TW200307737A - Electroluminescent device - Google Patents

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TW200307737A
TW200307737A TW092115252A TW92115252A TW200307737A TW 200307737 A TW200307737 A TW 200307737A TW 092115252 A TW092115252 A TW 092115252A TW 92115252 A TW92115252 A TW 92115252A TW 200307737 A TW200307737 A TW 200307737A
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alkyl
substituted
crc24
aryl
group
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TW092115252A
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Jonathan Rogers
Anthony David Debellis
Stephen Daniel Pastor
Norihisa Dan
Francois Maike
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Ciba Sc Holding Ag
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Description

200307737 玖、發明說明：
【明屬々員I 本發明係有關於有機電致發光(EL)裝置，特別是包含 持久性發射藍光之有機電致發光層之電致發光裝置此有機 5 電致發光層包含某些2H-苯并三唑。 【^tr -ϋ. 】 已進步而發展適於全彩顯示器之以有機為主之電致發 光裝置。一般，電致發光裝置係包含發光層及一對夾置於 發光層間之面電極。於電極間施用電場造成電子及電子洞 10 射至此系統，造成能量以光線釋出。但是，於連續操作下 具有適當安定性之有機電致發光裝置尚未被發展出。特別 地’仍存有能發射藍光之安定有機電致發光裝置之需求。 美國專利第5，104,740號案教示一種電致發光裝置元件，其 包含一含有香豆素或氮雜香豆素之衍生物之螢光層，及一 15 電子洞運送層，二者皆係由有機化合物製成且彼此層合。 所揭示之某些香豆素化合物具有2Η-苯并三唑取代基。美 國專利第6,280,859號案揭示作為有機電致發光裝置中之發 光材料之某些聚芳香族有機化合物。2Η-苯并三唑部份係 於一長列之可能二價芳香族鍵結基中列出。美國專利第 20 5，Η6,708號案係著眼於一種用於電致發光裝置之電子洞運 送材料。美國專利第5,518,824號案教示一種包含一或更多 有機層之電致發光裝置，其中，至少一層係藉由熱誘發或 幸昌射誘發之交聯作用獲得。某些苯并三唑被揭示作為適當 之電荷運送化合物。美國專利第4,533,612號案揭示電子照 200307737 相記錄材料，其包含某些2H-苯并 二唑作為運送電荷載體 之化合物。日本專利第58009151號案揭示於電子照相光a 器之電荷運送層内使用某些聚芳香族苯并三唾系、統。美_ 專利第5,629,389號案揭示一種電致發光裝置，其具有_~ 5 10 含2_(2H-苯并三唑-2-基)_4,6_雙（1_甲基-1-苯基乙基)酶之層 狀物。EP 764712號案揭示於電致發光裝置中作為安定气 之鄰·經基苯基苯并三唾。Tsutsui等人於合成金屬 1997 (85) 1201-1204)揭示於電子運送声 内作為螢光猝滅劑之2-(2-羥基-5-甲基苯基）-2Η-苯并三 唑。美國專利第2,784，183;2,713,056;2,784，197;3,288,786; 3,341，530; 5,006,662號案；GB-A-1150408 ; DE-A-1052405 ; 及DE-A-1919181案揭示作為光學增艷劑之萘并苯并三唑。 美國專利第3,793,315號案教示作為光學增艷劑之均二苯乙 烯基苯并三σ坐衍生物。Woessner等人於J. P/yAs·· CT^em.，1985 15 (89)，3629_3636中研究2-(2-羥基-5·甲基苯基)-2H_苯并三唑 及其甲氧基相似物之發光。美國專利第5,486,406號案教示 於有機發光裝置中使用鄰羥基苯基-2H-苯并三唑之金屬錯 合物。日本專利第00256667及98140145號案揭示用於電致 發光裝置之鄰羥基苯基-2H-苯并三唑。 20 某些2H-苯并三唑衍生物被發現適用於有機電致發光 裝置。特別地，某些2H-苯并三唑衍生物係具有良好耐久 性之適當藍光發射劑。 C 明内 本發明目的係一種電致發光裝置，其包含一含有發射 200307737 。此2H-苯并三唾 三唑部份： 藍光之2H-苯并三唾化合物之有機發光屑 化合物包含，例如，一或更多之2H-笨并
N N N-—
Ar可為任何形式之料族或雜芳錢環（或環純）。即， 於本發明内容中之见苯并三魏合物係意指肌苯并三唾 或雜-2H_苯并μ，因杨可為任何形式之芳香族環(非 基的可能性之例子 僅有碳）。指定如上所示之 係如下所述： 10
例如，本發明之2Η-苯并三唑化合物包含一、二、三 或四個2Η·苯并三唑部份。需瞭解2Η_苯并三唑部份内之開 放價代表於其取代未受限之共價鍵。依據本發明，電致發 光裝置包含至少一 2Η-苯并三峻化合物，即，其可包含二 或更多之2Η-苯并三唑化合物。 200307737 2H-苯并三唑化合物需發射低於約520 nm(特別是位於 約380 nm與約520 nm之間）之光。此2H-苯并三°坐化合物需 具有約（0.12, 0.05)及約（0.16, 0.10)間之NTSC座標，特別是 約（0.14, 0.08)之NTSC座標。 5 2H-苯并三唑化合物需具有高於約150°C (特別是高於 約200°C，更佳係高於約250°C，最佳係高於約300°〇之溶 點0 因此，本發明係有關於一種電致發光裝置(EL裝置）， 其包含2H-苯并三唑化合物，特別是如下化學式之化合物 10
(I) 其中 a係〇或1， b係〇或1， X1係如下化學式之基
15 (若b係1)，或Y3(若b係0)，其中， c係〇或1， X2及X3彼此個別為如下化學式之基
其中，d係0或1， 2〇 Arl、Ar^Ar3彼此個別為芳基或雜芳基（其可選擇性地被 取代）’ 4寸別疋eve%芳基或crc：26雜芳基(其可選擇性地被 200307737 取代），Υ1ΑΥ2彼此個別為二價鍵結基，且 及Υ彼此個別為芳基或雜芳基(其可選擇性地被取代广 寺別疋c6 c3。芳基或CrC26雜芳基(其可選擇性地被取代）。 更詳細地，本發明係、有關於-種電致發光裝置，其包 含如下化學式之2H-苯并三唑化合物
(II)，
(III)，
JdVl^N (VI) 其中，心》，又2，心及¥2係如上定義， d係0或1，
Ar4代表C6-C30芳基或CrC26雜芳基，其可選擇性地被取代， 且 Y3及Y3’彼此個別為C6-C3。芳基或％6雜芳基，其<選擇 性地被取代。 化學式II或III之
基彼此個別 係如下化學式之基 200307737
a17
或 其中， A21，A22, A23, A24, A11，A12, A13, A14, A15, A16, A17及A18 彼此 5 個別係H、鹵素、羥基、CrC24烷基、以E取代及/或以D中 斷之CrC24烷基、CrC24全氟烷基、C5_C12環烷基、以E取 代及/或以 S-、-0-或NR25·、-NR25R26、CrC24烷基硫基、-pR32R32中斷之(^(^環烷基、C5_Ci2環烷氧基、以E取代之 C5-C12環烷氧基、C6-C24芳基、以E取代之C6-C24芳基、C2-10 C2G雜芳基、以E取代之C2-C2G雜芳基、C2_C24烯基、C2-C24 炔基、CrC24烷氧基、以E取代及/或以D中斷之CrC24烷氧 基、C7-C25芳烷基、以E取代之CrC25*烷基、C7-C25芳烷 氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基，或-CO-R28，或
10 200307737
基，其中，A31，A32, A33, A34, A35, A36 及A 7彼此個別係H、鹵素、羥基、Crew烷基、以e取代 及/或以D中斷之心/24烷基、Cl_C24全氟烷基、CrCi2環烷 5基、以E取代及/或以S-、_0-或NR25-中斷之0：5-(：12環烷基、 Cs-C!2環烷氧基、以E取代之C5_Ci2環烷氧基、芳基、 以E取代之Q-C：24芳基、CrC2G雜芳基、以E取代之C2_C扣雜 芳基、C2_C24晞基、C2-C24炔基、CrC24炫氧基、以e取代 及/或以D中斷之CrC24烧氧基、CVC25芳烧基、以β取代之 10 CrC25芳烷基、C〆25芳烷氧基、以Ε取代之crc25芳烷氧 基，或-CO-R28， D 係-CO-; -COO-; -S-; -SO·; -S02-; -NR25-; _SiR3〇R31-; _POR32-; _CR23=CR24-;或;且 E 係-OR29; -SR29; -NR25R26; _c〇R28; -COOR27; _c〇NR25R26; 15 -CN;-OCOOR27;或鹵素；其中，
斷之crc24烷基;或 R25及R26 —起形成五員或六員之環，特別是
200307737 R27及R28彼此個別係H; C6-C18芳基;以CrC24烷基或CrC24 烷氧基取代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-Ο-中斷之CrC24 烧基， R29係H; C6-C18芳基;以CrC24烷基或C「C24烷氧基取代之 5 C6-Ci8芳基;C1-C24烧基;以中斷之C丨-C24烧基’ R30及R31彼此個別係CrC24烷基，C6-C18芳基，或以CrC24 烷基取代之C6-C18芳基，且
R32係CrC24烷基，C6-C18芳基，或以CrC24烷基取代之 C6-C18 芳基。 一 一 ίο 較佳地，及基彼此個別係如下 化學式之基
A
其中， 15 A21，A22, A23及A24彼此個別係氫，鹵素，CVC24烧基，CrC24 12 200307737 全氟烷基，c6-c18芳基，-NR25R26, -CONR25R26，或-COOR27, 或 c2_c1Q雜芳基， 特別是化學式
基，或 Α22及Α23係化學式或之基 5 A11，A12, A13, Α14, Α15, Α16, Α17,及 Α18 彼此個別係 H，CN， CVC24烷基，（^《^烷氧基，CVC24烷基硫基，C6-C18芳基， -NR25R26，-CONR25R26,或-COOR27,或 C2-C10 雜芳基，其中， E1 係0，S，或NR25， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或CV 10 C24烷基，R27係CrC24烷基。 化學式IV中之
Af ，ν— Ν 基彼此個 別係如下化學式之基
13 200307737
A6G彼此個別係Η、鹵素、羥基、CVC24烷基、以E取代 及/或以D中斷之CrC24烷基、CrC24全氟烷基、CrC12環 5 烷基、以 E 取代及/或以 S-、-0_或 NR25-、-NR25R26、CrC24 烷基硫基、-PR32R32中斷之C5-C12環烷基、C5-C12環烷氧 基、以E取代之C5-C12環烧氧基、C6-C24芳基、以E取代 之c6-c24芳基、C2-C2G雜芳基、以E取代之C2-C2()雜芳基、 C2-C24稀基、C2-C24炔基、CrC24烧氧基、以E取代及/或 10 以D中斷之CrC24烧氧基、C7-C25芳烧基、以E取代之C7-C25 芳烷基、C7-C25芳烷氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基， 或-CO-R28，或
A42及A43或A42及八51係广 或A〜Α°3 基， 彼此鄰接之二 Α51，Α52, Α53, Α54, Α55, Α56, Α57, Α58, Α59 及
15 Α60 基係 或 ^ ^ 基，其中，A61，A62, A63, A64, A65, A66, A67, A68, A69及A7G彼此個別係Η、i素、羥基、 CrC24烷基、以E取代及/或以D中斷之CrC24烷基、Cr C24全氟烷基、C5-C12環烷基、以E取代及/或以S-、-Ο-或 NR25-中斷之CrC12環烷基、（：5-(：12環烷氧基、以Ε取代之 20 C5-C12環烷氧基、C6-C24芳基、以E取代之C6_C24芳基、 14 200307737 C2-C2G雜芳基、以E取代之C2-C2G雜芳基、C2-C24烯基、 C2-C24炔基、CrC24烷氧基、以E取代及/或以D中斷之CrC24 烷氧基、C7-C25芳烷基、以E取代之C7-C25芳烷基、C7-C25 芳烷氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基，或-CO-R28，其 5 中，E，D，R25及R26係如上定義，且取代基A41，A42, A43, A44, A51, A52? A535 A54, A55? A56, A57? A585 A59, A605 A61, A62? a63? A64，A65，A66，A67，A68，A69 及 A70 之一係代表單一鍵，即， 與Y2之鍵結。
較佳地，Α43及Α43非同時係-NR25R26基。 10 化學式II，IV及V中之Y3及Y3’彼此個別係如下化 學式之基
其中， 15 R41, R42? R43? R44? R45? R46, R47, R48, R49, R50? R51, R52? R53? R545 r555 r56? r57? r585 r59? r60, r61? r62, r639 r645 r655 r665 r67? r70? r71? r72? r739 r74? r75? r76? r77? r80? r815 r82, r835 r84? r85, r865 及R87彼此個別係H，選擇性地以E取代及/或以D中斷 之CrC24烷基，選擇性地以E取代之CVC24烯基，選擇性 20 地以E取代之C5-C12環烷基，選擇性地以E取代之C5-C12 15 200307737 環烷氧基，選擇性地以E取代之C6-C18芳基，選擇性地以 E取代及/或以D中斷之烷氧基，選擇性地以E取代 之C6-C18芳氧基，選擇性地以E取代之C7-C18芳基烷氧基， 選擇性地以E取代及/或以D中斷之CrC24烷基硫基，選 5 擇性地以E取代及/或以D中斷之CrC24烷基硒，選擇性 地以E取代及/或以D中斷之CVC24烷基碲，選擇性地以E 取代之C2-C2()雜芳基，或選擇性地以E取代之C6-C18芳烷 基，或 彼此鄰近之二 R41，R42, R43, R44, R45, R46, R47, R48, R49, R50, 10 r515 r525 r535 r545 r55? r56, r57, r58? r595 r605 r615 r625 r635 r645 r65, r66, r67, r7()，R7i，r72, r73, r74, r75, r76, r77, r8〇, r81，r82.
R83, R84, R85, R86,及 R87 基{系 /T 或矿，基， 其中，A90, A91，A92, A93, A94, A95, A96 及 A97 彼此個別係 Η、 鹵素、羥基、CrC24烷基、以E取代及/或以D中斷之CrC24 15 烧基、CrC24全氟院基、C5-C12環烧基、以E取代及/或以 S-、-0-或NR25-中斷之C5-C12環烷基、C5_C12環烷氧基、 以E取代之C5-C12環烷氧基、C6_C24芳基、以E取代之C6-C24 芳基、C2-C2G雜芳基、以E取代之C2-C2G雜芳基、CrC24 烯基、CrC24炔基、烷氧基、以E取代及/或以D中 20 斷之CrC24院氧基、C7-C25芳烧基、以E取代之C7-C25芳 烷基、C7-C25芳烷氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基， 或-CO-R28， 16 200307737 R68, R69, R78, R79, R88 及 R89 彼此個別係 CrC18 烷基，以 E 取代及/或以D中斷之（VC24烷基，C6-C24芳基，以E取代 之C6_C24芳基，C2-C2()雜芳基，以E取代之CrC2()雜芳基， C2-C24細基，C2-C24快基，Ci_C24烧乳基，以E取代及/或以 5 D中斷之CrC24烷氧基，或C7-C25芳烷基，或 R68及R69, R78及R79,及/或R88及R89形成一環，特別是五 -或六-員環，或R68及R7G, R69及R73, R77及R78及/或R84
及R89係 ，a92基，其中，D，E，R25及R28係如上所定 義0 較佳地，Y3及Y3’彼此個別係如下化學式之基
其中， R41係氫，CVC24烷氧基，或OC7-C18*烷基， 15 R42係氫，或CrC24烷基， 17 200307737
13. R43係氫，i素，_CONR25R26，-COOR27
特別是 ，或 y u ，其中， E1 係-S-，-0-，或-NR25’-，其中，R25’係 CrC24 烷基，或 C6-C10 芳基， R11G係CrC24烷基，或 或〇〇之基 R42及R43係化學式 R44係氫，或CrC24烷基， R45係氫，或CVC24烷基， A11，，A12，，A13，，及 A14,彼此個別係 H，CN，CrC24烷基，CrC24 10 烷氧基，CVC24 烷基硫基，_NR25R26，-conr25r26, 或-COOR27， R68及R69彼此個別係（^<24烷基，特別是C4-C12烷基，特 別是己基，庚基，2-乙基己基，及辛基，其可以一或二個氧 原子中斷， 15 R71，R72, R73, R74, R75, R76, R9G，R91，R92,及 R93 彼此個別係 H，CN，CrC24 烷基，C6-C1()芳基，氧基，CrC24 烷基 硫基，-NR25R26, -CONR25R26，或-COOR27， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或 crc24院基，且 18 200307737 R27係CrC24烷基。 化學式III，IV及VI之二價鍵結基Y1及Y2之例子係
」η2
，特別是
19 200307737
其中， nl，n2, n3, n4, n5, n6 及 n7 係 1，2,或 3，特別是 1， E1 係-S-，-0-，或-NR25’-，其中，R25’係 CrC24 烷基，或 C6-C10 20 200307737 芳基， R6及R7彼此個別係H，鹵素，羥基，CrC24烷基，以E取代 及/或以D中斷之CrC24烷基，CrC24全氟烷基，C5-C12環烷 基，以E取代及/或以S-，-0-，或-NR25-中斷之（^-(：12環 5 烷基，(：5-(：12環烷氧基，以E取代之C5-C12環烷氧基，C6-C24 芳基，以E取代之C6-C24芳基，C2-C2G雜芳基，以E取代之 C2-C2G雜芳基，C2-C24烯基，C2_C24炔基，CrC24烷氧基，以 E取代及/或以D中斷之（^-0：24烷氧基，C7-C25芳烷基，以 E取代之C7-C25芳烷基，C7-C25芳烷氧基，以E取代之C7-10 C25芳烷氧基，或-CO-R28， R8係CrC24烷基，以E取代及/或以D中斷之CrC24烷基， C6-C24芳基，或C7_C25芳烷基， R9及R1G彼此個別係CrC24烷基，以E取代及/或以D中斷 之CrC24烷基，C6-C24芳基，以E取代之C6-C24芳基，C2-C20 15 雜芳基，以E取代之C2-C2()雜芳基，CrC24烯基，C2-C24炔 基，¢^-(^24烧氧基，以E取代及/或以D中斷之院氧 基，或c7-c25芳烷基，或 R9及R1G形成一環，特別是五_或六_員環， R14及R15彼此個別係H，CrC24烷基，以E取代及/或以D 20 中斷之CrC24烷基，C6-C24芳基，以E取代之C6-C24芳基, C2-C2G雜芳基，或以E取代之C2-C2()雜芳基，其中，D，E，R25 及R28係如上定義。 較佳地，Y1係選自 21 200307737
其中，R6係c「c24院氧基，或-0-C7-C2j烷基，R7係Η，或 Crc24烷基，R9及Rio彼此個別係CVC24烷基，特別是c4_ Cu烷基，其可以一或二個氧原子中斷，且R25,係Ci_c24烷 基，或C6-C1()芳基。 Y2較佳係單一鍵，_〇_，各，_NR25,如下化學式之基
於第一方面，本發明係有關於一種電致發光裝置，其 中，2H-苯并三唑化合物係化學式化合物，特別是如 之化學式 22 200307737
a17
(IIc)，或 A17
其中， A21，A22，A23及A24彼此個別係氫，鹵素，CrC24院基，CrC24 全氟烷基，c6-c18 芳基，_NR25R26, -CO NR25R26，或-COOR27, 或c2-c1Q雜芳基，特別是化學式
基，或 Α22及Α23或Α11及Α23係化學式^之基， 10 A11，A12, A13, A14, A15, A16, A17,及 A18 彼此個別係 H，CN， CVC24烷基，匕名^烷氧基，CrC24烷基硫基，C6-C18芳基， -NR25R26, -CONR25R26，或-COOR27，或 Q-Ci。雜芳基，其 中， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或 23 200307737
CrC24烷基，R27係CrC24烷基，且 Y3係如下化學式之基
5 其中， R41係氫，Crc24烷氧基，或OC7-C18芳烷基， R42係氫，或CVC24烷基，
10 E1 係-S-，-0-，或-NR25’-，其中，R25’ 係 CrC24烷基，或 C6-C10 芳基， R11G係H，CN，CVC24烷基，(^/^烷氧基，CrC24烷基硫基， -NR25R26, -CONR25R26，或-COOR27，或 R42及R43係化學式
之基， 24 200307737 R44係氫，或Crc24烷基， R45係氫，或CVC24烷基， A11’，A12’，A13’，及 A14,彼此個別係 H，CN，CrC24 院基，Cr C24 烷氧基，CrC24 烷基硫基，-NR25R26，-CONR25R26, 5 或-COOR27， R68及R69彼此個別係CVC24烷基，特別*C4-C12烷基，特 別是己基，庚基，2-乙基己基，及辛基，其可以一或二個氧 原子中斷， R70, R71，R72, R73, R74, R75, R76, R90, R91，R92,及 R93 彼 jtb 個 10 別係 H，CN，CrC24 烷基，C6-C1()芳基，CrC24 烷氧基，CrC24 烷基硫基，-NR25R26, -CONR25R26，或-COOR27，
R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或CV c24烧基，且 R27係CrC24烷基。 15 化學式Ila之化合物中，下列衍生物係較佳
其中，A23係鹵素，或CVC244氟烷基，且R43及Y3係如上 所定義，其中，化學式Ilb，lie及lid之化合物係更佳。 20 於進一步實施例中，化學式11(特別是化學式Ila)之此 等化合物係較佳，其中，R41係不同於羥基。 25 200307737 於此方面，如下所列之化合物係最佳：
其中，R111係氫，CrC24烷基，CrC244氟烷基，或0：6<18芳 基，且 26 200307737 A21，A22，A23，A24，R25，R26，R43,及 R110 係如上所定義。
化合 物· A21 A22 Α23 A24 R41 R42 R43 R44 R45 Α1 Η Η Η H -OCH2Ph H H -ch3 H Α2 Η Η Η H OCH2R H H -ch3 H A3 Η Η •co2ch3 H -OCH3 -tBu H -tBu H Α4 Η Η Cl H -OCH3 -tBu H -tBu H Α5 Η Η Ph H -OCH3 -tBu H -tBu H Α6 Η Η -N(CH2Ph)2 H H H H H H Α7 Η Η Br H -OH H H l) 1) Α8 Η Η Br H -OCH3 H H 1) 1) Α9 Η Η -N(CH2Ph)2 H -OCH3 H H 1) 1) Α10 Η Η -cf3 H -OCH2Ph H H -ch3 H All Η Η _cf3 H H H -NHPh H H A12 Η Η -cf3 H H H -OPh H H A13 Η Η F H H H -OPh H H A14 Η Η Cl H H H -NPh2 H H A15 Η Η H H H H -N(CH3) CH2Ph ο 1) A16 Η Η H H 1) l) 2) 1) 1) A17 Ph Η H H H H -N(Et) Ph H H A18 Ph Η H Ph H H -N(CH3) Ph H H A19 Η Η Ph H H H -NPh2 H H ,C2H5 、c2h5 ” R44及R45係化學式 基，即，Y3 27 200307737
化合物 A21 Α22 R41 R42 R43 R44 R45 B1 Η Η Η Η -C〇2Et H H B2 Η Η Η Η -C02Na H H B3 Η Η Η Η -R， H H B4 Η Η Η Η Br H H B5 Η Η Η Η -R，， H H B6 Η Η Η Η -NCH3Ph H H
28 200307737
5 本發明之化學式Ila之2H-苯并三唑化合物係例如已知 經基苯基-2H-苯并三峻化合物之衍生物。已知之2H-經基 苯基-2H-苯并三嗤化合物係可購得作為紫外線吸收劑 (UVA)。2H-苯并三唑紫外線吸收劑之特徵在於具有鄰羥基 苯基-2H-苯并三唑部份，例如，美國專利第3,〇〇4,896; 10 15 3,055,896; 3,072,585; 350745910; 3,189,615;
3,218,332; 3,230，194; 4，127,586; 4,226,763; 4,275,004; 4,278,589; 4,315,848; 4,347,180; 4,383,863; 4,675,352; 4,681，905, 4,853,471; 5,268,450; 5,278,314; 5,280,124; 5,319,091; 5,410,071； 5,436,349; 5,516,914; 5,554,760; 5,563,242; 5,574,166; 5,607,987, 5,977,219及6，166,218號案所揭示，此等之相關 部份在此被併入以供參考之用。本發明之2H-笨并三cr坐可 藉由已知2H-苯并三唑紫外線吸收劑之鄰羥基(酚)之簡單封 端而獲得。此係藉由例如使紛烧基化獲得鄰—烴氧基苯基_ 2h-苯并三唑而達成，例如： 29 20 200307737
已知之2H-笨并二口坐紫外線吸收劑可以於上述美國專 利案所揭示者製得。本發明之苯并三唾可具有如上述美國 專利案所揭示者之取代型式。上述，，烷基化”一辭係指以任 5何適當烴基使羥基，，封端，，。即，鄰羥基係以鄰烴氧基取代。 “烴基”一辭廣泛地係指單價烴基，其中此價係藉由自 碳原子除去氫而衍生出。烴基包含，例如，脂族（直鏈及 分支之鏈），環脂族，芳香族及混合之基，諸如，c7_c25芳 烷基，C7-C25烷基芳基，C2-C24炔基，c5-c12環炔基。烴基包 10 含诸如烧基，C5_C12J辰烧基，C6-C3〇方基，C7_C25$烧基，C7-c25烷基芳基，crc24烯基，及c5-c12環烯基之基。烴基部份 選擇性地可以羰基、羧基、胺基、醯胺基、硫基、硫氧化 物、磺醯基及醚基中斷，及/或可選擇性地以羥基、胺基、 醯胺基、羧基及硫基取代。 15 於第二方面，本發明係有關一種電致發光裝置，其包 含化學式III之2H-苯并三唑化合物，特別是如下之化學式 30 200307737
其中， A41，A42, A43及A44彼此個別係氫，鹵素，CrC24烷基，CrC24 5 全氟烷基，C6_C18 芳基，-NR25R26, -CO NR25R26，或-COOR27, 或C2-C1Q雜芳基，特別是化學式
基，或
Α42及Α43係化學式或之基，或 A51，A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59 及 A60 彼此個別係 10 H，CN，烧基，烧氧基，（^<24 烧基硫基，C6-C18 芳基，-NR25R26，-CONR25R26,或-COOR27,或 C2-C1Q 雜芳基，其 中， E1 係 0, S，或-NR25’， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，CrC18芳烷基，或CV 15 C24烷基，R27係（ν<：24烷基，且 31 200307737 Y1係如下化學式之基
其中，R6係c「c24烷氧基，或-o-cvc25芳烷基， 5 R7係H，或CVC24烷基， R9及R1G彼此個別係CrC24烷基，特別是C4-C12烷基，其 可以一或二個氧原子中斷，且 R25’係CrC24烷基，或C6-C1Q芳基。 於此方面，如下所列之化合物係最佳：
32 200307737 其中，R6係CVC24烷氧基，或-0-CVC25芳烷基，R7係H，或 烷基，R9及R1G彼此個別係CrCu烷基，特別是C4-C12烷基，其可以一或二個氧原子中斷，且R25’係（^-0：24烷 基，其中，R6係CVCm烷氧基，或-0-C7-C25芳烷基，R7係 5 H，或CrC24烷基，R9及R1G彼此個別係CVCm烷基，特 別是C4-C12烷基，其可以一或二個氧原子中斷；
於第三方面，本發明係有關於一種電致發光裝置，其 包含化學式IV之2H-苯并三唑化合物，特別是化學式
其中， d係0，或1， A43及A44係如上定義， Y2係化學式-0-，-S-，-NR25-之基， 15 如下化學式之基
33 200307737
γ3係化學式
之基，其中， R9及R1G彼此個別係CrC24烷基，特別是C4-C12烷基，其
可以一或二個氧原子中斷， 5 R41係CVC24烷氧基，或C7-C15苯基烷氧基，且 R44 係 H, C6-C1()芳基，或 CrC24 烷基。 於此方面，下列化合物係最佳：
34 200307737
，其中，Y3, R9, R1。，R41及R44係如上定義；及
於第四方面，本發明係有關一種電致發光裝置，其包 含化學式V之2H-苯并三唑化合物，其中，Ar1，Ar2, γι，γ2 及Υ3係如上所定義。 於第五方面，本發明係有關一種電致發光裝置，其包 含化學式(VI)之2Η-苯并三唑化合物，其中，Ar1，Ar2, γι Υ2，及γ3’係如上所定義。 、化學式(IV)，（V)及㈤之2Η·苯并三唾可藉由任何適當 方法製造’例如，藉由Hartwig等人於有機化學期刊(J〇urnl 35 200307737
Organic Chemistry 1999 (64)，5575)中所述之胺化反應，但 亦可藉由如下所述之方法製造。芳香族硼酸鹽及溴化物之 縮合反應（一般稱為”Suzuki反應”)係容忍各種有機官能基 之存在，且係由N· Miyaua及A· Suzuki於Chemical Reviews， 5 第95冊，第457-2483頁（1995)中報導。為製造依據化學式(IV) γ3 之2H-苯并三唑，2當量之化學式之溴化物與 Χ11+Υ^-Χ11 1當量之相對應於化學式 之二硼酸或二硼酸鹽 或其混合物於Pd及三苯基膦之催化作用下反應，其中，χΐι _〕丫12 於每一情況係個別為_Β(ΟΗ)2、-B(OYu)2或 〇 ，其 10中，Y11於每一情況係個別為CVC1G烷基，且Y12於每一情 況係個別為C2-C1G伸烧基，諸如，—CY13Y14-CY5Y6·，或— CY7Y8-CY9Y10_ CY15Y16-，其中，γ5, γ6, Υ7, γ8, Υ9, γ10, γ13 Υ14, Υ15及Υ16彼此個別係氫，或crCiG烷基，特別 是-C(CH3)2C(CH3)2-，或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-。此反應典型 15上係於約70°c至120°C且於芳香族烴溶劑（諸如，甲苯）中進 行。其它溶劑（邊如，一曱基甲醯胺及四氫吱喃）亦可被單 獨使用，或與芳香族烴混合使用。水性鹼（較佳係鈉之碳 酸鹽或碳酸氫鹽)被作為HBr清除劑。依反應物之反應性而 定，聚合反應可費時2至1〇〇小時。有機鹼（諸如，四烷基 20銨氫氧化物）及相轉移催化劑（諸如，TBTA)可促進蝴之活 性（例如，見Leadbeater & Marco; Angew. Chem. Im· Ed 36 200307737 2003, 42，1407及其内引述之參考文獻）。反應條件之其它 變化係由T. I. Wallow及Β· M. Novak於有機化學期刊 (Journal of Organic Chemistry，第 59 冊，第 5034-5037 (1994));及 Μ· Remmers，Μ· Schulze，及 G· Wegner 於 5 Macromolecular Rapid Communications，第 17冊，第 239,252 頁（1996)中提供。化學式(IV)，（V)及(VI)之2H_苯并三唑可 因而被製得。 鹵素係敗、氣、漠及峨。
CrCM烷基係經分支或未經分支之基，諸如，曱基、 10 乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三 丁基、2-乙基丁基、正戊基、異戊基、1-甲基戊基、1，3-二甲基丁基、正己基、1-甲基己基、正庚基、異庚基、1,1，3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、乙基 己基。1，1，3-三甲基己基、1，1，3,3-四甲基戊基、壬基、庚 15 基、十一烧基、1-曱基十一炫基、十二烧基、1，1，3,35,5« 六甲基己基、十三烧基、十四烧基、十五烧基、十六烧基、 十七院基、十八烧基、二十炫基或二十二烧基。
Ci_c24全敗烧基係經分支或未經分支之基，諸如，-cf3 -cf2cf3， -cf2cf2cf3， _cf(cf3)2， _(cf2)3cf3, 20 及-C(CF3)3。
CrC24烷氧基係直鏈或分支之烷氧基，例如，甲氧基、 乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、 第三丁氧基、戊氧基、異戊氧基或第三戊氧基、庚氧基、 辛氧基、異辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二 37 200307737 烧氧基、+四烧氧基、十五燒氧基、十六炫氧基、十七烧 氧基及十八烷氧基。
CrC24烯基係直鏈或分支之烴基，諸如，乙烯基、烯 丙基、甲基烯丙基、異丙烯基、2_丁稀基、3_丁烯基、異 丁烯基、正戊-2,4-二烯基、3_甲基_丁_2_婦基、正辛_2_稀 基、正十二碳-2-嫦基、異十二碳二稀基、正十二碳_2_稀 基或正十八礙-4-稀基。 C2.24炔基係直鏈或分支，且較佳係。炔基，其可為 未經取代或經取代，諸如， ,^^ , 10 15 ’乙炔基、1-丙快-3_基、1-丁炔- 4_基、1_戊炔-5-基、2-甲其1 丁 #，甘 η丄、^ ^ Τ |_3_丁炔-2-基、1,4-戊二炔-3-基、 1，3-戊二炔_5_基、+jL < # ^ 已块-6_基、順_3_甲基_2_戊烯_4-炔“· 基、反-3-甲基-2-稀_4-抜1甘 ，*块_1_基、1，3-己二炔-5_基、1-辛炔_ 土1壬快9基、U癸块_10_基或1-二十四碳炔-24-基。 以以衣烧基(特別是crC12環烧基)較佳係<：5-〇：12環 烧基或以一至三個Cl A_C4烷基取代之該環烷基，諸如，環 戊基、甲基J哀戍基、二甲 一 甲基裱戊基、環己基、甲基環己基、 二甲基環己基、三甲基产 衣己基、第三丁基環己基、環庚基、 衣辛基、ί哀壬基、環恭其 係最佳。 、▲、¥十二减。環己基及環戊基 20 可以S、0或NRU 哌嗪及嗎啉基。 斷之C4_C18i哀烧基之例子係σ辰α定、 細基係，例如 j如’乙烯基、烯丙基、丁烯基、d 喊、己縣、_基或辛歸基。 芳基一般係C6{ 1 30方基，較佳係crC24芳基，其選擇伯 38 200307737 地可被取代，諸如，苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、 萘基、聯苯基、2-芴基、菲基、蒽基、四醯基、五醯基、 六醯基、三苯基或四苯基；或以一至三個(^-(：4烷基取代 之苯基，例如，鄰-、間-或對-甲基苯基、2,3-二甲基苯基、 5 2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4- 二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2·甲基-6-乙基苯基、4-第 三丁基苯基、2-乙基苯基或2,6-二乙基苯基。 C7-C24芳烷基較佳係C7-C15芳烷基，其可被取代，諸如， 苯甲基、2-苯甲基-2-丙基、-苯乙基、a -甲基苯甲基、 10 ύ!，CK -二甲基本甲基、-苯基-丁基、-苯基-辛基、-苯基-十二烷基；或於苯基環上以一至三個(^-(：4烷基取代 之苯基_CrC4烷基，諸如，2-甲基苯甲基、3-甲基苯甲基、 4-甲基苯甲基、2,4-二甲基苯甲基、2,6-二甲基苯甲基或4-弟二丁基苯甲基’或3-甲基_5-(l’，l’，3’，3’，-四甲基-丁基)-l5 苯曱基。 雜芳基典型上係C2-C26雜芳基，即，具有5至7個環原 子之環或縮合之環系統，其中，氮、氧或硫係可能之雜原 子，且典型上係具有5至30個原子之不飽和雜環基，其具 有至少6個共軛7Γ-電子，諸如，噻嗯基、苯并[b]噻嗯基、 20 二苯并[b，d]噻嗯基、噻蒽、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、 苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻嗯 基、σ比洛基。味唾基、α比吐基、扯咬基、二吼淀基、三嗔 基、喊唆基、α比嗔基、嚏嗔基、吲深嗔基、異吲嘴基、吲 嘴基、吲峻基、嘌呤基、唆12秦基、σ奎諾基、異σ奎諾基、酜 39 200307737 嗪基、奈錠基、喳噁啉基、喳唑啉基、噌啉基、蝶啶義 咔唑基、碳啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、菲啶、 咬、咱咬、菲繞琳基、吩嗪、異嚷。坐基、吩咳嗜基:異I 唑基、呋咱或吩噁嗪基，其可為未經取代或經取代。 5 C6_Cl8環烷氧基係，例如，環戊氧基、環己氧基、产 庚氧基或環辛氧基，或以1至3個CrC：4烷基取代之該環^ 氧基，甲基環戊氧基、二甲基環戊氧基、甲基環己氧 二甲基環己氧基、三甲基環己氧基，或第三丁基環己氧基。 Q-C24芳氧基典型上係苯氧基或以丨至；^個匕七4烷基取 10代之苯氧基，諸如，鄰_、間或對-甲基苯氧基、2,3_一 基苯氧基、2,4_二甲基苯氧基、2,5_二甲基苯氧基、2，心一 曱基苯氧基、3,4-二甲基苯氧基、3,5-二甲基苯氧基、厶甲 基-6-乙基笨氧基、4-第三丁基苯氧基、2_乙基苯氧基或2 6 -一乙基本氧基。 15 匕<24芳烷氧基典型上係苯基-CrC9烷氧基，諸如，笨 曱基氧基、α_甲基苯甲基氧、α，α_二甲基苯曱基氧基或 2_苯基乙氧基。
CrC24烧基硫基係直鏈或分支之烧基硫基，諸如，甲 基硫基、乙基硫基、丙基硫基、異丙基硫基、正丁基硫基、 20異丁基硫基、戊基硫基、異戊基硫基、己基硫基、庚基硫 基、辛基硫基、癸基硫基、十四烷基硫基、十六烷基硫基 或十八烷基硫基。crc24烷基硒及crc24烷基碲個別係CV C〗4烧基Se-及Ct-C24院基Te-。 個別由R9及R1G與R25及R26形成之五或六員環之例子係 40 200307737 可具有一選自氮、氧及硫之額外雜原子之具有3至5個碳原 子之雜環烷或雜環浠，例如， 〇
其可為雙環系統之一部份，例如，
上述基之可能取代基係(^-(：8烷基、羥基、毓基、CrC8 烧氧基、cvc8^基硫基、鹵素、鹵_ Ci_c8院基、氰基、醛 基、酮基、羧基、酯基、氨基甲醯基、胺基、硝基或甲矽 烧基。 10 _燒基”一辭係意指以鹵素部份或完全取代上述烷基 之基’諸如，三氟甲基等。”醛基、酮基、酯基、氨基甲 酿基及胺基，，等辭包含以CrC24烷基、〇4_(：18環烷基、c6-c30 务基、crc24芳烧基或雜環烧基取代者，其中，烧基、環 烷基、芳基、芳烷基及雜環基可未被取代或被取代。，，甲矽 15 烷基”一辭係意指化學式-SR105R106ri〇7之基，其中，R105、R106 及R1。7彼此個別係CVC8烷基，特別是匚广仏烷基、c6_c2J 基或CrCl2芳烧基，諸如，三甲基甲石夕烧基。 若取代基（諸如，R6及R7)於一基内發生多於一次，其 於每一發生可不同。 41 200307737 如上所述，上述基可以E取代及/或，若要的話，可以 D中斷。當然，中斷僅於含有至少2個以單一鍵彼此連接之 碳原子之基之情況才可能，!8芳基未被中斷；經中斷 之芳基烧基或烧基芳基於院基部份内含有D單元。以一或 5多個E取代及/或以一或多個D單元中斷之crc24烧基係，例 如，（CH2CH20)n-Rx，其中，η係1-9範圍之數值，且rx係η 或crc1()院基或crc1()烧醯基（例如，CO_CH(C2H5)C4H9)， CH2-CH(ORy’)-CHrO-Ry，其中，π係Cl-C24烧基，CrCi2 ί衣烧基’本基’ Cy-C〗5本基烧基’且Ry包含與Ry相同之定 10 義或 Η ; CrC8 伸院基-COO_Rz，例如，CH2COORz， CH(CH3)COORz，C(CH3)2COORz，其巾，RZ係 Η，Crc24 烧基，（CK^Cf^COu-Rx，且Rx包含如上所示之定義； CH2CH2-0-C0-CH=CH2 ； CH2CH(0H)CH2-0-C0- c(ch3)=ch2。 15 本發明之發射藍色之2H-苯并三嗤係發射低於約520 nm(例如，約380 nm與約520 nm之間）之光。例如，本發明 之發射藍色之2H-苯并三嗤具有約（〇·ΐ4，〇·〇8)之NTSC座 標，其中，第一座標係約0·12與約0.16之間，且第二座標 係約0.05與約0.10之間。本發明之化學式I之化合物（包含化 20學式Η，ΗΙ，IV，V及VI與鄰烴基氧基苯基-2Η-苯并三唑）亦 可作為非發射藍色之有機化合物，例如，其亦可作為電子 洞。運送電子洞及注射電子或運送電子之材料。本發明之 有機電致發光裝置具有重大產業價值，因為其可被用於壁 上包視機之平板顯示裔、平發光裝置、影印機或印表機之 200307737 光源、液晶顯示器或計算機、顯示訊號板及訊號燈之光源。 本發明之材料可用於有機電致發光裝置、電子照相光 接父為、光電轉換器。太陽能電池及影像感應器之領域。 為獲得具有適當Tg(或玻璃轉移溫度）之本發明有機 5層’有利的是本發明之2H-苯并三唑具有大於約150°C(例 如’大於約200°C，例如，大於約250°C，例如，大於約300 °C)之炼點。 本發明之電致發光裝置可另以此項技藝所知設計， 例’美國專利第 5,518,824, 6,280,859, 5,629,389, 5,486,406, 10 5，104,740 and 5，116,708號案所述，其相關揭示内容在此被 併入以供參考之用。 本發明係有關於陽極及陰極間具有化學式苯并 三唑且藉由電能作用而發光之電致發光裝置。 最近有機電致發光裝置之典型構件係： 15 ⑴陽極/電子洞運送層/電子運送層/陰極，其中，化學 式I之2H-苯并三峻被作為正電子洞運送化合物（其被利用形 成發光層及電子洞運送層），或作為電子運送化合物（其可 被利用形成發光層及電子運送層）， (ii) 陽極/電子洞運送層/發光層/電子運送層/陰極，其中， 20化學式之2H-苯并三唑形成發光層，而無論其是否於此構件 中展現正電子洞或電子運送之性質， (iii) 陽極/電子洞注射層/電子洞運送層/發光層/電子運 送層/陰極， (iv) 陽極/電子洞運送層/發光層/正電子洞抑制層/電子 43 200307737 運送層/陰極， (V)陽極/電子洞注射層/電子洞運送層/發光層/正電子 洞抑制層/電子運送層/陰極， (v〇陽極/發光層/電子運送層/陰極， 5 (vii)陽極7發光層/正電子洞抑制層/電子運送層/陰極， (Viii)單一層，其含有單獨之發光材料，或發光材料與 任何電子洞運送層、電子洞阻絕層及/或電子運送層之材 料之混合物，及 (1X)(11)至(VII)所述之多層結構，其中，發光層係(viii) 10 所界定之單一層。 化學式I之2H-苯并三唑主要被用於任何有機層，諸 如，電子洞運送層、發光層或電子運送層，但較佳係作為 發光層内之發光材料，選擇性地作為主體或客體組份。 本發明之發光化合物於固態展現強烈螢光，且具有優 15異之電領域發光特性。再者，本發明之發光化合物於自金 屬電極發射電子洞及運送電子洞係優異；且於自金屬電極 注射電子及運送電子係優異。其被有效地作為發光材料， 且與其它電子洞運送材料、其它電子運送材料或其它摻雜 劑結合使用。本發明之2H-苯并三唑形成均勻薄膜。因此， 20發光層可單獨由本發明2H-苯并三唑形成。另外，需要時， 發光層可含有已知發光材料、已知換雜劑、已知之電子洞 注射材料或已知之電子注射材料。於有機電致發光裝置， 淬滅造成之亮度及壽命減少可藉由使其以多層結構形成而 避免。需要時，發光材料、摻雜劑、電子洞注射材料及電 44 2UUJU//J/ ίο 15 20 子注射材料可被結合使土。再者，摻 及發光效率，且可達成紅'綠或可改良發光亮度 注射區、發光層及電子注射區之每—者/再者’電子/同 層結構。於此情狀電子敝射區τ具有至y 一層之 至之層稱為”電子洞注射層”，自電子、、π ’同自電極/主射而 曰㈣工 电于，同注射層接收電子洞 且將電子洞運送至發光層之層稱為” 电于洞運送層，，。於雷 子注射區，電子至電極絲以之層㈣，，電子注射層”， ^自電子注射層接收電子且將電子運送至發光層之層稱 為”電子運送層”。此等層係依諸如材料之能階及_性及 對有機層或金屬電極謂著料时而選擇及使用。 可與本發明之2Η_料三^起㈣發光層之發光材 =摻雜劑包含，例如，蒽、萘、菲、H并四苯、 暈苯H光素、二萘嵌笨、H嵌笨、萘二萘嵌苯、 哌啉酮(perinone)、酞哌啉酮、萘哌啉_、二笨基丁二烯、 四笨基丁二烯、香豆素、紅4、轉氮、雙笨并姐琳、 聯二苯乙烯吻秦、環戊二烯、4琳金屬錯合物、胺基啥 啉金屬錯合物、笨并喳啉金屬錯合物、亞胺、二笨基乙烯、 乙烯基蒽、二胺基咔唑、咣喃、嘍吡喃、聚甲炔、份菁、 咪唑螯合之噁諾德(oxynoid)化合物、喹丫酮、紅熒烯及用 於染料激光或用於增飽之螢光染料。
本發明之2H-笨并三唑及可用於發光層之如上化合物 可以用於形成發光層之任何混合比例使用。即，本發明之 2H-苯并三唑可提供用於形成發光層之主要組份，或其可 為另一主要材料之摻雜材料，其係依上述化合物與本發明 45 200307737 之2H-苯并三唑之組合而定。良好結果係於，例如， DPVBi(4,4’-雙-(2,2-二苯基-1-乙烯基）聯苯）作為主體且化 合物B7作為客體時達成。 溥膜型電致發光裝置一般基本上由一對電極及位於其 5間之至少一電荷運送層組成。一般，二電荷運送層、電子 洞運达層（鄰接陽極）及電子運送層（鄰接陰極）存在。此任 係含有-依其作為電子洞運送或電子運送材料之性質而 定-作為發光材料之無機或有機之螢光物質。一般，發光 材料係作為電子洞運送及電子運送層間之額外層。於上述 1〇衣置結構中，電子洞注射層可於陽極與電子洞運送層間建 構，及/或正電子洞抑制層可於發光層與電子運送層間建 構’以使發光層内之電子洞及電子數量達最大，達到電荷 重、、且及強烈發光之重大功效。此裝置可以數種方法製備。 般真二蒸發被用於此製造。較佳地，有機層係以如上 15順序層合於保持於室溫之可購得之銦务氧化物(“加”)玻 璃基材上，其係作為上述結構之陽極。膜厚度較佳係1至 ’ 〇 nm之範圍’更佳^至^麵⑽，更佳係n，〇〇〇 更仏係1至500 nm。具有5〇·2〇〇 nm範圍厚度之陽極材 料（諸如，Mg/Ag合金，二元U_A1或LiF_A1系統)被層合於 20有機層上。沈積作用朗之真空較健少於(U333 Pa (1 χ 10托耳），更佳係少於！ 333 χ 1〇-3pa(1 χ 1〇_5托耳），更佳 係夕於1.333 X l〇.4Pa(1 χ 1〇-6托耳）。作為陽極，一般之擁 有高功函數之陽極材料(諸如，金屬，例如，金、銀、銅、 銘、銦、鐵、鋅、錫 46 200307737 等，金屬合金，諸如，鎂/銅、鎂/銀、鎂/銘、鋁/铟等，半 導體，諸如，Si、Ge、GaAs等，金屬氧化物，諸如，銦- · 錫·氧化物(“ITO”）、ZnO等，金屬化合物，諸如，cui等， 及此外，導電聚合物，諸如，聚乙炔、聚苯胺、聚嚐吩、 5聚吼咯、聚對伸苯基等，較佳係ITO，最佳係於作為基材 之玻璃上之ITO，可被使用。此等電極材料中，金屬、金 屬合金、金屬氧化物及金屬化合物可被轉換成電極，例如， 藉由喷濺方法。於使用金屬或金屬合金作為電極材料之情 況，電極亦可藉由真空沈積方法形成。於使用金屬或金屬 泰 10合金作為形成電極之材料之情況，電極可另外藉由化學電 鍍方法形成（見，例如，電化學手冊，第383·387頁，Mazuren， . 1985)。於使用導電聚合物之情況，電極可藉由陽極氧化 聚合反應方法使其於事先被提供導電塗覆物之基材上形成 薄膜而製得。欲於基材上形成之電極的厚度未限於特定 15值，但，當基材被作為發光板時，電極厚度較佳係於丨nm 至300 nm之範圍，更佳係5至200 nm之範圍，以確保透明 性。於較佳實施例中，ιτο被用於基材上，其具有1〇11111(1〇〇 · 入）至1//範圍之1丁0膜厚度，較佳係2〇11111(2〇0幻至5〇〇11111 · (5000 A)。一般，ιτο膜之片材電阻係不多於10〇 Q/cm2 2〇之範圍内選擇’較佳係不多於50 Ω/cm2。此等陽極可購自 曰本製造商’諸如，Geomatech Co· Ltd·，Sanyo Vacuum Co.
Ltd” Nippon Sheet Glass Co. Ltd。作為基材，導電性或電 絕緣之材料可被使用。於使用導電性基材之情況，發光層 或正電子洞運送層係直接於其上形成，而於使用電絕緣性 47 200307737 ίο 基材之情況，電極係先於其上形成，然後，發光層或正電 ^同運送層被疊置。基材可為透明、半透明或不透明。但 疋’於使用基材作為指示板之情況，基材需為透明或半透 明。透明電絕緣性基材係，例如，無機化合物，諸如，破 璃、石英等，有機聚合化合物，諸如，聚乙稀、聚丙歸、 聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙 稀、聚乙稀基醇、聚乙酸乙烯s旨等。此等基材之每一者可 藉由使其依據如上所述方法之—提供電極而轉變成透明導 電性基材。半透明電絕緣性基材之例子係無機化合物，諸 如’氧化鋁、YSZ(以釔安定之氧化鍅)等，有機聚合化合 物，諸如，聚乙稀、聚丙稀、聚苯乙稀、氧環樹脂等。I 等基材之每-者可藉由依據上述方法之一提供電極 成半透明導電性基材。不透明之導電性基 屬，諸如，、姻、鐵、錄、辞、錫、絡、敛之:子:金 金、鉑等，各種電鍍金屬，金屬合金，諸如，青銅、不鏽 鋼等’半導體’諸如’ Si、Ge、GaAs等，導電性聚合物，
諸如 聚苯胺、聚嘆吩、聚吼嘻、聚乙快 20 聚對伸苯基等。 基材可藉由使如上列7F之基材材料之-形成所欲尺寸而賴 得。較錢使基㈣有平滑表面。即使其具有姆表面^ 其對實際使用亦不會造成任何問題，只要其具有具不; 20//m之曲度之圓不均勻度。至於基材厚度，並無阼制'
只要其確保足夠之機械強度。作為陰極，擁有高功函數 一般陰極材料可被使用，諸如，驗金屬、驗土金屬第 族元素、銀及銅，與其合金或混合物，諸如， 48 200307737 鈣、氟化鋰(LiF)、鈉-鉀合金、鎂、鎂-銀合金、鎂_銅合金、 鎂-鋁合金、鎂_銦合金、鋁、鋁_氧化鋁合金、鋁_鋰合金、 銦、鈣及EP-A 499,011中例示之材料，諸如，導電性聚合 物，例如，聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔等，較佳係 5 Mg/Ag合金、LiF-Al或Li-Al組成物。於較佳實施例中，鎮-銀合金或鎂及銀之混合物，或链_鋁合金 '氟化鋰_鋁合金 或鋰及鋁之混合物可以1〇 nm (1〇〇 A)至100 //m (10000 A)範圍之膜厚度使用，較佳係2〇 nm (200人）至500 nm (5000 入）。 10 此等陰極可藉由上述已知真空沈積技術沈積於前鄉哭 電子運送層上。於本發明之較佳實施例中，發光層可被用 於電子洞運送層與電子運送層之間。一般，發光層係藉由 於電子洞運送層上形成薄膜而製備。作為形成該薄膜之方 法，其具有，例如，真空沈積法、旋轉塗覆法、鑄製法、 15蘭姆-布拉吉(“LB”)法等。於此等方法中，基於操作簡易及 成本而言，真空沈積法、旋轉塗覆法及鑄製法係特別佳。 於藉由真空沈積法且使用一組成物形成薄膜之情況中，真 空沈積貫行之條件一般係強烈地依化合物之性質、形狀及 結晶態而定。但是，最佳條件一般係如下所述：加熱器皿 20之溫度·· 100至400°C ;基材溫度：_1〇〇至350°C ;壓力：1.33 X 1〇4 Pa (1 X 1〇2托耳X 10_4 pa (1 X 1〇.6托耳），及沈 積速率：1 pm至6 nm/秒。於有機電致發光裝置中，發光 層厚度係決定其發光性質之因素之一。例如，若發光層不 夠厚，短路會相當容易地於夾住該發光層之二電極間發 49 200307737 生，因此，未獲得電致發光。另一方面，若發光層過厚， 會因其高電阻性而使大量之電位降發生於發光層内側，如 此，電致發光之臨界電壓增加。因此，有機發光層之厚度 係限於5 nm至5 # m之範圍，較佳係1〇咖至則細之範圍。 5於藉由使用旋轉塗覆法及檮製法、喷墨印刷法形成發光層 之it况，塗覆物可使用藉由使組成物以〇〇〇〇1至9〇重量〇/〇 之濃度溶於適當有機溶劑（諸如，苯、甲苯、二曱苯、四 氫咬喃、甲基四氫吱喃、N其二甲基甲_、二氯甲烧、 二甲基硫氧化物等）内而製得之溶液完成。若濃度超過9〇 10重里谷液一般係太黏稠而不再能形成平滑且均質之 膜。另一方面，若濃度少於〇〇〇〇1重量％，形成薄膜之效 率太低而不具經濟性。因此，此組成物之較佳濃度係於〇 〇1 至80重篁％之範圍内。於使用上述之旋轉塗覆法或鑄製法 之情況中，可藉由添加聚合物黏著劑至用以形成發光層之 15溶液而進一步改良形成層之均勻性及機械強度。原則上， 任何聚合物黏著劑可被使用，只要其可溶於溶解此組成物 之溶劑。此等聚合物黏著劑之例子係聚碳酸酯、聚乙烯基 醇、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚乙酸 乙烯酯、環氧樹脂等。但是，由聚合物黏著劑及此組成物 20組成之固體含量超過99重量。/〇，此溶液之流動性一般係太 低而不能形成具優異均勻性之發光層。另一方面，若此組 成物之含量實質上比聚合物黏著劑小，該層之電阻性非常 大，因此’不會發射光線，除非對其施以高電壓。因此， 聚合物黏著劑對組成物之較佳比例係於以重量 50 200307737 計）之範圍内選擇，且溶液内之由二組份組成之固體含量 較佳係於0.01至80重量％之範圍内，且更佳地，係於0.1至 60重量％之範圍内。 作為電子洞運送層，諸如聚乙浠基叶唾
，J. Amer. Chem. Soc· 90 (1968) 3925 中揭示之TPD化合 物：
其中，Q1及Q2每一者代表氫或甲基； 10 J. Appl· Phys. 65 (9) (1989) 3610 中揭示之化合物：
以均二苯乙烯為主之化合物 T T, 其中，丁及兀表示有機基； 51 200307737 以腙為主之化合物 Λ .Ν-Ν
< V 其中，Rx、Ry及Rz表示有機基， 等可被使用。 5 作為正電子洞運送材料之化合物不限於上示化合物。 任何具有運送正電子洞之性質的化合物可作為正電子洞運 送材料，諸如，三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、 聚芳基烧衍生物、吼唑琳衍生物、σ比唑酮衍生物、伸苯基 二胺衍生物、芳基胺衍生物、以胺基取代之查爾酮衍生物、 10 噁唑衍生物、均二苯乙烯基蒽衍生物、芴衍生物、踪衍生 物、均二苯乙烯衍生物、苯胺衍生物之共聚物、pED〇T(^3,4_ 伸乙基二氧-喧吩)及其衍生物、導電性募聚物(特別是0塞吩 寡聚物）、卟啉化合物、芳香族三級胺化合物、均二苯乙 烯基胺化合物等。特別地，芳香族三級胺化合物被使用， 15 諸如，N，N，N’N’_四苯基-4,4，-二胺基聯苯、n，N，_二苯基_ N，N -雙(3-甲基苯基)_4,4’·二胺基聯苯(TPD)、2,2，_雙（二- 對-甲苯基胺基苯基）丙烷、11’-雙(4-二-甲苯基胺基苯基> 4-苯基環己烷、雙(4-二甲基胺基-2-甲基苯基）苯基甲烷、 雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)苯基甲烷、ν，ν，^苯基_n，n，_ 20 一 (心甲氧基苯基)-4,4’-二胺基聯苯、N，N，N，N，-四苯基_4,4，_ 一胺基一本基鱗、4,4’-雙（二苯基胺基）四苯、n，n，N-三（對 -甲苯基)胺、4-(二-對甲苯基胺基)_4，_[4_(二_對_甲苯基胺 基）芪基]均二苯乙稀、4-N，N-二苯基胺基-(2-二苯基乙烯基） 52 200307737 苯、3-甲氧基-4’-N，N-二苯基胺基均二苯乙烯、N_苯基味 唑等。再者，US-B-5,061，569中揭示之4,4，·雙[N_(i-茶基)_ N-苯基胺基]聯苯及EP-A 508,562中揭示之化合物（其中， 二個二本基胺早兀結合至鼠原子’諸如，4,45 4，，-二psj p 5甲基苯基苯基胺基]三苯基胺，可被使用。正電子洞運 送層可藉由於陽極上製造一含有至少一正電子洞運送材料 之有機膜而形成。此正電子洞運送層可藉由真空沈積法、 旋轉塗覆法、鑄製法、喷墨法、LB法等形成。此等方法中， 以輕易性及成本而言，真空沈積法、旋轉塗覆法及鑄製法 10係特別佳。於使用真空沈積法之情況中，沈積條件可以對 用以形成發光層而述者相同之方式選擇（見上述）。若欲形 成包含多於一正電子洞運送材料之正電子洞運送層，共同 蒸發法可使用所欲化合物使用。於藉由旋轉塗覆法或鑄製 法形成正電子洞運送層之情況中，此層可於對形成發光層 15所述者之條件（見上述）下形成。如形成發光層之情況般， 較平滑且更均勻之正電子洞運送層可藉由使用含有黏著劑 及至少一正電子洞運送材料之溶液形成。使用此一溶液之 塗覆作用可以與對發光層所述者相同之方式施行。任何聚 合物黏著劑可被使用，只要其可被溶於可溶解至少一正電 2〇子洞運送材料之溶劑内。適當聚合物黏著劑之例子及其適 當及較佳之濃度係如上於描述形成發光層時所示者。正電 子/同運送層之厚度較佳係於〇·5至之範圍内選擇， 軏佺係1至100 nm，更佳係2至50 nm。作為電子洞注射材 料，已知之有機電子洞運送化合物可被使用，諸如，例如 53 200307737 於JP64-7635中所述之無金屬之欧菁（职〇、鋼或菁（Cu_pc) 及其衍生物。再者，上述作為電子洞運送材料而界定之某 些芳香族胺（其具有比電子洞運送層更低之離子化電勢）可 被使用。電子洞注射層可藉由於陽極層與電子洞運送層間 5製造含有至少一電子洞注射材料之有機膜而形成。電子洞 注射層可藉由真空沈積法、旋轉塗覆法、鎢製法、法等 形成。此層之厚度較佳係5 nniS5/zm，且更佳係1〇 nmS 100 nm 〇 電子運送材料（例如，金屬錯合化合物或含氮之五員 10衍生物）舄具有尚的電子注射效率（來自陰極)及高的電子移 動性。下列材料可被例示作為電子運送材料：8_羥基喹啉 鋰、雙(8-私基。奎琳）鋅、雙(心經基^奎琳）銅、雙(8_經基口奎 啉)猛、三(8-羥基喹琳)鎵、三(8_羥基喹啉)紹(111)及其衍生 物（例如’二(2-甲基-8-經基4琳）紹）、雙（1〇_經基苯并叫 15 喳琳基)鈹(Η)及其衍生物、雙（10-羥基苯并[h]喳啉)辞、雙 (2_甲基_8·喹啉）氣鎵、雙(2-甲基-8-喳啉)(鄰_甲酚)鎵、雙(2_ 曱基各喳啉)(1_萘酚)铭、雙(2-甲基-8-喹啉鹽)(2-萘紛)鎵、 雙(2-甲基-8-喳啉鹽）酚鎵、雙（鄰-(2-苯并噁唑基）酚)鋅、 雙(鄰-(2-苯并喧唾基)紛)鋅及雙（鄰-(2-苯并三嗤基)紛)鋅； 2〇 噁二唑衍生物（諸如，2-(4-二苯基）-5-(4-第三丁基苯基）-1，3,4_噁二唑及2,5_雙（1-萘基)-1，3,4-噁二唑），及其二聚物 系統(諸如，1，4·雙[2-(5-苯基噁二唑基）笨、1，4-雙[2-(5-苯 基噁二唑基)-4-第三丁基苯]、2,5_雙（1-苯基)-i，3,4-噁二 唑、2-(4、第三丁基苯基)-5_(4，，-聯苯基）1，3,4-噁二唑、i，3_ 54 200307737
雙(4-第三丁基苯基-U，4)a惡二唾基]伸聯苯基及以雙⑷第 三丁基苯基-1，3,4-嚼二唾基）伸笨基）、嗔峻衍生物、二哇 心衍生物塞嗤衍生物"塞二唾衍生物、三嗤衍生物，諸 如，2,5-雙⑴苯基)]，3，ρ惡唾、认雙(2朴甲基士苯基喔 5唑基）苯、2,5-雙（1-苯基η，3,4_三唾、2_(4、第三丁基笨 基)_5_(4”-聯苯H，3,4_t唾、2,5_雙（1•茶基…+紅 坐Μ又[2-(5-笨基嘍唾基)]苯、2·(4，_第三丁基苯基)_5_ (4”-聯苯⑷+三嗤，或W雙⑴萘基Η，3,4_三嗤及认 雙[2-(5-苯基二唾基)]苯，香豆素衍生物、味唾吼唆衍生物、 10菲口各琳何生物或二苯鼓苯四竣酸衍生物，其係揭示於八⑽·
Phys.Lett.48 (2)(1986) 183。
電子運送層可藉由於電子洞運送層上或於發光層上製 造含有至少-電子運送材料之有機膜而形成。電子運送層 可藉由真空沈積法、旋轉塗覆法、鑄製法、LB法等形成。 15較佳地，用於正電子洞抑制層之正電子洞抑制材料具有從 電子運送層至發光層之高的電子注射/運送效率，且亦具 有比發光層更高之離子化電勢，以避免自發光層流出正電 子洞，以避免發光效率下降。作為正電子洞抑制材料，已 知材料可被使用，諸如，Balq、TAZ及菲繞啉衍生物，例 20 如’浴銅靈（bathocuproine) (BCP):
55 200307737
BCP 正
φ 工、、 BaIq TAZ 购彻可㈣於電子料層及發光相製造一含 5 10 15 20 二:ί電子洞抑制材料之有機膜而形成。此正電子洞 ρ 1曰可错由真空沈積法、旋轉塗覆法、鑄製法、嗔墨印 刷法、LB法等形成。此層之厚度較佳係於5 nm m之 範圍内選擇’且更細一⑽之範圍内。如於形 成發光層或正電子《送層之情況，較平滑且更均勻之電 :運达層可藉由使用含有黏著劑及至少一電子運送材料之 =液而形成。電子運送層之厚度較佳係於05至刪肺之 範圍内選擇，較佳似至刚nm，更佳係2至5〇咖。 電子洞左射材料可藉由併納電子接收材料而增加敏感 f生且電子;主射材料可藉由併納電子給予材料而增加敏感 性0 於本發明之有機電致發光裝置中，除本發明之發光性 2H-苯开三唾材料外，發光層可另含有其它發光材料、其 匕摻雜劑、其它電子洞注射材料及其它電子注射材料之至 少H改良本發明之有機電致發光裝置之抗溫度、濕 度及周圍壓力之安定性，保護層可於此裝置之表面上形 成’或此裝置整體可以㈣油等密封。用於陰極之導電性 材料係適當地選自具有小於4 ev功函數者。導電性材料包 含鎂、鈣、錫、鉛、鈦、釓、鋰、釕、錳、鋁及此等之合 金’但導電性材料不應受限於此。合金之例子包含鎂/銀、 鎂/銦’及鋰/鋁，但合金不應受限於此。陽極及陰極之每 -者可依所需具有由二或更多層形成之層結構。 56 200307737 為使有機電致發光裝置有效發光，至少一電極於此裝 置之發光波長區域内係具所欲之充分透明度。再者，基材 所欲地亦係透明的。透明電極係自上述導電性材料且藉由 沈積法或喷濺法製得，如此，可確保預定透光率。發光表 5 面側上之電極具有，例如，至少10%之透光率。基材未被 特別受限，只要其具有適當之機械及熱強度且具有透明 性。例如，其係選自玻璃基材及透明樹脂基材，諸如，聚 乙烯基材、聚對苯二甲酸乙二酯基材、聚醚颯基材及聚丙 烯基材。 10 於本發明之有機電致發光裝置中，每一層可藉由乾燥 膜形成方法，諸如，真空沈積法、喷濺法、等離子體法及 離子電鍍法，及濕膜形成方法，諸如，旋轉塗覆法、浸潰 法及流動塗覆法之任一者形成。每一層之厚度不被特別限 制，但每一層需具有適當厚度。當層厚度太大時，需要高 15電壓以便達成預定之光線發射。當層厚度太小時，此層易 具有小洞等，如此，充足之發光亮度難以於施加電場時獲 得。每一層之厚度係於，例如，約5 nm至約1〇"m之範圍 内，例如，約10 nm至約〇·2 # m。 於濕膜形成方法中，用以形成所欲層之材料被溶解或 20分散於適當溶劑，諸如，乙醇、氯仿、四氫呋喃及二噁烷， 且薄膜係自此溶液或分散液形成。溶劑需不受限於上述溶 劑。為改良薄膜之可形成性及避免於任何層内發生小洞， 上述用以形成此層之溶液或分散液可含有適當樹脂及適當 添加劑。可被使用之樹脂包含絕緣性樹脂，諸如，聚苯乙 200307737 5 10 稀永奴酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚醯胺、聚胺基甲酸 酉曰、聚礙、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯及纖維素、 專之共聚物，光導性樹脂，諸如，聚-N-乙嫦基吟°坐及 \夕燒，及導電性聚合物，諸如，聚嚯吩及聚σ比洛。上述 、V加Μ包含抗氧化劑、紫外線吸收劑及塑化劑。 當本發明之發光苯并三唑材料被用於有機電致發光袭 置之發光層時，有機電致發光裝置可於有機電致發光裝置 特性（諸如，發光效率及最大發光亮度)被改良。^者^本 發明之有機電致發光裝置對於熱及電流係具顯著安定性 且於低趨動電壓時產生可用之發光亮度。傳 疋 性惡化可顯著地被減少。 、、、羞置之問題 如下化學式之2Η_苯并三唑化合物
(I) 15 係新穎的，且形成本發明之另一標的，其中 &係0或1， b係0或1， 若b係1時，X1係如下化學式之基 —N::::Sk 或若b係0時，X1係Y3，其中， 20 c係〇或1， X2及X3彼此個別係如下化學式之基 58
'N-Y3.
N 其中，d係〇或1， AH、Arj Ar3彼此個別係芳基 — 代，特別是cvc3。芳基或cvc 基，其可選擇性被取 代， 6,准方基，其可選擇性地被取 γ1及Y2彼此個別係二價鍵結基，且 γ3及Υ3 ’彼此個別係芳基或雜芳 e ^ V卷，其可選擇性地被取代， 特別是c6-c3G芳基或crc26雜芳 方基，其可選擇性地被取代。 於化學式Ila之化合物中， 下列竹主物被製得 N-Y"
Ν：Ν'Υ3
'N
學式Ilb，lie及lid之化合物係更佳 I：實施方式3 10 A23/ 及
下列實施例係例示本發明。於實施例及整個此申請案 15中，發光材料一辭係意指本發明之2H-苯并三唑化合物。 實施例1
A1 59 200307737 2-(2-羥基-5-曱基苯基）苯并三唑（10.0克，44.4毫莫 耳），碳酸鉀（12·0克，86.8毫莫耳），丙酮（150毫升），及苯 甲基溴化物（5·3毫升，7.6克，44.6毫莫耳）被置於500毫升 之具攪拌棒之燒瓶内。混合物被加熱至70°C(迴流）並劇烈 5 攪拌，總共持績8小時。混合物被冷卻至室溫並過濾。於 真空中移除揮發性物質產生無色之油。產物自5:1之己烷： 丙酮（55毫升）結晶化產生無色固體。產量：12.86克，40.8 毫莫耳，92%。Tm=68°C。iHNMRCppm，CDC13) : 7.97 (m， 2H)，7.53 (d，1H)，7.42 (m，2H)，7·24 (m，6H)，7.04 (m，1H)， 10 5.14 (s，2H)，2.35 (s，3H)。此材料具有407 nm之λ最大值發 射，CIE (0.159, 0.037)(於溶液内）。 實施例2
2-(2-經基-5-甲基苯基)苯并三唾(2.64克，11.7毫莫耳）， 15碳酸鉀(2.0克’14毫莫耳），丙_(60毫升），及9-氣甲基蒽(2.66 克，11.7毫莫耳）被置於250毫升之具攪拌棒之燒瓶内。混 合物被加熱至70°C(迴流)並劇烈攪拌，總共持績32小時。 混合物被冷卻至室溫並過濾。於真空中移除揮發性物質產 生呈些微黃色之固體，4.83克，11.6毫莫耳，99%。產物 20 係於己烧：乙酸乙酯（5:2)中研磨隔夜。過濾並於真空中移 60 200307737 除揮發性物質，產生淡黃色固體。產量：3.53克，8.50毫 莫耳，73%。Tm=132°c ^HNMR (ppm，CDCl3) :8.41 (s，1Η)， 8·26 (d，2H)，7.94 (dd，2H)，7·87 (m，2H)，7·52 (s，1H)，7·40 8H)，6·04 (s，2H)，2·40 (s，3H)。 實施例3
2,2’-伸甲基雙-(6_(2H_苯并三唑基)-4-甲基酚㈣·！^-；^ 4,937,348)(3.00克，6.49毫莫耳）於DMF(30毫升）内形成淤 漿。混合物被加熱至40°C，且於CH3OH(2.40毫升，13毫莫 10 耳）内之NaOMe(5.4M)經由注射添加，形成一橙色之均質 混合物。混合物之溫度升至70°C，且苯甲基溴化物（1.70毫 升，2.44克，14·3毫莫耳)經由注射添加。於i〇〇°c4小時後， 揮發性物質於真空中移除，產生半固體。產物係使用管柱 色譜分析術（19:1之己烧：乙酸乙酯）獲得。產量：3.32克， 15 5·17毫莫耳，80%。Tm=150°C。iHNMRCppm，CDC13) : 7.90 (m，4H)，7.42 (d，2H)，7.38 (m，4H)，7.08 (m，6H)，6.97 (m， 4H)，6.90 (d，2H)，4.34 (s，4H)，2.26 (s，6H)。 實施例4 200307737
2-(5-魏基_2H-苯并三唑基）-4,6-二_第三丁基酚（5 〇〇 克，13.6毫莫耳）、碳酸鉀（5·64克，40.8毫莫耳）、丙酮（8〇 毫升）及DMF(40毫升）被置於250毫升之具攪拌棒之燒瓶 5内。碘基甲烷(4·2毫升，9.6克，68毫莫耳)經由注射添加。 混合物被加熱至45°C且持續17小時。揮發性物質於真空中 移除，且產物以甲苯萃取。過濾並於真空中移除甲苯，產 生定量產率之無色固體。4.0克之材料於矽石上使用己院： 乙酸酯（19:1)進行色譜分析，產生3.8克，9.6毫莫耳，95%(純 10 化步驟)之產物。Tm=112°C。iHNMR^ppn^CDCljUMs， 1H)，8.09 (m，2H)，7.56 (d，1H)，7.51 (d，1H)，4.02 (s，3H)， 3.10 (s，3H)，1.48 (s，9H)，1·37 (s，9H)。此物料具有445之入 最大值發身ί，CIE (0.157, 0.132)(於溶液内)〇 實施例5
2-(5_氣-2Η_苯并三嗤基)-4,6-二-第三丁基酚(3〇 〇6克， 83.99¾莫耳）’碳酸鉀(23.3克，〇·ΐ69莫耳），丙酮(2〇〇毫升) 及埃基甲烧(26毫升，59克，0·42莫耳，按份添加）被加熱 200307737 至45°C且持續3天。混合物被冷卻並於真空中移除揮發性 物質。產物以甲苯溶解，過濾並於真空中移除揮發性物質， 產生無色固體。產量31.18克，83.84毫莫耳，99.8%。Tm = 224°C. lH NMR (ppm, CDC13): 8.16 (d? 1H), 8.12 (d5 1H)? 5 7.69 (d，1H)，7.63 (d，1H)，7.57 (dd，1H)，3·25 (s，3H)，1·62 (s， 9H)，1.51 (s，9H)。 實施例6
實施例5之化合物(2.00克，5·38毫莫耳）、碳酸奸(2.23 10 克，16·1毫莫耳)及苯基硼酸(0.98克，8.04毫莫耳)於甲苯(3〇 毫升）内形成淤漿，且於氬氣下加熱至1HTC。烯丙基三環 己基膦基鈀氣化物(cf· W001/16057)(20毫克)被添加，其後 於ll〇°C加熱24小時。混合物被冷卻至室溫，且經由矽石 墊過濾並以甲苯洗清。揮發性物質於真空中移除，且粗製 15 物料於戊烷(20毫升)粉碎15小時，產生清淅溶液。產量1.53 克，3.70毫莫耳，69%。Tm= 152°C。^NMR&pm，CDC13): 8.28 (s，1H)，8·18 (d，1H)，7·82 (m，3H)，7·62 (m，4H)，7·37 (m，1H)，3·23 (s，3H)，1.58 (s，9H)，1.46 (s，9H)。此物料具 有413nm之λ最大值發射，CIE(0.157,0.053)(於溶液内）。 20 實施例7 63 200307737
5-胺基-2-苯基-2H-苯并三峻(Kehrman等人，Chem.Ber· 1982, 25, 899)(2.10克，1〇·〇毫莫耳）、碳酸鉀(4·15克，30.0 毫莫耳)及苯甲基溴化物(3.42克，20.0毫莫耳)被置於100毫 5升之具DMF(30毫升）及攪拌棒之燒瓶内。混合物被加熱至 100°c且持續15小時。燒瓶被冷卻且添加乙酸乙酯。溶液 被萃取並以水洗清(5 X 250毫升）以移除DMF。以]^§804乾 燥’過濾，且於真空中移除揮發性物質，產生黃綠色半固 體。產物藉由於己烧：丙酮(4:1，30毫升）中粉碎而純化， 10其後自甲苯(2〇毫升）結晶化。產量2.12克，5.43毫莫耳， 54% 〇 Tm = 158°C 〇 lH NMR (ppm5 CDC13): 8.24 (d5 2H), 7.73 (d，1H)，7.49 (t，2H)，7.29 (m，11H)，7·17 (dd，1H)，6·91 (d， 1H)，4.75 (s，4H)。此物料具有455麵及497腿之人最大值發 射（於溶液中）。 15實施例8
E1 5-胺基_2_苯基-2H·苯并三ϋ坐(Kehrmann等人，Chem· Ber. 1892, 25, 899，2.00克，9.51 毫莫耳）、碳酸鉀(3.47克，25.1 200307737
毫莫耳）及1，2,4,5_四溴甲基苯(2.14克，4.76毫莫耳)被置於 100毫升之具攪拌棒之燒瓶内。DMF(40毫升）被添加，且 混合物被加熱至l〇〇°C。4小時後，濃稠之黃色沈澱物被發 現，且TLC顯示僅一具非常低Rf之組份（1:1之己烷：乙酸乙 5酯）。燒瓶被冷卻，並添加水(30毫升）。產物被過濾並以水 清洗數次，然後以甲醇清洗。剩餘之揮發性物質於真空中 移除，產生黃色固體。產量2.49克，4.56毫莫耳，96%。T m =364°C; Tg = 167°C· MS (EI): 546 (M+)。 實施例9 η η ^
a)苯坐卡因（23.00克，139·2毫莫耳)於水(400毫升)形成 淤漿，且濃縮HC1(29毫升，0.35莫耳)被添加，形成均質溶 液。混合物被冷卻至〇°C，且於水(5〇毫升）中之亞硝酸鈉 (10.09克，146.2毫莫耳)被滴入。40分鐘後，於水(2〇毫升) 15中之氨基績酸克’ Η毫莫耳)被緩慢添加以破壞過量之 亞硝酸鹽。重氮鹽係以套管插入2·5公升之反應器内，其 含有於水(800毫升，〇°C)内之1-萘基胺_2·磺酸(31〇8克， 139.2毫莫耳）、碳酸鈉(29·5克，0.278莫耳）。於〇至5。〇持 續2小時後，產物被過濾，且以水(2 x 300毫升)清洗，形成 20紅色固體。TLC顯示一主要點及小量雜質。所有被用於b)。 200307737
b)得自a)之產物及乙酸銅(Π)(〇·25克，1·38毫莫耳)於第 三戊基醇中形成淤漿。加熱至8〇°C時，混合物變均質，且 弟二丁基過氧化氫（100毫升，70克，〇·78莫耳）於2天期間 5 添加。混合物被冷卻，並過濾移除產物。以第三戊基醇清 洗，並於真空中移除揮發性物質，產生粉紅色固體。產量 27.46克，86·53毫莫耳，62%。Tm= 161〇C。iHNMRCppm， CDC13): 8.42 (d，1H)，8·23 (d，2H)，8·01 (d，2H)，7·66 (d，1H)， 7·55 (m，2H)，7.45 (m，2H)，4.21 (q，2H)，1·22 (t，3H)。 10 實施例10
得自實施例9之產物於乙醇:水（w，7〇〇毫升）中形成淤 漿，且氫氧化鈉(6.94克，0.174莫耳）被添加。混合物被加 熱迴流（外部105 C)持續4小時。燒瓶被冷卻至7〇°c ’並過 15濾產生此產物之淡棕色溶液。隔夜冷卻至室溫時，結晶形 成。產物被過濾，以乙醇：水（1:1，5〇毫升）清洗，並使用 高度真空乾燥。此物料於未純化下用於實施例n。產量： 21.22克，68.17毫莫耳，79%。 賞施例11 66 200307737
實施例10之產物(3.00克，9.64毫莫耳)於室溫時於二氣 甲烷(40毫升，含有數滴DMF)内形成淤漿。亞硫醯基氣化 物(2.4毫升，3.9克，33毫莫耳)經由注射添加，造成沈殿物 形成並放熱。燒瓶被加熱至53°C之外部溫度，且持續5^ 時，以後冷卻至室溫。揮發性物質於真空中移除，產生、* 棕色固體。於N-甲基吡咯烷酮(20毫升）内N_苯基4,2_笨— 胺（1.78克，9.66莫耳）之溶液於氬氣中滴至此固體。於 30分鐘後，混合物被加熱至60°C且持續2小時。產物藉由 ίο 倒入水中、過濾並以水及曱醇(25毫升）清洗而隔離。古 而度 真空被用以隔離此物料。此物料於真空（100毫巴）下加熱 260°C，且持續3小時，形成產物之溶融物。冷卻至室温 產物以二氣甲烷萃取，並經矽石墊過濾。溶劑於真空中矛多 除，產生近無色之固體，藉由TLC(己炫：乙酸乙酯， 僅 15 一點。產量3.03克，6.93毫莫耳，72%。此物料藉由於 MeOH(25毫升）内粉碎隔夜而純化。過濾並於真空中移☆ 揮發性物質，產生無色固體。產量2·48克，5·67毫莫耳， 59%。Tm = 208°C，Tg = 75〇C。MS (ΕΙ): 437 (Μ+)。4 (ppm，CDC13): 8·54 (d，1Η)，8·27 (d，2Η)，7·84 (m，2Η)，7 ^ (m，2H)，7.67 (d，1H)，7.58 (m，3H)，7.46 (m，3H)，7 32 (仿 3H)，7·23 (m，2H)。 67 20 200307737 實施例12
3,7-二胺基二苯并σ夫喃(Nimura，S·等人，JPhys· Chem· A 1997，101，2083)(10.0克，50·4毫莫耳）、水（150毫升）及 5 濃度之HC1(25毫升，0.30莫耳）被置於5〇〇毫升反應器内。 於水(28毫升）内之亞硝酸鈉（7·00克，〇·ΐ〇ΐ莫耳)於〇。〇時滴 入。DMF(45毫升）係以足夠緩慢地添加，以使溫度不高於 5°C。10分鐘後，重氮鹽被滴至於水（1〇〇毫升）、DMF(50毫 升）及HC1(10毫升，0.12莫耳）内之2_萘基胺（144克，〇 1〇1 1〇莫耳）溶液’產生暗色混合物。乙酸納三水合物(40克，0.29 莫耳）於0°C添加至此反應，其後於室溫攪拌2小時。重氮 中間產物被過渡並以水清洗。產物被置於具有响咬(225毫 升）及乙酸銅(II)單水合物（50克，〇·25莫耳）之丨公升反應器 内。混合物被加熱迴流6小時，然後冷卻至室溫。灰棕色 15產物被過濾並以水(7x 15〇毫升)及甲醇(2Χ50毫升）清洗。 揮發性物質於真空中移除。化合物藉由溶解於熱的三氯苯 中純化，經由活性概(於熱時）過渡，並冷卻至室溫，產生 黃色結晶。產率13.15克，26.2毫莫耳，52%。= 348〇c. MS (El): 502 (M+) 〇 20 實施例13 68 200307737
说5-二漠苯胺(㈣克，π·5毫莫耳)於室溫時被溶於 EtOH(130毫升）。攪拌時，叫〇4(4 2毫升，7·7克，79毫莫 耳）經由注射添加’造成沈澱物發生。揮發性物質於真空 5 中移除，產生灰棕色粉末。 上述之硫酸苯胺鹽(26.00克，77.〇毫莫耳)於代時於水 (200毫升）及HC1(5毫升，6〇毫莫耳）中形成於聚。於水(3〇 毫升）中之亞姐鹽⑽克，77.〇毫莫耳)被滴入。反應於〇 °C時擾拌2小時。重氮餘雜份杨至於乙醇⑽毫升， 10亦於〇。〇内之2-萘盼(1U克，77.〇毫莫耳)溶液。橙色混合 物被攪拌3小時，且加溫至室溫。產物被過濾並以水(3 X 毫升）清洗，且於真空下乾燥。產物藉由於19:1之己烷：乙 酸乙酯（200毫升）内粉碎而純化，過濾並於真空中乾燥，產 生橙色固體。產量28.13克，69.27毫莫耳，90%。τ = A dec 15 170°c 〇 ιη NMR (ppm, CDC13)： 8.63 (d, 1H)? 8.32 (d5 1H), 7.85 (d，1H)，7.72 (m，2H)，7.62 (d，1H)，7.57 (t，1H)，7.35 (dd，1H)，6.93 (d，1H)。
b)得自a)之產物(28.13克，69.27毫莫耳）、疊氮化鈉(4.50 20克，69·3毫莫耳)及漠化銅(1)(0.10克，0.69毫莫耳)被置於5〇〇 69 200307737 毫升之具攪拌棒及DMF(200毫升）之燒瓶内。混合物被加 熱至80°C且持續2小時，並冷卻至室溫。溶液被倒入水(5〇〇 愛:升）中’並以水(4 X 500毫升)清洗。於真空中移除揮發性 物質，產生棕色固體，藉由TLC(1:1之己烷：乙酸乙酯）純化。 5 產量21」克，62.0毫莫耳，90〇/〇。iHNMRbpn^CDClJ 8.62 (d，1H)，8·22 (s，1H)，7.90 (m，3H)，7.60 (m，2H)，7·41 (m， 2H)。 實施例14
10 實施例13之產物（20.7克，60.9毫莫耳）及碳酸鉀（16·9 克，122¾莫耳）被置於5〇〇毫升之具擾拌棒及dmf(2〇〇毫 升）之燒瓶内。峨基甲烧(7.8毫升’ 17.8克，122毫莫耳）經 由注射添加。燒瓶被加熱至50°C(外部）且持續3小時。揮發 性物質於真空中移除，且產物以甲苯:水（1:1，u)萃取。有 15機相被分離並乾燥。過濾及於真空中移除揮發性物質，產 生棕色固體，藉由TLC及NMR純化。產量17·2克，48·6毫 莫耳 ’ 80%〇Tm = 116。〇 iHNMR (ppm，CDC13): 8.22 (s，1Η)， 8·06 (d，1H)，7·92 (d，1H)，7.87 (m，1H)，7.56 (dd，1H)，7.41 (m，3H)，6.92 (m，1H)，3.88 (s，3H)。 20 實施例15 200307737
V A9 實施例14之產物(5.00克，I4·1毫莫耳）、二苯基胺(2.39 克，14.1毫莫耳）、第三丁基氧化鈉(2.71克，28·2毫莫耳）、 三-(二苯甲叉基丙酮）二鈀(0)(129毫克，0.141毫莫耳)及雙_ 5 (二苯基膦醯基）芴（156毫克，0.281毫莫耳)被置於250毫升 之具攪拌棒之燒瓶内。甲苯（1〇〇毫升)被添加，且此混合物 被加熱至100°C且持續24小時。產生被吸附於氧化鋁上， 且使用己烷：乙酸乙酯（15:1)進行色譜分析術。產物經由昇 華進一步純化。Tm=214°C，Tg=78°C。MS (EI):442 (M+)。 10 屯 NMR (ppm，CDC13): 8.14 (d，1H)，7.94 (d，2H)，7.51 (m， 4H)，7·38 (m，5H)，7.28 (m，4H)，7.16 (m，3H)，4.00 (s，3H)。 此物料具有478 nm之λ最大值發射（於溶液中）。 實施例16
3-胺基熒蒽（10.85克，49.94毫莫耳）被懸浮於水(50毫 升)及HC1(12M，10毫升，〇·12莫耳，〇°〇中。於水(10毫升） 中之亞硝酸鈉（3.50克，50.7毫莫耳）係於15分鐘期間被滴 入。於0°C持續30分鐘後，紅棕色溶液被過濾。吐氏酸(2-萘基胺-1-磺酸)(11.15克，49·96毫莫耳)被溶於吡啶(50毫升) 200307737 内，且冷卻至o°c。然後，重氮鹽溶液於0〇c時於3〇分鐘期 間被滴入。2小時後’懸浮液被過瀘，以水清洗，且於真 空中乾燥’產生紫紅色固體。此物料（15.6克，42.0毫莫耳) 於1公升反應器内之咣啶(250毫升）中加熱至⑹艺。於水（1〇〇 5毫升）中之硫酸銅(11)五水合物(26.4克，0.105莫耳）被滴至 此重氮化合物。然後，溫度上升至90°C且持續4小時。混 合物被冷卻至室溫並過濾，產生淡棕色固體。此化合物藉 由結晶作用純化。產量7.9克，21.4毫莫耳，51%。Tm=155 〇C。MS (APC1): 370.1 (M+1)。此物料具有478 nm之；I 甚. 最大 10值發射（於溶液中）。 實施例17
a)4-溴苯胺(23.63克，137.4毫莫耳）使用HC1(31毫升， 372毫莫耳）溶於水(250毫升）中。此混合物被冷卻至〇°C， 15 且於水(30毫升）内之亞硝酸鈉（9·48克，137毫莫耳）於3〇分 鐘期間被滴入。45分鐘後，重氮鹽經由插管添加至於水(6〇〇 毫升，〇°C)内之吐氏酸(30.66克，137.4毫莫耳)及碳酸鈉(25」 克，234毫莫耳)之混合物。2小時後，紅色沈澱物被過濾， 且以水(2 X 300毫升）清洗。產物於真空中乾燥，產生紅色 20 固體。化合物於甲醇（175毫升）内粉碎隔夜。過濾及於真空 200307737 中移除揮發性物質，產生紅色固體，藉由TLC純化。紅色 染料一般被直接用於下一步驟。MS (EI): 325 (M+)。iHNMR (ppm，CDC13):8.74 (d，1H)，7·68 (d，2H)，7.59 (d，2H)，7·53 (m，2H)，7.47 (t，1H)，7·27 (t，1H)，6·77 (d，1H)。
b)得自a)之產物（10.00克，30.66毫莫耳)及乙酸銅(11)(50 毫克，〇·28毫莫耳）被置於250毫升之具攪拌棒之燒瓶内。 第三戊基醇（100毫升)被添加，且混合物被加熱至80。(：。第 三丁基過氧化氫（13.7毫升，100毫莫耳)被緩慢添加，且反 10 應藉由TLC監測。燒瓶被冷卻至室溫，且產物被過濾。以 第三戊基醇清洗且於真空中移除揮發性物質，產生淡玫瑰 色固體。產量7·82克，24·1 毫莫耳，79%°MS (ΕΙ): 323 (Μ+)。 iH NMR (ppm，CDC13): 8.49 (d，1H)，8.15 (d，2H)，7.76 (d， 1H)，7·64 (m，2H)，7.55 (m，4H)。 15 實施例18
a)鎂削（1·67克，68.7毫莫耳)於氬氣下乾燥攪拌丨小時。 醚(32毫升)被添加，其後添加2滴二溴乙烷。於醚(2〇毫升) 及THF(25毫升）内之4_溴-4，-第三丁基聯苯(Murphy，s•等 20 人，/.6^.以緣 1995,60,2411)(10.0克，3(6毫莫耳)於1 小時期間滴入。混合物於37。(：迴流2小時。於個別燒瓶内， 73 200307737 三異丙基硼酸鹽（9·4毫升，7.7克，41毫莫耳）及THF(30毫 升)於氬氣下冷卻至_78°C。上述格里那試劑經由插管添加， 且反應於-78T：時攪拌1小時。燒瓶被加溫至室溫，且另外 攪拌1小時。混合物被倒入含有HC1、水之燒瓶内，並被攪 拌2小時。灰棕色產物被過濾且以水清洗。於真空中移除 揮發性物質，產生灰白色固體。產量5.67克，22.3毫莫耳， 64%。Tm=192°C。咕 NMR (ppm，（CD3)2SO): 7.80 (d，2H)， 7.55 (二重疊雙峰，4H)，7.41 (d，2H)，1.25 (s，9H)。
ίο 15 b)得自a)之產物(2.00克，6·13毫莫耳）、實施例19之產 物(2·54克，9.99毫莫耳）、碳酸鉀(2.36克，17.1毫莫耳）及 甲苯(50毫升）於氬氣下攪拌30分鐘。烯丙基三環己基膦基 鈀氣化物（W001/16057)(40毫克）被添加，其後於ll〇°C加 熱24小時。混合物被冷卻至室溫，且吸附於矽石凝膠上。 產物藉由管柱色譜分析術且使用己烷：乙酸乙酯（9:1)而純 化，產生褐色固體（0.90克，1.98毫莫耳，32%)。Tm=245 °C。產物具有414 nm之λ最大值發射（於溶液中），及70%之 量子效率。 應用實施例1(裝置） 下列裝置結構被製造： ΙΤΟ(陽極，ΙΤΟ係銦錫氧化物）
CuPC(銅酞菁；電子洞注射材料） 74 20 200307737 NPD(4,4’4(1-萘基-苯基胺基)聯苯；電子洞運送材料) DPVBi(4,4’-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯笨)(主體)/實施 例16之化合物(2.6%，客體）
Alq3(三_8-喹啉鋁；電子運送材料） 5 LiF/Al(陰極）。 使用此裝置結構，816 cd/m2之最大亮度於9V時觀察到 (0.89cd/A)，且於489 nm具發射入最大值，其係相似於溶液 中客體材料。 應用實施例2(裝置） 1〇 下列裝置結構被製造： ITO(陽極，ITO係銦錫氧化物）
CuPC(銅酞菁；電子洞注射材料） NPD(4,4’-雙（1·萘基苯基胺基)聯苯；電子洞運送材料) DPVBi(4,4’·雙(2,2-二苯基-1-乙烯基)聯苯)(主體y實施 15 例15之化合物(2.2%，客體）
Alq3(三-8-喳啉鋁；電子運送材料）
LiF/Al(陰極）。 使用此裝置結構，3120 cd/m2之最大亮度於11V時觀察 到（1.8cd/A)，且於493 nm具發射；I最大值，其係相似於溶液 20 中客體材料。 應用實施例3(裝置） 下列裝置結構被製造： ITO(陽極，ITO係銦錫氧化物）
CuPC(銅酞菁；電子洞注射材料） 75 200307737 NPD(4,4’-雙（1-萘基-苯基胺基)聯苯；電子洞運送材料) 實施例12之化合物
Alq3(三-8-喳啉鋁；電子運送材料）
LiF/Al(陰極）。 5 使用此裝置結構，1230 cd/m2之最大亮度於15V時觀察 到（l.lcd/A)，且於471 nm具發射λ最大值。 應用實施例4(裝置） 下列裝置結構被製造： ΙΤΟ(陽極，ΙΤΟ係銦錫氧化物） 10 CuPC(銅酞菁；電子洞注射材料） NPD(4,4’-雙（1-萘基-苯基胺基)聯苯；電子洞運送材料） 實施例11之化合物
Alq3(三-8-喳啉鋁；電子運送材料）
LiF/Al(陰極）。 15 使用此裝置結構，720 cd/m2之最大亮度於10V時觀察 到（0.71cd/A)，且於432 nm具發射λ最大值。 應用實施例5(裝置） 下列裝置結構被製造： ΙΤΟ(陽極，ΙΤΟ係銦錫氧化物） 20 CuPC(銅酞菁；電子洞注射材料） NPD(4,4’-雙(1-萘基-苯基胺基)聯苯；電子洞運送材料） DPVBi(4,4’_雙(2,2_二苯基-1-乙烯基)聯苯)(主體)/實施 例7之化合物(3.1%，客體）
Alq3(三-8-喹啉鋁；電子運送材料） 200307737
LiF/Al(陰極）。 使用此裝置結構，4130 cd/m2之最大亮度於mv時觀察 到（2.1cd/A) ’且於461 nm具發射λ最大值，其係相似於溶液 中客體材料。 5 本發明實施例中獲得之有機電致發光裝置顯示優異之 發光亮度，並達成高發光效率。當上述實施例中獲得之有 機電致發光裝置於3 (mA/cm2)連續發光時，所有之有機電 致發光裝置保持安定。因為本發明之發光材料具有非常高 的螢光量子效率，使用此發光材料之電致發光裝置於低電 1〇流應用區域達成具高亮度之發光，且當發光層另外使用摻 雜材料時，此有機電致發光裝置於最大發光亮度及最大發 光效率被改良。再者，藉由添加具不同螢光顏色之摻雜物 料至本發明之發光物料，其獲得具不同發光顏色之發光裝 置。 ’ 本發明之有機電致發光裝置完成於發光效率及發光亮 度與較長裝置壽命之改良，且未對混合使用之發光物料、 乜雜劑、電子洞注射材料、電子注射材料、敏化劑、樹脂 及電極材料及製造此裝置之方法加諸任何限制。 使用本發明物料作為發光材料之有機電致發光裝置達 2〇成具有高亮度之發光，其相較於傳統裝置，係具有高發光 效率及較長壽命。依據本發明之發光材料及本發明之有機 電致發光裝置，其可達成具高亮度、高發光效率及長壽命 之有機電致發光裝置。 【陶式簡單說明】 200307737 (無） 【圖式之主要元件代表符號表】 (無)
78

Claims (3)

  1. 200307737 拾、申請專利範園： 1·一種電致發光襄置，包含一肌苯并三唾化合物，特別 是如下化學式之化合物：
    5 a係〇或1， b係0或1， 右b係lBxf ’ X1係如下化學式之基
    或若b係0時，χΐ係γ3，其中， 10 c係〇或1， X2及X3彼此個別為如下化學式之基
    其中，d係〇或1，
    Ar1 ' Ar2及Ar3彼此個別為芳基或雜芳基，其可選擇性 15地被取代，特別是C^Cso芳基或CrC26雜芳基，其可選擇性 地被取代， Y1及Y2彼此個別為二價鍵結基，且 Y3及Y3’彼此個別為芳基或雜芳基，其可選擇性地被取 代特別疋eve%芳基或crC26雜芳基，其可選擇性地被取 20 代。 2·如申明專利範圍第1項所述之電致發光裝置，包含如下 79 200307737 化學式之2H-苯并三唑化合物 N (II)， (III)，
    ΘϊΝ-γΐ-Ν5Θ
    項所界定， Ar4表示C6-C3Q芳基或C2-C26雜芳基，其可選擇性地被 10 取代，及
    Y3及Y3’彼此個別為C6-C3Q芳基或c2-c26雜芳基，其可 選擇性地被取代。 3.如申請專利範圍第2項所述之電致發光裝置，其中， 於化學式II或III中之 別係如下化學式之基
    彼此個 80 15 17200307737
    A
    N— 或 A17
    其中， ίο A21，A22, A23, A24, A11，A12, A13, A14, A15, A16, A17及 A18 彼此個別係H、鹵素、羥基、CrC24烷基、以E取代及/或 以D中斷之CVCm烧基、CrC24全氟烧基、（1；5-(1!12環烧基、 以E取代及/或以S-、-Ο-或NR25-、-NR25R26、CrC24烷基硫 基、_PR32R32中斷之(：5-(：12環烷基、（^-0：12環烷氧基、以E 取代之C5-C12環烷氧基、C6-C24芳基、以E取代之(：6-(：24芳 基、C2_C2G雜芳基、以E取代之C2-C2()雜芳基、C2-C24烯基、 C2-C24炔基、CrC24烷氧基、以E取代及/或以D中斷之CrC24 烷氧基、C7-C25芳烷基、以E取代之C7-C25芳烷基、C7-C25 芳烷氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基，或_CO-R28，或
    81 200307737 彼此鄰接之二A11，A12, A13, A14,，A15, A16, A17 及A18基係
    及A37彼此個別係H、鹵素、羥基、Cl-C24烷基、以E取 代及/或以D中斷tCrC24烧基、CpC24全氟烧基、〇；5_(1；12環 5 烧基、以E取代及/或以S-、-〇-或NR25-中斷之C5_C12環燒基、 C5_CU環烧氧基、以E取代之C^-C^2環烧氧基、C6-C24芳基、 以E取代之C0_C24芳基、C^-C^o雜芳基、以E取代之C2-C20雜 方基、C2_C24稀基、C2-C24快基、烧氧基、以e取代 及/或以D中斷之CrC24烷氧基、CrC25芳烷基、以E取代之 10 C^-C25方烧基、Cy-C25方烧氧基、以E取代之C^-C25芳院氧 基，或-CO-R28， D 係-CO-; -COO-; -S-; -SO-; -SOr; -NR25。 _ 5 - SiR30R31-; -POR32-; -CR23=CR24-;或-OC-;且 E 係-OR29; _SR29; _NR25R26; _COR28; -COOR27;
  2. 15 -CONR25R26; -CN; -OCOOR27;或鹵素；其中， R23, R24, R25及R26彼此個別係H; C6-C18芳基;以c Γ 1 ^24 烷基或crc24烷氧基取代之c6-c18芳基;Crc24烷基;以_〇_ 中斷之Ci-C^烷基;或 20 R25及R26—起形成五員或六員之環，特別是 82 200307737
    R27及R28彼此個別係H; C6-C18芳基;以CrC24烷基或 CrC24烷氧基取代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-Ο-中斷之 CrC24烷基， R29係H; C6-C18芳基;以CVC24烷基或（^-0：24烷氧基取 代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-0-中斷之crc24烷基， R30及R31彼此個別係CrC24烷基，C6-C18芳基，或以 CrC24烷基取代之C6-C18芳基，且 R32係CrC24烷基，C6_C18芳基，或以CrC24烷基取代之 10 C6-C18 芳基。 4.如申請專利範圍第2項所述之電致發光裝置，其中，
    係如下化學式之基
    83 200307737
    其中， 5 10 A41，A42, A43, A44, A51，A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59及A60彼此個別係H、鹵素、羥基、CrC24烷基、以 E取代及/或以D中斷之CrC24烷基、CrC24全氟烷基、C5-C12 環烷基、以E取代及/或以S-、-0-或nr25-、_nr25r26、cvc24 烷基硫基、-PR32R32中斷之C5-C12環烷基、C5-C12環烷氧 基、以E取代之CrC12環烷氧基、C6-C24芳基、以E取代 2C6-C24芳基、CrC2G雜芳基、以E取代之C2-C2G雜芳基、 C2_C24稀基、C2_C24 夬基、CVC24烧氧基、以E取代及/或 以D中斷之CrC24烷氧基、C7-C25芳烷基、以E取代之C7-C25 芳烷基、C7-C25芳烷氧基、以E取代之C7-C25芳烷氧基， 或-CO-R28，或
    A42及A43或A42及Λ51係A— 或A— 基 彼此鄰接之二A51，A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59
    84 15 200307737 A64, A65, A66, A67, A68, A69及 A70彼此個另系Η、鹵素、經 基、CVCm烷基、以Ε取代及/或以D中斷之CrC24烷基、 Cl-C24全氣烧基、C5-C12¾烧基、以E取代及/或以S-、-0-或NR25-中斷之(：5-(：12環烷基、（：5-(：12環烷氧基、以E取代之 5 C5_C12環烷氧基、C6_C24芳基、以E取代之C6-C24芳基、C2_ C20雜芳基、以E取代之C2-C2G雜芳基、CrC24烯基、CrC24 快基、烧氧基、以E取代及/或以D中斷之院氧 基、C7-C25芳烷基、以E取代之C7-C25芳烷基、C7-C25芳烷 氧基、以E取代之C7_C25芳烷氧基，或-CO-R28， 10 D 係-CO-; -COO-; -S-; -SO-; -SOr; -Ο; -NR25·; - SiR3〇R31-; -POR32-; -CR23=CR24·;或-C=C-;且 E 係-OR29; -SR29; -NR25R26; -COR28;-COOR27; -CONR25R26; -CN; -OCOOR27;或鹵素；其中， 15 R23, R24, R25 及 R26 彼此個別係 H; C6-C18 芳基；以 CrC24 烷基或CrC24烷氧基取代之C6-C18芳基;CVC24烷基;以-O-中斷之CrC24烷基;或 R25及R26—起形成五員或六員之環，特別是 〇 〇 〇
    R27及R28彼此個別係H; C6-C18芳基;以CVC24烷基或 CrCu烷氧基取代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-Ο-中斷之 CrC24烷基， 85 20 200307737 R29係H; c6-c18芳基;以CVC24烷基或CrC24烷氧基取 代之C6-C18芳基;烧基;以-〇-中斷之CpC%烧基， R30及R31彼此個別係CVC24烷基，c6-c18芳基，或以 C1-C24烷基取代之c6-c18芳基，且 R係Ci-C24院基’ c6_c18方基’或以烧基取代之 C6-C18芳基，其中，取代基A41，A42,八43, A44, a51，A52, A53, A54, a55, A56, A57, A58, A59, A6。，A61，a62, A63, A64, A65, A66, A67, A68, A69及A70之一係代表單一鍵。 5.如申請專利範圍第2、3或4項所述之電致發光裝置，其 10 中，
    其中，
    86 200307737 R86,及R87彼此個別係H，選擇性地以E取代及/或以D 中斷之CrC24院基，選擇性地以E取代之Cl-C24稀基，選 擇性地以E取代之C5-C12環炫基，選擇性地以^取代之 C5-Cd炫氧基，選擇性地以E取代之C6_Cl8祕，選擇 5性地以E取代及/或以D中斷之Cl_C24院氧基，選擇性地 以E取代之CVC18芳氣基，選擇性地以E取代之C7_Cl8芳 基燒氧基，選料妙E喊威以D巾斷之CrC2^ 基硫基，選擇性地以E取代及/或以D中斷之 磁，選擇性地以E取代及/或以D中斷之C「C24炫基蹄，L 10擇性地以E取代之雜芳基，或選擇性地以£取代之 C6-C18 芳烷基，或 n48 D49 一 r41 R42, R43, R44, R45, R46, R47, R，R， 彼此鄰近之一 ^ ^62 〇63 53 R54 r55, R56, R57, R58, R59, R60, R6，R，R， r5〇，r51，r52，R5’R，...... 一一 77—81
    15 r82 RW ， ’ ’ A92, A93, A94, A95, A96 及 A97 彼此個別 头，其中，A9 ’八， 土 、 你美、CrC24烷基、以L·取代及/或以D中 係H、鹵素、殚暴 , π炎、CVC24全氟烷基、C5-C12環烷基、以E 斷之CVC24烷泰 ^ 。或 NR25-中斷之（：5-<：12環烷基、C5-C12 取代及/或以& ^ ” F取代之CrQ環烷氧基、CVC24芳基、以 環烷氧基、以 u ^ r E取代之CVG芳基、雜芳基、以E取代之C2-C20 π嫌基、C2-C24炔基、CrC24烷氧基、以E 雜芳基、CrG4娜土 87 20 200307737 取代及/或以D中斷之CrC24烷氧基、c7_C25芳烷基、以E 取代之CrC：25芳烷基、CVC25芳烷氧基、以E取代之crc25 芳炫氧基，或-CO-R28 ’ R68, R69, R78, R79, R88 及 r89 彼此個別係 烷基， 5 以E取代及/或以D中斷之C1-C24烷基，C6-C24芳基，以E 取代之C0-C24芳基，〇ν〇：2〇雜芳基，以E取代之〇2-0：20雜 芳基，CrC24烯基，CrC24炔基，CrC24烷氧基，以E取代及/ 或以D中斷之CpC24炫氧基，或C7-C25芳烧基，或 R68及R69, R78及R79,及/或以狀及R89形成一環，特別是 1〇 五-或六-員環，或R68及R70, R69及R73, R77及RM及/或尺84 A90 Τ’ 及R89係/ Α92基， D 係-CO_; -COO-; -S-; -SO·; -S02-; _NR25_; _ SiR3°R31-; -P〇R32-;_CR23=CR24-;或-OC-;且 E 係-OR29 ;-SR2VNR25R26; -COR28; -COOR”；
  3. 15 -CONR25R26; -CN; -OCOOR27;或鹵素；其中， R23, R24,心及R26彼此個別係H; C6-C18芳基;以CrC24 院基或crc24⑨氧基取代之C6_Ci8芳基;Crb燒基;以 中斷之CrC24烷基;或 20 &25及R26一起形成五員或六員之環，特別是 88 200307737
    R27及R28彼此個別係H; C6_C18方基;以院基或 Crc24烷氧基取代之c6-c18芳基;crc24烷基;以·0-中斷之 Crc24烷基， 5 R29係H; C6-C18芳基；以CrC24烷基或CVC24烷氧基取 代之c6_c18芳基;crc24烷基;以-〇-中斷之CrC24烷基， _ R30及R31彼此個別係CVC24烷基，C6-C18芳基，或以 CrC24烷基取代之c6-C18芳基，且 R32係CrC24烧基，C6-C18芳基，或以烧基取代之 10 C6-C18芳基。 . 6·如申請專利範圍第1至5項之任一項所述之電致發光裝 置，其中，Y1及Y2彼此個別係
    89 200307737
    90 200307737
    其中， 5 nl，n2, n3, n4, n5, n6 及 n7 係 1，2,或 3，特別是 1， E1 係-S-，-0-，或-NR25’-，其中，R25’係 CrC24 烷基，或 C6-C10 芳基， R6及R7彼此個別係H，鹵素，羥基，CrC24烷基，以E 取代及/或以D中斷之CrC24烷基，（^-(：24全氟烷基，C5-C12 10 環烷基，以E取代及/或以S-，-0·，或-NR25-中斷之C5-C12 環烷基，〇5-(：12環烷氧基，以E取代之C5-C12環烷氧基，C6-C24芳基，以E取代之C6_C24芳基，C2-C2()雜芳基，以E取 代之C2-C2G雜芳基，C2-C24細基，C2-C24快基，Ci-C24烧乳基， 以E取代及/或以D中斷之CrC24烷氧基，C7-C25芳烷基，以 15 E取代之C7-C25芳烷基，C7-C25芳烷氧基，以E取代之Cr C25芳烷氧基，或-CO-R28， R8係CrC24烷基，以E取代及/或以D中斷之CrC24 烷基，C6-C24芳基，或C7-C25,烷基， 91 200307737 R9及R1G彼此個別係CVC24烷基，以E取代及/或以D 中斷之CrC24烷基，C6-C24芳基，以E取代之C6-C24芳基， C2-C2G雜芳基，以E取代之C2_C2G雜芳基，C2_C24烯基，C2-C24炔基，CVCm烷氧基，以E取代及/或以D中斷之CrC24 5 烷氧基，或C7-C25芳烷基，或 R9及R1G形成一環，特別是五-或六-員環， R14及R15彼此個別係H，CrC24烷基，以E取代及/或以D 中斷之CrC24烷基，C6-C24芳基，以E取代之C6-C24芳基，C2-C20雜芳基，或以E取代之C2-C2()雜芳基， 10 D 係-CO·; -COO·; -S-; -SO·; -S02-; -NR25-; - SiR3°R31-; -POR32-; -CR23=CR24-;或-C=C-;且 E 係-OR29; -SR29; -NR25R26; -COR28; -COOR27; -CONR25R26; -CN; -OCOOR27;或鹵素；其中， 15 R23，R24，R25 及 R26 彼此個別係 H; C6-C18 芳基;以 CrC24 烷基或CrC24烷氧基取代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-Ο-中斷之CrC24烷基;或 R25及R26—起形成五員或六員之環，特別是 0 0 0
    0 ， 0，或 〇， 20 R27及R28彼此個別係H; C6-C18芳基;以CrC24烷基或 —N eve”烷氧基取代之C6-C18芳基;CrC24烷基;以-Ο-中斷之 CrC24烷基， 92 200307737 R29係H; C6-C18芳基;以CVC24烷基或（^-(：24烷氧基取 代之C6-C18芳基;Ci-C?#院基;以-〇_中斷之Ci-C24烧基’ R30及R31彼此個別係C「C24烷基，C6-C18芳基，或以 CrC24烷基取代之C6-C18芳基，且 5 R32係CrC24烷基，C6-C18芳基，或以CrC24烷基取代之 C6-C18芳基。 7.如申請專利範圍第2、3或5項所述之電致發光裝置，其 中，該2H-苯并三唑化合物係如下化學式之化合物
    其中， A21，A22，A23及A24彼此個別係氫，鹵素，CrC24烷基， CrC24 全氟烷基，C6-C18 芳基，-NR25R26，-CONR25R26, 15 或-COOR27,或 crc1Q雜芳基， 特別是化學式
    基，或 93 200307737 A22及A23係化學式 或之基， A11，A12, A13, A14, A15, A16, A17,及 A18 彼此個別係 H，CN， CrC24烷基，（^-(：24烷氧基，C「C24烷基硫基，C6-C18芳基， -NR25R26，-CONR25R26,或_COOR27,或 C2-C10 雜芳基，其中， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或 烧基， C R27係CVC24烷基， 且Y3係如下化學式之基 10 、42
    43 R 45， '44
    R72 R76 R75
    R 74
    R 74 其中， R41係氫，CrC24烷氧基，或OC7-C18,烷基， R42係氫，或CrC24烷基， R43 係氫，鹵素，-CONR25R26 ，-COOR27 A 11· Ν
    A 12· 13, Ε Υ、Α Α14· 94 15 200307737
    E1 係-S-，-〇-，或-NR25’、其中，R25’係 CrC24 烷基，或 c6-c10 芳基， 5 10 R11G係H，CN，CrC24烷基，匕/^烷氧基，CrC24烷基 硫基，_NR25R26，-CONR25R26，或-COOR27，或
    R42及R43係化學式Ύ，或之基， R44係氫，或CrC24烷基， R45係氫，或CVC24烷基， A11，，A12，，A13，，及 A14,彼此個別係 H，CN，CrC24 烷基， CVC24 烷氧基，CVC24 烷基硫基，-NR25R26，-CONR25R26, 或-COOR27， R68及R69彼此個別係CrC24烷基，特別是0：4-(：12烷
    基，特別是己基，庚基，2-乙基己基，及辛基，其可以一或 二個氧原子中斷， 15 R7G，R71，R72, R73, R74, R75, R76, R90, R91，R92,及 R93 彼 此個別係H，CN，CrC24烷基，C6-C1G芳基，（^-(：24烷氧基， crc24 烷基硫基，-NR25R26, _CONR25R26，或-COOR27， R25及R26彼此個別係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或 Ci-C24烧基，且 20 R27 係CrC24烷基。 8.如申請專利範圍第2、3或6項所述之電致發光裝置，其 95 200307737 中，該2H-苯并三唑化合物係如下化學式之化合物
    Ύ·
    (Illb)， r (Illd)， 其中 5 A41，A42, A43及A44彼此個別係氫，鹵素，CrC24烷基， crc24 全氟烷基，c6-c18 芳基，-nr25r26，-CO nr25r26,ΛΝ^ 或-COOR27，或C2-C10雜芳基，特另J是化學式 或 C 之基，或 或之基，或 10 A42及A43係化學式 A51，A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59 及 A60 彼此個 別係H，CN，C^-Cm烧基，Ci-C24烧氧基，Ci-C24烧基硫基， c6-c18 芳基，-NR25R26，-CONR25R26,或-COOR27，* crc10雜芳 基，其中， E1 係 0, S，或-NR25’， 96 200307737 R25及R26彼此個別係H，c6-c18芳基，crc18芳烧基，或 Ci_C24 燒基， 尺27係crc24烷基，且 γ1係如下化學式之基
    其中， 10 R SCrC24烧氧基，或_〇_(：7{25芳烧基，R7係Η，或 Cl_C24烧基，R9及R1G彼此個別係CrC24院基，特別是C4-C12 烷基，其可以一或二個氧原子中斷，且 R25’係c「c24烧基，或c6-cl()芳基。 9·如申請專利範圍第2、4、5或6項所述之電致發光裝置， 其中’該2H-笨并三唑化合物係如下化學式之化合物
    d係〇,或1， Y2 係化學式-〇-，-S_，-NR25、 15 200307737
    γ3係化學式 r44之基，其中， R9及R1G彼此個別係CrC24烷基，特別是C4-C12烷基， 5 其可以一或二個氧原子中斷， R25係H，C6-C18芳基，C7-C18芳烷基，或CrC24烷基， R41係CrC24烷氧基，或CrC15苯基烷氧基，且 R44係H，或CrC24烷基。 10.—種2H-苯并三唑化合物，其係如下化學式
    a係0或1， b係0或1， 若b係1時，X1係如下化學式之基
    I —N ，或若b係0時，X1係Y3，其中， 98 200307737 c係0或1， X2及X3彼此個別為如下化學式之基
    其中，d係0或1， 5 Ar1、Ar2及Ar3彼此個別為芳基或雜芳基，其可選擇性 地被取代，特別是C6-C3Q芳基或C2-C26雜芳基，其可選擇性 地被取代， Y1及Y2彼此個別為二價鍵結基，且 Y3及Y3’彼此個別為芳基或雜芳基，其可選擇性地被取 10 代，特別是c6-c3Q芳基或c2-c26雜芳基，其可選擇性地被取 代。 99 200307737 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（無）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明：
    捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
    4
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