CN103026487A - 高频模块及通信装置 - Google Patents

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semiconductor device
antenna
baseband signal
signal terminal
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泷泽晃一
后藤义彦
须藤薰
藤井洋隆
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

在封装基板(2)上，面部朝上地安装半导体部件(6)。在半导体部件(6)的表面(6A)，倒装式安装天线基板(15)。此时，在半导体部件(6)的表面(6A)设置元件侧高频信号端子(12)，而且在天线基板(15)的背面(15B)设置天线侧高频信号端子(17)，元件侧高频信号端子(12)以及天线侧高频信号端子(17)使用凸块(20)来电连接。由此，能将高频信号(RFt、RFr)用的天线基板(15)与基带信号(TS、RS)用的封装基板(2)进行分离。

Description

高频模块及通信装置
技术领域
本发明涉及使用天线来进行高频信号的发送或接收的高频模块以及使用了该高频模块的通信装置。
背景技术
一般而言，作为高频模块，公知有在由多层基板组成的电路基板上形成用于搭载通信用的半导体芯片的芯片搭载部、且设置有外部连接端子的高频模块(例如，参照专利文献1)。而且，在专利文献1中，公开了在电路基板的内层侧设置对高频信号进行滤波处理的滤波电路层而且在电路基板的表面侧设置进行高频信号的发送或接收的天线的构成。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2002-100698号公报
发明的概要
然而，在上述的专利文献1记载的高频模块中，在电路基板上形成滤波器以及天线，因此需要使用例如像介电常数高的陶瓷材料等那样高频特性优良的材料来形成电路基板。如此高频特性优良的材料一般有价格昂贵的趋势。与此相对，在专利文献1的高频模块中，例如像供应半导体部件的驱动用的直流电压的部位或处理低频信号的部分那样，包含不需要高频特性优良的材料的部分在内也需要使用相同的材料，因此存在高频模块整体昂贵的问题。
发明内容
本发明鉴于上述的现有技术的问题而提出，本发明的目的在于，提供能对高频信号用的基板与其他的信号用的基板进行分离来降低制造成本的高频模块以及通信装置。
(1).为了解决上述的课题，本发明的高频模块具备：封装基板，其使用电介质材料而形成，具有输出直流电压的基板侧直流电压端子、输入或输出基带信号的基板侧基带信号端子、以及用于与外部的电路进行连接的外部连接端子；半导体部件，其具有带有用于调制基带信号来变换成高频信号的功能和用于解调高频信号来变换成基带信号的功能当中至少任一种功能的功能电路部，以及具有对驱动用的直流电压进行输入的元件侧直流电压端子、输入或输出基带信号的元件侧基带信号端子、以及位于与所述功能电路部相同的表面侧并输入或输出高频信号的元件侧高频信号端子；以及天线基板，其使用电介质材料而形成，且在表面侧设有天线元件，在背面侧具有输入或输出高频信号的天线侧高频信号端子，所述半导体部件以背面侧与所述封装基板对置的状态面部朝上地安装于所述封装基板，而且元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子分别与基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子电连接，所述天线基板构成为：被倒装芯片式安装于所述半导体部件的表面侧，而且天线侧高频信号端子与设于所述半导体部件的表面侧的元件侧高频信号端子电连接。
根据本发明，与具有基板侧直流电压端子、基板侧基带信号端子、外部连接端子的封装基板不同地另设有天线基板，因此仅使用高频特性优良的材料来形成高频信号传送的天线基板即可。故而，能使用廉价的树脂材料等来形成封装基板，能降低制造成本。
另外，半导体部件被面部朝上地安装于封装基板，且天线基板被倒装芯片式安装于半导体部件的表面侧，因此能使用凸块在天线侧高频信号端子与元件侧高频信号端子之间电连接。故而，较之于例如使用引线键合来对半导体部件与天线基板之间进行电连接的情况，能缩短连接部分的线路长度，因此能在半导体部件与天线基板之间尽量缩短高频信号的传输线路的长度尺寸，能抑制高频信号的传输损耗或外部噪声的混入。
(2).在本发明中，所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与所述封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用引线键合电连接而构成。
根据本发明，半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用引线键合来进行了电连接。故而，即使在功能电路部或元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子被配置于半导体部件的表面侧时，也能将这些元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子容易地连接于封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子，而且能容易地目视确认各端子的连接状态。
(3).在本发明中，在所述半导体部件，设置有从设有所述功能电路部的表面侧向背面侧延伸的过孔，所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子位于所述半导体部件的背面侧，并穿过该过孔与所述功能电路部电连接，所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与所述封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用凸块电连接而构成。
根据本发明，半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用凸块来进行了电连接。故而，元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子无需像使用引线键合进行连接的情况那样配置于封装基板中与半导体部件不同的位置，能配置于与封装基板中半导体部件对置的位置。其结果，能使封装基板以及高频模块整体小型化。
(4).在本发明中，构成为：在所述天线基板，设有电连接于所述天线元件与天线侧高频信号端子之间、且用于处理高频信号的无源电路部。
根据本发明，由于在天线基板设有电连接于天线元件与天线侧高频信号端子之间、且用于处理高频信号的无源电路部，因此例如能设置滤波器等来作为无源电路部，能在天线基板的内部进行高频信号的处理。
(5).在本发明中，所述天线元件构成为对微波带或毫米波带的高频信号进行发送或接收。
根据本发明，由于天线元件构成为对微波带或毫米波带的高频信号进行发送或接收，因此较之于使用了比它们低频的信号，能使用宽带的高频信号，能提高通信速度。
(6).在本发明中，所述封装基板的表面侧构成为以覆盖所述半导体部件的状态，使用树脂材料来进行密封。
根据本发明，封装基板的表面侧构成为以覆盖半导体部件的状态，使用树脂材料来进行密封。故而，能对封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子、与半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子的连接部分进行密封。此外，在半导体部件的表面侧，元件侧高频信号端子与天线侧高频信号端子相连接，因此还能将这些连接部分一起密封。故而，在制造工序中，能容易地密封这多处连接部分。
(7).可以使用本发明的高频模块来构成通信装置。在此情况下，能抑制通信装置整体的制造成本。
附图说明
图1是表示第1实施方式的高频模块的立体图。
图2是表示图1中的高频模块的俯视图。
图3是从图2中的箭头所示III-III方向观察高频模块的断面图。
图4是表示图1中的高频模块的框图。
图5是表示第2实施方式的高频模块的立体图。
图6是表示图5中的高频模块的俯视图。
图7是从图6中的箭头所示VII-VII方向观察高频模块的断面图。
图8是从与图3相同的位置观察第3实施方式的高频模块的断面图。
图9是表示图8中的高频模块的框图。
图10是从与图3相同的位置观察第4实施方式的高频模块的断面图。
图11是从与图3相同的位置观察变形例的高频模块的断面图。
图12是表示第5实施方式的通信装置的框图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明的实施方式的高频模块以及使用了该高频模块的通信装置。
首先，图1至图4表示本发明的第1实施方式，在图中，本实施方式的高频模块1具备：后述的封装基板2、半导体部件6、以及天线14等。
封装基板2例如使用堆叠多个绝缘层而成的多层基板而形成，使用树脂材料等的电介质材料而形成为大致四边形状，而且具有表面2A以及背面2B。在封装基板2的表面2A，位于其中央侧，作为用于搭载半导体部件6的安装区域而设有安装电极2C，在该安装电极2C的周围，包围该安装电极2C地设有多个基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4。该基板侧直流电压端子3例如输出驱动电压Vcc等来作为用于驱动半导体部件6的直流电压。另一方面，基板侧基带信号端子4对由低频信号组成的基带信号TS、RS进行输入或输出。
此外，基带信号TS、RS只要是比后述的高频信号RFt、RFr低频的信号即可，例如可以是经一次调制后的IF信号(中频信号)。
另外，在封装基板2，位于背面2B侧设有多个外部连接端子5。这些外部连接端子5，穿过被设于封装基板2内部的布线图案2D或过孔2E，相对于安装电极2C、基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4分别被电连接。此时，布线图案2D例如通过配置于绝缘层问的电极图案而形成，过孔2E通过在厚度方向上延伸的小径孔内设置导电性金属膜等而形成。而且，外部连接端子5相对于封装基板2内的电路或半导体部件6来电连接外部的电路。
半导体部件6例如在由绝缘性的树脂材料等组成的主体部7安装进行各种功能处理的功能电路部8，例如形成为大致四边形状，具有表面6A以及背面6B。该半导体部件6的功能电路部8例如由使用硅等的半导体材料而形成的IC芯片等构成，被配置于主体部7的表面6A侧。而且，关于半导体部件6，其背面6B侧与封装基板2的安装电极2C接合，以功能电路部8配置于与封装基板2为相反侧的状态而被面部朝上地安装于封装基板2的表面2A侧。
另外，在功能电路部8，不仅形成有用于调制基带信号TS来变换成高频信号RFt的调制电路8A，而且形成有用于解调高频信号RFr来变换成基带信号RS的解调电路8B。另外，在功能电路部8，形成有相对于后述的天线14来选择性地连接调制电路8A和解调电路8B当中任一者的收发切换开关8C。该收发切换开关8C选择性地切换高频模块1的发送状态以及接收状态。
进而，在主体部7的表面6A侧，位于外缘侧设有与功能电路部8电连接的多个元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10。对该元件侧直流电压端子9供应用于通过封装基板2来对半导体部件6的功能电路部8进行驱动的直流电压(驱动电压Vcc等)。另一方面，元件侧基带信号端子10在发送状态下从封装基板2输入基带信号TS，在接收状态下向封装基板2输出基带信号RS。而且，半导体部件6的元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10对于封装基板2的基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4使用引线键合11来电连接。
另外，在主体部7的表面6A侧，位于比元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10更靠中央侧(内侧)设有元件侧高频信号端子12以及接地端子13。该元件侧高频信号端子12被配置于与后述的天线14对置的位置，与天线14之间输入或输出高频信号RFt、RFr。另一方面，接地端子13经由半导体部件6等与外部的接地连接。
天线14由天线基板15、以及设于该天线基板15的例如由电极图案等组成的天线元件16构成。该天线14例如构成贴片天线，从作为放射导体元件的天线元件16发送或接收微波、毫米波等的高频信号RFt、RFr。
另外，天线基板15例如使用可得到期望的介电常数的陶瓷材料等的电介质材料而形成为大致四边形状。在该天线基板15的表面15A侧设有天线元件16。另一方面，在天线基板15的背面15B侧，设有天线侧高频信号端子17，而且在与该天线侧高频信号端子17不同的位置上以与天线侧高频信号端子17绝缘的状态设有接地电极18。该天线侧高频信号端子17在厚度方向上贯通且经由形成于天线基板15的过孔19而与天线元件16连接，输入或输出高频信号RFt、RFr。
而且，天线基板15以天线侧高频信号端子17与元件侧高频信号端子12相互对置的状态而被倒装芯片式安装于半导体部件6的表面6A上。此时，不仅天线侧高频信号端子17以及元件侧高频信号端子12使用凸块20来电连接，而且接地电极18以及接地端子13也使用凸块20来电连接。这些凸块20例如使用焊料等的导电性的金属材料而预先安装于天线侧高频信号端子17以及接地电极18，而且通过回流炉所执行的加热工序来与作为对象方的元件侧高频信号端子12以及接地端子13接合。
本实施方式的高频模块1具有上述那样的构成，接下来说明其动作。
首先，在使用高频模块1进行发送时，经由外部连接端子5向半导体部件6提供基带信号TS。由此，半导体部件6的调制电路8A不仅调制基带信号TS来变换成高频信号RFt，而且将该高频信号RFt经由收发切换开关8C而提供给天线14，并向外部空间进行放射。
另一方面，在使用高频模块1进行接收时，从天线14接收到的高频信号RFr经由收发切换开关8C而输入至半导体部件6的解调电路8B。由此，解调电路8B不仅解调高频信号RFr来变换成基带信号RS，而且经由外部连接端子5向外部的电路(未图示)进行输出。
同样，根据本实施方式，与具有基板侧直流电压端子3、基板侧基带信号端子4、外部连接端子5的封装基板2不同地，设有天线基板15。此时，高频信号RFt、RFr仅在天线基板15以及半导体部件6传送，而不在封装基板2传送。故而，仅使用高频特性优良材料来形成高频信号RFt、RFr传送的天线基板15即可，封装基板2能使用廉价的树脂材料等来形成，因此能降低高频模块1的制造成本。
另外，半导体部件6被面部朝上地安装于封装基板2，且天线基板15被倒装芯片式安装于半导体部件6的表面6A侧，因此较之于例如使用引线键合对半导体部件6与天线基板15之间进行电连接的情况，能缩短连接部分的线路长度。故而，能在半导体部件6与天线基板15之间尽量缩短高频信号RFt、RFr的传输线路的长度尺寸，能抑制高频信号RFt、RFr的传输损耗或外部噪声的混入。
另外，天线基板15被倒装芯片式安装于半导体部件6的表面6A侧，因此较之于在封装基板2上分个单独地安装天线基板15和半导体部件6的情况，能使封装基板2面积小，能使高频模块1整体小型化。
另一方面，半导体部件6的元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10、与封装基板2的基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4使用引线键合11来进行了电连接。故而，即使在功能电路部8或元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10被配置于半导体部件6的表面6A侧时，也能将这些元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10容易地连接于封装基板2的基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4，而且能容易地目视确认各端子3、4、9、10的连接状态。
进而，由于天线元件16设成为对微波带或毫米波带的高频信号RFt、RFr进行发送或接收的构成，因此较之于使用了比其低频的信号的情况，也能使用宽带的高频信号RFt、RFr，能提高通信速度。
接下来，图5至图7表示本发明的第2实施方式，本实施方式的特征在于，半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用凸块进行电连接而构成。此外，在本实施方式中对与所述第1实施方式相同的构成要素赋予相同的标号，并省略其说明。
高频模块21与第1实施方式的高频模块1几乎同样地，具备：封装基板22、半导体部件26以及天线14。
封装基板22与第1实施方式的封装基板2几乎同样地，使用多层基板等而形成为大致四边形状，具有表面22A以及背面22B。在封装基板22的表面22A，位于其中央侧而设有安装电极22C，在该安装电极22C的周围，包围该安装电极22C地设有多个基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24。此时，基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24被配置于与半导体部件26对置的位置，在安装半导体部件26时，成为由半导体部件26覆盖的构成。
另外，在封装基板22，位于背面22B侧而设有多个外部连接端子25。这些外部连接端子25穿过设于封装基板22的内部的布线图案22D或过孔22E，与安装电极22C、基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24电连接。
半导体部件26与第1实施方式的半导体部件6几乎同样地构成，不仅具备主体部27以及功能电路部28，还具有表面26A以及背面26B。在此，在主体部27的背面26B侧，位于外缘侧而设有多个元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30。在主体部27，形成有贯通厚度方向的贯通孔31作为过孔。元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30经由该贯通孔31与设于主体部27的表面26A侧的功能电路部28电连接。
另外，半导体部件26的元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30被配置于与封装基板22的基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24对置的位置上。而且，半导体部件26的元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30相对于封装基板22的基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24，使用由导电性金属构成的凸块32来电连接。
另外，在半导体部件26的背面26B侧，位于其中央侧而设有与封装基板22的安装电极22C对置的接合电极33。该接合电极33和安装电极22C使用凸块34来进行接合。由此，半导体部件26被倒装芯片式安装于封装基板22的表面22A上。
另一方面，在主体部27的表面26A侧，在与天线14对置的位置上设有元件侧高频信号端子35以及接地端子36。而且，在主体部27的表面26A侧，倒装芯片式安装了天线基板15。此时，不仅天线侧高频信号端子17以及元件侧高频信号端子35使用凸块37来电连接，而且接地电极18以及接地端子36也使用凸块37来电连接。
即使是如此构成的本实施方式的高频模块21，也能得到与第1实施方式几乎同样的作用效果。特别是在本实施方式中，半导体部件26的元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30、与封装基板22的基板侧直流电压端子23以及基板侧基带信号端子24使用凸块32来进行了电连接。故而，元件侧直流电压端子29以及元件侧基带信号端子30无需像使用引线键合进行连接的情况那样，配置于封装基板22中与半导体部件26不同的位置，能配置于与封装基板22中半导体部件26对置的位置。其结果，能使封装基板22以及高频模块21整体小型化。
接下来，图8以及图9表示本发明的第3实施方式，本实施方式的特征在于，在天线基板，设置电连接于天线元件与天线侧高频信号端子之间的滤波器而构成。此外，在本实施方式中对与所述第1实施方式相同的构成要素赋予相同的标号，并省略其说明。
高频模块41与第1实施方式的高频模块1几乎同样地，具备：封装基板2、半导体部件6以及天线42。
天线42与第1实施方式的天线14几乎同样地，具备：天线基板43、以及设于该天线基板43的例如由电极图案等构成的天线元件44。在该天线基板43的表面43A侧设有天线元件44。另一方面，在天线基板43的背面43B侧，设有天线侧高频信号端子45以及接地电极46。
然而，天线基板43由通过对由电介质材料组成的绝缘层进行堆叠而成的多层基板来形成。在该天线基板43的内部，设有作为无源电路部的滤波器47。该滤波器47例如由对导电性的金属薄膜进行了成形的电极图案等来形成，并对应于其形状，构成了使高频信号RFt、RFr通过且使其他的信号截止的带通滤波器。滤波器47经由过孔48与天线元件44以及天线侧高频信号端子45连接。
此外，滤波器47可以设为对作为发送用和接收用而通过的频域进行了改变的天线共用器。另外，可以构成为：在天线基板43，对单一的天线元件44连接2个以上的天线侧高频信号端子45来进行设置，而且与这些天线侧高频信号端子45对应地设置多个滤波器47。
而且，天线基板43以天线侧高频信号端子45与元件侧高频信号端子12相互对置的状态而被倒装芯片式安装于半导体部件6的表面6A上。此时，不仅天线侧高频信号端子45以及元件侧高频信号端子12使用凸块20来电连接，而且接地电极46以及接地端子13也使用凸块20来电连接。
从而，即使是如此构成的本实施方式的高频模块41，也能得到与第1实施方式几乎同样的作用效果。特别在本实施方式中，在天线基板43设置了滤波器47，因此能在天线基板43侧进行高频信号RFt、RFr的处理。故而，能不提高材料价格地去除不需要的频带的信号。
此外，尽管在第3实施方式中，设成为滤波器47设于天线基板43的内部的构成，但也可以设为例如在天线基板43的表面43A侧或背面43B侧进行设置的构成。在此情况下，对于天线基板43无需使用多层基板，与第1实施方式的天线基板15同样地，可以设为使用单层的电介质基板的构成。
另外，尽管在第3实施方式中以应用于第1实施方式的情况为例进行了说明，但也可以应用于第2实施方式。
接下来，图10表示本发明的第4实施方式，本实施方式的特征在于，封装基板的表面侧构成为以覆盖半导体部件的状态来使用树脂材料进行密封。此外，在本实施方式中对与所述第1实施方式相同的构成要素赋予相同的标号，并省略其说明。
高频模块51与第1实施方式的高频模块1几乎同样地，具备：封装基板2、半导体部件6以及天线14。
然而，在封装基板2的表面2A，以覆盖半导体部件6的状态设有由绝缘性的树脂材料构成的密封构件52。此时，密封构件52包含引线键合11在内对封装基板2的基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4、与半导体部件6的元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10的连接部分进行密封。此外，密封构件52包含凸块20在内对半导体部件6的元件侧高频信号端子12以及接地端子13、与天线基板15的天线侧高频信号端子17以及接地电极18的连接部分进行密封。
从而，即使是如此构成的本实施方式的高频模块51，也能得到与第1实施方式几乎同样的作用效果。特别是在本实施方式中，封装基板2的表面2A侧构成为以覆盖半导体部件6的状态来使用由树脂材料组成的密封构件52进行密封。故而，能使用密封构件52来对封装基板2的基板侧直流电压端子3以及基板侧基带信号端子4、与半导体部件6的元件侧直流电压端子9以及元件侧基带信号端子10的连接部分进行密封。此外，还能使用密封构件52将半导体部件6的元件侧高频信号端子12与天线基板15的天线侧高频信号端子17的连接部分一起密封。故而，在制造工序中，能一次性容易地密封这多处连接部分，较之于单个密封的情况，能简化制造工序。
此外，在第4实施方式中，设成为在形成平面状的封装基板2的表面2A上设置密封构件52的构成。然而，本发明不限于此，例如可以像图11所示的变形例的高频模块61那样构成为：在封装基板2的表面2A设置覆盖封装基板2的外缘侧的框体62，并覆盖配置于该框体62内的半导体部件6来设置密封构件63。在此情况下，能由框体62形成腔体，并通过在该腔体内涂敷由树脂材料构成的密封构件63，能对配置于腔体内的半导体部件6、天线14进行密封，从而密封工序变得容易。
另外，尽管在第4实施方式中以应用于第1实施方式的情况为例进行了说明，但也可以应用于第2、第3实施方式。
接下来，图12表示本发明的第5实施方式，本实施方式的特征在于使用高频模块来构成了通信装置。
通信装置71具备：进行声音、数据等的输入或输出的终端设备72、与该终端设备72连接且进行基带信号TS、RS的处理的信号处理电路73、以及例如第3实施方式的高频模块41。另外，信号处理电路73例如设于主板(未图示)，对设于该主板的连接端子与高频模块41的外部连接端子5进行了连接。由此，信号处理电路73与高频模块41的半导体部件6电连接。
而且，在发送时，信号处理电路73基于从终端设备72输入的信息来生成为基带信号TS，并将该基带信号TS输出至调制电路8A。此时，调制电路8A将基带信号TS变换成高频信号RFt，且通过收发切换开关8C等从天线42发送该高频信号RFt。
另一方面，在接收时，从天线42接收到的高频信号RFr经由收发切换开关8C被输入至半导体部件6的解调电路8B。由此，解调电路8B不仅解调高频信号RFr来变换成基带信号RS，而且经由外部连接端子5向外部的信号处理电路73进行输出。由此，信号处理电路73根据基带信号RS生成声音、图像等的信息，并输出至终端设备72。
从而，根据本实施方式，使用高频模块41来构成了通信装置71，因此能抑制通信装置71整体的制造成本。另外，由于能使用小型的高频模块41，因此还能容易地搭载于便携式电话等的小型的设备。
此外，尽管在第5实施方式中设成为使用第3实施方式的高频模块41的构成，但也可以设为使用第1、第2、第4实施方式的高频模块1、21、51、61的构成。
另外，尽管在所述各实施方式中，设成为使用在封装基板2、22具备多个绝缘层的多层基板的构成，还也可以设为使用单层的电介质基板的构成。
另外，尽管在所述各实施方式中，半导体部件6、26的功能电路部8、28设成为具备调制电路8A、解调电路8B的两者的构成，但也可以设为仅具备其中任一者的构成。
另外，尽管在所述各实施方式中，设成为在天线基板15、43设置单一的天线元件16、44的构成，但例如也可以设为在天线基板设置2个天线元件、且分别使用于发送用和接收用的构成。另外，尽管设成为在半导体部件6、26安装单一的天线14、42的构成，但例如也可以设为在半导体部件安装2个天线、且将这些天线分别使用于发送用和接收用的构成。进而，例如还可以设为不仅在半导体部件安装多个天线，而且各天线元件使用独立的信道、或同一信道的构成。
符号说明
1、21、41、51、61  高频模块
2、22  封装基板
2A、6A、15A、22A、26A、43A  表面
2B、6B、15B、22B、26B、43B  背面
3、23  基板侧直流电压端子
4、24  基板侧基带信号端子
6、26  半导体部件
8、28  功能电路部
9、29  元件侧直流电压端子
10、30  元件侧基带信号端子
11  引线键合
14、42  天线
15、43  天线基板
16、44  天线元件
17、45  天线侧高频信号端子
31  贯通孔(过孔)
32  凸块
52、63  密封构件
71  通信装置

Claims (7)

1.一种高频模块，具备：
封装基板，其使用电介质材料而形成，具有输出直流电压的基板侧直流电压端子、输入或输出基带信号的基板侧基带信号端子、以及用于与外部的电路进行连接的外部连接端子；
半导体部件，其具有带有用于调制基带信号来变换成高频信号的功能和用于解调高频信号来变换成基带信号的功能当中至少任一种功能的功能电路部，以及具有对驱动用的直流电压进行输入的元件侧直流电压端子、输入或输出基带信号的元件侧基带信号端子、以及位于与所述功能电路部相同的表面侧并输入或输出高频信号的元件侧高频信号端子；以及
天线基板，其使用电介质材料而形成，且在表面侧设有天线元件，在背面侧具有输入或输出高频信号的天线侧高频信号端子，
所述半导体部件以背面侧与所述封装基板对置的状态面部朝上地安装于所述封装基板，而且元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子分别与基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子电连接，
所述天线基板构成为：被倒装芯片式安装于所述半导体部件的表面侧，而且天线侧高频信号端子与设于所述半导体部件的表面侧的元件侧高频信号端子电连接。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与所述封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用引线键合来电连接而构成。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
在所述半导体部件，设置有从设有所述功能电路部的表面侧向背面侧延伸的过孔，
所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子位于所述半导体部件的背面侧，并通过该过孔与所述功能电路部电连接，
所述半导体部件的元件侧直流电压端子以及元件侧基带信号端子、与所述封装基板的基板侧直流电压端子以及基板侧基带信号端子使用凸块电连接而构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其中，
所述高频模块构成为：在所述天线基板，设有电连接于所述天线元件与天线侧高频信号端子之间、且用于处理高频信号的无源电路部。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其中，
所述天线元件构成为对微波带或毫米波带的高频信号进行发送或接收。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其中，
所述封装基板的表面侧构成为以覆盖所述半导体部件的状态使用树脂材料来进行密封。
7.一种通信装置，使用了所述权利要求1至3中任一项所述的高频模块。
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