JP4451604B2

JP4451604B2 - 分布定数型フィルタ素子

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Publication number: JP4451604B2
Application number: JP2003018700A
Authority: JP
Inventors: 敏郎佐藤; 浩一柳沢; 福春張
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2003-01-28
Filing date: 2003-01-28
Publication date: 2010-04-14
Anticipated expiration: 2023-01-28
Also published as: JP2004235709A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導線を巻回して形成されたコイル、およびその導線との間に接地間容量を発生させる接地導体を備えた分布定数型フィルタ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の分布定数型フィルタ素子として、特開平１１−３４６４７２号公報に開示されたノイズフィルタに使用されているチョークコイル（特に図３に示されているもの）が知られている。このチョークコイルは、チョークコイルとの間で浮遊静電容量を発生させる導電体（Ｃ）で覆われると共に、この導電体（Ｃ）がアース電位に接続（接地）されて構成されている。このチョークコイルでは、チョークコイルと導電体（Ｃ）との間に発生した浮遊静電容量がラインバイパスコンデンサ（接地間容量）として作用して分布定数型フィルタを構成するため、ノイズフィルタ全体としての減衰特性が飛躍的に向上している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３４６４７２号公報（第３−４頁、第３図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来の分布定数型フィルタ素子には、以下のような解決すべき問題点がある。すなわち、この種の分布定数型フィルタ素子（チョークコイル）では、磁心（上記公報ではトロイダルコア）に巻回する導線として安価なエナメル銅線を使用することが多い。したがって、エナメル銅線の絶縁被覆が薄いため、導電体（Ｃ）との間の距離が短くなる結果、耐電圧が低下して十分な安全性を確保するのが困難であるという問題点が存在する。一方、耐電圧を高めるためには、絶縁被覆の厚い導線を使用する方法と、チョークコイルおよび導電体（Ｃ）の間の距離を十分に確保する方法とが考えられる。しかし、前者の方法には、磁心に巻回する回数が減少することに起因して、十分なインダクタンスを確保するのが困難となるという問題点が存在する。また、後者の方法には、接地間容量が低下することに起因して、所望の減衰特性を得るのが困難となるという問題点が存在する。
【０００５】
また、分布定数型フィルタ素子の減衰特性を調整する場合、線間容量と接地間容量とを調整する必要がある。この場合、この分布定数型フィルタ素子では、チョークコイルを構成する各導線間のピッチを変更することで線間容量を調整することが可能である。しかしながら、この方法では、各導線を密着させて巻回してチョークコイルを形成する場合、絶縁被覆の厚みを変更せざるを得えない。このため、線間容量を増加させる場合には絶縁被覆の厚みを薄くしなければならないために耐電圧が低下するという問題がある。一方、線間容量を減少させる場合には逆に絶縁被覆の厚みを厚くしなければならないために磁心に巻回する回数が減少する結果、十分なインダクタンスを確保するのが困難となるという問題がある。また、接地間容量を調整する場合、コンデンサや抵抗を介して導電体（Ｃ）を接地する方法があるが、この方法には、この調整用のコンデンサや抵抗を外付けしなければならないことに起因して、分布定数型フィルタ素子の大形化を招いて設置スペースが増加するという問題点が生じる。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、十分なインダクタンスと耐電圧とを確保しつつ線間容量の調整が可能で、しかも電子部品を外付けすることなく接地間容量の調整が可能な分布定数型フィルタ素子を提供することを主目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく請求項１記載の分布定数型フィルタ素子は、磁心、当該磁心の表面を覆うようにして配設された接地導体、当該接地導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、当該誘電体の表面を覆うようにして配設された第１の近接導体、および前記磁心を中心として前記第１の近接導体の表面に導線を巻回して形成されたコイルを備えている。
【０００８】
また、請求項２記載の分布定数型フィルタ素子は、請求項１記載の分布定数型フィルタ素子において、前記コイルの表面を覆うようにして配設された第２の近接導体を備えている。
【０００９】
また、請求項３記載の分布定数型フィルタ素子は、請求項１または２記載の分布定数型フィルタ素子において、前記コイルは、前記導線が多層に巻回されて構成され、前記導線の各層間に第３の近接導体が配設されている。
【００１０】
また、請求項４記載の分布定数型フィルタ素子は、磁心、当該磁心を中心として当該磁心の表面に導線を巻回して形成されたコイル、当該コイルの表面を覆うようにして配設された近接導体、当該近接導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、当該誘電体の表面を覆うようにして配設された接地導体、当該接地導体の表面を覆うようにして配設された他の誘電体、当該他の誘電体の表面を覆うようにして配設された他の近接導体、および前記磁心を中心として前記他の近接導体の表面に導線を巻回して形成された他のコイルを備えている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る分布定数型フィルタ素子の好適な実施の形態について説明する。
【００１２】
最初に、本発明の第１の実施の形態に係る分布定数型フィルタ素子（以下、「フィルタ素子」ともいう）１について、図面を参照して説明する。
【００１３】
フィルタ素子１は、図２に示すように、磁心２、接地導体３および積層体ＬＡを備えて構成されている。この場合、磁心２は、一例として、図１に示すように、平面形状がリング状に形成されたトロイダルコアで構成されている。接地導体３は、図２に示すように、磁心２における表面のほぼ全体を覆うように配設されると共に、図３に示すように、図１，３に示すリード線Ａを介して接地される。また、接地導体３には、図２に示すように、積層体ＬＡに含まれている後述するコイル６に流れる電流によって形成される閉磁路に対して接地導体３がショートリングとして機能しないように切り込み３ａが形成されている。この場合、切り込み３ａは、一例として磁心２の外周面上に磁心２の周方向に沿って直線的に１つ形成されている。ただし、これに限定されるものではなく、磁心２の内周面や端面（図２中の上端面または下端面）に形成してもよいし、非直線状（例えばジグザグ状、曲線状等）の形状に形成してもよい。さらに、複数形成してもよい。また、接地導体３は、導電性金属箔の貼り付け、めっき、および導電性ペーストの塗布などで形成される。
【００１４】
積層体ＬＡは、図１，２に示すように、接地導体３の表面全体を覆うように配設されている。本実施の形態では、積層体ＬＡは、誘電体４、近接導体（第１の近接導体）５およびコイル６を備えて構成されている。この場合、誘電体４は、絶縁性を有する誘電材料を用いて、図２，３に示すように、ほぼ均一の厚みで接地導体３の表面全体を覆うようにして配設されている。また、絶縁性を有する誘電材料としては、ポリエチレン、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ系樹脂、ガラスエポキシ、アクリル、塩化ビニール、アセテート、エステル、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリカ、マイカ、ゴム、ベークライト、絶縁紙、各種セラミックおよび各種ガラスなどを採用することができる。近接導体５は、図２，３に示すように、他のいずれの導体とも電気的に非接触の状態で誘電体４の表面を覆うようにして配設されている。また、近接導体５には、接地導体３と同様にして、図２に示すように、コイル６に流れる電流によって形成される閉磁路に対して近接導体５がショートリングとして機能しないように切り込み５ａが形成されている。コイル６は、エナメル銅線等の薄い絶縁被覆の導線（図３に示すように、心線７ａと薄い絶縁被覆７ｂとで構成される）７を近接導体５の表面に１層に巻回して形成されている。したがって、上記の近接導体５は、コイル６と接地導体３との間においてコイル６に近接（本実施の形態では密着）して配設されている。
【００１５】
このような構成により、このフィルタ素子１では、図４に示すように、コイル６を構成する導線７の心線７ａと近接導体５との間に分布容量Ｃ１が分布して形成されると共に、近接導体５とアース（具体的には接地された接地導体３）との間に接地間容量Ｃ２が形成される。つまり、フィルタ素子１は、コイル６のインダクタンスと、接地間容量Ｃ２を介して接地される分布容量Ｃ１とを有する分布定数型のノーマルモードフィルタを構成する。この場合、コイル６を構成する導線７の各線間容量は、各線間に直接形成される分布容量Ｃ１１と共に、近接導体５を介して互いに直列に接続される分布容量Ｃ１によって規定される。なお、分布容量Ｃ１１は、以下において説明する各実施の形態においても、コイルを構成する同一層内の導線７間に形成されているが、説明の重複を避けるために図示を省略すると共に、その説明も併せて省略する。
【００１６】
このフィルタ素子１では、誘電体４、近接導体５およびコイル６をこの順に積層して構成した積層体ＬＡを接地導体３の一方の面側に配設したことにより、従来例で説明したフィルタ素子とは異なり、接地導体３とコイル６との間に誘電体４が介在する構成となるため、接地導体３とコイル６との距離が誘電体４の厚み分だけ長くなる。また、誘電体４として高耐圧の材料を使用することもできる。したがって、このフィルタ素子１によれば、耐電圧を従来のフィルタ素子と比較して十分に高めることができる結果、十分な安全性を確保することができる。また、このフィルタ素子１によれば、コイル６を形成する導線７の絶縁被覆７ｂを厚くする必要がないため、導線７の巻回数を多くできる結果、十分なインダクタンスを確保することができて所望の減衰特性を実現することができる。さらに、このフィルタ素子１では、近接導体５を配設したことにより、近接導体５を介して互いに直列に接続される分布容量Ｃ１が、コイル６を構成する導線７の各線間容量を規定する要素となっている。したがって、近接導体５の大きさ（コイル６に対向する面積）などを適宜変更することによって導線７の各線間容量を容易に調整することができる。さらに、誘電体４の材質や厚みなどを変えることにより、接地間容量Ｃ２の値を自由に設定することができる。この場合、コンデンサや抵抗などの外付けの電子部品が不要のため、フィルタ素子１の大形化を回避することができる。また、外付けの電子部品を用いることなく、分布容量Ｃ１と接地間容量Ｃ２とによって規定される分布キャパシタンスを自由に調整することもできる。
【００１７】
次いで、本発明の第２の実施の形態に係るフィルタ素子１１について、図面を参照して説明する。なお、フィルタ素子１と同一の構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略する（以下の各実施の形態についても同様）。
【００１８】
フィルタ素子１１は、図５，６に示すように、フィルタ素子１の構成に加えて、コイル６の表面（コイル６における近接導体５との対向面の背面）を覆うようにして配設された第２の近接導体１２（以下、「近接導体１２」ともいう）を備えて構成されている。つまり、フィルタ素子１１では、フィルタ素子１の積層体ＬＡに代えて、誘電体４、近接導体５、コイル６および近接導体１２がこの順に積層されて構成された積層体ＬＡ１が接地導体３の表面上に配設されている。この場合、近接導体１２には、接地導体３や近接導体５と同様にして、コイル６に流れる電流によって形成される閉磁路に対して近接導体１２がショートリングとして機能しないように切り込み（図示せず）が形成されている。
【００１９】
このような構成により、フィルタ素子１１では、図７に示すように、コイル６を構成する導線７の心線７ａと近接導体１２との間に分布容量Ｃ３が分布して形成されると共に、近接導体１２と近接導体５との間に導体間容量Ｃ４が形成される。つまり、フィルタ素子１１は、分布容量Ｃ１、接地間容量Ｃ２、分布容量Ｃ３および導体間容量Ｃ４の合成容量とコイル６のインダクタンスとを有する分布定数型のノーマルモードフィルタを構成する。
【００２０】
このフィルタ素子１１では、積層体ＬＡ１における誘電体４からコイル６までの構成がフィルタ素子１と同一であって、近接導体５と接地導体３との間に誘電体４が配設されている。したがって、このフィルタ素子１１によれば、耐電圧を従来のフィルタ素子と比較して十分に高めることができる結果、十分な安全性を確保することができる等、フィルタ素子１と同様の効果を奏することができる。さらに、このフィルタ素子１１によれば、近接導体１２を備えて積層体ＬＡ１を構成したことにより、コイル６を構成する導線７に対する線間容量と接地間容量とを増加させることができる結果、減衰特性の設計の自由度をさらに高めることができる。
【００２１】
なお、本発明は、上記した各実施の形態に限定されない。例えば、各フィルタ素子１，１１では、導線７を１層だけ巻回してコイル６を形成したが、導線７を多層に巻回して形成したコイルを有するフィルタ素子に対しても本発明を適用することができる。例えば、図８に示す本発明の第３の実施の形態に係るフィルタ素子２１は、接地導体３の表面を覆うようにして配設された積層体ＬＡ２を備えている。この場合、積層体ＬＡ２は、接地導体３上に、誘電体４、近接導体５、および、導線７を多層に（一例として、後述する第３の近接導体２３を設けることなく２層に）巻回して形成したコイル２２をこの順に積層することによって構成されている。このフィルタ素子２１であっても、積層体ＬＡ２における誘電体４からコイル２２までの構成がフィルタ素子１と同一であって、近接導体５と接地導体３との間に誘電体４を配設しているため、耐電圧を十分に高めることができて十分な安全性を確保することができる等、フィルタ素子１と同様の効果を奏することができる。
【００２２】
また、このフィルタ素子２１において、図８に示すように、コイル２２を構成する導線７の各層間に、第３の近接導体２３（以下、「近接導体２３」ともいう）を配設する構成を採用することもできる。この場合、積層体ＬＡ２は、誘電体４、近接導体５、コイル２２および近接導体２３によって構成される。なお、近接導体２３には、ショートリングを構成しないように、近接導体５と同様の切り込み（図示せず）が形成されている。このように近接導体２３を配設したフィルタ素子２１では、図９に示すように、各層（同図では、上下層）における導線７の心線７ａと近接導体２３との間に分布容量Ｃ５が分布して形成されると共に、各近接導体５，２３間に導体間容量Ｃ４が形成される結果、近接導体２３を設けることなく導線７を多層（一例として上記した２層）に巻回して形成したコイル２２と比較して、上層に位置して接地導体３から離れている心線７ａに対する線間容量と接地間容量の両方を増加させることができる。なお、このフィルタ素子２１において、下層に位置して接地導体３に近接している心線７ａと近接導体２３との間の分布容量Ｃ５は、上記のフィルタ素子１１における分布容量Ｃ３と等価の機能を有している。
【００２３】
また、図１０に示す本発明の第４の実施の形態に係るフィルタ素子３１のように、フィルタ素子２１の構成に加えて、コイル２２の表面（コイル２２における近接導体５との対向面の背面）を覆うようにして、フィルタ素子１１における近接導体１２と同等の近接導体（第２の近接導体）３３をさらに配設する構成を採用することもできる。この場合、積層体ＬＡ３は、誘電体４、近接導体５、コイル２２、近接導体２３および近接導体３３によって構成される。このように近接導体３３を配設したフィルタ素子３１では、図１１に示すように、上層の心線７ａと近接導体３３との間に新たに分布容量Ｃ３が分布して形成されると共に、各近接導体２３，３３間に導体間容量Ｃ６が形成される結果、フィルタ素子２１と比較して、上層に位置して接地導体３から離れている心線７ａに対する線間容量と接地間容量とをさらに増加させることができる。
【００２４】
さらに、上記した各実施の形態に係る各フィルタ素子１，１１，２１，３１では、磁心２の表面に配設された接地導体３上に、誘電体４、近接導体５およびコイル６（２２）をこの順に積層して積層体ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３を形成した例について説明したが、磁心２に対する接地導体３と積層体ＬＡ（ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３）との積層の順序を入れ替えた構成を採用することもできる。以下、一例として、フィルタ素子１における接地導体３および積層体ＬＡの積層順序を入れ替えたフィルタ素子４１を例に挙げて具体的に説明する。ただし、他のフィルタ素子１１，２１，３１に対しても同様に適用できるのは勿論である。このフィルタ素子４１は、本発明の第５の実施の形態に係るフィルタ素子であり、図１２に示すように、コイル６、近接導体５および誘電体４をこの順に磁心２の表面に積層した積層体ＬＡ４と、この積層体ＬＡ４の表面に配設した接地導体３とを備えて構成されている。
【００２５】
このフィルタ素子４１であっても、フィルタ素子１と同様にして、接地導体３とコイル６との間に誘電体４を介在させた構成のため、耐電圧を従来のフィルタ素子と比較して十分に高めることができる結果、十分な安全性を確保することができる等、フィルタ素子１と同様の効果を奏することができる。
【００２６】
また、上記した各実施の形態に係る各フィルタ素子１，１１，２１，３１，４１では、磁心２の表面に配設された接地導体３の一方の面側にのみ、積層体ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３，ＬＡ４をそれぞれ形成した例について説明したが、各フィルタ素子１，１１，２１，３１における磁心２と接地導体３との間に隙間を設けて、この隙間に、他の積層体ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３をそれぞれ配設する構成を採用することもできる。この場合、接地導体３の他方の面側に積層する他の積層体ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３では、接地導体３を基準として、接地導体３の一方の面側に配設された積層体ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３の各構成要素の積層位置と配設位置が対称になるように各構成要素が積層される。以下、図１３に示すフィルタ素子５１を例に挙げて具体的に説明する。このフィルタ素子５１は、本発明の第６の実施の形態に係るフィルタ素子であり、一例としてフィルタ素子１における磁心２と接地導体３との間に隙間を設けて、この隙間に、積層体ＬＡと同一構成の他の積層体ＬＡを配設して構成されている。この場合、接地導体３の一方の面（同図中の上面）側に配設された積層体ＬＡの各構成要素（誘電体４、近接導体５およびコイル６）と、接地導体３の他方の面（同図中の下面）側に配設された他の積層体ＬＡの各構成要素（誘電体４、近接導体５およびコイル６）とは、接地導体３を挟んで対称位置にそれぞれ配設されている。
【００２７】
このフィルタ素子５１であっても、フィルタ素子１と同様にして、接地導体３と各コイル６との間に誘電体４をそれぞれ介在させた構成のため、耐電圧を従来のフィルタ素子と比較して十分に高めることができる結果、十分な安全性を確保することができる等、フィルタ素子１と同様の効果を奏することができる。さらに、このフィルタ素子５１では、接地導体３を挟んで、２つの積層体ＬＡ，ＬＡを対称に配置した構成のため、図１４に示すように、一方の積層体ＬＡにおけるコイル６と接地導体３との間の分布容量Ｃ１と、他方の積層体ＬＡにおけるコイル６と接地導体３との間の分布容量Ｃ１とがほぼ等しく、かつ各近接導体５と接地導体３との間にそれぞれ形成される接地間容量Ｃ２もほぼ等しくなる。したがって、このフィルタ素子５１は、ノーマルモードフィルタとして構成できるのは勿論のこと、一方の積層体ＬＡのコイル６と他方の積層体ＬＡのコイル６とを分割して使用することにより、分布定数型のコモンモードフィルタとしても簡易に構成することもできる。
【００２８】
また、上記した各実施の形態に係る各フィルタ素子１，１１，２１，３１，４１では、１本の導線７を磁心２のほぼ全域に巻回して１つのコイルに形成することによってノーマルモードフィルタを構成した例について説明したが、図１５に示すように、２本の導線７，７を磁心２の左右の各領域に同数だけ巻回して２つのコイルを形成することにより、十分なインダクタンスと十分な耐電圧とを確保しつつ、線間容量や接地間容量を調整可能な分布定数型のコモンモードフィルタとしてのフィルタ素子６１を実現することができる。
【００２９】
また、上記した各実施の形態に係る各フィルタ素子１，１１，２１，３１，４１，５１，６１では、磁心２としてトロイダルコアを用いた例について説明したが、ボビン型やドラム型のコア、ＥＩ型コア、ポットコア、ＲＭ型コア等の種々の形状のコアを使用することもできる。また、磁心２の材料としては、ＭｎＺｎフェライトおよびＮｉＺｎフェライトを初めとする酸化物系フェライト磁性体、並びに、鉄、ニッケルおよびコバルト等を含む金属磁性体などの種々の磁性体を使用することができる。
【００３０】
さらに、上記した各実施の形態に係る各フィルタ素子１，１１，２１，３１，４１，５１，６１では、断面形状がほぼ円形の導線７を用いてコイルを形成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、テープ状の導体を絶縁性シートに重ねた状態で筒状に巻いてコイルを形成するフィルタ素子にも適用することができる。また、本発明は、空心コイルにも適用することができる。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の分布定数型フィルタ素子によれば、磁心、この磁心の表面を覆うようにして配設された接地導体、この接地導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、この誘電体の表面を覆うようにして配設された第１の近接導体、および磁心を中心としてこの近接導体の表面に導線を巻回して形成されたコイルを備えたことにより、従来のフィルタ素子とは異なり、接地導体とコイルとの距離を誘電体の厚み分だけ長くできるため、耐電圧を十分に高めることができる結果、十分な安全性を確保することができる。また、この分布定数型フィルタ素子によれば、コイルを形成する導線の絶縁被覆を厚くする必要がないため、導線の巻回数を多くできる結果、十分なインダクタンスを確保することができて所望の減衰特性を実現することができる。さらに、この分布定数型フィルタ素子によれば、第１の近接導体を配設したことにより、第１の近接導体を介して互いに直列に接続される分布容量がコイルを構成する導線の各線間容量を規定する要素となる結果、第１の近接導体の大きさ（コイルに対向する面積）などを適宜変更することによって導線の各線間容量を容易に調整することができる。また、誘電体の材質や厚みなどを変えることにより、接地間容量の値を自由に設定することができる。また、コンデンサや抵抗などの外付けの電子部品を不要にできるため、この分布定数型フィルタ素子の大形化を回避することができる。加えて、分布容量と接地間容量とによって規定される分布キャパシタンスを自由に調整することもできる。
【００３２】
また、請求項２記載の分布定数型フィルタ素子によれば、コイルの表面を覆うようにして第２の近接導体を配設したことにより、コイルを構成する導線に対する線間容量と接地間容量とをより一層増加させることができる結果、減衰特性の設計の自由度をさらに高めることができる。
【００３３】
また、請求項３記載の分布定数型フィルタ素子によれば、導線が多層に巻回されて構成されたコイルにおける導線の各層間に第３の近接導体を配設したことにより、各層における導線と第３の近接導体との間に分布容量が分布して形成されると共に、第１の近接導体と第３の近接導体との間に導体間容量が形成される結果、上層に位置して第１の接地導体から離れている導線に対する線間容量と接地間容量とを共に増加させることができる。
【００３４】
また、請求項４記載の分布定数型フィルタ素子によれば、磁心、この磁心を中心として磁心の表面に導線を巻回して形成されたコイル、このコイルの表面を覆うようにして配設された近接導体、この近接導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、この誘電体の表面を覆うようにして配設された接地導体、この接地導体の表面を覆うようにして配設された他の誘電体、この他の誘電体の表面を覆うようにして配設された他の近接導体、および磁心を中心としてこの他の近接導体の表面に導線を巻回して形成された他のコイルを備えたことにより、接地導体を挟んで対称な構成となるため、一方のコイルと接地導体との間の分布容量と、他方のコイルと接地導体との間の分布容量とがほぼ等しく、かつ各近接導体と接地導体との間にそれぞれ形成される接地間容量もほぼ等しくなる結果、一方のコイルと他方のコイルとを分割して使用することで、分布定数型のコモンモードフィルタを簡易に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フィルタ素子１の構成を示す正面図である。
【図２】フィルタ素子１における磁心２の径方向に沿った断面構造を説明するための模式図である。
【図３】フィルタ素子１における積層体ＬＡの構成を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図４】フィルタ素子１における分布容量Ｃ１、接地間容量Ｃ２および分布容量Ｃ１１の形成状態を説明するための等価回路図である。
【図５】フィルタ素子１１の構成を示す正面図である。
【図６】フィルタ素子１１における積層体ＬＡ１の構成を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図７】フィルタ素子１１における分布容量Ｃ１，Ｃ３、接地間容量Ｃ２、および導体間容量Ｃ４の形成状態を説明するための等価回路図である。
【図８】フィルタ素子２１における積層体ＬＡ２の構成を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図９】フィルタ素子２１における分布容量Ｃ１，Ｃ５、接地間容量Ｃ２、および導体間容量Ｃ４の形成状態を説明するための等価回路図である。
【図１０】フィルタ素子３１における積層体ＬＡ３の構成を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図１１】フィルタ素子３１における分布容量Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５、接地間容量Ｃ２、および導体間容量Ｃ４，Ｃ６の形成状態を説明するための等価回路図である。
【図１２】フィルタ素子４１における積層体ＬＡ４の構成を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図１３】フィルタ素子５１における各積層体ＬＡ，ＬＡと接地導体３との位置関係を示すための磁心２の周方向に沿った要部断面図である。
【図１４】フィルタ素子５１における分布容量Ｃ１、および接地間容量Ｃ２の形成状態を説明するための等価回路図である。
【図１５】フィルタ素子６１の構成を示す正面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１，４１，５１，６１フィルタ素子
２磁心
３接地導体
４誘電体
５，１２，２３，３３近接導体
６，２２コイル
７導線
ＬＡ，ＬＡ１，ＬＡ２，ＬＡ３，ＬＡ４積層体

Claims

磁心、当該磁心の表面を覆うようにして配設された接地導体、当該接地導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、当該誘電体の表面を覆うようにして配設された第１の近接導体、および前記磁心を中心として前記第１の近接導体の表面に導線を巻回して形成されたコイルを備えている分布定数型フィルタ素子。
前記コイルの表面を覆うようにして配設された第２の近接導体を備えている請求項１記載の分布定数型フィルタ素子。
前記コイルは、前記導線が多層に巻回されて構成され、
前記導線の各層間に第３の近接導体が配設されている請求項１または２記載の分布定数型フィルタ素子。
磁心、当該磁心を中心として当該磁心の表面に導線を巻回して形成されたコイル、当該コイルの表面を覆うようにして配設された近接導体、当該近接導体の表面を覆うようにして配設された誘電体、当該誘電体の表面を覆うようにして配設された接地導体、当該接地導体の表面を覆うようにして配設された他の誘電体、当該他の誘電体の表面を覆うようにして配設された他の近接導体、および前記磁心を中心として前記他の近接導体の表面に導線を巻回して形成された他のコイルを備えている分布定数型フィルタ素子。