JP4488303B2 - コンデンサの製造方法 - Google Patents
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特許文献2の方法では、多数個の導電体に同時に半導体層を形成する工業的な生産規模では対極を必要とするが、その対極にも半導体層が付着するという欠点がある。
特許文献3あるいは4の方法は、多数個の導電体に同時に半導体層を形成する場合に応用すると、化学重合層が邪魔をするためか通電による半導体層がうまく形成されないものが出現する。また、半導体層形成が良好なものは含浸率は大きいが、化学重合層を形成しているためにESR値が良好でないという問題点がある。
したがって、さらにESRが改良され、かつ容量の拡大されたコンデンサの製造方法が求められている。
1. 表面に誘電体層を形成した導電体を一方の電極とし、該導電体を陽極として通電手法によって導電体上に形成した半導体層を他方の電極とするコンデンサの製造方法において、通電前に誘電体層上に微小突起物を形成することを特徴とするコンデンサの製造方法。
2. 微小突起物が、島状及び/または羽毛状である前記1に記載のコンデンサの製造方法。
3. 微小突起物の幅が、0.1〜60nmである前記1または2に記載のコンデンサの製造方法。
4. 微小突起物の大部分が導電体の外表面と外表面から10μm以内の内部細孔表面に存在する前記1乃至3のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
5. 微小突起物が、金属酸化物、金属塩、遷移元素を含む無機化合物、遷移元素を含む有機化合物、及び高分子化合物から選ばれる少なくとも1種である前記1乃至4のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
6. 導電体が、金属、無機半導体、有機半導体及びカーボンから選ばれる少なくとも1種またはそれらの混合物である前記1に記載のコンデンサの製造方法。
7. 導電体が、金属、無機半導体、有機半導体及びカーボンから選ばれる少なくとも1種またはそれらの混合物の導電体を表層に有する積層体である前記1または6に記載のコンデンサの製造方法。
8. 誘電体層が、金属酸化物から選ばれるものである前記1に記載のコンデンサの製造方法。
9. 誘電体層が、Ta2O5、Al2O3、TiO2、及びNb2O5から選ばれる金属酸化物の少なくとも1つを主成分とするものである前記8に記載のコンデンサの製造方法。
10. 半導体層が、有機半導体層及び無機半導体層から選ばれる少なくとも1種である前記1に記載のコンデンサの製造方法。
11. 有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式(1)または(2)
で示される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体から選択される少なくとも1種である前記10記載のコンデンサの製造方法。
12. 一般式(1)で示される繰り返し単位を含む導電性高分子が、下記一般式(3)
で示される構造単位を繰り返し単位として含む導電性高分子である前記11記載のコンデンサの製造方法。
13. 導電性高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体及び共重合体から選択される前記11記載のコンデンサの製造方法。
14. 導電性高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である前記12または13記載のコンデンサの製造方法。
15. 無機半導体が、二酸化モリブデン、二酸化タングステン、二酸化鉛、及び二酸化マンガンから選ばれる少なくとも1種の化合物である前記10に記載のコンデンサの製造方法。
16. 半導体の電導度が10-2〜103S/cmの範囲である前記10記載のコンデンサの製造方法。
17. 前記1乃至16のいずれかに記載の製造方法で作製されたコンデンサ。
18. 半導体の含浸率が85%以上である前記17に記載のコンデンサ。
19. 前記17または18に記載のコンデンサを使用した電子回路。
20. 前記17または18に記載のコンデンサを使用した電子機器。
本発明に使用される導電体の例としては、金属、無機半導体、有機半導体、カーボンから選ばれた少なくとも1種の導電体またはそれらの混合物、またはそれらの表層に導電体を積層した積層体が挙げられる。
本発明の方法は、特に、高い含浸率の半導体を形成しにくい導電体に応用すると効果的であり、例えば焼結体形状の導電体の場合、タンタル金属粉材料の焼結体では、CV値(電解液で測定したときの容量と化成電圧の積)が10万μF・V/g以上、ニオブ金属粉材料の焼結体では、CV値が17万μF・V/g以上で、各々の大きさが5mm3以上の導電体について応用すると効果的であり、また、エッチングされた箔形状の導電体の場合は、1000μF・V/cm2以上でエッチングによる細孔深さが200μm以上の導電体に応用すると効果的である。
導電体が成形体、焼結体またはエッチング細孔を有する形状の場合、微小突起物の大半(50%以上、好ましくは80%以上)が存在する箇所が、導電体の外表面(走査型電子顕微鏡(SEM)で目視確認できる内部細孔を含まない外表面)と外表面から10μm以内の内部(破断した導電体のSEM観察より確認できる;図4に後述の実施例2で形成した焼結体の破断面の元の表面から3μm部分の5万倍のSEM写真を示す。)であることが好ましい。
以上のような構成の本発明のコンデンサ素子は、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属性の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフイルムによる外装などの外装により各種用途のコンデンサ製品とすることができる。これらの中でも、とりわけ樹脂モールド外装を行ったチップ状コンデンサが、小型化と低コスト化が簡単に行えるので好ましい。
本発明によれば、容量出現率が良好なために高容量で低ESRであるコンデンサを得ることができる。
CV(容量と化成電圧の積)15万μF・V/gのタンタル粉と0.24mmφのタンタルリード線を使用して成形し、大きさ4.5×1.0×1.5mmの焼結体を作製した(焼結温度1300℃、焼結時間20分、焼結体密度6.2g/cm3、焼結体の1.0×1.5mmの面中央部に垂直にTaリード線が植設されていて焼結体内部に4mm入り、外部に10mm出ている)。別途用意した長さ250mm幅30mm厚さ2mmのポリイミド製樹脂板(印刷配線により、表面に32個の導電体用の接続端子と定電流ダイオードの各アノードを接続して板左側の給電端子に至る回路、及び裏面に表面の導電体用の接続端子とのみ電気的に接続し、整流ダイオードを介して板右側の化成用給電端子に至る回路が設けられている)に左右30mmを残して前記焼結体32個の各リード線を等間隔かつ等寸に整列接続した。このような樹脂板20枚を5mm間隔に並列に並べ、樹脂板の左右15mmのところで電気的に接続するように金属製フレーム(左右中央部が絶縁されていて、樹脂板に設けた表裏左右の給電端子が絶縁される。)に配設した。金属製フレームに焼結体が640個等間隔に配置されていて、各焼結体はリード線を通して金属製フレームに設けた左右の給電端子に電気的に接続されている。該金属製フレームに連なった焼結体を1ロットとして以下の各種操作を行った。
実施例1で、微小突起物を形成せずに表面に誘電体層を形成した焼結体を半導体層形成溶液に漬け、2mAで30時間通電することと実施例1と同様な再化成を繰り返すことを8回行い半導体層を形成した以外は実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを206個(半導体層形成が比較的に良好であった412個のコンデンサ素子から)作製した。
実施例1でタンタル焼結体の代わりにニオブ焼結体(CV27万μF・V/gの粉、窒化量1万ppm、表面に自然酸化酸素量8.4万ppm、焼結温度1280℃、焼結時間30分、焼結体密度3.4g/cm3)を、タンタルリード線の代わりにニオブリード線を使用して、23Vの化成でNb2O5からなる誘電体酸化皮膜層を形成した。次に焼結体を2%エチレンジオキシチオフェンアルコール溶液に浸漬した後引き上げ放置後18%ナフタレンスルホン酸鉄アルコール溶液に浸漬し引き上げ40℃で30分放置後アルコールに浸漬するという一連の操作を7回繰り返すことにより誘電体層上にエチレンジオキシポリマーを主成分とする微小突起物を作製した。SEM観察によると微小突起物は、幅0.1nm〜20nmの島状または糸状であり、焼結体の表面と表層から3μm以内に大半が存在した。次に、0.1%酢酸水溶液中で17V、80℃、30分再化成し、水洗し、続いてエタノールで洗浄し乾燥した。その後、実施例1と同様にして通電・再化成(14V)を繰り返して半導体層形成を行い、さらに陰極層形成・エージング(85℃、6V、4時間)してチップ状固体電解コンデンサを320個作製した。
実施例2で、微小突起物を形成する代わりに、微小突起物を形成するときに使用したエチレンジオキシチオフェンアルコール溶液の濃度を20%にし、さらにアルコールに漬けることを行わずに、18%ナフタレンスルホン酸鉄アルコール溶液との浸漬を交互に30回行い、誘電体層を設けた導電体に化学重合層を形成した以外は実施例2と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを187個(半導体層形成が比較的に良好であった374個のコンデンサ素子から)作製した。なお、前述した化学重合層は誘電体層を層状に覆っていた。
実施例1で使用したタンタル粉の代わりにCV値7万μF・V/gのタンタル粉を用いて焼結体(焼結温度1360℃、焼結時間20分、焼結体密度6.0g/cm3)を作製した以外は実施例1と同様にしてコンデンサを作製した。
コンデンサの容量:ヒューレットパッカード社製LCR測定器を用い、室温120Hzで測定した。
含浸率:前記コンデンサ容量を、誘電体層を形成した各導電体を30%硫酸中で測定した容量で除した数値の百分率。
ESR値:コンデンサの等価直列抵抗を室温100kHzで測定した。
LC値:室温において、所定の定格電圧(実施例1、実施例3及び比較例1は2.5V値、実施例2及び比較例2は4V値)を作製したコンデンサの端子間に30秒間印加し続けた後に測定した。
Claims (18)
- 表面に誘電体層を形成した導電体を一方の電極とし、該導電体を陽極として通電手法によって導電体上に形成した半導体層を他方の電極とするコンデンサの製造方法において、通電前に誘電体層上に、島状及び/または羽毛状の微小突起物を形成し、前記島状の微小突起物は、幅及び高さが0.1nm〜120nmであり、前記羽毛状の微小突起物は、幅が0.1nm〜120nmであり、高さ及び長さが0.1nm〜600nmであることを特徴とするコンデンサの製造方法。
- 微小突起物の幅が、0.1〜60nmである請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 微小突起物の大部分が導電体の外表面と外表面から10μm以内の内部細孔表面に存在する請求項1または2に記載のコンデンサの製造方法。
- 微小突起物が、金属酸化物、金属塩、遷移元素を含む無機化合物、遷移元素を含む有機化合物、及び高分子化合物から選ばれる少なくとも1種である請求項1乃至3のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
- 導電体が、金属、無機半導体、有機半導体及びカーボンから選ばれる少なくとも1種またはそれらの混合物である請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 導電体が、金属、無機半導体、有機半導体及びカーボンから選ばれる少なくとも1種またはそれらの混合物の導電体を表層に有する積層体である請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 誘電体層が、Ta2O5、Al2O3、TiO2、及びNb2O5から選ばれる金属酸化物の少なくとも1つを主成分とするものである請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 半導体層が、有機半導体層及び無機半導体層から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載のコンデンサの製造方法。
- 有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式(1)または(2)
で示される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした導電性高分子を主成分とした有機半導体から選択される少なくとも1種である請求項8記載のコンデンサの製造方法。 - 一般式(1)で示される繰り返し単位を含む導電性高分子が、下記一般式(3)
で示される構造単位を繰り返し単位として含む導電性高分子である請求項9記載のコンデンサの製造方法。 - 導電性高分子が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体及び共重合体から選択される請求項9記載のコンデンサの製造方法。
- 導電性高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である請求項9記載のコンデンサの製造方法。
- 無機半導体が、二酸化モリブデン、二酸化タングステン、二酸化鉛、及び二酸化マンガンから選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項8に記載のコンデンサの製造方法。
- 半導体の電導度が10-2〜103S/cmの範囲である請求項8記載のコンデンサの製造方法。
- 請求項1乃至14のいずれかに記載の製造方法で作製されたコンデンサ。
- 半導体の含浸率が85%以上である請求項15に記載のコンデンサ。
- 請求項15または16に記載のコンデンサを使用した電子回路。
- 請求項15または16に記載のコンデンサを使用した電子機器。
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