては、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)が少なくとも溶解する溶剤であればよく、従来公知の有機溶剤を使用することができる。有機溶剤としては、例えば、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)が有する極性と近い極性を有する有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、通常、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)が選択される。
本発明に係る有機溶剤としては、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)が少なくとも溶解する溶剤であればよく、従来公知の有機溶剤を使用することができる。有機溶剤としては、例えば、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(B)が有する極性と近い極性を有する有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、通常、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)が選択される。
スピンコート法を用いて10μm以上の厚膜を形成する場合には、ポジ型ホトレジスト組成物における固形分の濃度が30質量%から65質量%の範囲内になるように、有機溶剤の使用量を調節することが好ましい。固形分の濃度を30質量%以上することによって、ポジ型ホトレジスト組成物を所望の厚さに塗布した場合に、膜の厚さを維持することが容易になる。固形分の濃度を65質量%以下にすることによって、ポジ型ホトレジスト組成物の取り扱いが容易な上、均一な層の形成が容易になる。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、以上において説明した成分のそれぞれを、従来公知の方法によって、混合および攪拌することによって調製すればよい。必要に応じて、ディゾルバー、ホモジナイザー、および3本ロールミルなどの分散機を用いて分散および混合させてもよい。また、混合した後、メッシュおよびメンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。
以上において説明した本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物は、支持体上に、およそ150μmの膜厚を有し、かつムラのない均一な表面を有する厚膜を容易に形成することができる。さらに、支持体上に解像度の高い所望のパターンを高感度に形成することができる。
2.ポジ型ホトレジスト組成物の積層体および積層体を用いたパターン形成方法
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物の積層体は、支持体上に上記1.において説明したポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層が積層されている。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物の積層体は、支持体上に上記1.において説明したポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層が積層されている。
上記支持体は、ポジ型ホトレジスト組成物を積層するための面を有するものであればよく、従来公知の支持体を用いることができる。上記支持体としては、例えば、電子部品用の基板や、配線パターンが形成された基板などが挙げられる。基板としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、およびアルミニウムなどの金属製の基板、ならびにガラス基板などが挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば、銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、および金などが挙げられる。
本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物の積層体は、例えば、以下のように製造することができる。
上記1.において説明したポジ型ホトレジスト組成物を支持体上に塗布する。次いで、ポジ型ホトレジスト組成物を塗布した支持体を加熱することによって溶媒を除去する。これによって、支持体上に所望の膜厚を有する塗膜を形成する。支持体の上にポジ型ホトレジスト組成物を塗布する方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、およびアプリケーター法などが挙げられる。ポジ型ホトレジスト組成物を塗布した支持体を加熱する(プレベーク)条件は、ポジ型ホトレジスト組成物に含まれている成分の種類、含有率、および形成したい感光層の厚さなどによって異なるが、通常、70〜150℃、好ましくは80〜140℃において、2〜60分間程度である。
上記1.において説明したように、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物を用いれば、光酸発生剤として、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する化合物を使用することができる。また、本発明に係るポジ型ホトレジスト組成物を用いて形成した、厚膜の感光層は、その表面の均一性および平坦性に優れている。本発明に係る感光層は、通常、膜厚120μm程度に形成可能であり、150μm程度までであれば、表面の均一性および平坦性を十分に維持することができる。
支持体上に上記感光層を積層した積層体にg線(波長436nm)、h線(波長405nm)、およびi線(波長365nm)から選ばれる1つ以上の波長の光を選択的に照射(露光)する。このとき、上記感光層の上に所望のパターンが形成されたマスクを載せて、光を照射すればよい。特に、感度の向上という観点からは、照射する光はi線を含むことが好ましい。
ここで、光とは、酸を発生するために光酸発生剤を活性化させる放射線である。放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、およびアルゴンガスレーザーなどが挙げられる。これらの内、超高圧水銀灯を使用することが好ましく、そのエネルギー量は、例えば、100〜10,000mJ/cm2である。上記感光層の露光後に、従来公知の方法を用いて加熱することによって酸の拡散を促進させて、上記感光層の露光部分におけるアルカリ溶解性を変化させる。
アルカリ性水溶液を現像液として用いて、上記感光層の内の、不要な(露光した)部分を溶解および除去して所望のレジストパターンを形成する。上記現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノナンなどのアルカリ性の水溶液が挙げられる。また、アルカリ性の水溶液にメタノールおよびエタノールなどの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適量添加した水溶液を現像液として用いてもよい。
現像時間は、感光層に含まれる成分の種類、含有率、および感光層の乾燥時における膜厚によって異なるが、通常、1〜30分間である。また、現像の方法としては、液盛り法、ディッピング法、パドル法、およびスプレー現像法などを挙げることができる。現像後に、流水にて30〜90秒間、現像した上記感光層を洗浄し、エアーガンやオーブンなどを用いて乾燥させる。この結果として、上記感光層の内の、所望の部分におけるポジ型ホトレジスト組成物が除去された積層体を作製することができる。言い換えれば、上述のような処理を経て、所望の形状を有するパターンを形成することができる。
以上において説明したように、本発明によれば、表面の均一性および平坦性に優れ、かつクラックの発生が抑制された厚膜の形成に適したポジ型ホトレジスト組成物、上記ポジ型ホトレジスト組成物を用いた積層体、および上記積層体を用いたパターン形成方法を提供することができる。
1.実施例
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
(化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の組成)
本発明の実施例および比較例の組成物として、組成の異なる複数の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。調製した化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物のそれぞれが有する組成を以下の表1に示す。
本発明の実施例および比較例の組成物として、組成の異なる複数の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。調製した化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物のそれぞれが有する組成を以下の表1に示す。
実施例および比較例の上記化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、樹脂成分と光酸発生剤とを溶剤に溶解させた後に、孔径1μmのメンブレンフィルターを用いて濾過することによって得た。表1に示すように、樹脂成分および光酸発生剤の他に、他の成分を溶剤に溶解させている場合もある。
表1における各成分について以下に説明する。
(成分(A):保護基付きノボラック樹脂)
(A−1)は、フェノールノボラック樹脂における水酸基の14%が、上記式(I−1)によって表される保護基によって置換(保護)された、質量平均分子量2,500を有する樹脂である。
(A−2)は、フェノールノボラック樹脂における水酸基の14%が、上記式(I−4)によって表される保護基によって置換(保護)された、質量平均分子量2,500を有する樹脂である。
(A−1)は、フェノールノボラック樹脂における水酸基の14%が、上記式(I−1)によって表される保護基によって置換(保護)された、質量平均分子量2,500を有する樹脂である。
(A−2)は、フェノールノボラック樹脂における水酸基の14%が、上記式(I−4)によって表される保護基によって置換(保護)された、質量平均分子量2,500を有する樹脂である。
なお、成分(A)として用いたフェノールノボラック樹脂は、フェノールとホルムアルデヒドとを縮合反応させた樹脂である。
(成分(B):保護基付きアクリル樹脂)
(B−1)は、質量平均分子量200,000の共重合体であり、構成単位として、30モル%の2−メトキシエチルアクリレート、10モル%のn−ブチルアクリレートの誘導体、55モル%のエチルシクロヘキシルメタクリレートの誘導体および5モル%のアクリル酸の誘導体を含む。
(B−2)は、質量平均分子量250,000の共重合体であり、構成単位として、70モル%のヒドロキシスチレン、5モル%のスチレンおよび25モル%のtert−ブチルアクリレートを含む。
(B−1)は、質量平均分子量200,000の共重合体であり、構成単位として、30モル%の2−メトキシエチルアクリレート、10モル%のn−ブチルアクリレートの誘導体、55モル%のエチルシクロヘキシルメタクリレートの誘導体および5モル%のアクリル酸の誘導体を含む。
(B−2)は、質量平均分子量250,000の共重合体であり、構成単位として、70モル%のヒドロキシスチレン、5モル%のスチレンおよび25モル%のtert−ブチルアクリレートを含む。
(成分(C):クレゾールノボラック)
(C−1)は、m−クレゾールおよびp−クレゾール(混合比率6:4)とホルムアルデヒドとを縮合反応させた、平均分子量15,000のクレゾールノボラック樹脂である。
(C−1)は、m−クレゾールおよびp−クレゾール(混合比率6:4)とホルムアルデヒドとを縮合反応させた、平均分子量15,000のクレゾールノボラック樹脂である。
(成分(D):アクリル系可塑剤)
(D−1)は、平均分子量200,000の共重合体であり、構成単位として、60モル%の2−メトキシエチルアクリレート、30モル%のn−ブチルアクリレートの誘導体および10モル%のアクリル酸の誘導体を含むアクリル系可塑剤である。
(D−1)は、平均分子量200,000の共重合体であり、構成単位として、60モル%の2−メトキシエチルアクリレート、30モル%のn−ブチルアクリレートの誘導体および10モル%のアクリル酸の誘導体を含むアクリル系可塑剤である。
(成分(E):ヒドロキシスチレン樹脂)
(E−1)は、質量平均分子量1500の共重合体であり、構成単位として、10モル%のヒドロキシスチレンおよび90モル%のスチレンを含むヒドロキシスチレン樹脂である。
(E−1)は、質量平均分子量1500の共重合体であり、構成単位として、10モル%のヒドロキシスチレンおよび90モル%のスチレンを含むヒドロキシスチレン樹脂である。
(成分(F):光酸発生剤)
(F−1)は、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートである。
(F−2)は、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネートである。
(F−3)は、ジ−(4−tert−ブチルベンゼン)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネートである。
なお、(F−1)のi線対するモル吸光係数は76であり、(F−2)のi線対するモル吸光係数は20であり、(F−3)のi線対するモル吸光係数は20であった。
(F−1)は、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートである。
(F−2)は、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネートである。
(F−3)は、ジ−(4−tert−ブチルベンゼン)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネートである。
なお、(F−1)のi線対するモル吸光係数は76であり、(F−2)のi線対するモル吸光係数は20であり、(F−3)のi線対するモル吸光係数は20であった。
(成分(G):光増感剤)
(G−1)は、1,5−ジヒドロキシナフタレンである。
(G−2)は、9,10−ジブトキシアントラセンである。
(G−3)は、2,4−ジエチルチオキサントンである。
(G−4)は、2,3−ジヒドロキシナフタレンである。
(G−1)は、1,5−ジヒドロキシナフタレンである。
(G−2)は、9,10−ジブトキシアントラセンである。
(G−3)は、2,4−ジエチルチオキサントンである。
(G−4)は、2,3−ジヒドロキシナフタレンである。
(成分(H):クエンチャー(アミン))
(H−1)は、トリエタノールアミンである。
(H−2)は、トリ−n−ペンチルアミンである。
(H−1)は、トリエタノールアミンである。
(H−2)は、トリ−n−ペンチルアミンである。
(成分(I):クエンチャー(酸))
(I−1)は、サリチル酸である。
(I−1)は、サリチル酸である。
(成分(I):溶剤)
(I−1)は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)である。
(I−1)は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)である。
<化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の評価>
実施例および比較例の上記化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物のそれぞれについて、以下のように相溶性、塗布性、現像性および解像性を評価した。
実施例および比較例の上記化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物のそれぞれについて、以下のように相溶性、塗布性、現像性および解像性を評価した。
(相溶性の評価)
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、室温にて12時間攪拌し、室温にて攪拌終了から12時間放置し、攪拌終了直後および攪拌終了から12時間経過後における、溶剤への溶質の溶解状態を目視にて観察した。観察した溶剤への溶質の溶解状態(または分散状態)を以下の基準
○:溶質は、溶媒に均一に分散している
△:溶質は、攪拌終了直後において溶媒に均一に分散しているが、攪拌終了から12時間経過後において相分離する
×:溶質は、攪拌終了直後において溶媒に均一に分散していない
にしたがって分類し、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の相溶性を評価した。
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、室温にて12時間攪拌し、室温にて攪拌終了から12時間放置し、攪拌終了直後および攪拌終了から12時間経過後における、溶剤への溶質の溶解状態を目視にて観察した。観察した溶剤への溶質の溶解状態(または分散状態)を以下の基準
○:溶質は、溶媒に均一に分散している
△:溶質は、攪拌終了直後において溶媒に均一に分散しているが、攪拌終了から12時間経過後において相分離する
×:溶質は、攪拌終了直後において溶媒に均一に分散していない
にしたがって分類し、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の相溶性を評価した。
(塗布性の評価)
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、スピンナーを用いて1,000rpm、25秒間の条件において、5インチのシリコンウェーハ上に塗布した。化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を塗布したシリコンウェーハを、130℃、6分間の条件において、ホットプレート上にて加熱した。シリコンウェーハ上に形成された膜厚20μmの塗膜の表面を目視にて観察した。観察した塗膜表面の状態を以下の基準
○:塗膜の表面は、ムラのない均一な平坦面を有している
△:塗膜の表面は、不均一であり、かつ平坦ではない
×:塗膜の表面は、クラックを有している
にしたがって分類し、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の塗布性を評価した。
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、スピンナーを用いて1,000rpm、25秒間の条件において、5インチのシリコンウェーハ上に塗布した。化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を塗布したシリコンウェーハを、130℃、6分間の条件において、ホットプレート上にて加熱した。シリコンウェーハ上に形成された膜厚20μmの塗膜の表面を目視にて観察した。観察した塗膜表面の状態を以下の基準
○:塗膜の表面は、ムラのない均一な平坦面を有している
△:塗膜の表面は、不均一であり、かつ平坦ではない
×:塗膜の表面は、クラックを有している
にしたがって分類し、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の塗布性を評価した。
(現像性および解像性の評価)
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、スピンナーを用いて1,000rpm、25秒間の条件において、5インチのCuスパッタリングウェーハ上に塗布した。化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を塗布したCuスパッタリングウェーハを、130℃、6分間の条件において、ホットプレート上にてプレベークした。これによって、Cuスパッタリングウェーハ上に膜厚20μmの厚膜ホトレジスト積層体を形成した。解像度測定用のパターンマスクを載せた上記厚膜ホトレジスト積層体を、マスクを介してアライナー(Canon社製 PLA501F)を用いて、100〜10,000mJ/cm2の範囲の露光量となるように段階的に紫外線で露光した。なお、上記紫外線は、g線、h線およびi線を含んでいる。露光した上記厚膜ホトレジスト積層体を、80℃にて5分間加熱した後、現像液(東京応化工業社製 PMERシリーズ P−7G)を用いて現像し、流水にて洗浄し、窒素ブローを行った。形成されたパターンを顕微鏡によって観察し、パターンの形状および状態を以下の基準
○:2以上のアスペクト比を有するパターンが形成され、かつ残渣が認められない
×:2以上のアスペクト比を有するパターンが形成されていない、またはパターンに残渣が認められる
にしたがって分類し、現像性および解像性を評価した。なお、アスペクト比は、パターンにおけるレジスト(壁面)の高さ/パターンにおけるレジスト幅(底面の幅)によって求めたものである。
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を、スピンナーを用いて1,000rpm、25秒間の条件において、5インチのCuスパッタリングウェーハ上に塗布した。化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を塗布したCuスパッタリングウェーハを、130℃、6分間の条件において、ホットプレート上にてプレベークした。これによって、Cuスパッタリングウェーハ上に膜厚20μmの厚膜ホトレジスト積層体を形成した。解像度測定用のパターンマスクを載せた上記厚膜ホトレジスト積層体を、マスクを介してアライナー(Canon社製 PLA501F)を用いて、100〜10,000mJ/cm2の範囲の露光量となるように段階的に紫外線で露光した。なお、上記紫外線は、g線、h線およびi線を含んでいる。露光した上記厚膜ホトレジスト積層体を、80℃にて5分間加熱した後、現像液(東京応化工業社製 PMERシリーズ P−7G)を用いて現像し、流水にて洗浄し、窒素ブローを行った。形成されたパターンを顕微鏡によって観察し、パターンの形状および状態を以下の基準
○:2以上のアスペクト比を有するパターンが形成され、かつ残渣が認められない
×:2以上のアスペクト比を有するパターンが形成されていない、またはパターンに残渣が認められる
にしたがって分類し、現像性および解像性を評価した。なお、アスペクト比は、パターンにおけるレジスト(壁面)の高さ/パターンにおけるレジスト幅(底面の幅)によって求めたものである。
実施例および比較例の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物について、相溶性、塗布性、現像性および解像性を評価した結果を、表2に示す。
実施例の結果から明らかなように、ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤とを含有しているポジ型ホトレジスト組成物は、i線の吸収能の低い、またはi線の吸収能を有していない光酸発生剤を用いた場合であっても、g線、h線、i線およびこれらの組み合わせを含む光の照射によって、現像性および解像性に優れたパターン形成が可能である。
比較例の結果から明らかなように、ポジ型ホトレジスト組成物に光増感剤が含まれていなければ、i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤を使用した場合には、所望のパターンを形成することができなかった。
本発明によれば、微細なパターンの形成に適したポジ型ホトレジスト組成物を提供することができる。特に、基板上への配線パターンなどの形成において有用である。
Claims (9)
- 酸によってアルカリ溶解性が増大する樹脂を含む樹脂成分と、
i線に対して1000以下のモル吸光係数を有する光酸発生剤と、
ベンゾイル基、チオフェン基、または多環式の芳香族基を有する光増感剤と、
を含有することを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。 - 上記光酸発生剤は、トリフェニルスルホニウム系光酸発生剤、およびフェニルヨードニウム系光酸発生剤の内の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- 100質量部の上記樹脂成分に対して、0.1〜10質量部の範囲内にある上記光酸発生剤、および0.1〜40質量部の範囲内にある上記光増感剤が含まれていることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- 酸によってアルカリ溶解性が増大する上記樹脂は、ノボラック樹脂(A)およびアクリル樹脂(b)の内の少なくとも1つを含み、
上記ノボラック樹脂(A)が有する水酸基の水素原子の少なくとも一部は、
以下の式(I):
によって表される基に置換されており、
上記アクリル樹脂(B)が、酸によって解離する溶解抑制基を有する、(メタ)アクリル酸エステル、または(メタ)アクリル酸エステルの誘導体からなる構成単位(b−1)を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 上記構成単位(b−1)は、メタアクリル酸またはアクリル酸が有するカルボキシ基の水素原子が、上記溶解抑制基によって置換された化合物であり、
上記溶解抑制基は、第3級アルキル基、環状アセタール基、鎖状アセタール基、シクロアルキル基、1−アルキル−シクロアルキル基、および1−アルキル−ポリシクロアルキル基の内の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物。 - 上記溶解抑制基は、tert−ブチル基、テトラヒドロピラニル基、エトキシエチル基、シクロヘキシル基、1−メチルシクロヘキシル基、および1−エチルシクロヘキシル基の内の少なくとも1つであることを特徴とする請求項5に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
- 支持体と、請求項1〜6のいずれか1項に記載のポジ型ホトレジスト組成物からなる感光層とを含む、前記支持体上に感光層が積層されていることを特徴とする積層体。
- 前記感光層は、膜厚10〜150μmであることを特徴とする請求項7に記載の積層体。
- 請求項7または8に記載の積層体における上記感光層の所望の領域に対して、g線、h線、i線またはこれらを含む光を照射する工程と、
アルカリ性溶液によって上記積層体を現像する工程と、
を包含することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007231525A JP2009063824A (ja) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 |
KR1020080087360A KR20090026077A (ko) | 2007-09-06 | 2008-09-04 | 포지티브형 포토레지스트 조성물, 적층체 및 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007231525A JP2009063824A (ja) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009063824A true JP2009063824A (ja) | 2009-03-26 |
Family
ID=40558449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007231525A Pending JP2009063824A (ja) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009063824A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013503358A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセス |
WO2013185989A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Positive photosensitive material |
JP2014013381A (ja) * | 2012-06-08 | 2014-01-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US8906594B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Negative-working thick film photoresist |
WO2015064556A1 (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機el表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法 |
KR20160117357A (ko) * | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
WO2017110352A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
CN107111229A (zh) * | 2015-01-16 | 2017-08-29 | Dic株式会社 | 抗蚀永久膜用固化性组合物及抗蚀永久膜 |
JP2017181895A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2020514804A (ja) * | 2017-07-31 | 2020-05-21 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型フォトレジスト組成物、これから製造されるパターン、およびパターン製造方法 |
US10976662B2 (en) | 2016-04-19 | 2021-04-13 | Merck Patent Gmbh | Positive working photosensitive material |
US11675266B2 (en) | 2021-04-15 | 2023-06-13 | Industrial Technology Research Institute | Photosensitive compound, photosensitive composition, and patterning method |
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007231525A patent/JP2009063824A/ja active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013503358A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセス |
US9057951B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Chemically amplified photoresist composition and process for its use |
CN113391518A (zh) * | 2012-06-08 | 2021-09-14 | 住友化学株式会社 | 光致抗蚀剂组合物 |
JP2014013381A (ja) * | 2012-06-08 | 2014-01-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
WO2013185989A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Positive photosensitive material |
US8906594B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Negative-working thick film photoresist |
CN104380198A (zh) * | 2012-06-15 | 2015-02-25 | Az电子材料卢森堡有限公司 | 正性光敏材料 |
US9012126B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-04-21 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Positive photosensitive material |
WO2015064556A1 (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機el表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法 |
JPWO2015064556A1 (ja) * | 2013-10-28 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法、硬化膜、有機el表示装置の製造方法、および液晶表示装置の製造方法 |
CN107111229A (zh) * | 2015-01-16 | 2017-08-29 | Dic株式会社 | 抗蚀永久膜用固化性组合物及抗蚀永久膜 |
CN106019830A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法 |
KR102591529B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2023-10-20 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
KR20160117357A (ko) * | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 |
CN106019830B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-08-20 | 住友化学株式会社 | 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法 |
KR20180086222A (ko) * | 2015-12-25 | 2018-07-30 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
JPWO2017110352A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2018-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
KR102125252B1 (ko) * | 2015-12-25 | 2020-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
TWI702470B (zh) * | 2015-12-25 | 2020-08-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、感光化射線性或感放射線性膜、圖案形成方法及電子元件的製造方法 |
US11009791B2 (en) | 2015-12-25 | 2021-05-18 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device |
CN108431690A (zh) * | 2015-12-25 | 2018-08-21 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
CN108431690B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-11-26 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物及其膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
WO2017110352A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP2017181895A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
US10976662B2 (en) | 2016-04-19 | 2021-04-13 | Merck Patent Gmbh | Positive working photosensitive material |
JP2020514804A (ja) * | 2017-07-31 | 2020-05-21 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型フォトレジスト組成物、これから製造されるパターン、およびパターン製造方法 |
US11531268B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-12-20 | Lg Chem, Ltd. | Positive-working photoresist composition, pattern produced therefrom, and method for producing pattern |
US11675266B2 (en) | 2021-04-15 | 2023-06-13 | Industrial Technology Research Institute | Photosensitive compound, photosensitive composition, and patterning method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009063824A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 | |
JP5749631B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
KR20140074240A (ko) | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 | |
US20090068342A1 (en) | Positive photoresist composition, thick film photoresist laminate, method for producing thick film resist pattern, and method for producing connecting terminal | |
US20090068341A1 (en) | Positive photoresist composition, thick film photoresist laminate, method for producing thick film resist pattern, and method for producing connecting terminal | |
US7879525B2 (en) | Chemically amplified photoresist composition, laminated product, and connection element | |
JP4318946B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 | |
JP2009063823A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物、積層体およびパターン形成方法 | |
JP2007133185A (ja) | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
KR20170113113A (ko) | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
JP3998901B2 (ja) | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 | |
JP4318944B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 | |
JP5899068B2 (ja) | 厚膜用ポジ型レジスト組成物、厚膜レジストパターンの製造方法、接続端子の製造方法 | |
US7927778B2 (en) | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal | |
JP2004309778A (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 | |
JP4828201B2 (ja) | 化学増幅型ホトレジスト組成物、レジスト層積層体およびレジストパタ−ン形成方法 | |
US20060141386A1 (en) | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal | |
KR20090026077A (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물, 적층체 및 패턴 형성 방법 | |
JP7475111B2 (ja) | レジストパターン形成方法、レジスト組成物及びその製造方法 | |
JP4823640B2 (ja) | 新規な酸発生剤、化学増幅型ホトレジスト組成物、レジスト層積層体およびレジストパターン形成方法 | |
JP2009088135A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP4890153B2 (ja) | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP2007133266A (ja) | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
KR20140074239A (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법 | |
WO2008044326A1 (fr) | composition de photorésine positive et négative du type à amplification chimique pour gravure à sec à basse température, et procédé pour la formation d'un motif en photorésine l'utilisant |