JP2002100698A - 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
半導体装置用パッケージおよび半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、コストダウンが図れる半導体装置用
パッケージおよび半導体装置を提供する。 【解決手段】 通信用の半導体チップ３８を搭載する半
導体装置用パッケージ１０において、半導体チップ３８
を搭載するチップ搭載部２２ａおよび外部接続端子３６
を備えた回路基板１２と、該回路基板１２の内層側に設
けられ、半導体チップ３８との間で電気的導通が可能
で、所要周波数帯の高周波電気信号を取り出すフィルタ
ー回路層１８と、回路基板１２の表層に設けられ、フィ
ルター回路層１８と電気的に接続されたアンテナ回路層
１４とを具備することを特徴としている。
パッケージおよび半導体装置を提供する。 【解決手段】 通信用の半導体チップ３８を搭載する半
導体装置用パッケージ１０において、半導体チップ３８
を搭載するチップ搭載部２２ａおよび外部接続端子３６
を備えた回路基板１２と、該回路基板１２の内層側に設
けられ、半導体チップ３８との間で電気的導通が可能
で、所要周波数帯の高周波電気信号を取り出すフィルタ
ー回路層１８と、回路基板１２の表層に設けられ、フィ
ルター回路層１８と電気的に接続されたアンテナ回路層
１４とを具備することを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信用の半導体チ
ップを搭載する半導体装置用パッケージおよび該半導体
チップを搭載した半導体装置に関する。
ップを搭載する半導体装置用パッケージおよび該半導体
チップを搭載した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、移動電話器（携帯電話器）は、
内部に通信用の半導体チップモジュールが搭載され、こ
の半導体チップモジュールとは別個に、所要周波数帯の
高周波電気信号を取り出すフィルター回路部品と、アン
テナ部品とがそれぞれ組み込まれて構成される。
内部に通信用の半導体チップモジュールが搭載され、こ
の半導体チップモジュールとは別個に、所要周波数帯の
高周波電気信号を取り出すフィルター回路部品と、アン
テナ部品とがそれぞれ組み込まれて構成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の移
動電話器等の通信機器は、半導体チップモジュール、フ
ィルター回路部品、アンテナ部品等の電子部品が個別に
組み込まれることから、装置が大型化すると共に、部品
点数も多くなり、コスト高になるという課題があった。
動電話器等の通信機器は、半導体チップモジュール、フ
ィルター回路部品、アンテナ部品等の電子部品が個別に
組み込まれることから、装置が大型化すると共に、部品
点数も多くなり、コスト高になるという課題があった。
【０００４】そこで、本発明は上記課題を解決すべくな
され、その目的とするところは、通信機器の小型化、コ
ストダウンが図れる半導体装置用パッケージおよび半導
体装置を提供するにある。
され、その目的とするところは、通信機器の小型化、コ
ストダウンが図れる半導体装置用パッケージおよび半導
体装置を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
用パッケージは、通信用の半導体チップを搭載する半導
体装置用パッケージにおいて、半導体チップを搭載する
チップ搭載部および外部接続端子を備えた回路基板と、
該回路基板の内層に設けられ、前記半導体チップとの間
で電気的に接続されることで、所要周波数帯の高周波電
気信号を取り出すフィルター回路層と、前記回路基板の
表層に設けられ、前記フィルター回路層と電気的に接続
されたアンテナ回路層とを具備することを特徴としてい
る。このように、フィルター回路層、アンテナ回路層
が、半導体チップが搭載される回路基板に一体的に組み
込まれているから、小型化が図れ、また部品点数も減じ
て、コストダウンも図れる。
用パッケージは、通信用の半導体チップを搭載する半導
体装置用パッケージにおいて、半導体チップを搭載する
チップ搭載部および外部接続端子を備えた回路基板と、
該回路基板の内層に設けられ、前記半導体チップとの間
で電気的に接続されることで、所要周波数帯の高周波電
気信号を取り出すフィルター回路層と、前記回路基板の
表層に設けられ、前記フィルター回路層と電気的に接続
されたアンテナ回路層とを具備することを特徴としてい
る。このように、フィルター回路層、アンテナ回路層
が、半導体チップが搭載される回路基板に一体的に組み
込まれているから、小型化が図れ、また部品点数も減じ
て、コストダウンも図れる。
【０００６】また、前記アンテナ回路層と対向して、前
記回路基板の内層にグランド層が設けられ、該アンテナ
回路層とグランド層とでマイクロストリップ構造を形成
していることを特徴とする。さらに、前記回路基板の内
層に、前記フィルター回路層を挟んで該フィルター回路
層と対向して２つのグランド層が設けられ、該フィルタ
ー回路層と２つのグランド層とでストリップ構造を形成
していることを特徴とする。このように、マイクロスト
リップ構造、ストリップ構造をとることで、アンテナ特
性、フィルター特性が向上する。
記回路基板の内層にグランド層が設けられ、該アンテナ
回路層とグランド層とでマイクロストリップ構造を形成
していることを特徴とする。さらに、前記回路基板の内
層に、前記フィルター回路層を挟んで該フィルター回路
層と対向して２つのグランド層が設けられ、該フィルタ
ー回路層と２つのグランド層とでストリップ構造を形成
していることを特徴とする。このように、マイクロスト
リップ構造、ストリップ構造をとることで、アンテナ特
性、フィルター特性が向上する。
【０００７】また、前記チップ搭載部および前記外部接
続端子が前記回路基板の下面に設けられ、前記アンテナ
回路層が、前記回路基板の上面の表層に設けられている
ことを特徴とする。さらに、前記チップ搭載部が前記回
路基板の上面に設けられ、前記アンテナ回路層が、前記
チップ搭載部を囲む前記回路基板の表層に設けられ、前
記外部接続端子が、前記回路基板の下面に設けられてい
ることを特徴とする。
続端子が前記回路基板の下面に設けられ、前記アンテナ
回路層が、前記回路基板の上面の表層に設けられている
ことを特徴とする。さらに、前記チップ搭載部が前記回
路基板の上面に設けられ、前記アンテナ回路層が、前記
チップ搭載部を囲む前記回路基板の表層に設けられ、前
記外部接続端子が、前記回路基板の下面に設けられてい
ることを特徴とする。
【０００８】本発明に係る半導体装置では、上記半導体
装置用パッケージの前記チップ搭載部に通信用の半導体
チップが搭載されていることを特徴としている。
装置用パッケージの前記チップ搭載部に通信用の半導体
チップが搭載されていることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、通信用
の半導体チップを搭載した半導体装置１０の第１の実施
の形態を示す断面図である。１２は、パッケージ本体を
なす多層の回路基板である。回路基板１２の上面（表
層）には、銅箔等の金属箔をエッチング加工して形成さ
れたアンテナ回路層１４が設けられている。図２に、ア
ンテナ回路層１４のパターンの一例を示すが、これに限
定されるものではない。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、通信用
の半導体チップを搭載した半導体装置１０の第１の実施
の形態を示す断面図である。１２は、パッケージ本体を
なす多層の回路基板である。回路基板１２の上面（表
層）には、銅箔等の金属箔をエッチング加工して形成さ
れたアンテナ回路層１４が設けられている。図２に、ア
ンテナ回路層１４のパターンの一例を示すが、これに限
定されるものではない。
【００１０】回路基板１２には、表層から内層側に向け
て順に、ベタパターンの第１のグランド層（接地層）１
６、所要パターンに形成されたフィルター回路層（バン
ドパスフィルター）１８、ベタパターンの第２のグラン
ド層２０、配線パターン層２２が、絶縁樹脂層２４を介
して設けられている。フィルター回路層１８も、金属箔
をエッチング加工して形成されるもので、図３にそのパ
ターンの一例を示す。アンテナ回路層１４とフィルター
回路層１８とはビア２６により電気的に接続されてい
る。
て順に、ベタパターンの第１のグランド層（接地層）１
６、所要パターンに形成されたフィルター回路層（バン
ドパスフィルター）１８、ベタパターンの第２のグラン
ド層２０、配線パターン層２２が、絶縁樹脂層２４を介
して設けられている。フィルター回路層１８も、金属箔
をエッチング加工して形成されるもので、図３にそのパ
ターンの一例を示す。アンテナ回路層１４とフィルター
回路層１８とはビア２６により電気的に接続されてい
る。
【００１１】アンテナ回路層１４と第１のグランド層１
６は平行導体板、すなわち、マイクロストリップ構造を
なす。また、フィルター回路層１８を挟んで第１のグラ
ンド層１６、第２のグランド層２０が設けられており、
このフィルター回路層１８と第１および第２のグランド
層１６、２０とでストリップ構造をなすことがわかる。
６は平行導体板、すなわち、マイクロストリップ構造を
なす。また、フィルター回路層１８を挟んで第１のグラ
ンド層１６、第２のグランド層２０が設けられており、
このフィルター回路層１８と第１および第２のグランド
層１６、２０とでストリップ構造をなすことがわかる。
【００１２】第１のグランド層１６、第２のグランド層
２０、配線パターン層２２も金属箔をエッチング加工し
て所要のパターンに形成される。回路基板１２の下面側
中央部には凹部からなるキャビティ２８が形成され、配
線パターン層２２の一部が露出されている。この露出さ
れた配線パターン層が半導体チップが搭載されるチップ
搭載部２２ａとなる。配線パターン層２２の所要の部位
とフィルター回路層１８とがビア３０により電気的に接
続される。また、チップ搭載部２２ａと第２および第１
のグランド層２０、１６とは図示しないビアを介して電
気的に接続され、接地される。また、配線パターン層２
２は、ビア３２によって、キャビティ２８周辺の回路基
板１２の下面に形成された配線パターン３４に接続され
ている。配線パターン３４には、はんだバンプ等のバン
プが形成されて外部接続端子３６に形成されている。さ
らに、キャビティ２８の内壁面にも、接地された金属層
４１（めっきで形成する）を設けると好適である。これ
により半導体チップをシールドすることができ、ノイズ
を軽減できる。
２０、配線パターン層２２も金属箔をエッチング加工し
て所要のパターンに形成される。回路基板１２の下面側
中央部には凹部からなるキャビティ２８が形成され、配
線パターン層２２の一部が露出されている。この露出さ
れた配線パターン層が半導体チップが搭載されるチップ
搭載部２２ａとなる。配線パターン層２２の所要の部位
とフィルター回路層１８とがビア３０により電気的に接
続される。また、チップ搭載部２２ａと第２および第１
のグランド層２０、１６とは図示しないビアを介して電
気的に接続され、接地される。また、配線パターン層２
２は、ビア３２によって、キャビティ２８周辺の回路基
板１２の下面に形成された配線パターン３４に接続され
ている。配線パターン３４には、はんだバンプ等のバン
プが形成されて外部接続端子３６に形成されている。さ
らに、キャビティ２８の内壁面にも、接地された金属層
４１（めっきで形成する）を設けると好適である。これ
により半導体チップをシールドすることができ、ノイズ
を軽減できる。
【００１３】半導体装置用パッケージ１０は上記のよう
に構成されている。通信用の半導体チップ３８がチップ
搭載部２２ａに搭載され、半導体チップ３８と配線パタ
ーン２２とがワイヤにより電気的に接続され、蓋体４０
によってキャビティ２８を覆って、半導体チップ３８を
気密に封止することで半導体装置４２に完成される。
に構成されている。通信用の半導体チップ３８がチップ
搭載部２２ａに搭載され、半導体チップ３８と配線パタ
ーン２２とがワイヤにより電気的に接続され、蓋体４０
によってキャビティ２８を覆って、半導体チップ３８を
気密に封止することで半導体装置４２に完成される。
【００１４】上記のように、アンテナ回路層１４、フィ
ルター回路層１８が回路基板１２に一体に作り込まれる
ので、全体の小型化が図れ、また部品点数も減じること
ができ、コストダウンが図れる。なお、半導体装置用パ
ッケージ１０の製造は、金属箔付き樹脂板の金属箔を所
要パターンにエッチング加工したものを、プリプレグ接
着剤を介して所要枚数積層し、熱圧着することによって
形成できるし、あるいはビルドアップ法によっても形成
できる。
ルター回路層１８が回路基板１２に一体に作り込まれる
ので、全体の小型化が図れ、また部品点数も減じること
ができ、コストダウンが図れる。なお、半導体装置用パ
ッケージ１０の製造は、金属箔付き樹脂板の金属箔を所
要パターンにエッチング加工したものを、プリプレグ接
着剤を介して所要枚数積層し、熱圧着することによって
形成できるし、あるいはビルドアップ法によっても形成
できる。
【００１５】図４は、半導体装置用パッケージ１０およ
び半導体装置４２の第２の実施の形態を示す。第１の実
施の形態と同一の部材は同一符号を付し、説明は省略す
る。本実施の形態では、配線パターン２２のチップ搭載
部２２ａに半導体チップ３８を直接フリップチップ接続
によって搭載している。したがってキャビティは設けて
いない。チップ搭載部２２ａは、半導体チップ３８をフ
リップチップ接続するために所要パターンに形成されて
いる。配線パターン２２と半導体チップ３８とはビア３
２を通じて内部配線パターン４４を介して接続されてい
る。また、配線パターン２２に直接外部接続端子３６を
形成している。半導体チップ３８は必要に応じて、ポッ
ティング樹脂等により気密に封止する。図５は、アンテ
ナ回路層１４のパターン例を示し、図６はフィルター回
路層１８のパターンの一例を示す。
び半導体装置４２の第２の実施の形態を示す。第１の実
施の形態と同一の部材は同一符号を付し、説明は省略す
る。本実施の形態では、配線パターン２２のチップ搭載
部２２ａに半導体チップ３８を直接フリップチップ接続
によって搭載している。したがってキャビティは設けて
いない。チップ搭載部２２ａは、半導体チップ３８をフ
リップチップ接続するために所要パターンに形成されて
いる。配線パターン２２と半導体チップ３８とはビア３
２を通じて内部配線パターン４４を介して接続されてい
る。また、配線パターン２２に直接外部接続端子３６を
形成している。半導体チップ３８は必要に応じて、ポッ
ティング樹脂等により気密に封止する。図５は、アンテ
ナ回路層１４のパターン例を示し、図６はフィルター回
路層１８のパターンの一例を示す。
【００１６】上記実施の形態では、フェイスダウン型の
パッケージを示した。図７にはフェイスアップ型のパッ
ケージ１０、半導体装置４２の実施の形態を示す。図１
に示すものと同一の部材は同一符号を付した。この場
合、キャビティ２８は回路基板１２の上面に設けられ
る。また、アンテナ回路層１４は、キャビティ２８（チ
ップ搭載部２２ａ）を囲む回路基板１２の表層に設けら
れる。図８はアンテナ回路層１４のパターンの一例を示
す。フィルター回路層１８も、図９に示すように、キャ
ビティ２８を囲むようにして設けられる。本実施の形態
に係るパッケージ１０、半導体装置４２も小型化がで
き、また部品点数も少ないからコストダウンができる。
パッケージを示した。図７にはフェイスアップ型のパッ
ケージ１０、半導体装置４２の実施の形態を示す。図１
に示すものと同一の部材は同一符号を付した。この場
合、キャビティ２８は回路基板１２の上面に設けられ
る。また、アンテナ回路層１４は、キャビティ２８（チ
ップ搭載部２２ａ）を囲む回路基板１２の表層に設けら
れる。図８はアンテナ回路層１４のパターンの一例を示
す。フィルター回路層１８も、図９に示すように、キャ
ビティ２８を囲むようにして設けられる。本実施の形態
に係るパッケージ１０、半導体装置４２も小型化がで
き、また部品点数も少ないからコストダウンができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体装置
用パッケージおよび半導体装置によれば、小型化が図
れ、また部品点数を減じることができるのでコストダウ
ンが図れる。
用パッケージおよび半導体装置によれば、小型化が図
れ、また部品点数を減じることができるのでコストダウ
ンが図れる。
【図１】半導体装置用パッケージおよび半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図２】アンテナ回路層のパターンの一例を示す説明図
である。
である。
【図３】フィルター回路層のパターンの一例を示す説明
図である。
図である。
【図４】他の実施の形態における半導体装置用パッケー
ジおよび半導体装置の断面図である。
ジおよび半導体装置の断面図である。
【図５】アンテナ回路層のパターンの一例を示す説明図
である。
である。
【図６】フィルター回路層のパターンの一例を示す説明
図である。
図である。
【図７】さらに他の実施の形態における半導体装置用パ
ッケージおよび半導体装置の断面図である。
ッケージおよび半導体装置の断面図である。
【図８】アンテナ回路層のパターンの一例を示す説明図
である。
である。
【図９】フィルター回路層のパターンの一例を示す説明
図である。
図である。
１０ 半導体装置用パッケージ １２ 回路基板 １４ アンテナ回路層 １６ 第１のグランド層 １８ フィルター回路層 ２０ 第２のグランド層 ２２ 配線パターン ２２ａ チップ搭載部 ２４ 絶縁層 ２６ ビア ２８ キャビティ ３０、３２ ビア ３４ 配線パターン ３６ 外部接続端子 ３８ 半導体チップ ４０ 蓋体 ４１ 金属層 ４２ 半導体装置 ４４ 内部配線パターン
Claims (6)
- 【請求項１】 通信用の半導体チップを搭載する半導体
装置用パッケージにおいて、 半導体チップを搭載するチップ搭載部および外部接続端
子を備えた回路基板と、 該回路基板の内層に設けられ、前記半導体チップとの間
で電気的に接続されることで、所要周波数帯の高周波電
気信号を取り出すフィルター回路層と、 前記回路基板の表層に設けられ、前記フィルター回路層
と電気的に接続されたアンテナ回路層とを具備すること
を特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】 前記アンテナ回路層と対向して、前記回
路基板の内層にグランド層が設けられ、該アンテナ回路
層とグランド層とでマイクロストリップ構造を形成して
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッ
ケージ。 - 【請求項３】 前記回路基板の内層に、前記フィルター
回路層を挟んで該フィルター回路層と対向して２つのグ
ランド層が設けられ、該フィルター回路層と２つのグラ
ンド層とでストリップ構造を形成していることを特徴と
する請求項１または２記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項４】 前記チップ搭載部および前記外部接続端
子が前記回路基板の下面に設けられ、前記アンテナ回路
層が、前記回路基板の上面の表層に設けられていること
を特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置用
パッケージ。 - 【請求項５】 前記チップ搭載部が前記回路基板の上面
に設けられ、前記アンテナ回路層が、前記チップ搭載部
を囲む前記回路基板の表層に設けられ、前記外部接続端
子が、前記回路基板の下面に設けられていることを特徴
とする請求項１、２または３記載の半導体装置用パッケ
ージ。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の半
導体装置用パッケージの前記チップ搭載部に通信用の半
導体チップが搭載されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291679A JP2002100698A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291679A JP2002100698A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100698A true JP2002100698A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18774725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000291679A Pending JP2002100698A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100698A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019340A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | 半導体ｉｃ内蔵基板 |
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