JP5252564B2

JP5252564B2 - インダクタンス素子

Info

Publication number: JP5252564B2
Application number: JP2009012986A
Authority: JP
Inventors: 正彦高橋; 裕司小野
Original assignee: NEC Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2009-01-23
Filing date: 2009-01-23
Publication date: 2013-07-31
Anticipated expiration: 2029-01-23
Also published as: JP2010171245A

Description

本発明は、主として電源線等を伝播する電気的雑音（以下、ノイズと表記）を防止するためのインダクタンス素子に関する。

パーソナルコンピュータ、薄型液晶ＴＶなどの電子機器は、自らが発生させ、伝搬するノイズを抑制し、かつ他の機器から生じたノイズの影響を受けないようにすることが電気用品安全法や、ＶＣＣＩ、電波法、ＣＩＳＰＲなどの各種規格によって定められている。
このため、ノイズ問題を抱える電子機器の電源部等には、各種規格を遵守するためのインダクタンス素子や、インダクタンス素子を使用したノイズフィルタ等が設けられている。

一般にノイズは、平衡（以下、コモンと表記）モードノイズと不平衡（以下、ノーマルと表記）モードノイズとが混在しているものである。
コモンモードノイズとは、入出力線と基板グラウンドや、筐体、大地などとの間に流れ、例えば、グラウンドと入出力線との間に電位差が生じているものである。
また、ノーマルモードノイズとは、入出力線と負荷との間に不要な電位差が生じているものである。

図４は、一般的なノイズフィルタの等価回路である。図４に示す一般的なノイズフィルタ２０は、コモンモードノイズを遮り、減衰させるインピーダンスとリアクタンスと高い結合係数の相互インダクタンスとを有するインダクタンス素子１と、基板のグラウンド２１に一方の端子が接地され、コモンモードノイズを還流させて打ち消し合わせる一対のコンデンサ２２と、ノーマルモードノイズを遮り、減衰させるインピーダンスとリアクタンスとを有するノーマルモードチョークコイル２３と、ノーマルモードノイズを還流させて打ち消し合わせるコンデンサ２４とコンデンサ２５とから構成されている。
なお、電源２６は、商用の交流電源を想定し、グラウンド２１は、筐体等のグラウンドに接地された状態を想定し、負荷２７は、ノイズを発生する負荷を有した電子機器等を想定している。

上述したインダクタンス素子としては、軟磁性の磁気特性を有する磁気コアがグラウンドに電気的に接地され、接地した磁気コアに電気絶縁性の皮膜を有する被覆導線を直接巻回してコイルを形成し、磁気コアとコイルとの間に分布定数的に生じるキャパシタンスと、磁気コアとコイルによって誘導されるインダクタンスとを用いて分布定数型フィルタとなるインダクタンス素子が提案されている。
このようなインダクタンス素子は、例えば特許文献１及び特許文献２に開示されている。

これに対して、接地間容量の調整を容易にするため、コイルが配置される磁気コア上にグラウンドに接地した導電性の導電体を備え、該導電体上に誘電体を配し、該誘電体上にコイルと近接する近接導電体とを配して積層することにより、導電体と近接導電体との間に生じるキャパシタンスを利用したインダクタンス素子が提案されている。
このようなインダクタンス素子は、例えば特許文献３に開示されている。

図５は、従来のインダクタンス素子を説明する図で、図５（ａ）は、正面図で、図５（ｂ）は、側面図で、図５（ｃ）は、図５（ａ）をＬ−Ｌで切断した断面図である。
インダクタンス素子１ａは、トロイダル形状の磁気コア２を電気絶縁性の樹脂を用いた絶縁ケース３に収納して環状の組込体に形成し、絶縁ケース３の外側に設けられた箔状の導電体４と、導電体４を覆うように設けられたシート状の誘電体５と、導電体４に接続して引き出された導電性のグラウンド端子９と、被覆導線６を巻回して形成したコイル７とを備えたインダクタンス素子であって、コイル７の少なくとも一部に接触または近接して配置した誘電体５と、コイル７及び誘電体５とキャパシタンスを形成する導電体４を配してなるように形成している。
なお、コイル７の夫々の端末は、被覆導線６の絶縁皮膜が剥離され、半田付けによって基板等に接続するための半田メッキ等が施され、実装端子８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが各々形成されている。

このようにインダクタンス素子を形成することにより、設計の自由度が高い誘電体５によって生じる大きなキャパシタンスを附加することも可能で、誘電体５を用いて導電体４とコイル７との間を電気的に絶縁することで電気的信頼性を向上させ、かつノイズの減衰特性を数十ＭＨｚの高い周波数領域にまで広帯域化した分布定数型フィルタである。図５に示されたインダクタンス素子１ａは、例えば特許文献４に開示されている。

特開平０９−１０２４２６号公報特開２００４−３１１８６６号公報特開２００４−２３５７０９号公報特開２００８−１１８１０１号公報

しかしながら、従来の図５に示すようなインダクタンス素子１ａでは、この素子によるノイズの減衰特性（以下、単に減衰特性と表記）にばらつきが生じるために製品の品質が低下すると言う問題があった。

本発明の技術的課題は、製品の減衰特性の低下を小さくすることにより、減衰特性のばらつきが小さいインダクタンス素子を提供することにある。

発明者らは、上述した減衰特性がばらつく原因の一つとして、被覆導線を磁気コアと導電体と誘電体とグラウンド端子とを備えた組込体の外面に巻回してコイルを形成した際に、導電体上の誘電体の上面と被覆導線を巻回して形成したコイルとの間に巻回した導体が弛むことによって隙間が生じていることを見出した。

前記隙間が生じることにより、誘電体を挟んで導電体とコイルとの間に生じるキャパシタンスが減少し、コイルの隣接する被覆導線間に生じているキャパシタンスの影響が相対的に大きくなり、その結果として減衰特性が低下したり、ばらついたりするものと推考した。

コイルでは、銅線等の弾性を有する被覆導線を巻回して形成するため、作業者間の作業方法や、被覆導線にかける引っ張り条件、被覆導線の巻回す際の折り曲げ位置、巻回す際に用いる治工具などの影響によって、形成されたコイルの被覆導線の弛み具合が各々異なることが判明している。

発明者らは、導電体の上面と、前記導電体の面に対して垂直上の位置にある前記導電体側のコイルの外面との間の弛み距離が、該誘電体の厚みを含む導電体の上面から１．５ｍｍを超えた場合に、３００ｋＨｚから１０ＭＨｚの周波数領域での減衰特性の下限の目標とする−４０ｄＢを割り込む可能性があることを見出した。

従って本発明は、前記導電体の上面を基準とした前記弛み距離を誘電体の厚みを下限にして上限を１．５ｍｍ以内に設定することにより、３００ｋＨｚから１０ＭＨｚの周波数領域での減衰特性の低下を想定した範囲内に収められることで品質の良いインダクタンス素子を顧客に供給することができる。

前記被覆導線には、アルミニウム線や、アルミニウムの表面を銅で覆った銅クラッドアルミニウム線を用いても形成することができる。
アルミニウム線や銅クラッドアルミニウム線は、銅線と比較して弾性率が低いことから銅線と同一の条件で巻回してコイルを形成することで生じる弛みが少ないコイルを形成することができる。

本発明によれば、軟磁性の磁気特性を有する環状の磁気コアと、電気絶縁性の材料で前記磁気コアの外面を覆うことのできる絶縁ケースと、導電性を有するシート状の導電体と、電気絶縁性を有するシート状の誘電体と、導電性の金属棒からなるグラウンド端子と、電気絶縁性の被膜を有する被覆導線とからなるインダクタンス素子であって、前記磁気コアを前記絶縁ケースに収納して環状の組込体を形成し、前記グラウンド端子の一端が接続された前記導電体を前記組込体の外面に配置し、さらに前記誘電体を前記導電体上に配置してなるものに、アルミニウム線あるいは銅クラッドアルミニウム線を用いて形成した前記被覆導線を巻回してコイルを形成し、前記コイルの巻始めと巻終わりの端末を外部と電気的に接続できる接続端子に形成し、前記導電体の上面と、該導電体の面に対して垂直上にある該導電体側の前記コイルの外面との間の弛み距離が、前記誘電体の厚み以上、１．５ｍｍ以内であることを特徴とするインダクタンス素子が得られる。

本発明により、製品の減衰特性の低下を小さくできることになり、減衰特性のばらつきが少ないインダクタンス素子を提供することが可能となった。

本発明のインダクタンス素子を説明する図。図１（ａ）は正面図。図１（ｂ）は側面図。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＪ−Ｊ断面図。図１（ｄ）は、図１（ａ）のＫ−Ｋ断面の部分拡大図。本発明の実施例と比較例のインダクタンス素子のコモンモードチョークコイルでの減衰特性。本発明の実施例によるインダクタンス素子のコモンモードチョークコイルでの減衰特性。一般的なノイズフィルタの等価回路。従来のインダクタンス素子を説明する図。図５（ａ）は正面図。図５（ｂ）は側面図。図５（ｃ）は、図５（ａ）のＬ−Ｌ断面図。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳述する。

図１は、本発明のインダクタンス素子を説明する図で、図１（ａ）は、正面図で、図１（ｂ）は、側面図で、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＪ−Ｊ断面図で、図１（ｄ）は、図１（ａ）のＫ−Ｋ断面の部分拡大図である。
本発明のインダクタンス素子１は、磁気コア２と、絶縁ケース３と、導電体４と、誘電体５と、被覆導線６と、グラウンド端子９とから構成されている。

磁気コア２は、軟磁性の磁気特性を有し、トロイダル形状に形成されている。磁気コア２は、高透磁率の磁性材料であれば何れのものでも良く、Ｍｎ−Ｚｎ系やＮｉ−Ｚｎ系の酸化鉄の焼結体であるフェライト材料や、アモルファスやパーマロイなどの金属系材料、鉄合金粉末等の圧粉材料など、要求特性に応じて適宜選定するのが好ましい。
なお、磁気コア２の形状は、トロイダル形状に限定されず、一つの閉磁路を有する形状にできるものであれば良く、円形、長円形、楕円形、方形など、適宜選定すれば良い。また、その磁路の断面形状としては、方形、円形、楕円形、長円形、多角形など、適宜選定すれば良い。

磁気コア２は、電気絶縁性の樹脂を成形加工した絶縁ケース３に収納され、電気絶縁性の樹脂で覆われたトロイダル形状の組込体を形成している。
絶縁ケース３は、磁気コア２を外部と電気的に絶縁して覆う樹脂であれば何れの材質でも良く、エポキシ系、フェノール系の熱硬化性樹脂や、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ナイロン系の熱可塑性樹脂など適宜選定すれば良い。
また、上記樹脂成形体に限らず、磁気コア２の周囲に絶縁紙や絶縁テープ、絶縁塗料などを用いて所定の厚みまで形成したものであっても良い。

組込体の外周面には、導電性の金属箔からなる導電体４を配置している。
なお、導電体４は、磁気コアに生じる磁束を打ち消すショートリング効果を生じないように形成すれば良く、例えば、トロイダルの一つの稜線で線状に分断し、他の全ての外面を覆うように形成したものであっても良い。
なお、導電体４は、インダクタンス素子を二等分する線１５を軸に対称に形成することにより、同軸に対して対称に被覆導線６を巻回してなる左右のコイル７によって各々に生じるインダクタンスとキャパシタンスとを等しく形成することができるので好ましい。

導電体４は、導電性を有し、曲面等に併せて配置することが可能な、フィルム状、あるいは板状、格子状や網目状などの何れであっても良い、例えば、導電性の金属箔を配置しても良く、導電性の金属の蒸着膜や、スパッタ膜、メッキ膜などを形成したものであっても良い、あるいは、カーボン等の導電性の材料を印刷して配置したものや導電性接着剤を塗布したものであっても良い。

導電体４の上面には、導電体４の上面を密着して覆うように比誘電率を有するシート状の誘電体５を配置している。
なお、誘電体５は、導電体４を含む組込体の外面全てを覆うように形成しても良い。
なお、誘電体５は、電気絶縁性の樹脂であれば何れのものであっても良いが、作業上任意の曲面形状に合わせて使用することができ、かつ比誘電率が高いフィルム状のものであるのが好ましく、例えば、誘電率が大きく、かつ使用温度範囲が広い、難燃性の材質であるシリコーンゴムやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの汎用的な樹脂で形成されたフィルム状のシートを用いるのが好ましい。
なお、誘電体５の厚みは、所望するキャパシタンスとの兼ね合いで適宜調整することが好ましい。

なお、導電体４は、誘電体５となるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の一方の面に導電性の導体を蒸着や、スパッタ、メッキ、印刷、塗布などの加工方法によって誘電体５と一体的に形成することができる。また、その逆に導電体４となる銅箔等の上に誘電体５の膜を形成してもできる。

グラウンド端子９は、導電性の棒の一方を半田付けや、電気溶接などによって導電体４と電気的に接続し、他方を基板のグラウンド面等に半田付けできるように形成している。
グラウンド端子９は、比抵抗の小さい導電体を用いて直流抵抗が小さく、かつ高周波領域でのインピーダンスが低くなるように形成すれば良く、棒状や、板状、線状など適宜選定すれば良い。

被覆導線６は、導電体４と誘電体５とグラウンド端子９とを備えた組込体の外面に巻回して磁気コア２に生じる磁束が磁気コア２の閉じた磁路を周回するようにコイル７を形成している。
なお、左右のコイル７は、各々に生じる磁束が互いに打ち消し合うように対向して形成することにより、コモンモードノイズ対策に効果があるように構成している。
コイル７の巻始めと巻き終わりとなる端末には、外部と電気的に接続できるように半田メッキ処理が施されて実装端子８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを夫々形成している。

被覆導線６は、線状の銅の外周をポリウレタンやポリエステル、ポリアミドイミドなどの樹脂を焼き付けて形成したポリウレタン被覆銅線（ＵＥＷ）、ポリエステル被覆銅線（ＰＥＷ）、ポリアミドイミド被覆銅線（ＡＩＷ）などや、より電気絶縁性を高めたポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）を皮膜に用いたＰＶＣ被覆銅線など適宜選定すれば良い。

コイル７は、導電体４の上面と導電体４の面に対して垂直上の位置にある前記導電体４側のコイル７の外面との間の弛み距離１０を、導電体４の上面と密着して配置される導電体４上の誘電体５の厚みを下限として、上限を導電体４の上面から１．５ｍｍ以内となるように形成している。

インダクタンス素子１は、弛み距離１０を１．５ｍｍ以内に形成することにより、導電体４上の誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面とが密着して形成したものと比較して、共振現象が生じる前の周波数領域において、減衰特性の低下を−１０ｄＢ以内に収めることができる。
同様に、弛み距離１０を１ｍｍ以内に形成することにより、導電体４上の誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面とが密着して形成したものと比較して、共振現象が生じる前の周波数領域において、減衰特性の低下を−５ｄＢ以内に収めることができる。

被覆導線６の導電材料としては、銅以外に弾性率の低いアルミニウムや、アルミニウムの表面を銅で覆った銅クラッドアルミニウム線を用いることにより、銅線を用いた場合と比較して被覆導線を巻回した際に生じる弛み距離１０の短いインダクタンス素子１に形成している。
従って、アルミニウムや、銅クラッドアルミニウム線を用いることにより、減衰特性のばらつきを抑制することができる。

上述した実施の形態におけるインダクタンス素子は、コモンモード用、すなわちトロイダル形状の磁気コアを半円環状に二等分し、磁気コアの磁路に生じる磁束が互いに打ち消し合わさるように被覆導線を二等分した磁路に各々巻回し、磁気コアを二等分する軸に対して対称となる二つのコイルを形成しているが、全周にわたって被覆導線を巻回し、コイルを一つ形成したノーマルモード用や、三相電源等に用いられ、コイルを三つ以上形成したコモンモードのインダクタンス素子の場合であっても適用可能である。

以下、本発明について実施例を用いて説明する。

（実施例１）
磁気コア２として、外形２５ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ１２ｍｍ、断面が長方形となるトロイダル形状で、周波数１００ｋＨｚでの初透磁率が約１００００となるＭｎ−Ｚｎ系フェライトコア（ＮＥＣトーキン製ＦＲ２５／１５／１２−１０Ｈ材）を使用した。

絶縁ケース３として、外形２７ｍｍ、内径１３ｍｍ、高さ１４ｍｍ、各部の最低肉厚が０．５ｍｍとなる形状で、ポリプロピレン樹脂を用いてトロイダル形状に成形加工したものに前記磁気コア２を収納して組込体を形成した。

導電体４として、厚み８０μｍ、幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍの銅箔を磁気コア２が収納された絶縁ケース３の外周面にインダクタンス素子を二等分する線１５を軸に対称となるように配置した。

誘電体５として、厚さ０．５ｍｍ、幅１５ｍｍ、長さ１００ｍｍのシリコーンシートを用いて導電体５を覆うように配置した。

グラウンド端子９は、線径０．３ｍｍの銅線の一方を導電体４の略中央に半田付けして接続して引き出し、他方には、半田メッキ処理を行って外部に引き出した。

被覆導線６として、銅線径１ｍｍのポリウレタン被覆銅線（ＵＥＷ）を用いた。

コイル７は、導電体４と誘電体５とグラウンド端子１１とを備えた組込体に被覆導線６を用いて各々３１ターンずつ誘電体５の上面に密着するように巻回して形成した。
なお、コイル７は、各々に生じる磁束が互いに打ち消し合うように形成するため、インダクタンス素子を二等分する線１５を軸に対称となるように一方のコイルを逆方向に巻回して周波数１００ｋＨｚでの各々のインダクタンスが１０ｍＨとなるように形成した。

コイル７の各々の端末は、被覆導線６の被覆を剥離し、半田付け等によって接続が容易にできるように半田めっきを施し、巻き始めである一方の実装端子８ａ、８ｄと巻き終わりである他方の実装端子８ｂ、８ｃとを各々設けて図１に示すインダクタンス素子１を形成した。

上述のように形成することにより、導電体４の上面と導電体４の面に対して垂直上にある前記導電体４側のコイル７の外面との間の弛み距離１０が０．５ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面に導電体４側のコイル７の外面を密着して形成した実施例１の弛み距離１０が０．５ｍｍとなる実施例１のインダクタンス素子を作製した。

（実施例２）
上述の実施例１と同一部材を用いて、弛み距離１０が１ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が０．５ｍｍの空間を有するように実施例２のインダクタンス素子を作製した。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み０．５ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

（実施例３）
上述の実施例１と同一部材を用いて、弛み距離１０が１．５ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が１ｍｍの空間を有するように実施例３のインダクタンス素子を作製した。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み１ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

（比較例１）
上述の実施例１と同一部材を用いて、弛み距離１０が２ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が１．５ｍｍの空間を有するように比較例１のインダクタンス素子を作製した。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み１．５ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

（比較例２）
上述の実施例１と同一部材を用いて、弛み距離１０が２．５ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が２ｍｍの空間を有するように比較例１のインダクタンス素子を作製した。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み２ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

図２は、本発明の実施例と比較例のインダクタンス素子のコモンモードチョークコイルでの減衰特性である。
図２には、上記の要領で作製した本発明の実施例１〜３による弛み距離が０．５ｍｍ、１ｍｍ、１．５ｍｍとなるインダクタンス素子と、比較例１、２による弛み距離が２．０ｍｍ、２．５ｍｍとなるインダクタンス素子とのコモンモードチョークコイルとしての減衰特性を示した。

図２の結果によれば、本発明による実施例のインダクタンス素子は、弛み距離を大きくした比較例のインダクタンス素子に比べ、ＬＣ共振の影響が少ない周波数１０ＭＨｚ以下の領域での減衰特性の低下を小さくすることができた。

実施例１の弛み距離を０．５ｍｍとしたインダクタンス素子の周波数１０ＭＨｚでの減衰特性は、４１．５ｄＢであった。

実施例２の弛み距離を１ｍｍとしたインダクタンス素子の周波数１０ＭＨｚでの減衰特性は、１ｄＢ増加の４２．５ｄＢであった。
また、実施例１のインダクタンス素子と比べ、同等な減衰特性の周波数特性となり、−５％の範囲に収められた。

実施例３の弛み距離を１．５ｍｍとしたインダクタンス素子の周波数１０ＭＨｚでの減衰特性は、−０．５ｄＢの４１ｄＢであった。
また、実施例１のインダクタンス素子と比べ、最大の差が生じた７ＭＨｚから８ＭＨｚでの減衰特性の差も−４ｄＢ以内となり、−１０％の範囲に収められた。

比較例１の弛み距離を２ｍｍとしたインダクタンス素子の周波数１０ＭＨｚでの減衰特性は、−８ｄＢの３３．５ｄＢであった。
また、実施例１のインダクタンス素子と比べ、最大の差が生じた９ＭＨｚでの減衰特性の差も−８．５ｄＢとなり、目標とする−１０％の範囲に収まらなかった。

比較例２の弛み距離を２．５ｍｍとしたインダクタンス素子の周波数１０ＭＨｚでの減衰特性は、−１２ｄＢの２９．５ｄＢであった。
また、実施例１のインダクタンス素子と比べ、最大の差が生じた１０ＭＨｚでの減衰特性の差も−１２ｄＢとなり、目標とする−１０％の範囲に収まらなかった。

（実施例４）
実施例１と被覆導線６のみが異なる同一部材を用いて、弛み距離１０が１ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が０．５ｍｍの空間を有するように実施例４のインダクタンス素子を作製した。
実施例４の被覆導線６には、ポリウレタンの絶縁皮膜が形成された直径１．３ｍｍの銅線を用いた。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み０．５ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

（実施例５）
上述した実施例４と被覆導線６のみが異なる同一部材を用いて、弛み距離１０が１ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が０．５ｍｍの空間を有するように実施例５のインダクタンス素子を作製した。
実施例５の被覆導線６には、ポリウレタンの絶縁皮膜が形成された直径１．３ｍｍのアルミニウム線を用いた。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み０．５ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

（実施例６）
実施例４と被覆導線６のみが異なる同一部材を用いて、弛み距離１０が１ｍｍとなる、即ち、導電体４上の厚み０．５ｍｍを有する誘電体５の上面と導電体４側のコイル７の外面との間が０．５ｍｍの空間を有するように実施例６のインダクタンス素子を作製した。
実施例５の被覆導線６には、ポリウレタンの絶縁皮膜が形成された直径１．３ｍｍの銅クラッドアルミニウム線を用いた。
なお、この場合の弛み距離１０は、厚み０．５ｍｍの誘電体５の上面に厚み０．５ｍｍの図示していないスペーサーで覆ってスペーサーの上面にコイル７の導電体４側の外面が密着されるように巻回してコイルを形成した後にスペーサーを除去して形成した。

図３は、本発明の実施例によるインダクタンス素子のコモンモードチョークコイルでの減衰特性である。
図３には、上記の要領で作製した本発明の実施例４〜６による弛み距離を１ｍｍとした、直径１．３ｍｍのアルミニウム線を用いた実施例４のインダクタンス素子と、直径１．３ｍｍの銅クラッドアルミニウム線を用いた実施例５のインダクタンス素子と、直径１．３ｍｍの銅線を用いた実施例６のインダクタンス素子とのコモンモードチョークコイルでの減衰特性を示した。

実施例４のインダクタンス素子の周波数が３ＭＨｚと５ＭＨｚと１０ＭＨｚでの減衰特性は、夫々４７．６ｄＢ、４３．５ｄＢ、４４．２ｄＢであった。
実施例５のインダクタンス素子の周波数が３ＭＨｚと５ＭＨｚと１０ＭＨｚでの減衰特性は、夫々４６．３ｄＢ、４４．２ｄＢ、４３．９ｄＢであり、実施例４のインダクタンス素子と比べ、同等な減衰特性の周波数特性が得られた。
実施例６のインダクタンス素子の周波数が３ＭＨｚと５ＭＨｚと１０ＭＨｚでの減衰特性は、夫々４６．９ｄＢ、４３．９ｄＢ、４４．１ｄＢであり、実施例４のインダクタンス素子と比べ、同等な減衰特性の周波数特性が得られた。

図３の結果によれば、本発明による被覆導線６に直径１．３ｍｍのアルミニウム線を用いた実施例５のインダクタンス素子と、被覆導線６に直径１．３ｍｍの銅クラッドアルミニウム線を用いた実施例６のインダクタンス素子とは、被覆導線６に直径１．３ｍｍの銅線を用いた実施例４のインダクタンス素子との減衰特性の比較において同等の減衰特性が得られた。
このように、被覆導線６の材料が変わっても弛み距離が一定の場合には、同等の減衰特性となることがわかった。
従って、コイル７を形成する被覆導線６に弾性率の少ないアルミニウム線や銅クラッドアルミニウム線を用いても本発明のインダクタンス素子を形成できることがわかった。

以上、実施例を用いて、この発明の実施の形態を説明したが、この発明は、これらの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても本発明に含まれる。
即ち、当業者であれば、当然なしえるであろう各種変形、修正もまた本発明に含まれる。

本発明のインダクタンス素子は、電子機器等の電源回路や、演算回路、通信回路、制御回路などに利用することができる。

１、１ａインダクタンス素子
２磁気コア
３絶縁ケース
４導電体
５誘電体
６被覆導線
７コイル
８ａ実装端子
８ｂ実装端子
８ｃ実装端子
８ｄ実装端子
９グラウンド端子
１０弛み距離
１５二等分する線
２０ノイズフィルタ
２１グラウンド
２２コンデンサ
２３ノーマルモードチョークコイル
２４コンデンサ
２５コンデンサ
２６電源
２７負荷

Claims

軟磁性の磁気特性を有する環状の磁気コアと、電気絶縁性の材料で前記磁気コアの外面を覆うことのできる絶縁ケースと、導電性を有するシート状の導電体と、電気絶縁性を有するシート状の誘電体と、導電性の金属棒からなるグラウンド端子と、電気絶縁性の被膜を有する被覆導線とからなるインダクタンス素子であって、
前記磁気コアを前記絶縁ケースに収納して環状の組込体を形成し、前記グラウンド端子の一端が接続された前記導電体を前記組込体の外面に配置し、さらに前記誘電体を前記導電体上に配置してなるものに、アルミニウム線あるいは銅クラッドアルミニウム線を用いて形成した前記被覆導線を巻回してコイルを形成し、前記コイルの巻始めと巻終わりの端末を外部と電気的に接続できる接続端子に形成し、前記導電体の上面と、該導電体の面に対して垂直上にある該導電体側の前記コイルの外面との間の弛み距離が、前記誘電体の厚み以上、１．５ｍｍ以内であることを特徴とするインダクタンス素子。