JP2013533352A - 発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子 - Google Patents

発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2013533352A
JP2013533352A JP2013518267A JP2013518267A JP2013533352A JP 2013533352 A JP2013533352 A JP 2013533352A JP 2013518267 A JP2013518267 A JP 2013518267A JP 2013518267 A JP2013518267 A JP 2013518267A JP 2013533352 A JP2013533352 A JP 2013533352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
polymer composite
monomer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013518267A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5801886B2 (ja
JP2013533352A5 (ja
Inventor
カン,ヒュン−ア
ジャン,ウン−ジョ
キム,ユン−ハン
ジュン,シン−エ
ジャン,ヒョ−スック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2013533352A publication Critical patent/JP2013533352A/ja
Publication of JP2013533352A5 publication Critical patent/JP2013533352A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5801886B2 publication Critical patent/JP5801886B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/02Polythioethers
    • C08G75/04Polythioethers from mercapto compounds or metallic derivatives thereof
    • C08G75/045Polythioethers from mercapto compounds or metallic derivatives thereof from mercapto compounds and unsaturated compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L81/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L81/02Polythioethers; Polythioether-ethers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1037II-VI
    • H01L2924/10376Zinc sulfide [ZnS]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Abstract

【課題】発光粒子−高分子複合体用の組成物であって、発光粒子と、末端に少なくとも2つのチオール基を有する第1のモノマーと、末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーと、を含む。
【選択図】図7

Description

本発明は、発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子に関する。
半導体ナノ結晶(「量子ドット」とも称される)は数ナノサイズの結晶構造を有する半導体物質であって、約数百から数千個の原子から構成されている。
半導体ナノ結晶はその大きさが非常に小さいため、単位体積当たりの表面積が大きく、量子閉じ込め効果などを有する。したがって、バルク半導体物質に対応する固有な特性とは異なる特異な物理化学的特性を示す。
特に、ナノ結晶の大きさを調節するなどしてナノ結晶の光電子特性を調節することができるため、半導体ナノ結晶は、ディスプレイ素子又は生体発光標識素子などへの応用・開発が活発に行われている。
さらに、重金属を含有していない半導体ナノ結晶は、環境に優しく、しかも、人体に安全であることから、発光材料として種々のメリットを有する。よって、大きさ、構造、均一度などを調節することによって、優れた特性、および様々な分野への応用可能性を有する半導体ナノ結晶を合成する様々な技術が開発されている。
一方、半導体ナノ結晶をディスプレイ素子により容易に用いるためには、安定性、発光効率、色純度、寿命などが向上した半導体ナノ結晶が望まれる。
本開示の一実施形態は、安定性に優れており、素子の初期効率および寿命を格段に改善することのできる発光粒子−高分子複合体用の組成物および発光粒子−高分子複合体を提供する。
本開示の他の実施形態は、前記ナノ結晶−高分子複合体または発光粒子−高分子複合体を含む素子を提供する。
本開示の一実施形態によれば、発光粒子と、末端に少なくとも2つのチオール基を有する第1のモノマー(各チオール基は、第1のモノマーの末端に存在する)と、末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマー(各不飽和結合は、第2のモノマーの末端に存在する)と、を含む発光粒子−高分子複合体用の組成物が開示される。
本開示の他の実施形態は、発光粒子と、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマー(各チオール基は、第1のモノマーの末端に存在する)および末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマー(各不飽和結合は、第2のモノマーの末端に存在する)が重合された高分子と、を含む発光粒子−高分子複合体が開示される。
前記発光粒子は、ナノ結晶と、蛍光体と、顔料またはこれらの組み合わせを含みうる。前記ナノ結晶は、半導体ナノ結晶と、金属ナノ結晶と、金属酸化物ナノ結晶またはこれらの組み合わせを含みうる。
前記末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーは、下記の化学式1で表わされうる。
式中、Rは、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30シクロアルキレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30ヘテロシクロアルキレン基であり、
は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル(−SO−)、カルボニル(−C(=O)−)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−SO−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
mは、1以上の整数であり、
k1は、0または1以上の整数であり、
k2は、1以上の整数であり、
mおよびk2の和は、3以上の整数であり、
mは、Yの価数を超えず、
k1およびk2は、Lの価数を超えない。
前記第2のモノマーは、下記の化学式2で表わされうる。
式中、Xは、不飽和炭素−炭素結合を有するC1〜C30の脂肪族有機基、不飽和炭素−炭素結合を有するC6〜C30の芳香族有機基、または不飽和炭素−炭素結合を有するC3〜C30の脂環式有機基であり、
は、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR’、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基であり、
は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または少なくとも一つのメチレン基(−CH−)が、スルホニル(−S(=O)−)、カルボニル(−C(=O)−)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−S(=O)−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
nは、1以上の整数であり、
k3は、0または1以上の整数であり、
k4は、1以上の整数であり、
nおよびk4の和は、3以上の整数であり、
nは、Yの価数を超えず、
k3およびk4は、Lの価数を超えない。
上記の化学式1の第1のモノマーとしては、下記の化学式1−1のモノマーが挙げられる:
化学式1−1の式中、L’は、炭素、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキレン基;または、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキレン基であり、
〜Yは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または、少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル(−S(=O)−)、カルボニル(−C(=O)−)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−S(=O)−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
〜Rは、化学式1のRまたは−SHであり、R〜Rのうちの少なくとも2つは、−SHである。
一実施形態において、前記L’は、置換若しくは非置換のフェニレン基である。
上記の化学式1の第1のモノマーの例としては、下記の化学式1−2〜1−5で表わされる化合物が挙げられる。
一実施形態において、Xは、アクリレート基;メタクリレート基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;およびC2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基でありうる。
上記の化学式2中、Xは、ビニル基またはアリル基であることが好ましく、環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基は、ノルボルネン基、マレイミド基、ナジミド基、テトラヒドロフタルイミド基またはこれらの組み合わせでありうる。
上記の化学式2中、Lは、ピロリジン基、テトラヒドロフラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピペリジン基、トリアジン基またはイソシアヌレート基でありうる。
上記の化学式2の第2のモノマーの具体例としては、下記の化学式2−1〜化学式2−2の化合物が挙げられる。
上記の化学式2−1および2−2中、Z〜Zは、同一または異なり、化学式2の−[Y−(X)]に相当する。
具体的な例として、下記の化学式2−3〜2−5の化合物が挙げられる。
前記第1のモノマーおよび第2のモノマーは、発光粒子−高分子複合体用の組成物の総重量に対して約80〜約99.9重量%の量にて含まれうる。
前記第1のモノマーおよび第2のモノマーは、第1のモノマーのチオール基および第2のモノマーの不飽和炭素−炭素結合が約1:0.75〜約1:1.25のモル比で存在しうる。
前記発光粒子−高分子複合体用の組成物は、末端に一つのチオール基を有する第3のモノマー、末端に一つの不飽和炭素−炭素結合を有する第4のモノマー、またはこれらの組み合わせをさらに含みうる。
前記発光粒子は、カルボキシル基またはその塩を含む高分子を含むコーティングをさらに含むことが好ましい。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、約1〜約20モル%のカルボキシル基またはその塩を含みうる。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、約50〜約300℃の融点(Tm)を有しうる。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、ポリ(アルキレン−コー−アクリル酸)、ポリ(アルキレン−コー−メタクリル酸)、これらの塩またはこれらの組み合わせでありうる。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、発光粒子100重量部に対して約50〜約10、000重量部の量にて存在していてもよい。前記コーティングされた発光粒子は、粉末状またはフィルム状でありうる。
本開示のさらに他の実施形態によれば、発光粒子−高分子複合体を含む光電素子が提供される。前記光電素子は、発光ダイオード(LED)素子若しくは有機発光ダイオード(OLED)の発光素子、メモリー素子、レーザー素子または太陽電池でありうる。
前記発光素子は、光源および前記光源の上に位置する発光粒子−高分子複合体を含みうる。
前記発光粒子−高分子複合体は光源の上に配置され、有機光電子素子の残りの空間は樹脂で満たされていてもよい。前記樹脂は、シリコン樹脂;エポキシ樹脂;(メタ)アクリレート系樹脂;末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体;またはこれらの組み合わせでありうる。
前記発光素子は、光源と、前記光源の上に位置する樹脂と、前記樹脂を覆う透明板と、前記透明板の上に存在する前記発光粒子−高分子複合体と、を備えていてもよい。この透明板は、ガラスまたは透明高分子から製造されてもよい。
前記発光素子は、その外表面に高分子フィルムをさらに含んでいてもよく、当該高分子フィルムは、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体と、(メタ)アクリレート系樹脂と、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、またはこれらの組み合わせを含みうる。
本開示のその他の実施形態は、以下の発明の詳細な説明の欄に記載される。
前記発光粒子−高分子複合体用の組成物および発光粒子−高分子複合体は、優れた安定性を有し、しかも、素子の効率および寿命を向上させることができる。
本開示の上述した側面および他の側面、利点および特徴は、以下の添付図面に基づく詳細な例示的実施形態によってなお一層明確になる。
図1から図5は、本発明の種々の実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。 図1から図5は、本発明の種々の実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。 図1から図5は、本発明の種々の実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。 図1から図5は、本発明の種々の実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。 図1から図5は、本発明の種々の実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。 図6は、本発明の一実施形態に係る発光粒子−高分子複合体を含む電界発光素子を示す断面図である。 図7および図8は、それぞれ実施例7、8、10および14による発光ダイオード、ならびに比較例1および2による発光ダイオードの駆動時間に対する輝度(ワット当たりのルーメン(lm/W))および光変換効率(PCE:photoconversion efficiency;百分率(%))を示す図である。 図7および図8は、それぞれ実施例7、8、10および14による発光ダイオード、ならびに比較例1および2による発光ダイオードの駆動時間に対する輝度(ワット当たりのルーメン(lm/W))および光変換効率(PCE:photoconversion efficiency;百分率(%))を示す図である。 図9は、波長(ナノメートル(nm))に対する強度(arbitrary units(a.u.))のグラフであって、実施例7の発光ダイオードの発光ピークを示す図である。 図10および図11は、それぞれ実施例15、17〜23による発光ダイオードの駆動時間(時間(h))に対する輝度(ワット当たりのルーメン(lm/W))および光変換効率(PCE;百分率(%))を示す図である。 図10および図11は、それぞれ実施例15、17〜23による発光ダイオードの駆動時間(時間(h))に対する輝度(ワット当たりのルーメン(lm/W))および光変換効率(PCE;百分率(%))を示す図である。
以下における本開示の詳細な説明において、本発明をより詳細に説明するが、本発明は本開示の実施形態に限定されるものではない。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されるものではなく、むしろ、これらの実施形態は、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者に本発明の範囲が理解されるために提供される。
図中、明確に表現するために、層、膜、板、領域等の厚さを拡大して示す。
層、膜、領域、基板などの要素が他の要素の「上に」あるとしたとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合だけではなく、これらの間に他の要素がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「真上に」あるとしたときには、これらの間に他の要素がないことを意味する。「および/または」の用語は、構成要素のうちの1以上の組み合わせを意味する。
「第1」「第2」「第3」などの用語は、様々な構成要素、成分、領域、層および/またはセクションを記載するために用いられうるものであるが、これらの構成要素、成分、領域、層および/またはセクションはこれらの用語に限定されるものではない。これらの用語は、一つの構成要素、成分、領域、層またはセクションとは異なる構成要素、成分、領域、層またはセクションを区別するために用いられるものである。このため、後述する「第1の構成要素」「成分」「領域」「層」または「セクション」は、本明細書の教示から逸脱することなく、第2の構成要素、成分、領域、層またはセクションを意味する場合もある。
本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明するためのものであり、これに限定するためのものではない。「一」、「一つの」などの単数形は、特に断りのない限り、複数形を含む。「包含」および/または「含む」若しくは「含有」および/または「含有する」の用語は、記載された特徴、領域、整数、段階、作動、構成要素および/または成分の存在を明確にしたものであるが、他の特徴、領域、整数、段階、作動、構成要素および/または成分の存在または付加を排除するものではない。
「下部」、「下」、「よりも低い」、「上に」、「上部」などの位置に関する用語は、図示のごとく、一つの構成要素および特徴部とは異なる構成要素または特徴部の関係を容易に説明するためのものである。空間的に相対的な用語は、図示の方向に加えて、使用時または作動時における他の素子の方向を含むためのものであると理解してもよい。例えば、図面の前記素子を反転させた場合、他の構成要素または特徴部の「下部」または「下」と記載された構成要素は、他の構成要素または特徴部の上部に位置していてもよい。このため、例示の用語「下部」は、上部および下部の両方を含むこともある。前記素子は、他の配置方式を取ってもよく(90°または他の方向に回転可能であり)、空間的に相対的な用語はそれに基づいて解釈される。
あらゆる用語(技術用語および学術用語)は、別途の定義がない限り、本開示の当業者によって通常理解される意味と同じ意味を有する。なお、辞書に通常的に定義されている用語は、本発明および関連分野の意味と一致する意味として解釈されなければならず、明確に定義されていない限り、理想的または形式的な意味として解釈されてはならない。
ここで例示する実施形態は、理想的な実施形態の概略図である断面図を参照して説明する。図示の形状において、たとえば、製造技術および/または誤差による変形は予測可能である。したがって、ここに記載の実施形態は、図示された特定の形態に限定されるものではなく、様々な形態、例えば、製造形態に由来する形状の変形を含む。例えば、平らなものとして図示または記載された領域は、典型的に粗く、および/または非線形的な特徴を有していてもよい。しかも、鋭角で図示されたものは、丸いものでありうる。したがって、図示の領域は図式的なものであり、領域の正確な形状を示すものではなく、本発明の特許請求の範囲を限定する意図で示されたものではない。
「アルキル」は、直鎖または分枝鎖、飽和、一価の炭化水素基(例えば、メチルまたはヘキシル)を意味する。
「アルケニル」は、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を有する、直鎖または分枝鎖、一価の炭化水素基(例えば、エテニル(−HC=CH)を意味する。
「アルキニル」は、少なくとも一つの炭素−炭素三重結合を有する、直鎖または分枝鎖、一価の炭化水素基(例えば、エチニル)を意味する。
「アルキレン」は、アルキレン基の価数を超えない限り、任意で1以上の置換基で選択的に置換される、少なくとも2つの価数を有する直鎖または分枝鎖の飽和脂肪族炭化水素基を意味する。
「アルケニレン」は、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合(例えば、エテニレン(−HC=CH−))を有する直鎖または分枝鎖の二価炭化水素基を意味する。
「アルコキシ」は、酸素を介して連結されたアルキル基(すなわち、アルキル−O−)、例えば、メトキシ、エトキシおよびsec−ブトキシ基を意味する。
「アレーン」は、芳香族環を有する炭化水素基を意味し、単環または多環の炭化水素であり、ここで、多環炭化水素の追加環は、芳香族であってもよく非芳香族であってもよい。アレーンの具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、トルエンおよびキシレンがある。
「アリール」は、アレーン(例えば、フェニルまたはナフチル)の一つの水素原子を除去することによって形成された一価基を意味する。
「アリーレン」は、アレーンの1以上の環からの少なくとも2以上の水素原子を除去することによって形成された少なくとも2つの価数を有する基であり、ここで、水素原子は、同じ環または異なる環から除去されてもよく(例えば、フェニレンまたはナフタレン)、アリーレンの価数を超えない限り、任意で1以上の置換基で置換されてもよい。
「アリールオキシ」は、酸素を介して連結されたアリール部分(すなわち、−O−アリール)を意味する。
「アルキルアリール」は、化合物に連結された置換若しくは非置換のアリール基に共有結合されたアルキル基を意味する(例えば、メチル−フェニレン)。
「シクロアルキル」は、全ての環要素が炭素である1以上の飽和環を有する一価基を意味する(例えば、シクロペンチルおよびシクロヘキシル)。
「シクロアルキレン」は、環状のアルキレン基、−C2n−xを意味し、ここで、xは、環化によって置換された水素の数を意味し、シクロアルキレン基の価数を超えない範囲において任意で1以上の置換基で置換される少なくとも2つの価数を有する。
「シクロアルケニル」は、1以上の環を有し、かつ、環内に1以上の炭素−炭素二重結合を有する一価基を意味し、全ての環要素は炭素である(例えば、シクロペンチルおよびシクロヘキシル)。
「シクロアルキニル」は、少なくとも一つの炭素−炭素三重結合を有する安定した脂肪族単環または多環基を意味し、全ての環要素は炭素である(例えば、シクロヘキシニル)。
以下、特に断りのない限り、「置換された」の用語は、化合物または置換基中の水素がC1〜C30のアルキル基、C2〜C30のアルキニル基、C6〜C30のアリール基、C7〜C30のアルキルアリール基、C1〜C30のアルコキシ、C6〜C30のアリールオキシ基、C1〜C30のヘテロアルキル基、C3〜C30のヘテロアルキルアリール基、C3〜C30のシクロアルキル基、C3〜C15のシクロアルケニル基、C6〜C30のシクロアルキニル基、C2〜C30のヘテロシクロアルキル基、ハロゲン(−F、−Cl、−Brまたは−I)、ヒドロキシ基(−OH)、ニトロ基(−NO)、シアノ基(−CN)、アミノ基(−NRR’、ここで、RおよびR’は、水素またはC1〜C6のアルキル基である)、アジド基(−N)、アミジノ基(−C(=NH)NH)、ヒドラジノ基(−NHNH)、ヒドラゾノ基(=N(NH)、アルデヒド基(−C(=O)H)、カルバモイル基(−C(O)NH)、チオール基(−SH)、エステル基(−C(=O)OR、ここで、Rは、C1〜C6のアルキル基またはC6〜C12のアリール基である)、カルボキシル基またはその塩(−C(=O)OM、ここで、Mは、有機または無機の陽イオンである)、スルホン酸基(−SOH)またはその塩(−SOM、ここで、Mは、有機または無機の陽イオンである)、リン酸(−PO)やその塩(−POMHまたは−PO、ここで、Mは、有機または無機の陽イオンである)から独立して選択された少なくとも一つの置換基で置換されたものを意味し、但し、置換された原子の価数を超えない。
本明細書において、様々なヘテロサイクリック基を言及する。これら基において、「ヘテロ」の用語は、ヘテロ原子(例えば、N、O、S、PまたはSiである1〜4個のヘテロ原子)を含む少なくとも一つの環要素(例えば、1〜4個の環要素)を含む基を意味する。各例において、環要素の総数が表示されてもよい(例えば、3−〜10−員環のヘテロシクロアルキル)。多重環が存在する場合、それぞれの環は、独立して、芳香族、飽和または部分的に不飽和および多重環である。また、融合される場合に、縮合、ペンダント、スピロ環状またはこれらの組み合わせであってもよい。ヘテロシクロアルキル基は、ヘテロ原子環要素を含む少なくとも一つの非芳香族環を含む。ヘテロアリール基は、ヘテロ原子環要素を含む少なくとも一つの芳香族環を含む。非芳香族および/または炭素環はヘテロアリール基に存在していてもよく、少なくとも一つの環は芳香族であり、ヘテロ原子である環要素を含む。
本明細書において、「脂肪族有機基」の用語は、C1〜C30の直鎖または分枝鎖のアルキル基を意味する。
「芳香族有機基」は、C6〜C30のアリール基またはC2〜C30のヘテロアリール基を意味する。
「脂環式有機基」の用語は、C3〜C30のシクロアルキル基、C3〜C30のシクロアルケニル基およびC3〜C30のシクロアルキニル基を意味する。
本明細書において、「これらの組み合わせ」の用語は、構成物の混合物、積層物、複合体、合金、ブレンド、反応生成物などを意味する。
本明細書において、(メタ)アクリレートは、アクリレートおよびメタクリレートの両方を意味する。
本発明の一実施形態による発光粒子−高分子複合体用の組成物は、発光粒子と、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーと、末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーとを含む。
前記発光粒子は、ナノ結晶と、蛍光体と、顔料またはこれらの組み合わせを含みうる。前記ナノ結晶としては、半導体ナノ結晶と、金属ナノ結晶と、金属酸化物ナノ結晶またはこれらの組み合わせが挙げられる。前記半導体ナノ結晶としては、II−VI族化合物、III−V族化合物、IV−VI族化合物、IV族元素、IV族化合物またはこれらの組み合わせが挙げられる。ここで、「族」の用語は、元素周期律表の族を意味する。
前記II−VI族化合物としては、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS若しくはこれらの組み合わせから選ばれる二元化合物;CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS若しくはこれらの組み合わせから選ばれる三元化合物;またはHgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe若しくはこれらの組み合わせから選ばれる四元化合物が挙げられる。前記III−V族化合物としては、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb若しくはこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる二元化合物;GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP若しくはこれらの組み合わせから選ばれる三元化合物;またはGaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb若しくはこれらの組み合わせから選ばれる四元化合物が挙げられる。前記IV−VI族化合物としては、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe若しくはこれらの組み合わせから選ばれる二元化合物;SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe若しくはこれらの組み合わせから選ばれる三元化合物;またはSnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe若しくはこれらの組み合わせから選ばれる四元化合物が挙げられる。前記IV族元素としては、SiまたはGeが挙げられ、前記IV族化合物としては、SiC、SiGeまたはこれらの組み合わせから選ばれる二元化合物が挙げられる。
このとき、前記元素、前記二元化合物、三元化合物または四元化合物は、実質的に均一な濃度で粒子内に存在していてもよいし、異なる濃度分布で同じ粒子内に存在していてもよい。なお、第一の半導体ナノ結晶が第二の半導体ナノ結晶によって取り囲まれたコア/シェル構造を有していてもよい。コアおよびシェルが、界面を有していてもよく、少なくとも一つのコアまたはシェルに存在する元素が、その濃度が表面から中心に向かって低くなる濃度勾配を有していてもよい。
前記半導体ナノ結晶は、約1nm〜約100nmの粒径(たとえば、、平均して最も長い部分の大きさ)を有することが好ましく、具体的に、約1nm〜約50nmの粒径を有していてもよく、より具体的に、約1nm〜約10nmまたは約2nm〜約25nmの粒径を有していてもよい。前記粒径は、前記半導体ナノ結晶が球状ではない場合に、最も長い部分の大きさを意味する。
さらに、前記半導体ナノ結晶の形状は、いかなるものであってもよく球状、ピラミッド状、多重枝状であってもよい。ある実施形態において、半導体ナノ結晶は、立方体状のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノファイバー、ナノ板状粒子など、またはこれらの組み合わせの形状のものが挙げられる。
さらにまた、一実施形態による半導体ナノ結晶の合成方法は、当分野におけるいかなる方法も含みうるが、これに限定されない。半導体ナノ結晶の合成方法は、何ら限定されるものではないが、当業者によって過度な実験を伴うことなく決定されうるあらゆる方法が含まれる。
たとえば、ナノサイズ、例えば、数ナノサイズの半導体ナノ結晶は、化学的な湿式化学方法により合成可能であるが、これは、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法であって、結晶が成長するときに有機溶媒または有機リガンドが自然に半導体ナノ結晶の表面に配位することにより結晶の成長を調節する方法である。
また、前記合成された半導体ナノ結晶は、様々な応用分野に適用するために樹脂と組み合わされ、前記樹脂を硬化させてナノ結晶が内部に分散された樹脂マトリックスを含むナノ結晶−高分子複合体を製造するために用いられる。本発明の一実施形態においては、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーを重合して製造された高分子をナノ結晶のマトリックスとして用いてナノ結晶を安定化させる。
さらに、発光粒子−高分子複合体において用いられる蛍光体および顔料としては、いかなる蛍光体および/または顔料が使用可能であり、特に限定されるものではない。前記蛍光体または顔料は、約1nm〜約100nm、具体的に、約1nm〜約50nm、より具体的に、約1nm〜約10nmまたは約2nm〜約25nmの粒径を有していてもよい。前記粒径は、半導体ナノ結晶が球状ではない場合に、最も長い部分の大きさを意味する。
前記末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーは、下記の化学式1で表わされうる。
式中、Rは、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR'(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR'(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30シクロアルキレン基、または置換若しくは非置換のC3〜C30ヘテロシクロアルキレン基であり、
は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または、少なくとも一つのメチレン基(−CH−)が、スルホニル(−SO−)、カルボニル(CO)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−SO−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
mは、1以上の整数であり、
k1は、0または1以上の整数であり、
k2は、1以上の整数であり、
mおよびk2の和は、3以上の整数である。
化学式1中、k1およびk2は、Lの価数を超えない。本発明の一実施形態において、mおよびk2の和は1〜6、具体的に、2〜5であり、他の実施形態において、mは1、k1は0、k2は3〜4である。
前記第2のモノマーは、下記の化学式2で表わされうる。
化学式2中、Xは、不飽和炭素−炭素結合を有するC1〜C30の脂肪族有機基、不飽和炭素−炭素結合を有するC6〜C30の芳香族有機基、または不飽和炭素−炭素結合を有するC3〜C30の脂環式有機基であり、
は、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基であり、
は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または少なくとも一つのメチレン基(−CH−)が、スルホニル(−SO−)、カルボニル(CO)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−SO−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
nは、1以上の整数であり、Yの価数を超えず、
k3は、0または1以上の整数であり、
k4は、1以上の整数であり、
nおよびk4の和は、3以上の整数である。
化学式2中、k3およびk4は、Lの価数を超えない。
本発明の一実施形態において、nおよびk4の和は1〜6、具体的に、2〜5であり、他の実施形態において、nは1、k3は0、k4は3〜4である。上記の化学式1の第1のモノマーの例としては、下記の化学式1−1のモノマーが挙げられる。
化学式1−1中、L'は、炭素、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキレン基;または、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキレン基であり、
〜Yは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または、少なくとも一つのメチレン基(−CH−)が、スルホニル(−SO−)、カルボニル(CO)、エーテル(−O−)、スルフィド(−S−)、スルホキシド(−SO−)、エステル(−C(=O)O−)、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換されたC1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
〜Rは、化学式1のRまたは−SHであり、R〜Rのうちの少なくとも2つは、−SHである。
本発明の一実施形態において、前記L’は、置換若しくは非置換のフェニレン基であり、前記置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基は、置換若しくは非置換のフェニレン基でありうる。
上記の化学式1の第1のモノマーの例としては、下記の化学式1−2〜1−5で表わされる化合物が挙げられる。
上記の化学式2中、Xは、炭素−炭素二重結合を有するC3〜C30の脂肪族有機基;炭素−炭素二重結合を有するC6〜C30の芳香族有機基;または炭素−炭素二重結合を有するC3〜C30の脂環式有機基である。Xは、アクリレート基;メタクリレート基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;またはC2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基でありうる。
上記の化学式2中、Xは、アルケニル基、ビニル基またはアリル基、または環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基でありうる。一実施形態においてXは、ノルボルネン基、マレイミド基、ナジミド基、テトラヒドロフタルイミド基またはこれらの組み合わせでありうる。
上記の化学式2中、Lは、ピロリジン基、テトラヒドロフラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピペリジン基、トリアジン基またはイソシアヌレート基でありうる。
上記の化学式2の第2のモノマーの具体例としては、下記の化学式2−1〜化学式2−2の化合物が挙げられる。
上記の化学式2−1および2−2中、Z〜Zは、同一または異なり、化学式2の−[Y−(X)]に相当する。
第2のモノマーの具体的な例として、下記の化学式2−3〜2−5の化合物が挙げられる。
発光粒子−高分子複合体用の組成物の総重量に対して、発光粒子は、約0.1〜約20重量%、具体的に、約0.5〜約15重量%、より具体的に、約1〜約10重量%の量にて含まれていてもよく、前記第1のモノマーおよび第2のモノマーは、約80〜約99.9重量%、具体的に、約85〜約99重量%、より具体的に、約90〜約95重量%の量にて含まれていてもよい。
前記第1のモノマーおよび第2のモノマーの重量比は、約0.1:1〜約1:0.1、具体的に、約0.2:1〜約1:0.2、より具体的に、約0.75:1〜約1:0.75であってもよい。前記範囲において発光粒子、第1のモノマーおよび第2のモノマーを用いる場合に、安定な発光粒子−高分子複合体を提供することができる。
前記発光粒子−高分子複合体用の組成物は、末端に一つのチオール基を含む第3のモノマー、末端に一つの不飽和炭素−炭素結合を有する第4のモノマー、またはこれらの両方をさらに含んでいてもよい。
前記第3のモノマーは、化学式1中のmおよびk2がそれぞれ1である化合物であり、第4のモノマーは、化学式2中のnおよびk4がそれぞれ1である化合物である。
前記発光粒子は、カルボキシル基またはその塩を含む高分子を含むコーティングをさらに含んでいてもよい。このため、前記発光粒子は、カルボキシル基またはその塩を含む高分子でプレコーティングされていてもよい。前記カルボキシル基としては、アクリル酸基、メタクリル酸基またはこれらの塩が挙げられる。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、高分子内にカルボキシル基またはその塩を含む構造単位を約1〜約100モル%、具体的に、約2〜約50モル%、より具体的に、約4〜約20モル%の量にて含んでいてもよい。前記範囲においてカルボキシル基またはその塩を含む構造単位が高分子内に含まれる場合に、複合体の安定性を向上させることができる。前記高分子は、約50〜300℃、具体的に、約60〜約250℃、より具体的に、約70〜約200℃の融点(Tm)を有していてもよい。前記範囲の融点を有する場合に、高分子で安定して発光粒子をコーティングすることができる。
前記コーティングされた発光粒子は、粉末状またはフィルム状であってもよい。すなわち、粉末状態のコーティングされた発光粒子と第1のモノマーおよび第2のモノマーを混合して複合体を製造してもよく、フィルム状のプレコーティングされた発光粒子と第1のモノマーおよび第2のモノマーを組み合わせて複合体を製造してもよい。前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子としては、長い脂肪族鎖、例えば、C8〜C50またはC12〜C36の脂肪族鎖にカルボキシル基またはその塩を有する高分子が挙げられる。
カルボキシル基またはその塩を有する高分子としては、ポリ(アルキレン−コー−アクリル酸)、ポリ(アルキレン−コー−メタクリル酸)、これらの塩またはこれらの組み合わせが挙げられる。前記塩は、カルボキシル基の水素の代わりに、ナトリウム、亜鉛、インジウム、ガリウムなどの金属が含まれている化合物である。具体例としては、ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)亜鉛塩、ポリ(エチレン−コー−メタクリル酸)亜鉛塩などが挙げられる。例としては、ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)亜鉛塩、ポリ(エチレン−コー−メタクリル酸)亜鉛塩などが挙げられる。
前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、発光粒子100重量部に対して約50〜約10、000重量部、具体的に、約200〜約10、000、より具体的に、約400〜5、000重量部の量にて存在していてもよい。カルボキシル基またはその塩を含む高分子でコーティングされた発光粒子において、前記発光粒子は、発光粒子とカルボキシル基またはその塩を含む高分子の総重量に対して約1〜約70重量%、具体的に、1〜50重量%、より具体的に、2〜40重量%の量にて存在していてもよい。前記範囲においてプレコーティングされる場合に、発光粒子の安定性を向上させることができる。
前記発光粒子−高分子複合体用の組成物を硬化させて発光粒子が高分子マトリックスの内部に分散されている発光粒子−高分子複合体を製造することができる。前記硬化工程は、たとえば、紫外線(UV)を用いてもよい。
一実施形態において、発光粒子−高分子複合体の形成に際して、発光粒子の安定化のために、先ず、発光粒子と第1のモノマーとを組み合わせ、次いで、第2のモノマーを投入してもよい。
前記発光粒子−高分子複合体用の組成物は、チオール基および不飽和炭素−炭素結合の架橋反応を促すための開始剤をさらに含んでいてもよい。前記開始剤としては、ホスフィンオキシド、α−アミノケトン、フェニルグリオキシレート、モノアシルホスフィン、ベンジルメチルケタル、ヒドロキシケトン等、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
前記高分子は、発光粒子との相溶性に優れており、室温下で適切な時間をかけて硬化させることができるものであってもよい。したがって、発光粒子の安定性を低下させる虞がある高温工程を施さなくても良い。なお、緻密な架橋構造を形成して発光粒子の外部に存在する酸素または水分などの外部因子を遮断して、発光粒子が接触および/または反応することを防ぐことができる。
また、前記発光粒子−高分子複合体は、発光粒子の光特性を安定的に維持することができるので、各種の分野に応用可能である。例えば、発光ダイオード(LED)素子または有機発光ダイオード(OLED)といった発光素子、メモリー素子、レーザー素子、太陽電池などの光電素子に好適に用いられる。なお、発光粒子−高分子複合体は、生体発光標識素子などの生理学的な分野にも応用することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る発光ダイオード素子についてさらに説明する。図1から図5に基づき、発光粒子−樹脂複合体を発光材料として含む発光ダイオード素子についてさらに説明する。
図1から図5は、本発明の実施形態に係る、発光粒子−高分子複合体を含む発光ダイオード素子を示す断面図である。
図1を参照すると、前記発光ダイオード素子は、Agなどを含む基板104と、前記基板104上の青色または紫外線(UV)領域において発光する発光ダイオードチップ103と、前記発光ダイオードチップ103の上に配設される発光粒子−高分子複合体110と、を備える。前記発光ダイオード素子の光源としては、発光ダイオードチップに代えて、レーザー、ランプなども使用可能であるということは言うまでもない。
通常、発光粒子は、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂などの高い透明性を有する材料を用いて、これらの樹脂を熱硬化させて発光ダイオードチップの上に位置させる。しかしながら、シリコン樹脂の場合には、ナノ結晶との相溶性が良くないため効率が低下する。さらに、硬化後の多孔性が高いため酸素や水分の透過が起こりやすい。さらに、エポキシ樹脂の場合には寿命が短い。
本発明の一実施形態においては、上述したように、発光粒子108との相溶性に優れており、酸素や水分に対する遮断性に優れた高分子106を用いて、発光粒子108と複合体110をなす。
前記発光粒子108は、赤色、緑色、黄色、青色などを発光する発光粒子108であってもよい。この発光粒子−高分子複合体110は、基板104の凹部に塗布されて発光ダイオードチップ103を覆う。前記発光粒子−高分子複合体110は発光ダイオードチップ103の上に存在し、残りの空間は樹脂112で満たされる。前記発光粒子−高分子複合体110は、フィルムの形態で発光ダイオードチップ103の上に存在していてもよいが、これに限定されるものではない。前記樹脂112は透明であり、前記発光粒子−高分子複合体と相溶化可能であり、発光素子の用途に適している。かような樹脂112としては、シリコン樹脂;エポキシ樹脂;(メタ)アクリレート系樹脂;または末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体が挙げられる。
図2に示すように、前記発光粒子−高分子複合体110は、発光粒子−高分子複合体用の組成物を基板104の凹部に塗布した後に硬化させて製造してもよい。
図3を参照すると、前記発光ダイオード素子の一実施形態は、Agなどを含む基板104と、前記基板104上の青色または紫外線(UV)領域において発光する発光ダイオードチップ103と、前記発光ダイオードチップ103の上に配設される発光粒子−高分子複合体110と、を備える。前記樹脂112としては、上述したように、基板104の凹部に塗布される。かような樹脂112は、シリコン樹脂;エポキシ樹脂;(メタ)アクリレート系樹脂;末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体が挙げられる。この樹脂112の上に透明板114が存在し、この透明板114の上に発光粒子−高分子複合体110が位置する。このような透明板114は、ガラスまたは透明高分子を含んでいてもよい。特定の理論で拘るわけではないが、図3の構造は、発光ダイオードチップ103によって発光粒子108が劣化することを実質的に且つ効果的に防ぐことができる。図4は、図1の発光ダイオード素子の外表面(例えば、前記樹脂112の上部全体の表面)を遮断フィルムとしての高分子フィルム116によりさらにカプセル化させた構造の発光ダイオード素子を示すものであり、図5は、図3の発光ダイオード素子の外表面(例えば、前記発光粒子−高分子複合体110の上部全体の表面)を遮断フィルムとしての高分子フィルム116によりカプセル化させた構造の発光ダイオード素子を示すものである。
前記高分子フィルム116は、酸素または水分遮断性に優れた樹脂を含み、当該樹脂は、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体、(メタ)アクリレート系樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂またはこれらの組み合わせであってもよい。ここで、末端に少なくとも2つのチオール(−SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体は、第1のモノマーおよび第2のモノマーが様々なモル比にて重合されうるものであり、重合に際してモル比が特定の範囲に限定されることはない。
一実施形態によれば、第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極と、これらの前記第1の電極および前記第2の電極の間に配設される前記発光粒子−樹脂複合体と、を備える発光素子が提供される。
前記発光粒子108は、発光ダイオードチップ103の光を吸収した後、異なる波長の光を放出する。本発明の一実施形態において、発光波長は、発光ダイオードチップ103から発せられた光の波長よりもさらに短い。前記発光粒子108は、発光波長が種々に調節可能である。例えば、赤色および緑色ナノ−複合粒子と青色発光ダイオードチップとを組み合わせると、一つの白色発光ダイオードを製造することができる。あるいは、赤色、緑色および青色ナノ−複合粒子と紫外線発光ダイオードチップとを組み合わせると、一つの白色発光ダイオードを製造することができる。あるいは、種々の波長の光が発光可能な発光粒子と発光ダイオードチップとを組み合わせると、種々の波長の光を発光する発光ダイオードを製造することができる。
図6に基づき、発光粒子−高分子複合体を発光材料として含む電流駆動型発光素子についてさらに説明する。
図6は、前記発光粒子−高分子複合体を含む発光素子の一実施形態を示す断面図である。
前記発光素子は、有機発光ダイオード(organic light emitting diode;OLED)、発光ダイオード(LED)素子、メモリー素子、レーザー素子、光電素子、有機光電素子または太陽電池を含みうる。前記有機発光ダイオードは、二つの電極の間に発光層を形成することにより製造される。2つの電極からそれぞれ電子および正孔を有機発光層内に注入して電子と正孔との結合による励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態へと落ちるときに光が発生する。
例えば、図6に示すように、発光素子は、有機基板50の上に正極52が位置する。前記正極52は、正孔が注入可能となるように、高い仕事関数を有する物質を含みうる。正極52の材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム酸化物の透明酸化物などが使用可能であるがこれらに制限されない。正極52の上には正孔輸送層(hole transport layer;HTL)54、発光層(emission layer;EL)56、電子輸送層(electron transport layer;ETL)58が順に形成されている。正孔輸送層54はp型半導体を含んでいてもよく、電子輸送層58はn型半導体または金属酸化物を含んでいてもよい。前記発光層56は、発光粒子−高分子複合体110を含む。このような発光粒子−高分子複合体110は直接的に塗布して形成してもよく、フィルム状に製造した後にラミネートして発光層を提供してもよい。
電子輸送層58の上には負極60が形成されている。前記負極60は、通常、電子輸送層58に電子を注入し易いように低い仕事関数を有する物質を含みうる。このような物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリウム、アルミニウム、銀、錫、鉛、セシウム、バリウムなどの金属、これらの合金またはこれらの組み合わせが挙げられる。また、多層構造を有していてもよい。前記負極は、LiF/Al、LiO/Al、LiF/Ca、LiF/AlまたはBaF/Caなどの層状構造を有する物質であってもよいが、これに限定されるものではない。正極52、正孔輸送層54、発光層56、電子輸送層58および負極60のそれぞれを製造する方法とこれらを組み合わせる方法は当業者にとって周知の事項であり、しかも、過度な実験を伴うことなく決定可能であるため、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
以下、実施例を参照して、実施形態を要塞に説明する。但し、以下は例示的な実施形態であり、これらに本発明が制限されることはない。
実施例1:ナノ結晶−高分子複合体の製造
黄色ナノ結晶InP/ZnS/InZnS/ZnSをクロロホルムに添加した溶液(トルエンに100倍希釈して測定された光学密度(OD:optical density):0.0270)0.9ml、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)0.2gおよび第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H,3H,5H)−トリオン0.14gを混合した後に溶媒を除去した。第1のモノマーと第2のモノマーとの混合物100重量部に対してオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ]−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)2重量部を混合して室温(約25℃)下で10分間UV照射して重合を行い、フィルム状のナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例2:ナノ結晶−高分子複合体の製造
赤色ナノ結晶InP/ZnSeS/ZnSをクロロホルムに添加した溶液(トルエンに100倍希釈して測定された光学密度(OD):0.035)0.1ml、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)0.2gおよび第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオン0.14gを混合した後に溶媒を除去した。第1のモノマーと第2のモノマーとの混合物100重量部に対して、オキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)1重量部を混合して室温(約25℃)下で5分間UV照射して重合を行い、フィルム状のナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例3:ナノ結晶−高分子複合体の製造
緑色ナノ結晶InZnP/ZnSeS/ZnSをクロロホルムに添加した溶液(トルエンに100倍希釈して測定された光学密度(OD):0.042)0.5ml、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)0.43gおよび第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオン0.3gを混合した後に溶媒を除去した。第1のモノマーと第2のモノマーとの混合物100重量部に対してオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)1重量部を混合して室温(約25℃)下で5分間UV照射して重合を行い、フィルム状のナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例4:ナノ結晶−高分子複合体の製造
第2のモノマーとして1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンの代わりに2、4、6−トリアリルオキシ−1、3、5トリアジンを用いた以外は、実施例1の方法と同様にしてナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例5:ナノ結晶−高分子複合体の製造
第2のモノマーとして1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンの代わりに2、4、6−トリアリルオキシ−1、3、5トリアジンを用いた以外は、実施例2の方法と同様にしてナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例6:ナノ結晶−高分子複合体の製造
第2のモノマーとして1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3、H、5H)−トリオンの代わりに2、4、6−トリアリルオキシ−1、3、5トリアジンを用いた以外は、実施例3の方法と同様にしてナノ結晶−高分子複合体を製造した。
実施例7〜12:発光ダイオード(LED)の製作
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように実施例1〜6のナノ結晶−高分子複合体フィルムをそれぞれ位置させ、Agフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、ポリジメチルシロキサン樹脂で回路基板の空き空間を満たし、150℃で2時間硬化させて図1に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
比較例1〜3:発光ダイオード(LED)の製作
InP/ZnS/InZnS/ZnS、InP/ZnSeS/ZnSおよびInZnP/ZnSeS/ZnSをそれぞれポリジメチルシロキサン樹脂と混合した。Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内にAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように前記ナノ結晶とポリジメチルシロキサン樹脂との混合物を塗布した後に150℃で2時間硬化させて発光ダイオードを製作した。
実施例13および実施例14:発光ダイオード(LED)の製作
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内にAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように実施例3および実施例2のナノ結晶−高分子複合体フィルムをそれぞれ位置させ、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)および第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、前記第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して2重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ]−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。複合体フィルムを覆うように、前記混合物で回路基板の凹部の空き空間を満たし、室温(約25℃)下で10分間硬化させて図1に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例7、8、10および14による発光ダイオードおよび比較例1および2の発光ダイオードを20mAの電流にて駆動して駆動時間による発光効率(輝度)と光変換効率(PCE:photoconversion efficiency)を評価した。結果を、それぞれ図7および図8に示す。図7および図8に示すように、実施例7および実施例10による発光ダイオードは、比較例1と比較して優れた初期効率および寿命特性を有している。特に、実施例7および実施例10による発光ダイオードは3800時間以上効率を維持している。また、実施例8による発光ダイオードの初期効率は、比較例2の発光ダイオードに比べて向上しており、寿命特性も優れている。特に、実施例8による発光ダイオードは、3300時間以上効率を維持している。実施例14による発光ダイオードは、初期効率および寿命特性に優れており、3800時間以上効率が維持されることが分かる。
図9は、実施例7の発光ダイオードの発光ピークを示すものである。図9に示すように、3800時間以上発光ピークの大きさが維持されることが分かる。
実施例15:発光ダイオード(LED)の製作
赤色ナノ結晶InP/ZnSeS/ZnSをクロロホルムに添加した溶液(トルエンに100倍希釈して測定された光学密度(OD):0.035)30μl(ml)、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)0.11g、第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオン0.077gを混合した後に溶媒を除去した。第1のモノマーと第2のモノマーとの混合物100重量部に対してオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)3重量部を混合してナノ結晶−高分子複合体用の組成物を製造した。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように前記ナノ結晶−高分子複合体用の組成物を塗布した後にUV照射により硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例16:発光ダイオード(LED)の製作
緑色ナノ結晶InZnP/ZnSeS/ZnSをクロロホルムに添加した溶液(トルエンに100倍希釈して測定された光学密度(OD):0.042)0.1ml、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)0.15gおよび第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオン0.11gを混合した後に溶媒を除去した。第1のモノマーと第2のモノマーとの混合物100重量部に対してオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)1重量部を混合した。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように前記ナノ結晶−高分子複合体用の組成物を塗布した後にUV照射により硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例17:発光ダイオード(LED)の製作
黄色ナノ結晶InP/ZnS/InZnS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングして表面がポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされた粉末状態のナノ結晶を製造した。ナノ結晶とポリ(エチレン−コー−アクリル酸)との合計量に対して18重量%のナノ結晶が含有されている。
第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合して製造した第1および第2のモノマーの混合物と、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶とを混合した。ここに、第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。ここで、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶は、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)100重量部に対して0.77重量部の量にて使用した。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、前記混合物で回路基板の凹部の空き空間を満たし、室温(25℃)下で10分間硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例18:発光ダイオード(LED)の製作
前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶をペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)(4T)100重量部に対して2.5重量部を用いた以外は、前記実施例17の方法と同様にして発光ダイオードを製作した。
実施例19:発光ダイオード(LED)の製作
黄色ナノ結晶InP/ZnS/InZnS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングしたナノ結晶を用いて、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)が混合された約0.1mmの厚さのフィルムを製造した。フィルムの総重量に対して黄色ナノ結晶は7重量%含有されている。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内にAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うようにナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムを位置させた。第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)および第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ]−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。前記混合物で回路基板の凹部の空き空間を満たし、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムを室温(25℃)下で10分間硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
比較例4:発光ダイオード(LED)の製作
黄色ナノ結晶InP/ZnS/InZnS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングしたナノ結晶を用いて、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)が混合された約0.1mmの厚さのフィルムを製造した。フィルムの総重量に対して黄色ナノ結晶は7重量%含有されている。
前記ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムにエポキシ樹脂を塗布して80℃で3時間硬化させてマトリックス樹脂を製造した。当該マトリックス樹脂を用いて発光ダイオードを製作した。
実施例20:発光ダイオード(LED)の製作
赤色ナノ結晶InP/ZnSeS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングして表面がポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされた粉末状態のナノ結晶を製造した。ナノ結晶とポリ(エチレン−コー−アクリル酸)との合計量に対して11重量%のナノ結晶が含有されている。ここで、ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶は、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)100重量部に対して1.1重量部を使用した。
第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶を混合し、ここに前記第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエーテル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。ここで、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶は、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)100重量部に対して1.1重量部を使用した。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、前記混合物で回路基板の凹部の空き空間を満たし、室温(約25℃)下で10分間硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例21:発光ダイオード(LED)の製作
緑色ナノ結晶InZnP/ZnSeS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングしたナノ結晶を用いて、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)が混合された約0.1mmの厚さのフィルムを製造した。フィルムの総重量に対して緑色ナノ結晶は7重量%含有されている。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムを位置させ、第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)および第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、前記第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。回路基板の凹部の空き空間およびナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムを覆うように前記混合物で満たし、室温(約25℃)下で10分間硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例22:発光ダイオード(LED)の製作
緑色ナノ結晶InZnP/ZnSeS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングして表面がポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされた粉末状態のナノ結晶を製造した。ナノ結晶とポリ(エチレン−コー−アクリル酸)との合計量に対して7重量%のナノ結晶が含有されている。
第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶を混合し、ここに前記第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。ここで、前記ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)でコーティングされたナノ結晶は、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)100重量部に対して13重量部を使用した。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、回路基板の凹部内のAgフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、前記混合物で回路基板の凹部の空き空間を満たし、室温(25℃)下で10分間硬化させて図2に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例23:発光ダイオード(LED)の製作
緑色ナノ結晶InZnP/ZnSeS/ZnSにポリ(エチレン−コー−アクリル酸)(5wt%のアクリル酸基を含有する、Tm=99−101℃)をコーティングしたナノ結晶を用いて、ナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)が混合された約0.1mmの厚さのフィルムを製造した。フィルムの総重量に対して緑色ナノ結晶は13重量%含有されている。
Agフレームを備え、445nmの青色を発光する発光ダイオードチップが凹部に実装された回路基板を準備した後、Agフレームおよび発光ダイオードチップを覆うように、回路基板の凹部内をポリジメチルシロキサン樹脂で満たし、150℃で2時間硬化させた後、この上にガラスプレートを位置させる。第1のモノマーとしてのペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)および第2のモノマーとしての1、3、5−トリアリル−1、3、5−トリアジン−2、4、6(1H、3H、5H)−トリオンを3:4のモル比にて混合し、前記第1のモノマーと第2のモノマーとの合計量100重量部に対して1重量部のオキシ−フェニル−酢酸2−[2−オキソ−2−フェニル−アセトキシ−エトキシ−エチルエステル(oxy-phenyl-acetic acid 2-[2-oxo-2-phenyl-acetoxy-ethoxy-ethyl ester)を混合して混合物を製造した。前記ガラスプレートの上にナノ結晶−ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)フィルムを位置させ、前記混合物を塗布した後、室温(約25℃)下で10分間硬化させて図3に示す構造を有する発光ダイオードを製作した。
実施例15および17〜22による発光ダイオードを20mAの電流にて駆動し、前記実施例23による発光ダイオードを60mAの電流にて駆動して駆動時間による発光効率(輝度)とPCEを測定した。結果をそれぞれ図10および図11に示す。
図10および図11に示すように、実施例15、17、18および20による発光ダイオードは初期効率に優れており、しかも、2300時間以上効率が維持されることから、寿命特性に優れていることが分かる。
実施例19による発光ダイオードの方が比較例4に比べて初期効率に優れており、しかも、寿命特性に優れていることが分かる。
ポリ(エチレン−コー−アクリル酸)をコーティングしたナノ結晶を含む実施例21〜実施例22の発光ダイオードはいずれも初期効率に優れており、しかも、寿命特性に優れていることが分かる。特に、実施例23の発光ダイオードは高い電流にて駆動しても初期効率に優れており、しかも、寿命特性に優れていることが分かる。
以上、現時点で実用的で例示的な実施形態であると考えられるものに関して説明してきたが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、むしろ、添付された特許請求の範囲及び精神の範囲内において、種々の変形および改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものであると理解されるべきである。

Claims (51)

  1. 発光粒子と、
    末端に少なくとも2つのチオール基を有する第1のモノマーと、
    末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーと、
    を含む、発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  2. 前記発光粒子は、ナノ結晶と、蛍光体と、顔料またはこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  3. 前記ナノ結晶は、半導体ナノ結晶と、金属ナノ結晶と、金属酸化物ナノ結晶またはこれらの組み合わせを含む、請求項2に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  4. 前記第1のモノマーは、下記の化学式1で表わされるものである、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
    式中、Rは、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30シクロアルキレン基、または置換若しくは非置換のC3〜C30ヘテロシクロアルキレン基であり、
    は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    mは、1以上の整数であり、
    k1は、0または1以上の整数であり、
    k2は、1以上の整数であり、
    mおよびk2の和は、3以上の整数であり、
    mは、Yの価数を超えず、
    k1およびk2は、Lの価数を超えない。
  5. 前記第2のモノマーは、下記の化学式2で表わされるものである、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
    式中、Xは、不飽和炭素−炭素結合を有するC1〜C30の脂肪族有機基、不飽和炭素−炭素結合を有するC6〜C30の芳香族有機基、または不飽和炭素−炭素結合を有するC3〜C30の脂環式有機基であり、
    は、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、Rは、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基であり、
    は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または少なくとも一つのメチレン基(−CH−)が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    nは、1以上の整数であり、
    k3は、0または1以上の整数であり、
    k4は、1以上の整数であり、
    nおよびk4の和は、3以上の整数であり、
    nは、Yの価数を超えず、
    k3およびk4は、Lの価数を超えない。
  6. 上記の化学式1の第1のモノマーは、下記の化学式1−1のモノマーを含む、請求項4に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
    化学式1−1の式中、L’は、炭素、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキレン基;または、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキレン基であり、
    〜Yは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または、少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    〜Rは、化学式1のRまたは−SHであり、R〜Rのうちの少なくとも2つは、−SHである。
  7. 前記L’は、置換若しくは非置換のフェニレン基である、請求項6に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  8. 上記の化学式1の第1のモノマーは、下記の化学式1−2〜1−5で表わされる化合物を含む、請求項4に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
  9. 上記の化学式2中、Xは、アクリレート基;メタクリレート基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;またはC2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基である、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  10. 上記の化学式2中、Xは、ビニル基またはアリル基である、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  11. 前記環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基は、ノルボルネン基、マレイミド基、ナジミド基、テトラヒドロフタルイミド基またはこれらの組み合わせを含む、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  12. 上記の化学式2中、Lは、ピロリジン基、テトラヒドロフラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピペリジン基、トリアジン基またはイソシアヌレート基である、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  13. 上記の化学式2の第2のモノマーは、下記の化学式2−1〜化学式2−2で表わされる化合物を含む、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
    上記の化学式2−1および2−2中、Z〜Zは、同一または異なり、化学式2の−[Y−(X)]に相当する。
  14. 前記第2のモノマーは、下記の化学式2−3〜2−5の化合物を含む、請求項5に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物:
  15. 前記第1のモノマーおよび第2のモノマーは、発光粒子−高分子複合体用の組成物の総重量に対して約80〜約99.9重量%の量にて含まれる、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  16. 第1のモノマーのチオール基および第2のモノマーの不飽和炭素−炭素結合が1:約0.75〜1:約1.25のモル比で存在する、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  17. 末端に一つのチオール基を有する第3のモノマー、
    末端に一つの不飽和炭素−炭素結合を有する第4のモノマー、または
    これらの組み合わせをさらに含む、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  18. 前記発光粒子は、コーティングをさらに含み、
    前記コーティングは、カルボキシル基またはその塩を含む高分子を含む、請求項1に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  19. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、高分子内にカルボキシル基またはその塩を含む構造単位を約1〜約100モル%の量にて含む、請求項18に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  20. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、約50〜約300℃の融点を有する、請求項18に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  21. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、ポリ(アルキレン−コー−アクリル酸)、ポリ(アルキレン−コー−メタクリル酸)、これらの塩またはこれらの組み合わせである、請求項18に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  22. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、発光粒子100重量部に対して約50〜約10、000重量部の量にて存在する、請求項18に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  23. 前記コーティングされた発光粒子は、粉末状またはフィルム状である、請求項18に記載の発光粒子−高分子複合体用の組成物。
  24. 発光粒子と、
    末端に少なくとも2つのチオール基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーが重合された共重合体と、
    を含む、発光粒子−高分子複合体。
  25. 前記発光粒子は、ナノ結晶と、蛍光体と、顔料またはこれらの組み合わせを含む、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体。
  26. 前記ナノ結晶は、半導体ナノ結晶と、金属ナノ結晶と、金属酸化物ナノ結晶またはこれらの組み合わせを含む、請求項25に記載の発光粒子−高分子複合体。
  27. 前記第1のモノマーは、下記の化学式1で表わされるものである、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体:
    式中、Rは、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニル基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C30シクロアルキレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30ヘテロシクロアルキレン基であり、
    は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換されたC1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    mは、1以上の整数であり、
    k1は、0または1以下の整数であり、
    k2は、1以上の整数であり、
    mおよびk2の和は、3以上の整数であり、
    mは、Yの価数を超えず、
    k1およびk2は、Lの価数を超えない。
  28. 前記第2のモノマーは、下記の化学式2で表わされるものである、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体:
    式中、Xは、不飽和炭素−炭素結合を有するC1〜C30の脂肪族有機基、不飽和炭素−炭素結合を有するC6〜C30の芳香族有機基、または不飽和炭素−炭素結合を有するC3〜C30の脂環式有機基であり、
    は、水素;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキル基;置換若しくは非置換のC6〜C30のアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリール基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキル基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;ヒドロキシ基;NH;置換若しくは非置換のC1〜C30のアミン基(−NRR'、ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C30のアルキル基である);イソシアネート基;イソシアヌレート基;(メタ)アクリレート基;ハロゲン;−ROR'(ここで、Rは、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基であり、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);アシルハライド(−RC(O)X、ここで、Rは、置換若しくは非置換のアルキレン基であり、Xは、ハロゲンである);−C(=O)OR’(ここで、R’は、水素またはC1〜C20のアルキル基である);−CN;または−C(=O)ONRR’(ここで、RおよびR’は、互いに独立して、水素またはC1〜C20のアルキル基である)であり、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基または置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基であり、
    は、単結合;置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    nは、1以上の整数であり、
    k3は、0または1以上の整数であり、
    k4は、1以上の整数であり、
    nおよびk4の和は、3以上の整数であり、
    nは、Yの価数を超えず、
    k3およびk4は、Lの価数を超えない。
  29. 上記の化学式1の第1のモノマーは、下記の化学式1−1のモノマーを含むものである、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体:
    化学式1−1の式中、L'は、炭素、置換若しくは非置換のC6〜C30のアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロアリーレン基;置換若しくは非置換のC3〜C30のシクロアルキレン基;または、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキレン基であり、
    〜Yは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のC1〜C30のアルキレン基;置換若しくは非置換のC2〜C30のアルケニレン基;または、少なくとも一つのメチレン基が、スルホニル、カルボニル、エーテル、スルフィド、スルホキシド、エステル、アミド(−C(=O)NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)、イミン(−NR−、ここで、Rは、水素またはC1〜C10のアルキル基である)またはこれらの組み合わせで置換された、C1〜C30のアルキレン基若しくはC2〜C30のアルケニレン基であり、
    〜Yは、化学式1のRまたは−SHであり、Y〜Yのうちの少なくとも2つは、−SHである。
  30. 前記L’は、置換若しくは非置換のフェニレン基である、請求項29に記載の発光粒子−高分子複合体。
  31. 上記の化学式2中、Xは、アクリレート基;メタクリレート基;C2〜C30のアルケニル基;C2〜C30のアルキニル基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基;環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30のヘテロシクロアルキル基;C2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30の脂環式有機基;またはC2〜C30のアルケニル基若しくはC2〜C30のアルキニル基で置換されたC3〜C30のヘテロシクロアルキル基である、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体。
  32. 上記の化学式2のXの定義において、アルケニル基は、ビニル基またはアリル基である、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体。
  33. 前記環内に二重結合若しくは三重結合を有する、置換若しくは非置換のC3〜C30の脂環式有機基は、ノルボルネン基、マレイミド基、ナジミド基、テトラヒドロフタルイミド基またはこれらの組み合わせを含む、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体。
  34. 上記の化学式2中、Lは、ピロリジン基、テトラヒドロフラン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピペリジン基、トリアジン基またはイソシアヌレート基である、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体。
  35. 上記の化学式2の第2のモノマーは、下記の化学式2−1〜化学式2−2で表わされるものである、請求項28に記載の発光粒子−高分子複合体:
    上記の化学式2−1および2−2中、Z〜Zは、同一または異なり、化学式2の−[Y−(X)]に相当する。
  36. 前記高分子は、発光粒子−高分子複合体用の組成物の総重量に対して約80〜約99.9重量%の量にて含まれる、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体。
  37. 第1のモノマーのチオール基および第2のモノマーの不飽和炭素−炭素結合が1:約0.75〜1:約1.25のモル比で存在するものである、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体。
  38. 前記発光粒子は、コーティングをさらに含み、
    前記コーティングは、カルボキシル基またはその塩を含む高分子を含む、請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体。
  39. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、高分子内にカルボキシル基またはその塩を含む構造単位を約1〜100モル%の量にて含む、請求項38に記載の発光粒子−高分子複合体。
  40. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、約50〜約300℃の融点(Tm)を有する、請求項38に記載の発光粒子−高分子複合体。
  41. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、ポリ(アルキレン−コー−アクリル酸)、ポリ(アルキレン−コー−メタクリル酸)、これらの塩またはこれらの組み合わせである、請求項38に記載の発光粒子−高分子複合体。
  42. 前記カルボキシル基またはその塩を含む高分子は、発光粒子100重量部に対して約50〜約10、000重量部の量にて存在する、請求項38に記載の発光粒子−高分子複合体。
  43. 前記コーティングされた発光粒子は、粉末状またはフィルム状である、請求項38に記載の発光粒子−高分子複合体。
  44. 請求項24に記載の発光粒子−高分子複合体を含む、光電素子。
  45. 発光素子、メモリー素子、レーザー素子または太陽電池である、請求項42に記載の光電素子。
  46. 前記発光素子は、光源および前記光源の上に位置する発光粒子−高分子複合体を含む、請求項45に記載の光電素子。
  47. 前記発光粒子−高分子複合体はフィルム状に形成され、残りの空間は樹脂で満たされている、請求項46に記載の光電素子。
  48. 前記発光粒子−高分子複合体はフィルム状に配置され、前記発光粒子−高分子複合体と接触する樹脂をさらに含む、請求項47に記載の光電素子。
  49. 前記樹脂は、シリコン樹脂;エポキシ樹脂;(メタ)アクリレート系樹脂;末端に少なくとも2つのチオール(SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体;またはこれらの組み合わせである、請求項46に記載の光電素子。
  50. 前記光源と発光粒子−高分子複合体との間に透明板をさらに備える、請求項46に記載の光電素子。
  51. 前記発光素子の外表面に高分子フィルムをさらに備え、
    前記高分子フィルムは、末端に少なくとも2つのチオール(SH)基を有する第1のモノマーおよび末端に少なくとも2つの不飽和炭素−炭素結合を有する第2のモノマーの共重合体、(メタ)アクリレート系樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂またはこれらの組み合わせを含む、請求項46に記載の発光素子。
JP2013518267A 2010-07-01 2011-07-01 発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子 Active JP5801886B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0063624 2010-07-01
KR20100063624 2010-07-01
PCT/KR2011/004871 WO2012002780A2 (en) 2010-07-01 2011-07-01 Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013533352A true JP2013533352A (ja) 2013-08-22
JP2013533352A5 JP2013533352A5 (ja) 2014-08-14
JP5801886B2 JP5801886B2 (ja) 2015-10-28

Family

ID=45399037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013518267A Active JP5801886B2 (ja) 2010-07-01 2011-07-01 発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120001217A1 (ja)
EP (1) EP2588448B1 (ja)
JP (1) JP5801886B2 (ja)
KR (1) KR101553045B1 (ja)
CN (1) CN103080081B (ja)
WO (1) WO2012002780A2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016092805A1 (ja) * 2014-12-10 2016-06-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
JP2017512245A (ja) * 2014-01-06 2017-05-18 ナノコ テクノロジーズ リミテッド カドミウムフリー量子ドットナノ粒子
WO2017150297A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子、分散液およびフィルム
JP2017526777A (ja) * 2014-08-11 2017-09-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA クラスター化ナノ結晶ネットワークおよびナノ結晶複合体
JP2017529654A (ja) * 2014-08-11 2017-10-05 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA エレクトロルミネッセンス架橋ナノ結晶フィルム
JP2017533875A (ja) * 2014-08-11 2017-11-16 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA 反応性コロイド状ナノ結晶及びナノ結晶複合体
JP2017534894A (ja) * 2014-08-14 2017-11-24 エルジー・ケム・リミテッド 発光フィルム(light−emitting film)
WO2018043238A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
WO2018092705A1 (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット含有部材、シート部材、バックライト装置、及び、表示装置
JP2018526468A (ja) * 2015-06-02 2018-09-13 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 量子ドット、これを含む組成物および量子ドットの製造方法
JP2019117734A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 バックライトモジュール
US10768477B2 (en) 2016-06-27 2020-09-08 Unique Materials Co., Ltd. Backlight module
JP2022058459A (ja) * 2017-01-31 2022-04-12 大日本印刷株式会社 光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9382470B2 (en) 2010-07-01 2016-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Thiol containing compositions for preparing a composite, polymeric composites prepared therefrom, and articles including the same
KR101702000B1 (ko) * 2011-10-21 2017-02-03 삼성전자 주식회사 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
US9726928B2 (en) 2011-12-09 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight unit and liquid crystal display including the same
DE102012215792A1 (de) * 2012-09-06 2014-03-06 Zumtobel Lighting Gmbh Elektrooptisches Bauelement mit Quantendot-Struktur
KR101644052B1 (ko) * 2012-11-12 2016-08-01 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자
EP2851407A1 (en) 2013-09-24 2015-03-25 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Long-term stable photoactive composition, such as phosphorescent composition or TTA-photon upconversion composition
CN103474486B (zh) * 2013-09-25 2015-12-23 常州天合光能有限公司 晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法
KR102223504B1 (ko) * 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법
US9778510B2 (en) 2013-10-08 2017-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
KR101691816B1 (ko) * 2014-01-24 2017-01-02 성균관대학교산학협력단 형광체 코팅용 고형 복합체 및 이의 제조 방법
KR102309892B1 (ko) * 2014-07-01 2021-10-06 삼성전자주식회사 조성물 및 그로부터 제조되는 폴리머 복합체
KR102282214B1 (ko) * 2014-08-01 2021-07-26 삼성전자주식회사 가스 배리어성 점착 시트의 점착층용 조성물, 상기 조성물로부터 제조되는 가스 배리어성 점착 시트, 상기 가스 배리어성 점착 시트가 구비된 광학시트
KR101510855B1 (ko) 2014-08-22 2015-04-09 삼성전자 주식회사 몰드프레임 및 광학 시트와 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR101569084B1 (ko) 2014-08-26 2015-11-13 삼성전자 주식회사 광발광 적층 복합체 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시 장치
CN104377314A (zh) * 2014-09-26 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种封装层、电子封装器件及显示装置
US20180282617A1 (en) * 2014-11-17 2018-10-04 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-alkene matrix
US10983433B2 (en) 2015-08-21 2021-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite prepared therefrom
US10712483B2 (en) * 2015-08-24 2020-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, quantum dot polymer composite pattern prepared therefrom, and electronic devices including the same
SG11201802533RA (en) * 2015-10-09 2018-04-27 Toray Industries Color Conversion Composition, Color Conversion Sheet and Light Source Unit Including The Same, Display, Lighting Apparatus, Backlight Unit, LED Chip, And LED Package
EP3168278B2 (en) 2015-10-28 2022-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
CN108699354B (zh) * 2015-12-18 2021-06-08 依视路国际公司 包含链增长和逐步增长聚合单体以及分散于其中的无机纳米颗粒的液体可聚合组合物及其在制备光学物品中的用途
WO2017117160A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 3M Innovative Properties Company Article comprising particles with quantum dots
US11015115B2 (en) * 2015-12-31 2021-05-25 3M Innovative Properties Company Curable quantum dot compositions and articles
KR20180099784A (ko) * 2015-12-31 2018-09-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양자점을 포함하는 복합 입자 및 그의 제조 방법
CN105552241B (zh) * 2016-01-13 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
BR122019025643B1 (pt) * 2016-01-26 2021-04-20 Merck Patent Gmbh composição, folha conversora de cor, dispositivos de diodo emissor de luz, seus métodos de preparação e usos
KR20180109908A (ko) * 2016-02-16 2018-10-08 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 나노결정을 함유하는 폴리티오우레탄 매트릭스
TW201805404A (zh) * 2016-03-24 2018-02-16 3M新設資產公司 量子點組成物及量子點物品
EP3239197B1 (en) * 2016-04-28 2019-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd Layered structures and quantum dot sheets and electronic devices including the same
US11355583B2 (en) 2016-07-28 2022-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR102601102B1 (ko) 2016-08-09 2023-11-10 삼성전자주식회사 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자
US11021574B2 (en) 2016-12-02 2021-06-01 3M Innovative Properties Company Dual cure monomers
KR20190096330A (ko) * 2016-12-12 2019-08-19 디아이씨 가부시끼가이샤 발광용 나노 결정 복합체
EP3336158B1 (en) 2016-12-14 2023-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Emissive nanocrystal particle, method of preparing the same and device including emissive nanocrystal particle
KR102540848B1 (ko) * 2017-01-04 2023-06-08 삼성전자주식회사 조성물, 이로부터 제조된 복합체, 및 이를 포함한 전자 소자
KR20180082041A (ko) 2017-01-09 2018-07-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 그 제조 방법, 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛, 및 표시 장치
JP7072490B2 (ja) * 2017-11-03 2022-05-20 三星電子株式会社 量子ドット組成物、量子ドットポリマー複合体、並びにこれを含む積層構造物及びディスプレイ素子
US11046885B2 (en) * 2017-12-18 2021-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Layered structures and electronic devices including the same
CN108172603A (zh) * 2018-01-03 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管基板及其制备方法、显示面板
KR102021436B1 (ko) 2018-01-22 2019-09-16 기초과학연구원 유기 발광 복합체 및 유기 발광 복합체의 제조 방법
CN113736198B (zh) * 2018-07-26 2022-11-22 福建省金鹿日化股份有限公司 可产生蓝色荧光的荧光树脂材料及由其制得的蓝色荧光容器
EP3605622B1 (en) 2018-08-03 2021-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing same and display device including same
KR20200076770A (ko) 2018-12-19 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 광변환층 조성물, 광변환층 및 이를 포함하는 전자 장치
DE102020124036A1 (de) 2020-09-15 2022-03-17 Bruno Bock Chemische Fabrik GmbH & Co. Kommanditgesellschaft Sulfidhaltiges Stabilisatorsystem für Thiol-En- und Thiol-In- Zusammensetzungen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156390A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Sony Corp 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置
WO2008116079A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Evident Technologies, Inc. Powdered quantum dots
US20090001395A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode device and fabrication method thereof
US20090294742A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal-metal oxide-polymer composites and preparation method thereof

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3976553A (en) * 1974-09-09 1976-08-24 W. R. Grace & Co. Curable polyene-polythiol compounds and methods for preparation and curing
JP3256358B2 (ja) * 1993-12-17 2002-02-12 三井化学株式会社 高屈折率プラスチックレンズ用組成物およびレンズ
US6313251B1 (en) * 1995-05-30 2001-11-06 Sola International Holdings, Ltd. High index/high abbe number composition
WO1996038486A1 (en) * 1995-05-30 1996-12-05 Sola International Holdings Ltd. High index/high abbe number composition
JP2000508685A (ja) * 1996-04-05 2000-07-11 ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー 可視光線重合可能組成物
AUPO395896A0 (en) * 1996-12-03 1997-01-02 Sola International Holdings Ltd Acrylic thio monomers
AUPO510297A0 (en) * 1997-02-14 1997-03-06 Sola International Holdings Ltd Cross-linkable polymeric composition
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6479622B1 (en) * 1999-05-10 2002-11-12 3M Innovative Properties Company Compositions for making ene-thiol elastomers
DE10016651A1 (de) * 2000-04-04 2001-10-11 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Polymeren
US7205048B2 (en) * 2001-09-17 2007-04-17 Invitrogen Corporation Functionalized fluorescent nanocrystal compositions and methods of making
JP4004470B2 (ja) * 2001-11-02 2007-11-07 三洋化成工業株式会社 複合樹脂粒子
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US7371804B2 (en) * 2004-09-07 2008-05-13 Ophthonix, Inc. Monomers and polymers for optical elements
US20060065989A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Thad Druffel Lens forming systems and methods
WO2007041862A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Goh Cynthia M Composite nanoparticles, nanoparticles and methods for producing same
JP5011567B2 (ja) * 2005-11-17 2012-08-29 独立行政法人日本原子力研究開発機構 ナノ無機粒子複合橋架け高分子電解質膜及びその製造方法、ならびにそれを用いた膜・電極接合体
US7888399B2 (en) * 2006-01-26 2011-02-15 Showa Denko K.K. Curable composition containing thiol compound
US7696296B2 (en) * 2006-05-05 2010-04-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Compositions and articles prepared from the thioether functional oligomeric polythiols
US20080173886A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
WO2008070737A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 University Of Southern Mississippi Benzophenone/thioxanthone derivatives and their use in photopolymerizable compositions
KR100841186B1 (ko) * 2007-03-26 2008-06-24 삼성전자주식회사 다층 쉘 구조의 나노결정 및 그의 제조방법
KR101366491B1 (ko) * 2007-08-22 2014-02-24 삼성전자주식회사 금속 하이드록시 탄산염 나노 입자가 코팅된 형광체 및그의 제조방법
US20090096136A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 The Regents Of The University Of California Thiol-ene based poly(alkylsiloxane) materials
WO2009145813A1 (en) * 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US8440736B2 (en) 2008-04-07 2013-05-14 University Of Southern Mississippi Photocuable thiol-ene low gas permeability membranes
WO2009132010A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-29 Chevron Phillips Chemical Company Lp Methods and systems for making thiol compounds from terminal olefinic compounds
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
GB0821122D0 (en) * 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR101644047B1 (ko) * 2009-07-09 2016-08-01 삼성전자 주식회사 발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
KR101644051B1 (ko) * 2011-05-20 2016-08-01 삼성전자 주식회사 광전자 소자 및 적층 구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156390A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Sony Corp 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置
WO2008116079A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Evident Technologies, Inc. Powdered quantum dots
US20090001395A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode device and fabrication method thereof
US20090294742A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal-metal oxide-polymer composites and preparation method thereof

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180095955A (ko) * 2014-01-06 2018-08-28 나노코 테크놀로지스 리미티드 카드뮴이 없는 양자점 나노입자
JP2017512245A (ja) * 2014-01-06 2017-05-18 ナノコ テクノロジーズ リミテッド カドミウムフリー量子ドットナノ粒子
KR102024161B1 (ko) 2014-01-06 2019-09-23 나노코 테크놀로지스 리미티드 카드뮴이 없는 양자점 나노입자
JP2019108551A (ja) * 2014-01-06 2019-07-04 ナノコ テクノロジーズ リミテッド カドミウムフリー量子ドットナノ粒子
JP2017526777A (ja) * 2014-08-11 2017-09-14 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA クラスター化ナノ結晶ネットワークおよびナノ結晶複合体
JP2017529654A (ja) * 2014-08-11 2017-10-05 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA エレクトロルミネッセンス架橋ナノ結晶フィルム
JP2017533875A (ja) * 2014-08-11 2017-11-16 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA 反応性コロイド状ナノ結晶及びナノ結晶複合体
JP2017534894A (ja) * 2014-08-14 2017-11-24 エルジー・ケム・リミテッド 発光フィルム(light−emitting film)
JP2016111292A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
WO2016092805A1 (ja) * 2014-12-10 2016-06-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
JP2018526468A (ja) * 2015-06-02 2018-09-13 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 量子ドット、これを含む組成物および量子ドットの製造方法
KR101996201B1 (ko) 2016-02-29 2019-07-03 후지필름 가부시키가이샤 반도체 나노 입자, 분산액 및 필름
JPWO2017150297A1 (ja) * 2016-02-29 2018-09-27 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子、分散液およびフィルム
WO2017150297A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子、分散液およびフィルム
KR20180099937A (ko) * 2016-02-29 2018-09-05 후지필름 가부시키가이샤 반도체 나노 입자, 분산액 및 필름
US10768477B2 (en) 2016-06-27 2020-09-08 Unique Materials Co., Ltd. Backlight module
WO2018043238A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
JPWO2018043238A1 (ja) * 2016-08-31 2019-06-24 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
JP6507322B2 (ja) * 2016-08-31 2019-04-24 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
JPWO2018092705A1 (ja) * 2016-11-16 2019-10-17 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット含有部材、シート部材、バックライト装置、及び、表示装置
WO2018092705A1 (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット含有部材、シート部材、バックライト装置、及び、表示装置
JP2020181196A (ja) * 2016-11-16 2020-11-05 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット含有部材、シート部材、バックライト装置、及び、表示装置
JP2022058459A (ja) * 2017-01-31 2022-04-12 大日本印刷株式会社 光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP7342935B2 (ja) 2017-01-31 2023-09-12 大日本印刷株式会社 光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP2019117734A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 バックライトモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
KR101553045B1 (ko) 2015-09-16
EP2588448B1 (en) 2017-10-18
EP2588448A2 (en) 2013-05-08
JP5801886B2 (ja) 2015-10-28
KR20120002946A (ko) 2012-01-09
US20120001217A1 (en) 2012-01-05
CN103080081A (zh) 2013-05-01
EP2588448A4 (en) 2015-08-05
WO2012002780A2 (en) 2012-01-05
CN103080081B (zh) 2016-05-04
WO2012002780A3 (en) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5801886B2 (ja) 発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子
US9701901B2 (en) Thiol containing compositions for preparing a composite, polymeric composites prepared therefrom, and articles including the same
EP3239197B1 (en) Layered structures and quantum dot sheets and electronic devices including the same
KR101644051B1 (ko) 광전자 소자 및 적층 구조
JP5937521B2 (ja) 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法
US8847273B2 (en) Light emitting diode
US10627672B2 (en) LED package, backlight unit and illumination device including same, and liquid crystal display including backlight unit
EP3147956B1 (en) Led package, backlight unit and illumination device including same, and liquid crystal display device
US9070838B2 (en) Optoelectronic device and stacking structure
US8920685B2 (en) Nanoparticle-resin composition, nanoparticle-resin composite, and method of making nanoparticle-resin composite
US20200035935A1 (en) Quantum dot device and display device
US11098244B2 (en) Composition comprising inorganic nano particle structure, light conversion thin film using the same, and display apparatus using the film
KR102488237B1 (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
EP3553150B1 (en) Light emitting composite and light emitting structure and optical sheet and electronic device
KR102563058B1 (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
KR102488238B1 (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
KR102488304B1 (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
KR20200093924A (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
KR20200105334A (ko) 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5801886

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250