KR101829746B1 - 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법 - Google Patents

양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101829746B1
KR101829746B1 KR1020150078028A KR20150078028A KR101829746B1 KR 101829746 B1 KR101829746 B1 KR 101829746B1 KR 1020150078028 A KR1020150078028 A KR 1020150078028A KR 20150078028 A KR20150078028 A KR 20150078028A KR 101829746 B1 KR101829746 B1 KR 101829746B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
quantum dot
meth
Prior art date
Application number
KR1020150078028A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160142100A (ko
Inventor
윤진섭
권오범
이준우
공의현
김종기
박상천
박온유
우희제
조성서
한현주
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020150078028A priority Critical patent/KR101829746B1/ko
Priority to US15/555,718 priority patent/US10197820B2/en
Priority to JP2017560921A priority patent/JP6731954B2/ja
Priority to PCT/KR2015/013266 priority patent/WO2016195188A1/ko
Priority to CN201580079993.9A priority patent/CN107636111B/zh
Priority to TW105107828A priority patent/TWI619767B/zh
Publication of KR20160142100A publication Critical patent/KR20160142100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101829746B1 publication Critical patent/KR101829746B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots

Abstract

말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기(functional group)와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션(passivation)된 양자점을 제공한다.

Description

양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법{Quantum Dot, Composition Including the Same and Method of Preparing Quantum Dot}
양자점, 이를 포함하는 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
양자점(quantum dot)은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 반도체 물질로서, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다.
양자점은 크기가 매우 작기 때문에 단위 부피당 표면적이 넓고, 양자 구속(quantum confinement) 효과 등을 나타낸다. 따라서 반도체 물질 자체의 고유한 특성과는 다른 독특한 물리화학적 특성을 나타낸다.
특히, 양자점의 크기를 조절하는 방법 등을 통하여 양자점의 광전자로서의 특성을 조절할 수 있으며, 디스플레이 소자 또는 생체 발광 표지 소자 등으로의 응용 개발이 이루어지고 있다.
일반적으로 양자점을 디스플레이 소자 등에 적용시 양자점을 분산시킬 수 있는 매트릭스 수지로 실리콘(silicone) 수지를 사용하고 있다. 그러나 이러한 실리콘 수지는 양자점의 표면에 존재하는 유기 리간드와 상용성(compatibility)이 좋지 않아서 양자점의 응집(aggregation)이 발생하고, 이때 양자점 표면에 존재하는 유기 리간드의 손실이 발생될 수 있으며, 이로 인하여 소자의 효율이 감소될 수 있다.
일 구현예는 양자점의 표면을 효율적으로 패시베이션하여 산소와 수분에 대한 안정성이 우수하고 열안정성과 광안정성이 우수하고 필름 제조시 사용되는 용매나 매트릭스 수지에 대한 분산성이 우수한 양자점을 제공한다.
다른 구현예는 상기 양자점을 포함하는 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 양자점의 제조방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기(functional group)와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션(passivation)된 양자점을 제공한다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 말단에 티올기를 포함하는 다중자리(multidentate) 리간드일 수 있다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 양자점 표면에 삼차원(three-dimensional) 네트워크를 형성하여 양자점을 패시베이션할 수 있다.
상기 양자점은 InP 양자점; InP 코어 및 ZnS, ZnSe 쉘을 포함하는 양자점; 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제1 모노머는 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015053221991-pat00001
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬렌기에서 선택되고,
L1 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 및 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 및 C2 내지 C30의 알케닐렌기에서 선택되고,
R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
n은 0, 1 또는 2의 정수이고, n이 0인 경우 R1 내지 R4중 적어도 3개는 티올기이고, n이 1 또는 2인 경우 R1 내지 R7중 적어도 3개는 티올기이다.
상기 제1 모노머는 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머탑토프로피오네이트)(di pentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate), DHM), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토프로피오네이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate)), 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토프로피오네이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate)), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토아세테이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptoacetate)), 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토아세테이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptoacetate)), 트리스[2-(3-머캅토프로피오닐옥시에틸)이소시아누레이트(tris[2-(3-mercaptopropionyloxyethyl]isocyanurate), 트리티오시아누릭 에시드(tricyanuric acid) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 모노머는 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015053221991-pat00002
상기 화학식 2에서,
L은 스페이서기이고,
R12은 수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
R11은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 서로 인접하지 않는 적어도 하나의 메틸렌기(-CH2-)가 에테르(-O-), 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 교체된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기 및 이들의 조합에서 선택되고,
Y1은 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 작용기, 티올기 및 이들의 조합에서 선택되고,
p는 0 이상의 정수이고, q는 2이상의 정수이며, p+q는 L의 결합가수를 초과지 않는다.
상기 스페이서기는 4개 이상의 탄소수를 가지는 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 2개 이상이 모노사이클릭 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기또는 헤테로사이클로알킬렌기; 2개 이상의 방향족 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기; 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 제2 모노머는 트리시클로데칸 디메탄올 디(메타)아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate) 등의 사이클로알칸디올 디(메타)아크릴레이트; 헥산디올 디(메타)아크릴레이트(hexanediol di(meth)acrylate),1,8-옥탄디올 디(메타)아크릴레이트(1,8-octanediol di(meth)acrylate), 1,9-노난디올 디(메타)아크릴레이트(1,9-nonanediol di(meth)acrylate),1,10-데칸디올 디(메타)아크릴레이트(1,10-decanediol di(meth)acrylate) 등의 알칸디올 디(메타)아크릴레이트;2,2'-(에틸렌디옥시디에탄)디티올(2,2'-(ethylenedioxydiethane)dithiol); 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시 에톡시) 페닐플루오렌(9,9-bis[4-(2-acryloyloxy ethoxy) pheny]fluorene); 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시 폴리프로폭시]페닐]프로판(2,2-bis[4-(acryloxy polypropoxy]phenyl]propane); 디프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트(dipropylene glycol di(meth)acrylate) 등의 알킬렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트; 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸) 이소시아누레이트(tris(2-acryloxyethyl) isocyanulate); 트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트(trimethylol propane tri(meth)acrylate), 디트리메틸올 프로판 테트라(메타)아크릴레이트(ditrimethylol propane tetra(meth)acrylate); 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시]페닐]프로판(2,2-bis[4-((meth)acryloxy ethoxy]phenyl]propane); 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트(neopentyl glycol di(meth)acrylate) 및 이들의 조합으로부터선택될 수 있다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 패시베이션된 양자점 100 중량부에 대하여 80내지 100 중량부의 양으로 존재할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션된 양자점; 매트릭스 폴리머의 모노머및 용매를 포함하는 조성물을 제공한다.
상기 1 모노머, 제2 모노머 및 양자점은 상기한 바와 같다.
상기 매트릭스 폴리머의 모노머는 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 실리콘 수지, 티올-엔 수지 및 이들의 조합에서 선택되는 폴리머를 제공하는 모노머일 수 있다.
상기 용매는 톨루엔, 벤젠, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라하이드로퓨란, 트리옥틸아민, 크실렌, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 패시베이션된 양자점은 조성물 총량에 대하여 0.1 내지 20 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 다중자리(multidentate) 올리고머를 포함하는 용액을 제조하고,
상기 용액에 양자점을 혼합하여 상기 다중자리 올리고머의 티올기를 양자점의 표면에 부착시키는 단계를 포함하는
패시베이션된 양자점의 제조방법을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 패시베이션된 양자점을 포함하는 필름을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 필름을 포함하는 소자를 제공한다.
상기 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션된 양자점은 산소나 수분에 안정하며 열안정성과 광안정성이 우수하고 필름 제조시 사용되는 용매나 매트릭스 수지에 잘 분산될 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 패시베이션된 양자점을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예 1에 따른 올리고머 용액을 용매를 제거한 후 얻은 매트릭스의 1H NMR 측정결과를 보인 도면이다.
도 3과 도 4는 각각 실시예 1과 실시예 2의 양자점 용액을 각각 도포하여 용매를 제거한 후 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진이다.
도 5는 패시베이션되지 않은 적색 양자점 용액으로부터 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진이다.
도 6은 실시예 1 및 실시예 2에 따른 패시베이션된 양자점과 패시베이션되지 않은 양자점(비교예 1)을 이용하여 제조된 샘플의 120 ℃의 온도에서 공기 조건에서 시간에 따른 PL 강도를 측정한 결과를 보인 도면이다.
도 7과 도 8은 각각 실시예 1의 패시베이션된 양자점과 패시베이션되지 않은양자점(비교예 1)의 UV 노출 환경에 시간에 따른 PL 강도 측정한 결과를 보인 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, "치환"이란, C1 내지 C30의 알킬기, C2 내지 C30의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C7 내지 C30의 알킬아릴기, C1 내지 C30의 알콕시기, C1 내지 C30의 헤테로알킬기, C3 내지 C30의 헤테로알킬아릴기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C30의 사이클로알키닐기, C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 할로겐(-F, -Cl, -Br 또는 -I), 히드록시기(-OH), 니트로기(-NO2), 시아노기(-CN), 아미노기(NRR', 여기서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C6 알킬기임), 아지도기(-N3), 아미디노기(-C(=NH)NH2), 히드라지노기(-NHNH2), 히드라조노기(=N(NH2), 알데히드기(-C(=O)H), 카르바모일기, 티올기(-SH), 에스테르기(-C(=O)OR, 여기서 R은 C1 내지 C6 알킬기 또는 C6 내지 C12 아릴기임), 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기(-SO3H) 또는 그것의 염(-SO3M, 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임), 인산(-PO3H2) 이나 그것의 염(-PO3MH 또는 -PO3M2, 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임), 아크릴로일옥시기(acryloyloxy group), 메타크릴로일옥시기(methacryloyloxy group) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 이하에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로" 란, 고리(ring) 내에 N, O, S, Si, P, C(=0), S(=0) 및 S(=0)2에서 선택된 헤테로 원소 또는 헤테로원소-함유 작용기를 1 내지 4개 포함한 것을 의미한다. 고리의 전체 멤버는 3 내지 10일 수 있다.
본 명세서에서, 알칸은 C6 내지 C30의 알칸을 의미하고 알킬렌은 C6 내지 C30의 알킬렌을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 구성물의 혼합물, 적층물, 복합체, 합금, 블렌드, 상호치환체, 반응 생성물 등을 의미한다.
일 구현예에 따르면, 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기(functional group)와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션된 양자점을 제공한다.
이하에서 도 1을 참조하여 일 구현예에 따른 양자점을 상세히 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 패시베이션된 양자점을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 일 구현에 따른 패시베이션된 양자점(1)은 양자점(bare QD, 10)의 표면을 둘러싸는 올리고머 또는 폴리머를 포함한다. 상기 올리고머 또는 폴리머는 양자점의 리간드를 치환하여 양자점의 표면에 부착되는 킬레이팅 도메인(chelating domain)(12)과 스페이서기(14)를 포함한다. 상기 올리고머 또는 폴리머의 말단에 존재하는 티올기가 양자점 표면에 결합하는 앵커기(anchor group) 역할을 할 수 있다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 말단에 티올기를 포함하는 다중자리(multidentate) 리간드일 수 있다. 상기 티올기는 양자점(10)의 표면과 결합하여 양자점(10)을 패시베이션시키면서 다중자리 리간드도 다른 다중자리 리간드와 서로 결합하여 삼차원(three-dimensional) 네트워크를 형성함으로써 양자점(10)을 안정화할 수 있다.
또한 상기 올리고머 또는 폴리머는 2개 이상의 양자점을 패시베이션하는 데 사용될 수도 있다. 스페이서기에 의하여 양자점간에 일정 거리가 유지되므로 양자점의 응집현상은 발생하지 않으므로 분산성을 향상시킬 수 있다.
상기 양자점(10)은 적색, 녹색, 황색, 청색 등을 발광하는 양자점일 수 있다. 상기 상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 IV족 원소는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 IV족 화합물은 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
일 구현예에서, 상기 양자점(10)은 InP 양자점; InP 코어 및 ZnS, ZnSe 쉘을 포함하는 양자점 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기(functional group)와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 제조된다.
상기 제1 모노머는 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015053221991-pat00003
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기(예를 들어 치환 또는 비치환된 페닐렌기), 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 헤테로아릴렌기(예를 들어 이소시아누레이트기(isocyanurate group), 트리아진기(triazine group) 등), 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬렌기에서 선택되고,
L1 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 및 서로 인접하지 않는 적어도 하나의 메틸렌기(-CH2-)가 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기에서 선택되고,
R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
n은 0, 1 또는 2의 정수이고, n이 0인 경우 R1 내지 R4중 적어도 3개는 티올기이고, n이 1 또는 2인 경우 R1 내지 R7중 적어도 3개는 티올기이다.
상기 제1 모노머는 그 구조에 따라 티올기를 3 내지 10개 포함할 수 있다. 상기 제1 모노머의 구체적인 예로는 하기 화학식 1a의 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머캅토프로피오네이트)(dipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate), DHM), 하기 화학식 1b의 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토프로피오네이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate)), 하기 화학식 1c의 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토프로피오네이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate)), 하기 화학식 1d의 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토아세테이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptoacetate)), 하기 화학식 1e의 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토아세테이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptoacetate)), 하기 화학식 1f의 트리스[2-(3-머캅토프로피오닐옥시에틸)이소시아누레이트(tris[2-(3-mercaptopropionyloxyethyl]isocyanurate), 하기 화학식 1g의트리티오시아누릭 에시드(tricyanuric acid) 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
[화학식 1a] [화학식 1b]
Figure 112015053221991-pat00004
Figure 112015053221991-pat00005
[화학식 1c] [화학식 1d]
Figure 112015053221991-pat00006
Figure 112015053221991-pat00007
[화학식 1e] [화학식 1f]
Figure 112015053221991-pat00008
Figure 112015053221991-pat00009
[화학식 1g]
Figure 112015053221991-pat00010
상기 제2 모노머는 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015053221991-pat00011
상기 화학식 2에서,
L은 스페이서기이고,
R12은 수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
R11은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 서로 인접하지 않는 적어도 하나의 메틸렌기(-CH2-)가 에테르(-O-), 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 교체된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기 및 이들의 조합에서 선택되고,
Y1은 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 작용기, 티올기 및 이들의 조합에서 선택되고,
p는 2 이상의 정수이고, q는 0이상의 정수이며, p+q는 L의 결합가수를 초과지 않는다.
상기 스페이서기는 4개 이상, 예를 들어 6 또는 8개 이상의 탄소수를 가지는 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 2개 이상이 모노사이클릭 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기 또는 헤테로사이클로알킬렌기; 2개 이상의 방향족 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기; 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 작용기는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 아크릴로일옥시기(acryloyloxy group), 메타크릴로일옥시기(methacryloyloxy group), 고리 내에 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기 및 고리 내에 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기에서 선택될 수 있다.
상기 알케닐기 또는 알키닐기의 보다 구체적인 예로는 비닐기, 알릴기, 에티닐기(ethynyl group) 등이 있고, 고리 내에 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기 또는 고리 내에 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기의 구체적인 예로는, 노보넨(norbornene)기, 말레이미드기, 나드이미드(nadimide)기, 테트라하이드로프탈이미드기 및 이들의 조합에서 선택에서 선택될 수 있다.
상기 스페이서기로서 알킬렌기의 서로 인접하지 않는 메틸렌기는 에테르(-O-), 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 교체(replace)될 수 있다.
상기 스페이서기에 포함되는 링커는 단일결합 또는 C1 내지 C10의 치환 또는 비치환된 알킬렌기일 수 있다. 여기에서 상기 알킬렌기의 서로 인접하지 않는 메틸렌기는 에테르(-O-), 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 교체될 수 있다.
상기 제1 모노머는 그 구조에 따라 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 작용기, 티올기 및 이들의 조합에서 선택되는 작용기(Y1)를 3 내지 10개 포함할 수 있다. 상기 제2 모노머의 구체적인 예로는 트리시클로데칸 디메탄올 디(메타)아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate, A-DCP) 등과 같은 사이클로알칸디올 디(메타)아크릴레이트; 헥산디올 디(메타)아크릴레이트(hexanediol di(meth)acrylate), 1,8-옥탄디올 디(메타)아크릴레이트(1,8-octanediol di(meth)acrylate), 1,9-노난디올 디(메타)아크릴레이트(1,9-nonanediol di(meth)acrylate), 1,10-데칸디올 디(메타)아크릴레이트(1,10-decanediol di(meth)acrylate) 등의 알칸디올 디(메타)아크릴레이트; 2,2'-(에틸렌디옥시디에탄)디티올(2,2'-(ethylenedioxydiethane)dithiol); 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시 에톡시) 페닐플루오렌(9,9-bis[4-(2-acryloyloxy ethoxy) pheny]fluorene); 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시 프로폭시]페닐]프로판(2,2-bis[4-(acryloxy polypropoxy]phenyl]propane); 디프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트(dipropylene glycol di(meth)acrylate) 등의 알킬렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트;트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸) 이소시아누레이트(tris(2-acryloxyethyl) isocyanulate);트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트(trimethylol propane tri(meth)acrylate), 디트리메틸올 프로판 테트라(메타)아크릴레이트(ditrimethylol propane tetra(meth)acrylate); 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시]페닐]프로판(2,2-bis[4-((meth)acryloxy ethoxy]phenyl]propane); 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트(neopentyl glycol di(meth)acrylate) 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다.
상기 올리고머 또는 폴리머는 패시베이션된 양자점 100 중량부에 대하여 80내지100중량부의 양으로 존재할 수 있다. 상기 범위에서 양자점을 안정적으로 패시베이션할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션된 양자점; 매트릭스 폴리머의 모노머 및 용매를 포함하는 조성물을 제공한다.
상기 1 모노머, 제2 모노머 및 양자점은 상기한 바와 같다.
상기 매트릭스 폴리머의 모노머는 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 실리콘 수지 및 티올-엔 수지에서 선택되는 폴리머를 제공하는 모노머일 수 있다.
상기 용매는 톨루엔, 벤젠, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라하이드로퓨란, 트리옥틸아민, 크실렌, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 패시베이션된 양자점은 조성물 총량에 대하여 0.1 내지 20 중량%의 양으로 존재할 수 있다. 상기 범위에서 조성물이 도포에 적합한 점도를 가질 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 다중자리(multidentate) 올리고머를 포함하는 용액을 제조하고,
상기 용액에 양자점을 혼합한 후 상기 다중자리 올리고머의 티올기를 양자점의 표면에 부착시키는 단계를 포함하는, 패시베이션된 양자점의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 모노머와 제2 모노머의 반응은 촉매를 사용하여 진행할 수도 있다. 양자점이 존재하지 않은 상태에서 촉매를 사용하므로 양자점의 양자효율에는 영향을 미치지 않는다. 또한 상기 반응은 양자점 용액에 주로 사용되는 용매를 사용하므로 양자점의 양자효율을 감소시키기 않는다.
상기 다중자리 올리고머는 말단에 존재하는 작용기가 서로 반응하여 폴리머를 형성할 수 있다.
또한 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션된 양자점의 정제없이 바로 기재에 도포하기 위한 양자점 조성물에 사용될 수 있으므로 최종 생성물의 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 패시베이션된 양자점은 표면이 안정적으로 올리고머 또는 폴리머로 감싸져있어서(encapsulate) 공기중의 수분이나 산소에 노출되었을 때 열화되는 것을 방지할 수 있다. 이로써 높은 수준의 양자효율을 나타낼 수 있으며, 내산화성과 내화학성도 개선할 수 있다.
상기 조성물은 알려진 방법으로 기재에 도포되어 필름으로 제조될 수 있다. 상기 도포는 스크린인쇄, 임프린팅(imprinting), 스핀 코팅, 딥핑, 잉크젯팅, 롤코팅, 플로우 코팅(flow coating), 드롭 캐스팅, 스프레이 코팅, 롤 프린팅 등의 방법으로 실시할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양자점은 다양한 분야의 소자에 적용될 수 있으며, 예컨대 발광 다이오드(LED), 태양 전지, 바이오 센서(biosensor), 이미지센서(image sensor), 백라이드 유닛, 조명 등에 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 발명의 범위가 제한되어서는 안된다.
[ 실시예 ]
실시예 1
상기 화학식 1a의디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머캅토프로피오네이트) 1.6g (Mw = 785.05, 2.04 mmol, Sigma-Aldrich)과 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol diacrylate, A-DCP)(Sigma-Aldrich) 933 mg(Mw = 304, 3.26 mmol)을 톨루엔 12 mL에 교반하며 녹였다. 트리에틸아민(Et3N) 0.1 mL을 첨가한 후 상온에서 4시간 교반하여 올리고머 용액을 제조하였다.
J. Nanopart . Res . 2013, 1750에 소개된 합성법에 따라 InP 코어/ZnS 쉘의 적색 양자점을 합성하였고 용매로 클로로포름은 대정화금에서 구입하여 정제 없이 사용하였다. 적색 양자점 (ca. 16uM, 30 mL) 용액을 상기 올리고머 용액에 첨가한 후 3시간 상온(24℃)에서 교반하여 양자점 용액을 얻었다. 이 양자점 용액은 정제 없이 바로 양자점 조성물로 사용된다.
실시예 2
상기 화학식 1a의디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머캅토프로피오네이트)(Mw = 783.05, 986mg, 0.92 mmol)과 2,2'-(에틸렌디옥시디에탄)디티올 (Mw = 182.3, 1.55g, 6.44 mmol)을 250mL 삼각 플라스크에 첨가한다. 디메틸 설폭사이드(DMSO)20mL, 테트라하이드로퓨란(THF) 20 mL 및 탈이온수(DI water) 55mL를 삼각 플라스크에 첨가 후 반응물의 온도를 35 ℃로 유지한 채 24시간 강하게 교반하였다. 얻어진 현탁(suspension) 혼합액에 에틸 아세테이트(EtOAc) 150 mL을 이용하여 희석한 후 분별 깔대기(separatory funnel)로 옮긴 후 층 분리를 하였다. 물 층을 제거한 후 유기층을 탈이온수 200 mL을 이용하여 씻은 후 층 분리를 하였다. 이 과정을 5번 반복한 후 염수(brine) 100 mL로 한번 더 유기층을 씻은 후 층 분리한 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 진공필터하여 MgSO4을 제거한 후 유기층을 감압증류하여 농축하였다. 분리한 화학식 1a와 2,2'-(에틸렌디옥시디에탄)디티올의 반응물 매트릭스를 THF 10 mL에 녹여서 올리고머 용액을 얻은 후 100mL 둥근 바닥 플라스크로 옮겼다.
J. Nanopart . Res . 2013, 1750에 소개된 합성법에 따라 InP 코어/ZnS 쉘의적색 양자점을 합성하였고 용매로 클로로포름은 대정화금에서 구입하여 정제 없이 사용하였다. 적색 양자점 (ca. 16uM) 용액 10mL를 상기 둥근 바닥 플라스크에 첨가한 후 4시간 동안 상온(24℃)에서 강하게 교반하여 양자점 용액을 얻었다. 이 양자점 용액은 정제 없이 바로 양자점 조성물로 사용된다.
양자점의 패시베이션 확인
실시예 1에 따른 올리고머 용액을 용매를 제거한 후 얻은 매트릭스의 1H NMR을 도 2에 도시한다.
도 2는 실시예 1에 따른 올리고머 용액에서 용매를 제거한 후 얻은 매트릭스의 1H NMR 측정결과를 보인 도면이다. 도 2로부터 화학식 1a의 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머캅머캅토프로피오네이트)와 A-DCP(Sigma-Aldrich) 가 반응한 올리고머가 얻어짐을 알 수 있다.
상기 실시예 1과 실시예 2의 양자점 용액을 이용하여 각각 도포하여 용매를 제거한 후 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진을 각각 도 3과 도 4에 도시한다. 비교를 위하여 패시베이션되지 않은 적색 양자점 용액으로부터 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진도 도 5에 도시한다. 도 3과 도 4는 각각 실시예 1과 실시예 2의 양자점 용액을 각각 도포하여 용매를 제거한 후 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진이고, 도 5는 패시베이션되지 않은 적색 양자점 용액으로부터 얻어진 필름의 투과 전자 현미경 사진이다. 도 3과 도 4의 필름에는 양자점이 서로 일정 간격을 두고 균일하게 분포되나 도 5의 필름에는 양자점이 서로 응집되어 존재함을 확인할 수 있다.
패시베이션된 양자점의 열안정성
실시예 1 및 실시예 2에서 얻어진 양자점 용액 각각 500㎕와 클로로포름 3 mL를 혼합하여 희석하였다. 희석된 양자점 용액 2g에 A-DCP(Sigma-Aldrich) 20g을 혼합한 후 10분 동안 교반하여 양자점 조성물을 제조하였다. 용매를 증발시킨 후 얻어진 샘플의 120℃의 온도에서 공기 조건에서 시간에 따른 PL 강도를 측정하여 도 6에 도시한다. 샘플은 도 6에 도시된 시간 간격으로 얻었다. 도 6은 실시예 1 및 실시예 2에서 얻어진 패시베이션된 양자점 및 패시베이션되지 않은 양자점(비교예 1)의 시간에 따른 PL 강도를 도시한 도면이다. 도 6을 참고하면 실시예 1과 실시예 2에 따른 시간에 따른 양자점의 PL 강도의 편차가 적음에 비하여 비교예 1은 3시간 후에 급격히 PL 강도가 감소하였고 29시간 뒤에는 거의 PL 강도가 측정되지 않음을 알 수 있다. 이로부터 실시예 1과 실시예 2의 양자점이 패시베이션되지 않은 양자점(비교예)에 비하여 열안정성이 우수함을 알 수 있다.
패시베이션된 양자점의 광안정성
실시예 1 및 실시예 2에서 얻어진 양자점 용액 각각 500 ㎕와 A-DCP(Sigma-Aldrich) 20g을 혼합한 후 10분 동안 교반하여 양자점 조성물을 제조하였다. 평가시간 별로 샘플을 채취하고 UV 장비(14.7W Lamp, Wavelength 280 내지 360nm peaked at 306nm)에 투입한 후 PL을 측정하였다. 패시베이션되지 않은 양자점 용액(비교예 1)도 같은 방법으로 샘플을 얻고 PL을 측정하였다. 실시예 1과 비교예의 PL 강도 측정결과를 각각 도 7과 도 8에 도시하였다. 도 7과 도 8은 각각 실시예 1의 패시베이션된 양자점과 패시베이션되지 않은 양자점(비교예 1)의 UV 노출 환경에 시간에 따른 PL 강도 측정한 결과를 보인 도면이다. 도 7과 도 8을 보면 실시예 1의 양자점의 PL 강도는 시간에 따른 변화가 적으나 비교예의 양자점의 PL 강도는 1일 경과 후 PL 강도가 현격히 감소하였다. 이로부터 실시예 1의 양자점의 광안정성이 패시베이션되지 않은 양자점(비교예 1)에 비하여 우수함을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
1: 패시베이션된 양자점 10: 양자점
12: 킬레이팅 도메인 14: 스페이서기

Claims (17)

  1. 말단에 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기(functional group)와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 올리고머 또는 폴리머로 패시베이션(passivation)되고,
    상기 스페이서기는 4개 이상의 탄소수를 가지는 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 2개 이상이 모노사이클릭 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기 또는 헤테로사이클로알킬렌기; 2개 이상의 방향족 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 아릴렌기또는 헤테로아릴렌기; 및 이들의 조합에서 선택되는 것인, 양자점.
  2. 제1항에서,
    상기 올리고머 또는 폴리머는 말단에 티올기를 포함하는 다중자리(multidentate) 리간드인 양자점.
  3. 제1항에서,
    상기 올리고머 또는 폴리머는 양자점 표면에 삼차원(three-dimensional) 네트워크를 형성하는 양자점.
  4. 제1항에서,
    상기 양자점은 InP 양자점; InP 코어 및 ZnS, ZnSe 쉘을 포함하는 양자점; 및 이들의 조합에서 선택되는 양자점.
  5. 제1항에서,
    상기 제1 모노머는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물인, 양자점:
    [화학식 1]
    Figure 112015053221991-pat00012

    상기 화학식 1에서,
    X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬렌기에서 선택되고,
    L1 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기; 및 적어도 하나의 메틸렌(-CH2-)이 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기 또는 C2 내지 C30의 알케닐렌기에서 선택되고,
    R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
    n은 0, 1 또는 2의 정수이고, n이 0인 경우 R1 내지 R4중 적어도 3개는 티올기이고, n이 1 또는 2인 경우 R1 내지 R7중 적어도 3개는 티올기이다.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 모노머는 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-머캅토프로피오네이트)(di pentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate), DHM), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토프로피오네이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate)), 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토프로피오네이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate)), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토아세테이트)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptoacetate)), 트리메틸올프로판 트리스(3-머캅토아세테이트)(trimethylolpropane tris(3-mercaptoacetate)), 트리스[2-(3-머캅토프로피오닐옥시에틸)이소시아누레이트(tris[2-(3-mercaptopropionyloxyethyl]isocyanurate), 트리티오시아누릭 에시드(tricyanuric acid) 및 이들의 조합에서 선택되는 것인 양자점.
  7. 제1항에서,
    상기 제2 모노머는 하기 화학식 2로 표현되는 화합물인, 양자점:
    [화학식 2]
    Figure 112017073195995-pat00013

    상기 화학식 2에서,
    L은 스페이서기이고,
    R12은수소, 티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기 및 C2 내지 C30의 알키닐기에서 선택되고,
    R11은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 서로 인접하지 않는 적어도 하나의 메틸렌기(-CH2-)가 에테르(-O-), 설포닐(-S(=O)2-), 카르보닐(-C(=O)-), 설파이드(-S-), 설폭사이드(-S(=O)-), 에스테르(-C(=O)O-), 아마이드(-C(=O)NRa-)(여기서 Ra은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 이민(-NRb-)(여기서 Rb은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 교체된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    Y1은 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 작용기, 티올기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    p는 0 이상의 정수이고, q는 2이상의 정수이며, p+q는 L의 결합가수를 초과지 않는다.
  8. 삭제
  9. 제1항에서,
    상기 제2 모노머는 사이클로알칸디올 디(메타)아크릴레이트, 알칸디올 디(메타)아크릴레이트,2,2'-(에틸렌디옥시디에탄)디티올(2,2'-(ethylenedioxydiethane)dithiol), 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시 에톡시) 페닐플루오렌(9,9-bis[4-(2-acryloyloxy ethoxy) phenyl]fluorene), 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시 폴리프로폭시]페닐]프로판(2,2-bis[4-(acryloxy polypropoxy]phenyl]propane), 알킬렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸) 이소시아누레이트(tris(2-acryloxyethyl) isocyanulate), 트리 메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트(trimethylol propane tri(meth)acrylate), 디트리메틸올 프로판 테트라(메타)아크릴레이트(ditrimethylol propane tetra(meth)acrylate), 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시]페닐]프로판(2,2-bis[4-((meth)acryloxy ethoxy]phenyl]propane), 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트(neopentyl glycol di(meth)acrylate) 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인 양자점.
  10. 제1항에서,
    상기 올리고머 또는 폴리머는 패시베이션된 양자점 100 중량부에 대하여 80내지 100 중량부의 양으로 존재하는 양자점.
  11. 제1항 내지 제7항, 제9항 및 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 양자점;
    매트릭스 폴리머의 모노머; 및
    용매를 포함하는 조성물.
  12. 제11항에서,
    상기 매트릭스 폴리머의 모노머는 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 실리콘 수지 티올-엔 수지 및 이들의 조합에서 선택되는 폴리머를 제공하는 모노머인 조성물.
  13. 제11항에서,
    상기 용매는 톨루엔, 벤젠, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라하이드로퓨란, 트리옥틸아민, 크실렌, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드및 이들의 조합에서 선택되는 조성물.
  14. 제11항에서,
    상기 패시베이션된 양자점은 조성물 전체 중 0.1 내지 20 중량%의 양으로 존재하는 조성물.
  15. 3개 이상의 티올기(-SH)를 가지는 제1 모노머 및 말단에 상기 티올기와 반응할 수 있는 2개 이상의 작용기와 상기 2개 이상의 작용기 사이에 위치하는 스페이서기(spacer group)를 포함하는 제2 모노머를 반응시켜 형성된 다중자리(multidentate) 올리고머를 포함하는 용액을 제조하고,
    상기 스페이서기는 4개 이상의 탄소수를 가지는 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 2개 이상의 모노사이클릭 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기 또는 헤테로사이클로알킬렌기; 2개 이상의 방향족 링이 하나 이상의 링커에 의해 연결되거나 융합된 치환 또는 비치환된 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기; 및 이들의 조합에서 선택되고,
    상기 용액에 양자점을 혼합하여 상기 다중자리 올리고머의 티올기를 양자점의 표면에 부착시키는 단계를 포함하는
    패시베이션된 양자점의 제조방법.
  16. 제1항 내지 제7항, 제9항 및 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 양자점을 포함하는 필름.
  17. 제1항 내지 제7항, 제9항 및 제10항 중 어느 하나의 항에 따른 양자점을 포함하는 소자.
KR1020150078028A 2015-06-02 2015-06-02 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법 KR101829746B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150078028A KR101829746B1 (ko) 2015-06-02 2015-06-02 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법
US15/555,718 US10197820B2 (en) 2015-06-02 2015-12-04 Quantum dot, composition comprising same, and method of manufacturing quantum dot
JP2017560921A JP6731954B2 (ja) 2015-06-02 2015-12-04 量子ドット、これを含む組成物および量子ドットの製造方法
PCT/KR2015/013266 WO2016195188A1 (ko) 2015-06-02 2015-12-04 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법
CN201580079993.9A CN107636111B (zh) 2015-06-02 2015-12-04 量子点、含其的组成物及其的制法及半导体薄膜与装置
TW105107828A TWI619767B (zh) 2015-06-02 2016-03-15 量子點、含有量子點的組成物、半導體薄膜與半導體裝置及量子點的製備方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150078028A KR101829746B1 (ko) 2015-06-02 2015-06-02 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160142100A KR20160142100A (ko) 2016-12-12
KR101829746B1 true KR101829746B1 (ko) 2018-03-29

Family

ID=57440579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150078028A KR101829746B1 (ko) 2015-06-02 2015-06-02 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10197820B2 (ko)
JP (1) JP6731954B2 (ko)
KR (1) KR101829746B1 (ko)
CN (1) CN107636111B (ko)
TW (1) TWI619767B (ko)
WO (1) WO2016195188A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7043727B2 (ja) * 2017-01-31 2022-03-30 大日本印刷株式会社 光波長変換シートの劣化評価方法、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
US10508232B2 (en) * 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
KR101977282B1 (ko) 2017-05-12 2019-05-10 한국과학기술연구원 티올계 리간드를 포함하는 양자점 및 이의 제조방법
JP7011055B2 (ja) 2017-10-27 2022-01-26 サムスン エスディアイ カンパニー，リミテッド 量子ドット含有組成物、量子ドット製造方法およびカラーフィルタ
JP6959119B2 (ja) * 2017-12-04 2021-11-02 信越化学工業株式会社 量子ドット及びその製造方法、並びに樹脂組成物、波長変換材料、発光素子
KR102224055B1 (ko) * 2018-08-03 2021-03-05 삼성에스디아이 주식회사 양자점 함유 경화성 조성물, 상기 경화성 조성물을 이용한 컬러필터용 화소 제조방법 및 컬러필터
EP3605622B1 (en) 2018-08-03 2021-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing same and display device including same
KR102296792B1 (ko) 2019-02-01 2021-08-31 삼성에스디아이 주식회사 무용매형 경화성 조성물, 이를 이용하여 제조된 경화막, 상기 경화막을 포함하는 컬러필터, 디스플레이 장치 및 상기 경화막의 제조방법
KR102360987B1 (ko) 2019-04-24 2022-02-08 삼성에스디아이 주식회사 양자점 함유 경화성 조성물, 이를 이용한 수지막 및 디스플레이 장치
KR102071688B1 (ko) * 2019-06-07 2020-04-01 주식회사 신아티앤씨 티올기와, 하이드록시기 또는 카르복시기를 포함하는 양자점 리간드를 포함하는 양자점 입자, 상기 양자점 입자를 포함하는 양자점 입자 조성물, 및 상기 양자점 리간드의 제조방법
KR102504790B1 (ko) 2019-07-26 2023-02-27 삼성에스디아이 주식회사 양자점, 이를 포함하는 경화성 조성물, 상기 조성물을 이용하여 제조된 경화막, 상기 경화막을 포함하는 컬러필터, 디스플레이 장치
KR20210053396A (ko) * 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 양자점-함유 복합체, 이를 포함한 발광 소자, 광학 부재 및 장치
KR102207329B1 (ko) * 2020-01-06 2021-01-25 주식회사 신아티앤씨 티올기와, 하이드록시기 또는 카르복시기를 포함하는 양자점 리간드를 포함하는 양자점 입자, 상기 양자점 입자를 포함하는 양자점 입자 조성물, 및 상기 양자점 리간드의 제조방법
CN111286232B (zh) * 2020-04-10 2022-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点墨水、显示面板
KR20210128040A (ko) 2020-04-14 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 양자점, 복합체, 그리고 이를 포함하는 소자
KR102613011B1 (ko) * 2020-12-23 2023-12-13 주식회사 신아티앤씨 에스터기 및 폴리티올기를 포함하는 화합물로 형성된 리간드를 포함하는 나노 반도체 입자, 상기 나노 반도체 입자를 포함하는 자발광 감광성 수지 조성물 및 컬러필터, 상기 나노 반도체 입자를 포함하는 광변환 필름 및 디스플레이 장치용 백라이트 유닛, 및 상기 화합물의 제조방법
CN115141624B (zh) * 2022-06-24 2023-07-04 南京贝迪新材料科技股份有限公司 一种表面具有网状封装层的量子点及其制备方法
WO2024012962A1 (en) 2022-07-11 2024-01-18 Basf Se Uv-curable coatings having high refractive index

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100117110A1 (en) 2008-11-11 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive Quantum Dot, Composition Comprising the Same and Method of Forming Quantum Dot-Containing Pattern Using the Composition
US20110104052A1 (en) 2007-12-03 2011-05-05 The Johns Hopkins University Methods of synthesis and use of chemospheres
US20140238480A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 Vanderbilt University Nanostructured electrodes, methods of making electrodes, and methods of using electrodes

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008525626A (ja) 2004-12-29 2008-07-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多光子重合性プレセラミックポリマー組成物
KR101146667B1 (ko) 2005-11-07 2012-05-24 삼성에스디아이 주식회사 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의제조방법
US8216549B2 (en) 2008-07-25 2012-07-10 National Health Research Institutes Method for making a ligand-quantum dot conjugate
KR101699540B1 (ko) * 2009-07-08 2017-01-25 삼성전자주식회사 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법
KR101623349B1 (ko) 2010-01-11 2016-05-23 광 석 서 이온성 액체로 캡핑된 양자점 및 이의 제조방법
JP5801886B2 (ja) * 2010-07-01 2015-10-28 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 発光粒子−高分子複合体用の組成物、発光粒子−高分子複合体およびこれを含む素子
KR101110356B1 (ko) 2010-12-13 2012-02-15 한국세라믹기술원 양자점과 탄소나노튜브를 이용한 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법
KR101843183B1 (ko) 2011-06-14 2018-03-29 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101888427B1 (ko) 2011-10-27 2018-08-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 양자점 및 이의 제조 방법
KR101546937B1 (ko) * 2012-04-04 2015-08-25 삼성전자 주식회사 백라이트 유닛용 필름 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 액정 디스플레이 장치
KR101463602B1 (ko) 2012-07-03 2014-11-20 주식회사 엘엠에스 캡슐화된 양자점 및 이를 이용한 장치
KR102223504B1 (ko) 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법
US9778510B2 (en) * 2013-10-08 2017-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110104052A1 (en) 2007-12-03 2011-05-05 The Johns Hopkins University Methods of synthesis and use of chemospheres
US20100117110A1 (en) 2008-11-11 2010-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive Quantum Dot, Composition Comprising the Same and Method of Forming Quantum Dot-Containing Pattern Using the Composition
US20140238480A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 Vanderbilt University Nanostructured electrodes, methods of making electrodes, and methods of using electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
US20180059442A1 (en) 2018-03-01
CN107636111A (zh) 2018-01-26
TW201643221A (zh) 2016-12-16
JP2018526468A (ja) 2018-09-13
WO2016195188A1 (ko) 2016-12-08
JP6731954B2 (ja) 2020-07-29
TWI619767B (zh) 2018-04-01
KR20160142100A (ko) 2016-12-12
US10197820B2 (en) 2019-02-05
CN107636111B (zh) 2020-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101829746B1 (ko) 양자점, 이를 포함하는 조성물 및 양자점의 제조방법
KR102494728B1 (ko) 양자점 응집물 입자, 그 제조방법, 및 이를 포함한 조성물과 전자 소자
KR101644051B1 (ko) 광전자 소자 및 적층 구조
US10001671B2 (en) Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
EP2588448B1 (en) Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite
KR101702000B1 (ko) 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
KR101582543B1 (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 디스플레이 장치
KR101644050B1 (ko) 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자
US10053556B2 (en) Barrier coating compositions, composites prepared therefrom, and quantum dot polymer composite articles including the same
KR101421619B1 (ko) 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법
KR102540848B1 (ko) 조성물, 이로부터 제조된 복합체, 및 이를 포함한 전자 소자
KR102527764B1 (ko) 감광성 조성물, 이를 제조하기 위한 방법, 및 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 패턴
KR101771175B1 (ko) 광전자 소자 및 적층 구조
KR20130046881A (ko) 반도체 나노결정-고분자 미분 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전자 소자
KR101546938B1 (ko) 나노 결정 폴리머 복합체 및 그 제조 방법
KR102324378B1 (ko) 소수성 측쇄 리간드를 갖는 반도체 나노입자-고분자 나노복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전자 장치
KR20090024618A (ko) 나노결정-금속 산화물 복합체 및 그의 제조방법
KR101823546B1 (ko) 반도체 나노결정-고분자 조성물, 반도체 나노결정-고분자 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 필름과 광전자 소자
KR101835110B1 (ko) 복합체, 그 제조방법 및 상기 복합체를 포함하는 소자
KR101991695B1 (ko) 배리어 필름 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품
KR102237825B1 (ko) 음이온 교환 전구체
KR20170112054A (ko) 배리어 필름 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant