TW200522109A - Solid electrolyte capacitor - Google Patents
Solid electrolyte capacitor Download PDFInfo
- Publication number
- TW200522109A TW200522109A TW093134727A TW93134727A TW200522109A TW 200522109 A TW200522109 A TW 200522109A TW 093134727 A TW093134727 A TW 093134727A TW 93134727 A TW93134727 A TW 93134727A TW 200522109 A TW200522109 A TW 200522109A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- sintered
- item
- patent application
- solid
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 title abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 polyoxyphenylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- WOGWYSWDBYCVDY-UHFFFAOYSA-N 2-chlorocyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound ClC1=CC(=O)C=CC1=O WOGWYSWDBYCVDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XOCUXOWLYLLJLV-UHFFFAOYSA-N [O].[S] Chemical compound [O].[S] XOCUXOWLYLLJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- OTCVAHKKMMUFAY-UHFFFAOYSA-N oxosilver Chemical class [Ag]=O OTCVAHKKMMUFAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- 239000000047 product Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000005271 boronizing Methods 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011536 re-plating Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
200522109 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關漏泄電流(LC)性能良好之固體電解電容 【先前技術】 使用於行動電話或個人電腦等之電子機器之電容器, 期望局信頼性小型大容量低E S R値(等效直列電阻)者。如 此電容器之一爲利用閥作用金屬或導電性氧化物燒結物之 固電電容器。該固體電解電容器,於內部具有微小細孔之 燒結物連接陽極導線端子,於含細孔之燒結物全表面形成 介電質氧化皮膜層,更將半導體層、導電物層依順序層合 之電容器元件鎧裝製作。 ESR値,爲半導體層 '導電物層之電阻·,施以種種措 施而決定處理値。又,信頼性中最重要爲減少由介電質氧 化皮膜產生之漏泄電値(以下以LC値略稱之),形成半導 體層後再進行再化成,或製作之固體電解電容器由老化處 理減少LC値。此外,提案改良半導體層減少LC値。例 如提案將燒結物之角隅所形成之半導體層之厚度增厚,減 少所製作電容器之短路不良(日本特開平1 3 - 1 4 3 9 6 8號公報 ),或提案將燒結物表層之半導體層形成於指定之範圍內 (10〜50//m)同時將ESR與LC値成爲良好(日本特開2〇〇3_ 1 8 8 0 5 2號公報)。 200522109 (2) 【發明內容】 [發明之揭示] 最近要求之小型而容量大之固體電解電容器之製作, 利用使用粒徑小之閥作用金屬或導電性氧化物粉末增大表 面積之燒結物,使用該燒結物所製作之固體電解電容器之 LC値,使用向來之再化成或老化處理之手段或上述所提 案之手法予以減少亦有困難。尤其多數個固體電解電容器 同時製作時,有產生LC値特別高者的問題,必要將該問 題解決,以提昇良品率。 本發明者等,經深入硏究結果,於陽極導線所連接之 燒結物面之陽極導線連接點附近(由導線之周圍〇 . 5 mm, 至少0·2 mm之範圍)不設置半導體,或設置時由規定指定 厚度(5// m以下)而解決上述課題,完成本發明。 即本發明係有關以下之固體電解電容器及使用該固體 電容器之電子機器。 】.於連接陽極導線之閥作用金屬或導電性氧化物之 燒結物表面,順序層合介質氧化皮膜層 '半導體層及導電 物層之電容器元件鎧裝固體電容器,連接陽極導線之燒結 物面陽極導線連點附近之半導體層厚度爲5 μ m以下爲其 特徵之固體電解電容器。 2 ·連接陽極導線之燒結物面陽極導線連點附近不設置 半導體層之如(1)之固體電解電容器。 . 1½極導線連接點附近除外部份之半導體層厚度爲 5〜]0 0 m之如(1 )之固體電解電容器。 200522109 (3) 4 ·閥作用金屬或導電性氧化物爲鉅、鋁、鈮、鈦、以 此等閥作用金屬爲主成分之合金或氧化鈮之如(1 )之固體 電解電容器。 5 .其中閥作用金屬燒結物爲CV】〇萬# f V/g以上之 鉅燒結物之如(1 )之固體電解電容器。 6·其中閥作用金屬燒結物爲CV 15 //萬F V/g以上 之鈮燒結物之如(1 )之固體電解電容器。 7·半導體爲至少1種由有機半導體層及無機半導體層 所選之如(1)之固體電解電容器。 8 ·有機半導體爲至少1種由苯并吡咯啉4聚物與氯酿所 成之有機半導體、四硫萘并萘爲主成分之有機半導體、四 氰醌二甲烷爲主成分之有機半導體,以含有一般式(1:)或 (2)所示
X--R5 2 示 所 中 式 6 爲R53與 數,R3 碳子及、原2R 子氮 原或與 氫硫R1 之 、, 立氧基 獨爲院 自X ΰ各,卜 爲β數 氧 烷 之
R 6
碳 或 子 卜原 數氯 碳爲 或時 基在 烷存 之 X 僅R4 之 劑 雜 摻 }雜 可摻 亦由 者子 狀分 環一咼 之元 合單 結複 互重 相 爲 成 主 爲 子 分 高 生 -6 - 200522109 (4) 分之有機半導體所選之如(?)之固體電解電容器。 9 .含一般式(1 )所示重複單元之導電性高分子爲含一般 式(3) r6o or7
. ..* / (3) (式中所示,R6及R7各自爲氫原子、碳數1〜6之直鏈 狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烷基、或該烷基爲相互於任 意位置結合,形成含2個氧元素之至少1個以上5〜7員環飽 和烴之環狀構造取代基;又,上述環狀構造具有被取代亦 可之乙烯撐結合者、被取代亦可之苯撐構造者),所示之 構造單元作爲重複單元之導電性高分子之如(7)之固體電 解電容器。 1 0 ·導電性高分子爲聚苯胺、聚氧苯撐、聚苯硫醚、 聚噻吩、聚肤喃、聚吡咯、聚甲基吡咯、及此等之取代衍 生物及共聚合物所選之如(8)之固體電解電容器。 Π .導電性高分子爲聚(3;4_乙烯二氧基噻吩)之如(9)或 (10)之固體電解電容器。 1 2 ·無機半導體爲至少I種由二氧化鉬、二氧化鎢、= 氧化鉛 '及二氧化錳所選之化合物之如(7)之固體電解電 -7 - 200522109 (5) 容器。 ]3·半導體之導電度爲i〇 ·2〜10 3 s / cm範圍之如(7) 之固體電解電容器。 14. 使用如上述(1)〜(13)中任一項之固體電解電容器之 電子回路。 15. 使用如上述(1)〜(13)中任一項之固體電解電容器之 電子機器。 [發明之詳細說明] 參閱所附圖面說明本發明之固體電解電容器一實施型 態。 圖1爲本發明之固體電解電容器一例之斷面圖(圖丨所 示係爲便利說明各部而誇大顯示者)。 於由閥作用金屬或導電性氧化物之粉末所成之燒結物 (1)植入陽極導線(2),於陽極導線之一部份與燒結物表面 形成介電質氧化皮膜(3 )(圖1省略,燒結物細孔內之表面 亦形成介電質氧化物皮膜槽),又於植入陽極導線面除陽 極導線植入點附近部份,依順序層合半導體層(4 )、碳膏 層(5)、銀膏層(6)之固體電解電容器元件各連接陰極端子 (9a、9b),將陰極之一部份露出鎧裝(7)製作固體電解電容 器(8) 〇 使用於本發明之燒結物,將陽極導線植入成形物面之 閥作用金屬或導電性氧化物粉末之形成物由燒結所製作。 由適當的選擇成形壓力(如〇 . 1〜5 0 k g / m m2)與燒結條件(例 200522109 (6) 如溫度8 0 0〜1 8 00 °C x時間1分〜10小時)可擴大燒結物之表面 積。燒結後爲再增加燒結物之表面積,亦可將燒結物表面 以化學及/或電進行老化處理。 本發明燒結物之形狀無特別的限制。通常爲柱狀之形 狀,爲角柱形狀時,各隅之中至少一隅倒陵或取球面狀的 R,使用燒結物製作之固體電解電容器之漏泄電流(L C)値 之平均値爲良好亦可。又,成形時成物容易由模具脫離作 成斜度亦可。此時製作燒結物之形狀爲略近角錐台狀。 於本發明,陽極導線可爲導線或導電箔均可。陽極導 線不植入成形物,於燒結物製作後連接亦可。陽極導線之 材料使用鉅、鋁、鈮、鈦、此等閥作用金屬爲主成分之合 金。又,陽極導線之一部份進行一種由碳化、磷化、硼化 、氮化、硫化、氧化所選之處理後再使用亦可。 陽極導線植入於成形物時,陽極導線於成形物內之深 度,以燒結物之]/3以上,理想爲2/3以上時可維持燒結物 之強度,由於可耐後述電容器元件之外封裝時之熱·物理 封裝應力爲理想。 後述之半導體層或導電物層於其形成時,爲防止跳至 導線之上端附著形成電容器短路,於燒結物與陽極之導線 界面部(陽極側)設計以絕緣性樹脂附著成鉢狀絕緣亦可。 作爲閥作用金屬或導電性氧化物可列舉如鉅、鋁 '鈮 、鈦、此等閥作用金屬爲主成分之合金或氧化鈮’或由上 述閥作用金屬、合金或導電性氧化物所選2種以上之混合 物。 -9- 200522109 (7) 閥作用金屬或導電性氧化物:通常爲粉狀。 閥作用金屬或上述合金或導電性氧化物或上述燒結物 等之一部份,以進行一種由碳化 '磷化、硼化、氮化、硫 化、氧化所選之處理後再使用亦可。 本發明之固體電解電容器,係於上述燒結物將介電質 氧化皮膜層、半導體層及導電物層順序層合作爲陰極部形 成之固體電解電容器元件之陽極導線之一部份與陰極部之 一部份各自與陽極端子與陰極端子連接,殘留上述陰陽兩 端子之一部份製作外封裝。 於本發明之燒結物及陽極導線之一部份表面所形成之 介電質氧化皮膜層,可舉例如,由Ta203、A1203、Ti〇2、 Nb205等之金屬氧化物至少選擇1種爲主成分之介電質層。 該介電質層,可由上述燒結物於電解液中化成而得。又, 至少1種由金屬氧化物所選爲主成分之介電質層與陶瓷電 容器所使用之介電質層混合之介電質層亦可(WO 0 0/7 5 9 4 3 號)。 於本發明之介電質層上所形成之半導體體代表例,可 舉例如至少]種由有機半導體及無機半導體所選之化合物 〇 有機半導體之具體例,由苯并吡咯啉4聚物與氯醌所 成之有機半導體、四硫萘并萘爲主成分之有機半導體、四 氰醌二甲烷爲主成分之有機半導體,於含一般式(1 )或(2 ) 所示重複單兀高分子接雜摻雜劑之導電性局分卞爲主成分 之有機半導體。 -10- 200522109 (8)
式(1)及(2)中所不》R〜R爲各自獨之氯原子、碳數 爲1〜6之院基或碳數1〜6之院氧基,X爲氧、硫或氮原子, R5僅X爲氮原子時存在,表示氫原子或碳數1〜6之院基, R1與R2及R3與R4爲相互結合之環狀者亦可。 又,於本發明,上述一般式(1)所示重複單元之導電 性高分子,理想爲一般式(3)所示之構造單元作爲重複單 元之導電性高分子。
式中所示,R6及R7各自爲氫原子、碳數1〜6之直鏈狀 或支鏈狀之飽和或不飽和之烷基、或該烷基爲相互於任意 位置結合’形成至少]個以上含2個氧元素之5〜7員環之飽 和烴之環狀構造之取代基。又,上述環狀構造,含有含被 取代亦可之乙烯撐結合者,及被取代亦可之苯撐結合者° -11 - 200522109 Ο) 含如此化學構造之導電性高分子,負有電荷、摻雜摻 雜劑。摻雜劑可使用公知之摻雜劑無限制。 含一般式(1)〜(3)所示重複單元之高分子,可舉例如聚 苯胺、聚氧苯撐、聚苯硫醚、聚噻吩、聚呋喃、聚吡咯' 聚甲基吡咯、及此等之取代衍生物及共聚合物。其中,亦 以聚吡咯、聚噻吩及此等之取代衍生物(例如聚(3,4-乙烯 二氧基噻吩)等)爲理想。 無機半導體之具體例,可舉例如至少1種由二氧化鉬 、二氧化鎢、二氧化鉛、及二氧化錳所選之化合物。 上機半導體無機半導體,使用導電度爲10 〜10 3 S / cm,理想爲10。〜103 S / cm之範圍者,所製作之電容器之 E S R値小爲理想。 形成上述半導體層之方法,採用由電解聚合之方法( 曰本特開昭6 0 - 3 7 1 1 4號公報)、將氧化劑處理之陽極基體 電解聚合之方法日本特許2 05 45 06號)、化學析出之方法( 曰本特許2 044 3 3 4號(EP2 1 3 6 3 1 ))等向來公知之方法。 又,亦可於形成半導體之中途及/或形成後進行再化 成’修復由形成半導體層而引起之介電質氧化皮膜層小缺 陷。 於本發明,連接陽極導線之燒結面之陽極導線連接點 附近之半導體層之厚度以5 // m以下,理想爲不形成半導 體層爲非常必要。如此於陽極導線連接點附近形成半導體 層之方法,於應用於同時製作多數個固體電解電容器元件 時’ LC値躍高之固體電電容器之產生率可減少。 -12 - 200522109 (10) 於陽極導線連接點附近形成半導體層之具體例,如圖 1斷面圖所示,可舉例如由陽極導線所連接之燒結面之端 部向陽極導線植入點之位置,完全不設置半導體層,或相 對於陽極導線連接點附近以外部份之半導體之厚度,陽極 導線連接點附近之半導體厚度爲較小之斜度方法。因此上 述表面形成介電質層之燒結物由嚴密的管理半導體層形成 用溶液之浸漬條件(浸漬位置及浸漬次數)可達成。具體的 例如’半導體層成爲期望的厚度,對通常介電質層氧化皮 膜層上’重複進行形成半導體層之操作次數,於陽極導線 連接點附近部份可調整爲較少。 陽極導線與燒結物之連接面,爲不同形狀之材料相遇 之埸所’由於持有連接時之應力,於該部份形之介電質氧 化皮膜層爲不安定之部份。於該部份附著半導體層時,該 半導體層侵入不安定介電質氧化皮膜層內LC値之恢復有 困難。 又,燒結物之原料,由於使用的閥作用金屬或導電性 氧化物粒徑越小時,介電質氧皮膜層之曲率半徑越短,介 電質氧化皮膜之不安定性越大一般LC値變大,如此之燒 結物,由適用上述本發明之方法,固體電解電容器之LC 亦可充分降低,不良元件之產生率可降低。即,依本發明 ,燒結物之小粒徑粉(CV大之粉)越小,可得到越大的效 果。例如,鉅金屬粉材料之燒結物C V値(於電解液測定 之容量與化成電壓之積)爲10萬// F · V/g以上,鈮金屬粉 材料之燒結物CV値爲]5萬F · V/g以上之燒結物具應用 -13- 200522109 (11) 之效果。 於本發明,於陽極導線連接點附近以外部份之半導體 之)Ϊ度爲5〜1 0 0 // m ’理想爲]〇〜5 〇 # m。陽極導線連接點 附近以外部份之半導體之厚度規定於上述範圍時,同時製 作多數個固體電解電容器元件時之LC値飛躍變高之固體 電解電容器之產生率更爲減少。 本發明之固體電解電容器,爲上述方法等所形成之半 導體層上電容器之外部引出線(例如導線框)更佳之電接觸 ,而設置導電物層。 導電物層,例如可由導電膏之固化、電鍍、蒸鍍金屬 、附著耐熱性樹脂薄膜等形成。 導電霄以銀骨、銅膏、銘嘗、碳霄、鎳膏等爲理想。 此等可使用1種或2種以上。使用2種以上時,混合亦可、 個別層重疊亦可。使用導電膏後,放置於空氣中或加熱固 化。 導電膏,以樹脂與金屬等之導電粉爲主成分,依情況 加入溶解樹脂之溶劑或樹脂之硬化劑,溶劑於固化時飛散 〇 樹脂使用醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂 、醯亞胺樹脂、氟樹脂、酯樹脂、亞胺樹脂、胺樹脂、苯 乙烯樹脂、氨基甲酸酯樹脂等之各種公知樹脂。 導電粉爲至少使用1種以銀、銅、鋁、金、碳、鎳及 此等金屬爲主成分之合金,此等金屬粉與表層塗敷粉或此 等之混合物粉。 -14 - 200522109 (12) 導電粉通常含4 0〜9 7質量%。低於4 0質量%時製作之導 電膏之導電性小,又超過9 7質量%時導電膏之接合性不良 不理想。又,導電粉可使用持有0 . 1〜5 0 // m之任意平均粒 徑,球狀、扁平狀(片狀)及此等之混合粉。如此之銀粉, 可舉例如 SILCOAT(商品名,日本福田金屬粉粉工業股份 有限公司製)。導電膏亦可與上述形成半導體高分子或金 屬氧化物粉混合使用。通常導電膏,於半導體層上以一層 1〜200// m,理想爲10〜100// m之厚度層合。 電鍍可舉例如鍍鎳、鍍銅、鍍銀、鍍鋁、鍍金等。又 ,蒸鍍金屬,可舉如鋁、鎳、銅、銀金等。 形成於連接陽極導線之燒結物面形成或不形成亦可之 導電物層時,製作之固體電解電容器之ESR良好,LC値 有惡化之傾向。 具體的例如形成半導體層之燒結物上依順序層合碳膏 、銀膏形成導電物層。 依此層合至電極層形成陰極製作電容器元件。 如以上構成之本發明電谷益兀件’例如由樹脂模、樹 脂盒、金屬性之鎧裝盒、浸漬樹脂、層合薄膜等之鎧裝加 以鐘裝作爲各種用途之電谷益製品。其中,以樹脂模進行 鎧裝之稞粒狀電容器,可簡單的進行小型化與低成本爲g 想。 具體的說明有關樹脂模鎧裝時,本發明之電容器,{系 將上述電容器元件導電物層之一部份載置於另外準備,具 有一對對向配置之先端部線框一方之先端部,更將陽極導 -15 - 200522109 (13) 線之一部份(爲配合尺寸將陽極導線之先端切斷使用亦可) 載置於上述導線框他方之先端部例如前者以導電膏固化, 後者以焊接接合各電氣·機械後,殘留上述導線框先端部 之一部份以樹脂封裝,於樹脂封裝外之指定部份切斷導線 框彎曲加工製作。又,僅殘留導線框樹脂封裝下方之導線 框下面或下面與側面封裝時,僅以切斷加工亦可。 導線框如上所述成爲所加工之最終電容器之外部端子 ’爲箔或平板狀,材質爲使用鐵、銅、鋁或此等金屬爲主 成分之合金。導線之一部份或全部施予焊錫、錫、鈦、金 、銀等之鍍金亦可。導線框與電鍍之間,以鎳或銅作爲基 層電鍍亦可。 導線框亦可於上述加工後或加工前進行各種電鍍。 又’於載置連接電容器元件前進行電鍍再於封裝後之 任意時間進行再電鍍。例如,至少於導線框之陽極導線連 接部份爲容易連接而予以電鍍,電容器元件封裝後,再電 鍍導線框亦可。 導線框存在一對對向配置之先端部,先端部之間有間 隙與各電容器元件之陽極部絕緣。 樹脂模封裝所使用之樹脂,採環氧樹脂、酚樹脂、醇 酸樹脂等固體電解電容器之封裝所使用之公知樹脂,由於 各樹脂均使用市售之低應力樹脂時,可緩和封裝時產生對 電容器元件之封裝應力。又,樹脂封裝之製造機以使用轉 移成型機爲理想。 如此所製作之電容器,爲修復形成導電物層或鎧裝時 -16 - 200522109 (14) 熱及/或物理之介電質層之劣化’可進行老化處理。 老化之方法,於電容器附加指定之電壓(通常爲定額 - 電壓之2倍以內)而進行。老化時間或溫度,依電容器之種 / 類、容量、定額電壓變化最適値,預先由實驗而決定,通 - 常,老化時間爲數分至數日,溫度.考慮電壓附加工具之熱 劣化以3 00 °C以下進行。老化環境,空氣中亦可,Ar、N2 、He等之氣體中亦可。又,減壓、常壓、加壓下之任一 條件均可,供給水蒸氣下或供給水蒸氣後進行上述老化時 φ
對介電質層安定化有進益。供給水蒸氣後於1 5 (TC〜2 5 (TC 之高溫放置數分至數小時將多餘之水分去除進行上述老化 亦爲可能。又,老化後於1 5 (TC〜2 5 0 °C之高溫放置數分至 數小時將多餘之水分去除亦可。供給水蒸氣之一例,可舉 例如於老化之爐中放置之水缽由加熱而供給水蒸氣的方法 〇 附加電壓之方法,可設計爲流通直流、具有任意波形 之交流、重疊直流之交流或脈衝電流等之任意電流。老化 φ 之中途時停止附加電壓、再進行附加電壓亦可。 於本發明所製造之固體電解電容器,例如,可理想的 使用於中央處理回路或電源回路等之高容量之電容器用之 回路,此等之回路可利用於個人電腦、伺服器、相機、遊 戲機、DVD、AV機器、行動電話等之各種數位機器,或 各種電源等之電子機器。由本發明所製造之固體電解電容 ' 器,由於容量大,ESR値良好,又LC値無非常不良者, _ 由使用其可得到信頼性高之電子回路及電子機器。 -17- 200522109 (15) 【實施方式】 以下以具體例詳細說明本發明,本發明不限於以下之 例。 實施例1 : 使用CV(容量與化成電壓之積)2〇萬// F · V/g之鈮粉 與0.29 mm 之鈮導線成形,製作尺寸4.5x3. 〇x 1.0mm之燒 結物(粉之氮化量1.1萬ppm,粉之表面之自然氧化氧量爲 8萬 ppm,燒結溫度1 27 0 °C,燒結時間30分鐘,燒結物密 度3 . 6 g / c m 3,於燒結物之1 · 〇 X 3 . 0 m m之面中央部植入垂直 之鈮導線於燒結物內部爲4mm,外部爲1 0mm)。於另外準 備長2 5 0 m m寬2 0 m m厚度2 m m之不鏽鋼製長尺金屬板左右 各留3 0 m m等間隔且等尺寸整列連接3 2個上述燒結物之各 導線。此長尺寸金屬板2 0片以5 m m間隔並列並排,於長 尺寸金屬板之左右各1 5 m m之處配設連接之金屬製框架。 於金屬製框架等間隔配置6 4 0個燒結物,各燒結物經由導 線連接設置於金屬框架之供電端子連接電氣。連接於該金 屬製框架之燒結物作爲]批進行以下之各種操作。 將燒結物除導線之一部份以外浸漬於1 %磷酸水溶液 中(爲緩和水之蒸發,液體表面覆蓋四氟乙烯製薄片,640 個燒結物浸漬於液中,於薄片設置20條長2 0 0mm寬1.5mm 之切縫),以導線爲陽極其與設置於水溶液中之鉅陰極之 間加20V,於80t化成】〇小時形成以Nb2 0 5爲主成分之介 電質氧化皮膜層。該燒結物之植入導線之燒結面除外,重 -18 - 200522109 (16) 複7次浸漬於5%醋酸鉛水溶液與10%過硫酸銨水溶液以1 : 1之混合液於4〇°C放置1小時取出水洗後乾燥與於15%醋酸 銨水溶液洗淨,於介電質氧化皮膜上形成由二氧化鉛與醋 酸鉛之混合物所成之微小析出物。於微小析出物析出中途 與最後,以8 0 °C於0 . 1 %醋酸水溶液進行複數次1 8 V,4 0分 鐘之再化成。接著燒結物之植入導線之燒結面除外,浸漬 乙烯二噻吩(使用單體爲飽和濃度以下之水溶液)與溶解蒽 醌磺酸之水與20%乙二醇電解液,金屬製框架之供電端子 與配置於電解液中負極之鉅電極板之間於室溫流通20mA 之直流定額電流4 5分鐘,爲形成半導體層進行通電。取出 洗淨後,爲修復微小之LC缺陷於0.1 %醋酸水溶液中進行 再化成(8 0 °C、3 0分鐘、1 7 V )。上述通電與再化成重複1 5 次以後水洗淨乾燥形成半導體(20 // m)。又,燒結物之植 入導線之燒結面除外,之半導體層上依順序層合碳膏、接 著順序層合由1 0質量份丙烯酸樹脂與90質量份銀粉所成之 銀膏設置導電物層,製作形成陰極部之固體電解電容器元 件。 另外準備,表面鍍錫之厚度1 0 0 m之銅合金導線(存 在寬3.4 mm之一對先端部32個,兩先端部同一平面之投影 1 · 〇mm之間隙)之一對先端部之上面,載置各上述之固 體電解電容器元件之陰極部面(4.5 m m X 3.0 m m之面)與切斷 —部份之陽極導線,前者與陰極部以同一銀膏固化,後者 以點焊接合電·機械。接著殘留上述導線框先端部之一部 @以環氧樹脂由轉移型機樹脂封裝,樹脂封裝外之指定部 -19 - 200522109 (17) 份切斷導線框彎曲加工製作。接著於1 8 〇 °C硬化封裝樹脂 ,於85 °C進行9V4小時之老化處理,製作尺寸 7.3 χ4·3 X 1 .8mm之晶體狀固體電解電容器。 實施例2 : 於實施例1燒結物之植入導線之燒結面亦進行微小析 出物之形成,又,形成半導體層中燒結物之植入導線之燒 結面亦進行5次以外,與實施例1同樣,製作植入導線附近 之半導體層之厚度爲2// m之晶體狀固體電解電容器。 實施例3 : 於實施例1燒結物之植入導線之燒結面亦進行微小析 出物之形成,又’形成半導體層中燒結物之植入導線之燒 結面亦進行7次以外’與實施例1同樣,製作植入導線附近 之半導體層之厚度爲5 // m之晶體狀固體電解電容器。 比較例]: 於實施例2形成半導體層中燒結物之植入導線之燒結 面亦進行1 5次以外,與實施例2同樣,製作晶體狀固體電 解電容器。 實施例4 : 實施例]形成半導體層後更通4 〇 m A之直流定電流3 0分 鐘,以同樣之條件再化成進行2次以外,與實施例1同樣, >20- 200522109 (18) 製作植入導線附近之半導體層之厚度爲8 〇 μ m之晶體狀固 體電解電容器。 比較例2 : 於實施例1燒結物之植入導線之燒結面亦進行微小析 出物之形成,又,形成半導體層中燒結物之植入導線之燒 結面亦進行9次後更通40mA之直流定電流30分鐘,以同樣 之條件再化成進行6次以外,與實施例1同樣,製作植入導 線附近之半導體層厚度爲1 1 〇 μ m之晶體狀固體電解電容 器。 實施例5 : 實施例1,鈮粉及鈮線使用CV 9萬// F · V/g之鉅粉 與0.2 4 mm 0之導線取代製作燒結物(燒結溫度丨3〇 、燒 結時間2 0分鐘、燒結物密度6 . 1 g / c m 3 ),化成電壓爲9 V由 T a 2 Ο 5形成介電質層,微小析出物形成中途與最後之再化 成以8V進行,半導體層形成中途與最後之再化成以7V進 行以外,與實施例1同樣,製作植入導線附近之半導體層 之厚度爲3 0 // m之晶體狀固體電解電容器。 於實施例】〜5及比較例]〜2所製作電容器(各例測定4個 )之燒結物面之陽極導線連接點附近之平均半導體層厚度 ,陽極導線連接點附近以外之平均半導體層厚度,各例 6 3 6個之平均容量,E S R,L C依以下之方法測定,各測定 値及顯示】00 0 // A以上LC値之個數如表]所示。 - 21 - 200522109 (19) 陽極導線連接點附近之平均半導體層厚度,陽極導線 連接點附近以外之平均半導體層厚度:平行於燒結物 4.5 X 1 .0mm之斷面採用2〇〇〇倍電子顯微鏡下所攝之照片最 頻部之數値。 容量:使用HEWLLET PACKARD公司製LCR測定器 於室溫120Hz測定。 ESR ;電容器之等效直列電阻於1〇〇KHz測定。 L C値;於室溫,以指定之定額電壓(實施例5爲2.5 v ,其他爲4 V値)附加於所製作之電容器之端子間3 〇秒後測 定之。
表1 半導體厚度 容量 (β F) ESR (m Ω ) LC* (β Α) LC爲超過 1 00 // Α 之 個數(個) 導線附 近(# m) 植入導線之燒 結體面除外部 份(// m) 實 施 例 1 0 20 3 65 30 3 1 1/636 2 2 2 0 3 70 ο η 34 2/63 6 3 5 20 3 75 33 38 3/63 6 4 0 80 3 67 42 30 2/63 6 5 0 30 640 18 18 0/63 6 比 較 例 1 20 20 378 34 39 7/63 6 2 8 110 3 75 55 36 6/63 6 L C値爲超過]〇 〇 〇 V A除外電容器平均値 -22 - 200522109 (20) 比較表1之實施例與比較例之資料時,連接陽極導線 之燒結物之陽極連接點附近之半導體層厚度爲5 // m以下 時,知道可減少極端大LC値之固體電解電容器之發生率 [產業上之利用領域] 本發明爲提供連接陽極導線之燒結物之陽極連接點附 近之半導體層厚度爲5//m以下爲特徵之固體電解電容器 ’依本發明,可減少極端大LC値之固體電解電容器之發 生率。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明之固體電解電容器一例之斷面圖。
[ 主要元件符號說明】 1 燒結物 2 陽極導電線 3 介電質氧化皮膜 4 半導體 5 碳膏層 6 銀膏層 7 鎧裝 8 固體電解電容器 9a 陰極端子 -23- 200522109 (21) 9b 陽極端子 -24 -
Claims (1)
- 200522109 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種固體電解電容器,外部安裝有於連接陽極導線 -之閥作用金屬或導電性氧化物的燒結物表面,依順序層合 -介電質氧化皮膜層、半導體層及導電物層之電容器元件固 -體電谷器’其特徵爲連接陽極導線之燒結物面其陽極導線 連點附近之半導體層厚度爲5 g m以下者。 2 ·如申請專利範圍第〗項之固體電電容器,其中連接 陽極導線之燒結物面其陽極導線連點附近不設置半導體層· 〇 3 ·如申請專利範圍第〗項之固體電電容器,其中陽極 導線連接點附近以外部份之半導體層厚度爲5〜i⑽# m者 〇 4 .如申請專利範圍第〗項之固體電電容器,其中閥作 用金屬或導電性氧化物爲鉬、鋁、鈮、鈦、以此等閥作用 金屬爲主成分之合金或氧化銀者。 5 ·如申請專利範圍第1項之固體電電容器,其中閥作 φ 用金屬燒結物爲CV 10萬// F · V/g以上之鉅燒結物者。 6 ·如申請專利範圍第1項之固體電電容器,其中閥作 用金屬燒結物爲c V 1 5萬// F · V / g以上之鈮燒結物者。 7 ·如申請專利範圍第1項之固體電電容器,其中半導 體爲至少1種由有機半導體層及無機半導體層所選者。 8 ·如申請專利範圍第7項之固體電電容器,其中有機 \ 半導體爲至少1種由苯并吡咯啉4聚物與氯醌所成之有機半 . 導:體、四硫萘并萘爲主成分之有機半導體、四氰醌二甲烷 -25> 200522109(2)爲主成分之有機半導體、於含一般式(1)或(2)所示示 所 中 式 R 基 氧 烷 R1之 6 11 數 碳 或 基 烷 之 ^\/\/3r2 6 1X 爲 數 碳 、 子 原 氫 之 立 獨 白 各 爲 僅 5 R 子 原 氮 或 硫 氧 爲子、 XUTV; 狀 環 之 合 結 在互 目 存 t 時4 * R 子 原與 氮R3 爲及 2 X R 原 氫 示 表 與子 R 分 , 高 基之 烷元 之單 7 複 1 vlnul 重 數} 碳可 或亦 者 選 所 體 導 半 機 有 之 分 成 主 爲 子 分 高 性 電 導 之 劑 雜 掺 雜 摻 。 中者 如 9 8 式 般 爲 子 分 高 性 電 第導 圍之 範元 利單 專複 主円重 ιιιια 申示 所 含 中} 其(3 , 式 器般 容一 電含 電 體 固 之 項直II狀或支鏈狀之飽和或不飽和之烷基、或該烷基爲相互 -26- 200522109 (3) 於任意位置結合,形成至少1個以上含2個氧元素之5〜7員 環飽和烴之環狀構造取代基;又,上述環狀構造具有被取 · 代亦可之乙烯撐結合者、被取代亦可之苯撐構造者)所示 / 構造單元作爲重複單元之導電性高分子者。 ’ 1 0.如申請專利範圍第8項之固體電電容器,其中導電 性高分子係由聚苯胺、聚氧苯撐、聚苯硫醚、聚噻吩、聚 呋喃、聚吡咯、聚甲基吡咯、及此等之取代衍生物及共聚 合物所選者。 φ 11·如申請專利範圍第9項或第10項之固體電電容器, 其中導電性高分子爲聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)者。 12·如申請專利範圍第7項之固體電電容器,其中無機 半導體爲至少1種由二氧化鉬、二氧化鎢、二氧化鉛、及 二氧化錳所選之化合物者。 1 3 ·如申請專利範圍第7項之固體電電容器,其中半導 體之導電度爲1〇-〜lO^S/cm之範圍者。 1 4 · 一種電子回路,其特徵爲使用如申請專利範圍第1 · 項至第1 3項中任一項之固體電解電容器者。 1 5 . —種電子機器,其特徵爲使用如申請專利範圍第1 項至第1 3項中任一項之固體電解電容器者。 -27-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003383211 | 2003-11-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200522109A true TW200522109A (en) | 2005-07-01 |
TWI342029B TWI342029B (zh) | 2011-05-11 |
Family
ID=37520247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093134727A TW200522109A (en) | 2003-11-13 | 2004-11-12 | Solid electrolyte capacitor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7436652B2 (zh) |
EP (1) | EP1683168B1 (zh) |
JP (1) | JP4614269B2 (zh) |
KR (1) | KR101076312B1 (zh) |
CN (1) | CN1883021B (zh) |
TW (1) | TW200522109A (zh) |
WO (1) | WO2005048277A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4787967B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2011-10-05 | 国立大学法人東京農工大学 | 電解コンデンサ素子及びその製造方法 |
JP5099831B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-12-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5188014B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-04-24 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4750498B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-08-17 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4804235B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-11-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ素子、その製造方法および固体電解コンデンサ |
US20090195968A1 (en) * | 2006-06-27 | 2009-08-06 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor |
JP4873415B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-02-08 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US7658986B2 (en) * | 2007-05-30 | 2010-02-09 | Kemet Electronics Corporation | Anodes with corner and edge modified designs |
US8094434B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-01-10 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
EP2329506A2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-06-08 | Vishay Sprague, Inc. | Bulk capacitor and method |
US7786839B2 (en) * | 2008-12-28 | 2010-08-31 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Passive electrical components with inorganic dielectric coating layer |
US8194395B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
CN103534773B (zh) * | 2011-05-24 | 2016-10-12 | 凯米特电子公司 | 用于固体电解电容器的导电性聚合物分散体 |
KR101983127B1 (ko) * | 2011-08-08 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 캐패시터 |
US9396881B2 (en) * | 2012-02-08 | 2016-07-19 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor |
GB201212051D0 (en) | 2012-07-06 | 2012-08-22 | Zyk S A | Energy storage apparatus |
GB2512481B (en) * | 2013-03-15 | 2018-05-30 | Avx Corp | Wet electrolytic capacitor for use at high temperatures |
CN107017087B (zh) * | 2015-12-28 | 2019-05-14 | 财团法人工业技术研究院 | 电容结构 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6037114A (ja) | 1983-08-09 | 1985-02-26 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JPH0766901B2 (ja) | 1985-09-03 | 1995-07-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製法 |
JPH0244334A (ja) | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合成焼付方法 |
JPH0254506A (ja) | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 直流電流変成器 |
JPH02207519A (ja) | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Toyama Nippon Denki Kk | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0682592B2 (ja) | 1989-06-05 | 1994-10-19 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2773467B2 (ja) * | 1991-06-13 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
EP0655756B1 (en) * | 1993-11-26 | 1996-09-18 | Nec Corporation | Method of manufacturing solid electrolytic capacitor |
JPH09293647A (ja) * | 1996-04-25 | 1997-11-11 | Hitachi Aic Inc | タンタル固体電解コンデンサ |
JP3356018B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2002-12-09 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
JP3231689B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2001-11-26 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2000208367A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
TW479262B (en) | 1999-06-09 | 2002-03-11 | Showa Denko Kk | Electrode material for capacitor and capacitor using the same |
JP3881480B2 (ja) * | 1999-10-14 | 2007-02-14 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製法 |
JP2001143968A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP4828016B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2011-11-30 | キャボットスーパーメタル株式会社 | タンタル粉末の製法、タンタル粉末およびタンタル電解コンデンサ |
JP5020433B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2012-09-05 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ |
JP4010868B2 (ja) | 2001-05-15 | 2007-11-21 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ |
US6934146B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-08-23 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body |
JP2003109851A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2003109850A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
WO2003032342A1 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-17 | Showa Denko K.K. | Tantalum sintered body and capacitor using the sintered body |
JP2003197468A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-11 | Nec Tokin Toyama Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2003188052A (ja) | 2001-12-17 | 2003-07-04 | Nec Tokin Toyama Ltd | 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法並びに固体電解コンデンサ |
-
2004
- 2004-11-12 US US10/579,065 patent/US7436652B2/en active Active
- 2004-11-12 JP JP2004328607A patent/JP4614269B2/ja active Active
- 2004-11-12 WO PCT/JP2004/017226 patent/WO2005048277A1/en active Application Filing
- 2004-11-12 CN CN2004800336835A patent/CN1883021B/zh active Active
- 2004-11-12 EP EP04799766.3A patent/EP1683168B1/en active Active
- 2004-11-12 TW TW093134727A patent/TW200522109A/zh unknown
-
2006
- 2006-05-11 KR KR1020067009196A patent/KR101076312B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-09-29 US US12/240,769 patent/US20090027834A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070146969A1 (en) | 2007-06-28 |
US7436652B2 (en) | 2008-10-14 |
JP2005167230A (ja) | 2005-06-23 |
TWI342029B (zh) | 2011-05-11 |
KR20060125747A (ko) | 2006-12-06 |
JP4614269B2 (ja) | 2011-01-19 |
EP1683168A4 (en) | 2009-06-03 |
US20090027834A1 (en) | 2009-01-29 |
CN1883021B (zh) | 2011-04-06 |
KR101076312B1 (ko) | 2011-10-26 |
EP1683168A1 (en) | 2006-07-26 |
WO2005048277A1 (en) | 2005-05-26 |
CN1883021A (zh) | 2006-12-20 |
EP1683168B1 (en) | 2020-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200522109A (en) | Solid electrolyte capacitor | |
TWI415150B (zh) | Solid electrolytic capacitor element, manufacturing method thereof and solid electrolytic capacitor, electronic circuit and electronic machine | |
EP1898433B1 (en) | Solid electrolytic capacitor and production method thereof | |
JP4596543B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
KR101119055B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 소자, 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
TWI464760B (zh) | Capacitor components and carbon paste | |
JP4827195B2 (ja) | 固体電解コンデンサ素子の製造方法 | |
JP4404730B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
TWI399772B (zh) | Capacitor manufacturing methods, capacitors, electronic circuits and electronic machines | |
US7355842B2 (en) | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same | |
JP2005101562A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4488303B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
JP4689381B2 (ja) | コンデンサ素子の製造方法 | |
TWI399773B (zh) | Chip solid electrolytic capacitor and its manufacturing method | |
TWI469163B (zh) | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2005101592A (ja) | 焼結体及びその焼結体を使用したチップ状固体電解コンデンサ | |
WO2007004553A1 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |