TW200527518A - Deposition system and deposition method - Google Patents

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200527518 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種成膜裝置及成膜方法，其係透過cvd 法在基板上形成鍺化梦膜。 【先前技術】 先前，電晶體的閘極電極向來使用矽，但隨著閘極絕緣 膜的薄膜化，對閘極電極施加偏壓電壓時閘極的空乏化等 已成為使裝置特性惡化的主要因素之一。今已判明，為解 决忒問題，可透過使用摻雜物的活化率高的鍺化矽代替 矽，來改善上述問題。 作為使此種鍺化石夕於半導體晶圓表面上成膜的方法，已 知有專利文獻！的方法。在該方法中，若參照圖9(專利文獻 1的圖1)，使用該專利文獻丨中的符號來說明，其在縱型熱 處理裝置的内膽2内的晶舟3的側面設置長度各不相同的單 鍺烷（GeHU)供給用之4個注入器12a〜12d，並在内膽2的下 又置供給預先混合甲矽烷（SiH4)和單鍺烷之混合氣體的 注入器13。另外，在專利文獻1之圖1中關於注入器12a〜12d 的記載有誤。 從該等注入器12a〜12d、13流入的原料氣體會朝向内膽2 的上部側流動，從上部通過内膽2和外筒丨之間而從下部排 氣。此處，若比較甲矽烷和單鍺烷的分解反應性，由於單 錯烧的分解反應性比曱石夕烧大，戶斤以單鍺烧的消耗量大。 因此，若從内膽2下部的注入器13供給曱矽烷與單鍺烷的 此口氣體，則在注入器丨3出口附近的晶圓（上流側的晶圓） 96524.doc 200527518 之膜厚及鍺濃度會大於位在遠離注入器出口位置的晶圓 (下流側的晶圓）。因此，在專利文獻i中，為了補償下流側 之錯的不足部分，設想出改變4個單鍺烷供給用注入器i2a 12d的面度予以配置之方法’但若著眼於互相上下鄰接的 氣體出口之間，則由於從下段側氣體出口流出的單鍺院會 立即以高分解率分解，所以位在下段側氣體出口附近之晶 圓會消耗較大量的單鍺烷，因此，下段側晶圓和上段側晶 圓之間，膜厚及鍺濃度的差變大，導致面間（晶圓間）的均一 性惡化。 在半導體裝置的薄膜化不斷進展的狀況下，為了得到較 同的良率，若要提高晶圓間的均一性，則必須使上段側氣 體供給口和下段側氣體供給口接近，在上述技術中，使用 多達4個注入器（12a〜12d)作為單鍺烷用注入器，但若如此 使用數量較多的注入器（在專利文獻！中使用12a〜ud、Η 共5個），則供給處理氣體的供給設備或控制氣體流量的質 量流量控制器等的設置個數將相對於注入器的個數而增 加，進而使得裝置成本提高。此外設置如此多的氣體供給 設備所需的空間也是個問題。 專利文獻1 曰本專利特開2〇03_77845號公報，圖ι及段落17。 【發明内容】 本發明係料上㈣㈣發而成，其目的在於提供一種 成膜裝置及成膜方法，其係在基板表面上形成鍺化石夕膜 時’就其膜厚或膜中的鍺濃度方面而言，可得到較高的面 96524.doc 200527518 間均一性。 本^月係種成膜裝置，其係使多片基板於反應管的長 度方向並列地保持在保持器具中而移入反應管内，透過加 熱手段加熱反應管内，使矽烷系氣體與單鍺烷氣體反應， 而在基板上形成鍺化矽膜，其特徵在於具備多個注入器， 其各則端部係沿基板的排列方向間隔設置，用於向處理區 域供給矽烷系氣體和單鍺烷氣體之混合氣體。 另外，另一發明係一種成膜裝置，其係使多片基板於反 應管的長度方向並歹〇也保持在保持具中而移入反應管 内，透過加熱手段加熱反應管内，使矽烷系氣體與單鍺烷 氣體反應，而在基板上形成鍺化㈣，其#徵在於具備注 入器’其係、沿其長度方向間隔穿設有多個氣體供給孔且配 置於基板的排列方向，用於向處理區域供給⑨n氣體及 單鍺烷氣體的混合氣體。 本發明中的單鍺烷氣體例如可以是以氫氣稀釋單鍺烷氣 體的氣體，但也包含未稀釋的情況。另外，在上述發明中， 也可進-步具備用於在鍺化石夕膜中摻雜雜質元素的推雜用 氣體之注入器’如此一來’即使不進行離子佈植處理，也 可在鍺化矽膜中摻雜雜質。 另外，另-發明係-種成臈方法，其係使我系氣體盘 單鍺烧氣體在反應管内反應，而在基板上形成鍺化石夕臈， 其特徵在於具備： 使多片基板以沿反應管的長度方向排列之方式並列保持 在保持器具中的步驟； ' 96524.doc 200527518 將該保持器具移入反應管内的步驟； 混合矽烷系氣體和單鍺烷氣體而得到混合氣體的步驟；及 從沿基板的排列方向間隔設置的多個氣體出口向處理區 域供給前述混合氣體的步驟。 發明之效果 藉由設置高度各不相同的多個注入器，預先混合矽烷系 氣體、單鍺烷氣體，並從各注入器供給至處理容器内，或 藉由將該混合氣體從例如分散型的注入器供給至處理容器 内，藉此單鍺烷經由矽烷系稀釋之後被供給至處理環境氣 體内，而使單鍺烷的分解反應受到抑制，所以就鍺化=膜 的膜厚及鍺濃度而言，可得到較高的面間（晶圓霤間）均一 性’同時有助於提高良率。 【實施方式】 根據附圖說明本發明的實施形態。圖i係表示本發明之實 施形怨的成膜裝置1的示意縱截面圖，圖2表示成膜 的配管圖。 ，成膜裝置1具備由具有耐熱性的材料、例如石英而形成縱 型圓筒狀的處理容器2。在該處理容器2的下端形成開口作 為爐口，在其開口部2丨周緣一體形成凸緣22。在處理容器2 的下方，設置石英製的蓋體3,其係抵接於前述凸緣U的下 面、將開口部21錢，且可透過未圖示的晶舟升降機沿上 下方向開閉。在蓋體3的中央部貫通設置旋轉軸3丨，在其上 端部搭載作為基板保持器具的晶舟4。 八 邊晶舟4具備3根以上例如4根支柱41，在前述支柱μ上形 96524.doc 200527518 成凹槽（溝槽），可將多 卞夕片、例如125片作為被處理體的半導 體晶圓（下面稱為晶# 守 ® )w保持成棚架狀。其中，125 W的保持區域中的上下不w a 日日圓 下兩、部係保持多片仿真晶圓，在1 間的區域保持製品晶圓。兑 _ 在則述旋轉軸3 1的下部，設置構 成使該旋轉軸31旋轉的驅動 ^勒哔之馬達32，因此，晶舟4藉由 馬達32而旋轉。另外，在 在盖體3上，包圍前述旋轉軸31而 置保溫裝置33。 ,前述處理容器2下部的凸緣22上，在其周方向上分別以 等間隔插入,又置用於向處理容器2内的晶圓W供給處理 體的卿〜第3U型的注入器51〜53。該等注入器51 相 氣 〜53設置成其長度π ’即料其氣體供給口的前端部（前 端開口）的高度位置互不相同。最低的第1注入器51的前端 邛例如設在位於晶舟4中的晶圓w的保持區域的下端附 近’中間的第2注\器52的前端部例如設在位於比前述晶圓 W的保持區域的中段稍低的部位；最高的第3注人器^的前 鳊。卩例如σ又在位於前述晶圓w的保持區域的最上段與第2 注入器52的前端部之間。另外，各注入器51〜53不只限於 圖1的配置，也可根據實驗結果等設定成適當的長度。為了 便於維濩，各注入器51〜53配置在處理容器2的周方向上靠 近同1個地方，在圖Ϊ中揭示成改變高度而貫穿於凸緣Μ 内’但也可以構成為橫向排列貫穿。 如圖2所示，在前述注入器51〜53的基端側，分別連接作 為氣體供給路徑的氣體供給管61〜63，在氣體供給管61的 基端側’分別連接分成2個系統的氣體供給管61a、61b，在 96524.doc -10- 200527518 氣體供給管62的基端側分別連接供給管62a、62b，在氣體 供給管63的基端側分別連接氣體供給管63&、63b。氣體供 給官61a、62a、63a連接矽烷系的氣體例如甲矽烷氣體的供 給源64，氣體供給管61b、62b、6%則連接單鍺烷氣體的供 給源65。在該例中，單鍺烧氣體制由氫稀釋成㈣的氣 體。另外，在流通甲矽烷氣體的氣體供給管61a、62a、63a 上，分別設置作為流量調整部的質量流量控制器7i〜73， 且在單鍺烷氣體流通的氣體供給管61b、62b、6补上，分別 設置質量流量控制器74〜76,從注入器51〜53供給的混合 氣體構成為可各自獨立調整甲錢氣體及單鍺燒氣體的流 量。另外，VI〜V12係閥門。 另外，在處理容器2的上方，形成用於從處理容器2内排 氣的排氣口 23。在該排氣口 23上連接有排氣管％，其具備 可將處理容器2内減壓排氣至期望的真空度之真空泵。及 壓力控制機構24。在處理容器2的周圍設有加熱爐％，其具 ，作為詩加熱處理容器2㈣加熱手段之加熱器Μ。:熱 器34係採用碳線加熱器，如此可實現污染少且高潔淨的製 程’並可實現迅速急冷升降溫度。 下面說明使用上述成膜裝置丨實施的成膜方法之一例。首 先’將特定片數之作為基板的晶圓w成棚架狀載置在晶舟4 中，藉由使未圖示的晶舟升降機上升而移入處理容器2内 (圖i的狀態）。在移入晶舟4並藉由蓋體3關閉凸緣Μ的下端 :口部之後’透過加熱加熱器34加熱，使處理容器2内的溫 度穩定在例如設定為35(rc〜65(rc範圍内的製程溫度。之 96524.doc 11 200527518 後，介以作為混合部件的氣體供給管6丨〜64及注入器5i〜 53混合分別來自曱矽烷氣體的供給源65及單鍺烷氣體的供 給源66之曱矽烷氣體及單鍺烷氣體，將其混合氣體從各注 入器5 1〜5 3的前端供給口供給至處理容器2内。 再者，經由排氣管26，藉由真空泵25將反應容器内真空 排氣，透過壓力控制機構24將處理容器2内的壓力調整為例 如10 Pa〜130 Pa的減壓環境氣體。 作為處理氣體的甲矽烷氣體及單鍺烷氣體之混合比在各 注入器5 1〜53中各不相同，注入器5丨中的混合比為甲矽烷 氣體··單鍺烷氣體=1200 sccm ·· 600 sccm、注入器52中的混 合比為曱石夕烧氣體··單鍺烷氣體=3〇〇 sccrn : 19〇 sccm、注 入态53中的混合比為甲矽烷氣體：單鍺烷氣體=3〇〇 sccm : 220 sccm。另外，如上所述，此處記載的單鍺烷氣體係用 氫將單鍺燒稀釋成1 〇Q/。的氣體。如此供給至處理容器2内的 甲矽烷氣體及單鍺烷氣體會熱分解，而在晶圓…的表面形 成鍺化矽膜。此時，晶舟4係藉由馬達32旋轉。如此，進行 特疋時間之成膜處理之後，停止供給處理氣體，用非活性 氣體置換處理容器2内的環境氣體，置換處理容器2内，並 k處理容器2内移出晶舟4。另外，對移出的晶圓w進行後 績的離子佈植處理，在鍺化矽膜中摻雜雜質元素例如磷或 蝴’而構成例如閘極。 根據上述實施形態，具有如下效果。由於單鍺烷活性能 里低、分解反應性大，所以若從底部向處理容器2内單獨供 給單鍺烷，則在晶舟4的上段側之單鍺烷不足，但因設置相 96524.doc -12- 200527518 互高度不同的3個注入器5 1〜53，所以從設置於底部的注入 器51供給的單鍺烧的不足部分可藉由來自注入器52、53的 單鍺烷得以補償。而且，由於非分別 鍺烧氣體，而是預先加以混合而從各注入器5〗〜53供給至 處理容器2内，亦即單鍺烷採用由活性化能量小、分解反庶 性低的甲石夕烧稀釋後供給至處理環境氣體内的形態，所以 單錯烧的分解反應會受到甲矽烷抑制。因此，若著眼於各 注入器51〜53的前端出口之間的區域，則從下側的注入器 (51或52)的出口喷出之混合氣體中的單鍺烷在到達上側的 注入器（52或53)之前的過程中雖然會被分解消耗，但因單鍺 烧的分解反應性受到抑制，所以即便下方晶圓料單錯院 的消耗量比上方晶圓W者大，其差也被控制得較小，盆： 果，就錯化石夕膜的膜厚及錯的濃度方面，可得到較高的= 間（晶圓W間）均-生，而有助於提高良率。 ,入器的個數不只限於3個，也可係是2個或4個以上，盆 數量係對應於晶圓w的裝 八 戒戟片數（日日®貿的保持區域的長 度）或要求的面間均一性耸忠 — 底邱仳认田 來5又疋。而若將從處理容器2的 底部供給甲矽烷、或從各 ^ 4 ii i- i- - ^ 7刀別供給單鍺烷氣體 芏虼理ί衣境氣體之方法盥 ^ 一 與本發明的方法相比較，則在簞缺 烷之鬲分解反應性對下A 、 卜4側（上流側）晶圓和 侧)晶圓之間的膜厚差或鍺、… W #上4側(下流 丟*錯泰度差的影響較小的方面上來 看，本發明的方法較為有利。 π万面上； 換言之，若要使用前者 f的方法和本發明的t、、J^e , 的面間均-性，則本發 月的方法传到相同 ，月的方法因注入器的數量少，從而 96524.doc 200527518 氣體配管系統的數量可減少，所以設備成本低，設置空間 也小。另外，鍺化矽膜如後述的圖8所示，製程溫度越高， 得到的特性越好，但因製程溫度變高則單鍺烷的分解反應 性變大，所以實際上製程溫度不能過高。此處，根據本： 明，由於單鍺烧已用曱石夕燒稀釋，所以即便在3 〇它以上例 如540°C的高溫下進行製程，也可得到充分的面間均一性。 如此’由於具有製程溫度高、晶圓尺寸大口徑化、且成批 處理片數多等趨勢，所以本發明非常有效。另外，所謂製 程溫度是指例如係製品晶圓保持區域中晶圓排列方向中央 部的設定溫度。 在上述實施形態中，作為沿晶圓W的排列方向、從多個 位置向處理環境氣體内供給處理氣體（混合氣體）的方法，乃 使用長度不同的多個注入器，但本發明不限於此種結構， 如圖3所示，亦可使用具備排列於其長度方向上的多個氣體 供給孔81之分散型注入器8，例如將各氣體供給孔“相對於 晶舟4而穿設在對應於相鄰晶圓w之間的位置，從該等供給 孔8 1向處理環境氣體分散供給處理氣體。另外，該情形下 也可採用以越靠近上部側（下流側）者孔徑越大之方式形成 形成氣體供給孔81，裨便在高度方向上均一地供給處理氣 體。 另外，矽烷系氣體不限於甲矽烷氣體，也可以是乙矽烷 (ShHJ氣體、二氯石夕烧（SiH2Cl2)氣體、四氣石夕燒（sici4)氣 體、六氯矽烷（ShCU)氣體、六乙胺基乙矽烷氣體、六甲基 乙矽氨烷氣體、二甲矽烷基胺氣體、三甲矽烷基胺氣體， 96524.doc • 14- 200527518 二第三丁基胺基矽烷氣體等。並且，透過本發明的 膜于到=切料以聚鍺切膜，也可以是非晶錯化石夕 來：二了藉由離子佈植在錯切膜中打入雜質元素 木^成閘極電極以外 會α ★ 电？ 乂外，亦可在上述成膜裝置1中設置例如！ 條摻雜用氣體供仏总 .,._ + — ° S，在成膜時，從晶舟4的下部側供給摻 〃用體例如-化氫氣體或三氯化删’而在鍺化石夕膜中推 雜鱗或侧。 、夕 實施例 下面，說明用以確認本發明之效果而進行的實驗。 (實施例1) 使用與已述的成膜裝置！相同類型的成膜裝置，在晶圓^ 表面形成鍺化矽膜。注入器51〜53的出口高度分別設定在 對應於晶舟4的各溝槽編號「82」、「46」、「2〇」的位置上。 成膜時的製程條件及膜厚如下： [鍺化矽膜的製程條件] •設定溫度：540°C •設定壓力：47 Pa •每個注入器的流量比：（甲矽烷氣體：單鍺烷氣體） 第1注入器51的流量比：1200 seem:600 seem 第2注入器52的流量比：300 seem: 190 seem 弟3 >主入器53的流量比：300 seem:200 seem 其中’單鍺烷氣體使用由氫稀釋至10%的氣體。 取出透過本實施例形成錯化石夕膜的晶圓，測定錯化石夕膜 的膜厚、其面内均一性及面間均一性，並用圖4所示的圖表 96524.doc -15- 200527518 ’測定鍺化矽膜中的錯濃 用圖5所示的圖表表示錯 表不膜厚和其面内均一性。另外 度、其面内均一性及面間均一性， 濃度和其面内均一性。 在圖4的圖表中，縱座標表示鍺化石夕膜的膜厚（⑽)和膜严 勺面内均_性(±%)。另外，圖表中的♦表示測定的膜厚 内9點的平均值)，_表示其面内均一性。在圖5的圖表中， 。縱座標表示錯化㈣中的鍺漠度（atm%)和其面内均一性（士 %)另外，圖表中的♦表示測定的膜中之錯濃度（面内$點 的平均值)’_表示其面内均一性。•表示吹出氣體的位置。 而圖4、圖5的圖表之橫座標表示晶舟4的溝槽位置（溝槽 編號）。如圖4可知，測定的各晶圓W之鍺化矽膜的膜厚為7〇 nm至75 nm之間。另外，膜厚的面内均一性為±15%〜土3』％ 之間，膜厚的面間均一性係±1.27%。另外，分別在下式中 表示面内均一性及面間均一性： 面内均一性={(Tmax-Tmin)/2X}xl〇〇 (〇/〇) 但是，Tmax係測定點中的最大值，測定點十的最 小值，X係測定值（膜厚或濃度）的平均值。 面間均一性=Kmax-Kmin/2Yxl00 (%) 其中，Kmax係所有監視晶圓中的膜厚或濃度的平均值之 最大值，Kmin係所有監視晶圓中的膜厚或濃度的平均值之 最小值，Y係相對於每個晶圓的平均值之所有晶圓的平均 值0 在圖5中，測定的各晶圓…的鍺化矽膜中之鍺濃度為21〜 23 atm%。另外’錯濃度的面内均一性為士1%〜土2%之間， 96524.doc -16- 200527518 鍺濃度的面間均一性係:t2.1 8%。 比較例 (比較例1) 為了與已述的實施例進行比較，除將處理容器2内設置的 〆主入器改為1個外，其餘均與實施例相同而進行鍺化石夕膜成 膜 /主入器的出口兩度在比晶舟4的最下段（溝槽編號12 5) 稍下方的位置。將如此成膜的晶圓W作為比較例1。 (比較例2) 除了在處理容器2内使用其出口高度位置對齊的2個注入 器，個別向處理環境氣體供給甲矽烷氣體和單鍺烷氣體以 外’其餘均與比較例1相同而在晶圓w上形成鍺化石夕膜。 針對該等比較例1、2的晶圓，測定鍺化矽膜的膜厚、其 面内均一性及面間均一性，另外並測定鍺化矽膜中之鍺濃 度、其面内均一性及面間均一性。結果如圖6、圖7所示。 在圖6的圖表中，縱座標表示鍺化矽膜的膜厚和膜厚 的面内均一性（±%)。另夕卜，圖表中的〇及X分別表示比較 例1及2的膜厚（面内9點的平均值），□及◊分別表示比較例^ 及2的膜厚的面内均—性。在圖7的圖表中’縱座標表示錯 化矽膜中的鍺濃度（atm%)和其面内均一性（土％)。另外，圖 表中的〇及X分別表示比較例以2的鍺濃度（面内5點的平 均值）’ □及◊分別表示比較咖的錯濃度的 性。 從圖6可知，測 1中為40 nm至55 定的各晶圓W之鍺化矽的膜厚，在比較例 ηΐΏ之間，在比較例2中為40 11!21至60 ηΐΏ2 96524.doc 200527518 間。另外’膜厚的面内均一性，在比較例1中為士 1 .2%〜土2〇/〇 之間，在比較例2中為±1.2%〜±1.5%之間。膜厚的面間均一 性’在比較例1中係士 1 〇 · 3 4 %，在比較例2中係± 1 9 · 8 9 %。 在圖7中’測定的各晶圓w之鍺化矽膜中的鍺濃度，在比 較例1中為1 5〜1 8 atm%，在比較例2中為1 5〜22 atm%。另 外’錯〉辰度的面内均一性，在比較例1中為± 〇 5 %〜土 1 %之 間，在比較例2中為之間。鍺濃度的面間均一 I4生，在比較例1中係土7.74%，在比較例2中係±1 5.14%。 比較例1相較於實施例丨，就膜厚及鍺濃度而言其面内均 一性稍好’但就面間均一性而言則明顯不及。 另外，個別向處理容器2内供給單鍺烷氣體和甲矽烷氣體 的比較例2可推論如下。與比較例# t匕，比較例2的面内均 I*生車乂差，這疋由於上流侧（晶舟4的下部側）之膜厚及鍺濃 度特別向之緣故。 換言之，若單獨向處理區域内供給單錯烧氣體，則由於 注入器吹出的曱石夕

(實施例2) 剛從注入吹出的單鍺烷氣體被從其他注 烧氣體稀釋的程度小，所以單鍺烷的消耗 鍺燒氣體上升’會逐漸與甲钱氣體混合 96524.doc 200527518 如圖8所示，除了在矽基板上形成3咖 後將製程溫度設定在510t、55〇t及㈣。、，、邑緣媒之 實施例相同而形成鍺化矽膜其餘均與 A出各膜的電性換曾膜 厚。另外，在圖8中，也一併印都 r、 戶。…士…、 多晶矽膜的電性換算膜 予〇 ^、’’D e D，成膜溫度高則電性換算膜厚變小，此 意味著可降低電晶體導通時之間極空之化。可知鍺化石夕膜 的成膜溫度較佳係如已述設在例如35代以上’ 、 :膜質“ ’高溫比較有利。而本發明之技術即便當：膜 溫度變商使單鍺烧的分解性變大之情況下，就膜厚及單鍺 烧濃度而言，仍可確保高的面間均一性’故作為使用錄化 石夕膜的半導體裝置之製造技術可說非常有效。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之實施形態中的成膜裝置之縱截面圖及配 管圖。 圖2係圖1之成膜裝置之配管圖。 圖3係本發明之其他實施形態中的成膜裝置之縱截面圖 及配管圖。 圖4係表不由實施例1得到的鍺化矽膜之膜厚及其面内均 一性之圖表。 圖5係表示由實施例1得到的鍺化矽膜膜中之鍺濃度及其 面内均一性之圖表。 ® 6係表示由比較例1及比較例2得到的鍺化矽膜之膜厚 及其面内均一性之圖表。 圖7係表示由比較例1及比較例2得到的鍺化矽膜之膜中 96524.doc -19- 200527518 的鍺濃度及其面内均一性之圖表。 圖8係表示鍺化矽膜的成膜溫度與電性膜厚的關係之特 性圖。 圖9係表示用於形成鍺化矽膜的先前裝置之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 成膜裝置 2 處理容器 3 蓋體 4 晶舟 8 分散型注入器 21 開口部 22 凸緣 23 排氣口 24 壓力控制機構 25 真空泵 26 排氣管 31 旋轉軸 32 馬達 33 保溫裝置 34 加熱器 35 加熱爐 41 支柱 51 注入器 52 注入器 96524.doc -20- 200527518

53 61 81 W 注入器 64 氣體供給管 氣體供給孔 晶圓

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Claims (1)

1. 200527518 十、申請專利範圍： 1. -種成膜裝置’其係使多片基板於反應管的長度方向並 列地保持在保持器具中而移入反應管内，藉由加熱手段 加熱反應管内’使石m氣體與單鍺㈣體反應而在基 板上成膜鍺化矽膜，其特徵在於包含： 多個注入器，其各前端部係沿基板的排列方向間隔設 置，用於向處理區域供給石夕⑨系氣體及單錯⑥氣體之混 合氣體。 2· —種成膜裝置，其係使多片基板於反應管的長度方向並 列地保持在保持器具而移人反應管内，藉由加熱手段加 熱反應管内，使石夕烷系氣體與單鍺烷氣體反應而在基板 上成膜鍺化石夕膜，其特徵在於包含： 注入斋，其係沿其長度方向間隔穿設有多個氣體供給 孔且配置於基板的排列方向，用於向處理區域供給矽烷 系氣體及單鍺烷氣體之混合氣體。 3·如請求項_之成膜裝置，其中進—步包“於在錯化 矽膜中摻雜雜質元素的摻雜用氣體之注入器。 4·=種成膜方法，其係使㈣系氣體與單鍺烧氣體在反應 官内反應而在基板上形成鍺化矽膜，其特徵在於包含： 使多片基板以沿反應管的長度方向排列之方式並列保 持在保持器具之步驟； 將該保持器具移入反應管内之步驟； 奶合矽烷系氣體及早鍺烷氣體而得到混合氣體之步 驟；及 96524.doc 200527518 從沿基板的排列方向間隔設置之多個氣體出口向處理 區域供給前述混合氣體之步驟。 96524.doc