JP5937521B2 - 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法 - Google Patents
量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法 Download PDFInfo
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 240
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 163
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 119
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 72
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 60
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 50
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 claims description 26
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 25
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 claims description 12
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims description 11
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 claims description 11
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 125000004953 trihalomethyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 40
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 24
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002848 norbornenes Chemical class 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000003779 hair growth Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000008635 plant growth Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- 229910015808 BaTe Inorganic materials 0.000 description 1
- DEDFCAOFTQBPBR-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C.[P] Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C.[P] DEDFCAOFTQBPBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006127 amorphous resin Polymers 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- PNPBGYBHLCEVMK-UHFFFAOYSA-N benzylidene(dichloro)ruthenium;tricyclohexylphosphanium Chemical compound Cl[Ru](Cl)=CC1=CC=CC=C1.C1CCCCC1[PH+](C1CCCCC1)C1CCCCC1.C1CCCCC1[PH+](C1CCCCC1)C1CCCCC1 PNPBGYBHLCEVMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229920003174 cellulose-based polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 239000011984 grubbs catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012968 metallocene catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 125000005499 phosphonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
ここで、式(1)中のR3は、水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基(アルキル基)、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。式(1)中のR4,R5は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和の炭化水素基、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、R4又はR5の炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ以上形成してもよい。ここで、x、yは0より大きく1より小さい実数であり、x+y=1の範囲を持つ。
また、式(2)中のR1,R2は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、R1,R2の炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ以上形成してもよい。ここで、rは、正の整数である。
実施形態1にかかる量子ドット蛍光体を含む組成物は、所定の分散用樹脂中に量子ドット蛍光体を分散させた構成となっている。上記分散用樹脂としては、シクロオレフィン(共)重合体を使用することができる。
無機蛍光体としては、例えば、II族−VI族化合物半導体のナノ結晶、III族−V族化合物半導体のナノ結晶等が挙げられる。これらのナノ結晶の形態は特に限定されず、例えば、InPナノ結晶のコア部分に、ZnS/ZnO等からなるシェル部分が被覆されたコア・シェル(core−shell)構造を有する結晶、またはコア・シェルの境が明確でなくグラジエント(gradient)に組成が変化する構造を有する結晶、あるいは同一の結晶内に2種以上の化合物結晶が部分的に分けられて存在する混合結晶または2種以上のナノ結晶化合物の合金等が挙げられる。
次に、無機蛍光体の表面に配位するキャッピング剤(有機不動態層を形成する為の試剤)としては、炭素数2〜炭素数30、好ましくは炭素数4〜炭素数20、更に好ましくは炭素数6〜炭素数18の直鎖構造又は分岐構造を有する脂肪族炭化水素基を有する有機分子が挙げられる。
実施形態1で使用する量子ドット蛍光体は、所望の化合物半導体のナノ結晶が得られる金属前駆体を用いてナノ結晶を製造した後、次いで、これをさらに有機溶媒に分散する。
図4には、実施形態2にかかる量子ドット蛍光体を含む構造物の一例の断面図が示される。図4において、量子ドット蛍光体を含む構造物は、量子ドット蛍光体18が分散用樹脂中に濃度0.01質量%〜20質量%の範囲で分散されている量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22と、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の全面を被覆し、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22への酸素等の透過を低減するガスバリア層24とを含んで構成されている。なお、他の実施形態において、ガスバリア層24は、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体22の表面の一部を被覆する構成であってもよい(図6、図7参照)。また、上記ガスバリア層24は、酸素の他、水蒸気の透過を低減できるものであることが好ましい。ここで、ガスバリア層24とは、量子ドット蛍光体を含む構造物の近傍で発光ダイオード(LED)を2000時間連続発光させた場合における量子ドット蛍光体18の分光放射エネルギーが初期値の70%以上を維持できる程度に量子ドット蛍光体18を酸素等から保護できる層をいう。なお、上記分光放射エネルギーは、量子ドット蛍光体の蛍光波長における放射エネルギーである。
50mLガラス製スクリューボトルに、アルゴンガス雰囲気下、COPタイプのシクロオレフィンポリマー(日本ゼオン株式会社製、ZEONEX480R;構造式(2)を含む非晶質樹脂)5gと、真空凍結脱気した後にアルゴンガス雰囲気下で保存した脱水トルエン(和光純薬工業株式会社製)5gとを仕込み、室温下ローラー式攪拌機上で撹拌することで溶解させ、樹脂溶液ZT50−1を得た。
実施例1で得た量子ドット蛍光体分散樹脂成形体ZSQ−1を180℃に加熱したプレス機を用いて、20MPaのプレス圧で加工し、100μmの厚みを持った量子ドット蛍光体を含む樹脂フィルムFZSQ−1を得た。
アルゴンガス雰囲気下、22mW、450nmの青色LEDが実装されたカップ内に、実施例1で得られたQ5ZT50−1をピペッターを用いて2.0μL注入し、2時間風乾させ、その後40℃に保ったホットプレート上で5時間保ち、LEDパッケージを作製した。次に、実施例2と同様にして、封止材の表面にガスバリア層を形成した。ガスバリア層の厚みは20μmであった。
実施例1に記載のZEONEX480Rを三井化学社製のアペル樹脂(品番L5014DP、構造式(1)を含む樹脂)に替えた以外は実施例1と同様に実施して、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体ZSQ−2を得た。
実施例1に記載のCOP中の量子ドット含有濃度(質量%)を20質量%に替えた以外は、実施例1と同様に実施して、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体ZSQ−3を得た。
実施例1に記載のCOP中の量子ドット含有濃度(質量%)を0.01質量%に替えた以外は、実施例1と同様に実施して、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体ZSQ−4を得た。
ガスバリア層をエバールM100B(株式会社クラレ製、エチレン・ビニルアルコール共重合樹脂、エチレン共重合比率24mol%)を用いて形成させた以外は実施例1〜3と同様の操作を実施した。ガスバリア層の厚みは20μmであった。
実施例1〜3でそれぞれ得られたAZSQ−1、AFZSQ−1およびLEDパッケージに形成したガスバリア層の表面に、原子層堆積法により20nmのシリカ層を形成させ、同様の測定を実施した。
実施例7〜9で得られたそれぞれのガスバリア層の表面に、実施例10〜12と同様にして原子層堆積法により20nmのシリカ層を形成させ、同様の測定を実施した。
50mLシュレンク管にアルゴンガス雰囲気下、82mg/mlに調製された量子ドット蛍光体のトルエン分散液3.05gを採取した。ここで量子ドット蛍光体の分子構造としては、コアシェル構造を有し、コアがInP、シェルがZnSであるナノ粒子であって、コアの直径2.1nmのものを用いた。真空乾燥させることでトルエンを除去した後に、アルゴンガス雰囲気下でSCR1011A 2.5(g)およびSCR1011B2.5(g)(ともに2液タイプの熱硬化型シリコーン樹脂、信越化学株式会社製)を加えよく混合させ、量子ドット蛍光体を上記熱硬化型シリコーン樹脂に対して5質量%含有した樹脂溶液SiQDを得た。ここで得られた樹脂溶液SiQDをアルゴンガス雰囲気下、22mW、450nmの青色LEDが実装されたカップ内にピペッターを用いて2.0μL注入した。その後70℃に保ったホットプレート上で1時間保ち、さらにホットプレートの温度を120℃として5時間加熱をすることでLEDパッケージを作製した。次に、実施例2と同様にして、封止材の表面にガスバリア層を形成した。ガスバリア層の厚みは20μmであった。
実施例4に記載の量子ドット含有濃度(質量%)を0.008質量%に替えた以外は、実施例4と同様に実施して、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を得た。
実施例4に記載の量子ドット含有濃度(質量%)を23質量%に替えた以外は、実施例4と同様に実施して、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を得た。
封止材の表面に、ガスバリア層の代わりにPETフィルムの層を形成した他は実施例3と同様の操作でLEDパッケージを作製した。なお、PETフィルムには、上記各実施例におけるガスバリア層と同程度のガスバリア性は無い(ガスバリア性が低い)。
Claims (12)
- 量子ドット蛍光体を濃度0.01質量%〜20質量%の範囲でシクロオレフィン(共)重合体に分散させたことを特徴とする組成物。
- 前記シクロオレフィン(共)重合体が式(1)または(2)で表されるものであることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
ここで、式(1)中のR3は、水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基(アルキル基)、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。式(1)中のR4,R5は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和の炭化水素基、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、R4又はR5の炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ以上形成してもよい。ここで、x、yは0より大きく1より小さい実数であり、x+y=1の範囲を持つ。
また、式(2)中のR1,R2は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状の飽和炭化水素基、または塩素もしくはフッ素のハロゲン原子、ハロゲン原子が塩素原子もしくはフッ素原子であるトリハロメチル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。また、R1,R2の炭化水素基は、隣り合う置換部位で互いに結合して5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を少なくとも1つ以上形成してもよい。ここで、rは、正の整数である。 - 請求項1または請求項2に記載の量子ドット蛍光体を含む組成物を成形物にしたことを特徴とする量子ドット蛍光体分散樹脂成形体。
- 前記成形物が、フィルム、または少なくとも一部に凸状部を有するフィルム、あるいはレンズであることを特徴とする請求項3に記載の量子ドット蛍光体分散樹脂成形体。
- 請求項3に記載の量子ドット蛍光体分散樹脂成形体と、
前記量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の一部の面または全面を被覆し、前記量子ドット分散樹脂成形体への酸素の透過を低減するガスバリア層と、
を備え、
前記ガスバリア層が、エチレン・ビニルアルコール共重合樹脂もしくはポリビニリデンクロライドの層により構成され、またはエチレン・ビニルアルコール共重合樹脂もしくはポリビニリデンクロライドの層の少なくとも一方の面にシリカ膜またはアルミナ膜を形成した層により構成されていることを特徴とする量子ドット蛍光体を含む構造物。 - 請求項1または請求項2に記載の量子ドット蛍光体を含む組成物をLEDチップの封止材の少なくとも一部に使用したことを特徴とする発光装置。
- 量子ドット蛍光体を含む組成物をLEDチップの封止材の少なくとも一部に使用し、当該封止材の厚みが0.01mm以上0.4mm未満であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 封止材の上部に、さらに請求項4に記載の量子ドット蛍光体分散樹脂成形体を配置したことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 封止材の上部に、さらに前記封止材への酸素の透過を低減するガスバリア層を配置し、前記ガスバリア層が、エチレン・ビニルアルコール共重合樹脂もしくはポリビニリデンクロライドの層により構成され、またはエチレン・ビニルアルコール共重合樹脂もしくはポリビニリデンクロライドの層の少なくとも一方の面にシリカ膜またはアルミナ膜を形成した層により構成されていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の発光装置。
- 請求項6から請求項9のいずれか一項に記載の発光装置が組み込まれていることを特徴とする電子機器。
- 請求項10に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。
- 量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法であって、
シクロオレフィン(共)重合体を溶媒に溶解した溶液を調製する工程と、
前記溶液に、前記成形体中の量子ドット蛍光体の濃度が0.01質量%〜20質量%の範囲となるように、量子ドット蛍光体を分散媒に分散させ、次いで混練することにより量子ドット蛍光体を含む組成物を製造する工程と、
前記量子ドット蛍光体を含む組成物を基材に塗布あるいは型に充填して加熱乾燥する工程と、
を備えたことを特徴とする量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011016335 | 2011-01-28 | ||
JP2011016335 | 2011-01-28 | ||
PCT/JP2012/050679 WO2012102107A1 (ja) | 2011-01-28 | 2012-01-16 | 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法 |
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JPWO2012102107A1 JPWO2012102107A1 (ja) | 2014-06-30 |
JP5937521B2 true JP5937521B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=46580679
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (7)
Country | Link |
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US (1) | US9085728B2 (ja) |
EP (1) | EP2669350B1 (ja) |
JP (1) | JP5937521B2 (ja) |
KR (1) | KR101529997B1 (ja) |
CN (1) | CN103328605B (ja) |
TW (1) | TW201245402A (ja) |
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-
2012
- 2012-01-16 KR KR1020137018027A patent/KR101529997B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-16 WO PCT/JP2012/050679 patent/WO2012102107A1/ja active Application Filing
- 2012-01-16 JP JP2012554726A patent/JP5937521B2/ja active Active
- 2012-01-16 CN CN201280006414.4A patent/CN103328605B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-16 EP EP12739934.3A patent/EP2669350B1/en not_active Not-in-force
- 2012-01-16 US US13/982,182 patent/US9085728B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-19 TW TW101102244A patent/TW201245402A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2669350B1 (en) | 2018-11-07 |
KR101529997B1 (ko) | 2015-06-18 |
TW201245402A (en) | 2012-11-16 |
KR20130109196A (ko) | 2013-10-07 |
CN103328605A (zh) | 2013-09-25 |
EP2669350A4 (en) | 2017-02-22 |
EP2669350A1 (en) | 2013-12-04 |
JPWO2012102107A1 (ja) | 2014-06-30 |
US9085728B2 (en) | 2015-07-21 |
WO2012102107A1 (ja) | 2012-08-02 |
CN103328605B (zh) | 2015-04-08 |
US20130334557A1 (en) | 2013-12-19 |
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