JP2006261428A - パターン形成方法及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができるパターン形成方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】 被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間を離間させて、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間に空間を生じさせる。また、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間には、気体発生装置16から導入管15を介して窒素ガス18を流入させる。さらに、フォトマスク7の光透過部10を介して、被処理部材5上の配線パターン形成部分に対して紫外線13を照射することにより、配線パターン形成部分の撥液膜6が分解して揮発成分が発生する。発生した揮発成分は、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間に放出され、窒素ガス18とともに該空間から排出管19を介して外部へ排出される。
【選択図】 図1
【解決手段】 被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間を離間させて、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間に空間を生じさせる。また、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間には、気体発生装置16から導入管15を介して窒素ガス18を流入させる。さらに、フォトマスク7の光透過部10を介して、被処理部材5上の配線パターン形成部分に対して紫外線13を照射することにより、配線パターン形成部分の撥液膜6が分解して揮発成分が発生する。発生した揮発成分は、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間の空間に放出され、窒素ガス18とともに該空間から排出管19を介して外部へ排出される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、パターン形成方法及び露光装置に関する。
従来、半導体デバイス、半導体デバイス実装部品、各種パネル表示装置、ICカード、光デバイス等において、基板上に金属パターンを形成する方法として、メッキによって行う方法が行われている。このメッキによる金属パターンの形成方法においては、特許文献1によれば、パターンを形成する溶液に対して撥液性のある撥液膜を基板上に形成させた後、フォトマスクを介して基板上のパターンを形成する部分に紫外線を照射させ、撥液膜を除去して金属パターンを形成するようにしている。この方法によれば、不要なメッキを除去する薬品等によって金属腐食等生じない上に、メッキ除去工程が不要であることから、生産性に優れている。
特開平2003−124215号公報
しかしながら、フォトマスクと撥液膜とを直接接触した状態で紫外線を照射してしまうと、パターンを形成する部分の撥液膜が分解して発生する揮発成分がフォトマスクの透過部周辺に滞留する。そして、この揮発成分が基板の表面や撥液膜に吸着して汚染する。また、紫外線を照射する際に、紫外線と酸素とが反応してオゾンが発生し、このオゾンが基板の表面や撥液膜を活性化させて親液性にしてしまう。これにより、パターン処理の際のパターン精度が低下し、生産性が低下する問題が生じていた。
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、その目的は、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができるパターン形成方法及び露光装置を提供することにある。
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を含む機能液に対して撥液性を有し、かつ光で揮発する組成物の膜を基板上に形成し、パターン形成領域の部分に透過部を有するフォトマスクを介して前記基板上のパターン形成領域に前記光を照射して前記パターン形成領域における前記組成物の膜を除去した後、前記基板上に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法において、前記フォトマスクと前記基板とを一定の間隔で離間させて、前記間隔に気体を導入しながら前記組成物の膜を除去する。
本発明のパターン形成方法によれば、フォトマスクと基板との間を離間させて、基板上に形成された組成物の膜に光を照射する。これより、光の照射によって組成物の膜が分解して生じた揮発成分は、フォトマスクと基板とが直接密着した状態ではないために、フォトマスクの透過部周辺に滞留せずに、フォトマスクと基板との間に生じた空間に移動することができる。従って、揮発成分が基板上のパターン形成領域及び組成物の膜に吸着し、汚染することが抑制される。さらに、フォトマスクと基板との間に生じた空間には気体が流されていることから、揮発成分は、フォトマスクと基板との間の空間から即座に除外される。従って、揮発成分が基板上のパターン形成領域及び組成物の膜に接触する機会が格段に少なくなり、基板上のパターン形成領域や組成物の膜への汚染は一層抑制される。即ち、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
このパターンの形成方法は、前記気体は、不活性ガスである。このパターンの形成方法によれば、フォトマスクと基板との間に生じた空間に流す空気は不活性ガスである。これにより、不活性ガスの雰囲気下で組成物の膜に対する光の照射が行われるため、フォトマスクと基板との間の空間内では、光の照射によって生じるオゾンの発生を抑えることができる。従って、オゾンによって基板上のパターン形成領域や組成物の膜が活性化され、親液性となるのを抑制することができる。即ち、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
このパターンの形成方法は、前記気体は窒素ガスである。このパターンの形成方法によれば、フォトマスクと基板との間に生じた空間に流す気体には窒素ガスを使用することができる。従って、安価で危険性の少ない気体として容易に取り扱うことができる。
このパターンの形成方法は、前記光の照射は、紫外線を照射することにより行う。このパターンの形成方法によれば、光には紫外線を使用することができる。これにより、基板上に形成されたパターン形成領域の組成物の膜を分解・揮発するだけでなく、パターン形成領域面に付着した有機物も分解する。従って、組成物の膜が分解された基板上のパターン形成領域面に対して大きな親液性を付与することができる。即ち、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
このパターンの形成方法は、前記光の照射は、172nmエキシマ紫外線を照射することにより行う。このパターンの形成方法によれば、光に172nmエキシマ紫外線を使用したことによって、一段と効率よく、基板上に形成されたパターン形成領域の組成物の膜を分解・揮発することができる。従って、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
このパターンの形成方法は、前記間隔は、10μm〜100μmの間である。このパタ
ーン形成方法によれば、フォトマスクと基板とを10μm〜100μmの間隔で離間させ
た。これにより、より確実に、基板上に形成されたパターン形成領域の組成物の膜を揮発させることができる。従って、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
ーン形成方法によれば、フォトマスクと基板とを10μm〜100μmの間隔で離間させ
た。これにより、より確実に、基板上に形成されたパターン形成領域の組成物の膜を揮発させることができる。従って、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
本発明の露光装置は、パターン形成材料を含む機能液に対して撥液性を有し、かつ光で揮発する組成物の膜が形成される基板を配置するテーブルと、パターン形成領域の部分に透過部を有するフォトマスクと、前記フォトマスクと前記基板との距離を調節可能な位置調節手段と、前記フォトマスクを介して前記組成物の膜の前記パターン形成領域に光を照射する光源部と、前記基板と前記フォトマスクとの間に気体を供給する気体供給手段と、を有する。
本発明の露光装置によれば、フォトマスクと基板との間を離間させて、基板上に形成された組成物の膜に光を照射する。これより、光照射によって組成物の膜が分解して生じた揮発成分がフォトマスクの透過部周辺に滞留せずに、フォトマスクと基板との間に生じた空間に移動することができる。従って、揮発成分が基板上のパターン形成領域及び組成物の膜に吸着し、汚染することが抑制される。さらに、フォトマスクと基板との間の空間には気体が流されることから、揮発成分はフォトマスクと基板との間の空間から即座に除外される。従って、揮発成分が基板上のパターン形成領域及び組成物の膜に接触する機会が格段に少なくなり、基板上のパターン形成領域及び組成物の膜への汚染が一層抑制される。即ち、パターン形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
以下、本発明に係る露光装置の実施形態を図1〜図2に従って詳細に説明する。
図1は露光装置の説明図である。図1において、露光装置としてのチャンバ1は、略直方体の形状をした箱体であり、その内部空間2にはテーブルとしてのステージ4が設けられている。ステージ4は、チャンバ1の底部3に配置されて、図示しない搬送手段によってチャンバ1の内外へ搬入搬出可能になっている。ステージ4の上面4aには、基板としての被処理部材5が載置固定されている。
図1は露光装置の説明図である。図1において、露光装置としてのチャンバ1は、略直方体の形状をした箱体であり、その内部空間2にはテーブルとしてのステージ4が設けられている。ステージ4は、チャンバ1の底部3に配置されて、図示しない搬送手段によってチャンバ1の内外へ搬入搬出可能になっている。ステージ4の上面4aには、基板としての被処理部材5が載置固定されている。
図1及び図2(a)に示すように、被処理部材5の上面5aには、撥液膜6が形成されている。撥液膜6は、チャンバ1による露光処理の前工程で行われた撥液膜形成工程にて
形成される。撥液膜6は、CF4ガス及び直鎖状PFCからなる液体有機物を加熱気化させたガスをプラズマ化して活性化させることにより、被処理部材5の表面で活性な直鎖状有機物を重合させて形成した撥液性のあるフッ素樹脂重合膜である。本実施形態においては、撥液膜6の厚みは、100オングストローム程度に形成されている。そして、撥液膜6が形成された被処理部材5は、撥液膜6を上側にしてステージ4の上面4aに載置固定されている。
形成される。撥液膜6は、CF4ガス及び直鎖状PFCからなる液体有機物を加熱気化させたガスをプラズマ化して活性化させることにより、被処理部材5の表面で活性な直鎖状有機物を重合させて形成した撥液性のあるフッ素樹脂重合膜である。本実施形態においては、撥液膜6の厚みは、100オングストローム程度に形成されている。そして、撥液膜6が形成された被処理部材5は、撥液膜6を上側にしてステージ4の上面4aに載置固定されている。
撥液膜6が形成された被処理部材5の上方であって、撥液膜6と相対向する位置にはフォトマスク7が設けられている。フォトマスク7は、光透過性のガラス基板8の撥液膜6と対峙する側の片面8aには、金属膜を蒸着して光を透過させない非光透過部9と、光を透過させる光透過部10とを有している。光透過部10は被処理部材5上のパターン形成領域としての配線パターン形成部分と対応するように形成されている。そして、フォトマスク7は、金属膜(非光透過部9)が形成された片面8aをステージ4側に向けて、支持部材11によって支持固定されている。
支持部材11は、その一端部が位置調節手段としての昇降機12と連結されている。そして、昇降機12によって支持部材11が上下に水平移動されることにより、フォトマスク7と被処理部材5(撥液膜6)との距離(間隔)を自由に調節することができる。本実施形態では、フォトマスク7と撥液膜6との間隔を100μmとしている。
チャンバ1の上面1c、即ち、フォトマスク7と相対向する位置には、光源部としての紫外線ランプ14が配設されている。紫外線ランプ14は光としての紫外線13をフォトマスク7に向って照射する。
チャンバ1の右側面1aであって、ステージ4に積置固定された被処理部材5の上面5aと略同じ高さ位置には、気体供給手段としての導入管15の一端が接続されている。その導入管15の他端は、気体供給装置16に接続されている。気体供給装置16は、本実施形態では、気体及び不活性ガスとしての窒素ガス18を導入管15を介してチャンバ1内に導入する。そして、チャンバ1内に導入された窒素ガス18を、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間に生じた空間(間隔100μmの空間)に窒素ガス18を導入するようになっている。
さらに、チャンバ1の左側面1bであって、前記導入管15と対向する位置には、排出管19の一端が接続され、その排出管19の他端は図示しない回収室に接続されている。そして、被処理部材5とフォトマスク7との間の空間に導入された窒素ガス18は、排出管19を介して外部に排出されるようになっている。従って、導入管15から被処理部材5とフォトマスク7との間に生じた空間に導入された窒素ガス18は、撥液膜6とフォトマスク7の間の空間を通過して、排出管19から外部へ排出される。
次に、本実施形態による露光装置としてのチャンバ1を使用して、被処理部材5上に配線パターン30を形成する方法を説明する。
先ず、被処理部材5上に配線パターン30を形成する場合、昇降機12を起動させて、支持部材11を上下に水平移動させることにより、ステージ4上に配置された被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7とを100μm離間させる。そして、気体供給装置16から、窒素ガス18を導入管15を介してチャンバ1内に導入し、窒素ガス18を撥液膜6とフォトマスク7との間の空間に導入させる。次に紫外線ランプ14を点灯し、フォトマスク7を介して撥液膜6に紫外線13を照射する。
先ず、被処理部材5上に配線パターン30を形成する場合、昇降機12を起動させて、支持部材11を上下に水平移動させることにより、ステージ4上に配置された被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7とを100μm離間させる。そして、気体供給装置16から、窒素ガス18を導入管15を介してチャンバ1内に導入し、窒素ガス18を撥液膜6とフォトマスク7との間の空間に導入させる。次に紫外線ランプ14を点灯し、フォトマスク7を介して撥液膜6に紫外線13を照射する。
詳しくは、図2(b)に示すように、紫外線ランプ14から照射された紫外線13が、フォトマスク7の光透過部10を介して被処理部材5上の配線パターン形成部分に形成された撥液膜6に照射される。これにより、被処理部材5上の配線パターン形成部分に形成された撥液膜6では、重合膜の結合が切断される。そして、図2(c)に示すように、紫外線13が照射された配線パターン形成部分の撥液膜6が分解され、除去される。このとき、被処理部材5の配線パターン形成部分に付着していた有機物も分解されて除去される。即ち、これらの親液処理により、被処理部材5の配線パターン形成部分には親液性が付与される。
そして、撥液膜6の分解に伴って発生した揮発成分は、被処理部材5とフォトマスク7との間に生じた空間に放出され、該空間に導入される窒素ガス18と一緒に排出管19から外部へ排出される。従って、撥液膜6が除去された被処理部材5の配線パターン形成部分(配線パターン形成面)や配線パターン形成部分以外に形成された撥液膜6に揮発成分が付着して汚染されることが抑制される。
さらに、被処理部材5とフォトマスク7との間の空間には、窒素ガス18が導入されているので、該空間内の酸素量が低下する。これにより、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間の空間内では、紫外線13による酸素のオゾン化が抑制される。従って、オゾンによって被処理部材5の配線パターン形成部分及び配線パターン形成部分以外に形成された撥液膜6が活性化され、親液性にされることが抑制される。即ち、前述した親液処理によって、被処理部材5上の配線パターン形成部分には親液性が付与され、配線パターン形成部分以外に形成された撥液膜6の撥液性は保たれる。
次に、ステージ4を搬送手段によってチャンバ1から成膜工程へ搬送する。成膜工程では、被処理部材5上の撥液膜6が除去された配線パターン形成部分にパターン形成材料としての配線パターン材料溶液を含んだ機能液20を塗布する。
詳しくは、被処理部材5において撥液膜6が除去され、親液性が付与された配線パターン形成部分に、図示しない液滴吐出ノズルによって機能液20を滴下する。このとき、配線パターン形成部分には親液性が施されており、また、配線パターン形成部分に隣接する部分には撥液性のある撥液膜6が形成されているので、配線パターン形成部分に滴下された機能液20は、撥液膜6上に移動若しくは固着することなく、配線パターン形成部分に付着される。即ち、図2(d)に示すように、隣接する配線パターン形成部分に充填された機能液20は、接触して接合することなく、配線パターン形成部分に機能液20が充填される。
次に、加熱工程に移り、機能液20が塗布された被処理部材5を加熱させ、機能液20の有機溶媒を蒸発させて乾燥させる。これにより、図3(a)に示すような配線パターン材料被膜25を形成する。そして、更に焼成工程に移動し、配線パターン30の焼成を行う。
次に、被処理部材5を露光装置としてのチャンバ1に再び搬送し、図3(b)に示すように、パターニングされた撥液膜6を除去して被処理部材5上に配線パターン材料被膜2
5を残す。詳しくは、前述した親液処理を施す場合と同様に、撥液膜6に紫外線13を照射して除去する。
5を残す。詳しくは、前述した親液処理を施す場合と同様に、撥液膜6に紫外線13を照射して除去する。
そして、最後に、図3(c)に示すように、保護膜若しくは配線パターン30の電気的分離のための絶縁膜等の被膜35を、必要に応じて被処理部材5の表面に形成する。以上により、被処理部材5の表面には、精度の高い配線パターン30が形成される。
次に、上記のように構成した実施形態の効果を記載する。
(1)本実施形態によれば、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間を離間させて、被処理部材5上に形成した撥液膜6に紫外線13を照射した。従って、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7とが離間されているので、紫外線13の照射によって撥液膜6が分解して生じた揮発成分は、撥液膜6の紫外線13の非照射部分に滞留することなく、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間に生じた空間に放出される。従って、揮発成分が被処理部材5の配線パターン形成部分以外の撥液膜6に吸着して汚染することを抑制することができる。即ち、配線パターン30の形成において、配線パターン30の精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
(2)本実施形態によれば、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間に生じた空間には窒素ガス18を流入させている。従って、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間の空間に放出された揮発成分は、即座に被処理部材5とフォトマスク7との間の空間から除外される。その結果、揮発成分が被処理部材5の配線パターン形成部分及び撥液膜6に接触する機会が格段に少なくなり、被処理部材5の配線パターン形成部分及び撥液膜6に揮発成分が吸着して汚染することをより抑制できる。
(1)本実施形態によれば、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間を離間させて、被処理部材5上に形成した撥液膜6に紫外線13を照射した。従って、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7とが離間されているので、紫外線13の照射によって撥液膜6が分解して生じた揮発成分は、撥液膜6の紫外線13の非照射部分に滞留することなく、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間に生じた空間に放出される。従って、揮発成分が被処理部材5の配線パターン形成部分以外の撥液膜6に吸着して汚染することを抑制することができる。即ち、配線パターン30の形成において、配線パターン30の精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
(2)本実施形態によれば、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間に生じた空間には窒素ガス18を流入させている。従って、被処理部材5(撥液膜6)とフォトマスク7との間の空間に放出された揮発成分は、即座に被処理部材5とフォトマスク7との間の空間から除外される。その結果、揮発成分が被処理部材5の配線パターン形成部分及び撥液膜6に接触する機会が格段に少なくなり、被処理部材5の配線パターン形成部分及び撥液膜6に揮発成分が吸着して汚染することをより抑制できる。
また、不活性ガスとしての窒素ガス18を使用していることから、被処理部材5とフォトマスク7との間の空間内にある酸素量が低下して、紫外線13の照射によりオゾンが発生することを抑制できる。その結果、オゾンによって被処理部材5の配線パターン形成部分及び該配線パターン形成部分以外に形成されたの撥液膜6が活性化され、親液性になることが抑制される。即ち、配線パターン30の形成において、配線パターン30の精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
(3)本実施形態によれば、撥液膜6に対して紫外線13を照射する。これにより、被処理部材5の配線パターン形成部分上に形成された撥液膜6を分解・揮発するだけでなく、被処理部材5の配線パターン形成部分に付着した有機物も分解する。即ち、撥液膜6が分解された被処理部材5の配線パターン形成部分に対して大きな親液性を付与することができる。従って、配線パターン30の形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
(3)本実施形態によれば、撥液膜6に対して紫外線13を照射する。これにより、被処理部材5の配線パターン形成部分上に形成された撥液膜6を分解・揮発するだけでなく、被処理部材5の配線パターン形成部分に付着した有機物も分解する。即ち、撥液膜6が分解された被処理部材5の配線パターン形成部分に対して大きな親液性を付与することができる。従って、配線パターン30の形成において、パターン精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、光の照射に紫外線13を照射した。これに代えて、紫外線には172nmエキシマ紫外線を使用してもよい。これによれば、172nmエキシマ紫外線を使用したことによって、一段と効率よく、被処理部材5上に形成された配線パターン形成部分の撥液膜6を分解・揮発させることができる。
○上記実施形態では、光の照射に紫外線13を照射した。これに代えて、紫外線には172nmエキシマ紫外線を使用してもよい。これによれば、172nmエキシマ紫外線を使用したことによって、一段と効率よく、被処理部材5上に形成された配線パターン形成部分の撥液膜6を分解・揮発させることができる。
○上記実施形態では、光の照射に紫外線13を照射した。これに代えて、レザーや電子線を照射してもよい。これによれば、レザーや電子線によって撥液膜6を分解・揮発させ、被処理部材5の配線パターン形成部分に親液性を付与することができる。
○上記実施形態では、気体として窒素ガス18を使用した。これに代えて、気体には窒素ガス18以外の不活性ガスを使用してもよい。例えば、ヘリウムガスやアルゴンガスの希ガスでもよい。これによれば、窒素ガス18を使用した効果と同じ効果を得ることができる。
○上記実施形態では、被処理部材5上に形成された撥液膜6とフォトマスク7との間隔を100μm離間させた。これに代えて、撥液膜6とフォトマスク7との間隔は10μm
から100μmまで離間させてもよい。これによれば、確実に被処理部材5上に形成され
た配線パターン形成部分の撥液膜6を揮発させることができる。
から100μmまで離間させてもよい。これによれば、確実に被処理部材5上に形成され
た配線パターン形成部分の撥液膜6を揮発させることができる。
○上記実施形態では、液滴吐出ノズルにより機能液20を滴下して、被処理部材5上に形成された配線パターン形成部分に機能液20を付着させた。これに代えて、機能液20をミスト化して、被処理部材5上に噴霧することで、被処理部材5の配線パターン形成部分に機能液20を付着させてもよい。このとき、被処理部材5を水平面内で回転することで、被処理部材5上の機能液20を遠心力によって外側に移動させ、配線パターン形成部分に機能液20を付着させてもよい。
○上記実施形態では、配線パターンを焼成した後、紫外線13を照射して撥液膜6を除去した。これに代えて、紫外線13の照射とともに被処理部材5を加熱することにより、配線パターン形成部分以外の領域に形成された撥液膜6の除去を促進させてもよい。
○上記実施形態では、パターン形成方法として配線パターンの形成方法について説明した。詳しくは、紫外線13を照射してフッ素樹脂重合膜である撥液膜6を分解・揮発させて被処理部材5上の配線パターン形成部分に親液性を付与するととともに、機能液20を該配線パターン形成部分に付着させて配線パターン30を形成した。これに代えて、パターン形成方法は、無電界メッキ法によるパターン形成方法であってもよい。詳しくは、比較的疎水性の表面を有する樹脂により被処理部材5上に撥液膜6を形成する。次に、紫外線13を照射して、被処理部材5上のパターン形成領域に形成される撥液膜6の表面部分を分解・揮発させることなく親液性に改質させる。さらに、その撥液膜6の改質部分に対して、触媒処理を介して、例えば無電界ニッケルメッキ法により、メッキ層を形成させて金属パターンを形成させる。従って、配線パターンの形成方法と同様に、紫外線13照射の際にオゾンの発生を抑制することができ、パターン形成領域以外の領域に形成された撥液膜6の表面が親液性になることを抑制できる。即ち、パターン形成において、パターンの精度を向上させることができ、生産性を向上させることができる
1…露光装置としてのチャンバ、2…内部空間、4…ステージ、5…基板としての被処理部材、6…組成物の膜としての撥液膜、7…フォトマスク、8…ガラス板、9…非光透過部、10…光透過部、11…支持部材、12…位置調節手段としての昇降機、13…光としての紫外線、14…光源部としての紫外線ランプ、15…導入管、16…気体供給手段としての気体供給装置、19…排出管、20…機能液、25…配線パターン材料被膜、30…配線パターン、35…被膜。
Claims (7)
- 基板上に形成されたパターン形成材料を含む機能液に対して撥液性を有し、かつ光で揮発する組成物の膜に対し、パターン形成領域の部分に透過部を有するフォトマスクを介して前記基板上のパターン形成領域に前記光を照射して前記パターン形成領域における前記組成物の膜を除去した後、前記基板上に前記機能液を塗布してパターンを形成するパターン形成方法において、
前記フォトマスクと前記基板とを一定の間隔で離間させて、前記間隔に対して気体を流しながら前記組成物の膜を除去することを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1に記載するパターン形成方法において、
前記気体は、不活性ガスであることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1又は請求項2に記載するパターン形成方法において、
前記気体は窒素ガスであることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜3に記載するいずれか1つのパターン形成方法において、
前記光の照射は、紫外線を照射することにより行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜4に記載するいずれか1つのパターン形成方法において、
前記光の照射は、172nmエキシマ紫外線を照射することにより行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜5に記載するいずれか1つのパターン形成方法において、
前記間隔は、10μm〜100μmの間であることを特徴とするパターン形成方法。 - パターン形成材料を含む機能液に対して撥液性を有し、
かつ光で揮発する組成物の膜が形成される基板を配置するテーブルと、
パターン形成領域の部分に透過部を有するフォトマスクと、
前記フォトマスクと前記基板との距離を調節可能な位置調節手段と、
前記フォトマスクを介して前記組成物の膜の前記パターン形成領域に光を照射する光源部と、
前記基板と前記フォトマスクとの間に気体を供給する気体供給手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077490A JP2006261428A (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | パターン形成方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005077490A JP2006261428A (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | パターン形成方法及び露光装置 |
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---|---|
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Family Applications (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008059988A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Nikon Corporation | Surface treatment method and surface treatment apparatus |
JP2012134353A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び装置 |
JP2015126044A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外光照射処理装置 |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005077490A patent/JP2006261428A/ja active Pending
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WO2008059988A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Nikon Corporation | Surface treatment method and surface treatment apparatus |
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