TW200405587A - Light-emitting devices utilizing nanoparticles - Google Patents

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Description

200405587 玖、發明說明： 技術領域 本發明是有關於發光裝置，尤其是半導體發光裝置。 先前技術 半導體發光裝置，比如發光二極體（LED)與雷射二極體 (LD)，是目前最有效率且最強的發光源。目前製造出能操 作在可見光譜區的高亮度LED的可用材料系統包括111_¥半 導體，尤其是也被稱作是第III族氮化物材料之鎵，鋁，錮 與氮的二元，三元以及四元合金，以及尤其是也被稱作是 第III族磷化物材料的鎵，鋁，錮與磷之二元，三元以及四 元合金。 傳統半導體發光裝置的共同問題是，在該裝置與周圍環 境間之界面上，其總體内部反射會降低從這種裝置中所抽 取出之光線的效率，緊接著再次吸收該裝置内的反射光。 這種總體内部反射的發生是因為，形成該裝置的半導體材 料的折射率（例如η〜3 ·5的第III族磷化物材料），在該裝置的 發射波長下，會大於該材料的折射率，而該材料通常是環 氧樹脂或矽膠（η〜1.5或更小），其中該裝置被封裝或包封在 孩材料裡面。總體内部反射所造成的損失會隨著該裝置内 折射率對該裝置外折射率的比例而快速增加。 傳統半導體發光裝置對於某些應用來說可能是缺點的另 特點是’這種裝置的發射光譜在由發光半導體裝置之斧 構以及所建構之材料的組成所決定的波長（尖峰波長）下， 通常會展現出單一窄尖峰（例如半最大值時的全寬約為i5
85897.DOC 200405587 至50奈米）。某些應用需要比傳統發光半導體裝置所能直接 產生的發射光$普达莧1的發射光譜。例如，某些發光鹿用需 要產生近乎白色光。此外，傳統發光半導體裝置產生光線 的效率通常是隨著該裝置的結構與組成因調整窄發射光譜 的改變而變動。結果，傳統發光半導體裝置可能無法滿足 需要有效產生特定波長光線的應用。 加寬或移動該發光半導體裝置之發射光譜的傳統方法， 牽涉到使用這種裝置的發射作用來激發發光體。如同在此 所使用的，”發光體”是指任何吸收某一波長之光線並發射 出另一波長光線的發光材料。例如，從發光半導體裝置發 射出的監光可以用來激發黃色發光體。最後的黃光可以混 合到未被吸收掉的藍光中而產生白光。從發光半導體裝置 發射出的發射光線會被發光體轉變成另一波長，該發光裝 置通常是稱作"發光體轉換發光裝置”。不幸的是，^種發 光體轉換發光裝置通常並不如所需要的有效率。 所需要的是一種具有改善之光線抽取、改善之發光體轉 換或是二者同時皆具備的半導體發光裝置。 發明内容 在某些實施例中，發光裝置包括光源、第一材料以及第 二材料的微粒，其中該光源會發射出第一光線，該第一材 料本質上是透明的且用來接收至少一部分的第—光線，該 第二材料的微粒分散到第一材料中。第二材料的折射率在 第-光線的波長下會大於第一材料的折射率。第二材料的 微粒具有約小於其波長的直徑，而且本質上不會吸收掉該
85897.DOC 200405587 波長的光線。例如，該光源可以是發光半導體裝置。 這些實施例的發光裝置可以進一步包括分散在第一材料 中的第二材料微粒。第三材料的微粒會吸收掉至少一部分 的第一光線，並發射出波長較大的第二發射光。第一材料 以及第二材料微粒一起提供一介質層，該介質層在第一光 線的波長下具有約與第三材料相匹配的折射率。 在某些實施例中，發光裝置包括光源、第-材料、第二 材料的微粒以及第三材料的微粒，其中該光源會發射出^ 光泉▲第材料本質上是透明的且用來接收至少一部 分的弟-光線，該第二材料的微粒分散到第—材科中，今 第三材料的微粒被分散到第—材料中。該第二材料的折: 率在第一光線的波長下會大於第一材料的折射率。第二材 料的微粒具有約小於其波長的直徑。第三材料的微粒具有 約大於其波長的直徑。例如，該光源可以是發光半導體裝 置。 在某些後面的實施例中，第二材料的微粒會吸收掉至少 一邵分的第-光線並發射以長較大的第二發射光。第三 材料的微粒也會吸收掉 #刀的罘一光線，並發射出 波長車父大的光線。裳 j, 人所爲，，泉卜材料以及第二材料微粒一起提供— 相匹配的折射率。先、，泉的波長下具有約與第三材料 依據某些實施例的發朵 裝置可以用一種方法來製造，該 万法挺供發射出第—伞合 ^ ^ 、、泉9光源，提供與該光源做光學聯 繁的罘一材料，以另政#， ^ 及將乐二材料的微粒分散到第一材料中 -> -7· Γ* •ί / 0
85897.DOC 200405587 。第一材料本質上對於第一光線是透明的。該第二材料的 折射率在第一光線的波長下會大於第一材料的折射率。第 一材料的微粒具有約小於其波長的直徑。該分散處理是要 讓第一材料以及第二材料微粒一起提供一具有特定折射率 的介質。 在此所揭示的發光裝置比起傳統發光裝置，可以很有利 的展現出增加從主要光源的光線抽取，增加從發光體微粒 的光線抽取，以及減少發光體微粒的光線散射。 實施方式 本發明揭示出一些發光裝置的實施例，其中奈米微粒是 結合發光半導體裝置一起使用。如同在此所使用的，，，奈米 微粒π是指直徑（或相類似的斷面尺寸）通常遠小於約一微 米的微粒。例如，這些奈米微粒可以是任何的形狀，而且 可以包括結晶或非晶質的固體或液體。 本發明人已經揭示出，半導體裝置之主要發射以及發光 體微粒之第二發射的發光體微粒，其散射會大幅的降低傳 統發光體轉換發光裝置的效率。一部分被發光體微粒所散 射的光線會被散射到半導體裝置的吸光部分或是其封包内 ，因而損失掉。 會發生這種發光體微粒所造成的散射，是因為發光體微 粒本質上通常是大於主要與第二發射光線的波長，而且因 為發光體微粒通常在這些波長下具有遠大於周圍介質的折 射率。例如，傳統的發光體轉換發光裝置通常是使用具有 直徑約2微米（μιη)至約20 μηι的發光體微粒。比較上來說，
85897.DOC 200405587 可見光在傳統上是定義成包括約380奈米（nm)至約77〇麵 的波長。這些傳統上通常對於可見光具有約i 7至約2.3的 折射率的發光體微粒，—般是内建在對這些波長中具有約 1.5折射率的環氧樹脂或矽膠宿主材料内。描述在這種情形 下光散射的理論，例如，在Handb〇〇k 〇f 〇ptics(i995年由
McGraw Hill出版，Michael Bass所編輯的第6章）中，在此以 引述的方式併入本案。 例如，在圖1A的曲線圖中顯示出對於這種發光體轉換發 光半導體裝置之效率的散射效應。在這些裝置中，從第ΙΠ 族氮化物發光二極體（LED)的藍色光會被摻雜銪之硫鎵化 魏的發光體微粒（具有約4 μηι至約5 μηι直徑）轉換成綠色光 ，該發光體微粒是分散在LED上的矽膠樹脂中。曲線圖中 標識成”藍色光分率”的水平軸是表示由Led所發射出之藍 色光的百分率，既不會被吸收掉也不會被轉換掉，因此是 出現在發光體轉換裝置的總光輸出中。隨著矽膠中發光體 之體積分率的增加，藍色光分率會減少。因此，水平軸也 表示樹脂内發光體的負載，發光體的負載會沿著該軸由左 向右減少。 曲線圖中左邊的垂直軸表示發光體轉換裝置的總光輸出 ’以流明為單位（1 m)。標識成’’封裝增益’’的右邊垂直軸表 示伸縮率，基於已知的LED以及發光體的特性且忽略掉散 射效應，總光輸出的理論預測必須乘上該伸縮率，以便匹 配到所量側之發光體轉換裝置的性能。理想的裝置具有為i 的π封裝增益”。所以，右邊的垂直軸是在量度，發光體微 85897.DOC -10- 200405587 粒所產生的散射對該裝置性能所造成退化的程度。尤其， 車乂低的封裝增益”表示因散射的損失會增加。鑽石形狀的 資料點2表示發光體負載與總光輸出之間的關係。方塊形資 料點4以類似的方式表示發光體負載與發光體微粒之散射 損失之間的關係。 本發明人等已經從圖1A的資料以及從類似量側結果中 決疋出，在傳統發光體轉換發光裝置中，隨著宿主材料中 极紅之肖豆；f貝刀率的增加，内建在較低折射率宿主材料中發 光體微粒之散射所造成的損失也會增加。從類似的量測中 本發明人等也已經決定出，如果增加發光體微粒的折射 率以及發光體微粒的體積分率，而且宿住材料的種類沒有 改變時，因散射所造成的損失也會增加。通常，約5〇%傳 統發光m轉換發光裝置的總光功率會因發光體微粒的散射 以及隨後的吸收而損失掉。 即使在試驗裝置中，其中用具有與傳統發光體微粒相類 似尺寸大小之近似濃度的非吸收微粒來取代發光體微粒， 卻仍有約跳至約20%的藍色光會因散射而損失掉而落到 該裝置的吸收區上。例如，圖1]8畫出封包在謂樹脂中第 III族氮化物LED的正規化藍色光（垂直轴）相對於分散於該 樹脂中非吸收散射微粒的重量％。曲線3表示具有約5 BaS〇4微粒之非吸收微粒的裝置。曲線5表示具有約2 YOS微粒之非吸收微粒的裝置。藍色光會隨著二組裝置之 封包物内微粒負載的增加而快速減少。 本發明人等確信，傳統發総轉換發域置中發光體微 85897.DOC -11- 200405587 粒之散射所產生的大幅損失，尤其是其原因，都已經變得 不明顯。 、 本發明人等已經認知到，從半導體裝置之主要發射光以 及從發光體微粒本身之第二發射光的發光體微粒7其散射 都可以藉減少發光體微粒的尺寸大小到低於主要發射光與 第二發射光的波長（比如尖峰波長）來降低。例如，通常具 有小於約10 nm直徑且因此散射出少量的主要與第二發射 光的半導體奈米晶體或半導體量子點，可以用來當作本質 上非散射發光體。美國專利申請序號第〇9/167,795案以及 美國專利申請序號第09/350,956案都揭示出，使用半導體 奈米晶體與量子點對發光半導體裝置的輸出進行發光體$ 換處理，該二專利申請案以引述的方式在此併入本案。然 而這些參考資料並不能辨識出，傳統發光體轉換發光裝置 中較大發光體微粒的散射所造成的重大損失，以及藉使用 非散射發光體微粒所實現的優點。 本發明人等也已經了解到，傳統發光體轉換發光裝置中 發光體微粒的光散射可以藉增加介質的折射率而減少，其 中發光fe彳政粒被嵌入到介質内，以便更加匹配到發光體微 粒的折射率。尤其，本發明人等已經發現，可以將奈米微 粒分散開來完成發光體微粒周圍之介質所需增加的折射率 ，該等奈米微粒是比射入宿主材料内之主要以及第二發射 光的波長（比如尖辛波長）還小，而發光體微粒是被後入到 凛奋主材料内。選取奈米微粒以便具有比宿主材料還大的 折射率。然而由於其尺寸大小的緣故，奈米微粒會散射掉
85897.DOC -12 - 200405587 少許的發射光。 將較高折射率的奈米微粒分散到較低折射率的宿主材料 内所達成的折射率之增加，可以用有效媒體理論來了解。 有效媒體理論，比如在第六版之Principles 〇f 〇pticsd 〇rn與Emil Wolf合著，1 980年由pergamon出版的第二章） 中所討論的，是以其建構組件的特性說明混合物的光學以 及介電質特性。例如，混合物的折射率可以用其組件之折 射率的體積加權平均值做很精確的近似，如果該混合物是 當成包括其它材料的非散射區的宿主材料用。在這種情形 下，用體積v具有折射率n之組件的混合物所形成之介質的 折射率η可以用方程式表示： ， Σ瓶 舉例來說，對於分散於折射率約丨.5之環氧樹脂或矽膠中 折射率約2.3至約2·4之氧化铯或氧化鈦的奈米微粒材料的 情形，方程式（1)表示，隨著奈米微粒在混合物中的體積分 率在、、’々0 土約〇 · 3 5之間做變動，混合物的折射率會在約1 5 至約1 ·8<間變動。這種混合物折射率的上限是由奈米微粒 在宿王材料内的分散率以及奈米微粒與宿主材料的折射率 所設定。例如，本發明人等確信，氧化铯與氧化鈦的奈米 微粒可以分散到矽膠中到達超過約3〇%至約4〇%的體積分 率 Q此例如可以調郎這種混合物的折射率，使得通常 具有約1 · 8折射率的傳統摻雜釔鋁柘榴石（YAG)的發光體微
85897.DOC -13- 200405587 粒太t本質t如，散到混合物中便不會將光散射掉。 I明人等還發現，將比該裝 比如尖學波長）還小的夺米财八今 出〈發射光波長（ 、、 "未铽“散到宿主材料内，以及將 摄混合物安置到發光半導體裝置 # ^ ^ ^ ^ ^ ? 及其周圍，會增加從發 先丰導眼裝置中的光線抽取。選取且 率還高的奈米微粒。與只被包封在;:有=王材料之折射 〇訂在但王材料内的類似半導 骨豆發光裝置比較起來，光線抽取會 曰曰加因為所增加的混 5物折射率會降㈣内部反射所造成的損失。 此外本發明人等已經發現，將比該發光體微粒發射出 之發射光波長（比如尖學波長）還小的奈米微粒分散到宿主 材料内，也會讓從分散到宿主材料内發光體微粒的光線抽 取增加。選取具有比宿主材料之折射率還高的奈米微粒。 與只被分散到宿主材料内的發光體材料比較起來，從發光 體微粒的光線抽取會增加，因為周圍介質的折射率增加。 因為類似的理由’本發明人等預期，從直徑比該發光體微 _發射出之&射光波長（比如尖夸波長）還小的發光體微粒 中的光線柚取’會隨著宿主材料内微粒濃度的增加而增加。 依據本發明的實施例，可以結合奈米微粒一起使用的適 當發光半導體裝置’包括從第III族氮化物、第III族磷化物 、第III族砷化物以及其組合體所形成的裝置，但並不受限 於此。例如，這些裝置可以是發光二極體或雷射二極體， 而且可以發射出紫外光、可見光或紅外光波長的光線。例 如’適當的發光半導體裝置被揭示於美國專利編號第 6，133,589案，美國專利編號第6,229，16〇案以及美國專利申
85897.DOC -14- 200405587 請序號第09/469,657案，三者在此都是以引述的方式併入 本案。 例如參閱圖2，本發明的實施例可以使用以AlxInyGazN為 基礎的LED 10，該LED 10包括在緩衝層14上的多層磊晶結 構12，而該緩衝層14依序被安置到基板16上。例如，可以 由藍寶石（Al2〇3)，碳化矽或第Π][族氮化物材料形成基板i 6 。磊晶結構12包括被安置在p型上部AlxInyGazN區20與下部 AlxInyGazN區22之間的主動區18。AlxInyGazN區22包括n型 及/或未摻雜的。主動區18包括一個或多個由 AlxInyGazN所形成的量子阱。歐姆？型接觸點24與金屬層26 是以電氣方式相互耦合在一起，並耦合到上部AlxIliyGazN 區20。歐姆n型接觸點28是以電氣方式耦合到下部 AlxInyGazN區22。施加適當的偏壓跨越接觸點24與接觸點 2 8之間會藏成電子與電洞被注入到主動區1 $内。主動區1 $ 内電子與電洞的輻射復合產生光線。在其中一種實現方式 中，金屬層26對於由主動區18所發射出的光線是半透明性 在另一種貫現方式中，金屬層26對於由主動區18所發射 出的光線是高反射性，而且LED 1〇是被安置成具有面向一 久載板 < 接觸點24與接觸點28的覆晶。要了解的是，
AlxInyGazN的組成可以在LED 1〇内的不同薄層以及區域之 間變動。 在實施例（圖3)中，發光裝置30包括安置在反射性罩杯34 内的發光半導體裝置32。反射性罩杯34也包含有對裝置32 所發射出之光線在本質上是透明性的材料36。奈米微粒38
85897.DOC -15- 200405587 的折射率在裝置32所發射出之光線波長（比如尖峰波長）上 疋比該材料36的折射率還大，而且奈米微粒38被安置到在 本質上透明的材料36内。奈米微粒38是選取成具有比裝置 32所發射出之光線波長（比如尖峰波長）還小的直徑，因此 本貝上不會將發射光散射掉。最好，奈米微粒3 8具有的直 徑是比裝置32的1/4尖峰發射光波長還小。例如，在某些實 現方式中，奈米微粒38具有約2 nm至約5〇 nm的直徑，而 且裝置32會發射出具有波長大於約4〇〇 nm的光線。反射性 罩杯34會將發光半導體裝置32所發射出的光線反射開，形 成發光裝置30的光輸出。在其它實施例中，底下將討論的 ，圖3中所顯示的選擇性的發光體微粒4〇也是被分散到材料 36内。 本貝上透明的用詞在此是用來表示，所描述的材料會 將裝置32所發射出的光線傳送出纟，其在尖♦波長時因吸 收或散射的單次損失小於約25%，最好是小於約1〇%，而 小於約2%則更好。材料36可以是有機性或無機性，而且舉 例來說可以包括傳統環氧樹脂，壓克力聚合物，聚碳酸酯 ，矽膠聚合物，光學玻璃，硫硒碲玻璃，旋環狀化合物以 及其混合物，但並不受限於此。 在某些實現方式中，奈米微粒38在本質上不會吸收裝置 32所發射的光線，尤其是在尖峰發射光波長時。，，本質上不 會吸收掉，，以及”本質上不吸收”的用詞在此是用來表示，在 這些實現方式中，奈米微粒是足夠的非吸收性，對於被封 包物傳送出去之光線的單次損失，不會增加到大於約
·'· Γ; A
85897.DOC -16 - 200405587 ’最好是不大於約20%。热知該技術領的人士將會了解到 ，因奈米微粒對裝置32所發射之光線的吸收而造成的損失 是取決於個別奈米微粒的吸收斷面，本質上透明之材料3 6 内的奈米微粒濃度，以及有可能取決於奈米微粒與周圍材 料之間的交互作用。這種實現方式的適當奈米微粒可以包 括金屬氧化物，氮化物，矽酸氮以及其混合物的奈米微粒 ’但並不受限於此。適當的金屬氧化物包括氧化轉，氧化 鋅，氧化铪，氧化鈥，氧化鋅，氧化鍺，以及其組合體， 但並不受限於此。例如，德國法蘭克福的Degussa-Huls AG 公司有出售這種具有約2 nm至約1 〇 nrn範圍之金屬氧化物 的奈米微粒。這種實現方式的適當奈米微粒也可以包括 Π-VI族半導體的奈米微粒，比如硫化鋅，硒化鋅，硫化鎬 ’石西化鎘，碲化鐵以及其三元或四元的混合物，而且可以 包括III-V族半導體的奈米微粒，比如第ΠΙ族氮化物，第III 族磷化物以及其混合物。這些半導體奈米微粒具有大小可 調的吸收光譜，如所揭示出的，例如美國專利申請序號第 09/167,795案以及美國專利申請序號第〇9/350,956案。因此 ’半導體奈米微粒的尺寸大小可以選取成讓該奈米微粒在 本質上不會吸收掉由裝置32所發射出之光線的波長。 在其它實現方式中，奈米微粒38會吸收掉至少一部分由 發光半導體裝置32發射出去之的主要發射光，並發射出波 長大於或小於其吸收光的第二發射光。因此，在這些實現 方式中，奈米微粒38是當作發光體。這些實現方式的適當 奈米微粒包括上列II-VI族與III-V族材料的奈米微粒，其尺 -17-
85897.DOC 200405587 寸大小是選取成讓該奈米微粒會吸收掉一部分的主要發射 光，但並不受限於此。 在這些實現方式中’可以使用製造傳統發光體轉換發光 裝置時的傳統混合技術，將奈米微粒38分散到材料％内， 並且對於熟知該技術領的人士來說是眾所周知的技術。例 如，傳統的三軸混合機可以用來將奈米微粒分散到矽膠材 料中。在其它實現方式巾，奈米微粒可以分散到硫晒碲玻 璃與光學玻璃中’例如藉加熱該破璃到熔融狀態，加入粉 末狀的奈米微粒，並使用玻璃製造技術中的傳統方法來攪 拌該混合物。此外，熟知該技術領域的人士將會認知到， 某些半導體奈米微粒可以使用製造彩色玻璃滤光片時的傳 統玻璃製造技術，而在玻璃内成長出來或合成出來。 然後材料⑽奈米微粒38的體積分率可以在計算值附近變 動，以便決定出提供具有特定所需折射率之混合物的體積 分率。 在某些實現方式中，材料36内奈米微粒38的體積分率 (濃度）可以選取成讓奈米微粒38與材料36一起提供且有特 定折射率的介質。可以用上述的有效介質理論，來決定出 提供所需折射率_料36内奈米微粒38的近似體積分率。 在某些實現方式中’材科36内奈米微粒38的體積分率可 =在約鳩至約6G%之間變動。如上料膠内的氧化石西或 氧化鈇奈米微粒的實例，在發光半導體裝置32所發射之主 要發射光的尖較長上，奈米微粒38與材料36_起提供具 有折射率約大於1.6的介質，最好是約大於18。
85897.DOC -18- 200405587 熟知該技術領域的人士將會認知到，材料36與奈米微粒 38可以用已知的不同方法，安置在反射性罩杯34内。 與包封在材料36内的類似發光裝置比較起來，從發光半 導體裝置3 2的光線抽取，會很有利的增加，因為所增加的 奈米微粒38與材料36之混合物的折射率可以讓因裝置32與 材料36界面上總内部反射所造成的損失減少。可以完成從 裝置32所增加的光線抽取，而不會增加發射光的散射。 此外，奈米微粒38可以很有利的對發光半導體裝置“的 所有主要發射光或一部分主要發射光進行發光體轉換處理 ，以便由發光裝置30提供所需的總發射光。例如，可以用 製造發光體轉換發光裝置的傳統方法，來選取出奈米微粒 38以及在材料36的體積分率，使得奈米微粒“的發射光結 合裝置32的未吸收發射光，以便提供白色光。例如，如果 有必要，可以讓發光裝置30的任何單元的表面變成粗糙， 使得裝置32的主要發射光以及奈米微粒38的第二發射光能 很便利的混合在一起。 在另-實施例（仍參閱圖，額外的發光體微㈣被分 政到材料3 6内。通g，發光體微粒4()在發光半導體裝置^ 所發射之發射光的波長±，具有比材料36之折射率還大的 折射率。發光體微粒4〇可以分散到材料_結合奈米微粒 8 1下米微粒38本質上是會吸收掉一部分由裝置所發 射出去的發射光，並發射出第二發射光。 、在某些實現方式中，發光體微粒40的直徑約大於裝置32 《發射光的波長(比如尖峰波長)。這些實現方式，的適當
85897.DOC -19- 200405587 發光體微粒包括記銘拓梅石，硫代嫁酸鹽，未取代鎵酸鹽 ，硫代鋁酸鹽，未取代鋁酸鹽，磷酸鹽，矽酸鹽（例如氮石夕 酸鹽），硒化物，硫化物以及其混合物的材料微粒，但並不 受限於此。例如，這些材料可以摻雜（啟動）包括鈽與銪離 子的稀土離子，但不受限於此。發光體微粒4〇也可以包括 熟知該技術領域之人士所周知的其它傳統發光體材料。 在其匕貝現方式中，發光體微粒40的直徑約小於發光半 導體裝置32之發射光的波長（比如尖峰波長這些實現方 式中的適當奈米微粒包括上述Π-VI族與in-V族材料的奈 米微粒，但並不受限於此，其尺寸大小是選取成讓該奈米 微粒吸收掉一部分的主要發射光。發光體微粒4〇也可以是 或包括有機染料分子。 可以藉如上述的傳統技術，讓發光體微粒40分散到材料 36内結合奈米微粒38。可以用製造發光體轉換發光裝置時 所用的傳統方法來選取出發光體25微粒4〇以及其材料刊内 的體積分率，使得發光裝置30提供所需的輸出發射光譜， 比如白色光。 奈米微粒38與材料36之混合物所增加的折射率，與單獨 的材料36比較起來’可以很有利的減少光線散射，並增加 從發光體微粒40的光線抽取。尤其，隨著混合物的折射率 接近發光體微粒40的折射率，發光體微粒的光散射會朝零 降低’而且從發光體微粒的光線抽取會被最佳化處理。 在某些實現方式中，可以選取奈米微粒38以及其在材料 36中的體積分率，讓奈米微粒38與材料36—起提供一種在
85897.DOC -20- 30 Λ 405587 裝置32或發光體微粒4G所發射出之純波長（比如尖學波 長）下的介質，孩介質在相同波長下具有大約與發光體微粒 4〇之折射率相匹配的折射率。在這些實現方式中，選取太 米微粒38以及其在材料％中的體積分率可以用類似於上^ 的有效介質理論來料。例如，謂與氧⑽或氧化欽奈 未微粒之混合物的折射率可以如上述說明進行調節，以便 將YAG發光體微粒的折射率匹配到約丄〇%至约…或更好的 範圍内。 在其它實現方式中，奈米微粒38與材料36的混合物靜 光體微粒40的尺寸大小都可以㈣㈣提供發光體微粒^ 所需的光散射量。例如，在某些實現方式中，混合物的折 射率是被調節成讓發㈣微粒4G的光散射被設定成便利於 將毛光半導fa裝置32，發光體微粒以及（選擇性的）奈米 微粒38的發射光進行混合所需的最小程度。 在另1施例（圖4)中’發光裝置42包括發光半導體裝置 32”材料36的薄層44，該發光半導體裝置32是安置到反射 陡罩杯34内’而該薄層44是安置在裝置32的-個或多個表 面上。奈米微粒38與（選擇性的）發光體微粒40是被分散到 材料36内。例如，可以結合上述相對於發光裝置30(圖3) 的任何一種古, 々八’棱供材料36，奈米微粒38以及發光體微 粒4 0。相類似沾 " 勺’知奈米微粒38結合到發光裝置42可以提 供任何上述的優點。 例如可以藉傳統的噴霧，隔板印刷以及浸泡方法而沉 元、出薄層44。在其中的實現方式中，薄層44可以是用美國
85897 .DOC -21 - 200405587 專利申請序號第09/688，053案所描述之印刷方法所塗佈上 去的相容層，該案在此以引述的方式併入本案中。 例如，在另一實施例（圖5的發光裝置46)中，材料36是形 成如圖中所示的透鏡（或其它光學單元），或是在狀如透鏡 或其它光學單元的中空殼形内，並且被安置在發光裝置32 的周圍。例如，材料36，奈米微粒38以 _____ 月豆极粒40可以用上述的任何組合。可以使用熟知該技術領 域<人士所熟悉的傳統封包方法，讓材料36形成透鏡或其 它形狀。除了奈米微粒38以及上述所提供的優點以外，發 光裝置46的透鏡狀部分還會減少因總内部反射所造成的損 失’並且結合反射器34而形成發光裝置46的光學輸出。 在另一貫施例（圖6的發光裝置48)中，透鏡或其它光學單 元50被貼附到具有材料36之薄層52的發光半導體裝置μ上 例如奈米微粒38以及（選擇性的）發光體微粒4〇可以用 f述的任何組合分散到材料36中。在實現方式中，材料％ 是具有相§低熔點的高折射率玻璃，而且光學單元是鍵 結到具有薄層52的發光半導體裝置32上，例如，利用如在 =國專利中請序號第G9/66G，317案中所揭示的晶圓鍵結方 出在此以引述的方式併人本案。該參考資料也揭 = 適合用來當作薄層52内的材料36,而且 通“作螇光學單元50可以很有利形成的材料 相當高折射率的材料中形成光學單元Μ， 加從發光半導體裝置32的光線抽取。 1 、冒 圖7是依據某些實施例的封裝發光裝置的分解圖。發光裝
85897.DOC -22- 200405587 置54可以是在此所述的任何發光裝置或是如發光裝置之發 光半導體裝置組件’該發光裝置54被直接或間接的經由熱 傳導次載板56安置到散熱塊58上。該散熱塊58可以包括選 擇性的反射器罩杯6G ’該反射器罩杯6G可以是反射器34 (圖3-5)以外的組件或是取代該反射器34。該散熱塊μ被安 置到插人成形導線架62内。例如，該插人成形導線架Μ是 在金屬框周園形成之塑膠填充材料，該金屬框提供到發光 裝置54的電氣路徑。可以加上透鏡“或其它光學單元。透 鏡64可以是圖5與圖6中透鏡以外的、组件或是取代圖5與圖6 中的透鏡。 雜本發明已、_麟定的實施例做了說明，但是本發 明是要包括在本案所主張之範圍㈣所有變動以及改變。 例如’可以用上述方式使用奈米微粒，以減少發光體對除 發光半導體裝置以外之光源所提供之光線的散射，並改善 從這些光源的光線抽取。例如，另外的光源包括雷射，傳 統的白熱燈以及螢光燈。 此外’雖然圖式中顯示出包括奈米微粒38以及（選擇性的） 發光體微粒40的材料36,是直接安置在發光半導體裝置η 上，但是在其它實施例中，材料36是可以與裝置32間隔開 。例如，在某些實施例中，可以藉透明的間隔層將材料36 與裝置32間隔開’比如美國㈣編號第5,959,316案中所揭 示的’該專利案在此以引述的方式併入本案。此外，雖钬 圖3-5中的每個實施例都包括反射器34,但是某些其它實施 例並不包括這種的反射器。雖然在一些實施例中所使用到
85897.DOC 200405587 的透叙已經用半球形的形狀來顯示，但是這些透鏡可以且 有其b ^ H或是例如’用顯微透鏡陣列來實現。、 圖式簡單說明 圊疋〜示出發光體轉換發光裝置的性能當作樹脂中 約5U米务光體微粒之體積分率的函數的曲線圖。 圖1B是顯示出樹脂封包發光二極體的性能當作分散在 树月曰中非吸收散射微粒重量％的函數的曲線圖。 圖2疋某些實施例中所使用到之發光二極體的示意圖。 圖3疋發光裝置的示意圖，其中奈米微粒是依據某些實施 例被分散到位於發光半導體裝置周邊材料内。 ”她 圖4疋發光裝置的示意圖，其中奈米微粒是依據某些實施 例被分散到位於發光半導體裝置上的一層材料内。 圖5是發光裝置的示意圖，其中奈米微粒是依據某些實施 例被分散到在形狀上成透鏡的材料内。 圖6是發光裝置的示意圖，其中奈米微粒是依據某些實施 例被分散到貼附於發光半導體裝置上的一層材料内。 圖7是依據某些實施例結合到封包内的發光裝置的分解 圖。 要注意的是，圖式中的尺寸大小不一定是按照實際尺寸 。不同圖式中的類似參考數號在不同實施例中是表示相類 似的部分。 圖式代表符號說明 10 發光二極體 12 多層磊晶結構
85897.D〇C 24- 14200405587 16 18 20 22 24 26 28 3〇 ， 42 ， 46 ， 48 ， 32 34 36 38 40 44，52 50 56 58 60 62 64 緩衝層 基板 主動區 上部 AlxInyGazN 區 下部 AlxInyGazN 區 歐姆P型接觸點 金屬層 歐姆接觸點 54 發光裝置 發光半導體裝置 反射性罩杯 材料 奈米微粒 發光體微粒 薄層 光學單元 次載板 散熱塊 反射裔罩杯 導線架 透鏡
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Claims (1)

  1. 拾、申請專利範園： h —種發光裝置，其包括： 一光源，發射出第一光線； ’而且 一第一材料，對於該第一光線本質上是透明的 用來接收至少—部分的第一光線；以及 么第二材料的微粒，分散到該第一材科内，在該第一光 2的波長下，該第二材料具有比該第一材料之折=率還 π的折射率，該微粒具有約比該波長還小的直徑，而且 本貝上不會吸收掉該波長的光線。 2. 如申請專利範圍第！項之發光裝置，其中該光源包括 光半導體裝置。 又 3. 如申請專利範園第丨項之發光裝置，其中該第一 置在至少一部分的光源上。 材料被安 4. 如申請專利範圍第i項之發光裝置，其中該第一材料包括 選取自由環氧樹脂、謂、壓克力聚合物、聚碳酸酷、 光學玻璃、硫科玻璃、旋環狀化合物以及其混合物所 構成之群組的材料。 5.如申請專利範圍第i項之發光裝置，其中該第二材料包括 選取自由金屬氧化物、„_VI族化合物、m_v族化合物、 氮化物、珍酸氮、以及其混合物所構成之群組的材料。 6·如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中該第二材料包括 選取自由氧化鈣、氧化鈽、氧化铪、氧化鈦、氧化鋅、 氧化錘、以及其組合體所構成之群組的材料。 7·如_請專利範圍第1項之發光裝置，其中該微粒具有約2 85897.DOC 394 8·200405587 nm至約50 nm的直徑。 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一材料與該 第二材料的微粒一起提供具有大於1.6之折射率的介質。 如申請專利範圍第1項之發光裝置，進一步包括第三材料 的微粒，分散到該第一材料内，該第三材料的微粒會吸 收至少一部分的第一光線，並發射出波長大於該第一光 線之波長的第二光線。 如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該第三材料的微 粒具有比約該第一光線之波長還大的直徑。 如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該第三材料的微 粒具有比約該第一光線之波長還小的直徑。 如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該第三材料包括 選取自由π-νι族化合物、ΙΠ_ν族化合物、有機染料、妃 鋁柘榴石、鎵酸鹽、鋁酸鹽、矽酸鹽、磷酸鹽、硒化物 、硫化物以及其混合物所構成之群組的材料。 =申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該第一材料與該 第二材料的微粒一起提供一介質，該介質的折射率在該 第一光線的波長下，大約匹配到該第三材料的折射率: 如申請專利範圍第1項之發光裝置，進一步包括一光學單 元，其中該第一光線的至少一部分被安置在該光學 與該發光半導體裝置之間。 如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中該第—材料的 沣分將該光學單元鍵結到該發光半導體裝置。 如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中該光學單元包 85897.DOC -2- 200405587 括一透鏡。 17·如申請專利範圍第1項之發光裝置，進一步包括·· 一次載板，連接到該光源上；以及 一導線架，連接到該次載板上。 18·—種發光裝置，其包括： 一光源，發射出第一光線； 一第一材料，對於該第一光線本質上是透明的，而且 用來接收至少一部分的第一光線； 第二材料的微粒，分散到該第一材料内，在該第一光 線的波長下，該第二材料具有比該第一材料之折射率還 高的折射率，該第二材料的微粒具有約比該波長還小的 直徑；以及 第三材料的微粒，分散到該第一材料内，該第三材料 的微粒具有約比該波長還大的直徑。 19. 如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該光源包括一 發光半導體裝置。 20. 如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第一材料被 安置在至少一部分的光源上。 21·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第一材料包 括選取自由環氧樹脂、矽膠、壓克力聚合物、聚碳酸酯 光予玻璃、硫晒碑玻璃、旋環狀化合物以及其混合物 所構成之群組的材料。 22·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第二材料包 括選取自由金屬氧化物、矽酸氮、氮化物、π-νι族化合 85897.DOC 200405587 物、ΙΙΙ-V族化合物、有機染料以及其混合物所構成之群 組的材料。 23·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第二材料的 微粒具有約2 nm至約50 nm的直徑。 24.如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第一材料與 該第二材料的微粒一起提供具有大於1·6之折射率的介 質。 5.如申请專利範圍第18項之發光裝置，其中該第二材料的 微粒會吸收至少一部分的第一光線，並發射出波長大於 該第一光線之波長的第二光線。 26·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第三材料包 括選取自由纪鋁柘榴石、鎵酸鹽 '鋁酸鹽、矽酸鹽、磷 酸鹽、硒化物、硫化物以及其混合物所構成之群組的材 料。 27·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第三材料的 微，會吸收至少一部分的第一光線，並發射出波長大於 孩第一光線之波長的第二光線。 28·如申請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第二材料的 2粒會吸收一部分的第一光線，並發射出波長大於該第 光、、泉之波長的第二光線，而且該第三材料的微粒會吸 收另一邯分的第一光線，並發射出波長大於該第一光線 之波長的第三光線。 29·::請專利範圍第18項之發光裝置，其中該第一材料與 /第一材料的微粒一起提供一介質，該介質的折射率在 85897.DOC -4- 200405587 30. 31. 32. 33. 34. 35. 36. 37. 讀第一光線的波長下，大約匹配到該第三材料的折射率。 如申請專利範圍第18項之發光裝置，進一步包括—光$ 單元，其中該第一光線的至少一部分被安置在該光學單 元與該發光半導體裝置之間。 如申請專利範圍第30項之發光裝置，其中該第一材料的 部分將該光學單元鍵結到該發光半導體裝置。 如申請專利範圍第30項之發光裝置，其中該光學單元包 括一透鏡。 如申請專利範圍第18項之發光裝置，進一步包括： 一次載板’連接到該光源上；以及 一導線架，連接到該次載板上。 一種製造一發光裝置之方法，該方法包括： 提供一光源，發射出第一光線； 提供一第一材料，與該光源做光學連通，對於該第 光線本質上是透明的；及 *將第二材料的微粒分散到該第一材料内，在該第—光 ，的波長下’該第：材料具有比該第—材料之折射率還 1折射率’該第二材料的微粒具有約比該波長還小的 直徑’其中該分散處理是要讓該第一材料與該第二材料 ㈣等微粒-起提供—介質，該介質具有較的折射率。 =請專利範圍第34項之方法，其中該光源包括 +導體裝置。 85897.DOC 200405587 料安置到至少-部分的光源上。 38·如申請專利範園㈣項之方法，其中該第—材料包括選 :自由環氧樹脂、矽膠、壓克力聚合物、聚碳酸酯、光 學玻璃、硫硒碲破璃、旋環狀化合物以及其混合物所構 成之群組的材料。 39·如申請專利範圍第叫之方法，其中該第二材料包括選 取自由金屬氧化物、石夕酸氮、氮化物、II-VI族化合物、 III_V族化合物、有機染料以及其混合物所構成之群組的 材料。 4〇·如申料利範圍第34項之方法，其中該微粒具有約2麵 至約50 nm的直徑。 41·如申請專利範圍第34項之方法，其中該第二材料的微粒 本質上不會吸收該波長的光線。 42.如申請專利範圍第34項之方法，其中該第二材料的微粒 會吸收至少一部分的第一光線’並發射出波長大於該第 一光線之波長的第二光線。 43·如申請專利範圍第34項之方法，進—步包括將該第三材 料的微粒分散到該第一材料内。 44·如申請專利範圍第例之方法，其中該第三材料的微粒 具有約小於該第一光線之波長的直徑。 45·如申請專利範圍第43項之方法，其中該第三材料的微粒 具有約大於該第一光線之波長的直徑。 饭如申請專利範圍第43項之方法，其找第三材料的微粒 會吸收至少一邵分的第一光線，並發射出波長大於該第 85897.DOC -6- 200405587 47. 48. 49. 光線之波長的第二光線。 如申請專利範圍第43項之方法 該第一光線的波長下，大 ，、中邊介質的折射率在 如申請專利範圍第34項之方法，、隹—一材科的折射率。 少—却八# ,,,. < —步包括利用其間至 #刀的弟一材料，將該光學單 體裝置。 疼發光半導 其中該光學單元包括一 如申請專利範圍第48項之方法 透鏡。 85897.DOC V.*
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Families Citing this family (249)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US8993221B2 (en) 2012-02-10 2015-03-31 Pixelligent Technologies, Llc Block co-polymer photoresist
US7524616B2 (en) * 2003-03-04 2009-04-28 Pixelligent Technologies Llc Applications of semiconductor nano-sized particles for photolithography
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
WO2004104646A1 (en) * 2003-05-20 2004-12-02 Kansas State University Research Foundation Microlens comprising a group iii-nitride material
WO2005005554A2 (en) * 2003-06-13 2005-01-20 Ers Company Moisture-resistant nano-particle material and its applications
DE10361661A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
US7009213B2 (en) * 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型ｌｅｄ
JP2005093712A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE10345157B4 (de) * 2003-09-29 2009-01-08 Qimonda Ag Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
TW200517437A (en) * 2003-10-16 2005-06-01 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
WO2005040756A2 (en) * 2003-10-22 2005-05-06 The Regents Of The University Of California Methods for preparing and functionalizing nanoparticles
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
DE10351349A1 (de) 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
DE10351397A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7318651B2 (en) 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7667766B2 (en) 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
TWI236162B (en) * 2003-12-26 2005-07-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
JP4231418B2 (ja) 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
US7645397B2 (en) * 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
JP4789809B2 (ja) * 2004-01-15 2011-10-12 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ナノ結晶をドーピングしたマトリックス
US20050167684A1 (en) * 2004-01-21 2005-08-04 Chua Janet B.Y. Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material
US20050269932A1 (en) * 2004-01-21 2005-12-08 Ng Kee Y Apparatus, device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material and/or thiogallate-based phosphor material
US20050156510A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Chua Janet B.Y. Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based and group IIA element gallium sulfide-based phosphor materials
CN100446279C (zh) * 2004-02-18 2008-12-24 财团法人工业技术研究院 发光二极管
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US7553683B2 (en) 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060006397A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Chua Janet B Y Device and method for emitting output light using group IIA/IIB selenide sulfur-based phosphor material
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
JP4786886B2 (ja) * 2004-08-11 2011-10-05 ローム株式会社 半導体発光装置
US7471040B2 (en) * 2004-08-13 2008-12-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Mixed-color light emitting diode apparatus, and method for making same
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
US7265488B2 (en) * 2004-09-30 2007-09-04 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd Light source with wavelength converting material
CN101040397B (zh) * 2004-10-12 2010-12-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光光源
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
CN101438406B (zh) * 2004-11-19 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有无机外罩的发光设备
US7768198B2 (en) * 2004-12-06 2010-08-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent light source
WO2006061729A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic electroluminescent light source
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
US7522211B2 (en) 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light
WO2006097876A1 (en) 2005-03-14 2006-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
EP1864274B1 (en) * 2005-03-25 2019-04-24 Arkema France Illuminating device combining a led and a diffusing sheet
JP2006310710A (ja) 2005-05-02 2006-11-09 Sony Corp 半導体発光素子
KR100682874B1 (ko) * 2005-05-02 2007-02-15 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ
US8487527B2 (en) * 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7777407B2 (en) 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US7868302B2 (en) * 2005-05-05 2011-01-11 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Nano-particle/quantum dot based optical diode
KR101111747B1 (ko) * 2005-05-16 2012-06-12 삼성엘이디 주식회사 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자
DE102005023134A1 (de) * 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7795806B2 (en) 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
KR101201266B1 (ko) * 2005-06-14 2012-11-14 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 형광체 함유 수지 조성물 및 시트, 그것들을 사용한 발광소자
DE102005061828B4 (de) * 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101138104B (zh) * 2005-06-23 2011-08-24 伦斯勒工业学院 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
KR101106134B1 (ko) * 2005-07-11 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 나노와이어 형광체를 채택한 발광소자
KR101437839B1 (ko) * 2005-07-14 2014-09-04 코닌클리케 필립스 엔.브이. 전계 발광 장치
JP4778745B2 (ja) * 2005-07-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US20070023762A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Luxo Asa And Oec Ag White light emitting LED-powered lamp
WO2007018039A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体発光装置
US8187726B2 (en) * 2005-08-09 2012-05-29 Sony Corporation Nanoparticle-resin composite material, light emitting device assembly, and filling material for the light-emitting device assembly
JP2007053170A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Toshiba Corp 発光装置
JP4415972B2 (ja) * 2005-09-22 2010-02-17 ソニー株式会社 金属酸化物ナノ粒子の製造方法
US7594845B2 (en) * 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
KR101302277B1 (ko) 2005-10-28 2013-09-02 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 무기산화물 투명 분산액과 무기산화물 입자 함유 수지조성물, 발광소자 밀봉용 조성물 및 발광소자,하드코트막과 광학 기능막 및 광학 부품, 그리고무기산화물 입자 함유 수지 조성물의 제조 방법
JP2007299981A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
US20070116423A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 3M Innovative Properties Company Arrays of optical elements and method of manufacturing same
US20070196657A1 (en) * 2005-12-15 2007-08-23 Cabot Corporation Transparent polymer composites
CN101385145B (zh) 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
WO2007080803A1 (ja) 2006-01-16 2007-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体発光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR100867519B1 (ko) * 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
JP2007277467A (ja) 2006-04-10 2007-10-25 Sony Chemical & Information Device Corp 硬化性樹脂組成物
US7423297B2 (en) * 2006-05-03 2008-09-09 3M Innovative Properties Company LED extractor composed of high index glass
US8141384B2 (en) * 2006-05-03 2012-03-27 3M Innovative Properties Company Methods of making LED extractor arrays
US8941293B2 (en) * 2006-05-11 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices comprising quantum dots
EP2030258A2 (en) * 2006-06-08 2009-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
US7470974B2 (en) * 2006-07-14 2008-12-30 Cabot Corporation Substantially transparent material for use with light-emitting device
WO2008018003A2 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Nanoparticle based inorganic bonding material
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
WO2008042351A2 (en) * 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
TWI338380B (en) * 2006-10-11 2011-03-01 Chuan Yu Hung Light emitting diode incorporating high refractive index material
JP4952906B2 (ja) 2006-11-15 2012-06-13 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 封止樹脂組成物及び発光素子
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063658A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
JP4315195B2 (ja) * 2006-12-21 2009-08-19 ソニー株式会社 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置
EP2091862B1 (en) 2006-12-22 2019-12-11 QuNano AB Elevated led and method of producing such
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
ITTO20070099A1 (it) * 2007-02-09 2008-08-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la realizzazione di un'interfaccia tra carburo di silicio e ossido di silicio con bassa densita' di stati
DE102007010719A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs
CN101627482A (zh) * 2007-03-08 2010-01-13 3M创新有限公司 发光元件阵列
US20100155749A1 (en) * 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
CN101641424B (zh) * 2007-03-19 2013-12-04 纳米系统公司 用于包封纳米晶体的方法
KR100900866B1 (ko) * 2007-05-09 2009-06-04 삼성전자주식회사 나노결정-금속산화물 복합체를 이용하는 발광 다이오드소자 및 그의 제조방법
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
WO2009026105A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-26 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting material
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US7791093B2 (en) 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US8519437B2 (en) * 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
US7446159B1 (en) 2007-09-20 2008-11-04 Sony Corporation Curable resin composition
EP2042528B1 (en) * 2007-09-25 2010-06-16 Sony Chemical & Information Device Corporation Curable resin composition
US20090085463A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 General Electric Company Thermo-optically functional compositions, systems and methods of making
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
CN101414651B (zh) * 2007-10-17 2010-06-16 洪绢欲 以高折光率纳米粒子堆积所装置之发光二极管组件及其制造方法
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8294156B2 (en) * 2007-11-19 2012-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal light-emitting diode
JP5526782B2 (ja) 2007-11-29 2014-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US20090154198A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Joo Hoon Lee Reflection type display apparatus
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US20090173958A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 Cree, Inc. Light emitting devices with high efficiency phospor structures
KR20100122485A (ko) * 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
US8169136B2 (en) * 2008-02-21 2012-05-01 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
WO2010008425A1 (en) * 2008-04-03 2010-01-21 Bandgap Engineering, Inc. Designing the host of nano-structured optoelectronic devices to improve performance
DE102008021438A1 (de) 2008-04-29 2009-12-31 Schott Ag Konversionsmaterial insbesondere für eine, eine Halbleiterlichtquelle umfassende weiße oder farbige Lichtquelle, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dieses Konversionsmaterial umfassende Lichtquelle
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
EP2301071B1 (en) 2008-05-29 2019-05-08 Cree, Inc. Light source with near field mixing
JP2011523212A (ja) * 2008-06-05 2011-08-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長変換器が接合された発光ダイオード
US8383432B2 (en) * 2008-08-07 2013-02-26 Sharp Laboratories Of America, Inc. Colloidal-processed silicon particle device
US7888691B2 (en) 2008-08-29 2011-02-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter
CN102171844A (zh) * 2008-10-01 2011-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于增大的光提取和非黄色的断开状态颜色的在封装剂中具有颗粒的led
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100097779A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
US8096676B2 (en) * 2008-10-21 2012-01-17 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
JP2012508464A (ja) * 2008-11-07 2012-04-05 アイディディ エアロスペイス コーポレイション 照明システム
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8360617B2 (en) * 2008-11-25 2013-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting system including LED with glass-coated quantum-dots
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8507300B2 (en) 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US11198270B2 (en) 2008-12-30 2021-12-14 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
JP5753102B2 (ja) 2009-02-27 2015-07-22 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ ガス予熱方法を用いた低温ｃｎｔ成長
US20100227134A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
CN102656233B (zh) 2009-05-01 2015-04-29 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
KR101644047B1 (ko) * 2009-07-09 2016-08-01 삼성전자 주식회사 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자
CA2765460A1 (en) * 2009-08-03 2011-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc Incorporation of nanoparticles in composite fibers
EP2465147B1 (en) 2009-08-14 2019-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
KR101865888B1 (ko) 2009-09-09 2018-06-08 삼성전자주식회사 나노입자들을 포함하는 입자, 그의 용도, 및 방법
US8203161B2 (en) * 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US8604461B2 (en) * 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
JP2010098335A (ja) * 2010-02-01 2010-04-30 Toshiba Corp 発光装置
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
CN102725872A (zh) 2010-03-10 2012-10-10 松下电器产业株式会社 Led包封树脂体，led装置和led装置的制造方法
US8530883B2 (en) * 2010-03-11 2013-09-10 Light-Based Technologies Incorporated Manufacture of quantum dot-enabled solid-state light emitters
KR101683270B1 (ko) 2010-03-31 2016-12-21 삼성전자 주식회사 백색 발광 다이오드를 포함하는 액정 디스플레이 장치
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US20110278536A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting material
US8142050B2 (en) 2010-06-24 2012-03-27 Mitutoyo Corporation Phosphor wheel configuration for high intensity point source
US9382470B2 (en) 2010-07-01 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Thiol containing compositions for preparing a composite, polymeric composites prepared therefrom, and articles including the same
CN103080081B (zh) * 2010-07-01 2016-05-04 三星电子株式会社 用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物、发光颗粒-聚合物复合物和包含该发光颗粒-聚合物复合物的器件
CN102386317A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架组合
CN104475313B (zh) 2010-09-14 2017-05-17 应用奈米结构公司 长有碳纳米管玻璃基板及其制造方法
WO2012040004A1 (en) 2010-09-22 2012-03-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
JP5468517B2 (ja) * 2010-10-19 2014-04-09 パナソニック株式会社 半導体発光デバイス
EP3540300B1 (en) 2010-11-10 2024-05-08 Shoei Chemical Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
CN103270136B (zh) * 2010-12-21 2016-08-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有包含聚合物的基体的照明设备
US8317347B2 (en) 2010-12-22 2012-11-27 Mitutoyo Corporation High intensity point source system for high spectral stability
EP2655961A4 (en) 2010-12-23 2014-09-03 Qd Vision Inc OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS
US8493569B2 (en) 2010-12-27 2013-07-23 Mitutoyo Corporation Optical encoder readhead configuration with phosphor layer
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US9134595B2 (en) * 2011-09-29 2015-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Phosphor device, illumination apparatus and projector apparatus
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9726928B2 (en) 2011-12-09 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display including the same
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
JP2013232479A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 半導体発光装置
CN103563108B (zh) * 2012-05-22 2016-09-28 松下知识产权经营株式会社 波长变换元件及其制造方法和使用波长变换元件的led元件及半导体激光发光装置
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9139770B2 (en) 2012-06-22 2015-09-22 Nanosys, Inc. Silicone ligands for stabilizing quantum dot films
US9685585B2 (en) * 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
JPWO2014006987A1 (ja) * 2012-07-04 2016-06-02 シャープ株式会社 蛍光材料、蛍光塗料、蛍光体基板、電子機器およびｌｅｄパッケージ
US9005480B2 (en) 2013-03-14 2015-04-14 Nanosys, Inc. Method for solventless quantum dot exchange
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
US9653657B2 (en) 2013-06-10 2017-05-16 Asahi Kasei E-Materials Corporation Semiconductor light emitting apparatus
JP5905648B2 (ja) * 2013-07-08 2016-04-20 Ｎｓマテリアルズ株式会社 半導体を利用した発光デバイス
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
JP6464877B2 (ja) * 2014-05-21 2019-02-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10513616B2 (en) 2014-06-06 2019-12-24 The Regents Of The University Of California Sunlight reflecting materials and methods of fabrication
TW201616689A (zh) * 2014-06-25 2016-05-01 皇家飛利浦有限公司 經封裝之波長轉換發光裝置
US9642206B2 (en) 2014-11-26 2017-05-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
DE102015102842A1 (de) 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtstoffkompositkeramik sowie Verfahren zu deren Herstellung
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
JP6925100B2 (ja) * 2015-05-21 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
TWI645585B (zh) * 2017-03-03 2018-12-21 光感動股份有限公司 光半導體裝置與光半導體裝置的封裝件
US10446722B2 (en) * 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
US20190198720A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
KR102085275B1 (ko) * 2019-01-28 2020-03-05 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 디스플레이 장치
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2606025Y2 (ja) * 1993-12-24 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード素子
JPH08162676A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5777433A (en) 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6229160B1 (en) 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
GB9815271D0 (en) 1998-07-14 1998-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Particles and devices comprising particles
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6133589A (en) 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes

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Publication number Publication date
AU2003232393A8 (en) 2003-12-22
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