TW200832079A

TW200832079A - Surface treatment method and surface treatment apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method

Info

Publication number: TW200832079A
Application number: TW096143144A
Authority: TW
Inventors: Yasuhisa Tani
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2006-11-16
Filing date: 2007-11-15
Publication date: 2008-08-01
Also published as: EP2084576A1; EP2392971A1; CN101558359B; HK1131219A1; JP5055971B2; KR20090079996A; WO2008059988A1; EP2392971B1; JP2008130597A; CN101558359A; US20080117401A1

Description

200832079 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本赉明’係關於表面處理方法及表面處理裝置、使基板曝光之曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法。【先前技術】在微影製程所使用之曝光裝置中，已有如下述專利文獻所揭示之透過液體使基板曝光的液浸曝光裝置。 [專利文獻U國際公開第99/ 49504號小冊子響【發明内容】以往’已於曝光裝置設置供曝光用光照射之各種測量構If。液浸曝光裝置中，可考量於測量構件上形成液體之夜/又區域，並透過遠液體將曝光用光照射於測量構件的情 ^4况下，即使在執行從例如測量構件表面除去液體之動作後，當於該測量構件表面殘留有液體（例如液滴）時，有可能會因該殘留之液體而產生各種不良情形。例如，有 φ 可能會因殘留液體之氣化導致放置曝光裝置之環境（溫度、座度、潔淨度等）產生變化。當因殘留液體之氣化熱導致溫度產生變化時，即有可能會使測量構件等構成曝光裝置之口種構件產生熱變形，或曝光用光對基板之照射狀態產生變化。又，亦有可能會因殘留液體之氣化而於各種構件形成液體之附著痕跡（所謂水痕）。當此種不良情形發生時7 即有可旎導致曝光裝置之性能劣化，而發生曝光不良。壯又，不僅液浸曝光裝置，使用液體來製造元件之製造例如將包含感光材專之溶液塗布於基板上的塗布二 6 200832079 置或使用顯影液等使曝光後之基板顯影的顯影裝置等，$ 於構成該等製造裝置之各種構件之表面殘留有液體時^ 有可能導致裝置之性能劣化’而製造出不良元件。、本教明有鐘於上述情事，其目的在於提供能抑制液體歹欠留於物體表面之表面處理方法及表面處理裝置。又，其目的在於提供能抑制液體殘留於物體表面而產生曝光声、 ::方法及曝光裝置。又’其目的在於提供能抑: 兀件產生之元件製造方法。个爲解決上述課題，本發明係採用對應實施形態所干之 =圖的以下構成。不過，付加^各要素之包含符僅係該要素之例示，而並非限定各要素。的们虎 :據本發明之第1態樣，係提供—種物體⑻之表面處 =、’該物體Λ)具有撥液性之表面，其包含：為了減少之^t面此x ’而在使物體⑻表面與既定流體接觸之狀怨下，對物體（s)賦予能量的動作。康本I明之第1態樣，能抑制液體殘留於物體表面。根據本發明之第2態樣，係提供一種物體⑻之表面處 =法’該物體⑻具有以撥液性之膜⑽形成之表面，直 ::二了使撥液性已降低之膜(Sf)的撥液性恢復，而在的動作定流體接觸之狀態下’對膜⑽照射紫外光㈣康本I明之第2態樣，能抑制液體殘留於物體表面。根據本發明之裳1 At # 理裝置悲樣，係提供一種物體（S)之表面處、 ’議，80C，80D)，該物體⑻具有撥液性之表 7 200832079 面’該裝置具備：供應既定流體以與物體（s)表面接觸之流體供應裝置（81);以及為了減少物體（s)之表面能量，而在使物體（s)表面與既定流體接觸之狀態下，對物體（s)賦予能量的能量供應裝置（82A，82B，82C，IL)。根據本發明之第3態樣，能抑制液體殘留於物體表面。根據本發明之第4態樣，係提供一種曝光方法，係透過液體（LQ)對基板（p)照射曝光用光（EL)以使基板（p)曝光，其包含：以上述態樣之表面處理方法，處理配置在曝光用光（EL)可照射之位置之物體（S)的表面的動作。根據本發明之第4態樣，能抑制曝光不良發生。的表面與液體（LQ)接觸的狀態下表面照射曝光用光（EL)的動作；、根據本發明之第5態樣，係提供一種曝光方法，係透過液體（LQ)對基板（p)照射曝光用光（EL)以使基板（p)曝光，其包含：在使配置在曝光用光（EL)可照射之位置之物體（s) 透過液體（LQ)對物體（s)

、此里而在使物體表面與既定流體接觸之狀態下，對物體（S)賦予能量的動作。

8 200832079 光其具備·上述態樣之表面處理裝置（80A，80B，80C， 80D)〇，根據本發明之第7態樣，能抑制曝光不良發生。

根據本發明之第8態樣，提供-種曝光裝置（ΕΧ)，係透過液體（LQ)對基板（ρ)照射曝光用以el)以使基板⑺曝光其具備·物體（S)，係在與液體（LQ)接觸之狀態下被曝 > ()"、、射’以及表面處理裝置（80A，80B，80C，80D)，為了減v因在與液體（LQ)接觸之狀態下被照射曝光用光 (L)而~大之物體⑻之表面能量，而在使物體⑻表面與既定流體接觸之狀態下，對物體⑻賦予能量。根據本發明之第8態樣，能抑制曝光不良發生。據本I明之第9恶樣，係提供一種元件製造方法，其使用上述態樣之曝光方法。根據本發明之第9態樣，能抑制不良元件產生。據本么明，旎抑制液體殘留於物體表面。又，根據本發明，能抑制因液體殘留於物體表面而導致之曝光不良、產生x，根據本發明，能抑制因液體殘留於物體表面而導致之不良元件的產生。【實施方式】以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並 :限定於此。此外，以下說明中，係較χγζ正交座標系卫〜'此ΧΥΖ正交座標系統說明各構件之位置關係。 ^ ’將在水平面内之既定方向設為X軸方向，將在水平面轴方向正父之方向設為γ軸方向，將分別與X轴 9 200832079 方向及γ軸方向正交的方向（亦即垂直方向）設為z轴方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉（傾斜）方向分別設為0Χ、0Υ、及0Z方向。 <第1實施形態>

說明第1貫施形態。圖1係顯示第i實施形態之曝光裝置EX的概略構成圖。本實施形態所說明之曝光裝置例，係例如曰本特開平n_135400號公報（對應國際公開第 1999/23692號小冊子）、日本特開2〇〇〇_1645〇4號公報（對應美國專利第6, 897, 963號）等所揭示，具備能保持基板p 而移動的基板載台1、以及能搭載測量器（可執行與曝光相關之測量）而移動之測量載台2的曝光裝置。圖1中之曝光裝置EX，具備：光罩載台3,係能⑷ 光罩Μ而移動；基板載台u，係能保持基板p而移動測^载台2,係不保持基板p，搭載能執行與曝光相關：測$之測量器及測量構件，能與基板載台丨獨立保持基4 p而移動；驅動系 '统4 ’係移動光罩載台3 ;驅動系統5 係移動基板載台i及測量載台2;測量系統6，包含測，各載台！，2, 3之位置資訊；照明系统江，係以曝光用光£ 照明保持於光| Μ ;投影光學“ PL，係將曝光用光e 所照明之光罩Μ的㈣像投影於基板p;以及控制裝置7 係控制曝光裝置EX整體的動作。此外，此處所指之基板，係用以製造元件之基板，^ 含於半導體晶圓等基材W形成有感光材(光阻)等膜Rge 罩Μ包含形成有投影至基板p ^ Ί仔圖案的標線片。又 10 200832079 本實施形態中，雖使用透射型光罩來作為光罩，但亦能使用反射型光罩。曝光裝置EX，具備底座構件（固定座）Bp，其具有能將基板載台1及測量載台2分別支撐成能移動的導引面GF。基板載台1及測量載台2可分別在導引面GF上移動。本貫施形態中，導引面GF係與XY平面大致平行，基板載。1及測里載台2能分別沿導引面gf移動於χγ方向（二維方向）。本貫施形恶之曝光裝置EX，係一適用液浸法的液浸曝光裝置，其用以在實質上縮短曝光波長來提高解析度且在只貝上放大焦深’其具備嘴構件3〇，能以液體lq充滿曝光用光EL之光路空間以形成液體LQ的液浸空間LS。曝光用光EL之光路空間，係包含曝光用光EL所行進之光路的空間。液浸空間LS，係被液體LQ充滿的空間。曝光裝置EX，係透過投影光學系統PL與液體將曝光用光 EL恥射於基板p，以使該基板p曝光。本實施形態係使用水（純水）來作為液體LQ。嘴構件30 ’能於該嘴構件30與所對向之物體之間形成液浸空間LS。本實施形態中之嘴構件3〇，係配置於投影光學系統PL之複數個光學元件中最接近投影光學系統 PL像面的終端光學元件8附近。終端光學元件8具有可射出曝光用光EL之光射出面（下面），嘴構件3〇,可將液浸空間LS形成於終端光學元件8之光射出側（投影光學系統 PL《像面側）中與配置於曝光用光EL所能照射之位置的物 11 200832079 先射出面與配置於其對向之位置之物體之間。嘴構件3〇，係持液體LQ，以液體LQ充滿終端光學元件8之光曝光用光£乙的光路空卩彳、1 物…3 ’光路』*體而言即終端光學元件8與物脰之間之曝光用光EL的光浸空間LS。尤路工間’來形成液體LQ之液此與終端光學元件8之光射出面對向的物體在終端光學元件S夕氺直4山/丨 ^ ^ 能與終端光S I 動的物體。本實施形態中， 8之光射屮二^ 8對向的物體，包含可在終端光學元件又，能與終端光學元件8J測里載台2的至少-方。 ^ a j #向的物體，亦包含保持於基板 :二後述之基板載台1上的板構件丁、以及測里栽台2上之測量構件板7〇等）。基板^】丰板5〇、狹縫板6〇、以及上光學元件8對6 〇及測置載台2可分別移動至與終端予tl件8對向的位置，載…測量载台2之至少：3〇可猎由在其與該基板體LQ充滿終端光學元件8 間保持㈣LQ，以液路空間，以在嘴構件3〇出側之曝光用光EL的光及測量載台2之至小—及終端光學元件8與基板載台1 LS。夕一方之間形成液體LQ的液浸空間以下說明中，係將且士，投影光學系統PL之故端：先射出面(射出曝光用光EL)之件將與第i光學=光學元件8適當稱為第1光學元為第1位置。因此，基板^之Γ射出面對向之位置適當稱反栽口 1能在包含與第丨光學元件 12 200832079 8之光射出面對向之位置之第“ ^ 區域内移動，測量載㈠，…八*引面GF上的既疋 *射屮… 含與第1光學元件8之先射出面對向之位置之第i 置之^引面GF上的既定區或内，舁基板載台1獨立移動。

本實施形態中，嘴構件3{)，係於第ι光勒件8及嘴構件3〇與=體（基板載台卜測量載台2、基板p、板構件 ;、及測里構件之至少一個)之間形成液浸空@ a，藉以液/叉工間LS之液體LQ覆蓋物體表面之一部分區域(局部品或）、亦17本貝施形恶之曝光裝置EX，係採用局部液 /又方^其係在基板P之曝光中，以液浸空間LS之液體 LQ覆蓋基板p上一部分區域的方式於第1光學元件8及嘴構件30與基板p之間形成液浸空間ls。 >妝明系统IL，係以均一照度分布的曝光用光El來照月光罩M上之既定照明區域。作為從照明系統IL·射出之曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出之亮線、h線、 1線）及KrF準分子雷射光（波長248nm)等遠紫外光（DUV 光），或ArF準分子雷射光（波長193nm)及F2雷射光（波長 157nm)等真空紫外光（VUV光）等。本實施形態係使用ArF 準分子雷射光來作為曝光用光EL。光罩載台3，可藉由驅動系統4(包含線性馬達等致動器）’在保持光罩Μ之狀態下移動於X軸、Y軸、以及ΘΖ 方向。光罩載台3(光罩Μ)的位置資訊，係藉由測量系統6 之雷射干涉儀6Μ來測量。雷射干涉儀6Μ，係使用設於光罩載台3上之測量鏡3r，測量光罩載台3在χ軸、γ軸、 13 200832079 以及θζ方向的位置資訊。、本應"，制衣置7，即根據包含雷射干涉儀6Μ之測量系統6之果來驅動驅動系統4，藉此控制保持於光罩載台3之光罩以的位置。才又影光學糸統PL係將光里λ P 4 先罩M之圖案像以既定投影倍午仅衫主暴扳p。投影氺璺έ i 奴&光予系統PI^具有複數個光學元件，该寻光學元件係以鏡筒Ρκ ^ ^ 厅保持0本貫施形態之投影光子糸統PL，係投影倍率為例 / 如1/4、1/5、或是1/8之縮小糸統。此外，投影光學系統 ^ 亦可為等倍系統及放大系統之任一者。本實施形態中马奴〜先學糸統PL之光軸ΑΧ 係與Ζ軸方向平行。又，投〜先予系統PL，可係不包含反射光學元件之折射系統、匕3祈射先學70件之反射系統、以及包含反射光學元件盥拼卞"折射先學兀件之反折射系統的任一者。又，投影先學条子糸、、先PL亦可形成倒立像與正立像之任一者。〃基板載台1 ’具有載台本體11 版11以及搭载於載台本體 11且可保持基板ρ的基板台i 戰σ本體11，係藉由氣體軸承以非接觸方式支撐於導引s GF，能在導引面仰上移動於XY方向。基板載台i，能在保持有基板p的狀態下’在第1光學元件8之光射出側(投影光學系統PL之面側）移動。測量載台2,具有載台本體21，以及搭載於載台本體 2 1且可搭載測3态及測量構件之測量台。載台本體u，_ 係藉由氣體轴承以非接觸方式支撐於導引面GF，〜月b在導引面GF上移動於XY方向。測量載台2，能在保持有測量哭 200832079 的狀悲下’在第1光學元件8之光射出侧（投影光學系統PL 之像面側）移動。驅動系統5，具備：粗動系統5A，包含例如線性馬達等致動器’可藉由使載台本體11及載台本體21分別在導引面GF上移動於x軸、γ軸、以及θζ方向，以使載台本體11上之基板台12、以及載台本體21上之測量台22移動於X軸、γ軸、以及方向；微動系統5B，包含例如 _ 音圈馬達等致動器，可使基板台12相對載台本體11移動於Z軸、ΘΧ、以及ΘΥ方向；以及微動系統5C，可使測量台22相對載台本體21移動於z軸、ΘΧ、以及ΘΥ方向。包含粗動系統5 A及微動系統5B，5C之驅動系統5，能使基板台12及測量台22分別移動於X軸、γ軸、z軸、ΘΧ、 θγ、以及ΘΖ方向之六自由度方向。控制裝置7，能藉由控制驅動系統5，控制基板台12(基板ρ)及測量台22(測量器）在X軸、Υ軸、Ζ軸、ΘΧ、ΘΥ、以及ΘΖ方向之六自由度 φ 方向的位置。基板台12及測量台22之位置資訊（在X軸、γ軸、以及θζ方向的位置資訊），係藉由測量系統6之雷射干涉儀 6Ρ來測量。雷射干涉儀6Ρ係使用分別設於基板台12及測里台22之測量鏡12R，22R，測量基板台η及測量台22 各自在X軸、γ軸、以及ΘΖ方向的位置資訊。又，曝光裝置EX，具備斜入射方式之焦點調平檢測系統FL。保持於基板台丨2之基板P之表面的面位置資訊（在 z軸、θχ、以及θγ方向之位置資訊）、以及測量台22上 15 200832079 面之面位置貧訊等，係由焦點調平檢測系統fl來檢測。測罝系統6之雷射干涉儀6p之測量結果及焦點調平檢測系統FL的檢測結果，係輸出至控制裝置7。控制裝置7，係根據雷射干涉儀6P之測量結果及焦點調平檢測系統fl 之檢測結果，驅動驅動系統5，以進行保持於基板台i2之基板P等的位置控制。又，本實施形態之曝光裝置EX，具備使用曝光波長之光的TTR(Thr〇ugh The Reticle)方式對準系統RA，用以檢測光罩M上之對準標記、以及設於測量載台2之基準板 5〇上的第1基準標記FM1等。對準系統ra之至少一部分係配置於光罩載台3上方。對準系統RA，係同時觀察光罩Μ上之對準標記、以及於測量載台2設置成與該對準標記對應之基準板50上之第i基準標記應透過投影光學系統PL的共轆像。本實施形態之對準系統ra，係採用例如曰本特開平7- 176468號公報所揭示VRA方式(Visuai • ReUCle八“咖⑽），其係對對象標記（標記M上之對準標。己、以及基準板50上之第】基準標記蘭等）照射光，並 1、CCD攝衫機等拍攝之標記的影像資料進行影像處理以檢測出標記位置。又’本實施形態之曝光裝置Εχ ’具備用以檢測基板p 上之對準標記、以及設於測量載台2之基準板Μ上之第2 基準標記FM2等的離轴方式對準系、统則。對準系統AW 之至少-部分係配置於投影光學系統pL *端附近。本實施形態之對準系統彻，可㈣例如日本特開平4- 65603 16 200832079 號公報（對應美國專利5，493，4〇3號）之FIA(Field Image AHgnment(場像對準））系統，其能將不會使基板p上之感光材感光的寬頻檢測光束照射於對象標記（基板p上之對準標。己以及基準板50上之第2基準標記FM2)，並以（ccd(電荷輕口衣置）等拍攝藉由來自該對象標記之反射光而成像於 :光面的對象軚s己像以及指標（設於對準系統内之指標板上的指標標記）像，並藉由對該等影像訊號進行影像處

理來測量標記之位置。 ,、:人，參照圖2說明嘴構件3〇及基板台12。圖2 用以說明嘴構件3〇及基板台Η之側截面圖。

液體Ιο'!之嘴構件3°具有可將用以形成液浸空間LS 复Ql、應至曝光用光EL之光路介pq沾板_ ^ ^ . 心尤路空間的供應口 3 1、至忐回收液浸空間^ 件3〇且有自m 及體lq的回收口 32。嘴板p表面對向之下面，可在該下面與又之間保持液體LQ，藉此以y 之光路处門+ /夜體LQ充滿曝光用 3〇,係妒成：浸空間Ls。本實施形態之嘴構空間的環狀構件。 ^ 8及曝光用光EL之光面。於回收口 32… 4基板P表面對向之嘴構件3( 對向之嘴構件孔構件(網眼)。能與基板n «及的下面，包含多孔…之下成包圍開口 30K(供曝光用# ρτ 心下3 34。供應。3"系配置於較回收口=二通過)…

供應口 3卜係連接於能透過开^近先路空間的位I 乂成在鳴構件30内部 17 200832079 供應流路及供應管35送出液體LQ的液體供應裝置36。回收口 32,係連接於能透過形成在嘴構件30㈣之回收流路及回收管37回收液體…的液體回收裝置38。液體供應裝置36能逆ψ #α / k出乾淨且經溫度調整之液體 LQ。液體回收裝置38具備直处系絲笪两具王糸統荨，能回收液體LQ 〇液體供應裝置3 6及液體回收萝署叹衣置38之動作係被控制裝置 7控制。從液體供應裝置％送出 . k出之液體LQ，在流經供應

管3 5及嘴構件3 0之供靡、、六仏應/瓜路後，從供應口 31被供應至曝光用光EL之光路空間。又，藉由驅動液體回收裝置π 而從回收口 3 2回收之液髀τ η 士、各 w队心履體LQ，在流經嘴構件3Q之回收流路後，透過回收管37被液體回收裝置38回收。控制裝置7’係藉由同時進行來自供應口 31之液體供應動作與回收口 32之液體回收動作，以液體LQ充滿第i光學元件8 與配置在對向於該f i光學元件8之光射出面之第j位置的物體間之曝光用光EL的光路空間，以形成液浸空間ls。其次，說明基板台12。基板台12具備基材13，設於基材13、將基板p保持成能拆裝之第！保持具pHi，以及設於基材13、將板構件τ保持成能拆裝之第2保持具pH2。板構件T係與基板台12不同之構件，可拆裝地保持於基板台12之第2保持具PH2。於板構件T之中央形成有可配置基板p之大致圓形開口 TH。保持於第2保持具PH2之板構件τ，配置成包圍弟1保持具ΡΗ1所保持之基板ρ周圍。在第j保持具pH1 所保持之基板P外側邊緣（侧面）、以及配置在該基板p外 18 200832079 側之第2保持具PH2所鳴心％ η ，、待之板構件Τ内側（開口 ΤΗ側）邊緣（内側面）之間形成既 ^ a puo ]隙。本實施形態中，第2保持，、PH2所保持之板構件 1表面，係與第1保持具PH1 所保持之基板P表面大致相 ^ u阿度（同一面高）的平坦面。

板構件T之表面對液體LQ具有撥液性。本實施形態之：構件T表面’係以包含氟之材料之膜Tf形成。具體而' 板構件τ具有以不鏽鋼等金屬形成之基材Tb與形成於4基材Tb表面之包含氟之材料之膜丁卜本實施形態中形成膜Tf之材料，包含PFA(丁etrafluoroethylene- p㈣u〇roalkoxyethylene，乙烯與全氟烷基乙烯基醚共聚物）。第1保持具PH1包含所謂銷機構，具備形成於基材13 上、用以支撐基板P背面之複數個銷構件14，以及於基材 13上形成為包圍複數個銷構件14的第1周壁i 5。第i周壁15形成為與基板P外形大致相同形狀之環狀，該第1 周壁15之上面與基板p背面之周緣區域（邊緣區域）對向。又，於第1周壁15内側之基材13上設有複數個能吸引氣體之第1吸引口 16。第1吸引口 16分別連接於包含真空系統等之吸引裝置。控制裝置7，係驅動吸引裝置，透過第1吸引口 16吸引被基板P背面與第1周壁15與基材13 包圍之第1空間的氣體，以使第1空間呈負壓，藉此以鎖構件14吸附保持基板P之背面。又，可藉由解除連接於第1吸引口 16之吸引裝置之吸引動作，從第1保持具pm 卸除基板P。如此，本實施形態中，可藉由使用第i吸引 19 200832079 口 16之吸引動作及解除吸引動作，將基板p可拆裝地保持於第1保持具pH1。第2保持具pH2包含所謂銷機構，具備在基材13上形成為包圍第1周壁15之第2周壁17，在基材13上形成為包圍第2周壁17之第3周壁18，以及形成於第2周壁 17與第3周壁18間之基材13上、用以支撐板構件τ背面之複數個銷構件19。第2周壁17之上面與開口 TH附近之板構件T背面的内緣區域（内側之邊緣區域）對向。第3 周土 1 8之上面與板構件Τ背面的外緣區域（外側之邊緣區域）對向。

又’於第2周壁17與第3周壁18間之基材π上設有複數個旎吸引氣體之第2吸引口 2〇。第2吸引口分別連接於包含真空系統等之吸引裝置。控制裝置7，係驅動吸引裝置’透過第2吸引口 2〇吸引被板構件Τ之背面與弟2周壁17與第3周壁18與基材13包圍之第2空間的軋體’以使第2空間呈負壓，藉此以銷構# 14吸附保持板構件Τ之背面。又，可藉由解除連接於第2吸引口 2〇之吸引裝置之吸引動作，從第2保持具ρΗ2卸除板構件了。如此’本實施形態中，可藉由使用第2吸引口 2〇之動作及解除吸_作，將板構件τ可㈣地料於第^呆如圖2所不’當至少透過液體lq使曝光於基板p時’板構件τ係被保持於第2保持具pH = 於基板W圍。錢行練r曝域料，㈣裝置^ 20 200832079 係使第1光學元件8與基板載台丨（包含板構件τ、基板p) 對向’且於該第1光學元件8與基板載台1之間形成有液次空間LS的狀態下，將曝光用光EL照射於基板p。例如圖2所示’當對基板p表面周緣區域（邊緣照射區域）照射曝光用光EL時，板構件τ之至少一部分有可能會在與液浸空間LS之液體Lq接觸的狀態下被照射曝光用光el。其次說明測量載台2。圖3係顯示基板載台1及測量 _ 載台2的概略立體圖，圖4係顯示基板載台1及測量載台 2的俯視圖。测量載台2具備用以進行與曝光相關之各種 /貝J里之複數個測1器及測量構件。於測量載台2之測量台 22上面的既定位置，設有形成有複數個基準標記fmi，fM2 之基準板50來作為測量構件。本實施形態中之基準板，係可拆裝地保持於設於測量台22之第3保持具PH3。又，於測量台22之上面的既定位置，設有形成有狹縫部61之狹縫板60以作為測量構件。本實施形態中之狹縫板6〇， _ 係可拆裝地保持於設於測量台22之第4保持具pH4。又，於測S台22之上面的既定位置，設有形成有開口 7 i之上板70以作為測量構件。本實施形態中之上板7〇，係可拆裝地保持於設於測量台22之第5保持具pH5。基準板50，具備：由低熱膨脹材料構成之基材51，形成於基材51上且由對準系統RA測量之第丨基準標記 FM1，以及形成於基材51上且由對準系統alg測量之第 2基準標§己FM2。第1、第2基準標記FM1，FM2，係以&(鉻）等金屬來形成。 21 200832079 中對液體LQ具有撥液性。本實施形態實以包含氟之材料的膜5付形成。本形成基準板50表面之膜透射之氟的透明材f4來& ν係以包含先可材料心形成膜5Gf之含㈣透明材枓爿如可使用旭硝子公司製之

Cytop)。 *特布」（既樹脂，

鲁狹縫板60 ’具備：由設於玻璃板構件“上面中央之心⑹等構成的遮光膜62，設於該遮光膜％周圍、亦即 :璃板構件64上面中除了遮光膜“以外部分之由銘等構成的反射Μ 63’以及形成於遮光膜62 _部分之開 :狹縫部61。狹缝部61中，透明構件之玻璃板構件64伟路出，光可透射過狹縫部6卜作為玻璃板構件…材料，可使用對曝光用光EL |有良好透射性之合成石英或發石等。狹縫部61，可對遮光膜62進行例如㈣處理來形成。狹縫板60,構成例如日本㈣編—丨侧號公報⑼應吳國專利申請公開第2002/ 0041377號說明書）、以及曰本 U 2002 198303號公報等所揭示的空間像測量系統的-部分。於狹缝板60下方配置有構成空間像測量系統6〇s 一部分之受光元件66。狹縫板60表面對液體Lq具有撥液性。本實施形離中，狹缝板60之表面係以包含氣之材料的膜6〇f形成。=成狹缝板60表面之膜60f，例如可使用r賽特布。上板70,具備：由設於玻璃板構件74上面中央之cm鉻）等構成的遮光膜72，以及形成於該遮光膜72 一部分的開 22 200832079 口圖案7i。開口圖案71巾，透明構件之出’光可透射過開口圖案71。作為玻璃板構件74之材二路可使用對曝光用光EL具有良好透射性之合成石英或營石和開口圖案7i可對遮光膜72進行例如餘刻處理來形成。

反70’係構成用以測量曝光用光扯之曝光能量的相關貧訊（光量、照度、照度不均等）、例如日本特開昭m咖號公報（對應美國專利第4, 465,鳩號）等所揭示之可測量照度不均測量器一部分，或構成例如曰本特開2001 一 39號公報所揭示之用以測量投% :光：…率變動量之不均測量器的-部分，或心如日本制平心丨嶋號公報（對應美國專财請公開第 2〇〇2/〇061469號說明書）等所制旦哭、ΛΑ a <，、、、射里測置器（照度門二/6:^分。或者，上板7〇,亦可構成例如國際公幵1弟99八0361 ?虎小冊子（對應歐洲專利帛I们說明書）等所揭示之波面像㈣量器—部分1上板7〇 = 方配置有構成此等測量器一部分的受光元件。上板7〇表面對液體LQ具有撥液性。本實施形態中，表面係與基準板5。、狹縫板6。同樣地，例如可使用赉特布j之膜70f。圖^係顯示保持於第3保持具刚之基準板5〇的截二1準3板Γ係可拆装地保持於設在測量…第3 、、乐3保持具pH3係配置於設在測量台22上且分^部。第3保持具pH3包含所謂鎖夾頭機構，、以切基準板50之背面的複數個銷狀構件52， 23 200832079 形成為包圍複數個鎖狀構件52之賤53,以及配置於周壁53内側且能吸引氣體的吸引口 54。保持於第3保持且之基準板5。的上面與測量台22之上面係大寺: 相同高度（同一面高）。成採Η士如圖5 :不’控制裝置7在使用基準板5〇執行測量處、二係使第1光學元件8與基準板50對向，在該第】、：7L件8 14基準板5〇之間形成有液浸空間LS的狀態下，

水*光用光EL或與曝光用光EL大致相同波長之光（紫外 :)照射於基準板5〇。基準板5〇係在與液浸空,1LS :液 Q接觸的狀態下被曝光用光EL照射。圖6係顯示保持於第4保持具剛之狹縫板6〇的截面圖。如圖 - 口，、、旦不，於測量台22上面之一部分形成有開於測1台22内部形成有連接於開口之内部空間。狹係可拆裝地保持於配置在測量台22開口附近之第且右y 、、H4第4保持具PH4包含所謂銷夾頭機構，且二形成為環狀以免遮蔽透射過狹縫部61之曝光用光π 的基材67，沿其分ο + /α悬材67内緣形成於基材07上之内側周壁 7Α’於基材67上形成為包圍内侧周壁67Α之外侧周壁 7Β ’形成於内側周壁67Α與外側周I 67Β之間、用以支 :狹缝板60背面的複數個銷狀構件68，以及配置於内側周壁67Α與外彻| 3后奈（π 、周土 67Β之間、可吸引氣體的吸引口 69 〇 :、於第4保持具酿之狹縫板6〇的上面與測量台Μ之面係大致設定成相同高度(同一面高)。空間像測量系統60S之至少一部分，係配置於測量台 24 200832079 22之内部空間。空間像測量系統6〇S，具備狹缝板60，在測量台22之内部空間中配置於狹缝部6 1下方的光學系統 65’以及可接收透射過光學系統65之光（曝光用光EL)的受光元件66。

如圖6所示，控制裝置7在使用狹縫板6〇執行測量處理日守’係使弟1光學元件8與狹缝板6 〇對向，在該第1 光學元件8與狹縫板60之間形成有液浸空間LS的狀態下，將曝光用光EL照射於狹缝板60。狹縫板6〇係在與液浸空間LS之液體LQ接觸的狀態下被曝光用光EL照射。此外，此處雖省略圖示，但於測量台22設有可拆裝地保持上板70的第5保持具PH5，上板7q係可拆裝地保持於測量台22之第5保持具PH5。保持於第5保持具pH5 之上板70上面與測量台22之上面係大致設定成相同高度 (同一面高）。控制裝置7在使用上板7G執行測量處理時，係使第工光學元件8與上板70對向，在該第〗光學元件8與上板Μ 上板70。上板70係在與液浸空間Ls之態下被曝光用光EL照射之間形成有液浸空間LS的狀態下，將曝光 _____ j尤用先EL照射於液體LQ接觸的狀 6〇，70之上面以材料的膜形成，又，本實施形態中，各測量構件5〇，外的測量台22之上面，係以PFa等含氟之對液體LQ具有撥液性。又基板台12之板構件T的上面與測量a 係大致設定成相同高度（同一面高）。 22之上面 25 200832079 =純㈣基板台12之基板p㈣光處理時等，係在共第1光學元件8之光卜出面對向的弟1位置配置基板口叫基板P)，於該第〗光學元件8與基板台12(基板之間形成液浸空間LS。當使用钏曰a 虹 l m十田便用測1台22執行測量處理時寻，係在與弟1光學元件8之光署、目，丨曰△。〈尤射出面對向的第1位置配置測…，於該第U學元件8與測量液浸空間LS。本實施形態可如例如國際公開第心〇74014號小冊子所揭示，控㈣置7,係在包含*第1光學70件8之光射出面對向之第1位置在内之導引面郎的既定區域内’使基板台12(板構件丁）之上面與測量台U之上面在接近或㈣的狀態下’使用驅動系統5使基板么12 與測量台22相對第1光學元件8同步移動於XY方二以持績形成在基板台12及測量台22與第i光學㈣保。持液體LQ的空間。藉此，控制裝置7可一邊抑制液體

Q之漏出，一邊在基板台12之上面與測量台U 之間移動液浸空間LS。控㈣置7,在進㈣持於基板台12之基板p的曝光處理、以及使用測量台22之測量處理的至 “ 弟1光學元件8與基板台12及測量台22之至+ 一、形成液浸空間LS。又，控制裝置7,當使基板Γ:::: 1台22之任一方機台從投影光學系統扛分離時蔣另-機台配置於與第i光學元件8之光射出面對向之第1 位置，因此能使用嘴構件3〇以液體LQ持續充滿第元件8之光射出側之曝光用光EL的光路空間。子 26 200832079 其次，說明本實施形態之表面處理方法例。

如上所述，在使用狹縫板60執行測量處理時，控制裝置7係使第1光學元件8與狹縫板6〇對向，在該第i光學元件8與狹縫板60之間形成液浸空間ls，在使狹缝板 60與液體LQ接觸之狀態下，對狹缝板6〇照射曝光用光 EL。接著，在使用狹縫板6〇之測量處理結束時，控制裝置7為了從狹縫板60表面除去液體LQ，即以既定移動條件（包含速度、加速度、移動方向）移動測量載台2，使狹缝板60移動至與第1光學元件8對向的第1位置。即使在執行從狹缝板60表面除去液體Lq之動作後，亦有可能因狹缝板60之表面狀態使該狹縫板6〇表面殘留液體LQ(例如液體LQ之液滴）。又，當以既定移動條件使狹缝板6〇(測量載台2)相對第丨光學元件8(液浸空間移動於XY方向時，亦有可能因狹縫板⑼之表面狀態而難以將液浸空間LS(液浸空間LS之形狀）維持於所欲狀態。特別是，為了提升產能等而提高狹缝板6〇(測量載台2)之移動速度時’即更有可能殘留液冑LQ或無法將將液浸空間LS維持於所欲狀態、導致液體lq漏出。 °樣也，在使用基準板5〇執行測量處理時，控制 7係使第1光學元件8與基準板5Q對向，在㈣i光學元 US準板Μ之間形成液浸空間LS，在使基準板50與 ^體叫接觸之狀態下，對基準板5Q照射曝光用光虹。、 ίΐ從基準板5G之測量處理結束時，控制裝置7 广反50表面除去液體LQ，即以既定移動條件移 27 200832079 動測量載台2，使基準板50移動至與第1光學元件向的第1位置。即使在執行彳之基準板5〇表面除去液體Lq之動作後，亦有可能因基準板5G之表面狀態使該基準板5G表面殘留液體LQ °又’當以既定移動條件使基準板(測量載台2) 相對第1光學元件8(液浸空目LS)移動於XY方向時，亦有可肊因基準板50之表面狀態而難以將液浸空間Μ。夜浸 _ 空間LS之形狀）維持於所欲狀態。一同樣地，在使用上板70之測量處理時，控制裝置7係使第1光學元件8與上板70對向，在該第i光學元件8 與上板70之間形成液浸空間LS，在使上板7〇與液體⑶ 接觸之狀態下，對上板70照射曝光用光EL。而上板7〇亦有可能因上板70之表面狀態而殘留液體lq或難以將液浸工間L S維持於所欲狀態。 ;又，在基板P之曝光處理中，控制裝置7,係使第1 • 光予儿件8與基板載台1(包含板構件τ、基板P)對向，且於該第！光學元件8與基板載台！之間形成液浸空間仏在使基板載台！（包含板構件τ、基板p)與液體對向的狀態下，將曝光用光EL照射於基板載台】。如上所述，當職板P表面周緣區域（邊緣照射區域）照射曝光用光弘卞板構件τ之至少一部分有可能會在與液浸空間ls之液體LQ接觸的狀態下被照射曝光用光扯。接著，控制裝置7為了從基板載台i表面（包含板構件τ之表面、基板p 表面）除去液體LQ ’即以既定移動條件移動基板載台工， 28 200832079

使基板載台1移動至與第1光學元件8對向的第1位晉即使在執行從基板載#丨之板構件之動作後，亦有可能因板構件 :牙'液體LQ 表面殘留液體LQ(例如液體LQ之液滴面狀：使該罐翻γ丨欠杜你此姐夜滴）。又，當以既定移動k件使板構件τ(基板載台

Fal ^ 訂弟1先學凡件8(液浸空間⑹私動於Χγ方向時，亦有可能態而難以將液浸介Μ τς^ 4 & 得什1之表面狀狀能。4士別9 (液改空間Ls之形狀）維持於所欲狀心、特別疋，為了提升產能等而提高板槿杜 η之妒叙、击命士捉阿板構件τ(基板載台私動逮度蚪，即更有可能 ^ ^ PJ I Q ，從體LQ或無法將將液間、准持於所欲狀態、導致液體LQ漏出。本發明人所找出之方法，係藉由調整狹縫板的、基準板5 0、上板7 〇、板構件τ、装夂槎杜夕本土板σ 12、以及測量台22等量，而能在執行從上述各構件之表面除去且：、〜作後’抑制液體LQ殘留於該構件之表面，在以既定移動條件使該構 — 卞Α祁對弟1先學兀件8(液浸間LS)私動於XY方向時，能將液浸之形狀）維持於所欲妝能Γ1 戶斤奴狀悲。亦即，本發明人，發現構件之表月b里有助於抑制液體* 所欲狀態。 ^以及液次工間LS維持於杜以下說明中’狹縫板60、基準板50、上板70、板構第ΓΛ板台12、以及測量台22等，能移動（能配置）至與弟1光學元件鱼+ιΐι 風- 先射出面對向的位置、亦即來自第1光風- +光用光EL能照射的位置，將能在與第1光夺70件8之間形成液浸空間LS的構件適當總稱為構件Se 29 200832079 本發明人，係發現可藉由減少構件s 液體LQ對構件S表面之撥液性义面能量，並提高面除去液體LQ的動作後，抑制液體可^料構件S表，。又，本發明人，係發現可二 -罝，並提高構件S表面之撥液性，即：S之表面含速度'加速度'移動方向）使構件〜件（包

浸空間LS)移動於χγ方向時，亦能將液浸二=1: 間LS之形狀）維持於所欲狀態。（液反工

之表面::：二該構件S之表面特性(撥液性)會隨構件S 特化。會隨構“之表面能量而變化之表面 ^生（撥液性）之指標的參數表面之靜態接觸角0、滾落 Q於構件s 角0箄。告描姓洛角）α、以及後退接觸面之靜態接觸角θ、滚落角夜體叫於構件8表少-個則合變化以及後退接觸角〜之至則二：。例如當表面能量增大時，靜態接觸角θ 袞洛角α即變大，後退接觸角θκ即變小。♦表面能量減少時，靜態接觸田义後退接觸角0Rgp變大。尸文大滾洛“即變小，此處，參照圖7說明靜態接觸角0、滾落角“、以及二：接觸角。如圖7⑷所示，液體LQ於構件s表面之

靜恶接觸角0，传；、、右麯T A 係拍使液體LQ之液滴附著於構件s表面， :止之狀態下液滴表面與構件s表面所構成的取位於液體内部之角度）。心

圖⑻所不，滾落角（滑落角）α，係指在液體LQ 30 200832079 之液滴附著於構件s表面的狀態下平面呈傾斜時，附著於構件s表面^0 ^相對水重力作用向下方滑出(開始移動)時：滴二角α’係指在使附著有液體L〇…月度換…滾落該液滴滑落的臨界角度。滴之構件表面傾斜時，後退接觸角，係指名、、房_ 表面的狀態下，該構件、s表面相對

於構件$表面之液體LQ之液滴，因重力作二斜二，：著始移動)時、液滴後側的接觸角。換〜方開係指在使附著有液體LQ之液滴之構件=接觸角〜滴滑落之滑落角α的^角^ 表面傾斜時，該液此外，附著於用向下方滑出「Μ ☆ Q之液滴因重力作之瞬門夕動)時之意義，雖係指液滴開始移動之〜間’但亦可係開始移動前一刻動之至少—部分的狀態。及開始私動後-刻構件S i it撥=二要減少構件S之表面能量’提高接觸角Θ，減小:落角：大：二：於構件S表面之靜態制液體* 並粕大後退接觸角，即能抑 :一奴留，將液浸空間LS維持於所欲狀態。狀態下對=’本發明人發現可藉由在與龍LQ接觸之之表面二使會隨構# s之/面：旦可猎由曝光用％ EL之照射，標的夹數Φ 此1而變化之表面特性（撥液性）之指 …數中’滾落角(滑落角)α變成第 31 200832079 錢退接觸肖^變„ 2容輕容許值，係能抑制液㈣於構件s表面：二弟卜第2 浸空間LS維持於所欲狀態之 L，此將液相關值，當滾落角 “接觸角0,的成為第2容許值以下0士太 I退接觸角h 形的發生率即會提高。欠邊專之不良情本發明人亦發現，藉由在使構件s ^

體接觸之狀能下, 表面兵既定流陶之狀恶下，執行對構件s賦予能量少該構件S之表面能量。亦即，藉由：：減定流體接觸之狀離下㈣讲更稱件S表面與既苟之狀悲下對構件s賦予能量，液體LQ接觸之狀 “乂口在與表面能量。被…射曝先用先EL而增大之構件s 〜髀Γ而5 ’本發明人發現，可藉由與例如氮氣等之 =體接觸之狀態τ對該構件s表面照射例如紫外光，月“灰设因在與液體LQ接觸之狀態下被照射曝光用光肌使撥液性劣化（降低）之構件S表面的撥液性。更，體而言，本發明人發現，可藉由在與液體LQ接觸之狀恶下被照射曝光用光EL而增大至帛！容許值以上之滚落h減少至第i容許值以下，且可藉由在與液體㈧狀心下被知、射曝光用光EL而減小至第2容許值以下之後退接觸角Θ R增大至第2容許值以上。圖8之圖表，係顯示為了導出在使液體lq與構件s 表面接觸之狀態下透過液體LQ將曝光用光el(紫外光）照射於邊構件S表面時曝光用光EL之照射量與滾落角“及 32 200832079 4以妾觸角θ R〜”' …”一…僙釉係曝光用光（紫外光）之照射量（單位：kJ/cm1 2)，縱輛係滾落角“及後退接觸角的角度。本實施形態係使用狹縫板6〇來作為樣品。如上所述，狹缝板60係以包含氤之材料的膜6吖形成。、 …如圖8所示可知’隨著曝光用光EL之照射量（累積曝先量)之增加’滚落角α會變大至第i容許值以上，後退接觸角Θ R會縮小至第2容許值以下。因此，本實施形態之表面處理方法，係為了減少構件 7之表面能量，具體而言，係為了提升構件s表面之撥液 *生’縮小滾落角α並增大後退接觸角，而在使構件8表 ^既定流體接觸之狀態下，執行對該構件s賦予能㈣圖9，係顯示用以減少構件步署心表面能量之表面處理 :A—例的圖。此外，_9所示之實施形態，係使用狹縫板00作為構件s。圖9 ，、使用供· ― A T表面處理裝置80A，且備·流體供應裝置81，係供應八 60). # . 尤疋/现體以與構件S(狹縫板 υ)之表面接觸，以及能量供應裝置

之表面能量減少，而在使構件 ’、-了使構件S 態下，對構件S賦予能== 能收容構件S之處理室裝置83，：及：二置80Α，具備免如 Μ及配置於處理室梦署δ 1 内部且用以保持構件s下面至衣置83 Η 放）的保持具構件84。圖9之構件S之狹縫板 33 1 2之第4保持具PH4，在以表面广拆裝地保持於測量台 2 在以表面處理裝置8〇A進行處理時， 200832079 可從第4保持具PH4卸除並收容於表面處理裳置嫩之處理室裝置83内部。又’在表面處理裝置80A 4理構件S 時’係從該構件S表面除去液體Lq。〃本實施形態之流體供應裝置81包含供應乾燥氮氣之氮氣t、應衣置。氮氣供應裝置8 1係將氮氣供應至處理室裝置83内部。從氮氣供應裝置81供應至處理室裝置Μ内部之氮氣，係在處理室裝置83内部被帶至保持具構件84 φ 所保持之構件S表面，並與該構件S接觸。本實施形態中，能量供應裝置82A，包含照射紫外光 Lu之紫外光照射裝置。本實施形態中之紫外光照射裝置 A係射出與曝光用光EL·大致相同波長之光（紫外光）Lu。如上所述，本實施形態之曝光用光EL，係使用八汀準分子雷射光（波長193nm)，作為從紫外光照射裝置“八射出之紫外光Lu，係使用ArF準分子雷射光（波長i93nm)。此外，紫外光Lu亦可使用具有較曝光用光£[短之波長的光。 • 例如亦可使用以低壓水銀燈為光源之波長！85nm之紫外光來作為紫外光Lu。糸外光照射裝置82A之光射出面，係在處理室裝置83 内邛配置成與保持具構件84所保持之構件s表面對向。外光照射裝置82A，係將紫外光照射於與氮氣接觸之狀恶之構件S表面。藉此減少構件S之表面能量。如上所述，構件S(狹縫板60)之表面能量，會因在與液體LQ接觸之狀態下被照射曝光用光el而增大。亦即，構件S(狹縫板60)表面之滾落角α會因在與液體接觸 34 200832079 之狀態下被照射曝光用光EL而變大，構件s(狹縫板6〇)表面之後退接觸角會因在與液體叫接觸之狀態下被照射曝光用光EL而變小。表面處理裝置8〇α，為了減少因在舆液體LQ接觸之狀態下被照射曝光用光肛而增大之構件 s的表面能量（為了恢禮椹株ς本 ^ s表面之撥液性），係在使構件S表面與氮氣接觸之狀離下斟卜對該構件s照射紫外光]LU。構件S之表面能量’可藉由以表面處縣置跑進行處理。亦即’構# s表面之撥液性，可藉由以表面處理衣置8 0 A進行處理而恢復，禮株表面之滾落角《可藉由表面處理裝置80Α進行處理而變小，構件S表面之後退接觸角^可藉由以表面處理裝置8GA進行處理而變大。本貫施形態中，對使用矣&未# 使用表面處理裝置80Α之構件s的 2 動作’係定期執行。對使用表面處理裝置嫩之 :件S的表面處理動作’例如係每隔既定片數之基曝光處理、每隔各批量、丧备次母隔既定時間間隔來執行。其次，說明藉由照射紫外光而使少的原理。心衣面此里減圖1〇,係顯示在與液體LQ接觸之用光EL之構件S表面的示音円p I、、、射曝先

“ 思圖。本實施形態中之液體LO 為水，具有極性。構件s之表面係以包含形成。膜Sf包含上述之膜50f，6〇f，7〇f，Tf之至少固^ 主要以氟原子與碳原子為主成分的氟系樹脂（氣化反树月曰）。如上所述，膜S f传带成认係乂例如PFA、「賽特布^ 形成，於一部分具有氧原子等。」1 隹、、、口合虱原子之部分局部 35 200832079 形成極性，藉此，膜Sf之至少一部分為極性分子。此外，圖1 0所不之分子構造僅為一例，並不限定於此。在與液體LQ接觸之前，或在與液體LQ接觸之狀能下被照射曝光用光EL前之初期狀態，膜Sf係與例如大氣等氣體接觸。在膜Sf與大氣等氣體接觸之初期狀態下，= 了減少大氣等氣體接觸與大氣（氣體）之界面能量，係於膜 sf表面配置氟原子(氟基)。藉由在膜sf表面配置氟原子，、膜Sf之表面能量即變小M吏膜Sf表面具有高撥液性。如圖10(A)所示，在具有極性之液體lq與包含具有極性之分子(極性分子)之膜^接觸的狀態下，對形成構件s 表面之膜Sf照射曝光用光EL。藉由照射曝光用光肛對該膜Sf賦予能量。如此，膜Sf中之分子即容易移動，界面之分子排列在膜Sf與液體LQ之間變化。此時，由於液體LQ具有極性，因此為了減小膜Sf與液體LQ之界面能量，膜Sf中之氧原子結合部（分子内極性部）即會移動而使分子内極性部露出界面’而如圖i〇(b)所示，於膜％表面配置氧原子結合部（分子内極性部）。因於冑^表面配置乳原子結合部（分子内極性部），導致膜Sf之表面能量增大，使該膜Sf之撥液性劣化。圖η⑷係顯：本實施形態之表面處理方法的示意二：ΐ戶:述參本貫施形態中，係如® 11(Α)所示，為了减 > 構件s之表面能量，而在倭 μ ^ ^ 構件S表面（膜Sf)與氮氣接觸的m將紫外光Lu照射於該構件s之表面（膜叫。亂氣係極性小於液體⑷LQ之流體，大致無極性。本實施 36 200832079 =二將紫外光Lu照射於形成構件8表面之膜sf。外光Lu對該膜sm予能量。如此，膜Sf中之士私動面之分子排列在膜Sf與氮氣之間變化。壯入:了減小膜sf與氮氣之界面能量，膜Sf中之氧原、：…分子内極性部)即會移動而使分子内極性部從界面lb藏’從氮氣分離，如此如圖u⑻所示，於膜％表面

配置軋原子(氟基)。藉由於膜Sf表面配置氟原子(氟基)，使胰Sf之表面能量減少，該膜“之撥液性恢復。、、如上述，在使構件S之表面與液體£卩接觸的狀態下，透過液體LQ對構件s表面照射曝光用光EL，並從該構件表面除去液體LQ後’藉由對構件s之表面照射紫外光 LU即此減少因在與液體LQ接觸之狀態下被曝光用光£L 照射而暫時增大之構件S表面能量。圖12，係用以說明本實施形態之表面處理方法之效果的示μ'圖。圖12之圖表ST1，係顯示初期狀態之表面能量。在此初期狀恶下，膜Sf係與例如大氣等之氣體接觸。在膜 sf與大氣等氣體接觸之初期狀態下，膜Sf之表面能量變小’該膜Sf表面具有高撥液性。接著’在具有極性之液體Lq與膜Sf接觸的狀態下，對该臈Sf照射曝光用光el時，膜Sf之表面能量會顯著增大’該膜Sf之撥液性會顯著劣化（降低）。其後，在從該構件S(膜Sf)表面除去液體LQ後，藉由在使膜sf與氮氣接觸之狀態下，對該膜Sf照射紫外光乙11， 37 200832079 即能如圖12之圖表ST3所示，減少膜Sf表面能量，使該膜Sf之撥液性恢復。此外’相較於圖12之圖表STΓ所示之初期狀態的膜 Sf，不使液體LQ接觸於該膜Sf，在與大氣接觸之狀態下照射曝光用光EL (紫外光），即會如圖12之圖表ST2，所示，

有可能會使膜Sf之表面能量增大，導致該膜Sf之撥液性劣化。然而，初期狀態ST1，之膜Sf之表面能量與在與大氣接觸之狀態下被照射曝光用光EL後之狀態ST2，之膜Sf 之表面能量的差（狀態ST2,相較於初期狀態ST1，之膜％之表面能量的增加量），可想見會小於初期狀態ST1之膜Sf 之表面能量與在與液體LQ接觸之狀態下被照射曝光用光 EL後之狀態ST2之膜Sf夕矣而处曰认、，、 <膜之表面旎®的是（狀態ST2相較於初期狀態S T1之膜s f夕本品处曰以胰Sf之表面旎1的增加量）。因此，具有在與液體LQ接觸 > 辟能τΘ 狀心下被妝射曝光用光EL(紫外光）而痛者增大之表面能量膜矣^ $之膜Sf的表面，可ϋ由本實施形態之表面處理方法進行處理， α、德㈣總“ 木使顧Sf之表面能量（滾落角灸u接觸角0 )恢彳i i $ 許值)為止。是至…級(弟！容許值、第2容 •圖13之示意圖奉理方法之效果心行ΓΓ 實㈣態之表面處作’係在與進行之動用光EL(紫外光) 恶下對構件S表面照射曝光 W後，為了減以及在從該構件8表面除去液體態下對構件s之表面照射二=量：在與氮氣接觸之狀 ’、卜先Lu的動作。圖13，係顯 38 200832079 示該實驗中測量於構件S矣而+、办μ & 里尽稱仵b表面之滾洛角α、後退接觸角後之實驗結果的圖。如圖13所示，藉由在與液體卬接觸之狀態下對構件S表面（膜Sf)照射曝光用光虹，滚落角α 即變大，後退接觸角％則變小。其後，藉由在從構件s 表面（膜Sf)除去液體LQ後，藉由在使該構件s⑽叫之表面與氮氣接觸之狀態下照射紫外％ Lu，滾落^即變小，後退接觸角ΘΚ則變大。如此可確認的是，可藉由在使構

件s(膜Sf)之表面與氮氣接觸之狀態下照射紫外％ Lu，即能減少構件s之表面能量。此外，本實施形態中所說明之例，雖係以表面處理裝 ^ 80A處理之構件s為狹縫板6G的情形，但當然亦能以表=處理裝置跑處理基㈣5G、上板7q、以及板構件寺，以使其表面能量減少（恢復撥液性）。如上所述，由於板構件τ能拆裝地料於基板台12之第2保持且㈣，而能從第2保持具PH2拆卸，因此當以表面處理裝置8〇A 處理板構件T時’藉由將該板構件T從第2保持具PH2拆下’即能收容於表面處理裝χ 8〇A之處理室裝置Μ内部。同樣地’由於基準板5G能拆裝地保持於第3保持具朋， =上板70能拆裝地保持於第5保持具pH5，因此當以表面處理裝置嫩處理該等基準板5〇、上板7()時，藉由從第 3保持具PH3、第5俾拉且心乐 > 保持具PH5拆下，即能收容於處理室 EX使基板乂下，5兒明使用具有上述構成之曝光裝置 P曝光之動作例。 39 200832079 △ ^控織係在使第1光學元件8與基板載 ?及測量載台2之至少一方對向的狀態下，= 30以液體LQ充滿曝光用光EL之光路㈣。冓件 =，控制裝在使基板？曝光前，係使用

投影光學系統-之成像特性。使用空間像測讀置6GS進行測量處理時4光罩載台3保持且有空間像測量用圖案之光罩。此外，㈣像測量用圖案，、 :形成於形成有用以製造元件之元件圖案之光罩m的—部分，亦可形成於用以進行空間像測量之專用光罩。當使用專用光罩時，在使基板p曝光以製造元件等的情況下，於光罩載台3當然係保持用以形成元件的光罩M。又，於基板載台1預先裝載用以形成元件之基板p並加以保持。ι 控制裝置7係控制測量載台2之位置，並使用嘴構件 3 0將液空間lS形成於狹缝板6〇與第i光學元件8之間，舞以液體LQ覆蓋狹缝部61。接著，如圖6所示，控制裝置7係從照明系統比射出曝光用光EL。曝光用光EL，在通過光罩、投影光學系統 PL、以及液浸空間LS之液體LQ後，照射於狹缝板6〇。通過狹縫板60之狹縫部61之曝光用光EL，即透過光學系統65而射入受光元件66。如此，空間像測量裝置6〇s之受光元件66，即接收透過投影光學系統Pl、液浸空間Ls 之液體LQ、以狹缝部61的曝光用光EL。受光元件66，係將與受光量對應之光電轉換訊號（光量訊號）透過訊號處理裝置輸出至控制裝置7。控制裝置7,係根據受光元件66 200832079 之受光結果進行既定運算處理’以求出投影光學系統pL 及液體LQ之成像特性。

又，在使用空間像測量裝置60s之測量處理結束後，控制裝Ϊ 7即視必要情形執行使用上板7()之測量處理。在執行使用上7G之測量處理時，控制裝置7係使測量載台2—移動於XY方向，使第丄光學元件8與上板7〇對向，，於第1光學元件8與上板7〇之間形成液浸空間ls。接著，控制裝置7，係透過投影光學系統Pl及液浸空間ls 之液體LQ’將曝光用光EL照射於上板7〇之開口圖案71，使用設於該開口圖案71下方之受光元件測量曝光用光 EL° 接著彳二制裝置7根據使用空間像測量裝置6〇s之測里處理# it行投影光學系、统pL之成像特性的調整處理（校正處理）。又，控制裝置7係使測量載台2移動於χγ方向，使第1光學元件8與基準板50對向，並於第i光學元件8 與基準板50之間形成液浸空間LS。接著，控制裝置7係調整測量載台2在XY方向之位置，於對準系统ra之檢測區域配置測量載台2之基準板5〇上的第i基準標記，。接著’控制裝置7 一邊使用包含雷射干涉儀:測量系統6測量測量載台2之位置資訊，一邊使用對準系統 RA透過投影光學系統pL與液體LQ檢測測量载台2之基準板50上的第！基準標記FM卜具體而言，控制裝置% 係在以液體LQ充滿投影光㈣統PL與設有第^準標記 200832079 FMl、之基準板5〇之間的狀態下，檢測出基準板5〇上之第 1基準標記而與對應於其之光罩Μ上的對準標記，以檢測出弟1基準標記FM1與對應於其之光罩Μ上的對準靡置資二。藉此，控制裝置7能求出以包含雷射干：義之測里系統6所規定之座標系統内之第1基準標記 FM1的位置資訊。又，下σ 由於先罩Μ上之圖案與對準標記係 =无疋位f關係形成，因此控制裝置？能求出圖案像之投

〜立置與第1基準標記FM1之位置關係。於對控制裝置，係控制測量載台2在χγ方向之位置， : = 則之檢測區域配置測量載台2之基準板50 十、基準標記FM2。接著，控聽置7 —邊使用包含 :::涉儀6P之測量系統6測量測量載台2之位置資訊， ^用對準系統ALG不透過液體Μ檢測出測量載台2 之基準板50上的篦9 能求出以包含雷射干，儀=記FM2。藉此’控制裝置7 系統内之第2基準之測量系統6所規定之座標在包含雷射干涉儀6Γ Γ位置資訊。又，對料、統ALG 具有檢測基準位置：：：糸、统6所規定之座標系統内檢測基準位置與第2^置7,能求出對準系統ALG之基準㈣上之第=:FM2的位置關係。係以既定位置關儀形成，==與第2基準標記™2 記腕之位置關俜：。弟1基準標記舰與第2基準標 ALG之檢測基準位=知。控制裝置7,能根據對準系統圖案像之投影位置^弟2基準標記刚2的位置關係、、弟1基準標記FM1之位置關係、以及 42 200832079 為已知之第1基準標記FM1與第2基準標記FM2之位置關係’導出在以包含雷射干涉儀6P之測量系％ 6所規定之座私系統内之對準系統ALG的檢測基準位置與光罩M 之圖案像投影位置的位置關係（基線資訊）。此外，在藉由對準系統RA檢測出第2基準標記削2之後，亦可進行對準糸統ALG靜宽甘、隹姐 / 奵弟2基準標記FM2之檢測，亦可同時進行

對準系統ALG對第2基準標記FM2之檢測、以及對統^對第1基準標記细之檢測。 ” 在使用測量截A 9t曰 1 對基板載台i上二控制裝置7即開始上之基板P的對準處理。控制裝置7使基板載σ 1移動於士_ > Υ方向’於對準系統ALG之檢測區域依庠配置設置成與美柘p L K很序、土上之之各照射區域對應之複數個對準知纪。接著，控制奘彳干衣置7 一邊使用包含雷射干涉儀6ρ 測ϊ糸統6測量基板載a ^ 之位置貧訊，一邊使用對準系記。藉此不體置LQ依序檢測基板P上的複數個對準標量：所=:二 =:雷射干涉… 資却。▽ 厓払糸統内之基板p上對準標記的位置置食對準俨:::发置7能求出對準系統ALG之檢測基準位 /、對準私圮的位置關係。置次其次’控制裝置’係根據基⑯p上之各對準標記的位貝讯，透過運算處理求、準位Ρ 料找仙之檢測基過運算處理求出美祐p u 心口位置貝矾。在透 0士土板p上的複數個照射區域之久#罢一時，能使用例如日本特^Μ Α之各位置貧訊開° 61~ 44429號公報所揭示之所 43 200832079 由對準紐則進行基板p上之料標記的檢測，並決 =於…上之複數個照射區域之各位置座標(排列座不又，控制裝置7能從包含雷射干涉儀6p之測量系统 6之輸出’得知基板P上之各照射區域相對於對準系統爲之檢測基準位置係位於何處。

控制裝置7,根據以包含雷射干涉儀6p之測量系統6 所規定之座標系統内之對準系統ALG的檢測基準位置與基板P上各照射區域的位置關係（相對於檢測基準位置之照ς 區域的排列資料）、以及以包含雷射干涉儀6ρ之測量系統 6所規定之座標系統内之對準系統ALG的檢測基準位置與光罩Μ之圖案像投影位置的位置關係，導出以包含雷射= 涉儀6Ρ之測量系統6所規定之座標系統内之基板ρ上各照射區域與光罩Μ之圖案像投影位置的關係。接著控制瓜置7係根據基板Ρ上各照射區域與光罩 Μ之圖案像投影位置的位置關係，控制基板載台1上之基板Ρ位置，以依序使基板ρ上之複數個照射區域曝光。控制裝置7，至少在將光罩Μ之圖案像投影於基板ρ 的期間，使用嘴構件30以液體LQ充滿曝光用光EL之光路空間以形成液浸空間LS，並透過投影光學系統PL與液體LQ將通過光罩Μ之曝光用光el照射於基板載台1所保持的基板P。藉此，光罩M之圖案像即投影於基板ρ，使基板P曝光。本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩μ與基板 44 200832079 p同步移動於既定掃描方向，一邊於基…掃描型曝光裝置(所謂婦2:之圖，投影態中，基板P之掃描方向（同步移動方”。本貫她形罩Μ之掃描方向(同步移動方向)亦為；Y軸方向’光以，係使基板"目對投影光學系統pL :::。曝光裝置 Y軸方向，並與該基板!>往γ 又衫區域移動於罩Μ相對照明系統IL之照向之私動同步地，使光 ήψψ ^ ^ 4, 。° 2私動於Υ軸方向，透過

杈衫先學糸統pL與液體L 以使該基板P曝光。 4以EL照射於基板P，接觸所說明，在使料8表面與氮氣等之既定流體接觸的狀您下，將紫外光Lu

Sf)M ^ ㈣構件S，以對該構件S(膜，槿株…猎此能減少構件8(膜Sf)之表面能量，恢復 S(膜so表面之撥液性。因此，當執行液浸曝光處，液=曝光處理用之測量處理時，可藉由使用已透過 =里：置80A處理後的構件s抑制液體㈣留於構上，將液浸空間LS、，持於所欲狀態。因此 =^ 性能，抑制曝光不良產生，使基板p良好地曝光，製造具有所欲性能的元件。構件本為了減少構件S之表面能量，係在使 :件s表面與既定流體接觸的狀態下，將紫…u照射 :该構件S之表面’以對構件S賦予能量。紫外光“能 :用與曝光…L (ArF準分子雷射光)具有大致相同波，、或具有較曝光用光EL M之波長的光，藉此能以良好效率對構件s賦予能量。 45 200832079 此外’為了對構件s賦可不是紫外* 、，月匕里而照射之紫外光Lu，亦構件s'如’當照射於與液體LQ接觸之狀態之構件s的曝光用光EL並狀“之能量而照射之紫外光”彳‘、、、了對構件S賦予致相同^ Γ 使用與曝光用*el具有大外光),具有較曝光用*EL短之波長的光(並非紫错成以良好效率對構件S賦予能量。 ^

待且：4 了對構件S賦予能量而照射之紫外光Lu，亦可二由==用光肛(包含紫外光)之波長長之波長的光。 =:射光LU，該構件8即被加熱，而對構件S 雕（礼二^ 量。因此’藉由使構件S表面與既定流 : 接觸的狀態下，以基於光Lu之照射的能量，即月匕使構件S之表面能量減少。又’本實施形態中，在執行使構件s表面能量減少之 ^ &里％ #為與構件s表面接觸之既^流體雖使用氮氣’但亦能使用極性較液體LQ⑷小的流體來作為既定流體例如，能使用氬氣等純氣來作為既定流體。氮氣、氯氣等鈍氣，係大致無極性，㈣適合用於本實施形態之表方法又，不僅氮氣、氬氣等鈍氣，只要係極性小於液體LQ之氣體均能使用。 ^又，作為與構件S表面接觸之既定流體亦能使用乾燥氣體。藉此，能更進一步減少構件s之表面能量。又，作為與構件S表面接觸之既定流體並不限於氣體，只要係極性小於液體Lq(水）之流體均能使用。例如過氟聚醚（PFPE，perfluoro-p〇iyether)或氟系油等氟系液體（流體） 46 200832079 亦可。此外，本貫施形s中，用以充滿曝光用光el之光路空間之液冑LQ雖係水’但亦可係水以外之液體，例如，能使用折射率為U〜h8左右者來作為液體LQ。作為液體LQ亦可使用各種液體，例如超臨界流體。X，作為液體LQ’亦能❹對形成投影光學系統pL或基板p表面之感光材之膜Rg杈穩定者（例如氫氟醚（hfe, Η”⑺⑺ Ether)、過氟聚縫（PFPE，perflu〇r〇 p〇iyet㈣氟布林油 (f〇mBLINOIL)等）。構件s之膜^、或用以使構件8之表面能量減少之表面處理時與該構件S之表面接觸的既定流體，能視液體LQ(液體LQ之物性等）來決定。此外’本實施形態中’構件S之表面雖係以撥液性之膜Sf來形成’但亦可使構件8整體以具有撥液性之材料來形成。例如能將基板台12之板構件τ整體以具有撥液性之材料例如包含全氟烷氧基鏈烷烴（PFA，Tetra flU〇r〇ethylene_perflu〇r〇仙加州等的材料形成。接著’能將該板構件T表面藉由本實施形態之表面處理方法進行處理，以使撥液性恢復。 <第2實施形態> 其-人，呢明第2實施形態。以下說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分賦予同一符號，簡;匕或省略其說明。囷係員示第2貫施形態之表面處理裝置80Β的圖。圖14中’表面處理裝£ 8〇Β具備：流體供應裝f 81，係 47 200832079 :、應既定流體以與構件s之表面接觸；以及能 82B’係為了使構件s之表面能量減少，而在使構件^

面與既定流體接觸之狀態下，對構件s賦予能量。表J 理裝置細，具借能收容構件8之處理室 1 置於處理室裝置83内部且用以保持構件8 ^己持具構件84。卜面U面）的保本貫施形態中，流體供應裝置81 之氮褒供旛壯罢^ 匕3 1、應乾無氮氣 ^供應衣置。线供應裝置81，係對處内部供應氮氣。從氮氣供應裝置81供理= 内部之氮氣，係在處理室裝置：至、83 所伴拄夕接α。至衣置83内部被帶至保持具構件84 庫穿置8 π ’並與該構件S接觸。此外，流體供心、衣置81，亦可供應氬氣等氮性小於液體LQ的液^ 卜的亦可供應極之二ΙΓ態中，能量供應襄置咖包含能加熱構件s 之加熱衣置。本實施形態中，加熱以咖之係設於保持具構件84。加埶|士 ^刀具構件84之構件S。…、衣置82B，能加熱保持於保持加熱裝置82B’能藉由加熱保持於保持具構件84之構由對2加熱與氮氣接觸之狀態之構件S表面（膜sf)。藉 ^成與誠接觸之狀態之構件s表面的膜^，供應基能量自加熱裝置δ2Β之熱的能量，即可減少構件S之表面此外’本實施形態中，雖係藉由能量供應裝置議加 …、構件S以對該構件S賦予能量，但亦可例如藉由將已加 48 200832079 熱之流體供應至構件此，亦能減少構件s之表面旦乂、”予能量。如氣體（氮氣等）。，、〜已加熱之 <第3實施形態> 對與上述實簡化或省略其次’說明第3實施形態。以下說明中施形態相同或同等之構成部分賦予同一符號其說明。 ~

圖15,係顯不第3實施形態之表面處理裳置80C的圖。弟3貫施形態之表面處理裝^，，包含配置於第^光與元件8附近’能以液體LQ充滿帛】光學元件8之光射：面之曝光M EL之光路空間以形成液浸空間^的嘴構件 3〇。本實施形態中’於供應# 35之既定位置，係透過閥機構（流路切換機構）35B連接有流體供應裝置Η。本實施形態中之流體供應裝i 81，包含供應乾燥氮氣之氮氣^ 裝置。閥機構3 5B，係在使連接供應口 3丨與液體供應裝置％之流路開啟的狀態下，關閉供應口 31與流體供應裝置Η 之流路，並在關閉供應口 31與液體供應裝置36之流路的狀態下，開啟連接供應口 31與流體供應裝置81之流路。閥機構35B之動作由控制裝置7控制。其次，說明第3實施形態之曝光裝置ex動作一例。乂下 17兒明對狹缝板6 0進行表面處理的情形。斑上述實 %形悲同樣地，在使用狹缝板6〇執行測量處理時，控制裝置7係使第1光學元件8之光射出面與狹縫板6〇對向， 49 200832079 ^吏用嘴構件30形成液浸空間仏在形成液浸空間u …控制裝置7係使用間機構35B，關閉連接供應口 Μ 流體供應裝置81之流路。 /、在執行以包含嘴構件30之表面處理裝置使狹縫板60之表面能量減少的表面處理時，控制裝置7係停止液體供應裝置36之動作，或控制閥機構35B等停止來自 ί、應3 1之液體LQ供應動作。接著’控制裝置7執行使用回收口 32之液體回收動作，從狹缝板⑼表面除去液體 LQ。払制衣置7在;^狹缝板6〇表面除去液體後，即使用閥機構35B P錢連接供應口 31與流體供應|置81之流路。接著，控制裝置7,在將狹缝板6〇配置於與第【光學元件8之光射出面對向之第1位置的狀態f，從流體供應裝置8 1送出流體（氮氣）。 k流體供應裝置8丨送出之流體（氮氣），透過供應管 35、以及形成於嘴構件3〇内部之供應流路供應至供應口 3 1。供應口 3 1即供應來自流體供應裝置8丨之流體（氮氣）以接觸於配置在第1位置的狹縫板60表面。又’控制裝置7係與來自供應口 3〗之氮氣供應動作並行’從照明系統IL射出曝光用光el並射入投影光學系統 PL。藉此’從第1光學元件8之光射出面射出曝光用光el，照射於狹縫板6 0表面。如上述’藉由將狹縫板60配置於第1位置，在使狹缝板60表面與來自供應口 31之氮氣接觸的狀態下，使透 50 200832079 過第1光學元件8之曝光用光EL(紫外光）照射於狹縫板 60 ’而能減少狹縫板6〇之表面能量。

此外，本實施形態中所說明之例，雖係以表面處理裝置80C處理之構件s為狹縫板6〇的情形，但當然亦能以士面處理裝置8〇C處理基準板50、上板7〇、以及板構件τ 寺，以使其表面能量減少(恢復撥液性）。此等各構件，能移動至（能配置於）與第i光學元件8之光射出面對向的月第匕弟1位置’而能從嘴構件3G之供應σ 31供應氮氣，且能照射來自帛1光學元件8之曝光用光EL。又，本貫施形態亦同樣地，從流體供應裝置Μ透過仏應口 31供應至構件s的流體，只要係極性小於液體μ 者即可’不限於氮氣’亦可係氬氣等其他氣體，或係液體。又在執饤使構件S之表面能量減少之表面處理時與構件 S表面接觸的流體，亦可係大氣（乾燥空氣）。當帛丨光學兀件8之光射出面側的空間為大氣空間時，即使省略來: 供應口 31之流體供應動作，或省略流體供應裝置8 1 機構35B等各猶梦署、w i & 、 ^置機益，在執行使構件S之表面能量減少之表面處理時，亦能使構件s表面與既定流體（大接觸。 <第4實施形態> 其夂’況明帛4實施形態。以下說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分賦予同-符冑，簡化或省略其說明。圖16係顯不第4實施形態之曝光裝置以的圖。本實 51 200832079 施形感之曝光裝置EX，具備投影光學系統pL與配置於別處位置之表面處理裝置80D。表面處理裝置8〇D，具有：第2光學元件9’具有射出紫外光。之光射出面，配置於與第i光學元件8不同位置；以及供應構件9〇,配置於第 2光學元件9附近’具有可供應氮氣等流體的供應口&卜基板載台1’可在包含第i位置（與第^學元件8之光射出面對向）及第2位置（與第2光學元件9之光射出面）之導引面GF上的既定區域内移動。測量載台2，可在包人 ^位置及第2位置之導引上的既定區域内與基：载口 1獨立移動。本貫施形態中，包含第9伞與M rv 匕3弟2先予兀件9之表面處理裝置 ’係配置於第1光學元株8夕本v / t 尤子兀件8之+ γ侧，測量載台2係在暴扳載台1之+ Υ側移動。 *與上述實施形態同樣地，基板载台丄及測量載台2，二分別移動至第i位置時，係與液浸空間ls之液體^接 1及二里i置咖，係於配置在帛2位置之基板載台射ΤΙ 的至少一方具有可透過第2光學元件9照

:外光LU的紫外光照射裝置㈣從紫外光照射裝置82C 兮第tr卜光Lu’係射入第2光學元件9之入射面，並從先學讀9之光射出面射出。從第2光學元件9之板二面射出的紫外光Lu，係照射於配置在第“立置之基载D 1及測量載台2的至少一方。於供應構件90連接有流體供應裂置（氮氣供應農置）。 52 200832079 攸/瓜體供應裝置送出之流體（氮氣）係供應至供應構件的供應口。供應構件90之供應口 91，係將流體（氛氣）供應至配置在第2位置之基板載台1及測量載台2的至少— 方。 2面處理裝置80D係從供應口 91將將氮氣供應至配置在第2位置之基板載台i及測量載台2的至少一方，且在與氮氣接觸的狀態下透過第2光學元件9照射紫外光 Lu 〇 • 一圖1 6所不，本實施形態中，控制裝置7係同時執行，將基板載台1配置於第丨位置、在使液體接觸於基板載口 1之狀悲下照射曝光用光EL的動作，以及將測量載台2配置於第2位置、對測量載台2㈣紫外光Lu之動 1的至少一部分。亦即，本實施形態中，控制裝置7能同 %執灯基板載台1所保持之基板p的液浸曝光動作以及用乂使測畺載台2之表面能量減少的表面處理動作。 g 〈弟5貫施形態> 其次，說明第5實施形態。以下說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分賦予同一符號，簡化或省略其祝明。圖17係顯示第5實施形態之曝光裝置Εχ的圖。與上述κ施形恶同樣地，曝光裝置Εχ具備表面處理裝置8〇D，。亥表面處理裝置8〇D具有：第2光學元件9，具有射出紫外光Lu之光射出面，配置於與第i光學元件g不同之位置，以及供應構件9〇，配置於第2光學元件9附近，具有 53 200832079 可供應氮氣等流體的供應口 91。本實施形態中，包含第2光學元件9之表面處理裝置函’係配置於第i光學元件8之—γ側，基板載台U 在測量載台2之一 Υ側移動。如圖17所示，本實施形態中，控制裝置7係同時執行，將測量載台U置於第1位置、在使液體lq接觸於測量

載台2之狀態下照射曝光…L的動作，以及將基板載台1配置於第2位置、對基板載台1( 外…動作的至少一部分。亦即，本實施二);= 制I置7能同時執行使用測量載台2之測量動作以及用以使基板载纟1(板構件T等）之表面能量減少的表面處理動作。此外，當然亦能組合上述第4實施形態與第5實施形態。能分別於投影光學系統PL之+ γ側及—γ側配置表面處理裝置麵。藉此1以既料點順利地執行對基板载台1及測量載台2各自之表面處理動作。又，上述各實施形態中，雖說明定期執行使構件s之表面能量減少的表面處理動作，但例如亦能以對準系統仙取得财S之表面料（光學像），絲㈣取得之影像資訊決定是否執行使構件s之表面能量減少的表面處理動作。如上所述，本實施形態之對準系統alg具有CCD 等攝影元件，訪得構件S之影像。#構件s之表面能量增大時（構件S表面之撥液性劣化時），不論Η已執行從冓件S表面除去液體Lq的動作’液體(液滴）殘留於該 54 200832079 構件s表面之可能性。對準系統ALG取得之構：。：此，控制裝置7’根據使用是否已執行從構件8表_去=訊，例如不論體LQ(液滴）殘留於該的動作，當判斷液丹1卞b表面時，gp如龄

:表面之㈣衫化，Μ行使料S之;構件S 表面處理動作。衣面成a:減少的又’亦可如圖18所- 置能檢測該構件S表!"於構件S(此處為狹縫板60)設溫度感測器1〇0之檢测結果決定是否執行使構件8據該能量減少的表面處理動作。當構件s之表面能二S '表面件S表面之撥液性劣化砗 b里s大％ (構除去液體叫的動作，執行從構件s表面 …㈣，_二==:::面 :面之溫度大幅變化(降低)的可能性亦高。因此，控:j 表面’根據溫度感測器100之檢測結果，當傾測出構件；表面之溫度大幅變化時，即再1千s 該構件S之表面，而執行: 處理動作。 _件S之表面能量減少的表面此外’上述第1、帛2實施形態中，雖說明了表理裝置附，表面處理裝置_係設於曝光裝置EX，作亦 :係與曝光裝i EX不同之裝置。接著，亦可使用該表面處理裝置嶋，議，除了構成液浸曝光裝置以之構件以外，亦對使用液體製造元件的製造裝置、例如將包含感光材等之溶液塗布於基板上的塗布裝置、或使用顯影液等使 55 200832079 曝光後之基板顯等之顯影裝置等構件執行表面處理。藉此，能抑制液體殘留於構成該等製造裝置之各種構件^ 面，抑制裴置性能之劣化。一又，i述各實施形態之投影光學系統，雖係以液體充端之第1光學兀件8之像面（射出面）側的光路空間，但亦：採用如國際公開f 2004/〇19128 ?虎小冊子所揭干

者，前端之第i光學元件8之物體面(入射面)側的光路空間亦以液體LQ充滿之投影光學系統。曰此外，上述實施形態中，雖係❹包含干涉儀系統之測量系統（干涉儀系統）來測量光罩載台、基板載△、以及測量載台之各位置資訊，但並不限於此，例如亦：使用用 _設於各載台之標尺(繞射光栅)的編碼器系統。此時取好係具備干涉儀系統與編碼器系統兩者之拼合系统，使用干涉儀系統之測量結果來進行編碼器系統之測量姓果的校正(CaHbration)…亦能切換干涉儀系統與編碼器系統來使用、或使用該兩者來進行載台的位置控制。又，上述實施形態中，嘴構件等液浸系統之構成並不限於上述，亦能使用例如國際公開第2〇〇4/〇8料Μ號小冊子、國際公開第·5/〇24517號何子所揭示的= 系統。又，作為上述各實施形態之基板ρ，⑨了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之㈣晶圓、在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版（合成石英、石夕晶圓）等。 56 200832079 ^ 移動來對料除了能適驗使鮮M與基板p同步猫型曝光裝ϋ 進行掃描曝光的步進掃晦方式之掃式尸，7略步進機）以外’亦能適用於步進重複方技衫曝光裝置（步進器），其係在使止之狀態下，偾氺g ^ /、丞极r靜步進移動。之圖案一次曝光，並使基板P依序大二步進f複方式之曝光，係在使第1圖案與基板p 傻#r t狀恶下，使用投影光學系統將第1圖案之縮小能“至基板p後，在使第2圖案與基板P大致靜止之狀下，用技衫光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案 2重疊而-次曝光於基板p上。又，作為接合方式之曝先衣置’亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少2個圖牵邱公舌晶&絲㈡荼σ卩刀重豐而轉印，並依序移動基板 Ρ 〇又，本發明，例如亦可適用於日本特開平10— 163099 號公報、日本特表2_— 5㈣58號公報等所揭示之具備複數個（兩個）基板载台的多載台型（例如雙載台型）曝光裝置。 ^ 又，本發明如國際公開第99//495〇4號小冊子所揭示，亦能適用不具備測量載台之曝光裝置。又，亦能適用於具備複數個基板載台與測量載台的曝光裝置。又，上述實施形態中，雖係採用將液體局部性地充滿於投影光學系統PL與基板ρ之間的曝光裝置，但本發明亦能適用於如日本特開平6— 124873號公報、日本特開平 57 200832079 10 — 303 1 14號公報、美國專利第5, 825, 043號等所揭示，使曝光對象之基板表面整體浸於液體中的狀態下進行曝光的液浸曝光裝置。上述各實施形態中，雖以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例進行說明，但本發明亦能適用於不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。即使係此種不使用投衫光學糸統PL之情形’曝光用光亦透過透鏡等光學構件

照射於基板，並於上述光學構件與基板之間之既定空間形成液浸空間。作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裂置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD)、微型機器、 MEMS、DNA晶片、或標線片或光罩等之曝光裝置等。又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案（或相位圖案，減光圖案）的光透射性光罩（標線片），但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩（亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器、，例如包含非發光型影像顯示元件（空間光調變器）之一種之DMD(Dighai mirror Device)專）係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。口又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/ 035168 號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於基板p上、而在基 58 200832079 板p上曝光等間隔線圖案之曝光裝置(微影系統)。 51985進二如亦施將本發明適用於例如曰本特表2004 一 519850 5虎公報（對應美國專弁,f1 # ，， 6號）所揭示之曝 =:置係將兩個光罩圖案透過投影光學系統在基板上 :二:由一次之掃描曝光來對基板上之一個照射區域大致同日守進行雙重曝光。 -欠季L’/Λ實施形態的曝光裝置Ex，係藉由組裝各種二庚匕3 口構成要素），以能保持既定之機械精度、電二學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝减’係進行對各種光學系統進行^達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前’係有各次系統個別之組裝製 =°當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行口凋整’以確保曝光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。半導體元件之微型元件，如圖19所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微型元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩（標線片）之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態將光罩圖案曝光於基板並使所曝光之基板顯影的基板處理（曝光處理） 59 200832079 接合步驟、封裝步驟204、元件組裝步驟（包含切割步驟步驟）205、檢查步驟206等。【圖式簡單說明】圖1，係顯示第1實施形態之曝弁壯 ,,^ 衣置的概略構成圖。圖2，係放大圖1之一部分的侧截面圖。台的立體圖。測ϊ载台的俯視圖面圖。圖3，係顯示基板載台及測量载圖4，係從上方觀看基板載台及圖5，係顯示基準板附近之側截

圖6，係顯示狹缝板附近之侧戴面圖。圖7，係用以說明作為構件表面特田和性之指標之參數《示意圖。之照射量與構件表面面處理裝置的概略構圖8，係顯示為了確認曝光用光特性之關係而進行的實驗結果的圖。圖9，係顯示第1實施形態之表成圖。圖1〇 ’係被曝光用光照射之膜的示意圖。圖11，係以第1實施形態之表面處理方法處理之膜的示意圖。圖12，係說明第1實施形態之表面處理方法之效果的示意圖。圖13 ’係為了確認第1實施形態之表面處理方法之岐果而進行之實驗結果的示意圖。圖14 ’係顯示第2實施形態之表面處理裝置的概略構成圖。 60 200832079 圖1 5，係顯示第3實施形態之表面處理裝置的概略構成圖。圖1 6，係顯示第4實施形態之表面處理裝置的概略構成圖。圖17，係顯示第5實施形態之表面處理裝置的概略構成圖。圖1 8，係用以說明設於構件之溫度感測器的示意圖。圖1 9，係用以說明微型元件之製程例的流程圖。

【主要元件符號說明】 1 基板載台 2 測量載台 5 驅動系統 6 測量系統 8 第1光學元件 9 第2光學元件 30 嘴構件 31 供應口 32 回收口 50 基準板 50f，60f，70f，Sf，Tf 膜 60 狹缝板 70 上板 80A〜80D 表面處理裝置 81 流體供應裝置 61 200832079 82A〜82D 能量供應裝置 EL 曝光用光 EX 曝光裝置 IL 照明系統 LQ 液體 LS 液浸空間

Lu 紫外光 P 基板

S 構件 T 板構件

62

Claims

200832079 十、申請專利範園： 1 · 一種物體之表面處理方法，該物體具有撥液性之表面，其包含：為了減少該物體之表面能量，而在使該物體表面與既定流體接觸之狀態下，對該物體賦予能量的動作。 2·如申請專利範圍第丨項之表面處理方法，其中，該物體之表面，係以包含氟材料之膜形成。

3.如申請專利範圍第2項之表面處理方法，其係減少因在與液體接觸之狀態下照射紫外光而增大之該物體之面能量。 < 、4.如申請專利範圍f !至3項中任一項之表面處理方法’其中’該既定流體係氣體。

5·如申請專利範圍第4 既定流體包含鈍氣。 6·如申請專利範圍第5 既定流體包含氮氣。 7·如申請專利範圍第3 法，其中，該液體包含水。 8·如申請專利範圍第3 液體具有極性。 9·如申請專利範圍第8 液體包含水。項之表面處理方法，其中，該項之表面處理方法，其中，該至6項中任一項之表面處理方項之表面處理方法，其中，該項之表面處理方法，其中，該 1〇·如申請專利範圍第8或9頊夕本品老w x y員之表面處理方法，其中，亥胰之材料包含分子内極性部。 63 200832079 方法

乐《至1()項中任_ ，其中，該既定流騁在士、表面處 12.如申請專利範圍第該既定流體係大致無極性。 13 ·如申請專利範圍第中，該既定流體係氣體。 14 ·如申清專利範圍第該既定流體包含鈍氣。 15.如申請專利範圍第该既定流體包含氮氣。體係極性較该液體小之流體。 11項之表面處理方法，其中 11或12項之表面處理方法，其 13項之表面處理方法，其中， 14項之表面處理方法，其中， 1至15項中任—項之表面處理之動作包含照射光之動作。 16項之表面處理方法，其中， 16·如申請專利範圍第方法，其中，該賦予該能量 17 ·如申請專利範圍第該光包含紫外光。

I如申請專利範圍第3項之表面予該能量之動作包含照射光之動作； ”中賦㈣予該能量之動作中照射於該物體之該光的波長，係與照射於與該液I#接鎚4 且接觸狀恶之該物體之紫外光的波長相同，或較該紫外光之波長短。 Ί專心®1第1至^項中任-項之表面處理法，其中，賦予該能量之動作包含加熱之動作。 20·一種物體之表面處理方法，言亥物體具有以撥液性之腰形成之表面，其包含·· 為了使忒撥液性已降低之該膜的撥液性恢復，而在使 64 200832079 該膜與既定流體接觸之狀態下，對該膜照射紫外光的動作。 21·—種物體之表面處理裝置，該物體具有撥液性之表面，該裝置具備：供應既定流體以與該物體表面接觸之流體供應裝置；以及為了減少該物體之表面能量，而在使該物體表面與該既定流體接觸之狀態下，對該物體賦予能量的能量供應裝置。 22·如申請專利範圍第21項之表面處理裝置，其中，該流體供應裝置係供應乾燥之氮氣。 23.如申請專利範圍第21或22項之表面處理裝置，其中，該能量供應裝置包含照射紫外光之紫外光照射裝置。 24·—種曝光方法，係透過液體對基板照射曝光用光以使该基板曝光，其包含：以申請專利範圍第1至20項中任一項之表面處理方法，處理配置在該曝光用光可照射之位置之物體的表面的動作。 25· —種曝光方法，係透過液體對基板照射曝光用光以使该基板曝光，其包含：在使配置在該曝光用光可照射之位置之物體的表面與該液體接觸的狀態下，透過該液體對該物體表面照射該曝光用光的動作；以及為了減少因在與該液體接觸之狀態下照射該曝光用光 65 200832079 而增大之該物體之矣 t曰版 < 表面此I，而在使該物古體接觸之狀態下，對#物舻# 體表面與既疋>瓜對邊物體賦予能量的動作。 26.如申請專利範圍第25 物贼|#&处曰員之*先方去，其中，對該行。勤作係在從該物體表面除去該液體後執 …27.如申請專利範圍第以％項之曝光方法，其中，该既定流體係氣體。

28. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，該既疋 >瓜體包含氮氣。 29. 如申請專利範圍第25至28項中任一項之曝光方法，其中，該液體包含水。、3〇·如申請專利範圍第2S至29項中任一項之曝光方法/、中賦予該能量之動作包含照射紫外光的動作。 3 1 ·如申请專利範圍第3〇項之曝光方法，其中，該曝光用光包含該紫外光。 32·種元件製造方法’係使用申請專利範圍第24至 3 1項中任一項之曝光方法。 33·—種曝光裝置，係透過液體對基板照射曝光用光以使该基板曝光，其具備：申請專利範圍第21至23項中任一項之表面處理骏置。 3 4 · —種曝光裝置，係透過液體對基板照射曝光用光以使該基板曝光，其具備：物體’係在與該液體接觸之狀態下被該曝光用光照射；以及 66 200832079 表面處理裝置，為了減少因在與該液體接觸之狀態下照射該曝光用光而增大之該物體之表面能量，而在使該物體表面與既定流體接觸之狀態下，對該物體賦予能量。 35.如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該物體之表面，係以包含氟材料之膜形成。 36·如申請專利範圍第34或35項之曝光裝置，其中，該既定流體包含氮氣。

37.如申請專利範圍第34至36項中任—項之曝光裝置’其中，該液體包含水。 38·如申請專利範圍第34 置’其中，該表面處理裝置，定流體接觸之狀態下對該物體予能量。至37項中任—項之曝光裝係藉由在使該物體表面與既照射紫外光，以對該物體賦 39.如申請專利範圍第34 i 38項中任一項之曝光裝置’其具備：具有射出該曝W光之光射出面的第1光學構件；

J亥物體係能在包含與該第i光學構件之光射出面對向之第1位置之既定區域内移動的物體。 40·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其中，該曝光用光包含該紫外光； ":亥物豸係、在配置於該第i位置之狀態下，透過該第 1光子構件被照射曝光用光而被賦予該能量。 41·如申請專利範圍第4〇項之曝光裝置，其具備·· 液，又工間形成構件，係配置於該第ι光學構件附近， 67 200832079 能以液體充滿該第丨光學構件之光射出面側之光路，以在與該物體之間形成液浸空間；以及供應口，係形成於該液浸空間形成構件，能供應該既定流體。 42·如申明專利範圍第39至41項中任一項之曝光裝置，其中，5亥物體，包含能搭載測量器來移動之測量載台之至少一部分’該測量器能執行與曝光相關之測量。 43 ·如申明專利範圍第42項之曝光裝置，其中，該物體包含測量構件，係可拆裝地保持於測量載台，且在與該液體接觸之狀恶下照射該曝光用光以進行與曝光相關之測量。 44. 如申請專利範圍第39至43項中任一項之曝光裝置’、中°亥物體，包含能保持該基板來移動之基板載台之至少一部分。 45. 如申凊專利範圍第44項之曝光裝置，其中，該物體包含板狀構件’此板狀構件係可拆装地保持於該基板載台，且在透過該液體照射該曝光用光時配置於該基板周圍。 :·如申厂專利範圍第38項之曝光裝置，其包含：第1光學構件，具有射出該曝光用光之光射出面；弟2光學構件，具有射出該紫外光之光射出面，配置於與該第1光學構件不同之位置；第1移動體，能在包含第1位置及第2位置之既定區域内移動，該第i位置係與該第i光學構件之光射出面對 68 200832079 向該第 2位置係與該第及 2光學構件之光射出面對向；以第2移動體，能在該既定移動；飞門共該弟1移動體獨立該物體包含該第丨、第2移動體之至少一方。 A如申請專利範圍第46項之曝光裝置，其具備·配置於該第2光學構件附近、能供應該既定流體的供應口。

48. 如申請專利範圍第仏或”項之曝光裝置，1中，該第1移動體及該第2移動體之至少—方，在移動^該第 1位置時與該液體接觸。 49. 如申請專利範圍帛48項之曝光裝置，其中，係同時執行將該第i移動體配置於㈣i位置、在使液體接觸於該第1移動體之狀態下照射該曝光用光的動作，以及將該第2移動體配置於該第2位置、將該紫外光照射於該第 2移動體之動作的至少一部分。 5〇·如申請專利範圍第49項之曝光裝置，其中，該第 1移動體及該帛2移動體中_方之移動體，係能保持該基板來移動之基板载台，另一移動體，則係能搭載測量器移動之測量載台，該測量器能執行與曝光相關之測量。 51·如申請專利範圍第5〇項之曝光裝置，其中，該物體，包含下述構件之其中之—：板狀構件，係可拆裝地保持於該基板載台，且在透過該液體照射該曝光用光時配置於該基板周圍；以及測量構件，係可拆裝地保持於測量載台，且在與該液體接觸之狀態下照射該曝光用光以進行與 69 200832079 曝光相關之測量。 52.—種元件製造方法，係使用申請專利範圍第33至 5 1項中任一項之曝光裝置。十一、圓式= 如次頁

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