TW200828352A - Inductance device, filter device comprising the same, and noise filter comprising the same - Google Patents

Description

200828352 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電感元件，例 alternating current)的雜訊濾波器。 乂父〜電線(AC， 【先前技術】 在高頻區域中使用鶴元件時

=舰已提㈣接地二考文 然而’磁芯之接地會減少電感元件的設計變化性。 【發明内容】 電感元件以抑制電線間電 容 因此，本發明之目的係提供一種 作用而無需使用一接地的磁芯。 - 明之—樣態，—種電感元件包括—磁芯、一線圈、 電構件。該線圈由數圈絕緣導線所組成。該導體與 與該磁芯絕緣。將該介電構件配置於該_及該 構件、該導體及該線圈構成—電容。該電感元 件為，用於例如濾波兀件或雜訊濾波器中。 藉由研t胃下舰佳實施例及參考關可具有縣發明標的之 理解及完整的構造了解。 、在本發明可能可以進行許多的調整及替代的形式之時，藉由 圖^中例子的方式顯示並且在此詳加敘述特定實施例。 然而應可 工解’、圖式及詳細的說明的目的並非將本發明限縮到所揭示的特 疋形式’相反地’目的是涵蓋在由後列申請專利範圍所界定的本 發明之精神與範圍内全部的調整、均等物及替代物。 200828352 【實施方式】 (第一實施例） 參照圖1至3,依據本發明第一實施例之電感元件14a為共同 模式(commonmode) ’因此包括2條絕緣導線17及18。然而， 本發明並不限於此。電感元件可以僅包含1條絕緣導線而可用做 一般模式(normal mode) 〇

詳細來說，所說明的電感元件14a包括磁芯15a、其形狀為環 形的環形絕緣體16a、由數圈絕緣導線17及18捲繞於環形絕緣體 16a所組成的線圈、導體23a、被配置於導體23a及線圈之間的介 電構件22，以及連接到導體23a的接地端子21。 如圖1所不，磁芯15a為環形。環形絕緣體16a圍住磁芯15&。 將絕緣導線17及18捲繞於環形絕緣體16a之上。 介電構件22 4似環狀或環狀並環繞線圈的圓周。將介電 ^己置ίί體23a及線圈之間使得介電構件22、導體23a及線圈 構成一電容。 將壤形絕緣體16a'線圈及介電構件22配置於磁芯…及 體23a之間使得導體23a與磁芯i5a絕緣。 、 本之邮⑸自具有大約1G_讀稱率(㈣响 PremeaMl明的磁性材料所組成。相反地，一般磁性材ϋί大约 而不減弱夢有導率的磁性材料使得磁怒大小減小 小磁芯的:除非主要的目的為減 兴例^ 使用—般磁性材料所製的磁芯。 斤 到促進了解結構的目的。 在圖1中他們不同地圖不以達 介電構件22具有敢厚度的獅；然而， 件㈣括具有，=心：=:= 200828352 得f緣片或帶可_到線圈的圓周表面。絕缘片可以 et)或氟樹卿-一^ 抑===?7構及件,?之上使得將介電構件2二導 樣的大二=之間。導體23a可形成於具有各 及18的厚一度及長度或磁芯材料特性。 科線17 在本貝細》例中’導體23a為薄膜導體且葬由在介|^ =面，。除了_之外姻日23可_、錄: 获ώ膝人t⑼、銀、或金任—的合金11所製造。導體23a可 ‘堇雷ii ^構件22接觸屬電鍍處理、金屬沈積處理、或夢由 的圓周表面而得到。而且，導體^ 二匕=，7堆疊於介電構件22上。導體仏可環 二件z2的王邛外表面。具有各種不同形狀的其他導 可用做¥體，除非鱗體及絕緣導線域具有大電容量的電容了 如圖1至3所示’接地端子21係設置於自絕 的在_部分等距離分開的位置。然而，如圖4所示， 14a可具有2個接地端子以自導體23a分隔延伸。在該情形中，接 地端^之間的距離可大於絕緣導線17或18之間的距離。 藉由上述構造，可在廣泛的頻率範圍内達到良好的衰減特性。 ^在本實施例中，導體23a係以放射方向設置於在磁芯15a 取外表面。因此，導體23a的大小可大於磁芯15a的外表面之大 小。相較於先前技術中將磁芯直接接地，藉由這樣的構 大電容量加到絕緣導線17及18。 再^』將季乂 (弟二實施例） —參考圖5至7,依據本發明第二實施例之電感元件14a!為第一 實施例之調整例子。因此，在圖5至7中，將圖〗至3中所說明 的同樣構造給予同樣的參考號碼，因此省略敘述。 口 在圖5至7中，本實施例的電感元件I4a，具有兩個導體23b 200828352 及231"。一對導體23b及说設置跨越且有將 導體23b及现，以及線圈之間的絕緣導線 17及=件，置於 23b及23b，具有接地端子21。 及18上。母個導體 (第三實施例） 麥考圖8至10，依據本發明第三實糊 -實施例的-調整例子。因此，在圖8至1()^=為第 說明的同樣構造給予囉的參考號顯此省略敘^ 1至3中所 導體 分之r二r電感元件⑷’’具有2個接地^ 參考圖11至14’本發_細實施媽第 子。因此，在圖η至14中，將圖i至3中 ' =裯整例 予同樣的參考號碼因此省略敘述。ϋ 、同私構造給 本實施例的電感元件14b包括磁芯15b、i ί緣導體23d、介電構件22、連翻導體&t 21、及，數圈絕緣導線17及18所製的線圈。 接也％子 為薄膜導體且i部分切二、::體:二導體㈣ 體16bl=面上使得將導體23d配置於介電構件22及環形絕緣 件22^J邑緣導線17及18部分捲繞於磁芯说、導體23d及介電構 出。將接地端子21自導體23d經由形成於介電構件μ的通孔拉 導體===?體2域線圏之鳴介電構修 4分的娜絕緣體16b存在於磁芯15b及導體2M之間使得 200828352 導體23d與磁芯15b絕緣。 如圖11至13所示 …·後吧鳊于21係設置於自絕緣導線17及 18的在_部分等距離分_位置。然而，如圖14所示，電感元 件Hb可具有自導體顶分隔延伸的2個接地端子。在該情形中， 接地端子之間距離可大於絕緣導線17或18之間的距離。 (弟五實施例） 參考圖I5至18,本發0月的第五實施例為第一實施例的調整例 工。因此’在圖15至18中，將圖1至3中所說明的同樣構造給 予同樣的參考號碼因此省略敘述。 本貝施例的電感元件14c包括磁芯15c、導體24a、介電構件 16c、接地端子21及由數圈絕緣導線17及18所製的線圈。 磁芯15c為環形。導體24a為薄膜導體且為部分切斷的c形。 η電構件16c為塑造絕緣體(molded insulator)且為環形。介電構件 16c圍住磁芯i5c及導體24a。將絕緣導線η及18捲繞於介電構 件16c上。將接地端子21自導體24a經由形成於介電構件16c的 通孔拉出。 #如圖18所示，本實施例的介電構件16c包括基座部分16cl ^盘部分16c2以覆蓋基座部分16cl。在基座部分i6cl中形成一 鲁 各納部16c3。基座部分16cl具有外環狀表面16c4及内環狀表面 16c5。在本實施例中，容納部16c3為内環狀表面16c5附近所具有 的環形的凹入部分。介電構件16c支持著容納部16c3中的磁/芯 15c。將導體24a镶嵌於介電構件16c並配置於磁芯15c及外環狀 - 表面16c4之間。將導體24a及磁芯15c彼此分隔。 將介電構件16c配置於導體24a及線圈之間使得介電構件 16c、導體24a及線圈構成一電容。 部分的介電構件16c存在於磁芯15c及導體24a之間使得磁芯 l5c與導體24a絕緣。 ^ 導體24a係以放射方向設置於較磁芯15c靠表面16c4外環狀 處使侍導體24a的大小可大於磁芯15c。可藉由這樣的構造將較大 200828352 量加Ϊ絕緣導線17及18。導體23a可形成於各處而具有各 戶i圖15至17所示’接地端子21設置於自絕緣導線π及 所干，雷^的距離分開的位置。然而’參照第一實施例圖4 i = t 可具有自導體24a分隔延伸的2個接地端子。 =情财，接地端子1轉可大魏料線17或^之^的 (弟六實施例） ;。ίΐ圖Π22,本發明的第六實施例為第五實施例的調整例 + Π0夂^至22中，將圖1至3中所說明的同樣構造給 予同樣的蒼考號碼因此省略敘述。 母、 入雷ifΐίϊ元件i4c，包括磁芯⑸、2個導體2仙及勝 件C及對接地端子21。每個導體24b及施，具有接地 如圖22所不，本實施例之介電構件16c，包括基座部分 ^部覆錄座部分脱1。在基座部分中形成容納部 在^丨;刀J1具有外環狀表面16e，4及内環狀表面16c'5。 部i6c’3鱗形的凹入部分，並設置於内環狀 於介電構件⑹中，並配置於磁芯⑸及外ϊ (第七實施例） 子。Ξί圖的第七實施例為第五實施例的調整例 ίη = i 將圖1至3中所說明的同樣構造給 予同樣的參考5虎碼因此省略敘述。 本實施例的電感元件14c，，包括磁芯 r: ϊ ° ^24c ^ 形。¥體24c開Π係置於絕緣導線17及18在前的部分附近。 200828352 一如圖26所示，本實施例的介電構件16c”包括基座部分16(^ =部分16c”2以覆蓋基座部分16(η。在基座部分⑹巧中形成 部16c”3。基座部分16c”i具有外環狀表面16c”4及内環狀表 ^6c”5。在本實施例中，容納部16c，，3為環形的凹入部分，且設 =於内環狀表面16c”5。介電構件16c”包含容納部16c，，3中的磁芯 仙導體24c係鑲嵌於介電構件16c”中，且置於磁芯15c及外 狀表面16c”4之間。 (第八實施例） 工=考圖27至3〇,本發日月之第八實施例為第五實施例的調整例 ”至30中，將圖1至3中所說明的同樣構造給 予同樣的參考號碼因此省略敘述。 本實施例中的電感元件丨妨包括磁芯15d、導體25a、介電 1 sΐ接到導體25a的接地端* 21及由數圈絕緣導線17及 以所裂的線圈。 入雪t況為娜。導體25a為薄膜導體且為部分切斷的C形。 二ίί ί i6d馳造絕賴且為環形。舰料線17及18捲繞 中出將接地端子21自導體咖 件得介電構 r 分介電構件16d配置於磁芯15d及導體25a之間使 付i體25a與磁芯I5d絕緣。 j=所*，本實施例的介電構件16d包括基座部分碰 ΐ分16dl的蓋部分16d2。錄座部分16dl中形成容 納。M6d3。基座部分16dl具有外環狀表面16d4及内 本實施例中，容納部細為環形的凹人部分，且^置於 構件廳支持著容納部_中的磁芯15d。 臟内環狀表面Μ之間。將導體25a置於4狀 11 200828352 近。 (第九實施例） 、參考圖31及32,本發明的第九實施例為包括第一實施娜雪 感元件14a的雜訊濾、波器30。因此，將镜# 、】的電 中同樣的構 如圖Μ所示，雜訊濾波器3〇包括電感元件i4a 31及電容32以移除共同模式雜訊。 @績 金屬殼體31容納電感元件14a。金屬殼體3 =端子37及38、以及接地端子39。插 二接將金屬殼體31軸 在本貝加例中，將絕緣導線17連接到鈐 子同樣地，將絕緣導線18連接至^入 將接地端子21電接合到金驗體3卜，錄料子38。 門Hi H合^第一輸入端子％及第二輸入端子34之 】端=二I將另一個電容電接合於第-輸出㈣及第二輸 ^金屬殼體31經由接地端子39接地。 參考圖33，相較於具有習知的電感元 施例的雜訊濾波器30在從10kHzfl| 訊濾波TO，本貫 良的衰減特性。仏1〇kHz到20耻的廣泛頻率中具有優 ，據第-實施例的電感元件M 使用第二到第八實施例的立Φ夕一私j长喊慮波态3〇 的磁芯，本發明不限於此^可丨；、、、、上述電感兀件包括環形 可⑽二12 可運用各種形狀的磁芯。舉例而古， 了以使用棒狀磁;b;由絕緣體線軸 ^ 繞著絕緣體線軸捲繞。將一莫雕且將至〃絕緣導線 -電感元件。 及一介電構件組合在一起以得到 係基於日本專利申請案吓2006-276882(2_10/10 ;r在麵前向曰‘ 12 200828352 者合心，奸2發_較佳實施例加以描述，熟悉本項技術 二：人‘予離本發明精神内仍可作其他及進一步調整，本案 .欲“ 本發明實際範圍_全部實施例加以主張權利。…、 【圖式簡單說明】 平面圖顯示依據本發明第—實施例之電感元件； 圖2為侧面圖顯示圖1的電感元件； 圖3為底視圖顯示圖j的電感元件； 圖4為底視圖顯示圖3之電感元件之調整·， 2平面圖顯示依據本發明第二實施例之電感元件； 圖6為側面圖顯示圖5的電感元件； 圖7為底視圖顯示圖5的電感元件； 平面@顯示依據本發明第三實施例的電感元件·， 圖9為側面圖顯示圖8的電感元件； 圖1〇為底視圖顯示圖8的電感元件； 平面圖顯示依據本發明第四實施例的電感元件； 圖12為侧面圖顯示圖11的電感元件； 圖13為底視圖顯示圖η的電感元件； 圖14為底視圖顯示圖13的電感元件的調整； Ξ 平面圖顯示依據本發明第五實施例的電感元件· 圖16為為侧面圖顯示圖15的電感元件； ， 圖17為底視圖顯示圖15的電感元件； 及導=8為橫斷面視圖顯示圖ls的電感元件所包括的介電翻 ΐ 圖顯示依據本發明第六實施例的電感元件. 圖20為侧面圖顯示圖19的電感元件； 千， 圖21為底視圖顯示圖19的電感元件； 及導ρ為橫斷面視圖顯示圖η的電感元件所包括的介電構卡 13 200828352 ^ j、、平面圖顯示依據本發明第六實施例的 圖24為側面圖顯示圖23的電感元件、； 圖25底視®顯示圖23 #電感元件； 及導^6為橫斷面視圖顯示圖23的電感元件所包括的介電構件 圖27為平面圖顯示依據本發明第八實施例的電感元件; 圖28為側面圖顯示圖27的電感元件； 圖29為底視圖顯示圖27的電感元件；

圖30為杈斷面視圖顯示圖27的電感元件所包括的介電構 及導體； 干 圖31為平面圖顯示依據本發明第六實施例的雜訊濾波器； 圖32為侧面圖顯示圖31的雜訊濾波器；及 圖33為圖式顯示圖31之雜訊濾波器的高頻特性。 【元件符號說明】 14a、14b、14c、14d、14a’、14a”、14c，、14c” 電感元件 15a、15b、15c、15d 磁芯 16a、16b環形絕緣體 16cl、16c’l、16c”l、16dl 基座部分 16c2、16c’2、16c”2、16d2 蓋部分 16c3、16cf3、16c’’3、16d3 容納部 16c4、16cf4、16c”4、16d4 外環狀表面 16c5、16c’5、16c”5、16d5 内環狀表面 17、18絕緣導線、 21接地端子 22、16c、16d、16c’、16c”介電構件 23a、23b、23b’、23c、23d 導體 24a、24b、241^、24c 導體 25a導體 14 200828352 30雜訊濾波器 31金屬殼體 32電容 33第一輸入端子 34第二輸入端子 35接地端子 36插座 37第一輸出端子 38第二輸出端子 39接地端子

Claims (1)

1. 200828352 十、申請專利範圍： 1·一種電感元件，包括： 一磁芯； 一線圈，由數圈絕緣導線組成； ' 一;導體’與該磁芯絕緣，該導體與該線圈分離；以及 -介電構件’配置於該«及該賴之間使得該 該導體及該線圈構成一電容。 再千 線圈與該介電 電構件包括環 2·如申請專利範圍第1項之電感元件，其中將該 構件係配置於該磁芯與該導體之間。 人

   3·如申請專利範圍第1項之電感元件，其中該介 繞該線圈的一環繞構件。 更包括一環形絕緣體 4.如申請專利範圍第1項之電感元件， 其中： 該磁芯為一環形磁芯； 該環形絕緣體包圍著該磁芯； 該絕緣導線捲繞於該環形絕緣體之 該介電構件配置於該線圈上，使得至小—a、 電構件與該絕緣體之間。 ^ —部分線圈位於該介 5·如申請專利範圍第1項之電感元件，发 芯、該導體及該介電構件。. /、中該線圈圍繞該磁 6·如申請專利範圍第5項之電感元侏， 其中：更匕括一環形絕緣體， 該磁芯為一環形磁芯； 該環形絕緣體包圍著該磁芯； 該絕緣導線捲繞於該環形絕緣體之上·、 將該介電構件配置於該線圈上，使得至=及立 介電構件與該絕緣體之間。 f ^'—部分線圈位於該 其，該介電構件包括一 該二表面中至少其一上 '如申請專利範圍第1項之電感元件， 絕緣片或帶，該絕緣片或帶具有二表面， 16 200828352 設有一黏附層。 8.如申請專利範圍第1項之電感元件，其中該介電構件包括一 石夕樹脂(silicone)片或一氟樹月旨(fluoride resin)片。 _ 9·如申請專利範圍帛1項之電感元件，其中該導體為一薄膜導 10·如申請專利範圍第9項之電感元件，其中該薄膜導 =將，介電構件叙—金屬賴處理、—金屬沈積處理或一金曰 =處理而取得，或藉由將—導電性塗層塗布於該介電構件上而 11·如申請專利範圍第9項之電感元件，其中 附於該介賴件上。 、τ體係黏 12·如申請專利範圍第1項之電感元件，其中該介 塑造絕緣體，該塑造絕緣體支持著該磁芯與該導”续I 被捲繞於該介電構件之上。 …^ H 緣導線 該m树，其找介電構件包含 〒股且U-讀部，該磁芯由該容納部所 。 14.如申請專利範圍第12項之電感元件，其中： 該磁芯為一環形磁芯；且 該介電構件為環形或環狀。 -外請專利範圍第14項之電感元件，其中該介電構件呈有 llttt將該導體配置於該磁芯、與該外環狀表面之間:、 16. 如申言月專利範圍第w項之電感 該 —_狀絲，__繼舰额_^=| 具有 17. 如申請專利範圍第2項電 之間。 的·'接地端子。 件’更包括連接到該導體 或更大月ί利犯圍弟1項之電感元件’其中該磁芯具有_〇 種濾波元件’包括如中請專利範圍第 2〇.-種雜訊滤波器，包括如申請專利温 17 200828352 ί感:ΐίίί菩;赘入=及-輸出端子’該金屬殼體容㈣ 屮嫂工、^克持者該輪入端子及該輸出端子，該於Α Γ饈納該 %子連接到該線圈的絕緣導線。 别入鸲子及該輪 利侧第2G項之雜訊濾波器，龙中· 緣導線包括第一及第二電線； 、中· 二^入端子包括第一及第二輪入端子· 兮裳it 弟一及弟二輪出端子； 該第二電線遠接纺筮-私知子及該弟一輪出端子；且 接22.如申請專利範圍第:子。 =一輪入端子及該第二輪= 電容，電 接合到該第-輪出端子及該第^^皮益，更包括1容，電 24·如申請專利範掏出糙子。 包括連接到該導體的一接地端^之器’其中該電咸元件更 §/接地端子連接到該金屬殼體。 十一、圖式： 18