JP2002261328A - 散乱性光学媒体を用いた光変換材を有する発光ダイオード - Google Patents
散乱性光学媒体を用いた光変換材を有する発光ダイオードInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性
光学媒体を使用した光波長変換体を有する発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）を提供す
ること。 【解決手段】 本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）又は
レーザーダイオード（ＬＤ）は、発光部材として作動す
る結晶性半導体チップ１、エポキシ９ｄ中に封入された
微細な、ほぼ球形の誘電性粒子１０ｄ及び結晶性燐光体
粒子８ｄからなる誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような
散乱性光学媒体を含む光波長変換材６を有する。前記誘
電性粒子１０ｄは、３ｅＶより大きいバンドギャップを
有する粒子又は泡であっても良く、スペクトラムの青色
光を吸収しないものである。また、前記結晶性燐光体粒
子の含有量は誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の全体積の２
％〜２５％である。本発明により白色発光ダイオード
（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）を得ること
ができる。
光学媒体を使用した光波長変換体を有する発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）を提供す
ること。 【解決手段】 本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）又は
レーザーダイオード（ＬＤ）は、発光部材として作動す
る結晶性半導体チップ１、エポキシ９ｄ中に封入された
微細な、ほぼ球形の誘電性粒子１０ｄ及び結晶性燐光体
粒子８ｄからなる誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような
散乱性光学媒体を含む光波長変換材６を有する。前記誘
電性粒子１０ｄは、３ｅＶより大きいバンドギャップを
有する粒子又は泡であっても良く、スペクトラムの青色
光を吸収しないものである。また、前記結晶性燐光体粒
子の含有量は誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の全体積の２
％〜２５％である。本発明により白色発光ダイオード
（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）を得ること
ができる。
Description
【０００１】関連出願この出願は、米国特許出願、出願
番号：０９／７５１，４０５、出願日：２０００年１２
月２９日、発明の名称：誘電性燐光体粉末による光変換
材を有する発光ダイオード、の部分継続（ＣＩＰ）出願
であり、対応する該米国特許出願に基づく優先権主張を
行っており、この出願の内容は参照によって本発明に組
み込まれる。
番号：０９／７５１，４０５、出願日：２０００年１２
月２９日、発明の名称：誘電性燐光体粉末による光変換
材を有する発光ダイオード、の部分継続（ＣＩＰ）出願
であり、対応する該米国特許出願に基づく優先権主張を
行っており、この出願の内容は参照によって本発明に組
み込まれる。
【０００２】
【発明が属する技術分野】本発明は、一般に発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）に関し、さらに詳しくは、誘電性燐光体
粉末（ＤＰＰ）を使用した光波長変換体を有するＬＥＤ
の組み立て体に関する。
ード（ＬＥＤ）に関し、さらに詳しくは、誘電性燐光体
粉末（ＤＰＰ）を使用した光波長変換体を有するＬＥＤ
の組み立て体に関する。
【０００３】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）は固体発光体
のよく知られている形態である。ＬＥＤは表示器、ディ
スプレイ及び光源として広く用いられてきている。半導
体素子として、ＬＥＤは良好なバーンアウトレート、高
耐振動性、及び耐久性ある連続した繰り返しＯＮ及びＯ
ＦＦ操作という特徴を有している。
のよく知られている形態である。ＬＥＤは表示器、ディ
スプレイ及び光源として広く用いられてきている。半導
体素子として、ＬＥＤは良好なバーンアウトレート、高
耐振動性、及び耐久性ある連続した繰り返しＯＮ及びＯ
ＦＦ操作という特徴を有している。
【０００４】従来のＬＥＤは概して光スペクトラムの赤
色部で発光する。光波長変換、例えば赤色部から発され
る光の波長シフトを行うために、ＬＥＤは種々の不純物
を用いてドープされている。そのような不純物でＬＥＤ
をドープする従来の技術は、しかしながら、可視光スペ
クトラム全域にわたって都合よく効率的に発光させるこ
とができない。
色部で発光する。光波長変換、例えば赤色部から発され
る光の波長シフトを行うために、ＬＥＤは種々の不純物
を用いてドープされている。そのような不純物でＬＥＤ
をドープする従来の技術は、しかしながら、可視光スペ
クトラム全域にわたって都合よく効率的に発光させるこ
とができない。
【０００５】赤色光とは異なり、青色光は可視光スペク
トラムの短波長側端にある。スペクトラムの青色部分を
活用してＬＥＤから広い範囲の光を発するための従来技
術が開発されている。その比較的短波長の青色光は青色
ＬＥＤから発された光をシフトしてスペクトラムの他の
色の光を発するようにする。これは蛍光ないしは波長変
換を介してなされ、比較的短波長の光を吸収してより長
い波長の光を再発光するプロセスである。
トラムの短波長側端にある。スペクトラムの青色部分を
活用してＬＥＤから広い範囲の光を発するための従来技
術が開発されている。その比較的短波長の青色光は青色
ＬＥＤから発された光をシフトしてスペクトラムの他の
色の光を発するようにする。これは蛍光ないしは波長変
換を介してなされ、比較的短波長の光を吸収してより長
い波長の光を再発光するプロセスである。
【０００６】図１（ａ）は従来例の光波長変換を行うＬ
ＥＤを説明する図である。そのＬＥＤは半導体チップ
１、ワイヤ２及び３、リード４及び５、波長変換材６及
びエポキシ封止材７を含む。半導体チップ１は、ＬＥＤ
における発光部材として作動し、リード４及び５に電気
的に接続されているワイヤ２及び３を介して電流がチッ
プ１に供給されると一次光を発する。波長変換材６は、
所定の燐光体を含み、発光部材（すなわち、半導体チッ
プ１）を覆って樹脂中に封入されている。半導体チップ
１のｎ電極及びｐ電極は、それぞれ、ワイヤ手段２及び
３によって、リード４及び５に接続されている。
ＥＤを説明する図である。そのＬＥＤは半導体チップ
１、ワイヤ２及び３、リード４及び５、波長変換材６及
びエポキシ封止材７を含む。半導体チップ１は、ＬＥＤ
における発光部材として作動し、リード４及び５に電気
的に接続されているワイヤ２及び３を介して電流がチッ
プ１に供給されると一次光を発する。波長変換材６は、
所定の燐光体を含み、発光部材（すなわち、半導体チッ
プ１）を覆って樹脂中に封入されている。半導体チップ
１のｎ電極及びｐ電極は、それぞれ、ワイヤ手段２及び
３によって、リード４及び５に接続されている。
【０００７】光波長変換を行うための、ＬＥＤの活性要
素は半導体チップ１からの一次光を部分的に吸収して二
次光を発生する波長変換材６である。半導体チップ１か
ら発生された光（以下、「ＬＥＤ光」という。）の一部
は波長変換材６に含まれている燐光体を励起しＬＥＤ光
の波長とは異なる波長を有する蛍光を発生する。燐光体
より発される蛍光光及び（燐光体の励起に寄与しなかっ
た出力である）ＬＥＤ光は混合されて発光出力となる。
結果として、ＬＥＤは発光部材、すなわち半導体チップ
１によって発されるＬＥＤ光とは異なった波長を有する
光を出力する。
素は半導体チップ１からの一次光を部分的に吸収して二
次光を発生する波長変換材６である。半導体チップ１か
ら発生された光（以下、「ＬＥＤ光」という。）の一部
は波長変換材６に含まれている燐光体を励起しＬＥＤ光
の波長とは異なる波長を有する蛍光を発生する。燐光体
より発される蛍光光及び（燐光体の励起に寄与しなかっ
た出力である）ＬＥＤ光は混合されて発光出力となる。
結果として、ＬＥＤは発光部材、すなわち半導体チップ
１によって発されるＬＥＤ光とは異なった波長を有する
光を出力する。
【０００８】波長変換材６に含まれる燐光体は従来公知
の蛍光体物質、あるいは従来市販されているガーネット
蛍光体の微結晶とすることができる。紫外（ＵＶ）一次
光を発するために、波長変換材６は高濃度の燐光体粉末
を含む。図１（ｂ）は、図１（ａ）に関連して、高濃度
の燐光体粉末を用いる従来の波長変換材を有するＬＥＤ
を説明する図である。燐光体粉末はエポキシ９内に封入
され、発光部材（すなわち、半導体チップ１）の表面上
を薄く被覆する層として高濃度に堆積されている。青色
の一次光を発するために、波長変換材６は低濃度の燐光
体粉末を含む。図１（ｃ）は、図１（ａ）に関連して、
低濃度の燐光体粉末を用いる従来の光波長変換材を有す
るＬＥＤを説明する図である。燐光体粉末はエポキシ９
内に封入され、薄い濃度で、発光部材の表面上に、離れ
た球形又は平らな層の薄い被覆として、あるいは半導体
チップ１を封止するレンズとして、堆積される。
の蛍光体物質、あるいは従来市販されているガーネット
蛍光体の微結晶とすることができる。紫外（ＵＶ）一次
光を発するために、波長変換材６は高濃度の燐光体粉末
を含む。図１（ｂ）は、図１（ａ）に関連して、高濃度
の燐光体粉末を用いる従来の波長変換材を有するＬＥＤ
を説明する図である。燐光体粉末はエポキシ９内に封入
され、発光部材（すなわち、半導体チップ１）の表面上
を薄く被覆する層として高濃度に堆積されている。青色
の一次光を発するために、波長変換材６は低濃度の燐光
体粉末を含む。図１（ｃ）は、図１（ａ）に関連して、
低濃度の燐光体粉末を用いる従来の光波長変換材を有す
るＬＥＤを説明する図である。燐光体粉末はエポキシ９
内に封入され、薄い濃度で、発光部材の表面上に、離れ
た球形又は平らな層の薄い被覆として、あるいは半導体
チップ１を封止するレンズとして、堆積される。
【０００９】光の波長変換のために、（図１（ａ）、図
１（ｂ）及び図１（ｃ）に開示されているＬＥＤのよう
な）従来のＬＥＤは発光する色の均一性の制御に問題が
ある。半導体チップ１によって発生された一次光は部分
的にチップ１上に形成された電極によって遮られ、結果
として特定の発光パターンを生じて光が全ての方向又は
角度に均一に発されなくなる。しかしながら、波長変換
材６中に燐光体粉末を含有させると、均一な態様で光の
発光が可能となる。発光の均一性（あるいはその欠如）
における２つの相反する現象は発光角度あるいは発光方
向全体にわたり発光色の均一性を制御するのを実質的に
困難にする。
１（ｂ）及び図１（ｃ）に開示されているＬＥＤのよう
な）従来のＬＥＤは発光する色の均一性の制御に問題が
ある。半導体チップ１によって発生された一次光は部分
的にチップ１上に形成された電極によって遮られ、結果
として特定の発光パターンを生じて光が全ての方向又は
角度に均一に発されなくなる。しかしながら、波長変換
材６中に燐光体粉末を含有させると、均一な態様で光の
発光が可能となる。発光の均一性（あるいはその欠如）
における２つの相反する現象は発光角度あるいは発光方
向全体にわたり発光色の均一性を制御するのを実質的に
困難にする。
【００１０】それ故、一般に従来の光波長変換材を有す
る改良したＬＥＤ、さらには特に前述の従来技術の問題
点を解決したＬＥＤが要求されている。
る改良したＬＥＤ、さらには特に前述の従来技術の問題
点を解決したＬＥＤが要求されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光部材及
び該発光部材により発される光の一部を吸収して吸収し
た光の波長とは異なる波長の光を発する誘電性燐光体粉
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体からなる発光ダイ
オード（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）のよ
うな他の発光手段を提供する。ＬＥＤ中に誘電性粒子
（あるいは３ｅＶよりも大きいバンドギャップを有し、
スペクトラムの青色光を吸収しない粒子のどれでも）の
ような光散乱媒体又は分散媒体を採用するとＬＥＤによ
り発される光の均一性が実質的に改良される。
び該発光部材により発される光の一部を吸収して吸収し
た光の波長とは異なる波長の光を発する誘電性燐光体粉
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体からなる発光ダイ
オード（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）のよ
うな他の発光手段を提供する。ＬＥＤ中に誘電性粒子
（あるいは３ｅＶよりも大きいバンドギャップを有し、
スペクトラムの青色光を吸収しない粒子のどれでも）の
ような光散乱媒体又は分散媒体を採用するとＬＥＤによ
り発される光の均一性が実質的に改良される。
【００１２】本発明に従う好ましい態様では、ＬＥＤは
発光部材として作動する結晶性半導体チップを含む。誘
電性燐光体粉末は微細な、ほぼ球形の誘電性粒子及び燐
光体粒子の混合物からなる。球形誘電性微粒子はワイド
−バンド−ギャップ半導体又は透明な誘電体からなって
いてもよい。ＤＰＰは散乱性光学媒体を形成し、その屈
折率、散乱性及び光変換能は誘電性粒子の屈折率及び半
径によって制御される。ＬＥＤ中にＤＰＰを使用する
と、通常の光変換材としてＤＰＰを有しないＬＥＤと対
比すれば、ＬＥＤの発光部材（例えば、結晶性半導体チ
ップ）から効率的に光を抽出すること、効率的に光波長
変換すること、及び発光角度全体にわたり実質的に一定
の色分散性をあたえること、及びＤＰＰを有するＬＥＤ
によって発生される光の発生角度を広くすることを可能
とする。
発光部材として作動する結晶性半導体チップを含む。誘
電性燐光体粉末は微細な、ほぼ球形の誘電性粒子及び燐
光体粒子の混合物からなる。球形誘電性微粒子はワイド
−バンド−ギャップ半導体又は透明な誘電体からなって
いてもよい。ＤＰＰは散乱性光学媒体を形成し、その屈
折率、散乱性及び光変換能は誘電性粒子の屈折率及び半
径によって制御される。ＬＥＤ中にＤＰＰを使用する
と、通常の光変換材としてＤＰＰを有しないＬＥＤと対
比すれば、ＬＥＤの発光部材（例えば、結晶性半導体チ
ップ）から効率的に光を抽出すること、効率的に光波長
変換すること、及び発光角度全体にわたり実質的に一定
の色分散性をあたえること、及びＤＰＰを有するＬＥＤ
によって発生される光の発生角度を広くすることを可能
とする。
【００１３】前記ＤＰＰのような散乱性光学媒体はまた
燐光体粒子、及び誘電性粒子に代えて泡（又は気泡）を
含むことができる。該ＤＰＰの泡はスペクトラムの青色
光を吸収しない３ｅＶよりも大きいバンドギャップを有
している。その泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの泡で
あってもよい。その上、該ＤＰＰはまた泡、誘電性粒
子、及び燐光体粒子の混合物であってもよい。
燐光体粒子、及び誘電性粒子に代えて泡（又は気泡）を
含むことができる。該ＤＰＰの泡はスペクトラムの青色
光を吸収しない３ｅＶよりも大きいバンドギャップを有
している。その泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの泡で
あってもよい。その上、該ＤＰＰはまた泡、誘電性粒
子、及び燐光体粒子の混合物であってもよい。
【００１４】他の態様によれば、本発明は（結晶性半導
体チップのような）発光部材及び結晶性燐光体粒子及び
微細な、実質的に球形な誘電性粒子の混合物からなる誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を有
する発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
体チップのような）発光部材及び結晶性燐光体粒子及び
微細な、実質的に球形な誘電性粒子の混合物からなる誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を有
する発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
【００１５】さらに他の態様によれば、本発明は誘電性
燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止
された（ＡｌＩｎＧａＮ結晶性半導体チップのような）
発光部材からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供す
る。そのＤＰＰは微細な、微結晶ＡｌＮのほぼ球形の誘
電性粒子からなる。この特定の態様に従うＬＥＤはまた
白色ＬＥＤとなり得る。
燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止
された（ＡｌＩｎＧａＮ結晶性半導体チップのような）
発光部材からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供す
る。そのＤＰＰは微細な、微結晶ＡｌＮのほぼ球形の誘
電性粒子からなる。この特定の態様に従うＬＥＤはまた
白色ＬＥＤとなり得る。
【００１６】さらなる態様によれば、本発明は誘電性燐
光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止さ
れたＩｎＧａＮ半導体チップのような発光部材からなる
ＬＥＤを提供する。そのＤＰＰは一般に５０〜５０００
ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４の球形
に近い誘電性粒子、及び一般に１０００〜１００００ｎ
ｍの半径を有するガーネット蛍光体物質の混合物から作
成される。この特定の態様に従うＬＥＤもまた白色ＬＥ
Ｄとなり得る。
光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止さ
れたＩｎＧａＮ半導体チップのような発光部材からなる
ＬＥＤを提供する。そのＤＰＰは一般に５０〜５０００
ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４の球形
に近い誘電性粒子、及び一般に１０００〜１００００ｎ
ｍの半径を有するガーネット蛍光体物質の混合物から作
成される。この特定の態様に従うＬＥＤもまた白色ＬＥ
Ｄとなり得る。
【００１７】さらなる追加の態様によれば、本発明は誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に
封止されたＩｎＧａＮ半導体チップのような発光部材か
らなるＬＥＤを提供する。そのＤＰＰはほぼ球形の、一
般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモルファ
スＳｉＯ２の球形に近い誘電性粒子、及び一般に１００
０〜１００００ｎｍの半径を有するガーネット蛍光体物
質の混合物からなる。この特定の態様に従うＬＥＤもま
た白色ＬＥＤとなり得る。
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に
封止されたＩｎＧａＮ半導体チップのような発光部材か
らなるＬＥＤを提供する。そのＤＰＰはほぼ球形の、一
般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモルファ
スＳｉＯ２の球形に近い誘電性粒子、及び一般に１００
０〜１００００ｎｍの半径を有するガーネット蛍光体物
質の混合物からなる。この特定の態様に従うＬＥＤもま
た白色ＬＥＤとなり得る。
【００１８】さらに別の追加の態様によれば、本発明は
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中
に封止されたＡｌＩｎＧａＮ半導体チップのような発光
部材からなるＬＥＤを提供する。そのＤＰＰはほぼ球形
の、一般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモ
ルファスＧａＮの球形に近い誘電性粒子、及び一般に１
０００〜１００００ｎｍの半径を有するガーネット蛍光
体物質の混合物から作成される。この特定の態様に従う
ＬＥＤもまた白色ＬＥＤとなり得る。
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中
に封止されたＡｌＩｎＧａＮ半導体チップのような発光
部材からなるＬＥＤを提供する。そのＤＰＰはほぼ球形
の、一般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモ
ルファスＧａＮの球形に近い誘電性粒子、及び一般に１
０００〜１００００ｎｍの半径を有するガーネット蛍光
体物質の混合物から作成される。この特定の態様に従う
ＬＥＤもまた白色ＬＥＤとなり得る。
【００１９】本発明の好ましい態様に従うＬＥＤの典型
的な構成はエポキシ中に封止された結晶性半導体チッ
プ、該半導体チップに接続されたワイヤ、該ワイヤに接
続された金属リード、及び誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）
のような散乱性光学媒体で被覆されたエポキシ封止剤か
らなる。該ＤＰＰはエポキシ中に封入された球形に近い
誘電性粒子と結晶性燐光体粒子の混合物からなる。
的な構成はエポキシ中に封止された結晶性半導体チッ
プ、該半導体チップに接続されたワイヤ、該ワイヤに接
続された金属リード、及び誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）
のような散乱性光学媒体で被覆されたエポキシ封止剤か
らなる。該ＤＰＰはエポキシ中に封入された球形に近い
誘電性粒子と結晶性燐光体粒子の混合物からなる。
【００２０】本発明の前述した及び他の利点及び態様
は、添付の図面を参照して以下に示した本発明の好まし
い態様の詳細な説明からより明らかになるであろう。な
お、図面において、図１（ａ）は従来技術の光波長変換
材を有するＬＥＤを説明する図、図１（ｂ）は、図１
（ａ）に関連した、高濃度の燐光体粉末を使用する従来
例の光波長変換材を用いたＬＥＤを説明する図、図１
（ｃ）は、図１（ａ）に関連した、希薄な燐光体粉末を
使用する従来例の光波長変換材を使用するＬＥＤを説明
する図、図１（ｄ）は本発明による誘電性燐光体粉末
（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を用いた光波長変換
材を説明する図、図２（ａ）及び図２（ｂ）は本発明に
よる誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒
体を使用する光波長変換材を用いたＬＥＤの他の態様を
説明する図、及び、図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明
による誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学
媒体を使用する光波長変換材を用いたＬＥＤまたはレー
ザーダイオード（ＬＤ）のような他の発光手段のさらに
他の態様を説明する図である。
は、添付の図面を参照して以下に示した本発明の好まし
い態様の詳細な説明からより明らかになるであろう。な
お、図面において、図１（ａ）は従来技術の光波長変換
材を有するＬＥＤを説明する図、図１（ｂ）は、図１
（ａ）に関連した、高濃度の燐光体粉末を使用する従来
例の光波長変換材を用いたＬＥＤを説明する図、図１
（ｃ）は、図１（ａ）に関連した、希薄な燐光体粉末を
使用する従来例の光波長変換材を使用するＬＥＤを説明
する図、図１（ｄ）は本発明による誘電性燐光体粉末
（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を用いた光波長変換
材を説明する図、図２（ａ）及び図２（ｂ）は本発明に
よる誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒
体を使用する光波長変換材を用いたＬＥＤの他の態様を
説明する図、及び、図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明
による誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学
媒体を使用する光波長変換材を用いたＬＥＤまたはレー
ザーダイオード（ＬＤ）のような他の発光手段のさらに
他の態様を説明する図である。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１（ｄ）は、本発明による誘電
性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用
する光波長変換材を、図１（ａ）に示したＬＥＤに適用
したものとして、説明する図である。図１（ａ）におけ
る波長変換部材６は誘電性燐光体粉末又はＤＰＰに置換
されている。本発明によるＤＰＰはエポキシ９ｄ中に封
入された微細な、ほぼ球形の誘電性粒子及び結晶性燐光
体粒子の混合物からなる。誘電性粒子（又はバンドギャ
ップが３ｅＶよりも大きい粒子のどれでも）のような光
散乱媒体又は分散媒体の採用はＬＥＤにより発される光
の均一性を実質的に改良する。エポキシ９ｄ中に封入さ
れる結晶性燐光体粒子の重量濃度又は体積濃度はエポキ
シ層の厚さ及び燐光体粉末の大きさ及び分布状態に依存
する。燐光体粒子の濃度は一般に誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）の全体積の２％〜２５％である。本発明により使
用し得る燐光体粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ又はＮｄベースの
燐光体を含む。
性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用
する光波長変換材を、図１（ａ）に示したＬＥＤに適用
したものとして、説明する図である。図１（ａ）におけ
る波長変換部材６は誘電性燐光体粉末又はＤＰＰに置換
されている。本発明によるＤＰＰはエポキシ９ｄ中に封
入された微細な、ほぼ球形の誘電性粒子及び結晶性燐光
体粒子の混合物からなる。誘電性粒子（又はバンドギャ
ップが３ｅＶよりも大きい粒子のどれでも）のような光
散乱媒体又は分散媒体の採用はＬＥＤにより発される光
の均一性を実質的に改良する。エポキシ９ｄ中に封入さ
れる結晶性燐光体粒子の重量濃度又は体積濃度はエポキ
シ層の厚さ及び燐光体粉末の大きさ及び分布状態に依存
する。燐光体粒子の濃度は一般に誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）の全体積の２％〜２５％である。本発明により使
用し得る燐光体粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ又はＮｄベースの
燐光体を含む。
【００２２】誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）は微細な、ほ
ぼ球形の誘電性粒子及び燐光体粒子の混合物からなる。
該球状誘電性微粒子はワイド−バンド−ギャップ半導体
又は透明誘電体から作成し得る。そのＤＰＰは散乱性光
学媒体を形成し、その反射係数、散乱性及び光変換性は
誘電性粒子の反射係数及び半径によって制御される。Ｌ
ＥＤ中にＤＰＰを使用すると、通常の光変換材としてＤ
ＰＰを有しないＬＥＤと対比すると、ＬＥＤの発光部材
（すなわち、結晶性半導体チップ）から効率的に光を抽
出すること、効率的に波長変換すること、及び発光角度
全体にわたり実質的に一定な色分散性を与えること、及
びＤＰＰを有するＬＥＤによって発生される光の発生角
度を広くすることを可能とする。
ぼ球形の誘電性粒子及び燐光体粒子の混合物からなる。
該球状誘電性微粒子はワイド−バンド−ギャップ半導体
又は透明誘電体から作成し得る。そのＤＰＰは散乱性光
学媒体を形成し、その反射係数、散乱性及び光変換性は
誘電性粒子の反射係数及び半径によって制御される。Ｌ
ＥＤ中にＤＰＰを使用すると、通常の光変換材としてＤ
ＰＰを有しないＬＥＤと対比すると、ＬＥＤの発光部材
（すなわち、結晶性半導体チップ）から効率的に光を抽
出すること、効率的に波長変換すること、及び発光角度
全体にわたり実質的に一定な色分散性を与えること、及
びＤＰＰを有するＬＥＤによって発生される光の発生角
度を広くすることを可能とする。
【００２３】ＤＰＰのような散乱性光学媒体はまた燐光
体粒子、及び誘電性粒子に代えて泡（又は気泡）を含む
ことができる。泡はその表面張力のために自然に球形と
なり、本発明によれば光波長変換のための光散乱媒体と
して作用する。その泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの
泡であってもよい。その泡はエポキシ９ｄのモールドの
間にその泡に対応したガスを導入することによって配置
される。さらにまた、該ＤＰＰは泡、誘電性粒子、及び
燐光体粉末の混合物であってもよい。
体粒子、及び誘電性粒子に代えて泡（又は気泡）を含む
ことができる。泡はその表面張力のために自然に球形と
なり、本発明によれば光波長変換のための光散乱媒体と
して作用する。その泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの
泡であってもよい。その泡はエポキシ９ｄのモールドの
間にその泡に対応したガスを導入することによって配置
される。さらにまた、該ＤＰＰは泡、誘電性粒子、及び
燐光体粉末の混合物であってもよい。
【００２４】本発明の特定の態様によるＬＥＤの構造
は、結晶性半導体チップ、エポキシ９ｄ中に封入されて
いる結晶性燐光体粒子を有する微少な、ほぼ球形の誘電
性燐光体粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末（ＤＰ
Ｐ）のような散乱性光学媒体、該半導体チップ接続され
たワイヤ、該半導体チップに電流を流すための前記ワイ
ヤに接続された金属リード、及び誘電性燐光体粉末又は
ＤＰＰによって被覆されたエポキシ封止材からなる。
は、結晶性半導体チップ、エポキシ９ｄ中に封入されて
いる結晶性燐光体粒子を有する微少な、ほぼ球形の誘電
性燐光体粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末（ＤＰ
Ｐ）のような散乱性光学媒体、該半導体チップ接続され
たワイヤ、該半導体チップに電流を流すための前記ワイ
ヤに接続された金属リード、及び誘電性燐光体粉末又は
ＤＰＰによって被覆されたエポキシ封止材からなる。
【００２５】本発明による他の態様においては、前記Ｄ
ＰＰのような散乱性光学媒体は微細な、微結晶ＡｌＮの
ほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる。さらに他の態
様によれば、前記ＤＰＰは一般に５０〜５０００ｎｍの
間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形な
誘電性粒子、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間
の半径を有するガーネット蛍光体物質の微結晶の混合物
からなる。さらなる態様によれば、前記ＤＰＰはエポキ
シ９ｄに封入された一般に５０〜５０００ｎｍの間の半
径を有するアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性粒
子１０ｄ、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の
半径を有するガーネット蛍光体物質８ｄの微結晶の混合
物からなる。さらなる態様によれば、前記ＤＰＰはエポ
キシ９ｄに封入された一般に５０〜５０００ｎｍの間の
半径を有するアモルファスＧａＮのほぼ球形の誘電性粒
子１０ｄ、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の
半径を有するガーネット蛍光体物質８ｄの微結晶の混合
物からなる。
ＰＰのような散乱性光学媒体は微細な、微結晶ＡｌＮの
ほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる。さらに他の態
様によれば、前記ＤＰＰは一般に５０〜５０００ｎｍの
間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形な
誘電性粒子、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間
の半径を有するガーネット蛍光体物質の微結晶の混合物
からなる。さらなる態様によれば、前記ＤＰＰはエポキ
シ９ｄに封入された一般に５０〜５０００ｎｍの間の半
径を有するアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性粒
子１０ｄ、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の
半径を有するガーネット蛍光体物質８ｄの微結晶の混合
物からなる。さらなる態様によれば、前記ＤＰＰはエポ
キシ９ｄに封入された一般に５０〜５０００ｎｍの間の
半径を有するアモルファスＧａＮのほぼ球形の誘電性粒
子１０ｄ、及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の
半径を有するガーネット蛍光体物質８ｄの微結晶の混合
物からなる。
【００２６】図２（ａ）及び図２（ｂ）は本発明による
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）を使用する光波長変換体を
有するＬＥＤの他の態様を説明する図である。本発明は
発光部材及び該発光部材により発された光の一部を吸収
して吸収した光の波長とは異なる波長の光を発する誘電
性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体からな
るＬＥＤを提供する。本発明による好ましい態様による
と、ＬＥＤは発光部材として作動する結晶性半導体チッ
プ（ＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０）を含んでい
る。前記ＤＰＰはエポキシ７０内に封入された結晶性燐
光体粒子を有するほぼ球形の誘電性粒子の混合物からな
る。エポキシ封止材９０中に封入される結晶性燐光体粒
子の重量濃度又は体積濃度はエポキシ層の厚さ及び該燐
光体粒子の大きさ及び分散状態に依存する。燐光体粒子
の濃度は体積で２％〜２５％であってもよい。本発明に
よって用いることができる燐光体粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ
又はＮｄベースの燐光体を含む。特に、前記ＤＰＰ波長
変換材６０はエポキシ９０中に封入された一般に５０〜
１０００ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ
４のほぼ球形な誘電性粒子１１０及び一般に１０００〜
１００００ｎｍの間の半径を有するガーネット蛍光体物
質の微結晶１２０の混合物からなる。半導体チップ１０
は、ＬＥＤにおける発光部材として作動し、電流が金属
リード４０及び５０に電気的に接続されているワイヤ２
０及び３０を介してチップ１０に供給されるときに一次
光を発する。前記波長変換材６０は、ＤＰＰを含んでお
り、発光部材（すなわち、半導体チップ１０）を覆って
おり、また樹脂でモールドされている。半導体チップ１
０のｎ電極及びｐ電極はワイヤ２０及び３０の手段によ
り、それぞれ、金属リード４０及び５０に電気的に接続
されている。
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）を使用する光波長変換体を
有するＬＥＤの他の態様を説明する図である。本発明は
発光部材及び該発光部材により発された光の一部を吸収
して吸収した光の波長とは異なる波長の光を発する誘電
性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体からな
るＬＥＤを提供する。本発明による好ましい態様による
と、ＬＥＤは発光部材として作動する結晶性半導体チッ
プ（ＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０）を含んでい
る。前記ＤＰＰはエポキシ７０内に封入された結晶性燐
光体粒子を有するほぼ球形の誘電性粒子の混合物からな
る。エポキシ封止材９０中に封入される結晶性燐光体粒
子の重量濃度又は体積濃度はエポキシ層の厚さ及び該燐
光体粒子の大きさ及び分散状態に依存する。燐光体粒子
の濃度は体積で２％〜２５％であってもよい。本発明に
よって用いることができる燐光体粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ
又はＮｄベースの燐光体を含む。特に、前記ＤＰＰ波長
変換材６０はエポキシ９０中に封入された一般に５０〜
１０００ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ
４のほぼ球形な誘電性粒子１１０及び一般に１０００〜
１００００ｎｍの間の半径を有するガーネット蛍光体物
質の微結晶１２０の混合物からなる。半導体チップ１０
は、ＬＥＤにおける発光部材として作動し、電流が金属
リード４０及び５０に電気的に接続されているワイヤ２
０及び３０を介してチップ１０に供給されるときに一次
光を発する。前記波長変換材６０は、ＤＰＰを含んでお
り、発光部材（すなわち、半導体チップ１０）を覆って
おり、また樹脂でモールドされている。半導体チップ１
０のｎ電極及びｐ電極はワイヤ２０及び３０の手段によ
り、それぞれ、金属リード４０及び５０に電気的に接続
されている。
【００２７】前記ＤＰＰのような散乱性光学媒体はまた
誘電体粒子に代えて燐光体粒子、及び泡（又は気泡）を
含むことができる。該ＤＰＰの泡は３ｅＶよりも大きい
バンドギャップを有している。泡はその表面張力のため
に自然に球形になり、本発明によれば光波長変換材の光
散乱媒体として機能する。その泡は空気の泡、Ｎ２の
泡、希ガスの泡であってもよい。その泡はエポキシ９０
のモールドの間にその泡に対応したガスを導入すること
によってエポキシ９０上に配置される。さらには、前記
ＤＰＰはまた泡、誘電性粒子、及び燐光体粒子の混合物
であってもよい。
誘電体粒子に代えて燐光体粒子、及び泡（又は気泡）を
含むことができる。該ＤＰＰの泡は３ｅＶよりも大きい
バンドギャップを有している。泡はその表面張力のため
に自然に球形になり、本発明によれば光波長変換材の光
散乱媒体として機能する。その泡は空気の泡、Ｎ２の
泡、希ガスの泡であってもよい。その泡はエポキシ９０
のモールドの間にその泡に対応したガスを導入すること
によってエポキシ９０上に配置される。さらには、前記
ＤＰＰはまた泡、誘電性粒子、及び燐光体粒子の混合物
であってもよい。
【００２８】本発明のこの特定の態様によるＬＥＤの構
造は、エポキシ９０内に封入された結晶性燐光体粒子を
有する微細な、ほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中
に封止された結晶性半導体チップ１０、該半導体チップ
に接続されたワイヤ２０及び３０、該半導体チップに電
流を供給するためのワイヤに接続された金属リード４０
及び５０、及びＤＰＰのような散乱性光学媒体で被覆さ
れたエポキシ封止材９０を含む。
造は、エポキシ９０内に封入された結晶性燐光体粒子を
有する微細な、ほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる
誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中
に封止された結晶性半導体チップ１０、該半導体チップ
に接続されたワイヤ２０及び３０、該半導体チップに電
流を供給するためのワイヤに接続された金属リード４０
及び５０、及びＤＰＰのような散乱性光学媒体で被覆さ
れたエポキシ封止材９０を含む。
【００２９】ＬＥＤで使用される発光部材はＤＰＰ内の
ガーネット蛍光体物質を効率的に励起し得る窒化ガリウ
ム化合物半導体である。該ＬＥＤの発光部材は半導体プ
ロセスにおいて基板上にＩｎＧａＮの発光層を形成する
ことにより作成される。発光部材の構造はホモ構造、ヘ
テロ構造又は二重ヘテロ構造であってもよい。
ガーネット蛍光体物質を効率的に励起し得る窒化ガリウ
ム化合物半導体である。該ＬＥＤの発光部材は半導体プ
ロセスにおいて基板上にＩｎＧａＮの発光層を形成する
ことにより作成される。発光部材の構造はホモ構造、ヘ
テロ構造又は二重ヘテロ構造であってもよい。
【００３０】本発明によるこの特定の態様では、結晶性
半導体チップ１０に電流が供給されると、波長λｐが４
００〜５００ｎｍ範囲である一次青緑色光を発生する。
ＤＰＰ波長変換材６０は青緑色の一次光を吸収して波長
λｓが５５０〜６６０ｎｍの範囲である二次黄橙色光を
発生する。該ＤＰＰを有するＬＥＤの結果として出てく
る光は波長λｐの青緑色光及び波長λｓの黄橙色光の和
であり、人間の目には白色に見える。
半導体チップ１０に電流が供給されると、波長λｐが４
００〜５００ｎｍ範囲である一次青緑色光を発生する。
ＤＰＰ波長変換材６０は青緑色の一次光を吸収して波長
λｓが５５０〜６６０ｎｍの範囲である二次黄橙色光を
発生する。該ＤＰＰを有するＬＥＤの結果として出てく
る光は波長λｐの青緑色光及び波長λｓの黄橙色光の和
であり、人間の目には白色に見える。
【００３１】得られた白色光の色の品質は青緑色の一次
光及び黄橙色の二次光の強度比の発光角度全体にわたる
分布状態によって決定され、またＤＰＰ波長変換材６０
によって制御される。ＤＰＰ波長変換材６０はエポキシ
９０中に封入された半径ＲｓがＲｓ＝５０〜１０００ｎ
ｍの範囲のアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形の誘電性
粒子１１０及び半径ＲｍがＲｍ＝１０００〜１００００
ｎｍの範囲のガーネット蛍光体物質の微結晶１２０から
なる。アモルファスＳｉ３Ｎ４の球形誘電性粒子の光散
乱性は上記半径Ｒｓに強く依存し、ここでＲｓ＝λｐ／
２λｎｅであり、またｎｅはエポキシ封止材７０の屈折
率であってｎｅ＝１．３〜１．５である。このことは一
次青緑色光及び二次黄橙色光の強度比の角度分布の制
御、及びアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形の誘電性粒
子の半径Ｒｓを制御することによりＬＥＤによって発さ
れる白色光の品質の制御を可能とする。
光及び黄橙色の二次光の強度比の発光角度全体にわたる
分布状態によって決定され、またＤＰＰ波長変換材６０
によって制御される。ＤＰＰ波長変換材６０はエポキシ
９０中に封入された半径ＲｓがＲｓ＝５０〜１０００ｎ
ｍの範囲のアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形の誘電性
粒子１１０及び半径ＲｍがＲｍ＝１０００〜１００００
ｎｍの範囲のガーネット蛍光体物質の微結晶１２０から
なる。アモルファスＳｉ３Ｎ４の球形誘電性粒子の光散
乱性は上記半径Ｒｓに強く依存し、ここでＲｓ＝λｐ／
２λｎｅであり、またｎｅはエポキシ封止材７０の屈折
率であってｎｅ＝１．３〜１．５である。このことは一
次青緑色光及び二次黄橙色光の強度比の角度分布の制
御、及びアモルファスＳｉ３Ｎ４のほぼ球形の誘電性粒
子の半径Ｒｓを制御することによりＬＥＤによって発さ
れる白色光の品質の制御を可能とする。
【００３２】Ｓｉ３Ｎ４球形誘電性粒子の屈折率ｎｓ＝
２．０５はＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０（ここで
ｎｃ＝２．３〜２．８）及びエポキシ封止剤７０（ここ
でｎ ｅ＝１．３〜１．５）の平方根の値と近いので、本
発明によってＬＥＤ中にＤＰＰを使用すると半導体チッ
プ１０から一次光の抽出性が極めて改良される。
２．０５はＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０（ここで
ｎｃ＝２．３〜２．８）及びエポキシ封止剤７０（ここ
でｎ ｅ＝１．３〜１．５）の平方根の値と近いので、本
発明によってＬＥＤ中にＤＰＰを使用すると半導体チッ
プ１０から一次光の抽出性が極めて改良される。
【００３３】他の態様によれば、本発明は誘電性燐光体
粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止された
（ＡｌＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０のような）発
光部材からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
該ＤＰＰ波長変換材６０のような散乱性光学媒体はエポ
キシ９０内に封入された微結晶ＡｌＮの微細な、ほぼ球
形に近い誘電性粒子の混合物からなる。さらなる他の態
様によれば、本発明は誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）中に
封止されたＡｌＩｎＧａＮ半導体チップ１０のような発
光部材からなるＬＥＤを提供する。該ＤＰＰ波長変換材
６０はエポキシ９０内に封入された一般に５０〜５００
０ｎｍの間の半径を有するアモルファスＧａＮ、及び一
般に１０００〜１００００ｎｍの間の半径を有するガー
ネット蛍光体物質の微結晶の混合物からなる。
粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体中に封止された
（ＡｌＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ１０のような）発
光部材からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。
該ＤＰＰ波長変換材６０のような散乱性光学媒体はエポ
キシ９０内に封入された微結晶ＡｌＮの微細な、ほぼ球
形に近い誘電性粒子の混合物からなる。さらなる他の態
様によれば、本発明は誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）中に
封止されたＡｌＩｎＧａＮ半導体チップ１０のような発
光部材からなるＬＥＤを提供する。該ＤＰＰ波長変換材
６０はエポキシ９０内に封入された一般に５０〜５００
０ｎｍの間の半径を有するアモルファスＧａＮ、及び一
般に１０００〜１００００ｎｍの間の半径を有するガー
ネット蛍光体物質の微結晶の混合物からなる。
【００３４】図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明による
散乱性光学媒体を使用する光波長変換材を有するＬＥＤ
又はレーザーダイオード（ＬＤ）のような他の発光手段
のさらなる態様を説明する図である。本発明は発光部材
及び該発光部材によって発された光の一部を吸収して吸
収した光の波長とは異なる波長の光を発する透明封止材
及び泡又は誘電性燐光体物質（ＤＰＰ）のような散乱性
光学媒体からなるＬＥＤ又はＬＤのような他の発光手段
を提供する。該散乱性光学媒体はドーム状レンズ、エポ
キシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラスチッ
ク、及びポリカーボネートのシート状プラスチックから
なる群から選択されるＬＥＤ３７の透明な封止材に直接
添加される。
散乱性光学媒体を使用する光波長変換材を有するＬＥＤ
又はレーザーダイオード（ＬＤ）のような他の発光手段
のさらなる態様を説明する図である。本発明は発光部材
及び該発光部材によって発された光の一部を吸収して吸
収した光の波長とは異なる波長の光を発する透明封止材
及び泡又は誘電性燐光体物質（ＤＰＰ）のような散乱性
光学媒体からなるＬＥＤ又はＬＤのような他の発光手段
を提供する。該散乱性光学媒体はドーム状レンズ、エポ
キシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラスチッ
ク、及びポリカーボネートのシート状プラスチックから
なる群から選択されるＬＥＤ３７の透明な封止材に直接
添加される。
【００３５】本発明による他の好ましい態様において
は、ＬＥＤは発光部材として作動する結晶性半導体チッ
プ（ＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ３１）を含む。ＤＰ
Ｐはエポキシ３７中に封入された結晶性燐光体粒子を有
するほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる。エポキシ
３９内に封入された結晶質燐光体粒子の重量濃度又は体
積濃度はエポキシ層の厚さ及び燐光体粒子の大きさ及び
分布状態に依存する。該燐光体粒子の濃度は体積で２％
〜２５％であってもよい。本発明により用い得る燐光体
粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ、又はＮｄベースの燐光体を含
む。特に、ＤＰＰ波長変換部材３６はエポキシ３９内に
封入された一般に５０〜１０００ｎｍの間の半径を有す
るアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性粒子３１１
及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の半径を有す
るガーネット蛍光体物質の微結晶３１２の混合物からな
る。半導体チップ３１はＬＥＤ内で発光部材として作動
し、金属リード３４及び３５に電気的に接続されている
ワイヤ３２及び３３を介して電流が供給されたときに一
次光を発生する。波長変換材３６は、ＤＰＰを含有して
おり、発光部材（すなわち、半導体チップ３１）を覆っ
ておりまた樹脂でモールドされている。半導体チップ３
１のｎ電極及びｐ電極は、それぞれ、ワイヤ３２及び３
３手段により、金属リード３４及び３５に電気的に接続
されている。
は、ＬＥＤは発光部材として作動する結晶性半導体チッ
プ（ＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ３１）を含む。ＤＰ
Ｐはエポキシ３７中に封入された結晶性燐光体粒子を有
するほぼ球形の誘電性粒子の混合物からなる。エポキシ
３９内に封入された結晶質燐光体粒子の重量濃度又は体
積濃度はエポキシ層の厚さ及び燐光体粒子の大きさ及び
分布状態に依存する。該燐光体粒子の濃度は体積で２％
〜２５％であってもよい。本発明により用い得る燐光体
粒子はＧｄ、Ｙ、Ｃｅ、又はＮｄベースの燐光体を含
む。特に、ＤＰＰ波長変換部材３６はエポキシ３９内に
封入された一般に５０〜１０００ｎｍの間の半径を有す
るアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性粒子３１１
及び一般に１０００〜１００００ｎｍの間の半径を有す
るガーネット蛍光体物質の微結晶３１２の混合物からな
る。半導体チップ３１はＬＥＤ内で発光部材として作動
し、金属リード３４及び３５に電気的に接続されている
ワイヤ３２及び３３を介して電流が供給されたときに一
次光を発生する。波長変換材３６は、ＤＰＰを含有して
おり、発光部材（すなわち、半導体チップ３１）を覆っ
ておりまた樹脂でモールドされている。半導体チップ３
１のｎ電極及びｐ電極は、それぞれ、ワイヤ３２及び３
３手段により、金属リード３４及び３５に電気的に接続
されている。
【００３６】ＤＰＰのような散乱性光学媒体はまた燐光
体粒子、及び誘電性粒子の代わりに泡（気泡）を含むこ
とができる。該ＤＰＰの泡は３ｅＶより大きいバンドギ
ャップを有している。泡はその表面張力によって自然に
球形になり、本発明によれば波長変換のための光散乱媒
体として働く。該泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの泡
であってもよい。該泡はエポキシ３９のモールドの間に
泡に対応するガスを導入することによってエポキシ３９
に分散される。さらには、該ＤＰＰはまた泡、誘電性粒
子、及び燐光体粒子の混合物であってもよい。
体粒子、及び誘電性粒子の代わりに泡（気泡）を含むこ
とができる。該ＤＰＰの泡は３ｅＶより大きいバンドギ
ャップを有している。泡はその表面張力によって自然に
球形になり、本発明によれば波長変換のための光散乱媒
体として働く。該泡は空気の泡、Ｎ２の泡、希ガスの泡
であってもよい。該泡はエポキシ３９のモールドの間に
泡に対応するガスを導入することによってエポキシ３９
に分散される。さらには、該ＤＰＰはまた泡、誘電性粒
子、及び燐光体粒子の混合物であってもよい。
【００３７】この本発明による特定の態様によるＬＥＤ
の構造はエポキシ３７中に封止された結晶性半導体チッ
プ３１、該半導体チップに接続されたワイヤ３２及び３
３、該半導体チップ３１に電流を流すためのワイヤに接
続された金属リード３４及び３５、及びエポキシ３７中
に封入された結晶質燐光体粒子を有する微細な、ほぼ球
形の誘電性粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）のような散乱性光学媒体で被覆されたエポキシ封
止材３９を含む。該散乱性光学媒体はドーム状レンズ、
エポキシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラス
チック、及びポリカーボネートのシート状プラスチック
からなる群から選択される透明な封止材３７に直接添加
される。本発明の態様においては、図３（ａ）に示され
ているような該透明な封止材３７はドーム状レンズであ
る。
の構造はエポキシ３７中に封止された結晶性半導体チッ
プ３１、該半導体チップに接続されたワイヤ３２及び３
３、該半導体チップ３１に電流を流すためのワイヤに接
続された金属リード３４及び３５、及びエポキシ３７中
に封入された結晶質燐光体粒子を有する微細な、ほぼ球
形の誘電性粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）のような散乱性光学媒体で被覆されたエポキシ封
止材３９を含む。該散乱性光学媒体はドーム状レンズ、
エポキシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラス
チック、及びポリカーボネートのシート状プラスチック
からなる群から選択される透明な封止材３７に直接添加
される。本発明の態様においては、図３（ａ）に示され
ているような該透明な封止材３７はドーム状レンズであ
る。
【００３８】この本発明による特定の態様においては、
電流が結晶性半導体チップ３１に供給されると波長λｐ
が４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である一次青緑色光を
発生する。ＤＰＰ波長変換材３６は一次青緑色光を吸収
して波長λｓが５５０〜６６０ｎｍの範囲である二次黄
橙色光を発生する。該ＤＰＰを有するＬＥＤの結果とし
て出てくる光は波長λｐの青緑色光及び波長λｓの黄橙
色光の和であり、人間の目には白色に見える。
電流が結晶性半導体チップ３１に供給されると波長λｐ
が４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である一次青緑色光を
発生する。ＤＰＰ波長変換材３６は一次青緑色光を吸収
して波長λｓが５５０〜６６０ｎｍの範囲である二次黄
橙色光を発生する。該ＤＰＰを有するＬＥＤの結果とし
て出てくる光は波長λｐの青緑色光及び波長λｓの黄橙
色光の和であり、人間の目には白色に見える。
【００３９】得られた白色光の色の品質は青緑色の一次
光及び黄橙色の二次光の強度比の発光角度全体にわたる
分布状態によって決定され、またＤＰＰ波長変換材３６
によって制御される。該ＤＰＰ波長変換材３６はエポキ
シ３９中に封入された半径Ｒ ｓがＲｓ＝５０〜１０００
ｎｍの範囲のアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性
粒子３１１及び半径ＲｍがＲｍ＝１０００〜１００００
ｎｍの範囲のガーネット蛍光体物質の微結晶３１２の混
合物からなる。アモルファスＳｉＯ２の球形誘電性粒子
の光散乱性は上記半径Ｒｓに強く依存し、ここでＲｓ＝
λｐ／２λｎｅであり、またｎｅはエポキシ封止材３７
の屈折率であってｎｅ＝１．３〜１．５である。このこ
とは一次青緑色光及び二次黄橙色光の強度比の角度分布
の制御、及びアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性
粒子の半径Ｒｓを制御することによりＬＥＤによって発
される白色光の品質の制御を可能とする。
光及び黄橙色の二次光の強度比の発光角度全体にわたる
分布状態によって決定され、またＤＰＰ波長変換材３６
によって制御される。該ＤＰＰ波長変換材３６はエポキ
シ３９中に封入された半径Ｒ ｓがＲｓ＝５０〜１０００
ｎｍの範囲のアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性
粒子３１１及び半径ＲｍがＲｍ＝１０００〜１００００
ｎｍの範囲のガーネット蛍光体物質の微結晶３１２の混
合物からなる。アモルファスＳｉＯ２の球形誘電性粒子
の光散乱性は上記半径Ｒｓに強く依存し、ここでＲｓ＝
λｐ／２λｎｅであり、またｎｅはエポキシ封止材３７
の屈折率であってｎｅ＝１．３〜１．５である。このこ
とは一次青緑色光及び二次黄橙色光の強度比の角度分布
の制御、及びアモルファスＳｉＯ２のほぼ球形の誘電性
粒子の半径Ｒｓを制御することによりＬＥＤによって発
される白色光の品質の制御を可能とする。
【００４０】ガーネット蛍光体物質（例えば、図２
（ｂ）の１２０及び図３（ｂ）の３１２）として用い得
る他の物質はＹ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍから選択さ
れる少なくとも１つの元素、及びＡｌ、Ｇａ及びＩｎか
ら選択される少なくとも１つの元素を含むセリウムで活
性化されたガーネット蛍光体物質の燐光体を含む。例え
ば、セリウムで活性化されたイットリウム−アルミニウ
ム−ガーネット蛍光体物質（ＹＡＧ燐光体）のような物
質は本発明によりＤＰＰに用い得る。
（ｂ）の１２０及び図３（ｂ）の３１２）として用い得
る他の物質はＹ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍから選択さ
れる少なくとも１つの元素、及びＡｌ、Ｇａ及びＩｎか
ら選択される少なくとも１つの元素を含むセリウムで活
性化されたガーネット蛍光体物質の燐光体を含む。例え
ば、セリウムで活性化されたイットリウム−アルミニウ
ム−ガーネット蛍光体物質（ＹＡＧ燐光体）のような物
質は本発明によりＤＰＰに用い得る。
【００４１】前記ガーネット蛍光体物質として用い得る
他の物質はＡｇ：ＺｎＳ（青）、ＣｕＡｕＡｌ：ＺｎＳ
（緑）、ＣｕＡｌ：ＺｎＳ（緑）、Ｍｇ４（Ｆ）ＧｅＯ
５：Ｍｎ（赤）及びＣｅ：ＹＡＧ（黄緑）からなる群か
ら選択される燐光体をさらに含む。前記ガーネット蛍光
体物質として有用な他の物質はクロマリン６（非常にき
れいな緑）、フルオロール７ＧＡ（黄緑、非常に効率が
よい）、ＤＯＣＩ（緑、低減衰長さ）、ローダミン１１
０（黄色、非常に効率がよい）、ＤＣＭ（オレンジ、中
程度の効率）、ピリジン１（赤、効率悪し）及びピリジ
ン２（深い赤、効率悪し）からなる群から選択される燐
光体をさらに含む。
他の物質はＡｇ：ＺｎＳ（青）、ＣｕＡｕＡｌ：ＺｎＳ
（緑）、ＣｕＡｌ：ＺｎＳ（緑）、Ｍｇ４（Ｆ）ＧｅＯ
５：Ｍｎ（赤）及びＣｅ：ＹＡＧ（黄緑）からなる群か
ら選択される燐光体をさらに含む。前記ガーネット蛍光
体物質として有用な他の物質はクロマリン６（非常にき
れいな緑）、フルオロール７ＧＡ（黄緑、非常に効率が
よい）、ＤＯＣＩ（緑、低減衰長さ）、ローダミン１１
０（黄色、非常に効率がよい）、ＤＣＭ（オレンジ、中
程度の効率）、ピリジン１（赤、効率悪し）及びピリジ
ン２（深い赤、効率悪し）からなる群から選択される燐
光体をさらに含む。
【００４２】ここでの議論はＬＥＤの観点であるが、他
の光源（例えば、面光源、レーザーダイオード）が本発
明による方法論からして役に立つことが理解される。さ
らには、ここでの議論は白色ＬＥＤの観点であるが、他
の波長の光を発するものもまた本発明による方法論から
して役に立つことが理解される。本発明によるＤＰＰの
ような散乱性光学媒体を有するＬＥＤの応用分野は少な
くともエレクトロニクス、計測、電気器具、自動車用表
示器、飛行機、のみならずアウトドア用表示器、あるい
は他の照明用途も含む。
の光源（例えば、面光源、レーザーダイオード）が本発
明による方法論からして役に立つことが理解される。さ
らには、ここでの議論は白色ＬＥＤの観点であるが、他
の波長の光を発するものもまた本発明による方法論から
して役に立つことが理解される。本発明によるＤＰＰの
ような散乱性光学媒体を有するＬＥＤの応用分野は少な
くともエレクトロニクス、計測、電気器具、自動車用表
示器、飛行機、のみならずアウトドア用表示器、あるい
は他の照明用途も含む。
【００４３】本発明はその好ましい態様を参照して示さ
れまた詳細に説明されたが、その態様は全てを網羅しよ
うとしたりあるいは本発明をここで議論されたそのもの
に限定することを意図するものではない。種々の外形及
び詳細の改変も本発明の意義及び観点から離れることな
しに許容されることは当業者にとり容易に理解し得るで
あろう。同様に、ここに述べられたいかなるプロセス段
階も実質的に同様の効果を奏する他の工程で代替しても
よい。本発明の観点に包含される全てのそのような変形
は特許請求の範囲の記載に従って及びそれと等価なもの
により限定される。
れまた詳細に説明されたが、その態様は全てを網羅しよ
うとしたりあるいは本発明をここで議論されたそのもの
に限定することを意図するものではない。種々の外形及
び詳細の改変も本発明の意義及び観点から離れることな
しに許容されることは当業者にとり容易に理解し得るで
あろう。同様に、ここに述べられたいかなるプロセス段
階も実質的に同様の効果を奏する他の工程で代替しても
よい。本発明の観点に包含される全てのそのような変形
は特許請求の範囲の記載に従って及びそれと等価なもの
により限定される。
【図１】 図１（ａ）は、従来技術の光波長変換材を有
するＬＥＤを説明する図である。図１（ｂ）は、図１
（ａ）に関連した、高濃度の燐光体粉末を使用する従来
例の光波長変換材を使用するＬＥＤを説明する図であ
る。図１（ｃ）は、図１（ａ）に関連した、希薄な燐光
体粉末を使用する従来例の光波長変換材を使用するＬＥ
Ｄを説明する図である。図１（ｄ）は、本発明による誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使
用する光波長変換材を説明する図である。
するＬＥＤを説明する図である。図１（ｂ）は、図１
（ａ）に関連した、高濃度の燐光体粉末を使用する従来
例の光波長変換材を使用するＬＥＤを説明する図であ
る。図１（ｃ）は、図１（ａ）に関連した、希薄な燐光
体粉末を使用する従来例の光波長変換材を使用するＬＥ
Ｄを説明する図である。図１（ｄ）は、本発明による誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使
用する光波長変換材を説明する図である。
【図２】 図２（ａ）は、本発明による誘電性燐光体粉
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長
変換材を使用したＬＥＤの他の態様を説明する図であ
る。図２（ｂ）は、本発明による誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長変換材
を使用したＬＥＤの他の態様を説明する図である。
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長
変換材を使用したＬＥＤの他の態様を説明する図であ
る。図２（ｂ）は、本発明による誘電性燐光体粉末（Ｄ
ＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長変換材
を使用したＬＥＤの他の態様を説明する図である。
【図３】 図３（ａ）は、本発明による誘電性燐光体粉
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長
変換材を使用したＬＥＤ又はレーザーダイオードのよう
な他の光源のさらに他の態様を説明する図である。図３
（ｂ）は、本発明による誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の
ような散乱性光学媒体を使用する光波長変換材を使用し
たＬＥＤ又はレーザーダイオードのような他の光源のさ
らに他の態様を説明する図である。
末（ＤＰＰ）のような散乱性光学媒体を使用する光波長
変換材を使用したＬＥＤ又はレーザーダイオードのよう
な他の光源のさらに他の態様を説明する図である。図３
（ｂ）は、本発明による誘電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の
ような散乱性光学媒体を使用する光波長変換材を使用し
たＬＥＤ又はレーザーダイオードのような他の光源のさ
らに他の態様を説明する図である。
Claims (37)
- 【請求項１】 透明封止材を含む光を発する発光部材；
及び該透明封止材に添加された散乱性光学媒体；からな
る発光ダイオード（ＬＥＤ）。 - 【請求項２】 前記散乱性光学媒体が空気の泡、Ｎ２の
泡、及び希ガスの泡からなる群から選択される請求項１
に記載のＬＥＤ。 - 【請求項３】 前記散乱性光学媒体が３ｅＶより大きい
バンドギャップを有する請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項４】 前記散乱性光学媒体が青色光を吸収しな
い請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項５】 エポキシ中に封入されている前記散乱性
光学媒体を有する結晶性半導体チップ；該半導体チップ
に接続されたワイヤ；及び、 該半導体チップに電流を流すための該ワイヤに接続され
た金属リード、をさらに有する請求項１に記載のＬＥ
Ｄ。 - 【請求項６】 前記散乱性光学媒体中に封止された結晶
性半導体チップ；該半導体チップに接続されたワイヤ；
及び、該半導体チップに電流を流すための該ワイヤに接
続された金属リード、をさらに有し、前記半導体チップ
は窒素化合物半導体チップ、窒化ガリウム化合物半導
体、ＩｎＧａＮ結晶性半導体チップ、及びＡｌＩｎＧａ
Ｎ結晶性半導体チップからなる群から選択される１つで
ある請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項７】 前記透明封止材がＧｄ、Ｙ、Ｃｅ及びＮ
ｄベースの燐光体からなる群から選択されるガーネット
蛍光体物質をさらに含む請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項８】 前記透明封止材がＡｇ：ＺｎＳ、ＣｕＡ
ｕＡｌ：ＺｎＳ、ＣｕＡｌ：ＺｎＳ、Ｍｇ４（Ｆ）Ｇｅ
Ｏ５：Ｍｎ及びＣｅ：ＹＡＧからなる群から選択される
ガーネット蛍光体物質をさらに含む請求項１に記載のＬ
ＥＤ。 - 【請求項９】 前記透明封止材がクロマリン６、フルオ
ロール７ＧＡ、ＤＯＣＩ、ローダミン１１０、ＤＣＭ、
ピリジン１及びピリジン２からなる群から選択されるガ
ーネット蛍光体物質をさらに含む請求項１に記載のＬＥ
Ｄ。 - 【請求項１０】 前記散乱性光学媒体が燐光体粒子及び
泡の混合物である請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１１】 前記散乱性光学媒体が結晶性燐光体粒
子及び誘電性粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末を
さらに含む請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１２】 前記燐光体粒子の濃度が一般に前記誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の全体積の２％〜２５％であ
る請求項１１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１３】 前記誘電性粒子が微結晶ＡｌＮ、アモ
ルファスＳｉ３Ｎ４、アモルファスＧａＮ、及びアモル
ファスＳｉＯ２からなる群から選択される請求項１１に
記載のＬＥＤ。 - 【請求項１４】 前記誘電性粒子が一般に５０〜５００
０ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４、一
般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモルファ
スＳｉＯ２、及び一般に５０〜５０００ｎｍの間の半径
を有するアモルファスＧａＮからなる群から選択される
請求項１１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１５】 前記燐光体粒子が一般に１０００〜１
００００ｎｍの間の半径を有するガーネット蛍光体物質
の微結晶である請求項１１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１６】 前記燐光体粒子がＧｄ、Ｙ、Ｃｅ、及
びＮｄベースの燐光体からなる群から選択される請求項
１１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１７】 前記燐光体粒子がＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌ
ａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも
１つの元素、及びＡｌ、Ｇａ及びＩｎからなる他の群か
ら選択される少なくとも１つの元素を含むセリウムで活
性化されたガーネット蛍光体物質の燐光体を含む請求項
１１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項１８】 前記透明封止材がドーム状レンズ、エ
ポキシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラスチ
ック、及びポリカーボネート（ＰＭＭＡ）のシート状プ
ラスチックからなる群から選択される請求項１に記載の
ＬＥＤ。 - 【請求項１９】 前記散乱性光学媒体が発光部材から発
する光の一部を吸収して吸収した光の波長とは異なる波
長の光を発するものからなる請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項２０】 前記ＬＥＤが実質的にレーザーダイオ
ード（ＬＤ）によるものである請求項１に記載のＬＥ
Ｄ。 - 【請求項２１】 透明封止材を含む光を発する発光部
材；及び、 該透明封止材に添加された散乱性光学媒体、からなるレ
ーザーダイオード（ＬＤ）。 - 【請求項２２】 前記散乱性光学媒体が空気の泡、Ｎ２
の泡、及び希ガスの泡からなる群から選択される請求項
２１に記載のＬＤ。 - 【請求項２３】 前記散乱性光学媒体が３ｅＶより大き
いバンドギャップを有する請求項２１に記載のＬＤ。 - 【請求項２４】 前記散乱性光学媒体が青色光を吸収し
ない請求項２１に記載のＬＤ。 - 【請求項２５】 前記透明封止材がＧｄ、Ｙ、Ｃｅ及び
Ｎｄベースの燐光体からなる群から選択されるガーネッ
ト蛍光体物質をさらに含む請求項２１に記載のＬＤ。 - 【請求項２６】 前記透明封止材がＡｇ：ＺｎＳ、Ｃｕ
ＡｕＡｌ：ＺｎＳ、ＣｕＡｌ：ＺｎＳ、Ｍｇ４（Ｆ）Ｇ
ｅＯ５：Ｍｎ及びＣｅ：ＹＡＧからなる群から選択され
るガーネット蛍光体物質をさらに含む請求項２１に記載
のＬＤ。 - 【請求項２７】 前記透明封止材がクロマリン６、フル
オロール７ＧＡ、ＤＯＣＩ、ローダミン１１０、ＤＣ
Ｍ、ピリジン１及びピリジン２からなる群から選択され
るガーネット蛍光体物質をさらに含む請求項２１に記載
のＬＤ。 - 【請求項２８】 前記散乱性光学媒体が燐光体粒子及び
泡の混合物である請求項２１に記載のＬＤ。 - 【請求項２９】 前記散乱性光学媒体が結晶性燐光体粒
子及び誘電性粒子の混合物からなる誘電性燐光体粉末を
さらに含む請求項２１に記載のＬＤ。 - 【請求項３０】 前記燐光体粒子の濃度が一般に前記誘
電性燐光体粉末（ＤＰＰ）の全体積の２％〜２５％であ
る請求項２９に記載のＬＤ。 - 【請求項３１】 前記誘電性粒子が微結晶ＡｌＮ、アモ
ルファスＳｉ３Ｎ４、アモルファスＧａＮ、及びアモル
ファスＳｉＯ２からなる群から選択される請求項２９に
記載のＬＤ。 - 【請求項３２】 前記誘電性粒子が一般に５０〜５００
０ｎｍの間の半径を有するアモルファスＳｉ３Ｎ４、一
般に５０〜５０００ｎｍの間の半径を有するアモルファ
スＳｉＯ２、及び一般に５０〜５０００ｎｍの間の半径
を有するアモルファスＧａＮからなる群から選択される
請求項２９に記載のＬＤ。 - 【請求項３３】 前記燐光体粒子が一般に１０００〜１
００００ｎｍの間の半径を有するガーネット蛍光体物質
の微結晶である請求項２９に記載のＬＤ。 - 【請求項３４】 前記燐光体粒子がＧｄ、Ｙ、Ｃｅ、及
びＮｄベースの燐光体からなる群から選択される請求項
２９に記載のＬＤ。 - 【請求項３５】 前記燐光体粒子がＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌ
ａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも
１つの元素、及びＡｌ、Ｇａ及びＩｎからなる他の群か
ら選択される少なくとも１つの元素を含むセリウムで活
性化されたガーネット蛍光体物質の燐光体を含む請求項
２９に記載のＬＤ。 - 【請求項３６】 前記透明封止材がドーム状レンズ、エ
ポキシ、レンチキュラーレンズ、シート状ガラス、ポリ
メチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のシート状プラスチ
ック、及びポリカーボネート（ＰＭＭＡ）のシート状プ
ラスチックからなる群から選択される請求項２１に記載
のＬＥＤ。 - 【請求項３７】 前記散乱性光学媒体が発光部材から発
する光の一部を吸収して吸収した光の波長とは異なる波
長の光を発する請求項２１に記載のＬＤ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/794,899 US6614170B2 (en) | 2000-12-29 | 2001-02-26 | Light emitting diode with light conversion using scattering optical media |
| US09/794899 | 2001-02-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261328A true JP2002261328A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=25164032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001389362A Pending JP2002261328A (ja) | 2001-02-26 | 2001-12-21 | 散乱性光学媒体を用いた光変換材を有する発光ダイオード |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261328A (ja) |
| CN (1) | CN1215575C (ja) |
| TW (1) | TW516247B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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