CN103622190A - 一种光激发化学发彩色光的高仿真花及发光方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光激发化学发彩色光的高仿真花，包括花瓣层、发光二极管，其特征在于所述封装体顶端正对所述花瓣层，所述封装体内设有防伪发光粉颗粒，所述花瓣层上设有荧光粉，荧光粉和防伪发光粉颗粒的发光光谱波长均为380-740nm。一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于包括花瓣层、发光二极管，花瓣层上设有均匀分布的荧光粉，发光二极管的封装体内设有防伪发光粉颗粒，发光二极管的晶片发出的光分别激发荧光粉和防伪发光粉颗粒发出彩色光。本发明的有益效果为：稀土荧光粉和防伪发光粉颗粒分别发出的彩色光相互叠加，在提高了色彩艳度的同时遮蔽了发光二极管发出的部分可见紫光，提高了本仿真花的美观度。

Description

一种光激发化学发彩色光的高仿真花及发光方法

技术领域

本发明属于工艺品技术领域，尤其涉及一种发彩色光的高仿真花及发光方法。

背景技术

随着社会的不断发展，人们对装饰艺术品的要求越来越高，仿真花作为鲜花的替代品也越来越受到人们的喜欢，尤其是发光仿真花。发光仿真花通电后，可以夜晚发光，装点了城市的夜晚。但是发光仿真花的颜色单一，已经不能满足人们的要求。中国专利200420075935.8公开了一种电子发光仿真花，其特征在于在每朵花的花蕊中安置与仿真花颜色匹配的发光二极管或变色发光二极管，发光二极管有与电源、开关相连的漆包线，漆包线与花梗并在一起，其外包彩色胶带。每朵花的花蕊中安置与仿真花颜色匹配的发光二极管，在黑暗地能放出与花颜色相同或向近似的光。上述专利虽能发出特定颜色的彩色光，但是发光颜色受发光二极管色相的限制，彩色光的颜色单一，色彩的艳度不足，而且花瓣层层对发光管的阻光而使发光花亮度不足，不能完全满足人们对高仿真发光花艳美明亮的要求。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种光激发化学发彩色光的高仿真花，包括花瓣层、发光二极管，发光二极管位于花瓣层中央，发光二极管包括负极支架、楔形支架A、正极支架、楔形支架B、反射碗、晶片和封装体，负极支架与楔形支架A连接，正极支架与楔形支架B连接，楔形支架A、楔形支架B位于封装体内并通过导线连接，反射碗位于楔形支架A上，晶片位于反射碗内，其特征在于所述封装体顶端正对所述花瓣层，所述封装体内设有防伪发光粉颗粒，所述花瓣层上设有荧光粉，荧光粉和防伪发光粉颗粒的发光光谱波长均为380-740nm。

所述稀土荧光粉通过浸润法印染在所述花瓣层上。

一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于包括花瓣层、发光二极管，花瓣层上设有均匀分布的荧光粉，发光二极管的封装体内设有防伪发光粉颗粒，发光二极管的晶片发出的光分别激发荧光粉和防伪发光粉颗粒发出彩色光。

所述晶片的发光波长为390-405nm，荧光粉和防伪发光粉颗粒的激发光谱波长均为390-405nm。

所述荧光粉的细度为1-5um。

所述防伪发光粉颗粒的粒径为10-30um。

所述荧光粉为稀土荧光粉。

本发明的有益效果为：晶片发出的光的波长为390-405nm，即有可见光紫光，又有近紫外光，波长位于可见光和近紫外光的临界点附近。晶片被电激发后发出光能，晶片发出的光受紫光光色影响而颜色偏蓝紫，采用在封装体中加防伪发光粉颗粒的方法，防伪发光粉颗粒被光激发后，发出的彩色光辉映在花瓣层上，就解决了花瓣层受紫光照映偏色的问题。发光二极管的照射方向朝花瓣层，花瓣层角度大于二极管的发光角度，晶片发出的光照射在花瓣层上，激发花瓣层上的稀土荧光粉发出彩色光。稀土荧光粉和防伪发光粉颗粒分别发出的彩色光相互叠加，在提高了色彩艳度的同时遮蔽了发光二极管发出的部分可见紫光，提高了本仿真花的美观度。这种彩色光与现有发光仿真花发出的光不同，二极管发出的是点光源，而光激发花瓣层发光是漫散反射的面光源，发光能量大，亮度高，颜色鲜艳，每一花朵就是一个彩色光源。稀土荧光粉通过浸润法印染在花瓣上，可均匀分布在花瓣上，发光时，使得整个花瓣看起来都在发光，视觉效果好。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明：

图中，1、花瓣层；2、发光二极管；3、负极支架；4、楔形支架A；5、正极支架；6、楔形支架B；7、反射碗；8、晶片；9、封装体；10、防伪发光粉颗粒。

如图1、图2所示，发光二极管2位于花瓣层1中央，发光二极管2包括负极支架3、楔形支架A4、正极支架5、楔形支架B6、反射碗7、晶片8和封装体9，负极支架3与楔形支架A4连接，正极支架5与楔形支架B6连接，楔形支架A5、楔形支架B6位于封装体9内并通过导线连接，反射碗7位于楔形支架A4上，晶片8位于反射碗7内，所述晶片8的发光波长为390-405nm，封装体9内设有大量防伪发光粉颗粒10，防伪发光粉颗粒10的粒径为10-30um，花瓣层1上设有荧光粉，荧光粉通过浸润法印染在花瓣层1上，并均匀分布于花瓣层1上，使花瓣层1上的每根经纬涤纶纤维丝裹有荧光粉，荧光粉的细度为1-5um，荧光粉和防伪发光粉颗粒的激发光谱波长均为390-405nm，发光光谱波长为380-740nm，封装体顶端正对花瓣层，发光二极管2发出的光照射在花瓣层1上。

使用时，为负极支架3和正极支架4通电，晶片8发出波长为390-405nm的紫外光，一部分紫外光激发封装体9内的防伪发光粉颗粒10发出彩色光，另一部分紫外光激发花瓣层1上的稀土荧光粉发出彩色光，两种彩色光相互叠加，形成色彩柔和、色彩艳度高的彩色光。

以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (10)

1.一种光激发化学发彩色光的高仿真花，包括花瓣层(1)、发光二极管(2)，发光二极管(2)位于花瓣层(1)中央，发光二极管(2)包括负极支架(3)、楔形支架A(4)、正极支架(5)、楔形支架B(6)、反射碗(7)、晶片(8)和封装体(9)，负极支架(3)与楔形支架A(4)连接，正极支架(5)与楔形支架B(6)连接，楔形支架A(4)、楔形支架B(6)位于封装体(9)内并通过导线连接，反射碗(7)位于楔形支架A(4)上，晶片(8)位于反射碗(7)内，其特征在于所述封装体(9)顶端正对所述花瓣层(1)，所述封装体(9)内设有防伪发光粉颗粒(10)，所述花瓣层(1)上设有荧光粉，荧光粉和防伪发光粉颗粒(10)的发光光谱波长均为380-740nm。

2.如权利要求1所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花，其特征在于所述晶片(8)的发光波长为390-405nm，荧光粉和防伪发光粉颗粒(10)的激发光谱波长均为390-405nm。

3.如权利要求1所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花，其特征在于所述荧光粉的细度为1-5um。

4.如权利要求1所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花，其特征在于所述防伪发光粉颗粒(10)的粒径为10-30um。

5.如权利要求1所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花，其特征在于所述荧光粉为稀土荧光粉。

6.如权利要求1所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花，其特征在于所述稀土荧光粉通过浸润法印染在所述花瓣层(1)上。

7.一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于包括花瓣层(1)、发光二极管(2)，花瓣层(1)上设有均匀分布的荧光粉，发光二极管(2)的封装体(9)内设有防伪发光粉颗粒(10)，发光二极管(2)的晶片(8)发出的光分别激发荧光粉和防伪发光粉颗粒(10)发出彩色光。

8.如权利要求7所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于所述晶片(8)的发光波长为390-405nm，荧光粉和防伪发光粉颗粒(10)的激发光谱波长均为390-405nm。

9.如权利要求7所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于所述防伪发光粉颗粒(10)的粒径为10-30um。

10.如权利要求7所述的一种光激发化学发彩色光的高仿真花的发光方法，其特征在于所述荧光粉为稀土荧光粉，其细度为1-5um。

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