JP2014217014A - 無線装置 - Google Patents

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敬義 伊藤
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Abstract

【課題】効率よく電波を送受信できる。【解決手段】本開示の一実施形態に係る無線装置は、基板、第１半導体チップ、ワイヤ、伝送線路、非導電層および導電層を含む。第１半導体チップは、信号を送受信する送受信回路を含み、前記基板の第１面に配置される。ワイヤは、励振素子として動作する。伝送線路は、前記基板および前記第１半導体チップの少なくともどちらか１つに形成され、前記ワイヤに給電する。非導電層は、前記第１半導体チップを封止する。導電層は、前記非導電層の表面を被覆する導体であって、該導体の少なくとも一部分に開口部が形成される。前記ワイヤは、前記伝送線路から該開口部に近づくように形成され、かつ該開口部を励振させる位置で前記基板側に配置される。【選択図】図１Ｃ

Description

本発明の実施形態は、無線装置に関する。
電子機器の高周波化、高密度化、および小型化に伴い、不要電磁波の放射による干渉が問題となっており、外部への不要電磁波の漏えいを抑制することが求められている。
例えば、半導体パッケージからの不要電磁波を抑制する一般的な方法として、シールドすることが挙げられる。半導体パッケージにシールド機能を付加するため、半導体チップを封止する非導電性樹脂層の表面を導電性樹脂層により被覆する手法がある。また、半導体を封止する非導電性樹脂層および導電性樹脂層の半導体チップ上面を被覆する部分に開口部を形成し、不要電磁波に対してシールド効果を有し、通信に用いる所望波を送受信するアンテナ内蔵モジュールもある。
しかし、上述した手法では、ノイズ源となる半導体チップと導電性樹脂に形成された開口部が近接しているため、不要電磁波に対するシールド効果が劣化する問題がある。一方、シールド効果の劣化を低減するように半導体チップから離れた位置に開口部を形成する場合は、アンテナ給電用の伝送線路と、開口部との距離が離れるため、伝送線路と開口部との電磁結合が弱くなり、アンテナ特性が劣化する問題がある。
特開平１０−９２９８１号公報
本発明の一観点は、シールド効果の劣化を低減しつつ効率よく電波を送受信できる無線装置を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明の一実施形態に係る無線装置は、基板、第１半導体チップ、ワイヤ、伝送線路、非導電層および導電層を含む。第１半導体チップは、信号を送受信する送受信回路を含み、前記基板の第１面に配置される。ワイヤは、励振素子として動作する。伝送線路は、前記基板および前記第１半導体チップの少なくともどちらか１つに形成され、前記ワイヤに給電する。非導電層は、前記第１半導体チップを封止する。導電層は、前記非導電層の表面を被覆する導体であって、該導体の少なくとも一部分に開口部が形成される。前記ワイヤは、前記伝送線路から該開口部に近づくように形成され、かつ該開口部を励振させる位置で前記基板側に配置される。
第１の実施形態に係る無線装置を示す図。 第１の実施形態に係る無線装置を示す断面図。 第１の実施形態に係る無線装置のボンディングワイヤの配置例を示す断面図。 第２の実施形態の係る無線装置を示す図。 第２の実施形態の係る無線装置を示す断面図。 第２の実施形態に係る無線装置の別例を示す図。 第２の実施形態に係る無線装置の別例を示す断面図。 第３の実施形態に係る無線装置を示す図。 第３の実施形態に係る無線装置を示す断面図。 第４の実施形態に係る無線装置を示す図。 第４の実施形態に係る無線装置を示す断面図。 第５の実施形態に係る無線装置を示す図。 第５の実施形態に係る無線装置を示す断面図。 第５の実施形態に係る無線装置の別例を示す図。 第５の実施形態に係る無線装置の別例を示す断面図。 第６の実施形態に係る無線装置を示す図。 第６の実施形態に係る無線装置を示す断面図。 第７の実施形態にかかる無線機器を示すブロック図。 無線装置を搭載した無線機器の一例を示すブロック図。 無線装置をメモリーカードに搭載した無線機器の一例を示す図。
以下、図面を参照しながら本開示の一実施形態に係る無線装置について詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、同一の番号を付した部分については同様の動作を行うものとして、重ねての説明を省略する。
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る無線装置について図１Ａ、図１Ｂおよび図１Ｃを参照して説明する。図１Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図１Ｂは、図１Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。図１Ｃは、図１Ａ中の線分Ｃ−Ｃ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第１の実施形態に係る無線装置１００は、回路基板１０１、半導体チップ１０２、封止樹脂１０３、導電性膜１０４、アンテナ給電用伝送線路１０５、ボンディングワイヤ１０６および端子１０７を含む。なお、無線装置１００は、半導体パッケージとも呼ぶ。
回路基板１０１は、半導体チップ１０２などの素子を配置するための基板であり、回路基板１０１の第１面に配線やグランドなどの回路パターンが形成される。なお、図示しないが、回路基板１０１上に、チップコンデンサ、抵抗、インダクタおよびＩＣなどの部品が実装されてもよい。
半導体チップ１０２は、例えばシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム砒素などの材料による半導体基板からなり、半導体基板の内部または表層に銅、アルミ、金等で金属パターンが形成されたものである。半導体チップ１０２は、回路基板１０１の第１面に積層され、回路基板１０１の配線やグランドと、ボンディングワイヤやバンプなどを通して電気的に接続される。また、半導体チップ１０２は、信号を送受信するための送受信回路を含む。
なお、半導体チップ１０２は、誘電体基板や磁性体基板、金属、もしくはそれらの組み合わせでもよい。また、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）で構成されてもよい。さらに、図１Ｂには、半導体チップ１０２が１つである場合を示すが、これに限らず、半導体チップ１０２が複数存在してもよい。また、半導体チップ１０２がスタックされていてもよいし、横に並べられていてもよい。
封止樹脂１０３は、例えば、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料で形成され、半導体チップ１０２を保護するために、回路基板１０１の第１面に充填される。なお、封止樹脂１０３は、非導電層の一例であり、非導電層を形成する材料は、樹脂に限らず、他の非導電材料または絶縁材料を用いてもよい。
導電性膜１０４は、導体により形成される膜であり、封止樹脂１０３の表面を覆う。さらに、導電性膜１０４は、封止樹脂１０３を覆う導体の一部分が開口して封止樹脂１０３を覆うように形成される。本実施形態では、導電性膜１０４の開口している部分を開口部１０８と呼ぶ。図１Ａの例では、開口部１０８が１つである場合を示すが、これに限らず開口部１０８が複数あってもよい。
アンテナ給電用伝送線路１０５は、給電を行うための伝送線路であり、回路基板１０１および半導体チップ１０２の少なくともどちらか一方に配置される。
ボンディングワイヤ１０６は、導体で形成されるワイヤであり、アンテナ給電用伝送線路１０５に接続される。
端子１０７は、例えば半田ボールであり、回路基板１０１の第１面に対向する第２面に配置され、他の基板、装置などと接続するための導体である。
次に、ボンディングワイヤ１０６の配置例について図１Ａおよび図１Ｃを参照して説明する。
図１Ｃに示すように、ボンディングワイヤ１０６の一端が、回路基板１０１にあるアンテナ給電用伝送線路１０５に接続され、アンテナ給電用伝送線路１０５から導電性膜１０４の開口部１０８に向かってアーチ状に形成される。すなわち、ボンディングワイヤ１０６は、アンテナ給電用伝送線路１０５の一部を形成し、ボンディングワイヤ１０６が開口部１０８に近づくように形成される。
また、ボンディングワイヤ１０６は、開口部１０８を励振させるように開口部１０８と対向する位置に配置される。図１Ａでは、開口部１０８の形状は略長方形であり、開口部１０８から回路基板１０１側をみた場合、ボンディングワイヤ１０６が開口部１０８の長手方向に略直交するように形成する。開口部１０８の長手方向の長さを通信に用いる所望周波数の略半波長に設定すると、開口部１０８の長手方向を略直交するように形成されたボンディングワイヤ１０６は、開口部１０８の励振素子として動作し、開口部１０８は、スロットアンテナとして動作する。よって、開口部１０８は、ボンディングワイヤ１０６により電磁界結合給電され、所望の周波数の電磁波を効率よく放射または受信することができる。なお、開口部１０８の形状を変えることで、開口部１０８をスロットループアンテナまたはノッチアンテナとして動作させてもよい。
また、ボンディングワイヤ１０６は、回路基板１０１上から開口部１０８に向かってアーチ状に形成されているため、回路基板上にあるアンテナ給電用伝送線路または半導体チップ上にあるアンテナ給電用伝送線路を励振素子として動作させる場合に比べ、開口部１０８と励振素子との間の距離が近くなる。よって、開口部と励振素子とが強く電磁結合し、アンテナ特性を改善することができる。なお、図１Ａの例では、ボンディングワイヤ１０６はアーチ状に形成されるが、コの字形状など、開口部１０８に近づくような他の形状であってもよい。また、開口部１０８の長手方向とボンディングワイヤ１０６とは略直交しているが、鋭角になるなど、ある角度を有して斜めに交差してもよい。
なお、上述した導電性膜１０４は、半導体チップ１０２から放射される不要電磁波の漏えいを防止するため、抵抗率が低い金属などの導体や導電性樹脂による導電層で形成することが望ましい。例えば、銅、銀、ニッケルなどからなる金属や銅、銀などを含む導電性樹脂を導電性膜１０４として用いればよい。また、導電性膜１０４の厚さは、導電性膜の材料の抵抗率に基づいて設定することが望ましい。例えば、導電性膜１０４の抵抗率を導電性膜１０４の厚みで割った値であるシート抵抗値が０．５Ω以下となるように、導電性膜１０４の厚さを設定することが望ましい。このように、導電性膜１０４のシート抵抗値を０．５Ω以下に設定することで、不要電磁波の漏えいを再現性よく抑制することができる。
さらに、導電性膜１０４を回路基板１０１のグランドと低抵抗に接続させることで、高いシールド効果を得ることができる。図１Ａおよび図１Ｂの例では、導電性膜１０４は回路基板１０１の側面に接しており、側面で回路基板１０１のグランド（図示せず）に接続される。
また、図１Ａ、１Ｂおよび１Ｃに示す半導体パッケージは、回路基板１０１の第２面に半田ボールで形成される端子１０７を備えるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージである。しかし、これに限らず、半導体パッケージは、他の種類のパッケージでも、半導体チップと基板とで構成されるモジュールでもよい。
さらに、回路基板１０１の封止樹脂１０３で覆われる部分には、半導体チップ１０２の他にチップコンデンサ、ＩＣなどの他の部品（図示せず）が実装されていてもよい。また、図１Ａおよび図１Ｂでは、半導体チップ１０２および半導体パッケージの形状が正方形である場合を示すが、これに限らず、長方形などの矩形、矩形以外の多角形、円形または他の複雑な形状であってもよい。
以上に示した第１の実施形態によれば、開口部をスロットアンテナとして動作させ、ボンディングワイヤを励振素子として動作させる際に、ボンディングワイヤをアーチ状に形成して開口部とボンディングワイヤとの距離を近づけることにより、スロットと励振素子との結合量を改善することができ、効率よく所望の周波数での電磁波を放射および受信することができる。
（第２の実施形態）
一般的に、開口部を形成する場合に、導電性膜のシールド量が劣化することを低減するには、開口部をノイズ源である半導体チップから離れた位置に形成することが必要である。開口部が半導体チップ直上にある場合は、半導体チップ上に設けた伝送線路でも開口部と結合して電磁波を放射できるが、開口部が半導体チップの直上から離れてしまうと電磁結合が弱くなる。
そこで、第２の実施形態に係る無線装置は、励振素子として動作するボンディングワイヤの一端を回路基板上のアンテナ給電用伝送線路に接続する。このようにすることで、開口部とボンディングワイヤとを強く電磁結合させることができ、アンテナ特性を改善することができる。
第２の実施形態に係る無線装置について図２Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。
図２Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図２Ｂは、図２Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第２の実施形態に係る無線装置２００は、回路基板１０１、半導体チップ１０２、封止樹脂１０３、導電性膜１０４、アンテナ給電用伝送線路１０５、ボンディングワイヤ１０６および端子１０７を含む。
第２の実施形態に係る無線装置２００は、ボンディングワイヤの接続位置以外は第１の実施形態に係る無線装置１００と同様であるので詳細な説明は省略する。
第２の実施形態では、アーチ状のボンディングワイヤ１０６の一端が、回路基板１０１上に配置されたアンテナ給電用伝送線路１０５に接続され、ボンディングワイヤ１０６がアンテナ給電用伝送線路の一部を形成する。
開口部１０８は、ボンディングワイヤ１０６によって、電磁界結合給電され、開口部から所望の電磁波を放射および受信する。ボンディングワイヤ１０６は、第１の実施形態と同様に、励振素子として動作する。ボンディングワイヤ１０６はアーチ状であるため、回路基板１０１上の伝送線路を励振素子として動作させる場合に比べ、開口部と励振素子（ボンディングワイヤ）との間の距離を近づけることができ、強く電磁結合させることができる。
次に、第２の実施形態に係る無線装置の別例について図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。
図３Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置３００の上面図であり、図３Ｂは、図３Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、開口部１０８が導電性膜１０４のうち封止樹脂１０３の側面部を被覆する部分に形成される例である。この場合も、開口部１０８と回路基板１０１上のアンテナ給電用伝送線路１０５との距離が遠くなるので結合が弱くなり、アンテナ特性が劣化する。
そこで、図３Ｂに示すように、ボンディングワイヤ１０６を開口部１０８に対向する位置に配置することで、アンテナ特性を改善することができる。なお、図３Ｂに示す場合、開口部１０８が形成された側面の正面方向に電磁波が放射される。
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、一方のパッケージ側面からの距離と他方のパッケージ側面からの距離とが同程度の位置（例えば、図３ＡのＹ軸方向での中心、つまりＤ−Ｄ’線上）にアンテナ給電用伝送線路１０５に接続されるボンディングワイヤ１０６を配置することで、封止樹脂表面が導電性膜で被覆された共通の半導体パッケージを用いて、開口部の位置を変えるだけで、放射方向を変えることができる。例えば、パッケージ上面から側面に渡ってＬ字型の開口部を形成した場合は、開口部から半導体パッケージの斜め上方を電磁波の放射方向とすることができる。
以上に示した第２の実施形態によれば、ノイズ源である半導体チップから離れた位置に開口部を形成する場合、ボンディングワイヤによりアーチを形成し、開口部とボンディングワイヤとの距離を近づけることで、アンテナ特性を改善し、所望の電磁波を効率よく放射および受信することができる。
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る無線装置は、励振素子として動作するボンディングワイヤの一端が、半導体チップ上のアンテナ給電用伝送線路に接続される点が、上述の実施形態とは異なる。
第３の実施形態に係る無線装置について図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。図４Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図４Ｂは、図４Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第３の実施形態に係る無線装置４００は、ボンディングワイヤの接続位置以外は第１の実施形態に係る無線装置１００と同様であるので詳細な説明は省略する。
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、ボンディングワイヤ１０６の一端が半導体チップ１０２のアンテナ給電用伝送線路１０５に接続され、ボンディングワイヤ１０６の他端が回路基板１０１の金属パターンに接続される。これは、要求されるシールド量が比較的小さく、開口部１０８が半導体チップ１０２に近づけられる場合に有効である。さらに、この構造は、半導体チップ１０２と回路基板１０１とを接続する通常のボンディングプロセスで作成することができるので、容易に作成することができる。
また、図４Ａでは、開口部１０８が２つ形成される例を示すが、これに限らず、開口部１０８の数は１つでも、３つ以上であってもよい。
また、図４Ａの２つの開口部のそれぞれの励振振幅、位相を調整することで、直線偏波、円偏波、楕円偏波を放射することができる。
以上に示した第３の実施形態によれば、要求されるシールド量が比較的小さい場合、ボンディングワイヤを半導体チップ上のアンテナ給電用伝送線路に接続することで、回路基板上の伝送線路にボンディングワイヤを接続する場合と比較して、開口部とボンディングワイヤとの間の距離を近づけることができ、所望の周波数の電磁波を効率よく放射および受信することができる。
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る無線装置は、励振素子として動作するボンディングワイヤの一端が、半導体チップ上のアンテナ給電用伝送線路に接続され、他端が半導体チップ上の金属パターンに接続される点が、上述の実施形態とは異なる。
第４の実施形態に係る無線装置について図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明する。図５Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図５Ｂは、図５Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第４の実施形態に係る無線装置５００は、ボンディングワイヤの接続位置以外は第１の実施形態に係る無線装置１００と同様であるので詳細な説明は省略する。
第４の実施形態では、要求されるシールド量が比較的小さく、封止樹脂１０３の上面のうち、半導体チップ１０２の直上の領域に、開口部１０８の少なくとも一部が含まれる場合を想定する。図５Ｂに示すように、ボンディングワイヤ１０６の一端が、半導体チップ１０２のアンテナ給電用伝送線路１０５に接続され、ボンディングワイヤ１０６の他端が半導体チップ１０２の金属パターンに接続される。このようにすることで、上述した実施形態と同様に、スロットとして動作する開口部１０８と励振素子として動作するボンディングワイヤ１０６との距離を近づけることができる。
以上に示した第４の実施形態によれば、要求されるシールド量が比較的小さい場合、励振素子として動作するボンディングワイヤの一端を、半導体チップのアンテナ給電用伝送線路に接続し、他端を半導体チップの金属パターンに接続することで、開口部とボンディングワイヤとの距離を近づけることができ、アンテナ特性を改善し、所望の周波数の電磁波を効率よく放射および受信することができる。
（第５の実施形態）
第５の実施形態に係る無線装置は、回路基板上に台を配置し、ボンディングワイヤを流れる電流の強度が最大となる位置を開口部に近づけるように調整する点が上述の実施形態と異なる。
第５の実施形態に係る無線装置について、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図６Ｂは、図６Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第５の実施形態に係る無線装置６００は、台６０１を含み、さらにボンディングワイヤの接続位置が異なる以外は第１の実施形態に係る無線装置１００と同様である。
台６０１は、誘電体基板、磁性体基板、金属またはこれらの組み合わせで形成され、回路基板１０１上に配置される。また、台６０１は、金属パターンを有する。
開口部１０８を効率よく励振するためには、開口部１０８に対向する位置で、伝送線路（ボンディングワイヤ）を流れる電流の強度が最大となる必要がある。
具体的には、アンテナ給電用伝送線路に接続されるボンディングワイヤ１０６の一端とは反対側の、金属パターンに接続される他端から使用周波数の４分の１波長と２分の１波長の整数倍との和となる点が開口部１０８に最も近い位置にあればよい。さらに、製造上および周波数帯域の観点からは、金属パターンに接続されるボンディングワイヤ１０６の他端から４分の１波長になる点が開口部１０８に最も近く配置しやすい。
しかし、回路基板１０１上のみからボンディングワイヤ１０６でアーチを形成する場合、金属パターンに接続されるボンディングワイヤ１０６の他端から４分の１波長の点がアーチの立ち上がり部分に含まれてしまい、開口部１０８を効率よく励振することができないことがある。
そこで、図６Ｂに示すように、回路基板１０１上に金属パターンを含む台６０１を配置し、ボンディングワイヤ１０６の一端を台６０１上の金属パターンに接続することで、金属パターンに接続されたボンディングワイヤの終端から４分の１波長の点を開口部１０８に最も近い位置で対向させることができる。結果として、開口部１０８とボンディングワイヤ１０６との電磁結合を改善することができる。
なお、図６Ｂでは、ボンディングワイヤ１０６の台６０１に接続される一端の反対側であるボンディングワイヤ１０６の他端が、半導体チップ１０２上のアンテナ給電用伝送線路１０５に接続されているが、回路基板１０１上のアンテナ給電用伝送線路１０５に接続するようにしてもよい。
また、台６０１は、半導体チップでもよい。半導体チップが複数含まれるマルチチップパッケージにおいて、半導体チップ間にボンディングワイヤを形成し、ボンディングワイヤに対向する位置に開口部を形成してもよい。
次に、第５の実施形態に係る無線装置の別例について図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。
図７Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置７００の上面図であり、図７Ｂは、図７Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
図７Ａおよび図７Ｂは、台６０１が半導体チップ１０２上に配置される例である。回路基板１０１上に台６０１を配置するスペースがない場合に、台６０１を半導体チップ１０２上にスタックする。
この場合も、図７Ｂに示すように、ボンディングワイヤ１０６を開口部１０８に対向する位置に配置することで、アンテナ特性を改善することができる。
また、図７Ａおよび図７Ｂでは、台６０１が半導体チップ１０２上にスタックされているが、台６０１は、無線装置７００に内蔵されるその他の実装部品上にスタックされていてもよい。
以上に示した第５の実施形態によれば、ボンディングワイヤの一端を台上の金属パターンに接続し、金属パターンに接続されたボンディングワイヤの終端から４分の１波長と２分の１波長の整数倍との和となる点を開口部に近づけて対向させることで、アンテナ特性を改善し、所望の周波数の電磁波を効率よく放射および受信することができる。
（第６の実施形態）
第６の実施形態では、ボンディングワイヤの両端が台上のアンテナ給電用伝送線路および金属パターンに接続される点が上述の実施形態と異なる。
第６の実施形態に係る無線装置について、図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。図８Ａは、Ｚ軸方向から見た無線装置の上面図であり、図８Ｂは、図８Ａ中の線分Ｂ−Ｂ’間をｙ軸方向から見た無線装置の断面図である。
第６の実施形態に係る無線装置８００は、ボンディングワイヤの接続位置が異なる以外は第５の実施形態に係る無線装置６００と同様である。
ボンディングワイヤ１０６の一端を、台６０１のアンテナ給電用伝送線路１０５に接続し、ボンディングワイヤ１０６の他端を、台６０１の金属パターンに接続する。このようにすることで、上述の実施形態と同様に、開口部１０８とボンディングワイヤ１０６との距離を近づけ、さらに終端から４分の１波長の点を開口部１０８に近づけることができる。加えて、台６０１の回路基板１０１からの高さを変えることで、ボンディングワイヤ１０６の長さを変えずに、開口部１０８とボンディングワイヤ１０６との距離を変更できるので、調整が容易となる。
以上に示した第６の実施形態によれば、ボンディングワイヤの両端を台に接続することにより、開口部とボンディングワイヤとの距離を容易に調節し、効率よく所望の電磁波を放射および受信することができる。
（第７の実施形態）
第１の実施形態から第６の実施形態までに示したような無線装置を無線機器に用いることも可能である。第１の実施形態から第６の実施形態までに係る無線装置を搭載した無線機器の一例について説明する。無線機器は、データまたは画像や動画をやりとりする機器に上述した無線装置を搭載した機器である。
はじめに、第７の実施形態に係る無線機器について図９のブロック図を参照して説明する。
図９に示す無線機器９００は、無線装置９０１、プロセッサ９０２およびメモリ９０３を含む。
無線装置９０１は、外部とデータの送受信を行う。なお、第１の実施形態から第６の実施形態のいずれの無線装置を用いてもよい。
プロセッサ９０２は、無線装置９０１から受け取ったデータ、または無線装置９０１へ送信するデータを処理する。
メモリ９０３は、プロセッサ９０２からデータを受け取ってデータを記憶する。
次に、無線装置９０１を搭載した無線機器の一例について図１０を参照して説明する。
無線機器は、ここでは例えばノートＰＣ１００１及び携帯端末１００２である。ノートＰＣ１００１および携帯端末１００２はそれぞれ、内部または外部に無線装置８０１を搭載し、例えばミリ波帯の周波数を用いて無線装置１００１を介したデータ通信を行う。図１０の例では、無線装置の例として第２の実施形態に係る無線装置２００を図示するが、これに限らず他の実施形態に係る無線装置でもよい。
ノートＰＣ１００１に搭載された無線装置９０１と携帯端末１００２に搭載された無線装置９０１とは、アンテナの指向性が強い方向が対向するように配置することで、データのやりとりを効率よく行うことができる。
図１０の例では、ノートＰＣ１００１および携帯端末１００２を示すが、これに限らず、ＴＶ、デジタルカメラ、メモリーカードなどの機器に無線装置を搭載してもよい。
以上に示した第７の実施形態によれば、上述した無線装置をノートＰＣ及び携帯端末などのようなデータ通信を行なう通信機器に搭載することで、データの送受信をノイズの影響を低減して効率よく行なうことができる。
（第８の実施形態）
無線装置をメモリーカードに搭載した無線機器の一例を図１１に示す。
図１１に示すように、メモリーカード１１００は無線装置９０１とメモリーカード本体１１０１とを含み、ノートＰＣや携帯端末、デジタルカメラなどと無線装置９０１を介して無線通信を行うことができる。
これによって、メモリーカード１１００は無線装置９０１を含むことにより、ノートＰＣや携帯端末、デジタルカメラなどと無線通信を行なうことができる。
以上に示した第８の実施形態によれば、無線装置をノートＰＣまたは携帯端末等と無線によりデータ通信を行う無線装置にメモリーカードに搭載することで、ノイズの影響が少ない無線通信機能付きのメモリーカードを提供することができ、データ等の送受信を効率よく行うことができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９０１・・・無線装置、１０１・・・回路基板、１０２・・・半導体チップ、１０３・・・封止樹脂、１０４・・・導電性膜、１０５・・・アンテナ給電用伝送線路、１０６・・・ボンディングワイヤ、１０７・・・端子、１０８・・・開口部、６０１・・・台、９００・・・無線機器、９０２・・・プロセッサ、９０３・・・メモリ、１００１・・・ノートＰＣ、１００２・・・携帯端末、１１００・・・メモリーカード、１１０１・・・メモリーカード本体。

Claims (11)

  1. 基板と、
    信号を送受信する送受信回路を含み、前記基板の第１面に配置される第１半導体チップと、
    励振素子として動作するワイヤと、
    前記基板および前記第１半導体チップの少なくともどちらか１つに形成され、前記ワイヤに給電するための伝送線路と、
    前記第１半導体チップを封止する非導電層と、
    前記非導電層の表面を被覆する導体であって、該導体の少なくとも一部分に開口部が形成される導電層と、を具備し、
    前記ワイヤが、前記伝送線路から該開口部に近づくように形成され、かつ該開口部を励振させる位置で前記基板側に配置される無線装置。
  2. 前記開口部は、矩形であり、
    前記ワイヤは、前記第１半導体チップと前記開口部との距離および前記基板と該開口部との距離よりも、該開口部に近い位置に配置され、かつ、該開口部から前記基板側をみた場合に該開口部の長手方向に略直交するように形成される請求項１に記載の無線装置。
  3. 前記ワイヤの一端が、前記第１半導体チップの前記伝送線路に接続される請求項１または請求項２に記載の無線装置。
  4. 前記ワイヤの一端が、前記基板の前記伝送線路に接続される請求項１または請求項２に記載の無線装置。
  5. 前記ワイヤの一端が前記第１半導体チップの前記伝送線路に接続され、該ワイヤの他端が該第１半導体チップの該伝送線路とは異なる金属パターンに接続される請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の無線装置。
  6. 前記基板上および前記第１半導体チップ上の少なくとも１つに配置され、金属パターンを含む台をさらに具備し、
    前記ワイヤは、一端が前記基板の前記伝送線路または前記第１半導体チップの前記伝送線路に接続され、他端が前記台の金属パターンに接続され、かつ、該ワイヤに流れる電流の強度が最大となる点が前記開口部に最も近い位置に配置される請求項１または請求項２に記載の無線装置。
  7. 前記ワイヤは、前記他端から使用周波数の４分の１波長と２分の１波長の整数倍との和となる点が前記開口部に最も近い位置に配置される請求項６に記載の無線装置。
  8. 前記基板上に配置され、金属パターンおよび前記伝送線路を含む台をさらに具備し、
    前記ワイヤは、一端が前記台の伝送線路に接続され、他端が該台の該伝送線路とは異なる金属パターンに接続される請求項１または請求項２に記載の無線装置。
  9. 前記台は、前記第１半導体チップとは異なる第２半導体チップである請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の無線装置。
  10. 外部と無線通信する無線機器であって、
    外部と無線通信するための請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の無線装置と、
    前記無線装置による無線通信に関係するデータを処理するプロセッサと、
    前記データ処理に関係するデータを記憶するメモリとを具備する無線機器。
  11. 外部と無線通信するメモリーカードであって、
    外部と無線通信するために請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の無線装置を具備するメモリーカード。
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