CN103080081B - 用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物、发光颗粒-聚合物复合物和包含该发光颗粒-聚合物复合物的器件 - Google Patents

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Abstract

用于制造发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。

Description

用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物、发光颗粒-聚合物复合物和包含该发光颗粒-聚合物复合物的器件
技术领域
本公开内容涉及用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物、发光颗粒-聚合物复合物和包含该发光颗粒-聚合物复合物的器件。
背景技术
半导体纳米晶(也称为量子点)是具有纳米尺寸的且结晶的结构的半导体材料，并且包含数百到数千个原子。
由于半导体纳米晶非常小，它们具有每单位体积大的表面积，并且还具有量子限制效应。因此，它们具有与相应的体(大块，bulk)半导体材料的固有特性不同的独特的物理化学特性。
特别地，由于纳米晶的光电子性质可通过调节它们的尺寸而控制，半导体纳米晶正被积极地研究和应用于显示器和生物技术应用。
而且，由于半导体纳米晶不含有重金属，其具有多种优点，因为其是环境友好的并且对于人体是安全的。因此，对于通过控制半导体纳米晶的尺寸、结构、均匀性等而合成具有这样的优异特性和对不同领域的适用性的半导体纳米晶的多种技术的开发，已经有许多研究。
然而，仍然需要具有改善的性质例如改善的稳定性、发光效率、色纯度或寿命的半导体纳米晶，以更容易地将半导体纳米晶应用于显示器。
技术问题
本公开内容的一个实施方式提供用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物和发光颗粒-聚合物复合物，其具有优异的稳定性并且能够改善器件效率和寿命。
本公开内容的另一实施方式提供包含所述发光颗粒-聚合物复合物的器件。
解决技术方案的方案
根据本公开内容的一个实施方式，公开了用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
根据本公开内容的另一实施方式，公开了发光颗粒-聚合物复合物，其包含：发光颗粒；和聚合物，其包括第一单体和第二单体的聚合产物，所述第一单体包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团，所述第二单体包含至少两个各自位于末端处的不饱和碳-碳键。
所述发光颗粒可包括纳米晶、荧光体(phosphor)、颜料、或其组合。所述纳米晶可包括半导体纳米晶、金属纳米晶、金属氧化物纳米晶、或其组合。
所述包含至少两个位于其末端处的硫醇(-SH)基团的第一单体可由以下化学式1表示。
化学式1
在化学式1中，
R1为氢；取代或未取代的C1-C30烷基；取代或未取代的C6-C30芳基；取代或未取代的C3-C30杂芳基；取代或未取代的C3-C30环烷基；取代或未取代的C3-C30杂环烷基；取代或未取代的C2-C30烯基；取代或未取代的C2-C30炔基；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基；羟基；-NH2；取代或未取代的式-NRR'的C1-C30胺基，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C30烷基；异氰酸酯基；异氰脲酸酯基；(甲基)丙烯酸酯基；卤素；-ROR'，其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基并且R'为氢或C1-C20烷基；式-RC(O)X的酰卤，其中R为取代或未取代的亚烷基且X为卤素；-C(=O)OR'，其中R'为氢或C1-C20烷基；-CN；或-C(=O)ONRR'，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C20烷基；
L1为单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂环烷基；
Y1为单键，取代或未取代的C1-C30亚烷基，或者取代或未取代的C2-C30亚烯基，或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-SO2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-SO-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、其中R为氢或C1-C10烷基的式-NR-的亚胺、或其组合；
m为1或更大的整数；
k1为0或1或更大的整数；
k2为1或更大的整数；
m和k2之和为3或更大的整数；
m不超过Y1的化合价；和
k1和k2不超过L1的化合价。
所述第二单体可由以下化学式2表示。
化学式2
在化学式2中，
X为包含不饱和碳-碳键的C1-C30脂族有机基团、包含不饱和碳-碳键的C6-C30芳族有机基团、或者包含不饱和碳-碳键的C3-C30脂环族有机基团；
R2为氢；取代或未取代的C1-C30烷基；取代或未取代的C6-C30芳基；取代或未取代的C3-C30杂芳基；取代或未取代的C3-C30环烷基；取代或未取代的C3-C30杂环烷基；C2-C30烯基；C2-C30炔基；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基；羟基；-NH2；取代或未取代的式-NRR'的C1-C30胺基，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C30烷基；异氰酸酯基；异氰脲酸酯基；(甲基)丙烯酸酯基；卤素；-ROR'，其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基并且R'为氢或C1-C20烷基；式-RC(O)X的酰卤，其中R为取代或未取代的亚烷基且X为卤素；-C(=O)OR'，其中R'为氢或C1-C20烷基；-CN；或者-C(=O)ONRR'，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C20烷基；
L2为单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；
Y2为单键，取代或未取代的C1-C30亚烷基，或者取代或未取代的C2-C30亚烯基，或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-SO2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-SO-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、其中R为氢或C1-C10烷基的式-NR-的亚胺、或其组合；
n为1或更大的整数；
k3为0或1或更大的整数；
k4为1或更大的整数；
n和k4之和为3或更大的整数；
n不超过Y2的化合价；和
k3和k4不超过L2的化合价。
以上化学式1的第一单体包括以下化学式1-1的单体。
化学式1-1
在化学式1-1中，L1'为碳、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂环烷基；
Ya-Yd的每一个独立地为取代或未取代的C1-C30亚烷基；取代或未取代的C2-C30亚烯基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-S(=O)2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-S(=O)-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、其中R为氢或C1-C10烷基的式-NR-的亚胺、或其组合；和
Ra-Rd为化学式1的R1或者为-SH，条件是Ra-Rd的至少两个为-SH。
在一个实施方式中，L1'可为取代或未取代的亚苯基。
以上化学式1的第一单体的实例包括由以下化学式1-2到1-5表示的化合物。
化学式1-2
化学式1-3
化学式1-4
化学式1-5
在一个实施方式中，X可为丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、C2-C30烯基、C2-C30炔基、包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团、包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基、被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团、或者被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基。
在化学式2中，X可为乙烯基或烯丙基。而且，所述包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团可为降冰片烯基团、马来酰亚胺基团、纳迪克酰亚胺(nadimide，桥亚甲基四氢邻苯二甲酰亚胺)基团、四氢邻苯二甲酰亚胺基团、或其组合。
在化学式2中，L2可为吡咯烷基团、四氢呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、哌啶基团、三嗪基团、或异氰脲酸酯基。
以上化学式2的第二单体的实例可包括以下化学式2-1和化学式2-2的化合物。
化学式2-1
化学式2-2
在化学式2-1和2-2中，Z1-Z3相同或不同并且对应于化学式2的-[Y2-Xn]。
所述第二单体的实例可包括以下化学式2-3到2-5的化合物。
化学式2-3
化学式2-4
化学式2-5
所述第一单体和第二单体可以约80-约99.9重量百分数的量存在，基于所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物的总重量。
所述第一单体的硫醇基团和所述第二单体的不饱和碳-碳键可以1:约0.75～1:约1.25的摩尔比存在。
所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物可进一步包括：第三单体，其具有一个位于所述第三单体的末端处的硫醇基团；第四单体，其具有一个位于所述第四单体的末端处的不饱和碳-碳键；或其组合。
所述发光颗粒可进一步包含涂层，所述涂层包含具有羧基或其盐的聚合物。所述具有羧基或其盐的聚合物可包含约1-约20摩尔百分数(摩尔%)的所述羧基或其盐。所述具有羧基或其盐的聚合物可具有约50-约300℃的熔点("Tm")。所述具有羧基或其盐的聚合物可包括聚(烯烃-共聚-丙烯酸)、聚(烯烃-共聚-甲基丙烯酸)、其盐、或它们的组合。所述具有羧基或其盐的聚合物可以约50-约10,000重量份的量存在，基于100重量份的所述发光颗粒。该经涂覆的发光颗粒可作为粉末或作为膜存在。
根据本公开内容的又一实施方式，提供包含所述发光颗粒-聚合物复合物的光电子器件。所述光电子器件可包括发光器件例如发光二极管("LED")器件或有机发光二极管("OLED")、存储器件、激光器件、或太阳能电池。
所述发光器件可包括光源、和设置在所述光源上的所述发光颗粒-聚合物复合物。
所述发光颗粒-聚合物复合物可设置在所述光源上，并且所述光电子器件的剩余空间可用树脂填充。所述树脂可包括：有机硅树脂；环氧树脂；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个各自位于末端处的硫醇(-SH)基团，所述第二单体包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键；或其组合。
所述发光器件可包括光源、设置在所述光源上的树脂、覆盖所述树脂的透明板、和设置在所述透明板上的所述发光颗粒-聚合物复合物。所述透明板可由玻璃或透明聚合物制成。
所述发光器件可进一步包括在外表面上的聚合物膜，并且所述聚合物膜可包括：第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团；和所述第二单体包含至少两个位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；有机硅树脂；环氧树脂；或其组合。
在以下详细描述中将进一步描述本公开内容的实施方式。
发明的有益效果
所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物和发光颗粒-聚合物复合物显示优异的稳定性，并且能够改善器件效率和寿命。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方式，本公开内容的以上和其它方面、优点和特征将变得更明晰，其中：
图1-5是包含发光颗粒-聚合物复合物实施方式的发光二极管的实施方式的截面图；
图6是包含发光颗粒-聚合物复合物的电场发光器件的实施方式的截面图；
图7和8分别显示根据实施例7、8、10和14以及对比例1和2的发光二极管的亮度(流明/瓦，lm/W)对驱动时间(小时，h)以及光转换效率("PCE"，百分数，%)对驱动时间(小时，h)；
图9为强度(任意单位，a.u.)对波长(纳米，nm)的图并且显示根据实施例7的发光二极管的发光峰；和
图10和11分别显示根据实施例15和17-23的发光二极管的亮度(流明/瓦，lm/W)对驱动时间(小时，h)以及光转换效率("PCE"，百分数，%)对时间(小时，h)。
具体实施方式
下文中将在本公开内容的以下详细描述(其中描述了本公开内容的一些但不是所有的实施方式)中更充分地描述本公开内容。本公开内容可以许多不同的形式体现，并且不被解释为限于本文中所阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式，使得本公开内容将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。
将理解，当一个元件例如层、膜、区域或基底被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目中的一个或多个的任意和所有组合。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组分、区域、层和/或部件，但是这些元件、组分、区域、层和/或部件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部件与另一元件、组分、区域、层或部件区分开来。因此，在不脱离本文中教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组分”、“区域”、“层”或“部件”可以称为第二元件、组分、区域、层或部件。
本文所使用的术语只是用于描述具体实施方式，而非意图为限制性的。本文所使用的单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外指明。将进一步理解，当术语“包含”和/或“包括”、或者“含有”和/或“含”用在本说明书中时，其表明存在所述特征、区域、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或组分，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语，例如“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的一个或多个元件或特征的关系。将理解，除图中所示的方位以外，空间相对术语还意图涵盖在使用或工作中的器件的不同方位。例如，如果图中的器件翻转，描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件则将定向“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下面”可以涵盖在…上方和在…下面两种方位。器件可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空间上相关的描述词相应解释。
除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，术语，例如在常用词典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在相关领域背景和本公开内容中的含义一致，并且将不以理想化或过度形式的意义进行解释，除非在本文中清楚地如此定义。
这里参照作为理想化实施方式的示意图的截面图描述示例性实施方式。因而，预期有由于例如制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，本文中所描述的实施方式不应解释为局限于本文图示的区域的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可能典型地具有粗糙和/或非线性特征。此外，图示的尖锐的角可能是圆的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图说明区域的精确形状，也并非意图限制本发明权利要求的范围。
“烷基”指直链或支链饱和的单价烃基(例如，甲基或己基)。
“烯基”指具有至少一个碳-碳双键的直链或支链单价烃基(例如，乙烯基(-HC=CH2))。
“炔基”指具有至少一个碳-碳三键的直链或支链单价烃基(例如，乙炔基)。
“亚烷基”指具有至少2的化合价的直链或支链饱和的脂族烃基，其任选地被一个或多个取代基在所说明的位置处取代，条件是不超过所述亚烷基的化合价。
“亚烯基”指具有至少一个碳-碳双键的直链或支链二价烃基(例如，亚乙烯基(-HC=CH-))。
“烷氧基”指经由氧连接的烷基(即，烷基-O-)，例如甲氧基、乙氧基和仲丁氧基。
“芳烃”指具有芳环的烃，并且包括单环的和多环的烃，其中所述多环的烃的另外的一个或多个环可为芳族的或非芳族的。具体的芳烃包括苯、萘、甲苯和二甲苯。
“芳基”指通过从芳烃的一个或多个环除去一个氢原子而形成的单价基团(例如，苯基或萘基)。
“亚芳基”指通过从芳烃的一个或多个环除去至少两个氢原子而形成的具有至少2的化合价的基团，其中所述氢原子可从相同或不同的环除去(例如，亚苯基或亚萘基)，其任选地被一个或多个取代基在所说明的位置处取代，条件是不超过所述亚芳基的化合价。
“芳氧基”指经由氧连接的芳基部分(即，-O-芳基)。
“烷芳基”指与连接至化合物的取代或未取代的芳基共价连接的烷基(例如，甲基-亚苯基)。
“环烷基”指具有一个或多个饱和环的单价基团，其中所有的环成员为碳(例如，环戊烯基和环己烯基)。
“亚环烷基”指环状的亚烷基，即-CnH2n-x，其中x表示环化所代替的氢的数目并且具有至少2的化合价，其任选地被一个或多个取代基在所示位置处取代，条件是不超过所述亚环烷基的化合价。
“环烯基”指具有一个或多个环并且在所述环中具有一个或多个碳-碳双键的单价基团，其中所有的环成员为碳(例如，环戊基和环己基)。
“环炔基”指具有至少一个碳-碳三键的稳定的脂族单环或多环基团，其中所有的环成员为碳(例如，环己炔基)。
术语“取代的”指以至少一个独立地选自如下的取代基代替氢而对化合物或基团进行取代：C1-C30烷基、C2-C30炔基、C6-C30芳基、C7-C30烷芳基、C1-C30烷氧基、C1-C30芳氧基、C1-C30杂烷基、C3-C30杂烷芳基、C3-C30脂环族基团、C3-C15环烯基、C6-C30环炔基、C2-C30杂环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br或-I)、羟基(-OH)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、氨基(-NRR'，其中R和R'为氢或C1-C6烷基)、叠氮基团(-N3)、脒基(-C(=NH)NH2)、肼基(-NHNH2)、腙基(=N(NH2)、醛基(-C(=O)H)、氨基甲酰基(-C(O)NH2)、硫醇基团(-SH)、酯基(-C(=O)OR，其中R为C1-C6烷基或C6-C12芳基)、羧基或其盐(-C(=O)OM，其中M为有机或无机阳离子)、磺酸(-SO3H)或其盐(-SO3M，其中M为有机或无机阳离子)、磷酸(-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2，其中M为有机或无机阳离子)，条件是不超过被取代原子的正常化合价。
在整个本公开内容中涉及各种杂环基团。在这样的基团内，术语“杂”指包含至少一个如下环成员(例如，1-4个环成员)的基团：所述环成员为杂原子(例如，1-4个杂原子，其各自独立地为N、O、S、P或Si)。在每种情况下，可表明环成员的总数(例如，3元-10元杂环烷基)。如果存在多个环，则各个环独立地为芳族的、饱和或部分不饱和的，并且如果存在多个环，则所述多个环可为稠合的、悬垂的、螺环的或其组合。杂环烷基包括至少一个含有杂原子环成员的非芳族环。杂芳基包括至少一个含有杂原子环成员的芳族环。在杂芳基中还可存在非芳族的和/或碳环状的环，条件是至少一个环既是芳族的，又含有作为杂原子的环成员。
如本文中使用的术语“脂族有机基团”指C1-C30线型或支化的烷基。
术语“芳族有机基团”指C6-C30芳基或C2-C30杂芳基。
术语“脂环族有机基团”指C3-C30环烷基、C3-C30环烯基、或者C3-C30环炔基。
如本文中使用的，术语“其(它们的)组合”指混合物、堆叠结构、复合物、合金、共混物、反应产物等。
如本文中使用的，(甲基)丙烯酸酯指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
根据一个实施方式的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
所述发光颗粒可包括纳米晶、荧光体、颜料、或其组合。所述纳米晶可包括半导体纳米晶、金属纳米晶、金属氧化物纳米晶、或其组合。所述半导体纳米晶可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、IV族元素、或其组合，其中术语“族”指的是元素周期表的族。
所述II-VI族化合物包括选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、或其组合的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、或其组合的三元化合物；或者选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或其组合的四元化合物。所述III-V族化合物包括选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、或其组合的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、或其组合的三元化合物；或者选自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、或其组合的四元化合物。所述IV-VI族化合物包括选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、或其组合的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、或其组合的三元化合物；或者选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、或其组合的四元化合物。所述IV族元素包括Si或Ge，和所述IV族化合物包括选自SiC、SiGe、或其组合的二元化合物。
此处，所述元素、所述二元化合物、所述三元化合物、或所述四元化合物可存在于具有基本上均匀的浓度的颗粒中，或者可存在于在同一颗粒中具有不同浓度分布的颗粒中。此外，所述颗粒可具有其中第一半导体纳米晶被第二半导体纳米晶包围的核/壳结构。所述核和壳可具有界面，并且所述核或所述壳的至少一个中的元素可具有在从颗粒表面到颗粒中心的方向上降低的浓度梯度。
所述半导体纳米晶可具有约1纳米(nm)-约100nm、特别地约1nm-约50nm、更特别地约1nm-约10nm、或者约2nm-约25nm的粒径(例如，平均最大粒径)。当所述半导体纳米晶不具有球形形状时，所述粒径可指最长尺寸。
此外，所述半导体纳米晶可具有任何形状，并且可为球形、棱锥形、或多臂的。在一个实施方式中，所述半导体纳米晶可为立方纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，纳米板(片)颗粒等，或其组合。
此外，根据一个实施方式的半导体纳米晶的合成方法可没有特别限制，并且可包括相关领域中提供的任何方法。例如，其可包括以下方法。该制备半导体纳米晶的方法没有限制，但是可包括本领域普通技术人员在无需过度实验的情况下可确定的任何方法。
例如，湿化学法可用于提供具有纳米尺寸和甚至若干个纳米尺寸的半导体纳米晶。可通过将前体材料加入到有机溶剂中提供纳米晶颗粒。当所述晶体生长时，所述有机溶剂或者有机配体包围所述半导体纳米晶的表面并且可控制所述晶体的生长。
此外，所合成的半导体纳米晶可用于制备纳米晶-树脂复合物，所述纳米晶-树脂复合物包含树脂基体，通过将所述纳米晶与所述树脂组合并且使所述树脂固化而使所述纳米晶分散在其中，使得所述纳米晶-树脂复合物可应用于各种领域。根据一个实施方式，使第一单体和第二单体聚合以提供可用作用于使纳米晶稳定的基体的聚合物，其中所述第一单体包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团，所述第二单体包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
所述发光颗粒-聚合物复合物中使用的荧光体和颜料可为任何荧光体和/或颜料而没有限制。所述荧光体或颜料可具有约1nm-约100nm、特别地约1nm-约50nm、更特别地约1nm-约10nm、或者约2nm-约25nm的粒径。当所述半导体纳米晶不具有球形形状时，所述粒径可指最长尺寸。
所述包含至少两个各自位于其末端处的硫醇(-SH)基团的第一单体可由以下化学式1表示。
化学式1
在化学式1中，
R1为氢；取代或未取代的C1-C30烷基；取代或未取代的C6-C30芳基；取代或未取代的C3-C30杂芳基；取代或未取代的C3-C30环烷基；取代或未取代的C3-C30杂环烷基；取代或未取代的C2-C30烯基；取代或未取代的C2-C30炔基；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基；羟基；-NH2；取代或未取代的式-NRR'的C1-C30胺基，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C30烷基；异氰酸酯基；异氰脲酸酯基；(甲基)丙烯酸酯基；卤素；-ROR'，其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基并且R'为氢或C1-C20烷基；式-RC(O)X的酰卤，其中R为取代或未取代的亚烷基且X为卤素；-C(=O)OR'，其中R'为氢或C1-C20烷基；-CN；或者-C(=O)ONRR'，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C20烷基；
L1为单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂环烷基；
Y1为单键，取代或未取代的C1-C30亚烷基，取代或未取代的C2-C30亚烯基，或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-SO2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-SO-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、其中R为氢或C1-C10烷基的式-NR-的亚胺、或其组合；
m为1或更大的整数且m不超过Y1的化合价；
k1为0或1或更大的整数；
k2为1或更大的整数；和
m和k2之和为3或更大的整数。
k1和k2不超过化学式1中L1的化合价。
在一个实施方式中，m和k2之和为1-6、特别地2-5。在一个实施方式中，m为1，k1为0，且k2为3-4。
所述第二单体可由以下化学式2表示。
化学式2
在化学式2中，
X为包含不饱和碳-碳键的C1-C30脂族有机基团、包含不饱和碳-碳键的C6-C30芳族有机基团、或者包含不饱和碳-碳键的C3-C30脂环族有机基团；
R2为氢；取代或未取代的C1-C30烷基；取代或未取代的C6-C30芳基；取代或未取代的C3-C30杂芳基；取代或未取代的C3-C30环烷基；取代或未取代的C3-C30杂环烷基；C2-C30烯基；C2-C30炔基；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团；包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团；被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基；羟基；-NH2；取代或未取代的式-NRR'的C1-C30胺基，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C30烷基；异氰酸酯基；异氰脲酸酯基；(甲基)丙烯酸酯基；卤素；-ROR'，其中R为取代或未取代的C1-C20亚烷基并且R'为氢或C1-C20烷基；式-RC(O)X的酰卤，其中R为取代或未取代的亚烷基且X为卤素；-C(=O)OR'，其中R'为氢或C1-C20烷基；-CN；或者-C(=O)ONRR'，其中R和R'各自独立地为氢或C1-C20烷基；
L2为单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂芳基；
Y2为单键，取代或未取代的C1-C30亚烷基，或者取代或未取代的C2-C30亚烯基，或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-S(=O)2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-S(=O)-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、其中R为氢或C1-C10烷基的式-NR-的亚胺、或其组合；
n为1或更大的整数且n不超过Y2的化合价；
k3为0或1或更大的整数；
k4为1或更大的整数；和
n和k4之和为3或更大的整数。
k3和k4不超过化学式2中L2的化合价。
在一个实施方式中，n和k4之和为1-6、特别地2-5。在另一实施方式中，n为1，k3为0，和k4为3-4。
以上化学式1的第一单体的实例可包括以下化学式1-1的单体。
化学式1-1
在化学式1-1中，L1'为碳、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C6-C30亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基、或者取代或未取代的C3-C30亚杂环烷基；
Ya-Yd的每一个独立地为取代或未取代的C1-C30亚烷基；取代或未取代的C2-C30亚烯基；或者其中至少一个亚甲基(-CH2-)被如下代替的C1-C30亚烷基或C2-C30亚烯基：磺酰基(-S(=O)2-)、羰基(-C(=O)-)、醚(-O-)、硫醚(-S-)、亚砜(-S(=O)-)、酯(-C(=O)O-)、其中R为氢或C1-C10烷基的式-C(=O)NR-的酰胺、或其组合；和
Ra-Rd为化学式1的R1或者为-SH，条件是Ra-Rd的至少两个为-SH。
在一个实施方式中，L1'为取代或未取代的亚苯基，并且因此所述取代或未取代的C6-C30亚芳基可为取代或未取代的亚苯基。
以上化学式1的第一单体的实例包括由以下化学式1-2到1-5表示的化合物。
化学式1-2
化学式1-3
化学式1-4
化学式1-5
在化学式2中，X可为包含碳-碳双键的C1-C30脂族有机基团、包含碳-碳双键的C6-C30芳族有机基团或者包含碳-碳双键的C3-C30脂环族有机基团。X可为丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、C2-C30烯基、C2-C30炔基、包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团、包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30杂环烷基、被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30脂环族基团、或者被C2-C30烯基或C2-C30炔基取代的C3-C30杂环烷基。
在化学式2中，X可为烯基、乙烯基或烯丙基、或者包含在其中具有双键或三键的环的取代或未取代的C3-C30脂环族基团。在一个实施方式中，X可为降冰片烯基团、马来酰亚胺基团、纳迪克酰亚胺基团、四氢邻苯二甲酰亚胺基团、或其组合。
在化学式2中，L2可为吡咯烷基团、四氢呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、哌啶基团、三嗪基团、或者异氰脲酸酯基。
以上化学式2的第二单体的实例可包括以下化学式2-1到化学式2-2的化合物。
化学式2-1
化学式2-2
在化学式2-1和2-2中，Z1-Z3相同或不同，并且对应于化学式2的-[Y2-Xn]。
所述第二单体的实例可包括以下化学式2-3到2-5的化合物。
化学式2-3
化学式2-4
化学式2-5
所述发光颗粒可以约0.1-约20重量百分数(重量%)、特别地约0.5-约15重量%、更特别地约1-约10重量%的量存在，基于所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物的总重量；并且所述第一单体和所述第二单体可总共以约80-约99.9重量%、特别地约85-约99重量%、更特别地约90-约95重量%的量存在，基于所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物的总重量。所述第一单体和所述第二单体的重量比可为约0.1:1～约1:0.1、特别地约0.2:1～约1:0.2、更特别地约0.75:1～约1:0.75。当所述发光颗粒以及所述第一和第二单体在以上范围内存在时，可提供稳定的发光颗粒-聚合物复合物。
所述第一单体的硫醇基团和所述第二单体的不饱和碳-碳键可以1:约0.75～1:约1.25的摩尔比存在。当所述第一和第二单体在以上范围内使用时，发光颗粒-聚合物复合物可具有高密度网络以及优异的机械强度和阻隔性质。
所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物可进一步包含：第三单体，其具有一个位于所述第三单体的末端处的硫醇基团；第四单体，其具有一个位于所述第四单体的末端处的不饱和碳-碳键；或其组合。
所述第三单体为由其中m和k2各自为1的化学式1表示的化合物，和所述第四单体为由其中n和k4各自为1的化学式2表示的化合物。
所述发光颗粒可进一步包含涂层，所述涂层包含具有羧基或其盐的聚合物。因此，所述发光颗粒可用具有羧基或其盐的聚合物预先涂覆。所述羧基可包括丙烯酸基团、甲基丙烯酸基团、或其盐。所述具有羧基或其盐的聚合物可包含约1-约100摩尔%、特别地约2-约50摩尔%、更特别地约4-约20摩尔%的包含所述羧基或其盐的单元。当所述聚合物中包含在以上范围内的所述包含羧基或其盐的单元时，可改善所述复合物的稳定性。所述聚合物可具有约50℃-约300℃、特别地约60℃-约250℃、更特别地约70℃-约200℃的熔点("Tm")。当所述聚合物具有在以上范围内的熔点时，所述聚合物可稳定地涂覆所述发光颗粒。
该经涂覆的发光颗粒可作为粉末或作为膜存在。可将粉末形式的经涂覆的发光颗粒与所述第一和第二单体组合以提供复合物，或者替代地，可将膜形式的经涂覆的发光颗粒与所述第一和第二单体组合以提供复合物。所述具有羧基或其盐的聚合物可包括在长的脂族链例如C8-C50、或者C12-C36脂族链中的羧基或其盐。
所述具有羧基或其盐的聚合物可包括聚(烯烃-共聚-丙烯酸)、聚(烯烃-共聚-甲基丙烯酸)、其盐、或其组合。所述盐可为包含金属例如钠、锌、铟、镓等来代替所述羧基中的氢的化合物。所述盐的实例包括聚(乙烯-共聚-丙烯酸)锌盐、聚(乙烯-共聚-甲基丙烯酸)锌盐等。
所述具有羧基或其盐的聚合物可以约50-约10,000重量份、特别地约200-约10,000重量份、更特别地约400-约5,000重量份的量存在，基于100重量份的所述发光颗粒。在涂覆有所述具有羧基或其盐的聚合物的发光颗粒中，所述发光颗粒可以约1-约70重量%、特别地约1-约50重量%、更特别地约2-40重量%的量存在，基于所述发光颗粒和所述具有羧基或其盐的聚合物的总重量。当该经涂覆的发光颗粒的组成在前述范围内时，可改善所述发光颗粒的稳定性。
可将所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物固化以提供其中发光颗粒分散在聚合物基体中的发光颗粒-聚合物复合物。例如，该固化过程可使用紫外("UV")线进行。
在一个实施方式中，为了在所述发光颗粒-聚合物复合物的制备期间使所述发光颗粒稳定，可首先将所述发光颗粒和所述第一单体组合，然后可随后加入所述第二单体。
所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物可进一步包含引发剂以促进硫醇基团和不饱和碳-碳键之间的交联反应。所述引发剂可包括氧化膦、α-氨基酮、乙醛酸苯酯、单酰基膦、苄基甲基缩酮、羟基酮等、或者其组合。
所述聚合物可具有合适的与所述发光颗粒的相容性并且可在室温以合适的时间固化。因此，可省略可导致发光颗粒稳定性恶化的高温过程。而且，所述聚合物可形成致密的交联结构，并且可基本上或者有效地防止可在所述复合物外出现的氧气或湿气的渗透、与所述发光颗粒接触和/或反应。
所述发光颗粒-聚合物复合物可稳定地保持所述发光颗粒的光学特性，并且其可应用于各种领域。例如，其可用于光电子器件，例如发光器件如发光二极管("LED")器件或者有机发光二极管("OLED")、存储器件、激光器件、太阳能电池等。所述发光颗粒-聚合物复合物可应用于生理学领域例如生物技术应用等。
下文中，进一步公开根据一个实施方式的发光二极管。参照图1-5，进一步公开包含发光颗粒-树脂复合物作为发光材料的发光二极管。
图1-5是包含发光颗粒-聚合物复合物的发光二极管的实施方式的截面图。
参照图1，所述发光二极管包括：包含Ag等的基底104，在基底104上的在蓝色或紫外(UV)区域中发射的发光二极管芯片103，和在发光二极管芯片103上的发光颗粒-聚合物复合物110。作为所述发光二极管的光源，可使用激光、灯等代替所述发光二极管芯片。
通常，通过如下将发光颗粒设置在发光二极管芯片上：将其与高度透明的树脂例如有机硅树脂或环氧树脂混合，之后热固化。然而，有机硅树脂具有不期望地差的与纳米晶的相容性并且因此所得复合物具有降低的效率。而且，固化之后存在的孔隙率不期望地高，导致氧气或湿气容易透过。而且，环氧树脂具有不期望地低的寿命。
在一个实施方式中，如以上进一步描述的，将具有足够的与发光颗粒108的相容性以及优异的对于氧气或湿气的阻隔性的聚合物106用于提供与发光颗粒108的复合物110。
发光颗粒108可为发射红色、绿色、黄色或蓝色的发光颗粒108。发光颗粒-聚合物复合物110设置在基底104的凹入部分中并且覆盖发光二极管芯片103。发光颗粒-聚合物复合物110存在于发光二极管芯片103上，并且剩余空间可用树脂112填充。发光颗粒-聚合物复合物110可以膜形式提供于发光二极管芯片103上，但是不限于此。树脂112是透明的，与所述发光颗粒-聚合物复合物相容，并且适合于所述发光器件的预期用途。这样的树脂112可包括有机硅树脂；环氧树脂；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；或者第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团，所述第二单体包含至少两个位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
如图2中所示，可通过将用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物施加在基底104的凹入部分中，之后固化而提供发光颗粒-聚合物复合物110。
参照图3，发光二极管的一个实施方式包括：包含Ag等的基底104，在基底104上的在蓝色或紫外("UV")区域中发射的发光二极管芯片103，和在发光二极管芯片103上的发光颗粒-聚合物复合物110。将如上所述的树脂112设置在基底104的凹入部分中。这样的树脂112可包括有机硅树脂；环氧树脂；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；或者第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团，所述第二单体包含至少两个位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。透明板114存在于树脂112上并且发光颗粒-聚合物复合物110存在于透明板114上。透明板114可包括玻璃或透明的聚合物。虽然不希望受理论制约，但是据信，图3的结构基本上或有效地防止发光颗粒108被发光二极管芯片103劣化。图4显示包括对图1中显示的发光二极管的外表面进行封装(例如，在树脂112的整个上表面上)的作为阻隔膜的聚合物膜116的发光二极管，和图5显示包括对图3中显示的发光二极管的外表面进行封装(例如，在发光颗粒-聚合物复合物110的整个上表面上)的聚合物膜116的发光二极管。
聚合物膜116包括具有优异的对于氧气或湿气的阻隔性的树脂，并且所述树脂可为：第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团，所述第二单体包含至少两个位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；有机硅树脂；环氧树脂；或其组合。所述第一单体(其包含至少两个位于所述第一单体的末端处的硫醇(-SH)基团)和所述第二单体(其包含至少两个位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键)的所述共聚物可通过所述第一和第二单体以各种摩尔比的聚合而制备。所述第一和第二单体之间的聚合不限于特定的摩尔比。
根据一个实施方式，提供发光器件，其包括：第一电极以及与所述第一电极相对的第二电极，和在所述第一电极和所述第二电极之间的所述发光颗粒-树脂复合物。
发光颗粒108吸收来自发光二极管芯片103的光并且发射具有不同波长的光。在一个实施方式中，所发射的光的波长比从发光二极管芯片103发射的光的波长短。发光颗粒108可具有经各种调节的发光波长。例如，发白光的二极管可通过将红色及绿色纳米复合颗粒与发蓝光的二极管芯片组合而制造。或者，另一发白光的二极管可通过将红色、绿色及蓝色纳米复合颗粒与紫外(“UV”)发光二极管芯片组合而制造。发射各种波长的光的发光器件可通过将发射具有各种波长的光的发光颗粒与发光二极管芯片一起使用而提供。
参照图6，进一步描述包含发光颗粒-聚合物复合物作为发光材料的电流驱动的发光器件。
图6为包含发光颗粒-聚合物复合物的发光器件的实施方式的截面图。
所述发光器件可包括有机发光二极管("OLED")、发光二极管("LED")器件、存储器件、激光器件、光电子器件、有机光电子器件、或者太阳能电池。所述有机发光二极管("OLED")可通过在两个电极之间形成发射层而制造。通过如下可产生激子：将来自两个电极的电子和空穴注入到有机发射层中，从而通过所述电子和空穴的结合而产生激子。当所述激子从激发态跌落到基态时，产生光。
例如，如图6中所示，OLED包括在有机基底50上的阳极52。阳极52可包括具有高功函的材料使得可注入空穴。阳极52的材料的非限制性实例包括：氧化铟锡("ITO")，和氧化铟的透明氧化物。在阳极52上，顺序设置空穴传输层("HTL")54、发射层("EL")56、和电子传输层("ETL")58。空穴传输层54可包含p-型半导体，和电子传输层50可包含n-型半导体或金属氧化物。发射层56包含发光颗粒-聚合物复合物110。发光颗粒-聚合物复合物110可通过将其直接施加，或者通过将其制造成膜形式，然后将其层叠以提供发射层而形成。
阴极60提供在电子传输层58上。阴极60可包括具有低功函的材料，使得可容易地将电子注入到电子传输层58中。用于形成阴极60的材料的实例包括金属，并且金属可包括镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡、其合金、或其组合，并且可具有多层结构。所述阴极可为具有层状结构的材料例如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al、或BaF2/Ca，并且不限于此。由于制造阳极52、空穴传输层54、发射层56、电子传输层58、和阴极60的方法以及它们的装配方法是本领域技术人员普遍知晓的并且可在无需过度实验的情况下确定，因此这些方法将不在本说明书中进一步详细地描述。
发明模式
下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，以下是示例性实施方式而不应是限制性的。
实施例1：纳米晶-聚合物复合物的制备
将黄色InP/ZnS/InZnS/ZnS纳米晶加入到氯仿中以制备这样的溶液：当通过将该溶液在甲苯中稀释100倍而测量时，该溶液具有0.027的光学密度("OD")。将0.9毫升(ml)量的该溶液与0.2克作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)及0.14g作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮混合。然后，从该溶液除去所述溶剂。接着，将100重量份的所述第一和第二单体的混合物与2重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯混合。所得混合物通过在约25℃的室温下照射UV10分钟而聚合，以制备纳米晶-聚合物复合物膜。
实施例2：纳米晶-聚合物复合物的制备
将红色InP/ZnSeS/ZnS纳米晶加入到氯仿中以制备这样的溶液：当通过将该溶液在甲苯中稀释100倍而测量时，该溶液具有0.035的OD。将0.1ml量的该溶液与0.2g作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)及0.14g作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮混合。从该溶液除去所述溶剂。将100重量份的所述第一和第二单体混合物与1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯混合。所得混合物通过在约25℃的室温下照射UV5分钟而聚合，从而制备纳米晶-聚合物复合物膜。
实施例3：纳米晶-聚合物复合物的制备
将绿色InZnP/ZnSeS/ZnS纳米晶加入到氯仿中以制备这样的溶液：当通过将该溶液在甲苯中稀释100倍而测量时，该溶液具有0.042的OD。将0.5ml量的该溶液与0.43g作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)以及0.3g作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮混合。然后，从该溶液除去所述溶剂。然后，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯与100重量份的所述第一和第二单体混合物混合。所得混合物通过在约25℃的室温下照射UV5分钟而聚合，从而制备纳米晶-聚合物复合物膜。
实施例4：纳米晶-聚合物复合物的制备
根据与实施例1相同的方法制备纳米晶-聚合物复合物，除了使用2,4,6-三烯丙基氧基-1,3,5三嗪代替1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮作为第二单体之外。
实施例5：纳米晶-聚合物复合物的制备
根据与实施例2相同的方法制备纳米晶-聚合物复合物，除了使用2,4,6-三烯丙基氧基-1,3,5三嗪代替1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮作为第二单体之外。
实施例6：纳米晶-聚合物复合物的制备
根据与实施例3相同的方法制备纳米晶-聚合物复合物，除了使用2,4,6-三烯丙基氧基-1,3,5三嗪代替1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮作为第二单体之外。
实施例7-12：发光二极管("LED")的制造
通过准备如下电路板而制造具有图1中所示结构的发光二极管：所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片。根据实施例1-6的纳米晶-聚合物复合物膜分别被安置成覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片。将聚二甲基硅氧烷树脂填充在所述电路板的空的空间中以覆盖Ag框架和在其中的发光二极管芯片，并且在150℃固化2小时。
对比例1-3：发光二极管("LED")的制造
将InP/ZnS/InZnS/ZnS、InP/ZnSeS/ZnS、和InZnP/ZnSeS/ZnS分别与聚二甲基硅氧烷树脂混合。然后，通过如下制造发光二极管：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；设置所述纳米晶和聚二甲基硅氧烷树脂的混合物，以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片；和将其在150℃固化2小时。
实施例13-14：发光二极管("LED")的制造
通过如下制造具有图1中所示结构的发光二极管(LED)：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；分别安置实施例3和2的纳米晶-聚合物复合物膜以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片；然后将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以3:4的摩尔比混合；向100重量份的所述第一和第二单体中加入2重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯；在所述电路板的凹入部分的空的空间中填充所述混合物以覆盖所述复合物膜；和将所述混合物在25℃的室温下固化10分钟。
分别将实施例7、8、10和14的发光二极管和将对比例1和2的发光二极管以20毫安(mA)的电流操作并且评价相对于驱动时间的发光效率和光转换效率("PCE")。结果分别提供于图7和8中。如图7和8中所示，当与对比例1进行比较时，实施例7和10的发光二极管提供优异的初始效率和寿命特性。具体地，它们保持相同的效率约3800小时或更多。当与对比例2进行比较时，根据实施例8的发光二极管显示更好的初始效率和优异的寿命特性。具体地，其保持该效率约3300小时或更多。包含实施例2的纳米晶-聚合物复合物的实施例14的发光二极管提供改善的初始效率和优异的寿命特性，并且保持效率2800小时或更多。
图9显示根据实施例7的发光二极管的发光峰。如图9中所示，其保持发光峰强度超过3800小时。
实施例15：发光二极管("LED")的制造
将红色InP/ZnSeS/ZnS纳米晶加入到氯仿中，制备这样的溶液：当通过将该溶液在甲苯中稀释100倍而测量时，该溶液具有0.035的OD。将30微升(μl)量的该溶液与0.11g作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)以及0.077g作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮混合。然后，从该溶液除去所述溶剂。将100重量份的所述第一和第二单体与3重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯混合，从而制备用于纳米晶-聚合物复合物的组合物。
然后，通过如下制造具有图2中所示结构的发光二极管：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中发射445nm蓝光的发光二极管芯片；和涂覆所述用于纳米晶-聚合物复合物的组合物以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片；和通过照射UV将其固化。
实施例16：发光二极管(LED)的制造
将绿色InZnP/ZnSeS/ZnS纳米晶加入到氯仿中以制备这样的溶液：当通过将该溶液在甲苯中稀释100倍而测量时，该溶液具有0.042的OD。将0.1ml量的该溶液与0.15g作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)以及0.11g作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮混合。然后，从该混合物除去所述溶剂。然后，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯与100重量份的所述第一和第二单体混合物混合。
接着，通过如下制造具有图2中所示结构的发光二极管：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；涂覆所述组合物以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片；和通过用UV光照射将所述组合物固化。实施例17：发光二极管("LED")的制造
将黄色InP/ZnS/InZnS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备在表面上涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶粉末。以18重量%的量包含所述纳米晶，基于所述聚(乙烯-共聚-丙烯酸)和所述纳米晶的总重量。
将该涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶与以3:4的摩尔比混合的作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮的混合物混合，以提供第一和第二单体的混合物。接着，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯与100重量份的所述第一和第二单体的混合物混合。此处，以0.77重量份的量包含该涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶，基于100重量份的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)。
接着，通过如下制造具有图2的结构的发光二极管：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；在所述电路板的凹入部分的空的空间中填充所述混合物以覆盖所述Ag框架和在其中的发光二极管芯片；和将其在约25℃的室温下固化10分钟。
实施例18：发光二极管("LED")的制造
根据与实施例17相同的方法制造发光二极管，除了使用基于100重量份的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)(4T)为2.5重量份的量的涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶之外。
实施例19：发光二极管("LED")的制造
将黄色InP/ZnS/InZnS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备具有约0.1毫米(mm)厚度的纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜。此处，以7重量%的量包含所述黄色纳米晶，基于所述膜的总重量。
然后，如下制造具有图2的结构的发光二极管。准备电路板，其具有Ag框架和在凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片。将所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片用纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜覆盖。然后，通过如下制备混合物：将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以3:4的摩尔比混合；和向其中加入1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯。然后在所述电路板的凹入部分中的空的空间中填充所述混合物，和将所述纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜在约25℃的室温下固化10分钟。
对比例4：发光二极管("LED")的制造
将黄色InP/ZnS/InZnS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备具有约0.1mm厚度的纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜。该黄色纳米晶以7重量%的量使用，基于所述膜的总重量。
将该纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜用环氧树脂涂覆，然后在80℃固化3小时，从而制备基体树脂。使用该基体树脂制造发光二极管。
实施例20：发光二极管("LED")的制造
将红色InP/ZnSeS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备在表面上涂覆有所述聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶粉末。以约11重量%的量包含所述纳米晶，基于所述聚(乙烯-共聚-丙烯酸)和所述纳米晶的总重量。此处，所述纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)以1.1重量份的量使用，基于100重量份的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)。
接着，将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以3:4的摩尔比混合。将该混合物与涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶混合。然后，基于100重量的所述第一和第二单体混合物，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯加入其中。此处，该涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶以1.1重量份的量使用，基于100重量份的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)。
然后，通过如下制造具有图2中所示结构的发光二极管：准备电路板，其具有Ag框架和在凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；在所述电路板的凹入部分中的空的空间中填充所述混合物以覆盖Ag框架和在其中的在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片；和然后将其在约25℃的室温下固化10分钟。
实施例21：发光二极管("LED")的制造
将绿色InZnP/ZnSeS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备具有约0.1mm厚度的纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜。以7重量%的量包含该绿色纳米晶，基于所述膜的总重量。
接着，准备电路板，其具有Ag框架和在凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片。安置所述纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的所述发光二极管芯片。然后，将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以3:4的摩尔比混合。基于100重量份的所述第一和第二单体，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯加入其中。填充该混合物以覆盖在该电路板的凹入部分中的所述纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜和空的空间，然后在约25℃的室温下固化约10分钟，从而制造具有图2中所示结构的发光二极管。
实施例22：发光二极管("LED")的制造
将绿色InZnP/ZnSeS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备在表面上涂覆有所述聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶粉末。以7重量%的量包含所述纳米晶，基于聚(乙烯-共聚-丙烯酸)和所述纳米晶的总重量。
然后，将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)与作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以约3:4的摩尔比混合。向其中加入该涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶。然后，基于100重量份的所述第一和第二单体，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯加入其中。此处，以13重量份的量包含该涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶，基于100重量份的所述季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)。
然后，通过如下制造具有图2中所示结构的发光二极管：准备电路板，所述电路板具有Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管芯片；填充该混合物以覆盖所述Ag框架和在所述电路板的凹入部分中的发光二极管芯片以及其中的空的空间；和将该混合物在约25℃的室温下固化10分钟。
实施例23：发光二极管("LED")的制造
将绿色InZnP/ZnSeS/ZnS纳米晶用具有99-101℃的Tm的包含5重量%丙烯酸基团的聚(乙烯-共聚-丙烯酸)涂覆，以制备具有约0.1mm厚度的纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜。以13重量%的量包含该绿色纳米晶，基于所述膜的总重量。
接着，准备电路板，其包含Ag框架和在凹入部分中的发射445nm蓝光的发光二极管。然后，在该凹入部分中填充聚二甲基硅氧烷树脂以覆盖所述Ag框架和所述发光二极管，并且在150℃固化2小时。将所得产物用玻璃板覆盖。然后，将作为第一单体的季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)和作为第二单体的1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮以3:4的摩尔比混合。基于100重量份的所述第一和第二单体，将1重量份的氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯加入其中。将所述纳米晶-聚(乙烯-共聚-丙烯酸)膜安置在所述玻璃板上，并且将所述混合物涂覆在其上，并且在约25℃的室温下固化10分钟，从而制造图3中所示的发光二极管。
使根据实施例15和17-22的发光二极管以20mA的电流运行。使实施例23的发光二极管以60mA的电流运行。测量随着驱动时间变化的发光效率和PCE，并且结果分别提供于图10和11中。
如图10和11中所示，根据实施例15、17、18和20的发光二极管提供优异的初始效率和优异的寿命特性，包括约2300小时以上的稳定的效率。
当与对比例4进行比较时，根据实施例19的发光二极管提供优异的初始效率和寿命特性。
包含涂覆有聚(乙烯-共聚-丙烯酸)的纳米晶的根据实施例21-22的发光二极管提供优异的初始效率和寿命特性。
特别地，根据实施例23的发光二极管提供在高电流下优异的初始效率和寿命特性。
虽然已经结合了当前被认为是实践性的示例性实施方式的内容描述了本公开内容，但是应理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，意图涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种改进和等同布置。

Claims (41)

1.用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：
发光颗粒；
第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和
第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键，
其中所述第一单体由以下化学式1表示：
其中，在化学式1中，
R1为氢或者C1-C30烷基；
L1为单键、C1-C30亚烷基、或者C3-C30亚杂芳基；
Y1为单键；C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或酯；
m为1或更大的整数；
k1为0或1或更大的整数；
k2为1或更大的整数；
m和k2之和为3或更大的整数；
m不超过Y1的化合价；和
k1和k2不超过L1的化合价，
所述第二单体由以下化学式2表示：
其中，在化学式2中，
X为丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、C2-C30烯基、或者被C2-C30烯基取代的C3-C30环烷基；
R2为氢；C1-C30烷基；或者羟基取代的C1-C30烷基；
L2为单键、C1-C30亚烷基、或者C3-C30亚杂芳基；
Y2为单键；C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或酯；
n为1或更大的整数；
k3为0或1或更大的整数；
k4为1或更大的整数；
n和k4之和为3或更大的整数；
n不超过Y2的化合价；和
k3和k4不超过L2的化合价，
其中所述发光颗粒包括半导体纳米晶，所述半导体纳米晶包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、IV族元素、或其组合，
所述II-VI族化合物包括选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、或其组合的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、或其组合的三元化合物；或者选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或其组合的四元化合物，
所述III-V族化合物包括选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、或其组合的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、或其组合的三元化合物；或者选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、或其组合的四元化合物，
所述IV-VI族化合物包括选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、或其组合的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、或其组合的三元化合物；或者选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、或其组合的四元化合物，
所述IV族元素包括Si或Ge，和
所述IV族化合物包括选自SiC、SiGe、或其组合的二元化合物。
2.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述发光颗粒进一步包括荧光体、颜料、或其组合。
3.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述发光颗粒进一步包括金属纳米晶、金属氧化物纳米晶、或其组合。
4.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中以上化学式1的第一单体包括以下化学式1-1的单体：
其中，在化学式1-1中，L1'为碳；
Ya-Yd的每一个独立地为C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或酯；和
Ra-Rd为化学式1的R1或者为-SH，条件是Ra-Rd的至少两个为-SH。
5.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中以上化学式1的第一单体包括以下化学式1-2到1-5的化合物：
6.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中在化学式2中，X为乙烯基或烯丙基。
7.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中在化学式2中，L2为吡咯烷基团、四氢呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、哌啶基团、三嗪基团、或者异氰脲酸酯基。
8.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中以上化学式2的第二单体包括以下化学式2-1和化学式2-2的化合物：
其中，在化学式2-1和2-2中，Z1-Z3相同或不同，并且对应于化学式2的-[Y2-Xn]。
9.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述第二单体包括以下化学式2-3到2-5的化合物：
10.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述第一单体和所述第二单体总共以80-99.9重量％的量存在，基于所述用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物的总重量。
11.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述第一单体的硫醇基团和所述第二单体的不饱和碳-碳键以1:0.75～1:1.25的摩尔比存在。
12.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，进一步包含
第三单体，其具有一个位于所述第三单体的末端处的硫醇基团，
第四单体，其具有一个位于所述第四单体的末端处的不饱和碳-碳键，或者
其组合。
13.权利要求1的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述发光颗粒进一步包含涂层，所述涂层包含具有羧基或其盐的聚合物。
14.权利要求13的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物包含1-100摩尔％的包含所述羧基或其盐的单元。
15.权利要求13的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物具有50-300℃的熔点。
16.权利要求13的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物包括聚(烯烃-共聚-丙烯酸)、聚(烯烃-共聚-甲基丙烯酸)、其盐、或它们的组合。
17.权利要求13的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物以50-10,000重量份的量存在，基于100重量份的所述发光颗粒。
18.权利要求13的用于发光颗粒-聚合物复合物的组合物，其中经涂覆的发光颗粒作为粉末或膜存在。
19.发光颗粒-聚合物复合物，其包含：
发光颗粒；和
第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团，所述第二单体包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键，
其中所述第一单体由以下化学式1表示：
其中，在化学式1中，
R1为氢或C1-C30烷基；
L1为单键、C1-C30亚烷基、或者C3-C30亚杂芳基；
Y1为单键；C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或者酯；
m为1或更大的整数；
k1为0或1或更大的整数；
k2为1或更大的整数；
m和k2之和为3或更大的整数；
m不超过Y1的化合价；和
k1和k2不超过L1的化合价，
所述第二单体由以下化学式2表示：
其中，在化学式2中，
X为丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、C2-C30烯基、或者被C2-C30烯基取代的C3-C30环烷基；
R2为氢；C1-C30烷基；或者羟基取代的C1-C30烷基；
L2为单键、C1-C30亚烷基、或者C3-C30亚杂芳基；
Y2为单键；C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或酯；
n为1或更大的整数；
k3为0或1或更大的整数；
k4为1或更大的整数；
n和k4之和为3或更大的整数；
n不超过Y2的化合价；和
k3和k4不超过L2的化合价，
其中所述发光颗粒包括半导体纳米晶，所述半导体纳米晶包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、IV族元素、或其组合，
所述II-VI族化合物包括选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、或其组合的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、或其组合的三元化合物；或者选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、或其组合的四元化合物，
所述III-V族化合物包括选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、或其组合的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、或其组合的三元化合物；或者选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、或其组合的四元化合物，
所述IV-VI族化合物包括选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、或其组合的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、或其组合的三元化合物；或者选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、或其组合的四元化合物，
所述IV族元素包括Si或Ge，和
所述IV族化合物包括选自SiC、SiGe、或其组合的二元化合物。
20.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述发光颗粒进一步包括荧光体、颜料、或其组合。
21.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述发光颗粒进一步包括金属纳米晶、金属氧化物纳米晶、或其组合。
22.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中以上化学式1的第一单体包括以下化学式1-1的单体：
其中，在化学式1-1中，L1'为碳；
Ya-Yd的每一个独立地为C1-C30亚烷基；或者其中至少一个亚甲基被如下代替的C1-C30亚烷基：羰基、醚、或酯；和
Ra-Rd为化学式1的R1或者为-SH，条件是Ra-Rd的至少两个为-SH。
23.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中在化学式2中，X为乙烯基或烯丙基。
24.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中在化学式2中，L2为吡咯烷基团、四氢呋喃基团、吡啶基团、嘧啶基团、哌啶基团、三嗪基团、或者异氰脲酸酯基。
25.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中以上化学式2的第二单体包括以下化学式2-1到化学式2-2的化合物：
其中，在化学式2-1和2-2中，Z1-Z3相同或不同，并且对应于化学式2的-[Y2-Xn]。
26.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述聚合物以80-99.9重量％的量存在，基于所述发光颗粒-聚合物复合物的总重量。
27.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述第一单体的硫醇基团和所述第二单体的不饱和碳-碳键以1:0.75～1:1.25的摩尔比存在。
28.权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述发光颗粒进一步包含涂层，所述涂层包含具有羧基或其盐的聚合物。
29.权利要求28的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物包含1-100摩尔％的包含所述羧基或其盐的单元。
30.权利要求28的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物具有50-300℃的熔点。
31.权利要求28的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物包括聚(烯烃-共聚-丙烯酸)、聚(烯烃-共聚-甲基丙烯酸)、其盐、或其组合。
32.权利要求28的发光颗粒-聚合物复合物，其中所述具有羧基或其盐的聚合物以50-10,000重量份的量存在，基于100重量份的所述发光颗粒。
33.权利要求28的发光颗粒-聚合物复合物，其中经涂覆的发光颗粒作为粉末或作为膜存在。
34.光电子器件，其包含根据权利要求19的发光颗粒-聚合物复合物。
35.权利要求34的光电子器件，其中所述光电子器件为发光器件、存储器件、激光器件、或太阳能电池。
36.权利要求35的光电子器件，其中所述发光器件包含光源，和所述发光颗粒-聚合物复合物设置在所述光源上。
37.权利要求36的光电子器件，其中所述发光颗粒-聚合物复合物是以膜的形式设置的，并且将所述光电子器件的剩余空间用树脂填充。
38.权利要求37的光电子器件，其中所述发光颗粒-聚合物复合物是作为膜设置的，并且进一步包含与所述发光颗粒-聚合物复合物接触的树脂。
39.权利要求37的光电子器件，其中所述树脂包括：有机硅树脂；环氧树脂；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团，所述第二单体包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键；或其组合。
40.权利要求36的光电子器件，其中所述发光器件进一步包含在所述光源和所述发光颗粒-聚合物复合物之间的透明板。
41.权利要求36的光电子器件，其中所述发光器件进一步包含在外表面处的聚合物膜，并且所述聚合物膜包括：第一单体和第二单体的共聚物，所述第一单体包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团，所述第二单体包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键；基于(甲基)丙烯酸酯的树脂；有机硅树脂；环氧树脂；或其组合。
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