JPWO2014020787A1 - 電子部品モジュールとその実装体 - Google Patents
電子部品モジュールとその実装体 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014020787A1 JPWO2014020787A1 JP2014527941A JP2014527941A JPWO2014020787A1 JP WO2014020787 A1 JPWO2014020787 A1 JP WO2014020787A1 JP 2014527941 A JP2014527941 A JP 2014527941A JP 2014527941 A JP2014527941 A JP 2014527941A JP WO2014020787 A1 JPWO2014020787 A1 JP WO2014020787A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- electronic component
- component module
- substrate
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 200
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 31
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/345—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15159—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15162—Top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
図1(a)、(b)及び(c)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100を模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるIb-Ib'線及び図1(c)におけるIb-Ib'線に対応する。
次に、第1の実施形態の変形例1について説明する。図4(a)、(b)及び(c)は、本変形例の電子部品モジュール100aを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図4(b)は、図4(a)におけるIVb-IVb'線及び図4(c)におけるIVb-IVb'線に対応する。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付し、以下では主に相違点を説明する。
第1の実施形態及びその変形例1において、外部端子51の先端に接続部材57が設けられていると説明した。しかしながら、接続部材は、実装基板60の側に設けられていても良い。
次に、図6(a)及び(b)には、実装基板60に設ける放熱構造について更に示している。
図7(a)及び(b)は、実装基板60に凹部を設けることなく熱放散パターン63を形成し、当該熱放散パターン63上に金属層71を設けた変形例を示している。熱放散パターン63と金属層71との間には、グリース等の絶縁材が介在しても良い。
次に、第2の実施形態の例示的電子部品モジュール100eについて説明する。図8(a)、(b)及び(c)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100eを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図8(b)は、図8(a)におけるVIIIb-VIIIb'線及び図8(c)におけるVIIIb-VIIIb'線に対応する。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付している。
次に、第2の実施形態の変形例における例示的電子部品モジュール100fについて説明する。図9(a)、(b)及び(c)は、本変形例の例示的電子部品モジュール100fを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図9(b)は、図9(a)におけるIXb-IXb'線及び図8(c)におけるIXb-IXb'線に対応する。尚、図8(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100eと同じ構成要素には同じ符号を付している。
図10(a)〜(d)に、第2の実施形態の電子部品モジュール100eの製造工程を模式的な断面図にて示す。
次に、第3の実施形態における例示的電子部品モジュール100gについて説明する。図11(a)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100fを模式的に示す下面図、であり、図11(b)及び(c)は、図11(a)におけるXIb-XIb'線及びXIc-XIc'線に対応する断面を模式的に示す図である。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付している。
次に、第4の実施形態における例示的電子部品モジュール100hについて説明する。図13(a)〜(c)は、それぞれ本実施形態の例示的電子部品モジュールを模式的に示す下面図であり、3種類の例を示している。尚、図8(a)に示す第3の実施形態の電子部品モジュール100gと同じ構成要素には同じ符号を付している。
11 バンプ
12 発熱回路
13 金属層
14 発熱領域
15 高温領域
20 第2の半導体チップ
21 バンプ
31 チップ部品
41 多層基板
42 アンテナ配線
43 熱放散パターン
44 基板分離ライン
45 ブレード
50 枠体
51 外部端子
52 放熱用端子
53 放熱ルート
55 段差部
56 隙間
57 接続部材
57a 接続部材
58 分離壁
60 実装基板
61 レジスト
62 端子実装ランド
63 熱放散パターン
64 放熱ビア
71 金属層
72 金属層
100 電子部品モジュール
100a 電子部品モジュール
100e 電子部品モジュール
100f 電子部品モジュール
100g 電子部品モジュール
100h 電子部品モジュール
100i 電子部品モジュール
100j 電子部品モジュール
Claims (21)
- 基板と、
前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップとを備え、
前記第1の半導体チップは、前記外部端子の先端よりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1において、
前記基板における前記第一面とは反対側の第二面に設けられた配線部を備え、
前記配線部と少なくとも1つの前記外部端子とは電気的に接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1又は2において、
前記複数の外部端子の先端上に接続部材を備え、
前記接続部材は、前記第1の半導体チップよりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1又は2において、
前記第1の半導体チップが前記外部端子よりも突出する寸法は、前記外部端子を実装基板に接続する際に前記実装基板上に設けられる接続部材の高さよりも小さいことを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1〜4のいずれか1つにおいて、
前記配線部は無線機能を有するアンテナ配線であり、
前記第二面には前記アンテナ配線の他には電子部品が設けられておらず、
前記基板の前記第一面における周縁部の少なくとも一部に枠体が設けられ、
前記複数の外部端子は、前記枠体に埋め込まれるように形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1〜5のいずれか1つにおいて、
前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に、第2の半導体チップを更に備え、
前記第1の半導体チップはベースバンドICであり、
前記第2の半導体チップは高周波ICであり、
前記第第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて面積が大きく、厚さが厚く且つ発熱量が多いことを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1〜6のいずれか1つにおいて、
前記第1の半導体チップ上に金属層を備え、
前記第1の半導体チップ自体に代えて、前記金属層が、前記外部端子の先端よりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項6又は7において、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップは、前記多層基板の前記第一面にバンプ接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項1〜8のいずれか1つの電子部品モジュールが実装基板に実装され、
前記外部端子と、前記実装基板上に設けられた端子実装ランドとは、半田を接続部材として接合され、
前記第1の半導体チップは、前記実装基板の放熱部に接していることを特徴とする電子部品モジュール実装体。 - 請求項9において、
前記放熱部は、前記実装基板上に設けられた金属層からなることを特徴とする電子部品モジュール実装体。 - 請求項9において、
前記放熱部は、前記実装基板に設けられた凹部に金属が埋め込まれた構造を有することを特徴とする電子部品モジュール実装体。 - 請求項9〜11のいずれか1つにおいて、
前記放熱部は、前記実装基板を貫通する放熱ビア上に設けられていることを特徴とする電子部品モジュール実装体。 - 基板と、前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた半導体チップとを備える電子部品モジュールが実装基板に実装された電子部品モジュール実装体において、
前記実装基板の第一面には、前記電子部品モジュールとの電気的接続を行う端子実装ランドと、前記電子部品モジュールに搭載された前記半導体チップの熱を放熱するための放熱部とが設けられ、
前記放熱部の先端の、前記端子実装ランドから前記実装基板の前記第一面の放線の向きに突出した量の方が、
前記外部端子の先端の、前記半導体チップから前記基板の前記第一面の放線の向きに突出した量よりも大きいことを特徴とする電子部品モジュール実装体。 - 基板と、
前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
前記第一面における前記外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、
前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、
前記第1の半導体チップにおける発熱回路領域は、前記基板の一端に沿って配置されており、
前記外部端子は、前記発熱回路領域にて生じる熱を逃がすための放熱用端子を含み、
前記放熱用端子は、前記基板における前記発熱回路領域が配置されている一端に沿って配置されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項14において、
前記発熱回路領域と前記放熱用端子とは、前記基板に設けられた熱放散パターンにより接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項14又は15において、
前記第1の半導体チップ上に放熱用部材が設けられ、
前記放熱用部材は、前記放熱用端子と一体化して他の前記外部端子よりも大きな面積となっていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 基板と、
前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
前記第一面における前記外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、
前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、
前記基板の前記第一面における対向する2辺に沿ってそれぞれ枠体が設けられ、
前記外部端子は、前記枠体に埋め込まれるように形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項17において、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップは、前記枠体の延びる方向に並んで配置され、
前記枠体は、それぞれ、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間の位置において分離されて隙間を有しており、
前記基板の前記第一面において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間を遮るように、複数のチップ部品が設けられていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項17又は18において、
前記基板の前記第一面を前記第1の半導体チップ側と前記第2の半導体チップ側とに分離する分離壁を備えることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項19において、
前記分離壁は、前記枠体と一体に形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。 - 請求項19又は20において、
前記分離壁に、前記外部端子の少なくとも1つが埋め込まれていることを特徴とする電子部品モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012172685 | 2012-08-03 | ||
JP2012172685 | 2012-08-03 | ||
PCT/JP2013/001402 WO2014020787A1 (ja) | 2012-08-03 | 2013-03-06 | 電子部品モジュールとその実装体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014020787A1 true JPWO2014020787A1 (ja) | 2016-07-21 |
JP6129177B2 JP6129177B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=50027505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014527941A Active JP6129177B2 (ja) | 2012-08-03 | 2013-03-06 | 電子部品モジュールとその実装体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9545026B2 (ja) |
JP (1) | JP6129177B2 (ja) |
WO (1) | WO2014020787A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11437295B2 (en) | 2017-08-16 | 2022-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and electronic device having the same |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10083923B2 (en) * | 2015-09-21 | 2018-09-25 | Intel Corporation | Platform with thermally stable wireless interconnects |
US10887439B2 (en) * | 2015-12-22 | 2021-01-05 | Intel Corporation | Microelectronic devices designed with integrated antennas on a substrate |
CN110731032B (zh) * | 2017-05-02 | 2021-10-29 | 阿莫技术有限公司 | 天线模块 |
US10332862B2 (en) | 2017-09-07 | 2019-06-25 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structure and method for manufacturing the same |
US11658089B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6939982B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2021-09-22 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
WO2020054001A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 空中線 |
CN111566876B (zh) * | 2018-10-18 | 2021-07-30 | 阿莫技术有限公司 | 具有腔体结构的天线封装组件 |
JP2021099229A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電位測定装置 |
KR20210117587A (ko) * | 2020-03-19 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 모듈 |
WO2021245907A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | 日本電信電話株式会社 | 光電子集積モジュール |
JP2022025294A (ja) * | 2020-07-29 | 2022-02-10 | トレックス・セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
CN111863745B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-04-08 | 天津大学 | 一种针对介质集成悬置线功放的散热结构 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200860A (ja) * | 1998-12-31 | 2000-07-18 | Texas Instr Inc <Ti> | ボ―ル・グリッド・アレイ・パッケ―ジ |
JP2002100698A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
JP2003007910A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003124435A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
JP2003203943A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フリップチップ実装基板、製造方法及び無線装置 |
JP2005117139A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置 |
JP2006210777A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2009105327A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Toyota Motor Corp | 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法 |
JP2010239344A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujikura Ltd | 無線回路モジュール |
JP2011124251A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013546191A (ja) * | 2010-12-03 | 2013-12-26 | インテル・コーポレーション | 扁平形状の超小型電子パッケージ、扁平形状の超小型電子パッケージの製造方法、および、扁平形状の超小型電子パッケージを含む電子アセンブリ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331835A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層電子部品及び回路モジュール |
JP3937840B2 (ja) | 2002-01-10 | 2007-06-27 | 株式会社日立製作所 | 高周波モジュール |
US7235880B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-06-26 | Intel Corporation | IC package with power and signal lines on opposing sides |
JP4308797B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2009-08-05 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | 半導体パッケージおよびソケット付き回路基板 |
JP4555369B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2010-09-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 電子部品モジュール及びその製造方法 |
US8474726B2 (en) * | 2010-08-12 | 2013-07-02 | Feinics Amatech Teoranta | RFID antenna modules and increasing coupling |
US9112272B2 (en) * | 2010-08-12 | 2015-08-18 | Feinics Amatech Teoranta | Antenna modules for dual interface smart cards, booster antenna configurations, and methods |
US9634391B2 (en) * | 2011-08-08 | 2017-04-25 | Féinics Amatech Teoranta | RFID transponder chip modules |
CN104471707B (zh) * | 2012-07-26 | 2017-07-04 | 株式会社村田制作所 | 半导体模块 |
US9331058B2 (en) * | 2013-12-05 | 2016-05-03 | Apple Inc. | Package with SoC and integrated memory |
-
2013
- 2013-03-06 WO PCT/JP2013/001402 patent/WO2014020787A1/ja active Application Filing
- 2013-03-06 JP JP2014527941A patent/JP6129177B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-02 US US14/612,271 patent/US9545026B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200860A (ja) * | 1998-12-31 | 2000-07-18 | Texas Instr Inc <Ti> | ボ―ル・グリッド・アレイ・パッケ―ジ |
JP2002100698A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
JP2003007910A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003124435A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
JP2003203943A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フリップチップ実装基板、製造方法及び無線装置 |
JP2005117139A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置 |
JP2006210777A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2009105327A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Toyota Motor Corp | 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法 |
JP2010239344A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujikura Ltd | 無線回路モジュール |
JP2011124251A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013546191A (ja) * | 2010-12-03 | 2013-12-26 | インテル・コーポレーション | 扁平形状の超小型電子パッケージ、扁平形状の超小型電子パッケージの製造方法、および、扁平形状の超小型電子パッケージを含む電子アセンブリ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11437295B2 (en) | 2017-08-16 | 2022-09-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package and electronic device having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9545026B2 (en) | 2017-01-10 |
US20150181739A1 (en) | 2015-06-25 |
JP6129177B2 (ja) | 2017-05-17 |
WO2014020787A1 (ja) | 2014-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6129177B2 (ja) | 電子部品モジュールとその実装体 | |
US10404226B2 (en) | Power amplifier module | |
US8373997B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4610414B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造 | |
JP2006073651A (ja) | 半導体装置 | |
KR20060051982A (ko) | 반도체 장치 및 전자기기 | |
JP2007073849A (ja) | 電子回路モジュールとその製造方法 | |
KR102461278B1 (ko) | Rf 전력 증폭기 모듈의 제조 방법과 rf 전력 증폭기 모듈, rf 모듈 및 기지국 | |
JP6516011B2 (ja) | 無線機 | |
CN105762138A (zh) | 整合式毫米波芯片封装结构 | |
EP3065167B1 (en) | High-frequency module and microwave transceiver | |
JP2012182395A (ja) | 電子デバイス | |
JP5577694B2 (ja) | 部品内蔵モジュール | |
JP2008109044A (ja) | 配線回路基板および電子部品装置 | |
US6922119B2 (en) | Surface acoustic wave filter adapted to restrain undue temperature rise | |
JPWO2007138771A1 (ja) | 半導体装置、電子部品モジュールおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2006120996A (ja) | 回路モジュール | |
US9922918B2 (en) | Substrate for stacked module, stacked module, and method for manufacturing stacked module | |
JP2005311230A (ja) | 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置 | |
JP2011077075A (ja) | 発熱性電子素子内蔵のモジュール基板及びその製造方法 | |
JP2015201538A (ja) | 高周波モジュール | |
JP6579396B2 (ja) | 半導体装置、及び基板 | |
WO2020203506A1 (ja) | 電力増幅装置 | |
CN111213234B (zh) | 半导体组装件 | |
JP2005228811A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170411 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6129177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |