JP2019047027A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム Download PDF

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秀成 吉田
隆史 佐々木
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隆史 佐々木
英俊 三村
Hidetoshi Mimura
英俊 三村
優作 岡嶋
Yusaku Okajima
優作 岡嶋
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Abstract

【課題】基板の面間均一性を向上させることが可能となる。【解決手段】プロダクトウエハ支持領域の上下にダミーウエハ支持領域を有する基板保持具と、基板保持具を収容する処理室と、基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルとノズルに設けられたガス供給孔とを有して基板保持具へのガス供給を行うガス供給部と、処理室の雰囲気を排気する排気部と、を備える基板処理装置において、ガス供給孔は、ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に上端が位置するように構成されている。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
半導体装置（デバイス）の製造工程では、例えば、複数枚の基板を一括して処理する縦型の基板処理装置が使用されている。縦型の基板処理装置は、複数枚の基板に沿って上下方向に延伸する多孔ノズルを用いて、各基板に対してガスを供給するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−６５５１号公報
しかしながら、従来構成の基板処理装置では、各基板の面間において、処理状況が不均一になってしまうおそれがある。
本開示は、基板の面間均一性を向上させることが可能な技術を提供する。
一態様によれば、
パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室と、
前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有して前記基板保持具へのガス供給を行うガス供給部と、
前記処理室の雰囲気を排気する排気部と、を備え、
前記ガス供給孔は、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されている
技術が提供される。
本開示に係る技術によれば、基板の面間均一性を向上させることができる。
本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられる処理炉の一例を概略的に示す平面図である。 本発明の実施形態で好適に用いられるノズルの一例を概略的に示す模式図である。 ウエハに対するガスの流れの概念の一例を示す説明図である。 ウエハに対してガス供給を行った際のガス分圧分布のシミュレーション結果の一例を示す説明図である。
＜本発明の一実施形態＞
以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。なお、以下に示す全図面中において、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
（１）基板処理装置の構成
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成について説明する。
ここで例に挙げて説明する基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として、成膜処理等の基板処理工程を実施するためのもので、複数枚の基板を一括して処理する縦型の基板処理装置（以下、単に「処理装置」と称する。）２として構成されている。
（反応管）
図１に示すように、処理装置２は、円筒形状の反応管１０を備えている。反応管１０は、例えば石英や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性および耐蝕性を有する材料によって形成されている。
反応管１０の内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４が形成される。一方、反応管１０の外周には、加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２が設置され、これにより処理室１４内を加熱し得るように構成されている。
また、図２に示すように、反応管１０には、ガス供給室としての供給バッファ室１０Ａと排気バッファ室１０Ｂが、それぞれ対面した状態で外方に突出するように形成されている。供給バッファ室１０Ａ内および排気バッファ室１０Ｂ内は、隔壁１０Ｃによって複数の空間に区画されている。供給バッファ室１０Ａ内の各区画には、後述するノズル４４ａ，４４ｂがそれぞれ設置される。供給バッファ室１０Ａおよび排気バッファ室１０Ｂの内壁側（処理室１４側）には、複数の横長形状のスリット１０Ｄがそれぞれ形成されている。供給バッファ室１０Ａの側壁および隔壁１０Ｃにおける処理室１４側の端縁近傍部分１０Ｅは、後述する理由により、角状ではなく丸みを帯びて形成され、これにより供給バッファ室１０Ａにおける処理室１４側の出口部分が平面視したときにテーパ状に広がるように構成されていることが好ましい。なお、反応管１０には、温度検出器としての温度検出部１６が、反応管１０の外壁に沿って立設されている。
また、図１に示すように、反応管１０の下端開口部には、円筒形のマニホールド１８が、Ｏリング等のシール部材２０を介して連結され、反応管１０の下端を支持している。マニホールド１８は、例えばステンレス等の金属材料により形成されている。マニホールド１８の下端開口部は円盤状の蓋部２２によって開閉される。蓋部２２は、例えば金属材料により形成されている。蓋部２２の上面には、Ｏリング等のシール部材２０が設置されており、これにより反応管１０内と外気とが気密にシールされている。蓋部２２上には、中央に上下に亘って孔が形成された断熱部２４が載置されている。断熱部２４は、例えば石英により形成されている。
（処理室）
このような反応管１０の内部に形成される処理室１４は、基板としてのウエハＷを処理するためのもので、その内部に基板保持具としてのボート２６を収容するように形成されている。つまり、処理室１４は、ボート２６の外周側を囲う円筒部１４ａと、その円筒部１４ａの上端を塞ぐ平板上の蓋体１４ｂと、円筒部１４ａの側部から外方に突出するように遮断空間である供給バッファ室１０Ａを形成してノズル４４ａ，４４ｂを収容する格納体１４ｃと、これとは反対の側部から外方に突出するように遮断された排気通路である排気バッファ室１０Ｂを形成するダクト体１４ｄとが、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性および耐蝕性を有する材料によって一体に形成されてなるものである。
なお、処理室１４を構成する円筒部１４ａの径は、円筒部１４ａと同軸に保持されるウエハＷ（特に後述するプロダクトウエハＷｐ）と円筒部１４ａとの隙間にノズル４４ａ，４４ｂを配することができない程度に小さくなるように構成されているものとする。
（ボート）
処理室１４に収容される基板保持具としてのボート２６は、複数枚、例えば２５〜１５０枚のウエハＷを、垂直方向に棚状に支持するものである。ボート２６は、例えば石英やＳｉＣ等の材料よって形成されている。
ボート２６は、図３に示すように、ウエハＷを支持するための領域として、プロダクトウエハ支持領域２６ａ、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃを有している。プロダクトウエハ支持領域２６ａは、パターンが形成されたプロダクトウエハＷｐを複数積層した状態で支持する領域である。上方ダミーウエハ支持領域２６ｂは、プロダクトウエハ支持領域２６ａの上方側にて、パターンが形成されていないダミーウエハＷｄを支持する領域である。下方ダミーウエハ支持領域２６ｃは、プロダクトウエハ支持領域２６ａの下方側にて、パターンが形成されていないダミーウエハＷｄを支持する領域である。
また、ボート２６は、図１に示すように、蓋部２２および断熱部２４を貫通する回転軸２８により、断熱部２４の上方に支持される。蓋部２２の回転軸２８が貫通する部分には、例えば、磁性流体シールが設けられ、回転軸２８は蓋部２２の下方に設置された回転機構３０に接続される。これにより、ボート２６は、処理室１４の内部を気密にシールした状態で、回転機構３０によって回転可能に支持されることになる。
蓋部２２は、昇降機構としてのボートエレベータ３２により、上下方向に駆動される。これにより、ボート２６は、ボートエレベータ３２によって蓋部２２と一体的に昇降され、反応管１０の内部に形成される処理室１４に対して搬入出されることになる。
（ガス供給部）
処理装置２は、基板処理に使用されるガスを処理室１４内のボート２６に供給するガス供給部としてのガス供給機構３４を備えている。ガス供給機構３４が供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４は、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。
原料ガス供給部は、図示しない原料ガス供給源に接続されたガス供給管３６ａを備えている。ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａは、マニホールド１８の側壁を貫通するノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、供給バッファ室１０Ａ内に上下方向に沿って延伸するように立設されたチューブ状（管状）のもので、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口するガス供給孔としての縦長形状のスリット４５ａが形成されている。このような構成の原料ガス供給部は、ノズル４４ａのスリット４５ａを通して供給バッファ室１０Ａ内に原料ガスを拡散させ、供給バッファ室１０Ａのスリット１０Ｄを介してウエハＷに対して原料ガスを供給する。ノズル４４ａの詳細については後述する。
反応ガス供給部は、原料ガス供給部と同様に構成され、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂおよびバルブ４０ｂを有しており、ノズル４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して、図示しない反応ガス供給源からの反応ガスをウエハＷに対して供給する。ノズル４４ｂは、供給バッファ室１０Ａ内に上下方向に沿って延伸するように立設されたチューブ状（管状）のもので、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数のガス供給孔４５ｂが形成されている。
不活性ガス供給部は、供給管３６ａ，３６ｂに接続される供給管３６ｃ，３６ｄ、その供給管３６ｃ，３６ｄに設けられたＭＦＣ３８ｃ，３８ｄおよびバルブ４０ｃ，４０ｄを有しており、ノズル４４ａ，４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して、図示しない不活性ガス供給源からの不活性ガスをキャリアガスまたはパージガスとしてウエハＷに対して供給する。
また、不活性ガス供給部は、蓋部２２を貫通する供給管３６ｅ、その供給管３６ｅに設けられたＭＦＣ３８ｅおよびバルブ４０ｅを有しており、処理室１４内に供給されたガスが断熱部２４の側に回り込むのを防ぐべく、図示しない不活性ガス供給源からの不活性ガスを反応管１０の内部に供給する。
（排気部）
反応管１０には、排気バッファ室１０Ｂに連通するように、排気管４６が取り付けられている。排気管４６には、処理室１４内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ５０を介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２が接続されている。このような構成により、処理室１４内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。
（コントローラ）
回転機構３０、ボートエレベータ３２、ガス供給機構３４のＭＦＣ３８ａ〜３８ｅおよびバルブ４０ａ〜４０ｅ、ＡＰＣバルブ５０には、これらを制御するコントローラ１００が電気的に接続されている。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成されている。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。
また、コントローラ１００には、記憶媒体としての記憶部１０４が接続されている。記憶部１０４には、処理装置２の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置２の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（「レシピプログラム」ともいう）が、読み出し可能に格納される。
記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピプログラムに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。
（２）基板処理の手順
次に、半導体装置の製造方法の一例として、上述の処理装置２を用い、基板としてのウエハＷ上に膜を形成する処理（成膜処理）を行う場合の基本的な手順について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとしてのＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６：ヘキサクロロジシラン）ガスと、反応ガスとしてのＮＨ３（アンモニア）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン窒化（ＳｉＮ）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。
（ウエハチャージおよびボートロード）
ウエハＷに対する処理にあたっては、先ず、ボート２６へのウエハＷの装填（ウエハチャージ）を行う。このとき、ボート２６における上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃにはダミーウエハＷｄを装填し、その間に位置するプロダクトウエハ支持領域２６ａにはパターンが形成されたプロダクトウエハＷｐを装填する。プロダクトウエハＷｐの上下にダミーウエハＷｄを配置するのは、後述するように、各プロダクトウエハＷｐの面間で処理状況が不均一になってしまうのを回避して、各プロダクトウエハＷｐの面間均一性を向上させるためである。ダミーウエハＷｄの装填枚数（上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃの領域範囲）については、特に限定されるものではなく、適宜設定されたものであればよい。なお、ダミーウエハＷｄとしては、パターンが形成されていないベアウエハを使用することが考えられる。
プロダクトウエハＷｐおよびダミーウエハＷｄがボート２６の各領域に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２６は、ボートエレベータ３２によって処理室１４内に搬入（ボートロード）される。そして、反応管１０の下部開口は、蓋部２２によって気密に閉塞（シール）された状態となる。
（圧力調整および温度調整）
ウエハチャージおよびボートロードの後は、処理室１４内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２によって真空排気（減圧排気）がされる。処理室１４内の圧力は、圧力センサ４８で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０がフィードバック制御される。また、処理室１４内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２によって加熱される。この際、処理室１４が所定の温度分布となるように、温度検出部１６が検出した温度情報に基づきヒータ１２への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０によるボート２６およびウエハＷの回転を開始する。
（成膜処理）
処理室１４内の温度が予め設定された処理温度に安定したら、処理室１４内のウエハＷに対して成膜処理を行う。成膜処理は、原料ガス供給工程、原料ガス排気工程、反応ガス供給工程、反応ガス排気工程の各工程を経て行う。
［原料ガス供給工程］
先ず、処理室１４内のウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給する。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａ、ノズル４４ａおよびスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
このとき、ノズル４４ａを収容する供給バッファ室１０Ａの出口部分がテーパ状に構成されていれば、ＨＣＤＳガスがスリット１０Ｄから排出される際の乱流を抑制することができる。例えば、供給バッファ室１０Ａにおける出口側の端縁近傍部分１０Ｅが丸みを帯びてなく角状のままであると、乱流が平面視したときの側面方向だけでなく各ウエハＷが積載された垂直方向にも発生する可能性があり、これにより垂直方向におけるガス供給量の不均一が生じてしまうおそれがある。これに対して、供給バッファ室１０Ａの出口部分がテーパ状であれば、ＨＣＤＳガスがスリット１０Ｄから排出される際の乱流を抑制することができるので、各ウエハＷの面間へのガス供給量を均一にすることができる。
［原料ガス排気工程］
次に、ＨＣＤＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。このとき、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
［反応ガス供給工程］
次に、処理室１４内のウエハＷに対してＮＨ３ガスを供給する。ＮＨ３ガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂ、ノズル４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
このとき、ノズル４４ｂを収容する供給バッファ室１０Ａの出口部分がテーパ状に構成されていれば、ＮＨ３ガスがスリット１０Ｄから排出される際の乱流を抑制することができる。例えば、供給バッファ室１０Ａにおける出口側の端縁近傍部分１０Ｅが丸みを帯びてなく角状のままであると、乱流が平面視したときの側面方向だけでなく各ウエハＷが積載された垂直方向にも発生する可能性があり、これにより垂直方向におけるガス供給量の不均一が生じてしまうおそれがある。これに対して、供給バッファ室１０Ａの出口部分がテーパ状であれば、ＮＨ３ガスがスリット１０Ｄから排出される際の乱流を抑制することができるので、各ウエハＷの面間へのガス供給量を均一にすることができる。
［反応ガス排気工程］
次に、ＮＨ３ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定組成および所定膜厚のＳｉＮ膜を形成した後は、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４内の雰囲気がＮ２ガスに置換されるとともに、処理室１４の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２により蓋部２２が降下されて、ボート２６が反応管１０から搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６より取出される（ウエハディスチャージ）。
ウエハＷにＳｉＮ膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）：１Ｐａ〜４０００Ｐａ、
ＨＣＤＳガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
ＮＨ３ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ２ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
（３）ガス供給のための詳細構成
次に、処理室１４内へのガス供給を行うための構成、特にガス供給を行うノズル４４ａ，４４ｂについて、その詳細を具体的に説明する。
（ダミーウエハ装填）
上述したように、処理室１４内へのガス供給を行う場合には、その処理室１４内にボート２６が搬入される。そして、そのボート２６には、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃのそれぞれにダミーウエハＷｄが装填されている。
このような装填状態のボート２６においては、図４に示すように、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も上方のダミーウエハＷｄの上側にそのダミーウエハＷｄと隣り合うようにボート２６の天板２６ｄが位置し、下方ダミーウエハ支持領域２６ｃで支持される最も下方のダミーウエハＷｄの下側にそのダミーウエハＷｄと隣り合うようにボート２６の底板２６ｅが位置することになる。
ところで、ガス供給を行う場合、一般的に、ガスの進行方向に障害物があると、その障害物に衝突したガスの乱流が発生する。発生する乱流は、衝突面積によって大きさが変わる。例えば、ボート２６の天板２６ｄに衝突した場合と、ウエハＷに衝突した場合とでは、衝突面積の大きさが異なることから、発生する乱流の大きさもそれぞれの箇所で異なるものとなる。
仮に、ダミーウエハＷｄを装填せず、天板２６ｄの隣接領域までプロダクトウエハＷｐを装填した場合には、発生する乱流の大きさの違いに起因して、ボート２６の最上部（天板２６ｄのすぐ下）に支持されるプロダクトウエハＷｐと、ボート２６の上下方向の中央部付近に支持されるプロダクトウエハＷｐとで、ガスの供給量に相違が生じてしまうおそれがある（図４中Ａ部参照）。このようなガス供給量の相違は、ボート２６における各プロダクトウエハＷｐの面間での処理状況の不均一性を招く要因となり、プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まりの低下に繋がるため、その発生を未然に回避すべきである。
このことは、ボート２６における天板２６ｄの近傍のみならず、ボート２６における底板２６ｅの近傍についても、同様である（図４中Ａ´部参照）。
そこで、本実施形態においては、乱流の大きさの違いの影響を受け易い領域である上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃのそれぞれにダミーウエハＷｄを配することで、各プロダクトウエハＷｐへのガス供給量の面間均一性を向上させ、これにより各プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まり低下を抑制している。
（ノズル端の位置）
上述したように、本実施形態においては、乱流の大きさの違いの影響がプロダクトウエハＷｐに及ぶのを回避すべく、ダミーウエハＷｄを利用している。ただし、ダミーウエハＷｄを利用しただけでは、必ずしもプロダクトウエハＷｐの面間の不均一性を完全に是正し得るとは限らない。
面間不均一性を是正するためには、例えば、ガスの流れをボート２６の天板２６ｄまたは底板２６ｅには衝突させないようにして、乱流の大きさの違いが生じないようにすることが有効と考えられる。そこで、本実施形態においては、処理室１４内へのガス供給を行うノズル４４ａ，４４ｂが、以下に述べるように構成されている。
具体的には、図３（ａ）に示すように、ノズル４４ａにおいて、そのノズル４４ａに設けられたガス供給孔としてのスリット４５ａの上端４６ａが、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も上方のダミーウエハＷｄよりも低い位置に配されている。ここで、「上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も上方のダミーウエハＷｄよりも低い位置」とは、ガスの流れがボート２６の天板２６ｄによる乱流の影響を受けない位置のことである。
さらに、ノズル４４ａにおいて、そのノズル４４ａに設けられたガス供給孔としてのスリット４５ａの下端４７ａが、下方ダミーウエハ支持領域２６ｃで支持される最も下方のダミーウエハＷｄよりも高い位置に配されている。ここで、「下方ダミーウエハ支持領域２６ｃで支持される最も下方のダミーウエハＷｄよりも高い位置」とは、ガスの流れがボート２６の底板２６ｅによる乱流の影響を受けない位置のことである。
また、図３（ｂ）に示すように、ノズル４４ｂにおいても、そのノズル４４ｂに設けられた複数のガス供給孔４５ｂの上端４６ｂが、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も上方のダミーウエハＷｄよりも低い位置に配されている。
さらに、ノズル４４ｂにおいて、そのノズル４４ｂに設けられた複数のガス供給孔４５ｂの下端４７ｂが、下方ダミーウエハ支持領域２６ｃで支持される最も下方のダミーウエハＷｄよりも高い位置に配されている。
かかる構成のノズル４４ａ，４４ｂであれば、ボート２６の天板２６ｄまたは底板２６ｅに衝突するガスの乱流の影響を受け難くすることができる。したがって、プロダクトウエハＷｐの面間不均一性を是正する上で非常に有効なものとなる。
また、かかる構成のノズル４４ａ，４４ｂは、以下の点においても、プロダクトウエハＷｐの面間不均一性を是正する上で有効である。
例えば、ボート２６に支持されるプロダクトウエハＷｐが高アスペクト比のパターンウエハの場合、パターン倍率に比例してガス消費量が増える。このようなパターンウエハを忠実に模擬するダミーウエハを維持することはコスト的に困難である。そのため、実際には、ダミーウエハＷｄとして、プロダクトウエハＷｐに比べ単位面積当たりのガス消費量が少ないものが用いられる。つまり、プロダクトウエハＷｐについてはガス消費量が多いのに対して、ダミーウエハＷｄについてはガス消費量が少ないものが用いられる。
したがって、プロダクトウエハ支持領域２６ａではガス消費が増大してガスが不足気味になる一方で、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃではガス消費が少なく余剰ガスが発生する。その結果、余剰ガスによって上方ダミーウエハ支持領域２６ｂまたは下方ダミーウエハ支持領域２６ｃの近傍に位置するプロダクトウエハＷｐのパターン膜厚が増加し、これにより各プロダクトウエハＷｐの面間均一性が悪化してしまうおそれがある。このことは、特に、ボート２６の上方側で顕著となる。なぜならば、ボート２６の下方側では、蓋部２２を貫通する供給管３６ｅからの不活性ガス供給による希釈効果があり、また排気管４６の影響によりガス流速が上方側より下方側のほうが大きいためである。
なお、ダミーウエハＷｄには、パターンが形成されていないものと、パターンが形成されているものが存在する。パターンが形成されていないものは、前述のとおりプロダクトウエハＷｐよりもガス消費量が少ないことは当然である。その一方で、パターンが形成されているダミーウエハＷｄについても、ガス消費量が少ないことは同様であり、例えば繰り返し使用したり、あるいはコストの問題からプロダクトウエハＷｐよりもパターンを含む表面積が少なかったりするため、結果的にプロダクトウエハＷｐよりもガス消費量が少ない。したがって、パターンが形成されていないダミーウエハＷｄのみならず、パターンが形成されたダミーウエハＷｄにおいても、それぞれ同様に各プロダクトウエハＷｐの面間均一性の悪化の問題が生じ得る。
これに対して、上述したように、スリット４５ａの上端４６ａおよび下端４７ａの位置が設定されたノズル４４ａ、並びに、ガス供給孔４５ｂの上端４６ｂおよび下端４７ｂの位置が設定されたノズル４４ｂであれば、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃへのガス供給量を減らすことが可能となるので、プロダクトウエハＷｐがパターンウエハの場合であっても、各プロダクトウエハＷｐの面間不均一性が是正される。
特に、上述した構成のノズル４４ａ，４４ｂでは、少なくともスリット４５ａの上端４６ａおよびガス供給孔４５ｂの上端４６ｂの位置設定により、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂへのガス供給量を減らすことが可能となるので、面間均一性の悪化がボート２６の上方側で顕著な場合であっても、その面間均一性の悪化を是正する上で非常に有効なものとなる。
ここで、実際にガス供給を行った際のガスの分圧分布について、図５を参照しながら具体的に説明する。ここでは、本実施形態におけるノズル４４ａのスリット４５ａから、原料ガスとしてのＨＣＤＳ（Ｓｉ２Ｃｌ６）ガスを、処理室１４内のボート２６に対して供給した場合のガス分圧分布（以下「本実施形態のＳｉ２Ｃｌ６分圧」という。）を例に挙げる。ノズル４４ａのスリット４５ａは、そのスリット４５ａの上端４６ａの位置が、ボート２６の最上段から４スロット分（ウエハ４枚に相当する段数分）だけ低い位置に配されているものとする。また、比較例として、従来構成の場合、すなわちスリット上端がボート最上段よりも高い位置に配されているノズルからガス供給を行う場合（以下「比較例のＳｉ２Ｃｌ６分圧」という。）についても、併せて例に挙げる。
図５（ａ）は、本実施形態のＳｉ２Ｃｌ６分圧および比較例のＳｉ２Ｃｌ６分圧について、それぞれの解析モデルをグラフ化したものである。グラフの縦軸はＳｉ２Ｃｌ６ガスの分圧、横軸はウエハのスロットナンバーを示している。なお、図中において一点鎖線で囲まれた領域は、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂおよび下方ダミーウエハ支持領域２６ｃに相当する部分である。
また、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部（図中の矩形領域）を拡大表示したものである。したがって、図５（ｂ）のグラフにおいても、図５（ａ）と同様に、縦軸はＳｉ２Ｃｌ６ガスの分圧、横軸はウエハのスロットナンバーを示している。
図５（ａ）および（ｂ）を参照すると、特に図５（ｂ）の拡大表示において明らかなように、比較例のＳｉ２Ｃｌ６分圧ではボート上方側部分の分圧分布が徐々に上昇しているのに対して、本実施形態のＳｉ２Ｃｌ６分圧では分圧分布が比較的フラット（平坦）になっていることがわかる（図５（ｂ）中矢印参照）。
このことからも明らかなように、本実施形態で説明した構成のノズル４４ａによれば、特に面間均一性の悪化が顕著である上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍へのガス供給量を減らすことができ、その上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍における余剰ガスの発生を抑制することができる。このことは、反応ガスとしてのＮＨ３ガスを供給するノズル４４ｂにおいても、同様であると考えられる。したがって、本実施形態で説明した構成のノズル４４ａ，４４ｂによれば、例えばプロダクトウエハＷｐがパターンウエハの場合であっても、特に上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍に位置するプロダクトウエハＷｐのパターン膜厚の増加を抑制することができる。つまり、各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況を均一化できるので、各プロダクトウエハＷｐの面間均一性の悪化を是正して、その面間均一性を改善する上で非常に有効なものとなる。
（ガス供給孔の形状）
以上のようなガス供給を行うノズル４４ａ，４４ｂにおいて、そのうちの一方であるノズル４４ａには、ウエハＷに向かって開口するガス供給孔としてのスリット４５ａが形成されている。スリット４５ａは、図３（ａ）に示すように、縦長形状のスリット構造のもので、その上端４６ａから下端４７ａまで連続した孔形状のものである。
かかる構成のノズル４４ａでは、ガス供給孔であるスリット４５ａの形状が、上端４６ａから下端４７ａまで連続した孔形状のスリット構造となっているので、多孔構造の場合とは異なり、ノズル４４ａのチューブ内（管内）における圧力にバラツキが生じ難く、そのチューブ内における圧力の均一化が図れる。一般的に、ガスの圧力と熱分解温度とは比例する。つまり、例えば公知の飽和水蒸気圧曲線からも明らかなように、ガスの圧力が高いほど、そのガスにおける熱分解温度も高くなる。したがって、チューブ内の圧力の均一化が図れるノズル４４ａによれば、均一に分解されたガスを各プロダクトウエハＷｐの間に供給可能となり、プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まりを向上させることができる。
また、他方であるノズル４４ｂには、ウエハＷに向かって開口する複数のガス供給孔４５ｂが形成されている。ガス供給孔４５ｂは、図３（ｂ）に示すように、その上端４６ｂから下端４７ｂまで断続的に複数の孔が設けられた構造のものである。
かかる構成のノズル４４ｂでは、ガス供給孔４５ｂが断続的に配された多孔構造となっているので、連続した孔形状のスリット構造の場合とは異なり、ノズル４４ｂ自体の強度を向上させることができる。したがって、熱分解温度が高いガス種の供給を行う場合に用いて特に好適なものとなる。
（４）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
（ａ）本実施形態においては、ダミーウエハＷｄをプロダクトウエハＷｐの上下に配した状態でガス供給を行うので、そのガス供給の際に発生し得る乱流の大きさの違いの影響がプロダクトウエハＷｐに及ぶのを抑制できる。つまり、ダミーウエハＷｄを利用することで、各プロダクトウエハＷｐへのガス供給量の面間均一性を向上させ、これにより各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況の均一化を図り、その結果として各プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まり低下を抑制することができる。
（ｂ）また、本実施形態においては、ノズル４４ａにおけるスリット４５ａの上端４６ａ、および、ノズル４４ｂにおけるガス供給孔４５ｂの上端４６ｂのそれぞれが、いずれも、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も上方のダミーウエハＷｄよりも低い位置に配されている。つまり、ダミーウエハＷｄを利用しつつ、スリット４５ａの上端４６ａおよびガス供給孔４５ｂの上端４６ｂの位置設定により、供給するガスの流れをボート２６の天板２６ｄに衝突させないようにして、プロダクトウエハＷｐへの乱流の影響の抑制を確実なものとすることができる。したがって、各プロダクトウエハＷｐの面間の不均一性を是正することが実現可能となり、各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況の均一化を通じて各プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まり低下を抑制する上で非常に有効なものとなる。
（ｃ）さらに、本実施形態においては、スリット４５ａの上端４６ａおよびガス供給孔４５ｂの上端４６ｂの位置設定により、特に面間均一性の悪化が顕著である上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍へのガス供給量を減らすことができ、その上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍における余剰ガスの発生を抑制することができる。つまり、例えばプロダクトウエハＷｐがパターンウエハの場合であっても、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂの近傍に位置するプロダクトウエハＷｐのパターン膜厚の増加を抑制できる。したがって、面間均一性の悪化がボート２６の上方側で顕著な場合であっても、その面間均一性の悪化を是正して、その面間均一性を改善する上で非常に有効なものとなる。この点によっても、各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況の均一化が図れ、各プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まり低下を抑制する上で非常に有効なものとなる。
（ｄ）また、本実施形態においては、ノズル４４ａにおけるスリット４５ａの下端４７ａ、および、ノズル４４ｂにおけるガス供給孔４５ｂの下端４７ｂのそれぞれが、いずれも、上方ダミーウエハ支持領域２６ｂで支持される最も下方のダミーウエハＷｄよりも高い位置に配されている。つまり、ダミーウエハＷｄを利用しつつ、スリット４５ａの下端４７ａおよびガス供給孔４５ｂの下端４７ｂの位置設定により、供給するガスの流れをボート２６の底板２６ｅに衝突させないようにして、プロダクトウエハＷｐへの乱流の影響の抑制を確実なものとすることができる。したがって、各プロダクトウエハＷｐの面間の不均一性を是正することが実現可能となり、各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況の均一化を通じて各プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まり低下を抑制する上で非常に有効なものとなる。
（ｅ）本実施形態においては、ノズル４４ａのガス供給孔であるスリット４５ａが上端４６ａから下端４７ａまで連続した孔形状のスリット構造となっているので、ノズル４４ａのチューブ内（管内）における圧力にバラツキが生じ難く、そのチューブ内における圧力の均一化が図れる。したがって、ノズル４４ａのスリット４５ａからは、圧力の均一化に応じて均一に熱分解されたガスを各プロダクトウエハＷｐの間に供給可能となり、プロダクトウエハＷｐに対する基板処理の歩留まりを向上させることができる。この孔形状は、特に、原料ガスの供給を行うノズル４４ａに適用した場合に有効なものとなる。原料ガスの熱分解は、各プロダクトウエハＷｐの面間の均一性に影響を及ぼし得るからである。
（ｆ）本実施形態においては、ノズル４４ｂにおけるガス供給孔４５ｂが上端４６ｂから下端４７ｂまで断続的に複数の孔が設けられた多孔構造となっているので、ノズル４４ｂ自体の強度を向上させることができる。したがって、熱分解温度が問題にならないガス種の供給を行う場合に用いて特に好適なものとなる。
（ｇ）本実施形態においては、処理室１４を構成する円筒部１４ａ、蓋体１４ｂ、格納体１４ｃおよびダクト体１４ｄが、耐熱性および耐蝕性を有する材料によって一体に形成されている。そして、円筒部１４ａの径は、円筒部１４ａと同軸に保持されるプロダクトウエハＷｐと円筒部１４ａとの隙間にノズル４４ａ，４４ｂを配することができない程度に小さくなるように構成されている。このような処理室１４の構成により、処理室１４内に上述したガスの流れを確実に生じさせることが実現可能となる。つまり、プロダクトウエハＷｐと円筒部１４ａとの隙間を狭めることで、ガスの乱流の影響がプロダクトウエハＷｐに及び難くなるようにし、これにより各プロダクトウエハＷｐの面間の処理状況の均一化を確実なものとしている。
＜変形例＞
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明した。ただし、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを用いる場合を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、原料ガスの分解がウエハ面間の均一性に影響を与えるガスに本ノズルを用いることが望ましい。また、例えば、原料ガスの分解温度とプロセス温度とが近い場合にも好適に用いられる。
また例えば、原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２：ジクロロシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。
また例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
また、上述の実施形態や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
［付記１］
本発明の一態様によれば、
パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具と、
前記基板保持具を収容する処理室と、
前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有して前記基板保持具へのガス供給を行うガス供給部と、
前記処理室の雰囲気を排気する排気部と、を備え、
前記ガス供給孔は、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されている
基板処理装置が提供される。
［付記２］
好ましくは、
前記ガス供給孔は、前記下方ダミーウエハ支持領域で支持される最も下方のダミーウエハよりも高い位置に、前記ガス供給孔の下端が位置するように構成されている
付記１に記載の基板処理装置が提供される。
［付記３］
好ましくは、
前記ガス供給孔は、上端から下端まで連続した孔形状である
付記１または２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記４］
好ましくは、
前記ガス供給孔は、上端から下端まで断続的に複数の孔が設けられた構造である
付記１または２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記５］
好ましくは、
前記処理室は、前記基板保持具の外周側を囲う円筒部と、前記円筒部の上端を塞ぐ平板上の蓋体と、前記円筒部の側部から外方に突出するように遮断空間を形成して前記ノズルを収容する格納体と、前記側部とは反対の側部から外方に突出するように遮断された排気通路を形成するダクト体とが、耐熱性および耐蝕性を有する材料によって一体に形成されてなり、
前記円筒部の径は、前記円筒部と同軸に保持される前記プロダクトウエハと前記円筒部との隙間に前記ノズルを配することができない程度に小さくなるように構成されている
付記１から４のいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記６］
本発明の他の一態様によれば、
パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具に対して、前記プロダクトウエハ支持領域に複数の前記プロダクトウエハを搭載するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域および前記下方ダミーウエハ支持領域のそれぞれに前記ダミーウエハを搭載する工程と、
前記プロダクトウエハおよび前記ダミーウエハを搭載した前記基板保持具を、前記基板保持具を収容する処理室に搬入する工程と、
前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されてなるガス供給部から、前記基板保持具へのガス供給を行って前記プロダクトウエハを処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記７］
本発明のさらに他の一態様によれば、
パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具に対して、前記プロダクトウエハ支持領域に複数の前記プロダクトウエハを搭載するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域および前記下方ダミーウエハ支持領域のそれぞれに前記ダミーウエハを搭載する手順と、
前記プロダクトウエハおよび前記ダミーウエハを搭載した前記基板保持具を、前記基板保持具を収容する処理室に搬入する手順と、
前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されてなるガス供給部から、前記基板保持具へのガス供給を行って前記プロダクトウエハを処理する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
２…基板処理装置、１０Ａ…供給バッファ室（遮断空間）、１０Ｂ…排気バッファ室（排気通路）、１４…処理室、１４ａ…円筒部、１４ｂ…蓋体、１４ｃ…格納体、１４ｄ…ダクト体、２６…ボート（基板保持具）、２６ａ…プロダクトウエハ支持領域、２６ｂ…上方ダミーウエハ支持領域、２６ｃ…下方ダミーウエハ支持領域、３４…ガス供給機構、４４ａ，４４ｂ…ノズル、４５ａ…スリットガス（ガス供給孔）、４５ｂ…ガス供給孔、４６ａ，４６ｂ…上端、４７ａ，４７ｂ…下端、１００…コントローラ、１０４…記憶部、Ｗ…ウエハ、Ｗｐ…プロダクトウエハ、Ｗｄ…ダミーウエハ

Claims (5)

  1. パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具と、
    前記基板保持具を収容する処理室と、
    前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有して前記基板保持具へのガス供給を行うガス供給部と、
    前記処理室の雰囲気を排気する排気部と、を備え、
    前記ガス供給孔は、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されている
    基板処理装置。
  2. 前記ガス供給孔は、前記下方ダミーウエハ支持領域で支持される最も下方のダミーウエハよりも高い位置に、前記ガス供給孔の下端が位置するように構成されている
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス供給孔は、上端から下端まで連続した孔形状である
    請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具に対して、前記プロダクトウエハ支持領域に複数の前記プロダクトウエハを搭載するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域および前記下方ダミーウエハ支持領域のそれぞれに前記ダミーウエハを搭載する工程と、
    前記プロダクトウエハおよび前記ダミーウエハを搭載した前記基板保持具を、前記基板保持具を収容する処理室に搬入する工程と、
    前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されてなるガス供給部から、前記基板保持具へのガス供給を行って前記プロダクトウエハを処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  5. パターンが形成されたプロダクトウエハを複数積層した状態で支持するプロダクトウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の上方側にてダミーウエハを支持する上方ダミーウエハ支持領域と、前記プロダクトウエハ支持領域の下方側にて前記ダミーウエハを支持する下方ダミーウエハ支持領域と、を有する基板保持具に対して、前記プロダクトウエハ支持領域に複数の前記プロダクトウエハを搭載するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域および前記下方ダミーウエハ支持領域のそれぞれに前記ダミーウエハを搭載する手順と、
    前記プロダクトウエハおよび前記ダミーウエハを搭載した前記基板保持具を、前記基板保持具を収容する処理室に搬入する手順と、
    前記処理室に収容される前記基板保持具に沿って上下方向に延伸するように配されたチューブ状のノズルと、前記ノズルに設けられたガス供給孔と、を有するとともに、前記上方ダミーウエハ支持領域で支持される最も上方のダミーウエハよりも低い位置に、前記ガス供給孔の上端が位置するように構成されてなるガス供給部から、前記基板保持具へのガス供給を行って前記プロダクトウエハを処理する手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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