TW201030929A - Semiconductor device, method for producing the same, millimeter-wave dielectric transmission device, method for producing the same, and millimeter-wave dielectric transmission system - Google Patents

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Description

201030929 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置及其製造方法、毫米波介 • 電質内傳輸裝置及其製造方法、與毫米波介電質内傳輸系 統。 【先前技術】 近年來，伴隨電影影像或電腦圖像等之資訊量之龐大 化，而越來越多地使用高速傳輸毫米波等之基頻信號之裝 置。對於此種高速基頻信號傳輸裝置而言，要求準確無誤 地傳輸毫米波等之向速基頻信號。 另一方面，根據傳輸基頻信號之半導體封裝體，大多情 況下係使用於半導體元件上形成多個電路元件，並將構成 大規模電子電路之半導體晶片冑入至包含i數個端子之小 型封裝體而成者。 圖38A係表示先前例之半導體封裝體i之構成例之俯視 • 圖，圖38B係圖“A之X3-X3箭頭方向剖面圖，圖38A所示 之半導體封裝體1包含半導體晶片2及插入式基板4。 於插入式基板4上封裝有半導體晶片2。半導體晶片2中 • 構成有用於傳輸基頻信號之電子電路。半導體晶片2之表 • 面形成有複數個焊墊電極3。插入式基板4之背面側設置有 複數個端子電極5。端子電極5係用於與應用半導體封裝體 1之封裝用之基板電性連接之端子，其用於電源、接地 (ground)用途、電子信號之輸入輸出用途。插入式基板*連 接半導體晶片2之焊墊電極3與端子電極5。半導體晶片2之 143602.doc 201030929 焊墊電極3與鉛電極6係藉由接線7而連接。 又’於插入式基板4之表面形成有與焊墊電極3對應之鉛 電極6。船電極6係經由插入式基板4内之配線圖案而連接 於端子電極5。一般而言，就連接半導體晶片2與插入式基 板4之方法而言’存在有使用引線架或接線7進行連接之方 法’除此之外，亦有使用焊球之倒裝晶片接合方法。根據 倒裝晶片接合方法，其係於半導體晶片2之背面與插入式 基板4之表面設置突起電極9(凸塊：焊球），並使半導體晶 片2介隔焊球接合於插入式基板4之方法。 封裝於插入式基板4上之半導體晶片2及接線7係由成型 樹脂8密封。成型樹脂8為介電質素材，其密封目的主要在 於保護封裝體内部之半導體晶片2與接線7之配線。半導體 封裝體1通常係封裝於印刷基板等封裝用之基板之表面上 使用。半導體封裝體1係配線於同一印刷基板或其它印刷 基板之電子電路上。 般而s ’於印刷基板内之配線中，伴隨配線數之增 多’較多情況下係使用多層基板。多層基板通常係藉由如 下方式構成’即’對較薄之介電質基板施予配線圖案，且 將該等重疊接著，且利用通道連接各層之配線。於多層基 板間’將連接器安裝於各介電質基板上，並藉由連接器之 直接連結、或者連接器間之電纜連接而進行配線。 圖39係表示積層有半導體封裝體la、lb之電子設備7〇〇 之構成例之剖面圖。根據圖39所示之電子設備7〇〇，其構 成為於框體12内具有兩個半導體封裝體la、ib、封裝用之 143602.doc -4- 201030929 基板10a、10b、底板11、連接器14及電纜15。 半導體封裝體la係封裝於下部之基板l〇a，半導體封裝 體lb係封裝於上部之基板1〇b。半導體封裝體la、lb以其 . 表面對接之方式接著於底板11。其目的在於使由半導體封 - 裝體1a、ib產生的熱散發至底板11。兩個基板i〇a、i〇b係 固定於底板11上。底板U進而固定於框體12。基板1〇a、 10b對底板11之固定或底板η對框體12之固定係採用螺紋 ❿ 構造13。作為底板π之材質係使用金屬或牢固之塑膠材料 等。又，半導體封裝體ia、lb間之資料傳輸係藉由於下部 之基板10a、上部之基板1〇b分別設置連接器14且於該連接 器14間連接電纜i 5而實施。 關於收發此種毫米波之電子設備·，於專利文獻【中揭 有介電質料管線路。根據該介電質波導管線路，其係 括一對主導體層、兩行導通孔群及副導體層，且主练艚
is號之傳遞成為可能 包括微波傳輸帶線路，且 若以此方式構成介電質波導管: 傳輸線路產生電磁耦合，從而使得 並且’能夠提供自微波至毫米波為 143602.doc 201030929 止為穩定特性之波導管線路。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利特開2004_104816號公報（第4頁圖U 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’根據先前例之收發毫米波之電子設備7〇〇，則存 在如下之問題。 i·根據電子設備70Ό，係使圖39所示之半導體封裝體 la、lb之表面以對接之方式接著於底板u，且於分別設置 於下部之基板10a、及上部之基板1〇b之連接器14間連接有 電纜15。而且，於半導體封裝體la、lb間可傳輸資料。因 此，存在著伴隨電子設備所處理之資料容量之增大，而導 致連接於半導體封裝體la、115之配線數量增多之虞。 例如，於記憶體用途之半導體封裝體中，若資料寬度增 大至32位元及64位元，則位址寬度亦會隨之增大。隨之， 半導體封裝體la、lb之端子電極5之數量將會增大。藉 此，會發生封裝體尺寸變大之問題。其尤其會導致插入式 基板4之端子電極5之尺寸大於半導體晶片2之焊墊電極3之 尺寸。 Π.因基板10中之連接於半導體封裝體1&之配線之數量增 多’故而必需將基板10設為更多層構造。其結果，會產生 成本增加之問題。 in.若將基板10a、10b設為更多層構造，則連接下部之 143602.doc 201030929 基板1〇a、上部之基板10b間之連接器14及電纜15之端子數 將會增加。其結果，會產生如下問題··連接器14、電規15 之物理尺寸變大，或者連接器14或電規15之形狀複雜化， • 導致該等之可靠性降低或成本增加。 . 1V·因多層構造化而使用複數個連接器14及電纜15，藉 此於電子設備内部，基板1〇a、1〇b、底板u、框體12之構 成、形狀、配置將變得複雜化。其結果，會產生製作成本 φ 之增加或組裝工時之增加或其難度方面等之問題。 v.因此，考慮如下情形：參照專利文獻丨揭示之介電質 波導营線路，而構成收發毫米波信號之電子設備。 此時，考慮於積層有圖39所示之半導體封裝體u、化之 電子設備700之構造中，以介電質波導管線路取代連接器 14及電纜15。然而，若無任何設計而僅以介電質波導管線 路取代連接器及電㈣，則存在難以準確無誤地傳輸毫 米波等之高速基頻信號之問題。 • 因此，本發明係解決上述問題者，無需依賴於端子數較 多之連接器及封裝面積增多之電欖便可容易構築毫米波介 電質傳輸系統。本發明之目的在於提供一種如此之半導體 •裝置及其製造方法、毫米波介電質内傳輸裝置及其製造方 • 法、與毫米波介電質内傳輪系統。 [解決問題之技術手段] 上述問題係藉由如下半導體裝置來解決，該半導體裝置 包括：可進行毫米波段通信之半導體晶片，其係設置於基 板上；天線構造，其係連接於上述半導體晶片；絕緣構 143602.doc -7- 201030929 件，其覆蓋上述半導體晶片；以及毫米波傳輸構件，其係 包含含有可傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材，且整 合於上述天線構造中。 於天線構造為由絕緣構件所覆蓋之構造之情形時，絕緣 構件設為包含可使毫米波信號穿透之介電質。例如，於設 為將複數個可進行毫米波段通信之半導體晶片收容於同一 封裝體内之構成之情形時，天線構造之整體亦由絕緣構件 所覆蓋，此時，覆蓋半㈣晶片之絕緣構件作為於該等複 數個半導體晶片間可實施毫米波信號傳輸之毫米波傳輸構 件而發揮功能。 根據本發明之半導體裝置，若使包含本發明之相同構成 之兩個可進行毫米波介電質内傳輸之半導體裝置藉由插入 各個毫米波傳輸構件而接觸，並使該半導體裝置動作，則
會b夠自其巾-半導體裝置向另_半導體裝置傳輸毫米波化 號。 D 本發明之毫米波介電質内傳輸裝置包括：可進行毫米波 介電質内傳輸之第1半導體裝置，其包含設置於其中一基 板上之可進行毫米波段通信之半導體晶片、連接於上述半 導體晶片之天線構造、；^爱觉 及覆盍上述半導體晶片之絕緣構 件；可進行毫米波介電質内傳輸之第2半導體裝置，其包 3叹置於3基板上之可進行毫米波段通信之半導體晶 片連接於上述半導體晶片之天線構造、及覆蓋上述半導 體曰曰片之絕緣構件，以及毫米波傳輸構件，其係包含含有 可進行毫米波介電質内傳輪之介電質之介電質素材而構 143602.doc 201030929 成，且設置於上述第1半導體裝置與第2半導體裝置之間； 且，上述第1半導體裝置與第2半導體裝置係插入上述毫米 波傳輸構件而配置各個上述天線構造以使該第丨半導體裝 置之天線構造與第2半導體裝置之天線構造之間可實施毫 米波信號傳輸之方式封裝而成。 根據本發明之毫米波介電質内傳輸裝置，可經由設置於 第1半導體裝置與第2半導體裝置之間之毫米波信號傳輸構 件’自第1半導體裝置向第2半導體裝置傳輸毫米波信號。 本發明之+導體裝置之製造方&包括h下步驟：於基板 上形成可進行毫米波段通信之半導體晶片；將天線構造連 接於上述基板上所形成之半導體晶片m緣構件覆蓋 上述半導體晶片以使其絕緣；以及利用含有可傳輸毫米波 域之介電質之介電質素材’將毫米波傳輸構件整合於上 述天線構造。
本發明之毫米波介電質内傳輸裝置之製造方法包括女 步驟：於其中—基板上設置可進行毫米波段通信之半導 晶片，並將天線構造連接於上述半導體晶片，及利用缚 構件覆盍上述半導體晶片而形成可進行毫米波介電質内 輸之第1半導體裝置；於另一基板 : 饥上叹置可進行毫米油 U之+導體晶片’並將天線構造連接於上述半導體 片，及利用絕緣構件覆蓋上述半導體晶片而形成可進朽 米波介電質内傳輸之第2半導體裝置；以及藉由含有可 :毫米波信號之介電質之介電質素材，於上述第 裝置與第2半導體裝置之間形成毫米波傳輸構件；且， 143602.doc 201030929 形成上达毫米波傳輸構件時，以使上述第i半導體裝置之 天線構造與上述第2半導體裝置之天線構造之間可傳輸毫 未波^之方式插入上述毫米波傳輸構件，並封裝 及第2半導體裝置。 本發明之毫米Μ電質内傳輪系統包括：可進行毫米波 介電質内傳輸之第1半導體裝置，其係包括設置於其中一 電子设備之基板上之可進行毫米波段通信之半導體晶片、 連接於上述半導體晶片之天線構造、及覆蓋上述電子設備 ^導體晶片之絕緣構件；可進行毫米波介電質内傳輸之 第2半導體裝置’其係包括設置於另-電子設備之基板上 之可進行毫米波段通信之半導體晶片、連接於上述半導體 晶片之天線構造、及覆蓋上述電子設備之半導體晶片之絕 :構：，以及毫米波傳輸構件’其係包含含有可傳輸毫米 介電質之介電質素材而構成，且設置於上述第！ 半=體裝置與第2半導體裝置之間；且，使其中-上述電 子没備與另一上述電子設備以經由上述毫米波傳輸構件而 於上述第！半導體裝置之天線構造與上述第2半導體裝置之 天線構造之間可傳輸毫米波信號的方式接觸。 如此’本發明之—態樣中’包含可進行㈣波段通信之 及第2半導體裝置之各者之天線構造係插 入介電質傳輸路徑而以對向之方式配置。而且，可經由設 置於第1半導體裝置與第2半導體裝置之間之可傳輸毫米波 W之介電質傳輸路徑，自第1半導邀裝置向第2半導體裝 置傳輸毫米波信號。並且，無需依賴於端子數多之連接器 143602.doc 201030929 及封裝面積大之印刷配線排線，而可容易地建構毫米波介 電質傳輸系統。 此種機制之本發明之一態樣係可應用於可高速傳輸載送 例如電影影像或電腦圖像等之載波頻率為3〇 gHz〜3〇〇 GHz之毫米波段之信號的毫米波段通信系統者。 [發明之效果]
參 根據本發明之半導㈣置及其製造方法，將天線構造連 接於半導體晶片。x，設置有毫米波傳輸構件，其包含含 有可傳輸毫米波信1之介電質之介電質素材且整合於天線 構造中。於天線構造之整體由絕緣構件所覆蓋之情形時， 覆蓋半導體晶>|之絕緣構件亦含有可使毫米波信號穿透之 介電質，以構成毫米波介電質内傳輸路徑。 、，根據該構成’使本發明之具備相同構成之兩個可進行毫 米波介電質内傳輸之半導體裝置藉由插入各個毫米波傳輸 構件而接觸’ I而使該半導體裝置動作。如此，能夠自其 中一半導體裝置向另—半導體裝置傳輸毫米波信號。並 且’於半導體裝置間可實現高速資料傳輸。 藉此’無需依賴於端子數較多之連接器及封裝面積較多 之::刷配線排線’而可容易地建構能夠以簡單且價廉之構 成^或雙向傳輸毫米波信號的毫米波介電質傳輸裝置。 1本發明之毫米波介電f内傳輸裝置及其製造方法， 導體2可進行毫米波段通信之半導體晶片之第1及第2半 置裝置之各自的天線構造係插入毫米波傳輸構件而配 143602.doc -11 - 201030929 根據S玄構成，可經由設置 裝置之間之可傳輸毫米波信 1半導體裝置向第2半導體裝 需依賴於端子數較多之連接 排線，而可容易地建構可單 米波介電質傳輸系統。 於第1半導體裝置與第2半導體 號之毫米波傳輸構件，而自第 置傳輸毫米波信號。藉此，無 器及封裝面積較多之印刷配線 向或雙向傳輸毫米波信號之毫 根據本發明之毫米波介電f内傳輸系統，於其中一電子 設備之基板上設置有可進行毫米波介電質内傳輸之第^半 導體裝置’而於另一電子設備之基板上設置有可進行毫米 波段通信之第2半導體裝置。於第丨半導體裝置與第2半導 體裝置之間設置有可傳輸毫米波信號之毫米波傳輸構件， 且其中—電子設備與另-電子設備係以經由毫米波傳輸構 件，而於第1半導體裝置之天線構造與第2半導體裝置之天 線構造之間可傳輸毫米波信號的方式進行接觸。 根據該構成，可經由設置於第丨半導體裝置與第2半導體 裝置之間之可傳輸毫米波信號之毫米波傳輸構件，自第1 半導體裝置向第2半導體裝置傳輸毫米波信號。藉此，無 需依賴於連接兩電子設備間之通信電纜等，便可於其中一 電子权備與另電子设備之間實施通信處理。 【實施方式】 以下，一面參照圖式，一面說明本發明之半導體裝置及 其製造方法、毫米波介電質内傳輸裝置及其製造方法。 1.第1實把形態（半導體封裝體20 :構成例、内部構成 例及步驟圖） 143602.doc -12· 201030929 2.第2實施形態（毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇 :構成 例、組裝例、内部構成例、放大構成例、模擬模型 例、特性例） • 3_第3實施形態（毫米波介電質内傳輸裝置3〇〇:構成 例） 4.第4實施形態（半導體封裝體2〇c :構成例、形成例， 毫米波介電質内傳輸裝置400 :構成例及組裝例） φ 5·第5實施形態（毫米波介電質内傳輸裝置500 :構成例 及形成例） 6. 第6實施形態（毫米波介電質内傳輸系統6〇〇 :構成 例，電子設備201、202之形成例） 7. 第7實施形態（同一封裝體内之複數個半導體晶片間 之毫米波傳輸） 8·第8實施形態（第7實施形態+不同之封裝體間之毫米 波傳輸） φ 9·變形例（第1變形例〜第4變形例） <第1實施形態> [半導體封裝體20之構成例] 參照圖1，說明作為本發明第i實施形態之半導體封裝體 2〇之構成例。圖1所示之半導體封裝體2〇係構成半導體裝 置之一例者。半導體封裝體20可應用於高速傳輸載送電影 影像或電腦圖像等之載波頻率為30 GHz至300 GHz之毫米 波段信號的毫米波介電質内傳輸系統。毫米波介電質内傳 輸系統中包含數位記錄再生裝置、地面電視接收機、行動 143602.doc -13- 201030929 電話、遊戲機、電腦、通信裝置等。 半導體封裝體20構成為包括插入式基板4、成型樹脂8、 可傳輸毫米波信號之介電質傳輸路徑21、及可進行毫米波 段通信之半導體晶片30及天線構造32。插入式基板4.構成 晶片封裝用之基板，且於該插入式基板4上設置有半導體 晶片30。對於插入式基板4而言，係使用組合具有特定之 相對電容率之熱補強樹脂與銅箔而成之片材構件。半導體 晶片3 0係以毫米波段進行通信處理者。於半導體晶片3 〇 中’係使用圖2所示之LSI(Large Scale Integration，大型積 體電路）功能部201及信號生成部2〇2 —體化而成之系統LSI (參照圖2)。 再者，並非毫米波信號之轉換對象之電源部等之端子與 先前構成相同，係自半導體晶片3〇之焊墊電極3經由接線7 而配線於鉛電極6，且經由插入式基板4而連接於端子電極 5 ° 半導體晶片30上連接有天線構造32。於該例中，天線構 造32係設置於插入式基板4之半導體晶片3〇上。於天線構 造32中，包括天線端子31、及微波傳輸帶線路33、天線w 等（參照圖2)。 插入式基板4上之半導體晶片3〇及天線構造32等封裝體 構成要素中因覆蓋有作為絕緣構件之一例之成型 被絕緣（密封）。於成型樹脂8中係使用例如相對電容率。之 環氧樹脂。根據先前型之半導體封裝體丨，如圖39所示， 自半導體晶片2之焊墊電極3對端子電極5連接有資料傳輪 143602.doc •14- 201030929 用之印刷配線排線。 根據本發明之半導體封裝體20，於半導體晶片3〇之内部 實現信號生成部202之半導體積體電路中配線有天線端子 31。根據該等構成，先前型之半導體封裝體1之端子電極5 之一部分於本發明之半導體封裝體20中被取代為天線構造 32 *其結果，可削減端子電極$。 於天線構造之整體均由成型樹脂8所覆蓋之情形時，成 φ 型樹脂8由含有可傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材 所形成，且構成介電質傳輸路徑21之一部分或全部。於不 應用本實施形態之情形時，成型樹脂8之目的係用於保護 封裝體内部之半導體晶片或接線之配線，而本實施形態中 係於進而構成介電質傳輸路徑21之方面有所不同。 於成型樹脂8上設置有兩點鏈線所示之可傳輸毫米波信 號之介電質傳輸路徑21 <介電質傳輸路徑21構成毫米波傳 輸構件之一例，且如圖3入〜圖3E所示，包含金屬製之底板 # 11之一部分及具有特定之相對電容率ε3之介電質素材。介 電質素材含有可傳輸毫米波信號之介電質。於介電質素材 中係使用包含例如丙烯酸系樹脂系、聚胺基甲酸酯樹脂 * 系、％氧樹脂系、聚矽氧系及聚醯亞胺系之構件。底板玉i .冓成區域劃分用之構件之一例，且包括整合於天線構造3 2 之上部之貫通部丨la。貫通部丨la之開口剖面形狀可為圓形 亦可為矩形。底板Η之厚度方向上所形成之貫通部lla之 '木度（兩度）劃分（規定）介電質傳輸路徑21(波導管）之長度。 介電質傳輸路徑21並不限定為配設於底板丨丨之厚度方向 H3602.doc -15- 201030929 上，亦可配設於底板u之面方向上。介電質素材設置於底 板11之貫通部lla内，從而發揮構成基於毫米波信號之電 又’介電質傳輸路徑21 磁波的介電質内傳輸路徑之功能。 並不限於設置於底板η内之貫通部lla之介電質素材，亦 可將覆蓋半導體晶片30之成型樹脂8之一部分用作介電質 傳輸路徑21。 [半導體封裝體20之内部構成例]
參照圖2說明半導體封裝體2〇之内部構成例。圖2所示之 半導體晶片30構成為包括LSI功能部2〇1、信號生成部搬 及雙向天―合部203。天線輕合部2G3構成信號辆合部之 -例或其-部分’此處所謂天線耦合部2〇3，&義而言係 指將半導體晶片30内之電子電路與配置^晶片内或晶片外 之天線麵合之部分。廣義而言係指對該半導體晶片％與介 電質傳輸路徑21進行信號耦合之部分。
功能部2〇1具有圖39所示之先前型之半導體晶片2所 提供之特定功能。例如，LSI功能部2〇1包含對欲發送至對 方之圖像或音訊資料f騎處理之電路，或對自對方所接 收之圖像或音訊資料進行處理之電路。 LSI功月匕部201中連接有信號生成部2〇2。於信號生成部 202中構成為包括構成第1信號生成部之-例之下降信號生 成部23及構成第2信號生成部之-例上升信號生成部24。 為了對輸人u Sin進行信號處理並生成毫米波信號s，下 降L號生iUP 23構成為包含並列串列轉換電路34、調變電 路35、頻率轉換電路36、及放大器”。 143602.doc -16 - 201030929
並列串列轉換電路34構成箪]产缺姑认A 啊双弟1 #旎轉換部之一例，且將 並列之輸入信號Sin(資料）鳇娘成 7寸）轉換為串列之發送信號Ss(資 料）。並列串列轉換電路3 4中、奎拉士 μ极& 4〒連接有調變電路35。調變電 路35對串列之發送信號Ssife抖 進仃調變。調變電路3 5中例如使 用相位調變電路或頻率調變電路。 調變電路35中連接有頻率轉換電路361轉換電路36 將藉由調變電路35調變後之發送信號Ss進行頻率轉換，生
成毫米波㈣S。&處所謂毫米波信號S係指處於30 GHz〜3 00 GHz之範圍之頻率夕产缺 . 项半之k唬。頻率轉換電路36中連 接有放大器37。放大器37妨4- 15 7放大頻率轉換後之毫米波信號 放大器37中經由未圖示之天線端子31而連接有雙向天線 耦合部203。天線搞合部2〇3將藉由下降信號生成抑所生 成之毫米：¾:信號s發送至介電質傳輸路徑21，並且自該介 電質傳輸路徑21將毫米波信號s接收後輸出至上升信號生 成部24。介電質傳輸路㈣包含具有特定之相對電容㈣ 之介電質素材。 天線耦合部203例如包含天線構造32及天線切換部38(天 線/、用器）天線構造32係指共有介電質傳輸路徑2丨之半 導體封裝體2G侧之天線耗合部加中的構造。於天線構造 中構成為包含天線端子31、微波傳輸帶線路W及天線 39。當天線切換部38形成於同一晶片内之情形時已除去 /天線刀換邛3 8之天線端子3丨、微波傳輸帶線路3 3便構成 天線麵合部203。 143602.doc -17- 201030929 天線39具有基於毫米波信號s之波長λ之特定長度、例如 6〇〇 μιη左右的長度，且耦合於介電質傳輸路徑以中。於天 線W中除了使用微帶天線之外，亦使用探針天線（偶極天 線等）、環形天線、小型孔徑耦合元件（槽孔天線等）。 天線39將基於下降毫米波信號8之電磁波8，輻射至介電 質傳輸路徑21中。又，天線39自介電質傳輸路徑21接收基 於上升毫米波信號S之電磁波S，。天線構造32中除了包含 天線39之外亦包含微波傳輸帶線路33。微波傳輸帶線路μ 連接矢線端子31與天線39之間，且自天線端子31向天線39 傳輸下降毫米波信號s，及自天線39向天線端子傳輸上 升毫米波信號S。 天線切換部38係用於下降及上升中共用天線39之情形。 例如，當向對方發送毫米波信號8時，天線切換部38將天 線39連接於下降信號生成部23。又，當接收來自對方之毫 米波信號S時，天線切換部38將天線39連接於上升信號生 成部24。天線切換部38係設置於半導體晶片3〇上，但並不 限定於此，亦可設置於半導體晶片3〇内。再者，於分別設 置下降及上升用之天線之情形時，亦可省略天線切換部 38。 ' 大多數情況下只要分頻寬（=信號頻帶/動作中心頻率）為 〜20%左右，則即便利用共振構造等，天線耦合部2〇3 亦可容易實現。本實施形態中係使用具有相對電容率“之 介電質素材，具有相對電容率ε1之介電質素材構成具有損 耗之介電質傳輸路徑21。毫米波之電磁波8,可於傳輸線路 I43602.doc -18- 201030929 21内傳播。介電質傳輸路徑21因損耗較大故反射亦會衰 減。 天線耦合部203中連接有上升信號生成部24。為了對藉 . 由天線耦合部203所接收之毫米波信號s進行信號處理並生 成輸出信號Sout，上升信號生成部24係構成為包含放大器 44、頻率轉換電路45、解調電路粍及串列並列轉換電路 47 〇 φ 放大器44係連接於天線耦合部203，將藉由天線39接收 後之毫米波信號S進行放大。放大器44中連接有頻率轉換 電路45，頻率轉換電路45將放大後之毫米波信號8進行頻 率轉換，並輸出頻率轉換後之串列接收信號Sr。頻率轉換 電路45中連接有解調電路46，解調電路46對頻率轉換後之 串列接收信號Sr進行解調。 於解調電路46連接有構成第2信號轉換部之一例之串列 並列轉換電路47。串列並列轉換電路47將串列接收信號 φ Sr( _貝料）轉換為並列輸出信號s〇ut(資料）。以此方式構成半 導體晶片30時，藉由將輸入信號sin進行並列串列轉換， 並將接收信號Sr進行串列並列轉換處理，可削減信號配線 •數。又’亦可削減多層基板之積層數。其結果，可削減端 , 子數多之連接器及印刷配線排線。 以此方式構成半導體封裝體2〇，且使該半導體封裝體2〇 動作。此時，其中一底板11之貫通部113内所設置之電質 素材、及另一底板11之貫通部lla内所設置之介電質素 材’便構成毫米波介電質内傳輸路徑。可經由該介電質傳 143602.doc 19- 201030929 輸路徑’而自其中一可進行毫米波介電質内傳輪之半導體 封裝體20向另一可進行毫米波介電質内傳輸之半導體封裝 體20傳輸毫米波信號S。 [半導體封裝體20之形成例] 繼而，參照圖3A〜圖3E說明半導體封裝體2〇之形成例。 · 首先’於圖3A所不之插入式基板4(晶粒）上，形成可進行 毫米波段通信之半導體晶片30。於半導體晶片3〇中，係使 用將圖2所示之發送及接收系統於半導體積體電路中一體 化而形成之系統LSI。發送系統包含LSI功能部201、並列 @ 串列轉換電路34、調變電路35、頻率轉換電路36、放大器 37、天線切換部38’接收系統包含放大器44、頻率轉換電 路45、解調電路46及串列並列轉換電路47。半導體晶片3〇 亦可藉由先前一般之製造方法而封裝於插入式基板4上。 其-人’於半導體晶片30之上部形成天線端子31。天線端 子31例如預先自天線切換器38之輸出點導出，該天線切換 器3 8封裝於設置天線構造3 2之區域之天線耦合部2 〇 3之内 部。於半導體晶片3〇中包含天線切換器39之情形時，預先 ® 自封裝於半導體晶片30之内部之天線切換器38之輸出點導 出天線端子31。 其次，將天線構造32連接於封裝於圖3B所示之插入式基 板4上之半導體晶片3〇。例如，自上述半導體晶片％上之 天線端子31形成微波傳輸帶線路33，並於該微波傳輸帶線 路33之别端形成天線39。於天線39中係使用具有基於毫米 波信號s之波長λ之特定長度、例如丨邊為6〇〇 μπι&右的微 143602.doc -20- 201030929 帶天線。天線39中除了使用微帶天線之外，亦可使用探針 天線（偶極天線等）、環形天線、小型孔徑耦合元件（槽孔天 線等）。藉由該半導體晶片3 0上之天線端子3 1、微波傳輸 帶線路33及天線39而獲得天線構造32。 進而’如圖3C所示，於插入式基板4上之半導體晶片3〇 及天線構造3 2上覆蓋成型樹脂8而使其絕緣。成型樹脂8中 使用相對電谷率ε 1之環氧樹脂。環氧樹脂中係使用合成甲 驗盼酸清漆型環氧樹脂（ECN)及熔融二氧化矽填充物者， 或聯苯型環氧樹脂。然後，如圖3D所示，於插入式基板4 下形成倒裝晶片焊接用之突起電極9(凸塊）。突起電極9包 括球狀之焊錫構件。 然後，如圖3E所示於成型樹脂8上形成可傳輸毫米波信 號之介電質傳輸路徑21。當形成該介電質傳輸路徑21時， 例如，將具有貫通部lla之金屬製之底板丨丨形成於成型樹 脂8上。該貫通部Ua係整合於半導體晶片3〇之天線構造32 ❿ 之上邛之邛分。於該例中，底板11中於特定之位置上開口 脂構件。 有口徑+之貫通部lla。然後，對該底板11之貫通部11a内 填充介電質素材而形成毫米波信號用之介電質内傳輸路徑 21關於電質素材，係使用相對電容率εΐ之玻璃環氧樹 田接〇該底板丨丨與半導體封裝體2〇時，可於半導體封裝
143602.doc ’插入包含可進行毫米波介 單性素材16。黏彈性素材16 切賦•予散熱效果，並且賦予 -21 · 201030929 提高與介電質傳輸路徑21之間之密接性且提高天線麵合性 能之效果。黏彈性素材16具有特定之相對電容率及特定之 介電損耗因子。關於黏彈性素材16，例如使用包含丙稀酸 系樹脂系、聚胺基甲酸醋樹脂系、環氧樹脂系、聚石夕氧系 及聚醯亞胺系之介電質素材。為了於黏彈性素材16内高速 傳輸毫米波信號’較理想的是使該黏彈性素材16之相對電 容率為3~6左右，並使其介電損耗因子為〇〇〇〇1〜〇〇〇1左 右。 再者，丙烯酸系樹脂系之相對電容率為2 5〜4·5，其介電 損耗因子為0.001〜0.05。聚胺基曱酸酯樹脂系之相對電容 率為2.8〜4,其介電損耗因子為〇.〇〇1〜〇.〇5。環氧樹脂系之 相對電容率為4〜6,其介電損耗因子為〇〇〇1〜〇〇1。聚矽氧 系之相對電容率為3〜6，其介電損耗因子為〇 〇〇〇1〜〇 〇〇1。 聚酿亞胺系之相對電容率為3〜4 ’其介電損耗因子為 0.001〜0.01。該等介電質素材亦可應用於介電質傳輸路徑 21。藉此，可傳輸毫米波信號之半導體封裝體2〇得以完 成。 如此般’根據作為第1實施形態之半導體封裝體2〇，插 入式基板4上之半導體晶片30及天線構造32上因覆蓋有成 型樹脂8而絕緣，且於該成型樹脂8上設置有介電質傳輸路 徑21。因此，使本發明之包含相同構成之兩個可進行毫米 波介電質内傳輸之半導體封裝體20a、20b之各自的介電質 傳輸路徑21對向接觸後，使該半導體封裝體2〇a、2〇b動 作。於是，可自其中一半導體封裝體20a向另一半導體封 143602.doc -22- 201030929 裝體20b傳輸毫米波信號S。並且，於半導體封裝體2〇a、 20b間可實現高速資料傳輸。 覆蓋半導體晶片30及天線構造32之成型樹脂8亦構成毫 米波介電質内傳輸路徑，因此可縮小半導體封裝體2〇之封 裝面積。藉此，無需依賴於端子數較多之連接器及印刷配 線排線，而能夠容易地建構可以簡單且價廉之構成單向或 雙向傳輸毫米波信號S的毫米波介電質傳輸系統（裝置）。
又，於封裝半導體封裝體20之封裝用之基板上，將形成 於該基板側之端子電極取代為應用於天線耦合部2〇3之天 線構造32。其結果，可極小地形成天線構造32，因此可實 現封裝體尺寸之小型化。進而，於封裝用之基板中可削減 配線數。其結果，可削減形成多層基板時之層數。 <第2實施形態> [毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之構成例] 本實施形態中’如圖4所示’毫米波介電質内傳輸裝置 200係由可進仃毫米波介電質内傳輸之兩個半導體封裝體 20a 2Gb夾持著具介電質傳輸路徑之底板丨丨積層所得者。 圖4所示之毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇係構成為包含封 裝用之基板10a、l〇b、底板u、框體12、及半導體封裝體 2如'勘1個半導體封裝體心、鳩以彼此表面相接於 底板1 1之方式而配置ΐ 1 9炎也_ / i I體12為數位記錄再生裝置或地面 電視接收機、行動電話、遊戲機、電腦、通信裝置等之機 上盒（殼體）。 底板11 框體12上安裝有具介電質傳輸路徑21之底板11 143602.doc •23· 201030929 係藉由螺紋構造13而固定於框體12之内部側面或其底面、 其上表面等。底板u上安裝有封裝用之基板1〇&1仳。該 例中，於底板11之特定之部位設置有上下兩個基板安裝用 之空間’每1片基板10a、1Gb夾著底板u ’藉由螺紋構造 13而安裝於各個空間内。 下部之基板10a上安裝有半導體封裝體2〇a。關於半導體 封裝體20a，係使用第i實施形態中說明之半導體封裝體 2〇。下部之基板l〇a與半導體封裝體2〇a係藉由先前方式之 倒裝晶片接合方法而利用凸塊等突起電極9焊接接合。半 導體封裝體20a係於一插入式基板4上設置有可進行毫米波 段通信之半導體晶片3〇。半導體晶片3〇上連接有天線構造 32。插入式基板4上之半導體晶片3〇與天線構造32係由成 型樹脂8所覆蓋。 半導體封裝體20b朝下安裝於上部之基板1〇1)上。半導體 封裝體20b係以與半導體封裝體2〇3相比倒置18〇。封裝者。 半導體封裝體20b亦使用第1實施形態中所說明之半導體封 裝體20。上部之基板10b與半導體封裝體2〇b同樣藉由凸塊 等突起電極9而焊接接合。於該例中，半導體封裝體2〇b係 於另一插入式基板4下設置有可進行毫米波段通信之半導 體晶片30。以與半導體封裝體20a相同之方式，於半導體 晶片30上連接有天線構造32。插入式基板4下之半導體晶 片30與天線構造32係由成型樹脂8所覆蓋。 根據該毫米波介電質内傳輸裝置200，其具有以兩個半 導體封裝體20a、20b之各個天線構造32對向之方式封裂於 143602.doc •24· 201030929 底板11之積層構造。半導體封裝趙2〇a之天線構造μ係設 置於該插入式基板4之半導體晶片30上。半導體封裝體2〇b 之天線構造32設置於該插入式基板4下之半導體晶片3〇 . 下。各個天線構造32中係使用微帶天線。於該例中，各個 . 天線構造32形成於半導體封裝體20a、20b之表面，並且以 與介電質傳輸路徑21直接接觸之方式而配置。可藉由採用 此種積層構造，來提高天線耦合性能。該例中，封裝於下 φ 部之基板l〇a上之半導體封裝體20a係以介隔黏彈性素材16 而與底板11密接之方式固定。關於黏彈性素材16，使用具 有相對電容率ε4之黏彈性之樹脂。以相同之方式，封裝於 上部之基板1 Ob下之半導體封裝體2〇b亦以介隔黏彈性素材 16而與底板11畨接之方式固定。利用黏彈性素材μ固定半 導體封裝體20a、20b之目的在於儘量防止相對電容率以不 同之物質介入介電質傳輸路徑21中。 於半導體封裝體20a與半.導體封裝體2〇b之間，設置有可 • 傳輸毫米波信號之介電質傳輸路徑21，且以插入介電質傳 輸路徑21而使半導體封裝體2〇a、2〇b之各個天線構造η對 向之方式進行封裝。底板Η中虛線所示之内側部分為介電 -質傳輸路徑2 1。 -介電質傳輸路徑21係配設於將半導體封裝體2〇a之天線 構k 32之上部與半導體封裝體2〇b之天線構造之下部整 合之位置上。該例中，於將上下部之天線構造32整合之底 板11之4位上，没置有貫通部丨la(參照圖5)。藉由對該貫 通部山内填充介電質素材21，，來設置介電質傳輸路徑 143602.doc -25- 201030929 21。介電質素材21，中係使用相對電容率以之玻璃環氧樹脂 等。 曰 以此方式構成毫米波介電質傳輸裝置2〇〇，從而使兩個 半導體封裝體20a、20b進行動作。毫米波信號8於半導體 封裝體20a、20b之天線構造32之間成為電磁波8，，且經由 成型樹脂8、黏彈性素材16、底板n之内部之介電質傳輸 路徑21進行傳輸。藉此，可經由構成介電質傳輸路徑u之 底板11之貫通部Ua内所設置的介電質素材21，，於其中一 半導體封裝體20a與另一半導體封裝體2〇b之間實施基於毫 〇 米波信號s之雙向通信處理。並且，無需圖39所示之先前 方式之電路封裝基板之構成中所使用之連接器W及電纜 15。 ' [毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之組裝例] 繼而，參照圖5說明毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之製造 方法該例中，製造圖4所示般之毫米波介電質内傳輸裝 置2〇〇時，首先，形成半導體封裝體2〇a、2扑。半導體封 裝體係於其中一插入式基板4上設置可進行毫米波段通© 化之半導體晶片3〇。然後，使天線構造32連接於半導體晶 三進而，使插入式基板4上之半導體晶片3〇與天線構 ， 每32藉由覆蓋成型樹脂8而絕緣。藉此，便能夠形成可進 订毫米波介電質内傳輸之半導體封裝體2〇a(參照圖3)。 - ，半導體封裝體20b係於另一（其它）插入式基板4上設置可 進行毫米波段通信之半導體晶片3G。其次，使天線構造32 連接於半導體晶片30。進而，使插入式基板4上之半導體 143602.doc -26- 201030929 晶片30及天線構造32藉由覆蓋成型樹脂8而絕緣。藉此， 便能夠形成可進行毫米波介電質内傳輸之半導體封裝體 20b(參照圖3)。 - 其次’於半導體封裝體20a與半導體封裝體20b之間形成 . 可傳輸毫米波信號之介電質傳輸路徑21。當形成該介電質 傳輸路徑21時，於金屬製之底板丨丨之特定之位置上形成例 如圓筒狀之貫通部lla。然後，對貫通部Ua内填充介電質 φ 素材21’。例如，使樹脂擋止用之構件抵接於貫通部11a之 一側’自成為有底狀態之貫通部u a之上方藉由刮漿板等 而抹入介電質素材21%藉此，構成介電質波導管。 然後，以插入介電質傳輸路徑21而使半導體封裝體2〇a 之天線構造32與半導體封裝體20b之天線構造32對向之方 式將兩個半導體封裝體2〇a、20b封裝於底板1丨中。此時， 以半導體封裝體20a之天線構造32之天線39之中心與半導 體封裝體20b之天線構造32之天線39之中心一致之方式進 φ 行位置對準。 又，當半導體封裝體20a、20b封裝於底板丨丨時，半導體 封裝體20a之上表面與底板丨丨之下表面之間介隔著黏彈性 . 素材i6a而接著（密接固定）。以相同之方式，半導體封裝體 - 20b之下表面與底板11之上表面之間介隔著黏彈性素材⑽ 而接著。藉此’圖4所示之毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇得 以完成。 [毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之内部構成例] 參照圖6說明毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之内部構成 143602.doc •27- 201030929 例。圖6所示之毫米波介電質内傳輪裝置2〇〇係構成為包含 半導體封裝體20a、介電質傳輸路徑幻及半導體封裝體 20b ° 半導體封裝體20a包含LSI功能部201、信號生成部2〇2及 天線耦合部203。LSI功能部201之功能、信號生成部2〇2及 天線耦合部203之内部構成如圖2所示。；lSI功能部2〇1與信 號生成部202與之間之電子介面2〇4於先前之半導體晶片2 中為焊墊電極3所提供之資料傳輸用之介面，且藉由電性 配線而實現。 仏號生成部2 0 2與天線麵合部2 〇 3之間之毫米波之介面 205為圖2所示之天線端子31或微波傳輸帶線路33所提供之 毫米波傳輸用之介面。信號生成部202將由介面2〇4供給之 輸入（電）信號Sin轉換為毫米波信號s。又，將由毫米波之 介面205供給之毫米波信號s轉換為輸出（電）信號s〇ut。 半導體封裝體20b包含LSI功能部20Γ、信號生成部202, 及天線耗合部203’。關於LSI功能部201，之功能、信號生成 部202’及天線耦合部203’之内部構成，因與圖2所示之lSI 功能部201、信號生成部202及天線耦合部203相同，故而 省略其說明。 信號生成部202’與天線耦合部203'之間之毫米波之介面 205'為圖2所示之天線端子31或微波傳輸帶線路33所提供之 毫米波傳輸用之介面。信號生成部202,將由介面204'供給 之輸入（電）信號Sin轉換為毫米波信號S。又，將由毫米波 之介面205,供給之毫米波信號S轉換為輸出（電）信號s〇ut。 143602.doc -28 - 201030929 "電質傳輸路徑21包含上述天線耦合部2〇3與天線耦合 .邛203之間之介電質區間2〇6。天線耦合部將由毫米波 信號S之介面205供給之毫米波信號s傳遞至介電質傳輸路 • 徑21中。藉此，便可經由介電質區間206而高效地傳輸至 另一天線耦合部203,。此處所謂高效，係指於特定之毫米 波段之頻率30 GHz〜300 GHz中，天線耦合部2〇3_2〇3t間之 穿透特性高，而天線耦合部2〇3、2〇3ι之各自之反射特性 低。
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[毫米波介電質内傳輸裝置200之放大構成例] 參照圖7說明圖4所示之毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之 放大構成例》根據圖7所示之毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇, 半導體封裝體20a、20b之各個天線構造32中係使用微帶天 線作為天線39。於半導體封裝體2〇a中，天線％係載入於 半導體晶片3G上’且與形成於半導體晶片表面之天線端子 31直接或者經由接線而連接。天線39構成於半導體晶片 ❿ 之表面上，因此可採用與介電質傳輸路徑21直接接觸之構 造。半導體封裝體20b亦與半導體封裝體2〇a構成相同。 圖中虛線所不之圓柱狀部分為介電質傳輸路徑21。根據 •毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之積層構造，係以插入介電 質傳輸路徑21，使兩個半導體封裝體2〇a、2〇b之各個天線 構造32對向之方式將兩個半導體封裝體2〇&、2〇b封裝於底 板11上。介電質傳輸路徑21例如以各個天線構造32收納於 相互可視之範圍之方式配置（建構）。 半導體封裝體20a係經由天線端子31將毫米波信號s傳遞 143602.doc -29· 201030929 至天線構造32中。該天線構造32係經由天線39將毫米波信 號S輻射至介電質傳輸路徑21。半導體封裝體20b中，係該 天線構造32自介電質傳輸路徑21接收電磁波S’，且將毫米 波信號S傳遞至天線端子31中。藉此，便可於半導體封裝 體20a、20b間實施插入有介電質傳輸路徑21之通信處理。 [模擬模型例] 參照圖8，說明毫米波介電質内傳輸裝置200之穿透特性 及反射特性驗證用之模擬模型例。圖8所示之模擬模型係 採用圖7所示之毫米波介電質内傳輸裝置200之構成例。表 1係將模擬模型中所設定之參數歸納表示者。 [表1] 成型樹脂之一邊之長度11 10 mm 成型樹脂之厚度tl 0. 8 mm 成型樹脂之相對電容率εΐ 4 成型樹脂之介電損耗因子tan51 0.01 微帶天線之一邊之長度12 1.1 mm 微波傳輸帶線路之長度13 1 mm 微波傳輸帶線路之寬度wl 0.03 mm 微波傳輸帶線路之介電質厚度t2 0.1 mm 微波傳輸帶線路厚度t3 0.018 mm 插入式基板之相對電容率ε2 3.5 插入式基板之介電損耗因子tan52 0.01 天線端子之阻抗Z 108 Ω 介電質傳輸路徑之口徑Φ 2.75 mm 介電質傳輸路徑之長度14 4.8 mm 介電質傳輸路徑之相對電容率ε3 4.0 介電質傳輸路徑之介電損耗因子tan53 0.01 黏彈性素材之厚度t4 0.13 mm 黏彈性素材之相對電容率ε4 4.0 黏彈性素材之介電損耗因子tanS4 0.01 143602.doc -30- 201030929 表1中’ 11為圖8所示之模擬模型之成型樹脂8之一邊之 長度’該模擬模型中，設定為11 = 1〇 mm。t丨為成型樹脂8 之厚度，該模型中設定為tl = 〇.8 mm。εΐ為成型樹脂8之相 - 對電容率，同樣該模型中設定為ε1=4。tanSl為成型樹脂8 • 之介電損耗因子，該模型中設定為tanSl=0.01。 又’ 12為此圖所示之天線39(微帶天線）之一邊之長度， 該模型中設定為12 = 1.1 mm。13為微波傳輸帶線路33之長 ❿ 度，該模型申設定為13 = 1 mm。wl為微波傳輸帶線路33之 寬度’該模型中設定gwl=〇.〇3 mn^ t2為微波傳輸帶線路 33之介電質之厚度，該模型中設定為t2=〇1 mm。t3為微波 傳輸帶線路33之厚度，該模型中設定為t3 = 0 〇18 mm。ε2 為此圖所示之插入式基板4之相對電容率，該模型中設定 為ε2=3·5。tanS2為插入式基板4之介電損耗因子，該模型 中設定為tanS2=0.01。 Z為此圖所示之天線端子31之阻抗，該模型中設定為 φ Ζ=108 Ω。Φ為此圖所示之介電質傳輸路徑21之口徑，該模 型中设定為φ=2.75 mm。14為介電質傳輸路徑21之長度， 該模型中設定為14=4.8 mm。ε3為介電質傳輸路徑21(介電 •質素材21)之相對電容率，該模型中設定為ε3=4 〇。tanS3 為介電質傳輸路徑21之介電損耗因子，該模型中設定為 tan33=0.01。 t4為此圖所示之黏彈性素材之厚度，該模型中設定為 t4=0· 13 mm。ε4為黏彈性素材之相對電容率，該模型中設 定為ε4=4.0。αηδ4為黏彈性素材16之介電損耗因子，該模 143602.doc •31 - 201030929 型中設定為tan54=〇.〇l。再者，對此圖所示之上下之半導 體封裝體20a、20b賦予相同參數。 [模擬特性例] 參照圖9說明毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之模擬特性 例。根據圖9所示之模擬特性例，表示對圖8所示之毫米波 介電質内傳輸裝置200之模擬模型所賦予的天線端子η間 之穿透特性例及反射特性例。 於圖9中’縱轴為穿透特性s(2、1 )dB與反射特性s(i、1) dB。橫軸為載波頻率f(GHz)，刻度以5 GHz為單位。圖中 虛線所示之la表示穿透特性例。穿透特性例1&中，由黏彈 性素材16a、16b及介電質素材21，構成介電質傳輸路徑21， 由微波傳輸帶線路33及天線39構成上下之半導體封裝體 20a、20b之各個天線耦合部203、203,。 關於該穿透特性S(2、l)dB ’係自40 GHz至80 GHz，以1 GHz為單位使載波頻率f增加。根據天線端子3丨間之穿透特 性S(2、l)dB ’基於毫米波信號S之電磁波义係自半導體封 裝體20a之天線端子3 1進行輻射。電磁波s'係自介電損耗因 子為tanSl=0.01之成型樹脂8穿透介電損耗因子為 tanS4=0.01之黏彈性素材16a。而且，電磁波8，係向介電損 耗因子為tar^3=0.01之介電質素材21，之介電質傳輸路徑21 傳輸。 進而’電磁波S'穿透半導體封裝體2 〇b之介電損耗因子 為tar^4=0.01之黏彈性素材16b，傳播至介電損耗因子為 tan51=0.01之成型樹脂8。而且，利用模擬模型對半導體封 143602.doc -32- 201030929 裝體20b至天線端子31之穿透特性進行了驗證。 ° 此時之天 線端子3 1間之穿透特性例la示於頻率特性圖中。 根據該模擬結果’已明確基於毫米波信號S之電磁、皮& 係於天線端子3 1間’在載波頻率f=59 GHz附近衰減了約2 土 dB。換言之’穿透損耗於載波頻率f為59 GHz附近達到最 少，約為2.1 dB。
又’圖中實線所示之Ila表示天線端子31間之反射特性 例。該反射特性S(1、l)dB係自40 GHz至80 GHz以1 GHz為 單位增加之情形。根據天線端子3丨間之反射特性s(i、 l)dB，基於毫米波信號s之電磁波s’係自半導體封裝體2〇& 之天線端子31進行輻射。電磁波8，係自介電損耗因子為 αηδ1=0·01之成型樹脂8穿透介電損耗因子為tanM=() ^ < 黏彈性素材16a。而且，電磁波s’係朝向介電損耗因子為 tan53=0.01之介電質素材21，之介電質傳輸路徑21進行傳 輸。 進而，電磁波S'穿透半導體封裝體2〇13之介電損耗因子 為taM4=0.01之黏彈性素材16b，傳播至介電損耗因子為 tan51 = 0.01之成型樹脂8。而且，利用模擬模型對半導體封 裝體20b至天線端子3 1之反射特性進行了驗證。此時之天 線端子3 1間之反射特性例na示於頻率特性圖中。 根據該模擬結果，表示基於毫米波信號s之電磁波8，於 天線端子31間，在載波頻率f=59 GHz附近反射約_22 dB。 換言之’反射損耗於載波頻率f為59 GHz附近單獨最少， 約為-22 dB。 143602.doc •33· 201030929 如此般’根據作為第2實施形態之毫米波介電質内傳輸 裝置200 ’係插入介電質傳輸路徑21而使包含可進行毫米 波段通信之半導體晶片30之半導體封裝體2如、2〇b之各個 天線構造3 2對向配置。 因此，可經由設置於半導體封裝體2〇3與半導體封襞體 20b之間之介電質傳輸路徑21，而自半導體封裝體2〇&向半 V體封裝體20b傳輸毫米波信號s。覆蓋各個半導體封裝體 20a、20b之半導體晶片30及天線構造32之成型樹脂8亦能 夠構成毫米波介電質内傳輸路徑，因而可縮小半導體封裝 體20a之封裝面積。並且，能夠提供如下構成，即，可維 持自半導體封裝體2〇a向半導體封裝體20b之傳輸能力，同 時削減對下部之基板10a上之半導體封裝體2〇a之配線及對 上部之基板10b下之半導體封裝體201)之配線之數量。 又，配置於半導體封裝體20a、2〇b與底板u之間之黏彈 性素材16可提高該半導體封裝體2〇3、2〇13與介電質傳輪路 徑21之密接性。形成於底板11之内部之介電質傳輸路徑21 係以使半導體封裝體2〇a、2〇b之表面間密接之方式配置， 因此可兼用對封裝有半導體封裝體2〇a、2〇b之基板1〇進行 固定之底板11之構造。 並且，於密接於底板11之表背面之半導體封裝體2〇a、 2〇b間可傳輸毫米波信號Se又，因底板丨丨兼用介電質傳輸 路徑21之一部分，故而可簡化電子設備之構成。藉此，無 需依賴於端子數較多之連接器及印刷配線排線，而可建構 能夠單向或雙向傳輸毫米波信號8之毫米波介電質傳輸裝 143602.doc •34- 201030929 置 200。 <第3實施形態> [毫米波介電質内傳輸裝置300之構成例] ， 參照圖10說明作為第3實施形態之毫米波介電質内傳輸 裝置300之構成例。本實施形態中，省略了第2實施形態中 設置於半導體封裝體2〇a、20b間之底板11，故介電質傳輸 路徑21僅由成型樹脂8及黏彈性素材16構成。 φ 根據圖10所示之毫米波介電質内傳輸裝置300，於接合 半導體封裝體20a、20b之部分設置有黏彈性素材16，黏彈 性素材16具有散熱功能，並且構成可進行毫米波段通信之 介電質傳輸路徑21。關於黏彈性素材16係使用可進行毫米 波段通信之介電質素材2丨，。於該例中，自圖4所示之毫米 波介電質内傳輸裝置2〇〇中省略了底板丨丨。該例係半導體 封裝體20a、20b間僅經由黏彈性素材丨6進行傳輸之形態。 下部之封裝用之基板l〇a上安裝有半導體封裝體2〇a。關 # 於半導體封裝體20&係使用第1實施形態中所說明之半導體 封裝體20。下部之基板1〇a與半導體封裝體2〇&係藉由先前 方式之倒裝晶片接合方法來利用凸塊等突起電極9進行焊 接接合。半導體封裝體20a係於一插入式基板4上設置有可 ，進行毫米波段通信之半導體晶片3〇。半導體晶片3〇中連接 有天線構造32。插入式基板4上之半導體晶片3〇與天線構 造32係由成型樹脂8所覆蓋。 半導體封裝體20b係朝下安裝於上部之封裝用之基板議 上。半導體封裝體20b係與半導體封裝體施相比倒置副。 143602.doc -35- 201030929 進行封裝。半導體封裝體20b亦使用第丨實施形態中所說明 之半導體封裝體20。上部之基板1〇b與半導體封裝體2〇b以 同之方式藉由凸塊等突起電極9而焊接接合。於該例 中半導體封裝體20b係於另一插入式基板4下設置有可進 打毫米波段通信之半導體晶片3〇。於半導體晶片3〇上，以 與半導體封裝體20a相同之方式連接有天線構造32。插入 式基板4下之半導體晶片3〇與天線構造32係由成型樹脂8所 覆蓋。 封裝用之下部之基板10a、上部之基板1〇b係安裝於支柱 70。各個基板10a、l〇b例如藉由螺紋構造13而固定於支柱 7〇。關於支柱70係使用棒狀之金屬構件。於該例中支柱 7〇之兩端設置有内螺紋。該例中雖未圖示，但毫米波信號 s係經由包含成型樹脂8及黏彈性素材16之介電質傳輸路徑 而於天線構造32間進行傳輸。 如此般，根據作為第3實施形態之毫米波介電質内傳輸 裝置300，省略了圖4所示之底板u，但於半導體封裝體 20a、20b之間包括黏彈性素材16〇 可藉由該構造，而提高半導體封裝體20a與半導體封裝 體20b之密接性，因此可同時實現天線耦合性能之提高及 半導體封裝體20a、20b之散熱效果。 並且，於半導體封裝體2〇a、2〇1?間構成介電質傳輸路徑 21之黏彈性素材16兼用散熱材料，因此可使半導體封裝體 20a、20b中產生之熱散發。又，可經由構成介電質傳輸路 徑21之黏彈性素材16而於兩個半導體封裝體2如、2扑間進 143602.doc •36- 201030929 行毫米波信號s之傳輸。 <第4實施形態> [半導體封裝體20c之構成例] 繼而，一面參照圖11 一面說明作為第4實施形態之半導 體封裝體20c之構成例。於該例中，天線構造32，並設於插 入式基板4之半導體晶片30。包含天線構造32,之半導體封 裝體20c可提供層疊封裝（package_〇n_package :以下稱作 _ POP構造）之毫米波介電質内傳輸裝置400之構造。 圖11所示之半導體封裝體20c係構成為包含插入式基板 4、成型樹脂8、可進行毫米波段通信之半導體晶片3〇及天 線構造32'。半導體晶片30係以毫米波段進行通信處理者。 關於半導體晶片30 ’係使用將圖2所示般之LSI功能部201 及信號生成部202—體化而成之系統LSI(參照圖2)。 天線構造3 2'於插入式基板4上並設於半導體晶片3 〇。與 另一實施形態相比’半導體封裝體20c内之天線構造32,之 參配設位置不同。該例係於半導體晶片30之天線端子3丨之右 側，使微波傳輸帶線路33及天線39形成圖案。關於天線39 係使用微帶天線。天線端子3 1形成於例如半導體晶片3〇之 背面，且該天線端子3 1配線（連接）有微波傳輸帶線路33。 . 若採用此種形成方法，則可於天線端子3 1與天線39間高效 地傳輸毫米波信號S。 [半導體封裝體2〇c之形成例] 繼而，一面參照圖12 A~圖12D —面說明構成P〇p構造之 毫米波介電質内傳輸裝置400之半導體封裝體2〇c之形成 143602.doc -37- 201030929 例。該例中，當形成圖u所示之半導體封裝體時，首 先’係於圖12A所示之插人式基板4上，形成可進行毫米波 段通信之半導體晶片30及天線構造32,。 半導體晶片30對插入式基板4上之封裝方法與第ι實施形 態相同，因此省略其說明。當於插入式基板4上形成天線 構造32·時，天線39係如圖12B所示與半導體晶片3〇並排形 成。例如，天線39係與半導體晶片3〇並排著自插入式基板 4上之天線端子31起形成微波傳輸帶線路33，且形成於該 微波傳輸帶線路33之前端。 ~ 關於天線39，係採用具有基於毫米波信號s之波長人之特 疋之長度、例如1邊為600 μηι左右的微帶天線。再者，天 線端子31係預先自封裝於半導體晶片3〇之内部之天線切換 4 38(參照圖2)之輸出點導出。天線構造32，包含插入式其 板4上之半導體晶片30之天線端子31、微波傳輸帶線路η 及天線3 9。 然後，如圖12C所示，使插入式基板4上之半導體晶片％ 及天線構造32,藉由覆蓋成型樹脂8而絕緣。關於成型樹射 係使用第1實施形態中說明之環氧系樹脂。而且，如圖HD 所不，於插入式基板4下形成倒裝晶片焊接用之凸塊等突 起電極9藉此，構成構造之毫米波介電質内傳輸裝 置400之半導體封裝體2〇c得以完成。 [毫米波介電質内傳輸裝置4 〇 〇之構成例] 參照圖13說明POP構造之毫米波介電質内傳輸裝置4〇〇 之構成例。圖13所示之毫米波介電質内傳輸裝置4〇〇係為 143602.doc •38· 201030929 將圖11所示之半導體封裝體2〇c層疊2段以上而成之構造。 該毫米波介電質内傳輪裝置4⑻係利用突起電極9連接兩個 半導體封裝體20c、2〇d間，構成P0P構造之毫米波介電質 - 内傳輸裝置彻。換言之，毫米波介電質内傳輸裝置400係 使複數個半導體封裝體2〇c、20d等於封裝用之基板1〇上一 體化而成者。關於半導體封裝體2〇c、2〇d之内部構成例可 參照圖2。 1 ❹ 即，半導體晶片30與天線構造32'經成型樹脂8密封之半 導體封裝體20c、20d ’係藉由突起電極9(焊球）而接合，從 而構成積層構造之半導體封裝體8〇。 於下丨又之半導體封裝體2〇c之表面與上段之半導體封裝 體20d之插人式基板4之間，配置有用於提高散熱及密接性 之黏彈性素材16。關於黏彈性素材16係使用具有相對電容 率ε4之黏彈性樹脂。毫米波信號s係經由半導體封裝體— 之成型樹脂8、黏彈性素材16、半導體封裝體2〇d之插入式 基板4之各介電質進行傳輸。 藉此，與先前型之POP構造之半導體封裝體相比，可削 減上段及下段之半導體封裝體2〇(；、2〇d配線於各個插入式 _ 基板4之突起電極9上之端子電極圖案。 [毫米波介電質内傳輸裝置4〇〇之組裝例] 繼而，一面參照圖14 一面說明POP構造之毫米波介電質 内傳輸裝置400之組裝例。該例係以組裝圖13所示之積層 構造之毫米波介電質内傳輸裝置4〇〇之情形為前提。 首先，準備半導體封裝體20c、20d，並將半導體封裝體 143602.doc -39- 201030929 =0c封裝於封裝用之基板1〇上。關於基板⑺，可準備具有 犬起電極接合用之端子電極圖案lGe者。藉由將基板1〇之 :子電極圖案1Ge與半導體封裝體·之突起電極9焊錫接 。來進仃封裴。藉此，便可將半導體封裝體2〇c封裝於封 裝用之基板10上。 對於半導體封裝體20d而言，可準備成型樹脂8之上表面 八有凸台形狀者。半導體封裝體2〇d之上表面凸台形狀可 藉由如下方式獲得’即，於射出模具之模穴中形成四周具 有斜面之凹部，並使用該模具，於成型樹脂8之上部四周 形成斜面。 其次，將半導體封裝體2〇d封裝於半導體封裝體2〇c上。 此時，於半導體封裝體20c之表面（上表面）之成型樹脂8與 半導體封裝體20d之背面（下表面）之插入式基板4之間插入 黏彈性素材16。關於黏彈性素材16係使用具有相對電容率 ε4之黏彈性環氧樹脂等。此時，以整合半導體封裝體Μ。 之天線構造32’與半導體封裝體2〇d之天線構造32，之方式使 半導體封裝體20d與半導體封裝體2〇c重合。介電質傳輸路 徑21係包括半導體封裝體2〇c之成型樹脂8、黏彈性素材16 及半導體封裝體20d之插入式基板4。藉此，圖13所示之 POP構造之毫米波介電質内傳輸裝置4〇〇得以完成。 如此般根據作為第4實施形態之pop構造之毫米波介電 質内傳輸裝置400，而具有半導體封裝體2〇d之半導體晶片 3〇封裝於半導體封裝體20c之半導體晶片3〇之上方之層疊 封裝構造。因此’可提供積層接合半導體封裝體2〇c&20d 143602.doc •40· 201030929 而成之一體型毫米波介電質内傳輸裝置4〇(^ 又，不同之基板10上之兩個半導體封裝體20^、2〇d間利 用介電質傳輸路徑21而麵合，從而可經由該介電f傳輸路 ' 仁21進行毫米波信號S之傳輸，因此便可削減端子數較多 之連接器及電纜。 <第5實施形態> [毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇之構成例] • 繼而，一面參照圖15一面說明作為第5實施形態之毫米 波介電質内傳輸裝置5〇〇之構成例。第5實施形態具有如下 特徵·以毫米波於水平方向上偏移配置之複數個半導體封 裝體20間進行資料傳輸。於圖示之例中，分別包含半導體 晶片30之兩個半導體封裝體2〇e、2〇f並設封裝於同一封裝 用之基板10上，且可經由形成於區域劃分用之底板11内之 介電質傳輸路徑21，實施通信處理。關於半導體封裝體 20e、20f之内部構成例可參照圖2。 參 根據圖15所示之毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇 ,介電質 傳輸路徑21係設置於底板u。關於底板u，使用例如厚度 為1 mm左右之金屬平板，介電質傳輸路徑21係沿基板面設 置於°亥例中，"電質傳輸路徑2 1係對設置於底板11之區 域劃刀用之貫通部llb(或槽部）填充特定之介電質素材幻， 而構成。關於介電質素材21ι係使用相對電容率以之玻璃環 氧樹脂等。才艮據該構造可構成與波導管構造類似之介電質 傳輸路徑21。 根據毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇，於底板丨丨内之介電 143602.doc -41· 201030929 質傳輸路徑21中，在各個天線構造32所對向之半導體封裝 體20e、20f之間，傳輸經由介電質傳輸路徑2丨之毫米波信 號S。天線構造32係導出至密封半導體晶片3〇之成型樹脂8 之表面上。天線構造32中包含圓柱天線。天線端子31例如 可藉由特性阻抗約為108 Ω之同軸構造33,之傳輸線路而自 半導體晶片30之上部拉出。該傳輸線路之前端可設置圓柱 天線。 再者，當將反射器分別封裝於底板11内之介電質傳輸路 徑21之發送側與接收側時，天線構造32中亦可使用微帶天鲁 線。此時，自其中一半導體封裝體2〇e之微帶天線中所輻 射之電磁波係沿底板11之厚度方向行進。然後，受到發送 側之反射器反射後，電磁波沿底板i丨之平面方向上行進， 進而，受到接收側之反射器反射，而到達另一半導體封裝 體2 Of之微帶天線。 [毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇之形成例] 繼而，參照圖16〜圖18說明毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇 之形成例。圖16A係表示基板1〇中之端子電極5之形成例之 © 俯視圖’ ®16B係圖i6A所示之基板⑺之又卜幻箭頭方向剖 面圖。該例係以使用封裝用之基板1〇、底板u、兩個半導 體封裝體20e、20f’組裝圖15所示之毫米波介電質内傳輸. 裝置500之情形為前提。 ^ 另方面，形成圖16A所示之用於並設半導體封裝體 20e、2吖之封裝用之基板1〇。關於半導體封裝體20e、2〇f 係使用分別包含半導體晶片30及天線構造32者。首先，如 143602.doc -42- 201030929 圖16B所示，於基板10上形成複數個端子電極圖案i〇c。端 子電極圖案10c係接合半導體封裝體2〇e、2〇f之突起電極9 者，當基板10由銅箔基板形成時，則例如藉由以光阻膜為 • 光罩對銅箔實施圖案化處理而形成。 圖17A係表示底板U中之介電質傳輸路徑21之形成例之 俯視圖，圖17B係圖17A所示之基板1〇2Χ2_χ2箭頭方向剖 面圖。另一方面，準備封裝圖17A所示之封裝用之基板1〇 φ 之底板11。底板11係例如使用圖17B所示之厚度t0=1 mm 左右之金屬平板。其次，於底板丨丨上形成介電質傳輸路徑 21。 此時，於底板11之特定之位置上形成區域劃分用之貫通 部llb(或槽部）。貫通部llb可沿底板丨丨之表面設置，且加 工成可連結半導體封裝體20e、2听之封裝區域之間。然 後’對圖17B所示之貫通部llb内填充特定之介電質素材 21’。關於介電質素材21· ’可使用相對電容率以之玻璃環 • 氧樹脂等。藉此，獲得圖17C所示之包含介電質傳輸路徑 21之底板11。 其次，如圖18A所示，將半導體封裝體2〇e、2〇f封裝於 •封裝用之基板10。關於封裝方法可參照圖4。而且，將圖 18B所示之封裝於封裝用之基板1〇之半導體封裝體2〇e、 2〇f封裝於圖1 7C所示之底板1 1。此時，係以半導體封裝體 20e之天線39與半導體封裝體20f之天線39嵌入介電質傳輸 路徑21内之方式進行安裝。此時，亦可將黏彈性素材“分 別插入至半導體封裝體2〇e之成型樹脂8與底板u之間，以 143602.doc -43· 201030929 及半導體封裝體20f之成型樹脂8與底板n之間。 再者’於底板_之介電f傳輸路㈣之發送側與接收 側’將反射器9a、9b分別封裝於例如為方便起見而自圖 18B中去除介電質素材21，之圖中虛線所示之位置上之情形 時’可於半導體晶片3Q上採用包含微帶天線之天線構造 32。此時之介電質傳輸路徑21中包含成型樹脂8。介電質 傳輸路徑21之整體路徑係包含反射器知、外在内呈凹狀。 藉此，便可形成圖15所示之於底板u上並設有兩個半導體 封裝體20e、20f之毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇。 如此般，根據作為第5實施形態之毫米波介電質内傳輸 系統500,而將分別包含半導體晶片3〇之兩個半導體封裝 體20e、20f並設封褒於同一封裝用之基板1〇。又，於區域 劃分用之底板11内設置有介電質傳輸路徑21。 因此，於並設封裝於同一封裝用之基板10之兩個半導體 封裝體20e、20f間，可經由設置於底板丨丨内之介電質傳輪 路徑21 ’實施使用毫米波信號S之通信處理。並且，形成 於底板11之内部之介電質傳輸路徑21以密接兩個半導體封 裝體20e、20f之間之方式進行配置，因此可兼用對封裝有 半導體封裝體20e、20f之基板10進行固定之底板丨丨之構 造。又，因底板11兼用介電質傳輸路徑21，因此電子設備 之構成得以簡化。 <第6實施形態> [毫米波介電質内傳輸系統6〇〇之構成例] 繼而’參照圖19A及圖19B，說明作為第6實施形態之毫 143602.doc -44· 201030929 未波介電質内傳輸系統600 八 < 構成例。圖19A所示之毫米波 ^丨電質内傳輸系統6〇〇係於| Λ彻 尔於各兩個電子設備601、602中， 封裝有可進行毫米波介雷皙 質内傳輪之半導體封裝體2〇g 等。該系統600係如圖19B所·ΐ* 一 宁划®MM所不，使兩個電子設備6〇1、6〇2 之特定部位接觸從而傳輸毫米波信號8。 於電子設備6〇1中，封裝有可進行毫米波介電質内傳輸 之第1半導體封裝體2Gg。半導體封裝體20g構成為包含可
進行宅米波段通信之半導體晶片3Q、天線構造似凸狀之 介電質傳輸路徑21。於半導體封裝體2〇g中，"體晶片 3〇係叹置於一插入式基板4上。天線構造連接於半導體 晶片30。成型樹脂8覆蓋插入式基板4上之半導體晶片扣與 天線構造32。 電子設備6〇1之凸狀之介電質傳輸路徑21係構成為包含 封裝用之基板10、凸狀之突出構件17及介電質素材21，。封 裝用之基板10亦可為兼用電子設備6〇1之框體12a之構件。 犬出構件17可為金屬亦可為樹脂。於基板1〇及突出構件17 中，設置有劃分介電質傳輸路徑21之開孔部18。該開孔部 18係没置於包含天線構造3 2之位置上。開孔部丨8内填充有 特定之介電質素材21’。關於介電質素材21，係使用相對電 容率εΐ之玻璃環氧樹脂等。 於電子設備602中封裝有可進行毫米波介電質内傳輸之 第2半導體封裝體20h。半導體封裝體2〇h係構成為包含可 進行毫米波段通信之半導體晶片30、天線構造32及凹狀之 介電質傳輸路徑21。半導體封裝體2〇h除了凹狀之介電質 143602.doc -45- 201030929 傳輸路徑21之外，係以與半導體封裝體2〇g相同之方式構 成。關於半導體封裝體20g、20h之内部構成例可參照圖 2 〇 電子設備602之凹狀之介電質傳輸路徑21係構成為包含 封裝用之基板10、具備凹狀之框體12b及介電質素材21,。 封裝用之基板ίο安裝於電子設備601之框體12b。框體i2b 可為金屬亦可為樹脂。基板10上設置有劃分介電質傳輸路 徑21之開孔部18。該開孔部18設置於包含天線構造32之位 置上。開孔部18内填充有特定之介電質素材21，。關於介電 質素材21' ’係使用相對電容率ε1之玻璃環氧樹脂等。 如圖19Β所示，該例係將電子設備6〇1之凸狀之介電質傳 輸路徑21嵌入至電子設備602之凹狀之介電質傳輸路徑η 中而使用。藉此，半導體封裝體20g與半導體封裝體2〇h之 間建構可傳輸毫米波信號之介電質傳輸路徑21。半導體封 裝體20g、20h係以插入介電質傳輸路徑21而使其等之各個 天線構造32對向之方式接合。 毫米波介電質内傳輸系統600中，兩個電子設備、 602通常係為分離。電子設備601例如為可攜式電池驅動設 備，電子設備602例如為固定型之電池充電器戈旯地二 等。該系統600中，當對電子設備6〇1之電池進行充電時γ 或者自電子設備601向電子設備6〇2傳輸資料賠， T 將兩個 電子設備601、602接合使用。 該例中，關於電子設備601、602考慮有如下 〜 卜之組合。i 當一電子5又備601為行動電話或數位照相機、攝，機遊 143602.doc • 46 - 201030929 戲機、遙控器、電動剃鬚刀等電池驅動設備時，另一電子 設備602為其之電池充電器或進行圖像處理等之基地台 等。 , 11.當一電子設備601具有與i.相比相對較薄之 IC(Integrated Circuit ’積體電路）卡般之外觀時，電子設備 602為其之卡片讀取寫入裝置等。可實現如FeHCa卡化)般 之使用態樣。當然，上述電子設備6〇1、6〇2之組合僅為其 中一例。 [電子設備601、602之形成例] 其次’參照圖20八及圖2〇8、以及圖21八及圖218，說明 笔米波介電質内傳輸系統6〇〇中所使用之電子設備6〇1、 602之製造方法。本實施形態中，無論應用於何種電子設 備601、602之情形’均以將半導體封裝體2〇8、2〇h封裝於 其專之框體12 a等之内壁面側之情形為例。 首先’準備圖20A所示之可進行毫米波介電質内傳輸之 φ 半導體封裝體2〇g與兼用基板10之框體12a，製造電子設備 601。該例係將圖20A所示之半導體封裝體2〇g封裝於框體 12a中。關於半導體封裝體2〇g係使用包含可進行毫米波段 . 通#之半導體晶片30、天線構造32及凸狀之介電質傳輸路 .徑21者。 半導體封裝體20g中，係於一插入式基板4上設置半導體 晶片30。天線構造32係設置於封裝有半導體晶片3〇之插入 式基板4下之端子。天線構造32係連接於半導體晶片3〇。 成型樹脂8係以覆蓋插入式基板4上之半導體晶片3〇與天線 143602.doc •47- 201030929 之方式形成。於插入式基板4下之端子，形成有倒 裝晶片接合用之突出電極9。 電子1^備6G1例如為行動電話之情形時，框體12a為該 行動電話之外表殼體。通常，基板1()係'於半導體封裝體封 裝面形成有倒裝晶片接合用之焊墊電極，因此於框體心 兼用基板10之情形時，必需預先於該框體之半導體封 裝體封裝面上形成倒裝晶片接合用之谭墊電極。當然，亦 可知用將封裝有半㈣封裝體2Gg之基板1G安裝於框體 之特定之位置上的方法。 於該例中，凸狀之介電質傳輸路徑21係接合形成封裝用 之框體12a及凸狀之突出構件17。當然，於框體i2a及突出 構件17上開口有開孔部18，從而使介電質傳輸路徑2工得 以劃分。較好的是，該開孔部18設置於包含天線構造32之 位置上。突出構件17可為金屬構件亦可為樹脂構件。開孔 部18内填充有特定之介電質素材21，。關於介電質素材21， 係使用相對電容率ε1之玻璃環氧樹脂等。藉此，便可形成 電子設備601側之凸狀之介電質傳輸路徑21。 準備好上述可進行毫米波介電質内傳輸之半導體封裝體 2〇g與具凸狀之介電質傳輸路徑之框體12a之後’如圖2〇β 所示’將半導體封裝體2〇g與框體12a接合。此時，以使突 出構件17位於框體12a之外側，且使半導體封裝體2〇g位於 框體12a之内側壁面之方式對準，使半導體封裝體2〇g接合 於框體12a。 又’使用形成於插入式基板4下之端子之突出電極9進行 143602.doc -48- 201030929 倒裝晶片接合。例如，使兼用基板10之框體i2a之半導體 封裝體封裝面上所預先設置的倒裝晶片接合用之焊墊電極 與插入式基板4下之端子上所形成之突出電極9焊錫接合。 • 藉此，可於毫米波介電質内傳輸系統600中使用之電子設 備601得以完成。 其次，準備圖21A所示之可進行毫米波介電質内傳輸之 半導體封裝體20h、基板1〇及框體12b，製造電子設備 • 6〇2。該例中，首先將圖21A所示之半導體封裝體2〇h封裝 於基板10，並將該基板10安裝於框體12b。關於基板1〇係 使用於半導體封裝體封裝面上形成有倒裝晶片接合用之焊 墊電極者。半導體封裝體20h係使用形成於插入式基板4下 之端子之突出電極9進行倒裝晶片接合。例如，使基板1〇 之半.導體封裝體封裝面上所預先設置之倒裝晶片接合用之 烊墊電極與插入式基板4下之端子上所形成之突出電極9焊 錫接合。 參 該例係採用以阻塞開口於框體12b之特定位置上之視窗 部12c的方式安裝封裝有半導體封裝體2〇h之基板1〇的方 法。又，關於半導體封裝體2〇h，係使用與包含可進行毫 . 米波段通信之半導體晶片30、天線構造32及凹狀之介電質 . 傳輸路控21之半導體封裝體20g相同者。關於半導體封裝 體20h之形成例，因與半導體封裝體2〇g相同，故省略其說 明。 於該例中’凹狀之介電質傳輸路徑21係藉由基板丨〇上開 口有開孔部18而劃分之介電質傳輸路徑21、及框體^之 143602.doc -49- 201030929 視窗部12c而形成。較好的是，該開孔部18設置於包含天 線構造32之位置上。開孔部18内填充有特定之介電質素材 2Γ。關於介電質素材21，係使用相對電容率ε1之玻璃環氧 樹脂等。 再者，當基板10使用與介電質素材21，同等之絕緣構件 時，亦可省略開孔部1 8。於必須劃分介電質傳輸路徑2丨之 情形時，以半導體封裝體2〇g之天線構造32之大致中心位 於導電性之圓筒構件之中心之方式，沿基板1〇之厚度方向 嵌設該圓筒構件即可。圓筒構件之内側之絕緣構件可形成 介電質傳輸路徑21。藉此，便可形成電子設備6〇2侧之凹 狀之介電質傳輸路徑21。 於電子設備602為例如對行動電話之電池充電之充電器 之情形時，圖21B所示之框體12b為該充電器之外表殼體。 框體12b係使用於特定之位置開口有視窗部Uc者。視窗部 12c成為嵌合圖19A所示之電子設備6〇1之突出構件η之部 分。 準備封裝有上述可進行毫米波介電質内傳輸之半導體封 裝體20h之具凹狀之介電質傳輸路徑之基板1〇、及包含視 窗部12c之框體12b。當該等之準備完成後，如圖21B所示 將半導體封裝體20h及具凹狀之介電質傳輸路徑之基板1〇 安裝於框體12b之視窗部i2c。 該例中，當電子設備601之突出構件17嵌合於框體1汕之 視窗部12c時’以電子設備601之半導體封裝體2〇g之天線 構造32之大致中心與半導體封裝體2〇h之天線構造32之大 143602.doc -50· 201030929 致中心一致之方式進行位置對準。接著，將基板10安裝於 框體12b。藉由螺固構造而使基板1〇與框體i2b固定。 當然’亦可採用藉由接著劑而使基板丨〇與框體12b接合 之方法。藉此，可於毫米波介電質内傳輸系統600中使用 之電子設備602得以完成。 如此般，根據作為第6實施形態之毫米波介電質内傳輸 系統600，於其中一電子設備6〇1中設置有可進行毫米波段 φ 通仏之半導體封裝體2〇g，而於另一電子設備602中設置有 可進行毫米波段通信之半導體封裝體2〇h。進而於半導體 封裝體20g、20h之間，設置有可傳輸毫米波信號之介電質 傳輸路徑21。而且，電子設備6〇丨與電子設備6〇2係以半導 體封裝體20g、20h之各個天線構造32因插入介電質傳輸路 徑21而對向之方式接觸。 因此，經由設置於半導體封裝體2〇g與半導體封裝體 之間之可傳輸毫米波信號之介電質傳輸路徑21，便能自半 • 導體封裝體2(^向半導體封裝體2〇h傳輸毫米波信號8 .藉 此，無需依賴連接電子設備601及電子設備6〇2間之通信電 纜等，便可於其中一個電子設備6〇1與另一電子設備6〇2之 •間在充電過程中實施通信處理等。 3上所述，本發明之毫米波介電質内傳輸裝置 及毫米波；I電質内傳輸系統6〇〇便可以簡單且價廉之構成 實現。並且，於半導體封裝體20a、20b、半導體封裝體 20c、20d、半導體封裝體2〇e、2〇f、2〇g、2〇h間可實現高 速資料傳輸β 143602.doc -51 - 201030929 <第7實施形態> 圖22〜圖28係說明作為第7實施形態之半導體封裝體 20j(本例中等同於毫米波介電質内傳輸裝置）之圖。此處， 圖22係說明針對第7實施形態之比較例之圖。圖23係說明 第7實施形態之半導體封裝體2〇j之構成概要之圖。圖24係 說明第7實施形態之半導體封裝體2〇j中所使用之天線構造 之具體例之圖。圖25係說明應用有圖24所示之天線構造之 第7實施形態之半導體封裝體2〇j之具體例之圖。圖26〜圖 28係表示圖25所示之第7實施形態之半導體封裝體2〇j之模 擬特性例之圖。 第7實施形態具有如下特徵：於一個半導體封裝體2… 内，在基板上配置有複數個半導體晶片3〇,且於各半導體 晶片30間進行毫米波傳輸。第7實施形態係即便為同一封 裝體内，亦可於半導體晶片3〇間進行毫米波傳輸且半導 體封裝體20j自身構成毫米波介電質内傳輸裝置。 以下為了易於理解第7實施形態之機制，首先說明針對 第7實施形態之比較例，然後說明第7實施形態之概要與具 體例。 [比較例] 圖22表示未應用第7實施形態之比較例之半導體封裝體 lx。半導體封裝體lx係為將作為複數個（圖中為三個）系統 LSI之半導體晶片2」、2_2、2」並列配置於—個封裝體内 之多晶片封裝體。半導體晶片21、 L ~ 之表面上形 成有複數個焊墊電極3。 143602.doc •52- 201030929 本比較例形態如下：於半導體晶片、2_2間及半導體 晶片2一1、2_3間進行信號傳輸，而於半導體晶片2_2、2—3 間不進行信號傳輸。此處，半導體晶片2_丨、2_2間及半導 體晶片2一 1、2_2間之信號傳輸用之連接係使用接線7。所 有半導體晶片2一1、2_2、2」均由樹脂性之LSI封裝體（成 型樹脂8)所保護，且封裝於插入式基板仏斤^封裝體基板） 上。 φ 此處，伴隨系統LSI晶片之高功能化、資料容量之增 大，連接各系統LSI晶片間之接線7之配線數亦增加，故焊 墊電極3之增加將引起晶片面積增大之問題。又，若各系 統LSI晶片間之通信速度加快，則會產生接線7之延伸造成 配線延遲或阻抗失配造成反射等之問題。又，因必需利用 接線7進行近距連接，故而系統LSI晶片之配置自由度之降 低亦成為問題。 [第7實施形態之構成概要] φ 圖23表不第7實施形態之構成概要。圖23A係平面模式 圖，圖23B係剖面模式圖。 第7實施形態之半導體封裝體2〇j係為將可進行毫米波介 •電質内傳輸之三個半導體晶片、3〇_2、3〇一3並列配置 ， 於個封裝體内之多晶片封裝體。與比較例不同的是，並 未於半導體晶片30一1、30_2、30一3之表面上形成焊墊電極 3 ° 所有半導體晶片30—1、30—2、30_3均由樹脂性之LSI封 裝體（成型樹脂8)保護，且封裝於LSI封裝體基板4j(插入式 143602.doc -53- 201030929 基板）上。成型樹脂8由含有可傳輸毫米波信號之介電質之 介電質素材形成。 雖未圖示，但如第丨實施形態所說明，並非毫米波信號 之轉換對象之電源部等之端子，以與比較例相同之方式j 自半導體晶片30」、30_2、30」之烊墊電極經由接線而配 線。 如第1實施形態所說明，各半導體晶片3(L1、3() 2、 3〇一3中内置有LSI功能部201、毫米波生成部2〇2、天線耦 合部203之天線切換部38。由於構成為將半導體晶片 30一1、30_2、30—3並列配置於一個封裝體内，故而作為天 線39，並不排除使用沿基板之厚度（法線）方向具有指向性 者（例如微帶天線）’但較好的是使用沿基板之平面方向具 有指向性者。 當使用沿基板之厚度（法線）方向具有指向性者（例如微帶 天線）時，例如可藉由設法以形成介電質傳輸路徑21之方 式於成型樹脂8内設置反射板等，而使毫米波之行進方向 變為天線3 9間’由此提高傳輸效率。 如第1實施形態所說明，毫米波生成部2〇2於發送系統中 設置有LSI功能部201、並列串列轉換電路34、調變電路 35、頻率轉換電路36、放大器37、天線切換部38，而於接 收系統中δ又置有放大器44、頻率轉換電路45、解調電路 46、串列並列轉換電路47。 例如形態如下所述：於半導體晶片3〇—丨、3〇一2間及半導 體晶片30_1、30_3間進行信號傳輸，而於半導體晶片 143602.doc •54- 201030929 30_2、30_3間不進行信號傳輪。此時，發送側之半導體晶 片30係利用並列串列轉換電路34，將LSI功能部2〇1中所生 成之多個資料信號串列化後，利用調變電路3 5進行調變， 並經頻率轉換電路36而升頻為毫米波段後，由放大器37進 订放大，且經由天線耦合部203之天線39而作為電波放射 至成型樹脂8(LSI封裝體）内。接收側之半導體晶片3〇係利 用天線39接收毫米波段之電波，並由放大器料進行放大 ❿ 後，經頻率轉換電路45降頻為基頻信號後，由解調電路46 進行解調，且利用串列並列轉換電路47進行並列化處理而 傳遞至LSI功能部201中。 根據第7實施形態之半導體封裝體2〇j，係以毫米波於一 個封裝體内配置有複數個半導體晶片3〇(系統LSI)之多晶片 封裝體内進行資料傳輸。傳輸毫米波之毫米波信號傳輸路 役並非為空氣（自由空間傳輸路徑），而是利用由含有可傳 輸毫米波信號之介電質之介電質素材所形成之成型樹脂8 • 的介電質傳輸路徑21。藉此，便可於比較例之半導體封裝 體ix中大幅度削減必需為多個之接線7或焊墊電極3，縮小 晶片面積，從而降低晶片成本，使得晶片配置之自由度提 尚，因此亦使框體設計性提高。又，藉由將利用接線7或 焊墊電極3之電氣配線之信號傳輸取代為利用毫米波信號 之傳輸’從而避免配線延遲或阻抗失配等問題。 [第7實施形態之天線構造] 圖24〜圖28表示半導體封裝體2〇j中所使用之天線構造之 具體例與特性例。 143602.doc -55- 201030929 此處’如圖24A所示’作為天線39，係使用能夠比微帶 天線更小型化之逆F型天線39j。逆F型X線39j為無指向性 (放射元件之長度方向除外），換言之，不僅基板之厚度（法 線）方向而且平面方向均具有指向性，因此對於並列配置 之半導體晶片30—1、30_2間及半導體晶片3〇—】、3〇—3間利 用毫米波信號之傳輸較為有利。 圖24B及圖24C所示之》值例係作為半導體封裝體20j搭 載有60 GHz頻帶之型天線39j之例。於2 mm見方之各半 導體片30_1、30—2、30_3上搭載圖24A所示構造之逆F型 天線39j，並利用成型樹脂8密封半導體晶片30_1、30_2、 30_3之整體。 逆F型天線39j係於構成2 mm見方之半導體晶片3〇之例如 300 μιη厚之矽層30_M〇上的訄丨層；^—厘丨上，以〇 2 厚於 2 mm見方之大致整個面上（詳情隨後說明）形成接地圖案 39GP。於Ml層30JM1(接地圖案39GP)之上層形成有6 μηι 厚之氧化膜層39—Μ8。矽層3〇_ΜΟ之矽Si係相對電容率為 11.9且電阻率為1〇^2.(；111，氧化膜層39-河8之氧化膜係相 對電容率為3.5且介電損耗因子仏1^為〇 〇2。 於氧化膜層39—M8上之M9層30_M9上，0.8 μπι厚之放射 元件39RE係以相對較寬之接地圖案39〇ρ而突出之狀態形 成。放射元件39RE係於長度方向上與半導體晶片3〇之一條 邊30—a相距50 μιη之内側之位置上沿該邊30_a而形成。放 射元件39RE係自邊30_a之中點位置39RE_c至其中一端點 3911丑_&為止之長度即第1元件長度La設定為56〇 μπι，自中 143602.doc -56- 201030929 點位置39RE_c至另一端點39RE_gg止之長度即第2元件長 度Lg設定為272 μιη。 自放射元件39RE之端點39RE_g與中點位置39RE_C分別 導出供電用之供電配線39LD—g、39LD—c。供電配線 39LD_g、39LD—C之線寬W設定為13 μιη。供電配線39LD g 中，導線長度Η為113 μηι，其終點之部分為第1供電點 39F_g，進而，於第1供電點39F_g向mi層30_Ml側下降而 ❹ 與接地圖案39GP連接。供電配線39LD_c中，其導線長度H 設定為比供電配線39LD_g之導線長度Η(113 μηι)長，其終 點之部分為第2供電點39F_c。 接地圖案39GP並非形成為2 mm見方之整體，而是相對 邊30_a，僅以放射元件39RE之形成位置Η(5〇 μηι)與供電配 線39LD_g之導線長度Η(113 μιη)形成至内側之部位。 圖25中表示如下狀態，即，將形成有圖24所示之逆F型 天線39j之兩個半導體晶片3〇(例如3〇—j、3〇 一 2)，隔開晶片 ❹ 間距離d，以逆F型天線39j彼此對向之方式並設於[81封裝 體基板4j上。LSI封裝體基板4j係由介電質素材形成，其相 對電合率為3.5且介電損耗因子tanS為〇 〇2，厚度為〇 4 » mm ° . 圖25B表示上述剖面模式圖之第1例。兩半導體晶片 3〇_1、30—2藉由樹脂性之LSI封裝體（成型樹脂8)而密封。 成型樹脂8之介電質素材係相對電容率為4〇且彳電損耗因 子tan3為0.01，厚度τ為1 mm。 圖26〜圖28表示如下情形時之s參數頻率特性，該情形係 143602.doc •57- 201030929 對於圖25所示之半導體晶片3Q—i、3q—2，使各自之逆？型 天線39j以於平面上對向之方式配置，且改變晶片間距離 d。圖26係晶片間距離…mm之情形，圖27係晶片間距離 4為2〇„1之情形，圖28係晶片間距離(1為3111111之情形。 根據圖26〜圖28之對比可知，反射損耗與晶片間距離枝 關而於60 GHz附近顯示出良好之特性。此情形表示因阻抗 失配所引起之反射較少，從而可進行良好之通信。 如此般，根據第7實施形態，於同一封裝體内之複數個 半導體晶片30間’自逆!^型天線垌所放射之電磁波係以由 介電質素材形成之成型樹脂8内為介電質傳輸路徑21進行 傳播。於各i£F型天線3騎向之兩個半導體晶片Μ間，傳 輸經由介電質傳輸路徑21之毫米波信號。可於半導體晶片 30間經由形成於成型樹脂8之介電質傳輸路徑η，實施通 信處理。 <第8實施形態> 圖29〜圖33係說明作為第8實施形態之毫米波介電質内傳 輸系統600k(電子設備）之圖。此處，圖29係說明針對第8實 施形態之比較例之圖。圖3〇係說明第8實施形態之毫米波 介電質内傳輸系統600k之構成概要之圖。圖31〜圖33係表 示圖30所示之第8實施形態之毫心皮介電f内傳輸系統 600k之模擬特性例之圖。 第8實施形態具有如下特徵：使搭載有可進行毫米波傳 輸之複數個半導體晶片3〇之第7實施形態之兩個I導體封 裝體20j_l、20j_2對向配置，並於各半導體封裝體2〇j —】、 143602.doc •58- 201030929 之半導體晶片30)間進行毫米波傳輸。第8實施形態 構成為於不同之封裝體間，毫米波傳輸於半導體晶片3〇 間，且於對向配置之半導體封裝體之間形成 毫米波信號傳輸路徑21 k。 以下為了使第8實施形態之機制易於理解，首先說明針 對第8實施形態之比較例，然後說明第8實施形態之概要與 具體例。
[比較例] 圖29表示未應用第8實施形態之比較例之電子設備 7〇〇X關於其構成，與圖39所示之電子設備700大致相 同均為積層有半導體封裝體lxj、1χ—2之狀態。即，上 下配置有兩個多晶片封裝體之構成。電子設備7〇〇x與圖39 所示之電子設備7〇〇之不同之處在⑨：於半導體封裝體 lx—1 lx-2内搭載有複數個（圖中為兩個）半導體晶片2 1、 2_2。 — 與圖22所示者相同，為了進行半導體封裝體lx_l、IX—2 =資料傳輪，各半導體封裝體…χ—2内之半導體晶 片2一 1 2—2於表面形成有複數個焊墊電極3 ,且使用接線7 進行信號傳“之連接m半導體封裝體lx」、 1X—2間之資料傳輪係以如下方式實施：於基板IGa、基板 1 〇b分別設置連接哭】j ^ 接态14，且於該連接器14間連接資料傳輪 基板15x(亦可為電纜15)。 —此種比較例之構成中，半導體封裝體lx間之資料傳輸必 連接器14與資料傳輸基板15χ，故使得高速之傳輸 143602.doc •59· 201030929 線路之布置之複雜化或連接器之高速應對出現困難、配置 自由度之降低等成為問題。 [第8實施形態之構成概要] 圖30表示第8實施形態之毫米波介電質内傳輸系統6〇仳 (電子設備）之構成概要。圖30(八）係平面模式圖，圖3〇(b) 係剖面模式圖。根據與圖25所示之第7實施形態之半導體 封裝體20j之對比可知，該毫米波介電質内傳輸系統6〇仳 係以封裝體間距離h積層有複數個第7實施形態之半導體封 裝體20j_l、20j_2之狀態。即，該毫米波介電質内傳輸系 統600k構成為上下配置有應用第7實施形態之兩個多晶片 封裝體之構成。 關於積層複數個半導體封裝體20之方面，與第2實施形 態（圖4)、第3實施形態（圖1〇)及第6實施形態（圖19)相同， 而不同之處在於：於半導體封裝體20j内搭載有複數個（圖 中為兩個）半導體晶片30_1、30_2。 半導體封裝體20j_l、20j 一2間形成有作為毫米波傳播路 徑之毫米波信號傳輸路徑2lk。毫米波信號傳輸路徑21k可 為自由空間傳輸路徑，但較好的是包含波導管、傳輸線 路、介電質線路、介電質内等具有毫米波封閉構造之波導 構造’且具有高效地傳輸毫米波頻帶之電磁波之特性。例 如’形成為包含具有固定範圍之相對電容率與固定範圍之 介電損耗因子之介電質素材之構成的介電質傳輸路徑21即 可。 關於「固定範圍」，只要介電質素材之相對電容率及介 143602.doc 201030929 電損耗因子處於可獲得本實施形態效果之程度的範圍内即 可’於此條件内設為預先規定之值即可。即，介電質素材 只要可傳輸具有獲得本實施形態效果之程度之特性的毫米 波信號即可。「固定範圍」並非僅由介電質素材本身決 定，亦與傳輸路徑長度及毫米波之頻率有關，故未必能夠 明確確定，以下表示一例。
為了於介電質傳輸路徑21内高速地傳輸毫米波信號，較 理想的是介電質素材之相對電容率設為2〜1〇(較好的是 3〜6)左右，其介電損耗因子設為〇 〇〇〇〇1〜〇 〇1(較好的是 0·00001〜〇.001)左右。作為滿足此種條件之介電質素材， 可使用例如包含丙烯酸系樹脂系、聚胺基甲酸酯樹脂樹脂 系：環氧樹脂系、聚矽氧系、聚醯亞胺系、氰基丙烯酸酯 樹:曰系者。再者’ $ 了構成為將毫米波信號封閉在毫米波 信號傳輸路經21k中，毫米波信號傳輸路徑加除了可為介 電質傳輸路徑之外，亦可為周圍由屏蔽材料包圍且内部^ 空之中空波導路。 半導體封裝體20j内之逆F型天線39j不僅於基板平面方向 (水平方向)具有指向性，而且於基板之厚度方向(垂直方 向)上亦具有指向性。因此’亦可應用於以積層狀態並列 配置之半導體封裝m、2Gj_2間，在搭餘該半導體 卜叫—2上之半導體晶片3Q間進行毫米波信號 I得輸。 與此相對，當使用僅於基板平面方向（水平方向）上呈有 指向性之天線作為封裝體内之天線39時，則無法實現4 143602.doc • 61 - 201030929
It形例如，當使用相對半導體晶片30垂直豎立之線狀天 ^树知厚度必需為天線長度以上，且因線狀天線之緣 故，垂直方向為指向性為零（ΝυΙΧ，零點）從而無法進行 通信。 根據第8實施形態之毫米波介電質内傳輸系統，係 、毫米波於複數個半導體晶片3〇(系統Ls〖）配置於一個封裝 體内之多晶片封裝體間進行資料傳輸。傳輸毫米波之毫米 波信號傳輸路徑21k為自由空間傳輸路徑 '或具有毫米波 才閉力月b之；I電質傳輸路輕、或者中空波導路。於封裝體 間之信號傳輸中’能夠於比較例之電子設備700X中削減需 要多個之連接器14或資料傳輸基板15χ，因此高速之傳輸 線路之布置之複雜化或連接器之高速應對困難、配置自由 度之降低等問題得以解決。 圖31〜圖33表示如下情形時之s參數頻率特性，該情形係 如圖30所示，使包含搭載有逆F型天線39j之複數個半導體 晶片30之半導體封裝體2〇j —i、2〇j—2以沿垂直方向對向之 方式配置，且改變封裝體間距離11。圖31〜圖33中係使毫米 波信號傳輪路徑21k為自由空間傳輸路徑之情形，圖3丄係 封裝體間距離h為0 mm之情形，圖32係封裝體間距離11為1 mm之情形，圖W係封裝體間距離11為2111111之情形。 根據圖〜圖33之對比可知，反射損耗與封裝體間距_ 無關，且於60 GHz附近顯示出良好之特性。此情形表示因 阻抗失配所引起之反射較少，故可進行良好之通信。 如此般，根據第8實施形態，於積層配置之半導體封裝 143602.doc -62- 201030929 體20j間，自半導體晶片3〇之逆F型天線39〗所放射之電磁波 係於毫米波信號傳輸路徑2lk上傳播。於各逆F型天線39』 對向之兩個半導體晶片3〇間，傳輸經由毫米波信號傳輸路 • 徑21k之毫米波信號。即便為封裝體間，但亦可經由毫米 波k號傳輸路徑21 k實施通信處理。 尤其於圖25所示之第7實施形態之半導體封裝體2〇j中之 封裝體内之水平方向通信、與圖3〇所示之第8實施形態之 φ 宅米波介電質内傳輸系統600k中之垂直方向通信中，係使 用與圖24所示者相同之逆F型天線39j。其等之特徵在於： 可使用相同形狀之天線進行水平方向通信與垂直方向通 信，且可於封裝體内及封裝體間進行通信。 <變形例> 以上，使用貫施形態說明了本發明，但本發明之技術範 圍並不限定於上述實施形態所記載之範圍。於不脫離發明 之主旨之範圍内可對上述實施形態中添加多種變更或改 • 良，而添加有此種變更或改良之形態亦包含於本發明之技 術範圍内。 又，上述實施形態並非限定申請專利範圍（請求項）之發 • 明者，且實施形態中說明之特徵之所有組合未必為發明之 ‘解決手段所必需者。上述實施形態中包含各種階段之發 明，可藉由所揭示之複數個構成要件之適當組合而提取各 種發明。即便自實施形態所示之所有構成要件中刪除若干 個構成要件，只要可獲得效果，則該若干個構成要件刪除 後之構成亦可作為發明而提取。以下對其他變形例簡單加 143602.doc -63 - 201030929 以說明。 [第1變形例] 圖34係說明第1變形例之半導體封裝體2〇p(本例中等同 於毫米波介電質内傳輸裝置）之圖。第1變形例具有如下特 徵：於一個半導體封裝體20p内，在基板上天線構造（天線 39)之部分以成為同轴之方式於積層狀態下配置，且於各 半導體晶片3 0間進行毫米波傳輸。該第1變形例構成為於 同一封裝體内之半導體晶片30間進行毫米波傳輸，且半導 體封裝體20p自身構成毫米波介電質内傳輸裝置。 關於積層複數個半導體晶片30之方面，與第2實施形雖 (圖4)、第3實施形態（圖1〇)、第6實施形態（圖ι9)及第8實施 形態（圖30)相同，而不同之處在於：所有半導體晶片3〇均 搭载於同一封裝體内。 關於天線39 ’係使用於基板（半導體晶片3〇)之厚度方向 上具有指向性者（例如微帶天線）。 於接合各半導體晶片30之部分設置可進行毫米波段通信 之介電質素材16p(較好的是黏彈性素材16)。介電質素材 16p具有散熱功能，並且構成可進行毫米波段通信之介電 質傳輸路徑21。而且，於積層有複數個半導體晶片3〇之狀 態下受到成型樹脂8保護，且封裝於LSI封裝體基板4p(插 入式基板）上。LSI封裝體基板4p及成型樹脂8係由含有可 傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材形成。 此種半導體封裝體20p進而搭載於封裝用之基板1〇p。基 板l〇P亦由含有可傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材 143602.doc -64 - 201030929 形成使來自半導體封I體2G㈣之最下部（lsi封裝體基 板P側)之半導體晶片30之(或「朝向該半導體晶片之」) 毫米波信號於基板10p内進行傳輸。將使毫米波信號於基 . 板1〇P内傳輸之方式稱作「毫米波基板内傳輸方式」或 • 「毫米波有形物體内傳輸方式」。為了確定基板1()p内之 傳輸方向，齡衫：的早 认# 較好的疋於基板10p内以確定毫米波信號之 # ^ € ϋ之方式設置例如開孔部行（通孔柵）。亦可省略該 • 帛孔部^ ’以使基板1〇Ρ内之毫米波信號之傳輸方向無指 向性。 第1變形例之半導體封裝體2 〇 Ρ能夠以毫米波於積層狀態 之半導體晶片30」、30—2間進行資料傳輸。其具有與第^ 實施形態所示以平面壯计 十面狀並3又之情形相比可縮小封裝體面積 之優點。圖示之例係積層有兩個半導體晶片30，但亦可積 層二個以上，其數量越多則對第7實施形態之有利性 加。 9 籲帛1變形例之半導體封裝體2Gp不僅可於同—封裝體内之 複數個半導體晶片3〇間藉由毫米波進行資料傳輸，而且能 夠以毫米波藉由基板内傳輸來進行與另一半導體封裝體Μ ‘内之半導體晶片30之間之資料傳輸。 [第2變形例j 圖35係說明第2變_之半㈣封裝體叫(本例中等同 於毫米波”電f内傳輸裝置）之圖。第2變形例係將與第7 實施形態相同之半導體封裝體2〇q進而以與第】變形例相同 式搭載於封裝用之基板1Gq。基板1 Gq亦由含有可傳輪 143602.doc -65- 201030929 毫米波信號之介電質之介電質素材形成，故應用使毫米波 信號傳輸於基板l〇q内之毫米波基板内傳輸方式。 ' 第2變形例之半導體封裝體2〇q亦不僅可於同一封裝體内 之複數個半導體晶片30間藉由毫米波來進行資料傳輸而 且忐夠以毫米波藉由基板内傳輸來進行與另一半導體封妒 體20内之半導體晶片3〇之間之資料傳輸。 、 [第3變形例] 圖36係說明第3變形例之半導體封裝體2〇r與毫米波介，
質内傳輸系統6〇〇r之圖。第3變形例具有如下特徵^ 數個半導體封裝體20r間之資料傳輸中，在第^形例或: 2變形例所示之毫米波基板内傳輸方式中併用自由空… 輸。搭載於-個半導體封裝體加内之半導體晶片％ 量不受限定。 關於天線39，較好的是使用於基板（半導體晶片30)之义 度方向與基板之平面方向兩個方向上具有指向性者(例女 倒F型天線39j)。 女
各半導體封裝體2〇Γ與第4實施形態相同，係 並設於插入式基板4Γ之半導體晶片3〇。進而，各: 封裝體2°Γ與第卜第2變形例相同，搭載於封裝用之基: 1〇Γ。基板1〇Γ亦由含有可傳輸毫米波信號之介電質之八f 質素材形成，故雍田你玄上* 貝之’丨1 米波基二:方:… 係使用不僅於基板10r(半導體晶片3。々 义向上八有指向性而且於基板10r之平面方向上亦具矣 143602.doc -66- 201030929 指向性者(例如倒F型天線39j)’因此，自天線 向放射之毫米波經由作為毫米波信號傳輸路禮 傳輸路徑⑴而傳輸至另-半導體封裝體20r。 之資料傳 ，而且亦 根據第3變形例，複數個半導體封裝體⑽間 輸，不僅能夠以毫米波段藉由基板内傳輸而進行 可經由自由空間傳輸路徑21r而進行。 [第4變形例]
圖37係說明第4變形例之毫米波介 7政"逼貝内傳輸系統6〇〇s 之圖。第4變形例具有如下特徵：以與第$實施形態相同之 方式’以毫米波於水平方向上偏移配置之複數個半導體封 裝體20間進行資料傳輸。與第5實施形態之不同之處在 於.各半導體封裝體20封裝於不同之封裝用之基板⑺」、 10 一2。關於毫米波信號傳輸路徑21s，可為自由空間傳輸 路徑以外者，例如，可應用由介電質素材形成之介電質傳 輸路徑。介電質傳輸路㈣可為例如第5實施形態所示形 成於區域劃分用之底板丨丨内之介電質傳輸路徑。 關於天線構造，較好的是例如㈣如陳天料般相對 基板於平面方向上具有指向性者。例如，可如第5實施形 態所示’將天線39導出至密封半導體晶片3()之成型樹脂8 之表面，且犬出至毫米波信號傳輸路徑2is。又，於使用 相對基板於厚度方向上具有指向性之天線構造時，較好的 疋採用相對基板於平面方向上改變行進方向之機制。此 方面亦與第5實施形態所述之内容相同。 第4變形例於例如以積層狀態配置複數個半導體封裝體 143602.doc -67- 201030929 2〇時’對於因受到布局上之制約而無法確保於同轴上以積 層狀態配置之空間之情形係為有效之方法。 [產業上之可利用性] ^發明可尤佳應用於高速傳輸用於輸送電影影像或電腦 =象等之载波頻率為3〇 GHz至扇他之毫米波段之信號 ^毫米波介電f内傳輸系統。該系統中包含數位記錄再生 :置、地面電視接收機、行動電話、遊戲機、電腦、通信 裝置等。 【圖式簡單說明】 圖1係表示作為本發明第^實施形態之半導體封裝體版 構成例之剖面圖； 圖2係表示半導體封裝體2〇之内部構成例之方塊圖； 圖3A係表示半導體封裝體2〇之形成例之步驟圖； 圖3B係表示半導體封裝體2〇之形成例之步驟圖； 圖3C係表示半導體封裝體2〇之形成例之步驟圖； 圖3D係表示半導體封裝體2〇之形成例之步驟圖； 係表示半導體封裝體2〇之形成例之步驟圖； 圖4係表示作為第2實施形態之毫米波介電質内傳輸裝置 200之構成例之剖面圖； 圖5係表示毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之組 圖； 圖6係表不毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之内部構成例之 方塊圖； 圖7係表示圖4所示之毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之放 143602.doc 201030929 大構成例之立體圖； 圖8係表示毫米波介電質内傳輸裝置2〇〇之穿透特性及反 射特性驗證用之模擬模型例之說明圖； . 圖9係表示毫米波介電質内傳輸裝置200之模擬特性例之 圖表； 圖10係表示作為第3實施形態之毫米波介電質内傳輸裝 置300之構成例之圖； φ 圖11係表示作為第4實施形態之半導體封裝體2 〇 c之構成 例之立體圖； 圖12A係表示半導體封裝體2〇c之形成例之步驟圖； 圖12B係表示半導體封裝體2〇c之形成例之步驟圖； 圖12C係表示半導體封裝體2〇c之形成例之步驟圖； 圖12D係表示半導體封裝體2〇c之形成例之步驟圖； 圖13係表示pop構造之毫米波介電質内傳輸裝置4⑼之 構成例之剖面圖； • 圖14係表示P〇p構造之毫米波介電質内傳輸裝置400之 組裝例之剖面圖； 圖15係表示作為第5實施形態之毫米波介電質内傳輸裝 • 置5 0 0之構成例之剖面圖； . 圖16A係表示毫米波介電質内傳輸裝置50〇之形成例（其 一）之步驟圖； ' 圖16B係表示毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇之形成例（其 一）之步驟圖； 八 圖17A係表示毫米波介電質内傳輸裝置5〇〇之形成例（其 143602.doc •69- 201030929 二）之步驟圖； 圖17B係表示亳米波介電質 二）之步驟圖； 裝置500之形成例（其 圖17C係表示毫半、、士人兩 二） 之步驟圖； 不毫水波介電質内傳輸裝置5〇〇之形成例（其 三） 之步驟^圖表不毫未波介電質内傳輸裝置500之形成例（其 三)圖之步:圖表厂毫米波介電f内傳輸裝置5°°之形成例(其 統：：:::=實施形態…波介” _系 二:作為第6實施形態之毫米波介電質内傳輸系 統600之構成例之剖面圖； 圖 係表示電子設備001之形成例之步驟圖 圖0B係表示電子設備601之形成例之步驟圖 圖21A係表示電子設備6〇2之形成例之步驟圖 圖21B係表示電子設備6〇2之形成例之步驟圖 圖22A係說明針對第7實施形態之比較例之圖 圖22B係說明針對第7實施形態之比較例之圖， 圖23A係說明第7實施形態之半導體封裝體之構成概要 Γ5Ί · 園， 之 圖23B係說明第7實施形態之半導體封裝體之構成概要 圖 圖24A係說明第7實施形態之半導體封裝體中所使用之天 143602.doc • 70- 201030929 線構造之具體例之圖； 圖24B係說明第7實施形態之半導體封裝體中所使用之天 線之各部分尺寸之圖； • 圖24C係說明第7實施形態之半導體封裝體中所使用之天 線之各部分性質之圖； 圖25 A係說明應用圖24所示之天線構造之第7實施形態之 半導體封裝體之具體例之俯視圖； φ 圖25B係說明應用圖24所示之天線構造之第7實施形態之 半導體封裝體之具體例之剖面圖； 圖26係表示圖25所示之第7實施形態之半導體封裝體之 模擬特性例之圖（其一）； 圖27係表示圖25所示之第7實施形態之半導體封裝體之 模擬特性例之圖（其二）； 圖28係表示圖25所示之第7實施形態之半導體封裝體之 模擬特性例之圖（其三）； • 圖29A係說明針對第8實施形態之比較例之圖； 圖29B係說明針對第8實施形態之比較例之圖； 圖30A係說明第8實施形態之毫米波介電質内傳輸系統之 •構成概要之圖； .圖30B係說明第8實施形態之毫米波介電質内傳輸系統之 構成概要之圖； 圖3 1係表示圖30所示之第8實施形態之毫米波介電質内 傳輸系統之模擬特性例之圖（其一）； 圖32係表示圖30所示之第8實施形態之毫米波介電質内 143602.doc -71 - 201030929 傳輸系統之模擬特性例之圖（其二）； 圖33係表示圖30所示之第8實施形態之毫米波介電質内 傳輸系統之模擬特性例之圖（其三）； 圖34係說明第1變形例之半導體封裝體之圖； 圖3 5係說明第2變形例之半導體封裝體之圖； 圖36係說明第3變形例之半導體封裝體與毫米波介電質 内傳輸系統之圖； 圖3 7係說明第4變形例之毫米波介電質内傳輸系統之 園， 圖3 8A係表示先前例之半導體封裝體1之構成例之俯視 圖； 圖38B係表示先前例之半導體封裝體1之構成例之χ3_χ3 箭頭方向剖面圖；及 圖39係表示積層有半導體封裝體i之電子設備之構成例 之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 半導體封裝體 2 半導體晶片 3 焊墊電極 4 插入式基板 5 端子電極 6 鉛電極 7 接線 8 成型樹脂 143602.doc ” 201030929
9 突起電極（凸塊） 10、 10' 基板 11 底板 12、 12a、 12b 框體 13 螺紋構造 14 連接器 15 電纜 16、 16a' 16b 黏彈性素材 20、 20a〜20f 半導體封裝體 21 介電質傳輸路徑（毫米波傳輸構件） 21' 介電質素材 30 半導體晶片 31 天線端子 32、 32' 天線構造 33 微波傳輸帶線路 39 天線 3 9j 倒F型天線 70 支柱 80 半導體封裝體 200 ' 300 、400 ' 500 毫米波介電質内傳輸裝置 201 LSI功能部 202 毫米波生成部 203 ' 203' 天線耦合部（信號耦合部） 204 電子介面 143602.doc -73- 201030929 205 毫米波介面 206 介電質區間 600 毫米波介電質内傳輸系統 601 ' 602 電子設備 143602.doc -74-

Claims (1)

  1. 201030929 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，其包括： 半導體晶片，其設詈於其切μ 1 丹又置於基板上，可進行毫米波段通 信； 天線構造，其係連接於上述半導體晶片； 絕緣構件，其係覆蓋上述半導體晶片，以及 毫米波傳輸構件，其係包含含有可傳輸毫米波信號之 介電質之介電質素材，且整合於上述天線構造中。 2. 如請求項1之半導體裝置，其中 上述毫米波傳輸構件包括： 區域劃分用之構件，直白人敫人 稱仵其包含整合於與上述半導體晶片 連接之天線構造中之貫通部；以及 上述介電質素材，其係設置於上述構件之貫通部内。 3. 如請求項2之半導體裝置，其中 連接於上述半導體晶片之天線構造係設置於 體晶片上。 干守 4_如請求項3之半導體裝置，其中 連接於上述半導體晶片之天線構造中包含微帶天線。 5.如請求項4之半導體裝置，其中 上述半導體晶片包括： 第」。號生成部’其係對輸入信號進行信號處理而生 成毫米波信號； 構❹合部，其係使該半導體晶片與上述天線 每σ之邛分，且係將藉由上述第1信號生成部所生 143602.doc 201030929 成之上述毫米波信號發送至上述毫米波傳輸構 自該毫米波傳輸構件接收上述毫米波信號；以*並且 之其係對藉由上述信㈣合部所接收 '八波、號進行信號處理而生成輸出信號。 6. 如請求項5之半導體裝置，其中 串Sr;:生成部中包含將並列之輸入信號轉換為 出“唬之第1信號轉換部，且 上述第2½號生成部中包含將串列之輸入信 並列之輪出信號之第2信號轉換部。 爽轉換為 7. 如請求項2之半導體裝置，其中 8. 上述天線構造係並設於上述半導體晶片上。 一種毫米波介電質内傳輸裝置，其包括： 可進行毫米波介電質内傳輸之第i半導體裳置， 含設置於其中-基板上之可進行毫米波段通信之半導體 晶片、連接於上述半導體晶片之天線構造、及含有可使 毫米波L號穿透之介電質、且覆蓋上述半導體 緣構件； <絕 可進行毫米波介電質内值铪 电貝円傳輸之第2半導體裝置，发 含設置於另-基板上之可進行毫米波段通信之半導體曰 片;連接^上述半導體晶片之天線構造、及含有可㈣ 米波^號穿透之介電質、且jf：g：, 構件；以及 覆蓋上述半導體晶片之絕緣 毫米波傳輸構件，其係包含含有可進行毫米波介電質 内傳輸之介電質之介電質素材而構成，且設置於上述第 143602.doc -2 - 201030929 9. ❿ 10 11.❹ 12. 13. 1半導體裝置與第2半導體裝置之間；且 上述第1半導體裝 導體奘罢— /、弟2半導體裝置係以使該第1半 、 之天線構造盘第2丰導驻se , 可實施毫米波信號傳輸之τ= 構造之間 而封裝而成。傳輪之方式插人上述毫未波傳輸構件 ⑼求項8之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 上述毫米波傳輸構件包括： 區域劃分用之構件，其係包含整合於上述第ι及第 導體裝置之各個天線構造中之貫通部；以及 ▲介電質素材，其係^置於上述構件之貫通部内。 •如叫求項9之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 上述天線構造係設置於上述半導體晶片上， 上^第！及第2半導體裝置係插入上述毫米料輸構件 而配置各個上述天線構造。 如印求項10之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 上述天線構造中包含微帶天線。 如睛求項8之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 於接合上述第丨及第2半導體裝置之部分設置有點彈性 素材，該黏彈性素材包含含有可進行毫米波介電質内傳 輸之介電質之彳電質素材而構成’幻乍為上述毫米波傳 輪構件而發揮功能。 如請求項8之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 上述天線構造係並設於上述半導體晶片上， 上述第1及第2半導體裝置係插入上述毫米波傳輪構件 143602.doc 201030929 14. 15. 16. 17. 18 而配置各個上述天線構造。 如請求項8之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 進而包括封裝用之基板，其係用於並設封裝分別包含 上述半導體晶片之第1及第2半導體裝置， 上述毫米波傳輸構件係設置於上述封裝用之基板， 於上述封裝用之基板之毫米波傳輸構件中，在上述第 7導體裝置之天線構造與上述第2半導體裝置之天線構 化之間’傳輸經由該毫米波傳輸構件之毫米波信號。 如請求項14之毫米波介電f内傳輸裝置，其中 •^述毫米波傳輸構件係於設置於上述封裝用之基板上 之區域劃分用之槽部或貫通部内，填充包含可進行毫米 '介電質内傳輸之介電質之介電質素材而構成。 如《月求項14之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 上述天線構造係被導出至密封上述半導體晶片之絕緣 構件之表面。 如請求項8至16中任-項之毫米波介電質内傳輸裝置， 其中 上述絕緣構件係含有可使毫米波信號穿透之介電質。 -種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟： 於基板上形成可進行毫米波段通信之半導體晶片； 將天線構造連接於上述基板上所形成之半導體晶片· 利用絕緣構件覆蓋上述半導體晶片以使其絕緣；以及 利用含有可傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材， 將毫米波傳輸構件整合於上述天線構造中。 143602.doc 201030929 19·如請求項18之半導體裝置之製造方法，其中 在將毫米波傳輸構件整合於上述天線構造中時，包括 如下步驟： 於上述絕緣構件上形成區域劃分用之構件； 於上述區域劃分用之構件上，形成整合於上述天線構 造中之貫通部；以及
    20. 於上述構件之貫通部内設置介電質素材而形成毫米波 傳輸構件。 之製造方法，其係包括如 一種毫米波介電質内傳輪裝置 下步驟： 於具中 丞板上设置可進行毫米波段通信之半導體』 2並^天線構造連接於上述半導體晶片，及利用絕焉 覆盍上述半導體晶^形成可進行毫米波介電質^ 傳輸之第1半導體裝置； ;另I板上叹置可進行毫米波段通信之半導體曰， 二：天線構造連接於上述半導體晶片，及利用絕, 傳輸之半導體晶片而形成可進行毫米波介電質户 傳輪之第2半導體裝置；以及 =有可傳輸毫米波信號之介電質之介電質素材， 傳輸構件；且裝置與第2半導體裝置之間形成毫米潘 =2述毫米波傳輪構件時，以使 裝置之天線構造與上述第 干㈣ 可傳輪毫米波信號之方切 裝置之天線構造之間 J 式插入上述毫米波傳輸構件，並 143602.doc 201030929 封裝該第1及第2半導體裝置。 21. —種毫米波介電質内傳輸系統，其包括： 可進行毫米波介電質内傳輸之第丨半導體裝置，其係 包括設置於其中-電子設備之基板上之可進行毫米波段 通信之半導體晶片、連接於上述半導體晶片之天線構 造、及覆蓋上述電子設備之半導體晶片之絕緣構件； 可進行毫米波介電質内傳輸之第2半導體裝置，其係 包括設置於另—電子設備之基板上之可進行毫米波段通 信之半導體晶片、連接於上述半導體晶片之天線構造、 及覆蓋上述電子設備之半導體晶片之絕緣構件；以及 毫米波傳輸構件，其係包含含有可傳輸毫米波信號之 介電質之介電質素材而構成，且設置於上述第1半導體 裝置與第2半導體裝置之間；且 使其中-上述電子設備與另一上述電子設備以經由上 述毫米波傳輸構件而於上述第4導體裝置之天線構造 與上述第2半導體裝置之天線構造之間可傳輸毫米波信 號的方式接觸。 22. —種半導體裝置，其包括： 半導體W ’其設置於基板上’可進行毫米波段通 信； 天線構造，其係連接於上述半導體晶片；以及 =米波傳輸構件，其包含含有可傳輸毫米波信號之介 =介電質素材而構成，且整合於上述天線構造中。 23·如明求項22之半導體裝置，其中 143602.doc 201030929 設置有絕緣構件，該絕緣構件 信號特性之介電質素材而構成，、有可傳輸毫米满 片，並且作為上述毫f、皮 蓋上述半導體晶 a宅木波傳輸構件而發 • 24.如請求項23之半導體裝置，其中 月 . #數個上述半導體晶片係並設於同 上述絕緣構件係以覆蓋上 ， 之方式設置， a復數個+導體晶片之整體 m緣構件係料使上述複 施毫米波信號傳輸之上述毫米波傳J導體-片間可實 。1 宅卞疚傳輪構件而發揮功能。 25.如凊求項22之半導體裝置，其中 複數個上述半導體a y Μ 同…式設置上述天線構造之部分成為 於接合上述複數個半導體a 备从 导體日日片之部分，設置有黏彈性 素材，該黏彈性素材包含含 有了進订毫米波介電質内傳 輸之介電質之介電質辛材 於姐丄 材而構成，且作為上述毫米波傳 輸構件而發揮功能。 26. —種毫米波介電質内傳輸襞置，其包括： 如請求項24或25之複數個半導體襄置；以及 毫米波信號傳輸路徑，其於上述複數個半導體裝置之 間可進行毫米波段之資訊傳輸；且其係構成為 於^述複數個半導體裝置之間，將基頻信號轉換為毫 只波七號之後’經由上述毫米波信號傳輸路徑而傳輪該 毫米波信號。 27. 如請求項26之毫米波介電質内傳輸裝置，其中 143602.doc 201030929 匕封裝用之基板，其包含含有可 介電質之介電質素材而構成，且』毫米波信號之 輸路徑而發揮功能， ’、，、述毫米波信號傳 上述複數個半導體裝置係並設 板上。 上述封裝用之基 28. 如=項26之毫米波介電質内傳輪裂置，其中， 傳輸路徑中並傳輪㈣波 /仏説封閉於 143602.doc
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