TW200902597A - Silphenylene skeleton-bearing polymer compound, photo-curable resin composition and patterning process, and substrate circuit protective film - Google Patents

Silphenylene skeleton-bearing polymer compound, photo-curable resin composition and patterning process, and substrate circuit protective film Download PDF

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Description

200902597 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎之含矽化伸苯基架構之高分子化合 物(以下,稱爲含矽化伸苯基架構之高分子化合物)、或 由此高分子化合物所構成的光硬化性樹脂組成物’以及其 圖型形成方法,更且使用此組成物之基板和電路、配線等 之保護用皮膜,特別,關於此保護用皮膜由於其耐熱性和 耐藥品性、絕緣性及可撓性’可成爲半導體元件用保護絕 緣膜、半導體元件再配線絕緣膜、多層印刷基板用絕緣膜 、焊料保護膜、覆蓋層薄膜、以及基板貼合膜等。 【先前技術】 以往,具有感光性之半導體元件保護膜和多層印刷基 板用絕緣膜,係利用感光性聚醯亞胺和感光性環氧基、感 光性聚矽氧等。例如’感光性之聚醯亞胺材料爲提案利用 聚醯亞胺前體之聚醯胺酸的材料,例如,令聚醯胺酸之羧 基經由酯鍵導入感光基者(專利文獻1 :特開昭49-1 1 5 54 1號公報及專利文獻2:特開昭5 5-45 746號公報) 、聚醯胺酸與具有感光基之胺化合物所構成的材料(專利 文獻3 :特開昭5 4 - 1 4 5 7 9 4號公報)等。但是,此等提案 中’於形成圖型化皮膜後,爲了取得目的之聚醯亞胺皮膜 ,必須於超過3 0 0 °C之高溫下的醯亞胺化處理,而爲了承 受此高溫’具有令底層基材受到約束,並且令配線之銅氧 化的問題。 -5- 200902597 亦已提案於其後硬化溫度之低溫化之目的中使用已醯 亞胺化之溶劑可溶之樹脂的感光性聚醯亞胺將其改善(專 利文獻 4~6 :特開平1 0-274850號公報、特開平1〇_ 265571號公報、特開平13-335619號公報等),均爲利用 (甲基)丙烯基令樹脂賦予感光性,於光硬化機構上,因 爲易受到氧損害,顯像時易引起膜減薄等之理由,難提高 像力且無法成爲滿足全部要求特性的材料。 另一方面’亦提案具有酚性羥基之聚醯亞胺架構(專 利文獻7 :特開平3-209478號公報)和聚醯胺架構(專利 文獻8、9 :特公平1 -46862號公報、特開平1 1 -65 1 07號 公報)與重氮萘醌組合之正型。彼等形成超過10微米之 厚膜’由組成物之光穿透性觀點而言爲困難,爲了確保顯 像性令樹脂分子量爲低分子,感光劑重氮萘醌的添加量相 對於樹脂爲多量,具有難以取得樹脂本來之硬化特性等之 問題點。 又,亦提案以環氧化合物與含有不飽和基之羧酸化合 物的反應產物作爲基質的感光性環氧組成物(專利文獻i 〇 :特開2002-293877號公報)等。然而,此類環氧化合物 所構成的材料雖於2 0 0 °C以下之較低溫下可硬化,但其硬 化皮膜爲可撓性和耐濕接黏性差,於要求高信賴性的用途 中並不適用。 更且,提案感光性聚矽氧組成物作爲此類基板、電路 保護用所適用的感光性材料(專利文獻11:特開2002-8 8 1 5 8號公報)’雖於2 5 0 °C以下之低溫下可硬化,且, 200902597 可形成耐濕接黏性等信賴性優良之皮膜,但具有對於N _ 甲基-2-卩比咯院酮般溶解力強之光阻剝離液等之耐藥品性不 夠充分等之問題點。 [專利文獻1]特開昭49-115541號公報 [專利文獻2]特開昭55_45746號公報 [專利文獻3 ]特開昭5 4 - 1 4 5 7 9 4號公報 [專利文獻4]特開平10_274850號公報 [專利文獻5]特開平10 — 265571號公報 [專利文獻6]特開平13-335619號公報 [專利文獻7]特開平3-209478號公報 [專利文獻8]特公平1 -46862號公報 [專利文獻9]特開平11-65107號公報 [專利文獻10]特開2002-293877號公報 [專利文獻11]特開2002- 8 8 1 5 8號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之問題) 本發明爲鑑於上述情事而完成,以提供可輕易以超過 2 Ομηι之厚膜進行微細圖型形成,且,於此圖型形成後’ 以200°C左右之輕低溫的熱處理下,可提供各種薄膜物性 ,和作爲保護膜之信賴性優良之皮膜之具有矽化伸苯基構 造的新穎高分子化合物、含有此高分子化合物之光硬化性 樹脂組成物、及圖型之形成方法及基板電路保護用皮膜爲 其目的。 200902597 (解決課題之手段) 本發明者爲了達成上述目的而重複致力檢討之結果, 發現含有具有下述一般式(1)所示之重複單位之重量平 均分子量3,000〜5 00,000之含矽化伸苯基高分子化合物之 後述組成的光硬化性樹脂組成物,以寬廣波長之光於薄膜 至超過20μπι膜厚之厚膜爲止的寬廣膜厚範圍中可形成皮 膜,且根據後述之圖型形成方法可形成微細之圖型,更且 發現根據此光硬化性樹脂組成物及圖型形成方法所得的硬 化皮膜爲基板的密黏性、耐熱性、電絕緣性、耐藥品性優 良,並且達成本發明。 因此,本發明爲提供以下之含矽化伸苯基架構之高分 子化合物及光硬化性樹脂組成物及圖型形方法及基板電路 保護用皮膜。 申請項1 一種具有下述一般式(1)所示之重複單位之重量平 均分子量爲3,000〜50〇,〇〇〇的含矽化伸苯基架構之高分子 化合物。 【化1】
Γ p CH3 1 ' R1 / \ —— -(CH2^-Si—[-〇 Si—Usi-{CH2V-X _ CH3 CH3 a \ l· A J (1) [式中’ R1〜R4爲相同或相異表示碳數1~8之一價烴基。又 -8- 200902597 ,111爲1〜100之整數,a爲正數’ b爲0或正數,〇.5Sa/ (a + b) S1.0。更且,X爲下述一般式(2)所示之二價有 機基。 【化2】
OH 0H
(式中,Y爲由 【化3】
ch3
I ——ch2一 ——Ο Ι ch3 之任一者中選出的二價有機基,η爲由0或1中選出。又 ,R5、R6分別爲碳數卜4之烷基或烷氧基’可彼此相異或 相同。k爲0、1、2之任一者)]。 申請項2 一種光硬化性樹脂組成物’其特徵爲含有 (A)申請項1記載之含矽化伸苯基高分子化合物, (B )經甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基縮合物’ 1 分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧羥甲基之酚化合物 及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物中選出 任一*種以上’ 200902597 (C)經由190~500nm之光分解,而產生酸的光產酸 劑。 申請項3 一種圖型形成方法,其特徵爲包含 (i )使用申請項2記載之光硬化性樹脂組成物或將 此組成物於有機溶劑中溶解之溶液於基板上形成該組成物 之皮膜的步驟, (ii)透過光罩以波長190〜5〇0 rim之光曝光的步驟, (iii )視需要,進行曝光後之加熱處理後,以顯像液 予以顯像的步驟。 申請項4 一種基板電路保護用皮膜,其特徵爲將申請項3記載 之方法形成圖型之皮膜以1〇〇〜25 0 °C間之溫度予以後硬化 而取得。 (發明之效果) 經由使用本發明之具有矽化伸苯基架構之新穎高分子 化合物,則可以寬廣之波長領域光,於未達1 μηι之薄膜至 超過20μίη之厚膜的寬廣膜厚中,進行形成微細圖型的光 硬化性樹脂組成物。更且,此組成物爲於光形成圖型後, 於250°C以下之低溫加熱處理下,可輕易形成對於電路基 板所使用之基材的密黏性優良,且機械性和電絕緣性優良 的皮膜,故適合使用於電氣、電子構件、電路基板、半導 體元件、顯示元件等之各種保護膜、絕緣膜、接黏膜的形 -10- 200902597 成。 【實施方式】 本發明之含矽化伸苯基高分子化合物爲具有下述一般 式(1 )所示之重複單位之重量平均分子量 3,000〜5 00,000 之矽化伸苯基架構之高分子化合物。 【化4】
⑴ 式中’ R1〜R4爲相同或相異表示碳數1〜8、較佳爲1~6之 一價烴基。具體而言,可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基 、正丁基、第三丁基、環己基等之直鏈狀、分支狀或環狀 之烷基、乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、環 己烯基等之直鏈狀、分支狀或環狀之烯基、苯基、甲苯基 等之芳基、苄基、苯乙基等之芳烷基。 又,m爲1〜100、較佳爲1~80之整數。m若超過100 ,則與後述甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基縮合物或環 氧化合物等及光產酸劑的相溶性惡化,且有時無法取得充 分的光硬化性。又,a爲正數,b爲0或正數、〇.5Sa/( a + b) S1.0,較佳爲滿足 〇.6Sa/(a + b) S1.0 之關係。 更且,式中,X爲由具有下述一般式(2)所示之酚性羥 基的二價芳香族基中選出。 -11 - 200902597
(式中,γ爲由 【化6】
ch3 -CH2-
I -c—
I ch3 之任一者中選出的二價有機基,n爲由0或l中選出。又 ,R5、R6分別爲碳數1~4之烷基或烷氧基,可彼此相異或 相同。k爲0、1、2之任一者)。 R5、R6之具體例可列舉甲基、乙基、異丙基、第三丁 基等。 本發明之含矽化伸苯基之高分子化合物的重量平均分 子量爲 3,000〜500,000、較佳爲5,000〜300,000。若重量平 均分子量爲未滿3,000則無法取得充分的光硬化性,又, 利用此樹脂之組成物硬化物的機械特性不夠充分,若超過 50〇,〇〇〇則與後述甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基縮合物 或酚樹脂、環氧化合物等及光產酸劑的相溶性惡化。另外 ,重量平均分子量爲以膠滲透層析(GPC)之聚苯乙烯換 算値。 本發明之具有矽化伸苯基骨架之高分子化合物可令下 -12- 200902597 述式(3)之氫矽化伸苯基(1,4 -雙(二甲基甲矽院 )' 【化7】 (3) 或此氫矽化伸苯基及下述一般式(4)之二氫有機 (4) (式中,R1〜R4及m爲同上述) 與下述一般式(5)所示之具有二烯丙基之特定的
【化9】 OH OH
(式中,Y、R5、R6、n、k爲同上述) 於觸媒存在下進行所謂之「氫化矽烷化」聚合反應 造。 另外,本發明之具有式(1)所示重複單位之 伸苯基高分子化合物的重量平均分子量,可經由調 基)苯 基矽氧 ch3
ch3
基 (5) 則可製 含矽化 整上述 -13- 200902597 式(5)所示之酚化合物的烯丙基總數和上述3 之氫矽化伸苯基、或此氫矽化伸苯基與上述Ϊ 之二氫有機基矽氧烷之氫甲矽烷基總數之比( /氫甲矽烷基總數)則可輕易控制。或者,於 基酚化合物與氫矽化伸苯基及二氫有機基矽氧 例如,使用鄰-烯丙基酚般之單烯丙基化合物 氫矽烷般之單氫矽烷和單氫矽氧烷作爲分子量 合目的分子量之高分子化合物亦可。 於上述聚合反應中,觸媒可列舉例如鉑( 、铑、鈀等之鉑族金屬單體;H2PtCI4 · χΗ20 xH20、NaHPtCl6 _ xH20、KHPtCl6 · xH2〇、 xH20、K2PtCl4 . xH20、PtCl4 · xH20、PtCl2 • xH20 (式中,x爲0〜6之整數爲佳,特別以 )等之氯化鉑、氯化鈾酸及氯化鉑酸鹽;醇改 (美國專利第3,22 0,972號公報):氯化鉑酸 合物(美國專利第 3,1 5 9,60 1 )號公報、姜 3 J 5 9,662號公報、美國專利第3,775,45 2號公 和鈀等之鉑族金屬以氧化鋁、二氧化矽、碳等 者;铑-烯烴錯合物;氯基三(三苯膦)铑( 金森觸媒);氯化鉑、氯化鈾酸或氯化鉑酸鹽 基之矽氧烷(特別爲含有乙烯基之環狀矽氧烷 等。 於上述聚合反應中,視需要亦可使用有機 溶劑例如以甲苯、二甲苯等之烴系有機溶劑爲 式(3 )所示 尤(4 )所示 烯丙基總數 上述二烯丙 院聚合時, 、或三乙基 調節劑,聚 包含鉑黑) 、H2PtCl6 · Na2PtCl6 · ' Na2HPtCl4 〇或6爲佳 性氯化鉑酸 與烯烴之錯 i國專利第 報);鉑黑 之載體承載 所謂之威爾 與含有乙烯 )的錯合物 溶劑。有機 佳。 -14- 200902597 上述聚合條件爲聚合溫度例如爲40〜1 5 0 °C,特別以 8 0〜120 °C爲佳。若聚合溫度過低則至聚合完成需要長時間 ,相反若聚合溫度過高,則恐觸媒失活。 又’聚合時間雖亦根據聚合物種類及份量而異,但爲 了防止濕氧介入聚合系中,大約於0.5〜1 0小時,特別爲 0·5〜5小時以內終了爲佳。如此處理令聚合反應終了後, 使用溶劑時將其蒸除,則可取得本發明之具有式(1 )所 示之重複單位之具有矽化伸苯基架構的高分子化合物。 其次,本發明之光硬化性樹脂組成物爲含有(A )具 有上述一般式(1)所示之重複單位之含有矽化伸苯基架 構的高分子化合物、(B )經甲醛水或甲醛水-醇所改性之 胺基縮合物、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧羥 甲基之酚化合物及1分子中平均具有2個以上環氧基之環 氧化合物中選出任一種以上、(C)經由190〜5 00nm之光 分解,而產生酸的光產酸劑。 本發明所使用之(B)成分爲與上述(A)成分引起硬 化反應,容易形成圖型之成分,並且令硬化物的強度更加 提高。此類(B)成分之樹脂爲重量平均分子量爲 150~1 0,000、特別以200〜3,000者爲佳。若重量平均分子 量爲未達1 5 0,則有時無法取得充分的光硬化性’若超過 1 0,0 0 0則有時令組成物硬化後的耐熱性惡化。 上述(B )成分之經甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基 縮合物可列舉例如,經甲醛水或甲醛水-醇所改性之蜜胺 縮合物、或經甲醛水或甲醛水-醇所改性之脲縮合物。上 -15- 200902597 述改性蜜胺縮合物之調製爲例如,首先根據公知之方法將 蜜胺單體以甲醛予以羥甲基化且改性,或將其再以醇予以 烷氧基化且改性,作成下述一般式(6 )所示之改性蜜胺 。另外,上述醇爲低級醇,例如以碳數1〜4之醇爲佳。
R7 R7 【化1 〇 ] (式中’ R7可相同或相異爲羥甲基、含有碳數1〜4之烷氧 基之烷氧甲基或氫原子’至少一者爲羥甲基或上述烷氧甲 基)。 上述R7可列舉例如,羥甲基、甲氧甲基、乙氧甲基 等之院氧甲基及氫原子等。 上述一般式(6)之改性蜜胺具體而言可列舉三甲氧 甲基單羥甲基蜜胺、二甲氧甲基單羥甲基蜜胺、三羥甲基 蜜胺、六羥甲基蜜胺、六甲氧基羥甲基蜜胺等。
B 其次’將一般式(6 )之改性蜜胺或其多聚物(例如 二聚物、三聚物等之低聚物)根據常法與甲醛加成縮合聚 合至所欲之分子量爲止’取得(B)成分之經甲醛水或甲 醛水-醇所改性之蜜胺縮合物。另外,可使用一般式(6 ) 之單體及其多聚物之一種以上的改性蜜胺縮合物作爲( )成分 -16- 200902597 又,經甲醛水或甲醛水-醇所改性之脲縮合物的調製 ,例如根據公知之方法將所欲分子量之脲縮合物以甲醛水 予以羥甲基化且改性,或將其再以醇予以烷氧基化且改性 〇 上述改性脲縮合物之具體例可列舉例如,甲氧甲基化 脲縮合物、乙氧甲基化脲縮合物、丙氧甲基化脲縮合物等 。另外,此等一種以上之改性脲縮合物可使用作爲(B ) 成分。 更且,(B)成分之1分子中平均具有2個以上羥甲 基或烷氧羥甲基之酚化合物,可列舉例如(2-羥基-5-甲基 )-1,3-苯二甲醇、2,2',6,6'-四甲氧甲基雙酚A等。 更且,(B)成分之1分子中平均具有2個以上環氧 基之環氧化合物,可列舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹 脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂、 三苯酚鏈烷型環氧樹脂及其聚合物、聯苯型環氧樹脂、二 環戊二烯改性苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環 氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、含有萘環之環氧樹脂、 縮水甘油酯型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環型環氧樹 脂等。 此等(B )成分之胺基縮合物、酚化合物、環氧化合 物可單獨一種或混合使用二種以上。 本發明之(B)成分之胺基縮合物和酚化合物、環氧 化合物爲相對於上述(A )成分之含矽化伸苯基高分子化 -17- 200902597 合物1 00質量份以0.5~5 0質量份、特別以1〜3 0質量份爲 佳。若未達〇 . 5質量份則光照射時無法取得充分之硬化性 ,相反地若超過5 0質量份則光硬化性樹脂組成物中之含 矽化伸苯基高分子化合物的比例降低,且恐硬化物無法充 分表現本發明效果。 (C)成分之光產酸劑可列舉經由190〜5 00nm波長之 光照射發生酸,且以其作爲硬化觸媒者。本發明之樹脂組 成物爲與產酸劑的相溶性優良,故可使用寬廣的產酸劑。 此類產酸劑可列舉例如,鎗鹽、重氮甲烷衍生物、乙二肟 衍生物、/3 -酮基颯衍生物、二颯衍生物、硝苄基磺酸酯 衍生物、磺酸酯衍生物、吲哚基-磺酸酯衍生物、肟磺酸 酯衍生物、亞胺基磺酸酯、三哄衍生物等。 上述鎗鹽可列舉例如,下述一般式(7 )所示之化合 物。 (R8 ) hM + K- ( 7 ) (式中,R8爲表示亦可具有取代基之碳數1~12之直鏈狀 、分支狀或環狀之烷基、碳數6〜12之芳基或碳數7〜12之 芳烷基,M+爲表示碘鎗或銃,K-爲表示非球狀核性對向 離子,h爲表示2或3)。 於上述R8中’烷基可列舉例如,甲基、乙基、丙基 、丁基、環己基、2-氧環己基、原冰片基、金剛烷基等。 又’芳基可列舉例如,苯基;鄰-、間-或對-甲氧苯基、乙 -18- 200902597 氧苯基、間-或對-第三丁氧苯基等之烷氧苯基;2-、3-或 4 -甲苯基、乙苯基、4-第三丁苯基、4-丁苯基、二甲苯基 等之烷苯基等。又,芳烷基可列舉例如,苄基、苯乙基等 之各基。 K·之非球核性對向離子可列舉氯化物離子、溴化物 離子等之鹵化物離子;三氟磺酸酯、1,1,1-三氟乙烷磺酸 酯、九氟丁烷磺酸酯等之氟烷基磺酸酯;甲苯磺酸酯、苯 磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、1,2,3,4,5-五氟苯磺酸酯等之芳磺 酸酯;甲磺酸酯、丁烷磺酸酯等之烷基磺酸酯等。 重氮甲烷衍生物可列舉下述一般式(8 )所示之化合 物。 【化1 1】 d_S02_R9
R9—S〇2—I (式中,R9爲相同或相異表示碳數1〜12之直鏈狀、分支 狀或環狀烷基或鹵化烷基、碳數6〜12之芳基或鹵化芳基 、或碳數7〜12之芳烷基)。 於上述R9中,烷基可列舉例如,甲基、乙基、丙基 、丁基、戊基、環戊基、環己基、原冰片基、金剛烷基等 〇 鹵化烷基可列舉例如,三氟甲基、1 ,1,1 -三氟乙基、 1,1,1-三氯乙基、九氟丁基等。芳基可列舉例如,苯基; 鄰-、間-或對-甲氧苯基、乙氧苯基、間-或對-第三丁氧苯 -19- 200902597 基等之烷氧苯基;2-、3-或4-甲苯基、乙苯基、4-第三丁 苯基、4-丁苯基、二甲苯基等之烷苯基等。鹵化芳基可列 舉例如氟基苯、氯基苯、1,2,3,4,5 -五氟基苯等。芳垸基可 列舉例如,苄基、苯乙基等。 (C)成分之光產酸劑具體而言可例舉例如,三氟甲 烷磺酸二苯基碘鎗、三氟甲烷磺酸(對-第三丁氧苯基) 苯基碘鐽、對-甲苯磺酸二苯基碘鎗、對-甲苯磺酸(對-第 三丁氧苯基)苯基碘鎗、三氟甲烷磺酸三苯锍、三氟甲烷 磺酸(對-第三丁氧苯基)二苯锍、三氟甲烷磺酸雙(對_ 第三丁氧苯基)苯銃、三氟甲烷磺酸三(對-第三丁氧苯 基)銃、對-甲苯磺酸三苯銃、對-甲苯磺酸(對-第三丁氧 苯基)二苯銃、對-甲苯磺酸雙(對-第三丁苯基)苯锍、 對-甲苯磺酸三(對-第三丁氧苯基)銃、九氟丁烷磺酸三 苯锍、丁烷磺酸三苯锍、三氟甲烷磺酸三甲锍、對-甲苯 磺酸三甲銃、三氟甲烷磺酸環己基甲基(2-氧環己基)銃 、對-甲苯磺酸環己基甲基(2-氧環己基)銃、三氟甲烷磺 酸二甲基苯銃、對-甲苯磺酸二甲苯锍、三氟甲烷磺酸二 環己苯锍、對-甲苯磺酸二環己苯锍、雙(4-第三丁苯基) 碘鎗六氟磷酸酯、二苯基(4-硫苯氧苯基)锍六氟銻酸酯 寺之鐵鹽; 雙(苯磺醯)重氮甲烷、雙(對-甲苯磺醯)重氮甲 烷、雙(二甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(環己磺醯基)重 氮甲烷、雙(環戊磺醯基)重氮甲烷、雙(正丁磺醯)重 氮甲烷、雙(異丁磺醯)重氮甲烷、雙(第二丁磺醯)重 -20- 200902597 氮甲烷、雙(正丙磺醯)重氮甲烷、雙(異丙磺醯)重氮 甲烷、雙(第三丁磺醯)重氮甲烷、雙(正戊磺醯)重氮 甲烷、雙(異戊磺醯)重氮甲烷、雙(第二戊磺醯)重氮 甲烷、雙(第三戊磺醯)重氮甲烷、1-環己磺醯-ι-(第三 丁磺醯)重氮甲烷、1-環己磺醯-1-(第三戊磺醯)重氮甲 烷、1-第三戊磺醯-1-(第三丁磺醯)重氮甲烷等之重氮甲 烷衍生物; 雙-鄰-(對甲苯磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-( 對-甲苯磺醯)-α-二苯基乙二肟、雙-鄰-(對-甲苯磺醯 )-α-二環己基乙二肟、雙-鄰-(對-甲苯磺醯)-2,3-戊二 酮乙二肟、雙-(對-甲苯磺醯)_2·甲基-3,4-戊二酮乙二肟 、雙-鄰-(正丁烷磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(正 丁烷磺醯)-α-二苯基乙二肟、雙-鄰-(正丁烷磺醯)-α-二環己基乙二肟、雙-鄰-(正丁烷磺醯)-2,3-戊二酮乙 二肟、雙-鄰-(正丁烷磺醯)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、 雙-鄰-(甲烷磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙·鄰-(三氟甲 烷磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(1,1,1-三氟乙烷磺醯 )-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(第三丁烷磺醯)-α-二甲 基乙二肟、雙-鄰-(全氟辛磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(環己烷磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(苯磺醯 )-α -二甲基乙二肟 '雙-鄰-(對-氟苯磺醯)-α -二甲基 乙二肟、雙-鄰-(對-第三丁基苯磺醯)- a-二甲基乙二肟 、雙-鄰-(二甲基磺醯)-α-二甲基乙二肟、雙-鄰-(樟 腦磺醯)-α -二甲基乙二肟等之乙二肟衍生物; -21 - 200902597 α-(苯磺醯氧亞胺基)-4-甲苯基乙腈等之肟磺酸酯 衍生物; 2-環己羰基-2-(對-甲苯磺醯)丙烷、2-異丙羰基-2_ (對-甲苯磺醯)丙烷等之酮基颯衍生物: 二苯基二颯、二環己基二楓等之二颯衍生物; 對-甲苯磺醯2,6-二硝苄酯、對-甲苯磺醯2,4-二硝苄 酯等之磺醯硝苄酯衍生物; 1,2,3-三(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-三(三氟甲烷磺 醢氧基)苯、1,2,3-三(對-甲苯磺醯氧基)苯等之磺酸酯 衍生物; 酞醯亞胺基三氟磺酸酯、酞醯亞胺基甲苯磺酸酯、5-原冰片烯2,3-二羧醯亞胺基三氟磺酸酯、5-原冰片烯2,3-二羧醯亞胺基正丁基磺酸酯、正三氟甲基磺醯氧萘基醯亞 胺等之醯亞胺基-磺酸酯衍生物等。 更且,可列舉(5-(4-甲苯基)磺醯氧亞胺基- 5H-噻 吩-2-亞基)-(2 -甲苯基)乙腈、(5- (4- (4 -甲苯磺醯氧 基)苯磺醯氧亞胺基)-5H -噻吩-2-亞基)-(2_甲苯基)-乙腈等之亞胺基磺酸酯、和2 -甲基-2[ (4 -甲苯基)磺醯]-卜[(4-甲硫基)苯基]-1-丙烷等。其中亦以醯亞胺基磺酸 酯類和亞胺基磺酸酯類、肟磺酸酯類等爲適於使用。 上述產酸劑(C)可單獨1種或混合使用2種以上。 產酸劑(C)之配合量相對於(A)成分之含矽化伸苯基架 構之高分子化合物100質量份以0.05~2〇質量份、特別以 0.2〜5質量份爲佳。若配合量未達〇 _ 〇 5質量份則無法取得 -22- 200902597 充分的光硬化性,若超過2 0質量份則經由產酸劑本身之 光吸收而令厚膜之光硬化性惡化。 於本發明之光硬化性樹脂組成物中’視需要亦可配合 有機溶劑作爲(D )成分。有機溶劑以可溶解上述高分子 化合物、經甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基縮合物、酚 化合物、環氧化合物及光產酸劑等之成分的溶劑爲佳。 此類有機溶劑可列舉例如,環己酮、環戊酮、甲基-2 -正戊基酮等之酮類;3 -甲氧基丁醇、3 -甲基-3-甲氧基丁醇 、:I-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類;丙二醇 單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、 丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等之醚類;丙二醇單甲醚 醋酸酯、丙二醇單乙醱醋酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、 醋酸丁酯、3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -乙氧基丙酸乙酯、醋酸 第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單-第三丁醚醋酸酯、 τ -丁內酯等之酯類等,其可單獨一種或倂用使用二種以 上。 其中特別以產酸劑之溶解性最優良的乳酸乙酯、環己 酮、環戊酮、丙二醇單甲醚醋酸酯、7-丁內酯及其混合 溶劑爲佳。 上述(D)有機溶劑之使用量爲相對於(A) ~(C) 成分之全固形成分100質量份以50〜2,000質量份,特別 以100〜1,000質量份爲佳。若未達50質量份則上述各成 分(A )〜(C )之相溶性不夠充分,相反地即使超過 2,000質量份亦不會令相溶性頗爲變化,且黏度過低且恐 -23- 200902597 不適於樹脂之塗佈。 此外,於本發明之光硬化性樹脂組成物中除了上述各 成分以外,亦可再配合添加成分。此類添加成分例如可添 加令塗佈性提高所慣用的界面活性劑。界面活性劑以非離 子性之物筧爲佳,可列舉例如氟系界面活性劑,具體而言 爲全氟烷基聚氧乙烯乙醇、氟化烷酯、氧化全氟烷基胺、 含氟有機基矽氧烷系化合物等。 其可使用市售物質,可列舉例如,Floride「FC-443 0 」(住友 3M (股)製)、Surfuron「S-141」及「S-145」 均爲旭硝子(股)製)、Unidin「DS-401」、「DS-403 1 」及「DS-451」(均爲Dikin工業(股)製)、Megafac 「F-8151」(大日本油墨工業(股)製)、「X-70-093」 (信越化學工業(股)製)等。其中較佳爲Floride「FC-4430」 (住友 3M (股) 製) 及 「X-70-093」 (信 越化學 工業(股)製)。 又,其他之添加成分亦可添加令光產酸劑等之光吸收 效率提高的吸光劑。此類吸光劑可列舉例如,二芳基亞硒 、二芳基颯、9,10 -二甲基蒽、9 -芴酮等。此外,亦可添加 作爲調整感度用之鹼性化合物,具體而言爲三乙醇胺般之 三級胺化合物和苯并三唑、吡啶等之含氮原子化合物,更 且,亦可添加作爲密黏性改善劑之矽烷偶合劑,例如,環 氧系矽烷偶合劑KBM-403 (信越化工業(股)製)等。加 上,將本發明之光硬化性樹脂組成物使用於光阻材料等之 時,可添加光阻材料等通常使用之其他任意的添加成分。 -24- 200902597 另外’上述添加成分之添加量爲在不妨礙本發明效果之範 圍中可視爲通常量。 本發明之光硬化性樹脂組成物之調製可依通常之方法 進行’將上述各成分及視需要之上述有機溶劑、添加劑等 攪拌混合’其後視需要將固形成分以濾紙等過濾,則可調 製本發明之光硬化性樹脂組成物。 如此處理所調製之本發明的光硬化性樹脂組成物,例 如’適合使用作爲半導體元件之保護膜、配線之保護膜、 覆蓋層薄膜 '焊料光阻、及、微細加工用光阻等之材料。 使用上述光硬化性樹脂組成物形成圖型之圖型形成方 法爲包含下述步驟。 (i )將上述之光硬化性樹脂組成物於基板上塗佈和 以其他方法成膜之步驟, (Π)透過光罩以波長190〜500nm波長之光予以曝光 之步驟,而且必要時,進行曝光後加熱步驟(所謂PEB步 驟)。 (iii )以顯像液予以顯像之步驟。 根據以上之三步驟形成圖型後,再經過(iv )形成圖 型後,進行加熱予以後硬化之步驟,取得最終目的之保護 膜。 於本發明之圖型形成方法中,首先將上述光硬化性樹 脂組成物於基板上塗佈。上述基板可列舉例如矽晶圓 '塑 膠和陶瓷製電路基板等。又,將此溶液另外薄膜化’並且 張貼至基板的方法亦可。 -25- 200902597 塗佈法可採用公知的光微影技術進行。例如,以浸漬 法、旋塗法、輥塗法等之手法塗佈。塗佈量爲視目的而適 當選擇’以膜厚0.1〜ΙΟΟμιη、較佳爲1~100μιη、更佳爲 3〜80μηι爲佳。另外,預先形成此組成物之薄膜,並將此 薄膜張貼至基材亦可。 此處,爲了有效率進行光硬化反應,視需要以預加熱 令溶劑等預先揮發亦可。預加熱爲例如以40〜140 t進行1 分鐘〜1小時左右。其次,透過光罩以波長1 90〜5 OOnm之 光曝光,令其硬化。上述光罩,例如亦可挖通所欲之圖型 。另外,光罩之材質爲遮蔽上述波長190〜500nm之光者爲 佳’例如可適當使用鉻等,但並非限定於此。 上述波長190〜500ηηι之光可列舉例如經由放射線發生 裝置所發生的各種波長光,例如,g射線、i射線等之紫 外線光、遠紫外線光(24 8nm、193nm )等。較佳爲 248〜4 36nm、曝光量例如爲10〜2,000mJ/cm2爲佳。此處, 視需要爲了更加提高顯像感度,亦可進行曝光後加熱處理 。上述曝光後之加熱處理例如以40〜140°C下進行0.5〜10 分鐘。 上述曝光後或曝光加熱後,以顯像液予以顯像。顯像 液爲使用作爲溶劑的有機溶劑,例如IPA等之醇類和環己 酮等之酮類,以及、丙二醇單甲醚等之二元醇等爲佳。可 使用能使用的溶劑作爲組成物溶劑。顯像後以通常之方法 ,例如將圖型形成物浸漬等則可進行。其後,視需要進行 洗淨、淋洗、乾燥等,取得具有所欲圖型的組成物皮膜。 -26- 200902597 另外,關於圖型之形成方法爲如上述,於非必要形成圖型 時,例如欲形成單純的均勻皮膜時,除了未使用上述光罩 以外,以上述圖型形成方法所述之同樣方法進行即可。 又,所得之圖型再使用烤爐和熱板以100〜25 0 °c加熱 1 0分鐘~ 1 0小時左右,則可提高交聯密度,除去殘存之揮 發成分,形成對於基材之密黏力優良、耐熱性和強度、及 電氣特性均良好的皮膜。 如此處理由上述光硬化性樹脂組成物所得之硬化皮膜 爲與基材之密黏性、耐熱性、電絕緣性、機械特性優良, 且適合使用作爲電氣、電子構件、半導體元件等之保護膜 、加上可形成微細之圖型,並且所形成之皮膜爲對於基材 之接黏性、電氣特性、機械特性等優良,且適合使用於半 導體元件的保護膜、配線保護膜、覆蓋層薄膜、焊料光阻 等。 [實施例] 以下’示出合成例、實施例及比較例具體說明本發明 ’但本發明不被限制於下述例。另外,於下述例中份爲表 示質量份、又,Me爲表示甲基、Ph爲表示苯基。 [合成例1 ] 於具備攪拌機、溫度計、氮氣更換裝置及迴流冷卻器 之燒瓶內裝入4,4,-亞甲基雙[2-(2-丙烯基)苯酣]56.0克 、甲苯140克、氯化鉑酸〇·〇4克,並升溫至80°C。其後 -27-
Me -Si—〇 lie
200902597 ,將1,4-雙(二甲基甲矽烷基)苯38.9克歷1小時 燒瓶內。此時,燒瓶內溫度爲上升至88C爲止。滴下 後,再以8 0 °C熟化2小時後,蒸除甲苯,並且添加環 90克,取得樹脂固形成分濃度50%之環己酮作爲主溶 樹脂溶液(A-1)。此溶液之樹脂部分的分子量若以 測定,則換算成聚苯乙烯爲重量平均分子量120,000 ,於式(1 )中,b = 0。 [合成例2] 於具備攪拌機、溫度計、氮氣更換裝置及迴流冷 之燒瓶內裝入9,9'-雙(3-烯丙基-4-羥苯基)芴43.1 下述平均構造式(9 ) 【化1 2】
所示之有機基氫矽氧烷29·5克 '甲苯135克、氯化 0.04克,並升溫至80°C。其後,將1,4-雙(二甲基 烷基)苯17.5克歷1小時滴入燒瓶內。此時’燒瓶 度爲上升至8 5 °C爲止。滴下終了後,再以8 0 °C熟化 時後,蒸除甲苯’並且添加環己酮8 0克’取得樹脂 成分濃度5 0 %之環己酮作爲主溶劑的樹脂溶 '液(A · 2 此溶液之樹脂部分的分子量若以GP C測定’則換算 苯乙烯爲重量平均分子量45,000。又’於式(1)中 -28- 滴入 終了 己酮 劑的 GPC 。又 卻器 克、 (9) 鉑酸 甲砂 內溫 2小 固形 )° 成聚 ,a/ 200902597 (a+b)爲 0.90 。 [合成例3] 於具備攪拌機、溫度計、氮氣更換裝置及 之燒瓶內裝入4,4·- ( 1-甲基亞乙基)雙[2_ ( 苯酚]61.6克、甲苯175克、氯化鉑酸〇.〇4克 8〇°C。其後,將1,4 -雙(二甲基甲矽烷基)苯 各下述平均構造式(10) 迴流冷卻器 2-丙烯基) ,並升溫至 21 .4克與 【化1 3】 Me Η-Si—Ο lie
Ph I Si—O I Ph
Me -Si—H Me 所不之有機基氫!砂氧院89.3克之混合溶液歷 燒瓶內。 此時,燒瓶內溫度爲上升至88 °C爲止。滴 再以80°C熟化2小時後,蒸除甲苯,並且添: 單甲醚2-醋酸酯170克,取得樹脂固形成分濃 二醇1-單甲醚2 -醋酸酯作爲主溶劑的樹脂溶》 此溶液之樹脂部分的分子量若以GPC測定, 苯乙烯爲重量平均分子量8,000。又,於式( a + b)爲 0.61。 (10) 1小時滴入 下終了後, 丨口丙二醇1-度5 0 %之丙 I ( A-3 )。 則換算成聚 .)中,a/ ( [合成例4] 於具備攪拌機、溫度計、氮氣更換裝置及 -29- 迴流冷卻器 200902597 之燒瓶內裝入4,4·- ( 1-甲基亞乙基)雙[2- ( 2_丙烯基) 苯酚]58_5克、2_烯丙基苯酚2.7克、甲苯210克、氯化鉑 酸0.04克,並升溫至80°C。其後,將1,4 -雙(二甲基甲 矽烷基)苯31.2克與上述平均構造式(9)所示之有機基 氫矽氧烷1 1 7.9克之混合溶液歷1小時於燒瓶內滴下。 此時’燒瓶內溫度爲上升至88。(:爲止。滴下終了後, 再以8 0 °C熟化2小時後,蒸除甲苯,並且添加丙二醇j _ 單甲醚2-醋酸酯200克,取得樹脂固形成分濃度50%之丙 二醇1 -單甲醚2 -醋酸酯作爲主溶劑的樹脂溶液(b -1 )。 此溶液之樹脂部分的分子量若以G P C測定,則換算成聚 苯乙烯爲重量平均分子量2,500。又,於式(1)中,a/ ( a + b )爲 0.080 ° [合成例5] 於具備攪拌機、溫度計、氮氣更換裝置及迴流冷卻器 之燒瓶內裝入4,4'- (1-甲基亞乙基)雙[2-(2-丙烯基) 苯酚]61.6克、甲苯95克、氯化鉑酸0.04克,並升溫至 8(TC。其後,將1,4-雙(二甲基甲矽烷基)苯15.6克和 1,3-二氫-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷16.1克之混合溶液歷1 小時滴入燒瓶內。 此時,燒瓶內溫度爲上升至8 61爲止。滴下終了後’ 再以80°C熟化2小時後,蒸除甲苯,並且添加丙二醇卜 單甲醚2-醋酸酯90克,取得樹脂固形成分濃度50%之丙 二醇1-單甲醚2-醋酸酯作爲主溶劑的樹脂溶液(B-2) ° -30- 200902597 此溶液之樹脂部分的分子量若以GPC測定’則換算成聚 苯乙烯爲重量平均分子量14,000。又’於式(1)中’ a/ (a + b)爲 0.40。 [實施例、比較例] 使用上述合成例1〜5所合成之樹脂溶液’以表1記載 之組成配合交聯劑、光產酸劑、其他添加物、溶液等,其 後,攪拌 '混合、溶解後,以Tefulon (註冊商標)製 0.2 μιη濾紙進行精密過濾,取得實施例1〜5之本發明的光 硬化性樹脂組成物及比較例1、2之組成物。 其次,於無處理之6吋矽晶圓’使用旋塗器,以表1 中記載之膜厚塗敷各實施例及比較例之組成物。對於此矽 基板,爲了除去溶劑乃以1 2 0 °C熱板加熱乾燥2分鐘後, 透過具有等間隔線和空間之線寬1 μιη至5〇μπ!的石英製光 罩,以表1中記載之波長光曝光量予以照射。另外,此處 ,NSR-1755i7A、NSR-TFH1 爲表示(股)Nikkon 製 Stepper型曝光裝置、PLA-600FA爲表示 Canon (股)製 Cotact Aligner型曝光裝置。照射後,以100 °C曝光後加熱 1分鐘’其後冷卻。 其後,將上述塗佈基板於2 -丙醇中浸漬4分鐘,進行 顯像。此時解像之線寬記載於表1中。又,顯像後之膜厚 亦合倂記載。 另一方面,對於另外之6吋矽晶圓與6吋矽晶圓全面 以膜厚2μιη電鍍銅之銅基板,亦使用表1中記載之各實施 -31 - 200902597 例及比較例之組成物,評價樹脂組成物之硬化後的特性, 記載於表2。另外,各評價爲根據下列方法實施。 電氣特性= 爲了評價樹脂組成物的絕緣破壞強度,將表1中記載 之實施例1〜5、及比較例1、2之組成物以樹脂固形成分濃 度爲1 〇%般全部以環己酮稀釋。分別使用此稀釋溶液,於 6吋矽晶圓上將此等溶液旋塗,進行除去溶劑用之預烘烤 。更且,未透過石英製光罩,對基板全面照射光後,亦持 續進行曝光後之加熱,對於2-丙醇之浸漬。將此操作後殘 留的皮膜再以2 0 0 °C之烤爐加熱1小時,取得膜厚0.8 μηι 之硬化皮膜。利用此硬化皮膜,以 CV-IV測定裝置( SSM600 Solid State Measurement Inc.製),測定各個組成 物硬化皮膜的絕緣性。 接黏性: 爲了測定樹脂組成物硬化物對於基材的接黏性,乃使 用表1中記載之實施例1〜5、及比較例1、2之組成物,於 矽晶圓及銅基板上將此等溶液旋塗,進行除去溶劑用之預 烘烤。更且,未透過石英製光罩,對基板全面照射光後, 亦持續進行曝光後之加熱,對於2-丙醇之浸漬。將此操作 後殘留的皮膜再以200 °C之烤爐加熱1小時,取得硬化皮 膜。利用此硬化皮膜,評價對於矽及銅的耐濕接黏性。耐 濕接黏性之評價爲將形成硬化皮膜之晶圓投入2.1氣壓, -32- 200902597 100%壓熱鍋試驗機中96小時,其後, 計數100格中的皮膜殘存區域。 耐裂痕性: 爲了調查樹脂組成物硬化物於熱周 乃使用表1中記載之實施例1〜5、及比| ,於矽晶圓上將此等溶液旋塗,進行除 。其後,透過具有15mmxl5mm照射區 射光、曝光後,進行加熱、顯像,於晶 15mmxl5mm的正方形圖型。其後,將基 1小時,取得具有 1 5 m m X 1 5 m m大小之 皮膜。將此形成硬化皮膜的晶圓以-55 °C 投入熱周期試驗機,並且調查1,000周 痕發生。 耐溶劑性: 爲了調查樹脂組成物硬化物的耐溶 成半導體元件等所常使用之N-甲基-2-性,乃對於各組成物,以耐裂痕性之評 晶圓上形成15mmxl5mm之圖型。將此έ 溫浸漬1小時後,調查膜厚變化、外觀 以棋盤格剝離試驗 期後的耐裂痕性, 芝例1、2之組成物 去溶劑用之預烘烤 域之石英光罩,照 圓上形成各膜厚之 板於2 0 0 °C下加熱 樹脂組成物的硬化 至1 5 0 °c爲1周期 期後樹脂中有無裂 劑性,特別對於形 1肚咯烷酮的耐溶劑 價同樣之方法,於 ^圓於NMP中以室 ,並評價耐溶劑性 -33- 200902597 表 1 組成物成分(質量份) 旋塗後 膜厚 (μπι) 光源/ 曝光量 顯像後 膜厚 (μπι) 最小 解像 L&S (μπι) 樹脂 溶液 光產 酸劑 交聯劑 其他添 加劑 實施例 1 A-1 1〇〇份 PG-1 1份 CL-1 5份 FC-4430 0.02 份 30 NSR-1755i7A 365nm/ 400mJ/cm2 29.5 15 實施例 2 A-1 1〇〇份 PG-2 1份 CL-2 7份 FC-4430 0.02 份 三乙醇胺 〇_1份 30 NSR-TFG1 436nm/ 500mJ/cm2 29.5 15 實施例 3 A-1 100份 PG-3 1份 CL-3 7份 X-70-093 0.02 份 KBM-403 3份 環己酮 200份 2 PLA-600FA Xe-Hg 燈 270-320nm/ 120mJ/cm2 1.8 2 實施例 4 A-2 100份 PG-1 1份 CL-1 3份 X-70-093 0.02 份 KBM-403 3份 30 NSR-1755i7A 365nm/ 300mJ/cm2 29.5 20 實施例 5 A-3 1〇〇份 PG-3 1份 CL-4 10份 X-70-093 0_02 份 環己酮 150份 5 PLA-600FA Xe-Hg 燈 270-320nm/ 250mJ/cm2 4.7 3 比較例 1 B-1 1〇〇份 PG-1 1份 CL-1 5份 X-70-093 〇·〇2 份 KBM-403 3份 30 NSR-1755i7A 365nm/ 600mJ/cm2 27.5 40 比較例 2 B-2 1〇〇份 PG-1 1份 CL-1 5份 X-70-093 0.02 份 KBM-403 3份 30 NSR-1755i7A 365nm/ 500mJ/cm2 29.0 20 另外,上述表1中,各光產酸劑爲如下。 -34- 200902597 【化1 4】 PG- 1 :
PG-2 : I RGAGURE P AG 1 0 3 ( Ciba Specialty Chemicals ) PG— 3 :
又,所使用之交聯劑爲如下。 -35- 200902597 【化1 5】 CL- 1
H3COH2C\ /CH2OCH3 N
CH2OCH3
I ch2och3 ch2och3 CL-2 :
CH2OCH3
OH OH
-36- 200902597 表 2 電氣特性絕 緣破壞強度 接黏性 耐裂痕性 (熱周期後) 耐溶劑性 (耐NMP性) Si晶圓 銅 實施例1 40〇ν/μιη 100/100 100/100 無裂痕 外觀•膜厚 無變化 實施例2 40〇ν/μπι 100/100 100/100 無裂痕 外觀•膜厚 無變化 實施例3 40〇ν/μιη 100/100 100/100 無裂痕 外觀•膜厚 無變化 實施例4 35〇ν/μηι 100/100 100/100 無裂痕 外觀•膜厚 無變化 實施例5 35〇ν/μιη 100/100 100/100 無裂痕 外觀•膜厚 無變化 比較例1 30〇ν/μηι 100/100 100/100 600周期 裂痕 外觀·膜厚 無變化 比較例2 320Υ/μηι 100/100 100/100 800周期 裂痕 膜厚增加 泡脹 以上之結果,實施例1〜5之組成物爲對於1 μιη左右之 薄膜至超過膜厚20μπι般之寬廣膜厚,幾乎完全無膜減薄 ,顯示良好之解像力,顯示出作爲感光性材料的充分特性 ,並且此硬化膜爲對於各種基材具有良好之接黏性、和絕 緣耐壓之電氣特性,更且,耐裂痕性、耐溶劑性之特性亦 優良,取得可用於作爲電路和電子構件之保護膜的效果。 -37-

Claims (1)

  1. 200902597 十、申請專利範圍 1. 一種含矽化伸苯基架構之高分子化合物,其特徵爲 具有下述一般式(1)所示之重複單位且重量平均分子量 爲 3,000〜500,000 , 【化1】 ch3 ch3 CH2")r~f1—^~^— Si-fcH2-)5—X R1 / R3 \ " ch3 ch3 a R2 \ R4 A u b [式中,rLr4可爲相同或相異,表示碳數1〜8之一價烴基 ,又,m爲1~100之整數,a爲正數,b爲0或正數,0.5 Sa/(a + b) S1.0;更且,X爲下述一般式(2)所示之二 價有機基, 【化2】 OH OH
    (2) (式中,Y爲由 【化3】
    之任一者中選出的二價有機基,η爲由0或1中選出,又 -38- 200902597 ,R5、R6分別爲碳數卜4之烷基或烷氧基’可彼此相異或 相同;k爲0、1、2之任一者)]。 2. —種光硬化性樹脂組成物,其特徵爲含有 (A )申請專利範圍第1項之含矽化伸苯基高分子化 合物、 (B )經甲醛水或甲醛水-醇所改性之胺基縮合物、1 分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧羥甲基之酚化合物 及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物中選出 任一種以上、 (C )經由190〜5 0 0 nm之光分解,而產生酸的光產酸 劑。 3. —種圖型之形成方法,其特徵爲包含 (i )使用申請專利範圍第2項之光硬化性樹脂組成 物或將此組成物溶解於有機溶劑中之溶液於基板上形成該 組成物之皮膜的步驟、 (Π)透過光罩以波長190〜5 00nm之光進行曝光的步 驟、 (iii )視需要,進行曝光後之加熱處理後,以顯像液 予以顯像的步驟。 4. 一種基板電路保護用皮膜,其特徵爲將藉由申請專 利範圍第3項之方法形成圖型之皮膜,以100〜250 °C間之 溫度予以後硬化而取得。 •39- 200902597 七 無 明 說 單 簡 號 無符 表 為代 圖件 表元 代之 定圖 指表 :案代 圖本本 表、、 代 定一二 /IV Γν 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470007B (zh) * 2009-09-30 2015-01-21 Shinetsu Chemical Co A polymer compound containing an epoxy group, a photohardenable resin composition using the compound, a method for forming a pattern, and a method for protecting the electronic parts
TWI503372B (zh) * 2010-10-13 2015-10-11 Shinetsu Chemical Co A photohardenable resin composition, a method for forming a dry film, a pattern, and a film for protecting an electric / electronic component
TWI507451B (zh) * 2011-05-23 2015-11-11 Shinetsu Chemical Co 具有矽伸苯基結構以及矽氧烷結構的聚合物及其製造方法、接著劑組成物、接著片與半導體裝置保護用材料以及半導體裝置
TWI575048B (zh) * 2011-02-23 2017-03-21 信越化學工業股份有限公司 Adhesive composition and adhesive dry film
TWI661273B (zh) * 2014-10-01 2019-06-01 日商信越化學工業股份有限公司 化學增幅型負型阻劑材料、光硬化性乾薄膜及其製造方法、圖型形成方法以及電/電子零件保護用皮膜
TWI738966B (zh) * 2017-02-03 2021-09-11 日商信越化學工業股份有限公司 感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性樹脂被膜,及圖型形成方法

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5656413B2 (ja) 2009-01-30 2015-01-21 富士フイルム株式会社 ネガ型レジストパターン形成方法、それに用いられる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びにレジストパターン
JP5353415B2 (ja) * 2009-04-27 2013-11-27 Jsr株式会社 着色組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子
JP5520590B2 (ja) * 2009-10-06 2014-06-11 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5459196B2 (ja) 2009-12-15 2014-04-02 信越化学工業株式会社 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP5593075B2 (ja) 2010-01-13 2014-09-17 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、パターン、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5723626B2 (ja) * 2010-02-19 2015-05-27 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5771361B2 (ja) 2010-04-22 2015-08-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP5373696B2 (ja) 2010-05-07 2013-12-18 信越化学工業株式会社 新規シルフェニレン骨格含有シリコーン型高分子化合物及びその製造方法
JP5373736B2 (ja) * 2010-10-28 2013-12-18 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置
JP5512580B2 (ja) * 2011-03-16 2014-06-04 信越化学工業株式会社 フィルム状モールド材、モールドされた半導体ウエハ、及び半導体装置
JP5618903B2 (ja) * 2011-05-23 2014-11-05 信越化学工業株式会社 シルフェニレン構造及びシロキサン構造を有する重合体およびその製造方法
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5673496B2 (ja) * 2011-11-07 2015-02-18 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法
JP5754363B2 (ja) 2011-12-09 2015-07-29 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜
JP5846110B2 (ja) 2011-12-09 2016-01-20 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜
KR102003806B1 (ko) 2012-01-27 2019-07-25 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 수지 조성물, 광경화성 드라이 필름
JP5942859B2 (ja) 2012-01-27 2016-06-29 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム
JP5767159B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5687230B2 (ja) * 2012-02-28 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5767155B2 (ja) * 2012-04-13 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材
JP5767161B2 (ja) * 2012-05-08 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法
JP2014006507A (ja) 2012-06-01 2014-01-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜並びに電気・電子部品
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5920232B2 (ja) 2013-02-01 2016-05-18 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜の製造方法
JP5981384B2 (ja) * 2013-04-16 2016-08-31 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法
JP5901568B2 (ja) * 2013-04-22 2016-04-13 信越化学工業株式会社 樹脂組成物
JP5876450B2 (ja) 2013-08-26 2016-03-02 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、積層体、及びパターン形成方法
JP6587632B2 (ja) 2014-03-31 2019-10-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 波長変換組成物、波長コンバーター及びこれを含むデバイス
JP6199811B2 (ja) * 2014-06-18 2017-09-20 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム並びにその製造方法、積層体、及びパターン形成方法
JP6194862B2 (ja) 2014-07-29 2017-09-13 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
JP6352853B2 (ja) 2014-10-02 2018-07-04 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物及びその製造方法、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、積層体、及び基板
US10114287B2 (en) 2014-10-02 2018-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone skeleton-containing polymer compound and method for producing same, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and method for producing same, patterning process, layered product, and substrate
JP6522951B2 (ja) 2015-01-08 2019-05-29 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、積層体、基板、及び半導体装置
JP6502754B2 (ja) * 2015-06-08 2019-04-17 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた光硬化性ドライフィルム
JP6571585B2 (ja) 2015-06-08 2019-09-04 信越化学工業株式会社 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法
JP6627792B2 (ja) * 2016-02-04 2020-01-08 信越化学工業株式会社 表面保護フィルム、基板加工体、及び表面保護フィルムの製造方法
JP6499102B2 (ja) 2016-03-04 2019-04-10 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、及び積層体
JP6616743B2 (ja) 2016-06-30 2019-12-04 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
JP6874584B2 (ja) 2017-08-09 2021-05-19 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
JP6866802B2 (ja) * 2017-08-09 2021-04-28 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
EP3450478B1 (en) 2017-08-31 2020-11-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-containing, isocyanurate-modified silicone resin, photosensitive resin composition, photosensitive dry film, laminate, and pattern forming process
JP6904245B2 (ja) * 2017-12-27 2021-07-14 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び光半導体素子の製造方法
JP7111031B2 (ja) * 2018-03-23 2022-08-02 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、及びパターン形成方法
JP6919626B2 (ja) 2018-05-17 2021-08-18 信越化学工業株式会社 シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格を含むポリマー
JP6870657B2 (ja) 2018-05-17 2021-05-12 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法
US11294284B2 (en) 2018-07-17 2022-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and pattern forming process
JP6981390B2 (ja) 2018-10-15 2021-12-15 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法
US11548985B2 (en) 2018-11-28 2023-01-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device
JP7056541B2 (ja) 2018-12-19 2022-04-19 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
EP4001344A4 (en) * 2019-07-16 2023-08-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE DRY FILM, LAMINATED PRODUCT AND PATTERN FORMING METHOD
KR20220088448A (ko) 2019-10-21 2022-06-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름 및 패턴 형성 방법
JP7221578B2 (ja) 2020-01-24 2023-02-14 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
CN116710846A (zh) 2021-01-21 2023-09-05 信越化学工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性树脂覆膜、感光性干膜和图案形成方法
JP7517234B2 (ja) 2021-04-09 2024-07-17 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
JP2023001980A (ja) 2021-06-22 2023-01-10 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
JP2023062789A (ja) 2021-10-22 2023-05-09 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3159662A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3159601A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes
US3220972A (en) 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US3775452A (en) 1971-04-28 1973-11-27 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
NL177718C (nl) 1973-02-22 1985-11-01 Siemens Ag Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren.
JPS5952822B2 (ja) 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS5545746A (en) 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
DE2931297A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Siemens Ag Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen
US5288588A (en) * 1989-10-27 1994-02-22 Nissan Chemical Industries Ltd. Positive photosensitive polyimide resin composition comprising an o-quinone diazide as a photosensitive compound
JP2906637B2 (ja) 1989-10-27 1999-06-21 日産化学工業株式会社 ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
US4990546A (en) 1990-03-23 1991-02-05 General Electric Company UV-curable silphenylene-containing epoxy functional silicones
JP3721768B2 (ja) 1997-01-24 2005-11-30 宇部興産株式会社 感光性ポリイミドシロキサン組成物および絶縁膜
JP3232022B2 (ja) * 1997-03-31 2001-11-26 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物
JP3478376B2 (ja) 1997-06-11 2003-12-15 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
US6072016A (en) 1997-12-29 2000-06-06 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Silphenylene polymer and composition containing same
JP4041591B2 (ja) * 1998-07-30 2008-01-30 出光興産株式会社 架橋ポリカーボネート樹脂組成物とそれを用いた吸収剤およびカラム充填剤
JP2001335619A (ja) 1999-12-28 2001-12-04 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd エポキシ変性ポリイミドおよび、これを用いた感光性組成物、カバーレイフィルム、ソルダーレジスト、プリント配線板
JP3767676B2 (ja) * 2000-09-12 2006-04-19 信越化学工業株式会社 オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜
JP4713753B2 (ja) 2001-03-29 2011-06-29 太陽ホールディングス株式会社 光硬化性熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP3832572B2 (ja) * 2001-10-09 2006-10-11 信越化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用フィルム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470007B (zh) * 2009-09-30 2015-01-21 Shinetsu Chemical Co A polymer compound containing an epoxy group, a photohardenable resin composition using the compound, a method for forming a pattern, and a method for protecting the electronic parts
TWI503372B (zh) * 2010-10-13 2015-10-11 Shinetsu Chemical Co A photohardenable resin composition, a method for forming a dry film, a pattern, and a film for protecting an electric / electronic component
TWI575048B (zh) * 2011-02-23 2017-03-21 信越化學工業股份有限公司 Adhesive composition and adhesive dry film
TWI507451B (zh) * 2011-05-23 2015-11-11 Shinetsu Chemical Co 具有矽伸苯基結構以及矽氧烷結構的聚合物及其製造方法、接著劑組成物、接著片與半導體裝置保護用材料以及半導體裝置
TWI661273B (zh) * 2014-10-01 2019-06-01 日商信越化學工業股份有限公司 化學增幅型負型阻劑材料、光硬化性乾薄膜及其製造方法、圖型形成方法以及電/電子零件保護用皮膜
TWI738966B (zh) * 2017-02-03 2021-09-11 日商信越化學工業股份有限公司 感光性樹脂組成物、感光性乾膜、感光性樹脂被膜,及圖型形成方法

Also Published As

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