JPWO2014020787A1 - 電子部品モジュールとその実装体 - Google Patents

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Abstract

電子部品モジュール(100)は、基板(41)と、基板(41)の第一面に設けられた複数の外部端子(51)と、第一面における複数の外部端子(51)に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ(10)とを備える。第1の半導体チップ(10)は、外部端子(51)の先端よりも、第一面の法線の向きに突出している。

Description

本開示は、アンテナ機能一体型の電子部品モジュールに関し、特に、無線通信機能を有する機器に用いられるアンテナ機能一体型の電子モジュールに関する。更に、電子部品モジュールの実装体に関する。
放熱が必要なチップが搭載された電子部品モジュールにおける放熱に関し、例えば以下の技術が知られている。
特許文献1では、放熱が必要な電力増幅素子が搭載された部分の基板にビアホールを配置し、当該ビアホールを介して熱を逃がす構造となっている。更に、近傍に実装されている表面弾性波素子に熱が伝わるのを避けるために、基板中に熱伝導性の低い領域を配置している。また、電力増幅素子から表面弾性波素子に熱が伝わるのを抑制するために、これらの素子を基板の対向する面にそれぞれ配置している。
また、特許文献2では、フリップチップ実装されたデバイスのうち放熱が必要なデバイスのみを半田によって覆うことが開示されている。これにより、当該デバイスにて生じる熱を逃がすことができる。
特開2003−204013号公報 特開2010−045201号公報
複数の半導体チップ及び電子部品が基板に実装された電子部品モジュール(例えば無線機能を有する電子部品モジュール)においては、1つの半導体チップが発熱することにより電子部品モジュールに熱が蓄積される場合がある。
更に、電子部品モジュールを小型化・高機能化する上で、例えば無線機能を一体にした基板を用いる場合、設計制約がより大きくなる。つまり、電子部品モジュールに熱が蓄積されることにより電気特性にノイズが発生したり、長期間の使用により熱疲労が生じて電子部品モジュールが故障したりすることがあるので、放熱に関する設計が厳しくなる。
以上に鑑み、本開示は、一部の半導体チップにおける発熱が他の半導体チップに影響することを抑制できる電子部品モジュール及び電子部品モジュールの実装体を提供する。
本開示の電子部品モジュールは、基板と、基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、第一面における複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップとを備え、第1の半導体チップは、外部端子の先端よりも、第一面の法線の向きに突出している。
このような構成とすることにより、電子部品モジュールを実装基板に実装した際に、外部端子と実装基板側の端子実装ランドとの間に半田等の接続部材が介在しても、第1の半導体チップの背面(多層基板とは反対側の面)と実装基板とを接触させることができる。これにより、第1の半導体チップにて生じる熱を実装基板側に逃がすことができる。
尚、基板における第一面とは反対側の第二面に設けられた配線部を備え、配線部と少なくとも1つの外部端子とは電気的に接続されていても良い。
また、複数の外部端子の先端上に接続部材を備え、接続部材は、第1の半導体チップよりも、第一面の法線の向きに突出していても良い。
また、第1の半導体チップが外部端子よりも突出する寸法は、外部端子を実装基板に接続する際に実装基板上に設けられる接続部材の高さよりも小さい。
このようにすると、実装基板に実装する際に接続部材の高さは小さくなるので、第1の半導体チップと実装基板とを接触させることができる。
また、配線部は無線機能を有するアンテナ配線であり、第二面にはアンテナ配線の他には電子部品が設けられておらず、基板の第一面における周縁部の少なくとも一部に枠体が設けられ、複数の外部端子は、枠体に埋め込まれるように形成されていても良い。
このように、アンテナ配線を一体化した電子部品モジュールであってもよい。
また、第一面における複数の外部端子に囲まれた領域に、第2の半導体チップを更に備え、第1の半導体チップはベースバンドICであり、第2の半導体チップは高周波ICであり、第1の半導体チップは、第2の半導体チップに比べて面積が大きく、厚さが厚く且つ発熱量が多いようになっていても良い。
このような場合、発熱量の大きいベースバンドICからの熱が高周波ICに影響するのを避ける効果が特に発揮される。
第1の半導体チップ上に金属層を備え、第1の半導体チップ自体に代えて、金属層が、外部端子の先端よりも、第一面の法線の向きに突出していても良い。
つまり、第1の半導体チップ自体については外部端子の先端に比べて突出しておらず、その上の設けられた金属層が外部端子の先端よりも突出している。このようにすると、第1の半導体チップ自体の厚さを変更できない等の場合にも、第1の半導体チップの熱を実装基板側に逃がすことができる。また、金属層を有することにより、放熱性が向上する。
また、第1の半導体チップ及び第2の半導体チップは、多層基板の第一面にバンプ接続されていても良い。
半導体チップをバンプによって接続すると、金属細線を用いて接続する場合に比べて電子部品モジュールを薄型化することができる。
次に、本開示の電子部品モジュール実装体は、本開示のいずれか1つの電子部品モジュールが実装基板に実装され、外部端子と、実装基板上に設けられた端子実装ランドとは、半田を接続部材として接合され、第1の半導体チップは、実装基板の放熱部に接している。
このような電子部品モジュール実装体によると、第1の半導体チップにおいて生じた熱を実装基板側に逃がすことができるので、第2の半導体チップ等に熱の影響が及ぶのを抑えることができる。
尚、放熱部は、実装基板上に設けられた金属層からなっていても良い。
また、放熱部は、実装基板に設けられた凹部に金属が埋め込まれた構造を有していてもよい。
また、放熱部は、実装基板を貫通する放熱ビア上に設けられていても良い。
このようにすると、より効果的に第1の半導体チップの熱を放散することができる。
次に、本開示の他の電子部品モジュール実装体は、基板と、基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、第一面における複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた半導体チップとを備える電子部品モジュールが実装基板に実装された電子部品モジュール実装体において、実装基板の第一面には、電子部品モジュールとの電気的接続を行う端子実装ランドと、電子部品モジュールに搭載された半導体チップの熱を放熱するための放熱部とが設けられ、放熱部の先端の、端子実装ランドから実装基板の前記第一面の放線の向きに突出した量の方が、外部端子の先端の、半導体チップから基板の第一面の放線の向きに突出した量よりも大きい。
このような電子部品モジュールによると、半導体チップにおいて生じた熱を実装基板側に逃がすことができ、熱の影響を低減することができる。
次に、本開示の実装基板は、電子部品モジュールを実装するための実装基板であって、電子部品モジュールを実装するための実装基板であって、電子部品との電気的接続を行なう端子実装ランドと、電子部品モジュールに搭載された半導体チップの熱を放熱するための熱放散パターンとを備え、熱放散パターン上に、電子部品モジュールの半導体チップと接続される金属層が設けられている。
このような実装基板によると、電子部品モジュールを実装する際に半導体チップと金属層とを接触させることができ、半導体チップの熱を実装基板側に逃がすことができる。更に、金属層によって熱の放散性を向上することができる。
次に、本開示の他の電子部品モジュールは、基板と、基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、第一面における外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、第1の半導体チップは、第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、第1の半導体チップにおける発熱回路領域は、基板の一端に沿って配置されており、外部端子は、発熱回路領域にて生じる熱を逃がすための放熱用端子を含み、放熱用端子は、基板における発熱回路領域が配置されている一端に沿って配置されている。
このような構成とすると、第1の半導体チップにて生じる熱を電子部品モジュールの一方に逃がし、第2の半導体チップに熱の影響が及ぶのを抑えることができる。
尚、発熱回路領域と放熱用端子とは、基板に設けられた熱放散パターンにより接続されていても良い。
また、第1の半導体チップ上に放熱用部材が設けられ、放熱用部材は、放熱用端子と一体化して他の外部端子よりも大きな面積となっていても良い。
このようにすると、第1の半導体チップにおいて生じる熱を実装基板側に逃がすことができる。
次に、本開示の更に他の電子部品モジュールは、基板と、基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、第一面における外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、第1の半導体チップは、第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、基板の第一面における対向する2辺に沿ってそれぞれ枠体が設けられ、外部端子は、枠体に埋め込まれるように形成されている。
このようにすると、第1の半導体チップにおいて生じる熱を電子部品モジュールの一方に逃がし、第2の半導体チップに熱の影響が及ぶのを抑えることができる。
尚、第1の半導体チップ及び第2の半導体チップは、枠体の延びる方向に並んで配置され、枠体は、それぞれ、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間の位置において分離されて隙間を有しており、基板の第一面において、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間を遮るように、複数のチップ部品が設けられていても良い。
このような構成とすると、第1の半導体チップから第2の半導体チップに熱が伝わるのを抑える障壁としてチップ部品を利用できる。また、枠体の隙間から電子部品モジュールの外に熱を逃がすことができる。
また、基板の第一面を第1の半導体チップ側と第2の半導体チップ側とに分離する分離壁を備えていても良い。
このようにすると、第2の半導体チップから第2の半導体チップへの熱の伝達をより確実に抑えることができる。
また、分離壁は、枠体と一体に形成されていても良い。
また、分離壁に、前記外部端子の少なくとも1つが埋め込まれていても良い。
分離壁の構成として、このようになっていても良い。
以上によると、半導体チップにおいて生じた熱は電子部品モジュールから放散しやすくなっている。また、一部の半導体チップにて生じた熱が他の半導体チップに影響するのを抑えることができる。これにより、電子部品モジュール及びその実装体について、熱疲労による故障、誤作動等を抑えることができ、装置の小型化及び薄型化に貢献する。
図1(a)、(b)及び(c)は、本開示の第1の実施形態の例示的電子部品モジュールを模式的に示す上面図、断面図及び下面図である。 図2は、図1(a)〜(c)の電子部品モジュールを実装基板に実装した実装体の断面を模式的に示す図である。 図3(a)及び(b)は、電子部品モジュールに関する熱シミュレーションの結果を示す図である。 図4(a)、(b)及び(c)は、本開示の第1の実施形態の変形例1の電子部品モジュールを模式的に示す上面図、断面図及び下面図である。 図5(a)は、図4(a)〜(c)の電子部品モジュールを実装基板に実装した実装体の断面を模式的に示す図である。図5(b)は、接続部材を電子部品モジュール側ではなく実装基板側に設ける例を示す図である。 図6(a)及び(b)は、実装基板に設ける放熱構造につて示す図である。 図7(a)及び(b)は、実装基板に凹部を設けずに熱放散パターンを形成し、当該熱放散パターン上に金属層を設けた例を示す図である。 図8(a)、(b)及び(c)は、本開示の第2の実施形態の例示的電子部品モジュールを模式的に示す上面図、断面図及び下面図である。 図9(a)、(b)及び(c)は、本開示の第2の実施形態の変形例1の電子部品モジュールを模式的に示す上面図、断面図及び下面図である。 図10(a)〜(d)は、図8(a)〜(c)に示す電子部品モジュールの製造工程を示す図である。 図11(a)は、本開示の第3の実施形態の例示的電子部品モジュールを模式的に示す下面図であり、図11(b)及び(c)はその断面図である。 図12は、図11(a)〜(c)に示す電子部品モジュールの製造工程を示す図である。 図13(a)〜(c)は、本開示の第3の実施形態の電子部品モジュールについて、3種類の例を示す図である。
以下、本開示の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)、(b)及び(c)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100を模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図1(b)は、図1(a)におけるIb-Ib'線及び図1(c)におけるIb-Ib'線に対応する。
電子部品モジュール100は、多層基板41を用いて形成されている。以下、多層基板41の図1(c)において見えている側の面(図1(b)では下面)を第一面、図1(a)において見えている側の面(図1(b)では上面)を第二面と呼ぶ。
多層基板41の第二面には、無線機能を有するアンテナ配線42が設けられ、且つ、他の半導体チップ、チップ部品(抵抗、キャパシタ等)は設けられていない。
また、第一面には、チップ部品31と、バンプ11により取り付けられた第1の半導体チップ10と、バンプ21により取り付けられた第2の半導体チップ20とが設けられている。バンプ11及びバンプ21の材料は、Au、Cu及び半田等から適宜選択すれば良い。但し、後述の接続部材57の実装温度において変形しない融点を備える材料が好ましい。
更に、第二面の周縁部に、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20及びチップ部品31が設けられた領域を囲むように、枠体50が設けられている。枠体50には、アンテナ配線42、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20等に対して電気的に接続された外部端子51が埋め込まれるように形成されている。外部端子51の先端に、例えば半田からなる接続部材57が設けられている。
ここで、図1(b)に示す通り、第1の半導体チップ10は第2の半導体チップ20よりも厚さが大きい。更に、第1の半導体チップ10の背面(多層基板41側とは反対の面)は、枠体50及び外部端子51の先端よりも、多層基板41の第一面の法線の向き(図1(b)では下向き)に突出している。図1(b)では、外部端子51の先端よりもΔh2だけ突出していることが示されている。
また、図1(b)に示す実装前の電子部品モジュール100において、外部端子51の先端に設けられた接続部材57の厚さをΔh1とすると、Δh1>Δh2である。
従って、第1の半導体チップ10は外部端子51の先端よりも第一面の法線の向きに突出しており、且つ、接続部材57は第1の半導体チップ10よりも突出している。
次に、図2は、電子部品モジュール100を実装基板60に実装した実装体の断面を模式的に示す図である。
実装基板60の一方の面はレジスト61によって覆われている。該レジスト61が部分的に開口されて、外部端子51に対する接続を行なうための端子実装ランド62と、第1の半導体チップ10に対する接続を行なうための熱放散パターン63とが設けられている。端子実装ランド62及び熱放散パターン63は、同じ金属層によって形成され、同じ厚さを有していても良い。尚、熱放散パターン63は、実装基板60を貫通する放熱ビア64上に接続するように設けられている。放熱ビア64を設けることは必須ではないが、これを設けることによって放熱性能が向上する。
図2に示す通り、実装基板60に電子部品モジュール100を実装すると、接続部材57は、外部端子51と端子実装ランド62との間において、厚さΔh1’が実装前の厚さΔh1よりも小さくなる。ここで、実装後の接続部材57の厚さΔh1’と、第1の半導体チップ10の突出量Δh2とが略同一となる。これにより、第1の半導体チップ10の背面が実装基板60に設けられた熱放散パターン63に接続される。この際、図示は省略しているが、第1の半導体チップ10と熱放散パターン63とは絶縁材を介して接続される。
このようにすることで、第1の半導体チップ10において生じた熱は、実装基板60側から(熱放散パターン63、放熱ビア64等を介して)逃げることができる。これにより、電子部品モジュール100に熱が蓄積されるのを避けることができ、電子部品モジュール100の熱による誤動作、故障等を抑制することができる。
図3(a)及び(b)は、電子部品モジュールに関する熱シミュレーションの結果を示す図である(実装基板に実装した状態について、実装面側から見た図である。但し、実装基板は示していない)。
図3(a)は放熱最適化を実施していない比較例、図3(b)は放熱最適化を実施した本実施形態(電子部品モジュール100)の場合を示している。つまり、第1の半導体チップ10の厚さを設定し、実装基板60に設けた放熱パターン63に接続させることにより、放熱の状態は図3(a)から図3(b)に改善される。
第1の半導体チップ10における発熱領域14の周囲に、高温領域15が生じる。ここで、放熱について設計を行なっていない比較例の場合、最も発熱する領域と他の領域との温度差は、最大で40℃に達する。このような温度差があると、電子部品モジュールにおける部品が熱疲労を起こしてしまい、故障の原因となる。
これに対し、本実施形態の場合、図3(b)に示すように、発熱領域14及び高温領域15は共に縮小している。この結果、熱疲労及びそれに伴う故障を抑制することができる。
ここで、発熱領域14は、第1の半導体チップ10における発熱の中心部であって、熱拡散パターンにより発熱された後に最も高温になる領域を指す。また、高温領域15は、発熱領域14から熱が伝導して高温になる領域を指す。発熱の範囲及び発熱量は放熱に関する最適設計前後で同じであるが、発熱領域14は、放熱性の影響を含めて示している。このことから、最適設計により(図3(a)と比較して、図3(b)の場合に)発熱領域14が小さくなっている。
発熱領域14と高温領域15との温度差は20℃である。
この例では、第1の半導体チップ10はベースバンドICであり、第2の半導体チップ20は高周波IC(RF−IC)である。ベースバンドICはRF−ICに比べて面積が大きく、厚さが厚く且つ発熱量が多い。従って、第1の半導体チップ10において生じる熱を実装基板60の側に逃がす構成としている。
アンテナ配線42は、通常、受信部と送信部とがあり、2つに分離されている。図1(a)に示す通り、本実施形態でもそのような構成である。しかしながら、例えば受信部と送信部とが4つに分離されている等の構成もある。また、アンテナ配線42は、高周波ICである第2の半導体チップ20と配線によって電気的に接続されており、配線の構成が送受信特性を劣化させにくい(特に、特性損失を大きくしない)設計とする必要がある。ベースバンドIC(第1の半導体チップ10)は、高周波ICにて送受信した電気信号を変換(変調)するICである。
本実施形態の電子部品モジュール100は、主にスマートフォン等の携帯機器に利用されるので、薄型化・小型化が要求される。例えば、平面視における寸法が5mm×5mm〜15m×15m程度、厚さが0.2mm〜1.5mm程度に収めることが望ましい。これは、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20と、10個を超えるチップ部品(抵抗、キャパシタ等)を実装し、更にアンテナ配線42を一体化した電子部品モジュール100についてのサイズである。
従来では、電子部品モジュールに対してアンテナは外付けされており、また、高周波ICは多層基板に対して金属細線により接続(ワイヤーボンド)されていた。これに対し、本実施形態の電子部品モジュール100では、アンテナ配線42を一体化していると共に、高周波ICである第2の半導体チップ20をバンプ実装することにより、高速伝送におけるアンテナ特性が改善されるという利点を有する。
更に、バンプ実装は金属細線に比べて電子部品モジュール100の小型化に貢献するので、第1の半導体チップ10についてもバンプ実装することにより、電子部品モジュール100を更に薄型化することができる。
以上のように、本実施形態によると、多層基板41の片面(第二面)にアンテナ配線42があり、その反対側の面(第一面)にした第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20等を設けられない構成においても、発熱量が大きい第1の半導体チップ10の熱を効率良く放散できる。これにより、熱放散のために第1の半導体チップ10を樹脂埋めする等は不要となっている。
(第1の実施形態の変形例1)
次に、第1の実施形態の変形例1について説明する。図4(a)、(b)及び(c)は、本変形例の電子部品モジュール100aを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図4(b)は、図4(a)におけるIVb-IVb'線及び図4(c)におけるIVb-IVb'線に対応する。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付し、以下では主に相違点を説明する。
本変形例において、第1の半導体チップ10自体は、図1(b)に示す第1の実施形態の場合に比べて薄く、外部端子51の先端に対して(多層基板41の第一面の法線の向き、図4(b)では下向きに)突出はしていない。但し、第1の半導体チップ10の背面には絶縁シート(図示省略)を介して金属層13が貼り付けられている。当該金属層13の露出面(第1の半導体チップ10に貼り付けられた面とは反対側の面、図4(b)では下面)は、外部端子51の先端に対して下側に突出している。金属層13は、例えば金属箔である。
ここで、金属層13が外部端子51の先端よりも突出している寸法をΔh2とし、第1の実施形態と同様に接続部材57の厚さをΔh1とすると、Δh1>Δh2である。従って、金属層13は外部端子51の先端よりも突出しており、接続部材57は金属層13よりも突出している。
このような電子部品モジュール100aを実装基板60に実装した実装体の断面を、図5(a)に模式的に示す。
実装基板60一方の面はレジスト61によって覆われており、且つ、その一部が開口されて、外部端子51に対する接続を行なうための端子実装ランド62が形成されている。本変形例では、実装基板60に熱放散パターンは形成されていない。
実装基板60に電子部品モジュール100aを実装すると、金属層13の露出面が実装基板60のレジスト61に接する。ここで、図示は省略しているが、金属層13は絶縁材(例えば、放熱性の良好なグリース等)を介してレジスト61に接している。
実装により、第1の実施形態の場合と同様に、実装後の接続部材57の厚さはΔh1’となる。Δh1’は、実装前の接続部材57の厚さΔh1よりは小さく、金属層13が外部端子51の先端よりも突出している寸法Δh2と略同一となる。
以上により、第1の実施形態の場合と同様に、第1の半導体チップ10において生じた熱を実装基板60の側に放熱することができる。ここで、金属層13は第1の半導体チップ10自体よりも放熱性に優れるので、放熱性能は更に向上している。
また、第1の半導体チップ10の厚さを設計変更できない(外部端子51の先端よりも突出する厚さにはできない)場合にも、金属層13を貼り付けることによって放熱性向上が実現する。
尚、図5(a)では、金属層13を実装基板60上のレジスト61に接続する構成を示した。しかしながら、図2(b)に示したのと同様に、レジスト61を開口して設けられた熱放散パターン63を有する実装基板60を用いても良い。このようにすると、放熱性が更に向上する。放熱ビア64についても、設けることによって放熱性が更に向上する。
(第1の実施形態の変形例2)
第1の実施形態及びその変形例1において、外部端子51の先端に接続部材57が設けられていると説明した。しかしながら、接続部材は、実装基板60の側に設けられていても良い。
図5(b)に、実装基板60の端子実装ランド62上に接続部材57aが設けられている例を示している。このような実装基板60に対し、接続部材57を有していない点を除いて変形例1の電子部品モジュール100aと同じ構造の電子部品モジュール100bを実装する。実装後の構造は、図5(a)と同様である。
ここで、実装前の接続部材57aの厚さをΔh3、実装後の接続部材57aの厚さをΔh3’とすると、Δh3>Δh3’、Δh2≒Δh3’となる。
無論、熱放散パターン63、放熱ビア64等を備える実装基板60において、端子実装ランド62上に接続部材57aを設けても良い。更に、端子実装ランド62上に接続部材57aを有する構成を、第1の実施形態に適用することも当然可能である。
(第1の実施形態の変形例3)
次に、図6(a)及び(b)には、実装基板60に設ける放熱構造について更に示している。
図2の場合、レジスト61だけが開口されて、実装基板60上に熱放散パターン63が設けられている。これに対し、図6(a)及び(b)の電子部品モジュール100cの場合、実装基板60に対して凹部が開口されており、その底部に熱放散パターン63が設けられている。更に、当該熱放散パターン63上に金属層72が形成されている。金属層72を設けることにより、放熱性が向上する。また、実装基板60中に設けられている中間Cu層を利用して熱放散パターン63を形成することもできる。
図6(a)及び(b)には、第1の半導体チップ10の背面が外部端子51の先端よりも突出している(第1の実施形態の場合に類似した)電子部品モジュール100cを実装する例を示している。実装基板60に設けた開口の深さ、金属層72の厚さ等に依存するが、金属層72の上面は、端子実装ランド62の上面とは異なる高さになる場合もある。従って、第1の半導体チップ10の厚さは、実装時にその背面が金属層72に接するように設計する。尚、ここでも、第1の半導体チップ10と金属層72との間にはグリース等の絶縁材が介在していても良い。
また、端子実装ランド62上に接続部材57aを有する場合を例示しているが、電子部品モジュール側に接続部材57を形成することも当然可能である。
(第1の実施形態の変形例4)
図7(a)及び(b)は、実装基板60に凹部を設けることなく熱放散パターン63を形成し、当該熱放散パターン63上に金属層71を設けた変形例を示している。熱放散パターン63と金属層71との間には、グリース等の絶縁材が介在しても良い。
本変形例の電子部品モジュール100dは、第1の半導体チップ10が外部端子51の先端よりも突出した構造ではない(外部端子51の先端の方が第1の半導体チップ10よりも突出している)。
実装基板60の熱放散パターン63上に設けられた金属層71により、第1の半導体チップ10が突出していなくても、実装後には第1の半導体チップ10と金属層71とが接することができる(図7(b)を参照)。これにより、第1の半導体チップ10から実装基板60側に熱が放散される。
以上において、電子部品モジュールの構成と実装基板の構成については、種々組み合わせることができる。接続部品と電子部品モジュール側及び実装基板側のいずれに設けるかについても、必要に応じて選択して良い。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態の例示的電子部品モジュール100eについて説明する。図8(a)、(b)及び(c)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100eを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図8(b)は、図8(a)におけるVIIIb-VIIIb'線及び図8(c)におけるVIIIb-VIIIb'線に対応する。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付している。
図8(b)に示すように、本実施形態の電子部品モジュール100eにおいて、第1の半導体チップ10の厚さは第2の半導体チップ20の厚さと同じ程度である。従って、第1の実施形態の場合とは異なり、第1の半導体チップ10が外部端子51の先端に対して突出した構成にはなっていない。
第1の半導体チップ10において特に発熱の大きい発熱回路12を、多層基板41の一方の辺に沿うように配置する。また、多層基板41の第一面に、発熱回路12と接するように熱放散パターン43を形成する。熱放散パターン43は、放熱用端子52に接続されている。ここで、放熱用端子52は、外部端子51と同様に枠体50に埋め込まれた端子であり、外部端子51よりも大きな面積を有するのが望ましい。また、放熱用端子52は、電気的な接続を行なう端子である必要はない。
このように、発熱回路12を多層基板41の一方の辺に沿って配置すると共に、熱放散パターン63及び放熱用端子52を設けることにより、第1の半導体チップ10において生じた熱を電子部品モジュール100eの一方の辺の側に逃がす構造となる。この結果、第1の半導体チップ10の熱が第2の半導体チップ20等に影響を及ぼすことは避けられている。
尚、枠体50について、放熱用端子52を内包する部分(熱が放散される辺の部分)と、他の辺の部分とが分離して隙間を有するように形成されている。これにより隙間から熱を逃がすことができる。また、枠体50を介して熱が第2の半導体チップ20側に伝わることを避けている。
(第2の実施形態の変形例1)
次に、第2の実施形態の変形例における例示的電子部品モジュール100fについて説明する。図9(a)、(b)及び(c)は、本変形例の例示的電子部品モジュール100fを模式的に示す上面図、断面図及び下面図であり、図9(b)は、図9(a)におけるIXb-IXb'線及び図8(c)におけるIXb-IXb'線に対応する。尚、図8(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100eと同じ構成要素には同じ符号を付している。
本変形例においても、第1の半導体チップ10は発熱回路12を有し、当該発熱回路12は多層基板41の一方の辺に沿って配置されている。
本変形例では、多層基板41に熱放散パターンは設けられていない。その代りに、第1の半導体チップ10の背面に、金属層13が絶縁材(図示は省略)を介して設けられ、更にその上に放熱用端子52が設けられている。金属層13及び放熱用端子52は、枠体50の内側に納まっていても良い。しかし、図9(a)〜(c)に示されている通り、枠体50の一部が除去され、その部分から金属層13及び放熱用端子52が枠体50の外側にはみ出していても良い。本変形例では、放熱用端子52は枠体に埋め込まれた構造ではない。
尚、枠体50の一部が除去されることで、枠体50の厚さが薄くなった段差部55が形成され、当該段差部55上に金属層13及び放熱用端子52が配置されている。多層基板41よりも外側にはみ出している部分について、実装基板側に半田等により接続しても良い。また、例えば実装基板の寸法に余裕が無い場合等には、放熱用端子52がセット(電子部品モジュール実装体を含む装置)の金属シャーシ(骨組み)等に接するように設計し、ここに熱を逃がす構造としても良い。
尚、金属層13の材料としてはCu箔、アルミ箔、鉄等を用いることができる。更に、金属層に代えて、他の物質、例えば高放熱材料のカーボン素材を用いても良い。
このような構成によっても、第1の半導体チップ10(特に発熱回路12)において生じる熱を、電子部品モジュール100fの一方の辺に放散させることができる。この結果、第1の半導体チップ10の熱が第2の半導体チップ20等に影響を及ぼすことは避けられている。
(電子部品モジュールの製造方法)
図10(a)〜(d)に、第2の実施形態の電子部品モジュール100eの製造工程を模式的な断面図にて示す。
図10(a)は、電子部品モジュール100eとなる領域を複数含む多層基板41(集合基板)に、チップ部品31(抵抗、キャパシタ等)を取り付ける工程を示している。
ここで、多層基板41は、一方の面(第一面)に枠体50を備える枠体一体型の基板である。また、枠体50に内包される外部端子51、外部端子51の接続部材57、熱放散パターン43が設けられており、他方の面にはアンテナ配線42が設けられている。
このような多層基板41に対して、チップ部品31が取り付けられる。
次に、図10(b)は、多層基板41の前記各領域に、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20をバンプ接続する工程を示している。これらは、いずれも第一面(アンテナ配線42とは反対側の面)における枠体50に囲まれた部分に取り付けられる。また、第1の半導体チップ10における発熱回路12が、多層基板41に設けられた熱放散パターン43に接続される。
次に、図10(c)に示す通り、多層基板41(集合基板)を基板分離ライン44にて分離する。これには、例えば、ブレード45を用いる。
多層基板41を分離すると、図10(d)に示す個々の電子部品モジュール100eを得ることができる。
尚、以上では、チップ部品31を取り付ける前に、多層基板41には枠体50(及び外部端子51、接続部材57)が設けられている場合を説明した。しかしながら、枠体50は、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20並びにチップ部品31と同時に面実装にて形成しても良い。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態における例示的電子部品モジュール100gについて説明する。図11(a)は、本実施形態の例示的電子部品モジュール100fを模式的に示す下面図、であり、図11(b)及び(c)は、図11(a)におけるXIb-XIb'線及びXIc-XIc'線に対応する断面を模式的に示す図である。尚、図1(a)〜(c)に示す電子部品モジュール100と同じ構成要素には同じ符号を付している。
本実施形態の電子部品モジュール100gにおいて、外部端子51を内包した枠体50は、多層基板41の対向する2辺のみに沿って形成されている。また、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20は、枠体50の延びる方向(図11(a)の例では左右方向)に並んで配置され、その間に複数のチップ部品31が配置されている。
また、枠体50は、それぞれ分離されて隙間56を有する。隙間56は、第1の半導体チップ10と第2の半導体チップ20との間に位置している。
以上により、半導体チップから生じた熱は、放熱ルート53として示すように、主として枠体50の形成されていない部分から逃げる設計にすることができる。特に、第1の半導体チップ10と第2の半導体チップ20の間にチップ部品31が設けられているので、第1の半導体チップ10による熱と第2の半導体チップ20による熱とは互いに逆向きに逃げやすくなっている。また、枠体50に設けられた隙間56からも熱が逃げるので、第1の半導体チップ10(熱の発生量が大きい)からの熱が第2の半導体チップ20に到達するのを抑制できる。
次に、図12(a)は、本実施形態の電子部品モジュール100gの製造工程を示す下面図であり、そのXIIb-XIIb'線による断面が図12(b)である。
図12(a)及び(b)に示す通り、電子部品モジュール100gとなる領域を複数含む集合基板として多層基板41に各種の部品が取り付けられた後に、基板分離ライン44においてブレード45、レーザー(図示せず)等によって個々の電子部品モジュール100gを分離する。
このように、複数の電子部品モジュール100gを基板分離ライン44によって接続しておくと、枠体50が分離された箇所(隙間56)を、多層基板41に枠体50を取り付けた形で加工することは不要となる。
つまり、電子部品モジュールとして分離した後に隙間56を形成するには切削が必要になるので、これに比べると、隙間56を有する枠体50を一括して多層基板に実装し、その後に分離する方が容易である。
尚、基板分離ライン44は、ブレード又はレーザ等により分離する際に、基板本体が切削されないだけの幅を有する。また、基板分離ライン44に、基板の配線と繋がった構造物は設けられていない。基板部分の枠体は、実装前の枠体50をつなぎ止めておく機能を果たしている。
基板分離ライン44を有することにより、隙間56を有する枠体50も一繋がりの部品として扱えるので、実装時の位置決め等、製造のための作業が容易になる。
更に、第1の半導体チップ10及び第2の半導体チップ20、チップ部品31の構成を変更した場合にも、製造条件を変えること無しに、隙間56の位置、寸法等を容易に変更することができる。
分離後の電子部品モジュールに対して切削等により枠体の隙間を設ける場合、チップ部品の追加等を行なうためには、切削の際にブレードが当たらない位置に追加のチップ部品を配置する、隙間の寸法を変更する等が必要になる。これに対し、基板分離ライン44を利用する場合、予め隙間56が設けられているので、チップ部品の配置、隙間56の寸法等に関係なく枠体50を実装できる。更には、隙間56の近くに意図的に半導体チップ又は電子部品を配置し、隙間56から放熱されやすくする設計も可能となる。
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態における例示的電子部品モジュール100hについて説明する。図13(a)〜(c)は、それぞれ本実施形態の例示的電子部品モジュールを模式的に示す下面図であり、3種類の例を示している。尚、図8(a)に示す第3の実施形態の電子部品モジュール100gと同じ構成要素には同じ符号を付している。
図13(a)の電子部品モジュール100hは、第3の実施形態における電子部品モジュール100gと同様に、多層基板41の対向する2辺に沿って枠体50が形成されている。
更に、第1の半導体チップ10側と第2の半導体チップ20側とを分離するように、分離壁58が形成されている。枠体50と分離壁58とによって、H型が構成されている。分離壁58は、枠体50と同じ材料によって形成しても良いし、熱伝導性の低い異なる材料によって形成しても良い。また、図示されているように、分離壁58にも外部端子51を内包させることができる。
このような分離壁58を形成することにより、発熱量の大きい第1の半導体チップ10にて発生した熱が第2の半導体チップ20側に伝わるのを抑えることができる。つまり、多層基板41において、第1の半導体チップ10側の枠体50が形成されていない辺に熱が逃げるようにすることができる(放熱ルート53として示している)。
これにより、第1の半導体チップ10の発熱が第2の半導体チップ20に影響するのを避けることができる。
図13(a)の場合、分離壁58の幅H1は、枠体50の幅と同等である。しかしながら、図13(b)に示す電子部品モジュール100iのように、分離壁58の幅H2を枠体の幅よりも大きくしても良い(結果、H1<H2となる)。これにより、第2の半導体チップ20側への熱の放散をより確実に抑えることができる。電子部品モジュールの熱許容量と、第1の半導体チップ10の発熱量との関係に応じて、分離壁58の幅を決定すればよい。
また、図13(c)には、分離壁58の位置を変更した電子部品モジュール100jを示している。つまり、図13(a)及び(b)では、分離壁58は枠体50の延びる方向のほぼ中央に位置している。これに対し、図13(c)の場合、電子部品モジュールにおいて、分離壁58の中央から第1の半導体チップ10側の端までの距離L1が、分離壁58の中央から第2の半導体チップ20側の端までの距離L2よりも長い。
このように、発熱量の大きい第1の半導体チップ10側が広くなるように分離壁58を設ける(L1>L2とする)ことが望ましい。但し、第2の半導体チップ20を搭載するためには一定のスペースは必要である。
以上のように、分離壁58の位置及び幅を調整することにより、電子部品モジュールの熱設計を最適化することができる。
以上のような電子部品モジュール及びその実装体を用いると、特に電子部品モジュールにアンテナ配線を一体化することにより、モバイル機器の小型化・高性能化を実現することができる。これにより、例えば、多数の映画を短時間でスマートフォンにダウンロードする、高画質の動画をスマートフォンに録画しながら複数のユーザに配信する等のことも可能となる。
以上のように、本開示の電子部品モジュール及びその実装体は、アンテナ機能を一体化し且つ放熱性が改善されているのでより小型化・薄型化が可能であり、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話及びノートパソコン等の無線機能が必要なモバイル機器等にも利用できる。
10 第1の半導体チップ
11 バンプ
12 発熱回路
13 金属層
14 発熱領域
15 高温領域
20 第2の半導体チップ
21 バンプ
31 チップ部品
41 多層基板
42 アンテナ配線
43 熱放散パターン
44 基板分離ライン
45 ブレード
50 枠体
51 外部端子
52 放熱用端子
53 放熱ルート
55 段差部
56 隙間
57 接続部材
57a 接続部材
58 分離壁
60 実装基板
61 レジスト
62 端子実装ランド
63 熱放散パターン
64 放熱ビア
71 金属層
72 金属層
100 電子部品モジュール
100a 電子部品モジュール
100e 電子部品モジュール
100f 電子部品モジュール
100g 電子部品モジュール
100h 電子部品モジュール
100i 電子部品モジュール
100j 電子部品モジュール

Claims (21)

  1. 基板と、
    前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
    前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップとを備え、
    前記第1の半導体チップは、前記外部端子の先端よりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。
  2. 請求項1において、
    前記基板における前記第一面とは反対側の第二面に設けられた配線部を備え、
    前記配線部と少なくとも1つの前記外部端子とは電気的に接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  3. 請求項1又は2において、
    前記複数の外部端子の先端上に接続部材を備え、
    前記接続部材は、前記第1の半導体チップよりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。
  4. 請求項1又は2において、
    前記第1の半導体チップが前記外部端子よりも突出する寸法は、前記外部端子を実装基板に接続する際に前記実装基板上に設けられる接続部材の高さよりも小さいことを特徴とする電子部品モジュール。
  5. 請求項1〜4のいずれか1つにおいて、
    前記配線部は無線機能を有するアンテナ配線であり、
    前記第二面には前記アンテナ配線の他には電子部品が設けられておらず、
    前記基板の前記第一面における周縁部の少なくとも一部に枠体が設けられ、
    前記複数の外部端子は、前記枠体に埋め込まれるように形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  6. 請求項1〜5のいずれか1つにおいて、
    前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に、第2の半導体チップを更に備え、
    前記第1の半導体チップはベースバンドICであり、
    前記第2の半導体チップは高周波ICであり、
    前記第第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて面積が大きく、厚さが厚く且つ発熱量が多いことを特徴とする電子部品モジュール。
  7. 請求項1〜6のいずれか1つにおいて、
    前記第1の半導体チップ上に金属層を備え、
    前記第1の半導体チップ自体に代えて、前記金属層が、前記外部端子の先端よりも、前記第一面の法線の向きに突出していることを特徴とする電子部品モジュール。
  8. 請求項6又は7において、
    前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップは、前記多層基板の前記第一面にバンプ接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  9. 請求項1〜8のいずれか1つの電子部品モジュールが実装基板に実装され、
    前記外部端子と、前記実装基板上に設けられた端子実装ランドとは、半田を接続部材として接合され、
    前記第1の半導体チップは、前記実装基板の放熱部に接していることを特徴とする電子部品モジュール実装体。
  10. 請求項9において、
    前記放熱部は、前記実装基板上に設けられた金属層からなることを特徴とする電子部品モジュール実装体。
  11. 請求項9において、
    前記放熱部は、前記実装基板に設けられた凹部に金属が埋め込まれた構造を有することを特徴とする電子部品モジュール実装体。
  12. 請求項9〜11のいずれか1つにおいて、
    前記放熱部は、前記実装基板を貫通する放熱ビア上に設けられていることを特徴とする電子部品モジュール実装体。
  13. 基板と、前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、前記第一面における前記複数の外部端子に囲まれた領域に設けられた半導体チップとを備える電子部品モジュールが実装基板に実装された電子部品モジュール実装体において、
    前記実装基板の第一面には、前記電子部品モジュールとの電気的接続を行う端子実装ランドと、前記電子部品モジュールに搭載された前記半導体チップの熱を放熱するための放熱部とが設けられ、
    前記放熱部の先端の、前記端子実装ランドから前記実装基板の前記第一面の放線の向きに突出した量の方が、
    前記外部端子の先端の、前記半導体チップから前記基板の前記第一面の放線の向きに突出した量よりも大きいことを特徴とする電子部品モジュール実装体。
  14. 基板と、
    前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
    前記第一面における前記外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、
    前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、
    前記第1の半導体チップにおける発熱回路領域は、前記基板の一端に沿って配置されており、
    前記外部端子は、前記発熱回路領域にて生じる熱を逃がすための放熱用端子を含み、
    前記放熱用端子は、前記基板における前記発熱回路領域が配置されている一端に沿って配置されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  15. 請求項14において、
    前記発熱回路領域と前記放熱用端子とは、前記基板に設けられた熱放散パターンにより接続されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  16. 請求項14又は15において、
    前記第1の半導体チップ上に放熱用部材が設けられ、
    前記放熱用部材は、前記放熱用端子と一体化して他の前記外部端子よりも大きな面積となっていることを特徴とする電子部品モジュール。
  17. 基板と、
    前記基板の第一面に設けられた複数の外部端子と、
    前記第一面における前記外部端子に囲まれた領域に設けられた第1の半導体チップ及び第2の半導体チップとを備え、
    前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップに比べて発熱量が多く、
    前記基板の前記第一面における対向する2辺に沿ってそれぞれ枠体が設けられ、
    前記外部端子は、前記枠体に埋め込まれるように形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  18. 請求項17において、
    前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップは、前記枠体の延びる方向に並んで配置され、
    前記枠体は、それぞれ、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間の位置において分離されて隙間を有しており、
    前記基板の前記第一面において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間を遮るように、複数のチップ部品が設けられていることを特徴とする電子部品モジュール。
  19. 請求項17又は18において、
    前記基板の前記第一面を前記第1の半導体チップ側と前記第2の半導体チップ側とに分離する分離壁を備えることを特徴とする電子部品モジュール。
  20. 請求項19において、
    前記分離壁は、前記枠体と一体に形成されていることを特徴とする電子部品モジュール。
  21. 請求項19又は20において、
    前記分離壁に、前記外部端子の少なくとも1つが埋め込まれていることを特徴とする電子部品モジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437295B2 (en) 2017-08-16 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor package and electronic device having the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10083923B2 (en) * 2015-09-21 2018-09-25 Intel Corporation Platform with thermally stable wireless interconnects
US10887439B2 (en) * 2015-12-22 2021-01-05 Intel Corporation Microelectronic devices designed with integrated antennas on a substrate
CN110731032B (zh) * 2017-05-02 2021-10-29 阿莫技术有限公司 天线模块
US10332862B2 (en) 2017-09-07 2019-06-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same
US11658089B2 (en) 2017-12-14 2023-05-23 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP6939982B2 (ja) * 2018-03-20 2021-09-22 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2020054001A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 三菱電機株式会社 空中線
CN111566876B (zh) * 2018-10-18 2021-07-30 阿莫技术有限公司 具有腔体结构的天线封装组件
JP2021099229A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電位測定装置
KR20210117587A (ko) * 2020-03-19 2021-09-29 삼성전자주식회사 반도체 모듈
WO2021245907A1 (ja) * 2020-06-05 2021-12-09 日本電信電話株式会社 光電子集積モジュール
JP2022025294A (ja) * 2020-07-29 2022-02-10 トレックス・セミコンダクター株式会社 半導体装置
CN111863745B (zh) * 2020-08-17 2022-04-08 天津大学 一种针对介质集成悬置线功放的散热结构

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200860A (ja) * 1998-12-31 2000-07-18 Texas Instr Inc <Ti> ボ―ル・グリッド・アレイ・パッケ―ジ
JP2002100698A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
JP2003007910A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2003124435A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波半導体装置
JP2003203943A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装基板、製造方法及び無線装置
JP2005117139A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置
JP2006210777A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2009105327A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Toyota Motor Corp 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法
JP2010239344A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Fujikura Ltd 無線回路モジュール
JP2011124251A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2013546191A (ja) * 2010-12-03 2013-12-26 インテル・コーポレーション 扁平形状の超小型電子パッケージ、扁平形状の超小型電子パッケージの製造方法、および、扁平形状の超小型電子パッケージを含む電子アセンブリ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331835A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Taiyo Yuden Co Ltd 積層電子部品及び回路モジュール
JP3937840B2 (ja) 2002-01-10 2007-06-27 株式会社日立製作所 高周波モジュール
US7235880B2 (en) * 2004-09-01 2007-06-26 Intel Corporation IC package with power and signal lines on opposing sides
JP4308797B2 (ja) * 2005-05-02 2009-08-05 株式会社アドバンストシステムズジャパン 半導体パッケージおよびソケット付き回路基板
JP4555369B2 (ja) * 2008-08-13 2010-09-29 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品モジュール及びその製造方法
US8474726B2 (en) * 2010-08-12 2013-07-02 Feinics Amatech Teoranta RFID antenna modules and increasing coupling
US9112272B2 (en) * 2010-08-12 2015-08-18 Feinics Amatech Teoranta Antenna modules for dual interface smart cards, booster antenna configurations, and methods
US9634391B2 (en) * 2011-08-08 2017-04-25 Féinics Amatech Teoranta RFID transponder chip modules
CN104471707B (zh) * 2012-07-26 2017-07-04 株式会社村田制作所 半导体模块
US9331058B2 (en) * 2013-12-05 2016-05-03 Apple Inc. Package with SoC and integrated memory

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200860A (ja) * 1998-12-31 2000-07-18 Texas Instr Inc <Ti> ボ―ル・グリッド・アレイ・パッケ―ジ
JP2002100698A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
JP2003007910A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2003124435A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波半導体装置
JP2003203943A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装基板、製造方法及び無線装置
JP2005117139A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置
JP2006210777A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2009105327A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Toyota Motor Corp 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法
JP2010239344A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Fujikura Ltd 無線回路モジュール
JP2011124251A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2013546191A (ja) * 2010-12-03 2013-12-26 インテル・コーポレーション 扁平形状の超小型電子パッケージ、扁平形状の超小型電子パッケージの製造方法、および、扁平形状の超小型電子パッケージを含む電子アセンブリ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437295B2 (en) 2017-08-16 2022-09-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor package and electronic device having the same

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