TW201344740A - 電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法 - Google Patents

電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201344740A
TW201344740A TW102101145A TW102101145A TW201344740A TW 201344740 A TW201344740 A TW 201344740A TW 102101145 A TW102101145 A TW 102101145A TW 102101145 A TW102101145 A TW 102101145A TW 201344740 A TW201344740 A TW 201344740A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
heater
region
regions
plasma processing
Prior art date
Application number
TW102101145A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI582819B (zh
Inventor
Kaoru Oohashi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201344740A publication Critical patent/TW201344740A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI582819B publication Critical patent/TWI582819B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明提供一種藉由高頻電力將氣體電漿化，並藉由該電漿的作用對被處理體進行電漿處理的電漿處理裝置，包含：腔室，其可減壓；載置台，其設於腔室內並載置被處理體；靜電夾頭，其設於載置台上，並藉由對夾頭電極施加電壓，以靜電吸附被處理體；加熱器，其設於靜電夾頭內或是附近，並分割為：圓形的中央區域、以同心圓狀設於其外側的2個以上的中間區域、以同心圓狀設於最外側的邊緣區域；以及溫度控制部，其對各分割區域調整加熱器的控制溫度。

Description

電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法
本發明係關於一種電漿處理裝置及加熱器的溫度控制方法。
對於蝕刻速率等控制而言，載置在載置台上之被處理體的溫度控制係不可缺少，且因為其對被處理體之電漿處理的均勻性有所影響，故係為重要。
載置台上設置了靜電夾頭(ESC：Electrostatic Chuck)，其藉由對夾頭電極施加電壓來以靜電吸附被處理體。近年有人提出一種內建加熱器的靜電夾頭機構，其在靜電夾頭內組合了加熱器，並可藉由該加熱器所發出的熱，快速改變靜電夾頭的表面溫度，在專利文獻1中，揭示藉由內建加熱器之靜電夾頭機構的溫度控制技術。專利文獻1中，將包含在內建加熱器的靜電夾頭機構中的加熱器分割為2個區域：圓形的中央區域，及以同心圓狀設於其外側的邊緣區域，並對各區域進行溫度控制。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-85329號公報
然而，將加熱器分割為2個區域並進行溫度控制的方法中，具有以下的問題：1個區域的加熱器面積過大，若僅對各區域進行溫度控制，則在同 一區域內產生溫度分布不平均的情況，而無法謀求蝕刻速率與蝕刻形狀之均勻性。特別具有下述之問題：蝕刻特性在中央區域與邊緣區域的邊界部分變得不良。
本發明針對上述之問題提供一種電漿處理裝置及加熱器的溫度控制方法，其將設於靜電夾頭內或是其附近的加熱器分割為4個以上的區域，並可在各區域對加熱器進行溫度控制。
為了解決上述問題，本發明的態樣之一，係提供一種電漿處理裝置，其藉由高頻電力使氣體電漿化，並藉由該電漿的作用對被處理體進行電漿處理，其特徵為包含：處理容器，其可減壓；載置台，其設置於該處理容器內，並載置被處理體；靜電夾頭，其設置於該載置台上，藉由對夾頭電極施加電壓，而以靜電吸附被處理體；加熱器，其設置於該靜電夾頭內或是其附近，且分割為：圓形的中央區域、以同心圓狀設於其外側的2個以上的中間區域、及以同心圓狀設於最外側的邊緣區域；以及溫度控制部，其對各分割區域調整該加熱器的控制溫度。
另外，為了解決上述問題，本發明的另一態樣，係提供一種加熱器的溫度控制方法，該加熱器設於一電漿處理裝置中，而該電漿處理裝置藉由高頻電力使氣體電漿化，並藉由該電漿之作用對被處理體進行電漿處理。該電漿處理裝置包含：處理容器，其可減壓；載置台，其設置於該處理容器內，並載置被處理體；靜電夾頭，其設置於該載置台上，並藉由對夾頭電極施加電壓而以靜電吸附被處理體；加熱器，其設置於該靜電夾頭內或是其附近，並分割為：圓形的中央區域、以同心圓狀設置於其外側的2個以上的中間區域，及以同心圓狀設置於最外側的邊緣區域；以及記憶部，其預先記憶該各區域之加熱器的設定溫度與流過該各區域之加熱器的電流值的相關關係，該電流值係使溫度形成為經修正過該靜電夾頭的表面溫度相對於該設定溫度的偏差、及來自於鄰接區域對該各區域之設定溫度的溫度干涉的該各區域之控制溫度。該加熱器的溫度控制方法包含：藉由將設於該各區域中，至少一個區域的溫度感測器所檢測出來的溫度作為該檢測區域的設定溫度，並擷取該溫度的步驟；從該擷取之區域所設定的溫度，與記憶於該記憶部的該相關關係，計算出流過各區域之加熱器的電流值的 步驟；以及藉由使該算出之電流值流過各區域之加熱器，以控制該各區域之加熱器溫度的步驟。
根據以上所述的本發明，可將設置於靜電夾頭內或是附近的加熱器分割為4個以上的區域，並可在各區域對加熱器進行溫度控制。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧腔室
12‧‧‧載置台(下部電極)
14‧‧‧筒狀保持部
16‧‧‧筒狀支持部
18‧‧‧聚焦環
20‧‧‧排氣路徑
22‧‧‧緩衝板
24‧‧‧排氣口
26‧‧‧排氣管
28‧‧‧排氣裝置
30‧‧‧閘門閥
31‧‧‧第1高頻電源
32‧‧‧第2高頻電源
33、34‧‧‧整合器
38‧‧‧沖淋頭(上部電極)
40‧‧‧靜電夾頭
40a‧‧‧電極
40b‧‧‧絶緣層
42‧‧‧直流電壓源
43‧‧‧開關
44‧‧‧交流電源
52‧‧‧傳熱氣體供給源
54‧‧‧氣體供給線
56‧‧‧電極板
56a‧‧‧氣體通氣孔
58‧‧‧電極支持體
60a‧‧‧氣體導入口
62‧‧‧氣體供給源
64‧‧‧氣體供給配管
66‧‧‧磁石
70‧‧‧冷媒管
71‧‧‧冷卻單元
72、73‧‧‧配管
74‧‧‧黏著層
75‧‧‧加熱器
75c‧‧‧中央區域
75e‧‧‧邊緣區域
77‧‧‧溫度感測器
77a、77b、77c、77d‧‧‧溫度感測器
80‧‧‧控制裝置
81‧‧‧擷取部
83‧‧‧記憶部
84‧‧‧溫度設定部
85‧‧‧溫度控制部
86‧‧‧判定部
87‧‧‧電漿處理實行部
100‧‧‧光阻膜
102‧‧‧BARC膜
104‧‧‧α-Si膜
106‧‧‧SiN膜
108‧‧‧SiO2膜
A‧‧‧中央區域
B‧‧‧內中間區域
C‧‧‧外中間區域
D‧‧‧邊緣區域
W‧‧‧晶圓
S1~S7、S100~S109‧‧‧步驟
【圖1】一實施態樣之電漿處理裝置的整體構成圖。
【圖2】在圖1中的靜電夾頭附近、內建加熱器的靜電夾頭機構之擴大圖。
【圖3】變化實施例1之靜電夾頭附近、內建加熱器的靜電夾頭機構的擴大圖。
【圖4】變化實施例2之靜電夾頭附近、內建加熱器的靜電夾頭機構的擴大圖。
【圖5】係表示使用實施態樣之一的電漿處理裝置之製程步驟例的圖。
【圖6】係表示藉由將加熱器分割為2個區域之情況的溫度控制的製程結果。
【圖7】係表示藉由將加熱器分割為2個區域、4個區域之情況的溫度控制的製程結果與預測值。
【圖8】係表示藉由將加熱器分割為2個區域及4個區域之情況的溫度控制的製程結果。
【圖9】係說明一實施態樣之加熱器的各區域之面積比及電源切換的圖。
【圖10】係說一明實施態樣之加熱器的各區域之面積比及電源切換的圖。
【圖11】係表示一實施態樣之各區域的加熱器與溫度感測器之配置的圖。
【圖12】係表示一實施態樣之各區域的加熱器與溫度感測器之配置的圖。
【圖13】一實施態樣之控制裝置的功能構成圖。
【圖14】係說明與一實施態樣之加熱器的設定溫度Y1相對的修正值α1、β1之計算方法的圖。
【圖15】係說明與一實施態樣之加熱器的設定溫度Y2相對的修正值α2、β2之計算方法的圖。
【圖16】係說明與一實施態樣之加熱器的設定溫度Y3相對的修正值α3、β3之計算方法的圖。
【圖17】係說明與一實施態樣之加熱器的設定溫度Y4相對的修正值α4、β4之計算方法的圖。
【圖18】係說明與各區域的設定溫度相對的修正及輸入各區域之輸入電流值的圖。
【圖19】係表示一實施態樣之溫度控制的流程圖。
以下參照添附圖式，就本發明的實施態樣進行說明。又，本說明書及圖式中，就實質上具有相同功能構成的構成元件，藉由附上相同的符號省略重複的說明。
[電漿處理裝置的整體構成]
首先，就本發明之一實施態樣的電漿處理裝置的整體構成，參照圖1進行說明。電漿處理裝置1，係作為下部雙頻率的電容耦合型電漿蝕刻裝置所構成，具有例如圓筒型真空腔室(處理容器)10，其由對表面進行鋁陽極處理(陽極氧化處理)的鋁所構成，且腔室10接地。
腔室10內設置了載置台12，其載置作為被處理體的半導體晶圓W(以下稱為晶圓W)。載置台12由例如鋁所構成，並由從腔室10的底部向上方垂直延伸的筒狀支持部16，透過絶緣性的筒狀保持部14所支持。在載置台12的頂面、靜電夾頭40的邊緣部配置聚焦環18，其由例如矽所構成，用以提高蝕刻的表面均勻性。
腔室10的側壁與筒狀支持部16之間形成排氣路徑20。排氣路徑20上安裝了環狀的緩衝板22。排氣路徑20的底部設置排氣口24，並透過排氣管26與排氣裝置28連接。排氣裝置28具有圖中未顯示的真空泵，使腔室10內的處理空間減壓至既定的真空度。腔室10的側壁上，安裝搬送用的閘 門閥30，使晶圓W的搬出入口開閉。
載置台12透過整合器33及整合器34與用以吸引離子的第1高頻電源31及用以產生電漿的第2高頻電源32電性連接。第1高頻電源31，對載置台12施加較低頻率(例如0.8MHz)的第1高頻電力，其適用於將電漿中的離子吸引至載置台12上的晶圓W。第2高頻電源32，對載置台12施加例如頻率為60MHz的第2高頻電力，其適用於在腔室10內產生電漿。如此，載置台12亦具有作為下部電極的功能。腔室10的頂部，設置了後述的沖淋頭38，其作為具有接地電位的上部電極。藉此，在載置台12與沖淋頭38之間電容性地施加來自第2高頻電源32的高頻電力。
載置台12的頂面上，設置以靜電吸附力保持晶圓W的靜電夾頭40。靜電夾頭40係將導電膜所形成的電極40a夾入一對絶緣層40b(參照圖2~圖4)或是絶緣墊之間者，電極40a透過開關43與直流電壓源42電性連接。靜電夾頭40，藉由來自直流電壓源42的電壓，以庫倫力將晶圓W吸附保持於靜電夾頭上。
傳熱氣體供給源52，通過氣體供給線54將He氣等傳熱氣體供給至靜電夾頭40的頂面與晶圓W的背面之間。
頂部的沖淋頭38，包含具有多數氣體通氣孔56a的電極板56，以及以可脫附的方式支持該電極板56的電極支持體58。氣體供給源62，透過氣體供給配管64，從氣體導入口60a將氣體供給至沖淋頭38內，並從多數的氣體通氣孔56a將氣體導入腔室10內。
腔室10的周圍，配置以環狀或是同心圓狀延伸的磁石66，藉由磁力來控制腔室10內的電漿產生空間中所產生的電漿。
載置台12的內部設置了冷媒管70。此冷媒管70，從冷卻單元71透過配管72、73循環供給既定溫度的冷媒。另外，靜電夾頭40的背面貼附了分割為4個區域的加熱器75。又，加熱器75的構造於後段中敘述。從交流電源44對加熱器75施加期望的交流電壓。根據相關的構成，藉由以冷卻單元71的冷卻與以加熱器75的加熱，可將晶圓W調整置期望的溫度。另外，係根據控制裝置80的指令以進行該等溫度控制。
控制裝置80，控制安裝在電漿處理裝置1中的各部位，例如排氣裝置28、交流電源44、直流電壓源42、用於靜電夾頭的開關43、第1及第2高 頻電源31、32、整合器33、34、傳熱氣體供給源52、氣體供給源62及冷卻單元71。另外，控制裝置80，擷取從裝設於加熱器75的背面之溫度感測器77所檢測出來的感測器溫度。又，控制裝置80與圖中未顯示的主電腦連接。
控制裝置80，具有圖中未顯示的中央處理器(CPU；Central Processing Unit)、唯讀記憶體(ROM；Read Only Memory)、隨機存取記憶體(RAM；Random Access Memory)，CPU依照例如收納於圖13所示的記憶部83中的各種處方來實行電漿處理。可使用例如作為RAM、ROM的半導體記憶體、磁碟或是光碟等裝置來實現儲存處方的記憶部83。處方亦可儲存於記憶媒體中並為可提供之態樣，且透過圖中未顯示的驅動器而被讀入記憶部83，另外，亦可從圖中未顯示的網路下載並儲存於記憶部83。另外，為了實現上述各部位的功能，亦可使用數位信號處理裝置(DSP；Digital Signal Processor)來代替CPU。又，控制裝置80的功能，可使用軟體運作來實現，亦可使用硬體運作來實現。
在此一構成的電漿處理裝置1中進行蝕刻，首先開啟閘門閥30，並將保持於搬送手臂上的晶圓W搬入腔室10內。晶圓W係由圖中未顯示的頂推銷所保持，並藉由使頂推銷下降將晶圓W載置於靜電夾頭40上。在晶圓W搬入之後關閉閘門閥30，並從氣體供給源62以既定的流量及流量比將蝕刻氣體導入腔室10內，藉由排氣裝置28將腔室10內的壓力減壓至設定值。更進一步，從第1高頻電源31及第2高頻電源32供給既定功率的高頻電力至載置台12。另外，從直流電壓源42對靜電夾頭40的電極40a施加電壓，以將晶圓W固定於靜電夾頭40上，並從傳熱氣體供給源52供給氣體至靜電夾頭40的頂面與晶圓W的背面之間。從沖淋頭38以噴淋狀導入的蝕刻氣體，因為第2高頻電源32的高頻電力而電漿化，藉此，在上部電極(沖淋頭38)與下部電極(載置台12)之間的電漿產生空間中產生電漿，並以電漿中的自由基及離子蝕刻晶圓W的主面。另外，可藉由來自第1高頻電源31的高頻電力將離子吸引至晶圓W。
電漿蝕刻結束之後，以頂推銷抬升晶圓W並且保持，開啟閘門閥30，在搬送手臂進入腔室10內之後，使頂推銷下降以使晶圓W保持於搬送手臂上。接著，該搬送手臂往腔室10的外部移動，並由搬送手臂將下一片晶 圓W搬入腔室10內。藉由反覆該處理以連續地處理晶圓W。
(加熱器的構成)
此處，就加熱器75的構成，使用圖2進行更詳細的說明。圖2係圖1的載置台12及靜電夾頭40的擴大圖。靜電夾頭40的背面貼附加熱器75。但是，加熱器75亦可設置於靜電夾頭40內或是其附近。例如，圖3中，加熱器75埋入絶緣層40b的內部。
加熱器75分割為：圓形的中央區域A、以同心圓狀設置於其外側的2個中間區域(內中間區域B、外中間區域C)，及以同心圓狀設置於最外側的邊緣區域D(參照圖11、圖12)。本實施態樣中，中間區域雖分割為2個區域，但亦可將中間區域分割為3個以上的區域。特別是在直徑為450mm以上的晶圓W的情況中，宜將加熱器75的中間區域，以同心圓狀分割為3個以上的區域。藉此可提高中間區域的溫度控制性。
以黏著劑黏合靜電夾頭40與載置台12。藉此，貼附於靜電夾頭40上的加熱器75，以埋入黏著層74的狀態，固定於靜電夾頭40與載置台12之間。如圖2所示，在將加熱器75貼附於靜電夾頭40背面的型態中，在以黏著層74黏合靜電夾頭40與載置台12之前，可自在的改變加熱器75的配置(加熱器圖樣)。即使在以黏著層74黏合後，亦可將靜電夾頭40與載置台12剝離，並在改變加熱器圖樣之後，再次於加熱器75上塗上黏著劑，來黏著靜電夾頭40與載置台12。
另一方面，將加熱器75埋入靜電夾頭40的型態，係在將加熱器75埋入絶緣層40b的狀態下將其燒結。因此，在將加熱器75埋入絕緣層40b之後，無法改變加熱器圖樣。因此，如同本實施態樣，在將加熱器75分割為4個區域以上以進行控制的情況中，因為加熱器圖樣變得複雜，相較於如圖3的將加熱器75埋入的型態，可輕易地改變加熱器75的配置，故宜採用如圖2之將加熱器75貼附的型態。
另外，如圖2之貼附加熱器75的型態中，係將加熱器75埋入黏著層74。如圖3之將加熱器75埋入絶緣層40b的型態，因為在燒結時絶緣層40b的陶瓷較薄的部分裂開，故無法將加熱器75延伸設置到靜電夾頭40之端部附近。然而，圖2的黏著層並無這樣的限制。故可將加熱器75延伸設置到靜電夾頭40的端部附近。結果，圖2的將加熱器75貼附的型態，一直 到靜電夾頭40的最外側為止，皆可均勻地控制溫度。
又，如圖4所示，設置於加熱器75附近的冷媒管70，亦可對應加熱器75的各區域配置。藉此，以流過相對應配置的冷媒管70內的冷媒冷卻及以加熱器75加熱，可提高溫度控制性及回應性。
(電漿處理)
以上對本實施態樣之電漿處理裝置1及加熱器75的構成進行說明。接著，對本實施態樣之電漿處理裝置1中所實行的電漿處理的一例，參照圖5進行說明。
圖5係表示本實施態樣之電漿處理裝置1中，進行電漿處理的各步驟的一例。係表示作為比較例的將加熱器分割為2個區域(中央/邊緣)之設定溫度，來當作為製程條件之一的加熱器之溫度控制。
如圖5的S1所示，矽氧化膜(SiO2)108上，依序層積了氮化矽膜(SiN)106、非晶矽膜(α-Si)104、底部抗反射層(BARC；Bottom Anti-Reflective Coating)102及光阻膜100。矽氧化膜108，係使用四乙氧基矽烷(TEOS；Tetraethoxysilan)、並由化學氣相沉積(CVD；Chemical Vapor Deposition)所形成的層間絶緣膜。
非晶矽膜(α-Si)104上，藉由例如塗布處理形成底部抗反射層(BARC)102。BARC膜102，由含有吸收往光阻膜100照射的ArF準分子雷射光之色素的高分子樹脂所形成，用以防止某特定波長的光，例如透過光阻膜100的ArF準分子雷射光因為由非晶矽膜104反射而再次到達光阻膜100。光阻膜100，例如係使用旋轉塗布機(圖中未顯示)形成於BARC膜102上。光阻膜100上，在形成既定孔洞的位置，形成具有開口部的圖樣。
首先，如S2所示，將光阻膜100作為遮罩，蝕刻BARC膜102。藉此，將光阻圖樣的開口部轉印至BARC膜102。本步驟的製程條件如下：壓力5(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力200/50(W)、氣體為CF4/O2，加熱器的設定溫度為60/50℃(中央/邊緣)。
接著如S3所示，將光阻膜100及BARC膜102作為遮罩以蝕刻非晶矽膜104。藉此，將BARC膜102的圖樣轉印至非晶矽膜104上。本步驟的製程條件如下：壓力25(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力200/100(W)、氣體為HBr、加熱器的設定溫度為50/40℃(中央/邊緣)。
接著，如S4所示，進行O2清洗以去除光阻膜100及BARC膜102。本步驟的製程條件如下：壓力50(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力750/0(W)、氣體為O2、加熱器的設定溫度為50/40℃(中央/邊緣)。
接著如S5所示，將非晶矽膜104作為遮罩以蝕刻氮化矽膜106(主蝕刻)。藉此，將非晶矽膜104的圖樣轉印至氮化矽膜106。本步驟的製程條件如下：壓力20(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力400/300(W)、氣體為CH2F2/CH3F/O2、加熱器的設定溫度為35/35℃(中央/邊緣)。
接著如S6所示，將非晶矽膜104及氮化矽膜106作為遮罩以蝕刻矽氧化膜108(過蝕刻)。此時，形成矽氧化膜108上殘留少許氮化矽膜106的狀態。本步驟的製程條件如下：壓力20(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力400/300(W)、氣體為CH2F2/CH3F/O2、加熱器之設定溫度為35/35℃(中央/邊緣)。
最後如S7所示，完全地去除氮化矽膜106(穿透蝕刻)。本步驟的製程條件如下：壓力10(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力 200/150(W)、氣體為Cl2、加熱器的設定溫度為35/35℃(中央/邊緣)。另外，在穿透蝕刻之後實行O2清洗。藉此去除沉積物。本步驟的製程條件如下：壓力為50(mTorr)、第2高頻電力/第1高頻電力為750/0(W)、氣體為O2、加熱器之設定溫度為35/35℃(中央/邊緣)。
藉由以上的步驟，依序將光阻圖樣轉印至下一膜層，最後在矽氧化膜108上形成具有既定開口尺寸的孔洞。
(CD值的測量結果：2個區域)
圖6中表示，將以上步驟中所形成之孔洞的直徑(以下稱為CD(Critical Dimension))的不平均，在外周方向(直徑方向)上，顯示於晶圓中心至外緣的結果。測量的方法，係從晶圓的中心相對於圓周方向上彼此間隔90度的4點(十字的4點)在直徑方向上量測複數的點。圖6係將該等測量點重疊於1個軸上的結果。
圖6的横軸係表示在直徑方向上從晶圓中心至邊緣的位置，圖6的縱軸係表示形成於各個位置之孔洞的CD值。圖6的左圖表示在S3中所示的非晶矽膜104的蝕刻步驟之後，形成於非晶矽膜104中之孔洞的CD值，圖6的右圖表示在S7的所有步驟之後，形成於矽氧化膜108之孔洞的CD值。 又，加熱器75在離晶圓的外緣大約130(mm)的位置，分割為中央區域75c與邊緣區域75e。
從圖6之左圖的結果來看，在非晶矽膜104的蝕刻步驟的階段，CD值已經在直徑方向上產生最大為5nm左右的差異。由於無法謀求在直徑方向上從晶圓中心至邊緣的溫度控制之均勻性，故認為其係蝕刻速率不平均所產生的結果。
另外，從圖6之右圖的結果來看，在所有步驟之後，CD值的不均勻性更為顯著。可瞭解到，特別在晶圓中心附近CD值變大的點(晶圓中心附近孔洞直徑大)，及晶圓最外側附近CD值變小的點(晶圓最外側附近孔洞直徑小)，其溫度控制並不充分。像這樣在晶圓W中心附近具有奇異點，係因為在晶圓W之中心附近的上方，電漿密度較高，特別是自由基的密度較高；而在晶圓的最外側區域具有奇異點，係因為在晶圓外側熱難以散去，而容易將熱限制於該處。
從以上的結果來看，本實施態樣中，可將溫度難以平均的晶圓中心附近及晶圓最外側附近作為溫度控制的奇異點，並以分別對具有奇異點的中央區域A及邊緣區域D進行溫度控制的方式進行分割。更進一步，在圖6的結果中，於其中的中間區域，CD值亦朝向外側逐漸變大，故若僅作為1個區域來控制，並無法保持晶圓溫度的表面均勻性。因此，本實施態樣中，將中間區域分割為2個中間區域(內中間區域B、外中間區域C)。像這樣，本實施態樣之加熱器75中雖採用分割為4個區域的構成，但並不僅限於此，亦可藉由將加熱器75之中間區域分割為3個以上的區域，將整體分割為共5個以上的區域。
(各區域的設定溫度)
接著，就各區域的設定溫度，參照圖7進行說明。圖7的上圖，係將加熱器分割為2個區域以進行溫度控制的情況中，測量加熱器的設定溫度與晶圓溫度的表面均勻性之關係的結果。圖5所說明的製程中，係在將中央區域設定為60℃，而將邊緣區域的加熱器之設定溫度設定為40℃、50℃、60℃、70℃的狀態下，於進行電漿處理時之晶圓溫度的平均值。溫度高於設定溫度，係因為從電漿傳入的熱使晶圓的溫度上升。任何的情況皆無法謀求晶圓溫度的表面均勻性。可瞭解到，特別因為無法控制中間區域的溫 度，而在中央的外側與邊緣區域的不均勻性變大。另外可瞭解，加熱器的設定溫度越高，晶圓外側的熱越難散去，而使晶圓溫度變高。
基於上述的結果，圖7之下圖的曲線S1表示在將加熱器分割為4個區域以進行溫度控制之情況下，量測加熱器的設定溫度與晶圓溫度之表面均勻性的關係。
圖7的下圖中，菱形的圖示係在將加熱器分割為2個區域，並將中央及邊緣的溫度設定為60℃、40℃的情況中的CD值，而圖7的下圖中，正方形的圖示，係在將加熱器分割為2個區域，並將中央及邊緣的溫度設定為60℃、50℃的情況中的CD值。像這樣，若邊緣區域的設定溫度上升，則邊緣的CD值變小。若更考慮中央區域的設定溫度上升而中央側的CD值變小，則在將中央及邊緣之溫度設定為60℃、60℃的情況中，預測其形成曲線S2的態樣。
因此，在將加熱器分割為4個區域的情況中，將各區域的設定溫度設定為70℃、60℃、70℃、50℃的情況下，因為將中央區域A、外中間區域C的設定溫度從60℃上升至70℃，故預測CD值下降，可預測如同曲線S1，而能夠謀求晶圓溫度的表面均勻性。
(CD值的測量結果：4區域)
根據以上所示之設定溫度與CD值的相關關係，為了謀求圖5中各步驟的4個區域之加熱器的設定溫度的最佳化，將最佳溫度設定於處方中以進行所有步驟的處理。結果表示於圖8之右圖。若與圖8之左圖所示的以分割為2個區域的加熱器進行所有步驟的處理之結果相比，在以分割為4個區域的加熱器進行溫度控制的情況中，並未發現如同以2個區域的加熱器進行處理中，「晶圓中心附近的孔洞直徑大」及「晶圓最外側附近的孔洞直徑小」的情況，故可謀求晶圓溫度的表面均勻性。又，在以2個區域的加熱器進行溫度控制時，於BARC膜102的蝕刻步驟中，中央區域/邊緣區域的設定溫度為60/50℃，而在以2個區域的加熱器進行溫度控制時，於氮化矽膜106的蝕刻步驟中，中央區域/邊緣區域的設定溫度為35/35℃。另外，在以4個區域的加熱器進行溫度控制時，於BARC膜102的蝕刻步驟中，中央區域/內中間區域/外中間區域/邊緣區域的設定溫度為60/45/45/43℃，而在以4個區域的加熱器進行溫度控制時，於氮化矽膜106的蝕刻步驟中， 中央區域/內中間區域/外中間區域/邊緣區域的設定溫度為40/45/50/50℃。
(區域面積)
接著，就各區域的面積，參照圖9及圖10進行說明。圖9及圖10，係將一實施態樣之加熱器分割為4個區域，並表示各區域的圖。在圖9中，中央區域A的面積最大，從中央區域A至邊緣區域D，越往外側移動，區域的面積越小。意即，最外側的加熱器的面積最小。藉此，可隨著往最外側移動而進行精細的溫度調節，故可改善溫度的均勻性。
圖10中，中央區域A的面積最大，從中央區域A至外中間區域C，越往外側移動，區域面積越小，但外中間區域C的面積小於邊緣區域D的面積。意即，從最外側起算第2個區域的外中間區域C之加熱器面積為最小。藉此，因為相較於最外側的部份，可對內側的中間區域進行更精細的溫度調整，故可改善溫度的均勻性。
(電源的切換)
在圖9及圖10所示的加熱器75的構成中，於中間區域(內中間區域B、外中間區域C)，可切換交流電源44的ON、OFF。例如，藉由將如圖10所示之區域面積最小的外中間區域C的電源切換為關閉，可迴避從外中間區域C對鄰接區域D、B的溫度干涉。藉此，因為可控制鄰接區域D、B之溫度的相關關係，故可提高晶圓W的溫度控制性。另外，藉由將電源切換為OFF，可降低能源的消耗。
另一方面，在中央區域A及邊緣區域D，無法切換交流電源44的ON、OFF。此為如同前述，因為在晶圓中心附近的電漿密度較高，而在晶圓最外側區域，熱難以散去而容易滯留於該處，故中央區域A及邊緣區域D具有溫度分布的奇異點，而因此被認為是不能缺少溫度控制的區域。
如上述之說明，設置了本實施態樣之加熱器75的電漿處理裝置1，將設置於靜電夾頭40內或是附近的加熱器75分割為4個以上的區域。藉此，可分別對由電漿之狀態或裝置構成而產生奇異點的中央區域A及最外側的邊緣區域D進行溫度控制，同時，藉由將中間區域分割為2個以上的區域，可更精細地進行加熱器的溫度控制。結果，可謀求晶圓溫度之表面均勻性。在晶圓尺寸為450mm以上的情況中，因為中間區域的面積變得特別大，故中間區域的溫度控制變得較困難。因此，晶圓的尺寸變得越大，將中間區 域對應晶圓W的尺寸進行更細的分割以進行溫度控制特別具有意義。
[加熱器的溫度控制方法]
本實施態樣的加熱器75，分割為4個區域，兩端的區域A、D存在1個鄰接區域，而中央的中間區域B、C存在2個鄰接區域。因此，各區域接受來自鄰接區域的溫度干涉。特別是中央的中間區域B、C接受來自兩側區域的溫度干涉。因此，若修正從鄰接區域對於各區域之設定溫度的溫度干涉，可以更高的精度進行溫度控制。
另外，因為靜電夾頭40的表面位於加熱器75的上方，故靜電夾頭40的表面溫度相對於各區域之加熱器75的設定溫度不一定相同，而產生了偏差。因此，若修正該偏差，可以更高的精度進行溫度控制。
以下，就修正來自鄰接區域的溫度干涉的方法、修正加熱器75的溫度與靜電夾頭40的表面溫度之偏差的方法，及以修正後的溫度對各區域之加熱器進行溫度控制的溫度控制方法進行說明。
又，以下α1、α2、α3、α4表示第1修正值，其用以修正與圖18所示的中央區域A、內中間區域B、外中間區域C及邊緣區域D的設定溫度對應之靜電夾頭40的表面溫度的偏差。另外，以β1、β2、β3、β4表示第2修正值，其用以修正來自中央區域A、內中間區域B、外中間區域C、邊緣區域D的鄰接區域的溫度干涉。更進一步，為了設定該等修正值，使用溫度感測器77。溫度感測器77的位置，如圖11所示，在本實施態樣中，係設置於內中間區域B的加熱器背面。然而，溫度感測器77的位置並不僅限於此，亦可設置於其他區域。另外，溫度感測器77不限於1個，亦可設置複數溫度感測器77。特別是，宜在圓周上設置3個以上的溫度感測器77。例如，在圖12中，於圓周上設置了4個溫度感測器77a、77b、77c、77d。藉此可更正確地測量圓周方向上的溫度分布。
[控制裝置80的功能構成]
加熱器的溫度控制方法，係藉由控制裝置80來實行。以下，就本實施態樣之控制裝置80的功能構成，參照圖13進行說明之後，就該動作(溫度控制)，參照圖19進行說明。
圖13係控制裝置80的功能構成圖。控制裝置80包含擷取部81、記憶部83、溫度設定部84、溫度控制部85、判定部86及電漿處理實行部87。
擷取部81，隨時輸入由溫度感測器77所檢測出來的加熱器75背面的溫度。在設置了複數溫度感測器77的情況中，輸入來自複數的溫度感測器77的感測器值。
溫度設定部84，計算出第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4(該第1修正值用來修正靜電夾頭40的表面溫度相對各區域之設定溫度的偏差，該第2修正值用來修正從鄰接區域對各區域之設定溫度的溫度干涉)，並預先記憶於記憶部83中。關於計算方法於後段中敘述。
記憶部83中，預先記憶各區域的設定溫度與流過加熱器75的電流值的相關關係(該電流值使溫度成為根據第1修正值α1、α2、α3、α4，及第2修正值β1、β2、β3、β4對各區域進行修正之後的溫度)。另外，記憶部83記憶製程處方，其設定製程的順序與條件。例如，亦可在製程處方中設定如圖5所示的製程順序與各步驟的製程條件。
溫度控制部85，對各區域調整加熱器75的控制溫度。溫度控制部85，亦可修正靜電夾頭40的表面溫度相對於各區域之設定溫度的偏差，並對各區域調整加熱器75的控制溫度。另外，溫度控制部85，亦可修正從鄰接區域對各區域之設定溫度的溫度干涉，並且對各區域調整加熱器75的控制溫度。溫度控制部85，可僅控制該等調整中的一方，亦可控制雙方。在進行該等調整時，亦可根據記憶於記憶部83的第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4的至少任一方，來對各區域調整加熱器75的控制溫度。此時，溫度控制部85，在各區域中，至少將由設置於一個區域的溫度感測器77所檢測出來的溫度作為溫度檢測區域的設定溫度，並從記憶於記憶部83中的該區域之設定溫度與流過各區域之加熱器的電流值的相關關係，算出流過各區域之加熱器的電流值。
判定部86，在每一個計算出來的加熱器之電流值中的至少任一個電流值低於預先設定之臨界值的情況下，判定為需要更換靜電夾頭40的時機。其理由為，若反覆使用加熱器75，則會因為熱膨張等原因，使加熱器75從陶瓷的靜電夾頭40剝離，使該部分的溫度維持在高溫狀態，結果造成電流值下降。又，臨界值亦可預先記憶於記憶部83。
電漿處理實行部87，依照記憶於記憶部83的製程處方實行電漿蝕刻處理。
[修正值的計算]
接著，求出加熱器設定溫度Y1、Y2、Y3、Y4的修正函數。具體而言，就預先算出第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4，並使用第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4來求得修正後之加熱器控制溫度的方法，參照圖14~圖18進行說明。圖14係說明與本實施態樣之加熱器的設定溫度Y1對應的修正值α1、β1的計算方法的圖。圖15係說明與本實施態樣之加熱器的設定溫度Y2對應的修正值α2、β2的計算方法，圖16係說明與本實施態樣之加熱器的設定溫度Y3對應的修正值α3、β3的計算方法，圖17係說明與本實施態樣之加熱器的設定溫度Y4對應的修正值α4、β4的計算方法的圖。圖18係說明對各區域之設定溫度之修正及輸入各區域的輸入電流值的圖。
如下所述，藉由修正加熱器控制溫度，來修正來自鄰接區域的溫度干涉，及加熱器75的設定溫度與靜電夾頭40之表面溫度的偏差，並藉由與修正了該等因素之後的加熱器75的控制溫度對應的輸入加熱器的輸入電流值，可精度良好地控制加熱器的溫度。
以下的說明中，變數X1、X2、X3、X4表示中央區域A、內中間區域B、外中間區域C及邊緣區域D的各目標溫度，意即，實際上需要控制之溫度的靜電夾頭40的各區域之表面溫度，而變數Y1、Y2、Y3、Y4表示各區域中的加熱器75之設定溫度。變數Z1、Z2、Z3為鄰接溫度，其表示來自鄰接區域的溫度干涉。具體而言，如圖14所示，與中央區域A對應的鄰接溫度以變數Z1表示。另外，與圖15的內中間區域B對應的鄰接溫度以變數Z1、Z2表示，與圖16的外中間區域C對應的鄰接溫度以變數Z2、Z3表示，與圖17的邊緣區域對應的鄰接溫度以變數Z3表示。
又，使用紅外光譜IR測定表示原區域之目標溫度(靜電夾頭40的表面溫度)的變數X1、X2、X3、X4及表示鄰接溫度的變數Z1、Z2、Z3。另外，使用螢光溫度計測定表示加熱器75之設定溫度的變數Y1、Y2、Y3、Y4。
例如，關於中央區域A的加熱器，在考慮鄰接區域之溫度Z1之影響的情況下，以式(1)表示加熱器設定溫度Y1與目標溫度X1的關係。
Y1=α1X1+β1(Z1)‧‧‧(1)
在圖14的作圖中顯示式(1)的直線。實際測量原區域之靜電夾頭40的 表面溫度，若不受鄰接溫度Z1的影響，則斜率α1相同。此處，假定β1(Z1)為定值。在溫度感測器77檢測出中央區域A之背面的感測器溫度T1的情況中，可使加熱器設定溫度Y1與為實測值的感測器溫度T1同值。因此，藉由至少在2個相異的點測定加熱器設定溫度Y1(=感測器溫度T1)及靜電夾頭40的表面溫度的實測值X1，以計算出第1修正值α1及第2修正值β1。
相同地，關於內中間區域B的加熱器，在考慮鄰接溫度Z1、Z2之影響的情況下，以式(2)表示加熱器設定溫度Y2與目標溫度X2的關係。
Y2=α2X2+β2(Z1、Z2)‧‧‧(2)
圖15的作圖中表示式(2)的直線。此時，鄰接溫度Z1及Z2，係以作為溫度控制的假定範圍內的特定組合所固定的值，故β2(Z1、Z2)為定值。在溫度感測器77檢測出內中間區域B之背面的感測器溫度T2的情況中，可使加熱器設定溫度Y2與作為實測值的感測器溫度T2同值。因此，藉由至少測定2個相異的點測定加熱器設定溫度Y2(=感測器溫度T2)及靜電夾頭40的表面溫度之實測值X2，可算出第1修正值α2及第2修正值β2。
以相同的方式，從式(3)、式(4)算出對外中間區域C、邊緣區域D進行溫度控制的第1修正值α3、α4及第2修正值β3、β4。
Y3=α3X3+β3(Z2、Z3)‧‧‧(3)
Y4=α4X4+β4(Z3)‧‧‧(4)
圖16的作圖表示式(3)的直線，圖17的作圖表示式(4)的直線。又，加熱器設定溫度Y3=感測器溫度T3，加熱器設定溫度Y4=感測器溫度T4。
如此，溫度設定部84，預先算出在所有假定的鄰接區域之溫度設定值的組合中，圖18所示的所有修正值。計算出來的第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4記憶於記憶部83。另外，記憶部83中預先記憶了各區域的設定溫度Y1、Y2、Y3、Y4與流至加熱器75之各區域的電流值I1、I2、I3、I4的相關關係(該電流值使溫度成為對各區域根據第1修正值α1、α2、α3、α4及第2修正值β1、β2、β3、β4所計算出來的控制溫度)。
以上的修正值的計算方法，可預先測定與鄰接的各區域間的溫度變化對應的相對關係，並實際測量1個區域的溫度，再以測量的溫度當作基準溫度，以求得輸入各區域之加熱器75的輸入電流值。藉此，可對各區域之加熱器進行修正的溫度控制。
又，上述說明中，例如關於內中間區域B的加熱器，雖以β2(Z1、Z2)來估算來自鄰接區域的影響，但若不僅考慮鄰接區域而更進一步考慮來自該外側區域的影響，則更能提升修正的精度。例如就關於內中間區域B的加熱器而言，若不僅考慮中央區域A及外中間區域C，亦考慮來自邊緣區域D的影響，並以β2(Z1、Z2、Z3)來估計該影響，則更可提高修正的精度(參照式(6))。相同地，以下述之式(5)~式(8)的方式，不僅能預先算出鄰接的區域，甚至連包含了該外側溫度Z之組合的修正值都可預先計算出來。
Y1=α1X1+β1(Z1、Z2、Z3)‧‧‧(5)
Y2=α2X2+β2(Z1、Z2、Z3)‧‧‧(6)
Y3=α3X3+β3(Z1、Z2、Z3)‧‧‧(7)
Y4=α4X4+β4(Z1、Z2、Z3)‧‧‧(8)
更進一步，在將外中間區域C的電源OFF的情況中，因為來自外中間區域C的溫度干涉消失，各區域的加熱器設定溫度與目標溫度之關係變為式(9)~式(11)。
Y1=α1X1+β1(Z1、Z3)‧‧‧(9)
Y2=α2X2+β2(Z1、Z3)‧‧‧(10)
Y4=α4X4+β4(Z1、Z3)‧‧‧(11)
[控制裝置的動作]
最後，就控制裝置80的動作，意即，藉由控制裝置80所實行的溫度控制，參照圖19的流程圖進行說明。又，此處，以Z表示鄰接區域的溫度。如同前述，預先算出各區域之第1及第2修正值α1~α4、β1~β4，並記憶於記憶部83。另外，與修正後之加熱器設定溫度Y1~Y4對應的輸入電流值I1~I4的相關關係，亦記憶於記憶部83中。
本處理之開始，首先由擷取部81藉由安裝於內中間區域B的溫度感測器77，擷取檢測出來的感測器溫度T2(步驟S100)。接著，溫度設定部84，將感測器溫度T2作為基準溫度，並將感測器溫度T2代入式(2)的加熱器設定溫度Y2，將目標值代入目標溫度X2，以算出鄰接區域之溫度Z(步驟S102)。
Y2=α2X2+β2(Z1，Z2)‧‧‧(2)
接著，溫度設定部84，根據式(1)、式(3)、式(4)，將目標值帶入X1、X3、X4，並帶入鄰接區域的溫度影響Z，藉此計算出加熱器設定溫度Y1、 Y3、Y4(步驟S104)。
Y1=α1X1+β1(Z1)‧‧‧(1)
Y3=α3X3+β3(Z2、Z3)‧‧‧(3)
Y4=α4X4+β4(Z3)‧‧‧(4)
接著，溫度控制部85根據記憶於記憶部83的各區域之設定溫度Y與電流值I之相關關係，計算出與加熱器設定溫度Y1、Y2、Y3、Y4對應的加熱器的輸入電流值I1、I2、I3、L4，並藉由將加熱器的輸入電流值I1、I2、I3、I4通入各區域的加熱器中，以控制各區域的加熱器溫度(步驟S106)。
接著，判定部86，判定在加熱器的輸入電流值I1、I2、I3、I4之中，是否有比既定的臨界值更低的輸入電流值，若判定為「有」的情況，則判定為需要更換靜電夾頭40的時機(步驟S108)，而結束本處理。若判定為「無」的情況，則直接結束本處理。
[功效]
如以上所說明，在設置了本實施態樣之加熱器75的電漿處理裝置1中，將設置於靜電夾頭40內或是附近的加熱器75分割為4個以上的區域。藉此分別對因為電漿的狀態與裝置構成而產生奇異點的中央區域A與最外側的邊緣區域D進行溫度控制，同時將中間區域分割為3個以上，可因此更精細地進行加熱器的溫度控制。結果，可謀求晶圓溫度的表面均勻性。
另外，各區域接受來自鄰接區域的溫度干涉。特別是在中央的區域溫度干涉變大。於是，以本實施態樣之電漿處理裝置1所實行而得到的溫度控制方法，可修正從鄰接區域對各區域之設定溫度的溫度干涉。另外，對於各區域之設定溫度，可修正靜電夾頭40之表面溫度的偏差(該靜電夾頭設置於比加熱器75更上方)。藉此可進行更高精度的溫度控制。
以上，雖參照添附的圖式對本發明的較佳實施態樣進行詳細地說明，但本發明並不限於相關的實施例。凡為本發明所屬的技術領域中具有通常知識者，在申請專利範圍中所記載的技術思想的範疇中可明確由各種變化實施例或是修正例思及而得者，當然屬於本發明之技術範圍。
以上雖將電漿蝕刻作為在電漿處理裝置中所實行的電漿處理，並以此為例，但本發明不限於電漿蝕刻，例如，亦可適用於藉由化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)在晶圓上形成薄膜的電漿CVD，及進行電漿氧 化、電漿氮化、濺鍍、清洗等的電漿處理裝置。
另外，本發明之電漿處理裝置，並非限制於電容耦合型電漿處理裝置(其藉由在腔室內之平行平板電極間所產生的高頻放電來產生電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma))，亦可適用在例如，感應耦合型電漿處理裝置，(其在腔室的頂面或是周圍配置天線以在高頻的感應電磁場下產生感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma))，及使用微波的功率產生電漿波的微波電漿處理裝置等。
在本發明中，被施予電漿處理的被處理體，並不限於半導體晶圓，亦可為例如：用於平面顯示器(FPD：Flat Panel Display)的大型基板、EL元件或是用於太陽能電池的基板。
亦可在該加熱器中，使從該中央區域至該2個以上的中間區域的面積，越往外側移動面積越小，並使最外側的中間區域的面積小於其外側之該邊緣區域的面積。
亦可在該加熱器中，使從該中央區域至該邊緣區域為止的面積，越往外側移動面積越小。
該溫度控制部，亦可在僅使該最外側的中間區域之加熱器為OFF的狀態下，調整該區域以外之區域的該加熱器的控制溫度。
該溫度控制部，亦可修正該靜電夾頭表面溫度相對各區域之設定溫度的偏差，並對各區域調整加熱器的控制溫度。
該溫度控制部，修正從鄰接區域對各區域之設定溫度的溫度干涉，並且對各區域調整該加熱器的控制溫度。
更包含溫度設定部，其設定第1修正值及第2修正值，用以修正該靜電夾頭之表面溫度相對於該各區域的設定溫度的偏差，及用以修正從鄰接區域對該各區域之設定溫度的溫度干涉，該溫度控制部，亦可根據該第1修正值及該第2修正值，對各區域調整該加熱器的控制溫度。
該溫度設定部，將該各區域的設定溫度與流過該加熱器之電流值的相關關係(該電流值使溫度成為根據該第1修正值及該第2修正值對每個區域所算出的控制溫度)預先記憶於記憶部，該溫度控制部，亦可藉由設置於該各區域之中至少一個區域的溫度感測器，將檢測出來的溫度作為該測量區域的設定溫度，以從該區域之設定溫度與記憶於該記憶部中的該相關關係 計算出流過該各區域之加熱器的電流值。
更具備判定部，其在該算出的各區域之加熱器的電流值中的至少任1個低於預先設定的臨界值的情況中，判定該靜電夾頭的更換時機。
設置於該任一區域的溫度感測器，亦可在圓周上設置3個以上。
在設於該載置台內或是附近的該加熱器附近設置冷媒管，並在該冷媒管內更具備使冷媒循環的冷卻裝置，該冷媒管，亦可以對應該加熱器的各區域分割的方式配置。
該載置台，可載置直徑450mm以上的被處理體，該加熱器的中間區域，亦可以同心圓狀分割為3個以上的區域。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧腔室
12‧‧‧載置台(下部電極)
14‧‧‧筒狀保持部
16‧‧‧筒狀支持部
18‧‧‧聚焦環
20‧‧‧排氣路徑
22‧‧‧緩衝板
24‧‧‧排氣口
26‧‧‧排氣管
28‧‧‧排氣裝置
30‧‧‧閘門閥
31‧‧‧第1高頻電源
32‧‧‧第2高頻電源
33、34‧‧‧整合器
38‧‧‧沖淋頭(上部電極)
40‧‧‧靜電夾頭
40a‧‧‧電極
42‧‧‧直流電壓源
43‧‧‧開關
44‧‧‧交流電源
52‧‧‧傳熱氣體供給源
54‧‧‧氣體供給線
56‧‧‧電極板
56a‧‧‧氣體通氣孔
58‧‧‧電極支持體
60a‧‧‧氣體導入口
62‧‧‧氣體供給源
64‧‧‧氣體供給配管
66‧‧‧磁石
70‧‧‧冷媒管
71‧‧‧冷卻單元
72、73‧‧‧配管
77‧‧‧溫度感測器
75‧‧‧加熱器
80‧‧‧控制裝置
w‧‧‧晶圓

Claims (13)

  1. 一種電漿處理裝置，其藉由高頻電力使氣體電漿化，並藉由該電漿的作用對被處理體進行電漿處理，其特徵為包含：處理容器，其可減壓；載置台，設置於該處理容器內，且載置被處理體；靜電夾頭，設於該載置台上，藉由對夾頭電極施加電壓而以靜電吸附被處理體；加熱器，其設置於該靜電夾頭內或是附近，並分割為：圓形的中央區域、以同心圓狀設於該中央區域之外側的2個以上的中間區域、以同心圓狀設於最外側的邊緣區域；以及溫度控制部，其針對各該分割的區域調整該加熱器的控制溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該加熱器，從該中央區域至該2個以上的中間區域為止，越往外側之區域的面積越小，而最外側的中間區域的面積小於其外側之該邊緣區域的面積。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該加熱器，從該中央區域至該邊緣區域為止，越往外側之區域的面積越小。
  4. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，該溫度控制部，在僅使該最外側的中間區域的加熱器為OFF狀態下，調整該最外側的中間區域以外之區域的該加熱器的控制溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，該溫度控制部，一面修正該靜電夾頭的表面溫度相對於各區域之設定溫度的偏差，一面逐一區域調整該加熱器的控制溫度。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 該溫度控制部，一面修正來自鄰接區域對各區域之設定溫度的溫度干涉，一面逐一區域調整該加熱器的控制溫度。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其中更包含：溫度設定部，其設定第1修正值與第2修正值；該第1修正值用來修正該靜電夾頭的表面溫度相對於該各區域的設定溫度的偏差，該第2修正值用來修正來自於鄰接區域對該各區域之設定溫度的溫度干涉；該溫度控制部，根據該第1修正值及該第2修正值，逐一區域調整該加熱器的控制溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中，該溫度設定部，預先記憶該各區域的設定溫度與流過該各區域之加熱器的電流值之相關關係，該電流值使溫度成為根據該第1修正值及該第2修正值對各區域所算出的控制溫度；該溫度控制部，以藉由設於該各區域中之至少一個區域的溫度感測器所檢測出來的溫度作為該測量區域的設定溫度，從該區域之設定溫度與記憶於該記憶部的該相關關係，算出流過該各區域之加熱器的電流值。
  9. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中更包含：判定部，其在該算出的各區域的加熱器之電流值中的至少一個電流值低於預先設定的臨界值的情況下，判定為該靜電夾頭的更換時機。
  10. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中，設於該任一區域上的溫度感測器，係在圓周上設置3個以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中更包含：冷卻裝置，在與設於該載置台內或是其附近的該加熱器對向的位置設冷煤管，而使冷煤在該冷媒管內循環。
  12. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 該載置台上載置直徑450mm以上的被處理體；該加熱器的中間區域，成同心圓狀分割為3個以上的區域。
  13. 一種加熱器的溫度控制方法，該加熱器係設置於一電漿處理裝置中，該電漿處理裝置係以電力使氣體電漿化，並藉由該電漿的作用對被處理體進行電漿處理；該電漿處理裝置包含：處理容器，其可減壓；載置台，其設於該處理容器內，並載置被處理體；靜電夾頭，其設於該載置台上，並藉由對夾頭電極施加電壓而以靜電吸附被處理體；加熱器，其設於該靜電夾頭內或是附近，並分割為：圓形的中央區域、以同心圓狀設於其外側的2個以上的中間區域、以同心圓狀設於最外側的邊緣區域；以及記憶部，其預先記憶該各區域之加熱器的設定溫度與流過該加熱器之電流值的相關關係，該電流值使溫度成為修正過該靜電夾頭的表面溫度相對於該設定溫度的偏差及來自於鄰接區域對該各區域之設定溫度的溫度干涉之後的該各區域的控制溫度；該加熱器的溫度控制方法包含：將藉由至少設於該各區域中之一個區域的溫度感測器所檢測出來的溫度，擷取作為該檢測出來之區域的設定溫度的步驟；從該擷取的區域之設定溫度與記憶於該記憶部的該相關關係，算出流過各區域之加熱器的電流值的步驟；藉由使該算出的電流值流過各區域之加熱器，以控制該各區域之加熱器的溫度的步驟。
TW102101145A 2012-01-13 2013-01-11 電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法 TWI582819B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012005590A JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2012-01-13 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201344740A true TW201344740A (zh) 2013-11-01
TWI582819B TWI582819B (zh) 2017-05-11

Family

ID=48781522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102101145A TWI582819B (zh) 2012-01-13 2013-01-11 電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US20150132863A1 (zh)
JP (1) JP5973731B2 (zh)
KR (1) KR102021570B1 (zh)
TW (1) TWI582819B (zh)
WO (1) WO2013105575A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI594287B (zh) * 2014-12-16 2017-08-01 日立全球先端科技股份有限公司 Plasma processing equipment
TWI607508B (zh) * 2016-02-24 2017-12-01 斯庫林集團股份有限公司 熱處理裝置
TWI707379B (zh) * 2015-06-11 2020-10-11 日商東京威力科創股份有限公司 溫度控制方法及電漿處理裝置
CN113330819A (zh) * 2019-01-25 2021-08-31 东京毅力科创株式会社 加热器的温度控制方法、加热器和载置台
TWI738028B (zh) * 2018-07-17 2021-09-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 粒子束檢測設備
CN113394128A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 铠侠股份有限公司 贴合装置及贴合方法
CN113826189A (zh) * 2020-04-21 2021-12-21 株式会社日立高新技术 等离子处理装置以及等离子处理方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5973731B2 (ja) * 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
JP6106519B2 (ja) * 2013-05-09 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、制御装置、成膜装置及び基板処理システム
DE102013109155A1 (de) * 2013-08-23 2015-02-26 Aixtron Se Substratbehandlungsvorrichtung
US9435692B2 (en) * 2014-02-05 2016-09-06 Lam Research Corporation Calculating power input to an array of thermal control elements to achieve a two-dimensional temperature output
JP6240532B2 (ja) * 2014-02-27 2017-11-29 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの温度制御方法
KR101575505B1 (ko) 2014-07-21 2015-12-07 주식회사 스피드터치 공정온도 조절 장치
KR102343226B1 (ko) 2014-09-04 2021-12-23 삼성전자주식회사 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치
JP6530220B2 (ja) * 2015-03-30 2019-06-12 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及びその制御方法、並びに、静電チャック及びその制御方法
JP6537329B2 (ja) * 2015-04-07 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法およびプログラム
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
US9779974B2 (en) 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10381248B2 (en) 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10386821B2 (en) * 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US10237916B2 (en) 2015-09-30 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Systems and methods for ESC temperature control
JP6618336B2 (ja) * 2015-11-19 2019-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板の温度分布調整方法
US10582570B2 (en) * 2016-01-22 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
US10345802B2 (en) * 2016-02-17 2019-07-09 Lam Research Corporation Common terminal heater for ceramic pedestals used in semiconductor fabrication
US10634479B2 (en) * 2016-06-20 2020-04-28 Tokyo Electron Limited Measuring instrument for measuring electrostatic capacity and method of calibrating transfer position data in processing system by using measuring instrument
JP6961025B2 (ja) * 2016-06-24 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP6688172B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび方法
JP6986947B2 (ja) * 2017-01-19 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、温度制御方法及び温度制御プログラム
US11069545B2 (en) * 2017-01-19 2021-07-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, temperature control method, and temperature control program
US10509425B2 (en) * 2017-01-20 2019-12-17 Lam Research Corporation Virtual metrology method for ESC temperature estimation using thermal control elements
JP6688763B2 (ja) * 2017-05-30 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP7077006B2 (ja) * 2017-12-20 2022-05-30 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7088732B2 (ja) * 2018-04-27 2022-06-21 株式会社堀場エステック 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム
CN108624871A (zh) * 2018-05-11 2018-10-09 中晟光电设备（上海）股份有限公司 一种温度控制系统、薄膜沉积设备及温度控制方法
JP2020043171A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 温調方法
CN111009454B (zh) * 2018-10-05 2024-05-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、监视方法以及记录介质
JP7071946B2 (ja) * 2019-06-21 2022-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11646183B2 (en) * 2020-03-20 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with arc resistant coolant conduit
US11688615B2 (en) * 2020-08-19 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for heating semiconductor wafers
JP2022046103A (ja) * 2020-09-10 2022-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板を加熱する装置及び方法
JP7364547B2 (ja) * 2020-09-25 2023-10-18 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2022111771A (ja) * 2021-01-20 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法
CN113110644B (zh) * 2021-04-26 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘的温度控制方法和温度控制系统
MX2023014366A (es) * 2021-06-09 2023-12-15 Watlow Electric Mfg Company Dispositivo de aislamiento de conductos frios.
US11485124B1 (en) * 2021-07-29 2022-11-01 Nikko-Materials Co., Ltd. Laminating apparatus and laminating method using same

Family Cites Families (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5668524A (en) * 1994-02-09 1997-09-16 Kyocera Corporation Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase
JPH08302474A (ja) * 1995-04-28 1996-11-19 Anelva Corp Ｃｖｄ装置の加熱装置
US5796074A (en) * 1995-11-28 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Wafer heater assembly
US5880923A (en) * 1997-06-09 1999-03-09 Applied Materials Inc. Method and apparatus for improved retention of a semiconductor wafer within a semiconductor wafer processing system
JP4040814B2 (ja) * 1998-11-30 2008-01-30 株式会社小松製作所 円盤状ヒータ及び温度制御装置
US6423949B1 (en) * 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
EP1199908A4 (en) * 1999-10-22 2003-01-22 Ibiden Co Ltd CERAMIC HEATING PLATE
US6884972B2 (en) * 1999-12-09 2005-04-26 Ibiden Co., Ltd. Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus
EP1272006A1 (en) * 2000-04-07 2003-01-02 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
WO2001091166A1 (fr) * 2000-05-26 2001-11-29 Ibiden Co., Ltd. Dispositif de fabrication et de controle d'un semi-conducteur
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
JP2002076102A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Ibiden Co Ltd セラミック基板
US6960743B2 (en) * 2000-12-05 2005-11-01 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacturing, and method of manufacturing the ceramic substrate
JP4128339B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-30 株式会社日立製作所 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法
US6741446B2 (en) * 2001-03-30 2004-05-25 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor and method of operating same
JP3825277B2 (ja) * 2001-05-25 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
US6535372B2 (en) * 2001-06-20 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same
JP3708031B2 (ja) * 2001-06-29 2005-10-19 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および処理方法
JP4502168B2 (ja) * 2001-07-06 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法
TWI234417B (en) * 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
KR20040030803A (ko) * 2001-07-19 2004-04-09 이비덴 가부시키가이샤 세라믹 접합체 및 그 접합방법, 세라믹 구조체
JP3639546B2 (ja) * 2001-07-25 2005-04-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US6736720B2 (en) * 2001-12-26 2004-05-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing
US6921724B2 (en) * 2002-04-02 2005-07-26 Lam Research Corporation Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck
US7734439B2 (en) * 2002-06-24 2010-06-08 Mattson Technology, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US7778533B2 (en) * 2002-09-12 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor thermal process control
US7347901B2 (en) * 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
KR100708509B1 (ko) * 2003-07-14 2007-04-16 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 고정상 다관식 반응기
US7110917B2 (en) * 2003-11-14 2006-09-19 Ricoh Company, Ltd. Abnormality determining method, and abnormality determining apparatus and image forming apparatus using same
WO2006006391A1 (ja) * 2004-06-28 2006-01-19 Kyocera Corporation ウェハ加熱装置と半導体製造装置
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
TWI281833B (en) * 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
US7815740B2 (en) * 2005-03-18 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method
US20060289447A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-28 Mohamed Zakaria A Heating chuck assembly
JP4758716B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 株式会社タムラ製作所 加熱装置の制御方法
JP4790458B2 (ja) * 2006-03-22 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP5245268B2 (ja) * 2006-06-16 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7901509B2 (en) * 2006-09-19 2011-03-08 Momentive Performance Materials Inc. Heating apparatus with enhanced thermal uniformity and method for making thereof
US7838800B2 (en) 2006-09-25 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system
US7445446B2 (en) * 2006-09-29 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers
JPWO2008053929A1 (ja) * 2006-11-02 2010-02-25 東京エレクトロン株式会社 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法及び基板保持装置
JP5029257B2 (ja) * 2007-01-17 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5203612B2 (ja) * 2007-01-17 2013-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20080228308A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Tokyo Electron Limited Critical dimension uniformity optimization
JP2008288340A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及び洗浄時期予測プログラム
JP2009054871A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
CN101842877B (zh) * 2007-10-31 2012-09-26 朗姆研究公司 用于半导体处理室的温度控制模块及控制元件温度的方法
JP5032269B2 (ja) * 2007-11-02 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
JPWO2009063755A1 (ja) * 2007-11-14 2011-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および半導体基板のプラズマ処理方法
JP5414172B2 (ja) * 2007-12-05 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7848840B2 (en) * 2008-01-04 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method of controlling process parameters for semiconductor manufacturing apparatus
JP5454467B2 (ja) * 2008-02-27 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング処理装置およびプラズマエッチング処理方法
JP2009231401A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び熱処理装置
JP5210706B2 (ja) * 2008-05-09 2013-06-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5433171B2 (ja) * 2008-06-16 2014-03-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料温度の制御方法
KR101245430B1 (ko) * 2008-07-11 2013-03-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2011530833A (ja) * 2008-08-12 2011-12-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャックアセンブリ
JP2010050046A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
WO2010053173A1 (ja) * 2008-11-10 2010-05-14 株式会社Kelk 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法
US8405005B2 (en) * 2009-02-04 2013-03-26 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
US8404572B2 (en) * 2009-02-13 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
JP5239988B2 (ja) * 2009-03-24 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5651317B2 (ja) * 2009-03-31 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び温調方法
US20100279435A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Applied Materials, Inc. Temperature control of chemical mechanical polishing
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US8916793B2 (en) * 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
JP2011187758A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Tokyo Electron Ltd 温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体
US8435901B2 (en) * 2010-06-11 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect
US8608852B2 (en) * 2010-06-11 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies
KR101141261B1 (ko) * 2010-08-12 2012-05-04 한국에너지기술연구원 미세구조유체의 동적 열전도도 측정장치 및 방법
JP5552401B2 (ja) * 2010-09-08 2014-07-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および方法
US8633423B2 (en) * 2010-10-14 2014-01-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber
US9207689B2 (en) * 2011-03-08 2015-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate temperature control method and plasma processing apparatus
JP5712741B2 (ja) * 2011-03-31 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
US8552346B2 (en) * 2011-05-20 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling temperature of a multi-zone heater in an process chamber
JP5810674B2 (ja) * 2011-06-28 2015-11-11 オムロン株式会社 制御装置、加熱装置制御システム、制御方法、プログラムおよび記録媒体
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
CN104067691B (zh) * 2011-08-30 2017-04-19 沃特洛电气制造公司 高清晰度加热器和操作方法
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
KR101913891B1 (ko) * 2011-09-27 2018-10-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102103136B1 (ko) * 2011-09-30 2020-04-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 온도 제어되는 정전 척
US9494875B2 (en) * 2011-10-06 2016-11-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, a chuck control system, a lithography apparatus and a method of using a chuck
US10256123B2 (en) * 2011-10-27 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Component temperature control using a combination of proportional control valves and pulsed valves
US8844106B2 (en) * 2011-11-10 2014-09-30 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
JP5912439B2 (ja) * 2011-11-15 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
JP5973731B2 (ja) * 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
KR20130098707A (ko) * 2012-02-28 2013-09-05 삼성전자주식회사 정전 척 장치 및 그 제어방법
US9706605B2 (en) * 2012-03-30 2017-07-11 Applied Materials, Inc. Substrate support with feedthrough structure
US9984866B2 (en) * 2012-06-12 2018-05-29 Component Re-Engineering Company, Inc. Multiple zone heater
US9100992B2 (en) * 2012-10-08 2015-08-04 Minco Products, Inc. Heater assembly
US10049948B2 (en) * 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
JP6312451B2 (ja) * 2014-01-29 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 給電部カバー構造及び半導体製造装置
US11158526B2 (en) * 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9831111B2 (en) * 2014-02-12 2017-11-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measurement of the thermal performance of an electrostatic wafer chuck
JP6219227B2 (ja) * 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
JP6219229B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構
US10079165B2 (en) * 2014-05-20 2018-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with independent zone cooling and reduced crosstalk
JP6530220B2 (ja) * 2015-03-30 2019-06-12 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及びその制御方法、並びに、静電チャック及びその制御方法
JP6806704B2 (ja) * 2015-05-22 2021-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 方位角方向に調整可能なマルチゾーン静電チャック
US9812342B2 (en) * 2015-12-08 2017-11-07 Watlow Electric Manufacturing Company Reduced wire count heater array block
US10690414B2 (en) * 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
JP6688172B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび方法
JP2019067846A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI594287B (zh) * 2014-12-16 2017-08-01 日立全球先端科技股份有限公司 Plasma processing equipment
US11424108B2 (en) 2014-12-16 2022-08-23 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
TWI707379B (zh) * 2015-06-11 2020-10-11 日商東京威力科創股份有限公司 溫度控制方法及電漿處理裝置
TWI607508B (zh) * 2016-02-24 2017-12-01 斯庫林集團股份有限公司 熱處理裝置
US10249519B2 (en) 2016-02-24 2019-04-02 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light-irradiation heat treatment apparatus
TWI738028B (zh) * 2018-07-17 2021-09-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 粒子束檢測設備
US11430678B2 (en) 2018-07-17 2022-08-30 Asml Netherlands B.V. Particle beam inspection apparatus
CN113330819A (zh) * 2019-01-25 2021-08-31 东京毅力科创株式会社 加热器的温度控制方法、加热器和载置台
CN113394128A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 铠侠股份有限公司 贴合装置及贴合方法
CN113394128B (zh) * 2020-03-13 2023-09-01 铠侠股份有限公司 贴合装置及贴合方法
CN113826189A (zh) * 2020-04-21 2021-12-21 株式会社日立高新技术 等离子处理装置以及等离子处理方法
CN113826189B (zh) * 2020-04-21 2024-03-22 株式会社日立高新技术 等离子处理装置以及等离子处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102021570B1 (ko) 2019-09-16
WO2013105575A1 (ja) 2013-07-18
JP2013145806A (ja) 2013-07-25
US20170213751A1 (en) 2017-07-27
JP5973731B2 (ja) 2016-08-23
US20150132863A1 (en) 2015-05-14
KR20140114817A (ko) 2014-09-29
US20200219740A1 (en) 2020-07-09
TWI582819B (zh) 2017-05-11
US10026631B2 (en) 2018-07-17
US10629464B2 (en) 2020-04-21
US20180301362A1 (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI582819B (zh) 電漿處理裝置及加熱器之溫度控制方法
TWI671850B (zh) 多電極基板支撐組件與相位控制系統
TWI635563B (zh) 溫度控制機構、溫度控制方法及基板處理裝置
TWI584699B (zh) Plasma processing device and plasma processing method
TWI721062B (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
KR101050641B1 (ko) 기판 처리 장치 및 샤워 헤드
TWI452626B (zh) A plasma processing apparatus and a plasma processing method, and a memory medium
KR101892960B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
TW201732923A (zh) 蝕刻方法
JP2019114612A (ja) プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
TWI633599B (zh) Etching method and etching device
TW201030839A (en) Plasma Processing Method
US20200251313A1 (en) Temperature and bias control of edge ring
TWI808206B (zh) 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
JP4935149B2 (ja) プラズマ処理用の電極板及びプラズマ処理装置
TW201630068A (zh) 電漿蝕刻方法
TWI829787B (zh) 被處理體之電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
TWI772356B (zh) 基板處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式
JP6085106B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法