JP2015201538A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 高周波回路を収容した高周波モジュールにおいて、モジュール容積内での高周波回路の実装面積をより大きくするとともに、RF信号の伝送損失をより抑制し、かつ放熱性をより高めることを目的とする。【解決手段】 高発熱高周波回路および他の高周波回路を収納空間内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホールが形成された第一の樹脂基板と、裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板を備える。【選択図】 図1
Description
この発明は、マイクロ波、ミリ波等で動作する高周波回路を実装した高周波モジュールに関する。
従来、マイクロ波回路を格納した複数の誘電体パッケージを積層し、誘電体パッケージの間を金バンプにより階層的に接続して、高周波モジュールの底面の投影面積を小さくし、実装面積を小型化する、積層高周波モジュールが開示されている(例えば特許文献1参照)。
積層高周波モジュールは、マイクロ波回路を上下の各誘電体パッケージに分散配置し、誘電体パッケージ間を階層的に接続するので、階層間でのRF(Radio Frequency)信号用端子およびDC(Direct Current)信号/制御信号用端子間の接続を要し、個々の誘電体パッケージ内部に垂直方向にRF信号を伝送する垂直給電線路と、金バンプにより形成した階層間を疑似的な同軸線路で接続する疑似RFコネクタが必要となる。
従来の積層高周波モジュールは、マイクロ波回路を構成する内部RF部品を、各誘電体パッケージに収容し、窒素ガスを混入後、導電性を有する封止蓋を接合して気密封止する。これにより、内部RF部品の高信頼化と電磁シールド効果によるRF信号処理の動作安定化を図っている。また、積層高周波モジュールは、複数の個別の誘電体パッケージを1パッケージに一体化させて1モジュール分を構成しており、当該モジュールを駆動させる制御回路は最上層階の誘電体パッケージまたは外部パッケージに実装される。また、最下部の誘電体パッケージにおいて、内部RF部品における発熱素子の下部に、サーマルビアホールを設けて、誘電体パッケージ外部に放熱する。
従来の積層高周波モジュールは、パッケージ内部に形成した垂直給電線路および階層間を接続する疑似RFコネクタの実装領域を、マイクロ波回路の格納領域の外周部に設ける必要がある。積層高周波モジュールの外径寸法に制約がある場合、当該RFコネクタの実装領域を確保するために、内部のマイクロ波回路の格納領域の大きさが狭小化してしまう。例えば積層高周波モジュールを複数個集めてアンテナ装置を構成する場合、1つの積層高周波モジュールを1素子分の素子アンテナ専有面積内に構成するため、積層高周波モジュール単体の外径寸法を小さくせざるを得ない。このため積層高周波モジュールを駆動する制御回路の実装スペースが狭くなり、マイクロ波回路を駆動するキャパシタ、ドライバIC等の制御回路部品および外部制御基板との間で信号を授受する基板間接続コネクタの実装面積の確保が困難となるという問題があった。
また、垂直給電線路及び疑似RFコネクタにより、誘電体パッケージ内部の垂直方向にRF信号を通すことに付随して、RF信号の伝送損失が増大するという問題があった。
また、発熱素子下部のサーマルビアホールを設けた放熱板により放熱しており、熱抵抗が比較的増大し易い構造となっているため、積層高周波モジュールの送信電力に制限がかかる。また、上層階に置かれた積層高周波モジュールについては、さらに熱的経路が最下層階に置かれた放熱板から遠くなり、積層高周波モジュールの熱設計を難しくする制約となっているという問題があった。
この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、高周波回路を収容した高周波モジュールにおいて、モジュール容積内での高周波回路の実装面積をより大きくするとともに、RF信号の伝送損失をより抑制し、かつ放熱性をより高めることを目的とする。
この発明による高周波モジュールは、裏面にグランドベタパターンが形成され、表面側に複数の収納空間が形成され、当該収納空間の底面部に埋め込まれたヒートシンクと、当該ヒートシンク上に搭載された高発熱高周波回路と、当該収納空間の底面部上面における上記ヒートシンクの外側に搭載された他の高周波回路とを有し、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路を上記収納空間内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホールが形成された第一の樹脂基板と、裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板と、を備えたものである。
この発明によれば、第二の樹脂基板の下層に第一の樹脂基板をはんだボールにより接合し、高周波回路を第一の樹脂基板内に格納することで、複数階層に高周波回路を分散して配置した場合に必要な階層毎のRF信号接続線路が不要となるので、高周波回路の実装面積をより大きくすることができ、また異なる階層に配置された高周波回路間の伝送損失を低減することができる。
実施の形態1.
以下、図を用いて、この発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を説明する。図1は、実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す図である。図2は、実施の形態1による高周波モジュールの機能ブロックを示す図である。図3は、実施の形態1による高周波モジュールの第一の樹脂基板の上面図である。図4は、実施の形態1による高周波モジュールの第一の樹脂基板の下面図である。図5は、実施の形態1による高周波モジュールの第二の樹脂基板の上面図である。図6は、実施の形態1による高周波モジュールの第二の樹脂基板の下面図である。
以下、図を用いて、この発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を説明する。図1は、実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す図である。図2は、実施の形態1による高周波モジュールの機能ブロックを示す図である。図3は、実施の形態1による高周波モジュールの第一の樹脂基板の上面図である。図4は、実施の形態1による高周波モジュールの第一の樹脂基板の下面図である。図5は、実施の形態1による高周波モジュールの第二の樹脂基板の上面図である。図6は、実施の形態1による高周波モジュールの第二の樹脂基板の下面図である。
実施の形態1による高周波モジュール100は、第一の樹脂基板10と、第二の樹脂基板11と、冷却板12を備えている。第一の樹脂基板10は、複数のはんだボール16により、第二の樹脂基板11の最上面に接合される。はんだボール16は、下層の第一の樹脂基板10と上層の第二の樹脂基板11の上下層の固定と、上下層間での制御信号の接続を担う。第一の樹脂基板10の最上面は、グランドに接続されたグランドベタパターン37が形成されている。第一の樹脂基板10の裏面は、グランドに接続されたグランドベタパターン36が形成されている。グランドベタパターン36が冷却板12の上面に接触し、第一の樹脂基板10が冷却板12に接着される。冷却板12は、貫通穴45が形成されている。冷却板12は、銅タングステン合金、アルミ合金等の熱良導性の金属で形成される。
第一の樹脂基板10は、多層に積層された樹脂基板から構成され、収納空間であるキャビティ(空洞)19が複数形成されている。キャビティ19は、高さの異なる二段階の段差が形成されており、第一の樹脂基板10の最上面がキャビティ19の段差の最上段面となっている。キャビティ19の段差の最下段面はキャビティ19の底面部上面となっている。このキャビティ19の段差の最上段面と最下段面の間に、中間段差面が形成されている。第一の樹脂基板10の最上面は、グランドパッド31と制御信号/電源供給用パッド32が形成されている。グランドパッド31はグランドベタパターン37に接続される。制御信号/電源供給用パッド32は、グランドベタパターン37が長円形状に刳り貫かれた誘電体露出面内に配置されて、グランドベタパターン37と非接触になっている。グランドベタパターン37は内側にキャビティ19が配置される。キャビティ19の中間段差面には、複数の導体パッド38が形成されている。
第一の樹脂基板10は、複数の高周波回路20,21,22,24と、バイパスコンデンサ25と、垂直給電線路13a,13bと、同軸コネクタであるRFコネクタ14a,14b,14cと、グランドスルーホール18と、制御信号/電源供給用スルーホール27を備えている。複数の高周波回路20,21,22,23,24は、第一の樹脂基板10の各キャビティ19の空間内に収納されている。一組の高周波回路21,22,24は、第一の樹脂基板10における同一のキャビティ19の底面部上面に実装される。また、第一の樹脂基板10は、キャビティ19の底面部に貫通した穴46が形成されており、穴46に四角形状のヒートシンク15が嵌合している。ヒートシンク15の上面はキャビティ19の底面部上面と同じ高さの面となっており、ヒートシンク15の下面は第一の樹脂基板10の裏面と同じ高さの面になっている。ヒートシンク15は丸形状であってもよい。高周波回路20およびバイパスコンデンサ25は、ヒートシンク15の上面に、高放熱導電性接着剤のような接合剤でダイボンドされ、接着されている。ヒートシンク15は高周波回路20の放熱性を向上させる。ヒートシンク15は、銅、銅タングステン合金等により形成される。高周波回路20,21,22,24、およびバイパスコンデンサ25は、信号接続ワイヤであるボンディングワイヤ26により、キャビティ19の中間段差面における導体パッドに接続される。RFコネクタ14a,14b,14cは中心導体の周囲を円筒形状の誘電体で覆い、さらにその外周を外導体で覆っている。
高周波回路20は、発熱性の高出力増幅器(HPA(High Power Amplifier))である。高周波回路21は、高周波回路20の前段に接続されるドライバ増幅器(DA(Driver Amprifier))である。高周波回路22は、低雑音増幅器(LNA(Low Noise Amplifier))である。高周波回路24は、送信動作と受信動作の切換え、振幅調整および位相調整を行う信号制御回路CONT(Control chip)である。高周波回路24は、スイッチ、減衰器、移相器、増幅器等から構成される。バイパスコンデンサ25は、高周波回路20,21にバイアス電圧を供給するバイアス回路として作用する。高周波回路20,21は送信回路を構成し、高周波回路22は受信回路を構成する。一組の高周波回路20,21,22,24は、一つのキャビティ19を囲むモジュール構成領域30の仮想的な外形線内に配置されたRFデバイス(またはチップ)である。なお、モジュール構成領域30で囲まれた領域毎に単位モジュールを構成する。
垂直給電線路13a,13bは、それぞれ第一の樹脂基板10の中間段差面の上面と、第一の樹脂基板10の裏面の間を、垂直方向に接続している。垂直給電線路13a,13bの一端部は、第一の樹脂基板10の中間段差面上の導体パッドに接続され、ボンディングワイヤ26を介して高周波回路20に接続されている。垂直給電線路13a,13bの他端部は、第一の樹脂基板10の裏面でRFコネクタ14a,14bの中心導体にそれぞれ接続される。同様に、図示しない垂直給電線路の他端部が第一の樹脂基板10の裏面でRFコネクタ14cの中心導体に接続される。RFコネクタ14a,14b,14cは、冷却板12の貫通穴45内に収納される。制御信号/電源供給用スルーホール27は、第一の樹脂基板10の内層線路により、第一の樹脂基板10の中間段差面の上面と、第一の樹脂基板10の最上面の間を接続している。
制御信号/電源供給用スルーホール27は、第一の樹脂基板10の最上面で、一端部が制御信号/電源供給用パッド32に接続されたはんだボール16に接続される。制御信号/電源供給用スルーホール27は、第一の樹脂基板10の中間段差面の上面で垂直給電線路13a,13bの一端部に接続される。グランドスルーホール18は、第一の樹脂基板10の最上面におけるグランドパッド31と裏面におけるグランドベタパターン36の間を接続している。グランドスルーホール18は、第一の樹脂基板10の最上面で、グランドパッド31を介してはんだボール16に接続される。グランドスルーホール18は、グランドベタパターン36を介して冷却板12の上面に接続される。
第二の樹脂基板11は、上面に制御回路17が実装されている。第二の樹脂基板11は、下面(裏面)にはんだボール16が実装されている。制御回路17は、第二の樹脂基板11に形成された配線パターンおよび導体スルーホール(図示せず)を介して、はんだボール16に接続される。制御回路17は、高周波回路20,21,22,24を駆動する。また、第二の樹脂基板11は、上面に制御信号/電源供給用コネクタ40が実装されている。制御信号/電源供給用コネクタ40は、制御回路17および外部制御基板との信号授受を担う。この外部制御基板は、高周波モジュール100の各種制御を行う。また、第二の基板の下面(裏面)には、制御信号/電源供給用パッド34と、グランドベタパターン35と、グランドパッド33が形成されている。グランドベタパターン35は、当該制御信号/電源供給用パッド34の周囲を取り囲むように配置される。グランドパッド33は、グランドベタパターン35のレジストを開口した誘電体露出面内に形成されている。制御信号/電源供給用パッド34は制御信号/電源供給用のはんだボール16に接続され、グランドパッド33はグランド用のはんだボール16に接続される。
グランドスルーホール18は、第一の樹脂基板10におけるキャビティ19の周囲に複数個配置される。グランドスルーホール18は、グランドパッド31およびはんだボール16を介して、第二の樹脂基板11におけるグランドパッド33およびグランドベタパターン35と接続される。
RFデバイス(高周波回路20,21,22,24、バイパスコンデンサ25)および垂直給電線路13a,13bは、これらのグランドパターン(グランドベタパターン35,36,37)、スルーホール(制御信号/電源供給用スルーホール27、グランドスルーホール18)により囲まれて、電磁的にシールドされる。RFデバイスのうち、一部の発熱の高い部品(高周波回路20)はヒートシンク15の上面に実装される。また、他の発熱の低い部品(高周波回路21,22,24、バイパスコンデンサ25)は、第一の樹脂基板11上に直接実装することで、ヒートシンク15の面積を小さくすることができる。
ここで、第一の樹脂基板10および第二の樹脂基板11の各基板は、以下の1)から5)の順番で部品実装される。
1)ヒートシンク15が穴46に埋め込まれた下層の第一の樹脂基板10の裏面に、はんだリフローでRFコネクタ14a,14bを部品実装する。
2)第一の樹脂基板10のキャビティ19内部に、高周波回路20,21,22,24、およびバイパスコンデンサ25をダイボンドする。また、高周波回路20,21,22,24、およびバイパスコンデンサ25上の端子(導体パッド)と、導体パッド38をワイヤボンドにより接続する。
3)上層の第二の樹脂基板11の上面に、はんだリフローで制御回路17および制御信号/電源供給用コネクタ40を部品実装する。
4)第二の樹脂基板11の裏面にはんだボール16を実装する。
5)第二の樹脂基板11を、下層の第一の樹脂基板10上にはんだボール16により、BGA(Ball Grid Array)実装する。
6)第一の樹脂基板10を冷却板12の上面に実装する。
1)ヒートシンク15が穴46に埋め込まれた下層の第一の樹脂基板10の裏面に、はんだリフローでRFコネクタ14a,14bを部品実装する。
2)第一の樹脂基板10のキャビティ19内部に、高周波回路20,21,22,24、およびバイパスコンデンサ25をダイボンドする。また、高周波回路20,21,22,24、およびバイパスコンデンサ25上の端子(導体パッド)と、導体パッド38をワイヤボンドにより接続する。
3)上層の第二の樹脂基板11の上面に、はんだリフローで制御回路17および制御信号/電源供給用コネクタ40を部品実装する。
4)第二の樹脂基板11の裏面にはんだボール16を実装する。
5)第二の樹脂基板11を、下層の第一の樹脂基板10上にはんだボール16により、BGA(Ball Grid Array)実装する。
6)第一の樹脂基板10を冷却板12の上面に実装する。
次に、実施の形態1による高周波モジュール100の動作について説明する。
高周波モジュール100は、各RFデバイスが送信および受信動作を行う。まず、送信動作から説明する。
高周波モジュール100は、各RFデバイスが送信および受信動作を行う。まず、送信動作から説明する。
送信時、上層の第二の樹脂基板11は、制御信号/電源供給用コネクタ40を介して、外部制御基板からモジュール制御信号、および電源供給を受ける。上層の第二の樹脂基板11の制御回路17は、高周波回路20,21,22,24等のRFデバイス駆動用のデバイス制御信号を生成する。ここで、デバイス制御信号は、電圧レベルシフト、タイミング制御信号等からなる。
制御回路17の生成したRFデバイス駆動用のデバイス制御信号と、制御信号/電源供給用コネクタ40に供給される電源は、制御信号/電源供給用パッド34を介して下層の第一の樹脂基板10に伝送される。第一の樹脂基板10は、はんだボール16および制御信号/電源供給用パッド32と、制御信号/電源供給用スルーホール27を介して、RFデバイス(高周波回路20,21,22,24)を所要の動作状態に動作させる。
例えばRF信号(TXin)は、RFコネクタ14aから入力され、下層の第一の樹脂基板10を介して基板内部の垂直給電線路13aを通り、高周波回路(CONT)24に伝送される。TXinは、高周波回路(CONT)24でRF信号の振幅および/または位相の制御を受けた後、高周波回路(DA)21および高周波回路(HPA)20に伝達され、信号増幅される。その後、信号増幅されたTXinは、ボンディングワイヤ26を介して、出力側の垂直給電線路13bを通り、RFコネクタ14cからRF信号(TXout)として出力される。
また、受信時は、RF信号(RXin)が、RFコネクタ14bから入力され、高周波回路(LNA)22で低雑音増幅される。高周波回路(LNA)22で低雑音増幅されたRXinは、高周波回路(CONT)24でRF信号の振幅および/または位相の制御を受けた後、RFコネクタ14aから出力される。
ここで、RFデバイスの例として、高周波回路(HPA)20、高周波回路(DA)21、高周波回路(LNA)22、高周波回路(CONT)24を挙げたが、高周波モジュール100の構成としては、このデバイス例に限定されない。
下層の第一の樹脂基板10内部における、RFデバイスを収納するキャビティ19の外周のグランドスルーホール18で囲まれたモジュール構成領域30において、グランドスルーホール18間の距離(Lc)は、高周波回路20,21,22,24の動作周波数で1/2波長以下に設定されており、導波管モードの信号伝搬を抑圧している。これにより、信号接続ワイヤ(ボンディングワイヤ26)からのRF信号の放射によって、RFデバイスに入出力されるRF信号が、キャビティ19の内部空間を介して結合する。このため高周波モジュール100の不安定動作、通過特性リップル等の特性悪化を抑制することができる。
さらに、上下層の第二の樹脂基板11と第一の樹脂基板10をBGA実装により接合する。これによって、各モジュール構成領域30内の単位モジュールの間に、グランドスルーホール18およびはんだボール16を配置するとともに、グランドパターン35,36により電磁的にシールドしている。かくして、同一の第一の樹脂基板10内に複数の単位モジュールを一体的に配置し、高周波モジュール100を構成することで、単位モジュール間の電気的アイソレーションを確保することができる。
また、各RFデバイスは、絶縁性保護膜等による封止構造がそれぞれのRFデバイス単位で施され、耐湿性が確保されている。これによりモジュール単位での気密構造を不要とする。例えば、従来構造では封止蓋を金属リングに溶接して気密構造を得るが、この気密構造において所要の気密性能を確保するために所要の大きさの接合領域が必要となる。高周波モジュール100は、この接合領域を削除することができるので、RFデバイスの実装面積を増大することができる。
以上説明した通り、実施の形態1による高周波モジュール100は、裏面にグランドベタパターン36が形成され、表面側に複数の収納空間(キャビティ19)が形成され、当該収納空間(キャビティ19)の底面部に埋め込まれたヒートシンク15と、当該ヒートシンク15上に搭載された高発熱高周波回路20と、当該収納空間(キャビティ19)の底面部上面における上記ヒートシンク15の外側に搭載された他の高周波回路21,22,24とを有し、上記高発熱高周波回路20および他の高周波回路21,22,24を上記収納空間(キャビティ19)内に収容するとともに、上記高発熱高周波回路20および他の高周波回路21,22,24に接続された複数の垂直給電線路13a,13b,13c、上記垂直給電線路13a,13b,13cおよび収納空間(キャビティ19)の周囲を囲む複数のグランドスルーホール18が形成された第一の樹脂基板10と、裏面にグランドベタパターン35が形成され、当該グランドベタパターン35の誘電体露出面で上記第一の樹脂基板10の表面上面に複数のはんだボール16により接合され、当該はんだボール16、上記第一の樹脂基板10の垂直給電線路13a,13b,13c、およびグランドスルーホール18を介して、上記高発熱高周波回路20および他の高周波回路21,22,24に接続される制御回路17を有した第二の樹脂基板11を備えたことを特徴とする。
また、上記高発熱高周波回路20および他の高周波回路21,22,24は、耐湿性を有したことを特徴とする。
また、上記収納空間(キャビティ19)は、上記高発熱高周波回路20および他の高周波回路21,22,24の動作周波数での波長の2分の1以下となることを特徴とする。
また、上記第一の樹脂基板10は、裏面にヒートシンク15に熱的に接続された冷却板12が設けられるとともに、当該冷却板12の貫通穴45に同軸コネクタ(RFコネクタ14a,14b,14c)が設けられ、当該同軸コネクタが上記垂直給電線路13a,13b,13cに接続されることを特徴とする。
このように、RFデバイスを全て下層の第一の樹脂基板10内に格納したため、従来の複数階層に分散してRFデバイスを配置した階層構造で要していたRF信号の垂直給電線路およびRF信号の接続部が必要なくなるので、その分だけRFデバイスの実装面積を増大することができる。また、垂直給電線路に付随して、異なる階層に配置されたRFデバイス間の伝送損失を低減することができる。
また、複数の単位モジュールを下層の第一の樹脂基板10内に一体化して配置し、上層階の第二の樹脂基板11の面積を大型化することにより、上層階の部品の実装面積が拡大し、制御信号/電源供給用コネクタ40および制御回路17の実装領域をより広く確保することができる。また、第二の樹脂基板11上の実装コストの低減が図れる。
また、全RFデバイス(HPA20、DA21、LNA22、CONT24、バイパスコンデンサ25)を第一の樹脂基板10に実装することで、従来の複数階層に分散してRFデバイスを配置する階層構造では困難であった、発熱性のRFデバイスの放熱経路の確保がより容易となる。また、高周波回路(HPA)20のような高放熱部品は、第一の樹脂基板10に埋め込んだ高放熱のヒートシンク15上に実装することで、さらにRFデバイスの放熱性を改善することができる。
10 第一の樹脂基板、11 第二の樹脂基板、12 冷却板、13a,13b 垂直給電線路、14a,14b,14c RFコネクタ、15 ヒートシンク、16 はんだボール、19 キャビティ、18 グランドスルーホール、20,21,22,24 高周波回路、25 バイパスコンデンサ、26 ボンディングワイヤ、27 制御信号/電源供給用スルーホール、30 モジュール構成領域、31 グランドパッド、32 制御信号/電源供給用パッド、33 グランドパッド、34 制御信号/電源供給用パッド、35,36,37 グランドベタパターン、38 導体パッド、40 制御信号/電源供給用コネクタ、45 貫通穴、46 穴、100 高周波モジュール。
Claims (4)
- 裏面にグランドベタパターンが形成され、
表面側に複数の収納空間が形成され、
当該収納空間の底面部に埋め込まれたヒートシンクと、当該ヒートシンク上に搭載された高発熱高周波回路と、当該収納空間の底面部上面における上記ヒートシンクの外側に搭載された他の高周波回路とを有し、
上記高発熱高周波回路および他の高周波回路を上記収納空間内に収容するとともに、
上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続された複数の垂直給電線路、上記垂直給電線路および収納空間の周囲を囲む複数のグランドスルーホール
が形成された第一の樹脂基板と、
裏面にグランドベタパターンが形成され、当該グランドベタパターンの誘電体露出面で上記第一の樹脂基板の表面上面に複数のはんだボールにより接合され、当該はんだボール、上記第一の樹脂基板の垂直給電線路およびグランドスルーホールを介して、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路に接続される制御回路を有した第二の樹脂基板と、
を備えた高周波モジュール。 - 上記高発熱高周波回路および他の高周波回路は、耐湿性を有したことを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。
- 上記収納空間は、上記高発熱高周波回路および他の高周波回路の動作周波数での波長の2分の1以下となることを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波モジュール。
- 上記第一の樹脂基板は、裏面にヒートシンクに熱的に接続された冷却板が設けられるとともに、当該冷却板の貫通穴に同軸コネクタが設けられ、当該同軸コネクタが上記垂直給電線路に接続されたことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項記載の高周波モジュール。
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2014
- 2014-04-08 JP JP2014079173A patent/JP2015201538A/ja active Pending
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