JPH11302069A - 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びパルストランス用磁心 - Google Patents
高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びパルストランス用磁心Info
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- JPH11302069A JPH11302069A JP10111971A JP11197198A JPH11302069A JP H11302069 A JPH11302069 A JP H11302069A JP 10111971 A JP10111971 A JP 10111971A JP 11197198 A JP11197198 A JP 11197198A JP H11302069 A JPH11302069 A JP H11302069A
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
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- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温側（２０℃以下）で高いμｉの有し、環
境温度の変化（−１０〜７０℃）に対して安定した磁気
特性の通信用トランスに適したＭｎ−Ｚｎ系フェライト
を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５４モル％、ＺｎＯ
が２０〜２５モル％、残部が酸化マンガンであり、副成
分として、ＣａＯを０．００２〜０．０４重量％、Ｓｉ
Ｏ２を０．００２〜０．０１５重量％、ＣｏＯを０．０
２〜０．１２重量％含有し、−２０〜１００℃における
初透磁率が１０，０００以上である高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライト。
境温度の変化（−１０〜７０℃）に対して安定した磁気
特性の通信用トランスに適したＭｎ−Ｚｎ系フェライト
を提供する。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５４モル％、ＺｎＯ
が２０〜２５モル％、残部が酸化マンガンであり、副成
分として、ＣａＯを０．００２〜０．０４重量％、Ｓｉ
Ｏ２を０．００２〜０．０１５重量％、ＣｏＯを０．０
２〜０．１２重量％含有し、−２０〜１００℃における
初透磁率が１０，０００以上である高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、広い温度範囲で
初透磁率（以下、μｉと称す）が高く、通信用トランス
等の磁心に使用するのに適した高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトに関するものであり、また通信機器に組み込ま
れるパルストランス用磁心に関するものである。
初透磁率（以下、μｉと称す）が高く、通信用トランス
等の磁心に使用するのに適した高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトに関するものであり、また通信機器に組み込ま
れるパルストランス用磁心に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 通信用トランス等の磁心として用いら
れるＭｎ−Ｚｎ系フェライトには、高透磁率、低tanδ/
μｉ（相対損失係数）、低ディスアコモデーション（初
透磁率の経時劣化）等の磁気特性であることが要求され
る。最近では、これに加えて環境温度の変化に対して安
定した磁気特性を得るため、温度特性が優れたものが必
要とされている。
れるＭｎ−Ｚｎ系フェライトには、高透磁率、低tanδ/
μｉ（相対損失係数）、低ディスアコモデーション（初
透磁率の経時劣化）等の磁気特性であることが要求され
る。最近では、これに加えて環境温度の変化に対して安
定した磁気特性を得るため、温度特性が優れたものが必
要とされている。
【０００３】これまで、通信用トランスを設計する場
合、低温側（２０℃以下）でのインピーダンス規格を満
たすために低温側でのμｉの低下を加味して高透磁率材
料が選定されていた。一方、主成分組成の限定や酸化コ
バルトの添加により、μｉの温度係数を改良した報告
（特公昭５２−３１５５５、特公昭６１−４３２９１な
ど）がある。しかしながら、主成分組成のみでμｉをコ
ントロールした場合、μｉの温度特性のカーブが大きな
うねりをもち、結果的に広い温度範囲で高透磁率を得る
ことが出来なかった。また、酸化コバルトは添加量が増
すことによりμｉが低下するため、μｉが高いものでも
４，０００程度であり、μｉ１００００以上の高透磁率
フェライトに使用された例はなかった。
合、低温側（２０℃以下）でのインピーダンス規格を満
たすために低温側でのμｉの低下を加味して高透磁率材
料が選定されていた。一方、主成分組成の限定や酸化コ
バルトの添加により、μｉの温度係数を改良した報告
（特公昭５２−３１５５５、特公昭６１−４３２９１な
ど）がある。しかしながら、主成分組成のみでμｉをコ
ントロールした場合、μｉの温度特性のカーブが大きな
うねりをもち、結果的に広い温度範囲で高透磁率を得る
ことが出来なかった。また、酸化コバルトは添加量が増
すことによりμｉが低下するため、μｉが高いものでも
４，０００程度であり、μｉ１００００以上の高透磁率
フェライトに使用された例はなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 例えば、ＩＳＤＮの
Ｓ／Ｔ点インターフェースに使用されるパルストランス
では、その回線側のインダクタンスを２０ｍＨ確保する
ことが、ＣＣＩＴＴ Ｉ・４３０に定めるインピーダン
スマスクを満たすための必須条件となる。ここで、その
使用される機器を考えると、公衆電話や回線終端装置
（ＤＳＵ）のように屋外や軒下に設置されるものが考え
られ、少なくとも−１０〜７０℃における温度保証が必
要となる。ところが、従来の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェ
ライトの場合、低温側（２０℃以下）で初透磁率が著し
く低下し、この環境条件下で設計すると低温側でのイン
ピーダンス規格を満たすために、巻線数を増やしたり、
必要以上に高いμｉの材料を用いるといったように非常
に非効率になるという問題があった。
Ｓ／Ｔ点インターフェースに使用されるパルストランス
では、その回線側のインダクタンスを２０ｍＨ確保する
ことが、ＣＣＩＴＴ Ｉ・４３０に定めるインピーダン
スマスクを満たすための必須条件となる。ここで、その
使用される機器を考えると、公衆電話や回線終端装置
（ＤＳＵ）のように屋外や軒下に設置されるものが考え
られ、少なくとも−１０〜７０℃における温度保証が必
要となる。ところが、従来の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェ
ライトの場合、低温側（２０℃以下）で初透磁率が著し
く低下し、この環境条件下で設計すると低温側でのイン
ピーダンス規格を満たすために、巻線数を増やしたり、
必要以上に高いμｉの材料を用いるといったように非常
に非効率になるという問題があった。
【０００５】本発明は、上記の事を鑑みて、広い温度範
囲で高透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ること、ま
たは広い温度範囲で高透磁率でしかも透磁率の劣化率の
小さいＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ることを目的とす
る。
囲で高透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ること、ま
たは広い温度範囲で高透磁率でしかも透磁率の劣化率の
小さいＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本発明は、Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトにおいて、Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５４モル
％、ＺｎＯが２０〜２５モル％、残部が酸化マンガンで
あり、副成分として、ＣａＯを０．００２〜０．０４重
量％、ＳｉＯ２を０．００２〜０．０１５重量％、Ｃｏ
Ｏを０．０２〜０．１２重量％含有し、−２０〜１００
℃におけるμｉが１０，０００以上であることを特徴と
する高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
系フェライトにおいて、Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５４モル
％、ＺｎＯが２０〜２５モル％、残部が酸化マンガンで
あり、副成分として、ＣａＯを０．００２〜０．０４重
量％、ＳｉＯ２を０．００２〜０．０１５重量％、Ｃｏ
Ｏを０．０２〜０．１２重量％含有し、−２０〜１００
℃におけるμｉが１０，０００以上であることを特徴と
する高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
【０００７】また本発明は、上記Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
トにおいて、セカンダリーピークのμｉを基準とした−
２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範囲内の最
小値との差）が４０％以内であることを特徴とする高透
磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
トにおいて、セカンダリーピークのμｉを基準とした−
２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範囲内の最
小値との差）が４０％以内であることを特徴とする高透
磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
【０００８】また本発明は、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに
おいて、Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５３モル％、ＺｎＯが２２
〜２５モル％、残部が酸化マンガンであり、副成分とし
て、ＣａＯを０．００２〜０．０２重量％、ＳｉＯ２を
０．００２〜０．０１０重量％、ＣｏＯを０．０６〜
０．０９重量％、Ｂｉ２Ｏ３を０．０１〜０．０６重量
％含有し、−２０〜１００℃におけるμｉが１２，００
０以上であることを特徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトである。
おいて、Ｆｅ２Ｏ３が５１〜５３モル％、ＺｎＯが２２
〜２５モル％、残部が酸化マンガンであり、副成分とし
て、ＣａＯを０．００２〜０．０２重量％、ＳｉＯ２を
０．００２〜０．０１０重量％、ＣｏＯを０．０６〜
０．０９重量％、Ｂｉ２Ｏ３を０．０１〜０．０６重量
％含有し、−２０〜１００℃におけるμｉが１２，００
０以上であることを特徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトである。
【０００９】また本発明は、上記Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
トにおいて、セカンダリーピークのμｉを基準とした−
２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範囲内の最
小値との差）が２０％以内であることを特徴とする高透
磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
トにおいて、セカンダリーピークのμｉを基準とした−
２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範囲内の最
小値との差）が２０％以内であることを特徴とする高透
磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトである。
【００１０】また本発明は、上記したＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトにおいて、μｉの温度特性でセカンダリーピーク
が−３０〜１０℃に設定した高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェ
ライトである。
ライトにおいて、μｉの温度特性でセカンダリーピーク
が−３０〜１０℃に設定した高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェ
ライトである。
【００１１】また本発明は、上記した高透磁率Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトを使用したパルストランス用磁心であ
る。
ｎ系フェライトを使用したパルストランス用磁心であ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】 本発明において、主成分組成を
限定した理由は、Ｆｅ２Ｏ３が５１モル％未満、または
５４モル％を越える組成領域、およびＺｎＯが２０モル
％未満、または２５モル％を越える組成領域では、セカ
ンダリーピークを−３０〜１０℃に設定してμｉ１０，
０００以上を得ることが出来ず、 Ｆｅ２Ｏ３が５１モ
ル％未満、または５３モル％を越える組成領域、および
ＺｎＯが２２モル％未満、または２５モル％を越える組
成領域では、セカンダリーピークを−３０〜１０℃に設
定してμｉ１２，０００以上を得ることが出来ない。ま
た、ＺｎＯが２５モル％を越える組成領域ではキュリー
温度が１００℃以下となるため、−２０〜１００℃にお
けるμｉが１０，０００以上、またはμｉが１２，００
０以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得られない
ためである。
限定した理由は、Ｆｅ２Ｏ３が５１モル％未満、または
５４モル％を越える組成領域、およびＺｎＯが２０モル
％未満、または２５モル％を越える組成領域では、セカ
ンダリーピークを−３０〜１０℃に設定してμｉ１０，
０００以上を得ることが出来ず、 Ｆｅ２Ｏ３が５１モ
ル％未満、または５３モル％を越える組成領域、および
ＺｎＯが２２モル％未満、または２５モル％を越える組
成領域では、セカンダリーピークを−３０〜１０℃に設
定してμｉ１２，０００以上を得ることが出来ない。ま
た、ＺｎＯが２５モル％を越える組成領域ではキュリー
温度が１００℃以下となるため、−２０〜１００℃にお
けるμｉが１０，０００以上、またはμｉが１２，００
０以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得られない
ためである。
【００１３】本発明において、副成分を限定した理由に
ついて説明する。ＣａＯが０．０４重量％、ＳｉＯ２が
０．０１５重量％、ＣｏＯが０．１２重量％を越えると
μｉが著しく低下してしまう。また、ＣｏＯが０．０２
重量％未満の場合は、セカンダリーピークのμｉを基準
とした−２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範
囲内の最小値との差）が大きく、添加効果が乏しい。よ
って、範囲外では−２０〜１００℃におけるμｉが１
０，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得
られないためである。
ついて説明する。ＣａＯが０．０４重量％、ＳｉＯ２が
０．０１５重量％、ＣｏＯが０．１２重量％を越えると
μｉが著しく低下してしまう。また、ＣｏＯが０．０２
重量％未満の場合は、セカンダリーピークのμｉを基準
とした−２０〜１００℃におけるμｉの劣化率（温度範
囲内の最小値との差）が大きく、添加効果が乏しい。よ
って、範囲外では−２０〜１００℃におけるμｉが１
０，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得
られないためである。
【００１４】また、 ＣａＯが０．００２〜０．０２重
量％、ＳｉＯ２が０．００２〜０．０１０重量％、Ｃｏ
Ｏが０．０６〜０．０９重量％、Ｂｉ２Ｏ３が０．０１
〜０．０６重量％の場合は、セカンダリーピークのμｉ
を基準とした−２０〜１００℃におけるμｉが高く、か
つμｉの劣化率（温度範囲内の最小値との差）が少なく
なり添加効果が著しい。なお、Ｂｉ２Ｏ３が０．０６重
量％を越えると異常粒成長の発生やμｉが低下してしま
う。よって、この範囲に限定することにより、−２０〜
１００℃におけるμｉが１２，０００以上の高透磁率Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライトを得られるものである。
量％、ＳｉＯ２が０．００２〜０．０１０重量％、Ｃｏ
Ｏが０．０６〜０．０９重量％、Ｂｉ２Ｏ３が０．０１
〜０．０６重量％の場合は、セカンダリーピークのμｉ
を基準とした−２０〜１００℃におけるμｉが高く、か
つμｉの劣化率（温度範囲内の最小値との差）が少なく
なり添加効果が著しい。なお、Ｂｉ２Ｏ３が０．０６重
量％を越えると異常粒成長の発生やμｉが低下してしま
う。よって、この範囲に限定することにより、−２０〜
１００℃におけるμｉが１２，０００以上の高透磁率Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライトを得られるものである。
【００１５】本発明において、μｉの温度特性でセカン
ダリーピークを−３０〜１０℃に設定することが好まし
い。この理由は、セカンダリーピークが上記の範囲より
低温側に外れると、μｉの温度特性のカーブが大きなう
ねりをもつため、−２０〜１００℃におけるμｉの最小
値が極めて低くなり、またセカンダリーピークが上記の
範囲より高温側に外れると、特に２０℃以下の低温度範
囲でのμｉが低くなり、−２０〜１００℃におけるμｉ
が１０，０００以上、またはμｉが１２，０００以上の
高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得られないためであ
る。
ダリーピークを−３０〜１０℃に設定することが好まし
い。この理由は、セカンダリーピークが上記の範囲より
低温側に外れると、μｉの温度特性のカーブが大きなう
ねりをもつため、−２０〜１００℃におけるμｉの最小
値が極めて低くなり、またセカンダリーピークが上記の
範囲より高温側に外れると、特に２０℃以下の低温度範
囲でのμｉが低くなり、−２０〜１００℃におけるμｉ
が１０，０００以上、またはμｉが１２，０００以上の
高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得られないためであ
る。
【００１６】従来の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
は、低温側（２０℃以下）でμｉの低下が著しく、環境
温度の変化（−２０〜８０℃）に対して安定した磁気特
性が要求される通信用トランスでは、μｉの低下を加味
して必要以上にμｉの高い材料を選定していた。しか
し、本発明により−２０〜１００℃における初透磁率を
１０，０００以上とする、または−２０〜１００℃にお
ける初透磁率を１２，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトとすることにより、効率的なトランス設計
が可能となった。
は、低温側（２０℃以下）でμｉの低下が著しく、環境
温度の変化（−２０〜８０℃）に対して安定した磁気特
性が要求される通信用トランスでは、μｉの低下を加味
して必要以上にμｉの高い材料を選定していた。しか
し、本発明により−２０〜１００℃における初透磁率を
１０，０００以上とする、または−２０〜１００℃にお
ける初透磁率を１２，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライトとすることにより、効率的なトランス設計
が可能となった。
【００１７】本発明は、上記のように広い温度範囲で高
透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを使用することによ
り、環境温度が変化しても本来の性能を発揮でき、巻線
数の削減によるコストダウンや小型薄型化したパルスト
ランスが得られるものである。
透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを使用することによ
り、環境温度が変化しても本来の性能を発揮でき、巻線
数の削減によるコストダウンや小型薄型化したパルスト
ランスが得られるものである。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明に係わるＭｎ−Ｚｎ系フェラ
イトの実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ２Ｏ３ ５２．２ｍｏｌ％、ＭｎＯ(Ｍｎ３Ｏ４を
使用) ２３．８ｍｏｌ％、およびＺｎＯ ２４．０ｍ
ｏｌ％を主成分とし、これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使
用）、ＳｉＯ２、ＣｏＯを表１に示す分量含有する原料
を作製、これを空気中において８５０℃で２時間仮焼
し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。これに原料に
対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコール）を
加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆粒を乾
式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成形圧２
ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼成温度１４
００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁心のμｉ
(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最小値、セ
カンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化率、セカン
ダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔｃ)を測定し
た。この結果を表１に示す。なお、表１の備考欄に本範
囲のものは、実施例とし、本発明の範囲外のものは比較
例とした。
イトの実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ２Ｏ３ ５２．２ｍｏｌ％、ＭｎＯ(Ｍｎ３Ｏ４を
使用) ２３．８ｍｏｌ％、およびＺｎＯ ２４．０ｍ
ｏｌ％を主成分とし、これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使
用）、ＳｉＯ２、ＣｏＯを表１に示す分量含有する原料
を作製、これを空気中において８５０℃で２時間仮焼
し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。これに原料に
対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコール）を
加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆粒を乾
式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成形圧２
ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼成温度１４
００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁心のμｉ
(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最小値、セ
カンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化率、セカン
ダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔｃ)を測定し
た。この結果を表１に示す。なお、表１の備考欄に本範
囲のものは、実施例とし、本発明の範囲外のものは比較
例とした。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１からわかるとおり、本発明の実施例
は、−２０〜１００℃におけるμｉが１０，０００以上
であった。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク
値を基準としたμｉの劣化率も４０％以下であり、劣化
率も小さい。これに対し各比較例では、試料Ｎｏ．１０
は、ＣｏＯが０ｗｔ％であり、μｉの最小値が８５００
と低く、劣化率も６１％と大きい。試料Ｎｏ．１１は、
ＣｏＯが０．１５ｗｔ％と多く、試料Ｎｏ．１２は、Ｃ
ａＯが０．０５ｗｔ％と多く、試料Ｎｏ．１３は、Ｓｉ
Ｏ２が０．０２ｗｔ％と多く、いずれもμｉが低くなっ
ている。
は、−２０〜１００℃におけるμｉが１０，０００以上
であった。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク
値を基準としたμｉの劣化率も４０％以下であり、劣化
率も小さい。これに対し各比較例では、試料Ｎｏ．１０
は、ＣｏＯが０ｗｔ％であり、μｉの最小値が８５００
と低く、劣化率も６１％と大きい。試料Ｎｏ．１１は、
ＣｏＯが０．１５ｗｔ％と多く、試料Ｎｏ．１２は、Ｃ
ａＯが０．０５ｗｔ％と多く、試料Ｎｏ．１３は、Ｓｉ
Ｏ２が０．０２ｗｔ％と多く、いずれもμｉが低くなっ
ている。
【００２１】実施例２ Ｆｅ２Ｏ３，ＭｎＯ(Ｍｎ３Ｏ４を使用)、ＺｎＯを表２
に示すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空
気中において８５０℃で２時間仮焼した。これに、Ｃａ
Ｏ（ＣａＣＯ３を使用）０．０２０重量％、ＳｉＯ２
０．０１０重量％、表２に示すようなＣｏＯを含有する
ように添加し、分量含有する原料を作製、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼し、ボールミルにて８時
間混合粉砕した。これに原料に対して１ｗｔ％のバイン
ダ（ポリビニルアルコール）を加え、スプレードライヤ
にて造粒し、整粒した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用
いて、トロイダル状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形し
た。この成形体を焼成温度１４００℃、酸素分圧１％で
焼成し、得られた磁心のμｉ(２３℃)、−２０〜１００
℃におけるμｉの最小値、セカンダリーピーク値を基準
としたμｉの劣化率、セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、
キュリー温度(Ｔｃ)を測定した。この結果を表２に示
す。
に示すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空
気中において８５０℃で２時間仮焼した。これに、Ｃａ
Ｏ（ＣａＣＯ３を使用）０．０２０重量％、ＳｉＯ２
０．０１０重量％、表２に示すようなＣｏＯを含有する
ように添加し、分量含有する原料を作製、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼し、ボールミルにて８時
間混合粉砕した。これに原料に対して１ｗｔ％のバイン
ダ（ポリビニルアルコール）を加え、スプレードライヤ
にて造粒し、整粒した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用
いて、トロイダル状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形し
た。この成形体を焼成温度１４００℃、酸素分圧１％で
焼成し、得られた磁心のμｉ(２３℃)、−２０〜１００
℃におけるμｉの最小値、セカンダリーピーク値を基準
としたμｉの劣化率、セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、
キュリー温度(Ｔｃ)を測定した。この結果を表２に示
す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２に示すとおり、本発明の実施例は、−
２０〜１００℃におけるμｉが１０，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も４０％以下であり、劣化率も小
さい。これに対し各比較例は、試料Ｎｏ．１６は、Ｚｎ
Ｏが１９モル％であり、μｉが低く、劣化率も４２％と
大きい。試料Ｎｏ．１７は、ＣｏＯが０ｗｔ％であり、
μｉの最小値が低く、変化率も４３％と大きい。
２０〜１００℃におけるμｉが１０，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も４０％以下であり、劣化率も小
さい。これに対し各比較例は、試料Ｎｏ．１６は、Ｚｎ
Ｏが１９モル％であり、μｉが低く、劣化率も４２％と
大きい。試料Ｎｏ．１７は、ＣｏＯが０ｗｔ％であり、
μｉの最小値が低く、変化率も４３％と大きい。
【００２４】また、試料Ｎｏ.３(実施例)、試料Ｎｏ.１
７(比較例)、および試料Ｎｏ.１０(比較例)のμｉの温
度特性を図１に示す。この図１からもわかるとおり本発
明の実施例は、広い温度範囲(−２０〜１００℃)でμｉ
が高く、使用環境条件により−１０〜７０℃における温
度保証が必要とされるパルストランスに適した磁心を得
ることができる。つまり、従来の高透磁率材は、試料Ｎ
ｏ．１０のような温度特性を有しており、２０℃以上の
領域では高透磁率を示すが、２０℃以下、特にマイナス
側になると極端にμｉが低下していた。このことを改善
するために、μｉのセカンダリーピークの温度をマイナ
ス側に移動させた組成が試料Ｎｏ．１７である。このよ
うに、組成を変更することにより、マイナス側のμｉを
向上させることができる。しかし、この試料Ｎｏ．１７
では、逆にμｉのうねり（温度による変化）が大きく、
２０℃〜４０℃付近で著しくμｉが低下していた。これ
に対し、本発明では、マイナス側で高透磁率を維持しつ
つ、２０℃〜４０℃付近のμｉを向上させることが出来
ている。そして、広い温度範囲で高透磁率（１０，００
０以上、又は１２，０００以上）を得ており、劣化率も
少ない優れた材料である。
７(比較例)、および試料Ｎｏ.１０(比較例)のμｉの温
度特性を図１に示す。この図１からもわかるとおり本発
明の実施例は、広い温度範囲(−２０〜１００℃)でμｉ
が高く、使用環境条件により−１０〜７０℃における温
度保証が必要とされるパルストランスに適した磁心を得
ることができる。つまり、従来の高透磁率材は、試料Ｎ
ｏ．１０のような温度特性を有しており、２０℃以上の
領域では高透磁率を示すが、２０℃以下、特にマイナス
側になると極端にμｉが低下していた。このことを改善
するために、μｉのセカンダリーピークの温度をマイナ
ス側に移動させた組成が試料Ｎｏ．１７である。このよ
うに、組成を変更することにより、マイナス側のμｉを
向上させることができる。しかし、この試料Ｎｏ．１７
では、逆にμｉのうねり（温度による変化）が大きく、
２０℃〜４０℃付近で著しくμｉが低下していた。これ
に対し、本発明では、マイナス側で高透磁率を維持しつ
つ、２０℃〜４０℃付近のμｉを向上させることが出来
ている。そして、広い温度範囲で高透磁率（１０，００
０以上、又は１２，０００以上）を得ており、劣化率も
少ない優れた材料である。
【００２５】実施例３ Ｆｅ２Ｏ３ ５２．２ｍｏｌ％、ＭｎＯ(Ｍｎ３Ｏ４を
使用) ２３．８ｍｏｌ％、およびＺｎＯ ２４．０ｍ
ｏｌ％を主成分とし、これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使
用）、ＳｉＯ２、ＣｏＯ、Ｂｉ２Ｏ３を表３に示す分量
含有する原料を作製、これを空気中において８５０℃で
２時間仮焼し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。こ
れに原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアル
コール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒し
た顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状
に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼
成温度１４００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁
心のμｉ(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最
小値、セカンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化
率、セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔ
ｃ)を測定した。この結果を表３に示す。
使用) ２３．８ｍｏｌ％、およびＺｎＯ ２４．０ｍ
ｏｌ％を主成分とし、これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使
用）、ＳｉＯ２、ＣｏＯ、Ｂｉ２Ｏ３を表３に示す分量
含有する原料を作製、これを空気中において８５０℃で
２時間仮焼し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。こ
れに原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアル
コール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒し
た顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状
に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼
成温度１４００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁
心のμｉ(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最
小値、セカンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化
率、セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔ
ｃ)を測定した。この結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】表３に示すとおり、本発明の実施例は、−
２０〜１００℃におけるμｉが１２，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も２０％以下であり、劣化率も小
さい。このように、本発明の実施例は、極めて優れた特
性を有している。これに対し比較例（試料Ｎｏ．２２）
は、Ｂｉ２Ｏ３が０．０８ｗｔ％であり、μｉが低く、
劣化率も大きい。
２０〜１００℃におけるμｉが１２，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も２０％以下であり、劣化率も小
さい。このように、本発明の実施例は、極めて優れた特
性を有している。これに対し比較例（試料Ｎｏ．２２）
は、Ｂｉ２Ｏ３が０．０８ｗｔ％であり、μｉが低く、
劣化率も大きい。
【００２８】実施例４ Ｆｅ２Ｏ３，ＭｎＯ(Ｍｎ３Ｏ４を使用)、ＺｎＯを表４
に示すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空
気中において８５０℃で２時間仮焼した。これに、Ｃａ
Ｏ（ＣａＣＯ３を使用）０．０２０重量％、ＳｉＯ２
０．０１０重量％、Ｂｉ２Ｏ３ ０．０２０重量％、表
４に示すようなＣｏＯを含有するように添加し、分量含
有する原料を作製、これを空気中において８５０℃で２
時間仮焼し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。これ
に原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコ
ール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した
顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に
成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼成
温度１４００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁心
のμｉ(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最小
値、セカンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化率、
セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔｃ)を
測定した。この結果を表４に示す。
に示すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空
気中において８５０℃で２時間仮焼した。これに、Ｃａ
Ｏ（ＣａＣＯ３を使用）０．０２０重量％、ＳｉＯ２
０．０１０重量％、Ｂｉ２Ｏ３ ０．０２０重量％、表
４に示すようなＣｏＯを含有するように添加し、分量含
有する原料を作製、これを空気中において８５０℃で２
時間仮焼し、ボールミルにて８時間混合粉砕した。これ
に原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコ
ール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した
顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に
成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ２で成形した。この成形体を焼成
温度１４００℃、酸素分圧１％で焼成し、得られた磁心
のμｉ(２３℃)、−２０〜１００℃におけるμｉの最小
値、セカンダリーピーク値を基準としたμｉの劣化率、
セカンダリーピーク温度(Ｔｓ)、キュリー温度(Ｔｃ)を
測定した。この結果を表４に示す。
【００２９】
【表４】
【００３０】表４に示すとおり、本発明の実施例は、−
２０〜１００℃におけるμｉが１２，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も２０以下であり、劣化率も小さ
い。このように、本発明の実施例は、極めて優れた特性
を有している。
２０〜１００℃におけるμｉが１２，０００以上であっ
た。また本発明の実施例は、セカンダリーピーク値を基
準としたμｉの劣化率も２０以下であり、劣化率も小さ
い。このように、本発明の実施例は、極めて優れた特性
を有している。
【００３１】本発明によれば、−２０〜１００℃におけ
る初透磁率が１０，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系
フェライトを得ることが出来、更にそのＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率を基
準とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化率
（温度範囲内の最小値との差）が４０％以内という透磁
率の劣化の小さい高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得
ることができる。
る初透磁率が１０，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系
フェライトを得ることが出来、更にそのＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率を基
準とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化率
（温度範囲内の最小値との差）が４０％以内という透磁
率の劣化の小さい高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを得
ることができる。
【００３２】また本発明によれば、−２０〜１００℃に
おける初透磁率が１２，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトを得ることが出来、更にそのＭｎ−Ｚｎ
系フェライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率
を基準とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化
率（温度範囲内の最小値との差）が２０％以内という透
磁率の劣化の極めて小さい高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェラ
イトを得ることができる。
おける初透磁率が１２，０００以上の高透磁率Ｍｎ−Ｚ
ｎ系フェライトを得ることが出来、更にそのＭｎ−Ｚｎ
系フェライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率
を基準とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化
率（温度範囲内の最小値との差）が２０％以内という透
磁率の劣化の極めて小さい高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェラ
イトを得ることができる。
【００３３】このように、本発明によれば、広い温度範
囲（−２０〜１００℃）で高透磁率であって、しかもそ
の温度範囲内での透磁率の劣化も少ない優れた材料であ
り、例えば、通信機器に組み込まれるパルストランス用
磁心として用いた場合、優れたパルストランスを得るこ
とができる。つまり、過酷な環境下で高いインピーダン
スを確保することができる。しかも巻線数を増やす、又
磁心を大型化することなく、優れたパルストランスを得
ることが出来る。
囲（−２０〜１００℃）で高透磁率であって、しかもそ
の温度範囲内での透磁率の劣化も少ない優れた材料であ
り、例えば、通信機器に組み込まれるパルストランス用
磁心として用いた場合、優れたパルストランスを得るこ
とができる。つまり、過酷な環境下で高いインピーダン
スを確保することができる。しかも巻線数を増やす、又
磁心を大型化することなく、優れたパルストランスを得
ることが出来る。
【００３４】
【発明の効果】 本発明によれば、広い温度範囲（−２
０〜１００℃）で高透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを
得ることができる。また本発明に係わる高透磁率Ｍｎ−
Ｚｎフェライトを使用したパルストランス用磁心は、環
境温度の変化（−１０〜７０℃）に対して、従来のよう
に低温側（２０℃以下）のμｉの低下を加味して必要以
上にμｉの高い材料を選定する必要がなく、巻線数によ
るコストの削減やトランスの小型化が可能になり、極め
て優れた効果を得ることができる。
０〜１００℃）で高透磁率なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを
得ることができる。また本発明に係わる高透磁率Ｍｎ−
Ｚｎフェライトを使用したパルストランス用磁心は、環
境温度の変化（−１０〜７０℃）に対して、従来のよう
に低温側（２０℃以下）のμｉの低下を加味して必要以
上にμｉの高い材料を選定する必要がなく、巻線数によ
るコストの削減やトランスの小型化が可能になり、極め
て優れた効果を得ることができる。
【図１】 本発明に係わる実施例と比較例のμｉの温度
特性である。
特性である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 例えば、ＩＳＤＮの
Ｓ／Ｔ点インターフェースに使用されるパルストランス
では、その回線側のインダクタンスを２０ｍＨ確保する
ことが、ＩＴＵ−Ｔ Ｉ・４３０に定めるインピーダン
スマスクを満たすための必須条件となる。また、その使
用される装置には、ＰＨＳ基地局や光回線終端装置（Ｏ
ＮＵ）のように屋外に設置されるものがあり、少なくと
も−１０〜７０℃における温度保証が必要となる。とこ
ろが、従来の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの場合、
低温側（２０℃以下）で初透磁率が著しく低下し、この
環境条件下で設計すると低温側でのインピーダンス規格
を満たすために、巻線数を増やしたり、必要以上に高い
μｉの材料を用いるといったように非常に非効率になる
という問題があった。
Ｓ／Ｔ点インターフェースに使用されるパルストランス
では、その回線側のインダクタンスを２０ｍＨ確保する
ことが、ＩＴＵ−Ｔ Ｉ・４３０に定めるインピーダン
スマスクを満たすための必須条件となる。また、その使
用される装置には、ＰＨＳ基地局や光回線終端装置（Ｏ
ＮＵ）のように屋外に設置されるものがあり、少なくと
も−１０〜７０℃における温度保証が必要となる。とこ
ろが、従来の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトの場合、
低温側（２０℃以下）で初透磁率が著しく低下し、この
環境条件下で設計すると低温側でのインピーダンス規格
を満たすために、巻線数を増やしたり、必要以上に高い
μｉの材料を用いるといったように非常に非効率になる
という問題があった。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトにおいて、Ｆｅ
２Ｏ３が５１〜５４モル％、ＺｎＯが２０〜２５モル
％、残部が酸化マンガンであり、副成分として、ＣａＯ
を０．００２〜０．０４重量％、ＳｉＯ２を０．００２
〜０．０１５重量％、ＣｏＯを０．０２〜０．１２重量
％含有し、−２０〜１００℃における初透磁率が１０，
０００以上であることを特徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ
系フェライト。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率を基準
とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化率（温
度範囲内の最小値との差）が４０％以内であることを特
徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項３】 Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトにおいて、Ｆｅ
２Ｏ３が５１〜５３モル％、ＺｎＯが２２〜２５モル
％、残部が酸化マンガンであり、副成分として、ＣａＯ
を０．００２〜０．０２重量％、ＳｉＯ２を０．００２
〜０．０１０重量％、ＣｏＯを０．０６〜０．０９重量
％、Ｂｉ２Ｏ３を０．０１〜０．０６重量％含有し、−
２０〜１００℃における初透磁率が１２，０００以上で
あることを特徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
ト。 - 【請求項４】 請求項３に記載されるＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトにおいて、セカンダリーピークの初透磁率を基準
とした−２０〜１００℃における初透磁率の劣化率（温
度範囲内の最小値との差）が２０％以内であることを特
徴とする高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載されるＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライトにおいて、初透磁率の温度特性で
セカンダリーピークを−３０〜１０℃に設定した高透磁
率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載される高
透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを使用したパルストラン
ス用磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111971A JPH11302069A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びパルストランス用磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111971A JPH11302069A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びパルストランス用磁心 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302069A true JPH11302069A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14574733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10111971A Pending JPH11302069A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 高透磁率Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト及びパルストランス用磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11302069A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940381B2 (en) | 2002-12-20 | 2005-09-06 | Tdk Corporation | Mn-Zn based ferrite, magnetic core for transformer and transformer |
| JP2008118101A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Nec Tokin Corp | インダクタンス素子、フィルタ回路及びノイズフィルタ |
| CN101913851A (zh) * | 2010-07-12 | 2010-12-15 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 宽温高磁导率锰锌软磁铁氧体材料与其制得的磁芯及其制备方法 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-22 JP JP10111971A patent/JPH11302069A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940381B2 (en) | 2002-12-20 | 2005-09-06 | Tdk Corporation | Mn-Zn based ferrite, magnetic core for transformer and transformer |
| JP2008118101A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Nec Tokin Corp | インダクタンス素子、フィルタ回路及びノイズフィルタ |
| CN101913851A (zh) * | 2010-07-12 | 2010-12-15 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 宽温高磁导率锰锌软磁铁氧体材料与其制得的磁芯及其制备方法 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080108 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080314 |