JP6961025B2 - 基板処理システム - Google Patents

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、基板処理システムに関する。

半導体の製造プロセスでは、被処理基板である半導体ウエハの温度が、半導体の特性を左右する重要な要素の一つである。そのため、製造プロセスでは、半導体ウエハの温度を高い精度で制御することが求められる。これを実現するため、例えば、半導体ウエハを載置する載置台を複数の領域に分割し、分割されたそれぞれの領域に独立制御が可能なヒータを設けることが考えられる。

しかし、分割された載置台上のそれぞれの領域に独立制御が可能なヒータを設けたとしても、それぞれの領域の温度が所望の温度に制御されているかどうかはわからない。そのため、それぞれの領域には、ヒータに加えて、温度センサを設けることが考えられる。これにより、載置台上のそれぞれの領域の温度を高い精度で制御することが可能となる。

特開２００６−２８３１７３号公報

ところで、半導体ウエハの温度制御の精度に関する要求は、プロセスの微細化に伴い、日々高まっている。そのため、半導体ウエハの温度も、より細かい領域毎に制御することが必要となり、載置台上の領域の分割数が増加することになる。載置台上の領域の分割数が増加すると、載置台の内部に設けられるヒータおよび温度センサの数が増加し、載置台の小型化が困難となる。また、載置台の内部に設けられるヒータおよび温度センサの数が増加すると、載置台の構造が複雑化し、設計の自由度も低下する。

本発明の一側面における基板処理システムは、基板処理装置と、基板処理装置を制御する制御装置とを備える。基板処理装置は、チャンバと、チャンバ内に設けられ、被処理基板を載置する載置台と、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に対応する載置台の内部に埋め込まれたヒータとを有する。制御装置は、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値と分割領域の温度との関係を示すテーブルを保持する保持部と、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値を測定する測定部と、分割領域毎に、テーブルを参照して、測定部によって測定されたヒータの抵抗値に対応する分割領域の温度を推定し、推定された温度が目標温度となるようにヒータに供給される電力を制御する制御部とを有する。

本発明の種々の側面および実施形態によれば、載置台の小型化および構造の簡素化が可能となる。

図１は、基板処理システムの一例を示すシステム構成図である。 図２は、実施例１における基板処理装置の構成の一例を示す断面図である。 図３は、静電チャックの上面の一例を示す図である。 図４は、制御装置の構成の一例を示すブロック図である。 図５は、各ヒータに供給される交流電圧および交流電流の波形の一例を示す図である。 図６は、各ヒータの抵抗値を測定するタイミングの一例を説明する図である。 図７は、変換テーブルの一例を示す図である。 図８は、実施例１における制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図９は、実施例２における基板処理装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０は、実施例２における制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図１１は、温度センサによる補正の効果を説明するための図である。 図１２は、変換テーブル作成時の基板処理装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、実施例３における制御装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図１４は、制御装置の機能を実現するコンピュータの一例を示す図である。

開示する基板処理システムは、１つの実施形態において、基板処理装置と、基板処理装置を制御する制御装置とを備える。基板処理装置は、チャンバと、チャンバ内に設けられ、被処理基板を載置する載置台と、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域に対応する載置台の内部に埋め込まれたヒータとを有する。制御装置は、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値と分割領域の温度との関係を示すテーブルを保持する保持部と、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値を測定する測定部と、分割領域毎に、テーブルを参照して、測定部によって測定されたヒータの抵抗値に対応する分割領域の温度を推定し、推定された温度が目標温度となるようにヒータに供給される電力を制御する制御部とを有する。

また、開示する基板処理システムの１つの実施形態において、それぞれのヒータには、交流電圧および交流電流が供給されており、測定部は、それぞれのヒータに供給される交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるゼロクロス点であって、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおける交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、それぞれのヒータの抵抗値を測定してもよい。

また、開示する基板処理システムの１つの実施形態において、少なくとも１つの分割領域に対応する載置台の内部には、温度センサが設けられていてもよく、制御部は、温度センサによって測定された分割領域の温度と、該分割領域に設けられたヒータの抵抗値に基づいて推定された温度との間に所定値以上の差が生じた場合に、該差に基づいて、全ての分割領域について推定された温度を補正してもよい。

また、開示する温度制御方法は、１つの実施形態において、チャンバと、チャンバ内に設けられ、被処理基板を載置する載置台と、載置台の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域において、載置台の内部に埋め込まれたヒータとを有する基板処理装置に対して、載置台の表面の温度を制御する温度制御方法である。該温度制御方法において、制御装置は、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値を測定する測定ステップと、分割領域毎に、載置台の内部に埋め込まれたヒータの抵抗値と分割領域の温度との関係を示すテーブルを参照して、測定されたヒータの抵抗値に対応する分割領域の温度を推定する推定ステップと、推定された温度が目標温度となるようにヒータに供給される電力を制御する制御ステップとを実行する。

また、開示する温度制御方法の１つの実施形態において、それぞれのヒータには、交流電圧および交流電流が供給されており、測定ステップでは、それぞれのヒータに供給される交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるゼロクロス点であって、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおける交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、それぞれのヒータの抵抗値が測定されてもよい。

また、開示する温度制御方法の１つの実施形態において、少なくとも１つの分割領域に対応する載置台の内部には、温度センサが設けられていてもよく、制御ステップでは、温度センサによって測定された分割領域の温度と、該分割領域に設けられたヒータの抵抗値に基づいて推定された温度との間に所定値以上の差が生じた場合に、該差に基づいて、全ての分割領域について推定された温度が補正されてもよい。

また、開示する温度制御方法の１つの実施形態において、制御装置は、上記テーブルを作成する作成ステップをさらに実行してもよい。作成ステップには、設定温度毎に、温度センサによって測定された温度に基づいて、当該温度センサが設けられた分割領域の温度が設定温度となるように、当該分割領域に設けられたヒータに供給される電力を制御するステップと、設定温度毎に、カメラを用いて、それぞれの分割領域から放射される所定波長の光の放射量を測定するステップと、設定温度毎に、温度センサが設けられていない他の分割領域から放射される所定波長の光の放射量と、温度センサが設けられた分割領域から放射される所定波長の光の放射量との差が所定値以内となるように、それぞれの分割領域に設けられたヒータに供給される電力を制御するステップと、設定温度毎に、それぞれの分割領域に設けられたヒータの抵抗値を測定するステップと、設定温度と、それぞれの分割領域に設けられたヒータの抵抗値とを対応付けてテーブルを作成するステップとが含まれてもよい。

以下に、開示する基板処理システムおよび温度制御方法の実施例について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例により開示される発明が限定されるものではない。また、各実施例は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

［基板処理システム１０のシステム構成］
図１は、基板処理システム１０の一例を示すシステム構成図である。基板処理システム１０は、例えば図１に示すように、基板処理装置１００および制御装置２００を備える。基板処理装置１００は、被処理基板の一例である半導体ウエハＷに対して、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、または熱処理等の処理を行う。制御装置２００は、基板処理装置１００の各部を制御し、基板処理装置１００内に搬入された半導体ウエハＷに対して基板処理装置１００に所定の処理を実行させる。

［基板処理装置１００の構成］
図２は、実施例１における基板処理装置１００の構成の一例を示す断面図である。本実施例における基板処理装置１００は、例えば図２に示すように、気密に構成され、電気的に接地されたチャンバ１を有する。チャンバ１は、例えば表面が陽極酸化被膜で覆われたアルミニウム等により、略円筒状に形成されている。

チャンバ１内には、例えばアルミニウム等の導電性の金属で形成された基材２ａが設けられている。基材２ａは、下部電極の機能を有する。基材２ａは、絶縁板３上に設けられた導体の支持台４に支持されている。また、基材２ａの上方の外周には、例えば単結晶シリコン等で形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、基材２ａおよび支持台４の周囲には、基材２ａおよび支持台４を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。

基材２ａの上方には、基材２ａと略平行に対向するように、換言すれば、基材２ａ上に配置される半導体ウエハＷと対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と基材２ａとは、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。基材２ａには、整合器１１ａを介して高周波電源１２ａが接続されている。また、基材２ａには、整合器１１ｂを介して高周波電源１２ｂが接続されている。

高周波電源１２ａは、プラズマの発生に用いられる所定の周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力を基材２ａに供給する。また、高周波電源１２ｂは、イオンの引き込み（バイアス）に用いられる所定の周波数の高周波電力であって、高周波電源１２ａよりも低い周波数（例えば、１３ＭＨｚ）の高周波電力を基材２ａに供給する。高周波電源１２ａおよび１２ｂのオンおよびオフの制御、ならびに、高周波電源１２ａおよび１２ｂによって供給される高周波の電力等は、後述する制御装置２００によって制御される。

基材２ａの上面には、半導体ウエハＷを吸着保持すると共に、半導体ウエハＷを加熱するための静電チャック６が設けられている。静電チャック６は、絶縁体６ｂと、絶縁体６ｂの間に設けられた電極６ａおよび複数のヒータ６ｃとを有する。電極６ａは、直流電源１３に接続されている。ヒータ６ｃは、後述する制御装置２００に接続されている。静電チャック６は、直流電源１３から印加された直流電圧によって静電チャック６の表面にクーロン力を発生させ、クーロン力により半導体ウエハＷを静電チャック６の上面に吸着保持する。直流電源１３のオンおよびオフは、後述する制御装置２００によって制御される。

また、静電チャック６は、制御装置２００から供給された電力で加熱されたヒータ６ｃにより、半導体ウエハＷを加熱する。静電チャック６の上面は、複数の領域である分割領域に分割されており、それぞれの分割領域にヒータ６ｃが１個ずつ設けられている。基材２ａおよび静電チャック６は、載置台の一例である。

基材２ａの内部には、ガルデン等の冷媒が流れる流路２ｂが形成されており、流路２ｂには、配管２ｃおよび２ｄを介してチラーユニット３３が接続されている。チラーユニット３３から供給された冷媒が流路２ｂ内を循環することによって、冷媒との熱交換により基材２ａが冷却される。チラーユニット３３によって供給される冷媒の温度および流量等は、後述する制御装置２００によって制御される。

また、基材２ａには、基材２ａを貫通するように、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等の伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するための配管３２が設けられている。配管３２は、伝熱ガス供給部３１に接続されている。伝熱ガス供給部３１から配管３２を通って半導体ウエハＷの裏面側に供給される伝熱ガスの流量等は、後述する制御装置２００によって制御される。

制御装置２００は、流路２ｂを流れる冷媒の温度と、静電チャック６内の各ヒータ６ｃに供給される電力と、半導体ウエハＷの裏面に供給される伝熱ガスの流量とを制御することにより、静電チャック６の上面に吸着保持された半導体ウエハＷの温度を、所定範囲内の温度に制御することができる。

シャワーヘッド１６は、チャンバ１の上部に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材４５を介してチャンバ１の上部に支持されている。本体部１６ａは、例えば表面に陽極酸化処理が施されたアルミニウム等により形成され、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持する。上部天板１６ｂは、例えば石英等のシリコン含有物質で形成される。

本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃが設けられている。本体部１６ａの底部には、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、多数のガス流出口１６ｅが形成されている。上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するように複数のガス導入口１６ｆが設けられており、それぞれのガス導入口１６ｆは、上記したガス流出口１６ｅに連通している。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、それぞれのガス流出口１６ｅおよびガス導入口１６ｆを介してチャンバ１内にシャワー状に拡散されて供給される。なお、本体部１６ａ等には、図示しないヒータや、冷媒を循環させるための図示しない配管等の温度調整器が設けられており、半導体ウエハＷの処理中にシャワーヘッド１６を所望の範囲内の温度に制御できるようになっている。

本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃに処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、配管１５ｂの一端が接続されており、配管１５ｂの他端には、弁Ｖおよびマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ａを介して、半導体ウエハＷの処理に用いられる処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続されている。処理ガス供給源１５から供給された処理ガスは、配管１５ｂを介してガス拡散室１６ｃに供給され、それぞれのガス流出口１６ｅおよびガス導入口１６ｆを介してチャンバ１内にシャワー状に拡散されて供給される。弁ＶおよびＭＦＣ１５ａは、後述する制御装置２００により制御される。

シャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）４０およびスイッチ４１を介して可変直流電源４２が電気的に接続されている。可変直流電源４２は、スイッチ４１により直流電圧の供給および遮断が可能となっている。可変直流電源４２の電流および電圧ならびにスイッチ４１のオンおよびオフは、後述する制御装置２００によって制御される。例えば、高周波電源１２ａおよび１２ｂから高周波電力が基材２ａに供給されてチャンバ１内の処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御装置２００によりスイッチ４１がオンとされ、上部電極として機能するシャワーヘッド１６に所定の大きさの直流電圧が印加される。

チャンバ１の底部には、排気口７１が形成されている。排気口７１には、排気管７２を介して排気装置７３が接続されている。排気装置７３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることによりチャンバ１内を所定の真空度まで減圧することができる。排気装置７３の排気流量等は、後述する制御装置２００により制御される。また、チャンバ１の側壁には、開口部７４が設けられており、開口部７４には、当該開口部７４を開閉するためのゲートバルブＧが設けられている。

チャンバ１の内壁には、内壁の面に沿って、デポシールド７６が、着脱自在に設けられている。また、内壁部材３ａの外周面には、内壁部材３ａを覆うようにデポシールド７７が設けられている。デポシールド７６および７７は、チャンバ１の内壁にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する。静電チャック６上に吸着保持された半導体ウエハＷと略同じ高さのデポシールド７６の位置には、直流的にグランドに接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）７９が設けられている。導電性部材７９により、チャンバ１内の異常放電が抑制される。

また、チャンバ１の周囲には、同心円状にリング磁石９が配置されている。リング磁石９は、シャワーヘッド１６と基材２ａとの間の空間に磁場を形成する。リング磁石９は、図示しない回転機構により回転自在に保持されている。

［静電チャック６］
図３は、静電チャック６の上面の一例を示す図である。静電チャック６の外周には、静電チャック６を囲むようにフォーカスリング５が設けられている。半導体ウエハＷが載置される静電チャック６の上面は複数の分割領域６０に分けられている。それぞれの分割領域６０は、静電チャック６の上面が同心円状に複数の領域に分割され、さらに、中心の領域を除くそれぞれの同心円状の領域が周方向に複数の領域に分割されたそれぞれの領域である。

本実施例において、静電チャック６の上面は、例えば図３に示すように、同心円状に５個の領域に分けられている。同心円状の５個の領域のうち、中心から２個目の領域は、例えば図３に示すように、周方向に３個の領域に分けられている。また、中心から３個目の領域は、例えば図３に示すように、周方向に６個の領域に分けられている。また、中心から４個目の領域は、例えば図３に示すように、周方向に９個の領域に分けられている。また、最外周の領域は、例えば図３に示すように、周方向に８個の領域に分けられている。このように、本実施例において、静電チャック６の上面は、２７個の分割領域６０に分けられている。なお、静電チャック６の上面の分割方法は、図３に示した例に限られない。

それぞれの分割領域６０に対応する静電チャック６の内部には、ヒータ６ｃが１個ずつ設けられている。それぞれの分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給される電力は、制御装置２００によってそれぞれ独立に制御される。なお、フォーカスリング５内にもフォーカスリング５の形状に沿って図示しないヒータが１個設けられており、該ヒータに供給される電力は、制御装置２００によって制御される。制御装置２００は、静電チャック６のそれぞれの分割領域６０に設けられた２７個のヒータ６ｃに供給される電力と、フォーカスリング５に設けられた１個のヒータに供給される電力とを、それぞれ独立に制御する。

［制御装置２００の構成］
図４は、制御装置２００の一例を示すブロック図である。制御装置２００は、例えば図４に示すように、複数の電力供給部２０−１〜２０−ｎ、測定部２４、制御部２５、および保持部２６を備える。なお、以下では、複数の電力供給部２０−１〜２０−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に、単に電力供給部２０と記載する。

電力供給部２０は、静電チャック６の分割領域６０に設けられた１個のヒータ６ｃに対して１個ずつ設けられており、対応するヒータ６ｃに電力を供給する。本実施例では、基板処理装置１００内に２８個のヒータ６ｃが設けられており、それぞれのヒータ６ｃに対応して２８個の電力供給部２０が設けられている。それぞれの電力供給部２０は、スイッチ（ＳＷ）２１、電流計２２、および電圧計２３を有する。

ＳＷ２１は、制御部２５からの制御に従って、オンおよびオフし、オンの期間において、電源２７から供給された電力を、対応するヒータ６ｃに供給する。電流計２２は、電源２７から、対応するヒータ６ｃに供給された交流電流の瞬時値を測定して測定部２４へ出力する。電圧計２３は、電源２７から、対応するヒータ６ｃに供給された交流電圧の瞬時値を測定して測定部２４へ出力する。

測定部２４は、それぞれの電力供給部２０から出力されたヒータ６ｃの電圧および電流の測定値に基づいて、それぞれのヒータ６ｃの抵抗値を測定する。そして、測定部２４は、ヒータ６ｃ毎に測定した抵抗値を制御部２５へ出力する。例えば図５に示すように、電源２７からは所定周波数（例えば５０Ｈｚ）の交流電圧が出力されており、ＳＷ２１がオンしたタイミングで、ヒータ６ｃに電圧および電流が供給される。図５は、各ヒータ６ｃに供給される交流電圧および交流電流の波形の一例を示す図である。

測定部２４は、それぞれのヒータ６ｃについて、隣接するゼロクロス点の中間の交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、それぞれのヒータ６ｃの抵抗値を測定する。ゼロクロス点とは、例えば図６に示すように、交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるタイミングｔ₁およびｔ₂である。具体的には、測定部２４は、それぞれのヒータ６ｃについて、例えば図６に示すように、隣接するゼロクロス点であるｔ₁およびｔ₂の中間のタイミングである期間Δｔにおいて測定された交流電圧および交流電流の瞬時値の比を抵抗値として測定する。

ここで、半導体の製造を行う工場内では、様々な製造装置や搬送装置等が稼働しているため、工場内で使用される電源には、様々なノイズが含まれる。そのため、工場内の電源を用いてヒータ６ｃに電力を供給すると、ノイズの影響により電圧および電流の測定値にばらつきが発生する。そこで、本実施例の測定部２４では、それぞれのヒータ６ｃについて、例えば図６に示したように、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおいて測定された交流電圧および交流電流の瞬時値の比から抵抗値を測定する。これにより、ノイズの影響による電圧および電流の測定値のばらつきを抑えることができ、より高い精度で各ヒータ６ｃの抵抗値を測定することができる。

なお、測定部２４は、各ヒータ６ｃについて、抵抗値を複数回測定して平均することにより、さらにノイズの影響を低減してもよい。また、それぞれのヒータ６ｃに供給する電力として、工場内で用いられている３相交流電源を用いると、それぞれの相に含まれる異なるノイズの影響により、測定される抵抗値のばらつきが大きくなる。そのため、それぞれのヒータ６ｃには、単相の交流電源からの交流電圧および交流電流が供給されることが好ましい。

保持部２６は、例えば図７に示す変換テーブル２６０を保持する。図７は、変換テーブル２６０の一例を示す図である。変換テーブル２６０には、例えば図７に示すように、それぞれのヒータ６ｃが設けられた分割領域６０を識別する領域ＩＤ２６１毎に、個別テーブル２６２が格納されている。それぞれの個別テーブル２６２には、温度２６３に対応付けて、ヒータ６ｃの抵抗値２６４が格納されている。また、保持部２６は、半導体ウエハＷの処理を示すレシピを保持する。レシピには、工程毎に、各分割領域６０の目標温度の情報が含まれている。なお、変換テーブル２６０およびレシピ等は、基板処理システム１０の管理者等によって予め作成されて保持部２６内に格納される。

制御部２５は、保持部２６内に保持されたレシピに基づいて、基板処理装置１００の各部を制御する。また、制御部２５は、処理の各工程において、静電チャック６の各分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給される電力を制御することにより、各分割領域６０の温度がレシピで示された目標温度となるように制御する。

具体的には、制御部２５は、処理の各工程において、各分割領域６０の目標温度の情報と、変換テーブル２６０とを保持部２６から読み出す。また、制御部２５は、測定部２４によって測定されたヒータ６ｃ毎の抵抗値を随時取得する。そして、制御部２５は、静電チャック６の分割領域６０毎に、変換テーブル２６０を参照して、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に対応する温度を、該分割領域６０の温度として推定する。そして、制御部２５は、分割領域６０毎に、推定した温度と目標温度との差に応じて、電力供給部２０内のＳＷ２１のオンとオフの比率を制御することにより、ヒータ６ｃに供給される電力を制御する。

ここで、静電チャック６の分割領域６０毎に基材２ａ内に温度センサを設けることにより、各分割領域６０の温度を測定するとすれば、温度センサを配置するための空間が基材２ａ内に必要になる。また、静電チャック６の温度分布をより細かく制御する場合には、静電チャック６がより多くの分割領域６０に分割されることになる。そのため、基材２ａ内には分割領域６０の数に応じてより多くの温度センサが配置されることになる。基材２ａ内に配置される温度センサの数が多くなると、基材２ａの小型化が困難となる。また、基材２ａ内に配置される温度センサの数が多くなると、基材２ａの構造が複雑化し、設計の自由度も低下する。

これに対し、本実施例の基板処理システム１０では、静電チャック６内の分割領域６０毎に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に基づいて各分割領域６０の温度を推定する。これにより、基材２ａ内に温度センサを配置する必要がなくなり、基材２ａの小型化が可能となる。また、基材２ａ内に配置される温度センサをなくす、あるいは、少なくすることができるので、基材２ａの構造を簡素化することができ、設計の自由度も向上する。

［制御装置２００の動作］
図８は、実施例１における制御装置２００の動作の一例を示すフローチャートである。例えば、制御装置２００は、レシピに基づく処理を開始した場合に、本フローチャートに示す温度制御処理を開始する。なお、保持部２６内には、変換テーブル２６０およびレシピ等の情報が予め格納されている。

まず、制御部２５は、各電力供給部２０内のＳＷ２１を制御することにより、各ヒータ６ｃに電力の供給を開始する。そして、測定部２４は、隣接する交流電圧のゼロクロス点の中間の期間において、各電流計２２が測定した交流電流の瞬時値と、各電圧計２３が測定した交流電圧の瞬時値とに基づいて、分割領域６０毎にヒータ６ｃの抵抗値を測定する（Ｓ１００）。測定部２４は、各ヒータ６ｃにおいて、所定期間（例えば数秒間）の間に複数回測定された抵抗値を平均し、平均された抵抗値を制御部２５へ出力する。

次に、制御部２５は、分割領域６０毎に、保持部２６内の変換テーブル２６０を参照して、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に対応する温度を、該分割領域６０の温度として推定する（Ｓ１０１）。そして、制御部２５は、分割領域６０毎に、推定された温度と目標温度との差に応じて、電力供給部２０内のＳＷ２１のオンとオフの比率を制御することにより、ヒータ６ｃに供給される電力を制御する（Ｓ１０２）。

次に、制御部２５は、レシピを参照して、処理が終了したか否かを判定する（Ｓ１０３）。処理が終了していない場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、測定部２４は、再びステップＳ１００に示した処理を実行する。一方、処理が終了した場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、制御装置２００は、本フローチャートに示した温度制御処理を終了する。

このように、本実施例の基板処理システム１０は、基板処理装置１００および制御装置２００を備える。基板処理装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、半導体ウエハＷを載置する静電チャック６と、静電チャック６の上面を複数の領域に分割したそれぞれの分割領域６０に対応する静電チャック６の内部に埋め込まれたヒータ６ｃとを有する。制御装置２００は、分割領域６０毎に、静電チャック６の内部に埋め込まれたヒータ６ｃの抵抗値と分割領域６０の温度との関係を示す変換テーブル２６０を保持する保持部２６と、分割領域６０毎に、静電チャック６の内部に埋め込まれたヒータ６ｃの抵抗値を測定する測定部２４と、分割領域６０毎に、変換テーブル２６０を参照して、測定部２４によって測定されたヒータ６ｃの抵抗値に対応する分割領域６０の温度を推定し、推定された温度が目標温度となるようにヒータ６ｃに供給される電力を制御する制御部２５とを有する。これにより、静電チャック６および基材２ａの小型化および構造の簡素化が可能となる。

また、本実施例において、それぞれのヒータ６ｃには、交流電圧および交流電流が供給されており、測定部２４は、それぞれのヒータ６ｃに供給される交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるゼロクロス点であって、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおける交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、それぞれのヒータ６ｃの抵抗値を測定する。これにより、ノイズが多い工場内の電源を用いた場合であっても、測定部２４は、各ヒータ６ｃの抵抗値の測定精度の低下を抑制することができる。

上記した実施例１では、静電チャック６内の分割領域６０毎に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に基づいて、各分割領域６０の温度を推定するため、分割領域６０の温度を測定するための温度センサは設けられない。これに対し本実施例では、複数の分割領域６０の中の１個に温度センサが設けられる。そして、温度センサが設けられた分割領域６０のヒータ６ｃの抵抗値から推定された温度と、該温度センサによって測定された温度との差に基づいて、各分割領域６０において推定された温度が補正される。

［基板処理装置１００の構成］
図９は、実施例２における基板処理装置１００の構成の一例を示す断面図である。なお、以下に説明する点を除き、図９において、図２と同じ符号を付した部材は、図２に示した部材と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。

本実施例において、静電チャック６内の複数の分割領域６０の中の１個の分割領域６０には、該分割領域６０の下方の基材２ａ内に該分割領域６０の温度を測定するための温度センサ７が１個設けられている。温度センサ７は、例えば蛍光式光ファイバ温度計である。温度センサ７は、静電チャック６の裏面から、１個の分割領域６０の温度を測定し、測定した温度を制御装置２００へ出力する。本実施例において、温度センサ７は、中心から３個目の同心円状の領域に含まれる６個の分割領域６０の中の１個の分割領域６０の温度を測定する。

［制御装置２００の動作］
図１０は、実施例２における制御装置２００の動作の一例を示すフローチャートである。なお、以下に説明する点を除き、図１０において、図８と同じ符号を付した処理は、図８に示した処理と同様の処理であるため説明を省略する。

制御部２５は、静電チャック６の各分割領域６０の温度を推定した後（Ｓ１０１）、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度Ｔ_sの情報を、温度センサ７から取得する（Ｓ１１０）。なお、ステップＳ１１０において、制御部２５は、所定期間（例えば数秒間）内に温度センサ７によって複数回測定された分割領域６０の温度の平均値を、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度Ｔ_sとして用いる。そして、制御部２５は、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度Ｔ_sと、温度センサ７が設けられた分割領域６０について推定された温度Ｔ_eとの差分ΔＴを下記の算出式（１）により算出する（Ｓ１１１）。
ΔＴ＝Ｔ_e−Ｔ_s ・・・（１）

例えば、温度センサ７が設けられた分割領域６０について推定された温度Ｔ_eが１８℃であり、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度Ｔ_sが２０℃である場合、差分ΔＴは、１８−２０＝−２℃となる。

次に、制御部２５は、差分ΔＴの絶対値が所定の閾値Ｔ_thよりも大きいか否かを判定する（Ｓ１１２）。閾値Ｔ_thは、例えば０．２℃である。差分ΔＴの絶対値が閾値Ｔ_th以下である場合（Ｓ１１２：Ｎｏ）、制御部２５は、ステップＳ１０２に示した処理を実行する。

一方、差分ΔＴの絶対値が閾値Ｔ_thよりも大きい場合（Ｓ１１２：Ｙｅｓ）、制御部２５は、各分割領域６０について推定された温度Ｔ_eを差分ΔＴで補正する（Ｓ１１３）。具体的には、制御部２５は、分割領域６０毎に、推定された温度Ｔ_eに差分ΔＴを加算することにより、各分割領域６０について推定された温度Ｔ_eを補正する。例えば、差分ΔＴが−２℃であり、ある分割領域６０について推定された温度Ｔ_eが２０℃である場合、制御部２５は、この分割領域６０について推定された温度Ｔ_eを、２０＋（−２）＝１８℃に補正する。

［実験結果］
図１１は、温度センサ７による補正の効果を説明するための図である。図１１に示した実験結果では、第１の分割領域６０に第１の温度センサ７が設けられ、第１の分割領域６０とは異なる第２の分割領域６０に第２の温度センサ７が設けられた基板処理装置１００が用いられた。また、図１１に示した実験結果では、第１の分割領域６０は、同心円状の領域のうち、中心側から３個目の領域に含まれる１個の分割領域６０であり、第２の分割領域６０は、同心円状の領域のうち、中心側から４個目の領域に含まれる１個の分割領域６０である。なお、第２の温度センサ７は、今回の実験のためにのみ設けられたものである。また、図１１では、各分割領域６０の温度を３０℃に制御している。また、冷媒の温度は１０℃である。

図１１（Ａ）は、第１の温度センサ７による補正が行われていない場合の第１の分割領域６０の温度と、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給された交流電圧の実効値とを示している。図１１（Ｂ）は、第１の温度センサ７による補正が行われた場合の第１の分割領域６０の温度と、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給された交流電圧の実効値とを示している。第１の分割領域６０の温度は、第１の温度センサ７によって測定された温度である。

図１１（Ａ）の実験結果では、第１の分割領域６０の温度の変動は０．５３℃の範囲内であり、温度の変動の分布を示す３σは０．３４℃であった。図１１（Ｂ）の実験結果では、第１の分割領域６０の温度の変動は０．０９℃の範囲内であり、温度の変動の分布を示す３σは０．０３℃であった。なお、σは温度の変動の分布の標準偏差を示す。

図１１（Ｃ）は、第１の温度センサ７による補正が行われていない場合の第２の分割領域６０の温度と、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給された交流電圧の実効値とを示している。図１１（Ｄ）は、第１の温度センサ７による補正が行われた場合の第２の分割領域６０の温度と、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃに供給された交流電圧の実効値とを示している。第２の分割領域６０の温度は、第２の温度センサ７によって測定された温度である。

図１１（Ｃ）の実験結果では、第２の分割領域６０の温度の変動は０．５１℃の範囲内であり、温度の変動の分布を示す３σは０．３６℃であった。図１１（Ｄ）の実験結果では、第２の分割領域６０の温度の変動は０．３３℃の範囲内であり、温度の変動の分布を示す３σは０．２６℃であった。

図１１（Ａ）および（Ｃ）の実験結果を参照すると、第１の温度センサ７による補正が行われていない場合であっても、分割領域６０の温度の変動範囲は１℃未満に抑えられている。また、図１１（Ｂ）および（Ｄ）の実験結果を参照すると、第１の温度センサ７による補正が行われている場合には、分割領域６０の温度の変動範囲は０．５℃未満にさらに抑えられている。

このように、本実施例の基板処理システム１０では、少なくとも１つの分割領域６０に対応する基材２ａの内部には、温度センサ７が設けられており、制御部２５は、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度と、該分割領域６０に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に基づいて推定された温度との間に所定値以上の差が生じた場合に、該差に基づいて、全ての分割領域６０について推定された温度を補正する。これにより、各分割領域６０の温度をより高い精度で制御することができる。

上記した実施例１および２では、変換テーブル２６０が予め作成されて保持部２６内に格納された。これに対し、本実施例の基板処理システム１０では、変換テーブル２６０の作成も行われる。

図１２は、変換テーブル２６０作成時の基板処理装置１００ａの構成の一例を示す断面図である。変換テーブル２６０の作成時には、例えば図１２に示すように、図２または図９を用いて説明したシャワーヘッド１６がチャンバ１から取り外され、例えば図１２に示すキャリブレーションユニット５０がチャンバ１に取り付けられる。なお、以下に説明する点を除き、図１２において、図２または図９と同じ符号を付した部材は、図２または図９に示した部材と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。

キャリブレーションユニット５０は、ＩＲ（InfraRed）カメラ５１およびカバー部材５２を有する。カバー部材５２は、ＩＲカメラ５１の撮影方向が静電チャック６の方向を向くようにＩＲカメラ５１を支持する。ＩＲカメラ５１は、静電チャック６の上面から放射される所定波長の光（本実施例では赤外線）の放射量の分布を測定する。そして、ＩＲカメラ５１は、測定した赤外線の放射量の分布を示す情報を制御装置２００へ出力する。

［変換テーブル２６０の作成処理］
図１３は、実施例３における制御装置２００の動作の一例を示すフローチャートである。制御装置２００は、例えば、基板処理システム１０の管理者等から変換テーブル２６０の作成指示を受け付けた場合に、本フローチャートに示す変換テーブル２６０の作成処理を開始する。なお、変換テーブル２６０に設定される各設定温度の情報は、予め基板処理システム１０の管理者等によって保持部２６内に格納されている。

まず、制御部２５は、保持部２６を参照して、未選択の設定温度を１つ選択する（Ｓ２００）。本実施例において、変換テーブル２６０内には、例えば２０℃から１２０℃まで１０℃ステップで１１通りの設定温度が予め保持部２６内に格納されている。

次に、制御部２５は、温度センサ７によって測定された分割領域６０の温度を取得する（Ｓ２０１）。そして、制御部２５は、温度センサ７が設けられた分割領域６０の温度と、ステップＳ２００で選択した設定温度との差が所定値以内（例えば±０．５℃以内）となるように、温度センサ７が設けられた分割領域６０のヒータ６ｃに供給される電力を制御する（Ｓ２０２）。ステップＳ２０２では、制御部２５は、温度センサ７が設けられた分割領域６０以外の分割領域６０のヒータ６ｃについても、同量の電力が供給されるように、各電力供給部２０内のＳＷ２１を制御する。なお、制御部２５は、設定温度に応じてチラーユニット３３を制御し、基材２ａ内を流通する冷媒の温度を調整する。

温度センサ７が設けられた分割領域６０の温度と、ステップＳ２００で選択した設定温度との差が所定値以内となった後、ＩＲカメラ５１は、静電チャック６の上面から放射される赤外線の放射量の分布を測定する（Ｓ２０３）。そして、ＩＲカメラ５１は、赤外線の放射量の分布を示す情報を制御装置２００へ出力する。制御部２５は、ＩＲカメラ５１から出力された赤外線の放射量の分布の情報を用いて、分割領域６０毎に放射量を平均化して、分割領域６０毎に赤外線の放射量を算出する。

次に、制御部２５は、温度センサ７が設けられていない他の分割領域６０からの赤外線の放射量と、温度センサ７が設けられた分割領域６０からの赤外線の放射量との差が所定値以内となるように、各ヒータ６ｃに供給される電力を制御する（Ｓ２０４）。所定値とは、赤外線の放射量の差を温度差に換算した場合に、例えば０．２℃の温度差となる値である。

温度センサ７が設けられていない他の分割領域６０からの赤外線の放射量と、温度センサ７が設けられた分割領域６０からの赤外線の放射量との差が所定値以内となった後、測定部２４は、隣接する交流電圧のゼロクロス点の中間のタイミングにおいて、各電流計２２が測定した交流電流の瞬時値と、各電圧計２３が測定した交流電圧の瞬時値とに基づいて、分割領域６０毎にヒータ６ｃの抵抗値を測定する（Ｓ２０５）。そして、制御部２５は、分割領域６０毎に、ステップＳ２００で選択した設定温度を、分割領域６０に設けられたヒータ６ｃの抵抗値に対応付けて保持する。

次に、制御部２５は、保持部２６を参照して、全ての設定温度を選択したか否かを判定する（Ｓ２０６）。未選択の設定温度がある場合（Ｓ２０６：Ｎｏ）、制御部２５は、再びステップＳ２００に示した処理を実行する。

一方、全ての設定温度を選択した場合（Ｓ２０６：Ｙｅｓ）、制御部２５は、分割領域６０毎に、設定温度とヒータ６ｃの抵抗値とを対応付けて変換テーブル２６０を作成する（Ｓ２０７）。そして、制御装置２００は、本フローチャートに示す変換テーブル２６０の作成処理を終了する。

［ハードウェア］
なお、上記した実施例１〜３に示した制御装置２００は、例えば図１４に示すような構成のコンピュータ９０により実現される。図１４は、制御装置２００の機能を実現するコンピュータ９０の一例を示す図である。コンピュータ９０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＡＭ（Random Access Memory）９２、ＲＯＭ（Read Only Memory）９３、補助記憶装置９４、通信インターフェイス（Ｉ／Ｆ）９５、入出力インターフェイス（Ｉ／Ｆ）９６、およびメディアインターフェイス（Ｉ／Ｆ）９７を備える。

ＣＰＵ９１は、ＲＯＭ９３または補助記憶装置９４に格納されたプログラムに基づいて動作し、各部の制御を行う。ＲＯＭ９３は、コンピュータ９０の起動時にＣＰＵ９１によって実行されるブートプログラムや、コンピュータ９０のハードウェアに依存するプログラム等を格納する。

補助記憶装置９４は、例えばＨＤＤ（Hard Disk Drive）またはＳＳＤ（Solid State Drive）等であり、ＣＰＵ９１によって実行されるプログラムおよび当該プログラムによって使用されるデータ等を格納する。ＣＰＵ９１は、当該プログラムを、補助記憶装置９４から読み出してＲＡＭ９２上にロードし、ロードしたプログラムを実行する。

通信Ｉ／Ｆ９５は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介して基板処理装置１００との間で通信を行う。通信Ｉ／Ｆ９５は、通信回線を介して基板処理装置１００からデータを受信してＣＰＵ９１へ送り、ＣＰＵ９１が生成したデータを、通信回線を介して基板処理装置１００へ送信する。

ＣＰＵ９１は、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して、キーボード等の入力装置およびディスプレイ等の出力装置を制御する。ＣＰＵ９１は、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して、入力装置から入力された信号を取得してＣＰＵ９１へ送る。また、ＣＰＵ９１は、生成したデータを、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して出力装置へ出力する。

メディアＩ／Ｆ９７は、記録媒体９８に格納されたプログラムまたはデータを読み取り、補助記憶装置９４に格納する。記録媒体９８は、例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＰＤ（Phase change rewritable Disk）等の光学記録媒体、ＭＯ（Magneto-Optical disk）等の光磁気記録媒体、テープ媒体、磁気記録媒体、または半導体メモリ等である。

コンピュータ９０のＣＰＵ９１は、ＲＡＭ９２上にロードされたプログラムを実行することにより、電力供給部２０、測定部２４、および制御部２５の各機能を実現する。また、補助記憶装置９４には、保持部２６内のデータが格納される。

コンピュータ９０のＣＰＵ９１は、ＲＡＭ９２上にロードされるプログラムを、記録媒体９８から読み取って補助記憶装置９４に格納するが、他の例として、他の装置から、通信回線を介してプログラムを取得して補助記憶装置９４に格納してもよい。

なお、開示の技術は、上記した実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。

例えば、上記した実施例１では、ヒータ６ｃに供給される交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるゼロクロス点であって、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおける交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、それぞれのヒータ６ｃの抵抗値を測定している。しかし、ヒータ６ｃに供給される電圧は交流電圧に限られない。例えば、ヒータ６ｃには直流電圧および直流電流が供給されてもよい。この場合、ヒータ６ｃの抵抗値は、ヒータ６ｃに供給される直流電圧および直流電流から求められる。

また、上記した実施例３では、半導体ウエハＷの製造にも用いられる基板処理装置１００ａにおいて、シャワーヘッド１６がチャンバ１から取り外され、キャリブレーションユニット５０がチャンバ１の上部に取り付けられた。しかし、開示の技術はこれに限られない。例えば、静電チャック６および基材２ａを製造する製造メーカにおいて、変換テーブル２６０を作成するための治具として基板処理装置１００ａが用いられてもよい。この場合、変換テーブル２６０作成時には不要な機能（例えば、リング磁石９、整合器１１ａおよび１１ｂ、高周波電源１２ａおよび１２ｂ、直流電源１３、ならびに伝熱ガス供給部３１など）は、基板処理装置１００ａに設けられていなくてもよい。

また、上記した実施例２および３では、基材２ａ内に温度センサ７が１個設けられたが、開示の技術はこれに限られない。分割領域６０の数よりも少ない数であれば、基材２ａ内に温度センサ７が２個以上設けられてもよい。温度センサ７が２個以上設けられた場合であっても、全ての分割領域６０のそれぞれに温度センサ７が設けられる場合に比べて、静電チャック６および基材２ａの小型化および構造の簡素化が可能となる。

また、上記した実施例２では、温度センサ７が設けられた分割領域６０のヒータ６ｃの抵抗値から推定された温度Ｔ_eと、該温度センサ７によって測定された温度Ｔ_sとの間に所定値以上の差があった場合に、温度Ｔ_eと温度Ｔ_sとの差に基づいて、各分割領域６０において推定された温度Ｔ_eが補正される。しかし、開示の技術はこれに限られない。例えば、温度Ｔ_eと温度Ｔ_sとの差の大小にかかわらず、温度Ｔ_eと温度Ｔ_sとの差に基づいて、各分割領域６０において推定された温度Ｔ_eが補正されてもよい。

また、上記した実施例２および３では、温度センサ７として蛍光式光ファイバ温度計を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。温度センサ７は、温度の測定が可能なセンサであれば、例えば熱電対等であってもよい。

Ｗ 半導体ウエハ
１０ 基板処理システム
１００ 基板処理装置
１ チャンバ
２ａ 基材
５ フォーカスリング
６ 静電チャック
６ａ 電極
６ｂ 絶縁体
６ｃ ヒータ
７ 温度センサ
１６ シャワーヘッド
２００ 制御装置
２０ 電力供給部
２１ ＳＷ
２２ 電流計
２３ 電圧計
２４ 測定部
２５ 制御部
２６ 保持部
２６０ 変換テーブル
２７ 電源
５０ キャリブレーションユニット
５１ ＩＲカメラ
５２ カバー部材
６０ 分割領域

Claims (9)

1. 基板処理装置と、前記基板処理装置を制御する制御装置とを備える基板処理システムであって、
   前記基板処理装置は、
   チャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ被処理基板を載置する載置台であって、基材と前記基材の上面に設けられた静電チャックとを有し、前記静電チャックは、それぞれにヒータが配置された複数の分割領域を有する、載置台と、
   前記基材内に配置され、前記複数の分割領域のうちの第１の分割領域の温度を測定する温度センサと
   を有し、
   前記制御装置は、
   分割領域毎に、前記ヒータの抵抗値を測定する測定部と、
   分割領域毎に、前記測定部によって測定されたヒータの抵抗値と、ヒータの抵抗値と分割領域の温度との関係とに基づいて、該分割領域の温度を推定する推定部と、
   前記第１の分割領域において測定された温度と推定された温度とに基づいて、分割領域毎に推定された温度を補正するかどうかを判定する判定部と、
   前記判定部において分割領域毎に推定された温度を補正すると判定した場合、分割領域毎に、前記第１の分割領域において測定された温度と推定された温度とに基づいて、該分割領域において推定された温度を補正する補正部と、
   前記判定部において分割領域毎に推定された温度を補正すると判定した場合、分割領域毎に、前記補正部によって補正された温度に基づいて、前記ヒータに供給される電力を制御し、前記判定部において分割領域毎に推定された温度を補正しないと判定した場合、分割領域毎に、前記推定部によって推定された温度に基づいて、前記ヒータに供給される電力を制御する電力制御部と
   を有する、基板処理システム。
2. 前記測定部による測定、前記推定部による推定、前記判定部による判定、前記補正部による補正、および、前記電力制御部による制御は、前記被処理基板に対する処理が行われている間に実行される、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記制御装置は、分割領域毎に、該分割領域に配置されたヒータの抵抗値と該分割領域の温度との関係を示すテーブルを該分割領域に関連付けて保持する保持部をさらに有し、
   前記推定部は、分割領域毎に、該分割領域に配置されたヒータの測定された抵抗値と、該分割領域に関連付けられたテーブルとに基づいて、該分割領域の温度を推定する、請求項１または２に記載の基板処理システム。
4. 前記推定部は、分割領域毎に、該分割領域に関連付けられたテーブルを参照して、該分割領域に配置されたヒータの測定された抵抗値に対応する温度を該分割領域の温度として推定する、請求項３に記載の基板処理システム。
5. 前記電力制御部は、分割領域毎に、該分割領域の温度が目標温度となるように前記ヒータに供給される電力を制御する、請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の基板処理システム。
6. 前記温度センサは、蛍光式光ファイバ温度計である、請求項１〜５のうちいずれか一項に記載の基板処理システム。
7. 前記制御装置は、
   前記第１の分割領域において測定された温度と推定された温度との間の差分を算出する算出部をさらに有し、
   前記補正部は、全ての分割領域の推定された温度を前記差分で補正する、請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 前記判定部における判定は、前記算出部によって算出された差分が閾値よりも大きいかどうかを判定することにより行われる、請求項７に記載の基板処理システム。
9. 前記基板処理装置は、各ヒータに交流電圧および交流電流を供給する電源をさらに有し、
   前記測定部は、各ヒータに供給される交流電圧の瞬時値が０Ｖとなるゼロクロス点であって、隣接するゼロクロス点の中間のタイミングにおける交流電圧および交流電流の瞬時値に基づいて、各ヒータの抵抗値を測定する、請求項１〜８のうちいずれか一項に記載の基板処理システム。

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