KR101520436B1 - 접합 방법, 접착성 향상제, 표면 개질 방법, 표면 개질제, 및 신규 화합물 - Google Patents

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구니오 모리
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Abstract

[과제] 화학 반응(화학 결합)을 이용한 접착(예를 들면, 분자 접착)에 호적한 것으로 하기 위해서, 재료 표면에 -OH를 효과적으로 생성할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
[해결수단] 기체A와 기체B가 접합되는 접합 방법으로서, 상기 기체A의 표면에 하기 화합물(α)을 함유하는 제(劑)가 마련되는 공정과, 상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대향하여 상기 기체B가 배치되는 공정과, 상기 기체A 및/또는 상기 기체B에 힘이 가해지고, 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합하는 공정을 구비하여 이루어지는, 상기 화합물(α)은, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물이며, 상기 기체A는 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어진다.

Description

접합 방법, 접착성 향상제, 표면 개질 방법, 표면 개질제, 및 신규 화합물{BONDING METHOD, BONDABILITY IMPROVING AGENT, SURFACE MODIFICATION METHOD, SURFACE MODIFYING AGENT, AND NOVEL COMPOUND}
본 발명은, 접합 방법, 접착성 향상제, 표면 개질 방법, 표면 개질제, 및 신규 화합물에 관한 것이다.
재료A와 재료B를 접합하는 기술에는,
(1) 기계적 수단(예를 들면, 볼트와 너트, 혹은 리벳)을 사용한 접합 기술,
(2) 용접 수단(예를 들면, 솔더 혹은 납(brazing filler metal))을 사용한 접합 기술,
(3) 접착제를 사용한 접합 기술
이 있다.
상기 접합 기술(3)은 광범위한 분야에서 사용되고 있다. 그러나, 재료A와 재료B의 접합(접착)에 사용되는 접착제는, 어떠한 타입의 접착제이어도 된다는 것은 아니다. 재료A와 재료B에 적합한 접착제가 선정되는 것이 중요하다. 접착 조건도 중요하다. 이것은, 종래의 접착 기술(3)의 채용은 간단하지 않다는 것을 의미한다. 즉, 지금까지의 접착제를 사용한 접착 기술에는 만족할 수 없다.
종래의 접착제에 의한 접착의 기본(원점)은 현상 「젖음」에 근거하고 있다. 상기 「젖음」 현상은, 재료의 종류, 재료의 표면 상태(특성), 주위의 분위기 등에 의해 좌우된다. 이것은, 접착제의 선정이나 접착 조건의 선정이 중요하다는 것과 공통성을 갖는다.
「젖음」은, 열역학의 법칙으로부터 도출된 자유 에너지의 법칙을 따른다. 비유동체에 대한 유동체의 젖음은, 양자의 상호 작용 상수 χ로 표현된다. 젖음의 범위에 있는 χ는 0∼0.5이다. χ는, 엔트로피항과 엔탈피항으로 이루어진다. 고분자 재료(폴리머)로는, 실험적으로, 상기 엔트로피항이 약 0.34이다. 젖음 특성이 좋을 경우에는, 상기 χ는 0∼0.45이다. 따라서, 젖음 특성이 좋을 경우에는, 나머지의 엔탈피항은, 기껏해야, 0.11이다. 유동체와 비유동체의 상호 작용 상수 χ가 0.5의 경우, 이용할 수 있는 접착 젖음은 22%만의 기여이다. 이와 같이, 젖음이라고 해도, 접착에 기여하는 젖음은, 전체의 젖음의 22% 이하이다. 이것은, 매우 좁은 범위에서만, 접착 인자의 조작이 가능하다는 것이다. 즉, 종래의 접착제에 의한 접착은 재료 의존성이 높은 접착이다. 그리고, 「젖음」에 원점을 갖는 사상의 접착 기술은, 재료 의존성이 높다. 또한, 계획적인 접착이 곤란하다. 또한, 접착력은 젖음(즉, 분자간력)에 따르므로, 접착의 신뢰성에도 과제가 있다. 예를 들면, 접착제에 의한 접착 계면이 존재하는 환경이 변화했을 경우, 상기 젖음(즉, 분자간력:접착력)에도 변동이 일어난다. 이것은, 접착의 신뢰성을 저하시킨다.
종래의 젖음(분자간력:물리적인 힘)을 응용한 접착제 대신에, 본 발명자에 의해, 화학 결합(화학 반응)을 응용한 접착제(본 명세서에서는 「분자 접착제」라고 표현되는 경우도 있다)가 제안(특허문헌 1, 2, 3, 비특허문헌 1, 2, 3, 4, 5)되었다.
일본 특개2006-213677호 공보 일본 특개2007-17921호 공보 일본 특개2007-119752호 공보
일본 접착 학회지 「21세기의 접착 기술」 모리 구니오, vol.43(6) 242-248(2007) 표면 기술지 「6가크롬-프리 수지 도금」 모리 구니오, 아베 시로, vol.59(5) 299-304(2008) 분자 접착제를 사용하는 수지와 실리콘 고무의 직접 가교 접착 : 다카기 가즈히사, 히라하라 히데토시, 모리 가츠히토, 나리타 에이치, 오이시 요시유키, 모리 구니오, 일본 고무 협회 81, 8-13(2008) 분자 접착제를 사용하는 에피클로로히드린 고무와 폴리아미드6의 가교 접착, 모리 가츠히토, 마츠노 유스케, 무라오카 히로키, 구도 다카히로, 히라하라 히데토시, 나리타 에이치, 오이시 요시유키, 모리 구니오, 일본 고무 협회지 83(3) 71-76(2010) 분자 접착제를 사용하는 알루미늄과 EPDM의 직접 가교 접착, 마츠노 유스케, 구도 다카히로, 니와 아코, 히라하라 히데토시, 나리타 에이치, 오이시 요시유키, 모리 구니오, 일본 고무 협회지 83(4) 89-94(2010)
상기 제안의 기술에 있어서는, 예를 들면 코로나 방전 처리(전처리)가 행해져 있다. 이 코로나 방전 처리에 의해, 재료 표면에 -OH가 생성한다. 이 재료 표면에 생성한 -OH와 분자 접착제 사이에서 화학 반응이 일어나고, 분자 접착제가 재료에 강고하게 결합(접착:접합)된다.
그러나, 코로나 방전 처리가 행해져도, -OH의 생성이 충분하지 않는 경우가 많았다.
또한, 재료가 고분자 재료(폴리머)의 경우, 코로나 방전 처리가 행해지면, 재료가 열화(분해)할 우려가 있다. 이 분해 생성물이 재료 표면에 남아있으면, 접착력이 저하한다. 이 때문에, 코로나 방전 처리 후에, 세정이 필요하게 된다. 그러나, 예를 들면 용제로 세정했을 경우, 표면에 생성한 -OH가 감소한다. 따라서, 이 경우에는, 코로나 방전 처리의 의미가 저하한다.
또한, 코로나 방전 처리는, 접착 대상의 재료의 크기나 형상 등에도 제약을 일으킨다. 또한, 코로나 방전은 처리성이 좋지 않다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 코로나 방전을 행하지 않더라도, 재료 표면에 -OH를 효과적으로 도입할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 특히, 화학 반응(화학 결합)을 이용한 접착(예를 들면, 분자 접착)에 호적한 것으로 하기 위해, 재료 표면에 -OH를 효과적으로 도입할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
상기 과제는,
기체A와 기체B가 접합되는 접합 방법으로서,
상기 기체A의 표면에 하기 화합물(α)을 함유하는 제(劑)가 마련되는 공정(X)과,
상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대향하여 상기 기체B가 배치되는 공정(Y)과,
상기 기체A 및/또는 상기 기체B에 힘이 가해져, 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합하는 공정(Z)
을 구비하여 이루어지며,
상기 화합물(α)은, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물이며,
상기 기체A는 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어지는
것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 공정(Z)에서 가해지는 힘은, 상기 힘에 의해, 상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)의 OH기 또는 OH 생성기로부터 생성한 OH기가 상기 기체B의 표면에 접하게 되는 힘인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 공정(Z)은 0∼300℃의 온도하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 기체A의 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대하여 소정 패턴의 광이 조사되는 공정(W)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 공정(W)의 광조사에 의해, 상기 기체A와 상기 화합물(α)의 아지드기가 화학 반응하고, 상기 기체A의 표면에 상기 화합물(α)이 결합하는 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 광은 자외선인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[I]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 공정(X) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 하기 일반식[Ⅱ]으로 표시되는 물질이 마련되는 공정(V)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접합 방법으로서, 상기 공정(X) 또는 (V) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 알콕시실릴기, 알콕시알루미네이트기 및/또는 알콕시티타네이트기를 갖는 화합물(β)이 마련되는 공정(U)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 방법에 의해 해결된다. 상기 화합물(β)은, 바람직하게는, 하기 일반식[T], 일반식[Ⅲ] 또는 일반식[Ⅳ]으로 표시되는 화합물이다.
상기 과제는,
상기 접합 방법에 의해 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접합체에 의해 해결된다.
상기 과제는,
접착성 향상제로서,
상기 제는,
1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유하는
것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 폴리머가 사용되어 구성된 기체A의 표면에 마련되는 접착성 향상제인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[I]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 접착성 향상제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 접착성 향상제에 의해 해결된다.
상기 과제는,
기체 표면의 특성이 개질되는 표면 개질 방법으로서,
기체의 표면에 표면 개질제가 마련되는 공정을 구비하여 이루어지며,
상기 표면 개질제는,
1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유하는
것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 표면 개질제가 마련된 후, 광이 조사되는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 광조사 공정은 소정 패턴으로 노광이 행해지는 공정인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[I]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질 방법으로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질 방법에 의해 해결된다.
상기 과제는,
표면 개질제로서,
상기 표면 개질제는,
1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유하는
것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질제로서, 상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인 것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[I]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
바람직하게는, 상기 표면 개질제로서, 상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 표면 개질제에 의해 해결된다.
상기 과제는, 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 신규 화합물에 의해 해결된다.
상기 과제는, 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 신규 화합물에 의해 해결된다.
상기 과제는, 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 신규 화합물에 의해 해결된다.
일반식[I]
Figure 112013016709247-pct00001
[식 중, E는, 임의의 기이다. F는, OH기 또는 OH 생성기이다. -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. -NR1(R2)의 R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
일반식[Io]
Figure 112013016709247-pct00002
[식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
일반식[Ia]
Figure 112013016709247-pct00003
[식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
일반식[Ib]
Figure 112013016709247-pct00004
[식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
일반식[Ⅱ]
Figure 112013016709247-pct00005
[식 중, X', Y'는, Si 또는 Ti이다. Z는, Al이다. G는, 탄소수가 1∼3의 탄화수소기, 혹은 탄소수가 1∼3의 알콕시기이다. B는, 탄소수가 1∼3의 알콕시기이다. n, m은, 0∼200의 정수(단, 2≤n+m≤400)이다. p는, 0∼100의 정수이다]
일반식[T]
L-Si(M')n(OM)3-n
[식 중, L은, 유기기(유기기는, 탄소, 수소 이외의 원소를 함유하고 있어도 된다. 유기기는, 치환기를 함유하고 있어도 된다. 유기기는, 지방족, 방향족, 쇄상, 환상의 어떠한 형태의 것이어도 된다)이다. M'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. M은, H, 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다. 상기 M'과 M은, 동일해도, 달라도 된다]
일반식[Ⅲ]
Figure 112013016709247-pct00006
[식 중, R5는, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. R6은, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. X"는, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. Y"는, 탄소수가 1∼10의 알킬옥시기이다. n은, 1∼3의 정수이다. M1은, H, Li, Na, K 또는 Cs이다]
일반식[Ⅳ]
Figure 112013016709247-pct00007
[식 중, R5는, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. R7은, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. X"는, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. Y"는, 탄소수가 1∼10의 알킬옥시기이다. 모든 X" 및 Y"는 동일해도 달라도 된다. n, m은, 1∼3의 정수이다. M1은, H, Li, Na, K 또는 Cs이다]
플라스마 처리, 코로나 방전 처리가 행해지지 않더라도, 고분자 재료 표면에 -OH가 효과적으로 도입된다.
화학 반응(화학 결합)을 이용한 접착(예를 들면, 분자 접착)이 효과적으로 행해진다. 이 때문에, 접착 강도가 크다. 또한, 접착의 내구성이 높다. 예를 들면, 환경 변화에 의한 접착력의 변동이 작다.
도 1은 TE-DAZ의 1H-NMR의 스펙트럼도.
도 2는 TE-DAZ의 13C-NMR의 스펙트럼도.
제1의 본 발명은 접합 방법이다. 특히, 기체A와 기체B가 접합되는 접합 방법이다. 이 접합 방법은, 공정(X)과, 공정(Y)과, 공정(Z)을 구비한다. 상기 공정(X)은, 상기 기체A의 표면에 화합물(α)을 함유하는 제가 마련되는 공정이다. 상기 공정(Y)은, 상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대향하여 상기 기체B가 배치되는 공정이다. 상기 공정(Z)은, 상기 기체A 및/또는 상기 기체B에 힘(압압력(押壓力)(가압) 혹은 인장력(감압))이 가해지고, 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합하는 공정이다. 상기 화합물(α)은, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는다. 상기 기체A는 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어진다.
상기 공정(X)은, 상기 화합물(α)을 함유하는(예를 들면, 용해 또는 분산) 용액 중에, 기체A를 담금으로써 달성된다. 상기 용액을 기체A에 분사함으로써도 달성된다. 이 후, 필요에 따라, 건조가 행해진다. 즉, 용매가 휘산하는 것에 의해, 기체A 표면에 상기 화합물(α)이 남는다. 상기 공정(Y)은, 상기 기체A와 상기 기체B를 포갬으로써 달성된다. 상기 공정(Z)은, 상기 공정(Y) 후에, 상기 기체A에 상기 기체B 측을 향해서 압압력을 작용시킴으로써 달성된다. 혹은, 상기 기체B에 상기 기체A 측을 향해서 압압력을 작용시킴으로써 달성된다. 물론, 상기 기체A에 상기 기체B 측을 향해서, 또한, 상기 기체B에 상기 기체A 측을 향해서 압압력을 작용시켜도 된다. 또는, 상기 기체A와 상기 기체B가 근접하도록 인장력을 작용시킴으로써도 달성된다.
상기 공정(Z)에서 가해지는 힘은, 특히, 바람직하게는, 상기 힘에 의해, 상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)의 OH기 또는 OH 생성기로부터 생성한 OH기가 상기 기체B의 표면에 접하게 되는 압압력(인장력)이다. 이 힘은, 압압력(가압)의 경우에는, 바람직하게는 0.01∼50㎫(보다 바람직하게는, 0.1∼5㎫)이다. 인장력(감압)의 경우에는, 바람직하게는 0.0099∼0.00001㎩(보다 바람직하게는, 0.009∼0.0001㎩)이다. 힘의 작용 시간은, 예를 들면 0.1∼200min이다. 물론, 이것에 한정되는 것은 아니다. 압력이나 시간은, 적의, 선택된다. 이에 따라, 기체B의 표면에 미소 요철이 있다고 해도, 이것에 따라 기체A가 변형한다. 이 결과, 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)의 OH기가 상기 기체B의 표면에 도달한다. 그리고, OH기가 상기 기체B의 표면에 결합한다. 즉, 상기 화합물(α)에 의한 화학 결합(반응)에 의해, 상기 기체A와 상기 기체B가 강고하게 결합한다. 상기 (Z)공정은, 바람직하게는, 0∼300℃의 온도하에서 행해진다. 보다 바람직하게는, 20∼250℃의 온도하에서 행해진다. 이에 따라, 상기 화합물(α)의 OH기와 상기 기체B의 화학 반응이 효율 좋게 진행된다.
상기 접합 방법은, 바람직하게는, 광조사 공정을 더 구비한다. 즉, 광이 상기 기체A의 표면에 존재하는 상기 화합물(α)을 향해서 조사된다. 이 결과, 상기 기체A와 상기 화합물(α)의 아지드기가 화학 반응한다. 그리고, 상기 기체A 표면에 상기 화합물(α)이 결합한다. 광이 조사되지 않은 개소에서는, 화학 반응이 촉진되지 않는다. 따라서, 이 후, 세정하면, 광조사 부위에 있어서만, 상기 화합물(α)이 상기 기체A의 표면에 존재한(결합한) 것으로 된다. 광이 특정 개소에 조사되지 않도록 하기 위해서는, 광조사(노광) 시에, 특정 개소에 마스크를 배치해 두면 된다. 광조사 시에, 반사판이나 반사 필름을 사용할 수 있다. 이에 따라, 조사 효율이 높아지고, 조사 범위가 넓어진다. 상기 광은, 바람직하게는, 자외선이다. 또, 광조사 대신에 가열 수단을 채용할 수도 있다. 그러나, 상기 화합물(α)을 여기 상태의 것으로 하기 위해 채용되는 가열 수단과 광조사 수단을 비교하면, 광조사 수단 쪽이 바람직했다.
상기 화합물(α)의 OH기 또는 OH 생성기는, 바람직하게는, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)이다. 이 경우, 상기 화합물(α)은, 알콕시실릴기와 아지드기를 갖는다.
상기 화합물(α)은, 바람직하게는, 트리아진(그 중에서도, 1,3,5-트리아진)에, 적어도 1개의 아지드기와, 적어도 1개의 알콕시실릴기가, 직접 또는 간접적으로 결합한 구조를 갖는다.
상기 화합물(α)은, 바람직하게는, 상기 일반식[I]으로 표시되는 화합물이다. 보다 바람직하게는, 상기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물이다. 더 바람직하게는, 상기 일반식[Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물이다.
상기 일반식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다.
상기 일반식[Ia] 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n이다. 상기 탄소수가 1∼24의 탄화수소기는, 쇄상의 탄화수소기, 치환기(환상 또는 쇄상)를 갖는 쇄상의 탄화수소기, 환상기, 혹은 치환기(환상 또는 쇄상)를 갖는 환상기이다. 예를 들면, -CnH2n +1, -CnH2n -1, -C6H5, -CH2CH2C6H5, -CH2C6H5, -C10H7 등이다. 상기 -RSi(R')n(OA)3-n의 R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CnH2n)이다. 상기 R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CnH2n +1)이다. 상기 A는, H, 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CH3, -C2H5, -CH(CH3)2, -CH2CH(CH3)2, -C(CH3)3)이다. n은 0∼2의 정수이다. 상기 R1과 R2의 적어도 한쪽은, 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다. 본 명세서에서 치환기를 갖는 기(예를 들면, 탄화수소기)란, 예를 들면 상기 기(예를 들면, 탄화수소기)의 H가 치환 가능한 적의한 관능기로 기환된 것을 의미한다.
상기 일반식[Ib] 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n이다. 상기 탄소수가 1∼24의 탄화수소기는, 쇄상의 탄화수소기, 치환기(환상 또는 쇄상)를 갖는 쇄상의 탄화수소기, 환상기, 또는 치환기(환상 또는 쇄상)를 갖는 환상기이다. 예를 들면, -CnH2n +1, -CnH2n -1, -C6H5, -CH2CH2C6H5, -CH2C6H5, -C10H7 등이다. 상기 -RSi(R')n(OA)3-n의 R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CnH2n)이다. 상기 R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CnH2n +1)이다. 상기 A는, H, 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기(예를 들면, -CH3, -C2H5, -CH(CH3)2, -CH2CH(CH3)2, -C(CH3)3)이다. n은 0∼2의 정수이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다.
상기 접합 방법은, 바람직하게는, 상기 공정(X) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 상기 일반식[Ⅱ]으로 표시되는 물질이 마련되는 공정(V)을 더 구비한다. 즉, 상기 일반식[Ⅱ]으로 표시되는 폴리머가 표면에 존재함으로써, 표면에 존재하는 -OH기의 수가 증가하고, 접착성이 개선되었다.
상기 일반식[Ⅱ] 중, X', Y'는, Si 또는 Ti이다. Z는, Al이다. G는, 탄소수가 1∼3의 탄화수소기(예를 들면, -CH3, -C2H5, -CH=CH2), 또는 탄소수가 1∼3의 알콕시기(예를 들면, -OCH3, -OC2H5)이다. B는, 탄소수가 1∼3의 알콕시기(예를 들면, -OCH3, -OC2H5)이다. n, m은, 0∼200의 정수(단, 2≤n+m≤400)이다. p는, 0∼100의 정수이다. 바람직하게는, n≠1, m≠1, p≠1이다.
상기 접합 방법은, 바람직하게는, 상기 공정(X)(또는, 상기 공정(V)) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 알콕시실릴기, 알콕시알루미네이트기 및/또는 알콕시티타네이트기를 갖는 화합물(β)이 마련되는 공정(U)을 더 구비한다. 즉, 상기 화합물(β)이 표면에 존재함으로써, 표면에 존재하는 -OH기의 수가 증가하고, 또한 반응성 관능기가 도입되어, 접착성이 개선되었다. 여기에서, 상기 화합물(β)은, 바람직하게는, 상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물이다.
상기 일반식[Ⅲ], [Ⅳ] 중, R5, R7은, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. R6은, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. 상기 탄화수소기는, 쇄상의 탄화수소기 또는 환상의 탄화수소기이다. 보다 구체적으로는, 포화 지방족 탄화수소기이다. 혹은, 불포화 지방족 탄화수소기이다. 또는, 방향족 탄화수소기이다. 상기 지방족 탄화수소기는, 직쇄의 탄화수소기여도, 분기쇄를 갖는 탄화수소기여도 된다. 상기 방향족 탄화수소기는, 치환기를 갖지 않는 경우와, 치환기를 갖는 경우가 있다. 또한, 상기 R5, R7은, -NH-, -CO-, -O-, -S-, -COO- 등의 기를 갖는 경우와, 갖지 않는 경우가 있다. X"는, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. 이 탄화수소기는, 쇄상의 탄화수소기이다. 보다 구체적으로는, 포화 지방족 탄화수소기이다. 혹은, 불포화 지방족 탄화수소기이다. 이것 등의 지방족 탄화수소기는, 환상기를 갖지 않지만, 치환기로서, 환상기를 갖는 경우도 있다. Y"는, 탄소수가 1∼10의 알킬옥시기이다. n은 1∼3의 정수이다. M1은, H, Li, Na, K 또는 Cs이다.
제2의 본 발명은 접합체(복합체)이다. 특히, 상기 접합 방법에 의해 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합(화학적 결합)된 접합체(복합체)이다.
제3의 본 발명은 접착성 향상제이다. 본 명세서에 있어서, 접착성 향상제는, 문자 그대로, 접착성이 향상하는 제이다. 접착성이 향상했다는 것은, 접착제의 역할을 나타내고 있다고도 말할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 「접착성 향상제」는 「접착제」도 포함하는 의미로서 사용된다. 상기 접착성 향상제(접착제)는, 바람직하게는, 폴리머가 사용되어 구성된 기체A의 표면에 마련된다.
상기 접착성 향상제(접착제)는, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유한다. 화합물(α)은, 바람직하게는, 1분자 내에, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)와, 아지드기를 갖는다. 이 화합물(α)은, 바람직하게는, 트리아진(그 중에서도, 1,3,5-트리아진)에, 적어도 1개의 아지드기와, 적어도 1개의 알콕시실릴기가, 직접 또는 간접적으로 결합한 구조를 갖는다. 바람직하게는, 상기 일반식[I]으로 표시되는 화합물이다. 보다 바람직하게는, 상기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물이다. 더 바람직하게는, 상기 일반식[Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물이다.
제4의 본 발명은 표면 개질 방법이다. 특히, 기체 표면의 특성이 개질되는 표면 개질 방법이다. 상기 표면 개질 방법은, 기체의 표면에 표면 개질제가 마련되는 공정을 구비한다. 상기 표면 개질제는, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유한다. 화합물(α)은, 바람직하게는, 1분자 내에, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는다. 이 화합물(α)은, 바람직하게는, 트리아진(그 중에서도, 1,3,5-트리아진)에, 적어도 1개의 아지드기와, 적어도 1개의 알콕시실릴기가, 직접 또는 간접적으로 결합한 구조를 갖는다. 바람직하게는, 상기 일반식[I]으로 표시되는 화합물이다. 보다 바람직하게는, 상기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물이다. 더 바람직하게는, 상기 일반식[Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물이다.
상기 표면 개질 방법은, 바람직하게는, 상기 표면 개질제가 마련된 후, 광이 조사되는 공정을 더 구비한다. 상기 광조사 공정은 소정 패턴으로 노광이 행해지는 공정이다. 본 표면 개질 방법은 상기 접합 방법에 준하여 실시된다. 따라서, 본 표면 개질 방법이 실시되었을 경우, 표면에는, 알콕시실릴기(또는, OH기)가 존재하고 있다. 이것에 의해, 표면이 개질된다.
제5의 본 발명은 표면 개질이 행해진 기체이다. 즉, 상기 표면 개질 방법이 실시된 기체이다.
제6의 본 발명은 표면 개질제이다. 이 표면 개질제는, 1분자 내에, OH기 또는 OH 생성기와, 아지드기와, 트리아진환을 갖는 화합물(α)을 함유한다. 화합물(α)은, 바람직하게는, 1분자 내에, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)와, 아지드기를 갖는다. 이 화합물(α)은, 바람직하게는, 트리아진(그 중에서도, 1,3,5-트리아진)에, 적어도 1개의 아지드기와, 적어도 1개의 알콕시실릴기가, 직접 또는 간접적으로 결합한 구조를 갖는다. 바람직하게는, 상기 일반식[I]으로 표시되는 화합물이다. 보다 바람직하게는, 상기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물이다. 더 바람직하게는, 상기 일반식[Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물이다. 본 표면 개질제는 상기 접착성 향상제에 준하여 실시된다.
제7의 본 발명은 신규 화합물이다. 이 신규 화합물은, 상기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물이다. 특히, 상기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물이다. 혹은, 상기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물이다.
본 발명에 있어서는, 기체A의 표면에, 예를 들면 상기 일반식[I], [Io], [Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물(α)과, 증폭제(예를 들면, 일반식[Ⅱ], [T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물)를 공존시킬 수 있다. 그리고, 이 후, 광(자외선)이 조사된다. 상기 광조사에 앞서 가열이 행해져도 된다. 본 발명에 있어서는, 기체A의 표면에, 상기 일반식[I], [Io], [Ia] 또는 [Ib]로 표시되는 화합물(α)이 마련된다. 혹은, 또한, 증폭제(예를 들면, 일반식[Ⅱ] 또는 [T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물)가 마련된다. 그리고, 광조사(또는, 가열 후에 광조사)가 행해진다. 이 후, 바람직하게는, 산성 용액 중 혹은 알칼리성 용액 중에 침지된다.
본 발명에 있어서는, 상기 증폭제와 함께, 혹은 상기 증폭제 대신에, 알콕시실릴기를 갖는 실란 커플링제나 벤조페논계 등의 광증감제를 사용할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 기체A의 구성 재료로서, 폴리머(고분자 재료)를 들었다. 기체B에 관해서는, 지금까지, 예시하지 않았다. 기체B의 구성 재료로서는, 금속 재료, 세라믹 재료, 유기 재료를 들 수 있다. 이것 등의 재료에 대해서도, 기체A의 표면 개질 기술과 같은 기술이 채용되어도 된다. 그 외에도, 실란 커플링제(예를 들면, 비닐기계 실란 커플링제, 알릴기계 실란 커플링제, 말론산무수물계 실란 커플링제, 할로게노알킬계 실란 커플링제, 아민계 실란 커플링제, 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴산계 실란 커플링제, 메타크릴산계 실란 커플링제, 인산계 실란 커플링제, 또는 황계 실란 커플링제)를 사용한 표면 개질이 행해져도 된다. 예를 들면, 상기 커플링제(0.001∼2wt%)를 함유하는 용액 중에 담구어진다. 침지 시의 온도는, 바람직하게는, 20∼200℃이다. 시간은, 바람직하게는, 1∼60분이다. 이때, 기체 표면은, 바람직하게는, 미리, 청정 처리되어 있다.
상기 발명에 의하면, 화합물(α)의 아지드기와 기체A의 화학 반응(결합)에 의해, 예를 들면 알콕시실릴기가 기체A 표면에 도입되어 있다. 그리고, 알콕시실릴기가 변성되어서 OH기가 생성한다. 이 결과, 각종 재료로 이루어지는 기체B의 접착성이 향상했다. 즉, 기체A와 기체B는, 화학 결합을 개재(介在)하여 연결되고 있어, 접합(접착) 강도가 크다. 또한, 코로나 방전 처리나 플라스마 처리가 필요하지 않게 되었다. 즉, 이러한 처리를 하지 않아도, 기체A 표면에 간단하게 OH기를 도입할 수 있었다. 따라서, 작업성이 좋다. 또한, 기체A의 표면층이 분해하기 어렵다.
상기 화합물(α)이 기체A 표면에 마련된다. 이 후, 광이 조사된다. 이때, 상기 화합물(α)과 기체A 사이에서 화학 반응이 일어난다. 이 결과, 상기 화합물(α)과 기체A가 결합한다. 기체A는 폴리머로 구성되어 있다. 상기 폴리머는, 경화성 수지(예를 들면, 열경화성 수지, 광경화성 수지, 전자선 경화성 수지)나 열가소성 수지를 들 수 있다. 섬유 강화 수지도 들 수 있다. 고무(가황 고무)도 들 수 있다. 그 외에도, 표면에 폴리머를 함유하는 도막이 마련된 것이어도 된다.
그런데, 아지드 화합물이 가교제인 것은 알려져 있다. 즉, 아지드 화합물을 함유하는 조성물에 자외선 조사가 행해지면, 가교 구조의 폴리머가 얻어진다. 그러나, 폴리머 표면에 아지드 화합물이 존재하고 있는 상황하(혼합되어 있지 않은 상황)에 있어서, 자외선이 조사되었을 경우, 아지드기가 폴리머(폴리머 표면의 분자쇄)와 화학 결합할 것인가의 여부는 알려지지 않았다.
본 발명자에 의해 다음 실험이 시도되었다. 폴리머 표면에, 상기 화합물(α)(특히, 일반식[I], [Io], [Ia], [Ib]로 표시되는 화합물)이 마련되었다. 이 후, 광이 조사되었다. 이 결과, 아지드기와 폴리머(폴리머 표면의 분자쇄)와의 사이에서 화학 반응이 일어났다. 즉, 화학 결합이, 상기 화합물(α)과 상기 폴리머의 사이에서 일어났다. 그리고, 알콕시실릴기가 폴리머 표면에 존재하는 것을 알 수 있었다. 이것은, 종래에서는 상상할 수 없는 것이었다. 그리고, 알콕시실릴기로 표면 개질된 기체A가, 상기 일반식[Ⅱ], [T], [Ⅲ], [Ⅳ]으로 표시되는 화합물이나 실란 커플링제로 처리되었다. 이에 따라, 접착성이 더욱 향상했다.
이하, 상기와는 다른 시점에서 본 발명이 설명된다.
[화합물α(접착성 향상제(접착제):분자 접착제)]
상기 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 접착성 향상제(상기 화합물(α))은, 분자 접착제로 표현된다.
상기 화합물(α)은, 알콕시실릴기와 아지드기를 갖는다. 또한 트리아진환을 갖는다. 아지드기는, 바람직하게는, 트리아진환(C원자)에, 직접, 결합하고 있다. 트리아진환에 결합하고 있는 아지드기의 수는, 예를 들면 1개 또는 2개이다. OH기 또는 OH 생성기(예를 들면, 알콕시실릴기)는, 바람직하게는, 스페이서(예를 들면, 아미노기, 옥시기 및/또는 탄화수소기)를 개재하여, 간접적으로, 트리아진환(C원자)에 결합하고 있다. 간접적으로 결합하고 있는 알콕시실릴기는, 1개 또는 2개 이상이다.
트리아진환(전자 국재화 공액계 골격)에 결합한 아지드기는, 니트렌으로의 분해 에너지가 높은 것을 알 수 있었다. 따라서, 근자외선, 가시광에 의한 영향이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 자외선 노광의 작업성이 개선된다. 트리아진환에 결합한 니트렌은, 그렇지 않은 니트렌에 비해, 안정한 것을 알 수 있었다. 니트렌끼리의 결합이 억제되는 것을 알 수 있었다. C-H 결합에 대한 수소 인발(引拔) 활성이나 불포화 결합에 대한 부가 활성이 증강하는 것도 알 수 있었다. 즉, 적은 노광량으로 효과적인 반응이 가능한 것을 알 수 있었다.
상기 알콕시실릴기는, 트리아진환(전자 국재화 공액계 골격)에 대하여, 스페이서(예를 들면, 아미노기, 옥시기 및/또는 탄화수소기)를 개재하여 결합하고 있다. 이 때문에, 상기 화합물(α)이 폴리머 표면에 결합했을 경우, 여러 재료와의 접촉에 있어서, 화학 결합을 생성하기 위한 엔트로피 효과가 높아진다. 엔트로피 효과의 향상은, 폴리머(상기 기체A)와 여러 재료(상기 기체B)와의 접촉 후, 계면 반응에 있어서의 빈도 인자항을 증대시킨다. 이 결과, 계면 반응의 기회가 늘어난다. 상기 스페이서의 길이는 계면 반응에 있어서의 빈도 인자의 증대에 반영된다. 그리고, 스페이서의 길이가 너무 길면, 비용이 높아진다. 또한, 분자 접착제의 흡착량의 감소가 생긴다. 따라서, 적당한 길이의 스페이서가 바람직하다. 이러한 관점에서, 상기 일반식[Io], [Ia], [Ib]로 표시되는 화합물이 바람직했다.
계면 반응에 있어서의 빈도 인자항의 증대의 관점에서, 1분자 중에 존재하는 알콕시실릴기나 아지드기의 수는 많은 편이 바람직하다. 그러나, 비용 등의 관점에서, 그 수에도 제약이 있다. 즉, 상기 일반식[Io], [Ia], [Ib]로 표시되는 화합물이 바람직했다.
상기 일반식[Io], [Ia], [Ib]에 있어서의 알콕시실릴기는, 대부분의 경우, OH 생성기(OH 전구체)이다. OH 생성기를 OH기로 변성하기 위해서, 예를 들면 물(중성수, 산성수, 알카리수)로 처리된다. 그 외에도, 코로나 방전 처리나 플라스마 처리가 고려된다. 단, 수처리가 바람직하다.
화합물(α)은, 하기 반응식에 따라 합성되었다.
Figure 112013016709247-pct00008
히드록시기를 갖는 아미노 화합물(예를 들면, 아미노알코올)의 아세톤(혹은, 알코올(예를 들면, 메탄올 또는 에탄올 등)) 용액이, 교반하에 있어서, 염화시아누르의 아세톤 용액에 적하되었다. 이때의 온도는 0∼10℃이다. 이 후, NaOH 수용액이 적하되었다. 이에 따라 RDC가 얻어졌다. 이 RDC의 디메틸포름아미드(DMF)(혹은, 알코올) 용액에, NaN3의 DMF 수용액이 적하되었다. 이때의 온도는 40∼60℃이다. 이에 따라, DAZ가 얻어졌다.
Figure 112013016709247-pct00009
히드록시기를 갖는 아미노 화합물(예를 들면, 알콕시실릴알킬아민)의 테트라히드로퓨란(THF)(혹은, 알코올(예를 들면, 메탄올 또는 에탄올 등)) 용액이, 교반하에 있어서, 염화시아누르의 THF(혹은, 알코올(예를 들면, 메탄올 또는 에탄올 등)) 용액에 적하되었다. 이때의 온도는 0∼50℃이다. 이 후, NaOH 수용액이 적하되었다. 이에 따라 RMC가 얻어졌다. 이 RMC의 DMF(혹은, 알코올) 용액에, NaN3의 DMF(혹은, 알코올) 수용액이 적하되었다. 이때의 온도는 50∼70℃이다. 이에 따라, MAZ가 얻어졌다.
Figure 112013016709247-pct00010
NaN3 수용액이, 교반하에 있어서, 염화시아누르의 아세톤(혹은, 알코올(예를 들면, 메탄올 또는 에탄올 등)) 용액에 적하되었다. 이때의 온도는 0∼5℃이다. 이에 따라 ADC가 얻어졌다. 이 ADC의 아세톤(혹은, 알코올) 용액에 히드록시기를 갖는 아미노 화합물의 용액이 적하되었다. 이때의 온도는 40∼60℃이다. 이에 따라 MAZ가 얻어졌다.
Figure 112013016709247-pct00011
NaN3 수용액이, 교반하에 있어서, 염화시아누르의 아세톤(혹은, 알코올(예를 들면, 메탄올 또는 에탄올 등)) 용액에 적하되었다. 이때의 온도는 0∼60℃이다. 이에 따라 AMC가 얻어졌다. 이 AMC의 아세톤(혹은, 알코올) 용액에 히드록시기를 갖는 아미노 화합물의 용액이 적하되었다. 이때의 온도는 0∼10℃이다. 이에 따라, DAZ가 얻어졌다.
본 발명의 분자 접착제(화합물α)는, 알콕시실릴기 및 아지드기를 갖는 트리아진계의 화합물이다. 이러한 화합물은, 바람직하게는, 상기 일반식[I], [Io], [Ia], [Ib]로 표시되는 화합물이다. 이 종류의 화합물로서, 예를 들면 6-아지드-2,4-비스(에탄올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(헥산올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(데칸올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3,4-비스히드록시페닐)아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(2,2-디히드록시메틸)에틸아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(트리스메탄올메틸)메틸아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-(1,2-디히드록시프로필)아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리에톡시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진(TE-MAZ), 6-아지드-2,4-비스(3-메틸에틸케톡시미노실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-메틸에틸케톡시미노실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리아세톡시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리벤즈옥시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(디에탄올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(디헥산올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(디데칸올아미노)-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(6-트리에톡시실릴헥실)아미노-1,3,5-트리아진, 6-아지드-2,4-비스(10-트리에톡시실릴도데실)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(N,N-디에탄올)아미노-1,3,5-트리아진(DEA-DAZ), 2,4-디아지드-6-(N,N-디데칸올)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3,4-비스히드록시페닐)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(2,2-디히드록시메틸)에틸아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(트리스메탄올메틸)메틸아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(1,2-디히드록시프로필)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진(TE-DAZ), 2,4-디아지드-6-비스(3-메틸에틸케톡시미노실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-비스(3-메틸에틸케톡시미노실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리아세톡시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리이소프로폭시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(3-트리벤즈옥시실릴)프로필아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-비스(디히드록시에틸)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(N,N-디헥산올)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(N,N-디데칸올)아미노-1,3,5-트리아진, 2,4-디아지드-6-(N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진(BTE-DAZ), 2,4-디아지드-6-(N,N-비스(6-트리에톡시실릴헥실)아미노-1,3,5-트리아진, 6-(11-트리에톡시실릴운데실)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(TEU-DAZ), 6-(3-디에톡시메틸실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(DEM-DAZ), 6-(4-트리에톡시실릴부틸)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(TEB-DAZ) 등을 들 수 있다.
[기체A(폴리머)]
기체A는 폴리머(수지)로 구성된다. 상기 폴리머는, 예를 들면 C-H 결합 또는 Si-O 결합을 갖는다. 특히, C-H 결합을 갖는다. 상기 폴리머는, 경화성 수지(예를 들면, 열경화성 수지, 광경화성 수지, 전자선 경화성 수지)이다. 또는, 열가소성 수지이다. 혹은, 섬유 강화 수지이다. 혹은, 가황 고무나 미가황 고무이다. 그 외에도, 폴리머(바인더 수지)를 함유하는 도막이 표면에 마련된 것이어도 된다. 상기 폴리머는 이차원 선상 구조이다. 또는, 삼차원 망목 구조이다. 기체A의 형상은 용도에 따라 결정된다. 예를 들면, 필름상, 시트상, 판상, 기둥상, 봉상, 틀상(frame shape), 상자상, 섬유상, 사상(絲狀), 포상(布狀), 부직포상, 발포체상과 같은 형상이다.
상기 폴리머 등의 구체예로서는, 예를 들면 셀룰로오스 및 그 유도체, 히드록시에틸셀룰로오스, 전분, 2아세트산셀룰로오스, 표면 비누화 아세트산비닐 수지, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 석유 수지, 폴리스티렌, 신디오택틱-폴리스티렌, 스티렌 공중합체, 크로만-인덴 수지, 테르펜 수지, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 아크릴니트릴-부타디엔-스티렌 공중합 수지, 폴리아크릴산메틸, 폴리아크릴산에틸, 폴리아크릴니트릴, 폴리아크릴산메틸, 폴리메타크릴산메틸, 폴리메타크릴산에틸, 폴리시아노아크릴레이트, 폴리아세트산비닐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 수지, 폴리비닐알코올, 폴리비닐포르말, 폴리비닐아세탈, 아세트산비닐 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴-에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴-프로필렌 공중합체, 폴리1,4-트랜스폴리부타디엔, 폴리1,2-트랜스폴리부타디엔, 폴리옥시메틸렌, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 페놀-포르말린 수지, 크레졸-포르말린 수지, 레조르신 수지, 멜라민 수지, 자일렌 수지, 톨루엔 수지, 글리프탈 수지, 변성 글리프탈 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르아크릴레이트, 알릴에스테르 수지, 폴리카보네이트, 6-나일론, 6',6-나일론, 6',10-나일론, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈티아졸, 폴리아미드이미드, 규소 수지, 부가 경화형 실리콘 고무, 중합 경화형 실리콘 고무, 축합 경화형 실리콘 고무, 부가 경화형 실리콘 수지, 퓨란 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리디메틸페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌옥사이드 또는 폴리디메틸페닐렌옥사이드와 트리알릴이소시아누레이트의 블렌드 폴리머(폴리머 얼로이), 폴리페닐렌옥사이드 또는 폴리디메틸페닐렌옥사이드와 트리알릴이소시아누르산퍼옥사이드의 블렌드 폴리머(폴리머 얼로이), 폴리자일렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리시클로올레핀, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 액정 수지(LCP), 천연 고무, 1,4-시스부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 폴리클로로프렌, 스티렌-부타디엔 공중합 고무, 수소 첨가 스티렌-부타디엔 공중합 고무, 아크릴니트릴-부타디엔 공중합 고무, 수소 첨가 아크릴니트릴-부타디엔 공중합 고무, 폴리부텐 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 에틸렌-프로필렌 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔 고무, 에틸렌옥사이드-에피클로로히드린 공중합체 고무, 염소화 폴리에틸렌 고무, 클로로설폰화 폴리에틸렌 고무, 알킬화 클로로설폰화 폴리에틸렌 고무, 클로로프렌 고무, 염소화 아크릴 고무, 브롬화 아크릴 고무, 불소 고무, 에피클로로히드린 공중합 고무, 염소화 에틸렌-프로필렌 고무, 염소화 부틸 고무, 브롬화 부틸 고무, 테트라플로로에틸렌, 헥사플로로프로필렌, 불화비닐리덴 및 테트라플루오로에틸렌 등의 단독 중합체 고무 및 이들의 이원 및 삼원 공중합체 고무, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합 고무, 프로필렌-테트라플루오로에틸렌 공중합 고무, 에틸렌아크릴 고무, 퍼옥사이드형 실리콘 고무, 부가형 실리콘 고무, 축합형 실리콘 고무, 에폭시 고무, 우레탄 고무, 양말단 불포화기 엘라스토머 등을 들 수 있다.
상기 기체A(폴리머)는, 필요에 따라, 각종의 첨가제(예를 들면, 가교제, 가교 촉진제, 가교 조제, 라디칼 개시제, 양이온 개시제, 광중합 개시제, 스코치 방지제(scorch retarder), 안정제, 노화 방지제, 자외선 방지제, 충전제, 보강제, 가소제, 연화제, 착색제, 점도 조정제 등)를 포함한다.
상기 삼차원 망목 구조의 폴리머는, 예를 들면 상기 이차원 선상 폴리머에 가교제(또한, 가교 촉진제나 가교 조제)를 첨가한 조성물에 대하여, 가열 또는 광조사를 행함으로써 얻어진다. 혹은, 소정의 모노머(예를 들면, 비닐기, 아크릴레이트기, 메타아크릴레이트기, 에폭시기, 이소시아나토기 또는 옥세탄기를, 1분자 중에 1개 또는 2개 이상 갖는 저분자 모노머)에 가교제(또한, 가교 촉진제나 가교 조제)를 첨가한 조성물에 대하여, 가열 또는 광조사를 행함으로써 얻어진다.
상기 모노머로서는, 예를 들면 우레탄아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 에스테르아크릴레이트계, 아크릴레이트계, 에폭시계, 비닐에테르계의 모노머를 들 수 있다. 구체적으로는, 아크릴레이트류(예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산과의 부가 반응에 의해 얻어진 에폭시(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트와 디올과 디이소시아네이트의 반응에 의해 얻어진 폴리우레탄(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산과 폴리카르복시산과 폴리올의 반응에 의해 얻어진 폴리에스테르(메타)아크릴레이트폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 폴리올아크릴레이트)나, 메타크릴레이트류(예를 들면, 폴리에스테르메타크릴레이트, 우레탄메타크릴레이트, 에폭시메타크릴레이트, 폴리에테르메타크릴레이트, 폴리올메타크릴레이트)를 들 수 있다. 그 외에도, n-알킬아크릴레이트, i-프로필아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, β-히드록시에틸아크릴레이트, 디에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, β-히드록시프로필아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디알킬아미노에틸아크릴레이트, 2-시아노에틸아크릴레이트, β-에톡시에틸아크릴레이트, 아릴아크릴레이트, 벤조일옥시에틸아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴알코올과 ε-카프로락톤의 부가물 아크릴레이트, i-보로닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 아세탈글리콜디아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜과 ε-카프로락톤의 부가물 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판·폴리에톡시레이트·트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판·폴리프로폭시레이트·트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨과 ε-카프로락톤의 부가물 헥사아크릴레이트, 아크릴옥시에틸포스페이트, 플로로알킬아크릴레이트, 설포프로필아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, i-프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, i-옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 2-디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 2-t-부틸아미노에틸메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 노닐페닐메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 보르닐메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 디프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 글리세롤메타크릴레이트, 메타크릴옥시에틸포스페이트, 비스·메타크릴옥시에틸포스페이트, 아론옥세탄, 디[1-에틸(3-옥세타닐)]메틸에테르, 3-에틸-3-(헥실옥시메틸)옥세탄, 자일릴렌디옥세탄, 페닐옥세탄, 옥세타닐실세스퀴옥산, 3-에틸-3-(헵틸옥시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-(2-에틸헥실옥시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-(옥틸옥시메틸)옥세탄, 3-에틸-3-(도데실옥시메틸)옥세탄, 비스페놀 A형 에폭시 모노머, 비스페놀 F형 에폭시 모노머, 노볼락형 에폭시 모노머, 톨루엔디이소시아네이트 등도 들 수 있다.
상기 중합 개시제, 가교제, 가교 촉진제나 가교 조제에는, 각종의 것이 사용된다. 예를 들면, 퍼옥사이드류, 양이온 중합 개시제, 광중합 개시제, 황, 황계 가교 촉진제, 폴리올계 가교제, 폴리아민계 가교제, 폴리티올계 가교제, 아크릴레이트계 가교 조제, 메타크릴레이트계 가교 조제, 알릴계 가교 조제 등이다. 구체적으로는, 예를 들면 아조비스이소부티로니트릴, 벤조페논, 미힐러케톤, 벤조인이소프로필에테르, 클로로티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디에틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸페닐프로판을 들 수 있다. 아세토페논 유도체 화합물(예를 들면, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논)도 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물(예를 들면, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르)도 들 수 있다. 벤질디메틸케탈 등의 케탈 유도체 화합물도 들 수 있다. 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥사이드, 아실포스포네이트, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 페닐디메틸설포늄클로리드, 트리알릴설포늄헥사플루오로포스페이트도 들 수 있다. 트리아진디티올계 가교제, 수지 가교제, 폴리올 가교제, H말단 실록산계 가교제, 실라놀 축합계 가교제도 들 수 있다. 디벤조티아조일디설피드, 4-모르폴리노디티오벤조티아졸, N-시클로헥실-2-벤조티아조일설펜아미드, N-t-부틸-2-벤조티아조일설펜아미드, N-옥시디에틸렌-2-벤조티아조일설펜아미드, N-디이소프로필-2-벤조티아조일설펜아미드, N-디시클로헥실-2-벤조티아조일설펜아미드, 테트라메틸티우람디설피드, 테트라에틸티우람디설피드, 테트라부틸티우람디설피드, 테트라옥틸티우람디설피드, 아민류, 헥사메틸렌테트라민, 자리겐, 제4급 암모늄염, 포스포늄염, 디알킬주석 유기산염, 티타네이트, 폴리에틸렌글리콜, 염화백금산, 산화아연, 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화바륨, 산화알루미늄, 수산화칼슘, 산화주석, 산화철, 수산화칼슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 지방산나트륨, 옥틸산칼슘, 이소옥틸산칼륨, 칼륨부톡사이드, 옥틸산세슘, 이소스테아르산칼륨, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 헥산디올, 시클로헥산디올, 도데칸디올, 헥사메틸렌디아민, 도데칸디아민, 말단 디아미노폴리에틸렌글리콜, 말단 디아미노폴리프로필렌글리콜, 벤젠디티올, 헥산디티올, 1,10-데칸디티올, 1,12-도데칸디티올, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타아크릴레이트, 디알릴에테르, 트리알릴이소시아누레이트, 트리알릴시아누레이트도 들 수 있다.
고분자 재료인 이차원 선상 구조 폴리머(열가소성 수지, 미가교 고무)와 삼차원 망목 구조의 폴리머(열경화성 수지, 가교 고무)제의 기체A는, 100중량부의 이차원 선상 구조의 폴리머(또는, 모노머)에, 가교제 미첨가(이차원 선상 구조 폴리머, 열가소성 수지)이거나, 또는 0.1∼20중량부의 가교제, 0.1∼20중량부의 가교 촉진제, 및 0.1∼20중량부의 가교 조제를 첨가한 조성물을, 온도는 20∼350℃, 가공 시간은 0.1초∼200분의 조건에서, 롤 시팅 가공, 캘린더 롤 가공, 프레스 가공, 압출 가공, 또는 사출 성형 가공함으로써 얻어진다. 단, 가공기의 특성에 의해, 가교제 등의 첨가량, 가공 온도, 가공 시간은 다르다.
기체A가 광경화 수지로 구성되는 경우에는, UV 장치(예를 들면, 고압 수은 UV 램프, 저압 수은 UV 램프, 형광식 UV 램프(쇼트 ARC 크세논 램프, 케미컬 램프), 메탈 할라이드 램프)가 사용되고, 200∼450㎚의 자외선이, 원하는 환경하(예를 들면, 대기하, 질소 분위기하, 아르곤 분위기하, 혹은 감압하)에서 조사함으로써 얻어진다.
가황 고무는, 유리전이 온도가 -20℃ 이하의 선상 중합체의 군 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 엘라스토머와, 첨가제(예를 들면, 가교제, 가교 촉진제 등)를 포함하는 조성물을, 0.1∼1200분 사이, 0∼300℃의 온도로 유지함으로써 얻어진다. 부가형 실리콘 고무나 축합형 실리콘 고무 등은 저온에서 장시간 가열하여 얻어지는 경우가 있다. 온도는, 일반적으로는, 60∼180℃의 경우가 많다.
상기 기체A에는, 필요에 따라, 각종의 충전제나 보강제가, 적의한 양, 함유된다. 예를 들면, 필요에 따라, 각종의 카본 블랙, 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 카올린, 유리, 습식 실리카, 건식 실리카가 포함된다. 필요에 따라, 레이온, 나일론, 폴리에스테르, 비닐론, 스틸, 케블라(Kevlar), 탄소 섬유, 유리 섬유, 천이 포함된다. 필요에 따라, 금속 입자(구리, 니켈, 은, 금, 주석 등)가 포함된다. 필요에 따라, 카본 입자가 포함된다. 필요에 따라, 도전성 재료가 포함된다. 필요에 따라, 알루미나, 질화규소, 질화알루미나, 탄화규소, 다이아몬드 등의 전열재가 포함된다. 함유량은, 폴리머 100중량부에 대하여, 200중량부 이하이다. 일반적으로는, 100중량부 이하이다.
상기 기체A에는, 필요에 따라, 안정제가, 적의한 양, 함유된다. 안정제는, 예를 들면 노화 방지제 혹은 자외선 흡수제이다. 예를 들면, 폴리(2,2,4-트리메틸-1,2-디히드로퀴놀린), 6-에톡시-1,2-디히드로-2,2,4-트리메틸퀴놀린 등의 아민·케톤계 축합물이다. 옥틸디페닐아민, 4,4-비스(α,α-디메틸벤질)디페닐아민, N,N-디페닐-p-페닐렌디아민, N-페닐-N'-이소프로필-p-페닐렌디아민, N-페닐-N'-이소프로필-1,3-디메틸부틸-p-페닐렌디아민 등의 방향족 제2급 아민 화합물이다. 스티렌화 페놀, 2,6-디-t-부틸-4-페놀, 2-t-부틸-6-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트, 2,2-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4-티오비스(3-메틸-6-t-부틸페놀) 2,5-디-t-부틸히드로퀴논 등의 모노 또는 비스페놀계 화합물이다. 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-Zn메르캅토벤조이미다졸, 니켈디메틸디티오카바메이트, 1,3-비스(디메틸아미노프로필)티오우레아, 디라우릴-3,3-티오디프로피오네이트, 트리스(노닐화 페닐)포스파이트 등의 황계 또는 인계 화합물이다. 함유량은, 폴리머 100중량부에 대하여, 30중량부 이하이다. 일반적으로는, 0.5∼5중량부이다.
상기 기체A에는, 필요에 따라, 다음 화합물이, 적의한 양, 함유된다. 예를 들면, 파라메톡시신남산2에틸헥실(옥틸), 파라디메틸아미노벤조산2에틸헥실(옥틸), 옥시벤존(벤조페논3), 살리실산2에틸헥실(옥틸), 4-tert-부틸-4-메톡시벤조일메탄, 벤조에이트계 안정제, 힌더드아민계 광안정제 등의 자외선 흡수재이다. 함유량은, 폴리머 100중량부에 대하여, 10중량부 이하이다. 일반적으로는, 0.1∼2중량부이다.
상기 기체A에는, 필요에 따라, 연화제, 가소제, 가공 조제, 점도 조정제, 착색제가, 적의한 양, 함유된다.
[기체B]
상기 기체A(폴리머)와 접합(접착 : 화학 결합에 의한 접착)되는 기체B는, 금속, 혹은 세라믹스, 또는 유기 재료로 구성된다.
상기 금속에는 각별한 제한은 없다. 예를 들면, 단일 금속 또는 합금이다. 예를 들면, Be, Mg, Ca, St, Ba, Ra, Sc, It, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, 로듐, Ir, Ni, 팔라듐, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Al, Ge, Sn, Pb, An, Bi, 네오디뮴 등을 들 수 있다. 철 합금, 구리 합금, 알루미늄 합금, 마그네슘 합금, 아연 합금, 주석 합금, 니켈 합금, 금 합금, 은 합금, 백금 합금, 팔라듐 합금, 납 합금, 티타늄 합금, 카드뮴 합금, 지르코늄 합금, 코발트 합금, 크롬 합금, 몰리브덴 합금, 텅스텐 합금, 망간 합금, 페라이트계 스테인리스, 마르텐사이트계 스테인리스, 오스테나이트계 스테인리스(austenite-based stainless steel), 석출 강화형 스테인리스, 니켈-티타늄 합금, 철-망간-티타늄 합금, 초탄성 합금(니켈-티타늄 합금) 등을 들 수 있다. 그 외, 기능성 금속, 아모퍼스 금속, 섬유 강화 금속, 형상기억 합금, 초탄성 합금이어도 된다. 형상은, 기체A와 같아도 달라도 된다.
상기 세라믹스에도 각별한 제한은 없다. 세라믹스로서는, 예를 들면 상기 금속류의 산화물, 도자기, 유리, 시멘트, 석고 등을 들 수 있다. 법랑 등이어도 된다. 다이아몬드계의 것이어도 된다. 알루미나, 뮬라이트, 지르코니아, 산화아연 등의 금속 산화물이어도 된다. 하이드록시아파타이트 등의 수산화물이어도 된다. 탄화규소 등의 탄화물이어도 된다. 탄산염계의 것이어도 된다. 질화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등의 질화물계의 것이어도 된다. 형석과 같은 할로겐화물계의 것이어도 된다. 아파타이트 등의 인산염계의 것이어도 된다. 티탄산바륨이나 티탄산지르콘산납 등이어도 된다. 페라이트, 스테아타이트, 포스테라이트, 코디어라이트, 사이알론, 지르콘 등이어도 된다. 그 외, 고온 초전도 세라믹스, 머시너블 세라믹스 등이어도 된다. 탄소 섬유, 유기 섬유, 금속 섬유, 유리 섬유 등의 섬유 강화 세라믹스여도 된다. 형상은, 상기 기체A와 같아도 달라도 된다.
상기 유기 재료에도 각별한 제한은 없다. 본 유기 재료에는, 상기 기체A의 구성 재료와 동종의 것이 사용된다. 물론, 그 외의 유기 재료여도 된다. 형상은, 상기 기체A와 같아도 달라도 된다.
[기체A의 표면 처리(개질 처리:접착 처리)]
우선, 상기 접착성 향상제(상기 화합물(α):분자 접착제)가 용해한 용액, 또는 분산액이 준비된다. 사용되는 용매로서는, 물, 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 셀로솔브, 카르비톨), 케톤(예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온), 방향족 탄화수소(예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 자일렌), 지방족 탄화수소(예를 들면, 헥산, 옥탄, 데칸, 도데칸, 옥타데칸), 에스테르(예를 들면, 아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프탈산메틸), 에테르(예를 들면, 테트라히드로퓨란, 에틸부틸에테르, 아니솔) 등이다. 상기 화합물의 혼합물이어도 된다. 상기 화합물(α)의 함유량은 0.0001∼10wt%이다. 특히 바람직하게는 0.001∼2wt%이다. 이것은, 상기 화합물(α)의 함유량이 너무 적으면, 효과가 떨어지기 때문이다. 반대로, 기체A와의 반응량은 한정되어 있어, 너무 많아도, 의미가 적다. 이러한 관점에서, 상기의 비율이 바람직했다.
상기 용액(분산액) 중에는, 필요에 따라, 표면 장력의 조정의 관점에서, 계면 활성제가 첨가된다. 예를 들면, 비이온계 계면 활성제(예를 들면, 장쇄 알킬쇄와 폴리에틸렌글리콜로 이루어지는 비이온계 계면 활성제), 양이온계 계면 활성제(예를 들면, 제4급 암모늄염), 또는 음이온계 계면 활성제(예를 들면, 유기 카르복시산염, 설폰산염)가 사용된다.
상기 용액(분산액) 중에 기체A가 침지된다. 또는, 상기 용액(분산액)이 기체A에 분무된다. 이에 따라, 상기 접착성 향상제(상기 화합물(α):분자 접착제)가 기체A 표면에 부착된다.
이 후, 광(자외선)이 조사된다. 특히, 상기 기체A에 상기 화합물(α)을 결합시키고 싶은 개소에만 광은 조사된다. 이를 위해서는, 적의한 패턴의 마스크가 사용된다. 상기 자외선 조사에 의해, 상기 화합물(α)의 아지드기가 분해한다. 아지드기의 분해에 의해, 니트렌이 생성한다. 이 니트렌이 상기 기체A 표면의 관능기(예를 들면, -CH3, -CH2-, -CH<, -CH=CH-)를 공격한다. 그리고, 수소 인발 라디칼 부가 혹은 라디칼 부가 반응이 일어나고, 상기 화합물(α)과 기체A 표면 사이에서 화학 결합이 생긴다. 미조사 개소에서는, 화학 결합이 일어나지 않는다.
자외선 조사에는, UV 장치(예를 들면, 고압 수은 UV 램프, 저압 수은 UV 램프, 형광식 UV 램프(쇼트 ARC 크세논 램프, 케미컬 램프), 메탈 할라이드 램프)가 사용된다. 그리고, 200∼450㎚의 자외선이 조사된다. 조사 광량이 너무 적으면, 반응이 진행되기 어렵다. 반대로, 조사 광량이 너무 많으면, 기체A의 열화의 우려가 있다. 따라서, 바람직한 조사 광량(광원 파장 : 254㎚)은 1mJ/㎡∼5J/㎡이다. 보다 바람직하게는, 5mJ/㎡∼1J/㎡이다.
기체A가 복잡한 형상인 경우에 있어서, UV를 기체A에 균일하게 조사하기 위해서는, 반사판의 사용이 유효하다. 반사판으로서는, 예를 들면 거울, 표면 연마된 금속박, Al 경면박, SUS 경면박, 은도금 경면판 등을 들 수 있다. 반사판의 형상, 치수, 재질 등은, 반사 효율의 관점에서, 적의, 선택된다.
상기 자외선 조사 후의 기체A가 물로 처리된다. 예를 들면, 수중에 침지된다. 물은, 바람직하게는, 산성 수용액 혹은 알칼리성 수용액이다. 예를 들면, 0.1∼60분(바람직하게는, 1∼20분)간에 걸쳐, 기체A가, 0.0001∼10%(바람직하게는, 0.01∼5%)의 산성 수용액에 침지된다. 이에 따라, 알콕시실릴기가 히드록시실릴기로 변성한다. 상기의 수치 조건은, 히드록시실릴기가 알콕시실릴기로부터의 변성 효율의 관점에서이다.
상기 화합물(α)의 사용에 더해서, 상기 일반식[Ⅱ]의 폴리머의 병용은 바람직하다. 즉, 상기 일반식[Ⅱ]의 폴리머의 병용에 의해, 기체A 표면에 존재하는 -OH의 수가 증가한다. 즉, 상기 일반식[Ⅱ]의 알콕시기 함유 폴리머가 사용됨으로써, 기체A 표면에 존재하는 -OH의 수가 증가한다.
상기 알콕시기 함유 폴리머에 의한 처리는, 상기 화합물(α)에 의한 처리와 같이 행해진다. 즉, 상기 일반식[Ⅱ]의 폴리머를 함유하는 용액 혹은 분산액으로 기체A가 처리된다. 상기 처리에 사용되는 용매로서는, 물, 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 셀로솔브, 카르비톨), 케톤(예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온), 방향족 탄화수소(예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 자일렌), 지방족 탄화수소(예를 들면, 헥산, 옥탄, 데칸, 도데칸, 옥타데칸), 에스테르(예를 들면, 아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프탈산메틸), 에테르(예를 들면, 테트라히드로퓨란, 에틸부틸에테르, 아니솔) 등이다. 상기 화합물의 혼합물이어도 된다. 상기 알콕시기 함유 폴리머의 함유량은 0.0001∼10wt%이다. 특히 바람직하게는 0.001∼5wt%이다. 이것은, 상기 폴리머의 함유량이 너무 적으면, 효과가 떨어지기 때문이다. 상기 폴리머에 의한 처리 후, 0∼200℃(바람직하게는, 20∼150℃)에서 0.1∼60분간(1∼20분간) 가열 처리된다.
또한, 상기 화합물(α)의 사용에 더해서, 상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물에 의한 처리도 바람직하다. 즉, 상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물의 병용에 의해, 기체A 표면에 존재하는 -OH의 수가 증가한다. 즉, 상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물이 사용됨으로써, 기체A 표면에 존재하는 -OH의 수가 증가한다. 또한 반응성 관능기가 도입된다.
상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물에 의한 처리는, 상기 화합물(α)에 의한 처리와 같이 행해진다. 즉, 상기 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물을 함유하는 용액 혹은 분산액으로 기체A가 처리된다. 상기 처리에 사용되는 용매로서는, 물, 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 셀로솔브, 카르비톨), 케톤(예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온), 방향족 탄화수소(예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 자일렌), 지방족 탄화수소(예를 들면, 헥산, 옥탄, 데칸, 도데칸, 옥타데칸), 에스테르(예를 들면, 아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프탈산메틸), 에테르(예를 들면, 테트라히드로퓨란, 에틸부틸에테르, 아니솔) 등이다. 상기 화합물의 혼합물이어도 된다. 상기 화합물의 함유량은 0.0001∼10wt%이다. 특히 바람직하게는 0.001∼5wt%이다. 이것은, 상기 화합물의 함유량이 너무 적으면, 효과가 떨어지기 때문이다. 상기 화합물에 의한 처리 후, 0∼200℃(바람직하게는, 20∼150℃)에서 0.1∼60분간(1∼20분간) 가열 처리된다.
본 발명에서는, 예를 들면 일반식[T], [Ⅲ] 또는 [Ⅳ]로 표시되는 화합물(알콕시실릴기를 갖는 커플링제)을 사용할 수 있다. 이에 따라, 각종의 관능기가 기체A 표면에 도입된다. 이 종류의 커플링제로서, 예를 들면 6-알콕시실릴프로필아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올모노나트륨, 6-비스(3-알콕시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올모노나트륨, 6-N-시클로헥실-N-(3-(트리에톡시실릴)프로필아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올모노나트륨, 비닐메톡시실록산 호모폴리머, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설피드, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 6-알콕시실릴프로필아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올, 3-알콕시실릴프로필아민, 비스(3-알콕시실릴프로필)아민, 6-N-시클로헥실-N-3-(트리에톡시실릴)프로필아민, 3-아미노프로필트리에톡시실란, (3-아크릴옥시프로필)트리메톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리에톡시실릴운데카날, 4-아미노부틸트리에톡시실란, m-아미노페닐트리에톡시실란, 11-아미노운데실트리메톡시실란, N-(3-트리에톡시실릴프로필)피롤, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 아미노프로필실란트리올, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-부틸아미노프로필트리메톡시실란, N-트리메톡시실릴프로필트리메틸암모늄클로리드, 비스(트리메톡시실릴프로필)아민, 3-(트리에톡시실릴)프로필숙신산무수물, 6-아지드설포닐헥실트리에톡시실란, 2-(4-클로로설포닐)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)트리메톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 10-(카르보메톡시)데실디메틸메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 7-브로모헵틸트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, (3-트리에톡시실릴)-t-부틸카바메이트, 2-(디페닐포스피노)에틸트리에톡시실란, 디에틸포스페이트에틸트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 5-(비시클로헵티닐)트리에톡시실란, (3-시클로펜타디엔-1일-프로필)트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
이것 등의 커플링제에 의한 처리도, 상기 화합물(α)에 의한 처리나 상기 알콕시기 함유 폴리머에 의한 처리의 경우와 같이 하여 행해진다. 사용되는 용매는, 예를 들면 물, 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 셀로솔브, 카르비톨), 케톤(예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온), 방향족 탄화수소(예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 자일렌), 지방족 탄화수소(예를 들면, 헥산, 옥탄, 데칸, 도데칸, 옥타데칸), 에스테르(예를 들면, 아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프탈산메틸), 에테르(예를 들면, 테트라히드로퓨란, 에틸부틸에테르, 아니솔) 등이다. 상기 커플링제의 함유량은 0.0001∼10wt%이다. 특히 바람직하게는 0.001∼5wt%이다. 이것은, 상기 커플링제의 함유량이 너무 적으면, 효과가 떨어지기 때문이다. 상기 커플링제에 의한 처리 후, 0∼200℃(바람직하게는, 20∼150℃)에서 0.1∼60분간(1∼20분간) 가열 처리된다.
[기체B의 표면 처리(개질 처리:접착 처리)]
기체B의 재료는, 상기한 바와 같이, 금속, 세라믹스, 또는 유기 재료이다.
금속이나 세라믹스는, 기본적으로, OH기를 가지고 있다. 따라서, 각별한 표면 처리를 행하지 않아도, 이 종류의 기체B와 상기 표면 처리가 행해진 기체A는 화학 결합에 의한 접착이 가능하다. 단, 기체B의 표면이 오염되어 있을 경우도 있다. 이러한 경우, 표면의 청정화가 필요하게 된다. 예를 들면, 세정제에 의한 세정 처리, 자외선 조사 처리, 코로나 방전 처리, 또는 플라스마 처리가 행해진다.
상술한 바와 같이, 금속이나 세라믹스의 경우에는, 각별한 처리가 불필요하다. 단, 상기 일반식[Ⅱ], [T], [Ⅲ], [Ⅳ]로 표시되는 화합물에 의한 처리가 행해져도 된다.
유기 재료제의 기체B에는, 바람직하게는, 기체A에 행해진 처리와 같은 처리가 행해진다.
[기체A와 기체B의 접합(접착)]
접착에는, 유동체 접착과, 비유동체 접착이 있다. 유동체 접착에서는, 접착체가 접착 과정에서 유동하여, 접착체와 피착체의 접촉이 행해진다. 비유동체 접착에서는, 접착체가 접착 과정에 있어서 탄성 변형 범위 내에서 변형하여, 접착체와 피착체의 접촉이 행해진다. 어느 경우도, 피착체는, 유동성의 경우와 비유동성의 경우가 있다.
상기 기체A와 상기 기체B의 접착에 있어서는, 어느 쪽을 접착체로 할지에 따라, 이하의 조합의 경우가 생각된다.
(1) 기체A가 접착체(유동체), 기체B가 피착체(금속 또는 세라믹스 등의 비유동체)의 유동체 접착
(2) 기체B가 접착체(유기 재료:유동체), 기체A가 피착체(접착 온도가 유리전이 온도(Tg) 이하)의 유동체 접착
(3) 기체A가 접착체(비유동체), 기체B가 피착체(금속 또는 세라믹스 등의 비유동체)의 비유동체 접착
(4) 기체B가 접착체(유기 재료:비유동체), 기체A가 피착체(접착 온도가 유리전이 온도(Tg) 이하)의 비유동체 접착
상기 (1)의 경우, 기체A(유동성의 접착체)는, 경화 전의 경화성 수지(열경화성 수지, 광경화성 수지), 열가소성 수지, 가교 전 가황 고무, 또는 표면에 마련된 경화 전의 도막이다.
접착 온도가 재료의 유리전이 온도Tg∼융점Tm인 상기 (2)의 경우, 유동성의 기체B는, 경화 전의 경화성 수지(열경화성 수지, 광경화성 수지), 열가소성 수지, 가교 전 가황 고무, 또는 표면에 마련된 경화 전의 도막이다.
유동체 접착은, 유동성의 접착체를, 비유동성의 피착체에, 0∼400℃(바람직하게는, 20∼250℃)에서, 0.1초∼200분(바람직하게는, 1초∼100분)에 걸쳐, 0.01∼50㎫(바람직하게는, 0.1∼5㎫)의 가압하(또는, 0.0099∼0.00001㎩(바람직하게는, 0.009∼0.0001㎩)의 감압하)에서 접촉시킨다. 이 처리에는, 진공 건조기, 진공팩기, 프레스기, 압출기, 사출 성형기, 또는 롤 등이 사용된다. 이에 따라, 기체A와 기체B의 접착 복합체가 얻어졌다. 또, 상기 조건을 벗어났을 경우, 접착(화학 반응:화학 결합)이 불충분할 우려가 있었다.
비유동성의 기체A가 접착체, 기체B가 피착체(금속 또는 세라믹스 등의 비유동체)인 상기 (3)의 경우, 비유동성의 기체A는, 경화 수지(열경화 수지, 광경화 수지), 열가소성 수지, 가황 고무, 또는 경화 도막 등이다.
비유동성의 기체B가 접착체, 비유동성의 기체A가 접착체인 상기 (4)의 경우, 비유동성의 기체A, B는, 경화 수지(열경화 수지, 광경화 수지), 열가소성 수지, 가황 고무, 또는 경화 도막 등이다.
비유동체 접착은, 비유동성의 접착체를, 비유동성의 피착체에, 0∼400℃(바람직하게는, 20∼250℃)에서, 0.1초∼200분(바람직하게는, 1초∼100분)에 걸쳐, 0.01∼50㎫(바람직하게는, 0.1∼5㎫)의 가압하(또는, 0.0099∼0.00001㎩(바람직하게는, 0.009∼0.0001㎩)의 감압하)에서 접촉시킨다. 이 처리에는, 진공 건조기, 진공팩기, 프레스기, 압출기, 사출 성형기, 또는 롤 등이 사용된다. 이에 따라, 기체A와 기체B의 접착 복합체가 얻어졌다. 또, 상기 조건을 벗어났을 경우, 접착(화학 반응:화학 결합)이 불충분할 우려가 있었다.
또, 유동체 접착인지 비유동체 접착인지는, 접착 온도가 유리전이 온도(Tg) 이상인지, Tg∼Tm(융점)의 온도 범위인지가 하나의 기준이다.
이하, 구체적인 실시예를 들어서 설명한다. 그러나, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
(1) 신규 화합물α(-OH 부여제)
[실시예A-1]
0∼5℃하에 있어서, 0.1㏖(18.4g)의 염화시아누르가, 200㎖의 아세톤 수용액에 가해졌다. 이 염화시아누르 용액에, 0.204㏖의 NaN3을 함유하는 수용액 100㎖가, 교반되면서, 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 30분간에 걸쳐서 속행되었다. 이 후, 이 혼합 용액으로부터, 에테르로, 유기층이 추출되었다. 그리고, 여과가 행해졌다. 이 후, 로터리 이베이퍼레이터에 의해, 에테르가 제거되었다. 이어서, 감압 건조에 의해, 조(粗)생성물이 얻어졌다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매; 혼합 용매(클로로포름:헥산=1:2))에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 18.1g(수율; 91.5%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 2,4-디아지드-6-클로로-1,3,5-트리아진(DAMC)이라고 결정되었다. 원소 분석 측정 장치는 퍼킨엘머 모델 2400CHN 분석 장치이다. NMR 측정 장치는 니혼브루커사제 AC400P이다. MS 측정 장치는 JEOL JMS-700이다. 이하에서 사용되는 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, MS 측정 장치는, 상기 장치와 같은 장치이다.
Figure 112013016709247-pct00012
상기 DAMC 9.88g(0.050㏖)이 테트라히드로퓨란(THF) 100㎖에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 DAMC 용액에, 0.050㏖(11.5㎖)의 3-트리에톡시실릴프로필아민과 0.051㏖(7.2㎖)의 트리에틸아민을 함유하는 THF 용액 100㎖가 적하되었다. 그리고, 50℃하에서 120분간의 교반이 행해졌다. 반응 종료 후, 생성한 트리에틸아민염산염이 제거되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 THF가 유거되어, 조생성물이 얻어졌다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매; 클로로포름)에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 백색 분말이었다. 그 양은 18.55g(수율; 97%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(TE-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00013
[실시예A-2]
상기 실시예A-1에 준하여 행해졌다.
즉, 상기 실시예A-1에 있어서, 0.050㏖(11.5㎖)의 3-트리에톡시실릴프로필아민 대신에, 0.050㏖(21.9㎖)의 비스(3-트리에톡시실릴프로필)아민이 사용된 이외는 마찬가지로 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 28.17g(수율; 96%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-비스(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(BTE-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00014
[실시예A-3]
상기 실시예A-1에 준하여 행해졌다.
즉, 상기 실시예A-1에 있어서, 0.102㏖의 NaN3이 사용된 이외는 마찬가지로 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 17.2g(수율; 90%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 2-아지드-4,6-디클로로-1,3,5-트리아진(MADC)이라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00015
상기 MADC 4.35g(0.023㏖)이 테트라히드로퓨란(THF) 50㎖에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 MADC 용액에, 0.048㏖(11㎖)의 3-아미노프로필트리에톡시실란을 함유하는 THF 용액 40㎖가 적하되었다. 이 후, 0.048㏖(6.8㎖)의 트리에틸아민을 함유하는 THF 용액 40㎖가 적하되었다. 적하 종료 후, 반응 용액이 45℃가 될 때까지 승온이 행해졌다. 이 후, 1시간의 교반이 행해졌다. 실온까지의 냉각이 행해졌다. 암모늄염이 석출했으므로, 흡인 여과에 의한 여별이 행해졌다. 여과액이 로터리 이베이퍼레이터에서 농축되었다. 감압 건조에 의해 조생성물이 얻어졌다. 정제가 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매; 혼합 용매(아세트산에틸:헥산=1:2))에 의해 행해졌다. 얻어진 정제물은 무색의 오일상이었다. 그 양은 10.86g(수율; 85%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 2-아지드-4,6-비스(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진(TE-MAZ)이라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00016
(2) 신규 화합물α(-OH 부여제)에 의한 표면 개질
[실시예1∼5]
기체A로서, 40℃의 에탄올 중에서, 초음파 세정(시간 : 10분간)이 행해진 PP(폴리프로필렌)판이 사용되었다.
이 PP판이, 상기 TE-DAZ(농도 0.01∼0.4wt%)의 에탄올 용액(온도; 20℃) 중에 침지(시간; 5분간)되었다. 끌어올린 후, 온풍 건조가 행해졌다. 이어서, 고압 수은 램프(출력 : 2kW 아이그래픽가부시키가이샤제의 EYE MINI GRANTAGE)가 사용되어, 30mJ/㎠의 자외선 조사가 행해졌다. 이 후, 에탄올 중에서 초음파 세정이 행해졌다.
[비교예1]
실시예5에 준하여 행해졌다. 즉, TE-DAZ 대신에, 아지드설폰산헥실트리에톡시실란(TE-ASH)이 사용된 이외는 마찬가지로 행해졌다.
[특성]
상기 실시예1∼실시예5 및 비교예1에 의한 개질 처리의 결과(기판 표면에 있어서의 알콕시실릴기의 유무 : XPS 분석(선광 전자 분광 분석 장치 : 얼박-파이제의 PHI-QunteraSXM))이, 표-1에 나타낸다.
[표-1]
Figure 112013016709247-pct00017
표-1에 있어서, N1s는 트리아진환의 유무를, Si2p는 알콕시실릴기의 유무를 나타낸다. 따라서, N1s, Si2p의 수치가 인정된다는 것은, PP판의 표면에 트리알콕시실릴프로필아미노트리아지닐기의 존재를 나타내고 있다.
실시예1∼실시예5의 비교로부터, TE-DAZ의 농도가 높은 편이 트리알콕시실릴프로필아미노트리아지닐기는 많은 것을 알 수 있다.
또, 트리아진환을 가지지 않는 화합물이 사용되는 경우에는, 이 화합물이 아지드기를 가지고 있어도, 비교예1로부터 알 수 있는 바와 같이, PP판의 표면에 알콕시실릴기가 존재하고 있지 않다. 이것은, 트리아진환을 가지지 않는 아지드 화합물인 TE-ASH가 고농도로 사용되어도, TE-ASH는 PP 표면에 거의 결합하고 있지 않는 것을 나타내고 있다. 즉, 자외선 조사에 의해, 니트렌이 생성해도, 니트렌의 반응 활성이 낮고, 혼합 상태에서는 반응한다고 해도, 표면에 흡착한 정도의 경우에는 반응이 일어나지 않는다고 생각되었다.
[실시예6∼11]
실시예2에 준하여 행해졌다. 단, 본 실시예에서는, PP판이 TE-DAZ의 에탄올 용액 중에 침지되는 대신에, TE-DAZ(농도 : 0.1wt%)의 에탄올 용액이 PP판 상에 분무되는 방법이 채용되었다.
자외선 조사량(노광량)은 10∼200mJ/㎠이다.
[비교예2]
비교예2는 실시예11에 준하여 행해졌다. 단, 본 비교예에서는, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용되었다.
[특성]
상기 실시예6∼실시예11 및 비교예2에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-2에 나타낸다.
[표-2]
Figure 112013016709247-pct00018
표-2로부터, 자외선 조사량이 많은 편이, PP판의 표면에 결합하고 있는 트리알콕시실릴프로필아미노트리아지닐기, 트리아지닐리덴기는 많은 것을 알 수 있다.
또, 광경화 등의 광반응에 사용되는 노광량은 200mJ/㎠ 이상인 것이 일반적이다.
그러나, 본 실시예에 있어서는, 자외선량이 적어도, 수지판과의 사이에서 화학 반응이 일어나 있는 것을 알 수 있다. 이와 관련하여, 1mJ/㎠라고 한 저조사량에서도, TE-DAZ와 수지판 사이의 화학 반응이 일어나 있는 것이 확인되었다.
TE-ASH의 경우에는, 자외선 조사량이 많아도, 화학 반응량이 적다.
[실시예12∼14]
실시예1에 준하여 행해졌다. 단, 본 실시예에서는, TE-DAZ의 농도는 0.5wt% 이하이며, 또한, 자외선 조사량(노광량)은 10∼200mJ/㎠이다.
[비교예3∼5]
비교예3∼5는 실시예12∼14에 준하여 행해졌다. 단, 본 비교예에서는, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용되었다.
[특성]
상기 실시예12∼14 및 비교예3∼5에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-3에 나타낸다.
[표-3]
Figure 112013016709247-pct00019
표-3으로부터, 자외선 조사량이 많은 편이, 또한, TE-DAZ 농도가 높은 편이, PP판의 표면에 결합하고 있는 트리알콕시실릴프로필아미노트리아지닐기, 트리아지닐리덴기는 많은 것을 알 수 있다.
[실시예15∼26]
실시예6에 준하여 행해졌다.
단, 본 실시예에서는, 기체A로서, LD-PE(저밀도 폴리에틸렌)판, PP판, PA-6(6-나일론)판, EP(에폭시 수지)판이 사용되었다. 이것 등의 기판도 실시예1과 같은 초음파 세정이 행해졌다. 또한, TE-DAZ 대신에, 상기 BTE-DAZ, 상기 TE-MAZ 등도 사용되었다. 사용된 용액에 있어서의 TE-DAZ, BTE-DAZ, TE-MAZ의 농도는 0.1wt%이며, 자외선 조사량은 30mJ/㎠이었다.
[비교예6∼9]
비교예6, 7, 8, 9는 실시예15, 18, 21, 24에 준하여 행해졌다. 단, 본 비교예에서는, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용되었다.
[특성]
상기 실시예15∼26 및 비교예6∼9에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-4에 나타낸다.
[표-4]
Figure 112013016709247-pct00020
[실시예27∼44]
실시예15에 준하여 행해졌다.
단, 본 실시예에서는, 기체A로서, HD-PE(고밀도 폴리에틸렌)판, PVC(폴리염화비닐)판, EP판, PSt(폴리스티렌)판, ABS판, PET(폴리에스테르)판, PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)판, PC(폴리카보네이트)판, POM(폴리아세탈)판, PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트)판, PU(폴리우레탄)판, USPE(불포화 폴리에스테르)판, PPE(폴리페닐렌에테르)판, PI(폴리이미드)판, PPS(폴리페닐렌설피드)판, PEEK(폴리에테르케톤)판, LCP(액정 폴리머)판, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)판이 사용되었다.
[비교예10∼15]
비교예10, 11, 12, 13, 14, 15는 실시예27, 30, 32, 34, 39, 43에 준하여 행해졌다. 단, 본 비교예에서는, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용되었다.
[특성]
상기 실시예27∼44 및 비교예10∼15에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-5에 나타낸다.
[표-5]
Figure 112013016709247-pct00021
[실시예45∼53]
실시예15에 준하여 행해졌다.
단, 본 실시예에서는, 기체A로서, NR(천연 고무)판, IR(이소프렌 고무)판, BR(부타디엔 고무)판, NBR(니트릴부타디엔 고무)판, SBR(스티렌부타디엔 고무)판, FKM(불소 고무)판, SBS(스티렌부타디엔스티렌 블록 코폴리머 고무)판, Q(실리콘 고무)판, EPDM(에틸렌프로필렌디엔 고무)판이 사용되었다.
[비교예16∼18]
비교예16, 17, 18은 실시예48, 50, 53에 준하여 행해졌다. 단, 본 비교예에서는, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용되었다.
[특성]
상기 실시예45∼53 및 비교예16∼18에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-6에 나타낸다.
[표-6]
Figure 112013016709247-pct00022
표-4, -5, -6으로부터, 수지의 종류에 따르지 않고, 본 발명의 화합물은 개질 효과가 있는 것을 알 수 있다.
[실시예54∼59]
실시예1에 준하여 행해졌다.
단, 본 실시예에서는, 기체A로서, NBR판, PP판이 사용되었다.
실시예54, 57에서는, 실시예1에 있어서의 자외선 조사, 초음파 세정 후, 또한 0.5wt%의 PDES(폴리디에톡시실록산) 용액 중에 있어서의 침지, 가열 처리(80℃에서 10분간)가 행해졌다.
실시예55, 58은, 실시예54, 57에 있어서의 PDES 대신에, 0.1wt%의 TES(6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올) 용액이 사용된 이외는, 마찬가지로 행해졌다. 단, TE-DAZ의 농도는 0.1wt%이었다. 가열 온도는 120℃이었다.
실시예56, 59는, 실시예54, 57에 있어서의 PDES 용액 중에 있어서의 침지 후, 또한 0.1wt%의 TES 용액 중에 있어서의 침지가 행해진 이외는, 마찬가지로 행해졌다. 단, 가열 온도는 120℃이었다.
[특성]
상기 실시예54∼59에 의한 개질 처리의 결과(XPS 분석)를, 표-7에 나타낸다.
[표-7]
Figure 112013016709247-pct00023
표-7로부터, TE-DAZ에 의한 개질 처리의 특징 외에도, PDES나 TES에 의한 개질 처리의 특징(PDES의 결합 반응, TES의 결합 반응)을 알 수 있다.
(3) 신규 화합물α(-OH 부여제)에 의한 접합(접착:분자 접착)
[실시예61∼72]
기체A로서 에폭시 수지 미경화 시트가 사용되었다.
이 에폭시 수지 미경화 시트는 다음과 같이 하여 얻어졌다. 52중량부의 에피코트828(미쓰비시가가쿠제의 비스페놀 A형 에폭시 수지)과, 14중량부의 에피코트1001(미쓰비시가가쿠제의 비스페놀 A형 에폭시 수지)과, 34중량부의 폴리아미드아민(경화제)과, 20중량부의 클레이(충전재)가, 밴버리 믹서로 혼련되었다. 그리고, 소형 2본롤로 1㎜ 두께의 시트가 얻어졌다.
0.05wt%의 TE-DAZ 에탄올 용액이 상기 시트에 분사되었다. 이 후, 자외선 조사(25mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, Al판, SUS304판, 유리(G)판, 알루미나(Al2O3)판이 준비되었다. 이것 등의 금속판이나 세라믹판은, 표면 연마 후, 에탄올 세정이 행해져 있다.
또한, 상기 금속판이나 세라믹판에 대하여 다음 표면 처리가 행해진 기체B도 준비되었다. 즉, 상기 금속판이나 세라믹판이 0.1wt%의 비닐메톡시실록산 폴리머(VMS)의 에탄올 용액에 침지되었다. 끌어올린 후, 건조, 열처리(80℃에서 10분간)가 행해졌다. 코로나 방전 처리가 행해졌다. 또한, 상기 VMS 대신에, 폴리디에톡시실록산(PDES)이 사용되어, 코로나 방전 처리를 제외하고, 마찬가지로 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 1㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 80℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예61∼72]
실시예61∼72에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예61∼72에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예61∼72 및 비교예61∼72에 있어서, 접착(박리) 강도가 조사되었다. 즉, 10㎜ 폭으로 칼집을 냈다. 그리고, JIS K6584-1에 준하여 접착 강도가 측정되었다. 측정에는 시마즈 오토그래프 AGS(시마즈세이사쿠쇼제)가 사용되었다. 이후의 접착 강도의 측정은 이와 마찬가지로 하여 행해졌다. 또한, 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-8에 나타낸다.
[표-8]
Figure 112013016709247-pct00024
[실시예73∼83]
기체A로서, 연질 폴리에틸렌 미경화 시트, 및 광경화성 에폭시아크릴레이트 미경화 시트가 사용되었다.
상기 연질 폴리에틸렌 미경화 시트는 다음과 같이 하여 얻어졌다. 100중량부의 엑셀렌 GMH(스미토모가가쿠제의 연질 폴리에틸렌)와 3중량부의 디쿠밀퍼옥사이드가 사용되어, 2본롤에 의해 1㎜ 두께의 미연질 폴리에틸렌 미가교 시트가 제작되었다. 이 미연질 폴리에틸렌 미가교 시트에, 진공 열가압 장치에 의해, 160℃에서 30분간에 걸쳐, 2㎫의 프레스압이 가해졌다.
상기 연질 폴리에틸렌 미경화 시트가 0.1wt%의 TE-DAZ 에탄올 용액 중에 침지되었다. 이 후, 자외선 조사(35mJ/㎠)가 행해졌다.
상기 광경화성 에폭시아크릴레이트 미경화 시트는 다음과 같이 하여 얻어졌다. 에폭시 수지(에피코트828, 에폭시 당량 187) 187g과 메타아크릴산 172g의 혼합물이, 질소 분위기하 70℃에서 12시간 가열되었다. 얻어진 에폭시디아크릴레이트에, 펜타에리트리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트)(쇼와덴코사제, 카렌즈MT-PEI) 136.2g과 아크릴산에틸 폴리머(간토가가쿠사제) 70g이 밴버리 믹서 중에서 혼합되었다. 그리고, 코터에 의해, PET 필름 상에의 도포가 행해져, 약 0.1㎜ 두께의 시트로서 얻어졌다.
이 광경화성 에폭시아크릴레이트 미경화 시트가 0.1wt% TE-DAZ 에탄올 용액에 침지되었다. 건조 후, 자외선 조사(35mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, Al판, SUS304판, Al2O3판이 준비되었다. 이것 등의 금속판이나 세라믹판은, 표면 연마 후, 에탄올 세정이 행해져 있다.
또한, 상기 금속판이나 세라믹판에 대하여 다음 표면 처리가 행해진 기체B도 준비되었다. 즉, 상기 금속판이나 세라믹판이 0.1wt%의 VMS의 에탄올 용액에 침지되었다. 끌어올린 후, 건조, 열처리(80℃에서 10분간)가 행해졌다. 코로나 방전 처리가 행해졌다. 또한, 상기 VMS 대신에, PDES가 사용되어, 코로나 방전 처리를 제외하고, 마찬가지로 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 1㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 80℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예73∼83]
실시예73∼83에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예73∼83에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예73∼83 및 비교예73∼83에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-9에 나타낸다.
[표-9]
Figure 112013018112449-pct00065
[실시예84∼89]
기체A로서 에폭시 수지 시트가 사용되었다. 이 에폭시 수지 시트는 유리 에폭시 수지(히타치가세이사제의 FR-4)이다.
상기 에폭시 수지 시트가 0.1wt%의 TE-DAZ 에탄올 용액 중에 침지되었다. 이 후, 자외선 조사(40mJ/㎠)가 행해졌다. 또한, 0.1wt%의 TES 에탄올 용액 중에 침지되었다. 이 후, 120℃에서 10분간의 열처리가 행해졌다.
기체B로서, BR판, SBR판, NBR판, EPR판, FKM판, Q판이 준비되었다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 2㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 160℃에서, 시간은 30분간이다.
[비교예84∼89]
실시예84∼89에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예84∼89에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예84∼89 및 비교예84∼89에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-10에 나타낸다.
[표-10]
Figure 112013016709247-pct00026
[실시예90∼100]
기체A로서 폴리에틸렌 가교 시트가 사용되었다.
이 폴리에틸렌 가교 시트에 0.05wt%의 TE-DAZ 에탄올 용액이 분무되었다. 이 후, 자외선 조사(30mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, PP판, EP판, PSt판, PET판, PC판, POM판, PBT판, PPE판, PI판, PPS판, LCP판이 준비되었다. 기체B도 폴리에틸렌 가교 시트와 같은 처리가 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 2㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 150℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예90∼100]
실시예90∼100에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예90∼100에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예90∼100 및 비교예90∼100에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-11에 나타낸다.
[표-11]
Figure 112013016709247-pct00027
[실시예101∼111]
기체A로서 NBR 가황 고무 시트가 사용되었다.
이 NBR 가황 고무 시트에 0.05wt%의 TE-DAZ 에탄올 용액이 분무되었다. 이 후, 자외선 조사(30mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, PP판, EP판, PSt판, PET판, PC판, POM판, PBT판, PPE판, PI판, PPS판, LCP판이 준비되었다. 기체B도 NBR 가황 고무 시트와 같은 처리가 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 2㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 120℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예101∼111]
실시예101∼111에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예101∼111에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예101∼111 및 비교예101∼111에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-12에 나타낸다.
[표-12]
Figure 112013016709247-pct00028
[실시예112∼122]
기체A로서 PP 시트가 사용되었다.
이 PP 시트에 TE-DAZ 에탄올 용액이 분무되었다. 이 후, 자외선 조사(30mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, Al판, SUS판, Ni판, Au판, Ag판, Cu판, Sn판, Al2O3판, SiC판, AlN판, C(니코라사제의 C-073478)판이 준비되었다. 또, Al판, SUS판, Ni판, Al2O3판, SiC판, AlN판에 대해서는, 0.1wt%의 비닐메톡시실록산 폴리머(게레스토사제의 VMM010) 에탄올 용액에 5분간의 침지가 행해졌다. 이 후, 80℃에서 10분간의 열처리가 행해졌다. 마지막으로, 코로나 방전 처리가 행해졌다. Au판, Ag판, Cu판에 대해서는, 0.1wt%의 TES 에탄올 용액에 10분간의 침지가 행해졌다. 이 후, 80℃에서 10분간의 열처리가 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 1㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 160℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예112∼122]
실시예112∼122에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예112∼122에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예112∼122 및 비교예112∼122에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-13에 나타낸다.
[표-13]
Figure 112013016709247-pct00029
[실시예123∼133]
기체A로서 FKM 가교 시트가 사용되었다.
이 FKM 가교 시트에 TE-DAZ 에탄올 용액이 분무되었다. 이 후, 자외선 조사(30mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, Al판, SUS판, Ni판, Au판, Ag판, Cu판, Sn판, Al2O3판, SiC판, AlN판, C(니코라사제의 C-073478)판이 준비되었다. 또, Al판, SUS판, Ni판, Al2O3판, SiC판, AlN판에 대해서는, 0.1wt%의 비닐메톡시실록산 폴리머(게레스토사제의 VMM010) 에탄올 용액에 5분간의 침지가 행해졌다. 이 후, 80℃에서 10분간의 열처리가 행해졌다. 마지막으로, 코로나 방전 처리가 행해졌다. Au판, Ag판, Cu판에 대해서는, 0.1wt%의 TES 에탄올 용액에 10분간의 침지가 행해졌다. 이 후, 80℃에서 10분간의 열처리가 행해졌다.
상기 기체A와 기체B가, TE-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 1㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 160℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예123∼133]
실시예123∼133에 있어서, TE-DAZ 대신에, TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예123∼133에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예123∼133 및 비교예123∼133에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-14에 나타낸다.
[표-14]
Figure 112013016709247-pct00030
종래, 접착제를 사용해도, FKM 가교 고무와, 금속(및 세라믹스)은 접착되기 어려웠다. 그러나, 본 발명의 화합물α이 사용되는 경우, 강고한 접착이 얻어지는 것을 알 수 있다.
상기 실시예에 있어서는, TE-DAZ가 사용된 경우이다. 이 TE-DAZ 대신에, BTE-DAZ나 TE-MAZ가 사용된 경우도, 상기 실시예61∼133과 같은 결과인 것이 확인되었다.
(1) 신규 화합물α(-OH 부여제)
[실시예A-4]
-10℃하에 있어서, 0.1㏖(18.4g)의 염화시아누르가, 200㎖의 THF 용액에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 염화시아누르 용액에, 0.105㏖(35.0g)의 11-아미노운데실트리에톡시실란과 0.105㏖(14.6㎖)의 트리에틸아민을 함유하는 THF 용액 100㎖가 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 30분간에 걸쳐서 속행되었다. 반응 종료 후, 생성한 트리에틸아민염산염이 제거되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 THF가 유거되어, 조생성물이 얻어졌다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 43.05g(수율; 89.4%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(11-트리에톡시실릴운데실프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디클로라이드(TEU-DC)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00031
상기 TEU-DC 24.1g(0.050㏖)이, 50∼60℃하에 있어서, 에탄올 200㎖에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 TEU-DC 용액에, 0.102㏖의 NaN3을 함유하는 에탄올 50㎖가, 교반되면서, 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 7시간에 걸쳐서 속행되었다. 석출한 염의 여과가 행해졌다. 이 후, 로터리 이베이퍼레이터에 의해, 에탄올이 제거되었다. 이어서, 이소프로필알코올(IPA)과 물이 사용되어, 재침전이 행해졌다. 석출한 결정이 여과되었다. 그 후, 건조가 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 23.5g(수율; 95.2%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(11-트리에톡시실릴운데실)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(TEU-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00032
[실시예A-5]
-10℃하에 있어서, 5.0g(0.027㏖)의 염화시아누르가, 50㎖의 THF 용액에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 염화시아누르 용액에 5.2g(0.027㏖)의 3-아미노프로필디에톡시메틸실란과 3.8g(0.038㏖)의 트리에틸아민을 함유하는 THF 용액 30㎖가 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 2시간에 걸쳐서 속행되었다. 반응 종료 후, 생성한 트리에틸아민염산염이 제거되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 THF가 유거되어, 생성물이 얻어졌다. 얻어진 생성물은 오일상이었다. 그 양은 9.19g(수율; 100.0%)이었다. 얻어진 생성물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 생성물은 6-(3-디에톡시메틸실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디클로라이드(DEM-DC)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00033
상기 DEM-DC 9.19g(0.027㏖)이, 50∼60℃하에 있어서, 메탄올 100㎖에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 DEM-DC 용액에, 3.8g(0.059㏖)의 NaN3을 함유하는 메탄올 50㎖가, 교반되면서, 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 3시간에 걸쳐서 속행되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 메탄올이 유거되어, 조생성물이 얻어졌다. 이 조생성물에 에테르 200㎖가 가해졌다. 생성한 염과 과잉량의 NaN3이 제거되었다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 백색 분체였다. 그 양은 9.2g(수율; 93%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(3-디에톡시메틸실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(DEM-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00034
[실시예A-6]
-10℃하에 있어서, 10.0g(0.054㏖)의 염화시아누르가, 100㎖의 THF 용액에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 염화시아누르 용액에 12.8g(0.054㏖)의 4-아미노부틸트리에톡시실란과 7.7g(0.075㏖)의 트리에틸아민을 함유하는 THF 용액 60㎖가 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 2시간에 걸쳐서 속행되었다. 반응 종료 후, 생성한 트리에틸아민염산염이 제거되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 THF가 유거되어, 조생성물이 얻어졌다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 오일상이었다. 그 양은 17.1g(수율; 83.0%)이었다.
얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(4-트리에톡시실릴부틸)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디클로라이드(TEB-DC)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00035
상기 TEB-DC 15.0g(0.039㏖)이, 50∼60℃하에 있어서, 메탄올 100㎖에 가해졌다. 그리고, 질소 분위기하에 두어졌다. 이 TEB-DC 용액에, 5.6g(0.086㏖)의 NaN3을 함유하는 메탄올 50㎖가, 교반되면서, 적하되었다. 적하 종료 후에도 교반이 3시간에 걸쳐서 속행되었다. 감압하(20㎜Hg)에서 메탄올이 유거되어, 조생성물이 얻어졌다. 이 조생성물에 에테르 200㎖가 가해졌다. 생성한 염과 과잉량의 NaN3이 제거되었다. 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제가 행해졌다. 얻어진 정제물은 백색 분체였다. 그 양은 14.0g(수율; 97.2%)이었다. 얻어진 정제물(화합물)의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 정제물은 6-(4-트리에톡시실릴부틸)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(TEB-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00036
[실시예A-7]
7.43g(0.040㏖)의 염화시아누르가 3구 가지형 플라스크(200mL)에 넣어졌다. 또한, 80mL의 아세톤이 가해졌다. 이 후, 0℃로 냉각되었다. 냉각 후, 4.06g(0.039㏖)의 디에탄올아민을 함유하는 40mL의 수용액이 적하되었다. 이어서, 1㏖의 NaOH를 함유하는 30mL의 수용액이 적하되었다. 적하 후, 교반이 0℃에서 90분간 행해졌다. 정치 후, 석출한 백색 고체가 흡인 여과에서 여별되었다. 여별 후, 감압 건조가 행해졌다. 이 결과, 무색의 고체가 얻어졌다. 수량은 8.1g(분리 수율 81%)이었다.
생성물의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 6-(N,N-디히드록시에틸)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디클로리드(DEA-DC)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00037
5.06g(0.020㏖)의 DEA-DC가 3구 가지형 플라스크(500mL)에 넣어졌다. 플라스크 내가 아르곤 분위기하에 두어졌다. 이 후, 100mL의 DMF가 가해졌다. 이어서, 2.67g(0.041mmol)의 NaN3이 가해졌다. 이 후, 실온하에서의 교반이 2시간 행해지고, 이어서 50℃에서의 교반이 1시간 행해졌다. 실온까지의 냉각이 행해진 후, 100mL의 물과 100mL의 디에틸에테르가 가해졌다. 그리고, 실온하에서 정치되었다. 이에 따라 석출한 백색 고체가 흡인 여과에서 여별되었다. 이 후, 감압 건조가 행해졌다. 이 결과, 무색의 분말이 얻어졌다. 수량은 4.53g(분리 수율 85%)이었다.
생성물의 동정이, 원소 분석 측정 장치, NMR 측정 장치, 및 MS 측정 장치에 의해 행해졌다. 이 결과, 6-(N,N-디히드록시에틸)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디아지드(DEA-DAZ)라고 결정되었다.
Figure 112013016709247-pct00038
(2) 신규 화합물α(-OH 부여제)에 의한 표면 개질
[실시예134∼136]
기체A로서, 40℃의 에탄올 중에서, 초음파 세정(시간 : 10분간)이 행해진 PP(폴리프로필렌)판이 사용되었다.
이 PP판이, 상기 TEU-DAZ, DEM-DAZ, TEB-DAZ(농도 0.1wt%)의 에탄올 용액(온도; 20℃) 중에 침지(시간; 5분간)되었다. 끌어올린 후, 온풍 건조가 행해졌다. 이어서, 고압 수은 램프(출력 : 2kW 아이그래픽가부시키가이샤제의 EYE MINI GRANTAGE)가 사용되어, 30mJ/㎠의 자외선 조사가 행해졌다. 이 후, 에탄올 중에서 초음파 세정이 행해졌다.
[특성]
상기 실시예134∼실시예136에 의한 개질 처리의 결과(기판 표면에 있어서의 트리아진환의 유무, 알콕시실릴기의 유무 : XPS 분석(선광 전자 분광 분석 장치 : 얼박-파이제의 PHI-QunteraSXM))이, 표-15에 나타낸다.
[표-15]
Figure 112013016709247-pct00039
표-15에 있어서, N1s는 트리아진환의 유무를, Si2p는 알콕시실릴기의 유무를 나타낸다. N1s, Si2p의 수치가 인정된다는 것은, PP판의 표면에 알콕시실릴프로필아미노트리아지닐리덴기의 존재를 나타내고 있다.
그리고, 상기 표-15와 상기 표-1로부터, 상기 TEU-DAZ, DEM-DAZ, TEB-DAZ도, 상기 TE-DAZ와 같은 반응성을 나타내고 있는 것을 알 수 있다.
(3) 신규 화합물α(-OH 부여제)에 의한 접합(접착:분자 접착)
[실시예137∼145]
기체A로서 PP 시트가 사용되었다.
이 PP 시트에 상기 TEU-DAZ, DEM-DAZ, TEB-DAZ(농도 0.1wt%) 에탄올 용액이 분무되었다. 이 후, 자외선 조사(30mJ/㎠)가 행해졌다.
기체B로서, Al판, Al2O3판, Q판이 준비되었다. 신코덴키케이소쿠가부시키가이샤제 코로나 마스터 PS-1M(14㎸, 15㎑, AC100V)이 사용되어, 20℃에서 10초간의 처리가 행해졌다. 이에 따라, 표면 청정화가 행해졌다. 또한, 표면에 -OH기가 생성했다.
상기 기체A와 기체B가, TEU-DAZ, DEM-DAZ, TEB-DAZ에 의한 개질 처리면이 끼워지도록 배치되었다. 그리고, 진공하에서 1㎫의 프레스가 가해졌다. 이때의 온도는 160℃이며, 시간은 10분간이다.
[비교예137, 138, 139]
실시예137, 138, 139에 있어서, TEU-DAZ 대신에 TE-ASH가 사용된 이외는, 실시예137, 138, 139에 준하여 행해졌다.
[특성]
실시예137∼145 및 비교예137, 138, 139에 있어서, 접착 강도 및 피복률이 조사되었다.
그 결과를 표-16에 나타낸다.
[표-16]
Figure 112013016709247-pct00040
TEU-DAZ, DEM-DAZ, TEB-DAZ도, TE-DAZ 등과 같이, 양호한 접착성을 나타내고 있는 것을 알 수 있다.
이 출원은, 2010년 9월 30일에 출원된 일본출원 특원2010-220512를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 전부를 여기에 편입한다.

Claims (43)

  1. 기체A와 기체B가 접합되는 접합 방법으로서,
    상기 기체A의 표면에 하기 일반식[I]로 표시되는 화합물(α)을 함유하는 제(劑)가 마련되는 공정(X)과,
    상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대향하여 상기 기체B가 배치되는 공정(Y)과,
    상기 기체A 및/또는 상기 기체B에 힘이 가해지고, 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합하는 공정(Z)
    을 구비하여 이루어지며,
    상기 기체A는 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[I]
    Figure 112014071034330-pct00066

    [식 중, E는, 임의의 기이다. F는, OH기 또는 OH 생성기이다. -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. -NR1(R2)의 R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정(Z)에서 가해지는 힘은, 상기 힘에 의해, 상기 기체A 표면에 존재하는 상기 화합물(α)의 OH기 또는 OH 생성기로부터 생성한 OH기가 상기 기체B의 표면에 접하게 되는 힘인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공정(Z)은 0∼300℃의 온도하에서 행해지는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기체A의 표면에 존재하는 상기 화합물(α)에 대하여 소정 패턴의 광이 조사되는 공정(W)을 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 공정(W)의 광조사에 의해, 상기 기체A와 상기 화합물(α)의 아지드기가 화학 반응하고, 상기 기체A의 표면에 상기 화합물(α)이 결합하는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 광은 자외선인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Io]
    Figure 112013016709247-pct00042

    [식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  10. 제1항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Ia]
    Figure 112013016709247-pct00043

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Ib]
    Figure 112013016709247-pct00044

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  12. 제1항에 있어서,
    상기 공정(X) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 하기 일반식[Ⅱ]으로 표시되는 물질이 마련되는 공정(V)을 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Ⅱ]
    Figure 112013016709247-pct00045

    [식 중, X', Y'는, Si 또는 Ti이다. Z는 Al이다. G는, 탄소수가 1∼3의 탄화수소기, 또는 탄소수가 1∼3의 알콕시기이다. B는, 탄소수가 1∼3의 알콕시기이다. n, m은 0∼200의 정수(단, 2≤n+m≤400)이다. p는 0∼100의 정수이다]
  13. 제1항에 있어서,
    상기 공정(X) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 알콕시실릴기, 알콕시알루미네이트기 및/또는 알콕시티타네이트기를 갖는 화합물(β)이 마련되는 공정(U)을 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 공정(V) 후, 상기 공정(Y) 전에 있어서, 상기 화합물(α)의 표면에, 알콕시실릴기, 알콕시알루미네이트기 및/또는 알콕시티타네이트기를 갖는 화합물(β)이 마련되는 공정(U)을 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 화합물(β)은 하기 일반식[T]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[T]
    L-Si(M')n(OM)3-n
    [식 중, L은, 유기기(유기기는, 탄소, 수소 이외의 원소를 함유하고 있어도 된다. 유기기는, 지방족, 방향족, 쇄상, 환상의 어떠한 형태의 것이어도 된다)이다. M'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. M은, H, 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다. 상기 M'과 M은, 동일해도, 달라도 된다]
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 화합물(β)은 하기 일반식[Ⅲ]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Ⅲ]
    Figure 112013016709247-pct00046

    [식 중, R5는, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. R6은, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. X"는, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. Y"는, 탄소수가 1∼10의 알킬옥시기이다. n은 1∼3의 정수이다. M1은 H, Li, Na, K 또는 Cs이다]
  17. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 화합물(β)은 하기 일반식[Ⅳ]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접합 방법.
    일반식[Ⅳ]
    Figure 112013016709247-pct00047

    [식 중, R5는, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. R7은, 탄소수가 1∼12의 탄화수소기이다. X"는, H, 또는 탄소수가 1∼10의 탄화수소기이다. Y"는, 탄소수가 1∼10의 알킬옥시기이다. 모든 X" 및 Y"는 동일해도 달라도 된다. n, m은 1∼3의 정수이다. M1은 H, Li, Na, K 또는 Cs이다]
  18. 제1항 내지 제5항, 제7항, 및 제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 접합 방법에 의해 상기 기체A와 상기 기체B가 일체적으로 접합되어서 이루어지는
    것을 특징으로 하는 접합체.
  19. 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어지는 기체 A의 표면에 형성된 접착성 향상제로서,
    상기 제는, 하기 일반식[I]으로 나타내는 화합물(α)을 함유하는
    것을 특징으로 하는 접착성 향상제.
    일반식[I]
    Figure 112014071034330-pct00067

    [식 중, E는, 임의의 기이다. F는, OH기 또는 OH 생성기이다. -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. -NR1(R2)의 R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  20. 삭제
  21. 제19항에 있어서,
    상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인
    것을 특징으로 하는 접착성 향상제.
  22. 삭제
  23. 제19항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접착성 향상제.
    일반식[Io]
    Figure 112013016709247-pct00049

    [식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  24. 제19항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접착성 향상제.
    일반식[Ia]
    Figure 112013016709247-pct00050

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  25. 제19항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 접착성 향상제.
    일반식[Ib]
    Figure 112013016709247-pct00051

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  26. 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어지는 기체 A의 표면에 형성된 기체 표면의 특성이 개질되는 표면 개질 방법으로서,
    기체의 A의 표면에 하기 일반식[I]으로 나타내는 화합물(α)을 함유하는 표면 개질제가 마련되는 공정을 구비하는
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
    일반식[I]
    Figure 112014071034330-pct00068

    [식 중, E는, 임의의 기이다. F는, OH기 또는 OH 생성기이다. -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. -NR1(R2)의 R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  27. 제26항에 있어서,
    상기 표면 개질제가 마련된 후, 광이 조사되는 공정을 더 구비하는
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 광조사 공정은 소정 패턴으로 노광이 행해지는 공정인
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
  30. 삭제
  31. 제26항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
    일반식[Io]
    Figure 112013016709247-pct00053

    [식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  32. 제26항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
    일반식[Ia]
    Figure 112013016709247-pct00054

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  33. 제26항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질 방법.
    일반식[Ib]
    Figure 112013016709247-pct00055

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  34. 폴리머가 사용되어서 구성되어 이루어지는 기체 A의 표면에 설치된 표면 개질제로서,
    상기 표면 개질제는 하기 일반식[I]로 나타내는 화합물(α)을 함유하는
    것을 특징으로 하는 표면 개질제.
    일반식[I]
    Figure 112014071034330-pct00069

    [식 중, E는, 임의의 기이다. F는, OH기 또는 OH 생성기이다. -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. -NR1(R2)의 R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  35. 제34항에 있어서,
    상기 OH기 또는 OH 생성기가, 알콕시실릴기(상기 알콕시기가 OH기인 경우도 포함된다)인
    것을 특징으로 하는 표면 개질제.
  36. 삭제
  37. 제34항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질제.
    일반식[Io]
    Figure 112013016709247-pct00057

    [식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  38. 제34항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질제.
    일반식[Ia]
    Figure 112013016709247-pct00058

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  39. 제34항에 있어서,
    상기 화합물(α)이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 표면 개질제.
    일반식[Ib]
    Figure 112013016709247-pct00059

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  40. 제26항 내지 제29항, 및 제31항 내지 제33항 중 어느 한 항에 기재된 표면 개질 방법이 행해져서 이루어지는 기체.
  41. 하기 일반식[Io]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 신규 화합물.
    일반식[Io]
    Figure 112013016709247-pct00060

    [식 중, -Q는, -N3 또는 -NR1(R2)이다. R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  42. 제41항에 있어서,
    상기 화합물이 하기 일반식[Ia]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 신규 화합물.
    일반식[Ia]
    Figure 112013016709247-pct00061

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. R1과 R2의 적어도 한쪽은 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
  43. 제41항에 있어서,
    상기 화합물이 하기 일반식[Ib]으로 표시되는 화합물인
    것을 특징으로 하는 신규 화합물.
    일반식[Ib]
    Figure 112013016709247-pct00062

    [식 중, R1, R2는, H, 탄소수가 1∼24의 탄화수소기, 또는 -RSi(R')n(OA)3-n(R은, 탄소수가 1∼12의 쇄상의 탄화수소기이다. R'은, 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. A는, H 또는 탄소수가 1∼4의 쇄상의 탄화수소기이다. n은 0∼2의 정수이다)이다. 모든 R1, R2에 있어서의 적어도 하나는 상기 -RSi(R')n(OA)3-n이다. R1과 R2는 동일해도 달라도 된다]
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