TW200540198A - Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device - Google Patents

Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TW200540198A
TW200540198A TW94113948A TW94113948A TW200540198A TW 200540198 A TW200540198 A TW 200540198A TW 94113948 A TW94113948 A TW 94113948A TW 94113948 A TW94113948 A TW 94113948A TW 200540198 A TW200540198 A TW 200540198A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epoxy
mass
resin composition
polysiloxane
light
Prior art date
Application number
TW94113948A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI347957B (zh
Inventor
Tsutomu Kashiwagi
Toshio Shiobara
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Publication of TW200540198A publication Critical patent/TW200540198A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI347957B publication Critical patent/TWI347957B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511Of epoxy ether
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652Of asbestos
    • Y10T428/31663As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

200540198 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關適合使用爲在硬化物表面全無塵埃附黏 ' I低彈性、優越耐龜裂性及黏著性之發光半導體被覆保 護材料的環氧•聚矽氧混合樹脂組成物、及將使用其之發 光半導體元件被覆而成的發光半導體裝置者。 (§ 【先前技術】 已往採用在發光二極管(LED )等發光半導體裝置中 ’使元件配置於導線電極上,以透明樹脂將其四周被覆之 稱爲砲彈型的如圖3所示之發光半導體裝置,近年來由於 實裝步驟之簡化,已改變成以圖1及圖2所示之稱爲「表 面實裝型」的發光半導體裝置爲主流。 還有,圖1〜3中,1爲玻璃纖維增強之環氧樹脂製殼 體,2爲發光元件,3、4爲導線電極,5爲黏著樹脂材料 # ,6爲金屬線,7爲被覆保護材料。 發光二極管(LED )等發光半導體元件之被覆保護用 樹脂組成物,要求其硬化物具有透明性,一般上使用採用 雙酚A型環氧樹脂或脂環式環氧樹脂等環氧樹脂與酸酐系 硬化劑而得者(參照專利文獻1 :專利第324 1 3 3 8號公報 ,專利文獻2:特開平7 — 25 987號公報)。 不過,如此之透明環氧樹脂中,有樹脂的吸水率高之 故耐濕耐久性低,尤其對短波長之光的光線穿透性低之故 耐光耐久性低、或由於光劣化而著色之缺點。 200540198 (2) 因此有由一分子中至少含有兩個與SiH基具有反應性 之碳-碳雙鍵的有機化合物、及一分子中至少含有siH基 之矽化合物、與氫甲矽烷基化催化劑所成的光半導體元件 之被覆保護用樹脂組成物的提案(參照專利文獻3 :特開 2002 — 327 1 26號公報,專利文獻4:特開2002 — 3 3 8 8 3 3 號公報)。 不過,如此之聚矽氧系硬化物,有改良耐龜裂性時一 φ 般上在硬化物表面殘留壓黏性、塵埃容易附黏、光之穿透 性受損的缺點。 因此,有在保護被覆用組成物中使用高硬度聚矽氧樹 脂之提案(參照專利文獻5 :特開20 02 - 3 1 4 1 39號公報, 專利文獻2002 — 3 14 1 43號公報)。 不過,此等高硬度聚矽氧樹脂之黏著性還不足,在陶 瓷及/或塑料殻體內配置發光元件,以聚矽氧樹脂塡充於 此殼體內部之箱型的發光半導體裝置中,於140〜120 °C之 φ 熱衝擊試驗,聚矽氧樹脂有自殻體之陶瓷或塑料剝離的問 題產生。 又,具有彌補此等缺點之可能的組成物之特開昭52 -1 0 704 9號公報(參照專利文獻7)的環氧樹脂與聚矽氧樹 脂之成型組成物,亦有黏著力與變色之問題。 進而,發光元件中所使用之 SiC、GaAs、GaP、 GaAsP、GaAlAs、InAlGaP、InGaN、GaN 等各種化合物半 導體之光學結晶的折射率高之故,被覆保護樹脂之折射率 低至如二甲基系聚矽氧樹脂時,於被覆樹脂與光學結晶之 -5- 200540198 (3) 界面反射,有時發光效率降低的問題。 因此,提高光射出率之方法有配置防反射膜的提案( 參照專利文獻8 :特開200 1 - 24623 6號公報,專利文獻9 :特開200 1 - 2 1 7467號公報)。 不過,製作防反射膜需要增加步驟,有成本增高之問 題。 專利文獻1 :專利第324 1 3 3 8號公報 B 專利文獻2 :特開平7 - 25987號公報 專利文獻3 :特開2002 — 327 1 26號公報 專利文獻4 :特開2002 - 3 3 8 83 3號公報 專利文獻5 :特開2002 — 3 1 4 1 39號公報 專利文獻6 :特開2002 - 3 14 143號公報 專利文獻7 :特開昭52 — 1 07049號公報 專利文獻8 :特開2001 - 246236號公報 專利文獻9 ··特開2001 - 2 1 7467號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 本發明鑑於上述各項問題,以提供適合使用爲表面全 無壓感黏性、黏著性優越,且具有優異耐衝擊性、光穿透 性之發光半導體被覆保護材料的環氧•聚矽氧混合樹脂組 成物、及使用其被覆之高發光效率的發光半導體裝置爲目 的0 200540198 (4) [課題之解決手段] 本發明的工作同仁爲達成上述之目的,經深入探討不 斷硏究的結果發現,在以有機矽化合物與環氧樹脂爲必要 成份之硬化性樹脂組成物中,尤其在以(A ) —分子中具 有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物、(B ) — 分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂、及(E)鋁系硬 化催化劑爲必要成份,且硬化物爲透明之硬化性樹脂組成 Φ 物中,藉由以配合對此組成物之折射率具有10%以內的折 射率之硬化聚矽氧彈性體的環氧•聚矽氧混合樹脂組成物 封閉保護,可獲得高發光效率,具有優異耐龜裂性及信賴 性之發光半導體裝置。 即,本發明的工作同仁進行有關,含有以如上所述之 (A) 、( B) 、(E)爲主要成份,藉由同時引發氫甲矽 烷基化反應與環氧基與矽烷醇基之反應,而改善黏著性及 表面壓感黏性之環氧樹脂的聚矽氧組成物之專利申請(特 • 願2003—3 904 82號);藉由於其中配合上述之聚矽氧彈 性體,可更提升溫度循環等信賴性評估。 尤其,新穎的環氧•聚矽氧混合樹脂組成物,在以 (A’)一分子中具有一個以上之脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, (C) 有機氫聚矽氧烷, (D) 鉑族金屬系催化劑, (E )鋁系硬化催化劑 200540198 (5) 爲必要成份之硬化性樹脂組成物中,配合 (F )對此樹脂組成物之硬化物的折射率,具有10% 以內之折射率的穿透度爲5〜200之聚矽氧彈性體, 以氫甲矽烷基化反應與環氧樹脂之硬化反應共存之環 氧•聚矽氧混合樹脂組成物的硬化物,將發光半導體元件 封裝,能獲得硬化物之表面全無壓感黏性、兼備低彈性及 透明性、耐龜裂性及黏著性亦良好的發光半導體裝置,完 • 成本發明。 因此,本發明提供一種形成透明硬化物之環氧•聚矽 氧混合樹脂組成物,其特徵爲, [I] 對以有機矽化合物與環氧樹脂爲必要成份之硬化性 樹脂組成物100質量份,配合 [II] 對上述硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,具 有10%以內之折射率,較佳爲穿透度5〜200之聚矽氧彈性 體〇·1〜50質量份所成。 # 此情況,硬化性樹脂組成物以 (A) —分子中具有一個以上之矽原子結合羥基的有 機矽化合物, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, (E )鋁系硬化催化劑, 爲必要成份較適合。 尤其以 (A’)一分子中具有一個以上之脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物, 200540198 (6) (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, (C )有機氫聚矽氧烷, (D)鉑族金屬系催化劑, (E )鋁系硬化催化劑, 爲必要成份更佳。 進而,本發明提供一種形成透明硬化物之環氧•聚矽 氧混合樹脂組成物,其特徵爲以 B (A’)一分子中具有一個以上之脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物: 1 0〜70質量%, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂: 1〜5 0質量%, (c )有機氫聚矽氧烷:10〜50質量%, (D)鉑族金屬系催化劑:0.001〜0.5質量%,(但爲 銷族金屬元素), • ( E)鋁系硬化催化劑:0.001〜5質量%, (F )對該硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,具 有10°/。以內之折射率的聚矽氧彈性體:〇·1〜33質量%, (G)抗氧化劑:0.01〜5質量%, 爲必要成份。 還有,上述組成物中,環氧樹脂以氫化雙酚型環氧樹 月旨、及/或氫化聯苯型環氧樹脂爲佳。 又,本發明提供一種發光半導體裝置,其特徵爲發光 半導體元件係以上述環氧•聚矽氧混合樹脂組成物之硬化 -9 - 200540198 ' (7) 物所封裝保護。 [發明之實施形態] 適合使用爲將本發明之發光半導體被覆保護的被覆保 護材料之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物係 [I ]對以有機矽化合物與環氧樹脂爲必要成份之硬化性 樹脂組成物100質量份,配合 φ [Π]對上述硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,具 有10%以內之折射率的聚矽氧彈性體0.1〜50質量份所成 的形成透明硬化物之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物。 此情況下,上述[I]之硬化性樹脂組成物以 (A) —分子中具有一個以上之矽原子結合羥基的有 機矽化合物, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, • ( E)鋁系硬化催化劑, 爲必要成份者較適合, 尤其以 (A’)一分子中具有一個以上的脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物, (B) —分子中具有一*個以上環氧基之環氧樹脂’ (C) 有機氫聚矽氧烷, (D) 鉑族金屬系催化劑, (E )鋁系硬化催化劑, -10- 200540198 (8) 爲必要成份者更佳。 於此,(A )及(A’)成份之一分子中具有一個以上 ,通常爲1〜20個,較佳爲兩個以上,以2〜10個更佳之矽 原子結合羥基(矽烷醇基)的有機矽化合物有,有機矽烷 、有機矽氧烷、有機矽伸烷、有機矽伸芳等,尤其爲有機 矽烷、有機矽氧烷時,可使用下述一般組成式(1)表示 者,
φ (HO) c (RsO) dS i O (4-a-b-c-d)/2 (D
[式中,R1爲相同或相異之具有脂肪族不飽和鍵的取 代或非取代之一價烴基;R2爲相同或相異之不具脂肪族不 飽和鍵的取代或非取代之一價烴基;R3爲相同或相異之不 具脂肪族不飽和鍵的取代或非取代之一價烴基;c爲正數 ,a、b、d爲0或正數;惟,爲(A〇成份時a>0;又, (A)成份、(A’)成份爲有機矽烷時,c爲正整數,a、b 、d爲0或正整數,a + b + c + d = 4 ;爲有機矽氧烷時,a + b + c+d<4]。 此情況,R1、R2、R3爲碳數1〜10,以1〜6之範圍者 較適合。 具體的,R1有以乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基 、丁烯基等烯基、丙烯氧基、甲基丙烯氧基等爲代表者; R2有以甲基、乙基、丙基、丁基、環己基等烷基、苯基、 甲苯基等芳基、苄基等芳烷基等爲代表者;R3有甲基、乙 基、丙基、丁基等烷基、或苯基等芳基等等。 具代表性之含經基的有機砂垸、有機砂氧院、有三苯 -11 - 200540198 (9) 基矽烷醇、二苯基甲基矽烷醇、二苯基矽烷二醇、四甲基 二羥基二矽氧烷、乙烯基二苯基矽烷二醇等。 又,含烷氧基等可水解之基的含有矽烷醇基之有機矽 烷、或有機矽氧烷,可藉由可水解之矽烷的水解或部份水 解而製得。具代表性之矽烷有,CH3 (CH30) C5H5SiOH、 CH3 ( C2H50 ) C6H5SiOH、 ( CH2 = CH ) ( CH3〇 ) C6H5SiOH、C6H5 ( CH30) Si ( OH) OSi ( OH) ( CH30) φ C6H5 等。 有機聚矽氧烷之適合的矽氧烷單位,包含(CH3) 2( OH) Si01/2、( CH3 ) 2SiO、CH3 ( C6H5 ) (OH) Si01/2、 CH3Si03/2、CH3 ( C6H5 ) SiO、C3H7 ( CH3 ) SiO、( CH2 = CH ) ( C6H5 ) (OH) Si01/2、C6H5 ( CH2 = CH )(
CH3 ) S1O1/2 ' ( CH2 = CH ) ( CH3 ) SiO、C6H5 ( OH) SiO 、(C6H5 ) 2SiO、C6H5 ( CH3 ) 2Si01/2,且可含有少量之 Si〇2單位。此種有機聚矽氧烷,可將對應於矽氧烷單位之 、· 有機氯烷水解,進而將羥基縮合並殘餘必要量之羥基,進 行聚合輕易製得。 還有,(A) 、(A’)成份爲有機聚矽氧烷時,在上 述式(1)中,a、b、c、d 爲 0$aS0.5,尤其 0$a$0.2[ 但(Α·)成份時,〇.〇〇lSaS0.5,尤其 0.01$aS0.2],0 SbS2.2,尤其 〇.5Sb$2,O.OOl^cSO.5,尤其 O.Ol^c ‘0.2,0$dS0.5,尤其 0SdS0.2 爲佳;a + b + c + d 爲 0.8 S a + b + c + dS 3,尤其以 1 S a + b + c + d$ 2.5 爲佳。 具體的,如下述結構表示之有機聚矽氧烷爲適合的化 -12- 200540198 (10) 合物 ch3 h2c=c:h—S卜 ο CH,
(式中,k、m爲正數;!!爲0或正數;k + m + n爲滿足 下述黏度之數)。 還有’ (A) 、(A’)成份爲有機聚矽氧烷時,尤其 (A) 、(A’)成份基本上爲直鏈狀結構之二有機聚矽氧 烷時,藉由使用旋轉黏度計(BM型)之黏度測定法(以 下均同)的25°C黏度爲10〜l,〇〇〇,〇〇〇mPa · s,以100〜 1 00,000 mPa· s更適合。又,(A) 、(A,)成份爲分子 中含有三官能性矽氧烷單位或四官能性矽氧烷單位(Si02 )之支鏈狀或三維網狀結構時,例如藉由GPC (凝膠滲透 色譜法)之聚苯乙烯換算的重量平均分子量爲500〜 1 00,000,以 1,000〜1 0,000 更適合。 含矽原子結合羥基之有機聚矽氧烷,有由液狀至固體 狀者,高聚合度(於上述黏度測定爲1,000 mPa · s以上、 或重量平均分子量爲1,〇〇〇以上)之有機聚矽氧烷中,矽 原子結合羥基之含量爲0.5〜15質量%,尤其以1 .5〜10質 -13- 200540198 (11) 量%者更佳。低於0.5質量%時,與環氧基之反應性不足; 超過1 5質量%時,有不能穩定製造有機聚矽氧烷的情況。 此等有機矽化合物之中,以分子中具有一個以上之烯基等 脂肪族不飽和烴基,通常爲1〜20個,較佳爲2個以上, 以2〜10個更佳,使用爲(A·)成份。 除此等有機矽烷、有機(聚)矽氧烷以外,本發明中 亦可使用含有矽烷醇基之有機矽乙烯或有機矽本烯等有機 φ 矽伸烷或有機矽伸芳、含有具有矽乙烯、矽苯烯結合之矽 烷醇基的有機矽烷、有機聚矽氧烷。 其次,(B)成份係含有平均一個以上,較佳爲兩個 以上之環氧基(環氧乙烷環)的環氧樹脂;有雙酚F型環 氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、甲酚 酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二環 戊二烯型環氧樹脂、芳烷基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環 氧樹脂,將上述各種環氧樹脂之苯基氫化的氫化型環氧樹 φ 脂、脂環式環氧樹脂等,只要爲一分子中具有一個以上之 環氧基者,不限定於上述樹脂。其中氫化型之環氧樹脂或 脂環式環氧樹脂適合使用於防止因光造成的劣化,其中以 將雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂氫化之環氧樹脂 、及聯苯型環氧樹脂等之氫化型環氧樹脂爲特別適合之代 表者。 環氧樹脂對全有機樹脂[即,(A ) 、( B )成份之合 計、或(A·) 、( B ) 、( C )成份之合計]之佔有比率爲 5〜80質量%。低於5質量%時,不能獲得充分之環氧•聚 -14- 200540198 (12) 矽氧混合樹脂組成物的硬化物強度,以此種材料將發光半 導體裝置封裝保護時,於溫度循環等試驗樹脂容易產生龜 裂而造成黏度不良;另一方面,超過80質量。/〇時,環氧樹 脂量過多,發光元件發光爲紫外線等時,環氧•聚矽氧混 合樹脂組成物之硬化物因紫外光而劣化。因此,更佳爲 1 0〜5 0質量%。 (C )成份之有機氫聚矽氧烷係做爲交聯劑之作用者 φ ,該成份中之SiH基與(A’)成份中乙烯基等脂肪族不飽 和一價烴基藉由附加反應(氫甲矽烷基化),形成硬化物 。如此之有機氫聚矽氧烷有,例如下述平均組成式(2) 表示之一分子中至少具有兩個,較佳爲三個以上之結合於 矽原子的氫原子(SiH基),上限爲200個以下,較佳爲 100個以下者。
Hm (R4) nS i O (4-m-n)/2 (2) (式中,R4爲不含脂肪族不飽和鍵之相同或相異的非 • 取代或取代之一價烴基;m及η爲,0.001S m<2、0.7$ η $2、且滿足0.8Sm + nS3之數)。 上述式(2)中之R4,爲不含脂肪族不飽和鍵之相同 或相異的非取代或取代之碳數1〜10,尤其以碳數1〜7之 一價烴基爲佳;例如甲基等低級烷基、苯基等芳基、該一 般(1)之R2所例示者等。又,m及η爲,0.001SmS2 、0·7$η$2,且滿足 0.8S m + nS 3 之數,較佳爲 0.05$m Sl、0.8SnS2,且滿足IS m + nS 2.7之數。結合於矽原 子之氫原子的位置,沒有特別的限制,可在分子之末端亦 -15- 200540198 (13) 可在中途。 具體的有,例如兩末端以三甲基甲矽烷基封閉之甲基 氫聚矽氧烷、兩末端以三甲基甲矽烷基封閉之二甲基矽氧 烷·甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端以二甲基氫甲矽烷基封 閉之甲基氫聚矽氧烷、兩末端以二甲基氫甲矽烷基封閉之 二甲基矽氧烷•甲基氫矽氧烷共聚物、四甲基四氫環四矽 氧烷、五甲基三氫環四矽氧烷、三(二甲基氫矽氧烷)甲 φ 基矽烷等。 又,亦可使用如下述結構表示之化合物。
還有,本成份之分子結構可爲直鏈狀、支鏈狀、環狀 、網狀的任一種。如此之有機氫聚矽氧烷,通常可將 R4SiHCl2、 ( R4) 3SiCl、 ( R4) 2SiC12、( R4) 2SiHCl ( R4爲與上述相同者)等氯矽烷進行水解,藉由使水解所得 之矽氧烷平衡化而得。 還有,此有機氫聚矽氧烷之配合量,爲上述(A’)成 份之硬化有效量,其SiH基對(A’)成份中之乙烯基等脂 肪族不飽和基的合計量爲0.1〜4.0,較佳爲i.o〜3.〇,更佳 爲以1.2〜2·8之莫耳比使用最適合。莫耳比低於〇.1時不 能進行硬化反應,難以獲得聚矽氧橡膠硬化物;超過4.0 時’多量之未反應的SiH基殘餘在硬化物中之故,恐成爲 -16- 200540198 (14) 橡膠物性之經時改變的原因。 (D )成份之鈾族金屬系催化劑,係爲引發本發明之 組成物的附加硬化反應而配合者;有鉑系、鈀系、铑系者 等,從成本等之觀點而言以鉑系爲佳,有例如H2PtCl6· mH20、K2PtCl6、KHPtCl6 · mH20、K2PtCl4、k2PtCl4 · mH2〇、Pt〇2 · Π1Η2Ο、PtCU · mH2〇、PtCl2、H2PtCl4、 mH20 (m爲正整數)等、或此等與含有烴、醇或乙烯基 φ 之有機聚矽氧烷的錯合物等;此等可單獨或兩種以上組合 使用。此等催化劑成份之配合量,所謂以催化劑量即可, 通常,對該(A’)〜(C)成份之合計量,以鉑族金屬換算 (質量)爲〇·1〜l,000ppm,較佳爲1〜3 00ppm之範圍。 (E)成份之使矽烷醇與環氧基聚合的鋁系硬化催化 劑,具體的有選自氫氧化鋁、或烷氧基鋁、醯化鋁、醯化 鋁之鹽、甲矽烷氧基鋁、及鋁鉗合劑所成群之催化劑量的 有機鋁化合物等。催化劑量,對(A )成份或(A’)成份 φ 與(B )成份之合計量,爲0.1〜10質量。/〇,較佳爲0·3〜5 質量%。低於〇. 1質量%時,不能獲得充分之硬化速度;超 過10質量%時,硬化過快,有不能製造目標之發光半導體 裝置的情況。 爲提升使本發明之環氧·聚矽氧混合樹脂組成物硬化 而得的硬化物之黏著性,因應需求可添加配合具有矽原子 之結合烷氧基之有機矽烷、有機聚矽氧烷等有機矽化合物 等做爲隨意成份的黏著助劑。如此之有機矽化合物有,例 如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、 -17- 200540198 (15) 甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、苯基三 甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙 烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧 基砂院、3—環氧丙氧基丙基三甲氧基砂院、3—甲基丙燒 氧基丙基三甲氧基矽烷等烷氧基矽烷化合物、及一分子中 含有至少兩種,較佳爲2 '或3種之選自結合於矽原子的氫 原子(SiH基)、結合於矽原子之烯基(Si - CH = CH2基 φ )、烷氧基甲矽烷基(例如三甲氧基甲矽烷基等三烷氧基 甲矽烷基等)、環氧基(例如環氧丙氧基丙基、3,4-環 氧環己基乙基)之官能性基;通常矽原子數爲4〜30,較佳 爲4〜20之直鏈狀或環狀結構的矽氧烷化合物(有機矽氧 烷低聚物)等。 此情況,黏著助劑適合使用下述一般式(3 )表示之 有機氧甲矽烷基改性的三聚異氰酸酯化合物及/或其水解 縮合物(有機矽氧烷改性 R5 〇、人 聚異氰酸酯化合物)。 I I C II 〇 (3) R5 R5 [式中,R5爲下述式(4)表示之含有機基或脂肪族不 飽和鍵的一價烴基,至少一個爲式(4)之有機基;R6爲 氫原子或碳數1〜6之一價烴基;s爲1〜6,較佳爲1〜4之 整數]。 -18- 200540198 (16) 尸R6 4〔Ή2)τ~ 干〜〇r6 (4) OR6
此情況,R5之含有脂肪族不飽和鍵的一價烴基有,乙 烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、 戊烯基、己烯基、環己烯基等碳數2〜8,較佳爲2〜6之烯 基等。又,R6之一價烴基有,甲基、乙基、丙基、異丙基 、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環己基等烷基、 乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基等烯基、苯基等芳基 等碳數1〜8,較佳爲1〜6之一價烴基等;較佳爲院基。 上述黏著助劑之具體例,有下列例示者
ch3 / ch3 \ och3 H2C«HC—Si—〇 十,i 一 o-j—Si一〇CH3 ch3 \ ch3 Λ och3
〇ch3 Si-(CH2)3OCH2CH-CH2 OCH3 〇 CH3 \ ch3 •Si—〇4—Si—CH3 — ch3 och3 /ch3 H2C(,CH2CO(H2C)3_Si-〇十 T—O 〇 och3 \ch=ch2 ch3 CH3 I c2h4 Si(OCH3)3
ch3 H3c—Si-O—Si-O
och2ch-ch2o (式中,m、n爲m + n = 2〜50,較佳爲滿足4〜20之正 數)。 -19- 200540198 (17)
C2H4Si(OCH3)3
CH CH3 Si—〇H—Si—〇 C2H4Si(OCH3)3 CH3 a—〇· c3h6och2ch-ch2 o
och2ch-ch2 \ / o 如此之有機矽化合物中,所得硬化物之黏著性特別優 越的化合物,以一分子中具有矽原子結合烷氧基與烯基或 矽原子結合氫原子(SiH基)之有機矽化合物最爲適合。 本發明中,上述黏著助劑(隨意成份)之配合量,對 (A)或(A’)成份與(B)成份之合計100質量份,通常 爲10質量份以下(即〇〜10質量份),較佳爲〇·01〜5質 量份,以0.1〜1質量份配合更佳。配合量過少時,對基材 之黏著性有劣化的情況,過多時硬化物之硬度下降,有對 -20- 200540198 (18) 硬化物之表面壓感黏性造成不良影響的情況。 本發明之上述硬化性樹脂組成物,黏著性強勁之故, 不因樹脂硬化或實裝時之IR回流引起剝離。又,其硬化 之樹脂,具有以硬度計A型測定爲70以上之硬度、對硬 化物之表面全無塵埃附黏,具有低彈性特性,因而能吸收 由於與陶瓷或塑料之殼體的熱膨脹係數之不同產生的應力 ,進行低溫側-4(TC、高溫側120°C之熱衝擊試驗1,000循 φ 環亦不產生龜裂。 不過,另一方面,依發光半導體元件之形狀或大小, 進而組件之形狀的不同,在熱衝擊試驗之溫度爲低溫側 -60°C,高溫側15(TC之熱衝擊試驗中,硬化之樹脂有產生 龜裂的情況,期望加以改善。 本發明爲解決此問題,藉由配合添加對該硬化性樹脂 組成物之硬化物的折射率,具有1 0%以內之折射率的聚矽 氧彈性體,即使於更嚴酷之熱衝擊條件下亦不產生龜裂。 φ 此情況,本發明之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物以 (A’)一分子中具有一個以上之脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物: 1 0〜7 0質量%, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂: 1〜50質量%, (c )有機氫聚矽氧烷:10〜50質量%, (D )鉑族金屬系催化劑·· 0.001〜0.5質量%,(但爲 舶族金屬兀素) -21 - 200540198 (19) (E )鋁系硬化催化劑:〇 . 〇 〇 1〜5質量%, (F )對該硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,具 有10%以內之折射率的聚矽氧彈性體:0.1〜33質量%, (G )抗氧化劑:0.01〜5質量%, 爲必要成份,形成透明硬化物者爲佳。 於此所使用之硬化聚矽氧彈性體,爲形成透明之硬化 的環氧•聚矽氧混合樹脂,硬化聚矽氧彈性體之折射率, φ 對硬化之硬化性樹脂組成物的折射率,必要在1 〇%以內( 即±0〜1 0% )之折射率。以5%以內(±0〜5% )更佳。 此情況,爲獲得此硬化聚矽氧彈性體之聚矽氧組成物 ,可使用以 (i) 含有乙烯基等脂肪族不飽和基之有機聚矽氧烷 (ii) 有機氫聚矽氧烷, (iii) 鉑族金屬系催化劑, φ 爲必要成份者。 (i)成份之有機聚矽氧烷,可用與上述(A’)成份相 同者,或一分子中具有至少一個以上,較佳爲2個以上之 脂肪族不飽和基,且分子中不含矽烷醇基之有機聚矽氧烷 :如下述結構表示之有機聚矽氧烷爲適合的化合物。
-22· 200540198 (20) 严3 H2C=C:H-Si-〇 CH,
CH, Si一O
Si—OH I ch3 ch3 HC=C:H2
•Si 一 OH I ch3
H2C=CH-Si〇 C:H
CH= 又,(ϋ)成份之有機氫聚矽氧烷,使用與上述(C )成份相同者。(iii )成份使用與(E )成份相同之鉑族 金屬系催化劑。 本發明中所使用之硬化聚矽氧彈性體,以下述之凝膠 者爲佳。有機氫聚矽氧烷之配合量,其SiH基對(i)成 份之有機聚矽氧烷成份中的乙烯基等脂肪族不飽和基之合 計量爲〇·3〜1.2,較佳爲0.4〜0.9,以0.5〜0.8莫耳比使用 ^ 最爲適合。莫耳比低於〇·3時硬化反應不能進行,難以獲 得聚矽氧凝膠硬化物;超過1.2時,同樣的不能獲得聚矽 氧凝膠硬化物。又,鉑族金屬系催化劑之使用量,爲催化 劑量,鉑族金屬元素,對(i)及(ii)成份之合計量(質 量)爲〇·1〜l,〇〇〇ppm較佳爲1〜300ppm。 還有,聚矽氧彈性體(聚矽氧凝膠)依Jis— K2220 ( 1/4錐),或AS TM — D 1 40 3 ( 1 /4錐)測定之穿透度爲 5〜200,以10〜150更佳。 又,硬化之凝膠的折射率,能以(i )成份的有機聚 23- 200540198 (21) 矽氧烷中結合於矽原子之苯基與甲基等烷基的比率決定。 此情況’該硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,通常於 2 5°C爲1·4〜1·6之故,配合於其,必要決定(i)成份之有 機聚矽氧烷的結合於矽原子之苯基與甲基等烷基的比率。 還有’一般而言,苯基量多時折射率有升高之傾向。 本發明中,上述聚矽氧組成物,通常可藉由於室溫( 2 5 °C )〜2 0 0 °C,5〜24小時之條件硬化。可將此硬化之聚 φ 矽氧彈性體與,秤取之構成該硬化性樹脂組成物的成份之 所定量,使用三滾筒機等混合裝置混合均勻,且可將硬化 之聚矽氧彈性體依硬化情況以微粉末分散。聚矽氧彈性體 之分散粒子,其平均粒徑以1 0 // m以下之大小爲佳,以5 // m以下更佳,以1 // m以下最佳。 其下限通常爲以上,以以上爲佳。 還有,此平均粒徑例如可測定在藉由雷射光衍射法測定粒 度分佈中之重量平均値(或中間徑)。硬化之聚矽氧彈性 φ 體微粉末的平均粒徑過大時,有不能確保充分之耐龜裂性 的情況。還有,依混合條件之不同,聚矽氧彈性體微粒有 以高黏度流體化之情況,於此並無妨礙。
該聚矽氧彈性體之配合量,對上述以有機矽化合物與 環氧樹脂爲必要成份之硬化性樹脂組成物[例如(A )、( B ) 、(E)成份之合計,或(A·) 、( Β ) ' ( C ) 、( D )、(Ε)成份之合計]100重量份,爲0.1〜50質量份,較 佳爲1〜40質量份’更佳爲5〜40質量份;過少時賦予耐龜 裂性之效果有劣化的情況,過多時強度減弱有產生表面壓 -24- 200540198 (22) 感黏性之情況。 本發明之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物中,恐於室溫 亦進行硬化之故,爲使可操作時間延長,以微量添加炔屬 醇系化合物、三唑類、腈化合物、磷化合物等反應抑制劑 爲佳。又,可使本發明之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物改 變波長,亦可添加螢光體或氧化鈦微粉末(Ti02 )等光散 射劑等。 B 進而,爲防止本發明之透明的硬化物之耐熱性劣化及 變色,可使用含有酚性羥基之抗氧化劑。此等抗氧化劑有 ,2,6 —二叔丁基一 4 一甲基苯酣、硬脂醯一 β—丙酸酯、 2,2’一亞甲基雙(4 一乙基一 6-叔丁基苯酚)、依魯加諾 庫斯1 0 1 0 (吉巴特殊化學品股份有限公司製)等爲代表者 。其中,2,6-二叔丁基一 4 一甲基苯酚、及依魯加諾庫 斯1010、與樹脂之協調配合優越。 抗氧化劑之添加量,對環氧•聚矽氧混合樹脂組成物 φ ,爲0.1〜5質量%時即足夠。低於0.1質量%時沒有充分的 抗氧化效果;超過5質量%時,有玻璃轉移溫度下降及強 度降低之情況。 又,在不超越本發明之目的的範圍,亦可添加煙燻二 氧化矽或沉降性二氧化矽等增強性塡充材料、阻燃性提升 劑、有機溶劑等。又,亦可添加眾所周知的防變色劑,例 如有機磷系防變色劑。 本發明之環氧•聚矽氧混合樹脂組成物,係在(A ) 、(B)及(E)成份,或(A’)、( B ) 、( C ) 、( D ) •25- 200540198 (23) 、(E ) 、( G)等所用之成份中,混合硬化聚矽氧彈性體 成份,藉由加熱可輕易製造而得。
還有,含有以(A’)、( B ) 、( C ) 、( D ) 、( E )成份爲必要成份,倂用環氧樹脂之縮合與氫甲矽烷基化 反應的硬化之組成物,與含有以(A ) 、( B ) 、( E )成 份爲必要成份,僅藉由環氧樹脂之縮合形成硬化物之組成 物相比較,前者在對發光半導體元件的黏著性及信賴性之 φ 點更爲優異,係極適合者。
又,爲被覆保護本發明之發光半導體的以(A) 、( B
)、(E ) 、( F )成份或以(A· ) 、( B ) 、( C ) 、( D )、(E) 、( F)成份爲必要成份之被覆保護材料,以裝 瓶或液狀注射等使用時,爲液狀較佳。25 °C之黏度爲 10〜l,000,000mPa· s,以 100〜1,000,000 mPa· s 更佳。另 一方面,以傳遞塑模成型或CDI鑄模等製造發光半導體裝 置時,可使用上述之液狀樹脂,亦可將液狀樹脂增黏固形 φ 化、顆粒化後,成型製造而得。 本發明之被覆保護材料,係爲被覆保護發光半導體裝 置而使用。此情況,發光半導體有,發光二極管(LED ) 、有機電激發光元件(有機EL)、雷射二極管、LED陣 列等。被覆保護發光半導體之型態,沒有特別的限制,如 圖1、2所示,在被覆於具有開口部之殻體內配置的發光 半導體之殻體內塡充被覆保護材料,採用使其硬化等方法 而得。又,在圖3所示之基質化基板狀上裝載LED者, 亦能以印刷法、傳遞模塑成型、注射成型等製造而得。 -26- 200540198 (24) 還有,本發明之被覆保護材料的硬化條件,自於室溫 (251 ) 72小時至於200 °C 3分鐘,配合其操作條件可隨 意採用,可從生產性與發光元件或殻體耐熱性之平衡的觀 點適當選擇。傳遞模塑成型或注射成型時,可於150〜180 °C之溫度、20〜50kgf/cm2之壓力下1〜5分鐘成型,輕易製 造而得。
【實施方式】 [實施例] 以實施例及比較例具體說明本發明如下,本發明並非 限定於下述之實施例者。還有,下述例中Me、Ph、Vi分 別爲甲基、苯基、乙烯基;部爲質量份。又,黏度係於25 °C以旋轉黏度計測定之値。 首先,說明實施例及比較例之被覆保護材料的評估方 法。 <評估方法> (聚矽氧系黏著材料之調製) 將下述式(I)表示之末端以乙烯基二甲基甲矽烷氧 基封閉的二甲基矽氧烷·二苯基矽氧烷基聚物(黏度3Pa • s) 100質量份,與
(I) 下述式(II)表示之甲基氫聚矽氧烷(黏度15m Pa· -27- 200540198 (25) s ) 2.5重量份、與 CH, / (Ή3
Si—Ο
(Π) 氯鉑酸2 —乙基己基醇改性溶液(Pt濃度2質量。/。) 〇·〇3質量份、乙炔基環己基醇0·05質量份、3—環氧丙氧 基丙基三甲氧基矽烷7質量份、及平均粒徑9// m之球狀 氧化鋁微粉末400質量份,均勻混合,即調製聚矽氧黏著 材料。 (發光半導體裝置之製作方法) 使用具有由InGa所成之發光層、主發光尖峰爲 47Onm之LED晶片做爲發光元件,製成如圖3所示之發光 半導體裝置。使用聚矽氧系黏著材料5將發光元件2黏著 於導線電極3,於180°C加熱10分鐘使其固定。以金屬線 6將發光元件2與導線電極3、4連接後,將被覆保護材料 7裝塡,於18(TC 1小時進行硬化,即製成發光半導體裝 置。 (耐熱衝擊性之試驗方法) 將製成之發光半導體裝置進行低溫側-60 °C,高溫側 150 °C之熱衝擊試驗1,〇〇〇循環,觀察外觀之龜裂產生數 (表面塵埃附黏性) -28- 200540198 (26) 在製成之發光半導體裝置上撒以微粉末二氧化矽’附 黏於表面後,以吹送空氣,確認能否將附黏於發光半導體 裝置表面之微粉末二氧化矽去除。 (光穿透率改變) 將各別之硬化物(厚度1mm)在100°C的大氣下放置 1 0 00小時後,測定初期之光穿透率與1,〇〇〇小時後之光穿 φ 透率,即測得光穿透率之保持率。 [實施例1] 以在室溫下硬化物之折射率可達1 .5 1爲硬化性樹脂 。對下述式表示之聚矽氧烷50質量份,
組成物 (式中,k = 65,m = 30,n = 2) 矽氧烷單位以(PhSi〇3/2 ) 〇·6 ( MeSi03/2 ) G 2 ( ViMeSi02/2) 0.2之組成(莫耳比)表示,含有8質量❶/0之 結合於矽原子的羥基之重量平均分子量爲2,000的有機聚 矽氧烷30質量份、雙酚A型環氧樹脂20質量份、下述式 表示之有機氫聚矽氧烷5質量份, -29- 200540198 (27)
H3C — Si — CH3 Η 下述式袠示之黏著助劑〇·3質量份, _w〇ch3
A
h2c och3 ch2
/N N h2c. J2C ch2 T A h2^x〇ch3 H3CO och3 進而’由含有下述結構式(a)之乙烯基的聚矽氧院 油(SiVi 0.059莫耳/1〇〇g) 1〇〇質量份、與含有下述結構 φ 式(b )之氫甲矽烷基的聚矽氧烷油(SiH 0.001 7莫耳/1 g )23質量份,氯鉑酸之辛醇改性溶液〇·02質量份所成的 聚矽氧凝膠組成物於1 3 0 °C 2小時硬化之硬化聚矽氧彈性 體(此時之穿透度爲30 ) 20質量份,以三滾筒機混合均 勻。在此混合組成物1 00質量份中,加入氯鉑酸之辛醇改 性溶液〇·〇5質量份、鋁乙醯丙酮0.1質量份、攪拌均勻, 即調製成環氧•聚矽氧混合樹脂組成物。
CH, CH3 H2C=CH — SiO· cm
SiO·
I ch3 -30- 200540198 (28) (式中,M、N爲平均値,分別爲M = 9,N=19)。
(式中,k、m、η分別爲平均値,k = 8、m = 4、n = 3) ο 將此組成物,於1 5 0 °C以4小時加熱成型’形成硬化 g 物,根據JIS - K63 0 1測定硬度(肖氏D )。此組成物於 1 5 0 °C 4小時之條件硬化(以下均同)的硬化物爲無色透 明者。製作成使用此樹脂組成物之發光半導體裝置。 [實施例2 ] 將矽氧烷單位以(PhSi03/2 ) 0.6 ( MeSi03/2 ) 〇.2 ( ViMeSi02/2) ο」之組成(莫耳比)表示,含有8質量%之 結合於矽原子的羥基之重量平均分子量爲2,000的有機聚 φ 矽氧烷80質量份、氫化之雙酚A型環氧樹脂20質量份、 下述式表示之有機氫聚矽氧烷5質量份,
H3C—于 i_CH3 Η 下述式表示之黏著助劑0.3質量份, -31 - 200540198 (29)
H3CO Η 及由與實施例1相同之結構式的含乙烯基之聚矽氧烷 油(SiVi 0.059莫耳/i〇〇g) 100質量份與含有氫甲矽烷基 的聚矽氧烷油(SiH 0.0017莫耳/lg) 19.5質量份,氯鉑 酸之辛醇改性溶液0.02質量份所成的聚矽氧凝膠組成物 於1 3 0°C 2小時硬化之硬化聚矽氧彈性體(此時之穿透度 爲70 ) 20質量份,以三滾筒機混合均勻。 在此混合組成物1 00質量份中,加入氯鉑酸之辛醇改 性溶液〇.〇5質量份、鋁乙醯丙酮0.1質量份、攪拌均勻, # 即調製成環氧•聚矽氧混合樹脂組成物。 將此組成物於150 °C以4小時加熱成型,形成硬化物 ,根據JIS— K63 0 1測定硬度(肖氏D),此組成物硬化 之硬化物爲無色透明者。製作成使用此樹脂組成物之發光 半導體裝置。 [實施例3] 除實施例2中使用之氫化雙酚A型環氧樹脂變更爲氫 化苯酚型環氧樹脂以外,其他完全與實施例2同樣的進行 -32- 200540198 (30) ,即調製成環氧•聚矽氧混合樹脂組成物;形成硬化物’ 與實施例2同樣的進行測定之結果’如表1所示°硬化物 爲無色透明。製作成使用此樹脂組成物之發光半導體裝置 [實施例4〜6、比較例1、2 ] 除實施例2中使用之硬化聚矽氧彈性體的流加量,變 φ 更爲如表1所示之量以外,與實施例2同樣的進行,即調 製成環氧•聚矽氧混合樹脂組成物;形成硬化物,與實施 例2同樣的進行測定之結果,如表1所示。硬化物爲無色 透明。製作成使用此樹脂組成物之發光半導體裝置。 將使用實施例1〜5及比較例1、2之樹脂組成物的發 光元件封裝,評估其特性。 上述實施例、比較例之被覆保護材料的評估結果,如 表1所示。 -33- 200540198 (31) [表1] 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 比較例 1 比較例 2 樹脂之硬度(肯氏D) 55 50 50 60 30 65 80 15 表面壓感黏性 Μ Μ Μ / \ N\ Μ y \ ίκ ✓ i、N M 並 > V 有 對(八’)功),((:戚份之 合計質量之聚矽氧 彈性體的添加量 20 20 20 10 40 5 0 70 耐熱衝擊性試驗 (龜裂產生率) 0/50 0/50 0/50 0/50 0/50 5/50 50/50 25/50 (龜裂) 光穿透率改變(100 °C/1,000 小時後)% 90 90 90 90 90 85 95 90 [發明之功效] 依本發明能提供,以做爲發光半導體被覆保護材料之 # 本發明的環氧•聚矽氧混合樹脂組成物之硬化物所被覆保 護的發光半導體裝置;其係經耐熱試驗極少變色、優越耐 龜裂性、高發光效率、長壽命,且優異省能源性之發光半 導體裝置,對產業上之價値極高。 【圖式簡單說明】 圖1爲說明表面實裝型半導體發光裝置之一例(發光 元件係黏著於絕緣性之殼體上者)的發光二極管之剖面圖 -34- 200540198 (32) 圖2爲說明表面實裝型半導體發光裝置之另一例(發 光元件係黏著於插入殼體之導線電極上者)的發光二極管 之剖面圖。 圖3爲說明砲彈型半導體發光裝置之發光二極管的剖 面圖。 【主要元件之符號說明】 1 :殼體 2 :發光元件 3,4 :導線電極 5 :黏著材料 6 :金屬線 7 :被覆保護材料
-35-

Claims (1)

  1. 200540198 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種形成透明硬化物之環氧•聚矽氧混合樹脂組 成物,其特徵爲, 對Π]以有機矽化合物與環氧樹脂爲必要成份之硬化性 樹脂組成物100質量份, 配合[Π]對該硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率, 具有10%以內之折射率的聚矽氧彈性體0.1〜50質量份而 • 成。 2·如申請專利範圍第1項之環氧•聚矽氧混合樹脂 組成物,其中硬化性樹脂組成物係以 (A) —分子中具有一個以上之砂原子結合經基的有 機矽化合物, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, (E )鋁系硬化催化劑, 爲必要成份。 # 3 ·如申請專利範圍第2項之環氧•聚矽氧混合樹脂 組成物,其中硬化性樹脂組成物係以 (A’)一分子中具有一個以上脂肪族不飽和一價烴基 ,且具有一個以上之矽原子結合羥基的有機矽化合物, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂, (C) 有機氫聚矽氧烷, (D) 鉑族金屬系催化劑, (E )鋁系硬化催化劑, 爲必要成份。 -36- 200540198 (2) 4 · 一種形成透明硬化物之環氧•聚矽氧混合樹脂組 成物,其特徵爲以 (A1 ) —分子中具有一個以上之脂肪族不飽和一價烴 基,且具有一個以上之砍原子結合經基的有機砂化合物: 1 0〜70質量%, (B) —分子中具有一個以上環氧基之環氧樹脂: 1〜50質量%, ^ ( c )有機氫聚矽氧烷:10〜50質量%, (D )鈾族金屬系催化劑:0.001〜〇·5質量%,(但爲 鉑族金屬元素), (E)鋁系硬化催化劑:0.00 1〜5質量%, (F )對該硬化性樹脂組成物之硬化物的折射率,具 有10%以內之折射率的聚矽氧彈性體:0.1〜33質量%, (G )抗氧化劑:0 · 0 1〜5質量°/〇, 爲必要成份。 # 5 ·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之環氧•聚矽 氧混合樹脂組成物,其中聚矽氧彈性體之穿透度爲5〜200 〇 6 ·如申請專利範圍第1〜5項中任一項之環氧•聚砂 氧混合樹脂組成物,其中環氧樹脂爲氫化雙酚型環氧樹脂 及/或氫化聯苯型環氧樹脂。 7· —種發光半導體裝置,其特徵爲發光半導體元件 以申請專利範圍第1〜6項中任一項之環氧·聚矽氧混合樹 脂組成物的透明硬化物封裝保護。 -37-
TW94113948A 2004-04-30 2005-04-29 Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device TW200540198A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004135357A JP4300418B2 (ja) 2004-04-30 2004-04-30 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200540198A true TW200540198A (en) 2005-12-16
TWI347957B TWI347957B (zh) 2011-09-01

Family

ID=35187447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW94113948A TW200540198A (en) 2004-04-30 2005-04-29 Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7276562B2 (zh)
JP (1) JP4300418B2 (zh)
TW (1) TW200540198A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101580580A (zh) * 2008-05-15 2009-11-18 日东电工株式会社 热固化性组合物
CN112759891A (zh) * 2020-12-28 2021-05-07 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及含有其的透明复合材料、层压板

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4803339B2 (ja) * 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
JP4614075B2 (ja) * 2005-03-22 2011-01-19 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置
JP4844732B2 (ja) * 2005-05-24 2011-12-28 信越化学工業株式会社 発光半導体装置
US20060270808A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
US20070092736A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20070092737A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US20070092636A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
US20070142573A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone hybrid resin composition and cured part
JP2007191697A (ja) * 2005-12-19 2007-08-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置
US7592399B2 (en) * 2005-12-19 2009-09-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device
EP1820824B1 (en) * 2006-02-20 2008-08-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat curable silicone composition
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US20070272934A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Kee Yean Ng LED device with improved life performance
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Led用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するled発光装置。
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
TW200831583A (en) * 2006-09-29 2008-08-01 Nippon Catalytic Chem Ind Curable resin composition, optical material, and method of regulating optical material
JP5480469B2 (ja) * 2006-10-31 2014-04-23 株式会社日本触媒 樹脂組成物、光学材料、及び、該光学材料の制御方法
US8330176B2 (en) 2007-02-13 2012-12-11 3M Innovative Properties Company LED devices having lenses and methods of making same
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
JPWO2008108326A1 (ja) * 2007-03-05 2010-06-17 積水化学工業株式会社 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
JP2008266609A (ja) * 2007-03-22 2008-11-06 Nippon Shokubai Co Ltd 透明樹脂組成物及びその硬化物
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
US7960192B2 (en) * 2007-09-14 2011-06-14 3M Innovative Properties Company Light emitting device having silicon-containing composition and method of making same
JP4623322B2 (ja) * 2007-12-26 2011-02-02 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法
US20090166665A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Lumination Llc Encapsulated optoelectronic device
JP5707662B2 (ja) * 2008-01-25 2015-04-30 デクセリアルズ株式会社 熱硬化型エポキシ樹脂組成物
JP4678415B2 (ja) * 2008-03-18 2011-04-27 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2010021533A (ja) * 2008-06-09 2010-01-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP2010018786A (ja) * 2008-06-09 2010-01-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP5099911B2 (ja) * 2008-09-11 2012-12-19 日東電工株式会社 熱硬化性組成物及び光半導体装置
JP5170765B2 (ja) * 2008-09-22 2013-03-27 日東電工株式会社 熱硬化性組成物及び光半導体装置
JP5526823B2 (ja) * 2009-02-24 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂で封止された光半導体装置
JP5499774B2 (ja) * 2009-03-04 2014-05-21 信越化学工業株式会社 光半導体封止用組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP5246880B2 (ja) * 2009-09-15 2013-07-24 信越化学工業株式会社 アンダーフィル材組成物及び光半導体装置
WO2011125753A1 (ja) * 2010-04-02 2011-10-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
JP2012049519A (ja) * 2010-07-26 2012-03-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
JP5971835B2 (ja) * 2010-08-23 2016-08-17 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを用いた発光ダイオード装置
JP2012059868A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
TWI410445B (zh) 2010-12-29 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 矽氧烷環氧樹脂透明組成物
JP2012149131A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5682497B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
EP2784128B1 (en) * 2011-11-25 2016-05-25 LG Chem, Ltd. Curable composition
JP2013124324A (ja) * 2011-12-15 2013-06-24 Mitsubishi Chemicals Corp 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物および該組成物を硬化させてなるポリオルガノシロキサン硬化物
CN104662086B (zh) * 2012-09-28 2018-04-17 三菱化学株式会社 热固性树脂组合物、其制造方法、树脂固化物的制造方法以及使环氧化合物发生自聚合的方法
JP6220133B2 (ja) * 2013-02-26 2017-10-25 京セラ株式会社 光半導体ケース成形用樹脂組成物及び光半導体用ケース
JP6194853B2 (ja) * 2014-06-06 2017-09-13 信越化学工業株式会社 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物、及び光半導体素子搭載用ケース
JP2016183225A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 京セラ株式会社 封止用液状透明樹脂組成物、ウエハレベルチップサイズパッケージ、及び半導体装置
JP6010210B2 (ja) * 2015-12-10 2016-10-19 株式会社カネカ 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびそれを用いた発光装置
CN107955380A (zh) * 2017-11-24 2018-04-24 李伟文 Led显示屏封装用环氧树脂组合物
EP3762465B1 (en) * 2018-03-08 2023-05-03 Dow Silicones Corporation Self-adhesive silicone elastomer
CN111394053B (zh) * 2020-03-03 2021-10-26 华南理工大学 一种带助焊功能非流动底部填充胶及其制备方法
JP7461321B2 (ja) 2021-05-12 2024-04-03 信越化学工業株式会社 シリコーンハイブリッド樹脂組成物および半導体装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2262407B1 (zh) * 1974-02-22 1977-09-16 Radiotechnique Compelec
US4082719A (en) 1976-02-23 1978-04-04 Dow Corning Corporation Silicone epoxy curable compositions
CA2066497A1 (en) * 1991-05-01 1992-11-02 Michael K. Gallagher Epoxy molding composition for surface mount applications
US5307438A (en) * 1992-08-13 1994-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Index matching compositions with improved DNG/DT
JPH0725987A (ja) 1993-07-14 1995-01-27 Nitto Denko Corp 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH1025417A (ja) * 1996-07-08 1998-01-27 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性液状組成物、その硬化物、および電子部品
IL120646A (en) * 1997-04-09 2002-02-10 Rafael Armament Dev Authority Binds for gluing and bundling of optical fibers
JP3241338B2 (ja) 1998-01-26 2001-12-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US6348960B1 (en) * 1998-11-06 2002-02-19 Kimotot Co., Ltd. Front scattering film
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
JP3910080B2 (ja) 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP3909826B2 (ja) 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP2002314139A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101580580A (zh) * 2008-05-15 2009-11-18 日东电工株式会社 热固化性组合物
CN101580580B (zh) * 2008-05-15 2013-03-27 日东电工株式会社 热固化性组合物
US8592533B2 (en) 2008-05-15 2013-11-26 Nitto Denko Corporation Thermosetting composition
CN112759891A (zh) * 2020-12-28 2021-05-07 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及含有其的透明复合材料、层压板

Also Published As

Publication number Publication date
TWI347957B (zh) 2011-09-01
JP4300418B2 (ja) 2009-07-22
US7276562B2 (en) 2007-10-02
JP2005314591A (ja) 2005-11-10
US20050244649A1 (en) 2005-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200540198A (en) Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device
JP4803339B2 (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
JP4614075B2 (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置
JP4586967B2 (ja) 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
KR101939408B1 (ko) Led의 리플렉터용 열경화성 실리콘 수지 조성물, 및 이를 이용한 led용 리플렉터 및 광반도체 장치
KR100848861B1 (ko) 실리콘 고무 조성물, 발광 반도체 피복/보호재 및 발광반도체 장치
JP4636242B2 (ja) 光半導体素子封止材及び光半導体素子
CN106103594B (zh) 有机硅凝胶组合物
JP5004433B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
JP4479882B2 (ja) 砲弾型発光半導体装置
KR101802736B1 (ko) 가교결합성 실리콘 조성물 및 그의 가교결합 생성물
TWI734899B (zh) 晶粒黏著用聚矽氧樹脂組成物及硬化物
US7592399B2 (en) Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device
KR20130112713A (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 광반도체 장치
JP4844732B2 (ja) 発光半導体装置
JP6313722B2 (ja) 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置
KR20190103457A (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치
JP6015864B2 (ja) 硬化性樹脂組成物
US20060270808A1 (en) Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
JP4822001B2 (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその硬化物
JP2007191697A (ja) エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置
TWI791554B (zh) 可固化有機聚矽氧烷組成物及光學半導體裝置
JP4479883B2 (ja) 発光半導体装置
TW202307136A (zh) 固化性矽酮組成物、密封劑以及光半導體裝置
TW202043420A (zh) 黏晶用有機改質矽氧樹脂組成物、其硬化物及光半導體元件