TW200946631A - Dicing die bond film - Google Patents

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200946631 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於將用以固著晶片狀工件（半導體晶 片等）與電極構件之接著劑在切晶前附設於工件（半導體晶 圓等）上之狀態下供於工件之切晶的切晶黏晶膜、其製造 方法及使用其之半導體裝置之製造方法。 【先前技術】 形成有電路圖案之半導體晶圓（工件）係視需要藉由背面 研磨而調整厚度之後，被切割成半導體晶片（晶片狀工 件）（切晶步驟）。切晶步驟中，為了將切割層除去，通常以 適當之液壓（通常為2 kg/cm2左右）清洗半導體晶圓。接 著，利用接著劑將上述半導體晶片固著於導線框等被黏接 體上（安裝步驟）之後，移送至黏晶步驟中。上述安裝步驟 中，將接著劑塗布於導線框或半導體晶片上。但是該方法 難以實現接著劑層之均勻化，而且接著劑之塗布必需特殊 裝置或較長時間。因此，提出有一種於切晶步驟十接著保 持半導體晶圓、並且於安裝步驟中亦提供必要之晶片固著 用接著劑層的切晶黏晶膜（例如參照專利文獻丨）。 專利文獻1所記載之切晶黏晶膜係於切基材上以可剝 離之方式設置接著劑層而成。即，於藉由接著劑層之保持 下切割半導體晶圓之後，使支持基材延伸而將半導體 :同接著劑層一併剝離，並分別加以回收，經由該接： 層而固著於導線框等被黏接體上。 對於此種切晶黏晶膜之接著劑層而言，為了不產生無法 137158.doc 200946631 切日日或尺寸差錯專狀況，而翻望1目士 而期望其具有對半導體晶圓之良 好的保持力、及可將切晶後 曼之+導體日曰片與接著劑層一體 地自支持基材剝離之良好的剝離性。然而’取得該兩特性 之平衡絕非易事。尤其如利用旋轉圓刀等切割半導體晶圓 之方式專般要求接著劑層具有較大的保持力之情形時，難 以獲得滿足上述特性之切晶黏晶膜。 ❹ ❹ :此，為了克服此種問題，已提出了各種改良方法(例 如參照專散獻2)。專利文獻2巾提出有如下方法：於支 持基材與接著劑層之間介隔可進行紫外線硬化之黏著劑 層，使其於切晶後進行紫外線硬化，而使黏著劑層與接著 劑層間之接著力下降，並藉由兩者間之剝 半導體晶片。 然而’即使利用該改良方法’有時亦難以實現使切晶時 之保持力與此後之剝離性巧妙平衡的切㈣晶膜。❹， 於！ 〇 mrnx i〇 mm以上之大型半導體晶片或25〜75 _之極薄 半導體晶片之情形時，利用通常之點晶機無法容易地提取 半導體晶片。 針對此種問題，下述專利文獻3中揭示，藉由㈣著劑 層中與半導體晶圓之貼附部分相對應的部分照射紫外線， 使該部分硬化而提高提取性H若為專利文獻3所纪 載之切晶黏晶膜，則有時切晶後之切割面中會露出構成黏 晶模之接著劑之糊，由此導致切割面彼此再附著_。 結果，存在半導體晶片之提取變困難之問題。 專利文獻1:日本專利特開昭60-57642號公報 I37158.doc 200946631 專利文獻2 :日本專利特開平2-248064號公報 專利文獻3:曰本專利特開2005-5355號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 本發明係雲於上述問題研發而成，其目的在於提供—種 刀日日黏日日膜、其製造方法及使用其之半導體裝置之製造方 法，上述切晶黏晶膜係具備於基材上具有黏著劑層之切晶 膜、及设置於該黏著劑層上之黏晶膜者，且即使於半導體 晶圓為薄型之情形時，切割該薄型半導體晶圓時之保持力 與將藉由切晶所得之半導體晶片和其黏晶膜一體地剝離時 之剝離性的平衡特性亦優異。 解決問題之技術手段 本案發明者等為了解決上述先前之問題而就切晶黏晶 膜、其製造方法及使用其之半導體裝置之製造方法進行了 =究。肖果發ί見，若為對紫外線照射前之黏著劑層貼合黏 ΒΒ膜而製作之切晶黏晶膜，則黏著劑層與黏晶膜之界面處 之密著性較高，過度地表現出固著效果，結果存在即使藉 由紫外線照射使黏著劑層硬化而提取半導體晶片亦難以剝 離之情形。 為了解決上述課題，本發明之切晶黏晶膜之特徵在於： 其係具備於基材上具有黏著劑層之切晶膜、及設置於該黏 著劑層上之黏晶膜者；並且上述黏著劑層係含有包含作為 主單體之丙烯酸酯、相對於丙烯酸酯而含量為i〇〜4〇 m〇i% 之範圍内的含羥基之單體、及相對於含羥基之單體而含量 137158.doc 200946631 為70〜90 mol%之範圍内的具有 a « . 基反應性碳-碳雙鍵之 異:氰U曰化合物的聚合物而構成，且係藉由特定條件下之 1外線照射進行硬化而成者； 上疋黏日日膜係含有環氧樹脂 構成，且係對紫外線照射後之黏著劑層加以貼合者。 上述黏著制係於與黏晶膜貼合之前藉由料線照射預 :::而：成者。因此，黏著劑層表面較硬，於與黏晶膜 …… 藉此，可降低黏著劑層與黏 ❹ ❿ 日日膜間之固者效果，例如於半導體晶片之提取時，黏著劑 層與黏晶膜間之剝離性變良好。結果，可實現提取性之提 兩。又，若藉由紫外線照射使黏著劑層硬化，則由於形成 交聯結構而黏著劑層之體積縮小。因此，例如若於與黏晶 膜貼合之後對黏著劑層照射紫外線而使其硬化，則會對黏 晶膜施加應力。結果有時切晶黏晶膜整體產生趣曲。然 而，本發明之切晶黏晶膜係藉由紫外線照射進行硬化之後 與黏晶媒貼合而形成者’故亦可防止對黏晶膜施加多餘之 應力。結果可獲得無魅曲之切晶黏晶膜。 又，上述黏晶膜係含有環氧樹脂而構成，因此，例如即 使由於切晶而與半導體晶圓一併被切割，亦可防止其切割 面中露出構成黏晶膜之接著劑之糊。藉此，可防止切割面 彼此再附著（黏連），從而可使半導體晶片之提取更為良 好。 又，上述黏著劑層中使用丙烯酸酯作為主單體，故可實 現剝離力之降低，從而可實現良好之提取性。進而，藉由 使含經基之單體之含量為10 mol%以上，而抑制紫外線照 137158.doc 200946631 射後之交聯不足。結果，例如切晶時對貼附於黏著劑層上 之切晶環可防止殘糊之產生。另一方面，藉由使上述含量 為40 mol%以下，可防止由紫外線照射引起之交聯過分地 進行從而導致難以剝離、提取性下降。又，亦可防止伴隨 著聚合物之部分凝膠化而導致之生產性下降。 進而，於本發明中，由於採用具有自由基反應性碳碳 雙鍵之異氰酸酯化合物代替多官能性單體，故不存在該多 官能性單體於黏晶膜中發生物質擴散之情況。結果，可防 止切晶膜與黏晶膜之肖失，從而可實現更良好之提 取性。 於上述構成中，上述丙烯酸酯較好的是cH2 = Chc〇〇r (式中，R係碳數為6〜10之烷基）。於使用CH2=CHC00r作 為丙婦酸醋之情料，藉自使用；式中之&基R之碳數為 6〜10之範圍内者’可防止剝離力變得過大而提取性下降。 上述紫外線之照射較好的是於30〜1000 mJ/cm2之範圍内 進行。藉由使紫外線之照射為30 mJ/cm2以上，而使黏著 劑層充分硬化’從巾防止其與黏晶膜過度密I。結果，可 實現良好之提取性能’且可防止提取後於黏晶膜上附著黏 著劑（所謂殘糊）。另一方面’藉由使紫外線之照射為1000 mJ/em2以下’可減少對基材之熱損傷。又，可防止黏著劑 層之硬化過度地進行而拉㈣性模數變得過大、延伸性下 降。進而，防止黏著力過度下降，藉此可於工件之切晶時 防止晶片飛散之產生。 上述含經基之單體較好的是選自（曱基）丙稀酸_2經基乙 137158.doc 200946631 酯、（甲基）丙烯酸-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸·‘羥基丁 酯、（甲基）丙烯酸-6-羥基己酯、（甲基）丙烯酸_8_羥基辛 酯、（甲基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（尹基）丙烯酸_12_羥基月 桂醋、及（甲基）丙烯酸（4-羥基子基環己基）甲酯所組成之 群中的至少任意一種。 ❹ ❹ 進而，上述具有自由基反應性碳_碳雙鍵之異氰酸酯化 絲較好的是2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸醋或2_丙稀醯 乳基乙基異氰酸酯中之至少任意—種。 又’上述聚合物之重量平均分子量較好的是35萬〜議萬 之範圍内。藉由使重量平均分子量為35萬以上，可防止其 成為低分子量聚合物，藉此，例如可防止切晶時自貼附於 黏著劑層上之切晶環產生剝離。進而，因防止紫外線照射 後之交聯不足，故將切晶環自黏著劑層上剝離時亦可防止 殘糊之產生。另一方面，藉由使重量平均分子量為100萬 以下’可提高於基材上形成黏著劑層時之作業性。其原因 Μ 1著_之形成例如係將含有上述聚合物之黏著劑 於基材上之後加以乾燥而進行，但若聚 合物之重量平均分子量超過1〇〇萬，則黏著劑組合物之溶 變得過大’因此該聚合物之聚合、及塗布時之作 進而，上述黏著劑層於紫外線照射後在23。(：下之拉伸彈 I:為7〜170 ΜΡ3之範圍内的上述黏著劑層較好的是不 ^ 藉由使紫外線照射後之拉伸彈性模數（23。〇為7 上，可維持良好的提取性。另-方面，藉由使拉伸 137158.doc 200946631 彈!生模數為170 MPa以下，可抑制切晶時之晶片飛散 生。 上述黏著劑層較好的是不含丙烯酸i藉此可防止黏著劑 層與黏晶膜反應或相互作用，可實現提取性之進—步提 局。 又，為解決上述課題，本發明之切晶黏晶膜之製造方法 之特徵在於：其係製造具備於基材上具有黏著劑層之切晶 膜、及没置於該黏著劑層上之黏晶膜的切晶黏晶膜者且 匕括於上述基材上形成黏著劑層前驅物之步驟，其中上 述黏著劑層前驅物係含有包含作為主單體之丙稀酸醋、相 對於丙烯酸酯而含量為1〇〜4〇爪〇1%之範圍内的含羥基之單 體、及相對於含羥基之單體而含量為7〇〜9〇 m〇l%2範圍内 的具有自由基反應性碳·碳雙鍵之異氰酸酯化合物的聚合 物而構成，於肖疋條件下對上述黏|劑層冑驅物照射紫外 線而形成上述黏著劑層之步驟；以及於上述黏著劑層上貼 合上述黏晶膜之步驟。 上述切晶膜之黏著劑層係於貼合黏晶膜之前藉由紫外線 照射而預先硬化。因此，黏著劑層之表面較硬，成為對凹 凸之密著性下降的狀態。本發明中，對此種黏著劑層貼合 黏晶膜而製作切晶黏晶膜，故可降低黏著劑層與黏晶膜間 之密著性，使固著效果下降。結果，例如於半導體晶片之 提取時，黏著劑層與黏晶膜間之剝離性優異，可獲得表現 出良好提取性之切晶黏晶膜。又，若藉由紫外線照射使黏 著劑層硬化，則由於形成交聯結構而黏著劑層之體積縮 137158.doc 12 200946631 ，】、。因此，例如若與黏晶㈣合之後對黏著劑層照射紫外 、.而使八更化，則會對黏晶膜施加應力，結果晶 晶膜整體產生趣曲。然而，本發明之切晶黏晶膜係藉由^ 外線况射進行硬化之後與黏晶膜貼合而形成，故亦可防止 對黏晶膜施加多餘之應力。結果可獲得無翹曲之切晶黏晶 膜。 ❹

Q 述方法中，使用環氧樹脂作為黏晶膜之構成材 料，故例如可形成如下黏晶膜：於半導體晶圓之切晶時， 即使對半導體晶圓與黏晶膜進行㈣，亦可防止其切割面 中露出接著劑之糊。結果’可防止黏晶膜之切割面彼此再 附著（黏連），藉此可製作提取性優異之切晶黏晶膜。 又’因黏著劑層之構成材料中使用丙烯酸醋作為主單 體’故可實現點著力之下降’從而可實現良好之提取性。 進而使3 I基之單體之含量為10 mol%以上，藉此抑制 料線照射後之交聯不足。結果，例如切晶時對貼附於黏 著劑層上之切晶環亦可防止殘糊之產生。另一方面，藉由 使上述含量為40 mol%以下，可防止由紫外線照射引起之 交聯過度地進行從而導致難以剝離、提取性下降。又，亦 可防止伴隨著聚合物之部分凝膠化而導致之生產性下降。 進而，於本發明中，由於採用具有自由基反應性碳碳 雙鍵之異氰酸酯化合物代替多官能性單體，故不會產生該 多官能性單體於黏晶膜中發生物質擴散之情況。結果，可 防止切晶膜與黏晶膜之交界面消失，從而可實現更良好之 提取性。 137158.doc •13· 200946631 上述紫外線之照射較好的是於30〜1000 mJ/cm2之範圍内 進行。藉由使紫外線之照射為30 mJ/cm2以上，而使黏著 劑層充分硬化，從而防止其與黏晶膜過度密著。結果，可 獲得良好之提取性能，且可防止提取後於黏晶膜上附著黏 著劑（所謂殘糊）。另一方面，藉由使紫外線之照射為1〇〇〇 mJ/cm2以下，可減少對基材之熱損傷。又，可防止黏著劑 層之硬化過度地進行而拉伸彈性模數變得過大、延伸性下 降。進而，防止黏著力過度下降，藉此可於工件之切晶時 防止晶片飛散之產生。 又，為解決上述課題，本發明之半導體裝置之製造方法 之特徵在於：其係製造使用具備於基材上具有黏著劑層之 切晶膜、及設置於該黏著劑層上之點晶膜的切晶黏晶膜之 半導體裝置者，且包括.準備上述切晶黏晶膜，並將半導 體晶圓壓接於上述黏晶膜上之步驟，其中上述切晶黏晶膜 中，上述黏著劑層係含有包含作為主單體之丙稀酸醋、相 對於丙稀㈣而含量為1G〜4GmGl%2範圍内的含經基之單 體及相對於含輕基之單體而含量為7〇〜9〇福％之範圍内 的具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物的聚合 物而構成，且偏由特定⑽下之料㈣射進行硬化而 成者，上述黏晶膜係含有環氧樹脂而構成，幻㈣紫外線 照射後之黏著劑層加以貼合者；藉由對上述半導體晶圓連 问上述黏晶膜—併進行切割而形成半導體晶片之步驟；以 及將上述半導體晶片連同上述黏晶膜一併自上述黏著劑層 上剝離之步驟；且自上述半導體晶圓之壓接步驟起直至半 137158.doc 200946631 導體晶片之剝離步驟為止，係於不對上述黏著劑層照射紫 外線之情況下進行。

於上述方法中，由於使用在半導體晶圓之切晶時防止半 導體晶片之晶片飛散之產生、且提取性亦優異之切晶黏晶 膜，故即使於例如1 〇 mmx i 〇 mm以上之大型半導體晶片咬 25〜75 μιη之極薄半導體晶片之情形時，亦可容易地將半導 體晶片連同黏晶膜一併自切晶膜上剝離。即，若為上述方 法’則可提高良率而製造半導體裝置。 又，上述方法中無須於提取之前對黏著劑層照射紫外 線。結果，與先前之半導體裝置之製造方法相比可實現步 驟數之減少。進而’於半導體晶圓具有特定電路圖案之情 形時，亦可防止由紫外線照射引起的電路圖案之不良狀況 之產生。結果可製造可靠性較高之半導體裝置。 又’上述方法中，由於使用具備將環氧樹脂用作構成材 料之黏晶膜的切晶黏晶膜，故即使於例如半導體晶圓之切 晶時’亦可防止因黏晶膜之切割面中露出接著劑之糊而引 起的切割面彼此之再附著（黏連卜結果，半導體晶片之剝 離更為容易，可實現良率之提高。 【實施方式】 (切晶黏晶膜） 參照圖1及圖2,就本發明之實施形態加以說明。圖"系 表示本實施形態之切晶黏晶膜的剖面示意圖。圖2係表示 本實施形態之另一切晶黏晶獏的剖面示意圖。#中，將說 明中不需要之部分省略，又 存在為便於說明而加以放大 137158.doc 15 200946631 或縮小等來進行圖示之部分。 如所示，切晶黏晶膜10之構成為，具有於基材丨上設 有黏著劑層2之切晶膜，且於該黏著劑層2上具有黏晶膜 3。又’如圖2所示’本發明亦可為僅於半導體晶圓貼附部 分2a上形成有黏晶膜3,之構成。 且成為切晶黏晶膜1〇、 上述基材1具有紫外線透過性 11之強度母體。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙 烯、中⑯度聚乙稀、高密度聚乙稀、超低密度聚乙稀、隨 機共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁 烯、聚甲基戊燁等聚烯烴，乙婦.乙酸乙烤醋共聚物、離 子聚合物、乙烯甲基）丙烯酸共聚物 '乙浠_(曱基）丙烯酸 酯（隨機、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯·己烯共 聚物，聚胺基甲酸酯、聚對苯二曱酸乙二酯、聚萘二甲酸 乙二酯等聚酯，聚碳酸酯，聚醯亞胺，聚醚醚酮，聚醯亞 胺，聚醚醯亞胺，聚醯胺，全芳香族聚醯胺，聚苯硫醚， 芳族聚醯胺（紙）、玻璃，玻璃布，氟樹脂，聚氣乙稀，聚 偏二氯乙浠，纖維素系樹脂，矽酮樹脂，金屬（箔），紙 等。 又，作為基材1之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚 合物。上述塑膠膜可於未經延伸之狀態下使用，視需要亦 可使用實施有單軸或雙轴延伸處理者。若使用藉由延伸處 理等而賦予熱收縮性之樹脂片，則可藉由切晶後使該基材 1熱收縮而使黏著劑層2與黏晶膜3、3,之接著面積減小，而 實現半導體晶片回收之容易化。 137158.doc -16 - 200946631 對於基材1之表面，為了提高與鄰接之層之密著性、保 持性等，可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴 露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學或 物理處理，利用底塗劑（例如，後述之黏著物質）之塗布處 理。 上述基材1可適當選擇使用種類相同或種類不同者，視 需要可使用推合有數種者。又，為對基材丨賦予抗靜電能 f，可於上述基材1上設置包含金屬、合金、該等物質之 氧化物等的厚度為30〜5〇〇人左右之導電性物質之蒸鍍層。 基材1可為單層或2種以上之複層。 基材1之厚度並無特別限制，可適當地決定，通常為 5〜200 μιη左右。 上述黏著劑層2係含有紫外線硬化型黏著劑而構成，預 先藉由紫外線照射而硬化。硬化之部分無須為點著劑層2 之整個區域，只要至少黏著劑層2之與半導體晶圓貼附部 〇 分33相對應的部分2以更化即可（參照圖1)。劑層2係於 與黏晶膜3貼合之前已藉由紫外線照射而硬化者，故其表 面二硬，從而抑制於黏著劑層2與黏晶膜3之界面處密著性 -變得過大。藉此’可使黏著劑層2與黏晶膜3間之固著效果 下降’從而提高剝離性。 又，對準圖2所示之黏晶膜3,而使紫外線硬化型黏著劑 層2預先硬&，由此抑制於黏著劑層2與毒占 密著性變得過大。藉此，且借s 芥面處 劑層2剝離之性質。另—方面t取時點晶膜3,容易自黏著 負另方面，由於黏著劑層2之其他部分 137158.doc -17· 200946631 2b未照射到紫外線故未硬化，黏著力大於上述部分以。藉 此於其他部分2b上貼附切晶環12之情形時，能夠可靠地 接著固定切晶環12。

如上所述，圖1所不之切晶黏晶膜之黏著劑層2中，由 未硬化之紫外線硬化型黏著劑所形成之上述部分2b與黏晶 膜3黏著’可確保切晶時之保持力。如此，紫外線硬化型 黏著劑可以優異之接著/剝離平衡來支持用以將半導體晶 片固著於基板等被黏接體上之黏晶膜3。圖2所示之切晶黏 晶膜11之黏著劑層2中，上述部分2b可固定切晶環。切晶 環例如可使用不鏽鋼製等包含金屬者或樹脂製者。 於切晶黏晶膜10中，黏著劑層2中之上述部分&對半導 體晶圓貼附部分33的黏著力係設計成小於上述其他部分1 對與半導體晶圓貼附部分3a不同之部分3b㈣著力。以常 溫（抓）下之黏著力（剝離角纟為⑽，剝離速度為3〇( _/?為基準，京尤晶圓之固定保持力或所形成之晶片之回 收性等觀點而言，上述部分2a之黏著力較好的是…$

则職。若黏著力未制.5测酿，則半導體晶片之接 者固定變得不充分，故存在切晶時產生晶片飛散之情形。 又’右黏著力超過U N/1。mm，則黏著劑層2過度地接著 黏晶膜3,故存在半導體晶片之提取變困難之情形。另一 方面’上述其他部分2b之黏著力較好的是腦 咖’更好的是卜5 N/1q麵。即使上述部分〜之黏著力較 :二可藉由上述其他部分2,之黏著力而抑制晶片飛散等 產生，發揮用以進行晶圓加工所必需之保持力。 137158.doc •18- 200946631 切晶黏晶膜11中，黏著劑層2中之上述部分2&對半導體 晶圓貼附部分〜的黏著力係設計成小於上述其他部分2b對 刀曰曰*裒12之黏著力。上述部分2&對半導體晶圓貼附部分^ 之黏著力（上述相同條件下）與上述相同，較好的是0H.5 m 另方面，上述其他部分2b對切晶環12之黏著 力較好的疋〇·05〜10 N/l〇 mm，更好的是〇」〜5 N/1〇職。 即使上述部分2a之剝離黏著力較低，亦可藉由上述其他部 ❹⑽之黏著力而抑制晶片飛散等之產生，發揮足以進行晶 圓加工之保持力。再者，該等黏著力基於常溫（23。〇、剝 離角度180度、拉伸速度3〇〇 mm/分鐘下之測定值。 又’切晶#晶膜1()、u中’較好的是將半導體晶圓貼附 部分h對半導體晶圓之黏著力設計成大於其對上述部分2a 之黏著力。對半導體晶圓之黏著力係根據其種類而適當調 整。半導體晶圓貼附部分33對上述部分2&之黏著力（上述 相同條件下）較好的是〇·〇5〜1〇 N/1〇 mm，更好的是卜$ 〇 N/1〇 mm。另一方面’關於半導體晶圓貼附部分3a對半導 體晶圓之黏著力（上述相同條件下），就切晶時、提取時、 黏晶時之可靠性、提取性之觀點而言，較好的是Ο.、” • Ν/lOmm以下，更好的是^^⑽職。 .此處，將半導體晶圓4之直徑設為ri、黏著劑層2之上述 部分2a之直徑設為Γ2、黏晶膜3之半導體晶圓貼附部分 3a(或黏晶膜3，）之直徑言史為〇時，較好的是滿足^执之 關係。藉此，可將半導體晶圓4之整個面接著固定於黏晶 膜3 3上ϋ且將半導體晶圓貼附部分h(或黏晶膜3，）之 137158.doc •19· 200946631 周緣部接著固定於上述其他部分沘上。因上述其他部分2b 之黏著力大於上述部分2&，故於上述周緣部中可將半導體 晶圓貼附部分3a(或黏晶膜3，）接著固定。結果，可於切晶 時進一步防止晶片飛散之產生。 上述紫外線硬化型黏著劑係使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵等紫外線硬化性官能基、且表現出黏著性者。作為 各外線硬化型黏著劑，例如，可例示於丙烯酸系黏著劑中 調配有紫外線硬化性單體成分或募聚物成分之添加型紫外 線硬化型黏著劑。丙烯酸系黏著劑係以丙烯酸系聚合物為 基質聚合物之黏著劑’就半導體晶圓或玻璃等唯恐受到污 染之電子零件的利用超純水或醇等有機溶劑之清潔清洗性 等觀點而言較好。 於本發明中，作為上述丙烯酸系聚合物，可列舉使用丙 烯酸酯作為主單體成分者。作為上述丙烯酸酯，例如可列 舉：丙烯酸烷酯（例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁 醋、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己 酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異 癸酯、Η—烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六 烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基之碳數為卜30、尤其是 碳數為4〜18之直鏈狀或支鏈狀烷酯等）以及丙烯酸環燒酉旨 (例如’環戊酯、環己酯等）等。該等單體可單獨使用或併 用2種以上。 上述所例示之丙烯酸酯中，本發明中較好的是使用化學 式CH2=CHCOOR(式中，R為碳數6〜10、更好的是碳數8〜9 137158.doc •20- 200946631 之烷基）所表示之單體。若碳數未滿6，則存在剝離力變得 過大而提取性下降之情形。另一方面，若碳數超過^ 〇，則 存在與黏晶膜之接著性下降，結果存在切晶時產生晶片飛 散之情形。又，於丙烯酸酯係以化學SCH2=chc〇〇r表示 時其含里相對於所有單體成分較好的是5〇~91 mol%，更 好的是80〜87 mo1%。若含量未滿50 mol%，則存在剝離力 變得過大而提取性下降之情形。卜方面，若超㈣ 遍％，則存在黏著性下降而切晶時產生晶片飛散之情 形。進而，上述化學式所表示之單體中，尤其好的是丙稀 酸-2-乙基己自旨、丙稀酸異辛醋。 上述丙烯酸系聚合物包含可與上述丙烯酸酯進行共聚合 的3羥基之單體作為必需成分。作為含羥基之單體，例如 可列舉：（甲基）丙烯酸-2_經基乙醋、（甲基）丙烯酸·2_經基 丙酯、（甲基）丙烯酸-4-經基丁醋、（甲基）丙稀酸_6_經基己 酯、（甲基）丙烯酸-8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸_1〇_羥基癸 Q 西曰（甲基）丙烯酸_12_羥基月桂酯、（甲基）丙烯酸-(4-羥基 甲基環己基）曱酯等。 相對於丙烯酸酯，上述含羥基之單體之含量較好的是 • 10〜40 mol%i範圍内，更好的是15〜3〇 m〇l%之範圍内。 若含量未滿10 mol%，則存在紫外線照射後之交聯不足， 提取性下降之情形。另—方面，若含量超過4〇 ，則 黏著劑之極性變高，與黏晶膜之相互作用變高，而難以制 離。 上述丙烯酸系聚合物中，以凝聚力、耐熱性等之改質為 137158.doc -21 · 200946631 目的，視需要亦可含有對應於與上述丙烯酸烷酯或環烷酯 σ進行/、聚5之其他單體成分的單元。作為此種單體成 刀，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、（曱基）丙烯酸羧 基乙自曰、（甲基）丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、 草體，順丁稀二酸奸、衣 反丁烯二酸 康酸酐等酸it單體；苯乙稀續酸、稀丙基績酸、2_(甲基） 丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙磺酸、（甲基） 丙烯酸磺丙酯、（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單 貼·，2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體·丙烯 醯胺、丙烯腈等。該等可進行共聚合之單體成分可使用夏 種或2種以上。該等可進行共聚合之單體之使用量較好的 疋所有單體成分之40重量％以下。然而，上述含羧基之單 體之情況了，該幾基與黏晶膜3中之環氧樹脂的環氧基反 應，而使黏著劑層2與黏晶膜3之交界面消失，從而兩者之 剝離性下降。因此’含絲之單體之使用量較好的是所有 單體成分之0〜3重量％以下。此外，含經基之單體或含縮 水甘油基之單體亦可與環氧樹脂中之環氧基反應，故較好 的是與含誠之單體之情況相n該等單體成分中， 較好的是本發明之黏著劑層2不含丙稀酸。其原因在於， 有時丙婦酸會於黏晶膜3中發生物質擴散，使黏著劑層續 黏晶膜3之交界面消失而降低剝離性。 此處，上述丙料系聚合物*含多官能性單體作為共聚 合用單體成分。由此，乡官能性單體不會於黏晶膜中發生 物質擴散’可防止因點著劑層2與黏晶膜3之交界面消失而 137158.doc •22· 200946631 導致的提取性下降。 又，上述丙稀酸系聚合物包含具有自由基反應性碳碳 雙鍵之異氰酸醋化合物作為必需成分。作為上述異氰酸酿 化合物，例如可列舉：甲基丙稀酿基異氛酸醋、2甲基丙 ' 賴氧基乙基異氰酸8旨、2·丙料氧基乙基異氰酸醋、間 異丙烯基部-二甲基节基異氰酸醋等。 入^述具有自由基反應性碳_碳雙鍵之異氰酸醋化合物之 ❹ 3篁相對於含搜基之單體，較好的是70〜90 mol%之範圍 内，更好的是75〜85 m〇1%之範圍内。若含量未滿7〇 遍％ ’貞彳有時料線照射後之交衫足，提取性下降。 另方面，若含量超過90 mol%，則黏著劑之極性變高， 與黏晶膜之相互作用變強’而難以剝離，從而提取性下 降。 上述丙烯酸系聚合物係藉由將單一單體或2種以上之單 體混合物加以聚合而獲得。聚合亦可利用溶液聚合、乳化 G ^ 鬼狀聚合、懸浮聚合等任意方式進行。就防止清潔 之被黏接體受到污染等觀點而言，較好的是低分子量物質 之3量較小。就該點而言，丙烯酸系聚合物之重量平均分 子里較好的疋35萬〜100萬，更好的是45萬〜80萬左右。 . 又，對於上述黏著劑而言，為了調整紫外線照射前之黏 著力或糸外線照射後之黏著力，亦可適當採用外部交聯 劑作為外部交聯方法之具體手段，可列舉添加聚異氰酸 西曰化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯 劑等所明的交聯劑並進行反應之方法。使用外部交聯劑 137158.doc •23- 200946631 時’其使用量係根據與應交聯之基質聚合物之平衡、進而 視作為黏著劑之使用用途而適當決定。一般而言，相對於 上述基質聚合物1〇〇重量份，較好的是調配20重量份左右 以下’更好的是調配0.1〜10重量份。進而，黏著劑中，除 上述成分以外視需要亦可使用先前公知之各種增黏劑、防 老化劑等添加劑。 作為所調配之上述紫外線硬化性單體成分，例如可列 舉：胺基曱酸酯寡聚物、（甲基）丙烯酸胺基曱酸酯、三經 曱基丙院三（甲基）丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四（甲基）丙稀 酸醋、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇四（曱基）丙 烯酸酯、二季戊四醇單羥基五（曱基）丙烯酸酯、二季戊四 醇六（甲基）丙烯酸酯、1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等。 又’ 1外線硬化性寡聚物成分可列舉胺基甲酸酯系、聚喊 系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，其 分子篁較合適的是100〜30000左右之範圍者。關於紫外線 硬化性單體成分或寡聚物成分之調配量，可根據上述黏著 劑層之種類來適當決定可使黏著劑層之黏著力下降的量。 一般而§，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基質聚 合物100重量份，例如為5〜500重量份，較好的是4〇〜15〇重 量份左右。 又’作為紫外線硬化型黏著劑，除上述所說明之添加型 紫外線硬化㈣㈣m外’還可列舉内㈣紫外線硬化型 黏著劑，其使用聚合物側鏈或主鏈巾或者主鏈末端具有自 由基反應性碳-碳雙鍵者作為基質聚合物。内在型紫外線 137158.doc -24- 200946631 硬化型黏著劑無須含有、或不大量含有作為低分子量成分 之募聚物成分等，故不存在寡聚物成分等在黏著劑中經時 移動之情況，可形成穩定之層結構的黏著劑層，因此較 好。 上述具有自由基反應性碳-碳雙鍵之基質聚合物可無特 別限制地使用具有自由基反應性碳_碳雙鍵'且具有黏著 性者。作為此種基質聚合物，較好的是以丙稀酸系聚合物 為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉 上述所例示之丙烯酸系聚合物。 對上述丙烯酸系聚合物導入自由基反應性碳_碳雙鍵之 導入方法並無特別限制，可採用各種方法，就分子設計之 觀點而言，較容易的是將自由基反應性碳_碳雙鍵導入至 聚合物側鏈上。例如可列舉如下方法：預先使含羥基之單 體與丙烯酸系聚合物進行共聚合之後，使具有可與該羥基 反應之異氰酸酯基及自由基反應性碳_碳雙鍵的異氰酸酯 Q 化合物於維持自由基反應性碳-碳雙鍵之紫外線硬化性的 狀態下進行縮合或加成反應。作為具有異氰酸酯基及自由 基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，可列舉上述所例 不者。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用上述所例示之將 -含羥基之單體或2-羥基乙基乙烯醚、4_羥基丁基乙烯醚、 二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等加以共聚合者。 上述内在型紫外線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有自 由基反應性碳·碳雙鍵之基質聚合物（尤其是丙烯酸系聚合 物），亦可於不使特性發生惡化之程度下調配上述紫外線 137158.doc -25- 200946631 硬化性單體成分或寡聚物成分。相對於基質聚合物1〇〇重 量份，紫外線硬化性之寡聚物成分等通常為5〜5〇〇重量 份’較好的是40~150重量份左右。

對於上述紫外線硬化型黏著劑而言，藉由紫外線等進行 硬化時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列 舉：4-(2-經基乙氧基）苯基（2_羥基_2_丙基）酮、〜經 基-α，6二甲基苯乙酮、2-甲基_2·羥基苯丙酮、^羥基環 己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲 氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、孓曱基 (甲硫基）-苯基]-2-嗎琳丙烧-i等苯乙_系化合物；土安息香 乙醚、安息香異丙_、菌香偶姻曱醚等安息香醚系化厶 物；节基二甲基縮嗣等縮_系化合物；2_萘確醯氣等料 族續醯氯系化合物；1-苯酮-1}1_丙_ 內一 _-2-(〇-乙氧基羰基) W光活性將系化合物；二苯甲綱、笨甲醯苯甲酸、33，. -甲基_4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲_系化合物；9_氧硫 Μ、广氯_9-氧硫•星' 2,甲基-9-氧硫♦星、2,4·二甲 〇 基-9-氧硫咄嗤、異丙基-9-氧硫咄、 p) ^ 生 2,4-一氯-9-氧硫 星、2,4-二乙基-9-氧硫p山嚜、2 4_ _ ^ Ω ^ —異丙基-9-氧硫咄蠖 等-氧硫咄Ρ星系化合物；樟腦醌；_ 口化酮，醯基氧化膦； 醯基膦酸酯等。相對於構成黏著劑 耆劑之丙烯酸系聚合物等基 貝聚δ物1〇〇重量份，光聚合 〇〇, 起始劑之調配量例如為 〇.〇5〜20重量份左右。 又’作為紫外線硬化型黏著劑， 胜叫咖 例如可列舉：曰本專利 特開昭60-196956號公報中所揭 〜3有具有2個以上之不 137158.doc • 26 · 200946631 飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基紗燒等 光聚合性化合物與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化 物、胺、鑌鹽系化合物等光聚合起始劑之橡膠系黏著劑咬 丙浠酸系黏著劑等。 ❹ ❹ 於切晶黏晶膜10之黏著劑層2中，亦可對黏著劑層2之一 部分進行紫外線照射以使上述部分2a之黏著力 <其他部分 2b之黏著力。即，可使用將基材！之至少單面的與半導體 晶圓貼附部分3a相對應之部分以外的部分之全部或—部分 加以遮光者，於其上形成紫外線硬化型黏著劑層2後進行 紫外線照射，使與半導體晶圓貼附部分叫目對應之部分硬 而开/成降低了黏著力之上述部分2a。作為遮光材料， 可藉由印刷或蒸鍍等於支持膜上製作可成為光罩者。 再者’於在紫外線照射時產生由氧氣引起之硬化阻礙之 清形時，較理想的是遮蔽紫外線硬化型黏著劑層2之表面 以不受氧氣（空氣）影響。作為其方法，例如可列舉利^分 2件將黏著劑層2之表面加以被覆之方法、或於氮氣環境 進订紫外線等之紫外線照射的方法等。 黏著劍層2之厚度並無特別限定，就晶片切割面之缺損 :防止及黏晶膜3之固定保持的並存性等觀點而好

的是〜左右。更好的是2〜3〜，進而好的是Μ μιη 〇 ^ J 3膜3例如可為僅由單層接著劑所形成之構成。又， 璃轉移溫度不同的熱塑性樹脂、熱硬化溫度不同 、匕性樹脂適當組合’而製成2層以上之多層結構。 137158.doc -27· 200946631 再者因半導體晶圓之切晶步驟中使用切削水，故存在點 晶膜3吸3水率相常態以上之情形。若保持此種高 含水率而接著於基板等，則存在後硬化階段中水蒸氣積存 ;接著界面處產生凸起之情形。因此，作為黏晶用接著 劑’藉由形成由點晶劑夾持有透濕性較高之芯材料的構 成，於後硬化階段中水蒸氣可通過膜而擴散，從而避免該 問題°就該觀點而t ’黏晶膜3亦可製成於怒材料之單面 或兩面上形成有接著劑層之多層結構。 作為上述芯材料，可列舉：膜（例如㈣亞胺膜、聚醋 膜聚對苯一甲酸乙二醋膜、聚蔡二甲酸乙二醋膜、聚碳 酸醋膜等）、由玻璃纖維或塑膠製不織纖維加以強化而成 之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。 本發明之黏晶膜3係含有帛氧樹脂作為主成分而構成。 環氧樹脂就使半導體元件腐蝕之離子性雜質等之含量較少 的觀點而言較好。作為上述環氧樹脂，若為通常用作接著 劑組合物者則並無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙 舒型、雙紛S型、溪化雙齡八型、氫化雙酚A型、雙酚af 型、聯苯型、萘型、苟型、苯盼紛酸清漆型、鄰甲紛祕 清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧 樹脂或多官能環氧樹脂，或者乙内醯脲型、三縮水甘油基 異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等之環氧樹脂。該等可單獨 使用或併用2種以上。該等環氧樹脂中，尤其好的是酚醛 清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂 '三羥基苯基甲烷型樹 脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂 137158.doc -28- 200946631 與作為硬化劑之酚樹脂的反應性充分，且耐熱性等優異。 又’黏晶膜3中’亦可視需要而適當地併用其他熱硬化 性樹脂或熱塑性樹脂。作為上述熱硬化性樹脂，可列舉： 酚樹脂、胺樹脂、不飽和聚酯樹脂' 聚胺基曱酸酯樹脂、 矽酮樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨 使用或併用2種以上。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較好 的是酴樹脂。 進而，上述酚樹脂發揮出作為上述環氧樹脂之硬化劑之 作用，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷樹脂、 曱酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯 酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，可溶酚醛型酚樹 脂，聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等可單獨使用 或併用2種以上。該等酚樹脂中，尤其好的是苯酚酚醛清 漆樹脂、苯盼芳烧樹脂。其原因在於，可提高半導體裝置 之連接可靠性。 關於上述環氧樹脂與酚樹脂之調配比例，例如，較適當 的是調配成相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基丨當量而 使酚樹脂中之羥基達到0.5〜2·〇當量❶更適當的是〇.8〜12 當1。即其原因在於，若兩者之調配比例偏離上述範圍， 則硬化反應不會充分進行，環氧樹脂硬化物之特性容易劣 化。 作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、 異戊二烯橡膠、氣丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二 137158.doc •29- 200946631 烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或 6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、pet 或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂 等。該等熱塑性樹脂可單獨使用或併用2種以上。該等熱 塑性樹脂中’尤其好的是離子性雜質較少、耐熱性較高、 可確保半導體元件之可靠性的丙烯酸系樹脂。 作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉將具有 碳數為30以下、尤其是碳數為4〜18之直鏈或支鍵院基的丙 烯酸或曱基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物 等。作為上述烧基，例如可列舉：曱基、乙基、丙基、異 丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己 基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、 異壬基、癸基、異癸基、Η—烧基、月桂基、十三烧基、 十四燒基、硬脂基、十八烧基、或十二院基等。 又’作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定， 例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙稀酸緩基乙酯、丙 烤酸竣基戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁稀二酸或丁烤 酸等之類的含羧基之單體，順丁烯二酸酐或衣康酸奸等之 類的酸酐單體，（甲基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（曱基）丙稀 酸-2-經基丙醋、（曱基）丙稀酸-4-經基丁酯、（甲基）丙稀 酸-6·經基己酯、（曱基）丙烯酸-8-經基辛酯、（曱基）丙歸 酸_1〇_羥基癸酯、（曱基）丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙稀酸 (4-羥基曱基環己基）甲酯等之類的含羥基之單體，苯乙稀 磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基）丙烯醯胺-2-甲基丙績酸、（甲 137158.doc -30 - 200946631 基）丙烯醢胺丙磺酸、（曱基）丙烯酸磺丙酯或（曱基）丙烯醯 氧基萘碩酸等之類的含磺酸基之單體，或2_羥基乙基丙烯 醯基麟酸酯等之類的含碟酸基之單體。 對於黏晶膜3之接著劑層而言，為使其預先進行某種程 度之交聯，較好的是在製作時預先添加與聚合物之分子鏈 末端之g此基等進行反應的多官能性化合物作為交聯劑。 藉此’可使高溫下之接著特性提高，並實現耐熱性之改 善。 ❹

再者’黏晶膜3之接著劑層中，視需要可適當調配其他 添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉阻燃劑、石夕烧偶合 劑或離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉三氧化 二、五氧化二録、漠化環氧樹脂等。該等可單獨使用或 ^ 偶。劑，例如可列舉β-(3,4- 基）乙基三甲氧基料、γ'縮水甘油氧基丙基三尹 乳基錢、γ_縮水甘油氧基丙基f 等化合物可單獨使用或併用2種以上 ：。， 劑’例如可列舉水滑石類 ”” “捕捉 或併用2種以上。 氧切等。該等可單獨使用 …一〜序厌亚無符別限定 較好的是5〜50 μιη左右。 一〜〇 μηι左右， 可使切晶黏晶膜1 〇、丨丨具有浐 於立接h 有抗靜電能力。藉此，可防止 U者時及剥料等靜電 j防止 圓之帶電破壞電路# ^ 及由此引起的半導體晶 基材1、黏著劑a 之賦予，可藉由在 飾考劑層2或黏晶膜3中 中添加抗靜電劑或導電性物 137158.doc 200946631 屬膜=法I或者於基材1Jl附設包含電荷轉移錯合物或金 = 電層等適當的方式而進行。作為該等方式，較 好的疋不易產生可能使半導 卞等肽日日a變質之雜質離子的方 式。作為以導電性之賦予、 描 等熱11之提南等為目的而調配 之導電性物質（導電填料），可列舉：銀、銘、金、銅、 =、導電性合金等之球狀、頂針狀、片狀金屬粉，氧化銘 荨金屬氧化物，非晶形碳里， …、石墨等。然而，就可不產生 電茂漏之觀點而言’較好的是上述黏晶膜3、3,為非導電 性。

述刀B曰黏曰曰膜1〇、11之黏晶膜3、3’較好的是藉由分隔 件加以保護（未圖示）。分隔件具有作為保護黏晶膜3、31直 至供於實用之保護材料的功能。又分隔件可進一步用作 於黏著劑層2上轉印黏晶膜3、3,時之支持基材。分隔件係 於在切晶黏晶膜之黏晶膜3、3,上貼附半導體晶圓時被剝 離。作為分隔件，亦可使用聚對苯二f酸乙二醋（ρΕτ)、

聚乙烯、聚丙稀或者藉由氟系騎劑、丙烯酸長鏈烧醋系 剝離劑等剝離劑加以表面塗布之塑膠膜或紙等。 (切晶黏晶膜之製造方法） 妹繼而’以切晶黏曰曰曰膜1〇為例，就本發明之切晶黏晶膜之 製造方法加以說明。首先，基材1可利用先前公知之製膜 方法加以製膜。作為該製膜方法，例如可例示：砑光製獏 法、有機溶劑中之淹鑄法、密閉系統中之膨脹法、τ模擠 出法、共擠出法、乾式層壓法等。 接著，於基材1上塗布黏著劑組合物而形成塗布膜之 137158.doc -32· 200946631 後，使該塗布膜於特定條件下乾燥（視需要進行加熱交 聯），形成黏著劑層前驅物。塗布方法並無特別限定，例 如可列舉輥塗布、絲網塗布、凹版塗布等。又，乾燥條件 係根據塗布膜之厚度或材料等而進行各種設定。且體而 • 言，例如於乾燥溫度為8〇〜15(TC、乾燥時間為〇5;5分鐘 <範圍内進行。又，亦可於分隔件上塗杨著劑組合物而 形成塗布膜之後，於上述乾燥條件下使塗布膜乾燥而形成 〇 #著劑層前驅物。其後，將黏著劑層前驅物轉印至基材i 上。以此種方式形成之黏著劑層前驅物於特定條件下受到 紫外線照射，藉此形成黏著劑層2。作為紫㈣⑼㈣ 件，較好的是其累計光量達到3〇〜1〇〇〇爪細2之範圍内， ^好的是達到100〜500 mJ/cm2之範圍内。若紫外線之照射 滿30 nU/em，則存在黏著劑層之硬化不充分之情形。 結果，與黏晶膜之密著性增大，導致提取性下降。又，提 取後於黏晶膜上產生殘糊。其 w 2殘糊另-方面’若紫外線之照射超 過 1 〇〇〇 mJ/cm2，則在 a m 甘 〇 、在對基材產生熱損傷之情形。又， 黏著劑層過度進行硬仆，知从 拉伸彈性模數會變得過大，從而 延伸性下降。進而，存在 . m曰* 存在黏者力過度下降，由此在半導體 日日圓之切日日時產生晶片飛散之情形。 • 接著’於剝離紙上以達到牿中恒Λ # #曰2 逐j特疋厚度之方式來塗布用以形 成黏日日膜3之形成材料， 曰暄3 ^ 進而於特疋條件下乾燥而形成黏 日日膜3。鞛由將該黏晶膜3 忐 、轉P至上述黏著劑層2上，而形 成刀日日黏日日膜。藉由以上 膜1〇。 铜作’可獲得本發明之切晶黏晶 137158.doc -33- 200946631 (半導體裝置之製造方法） 一邊參照圖3，一邊對使用本發明之切晶黏晶膜丨丨的半 導體裝置之製造方法加以說明。 首先，於切晶黏晶膜11之黏晶膜3,上壓接半導體晶圓4， 並使其接著保持而固定（安裝步驟）。該步驟係藉由壓接輥 等按壓裝置一邊按壓一邊進行。 〇 然後，進打半導體晶圓4之切晶。藉此，將半導體晶圓4 切割成特定之尺寸並分離’形成半導體晶片5。切晶例如 係自半導體晶圓4之電路面側依照常法而進行。又，該步 驟中，例如可採用完全地切入至黏晶膜3為止之被稱為^ 刀（full cut)之切割方式等。黏晶膜3係含有環氧樹脂而構 成二故即使藉由切晶而被切割，亦可防止其切割面中露出 接著劑之糊。結果’可防止切割面彼此再附著（黏連），從 而可更良好地進行後述之提取。該步驟中使用之切晶裝置 並無特別限定’可使用先前公知者…半導體晶圓“系 藉由黏晶膜3加以接著固定，故可抑制晶片缺損或晶片飛 散，並且亦可抑制半導體晶圓4之破損。再者，即使於藉 由切晶而切人至黏著劑層2為止之情形時，因㈣劑層^ 藉由紫外線照射而硬化，故亦可防止絲屑等之產生。 接著’進行切晶點晶膜u之延伸q伸係使用先前公知 之延伸裝置來進行。延伸裝置具有：可經由切晶環朝下方 按愿切晶黏晶㈣之圓環狀外環、及直徑小於該外環且支 持切晶黏晶膜11之内環。切晶黏晶膜η中，僅黏著劑層2 之上述部分2a藉由紫外结0Λ &二 稽田系外線恥射而硬化，其他部分2b未硬 137158.doc -34- 200946631 化故可於不斷裂之情況下充分擴大相鄰之半導體晶片間 之間隙。結果，於後述提取時可防止半導體晶片彼此接觸 而破損。 為將接著固定於切晶黏晶膜10上之半導體晶片5剝離， 而進行半導體晶片5之提取。提取係在不對黏著劑層2照射 料線之情況下進行的。提取之方法並無特別限^，可採 用先前公知之各種方法。例如可列舉：利用頂針自切晶黏 S日膜1G側頂起各半導體晶片5，並利用提取裝置來提取被 頂，之半導體晶片5的方法等。就本發明之切晶黏晶膜1〇 而。卩黏著劑層2與黏晶膜3之剥離性良好，故例如即使 減少了:針數或減小頂起量，亦可提高良率而進行提取。 所提取之半導體晶片5係經由黏晶膜仏而接著固定於被 黏接體6上(黏晶)。被黏接體6係載置於加熱塊9上。作為被 霉接體6可列舉導線框’了^膜〜基板或另製作之半導 體晶片等。被黏接體6例如可為容易變形之變形型被黏接 ❹ 體，亦可為難U變形之非變形型被黏接體（半導體晶圓 等）。 作為上述基板，可使用先前公知者。又，作為上述導線 可使用Cu導線框、42合金導線框等金屬導線框或包含 環氧破璃、BT(雙順丁烯二酿亞胺_三啡）、聚酿亞胺等之 有機基板。然而，本發明並不限定於此，亦包括安裝半導 體元件並與半導體元件電性連接而可使用之電路基板。 二黏晶膜3為熱硬化型之情形時，藉由加熱硬化將年導 肚日日片5接著固定於被黏接體6上，並提高耐熱強度。再 i37158.doc •35- 200946631 者，經由黏晶膜3a將丰暮科a 拉益门〜 灯干导體Β曰片5接著固定於基板等上者 可供於回流焊步驟。其後，進行接線7將基板之端子 部（内引腳）之頂端與半導體晶片5上之電極焊塾（未圖示）加 以電性連接之打線接合，進而利用密封樹脂8將半導體晶 片密封，並將該密封樹脂8進行後硬化。藉此，製作出本 實施形態之半導體裝置。 實施例 以下’以例示之方式詳細說明本發明之較佳實施例。然 而’該實施例所記載之材料或調配量等只要無特別限定性 的記載，則並非將本發明之範圍限定於該實施例之意，而 只不過為說明例。又’各例中，份只要無特別說明則均為 重量基準》 (實施例1) <切晶膜之製作> 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應 容器中’加入丙稀酸-2-乙基己酯（以下稱為「2ΕΗΑ」。） 88.8份、丙烯酸-2-羥基乙酯（以下稱為「ΗΕΑ」。）11.2份、 過氡化苯曱醯0.2份及甲苯65份，於氮氣流中於61°C下進 行6小時聚合處理，獲得重量平均分子量為85萬之丙烯酸 系聚合物A。重量平均分子量如下所述《將2EHA與HEA之 莫耳比設定為100 mol比20 mol。 於該丙稀酸系聚合物A中加入2-曱基丙稀酿氧基乙基異 氰酸酯（以下稱為「MOI」。）12份（相對於HEA為80 mol%)，於空氣氣流中於50°C下進行48小時加成反應處 137158.doc • 36 - 200946631 理，獲得丙烯酸系聚合物Α·。 接著，相對於100份之丙烯酸系聚合物Α’，添加聚異氰 酸6a化合物（商品名「Coronate L」，日本聚胺酿（Nippon Polyurethane)(股）製造）8份、及光聚合起始劑（商品名 「Irgacure 65 1」，汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals)公司 製造）5份，而製作黏著劑溶液。 將上述所製備之黏著劑溶液塗布於PET剝離襯墊之實施 有矽酮處理之面上，於120°C下進行2分鐘加熱交聯，形成 厚度為10 μηι之黏著劑層前驅物。繼而，於該黏著劑層前 驅物表面上貼合厚度為1〇〇 μπί之聚烯烴膜。其後，於5(TC 下保存24小時。然後，僅對黏著劑層前驅物之與半導體晶 圓貼附部分（直控200 mm)相對應之部分（直徑220 mm)照射 紫外線而形成黏著劑層。藉此製作本實施例之切晶膜。再 者，紫外線之照射條件如下所述。 <紫外線之照射條件> 紫外線（UV)照射裝置：高壓水銀燈 紫外線照射累計光量：500 mJ/cm2 功率：75 W 照射強度：150 mW/cm2 再者’紫外線照射係對黏著劑層前驅物直接照射。 <黏晶膜之製作> 相對於以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯 酸酯系聚合物（根上工業（股）製造，商品名：paracron W-197CM)100份，將環氧樹脂wjer(股）製造，Epikote 137158.doc -37- 200946631 1004)59 份、環氧樹脂 2(JER(股）製造，Epikote 827)53 份、 酚樹脂（三井化學（股）製造，商品名：Milex XLC-4L)121 份、球狀二氧化矽（Admatechs(股）製造，商品名：S0-25R)222份溶解於甲基乙基酮中，製備成濃度為23.6重量 %。 將該接著劑組合物之溶液塗布於作為剝離襯墊（分隔件） 之經矽酮脱模處理的厚度為3 8 μπι之包含聚對苯二曱酸乙 二酯膜之脫模處理膜上後，於130°C下進行2分鐘乾燥。藉 此製作厚度為2 5 μηι之黏晶膜。進而，將黏晶膜轉印至上 述切晶膜之黏者劑層側’獲得本貫施例之切晶黏晶膜。 <重量平均分子量Mw之測定> 重量平均分子量Mw之測定係利用GPC(Gel Permeation Chromatograph，凝膠滲透層析法）來進行。測定條件如下 所述。再者，重量平均分子量係藉由聚苯乙烯換算來計 算。 測定裝置：HLC-8120GPC(製品名，東曹（Tosoh)公司製 造） 管柱：TSKgel GMH-H(S)x2(料號，東曹公司製造） 流量：0.5 ml/min 注入量：100 μΐ 管柱溫度：40°C 溶離液：THF 注入試料濃度：0.1重量％ 檢測器：示差折射計 137158.doc -38- 200946631 (實施例2〜14) 對於各實施例2〜14，除變更為下述表1所示之組成及含 量以外，以與上述實施例1相同之方式製作切晶黏晶膜。

❿ 137158.doc -39- 200946631 【一嵴】 光聚合起始劑 iT) U-) Ό v-> in «η U Η 1 1 1 1 i 1 1 1 1 1 o 1 1 1 一 U oo OO OO OO OO OO OO OO 00 OO 1 00 OO 00 i4 yn VO v〇 »〇 VO VO Ό 心 VO »n vo *〇 \〇 IT) Ό in v〇 o 1-H o ΙΛί 異氱酸酯化合物 AOI • 1 1 1 1 1 1 10.9 (80) 1 1 1 1 1 MOI /—v (NO »—1 〇〇 〇〇 ^ C- 〇S 卜o »—1 OO /—V fS o *—< OO 11.2 (80) 13.3 (80) i S' ch 1 o卜 V—✓ 13.5 (90) 10.4 (90) s (NO *—· oo CN S' i-H OO —〇〇 CN ^ 含經基之單趙 4HBA 1 1 1 1 1 1 10.5 (15) 1 1 ) > 1 < HEA 11.2 (20) -S' 15.9 (30) q S' —(M 〇 <N 12.5 (20) 1 ^ S' z: d ^ S' :：Ci ^ S' —CN i〇 od — ^ S—✓ ^ S' *—1 fS — ·««««✓ ^ 3s —(N '-H 19.3 (38) 1 1 t 1 > 1 1 1 1 1 0.3 (0.8) 1 t 1 < PQ 1 1 1 1 25.8 (37.5) 1 1 1 1 1 1 t 1 丙烯酸酯 i-NA i 1 1 1 89.5 (100) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i-OA 1 1 t 88.8 (100) 1 1 1 1 1 t 1 1 < 1 2EHA 88.8 (100) 93 (100) 84.1 (100) 1 1 1 61.8 | (62.5) 89.5 (100) 88.8 (100) 88.8 | (100)] 88.8 (100) 91.1 (100) 88.8 (100) 88.8 (100) 80.7 (100) 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 -40- 137158.doc 200946631 再者，表1及後述表2中所記載之簡稱之含意如下。 2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯 i-OA :丙烯酸異辛酯 i-NA :丙烯酸異壬酯 BA :丙烯酸正丁酯 AA :丙烯酸 HEA:丙烯酸-2-羥基乙酯 4HBA:丙烯酸-4-羥基丁酯 AOI : 2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯 C/L:聚異氰酸酯化合物（商品名「Coronate L」，曰本聚 胺酯（股）製造） T/C :環氧系交聯劑（商品名「Tetrad C」，三菱瓦斯化學 (Mitsubishi Gas Chemical)公司製造） (比較例1〜8) 對於各比較例1〜7，除變更為下述表2所示之組成及含量 以外，以與上述實施例1相同之方式製作切晶黏晶膜。 又，對於比較例8，除變更為下述表2所示之組成及含量、 且不實施黏晶膜之貼合前之紫外線照射以外，以與上述實 施例1相同之方式製作切晶黏晶膜。 137158.doc -41 200946631 ϋ 光聚合起始劑 <r> iT) in yri T/C 1 1 1 1 1 1 1 1 C/L 〇〇 oo OO OO OO H OO OO Β- IT) Ό 们 Ό *T) 230 in 'sO 们 異氰酸酯化合物 ΑΟΙ 1 1 1 1 1 1 1 1 ΜΟΙ 16.4 (80) m “ 〇〇 25.6 (80) 〇" /—v (NO y—^ OO N CN o r-H 〇〇 s—✓ 15 (100) /—*s 卜o r—H 〇〇 含羥基之單體 4ΗΒΑ 1 1 1 1 1 1 1 1 ΗΕΑ 15.3 (20) 1—1 寸 〇 CS Ό 11.2 (20) CN ^ 攀 〇 — 11.2 (20) S' 二 cs 15.9 (30) ΑΑ 1 1 1 1 1 1 1 1 84.7 (100) 1 1 1 1 1 1 1 溜 爱 νδ： i-NA 1 1 1 1 1 1 1 1 i-OA 1 1 1 1 1 1 1 1 2EHA 1 98.8 (100) 76 (100) 88.8 (100) 88.8 (100) 88.8 (100) 88.8 (100) 84.1 (100) 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 。qJUoUI w vaffi寸嘁¥31^食葙要^<迴碱》«:^龙》3¥^101^-^迴。0日长^?>碱》^^龙 137158.doc -42- 200946631 (切晶） —使用各實施例及比較例之各切晶黏晶媒，依照以下要領 實際進仃半導體晶圓之切晶，並對各切晶黏晶膜之性能進 行評價。 對半導體晶圓（直徑為8吋，厚度為0 6 mm)進行背面研 磨處理，使用厚度為〇15 之鏡面晶圓作為工件。自切 晶黏晶膜上剝離分隔件之後，於其黏晶膜上於40t下將鏡

面曰S圓進行輥壓接而貼合，進而進行切晶。又，關於切 係進行全切以使晶片尺寸達到1 mm見方。對切割後之 半導體阳圓及切晶黏晶膜確認晶片飛散之有無。關於晶片 飛散’只要有一片半導體晶片飛散就評價為χ，無晶片飛 散時#價為〇。晶圓研磨條件、貼合條件及切晶條件將於 後述。 <晶圓研磨條件> 研磨裝置：DISCO公司製造，DFG-8560 半導體晶圓：8吁直徑（自厚度0.6 mm背面研磨至0.15 mm) <貼合條件> 貼附裝置：曰東精機製造，ΜΑ-3000Π 貼附速度計：10 mm/min 貼附壓力：0.15 MPa 貼附時之平台溫度：4〇°C <切晶條件> 切晶裝置：DISCO公司製造，DFD-6361 137158.doc -43- 200946631 切晶環：2-8-1 (DISCO公司製造） 切晶速度：80 mm/sec 切晶刀片. Z1 : DISCO 公司製造之 2050HEDD Z2 : DISCO公司製造之2050HEBB 切晶刀片轉速. Z1 ： 40,000 rpm Z2 : 40,000 rpm 刀片高度： Z1 : 0.215 mm(視半導體晶圓之厚度決定（當晶圓厚度為 75 μηι時，刀片高度為0.170 mm)) Z2 : 0.085 mm 切割方式：A模式/階梯式切割 晶圓晶片尺寸.1.0 mm見方 (提取） 使用各實施例及比較例之各切晶黏晶膜，依照以下要領 於實際進行半導體晶圓之切晶後進行提取，並對各切晶黏 晶膜之性能進行評價。 對半導體晶圓（直徑為8吋，厚度為0.6 mm)進行背面研 磨處理，使用厚度為0.075 mm之鏡面晶圓作為工件。自切 晶黏晶膜上剝離分隔件後，於其黏晶膜上於40°C下將鏡面 晶圓進行輥壓接而貼合，進而進行切晶。又，關於切晶， 係進行全切以使晶片尺寸達到1 〇 mm見方。 接著，進行對各切晶黏晶膜進行拉伸而使各晶片間達到 137158.doc -44- 200946631 特定間隔之延伸步驟。然而’比較例8之切晶黏晶膜係於 進行紫外線照射之後進行延伸步驟。又，紫外線之照射條 件為’使用UM-810(商品名，曰東精機製造）作為紫外線 (UV)照射裝置，並將紫外線照射累計光量設定為3〇〇 mJ/cm2。又，紫外線照射係自聚烯烴膜側進行。 進而’以自各切晶黏晶膜之基材側用頂針頂起之方式提 取半導體晶片，並進行提取性之評價。具體而言，連續地 提取400個半導體晶片，當於後述條件a及B下進行時之成 功率均為1 00%時評價為◎，當於條件A下進行時之成功率 為100%、且於條件B下進行時之成功率並非1 〇〇%時評價為 〇，當條件A及B下之成功率均不為1〇〇%時評價為X。 <晶圓研磨條件> 研磨裝置：DISCO公司製造，DFG-8560 半導體晶圓：8叶直徑（自厚度0.6 mm背面研磨至0.075 mm) <貼合條件> 貼附裝置：曰東精機製造，MA-3000II 貼附速度計：1〇 mm/min 貼附壓力：0.15 MPa 貼附時之平台溫度：4CTC 〈切晶條件> 切晶装置：DISCO公司製造，DFD-6361 切晶環：2-8-l(DISCO公司製造） 切晶速度：80 mm/sec 137158.doc -45· 200946631 切晶刀片. Z1 : DISCO 公司製造之 2050HEDD Z2 : DISCO公司製造之2050HEBB 切晶刀片轉速. Z1 : 40,000 rpm Z2 · 40,000 rpm 刀片高度：

Zl : 0.170 mm(視半導體晶圓之厚度而決定（當晶圓厚度 為75 μιη時，刀片高度為0.170 mm)) Z2 · 0.085 mm 切割方式：A模式/階梯式切割 晶圓晶片尺寸.10.0 mm見方 <提取條件> 關於提取條件，藉由下述表3所示之條件A及條件B分別 進行。 137158.doc -46- 200946631

G 鬥e<】 條件B 同左 i <n 200 200 m 條件A B a ^ 〇 Pi a ^ B ^ O _ iSC »Ti m 200 CO 頂針 頂針之根數(根） 頂針之頂起量(μιη) 頂針之頂起速度(mm/sec) 筒夾保持時間(msec) 延伸量(mm) 137158.doc -47- 200946631 (拉伸彈性模數之測定方法） 作為'則疋條件’樣品尺寸係設定為初始長度10 mm、剖 面積0·1〜〇.5 _2，於測定溫度23°C、夾頭間距離50 mm、 拉伸速度50 mm/min下於MD方向或TD方向上進行拉伸試 驗，並測定各方向上樣品之伸長率的變化量（mm)。結果， 對所獲知之S-S曲線之初始上升部分作切線，用該切線相 當於100%伸長率時之拉伸強度除以基材膜之剖面積，作 為拉伸^性模數。再者’關於紫外線照射後之拉伸彈性模

數之測疋，係根據上述照射條件自聚烯烴膜側照射紫外線 之後進行。 (切晶環之殘糊） 自切曰曰裱上剥離切晶膜’目測確認切晶環上是否出現 田崔％到殘糊時評價為χ，確認不到時評價為〇。 (剝離黏著力） 自各切晶黏晶獏中切ψ @ 出寬度為1 〇 mm之樣品片，將盆 附於載置在4〇°c夕+紐』 ’、 淡 °板上之矽鏡面晶圓上。放置約30

在里’使用拉伸試驗機 現疋剝離黏著力。測定條件係設 為.剝離角度為15〇， σ 伸速度為300 mm/min。再者， 口口片之保存及剝離勒荽 观之環境下進行 収係於溫度23°C、相對濕 137158.doc •48- 200946631 【寸<】 剝離黏者力 (N/10 mm) Ο) 〇 〇〇 〇 G) 〇 On 〇 rn Ο) 〇 ON 〇 CN 〇〇 〇 rn On 〇 1—^ | 切晶環之殘糊 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 晶片飛散 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 1 提取性 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ UV硬化後之拉伸 彈性模數(MPa) 19.7 rn Η 85.1 19.3 Η 〇\ 1—Η 50.4 17.6 20.1 16.2 21.3 26.7 19.5 19.9 1—Η 1 UV照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 黏晶膜之貼附前照射 ! Mw (萬） 〇〇 (Ν 00 T—Η m 〇〇 «η 〇〇 ΓΟ 〇〇 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 137158.doc -49- 200946631 ^ I 躁〇 寸 (Ν 〇〇 ON Ο 〇〇 卜 Ss ♦ w 孽 〇 X 〇 〇 X X X 〇 < 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 X < Si 〇 X X X X X X X 1| V S VO oi 〇〇 CN (N r-H r*H τ—Η τ·"Η 2 1—Η c4 <N 1—Η in oo mi 柘 柘 > < 瑤 u η < < < < < < < 襟 躁 躁 躁 | η 〇〇 〇〇 〇〇 〇〇 in (N Ό (N m 寸 ir> 卜 〇〇 餐 馨 餐 餐 餐 餐 馨 -Ο -Ο jJ Jj jlJ -Ο aJ -Ο -50- 137158.doc 200946631 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之—實施形態之切晶黏晶膜的剖面示 意圖。 圖t係表不本發明之另一實施形態之另一切晶黏晶膜的 剖面示意圖。 晶黏晶膜之黏晶膜封裝半 圖3(a)至（e)係表示經由上述切 導體晶片之例的剖面示意圖。

【主要元件符號說明】 基材 黏著劑層 黏晶膜 半導體晶圓 半導體晶片 被黏接體 接線 密封樹脂 加熱塊 切晶黏晶膜 137158.doc -51 -

Claims (1)

1. 200946631 、申請專利範圍： 一種切晶黏晶膜，其特徵右 ^ 行儂在於.其係具備於基材上具有 黏著劑層之切晶膜、及設f λ 置於該黏者劑層上之黏晶膜， 並且 . i述黏著劑層係含有包含作為主單體之丙烯酸酿、相 . t於丙婦酸s旨而含量為1()〜40 m〇1%之範圍内的含經基之 早體、及相對於含經基之單體而含量為7〇〜9〇则1%之範 圍内的具有自由基反應性碳碳雙鍵之異氰S請化合物的 聚口物而構a ’且係藉由特定條件下之紫外線照射進行 硬化而成者， 上述黏晶膜係含有環氧樹脂而構成，且係對紫外線照 射後之黏著劑層加以貼合者。 2’ Μ Μ 1之切“晶膜’其中上述紫外線之照射係於 30〜10〇〇 mj/cm2之範圍内進行。 3. 如叫求項1之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸酯為 ❹ cH2=CHC00R(式中，以系碳數為6〜1〇之烷基）。 4. 如明求項1之切晶黏晶膜，其中上述含羥基之單體係選 自（甲基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸_2_羥基丙 - s曰、（曱基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（曱基）丙烯酸_6_羥基己 西曰、（曱基）丙烯酸-8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸_1〇•羥基癸 西曰、（曱基）丙稀酸-12-羥基月桂酯、及（曱基）丙烯酸（4_羥 基甲基環己基）曱酯所組成群中的至少任意一種。 5·如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述具有自由基反應性 碳-¾雙鍵之異氰酸酯化合物為2_甲基丙烯醯氧基乙基異 137158.doc 200946631 氰酸S曰或2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯中之至少任意— 種。 6. 如吻求項1之切晶黏晶膜，其中上述聚合物之重量平均 为子量為35萬〜1〇〇萬之範圍内。 7. 如4求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層於紫外線 照射後在23。(：下之拉伸彈性模數為7〜17〇河以之範 内。 8. 如請求項1之切晶黏晶膜， 酸。 其中上述黏著劑層不含丙稀 9種切曰曰黏晶臈之製造方法，其特徵在於：其係製造具 備於基材上具有黏著劑層之切晶膜、及設置於該黏著劑 層上之黏晶膜的切晶黏晶膜者，且包括： 2上述基材上形成黏著劑層前驅物之步驟，該黏著劑 層刖驅物係含有包含作為主單體之丙烯酸酯、相對於丙 烯酸酿而含量為1〇〜4〇 m〇1%之範圍㈣含經基之單體、 2相對於含經基之單體而含量為7G〜9G则1%之範圍内的 具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物的聚合物 而構成； 、於特定條件下對上述黏著劑層前驅物照射紫外線而形 成上述黏著劑層之步驟；以及 於上述黏著劑層上貼合上述黏晶膜之步驟。 1〇·如^求項9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述紫外線 之知射係於30〜1〇〇〇 mJ/cm2之範圍内進行。 Π.如請求項9之切晶點晶膜之製造方法，#中上述紫外線 137158.doc 200946631 之* ,昭备J· /备 ’、、'、序'至少對與上述黏晶膜中之半導體晶圓之貼附部 分相對應的部分進行者。 12.=凊求項9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述丙烯酸 酉曰為CH2=CHC00R(式中，R係碳數為6〜10之烷基）。 13 ·女 口言奢 ts λ /崎9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述含經基 之早體係選自（曱基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基）丙烯 鷇2羥基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（甲基）丙烯 I 6羥基己酯、（甲基）丙烯酸_8_羥基辛酯、（甲基）丙烯 酸-1〇_羥基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羥基月桂酯、及（甲 基）丙烯酸（4-羥基甲基環己基）甲酯所組成群中的至少任 意一種。 月求項9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述耳有自 由基反應性碳-碳雙鍵之異氣酸醋化合&為2-甲基丙稀酿 氧基乙基異氰酸酯或2_丙烯醯氧基乙基異氰酸酯中之至 少任意一種。 ❹15如請，項9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述聚合物 之重量平均分子量為35萬〜1〇〇萬之範圍内。 16.如請求項9之切晶黏晶膜之製造方法，其中上述黏著叫 • 層於紫外線照射後在2代下之拉伸彈性模數為7二 MPa之範圍内。 其中上述黏著劑 17.如請求項9之切晶黏晶膜之製造方法 層不含丙稀酸。 18. -種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：其係製造使 用具備於基材上具有黏著劑層之切晶膜、及設置於該黏 137158.doc 200946631 著劑層上之黏晶膜的切晶黏晶膜之半導體裝置者，並且 包括： 準備上述切晶黏晶膜，其中上述切晶黏晶膜中，上述 黏著劑層係含有包含作為主單體之丙烯酸酯、相對於丙 烯酸酯而含量為1〇〜40 m〇1%之範圍内的含羥基之單體、 及相對於含羥基之單體而含量為7〇〜9〇 m〇1%之範圍内的 具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物的聚合物 而構成，且係藉由特定條件下之紫外線照射進行硬化 者，上述黏晶膜係含有環氧樹脂而構成，且係對紫外線 照射後之黏著劑層加以貼合者； 將半導體晶圓壓接於上述黏晶膜上之步驟， 對上述半導體晶圓連同上述黏晶膜一併進行切割，藉 此形成半導體晶片之步驟；以及 將上述半導體晶片連同上述黏晶膜-併自上述黏著劑 層上剝離之步驟；且 自上述半導體晶圓之壓接步驟起直至半導體晶片之剝 離步驟為止，係於不對上述黏著劑層照射紫外線之情況 137158.doc