KR20050016499A - 전기발광 장치 - Google Patents

전기발광 장치

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KR20050016499A
KR20050016499A KR10-2004-7019671A KR20047019671A KR20050016499A KR 20050016499 A KR20050016499 A KR 20050016499A KR 20047019671 A KR20047019671 A KR 20047019671A KR 20050016499 A KR20050016499 A KR 20050016499A
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드벨리스앤토니데이빗
페스터스티븐대니얼
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시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크.
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Abstract

본 발명은 특정 2H-벤조트리아졸 화합물을 함유하는 유기 층을 포함하는 전기발광 장치에 관한 것이다. 2H-벤조트리아졸 화합물은 청색을 방출하는 내구성 있는 유기 전기발광층의 적합한 성분이다. 전기발광 장치는, 예를 들면, 휴대폰, 텔레비젼 및 퍼스널 컴퓨터 스크린에서 전색 표시 패널에 사용될 수 있다.

Description

전기발광 장치 {Electroluminescent device}
본 발명은 유기 전기발광(EL) 장치, 특히 청색을 방출하는 내구성 있는 유기 전기발광층을 포함하는 EL 장치에 관한 것이다. 유기 전기발광층은 특정 2H-벤조트리아졸을 포함한다.
전색 표시에 적합한 유기계 전기발광 장치의 개발이 진행되어 왔다. 일반적으로, EL 장치는 광 방출층(들)과 광 방출층(들)을 샌드위칭하여 대향하는 한 쌍의 전극으로 이루어진다. 전극 사이에 전계가 인가되면 전자와 홀이 시스템으로 주입되어 에너지가 빛으로 방출된다.
그러나, 연속 작동하에서도 적당한 안정성을 갖는 유기 EL 장치는 개발된 바 없다. 특히, 청색을 방출하는 안정한 유기 EL 장치가 여전히 요구되고 있다.
미국 특허 제5,104,740호에는 쿠마린계 또는 아자쿠마린계 유도체를 함유하는 형광층과 홀 전달층(이들 둘 다 유기 화합물로 이루어지며, 서로의 상부에 적층되어 있다)을 포함하는 전기발광 소자가 교시되어 있다. 기재된 특정 쿠마린계 화합물은 2H-벤조트리아졸 치환체를 갖는다.
미국 특허 제6,280,859호에는 유기 전기발광 장치에서 광 방출 물질로서 사용하기 위한 특정 폴리방향족 유기 화합물이 기재되어 있다. 다수의 가능한 2가 방향족 연결 그룹 중에 2H-벤조트리아졸 잔기가 열거되어 있다.
미국 특허 제5,116,708호는 EL 장치용 홀 전달 물질을 목표로 한다.
미국 특허 제5,518,824호에는 하나 이상의 유기층을 포함하는 EL 장치가 교시되어 있으며, 여기서 층들 중의 하나 이상은 열 또는 방사선 유도된 가교결합에 의해 수득된다. 특정 벤조트리아졸이 적합한 전하 전달 화합물로서 기재되어 있다.
미국 특허 제4,533,612호에는 전하 캐리어-운반 화합물로서 특정 2H-벤조트리아졸을 포함하는 전자사진 기록재가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 제58009151호에는 전기사진 광수용체의 전하 전달층에서의 특정 폴리방향족 벤조트리아졸 시스템의 용도가 기재되어 있다.
미국 특허 제5,629,389호에는 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀을 포함하는 층을 갖는 전기발광 장치가 기재되어 있다.
유럽 공개특허공보 제764712호에는 EL 장치의 안정화제로서의 오르토 하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸이 기재되어 있다.
문헌(참조; Tsutsui, et al., in Synthetic Metals, 1997 (85) 1201-1204)에는 전자 전달층에서의 형광 급냉제로서의 2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸이 기재되어 있다.
미국 특허 제2,784,183호, 제2,713,056호, 제2,784,197호, 제3,288,786호, 제3,341,530호, 제5,006,662호, 영국 공개특허공보 제1150408호, 독일 공개특허공보 제1052405호 및 제1919181호에는 광학 증백제로서 사용되는 나프토벤조트리아졸이 기재되어 있다.
미국 특허 제3,793,315호에는 광학 증백제로서의 스틸베닐 벤조트리아졸 유도체가 기재되어 있다.
문헌(참조; Woessner, et al., in J. Phys. Chem., 1985 (89), 3629-3636)에서는 2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)-2H-벤조트리아졸과 이의 메톡시 유사체의 방출에 대해 연구되어 있다.
미국 특허 제5,486,406호에는 유기 광 방출 장치에서의 오르토 하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸의 금속 착물의 용도가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 제00256667호와 제98140145호에는 전기발광 장치에 사용하기 위한 오르토 하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸의 금속 착물에 대해 기재되어 있다.
특정 2H-벤조트리아졸 유도체가 유기 전기발광 장치에 사용하기에 적합한 것으로 밝혀졌다. 특히, 특정 2H-벤조트리아졸 유도체는 우수한 내구성을 갖는 적합한 청색 에미터이다.
본 발명은 청색을 방출하는 2H-벤조트리아졸 화합물을 포함하는 유기 광 방출층을 포함하는 전기발광 장치를 목표로 한다.
2H-벤조트리아졸 화합물은, 예를 들면, 하나 이상의 화학식 의 2H-벤조트리아졸 잔기를 포함한다. Ar은 어떠한 형태의 방향족 또는 헤테로방향족 환(또는 환 시스템)이라도 가능하다. 즉, 본 발명의 명세서에서, Ar이 (탄소만이 아니라) 방향족 환의 형태일 수 있기 때문에, 2H-벤조트리아졸 화합물은 2H-벤조트리아졸 또는 헤테로-2H-벤조트리아졸을 의미한다.
상기한 화학식 의 그룹으로서 명시할 수 있는 예는 다음과 같다:
, , , , , , , 또는 .
예를 들면, 본 발명의 2H-벤조트리아졸 화합물은 1개, 2개, 3개 또는 4개의 2H-벤조트리아졸 잔기를 포함한다. 2H-벤조트리아졸 잔기의 열린 원자가는 이의 치환에 제한되지 않는 공유 결합을 나타내는 것으로 이해해야 한다. 본 발명에 따라, EL 장치는 적어도 하나의 2H-벤조트리아졸 화합물을 포함하며, 즉 이는 2개 이상의 2H-벤조트리아졸 화합물을 포함할 수 있다.
2H-벤조트리아졸 화합물(들)은 약 520nm 미만, 특히 약 380 내지 약 520nm에서 빛을 방출해야 한다. 2H-벤조트리아졸 화합물(들)은 약 (0.12, 0.05) 및 약 (0.16, 0.10), 특히 약 (0.14, 0.08)의 NTSC 좌표를 가져야 한다.
2H-벤조트리아졸 화합물(들)은 약 150℃ 이상, 특히 약 200℃ 이상, 보다 바람직하게는 약 250℃, 가장 바람직하게는 약 300℃ 이상의 융점을 가져야 한다.
따라서, 본 발명은 2H-벤조트리아졸 화합물, 특히 화학식 I의 화합물을 포함하는 전기발광 장치(EL 장치)에 관한 것이다.
위의 화학식 I에서,
a는 0 또는 1이고,
b는 0 또는 1이며,
X1은 b가 1이면 화학식 의 그룹(여기서, c는 0 또는 1이다)이고, b가 0이면 Y3이며,
X2 및 X3은 서로 독립적으로 화학식 의 그룹(여기서, d는 0 또는 1이다)이고,
Ar1, Ar2 또는 Ar3는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이며,
Y1 및 Y2는 서로 독립적으로 2가 연결 그룹이고,
Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
보다 상세하게는, 본 발명은 화학식 II, III, IV, V 및/또는 VI의 2H-벤조트리아졸을 포함하는 전기발광 장치에 관한 것이다.
위의 화학식 II 내지 VI에서,
Ar1, Ar2, Ar3, X2, X3, Y1 및 Y2 는 앞에서 정의한 바와 같고,
d는 0 또는 1이며,
Ar4는 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이고,
Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
화학식 II 또는 화학식 III에서 화학식 및 의 그룹은 서로 독립적으로 화학식 , , 또는 의 그룹[여기서, A21, A22, A23, A24, A11, A12 , A13, A14, A15, A16, A17 및 A18은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5 -C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, -NR25 R26, C1-C24 알킬티오, -PR32R32, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5 -C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7 -C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이거나, A22와 A23 또는 A11과 A23은 화학식 또는 의 그룹이거나, 서로 인접해 있는 2개의 그룹 A11, A12, A13, A14 , A15, A16, A17 및 A18은 화학식 또는 의 그룹이고, 여기서, A31, A32, A33, A34, A35, A36 및 A37은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2 -C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이며, D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31-, -POR32-, -CR23=CR24- 또는 -C ≡C-이고, E는 -OR29, -SR 29, -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, -OCOOR27 또는 할로겐이며, 여기서, R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1 -C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이거나, R25 및 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히 , 또는 을 형성하고, R27 및 R28은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C 24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이며, R29는 H, C6 -C18아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이고, R30 및 R31은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, C6-C 18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이며, R32는 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이다]이다.
바람직하게는, 화학식 및 의 그룹은 서로 독립적으로 화학식 , , 또는 의 그룹[여기서, A21, A22, A23 및 A24는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C6-C18 아릴, -NR25R26 , -CONR25R26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴, 특히 화학식 또는 의 그룹이거나, A22 및 A23은 화학식 또는 의 그룹이고, A11, A12, A13, A14, A15, A16 , A17 및 A18은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴이며, 여기서 E1은 O, S 또는 NR25이고, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이며, R27은 C1-C24 알킬이다]이다.
화학식 IV에서 화학식 및 의 그룹은 서로 독립적으로 화학식 , , 또는 의 그룹[여기서, A41, A42, A43, A44, A51, A52 , A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59 및 A60은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C 12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, NR25R 26, C1-C24 알킬티오, -PR32R32, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C 12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2 -C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C 25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이거나, A42와 A43 또는 A42와 A51 은 화학식 또는 의 그룹이고, 서로 인접해 있는 두 개의 그룹 A51, A52, A53, A54 , A55, A56, A57, A58, A59 및 A60은 화학식 또는 의 그룹이며, 여기서 A61, A62, A63, A64, A65, A66, A67 , A68, A69 및 A70은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C 5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C 25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, 여기서, E, D, R25 및 R28은 앞에서 정의한 바와 같으며, 치환체 A41, A42, A43, A44, A51, A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58 , A59, A60, A61, A62, A63, A64, A65, A66 , A67, A68, A69 및 A70 중의 하나는 단일 결합이고, 즉 Y2에 대한 결합이다]이다.
바람직하게는, A43 및 A43이 동시에 -NR25R26의 그룹인 것은 아니다.
화학식 II, IV 및 V에서 Y3 및 Y3'는 서로 독립적으로 화학식 , , , 또는 의 그룹[여기서, R41, R42 ,R43, R44, R45, R46 , R47, R48, R49, R50, R51, R52, R53, R54, R55, R56 , R57, R58, R59, R60, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R70, R71, R72, R73, R74, R75, R76 , R77, R80, R81, R82, R83, R84, R85, R86 및 R87은 서로 독립적으로 H, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, E로 임의로 치환된 C1-C24 알케닐, E로 임의로 치환된 C5-C12 사이클로알킬, E로 임의로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, E로 임의로 치환된 C6-C18 아릴, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, E로 임의로 치환된 C6-C18 아릴옥시, E로 임의로 치환된 C7-C18 아릴알콕시, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬티오, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬셀레늄, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬텔루륨, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴 또는 E로 임의로 치환된 C6-C18 아르알킬이거나, 서로 인접해 있는 두 개의 그룹 R41, R42 , R43, R44, R45, R46, R47, R48, R49, R50, R51, R52 , R53, R54, R55, R56, R57, R58, R59, R60, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R70, R71, R72 , R73, R74, R75, R76, R77, R80, R81, R82, R83, R84, R85, R86 및 R87은 화학식 또는 의 그룹이며, 여기서, A90, A91, A92, A93, A94, A95, A96 및 A97은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C 24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, R68, R69, R78, R79, R88 및 R89는 서로 독립적으로 C1-C18 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C20 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C20 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시 또는 C7-C25 아르알킬이거나, R68과 R69, R78과 R79 및/또는 R88과 R89는 환, 특히 5원 또는 6원 환을 형성하거나, R68과 R70, R69와 R73, R77과 R78 및/또는 R 84와 R89는 화학식 의 그룹이며, 여기서 D, E, R25 및 R28은 앞에서 정의한 바와 같다]이다.
바람직하게는, Y3 및 Y3'는 서로 독립적으로 화학식 , , , 또는 의 그룹{여기서, R41은 수소, C1-C24 알콕시 또는 OC7-18 아르알킬이고, R42는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R43은 수소, 할로겐, -CONR25R26, -COOR27, , 특히 또는 [여기서 E1은 -S-, -O- 또는 -NR25'-(여기서 R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C10 아릴이다)이고, R110은 C1-C24 알킬이다]이거나, R42 및 R43은 화학식 또는 의 그룹이고, R44는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R45는 수소 또는 C1-C24 알킬이고, A11', A12', A13' 및 A14'는 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이며, R68 및 R69는 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, 특히 C4-C12 알킬, 특히 헥실, 헵틸, 2-에틸헥실 및 옥틸(여기서, 이들은 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있다)이고, R71, R72, R73, R74, R75, R76, R90, R91, R92 및 R93은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C6-C10 아릴, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이며, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C 24 알킬이고, R27은 C1-C24 알킬이다}이다.
화학식 III, IV 및 VI에서 2가 연결 그룹 Y1 및 Y2의 예는 단일 결합, -O-, -S-, -NR25-, , 특히 , , , , 특히 또는 ; , 특히 ; , , 특히 또는 ; , , , , , 특히 ; , , , , , , , , , , , , , 또는 [여기서, n1, n2, n3, n4, n5, n6 및 n7은 1, 2 또는 3, 특히 1이고, E1은 -S-, -O- 또는 -NR25'-(여기서, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C10 아릴이다)이며, R6 및 R7은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C 25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, R8은 C1 -C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴 또는 C7-C 25 아르알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C20 헤테로아릴, E로 치환된 C2 -C20 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시 또는 C7-C25 아르알킬이거나, R9 및 R10은 환, 특히 5원 또는 6원 환을 형성하고, R14 및 R15는 서로 독립적으로 H, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C 2O 헤테로아릴 또는 E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴이고, 여기서 D, E, R25 및 R28은 앞에서 정의한 바와 같다]이다.
바람직하게는, Y1은 , , , , , , 및 [여기서, R6은 C1-C24 알콕시 또는 -O-C7-C25 아르알킬이고, R7은 H 또는 C1-C24 알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4-C 12 알킬이고, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C1O 아릴이다]로부터 선택된다.
Y2는 바람직하게는 단일 결합, -O-, -S-, -NR25, 화학식 , , , 또는 의 그룹(여기서, R25, R9 및 R10은 앞에서 정의한 바와 같다)이다.
제1 양태에서, 본 발명은 2H-벤조트리아졸 화합물이 화학식 II의 화합물, 특히 화학식 IIa, IIb, IIc 또는 IId의 화합물인 전기발광 장치에 관한 것이다.
위의 화학식 IIa 내지 IId에서,
A21, A22, A23 및 A24는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1 -C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R 26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴, 특히 화학식 또는 의 그룹이거나,
A22와 A23 또는 A11과 A23은 화학식 또는 의 그룹이고,
A11, A12, A13, A14, A15, A16, A17 및 A18은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R26, -COOR27 또는 C2 - C10 헤테로아릴(여기서, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C 18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이고, R27은 C1-C24 알킬이다)이며,
Y3은 화학식 , , , 또는 의 그룹{여기서, R41은 수소, C1-C24 알콕시 또는 OC7-C18 아르알킬이고, R42는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R43은 수소, 할로겐, -CONR25R26, -COOR27, , 특히 또는 [여기서, E1은 -S-, -O- 또는 -NR25'-(여기서, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6 -C10 아릴이다)이고, R110은 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이며, A11', A12', A13' 및 A14'는 서로 독립적으로 H, CN, C 1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이다]이거나, R42 및 R43은 화학식 또는 의 그룹이고, R44는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R45는 수소 또는 C1-C24 알킬이고, R68 및 R69는 서로 독립적으로 C1-C 24 알킬, 특히 C4-C12 알킬, 특히 헥실, 헵틸, 2-에틸헥실 및 옥틸(여기서, 이들은 1개 또는 2개의 산소원자에 의해 차단될 수 있다)이며, R70, R71, R72, R73, R74, R75, R76, R90, R91, R92 및 R93은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C6-C10 아릴, C1-C 24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27(여기서, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이고, R27은 C1-C24 알킬이다)이다}이다.
화학식 IIa의 화합물 중에서, 화학식 , , 및 의 유도체(여기서, A23은 할로겐 또는 C1-C24 퍼플루오로알킬이고, A43 및 Y3은 앞에서 정의한 바와 같다)가 바람직하고, 화학식 IIb, IIc 및 IId의 화합물이 보다 바람직하다.
추가의 양태에서, 화학식 II의 화합물, 특히 R41이 하이드록시 그룹이 아닌 화학식 IIa의 화합물이 바람직하다.
이러한 양태에서, 아래에 열거된 화합물이 가장 바람직하다:
, , , , , 및 (여기서, R111은 수소, C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬 또는 C6-C18 아릴이고, A21, A22, A23, A24, R25, R26, R43 및 R 110은 앞에서 정의한 바와 같다).
1) R44 및 R45는 화학식 ; 의 그룹이고, 즉 Y3은 이고, R은 이다.
,
R' = ; R" = .
본 발명의 화학식 IIa의 2H-벤조트리아졸 화합물은, 예를 들면, 공지된 하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸 화합물의 유도체이다. 공지된 2H-하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸 화합물은 자외선 흡수제(UVA)로서 상업적으로 유용하다. 2H-벤조트리아졸 자외선 흡수제는, 예를 들면, 관련 부분이 본원에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제3,004,896호, 제3,055,896호, 제3,072,585호, 제3,074,910호, 제3,189,615호, 제3,218,332호, 제3,230,194호, 제4,127,586호, 제4,226,763호, 제4,275,004호, 제4,278,589호, 제4,315,848호, 제4,347,180호, 제4,383,863호, 제4,675,352호, 제4,681,905호, 제4,853,471호, 제5,268,450호, 제5,278,314호, 제5,280,124호, 제5,319,091호, 제5,410,071호, 제5,436,349호, 제5,516,914호, 제5,554,760호, 제5,563,242호, 제5,574,166호, 제5,607,987호, 제5,977,219호 및 제6,166,218호에 기재된 바와 같이, 오르토 하이드록시페닐-2H-벤조트리아졸 잔기를 가짐을 특징으로 한다.
본 발명의 2H-벤조트리아졸은 공지된 2H-벤조트리아졸 UV 흡수제의 오르토 하이드록시(페놀)를 단순 캡핑시킴으로써 수득될 수 있다. 이는, 예를 들면, 페놀을 알킬화시켜 오르토-하이드로카빌옥시페닐-2H-벤조트리아졸을 수득함으로써 예를 들면, 에 의해 성취된다.
공지된 2H-벤조트리아졸 UV 흡수제는 앞서 명시한 미국 특허 문헌들에 기재된 바와 같이 제조한다. 본 발명의 벤조트리아졸은 앞서 명시한 미국 특허 문헌들에 기재된 바와 같은 치환 패턴을 가질 수 있다. 상기 "알킬화"라는 용어는 하이드록시를 적당한 하이드로카빌 그룹으로 "캡핑"시킴을 나타낸다. 즉, 오르토 하이드록시는 오르토 하이드로카빌옥시 그룹으로 대체된다.
"하이드로카빌 그룹"이라는 용어는 광범위하게는, 원자가가 탄소원자로부터 수소를 제거함으로써 유도되는 1가 탄화수소 그룹을 나타낸다. 하이드로카빌은, 예를 들면, 지방족(직쇄 및 측쇄), 지환족, 방향족 및 혼합 그룹, 예를 들면, C7-C25 아르알킬, C7-C25 알킬아릴, C2-C24 알키닐, C5-C12 사이클로알키닐을 포함한다. 하이드로카빌은 알킬, C5-C12 사이클로알킬, C6-C30 아릴, C 7-C25 아르알킬, C7-C25 알킬아릴, C2-C24 알케닐 및 C5-C12 사이클로알케닐과 같은 그룹을 포함한다. 하이드로카빌은 임의로 카보닐, 카복실, 아미노, 아미도, 티오, 설폭사이드, 설포닐 및 에테르 그룹으로 차단되고/되거나 임의로 하이드록시, 아미노, 아미도, 카복실 및 티오 그룹으로 치환될 수 있다.
제2 양태에서, 본 발명은 화학식 III의 2H-벤조트리아졸 화합물, 특히 화학식 IIIa, IIIb, IIIc 또는 IIId의 화합물을 포함하는 EL 장치에 관한 것이다.
위의 화학식 IIIa 내지 IIId에서,
A41, A42, A43 및 A44는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1 -C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R 26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴, 특히 화학식 또는 의 그룹이거나,
A42 및 A43은 화학식 또는 의 그룹이고,
A51, A52, A53, A54, A55, A56, A57 , A58, A59 및 A60은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, C6 -C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R26, -COOR 27 또는 C2-C10 헤테로아릴(여기서, E1은 O, S 또는 NR25이고, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C 24 알킬이며, R27은 C1-C24 알킬이다)이며,
Y1은 화학식 , , , , , 및 의 그룹(여기서, R6은 C1-C24 알콕시 또는 -O-C7-C25 아르알킬이고, R7은 H 또는 C1-C24 알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4-C12 알킬이고, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C10 아릴이다)이다.
이러한 양태에서, 아래에 열거한 화합물이 가장 바람직하다:
, 또는 [여기서, Y1은 , , , 및 (여기서, R6은 C1-C24 알콕시 또는 -O-C7-C25 아르알킬이고, R7은 H 또는 C1-C24 알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4-C12 알킬이고, R25' 는 C1-C24 알킬이다)로부터 선택된다], .
제3 양태에서, 본 발명은 화학식 IV의 2H-벤조트리아졸 화합물, 특히 화학식 VIa의 화합물을 포함하는 EL 장치에 관한 것이다.
위의 화학식 VIa에서,
d는 0 또는 1이고,
A43 및 A44는 앞에서 정의한 바와 같으며,
Y2는 -O-, -S-, -NR25-, , , , 또는 의 그룹(여기서, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4-C12 알킬이다)이고,
Y3은 화학식 의 그룹(여기서, R41은 C1-C24 알콕시 또는 C7-C15 페닐알콕시이고, R44는 H, C6-C10 아릴 또는 C1-C24 알킬이다)이다.
이러한 양태에서, 하기 화합물이 가장 바람직하다:
, , , , 또는 (여기서, Y3, R9, R10, R41 및 R44는 앞에서 정의한 바와 같다) 및
제4 양태에서, 본 발명은 화학식 V의 2H-벤조트리아졸 화합물(여기서, Ar1, Ar2, Y1, Y2 및 Y3'는 앞에서 정의한 바와 같다)을 포함하는 EL 장치에 관한 것이다.
제5 양태에서, 본 발명은 화학식 VI의 2H-벤조트리아졸 화합물(여기서, Ar1, Ar2, Y1, Y2 및 Y3'는 앞에서 정의한 바와 같다)을 포함하는 EL 장치에 관한 것이다.
화학식 IV, V 및 VI의 2H-벤조트리아졸은 적당한 방법, 예를 들면, 문헌[참조; Hartwig et AL., Journal Organic Chemistry 1999 (64), 5575]에 기재된 바와 같은 아민화 반응으로 제조할 수 있지만, 아래에 기재된 방법으로 제조할 수도 있다. 통상적으로 "스즈키 반응"이라고도 하는, 방향족 보로네이트와 브로마이드의 축합 반응은 문헌[참조; N. Miyaua 및 A. Suzuki in Chemical Reviews, Vol. 95, pp. 457-2483 (1995)]에 보고된 바와 같이 각종 유기 관능 그룹의 존재를 허용한다.
화학식 IV에 상응하는 2H-벤조트리아졸을 제조하기 위해, 화학식 의 브로마이드 2당량을 Pd 및 트리페닐포스핀의 촉매 작용하에서 화학식 에 상응하는 디보론산 또는 디보로네이트{여기서, X11은 서로 독립적으로 -B(OH)2, -B(OY11)2 또는 [여기서, Y11은 서로 독립적으로 C1-C10 알킬 그룹이고, Y12는 서로 독립적으로 C2-C10 알킬렌 그룹, 예를 들면, -CY 13Y14-CY5Y6- 또는 -CY7Y8-CY9Y10-CY15Y16(여기서, Y 5, Y6, Y7, Y8, Y9, Y10, Y13, Y14, Y15 및 Y16은 서로 독립적으로 수소 또는 C1-C10 알킬 그룹, 특히 -C(CH3)2C(CH 3)2- 또는 -C(CH3)2CH2C(CH3)2-이다)이다]이다}또는 이의 혼합물 1당량과 반응시킨다. 반응은 전형적으로 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소 용매 속에서 약 70 내지 120℃에서 수행한다. 디메틸포름아미드 및 테트라하이드로푸란과 같은 기타 용매도 단독으로 사용되거나 방향족 탄화수소와 혼합물로서 사용될 수 있다. 수성 염기, 바람직하게는 탄산나트륨 또는 중탄산나트륨도 HBr 스캐빈저로서 사용된다. 반응물의 반응성에 따라, 중합 반응에 2 내지 100시간이 소요될 수 있다. 유기 염기, 예를 들면, 수산화테트라알킬암모늄 및 상 전이 촉매, 예를 들면, TBAB는 붕소의 활성을 촉진시킬 수 있다(문헌 참조; Leadbeater & Marco, Angew. Chem. Int. Ed. , 2003,42, 1407 및 이의 참조 문헌). 반응 조건의 기타의 변화들에 대해 문헌[참조; T. I. Wallow and B. M. Novak in Journal of Organic Chemistry, Vol. 59, pp. 5034-5037 (1994), and M. Remmers, M. Schulze, and G. Wegner in MACROMOLECULAR Rapid Communications, Vol. 17, pp. 239-252 (1996)]에 제공되어 있다. 이에 따라, 화학식 IV, V 및 VI의 2H-벤조트리아졸을 제조할 수 있다.
할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드이다.
C1-C24 알킬은, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급 부틸, 이소부틸, 3급 부틸, 2-에틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 1-메틸펜틸, 1,3-디메틸부틸, n-헥실, 1-메틸헥실, n-헵틸, 이소헵틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 1-메틸헵틸, 3-메틸헵틸, n-옥틸, 2-에틸헥실, 1,1,3-트리메틸헥실, 1,1,3,3-테트라메틸펜틸, 노닐, 데실, 운데실, 1-메틸운데실, 도데실, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸헥실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실, 이코실 또는 도코실과 같은 측쇄 또는 비측쇄 라디칼이다.
C1-C24 퍼플루오로알킬은, 예를 들면, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 및 -C(CF3)3과 같은 측쇄 또는 비측쇄 라디칼이다.
C1-C24 알콕시 라디칼은 직쇄 또는 측쇄 알콕시 라디칼, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 2급 부톡시, 3급 부톡시, 아밀옥시, 이소아밀옥시 또는 3급 아밀옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 테트라데실옥시, 펜타데실옥시, 헥사데실옥시, 헵타데실옥시 및 옥타데실옥시이다.
C2-C24 알케닐 라디칼은 직쇄 또는 측쇄 알케닐 라디칼, 예를 들면, 비닐, 알릴, 메트알릴, 이소프로페닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 이소부테닐, n-펜타-2,4-디에닐, 3-메틸-부트-2-에닐, n-옥트-2-에닐, n-도덱-2-에닐, 이소도데세닐, n-도덱-2-에닐 또는 n-옥타덱-4-에닐이다.
C2-C24 알키닐은 직쇄 또는 측쇄, 바람직하게는 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C2-C8 알키닐, 예를 들면, 에티닐, 1-프로핀-3-일, 1-부틴-4-일, 1-펜틴-5-일, 2-메틸-3-부틴-2-일, 1,4-펜타디인-3-일, 1,3-펜타디인-5-일, 1-헥신-6-일, 시스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 트랜스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 1,3-헥사디인-5-일, 1-옥틴-8-일, 1-노닌-9-일, 1-데신-10-일 또는 1-테트라코신-24-일이다.
C4-C18 사이클로알킬, 특히 C5-C12 사이클로알킬은 바람직하게는 C5-C12 사이클로알킬 또는 1 내지 3개의 C1-C4 알킬 그룹으로 치환된 C5-C12 사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로펜틸, 메틸사이클로펜틸, 디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 메틸사이클로헥실, 디메틸사이클로헥실, 트리메틸사이클로헥실, 3급 부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐, 사이클로데실, 사이클로도데실이다. 사이클로헥실 및 사이클로펜틸이 가장 바람직하다.
S, O 또는 NR25로 차단된 C4-C18 사이클로알킬의 예는 피페리딜, 피페라지닐 및 모르폴리닐이다.
C2-C24 알케닐은, 예를 들면, 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐 또는 옥테닐이다.
아릴은 통상적으로 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴, 바람직하게는 C6-C 24 아릴, 예를 들면, 페닐, 4-메틸페닐, 4-메톡시페닐, 나프틸, 비페닐릴, 2-플루오레닐, 페난트릴, 안트릴, 테트라실, 펜타실, 헥사실, 테르페닐릴 또는 콰드페닐릴이거나 1개 내지 3개의 C1-C4 알킬 그룹으로 치환된 페닐, 예를 들면, o-, m- 또는 p- 메틸페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2-메틸-6-에틸페닐, 4-3급 부틸페닐, 2-에틸페닐 또는 2,6-디에틸페닐이다.
C7-C24 아르알킬 라디칼은 바람직하게는 치환될 수 있는 C7-C15 아르알킬 라디칼, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-펜에틸, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω-페닐-옥틸, ω-페닐-도데실, 또는 페닐 환 상에서 1개 내지 3개의 C1-C4 알킬 그룹으로 치환된 페닐-C1-C4 알킬, 예를 들면, 2-메틸벤질, 3-메틸벤질, 4-메틸벤질, 2,4-디메틸벤질, 2,6-디메틸벤질 또는 4-3급 부틸벤질 또는 3-메틸-5-(1',1',3',3'-테트라메틸-부틸)-벤질이다.
헤테로아릴은 전형적으로 C2-C26 헤테로아릴, 즉 5개 내지 7개의 환원소를 갖는 환 또는 축합된 환 시스템(여기서, 질소, 산소 또는 황이 가능한 헤테로 원자이다)이며, 전형적으로 6개 이상의 공액 π 전자를 갖는 5개 내지 30개의 원자를 갖는 불포화 헤테로사이클릭 라디칼, 예를 들면, 티에닐, 벤조[b]티에닐, 디벤조[b,d]티에닐, 티안트레닐, 푸릴, 푸르푸릴, 2H-피라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 페녹시티에닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 비피리딜, 트리아지닐, 피리미디닐, 피라지닐, 피리다지닐, 인돌리지닐, 이소인돌릴, 인돌릴, 인다졸릴, 푸리닐, 퀴놀리지닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 퀴녹살리닐, 퀴나졸리닐, 신놀리닐, 프테리디닐, 카바졸릴, 카볼리닐, 벤조트리아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페리미디닐, 페난트롤리닐, 펜아지닐, 이소티아졸릴, 페노티아지닐, 이속사졸릴, 푸라자닐 또는 페녹사지닐(여기서, 이들은 치환되지 않거나 치환될 수 있다)이다.
C6-C18 사이클로알콕시는, 예를 들면, 사이클로펜틸옥시, 사이클로헥실옥시, 사이클로헵틸옥시 또는 사이클로옥틸옥시이거나, 1개 내지 3개의 C1-C4 알킬로 치환된 사이클로알콕시, 예를 들면, 메틸사이클로펜틸옥시, 디메틸사이클로펜틸옥시, 메틸사이클로헥실옥시, 디메틸사이클로헥실옥시, 트리메틸사이클로헥실옥시 또는 3급 부틸사이클로헥실옥시이다.
C6-C24 아릴옥시는 전형적으로 페녹시 또는 1개 내지 3개의 C1-C4 알킬 그룹으로 치환된 페녹시, 예를 들면, o-, m- 또는 p-메틸페녹시, 2,3-디메틸페녹시, 2,4-디메틸페녹시, 2,5-디메틸페녹시, 2,6-디메틸페녹시, 3,4-디메틸페녹시, 3,5-디메틸페녹시, 2-메틸-6-에틸페녹시, 4-3급 부틸페녹시, 2-에틸페녹시 또는 2,6-디에틸페녹시이다.
C6-C24 아르알콕시는 전형적으로 페닐-C1-C9 알콕시, 예를 들면, 벤질옥시, α-메틸벤질옥시, α,α-디메틸벤질옥시 또는 2-페닐에톡시이다.
C1-C24 알킬티오 라디칼은 직쇄 또는 측쇄 알킬티오 라디칼, 예를 들면, 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, n-부틸티오, 이소부틸티오, 펜틸티오, 이소펜틸티오, 헥실티오, 헵틸티오, 옥틸티오, 데실티오, 테트라데실티오, 헥사데실티오 또는 옥타데실티오이다. C1-C24 알킬셀레늄 및 C1-C24 알킬텔루륨은 각각 C1-C24 알킬Se- 및 C1-C24 알킬Te-이다.
각각 R9와 R10 및 R25와 R26에 의해 형성된 5원 또는 6원 환의 예는 질소, 산소 및 황으로부터 선택된 하나의 추가의 헤테로원자를 가질 수 있는 탄소수 3 내지 5의 헤테로사이클로알칸 또는 헤테로사이클로알켄, 예를 들면, , , 또는 (여기서, 이는 비사이클릭 시스템, 예를 들면, 또는 의 일부일 수 있다)이다.
상기한 그룹의 가능한 치환체는 C1-C8 알킬, 하이드록실 그룹, 머캅토 그룹, C1-C8 알콕시, C1-C8 알킬티오, 할로겐, 할로-C1-C 8 알킬, 시아노 그룹, 알데히드 그룹, 케톤 그룹, 카복실 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹, 아미노 그룹, 니트로 그룹 또는 실릴 그룹이다.
"할로알킬"이라는 용어는 상기한 알킬 그룹이 할로겐으로 일부 또는 전부 치환됨으로써 제공되는 그룹, 예를 들면, 트리플루오로메틸 등을 의미한다. "알데히드 그룹, 케톤 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹 및 아미노 그룹"은 C1-C24 알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹, C6-C30 아릴 그룹, C7 -C24 아르알킬 그룹 또는 헤테로사이클릭 그룹(여기서, 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 헤테로사이클릭 그룹은 치환되지 않거나 치환될 수 있다)으로 치환된 그룹을 포함한다. "실릴 그룹"이라는 용어는 화학식 -SiR105R106R107의 그룹(여기서, R105, R106 및 R107은 서로 독립적으로 C1-C8 알킬 그룹, 특히 C1 -C4 알킬 그룹, C6-C24 아릴 그룹 또는 C7-C12 아르알킬 그룹을 나타낸다), 예를 들면, 트리메틸실릴 그룹을 의미한다.
치환체, 예를 들면, R6과 R7이 하나의 그룹내에 1회 이상 나타나는 경우, 이는 서로 상이할 수 있다.
앞서 기재한 바와 같이, 상기한 라디칼은 E로 치환되고/되거나, 경우에 따라, D로 차단될 수 있다. 차단은 물론 단일 결합에 의해 서로 결합된 2개 이상의 탄소원자를 함유하는 라디칼의 경우에만 일어나고; C6-C18 아릴은 차단되지 않으며; 차단된 아릴알킬 또는 알킬아릴은 알킬 잔기에 단위 D를 함유한다. 하나 이상의 E로 치환되고/되거나 하나 이상의 단위 D로 차단된 C1-C24 알킬은, 예를 들면, (CH2CH20)n-RX[여기서, n은 1 내지 9의 수이고, RX는 H 또는 C1-C1O 알킬 또는 C2-C1O 알카노일(예를 들면, CO-CH(C2H5)C4H9)이다], CH2-CH(OR Y')-CH2-O-RY(여기서, RY는 C1-C24 알킬, C5-C12 사이클로알킬, 페닐, C7-C15 페닐알킬이고, RY'는 Ry와 동일한 의미를 갖거나 H이다), C1-C8 알킬렌-COO-Rz, 예를 들면, CH2COOR z, CH(CH3)COORz, C(CH3)2COORZ(여기서, RZ는 H 또는 C1-C24 알킬이다), (CH2CH20)1-9-RX(여기서, Rx는 앞서 제시한 정의를 포함한다), CH2CH2-O-CO-CH=CH2, CH2CH(OH)CH 2-O-CO-C(CH3)=CH2이다.
본 발명의 청색 방출 2H-벤조트리아졸은 약 520nm 미만, 예를 들면, 약 380 내지 약 520nm에서 빛을 방출한다. 예를 들면, 본 발명의 청색 방출 2H-벤조트리아졸은 NTSC 좌표가 약 (0.14, 0.08)이며, 여기서 제1 좌표는 약 0.12 내지 약 0.16이고, 제2 좌표는 약 0.05 내지 약 0.10이다.
화학식 II, III, IV, V 및 VI의 화합물을 포함한 본 발명의 화학식 I의 화합물 뿐만 아니라 오르토-하이드로카빌옥시페닐-2H-벤조트리아졸은 또한 청색 방출 유기 화합물 이외의 작용을 할 수 있으며, 예를 들면, 이들은 홀 주입 물질, 홀 운반 물질 및 전자 주입 물질 또는 전자 운반 물질로서 작용할 수도 있다.
본 발명의 유기 EL 장치는 벽에 거는 텔레비젼 세트의 평편 패널 표시, 편광 방출 장치, 복사기 또는 프린터용 광원, 액정 디스플레이 또는 카운터용 광원, 디스플레이 간판 및 시그널 광에 사용할 수 있기 때문에 상당한 산업적 가치가 있다.
본 발명의 물질은 유기 EL 장치, 전자사진 광수용체, 광전자 전환기, 태양 전지 및 이미지 센서 분야에 사용할 수 있다.
적당한 Tg, 즉 유리 전이 온도를 갖는 본 발명의 유기 층을 수득하기 위해서는, 본 발명의 2H-벤조트리아졸의 융점이 약 150℃ 이상, 예를 들면, 약 200℃ 이상, 예를 들면, 약 250℃ 이상, 예를 들면, 약 300℃ 이상인 것이 유리하다.
본 발명의 전기발광 장치는 당해 기술분야에 공지되어 있는 바와 같이, 예를 들면, 관련 기술이 본원에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제5,518,824호, 제6,280,859호, 제5,629,389호, 제5,486,406호, 제5,104,740호 및 제5,116,708호에 기재되어 있는 바와 같이 설계된다.
본 발명은 양극과 음극 사이에 화학식 I의 2H-벤조트리아졸을 갖고 전기 에너지의 작용에 의해 빛을 방출하는 전기발광 장치에 관한 것이다.
최신 유기 전기발광 장치의 전형적인 구성은 다음과 같다:
(i) 양극/홀 운반층/전자 운반층/음극[여기서, 화학식 I의 2H-벤조트리아졸은 광 방출층 및 홀 운반층을 형성하는 데 사용되는 양성 홀 운반 화합물로서 또는 광 방출층 및 전자 운반층을 형성하는 데 사용될 수 있는 전자 운반 화합물로서 사용된다],
(ii) 양극/홀 운반층/광 방출층/전자 운반층/음극[여기서, 화학식 I의 2H-벤조트리아졸은 이들이 당해 구성에서 양성 홀 운반 특성 또는 전자 운반 특성을 나타내는지에 관계없이 광 방출층을 형성한다],
(iii) 양극/홀 주입층/홀 운반층/광 방출층/전자 운반층/음극,
(iv) 양극/홀 운반층/광 방출층/양성 홀 억제층/전자 운반층/음극,
(v) 양극/홀 주입층/홀 운반층/광 방출층/양성 홀 억제층/전자 운반층/음극,
(vi) 양극/광 방출층/전자 운반층/음극,
(vii) 양극/광 방출층/양성 홀 억제층/전자 운반층/음극,
(viii) 광 방출 물질을 단독으로 함유하거나 광 방출 물질과 임의의 홀 운반층, 홀 차단층 및/또는 전자 운반층의 물질을 조합해서 함유하는 단일층 및
(ix) (ii) 내지 (vii)에 기재된 다층 구조(여기서, 광 방출층은 (viii)에 기재된 단일층이다).
화학식 I의 2H-벤조트리아졸은 원칙적으로 유기 층, 예를 들면, 홀 운반층, 광 방출층 또는 전자 운반층에 사용될 수 있지만, 임의로 호스트 또는 게스트 성분으로서 광 방출층에서 광 방출 물질로서 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 광 방출 화합물은 고체 상태에서 강력한 형광을 나타내며 탁월한 전계 인가된 광 방출 특성을 갖는다. 또한, 본 발명의 광 방출 화합물은 금속 전극으로부터의 홀의 주입 및 홀 운반에 있어서 탁월할 뿐만 아니라 금속 전극으로부터의 전자 주입 및 전자 운반에서도 탁월한다. 이들은 광 방출 물질로서 효과적으로 사용되며, 다른 홀 운반 물질, 다른 전자 운반 물질 또는 기타의 도판츠와 조합하여 사용될 수 있다.
본 발명의 2H-벤조트리아졸은 균일한 박막을 형성한다. 따라서, 광 방출층은 본 발명의 2H-벤조트리아졸만으로 형성될 수 있다.
또한, 광 방출층은, 필요에 따라, 공지된 광 방출 물질, 공지된 도판츠, 공지된 홀 주입 물질 또는 공지된 전자 주입 물질을 함유할 수 있다. 유기 EL 장치에서, 급냉에 의해 야기되는 휘도 및 수명의 저하는 이를 다층 구조로서 형성함으로써 방지할 수 있다. 광 방출 물질, 도판츠, 홀 주입 물질 및 전자 주입 물질은, 필요에 따라, 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 도판츠는 광 방출 휘도 및 광 방출 효능을 향상시킬 수 있고, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 성취할 수 있다. 또한, 홀 주입 영역, 광 방출층 및 전자 주입 영역의 각각은 2개 이상의 층으로 이루어진 층 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우 홀 주입 영역에서, 전극으로부터 홀이 주입되는 층을 "홀 주입층"이라고 하고, 홀 주입층으로부터 홀을 수용하여 홀을 광 방출층으로 운반하는 층을 "홀 운반층"이라고 한다. 전자 주입 영역에서, 전극으로부터 전자가 주입되는 층을 "전자 주입층"이라고 하고, 전자 주입층으로부터 전자를 수용하여 전자를 광 방출층으로 운반하는 층을 "전자 운반층"이라고 한다. 이러한 층은 에너지 준위, 재료의 내열성, 유기 층 또는 금속 전극에 대한 접착성과 같은 요소에 따라 선택하여 사용한다.
본 발명의 2H-벤조트리아졸과 함께 광 방출층에 사용될 수 있는 광 방출 물질 또는 도판츠에는, 예를 들면, 안트라센, 나프탈렌, 페난트렌, 피렌, 테트라센, 코로넨, 크리센, 플루오레세인, 페릴렌, 프탈로페릴렌, 나프탈로페릴렌, 페리논, 프탈로페리논, 나프탈로페리논, 디페닐부타디엔, 테트라페닐부타디엔, 쿠마린, 옥사디아졸, 알다진, 비스벤즈옥사졸린, 비스스티릴, 피라진, 사이클로펜타디엔, 퀴놀린 금속 착물, 아미노퀴놀린 금속 착물, 벤조퀴놀린 금속 착물, 이민, 디페닐에틸렌, 비닐 안트라센, 디아미노카바졸, 피란, 티오피란, 폴리메틴, 메로시아닌, 이미다졸-킬레이트화 옥시노이드 화합물, 퀴나크리돈, 루브렌 및 염료 레이저용 또는 증백용 형광 염료가 포함된다.
본 발명의 2H-벤조트리아졸 및 광 방출층에 사용될 수 있는 상기 화합물(들)은 광 방출층을 형성하기 위해 임의의 혼합비로 사용될 수 있다. 즉, 본 발명의 2H-벤조트리아졸은, 상기 화합물과 본 발명의 2H-벤조트리아졸과의 조합에 따라, 광 방출층을 형성하기 위한 주성분을 제공할 수 있거나, 이들은 다른 주 재료 중의 도핑 재료일 수 있다. 예를 들면, DPVBi(4,4'-비스-(2,2-디페닐-1-비닐)비페닐)이 호스트로서 사용되고 화합물 B7이 게스트로서 사용되는 경우에 우수한 결과가 성취된다.
박막형 전기발광 장치는 통상적으로 한 쌍의 전극과 그 사이의 하나 이상의 전하 운반층으로 필수적으로 이루어진다. 통상적으로, 2개의 전하 운반층, 1개의 홀 운반층(양극 다음에) 및 1개의 전자 운반층(음극 다음에)이 존재한다. 이들 중의 하나는 - 홀 운반 물질 또는 전자 운반 물질로서의 이의 특성에 따라 - 광 방출 물질로서 무기 또는 유기 형광 성분을 함유한다. 또한, 광 방출 물질이 홀 운반층과 전자 운반층 사이에 추가의 층으로서 사용되는 것도 통상적이다. 상기한 장치 구조에서, 홀 주입층은 양극과 홀 운반층 사이에 구성될 수 있고/있거나 양성 홀 억제층은 광 방출층과 전자 운반층 사이에 구성될 수 있어 광 방출층에서의 홀과 전자 집단을 최대화하여 높은 전하 재조합 및 강력한 광 방출 효능에 이르게 된다.
장치는 여러가지 방법으로 제조할 수 있다. 통상적으로, 제조에는 진공 증발이 사용된다. 바람직하게는, 유기 층은 상기한 순서로 실온에서 방치된 시판 인듐-주석-산화물("'ITO") 유리 기판상에 적층되어, 상기 구성에서 양극으로서 작용한다. 막 두께는 바람직하게는 1 내지 10,000nm, 보다 바람직하게는 1 내지 5,000nm, 보다 바람직하게는 1 내지 1,000nm, 보다 바람직하게는 1 내지 500nm이다. 음극 금속, 예를 들면, 50 내지 200nm 두께의 Mg/Ag 합금, Li-Al 또는 LiF-Al 이원 시스템이 유기 층의 상부에 적층된다. 부착 동안 진공은 바람직하게는 0.1333Pa(1 ×10-3Torr) 미만, 보다 바람직하게는 1.333 ×10-3Pa(1 ×10-5Torr) 미만, 보다 바람직하게는 1.333 ×10-4Pa(1 ×10-6Torr) 미만이다.
양극으로서, 높은 작업 함수를 갖는 통상적인 양극 물질, 예를 들면, 금속(예: 금, 은, 구리, 알루미늄, 인듐, 철, 아연, 주석, 크롬, 티탄, 바나듐, 코발트, 니켈, 납, 망간, 텅스텐 등), 금속 합금(예: 마그네슘/구리, 마그네슘/은, 마그네슘/알루미늄, 알루미늄/인듐 등), 반도체(예: Si, Ge, GaAs 등), 금속 산화물[예: 인듐-주석-산화물("ITO"), ZnO 등], 금속 화합물(예: CuI 등), 및 또한 전도성 중합체(예: 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리파라페닐렌 등), 바람직하게는 ITO, 가장 바람직하게는 기판으로서 유리상의 ITO가 사용될 수 있다. 이들 전극 물질 중에서, 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 화합물은, 예를 들면, 스퍼터링 방법에 의해 전극으로 변형시킬 수 있다. 전극용 물질로서 금속 또는 금속 합금을 사용하는 경우, 전극은 진공 증착법에 의해서도 형성될 수 있다. 전극을 형성하는 물질로서 금속 또는 금속 합금을 사용하는 경우, 전극은 또한 화학 도금법에 의해 형성될 수 있다[참조: Handbook of Electrochemistry, pp 383-387, Mazuren, 1985]. 전도성 중합체를 사용하는 경우, 전극은 이를 양극 산화 중합법에 의해, 미리 전도성 도막이 제공된 기판상에서 막으로 형성시켜 제조할 수 있다. 기판상에서 형성되는 전극의 두께는 특정한 값으로 제한되지 않지만, 기판이 광 방출 평면으로 사용되는 경우, 전극의 두께는 투명성을 보장하도록 바람직하게는 1 내지 300nm의 범위내, 보다 바람직하게는 5 내지 200nm의 범위내이다.
바람직한 양태에서, ITO는 10nm(100Å) 내지 1μ(10000Å), 바람직하게는 20nm(200Å) 내지 500nm(5000Å) 범위의 ITO 막 두께를 갖는 기판상에서 사용된다. 일반적으로, ITO 막의 시트 저항은 100Ω/cm2 이하, 바람직하게는 50Ω/cm2 이하의 범위에서 선택된다.
이러한 양극은, 예를 들면, 일본 제조업자, 게오마텍 캄파니, 리미티드(Geomatech Co. Ltd.), 산요 배큠 캄파니, 리미티드(Sanyo Vacuum Co. Ltd.) 및 니폰 시트 글래스 캄파니, 리미티드(Nippon Sheet Glass Co. Ltd.)로부터 시판된다.
기판으로서 전도성 또는 전기 절연성 물질이 사용될 수 있다. 전도성 기판을 사용하는 경우에는 광 방출층 또는 양성 홀 운반층이 이 위에서 직접 형성되고, 반면에 전기 절연성 기판을 사용하는 경우에는 전극이 먼저 이 위에서 형성된 다음, 광 방출층 또는 양성 홀 운반층이 겹쳐진다.
기판은 투명, 반투명 또는 불투명할 수 있다. 그러나, 기판을 지시 평면으로서 사용하는 경우, 기판은 투명하거나 반투명해야 한다.
투명한 전기 절연성 기판은, 예를 들면, 무기 화합물(예: 유리, 석영 등), 유기 중합체성 화합물(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐알콜, 폴리비닐아세테이트 등)이다. 이들 기판은 각각 상기한 방법들 중의 하나에 따라 이를 전극에 제공함으로써 투명한 전도성 기판으로 변형시킬 수 있다.
반투명 전기 절연성 기판의 예는 무기 화합물[예: 알루미나, YSZ(이트륨 안정화된 지르코니아) 등], 유기 중합체 화합물(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 에폭시 수지 등)이다. 이들 기판은 각각 상기한 방법들 중의 하나에 따라 이를 전극에 제공함으로써 반투명 전도성 기판으로 변형시킬 수 있다.
불투명 전도성 기판의 예는 금속(예: 알루미늄, 인듐, 철, 니켈, 아연, 주석, 크롬, 티탄, 구리, 은, 금, 백금 등), 각종 전기도금 금속, 금속 합금(예: 청동, 스테인리스 강 등), 반도체(예: Si, Ge, GaAs 등), 전도성 중합체(예: 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌 등)이다.
기판은 상기 열거한 기판 물질 중의 하나를 목적하는 치수로 형성시켜 수득할 수 있다. 기판의 표면은 매끄러운 것이 바람직하다. 그러나, 거친 표면을 가질지라도, 20μm 이상의 굴곡을 갖는 원형 불균일성을 갖는 경우, 실제 사용에 문제를 일으키지 않는다. 기판의 두께에 대해서, 충분한 기계적 강도를 보장하는 한, 제한되지 않는다.
음극으로서, 낮은 작업 함수를 갖는 통상적인 음극 물질, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 13족 원소, 은 및 구리 뿐만 아니라 이들의 합금 또는 혼합물, 예를 들면, 나트륨, 리튬, 칼륨, 칼슘, 리튬 플루오라이드(LiF), 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-구리 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 마그네슘-인듐 합금, 알루미늄, 알루미늄-산화알루미늄 합금, 알루미늄-리튬 합금, 인듐, 칼슘, 및 유렵 공개특허공보 제499,011호에 예시되어 있는 물질, 예를 들면, 전도성 중합체, 예를 들면, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 등, 바람직하게는 Mg/Ag 합금, LiF-Al 또는 Li-Al 조성물이 사용될 수 있다.
바람직한 양태에서, 마그네슘-은 합금 또는 마그네슘과 은의 혼합물의 혼합물, 또는 리튬-알루미늄 합금, 리튬 플루오라이드-알루미늄 합금 또는 리튬과 알루미늄의 혼합물은 10nm(100Å) 내지 1μm(10000Å), 바람직하게는 20nm(200Å) 내지 500nm(5000Å) 범위의 막 두께로 사용될 수 있다.
이러한 음극은 상기한 공지된 진공 증착 기술에 의해 앞의 전자 운반층 상에 부착될 수 있다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 광 방출층은 홀 운반층 및 전자 운반층 사이에서 사용될 수 있다. 통상적으로, 광 방출층은 홀 운반층 상에 박막을 형성시켜 제조한다.
이러한 박막을 형성하는 방법으로서, 예를 들면, 진공 증착법, 스핀 피복법, 캐스팅법(casting method), 랭뮤어-블로젯(Langmuir-Blodgett)("LB")법 등이 있다. 이들 방법 중에서, 진공 증착법, 스핀 피복법 및 캐스팅법 등이 작업 용이성 및 비용의 측면에서 특히 바람직하다.
조성물을 사용하여 진공 증착법에 의해 박막을 형성하는 경우, 진공 증착이 수행되는 조건은 통상적으로 화합물(들)의 특성, 형태 및 결정 상태에 주로 좌우된다. 그러나, 최적 조건은 통상적으로 다음과 같다; 100 내지 400℃의 가열 보트의 온도, -100 내지 350℃의 기판 온도, 1.33 x 104Pa(1 x 102Torr) 내지 1.33 x 10-4Pa(1 x 10-6Torr)의 압력 및 1pm 내지 6nm/sec의 부착 속도.
유기 EL 소자에 있어서, 광 방출층의 두께는 이의 광 방출 특성을 결정하는 요소 중의 하나이다. 예를 들면, 광 방출층이 충분히 두껍지 않은 경우, 단락 회로가 광 방출층을 샌드위칭하는 2개의 전극 사이에서 매우 용이하게 발생할 수 있으며, EL 방출이 수득되지 않는다. 다른 한편으로, 광 방출층이 과도하게 두꺼운 경우, 이의 높은 전기 저항에 기인하여, 광 방출층의 내부에서 다량의 전위 감소가 일어나서, EL 방출에 대한 역치 전압이 증가한다. 따라서, 유기 광 방출층의 두께를 5nm 내지 5㎛, 바람직하게는 10nm 내지 500nm의 범위내로 제한한다.
스핀 피복법 및 캐스팅법, 잉크젯 인쇄법을 사용하여 광 방출층을 형성하는 경우, 피복은 조성물을 0.0001 내지 90중량%의 농도로 적합한 유기 용매(예: 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 테트라하이드로푸란, 메틸테트라하이드로푸란, N,N-디메틸포름아미드, 디클로로메탄, 디메틸설폭사이드 등)에 용해시켜 제조된 용액을 사용하여 수행할 수 있다. 농도가 90중량%를 초과하는 경우, 용액은 통상적으로 점성으로 되어 매끄럽고 균질한 막을 더 이상 형성하지 않는다. 다른 한편으로, 농도가 0.0001중량% 미만인 경우, 막을 형성하는 효율이 너무 낮아서 경제적이지 못하다. 따라서, 조성물의 바람직한 농도는 0.01 내지 80중량%의 범위내이다.
상기 스핀 피복법 또는 캐스팅법을 사용하는 경우, 중합체 결합제를 광 방출층 형성용 용액에 첨가함으로써 수득된 층의 균질성 및 기계적 강도를 추가로 개선시킬 수 있다. 원칙적으로, 중합체 결합제가 조성물이 용해되는 용매에서 가용성인 한 어떠한 중합체 결합제도 사용할 수 있다. 이러한 중합체 결합제의 예는 폴리카보네이트, 폴리비닐알콜, 폴리메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리비닐아세테이트, 에폭시 수지 등이다. 그러나, 중합체 결합제 및 조성물로 이루어진 고형분이 99중량%를 초과하는 경우, 용액의 유동성이 통상적으로 낮아서 균질성이 우수한 광 방출층을 형성하지 못한다. 다른 한편으로, 조성물의 함량이 실질적으로 중합체 결합제의 함량보다 적은 경우, 층의 전기 저항은 매우 커서, 높은 전압이 이에 인가되지 않는다면 광을 방출하지 않는다. 따라서, 중합체 결합제 대 조성물의 바람직한 비는 10:1 내지 1:50(중량비)의 범위내에서 선택되며, 용액에서 둘 다의 성분으로 이루어진 고형분은 바람직하게는 0.01 내지 80중량%, 보다 바람직하게는 약 0.1 내지 60중량%의 범위내이다.
홀 운반층으로서, 공지된 유기 홀 운반 화합물, 예를 들면, 폴리비닐 카바졸 , 문헌[참조: J. Amer. Chem. Soc. 90 (1968) 3925]에 기재되어 있는 TPD 화합물 (여기서, Q1 및 Q2는 각각 수소원자 또는 메틸 그룹이다), 문헌[참조: J. Appl. Phys. 65(9) (1989) 3610]에 기재되어 있는 화합물 , 스틸벤계 화합물 (여기서, T 및 T1은 유기 잔기이다), 하이드라존계 화합물 (여기서, Rx, Ry 및 Rz는 유기 라디칼을 나타낸다) 등을 사용할 수 있다.
양성 홀 운반 물질로서 사용되는 화합물은 상기 기재된 화합물로 제한되지 않는다. 양성 홀을 운반하는 특성을 갖는 어떠한 화합물도 양성 홀 운반 물질로서 사용될 수 있으며, 예를 들면, 트리아졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌 디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환된 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스틸베닐안트라센 유도체, 플루오레논 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 아닐린 유도체의 공중합체, PEDOT(폴리(3,4-에틸렌디옥시-티오펜)) 및 이의 유도체, 전도성 올리고머, 특히 티오펜 올리고머, 포르피린 화합물, 방향족 3급 아민 화합물, 스틸베닐 아민 화합물 등이다. 특히, 방향족 3급 아민 화합물, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(TPD), 2,2'-비스(디-p-토릴아미노페닐)프로판, 1,1'-비스(4-디-토릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, 비스(4-디-p-토릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿼터페닐, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스틸릴]스틸벤, 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤, N-페닐카바졸 등이 사용된다.
또한, 미국 특허 제5,061,569호에 기재되어 있는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 및 3개의 트리페닐아민 단위가 질소원자에 결합되어 있는 유럽 공개특허공보 제508,562호에 기재되어 있는 화합물, 예를 들면, 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민이 사용될 수 있다.
양성 홀 운반층은 양극상에 하나 이상의 양성 홀 운반 물질을 함유하는 유기 필름을 제조하여 형성할 수 있다. 양성 홀 운반층은 진공 증착법, 스핀 피복법, 캐스팅법, 잉크젯 인쇄법, LB법 등에 의해 형성할 수 있다. 이들 방법 중에서, 진공 증착법, 스핀 피복법 및 캐스팅법은 용이성 및 비용의 측면에서 특히 바람직하다.
진공 증착법을 사용하는 경우, 증착 조건은 광 방출층의 형성에 대해 기재한 바와 동일한 방법으로 선택될 수 있다(상기 참고). 하나 이상의 양성 홀 운반 물질을 포함하는 양성 홀 운반층을 형성하는 것을 목적으로 하는 경우, 목적하는 화합물을 사용하는 동시증발법을 사용할 수 있다.
양성 홀 운반층을 스핀 피복법 또는 캐스팅법에 의해 형성하는 경우, 층은 광 방출층의 형성에 대해 기술된 조건하에 형성할 수 있다(상기 참고).
광 방출층을 형성하는 경우에서와 같이, 결합제와 하나 이상의 양성 홀 운반 물질을 함유하는 용액을 사용하여 더욱 매끄럽고 더욱 균질한 양성 홀 운반층을 형성할 수 있다. 이러한 용액을 사용하는 피복은 광 방출층에 대해 기재한 바와 동일한 방법으로 수행할 수 있다. 중합체 결합제는 하나 이상의 양성 홀 운반 물질이 용해되는 용매에 가용성인 한, 어떠한 중합체 결합제도 사용할 수 있다. 적합한 중합체 결합제의 예 및 적합하고 바람직한 농도는 상기에서 광 방출층의 형성을 기재하는 데에 제공되어 있다.
양성 홀 운반층의 두께는 바람직하게는 0.5 내지 1000nm, 바람직하게는 1 내지 100nm, 보다 바람직하게는 2 내지 50nm의 범위내에서 선택된다.
홀 주입 물질로서, 공지된 유기 홀 운반 화합물, 예를 들면, 일본 공개특허공보 제64-7635호에 기재된 바와 같은 금속 비함유 프탈로시아닌(H2Pc), 구리-프탈로시아닌(Cu-Pc) 및 이의 유도체를 사용할 수 있다. 또한, 홀 운반층보다 낮은 이온화 전위를 갖는 상기 홀 운반 물질로서 정의된 방향족 아민의 일부를 사용할 수도 있다.
홀 주입층은 양극층과 홀 운반층 사이에 하나 이상의 홀 주입 물질을 함유하는 유기 필름을 제조함으로써 형성할 수 있다. 홀 주입층은 진공 증착법, 스핀 피복법, 캐스팅법, LB법 등에 의해 형성할 수 있다. 층의 두께는 바람직하게는 5nm 내지 5㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 100nm이다.
전자 운반 물질은, 예를 들면, 금속 착물 화합물 또는 질소 함유 5원 유도체이며, 높은 전자 주입 효능(음극으로부터) 및 높은 전자 이동성을 가져야 한다. 다음의 물질을 전자 운반 물질로서 예시할 수 있다: 리튬 8-하이드록시퀴놀리네이트, 아연 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트), 구리 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트), 망간 비스(8-하이드록시퀴놀리네이트), 갈륨 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트), 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이토)-알루미늄(III) 및 이의 유도체, 예를 들면, 알루미늄 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리네이트), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리노레이토)베릴륨(II) 및 이의 유도체, 아연 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이트), 클로로갈륨 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트), 갈륨 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)(o-크레졸레이트), 알루미늄 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)(1-나프톨레이트), 갈륨 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)(2-나프톨레이트), 갈륨 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트) 페놀레이트, 아연 비스(o-(2-벤조옥사졸릴)페놀레이트), 아연 비스(o-(2-벤조티아졸릴)페놀레이트) 및 아연 비스(o-(2-벤조트리졸릴)페놀레이트), 옥사디아졸 유도체, 예를 들면, 2-(4-비페닐)-5-(4-3급 부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸 및 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-옥사디아졸 및 이의 이량체 시스템, 예를 들면, 1,4-비스[2-(5-페닐옥사디아졸릴)]벤젠, 1,4-비스[2-(5-페닐옥사디아졸릴)-4-3급 부틸벤젠], 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 2-(4'-3급 부틸페닐)-5-(4"-비페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 1,3-비스(4-3급 부틸페닐-1,3,4)-옥사디아졸릴)비페닐렌 및 1,3-비스(4-3급 부틸페닐-1,3,4-옥사디아졸릴)페닐렌, 옥사졸 유도체, 디옥사졸 유도체, 티아졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 예를 들면, 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-옥사졸, 1,4-비스(2-(4-메틸-5-페닐옥사졸릴)벤젠, 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-티아졸, 2-(4'-3급 부틸페닐)-5-(4"-비페닐)-1,3,4-티아디아졸, 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-티아디아졸, 1,4-비스[2-(5-페닐티아졸릴)]벤젠, 2-(4'-3급 부틸페닐)-5-(4"-비페닐)-1,3,4-티아졸 또는 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-트리아졸 및 1,4-비스[2-(5-페닐트리아졸릴)]벤젠, 쿠마린 유도체, 이미다조피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체 또는 페릴렌 테트라카복실산 유도체, 예를 들면, 문헌[참조: Appl. Phys. Lett. 48(2) (1986) 183]에 기술된 것.
전자 운반층은 하나 이상의 전자 운반 물질을 함유하는 유기 필름을 홀 운반층 또는 광 방출층 위에 제조하여 형성할 수 있다. 전자 운반층은 진공 증착법, 스핀 피복법, 캐스팅법, LB 방법 등에 의해 형성할 수 있다.
양성 홀 억제층용 양성 홀 억제 물질은, 발광 효능의 저하를 피하기 위해 광 방출층으로부터 양성 홀이 빠져나가는 것을 방지하도록, 전자 운반층에서 광 방출층으로의 높은 전자 주입/운반 효능을 갖고, 또한 광 방출층보다 높은 이온화 전위를 갖는 것이 바람직하다.
양성 홀 억제 물질로서는, 공지된 물질, 예를 들면, Balq, TAZ 및 페난트롤린 유도체, 예를 들면, 바토쿠프로인(BCP)이 사용될 수 있다:
양성 홀 억제층은 전자 운반층과 광 방출층 사이에 하나 이상의 양성 홀 억제 물질을 함유하는 유기 필름을 제조하여 형성할 수 있다. 양성 홀 억제층은 진공 증착법, 스핀 피복법, 캐스팅법, 잉크젯 인쇄법, LB법 등에 의해 형성할 수 있다. 층의 두께는 바람직하게는 5nm 내지 2㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 100nm 범위내에서 선택한다.
광 방출층 또는 양성 홀 운반층을 형성하는 경우에서와 같이, 결합제와 하나 이상의 전자 운반 물질을 함유하는 용액을 사용하여 더욱 매끄럽고 더욱 균질한 전자 운반층을 형성할 수 있다.
전자 운반층의 두께는 바람직하게는 0.5 내지 1000nm, 바람직하게는 1 내지 100nm, 보다 바람직하게는 2 내지 50nm 범위내에서 선택한다.
홀 주입 물질은 전자 수용 물질을 혼입함으로써 감도가 증가할 수 있으며, 전자 주입 물질은 전자 공여 물질을 혼입함으로써 감도가 증가할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 장치에서, 광 방출층은, 본 발명의 광 방출 2H-벤조트리아졸 물질 이외에, 하나 이상의 기타의 광 방출 물질, 기타의 도판츠, 기타의 홀 운반 물질 및 기타의 전자 주입 물질을 함유할 수 있다. 본 발명의 유기 EL 장치의 온도, 습도 및 주위 대기에 대한 안정성을 향상시키기 위해, 보호층을 장치의 표면에 형성할 수 있거나 장치를 전체적으로 실리콘유 등으로 밀봉할 수 있다.
음극에 사용되는 전도성 물질은 4eV보다 작은 작업 함수를 갖는 것으로부터 선택하는 것이 적합하다. 전도성 물질에는 마그네슘, 칼슘, 주석, 납, 티탄, 이트륨, 리튬, 루테늄, 망간, 알루미늄 및 이들의 합금이 포함되지만, 전도성 물질이 이에 제한되는 것은 아니다. 합금의 예로는 마그네슘/은, 마그네슘/인듐 및 리튬/알루미늄이 포함되지만 합금이 이에 제한되는 것은 아니다. 양극 및 음극 각각은, 경우에 따라, 2개 이상의 층으로 이루어진 층 구조를 가질 수 있다.
유기 EL 장치의 효과적인 광 방출을 위해서는, 전극 중의 적어도 하나는 장치의 광 방출 파장 영역에서 충분히 투명한 것이 바람직하다. 또한, 기판도 마찬가지로 투명한 것이 바람직하다. 투명한 전극은 소정의 투광도가 확보되도록 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 상기 전도성 물질로부터 제조된다. 광 방출 표면측의 전극의 투광도는, 예를 들면, 10% 이상이다. 기판은 적절한 기계적 강도, 열 강도 및 투명도를 갖는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 이는 유리 기판 및 투명 수지의 기판, 예를 들면, 폴리에틸렌 기판, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기판, 폴리에테르 설폰 기판 및 폴리프로필렌 기판으로부터 선택된다.
본 발명의 유기 EL 장치에서, 각 층은 진공 증착법, 스퍼터링법, 플라스마법 및 이온 도금법과 같은 건식 필름 형성법 및 스핀 피복법, 침지법 및 유동 피복법과 같은 습식 필름 형성법 중의 어느 하나로 형성할 수 있다. 각 층의 두께는 특별히 제한하지 않지만, 각 층이 적당한 두께를 갖는 것이 필요하다. 층 두께가 너무 두꺼우면, 소정의 광 방출을 성취하는 데 비능률적으로 높은 전압이 필요하다. 층 두께가 너무 작으면, 층에 핀홀 등이 생기기 쉬워, 전계가 인가되는 경우에 충분한 광 방출 휘도를 성취하기가 어렵다. 각 층의 두께는, 예를 들면, 약 5nm 내지 약 10㎛, 예를 들면, 약 10nm 내지 약 0.2㎛의 범위이다.
습식 필름 형성법에서, 의도하는 층을 형성하기 위한 물질을 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란 및 디옥산과 같은 적당한 용매에 용해시키거나 분산시키고, 용액 또는 분산액으로부터 박막을 형성한다. 용매는 상기한 용매로 제한되는 것은 아니다. 필름 형성능을 향상시키고 층에서의 핀홀 발생을 방지하기 위해, 층을 형성하기 위한 상기 용액 또는 분산액은 적당한 수지 및 적당한 첨가제를 함유할 수 있다. 사용할 수 있는 수지에는 절연 수지, 예를 들면, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리설폰, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리메틸 아크릴레이트 및 셀룰로즈, 이들의 공중합체, 광전도성 수지, 예를 들면, 폴리-N-비닐카보졸 및 폴리실란, 및 전도성 중합체, 예를 들면, 폴리티오펜 및 폴리피롤이 포함된다. 상기 첨가제에는 산화방지제, 자외선 흡수제 및 가소제가 포함된다.
본 발명의 광 방출 벤조트리아졸 물질을 유기 EL 장치의 광 방출층에 사용하는 경우, 유기 EL 장치에서 광 방출 효율과 같은 유기 EL 장치 특성이 개선되고 광 방출 휘도가 최대화될 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 EL 장치는 열 및 전류에 대한 안정성이 탁월하고 낮은 작동 전압에서도 유용한 광 방출 휘도를 제공한다. 종래의 장치에서 문제가 되었던 단점을 현저히 감소시킬 수 있다.
화학식 I의 2H-벤조트리아졸 화합물은 신규한 것이며, 본 발명의 추가의 주제를 형성한다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
a는 0 또는 1이고,
b는 0 또는 1이며,
X1은 b가 1이면 화학식 의 그룹(여기서, c는 0 또는 1이다)이고, b가 0이면 Y3이며,
X2 및 X3은 서로 독립적으로 화학식 의 그룹(여기서, d는 0 또는 1이다)이고,
Ar1, Ar2 또는 Ar3는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이며,
Y1 및 Y2는 서로 독립적으로 2가 연결 그룹이고,
Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
화학식 IIa의 화합물 중에서, 화학식 , 및 의 유도체(여기서, Y3 및 A23은 앞에서 정의한 바와 같다)가 바람직하고, 화학식 IIb, IIc 및 IId의 화합물이 보다 바람직하다.
다음의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이다. 실시예 및 본원 전반에 걸쳐서, 광 방출 물질이라는 용어는 본 발명의 2H-벤조트리아졸 화합물을 의미한다.
실시예 1
2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸 10.0g, 44.4mmol, 탄산칼륨 12.0g, 86.8mmol, 아세톤 150㎖ 및 벤질 브로마이드 5.3㎖, 7.6g, 44.6mmol을 교반 바가 장착된 500㎖ 플라스크에 둔다. 이들 혼합물을 총 8시간 동안 격렬하게 교반하면서 70℃(환류)로 가열한다. 혼합물을 실온으로 냉각시켜 여과한다. 진공에서 휘발 물질을 제거하여 무색 오일을 수득한다. 생성물을 5:1 헥산:아세톤(55㎖)으로부터 결정화하여 무색 고체를 수득한다. 수율 : 12.86g, 40.8mmol, 92%. Tm = 68℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 7.97 (m, 2H), 7.53 (d, 1H), 7.42 (m, 2H), 7.24 (m, 6H), 7.04 (m, 1H), 5.14 (s, 2H), 2.35 (s, 3H). 당해 물질은 용액 중에서 407nm의 λmax 방출과 CIE(0.159, 0.037)를 나타낸다.
실시예 2
2-(2-하이드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸 2.64g, 11.7mmol, 탄산칼륨 2.0g, 14mmol, 아세톤 60㎖ 및 9-클로로메틸안트라센 2.66g, 11.7mmol을 교반 바가 장착된 250㎖ 플라스크에 둔다. 이들 혼합물을 총 32시간 동안 격렬하게 교반하면서 70℃(환류)로 가열한다. 혼합물을 실온으로 냉각시켜 여과한다. 진공에서 휘발 물질을 제거하여 담황색 고체 4.83g, 11.6mmol, 99%를 수득한다. 생성물을 헥산:에틸 아세테이트(5:2) 속에서 밤새 연마한다. 여과하고 진공에서 휘발 물질을 제거하여 담황색 고체를 수득한다. 수율 : 3.53g, 8.50mmol, 73%. Tm = 132℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.41 (s, 1H), 8.26 (d, 2H), 7.94 (dd, 2H), 7.87 (m, 2H), 7.52 (s, 1H), 7.40 (m, 8H), 6.04 (s, 2H), 2.40 (s, 3H).
실시예 3
2,2'-메틸렌 비스-(6-(2H-벤조트리아졸릴)-4-메틸페놀)(cf. 미국 특허 제4,937,348호) 3.00g, 6.49mmol을 DMF 30㎖에서 슬러리화시킨다. 이들 혼합물을 40℃로 가열하고 NaOMe(CH30H 중의 5.4M, 2.40㎖, 13mmol)를 시린지를 통해 가하여 오렌지색 균질 혼합물을 형성한다. 혼합물의 온도를 70℃로 승온시켜 벤질 브로마이드 1.70㎖, 2.44g, 14.3mmol을 시린지를 통해 가한다. 100℃에서 4시간 후, 휘발 물질을 진공에서 제거하여 반고체를 수득한다. 컬럼 크로마토그래피(19:1 헥산: 에틸 아세테이트)를 사용하여 생성물을 수득한다. 수율 : 3.32g, 5.17mmol, 80%. Tm = 150℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 7.90 (m, 4H), 7.42 (d, 2H), 7.38 (m, 4H), 7.08 (m, 6H), 6.97 (m, 4H), 6.90 (d, 2H), 4.34 (s, 4H), 2.26 (s, 6H).
실시예 4
2-(5-카복시-2H-벤조트리아졸릴)-4,6-디-3급 부틸페놀 5.00g, 13.6mmol, 탄산칼륨 5.64g, 40.8mmol, 아세톤 80㎖ 및 DMF 40㎖를 교반 바가 장착된 250㎖ 플라스크에 둔다. 요오도메탄 4.2㎖, 9.6g, 68mmol을 시린지를 통해 가한다. 혼합물을 17시간 동안 45℃로 가열한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하고, 생성물을 톨루엔으로 추출한다. 여과하고 진공에서 톨루엔을 제거하여 무색 고체를 정량적 수율로 수득한다. 이들 물질 4.0g을 헥산:에틸 아세테이트(19:1)를 사용하여 실리카상에서 크로마토그래피하여 생성물 3.8g, 9.6mmol, 95%(정제 단계)를 수득한다. Tm = 112℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.82 (s, 1H), 8.09 (m, 2H), 7.56 (d, 1H), 7.51 (d, 1H), 4.02 (s, 3H), 3.10 (s, 3H), 1.48 (s, 9H), 1.37 (s, 9H). 당해 물질은 용액 중에서 445nm의 λmax 방출과 CIE(0.157, 0.132)를 나타낸다.
실시예 5
2-(5-클로로-2H-벤조트리아졸릴)-4,6-디-3급 부틸페놀 30.06g, 83.99mmol, 탄산칼륨 23.3g, 0.169mol, 아세톤 200㎖ 및 요오도메탄 26㎖, 59g, 0.42mol(소량씩 나누어 첨가함)을 3시간 동안 45℃로 가열한다. 혼합물을 냉각시켜 진공에서 휘발 물질을 제거한다. 생성물을 톨루엔에 용해시켜 여과하고 진공에서 휘발 물질을 제거하여 무색 고체를 수득한다. 수율 : 31.18g, 83.84mmol, 99.8%. Tm = 224℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.16 (d, 1H), 8.12 (d, 1H), 7.69 (d, 1H), 7.63 (d, 1H), 7.57 (dd, 1H), 3.25 (s, 3H), 1.62 (s, 9H), 1.51 (s, 9H).
실시예 6
실시예 5로부터의 화합물 2.00g, 5.38mmol, 탄산칼륨 2.23g, 16.1mmol 및 페닐보론산 0.98g, 8.04mmol을 톨루엔 30㎖ 속에서 슬러리화하여 아르곤하에서 110℃로 가열한다. 알릴, 트리사이클로헥실포스피닐 팔라듐 클로라이드(cf. 제W0 01/16057호) 20mg을 가한 다음 110℃에서 24시간 동안 가열한다. 혼합물을 실온으로 냉각시키고 실리카 패드를 통해 여과하여 톨루엔으로 세척한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하고, 조 물질을 펜탄 20㎖ 속에서 15분 동안 연마하여 투명한 생성물을 수득한다. 수율 : 1.53g, 3.70mmol, 69%. Tm = 152℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.28 (s, 1H), 8.18 (d, 1H), 7.82 (m, 3H), 7.62 (m, 4H), 7.37 (m, 1H), 3.23 (s, 3H), 1.58 (s, 9H), 1.46 (s, 9H). 당해 물질은 용액 중에서 413nm의 λmax 방출과 CIE(0.157, 0.053)를 나타낸다.
실시예 7
5-아미노-2-페닐-2H-벤조트리아졸(문헌 참조; Kehrmann, et. al., Chem. Ber. 1892,25, 899.) 2.10g, 10.0mmol, 탄산칼륨 4.15g, 30.0mmol 및 벤질 브로마이드 3.42g, 20.0mmol을 DMF 30㎖와 교반 바가 담긴 100㎖ 플라스크에 둔다. 이들 혼합물을 15시간 동안 100℃로 가열한다. 플라스크를 냉각시키고 에틸 아세테이트를 가한다. 용액을 추출하고 물(5 ×250㎖)로 세척하여 DMF를 제거한다. MgSO4로 건조시키고 여과한 다음 진공에서 휘발 물질을 제거하여 녹황색 반고체를 수득한다. 생성물을 헥산:에틸 아세테이트(4:1) 30㎖ 속에서 연마하여 정제한 다음 톨루엔 20㎖으로부터 결정화시킨다. 수율 : 2.12g, 5.43mmol, 54%. Tm = 158℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.24 (d, 2H), 7.73 (d, 1H), 7.49 (t, 2H), 7.29 (m, 11H), 7.17 (dd, 1H), 6.91 (d, 1H), 4.75 (s, 4H). 당해 물질은 용액 중에서 455nm 및 497nm의 λmax 방출을 나타낸다.
실시예 8
5-아미노-2-페닐-2H-벤조트리아졸(문헌 참조; Kehrmann, et. al., Chem. Ber. 1892,25, 899.) 2.00g, 9.51mmol, 탄산칼륨 3.47g, 25.1mmol 및 1,2,4,5-테트라키스브로모메틸벤젠 2.14g, 4.76mmol을 교반 바가 장착된 100㎖ 플라스크에 둔다. DMF 40㎖를 가하여 혼합물을 100℃로 가열한다. 4시간 후, 증점성 황색 침전물이 발견되며, TLC 결과, Rf가 매우 낮은 하나의 성분만이 관찰된다(1:1 헥산:에틸 아세테이트). 플라스크를 냉각시키고 물 30㎖를 가한다. 생성물을 여과하고 물로 수 회 세척한 다음 메탄올로 세척한다. 잔류하는 휘발 물질을 진공에서 제거하여 황색 고체를 수득한다. 수율 : 2.49g, 4.56mmol, 96%. Tm = 364℃ , Tg =167℃. MS (EI) : 546 (M+).
실시예 9
(a) 벤조카인 23.00g, 139.2mmol을 물 400㎖ 속에서 슬러리화하고 진한 HCl 29㎖, 0.35mol을 가하여 균질 용액을 형성한다. 이들 혼합물을 0℃로 냉각시켜, 물 50㎖ 중의 아질산나트륨 10.09g, 146.2mmol을 적가한다. 40분 후, 물 20㎖ 중의 설팜산 3.0g, 31mmol을 서서히 가하여 과량의 아질산염을 파괴시킨다. 디아조늄염을 0℃에서 물 800㎖ 중의 1-나프틸아민-2-설폰산 31.08g, 139.2mmol, 탄산나트륨 29.5g, 0.278mol을 함유하는 2.5ℓ 반응기로 주입한다. 0 내지 5℃에서 2시간 후, 생성물을 여과하고 물(2 ×300㎖)로 세척하여 적색 고체를 형성한다. TLC에서는 1개의 주 스팟과 소량의 불순물이 나타났다. 이들 모두를 (b)에 사용한다.
(b) (a)로부터의 생성물과 구리(II) 아세테이트 0.25g, 1.38mmol을 3급 아밀 알콜 속에서 슬러리화시킨다. 80℃로 가열하면, 혼합물이 균일해지며, 이때 3급 부틸 하이드로퍼옥사이드 100㎖, 70g, 0.78mol을 2일에 걸쳐 가한다. 혼합물을 냉각시키고 여과하여 생성물을 제거한다. 3급 아밀 알콜로 세척하고 진공에서 휘발 물질을 제거하여 분홍색 고체를 수득한다. 수율 : 27.46g, 86.53mmol, 62%. Tm = 161℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.42 (d, 1H), 8.23 (d, 2H), 8.01 (d, 2H), 7.66 (d, 1H), 7.55 (m, 2H), 7.45 (m, 2H), 4.21 (q, 2H), 1.22 (t, 3H).
실시예 10
실시예 9로부터의 생성물을 에탄올:물(1:1) 700㎖에서 슬러리화하여 수산화나트륨 6.94g, 0.174mol을 가한다 . 혼합물을 4시간 동안 환류하에(105℃ 외부) 가열한다. 플라스크를 70℃로 냉각시키고 여과하여 생성물의 연갈색 용액을 수득한다. 실온으로 밤새 냉각시키면, 결정이 형성된다. 생성물을 여과하고 에탄올:물(1:1) 50㎖로 세척하며 고진공을 사용하여 건조시킨다. 이들 물질을 정제하지 않은 채로 실시예 11에 사용한다. 수율 : 21.22g, 68.17mmol, 79%.
실시예 11
실시예 10으로부터의 생성물 3.00g, 9.64mmol을 실온에서 DMF 몇 방울을 함유하는 디클로로메탄 40㎖ 속에서 슬러리화시킨다. 티오닐 클로라이드 2.4㎖, 3.9g, 33mmol을 시린지를 통해 가하여, 생성물이 발열과 함께 형성되도록 한다. 플라스크를 5시간 동안 외부 온도가 53℃로 되도록 가열한 다음 실온으로 냉각시킨다. 휘발 물질을 진공에서 제거하여 담갈색 고체를 수득한다. N-메틸피롤리디논 20㎖ 중의 N-페닐-1,2-페닐렌디아민 1.78g, 9.66mol의 용액을 아르곤하에서 고체에 적가한다. 실온에서 30분 후, 혼합물을 2시간 동안 60℃로 가열한다. 물에 부어 여과하고 물과 메탄올 25㎖로 세척하여 생성물을 분리한다. 고진공을 사용하여 물질을 분리한다. 물질을 진공(100mbar)하에 3시간 동안 260℃로 가열하여 생성물의 용융물을 형성한다. 실온으로 냉각시킨 후, 생성물을 디클로로메탄으로 추출하여 실리카 패드를 통해 여과한다. 용매를 진공에서 제거하여, TLC(헥산:에틸 아세테이트 1:1)에서 1개의 스팟으로 나타나는 거의 무색인 고체를 수득한다. 수율 : 3.03g, 6.93mmol, 72%. 이들 물질을 MeOH 25㎖에서 밤새 연마하여 정제한다. 여과하고 휘발 물질을 진공에서 제거하여 무색 고체를 수득한다. 수율 : 2.48g, 5.67mmol, 59%. Tm = 208℃, Tg = 75℃. MS (EI) : 437 (M+). 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.54 (d, 1H), 8.27 (d, 2H), 7.84 (m, 2H), 7.71 (m, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.58 (m, 3H), 7.46 (m, 3H), 7.32 (m, 3H), 7.23 (m, 2H).
실시예 12
3,7-디아미노디벤조푸란(문헌 참조; Nimura, S., et. al. J. Phys. Chem. A 1997, 101, 2083.) 10.0g, 50.4mmol, 물 150㎖ 및 진한 HCl 25㎖, 0.30mol을 500㎖ 반응기에 둔다. 물 28㎖ 중의 아질산나트륨 7.00g, 0.101mol을 0℃에서 적가한다. DMF 45㎖를 온도가 5℃를 초과하지 않을 정도로 서서히 가한다. 10분 후, 디아조늄염을 물 100㎖, DMF 50㎖ 및 HCl 10㎖, 0.12mol 중의 2-나프틸아민 14.4g, 0.101mol의 용액에 적가하여 진한 색 혼합물을 수득한다. 나트륨 아세테이트 삼수화물 40g, 0.29mol을 0℃에서 반응물에 가한 다음 실온에서 2시간 동안 교반한다. 비스-아조 중간체를 여과하고 물로 세척한다. 생성물을 피리딘 225㎖ 및 구리(II) 아세테이트 일수화물 50g, 0.25mol이 담긴 1ℓ 반응기에 둔다. 혼합물을 6시간 동안 환류하에 가열한 다음 실온으로 냉각시킨다. 베이지색 생성물을 여과하여 물(7 ×150㎖)과 메탄올(2 ×50㎖)로 세척한다. 휘발 물질을 진공에서 제거한다. 비등 트리클로로벤젠에 용해시키고 활성탄(비등시키지 않음)을 통해 여과하여 실온으로 냉각시킴으로써 화합물을 정제하여 황색 결정을 수득한다. 수율 : 13.15g, 26.2mmol, 52%. Tm = 348℃. MS (EI) : 502 (M+).
실시예 13
(a) 2,5-디브로모아닐린 19.71g, 78.5mmol을 실온에서 EtOH 130㎖에 용해시킨다. 교반하면서, H2SO4 4.2㎖, 7.7g, 79mmol을 시린지를 통해 가하여 침전물을 형성한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하여 베이지색 분말을 수득한다.
상기 아닐리늄 설페이트 염 26.00g, 77.0mmol을 0℃에서 물 200㎖ 및 HCl 5㎖, 60mmol에서 슬러리화시킨다. 물 30㎖ 중의 아질산나트륨 5.31g, 77.0mmol을 적가한다.
반응물을 0℃에서 2시간 동안 교반한다. 디아조늄염 용액을 0℃에서 에탄올 450㎖ 중의 2-나프톨 11.1g, 77.0mmol의 용액에 적가한다. 오렌지색 혼합물을 3시간 동안 교반하여 실온으로 가온시킨다. 생성물을 여과하고 물(3 ×200㎖)로 세척하여 진공하에 건조시킨다. 생성물을 19:1 헥산:에틸 아세테이트(200㎖)에서 연마하여 정제하고 여과한 다음 진공에서 건조시켜 오렌지색 고체를 수득한다. 수율 : 28.13g, 69.27mmol, 90%. TDEC = 170℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.63 (d, 1H), 8.32 (d, 1H), 7.85 (d, 1H), 7.72 (m, 2H), 7.62 (d, 1H), 7.57 (t, 1H), 7.35 (dd, 1H), 6.93 (d, 1H).
(b) (a)로부터의 생성물 28.13g, 69.27mmol, 나트륨 아지드 4.50g, 69.3mmol 및 구리(I) 브로마이드 0.10g, 0.69mmol을 교반 바와 DMF 200㎖가 담긴 500㎖ 플라스크에 둔다. 혼합물을 2시간 동안 80℃로 가열하여 실온으로 냉각시킨다. 용액을 물 500㎖에 붓고 물(4 ×500㎖)로 세척한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하여, TLC(1:1 헥산:에틸 아세테이트)에서 순수한 갈색 고체를 수득한다. 수율 : 21.1g, 62.0mmol, 90%. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.62 (d, 1H), 8.22 (s, 1H), 7.90 (m, 3H), 7.60 (m, 2H), 7.41 (m, 2H).
실시예 14
실시예 13으로부터의 생성물 20.7g, 60.9mmol 및 탄산칼륨 16.9g, 122mmol을 교반 바와 DMF 200㎖가 담긴 500㎖ 플라스크에 둔다. 요오도메탄 7.8㎖, 17.8g, 122mmol을 시린지를 통해 가한다. 플라스크를 3시간 동안 50℃(외부)로 가열한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하고, 생성물을 톨루엔:물(1:1, 1ℓ)로 추출한다. 유기 상을 분리하여 건조시킨다. 여과하고 휘발 물질을 진공에서 제거하여 TLC 및 NMR에서 순수한 갈색 고체를 수득한다. 수율 : 17.2g, 48.6mmol, 80%. Tm = 116℃. 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.22 (s, 1H), 8.06 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.87 (m, 1H), 7.56 (dd, 1H), 7.41 (m, 3H), 6.92 (m, 1H), 3.88 (s, 3H).
실시예 15
실시예 14로부터의 생성물 5.00g, 14.1mmol, 디페닐아민 2.39g, 14.1mmol, 나트륨 3급 부톡사이드 2.71g, 28.2mmol, 트리스-(디벤질리딘아세톤) 디팔라듐(0) 129mg, 0.141mmol 및 비스-(디페닐포스피노) 페로센 156mg, 0.281mmol을 교반 바가 장착된 250㎖ 플라스크에 둔다. 톨루엔 100㎖를 가하여 혼합물을 24시간 동안 100℃로 가열한다. 생성물을 알루미나에 흡착시키고 헥산:에틸 아세테이트(15:1)를 사용하여 크로마토그래피한다. 생성물을 승화에 의해 더욱 정제시킨다. Tm = 214℃, Tg = 78℃. MS (EI) : 442 (M+). 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.14 (d, 1H), 7.94 (d, 2H), 7.51 (m, 4H), 7.38 (m, 5H), 7.28 (m, 4H), 7.16 (m, 3H), 4.00 (s, 3H). 당해 물질은 용액 중에서 478nm의 λmax 방출을 나타낸다.
실시예 16
3-아미노플루오란텐 10.85g, 49.94mmol을 0℃에서 물 50㎖ 및 HCl 12M, 10㎖, 0.12mol에서 슬러리화시킨다. 물 10㎖ 중의 아질산나트륨 3.50g, 50.7mmol을 15분에 걸쳐 적가한다. 0℃에서 30분 후, 적갈색 용액을 여과한다. 토아비스산(Tobias acid)(2-나프틸아민-1-설폰산) 11.15g, 49.96mmol을 피리딘 50㎖에 용해시켜 0℃로 냉각한다. 이어서, 디아조늄염 용액을 0℃에서 30분에 걸쳐 적가한다. 2시간 후, 현탁액을 여과하고 물로 세척하며 진공에서 건조시켜 자주빛 적색 고체를 수득한다.
물질 15.6g, 42.0mmol을 1ℓ 반응기 속에서 피리딘 250㎖에서 60℃로 가열한다. 물 100㎖ 중의 구리(II) 설페이트 오수화물 26.4g, 0.105mol을 아조 화합물에 적가한다. 이어서, 온도를 4시간 동안 90℃로 승온시킨다. 혼합물을 실온으로 냉각시키고 여과하여 담갈색 고체를 수득한다. 화합물을 결정화에 의해 정제한다. 수율 : 7.9g, 21.4mmol, 51%. TM = 155℃. MS (APCI) : 370.1 (M+1). 당해 물질은 용액 중에서 478nm의 λmax 방출을 나타낸다.
실시예 17
(a) 4-브로모아닐린 23.63g, 137.4mmol을 HCl 3㎖, 372mmol을 사용하여 물 250㎖에 용해시킨다. 혼합물을 0℃로 냉각시키고, 물 30㎖ 중의 아질산나트륨 9.48g, 137mmol을 30분에 걸쳐 적가한다. 45분 후, 디아조늄염을 0℃에서 캐뉼라를 통해 물 600㎖ 중의 토비아스산 30.66g, 137.4mmol과 탄산나트륨 25.1g, 234mmol의 혼합물에 가한다. 2시간 후, 침전물을 여과하고 물(2 ×300㎖)로 세척한다. 생성물을 진공에서 건조시켜 적색 고체를 수득한다. 화합물을 메탄올 175㎖ 속에서 밤새 연마한다. 여과하고 진공에서 휘발 물질을 제거하여 TLC에서 순수한 적색 고체를 수득한다. 적색 염료를 다음 단계에서 직접 사용한다. MS (EI) : 325 (M+). 1H NMR (ppm, CDCl3) : 8.74 (d, 1H), 7.68 (d, 2H), 7.59 (d, 2H), 7.53 (m, 2H), 7.47 (t, 1H), 7.27 (t, 1H), 6.77 (d, 1H).
(b) (a)로부터의 생성물 10.00g, 30.66mmol 및 구리(II) 아세테이트 50mg, 0.28mmol을 교반 바가 장착된 250㎖ 플라스크에 둔다. 3급 아밀 알콜 100㎖를 가하여 혼합물을 80℃로 가열한다. 3급 부틸 하이드로퍼옥사이드 13.7㎖, 100mmol을 서서히 가하여 반응을 TLC로 모니터링한다. 플라스크를 실온으로 냉각시켜 생성물을 여과한다. 3급 아밀 알콜로 세척하고 진공에서 휘발 물질을 제거하여 연한 장미색 고체를 수득한다. 수율 : 7.82g, 24.1mmol, 79%. MS (EI) : 323 (M+). 1H NMR (ppm, CDC13) : 8.49 (d, 1H), 8.15 (d, 2H), 7.76 (d, 1H), 7.64 (m, 2H), 7.55 (m, 4H).
실시예 18
(a) 마그네슘 분말(turning) 1.67g, 68.7mmol을 1시간 동안 아르곤하에 건식 교반한다. 에테르 32㎖를 가한 다음 디브로모에탄 2방울을 가한다. 에테르 20㎖와 THF 25㎖ 중의 4-브로모-4'-3급 부틸비페닐(문헌 참조; Murphy, S. , et. al. J. Org. Chem. 1995,60, 2411.) 10.0g, 34.6mmol을 1시간에 걸쳐 적가한다. 혼합물을 37℃에서 2시간 동안 환류시킨다. 분리 플라스크에서, 트리이소프로필보레이트 9.4㎖, 7.7g, 41mmol 및 THF 30㎖를 아르곤하에 -78℃로 냉각시킨다. 상기 그리냐드 시약을 캐뉼라를 통해 가하고, 반응물을 -78℃에서 1시간 동안 교반한다. 플라스크를 실온으로 가온시켜 추가로 1시간 동안 교반한다. 혼합물을 HCl과 물을 함유하는 플라스크에 붓고 2시간 동안 교반한다. 베이지색 생성물을 여과하여 물로 세척한다. 휘발 물질을 진공에서 제거하여 회백색 고체를 수득한다. 수율 : 5.67g, 22.3mmol, 64%. Tm = 192℃. 1H NMR (ppm, (CD3)2SO) : 7.80 (d, 2H), 7.55 (2개의 중첩된 이중선, 4H), 7.41 (d, 2H), 1.25 (s, 9H).
(b) (a)로부터의 생성물 2.00g, 6.13mmol, 실시예 19로부터의 생성물 2.54g, 9.99mmol, 탄산칼륨 2.36g, 17.1mmol 및 톨루엔 50㎖를 30분 동안 아르곤하에서 교반한다. 알릴, 트리사이클로헥실포스피닐 팔라듐 클로라이드(제W0 01/16057호) 40mg을 가한 다음 110℃에서 24시간 동안 가열한다. 혼합물을 실온으로 냉각시켜 실리카상에 흡착시킨다. 헥산:에틸 아세테이트(9:1)를 사용한 컬럼 크로마토그래피로 생성물을 정제하여 담갈색 고체 0.90g, 1.98mmol, 32%를 수득한다. Tm = 245℃. 당해 물질은 용액 중에서 414nm의 λmax 방출을 나타내고, 양자 효율이 70%이다.
응용 실시예 1(장치)
다음의 장치 구조를 제조한다 :
ITO(양극, ITO는 인듐 주석 산화물이다)
CuPC(구리 프탈로시아닌; 홀 주입 물질)
NPD(4,4'-비스-(1-나프틸-페닐아미노) 비페닐; 홀 운반 물질)
DPVBi(4,4'-비스-(2,2-디페닐-1-비닐) 비페닐) (호스트)/실시예 16의 화합물(2.6%, 게스트)
Alq3(트리스-8-퀴놀리네이토 알루미늄 ; 전자 운반 물질)
LiF/Al(음극)
이러한 장치 구조를 사용하면, 9V(0.89cd/A)에서 최대 휘도가 816cd/㎡이고, 방출 λmax는 용액 중의 게스트 물질과 유사하게 489nm이다.
응용 실시예 2(장치)
다음의 장치 구조를 제조한다 :
ITO(양극, ITO는 인듐 주석 산화물이다)
CuPC(구리 프탈로시아닌; 홀 주입 물질)
NPD(4,4'-비스-(1-나프틸-페닐아미노) 비페닐; 홀 운반 물질)
DPVBi(4,4'-비스-(2,2-디페닐-1-비닐) 비페닐) (호스트)/실시예 15의 화합물(2.2%, 게스트)
Alq3(트리스-8-퀴놀리네이토 알루미늄 ; 전자 운반 물질)
LiF/Al(음극)
이러한 장치 구조를 사용하면, 11V(1.8cd/A)에서 최대 휘도가 3120cd/㎡이고, 방출 λmax는 용액 중의 게스트 물질과 유사하게 493nm이다.
응용 실시예 3(장치)
다음의 장치 구조를 제조한다 :
ITO(양극, ITO는 인듐 주석 산화물이다)
CuPC(구리 프탈로시아닌; 홀 주입 물질)
NPD(4,4'-비스-(1-나프틸-페닐아미노) 비페닐; 홀 운반 물질)
실시예 12의 화합물
Alq3(트리스-8-퀴놀리네이토 알루미늄 ; 전자 운반 물질)
LiF/Al(음극)
이러한 장치 구조를 사용하면, 15V(1.1cd/A)에서 최대 휘도가 1230cd/㎡이고, 방출 λmax는 471nm이다.
응용 실시예 4(장치)
다음의 장치 구조를 제조한다 :
ITO(양극, ITO는 인듐 주석 산화물이다)
CuPC(구리 프탈로시아닌; 홀 주입 물질)
NPD(4,4'-비스-(1-나프틸-페닐아미노) 비페닐; 홀 운반 물질)
실시예 11의 화합물
Alq3(트리스-8-퀴놀리네이토 알루미늄 ; 전자 운반 물질)
LiF/Al(음극)
이러한 장치 구조를 사용하면, 10V(0.71cd/A)에서 최대 휘도가 720cd/㎡이고, 방출 λmax는 432nm이다.
응용 실시예 5(장치)
다음의 장치 구조를 제조한다 :
ITO(양극, ITO는 인듐 주석 산화물이다)
CuPC(구리 프탈로시아닌; 홀 주입 물질)
NPD(4,4'-비스-(1-나프틸-페닐아미노) 비페닐; 홀 운반 물질)
DPVBi(4,4'-비스-(2,2-디페닐-1-비닐) 비페닐) (호스트)/실시예 7의 화합물(3.1%, 게스트)
Alq3(트리스-8-퀴놀리네이토 알루미늄 ; 전자 운반 물질)
LiF/Al(음극)
이러한 장치 구조를 사용하면, 14V(2.1cd/A)에서 최대 휘도가 4130cd/㎡이고, 방출 λmax는 용액 중의 게스트 물질과 유사하게 461nm이다.
본 발명의 실시예에서 수득된 유기 EL 장치는 탁월한 광 방출 휘도를 나타내어 높은 광 방출 효능을 달성한다. 상기 실시예에서 수득된 유기 EL 장치가 3(mA/㎠)에서 연속적으로 빛을 방출할 수 있는 경우, 모든 유기 EL 장치는 안정하다. 본 발명의 광 방출 물질은 형광 양자 효율이 매우 높기 때문에, 광 방출 물질을 사용한 유기 EL 장치는 낮은 전류 인가 영역에서도 높은 휘도로 광 방출을 달성하며, 광 방출층이 도핑 물질을 추가로 사용하는 경우에 유기 EL 장치는 최대 광 방출 휘도와 최대 광 방출 효능이 개선된다. 또한, 상이한 형광색을 갖는 도핑 물질을 본 발명의 광 방출 물질에 첨가함으로써, 상이한 광 방출 색을 갖는 광 방출 장치가 수득된다.
본 발명의 유기 EL 장치는 광 방출 효율과 광 방출 휘도의 개선 및 장치 수명 연장을 달성하며, 병용하여 사용되는 광 방출 물질, 도판츠, 홀 주입 물질, 전자 주입 물질, 감광제, 수지 및 전극 물질과 장치의 제조방법을 제한하지 않는다.
광 방출 물질로서 본 발명의 물질을 사용하는 유기 EL 장치는, 종래의 장치에 비해, 높은 휘도를 갖는 광 방출, 높은 광 방출 효능 및 연장된 수명을 성취한다. 본 발명의 광 방출 물질과 본 발명의 유기 EL 장치에 따르면, 높은 휘도, 높은 광 방출 효능 및 수명이 연장된 유기 EL 장치를 성취할 수 있다.

Claims (10)

  1. 2H-벤조트리아졸 화합물, 특히 화학식 I의 화합물을 포함하는 전기발광 장치.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    a는 0 또는 1이고,
    b는 0 또는 1이며,
    X1은 b가 1이면 화학식 의 그룹(여기서, c는 0 또는 1이다)이고, b가 0이면 Y3이며,
    X2 및 X3은 서로 독립적으로 화학식 의 그룹(여기서, d는 0 또는 1이다)이고,
    Ar1, Ar2 또는 Ar3는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이며,
    Y1 및 Y2는 서로 독립적으로 2가 연결 그룹이고,
    Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
  2. 제1항에 있어서, 화학식 II, III, IV, V 및/또는 VI의 2H-벤조트리아졸 화합물을 포함하는 전기발광 장치.
    화학식 II
    화학식 III
    화학식 IV
    화학식 V
    화학식 VI
    위의 화학식 II 내지 VI에서,
    d, Ar1, Ar2, Ar3, Y1 및 Y2는 제1항에서 정의한 바와 같고,
    Ar4는 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이며,
    Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
  3. 제2항에 있어서, 화학식 II 또는 화학식 III에서 및 가 서로 독립적으로 화학식 , , 또는 의 그룹[여기서, A21, A22, A23, A24, A11, A12 , A13, A14, A15, A16, A17 및 A18은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5 -C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, -NR25 R26, C1-C24 알킬티오, -PR32R32, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5 -C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7 -C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이거나, A22와 A23 또는 A11과 A23은 화학식 또는 의 그룹이거나, 서로 인접해 있는 2개의 그룹 A11, A12, A13, A14 , A15, A16, A17 및 A18은 화학식 또는 의 그룹이고, 여기서, A31, A32, A33, A34, A35, A36 및 A37은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2 -C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이며, D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31-, -POR32-, -CR23=CR24- 또는 -C≡C-이고, E는 -OR29, -SR29 , -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, -OCOOR27 또는 할로겐이며, 여기서, R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C 24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이거나, R25 및 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히 , 또는 을 형성하고, R27 및 R28은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이며, R29는 H, C6-C18아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C 1-C24 알킬이고, R30 및 R31은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C 1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이며, R32는 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1 -C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이다]인 전기발광 장치.
  4. 제2항에 있어서, 화학식 IV에서 및 가 서로 독립적으로 화학식 , , 또는 의 그룹[여기서, A41, A42, A43, A44, A51, A52 , A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59 및 A60은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C 24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, NR 25R26, C1-C24 알킬티오, -PR32R32, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C 5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C 25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이거나, A42와 A43 또는 A42와 A51은 화학식 또는 의 그룹이고, 서로 인접해 있는 두 개의 그룹 A51, A52, A53, A54, A55, A56, A57, A58, A59 및 A60은 화학식 또는 의 그룹이며, 여기서 A61, A62, A63, A64, A65, A66 , A67, A68, A69 및 A70은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C 24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25 -로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C 2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C 25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31-, -POR32-, -CR23=CR 24- 또는 -C ≡C-이며, E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, -OCOOR27 또는 할로겐이고, 여기서 R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1 -C24 알킬이거나, R25 및 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히 , 또는 을 형성하며, R27 및 R28은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C 24 알킬이고, R29는 H, C6-C18아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C 18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이며, R30 및 R31은 서로 독립적으로 C1-C 24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이고, R32는 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이며, 치환체 A41, A42, A43, A 44, A51, A52, A53, A54, A55, A56 , A57, A58, A59, A60, A61, A62, A63, A64 , A65, A66, A67, A68, A69 및 A70 중의 하나는 단일 결합이다]인 전기발광 장치.
  5. 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, Y3 및 Y3'가 서로 독립적으로 화학식 , , , 또는 의 그룹[여기서, R41, R42 ,R43, R44, R45, R46 , R47, R48, R49, R50, R51, R52, R53, R54, R55, R56 , R57, R58, R59, R60, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R70, R71, R72, R73, R74, R75, R76 , R77, R80, R81, R82, R83, R84, R85, R86 및 R87은 서로 독립적으로 H, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, E로 임의로 치환된 C1-C24 알케닐, E로 임의로 치환된 C5-C12 사이클로알킬, E로 임의로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, E로 임의로 치환된 C6-C18 아릴, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, E로 임의로 치환된 C6-C18 아릴옥시, E로 임의로 치환된 C7-C18 아릴알콕시, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬티오, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬셀레늄, E로 임의로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬텔루륨, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴 또는 E로 임의로 치환된 C6-C18 아르알킬이거나, 서로 인접해 있는 두 개의 그룹 R41, R42 , R43, R44, R45, R46, R47, R48, R49, R50, R51, R52 , R53, R54, R55, R56, R57, R58, R59, R60, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R70, R71, R72 , R73, R74, R75, R76, R77, R80, R81, R82, R83, R84, R85, R86 및 R87은 화학식 또는 의 그룹이며, 여기서 A90, A91, A92, A93, A94, A95, A96 및 A97은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C 24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, R68, R69, R78, R79 , R 88 및 R89는 서로 독립적으로 C1-C18 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C20 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C20 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시 또는 C7-C25 아르알킬이거나, R68과 R69, R78과 R79 및/또는 R88과 R89는 환, 특히 5원 또는 6원 환을 형성하거나, R68과 R70, R69와 R73, R77과 R78 및/또는 R 84와 R89는 화학식 의 그룹이며, D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31-, -POR32-, -CR23=CR24- 또는 -C ≡C-이고, E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, -OCOOR27 또는 할로겐이며, 여기서 R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이거나, R25 및 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히 , 또는 을 형성하고, R27 및 R28은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C 24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이며, R29는 H, C6-C18아릴, C1-C24 알킬 또는 C 1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이고, R30 및 R31 은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C 18 아릴이며, R32는 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이다]인 전기발광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, Y1 및 Y2가 서로 독립적으로 , 특히 , , , , 특히 또는 ; , 특히 ; , , 특히 또는 ; , , , , , 특히 ; , , , , , , , , , , , , , 또는 [여기서, n1, n2, n3, n4, n5, n6 및 n7은 1, 2 또는 3, 특히 1이고, E1은 -S-, -O- 또는 -NR25'-(여기서, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C10 아릴이다)이며, R6 및 R7은 서로 독립적으로 H, 할로겐, 하이드록시, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C5-C12 사이클로알킬, E로 치환되고/되거나 S-, -O- 또는 -NR25-로 차단된 C5-C12 사이클로알킬, C5-C12 사이클로알콕시, E로 치환된 C5-C12 사이클로알콕시, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴, E로 치환된 C 2-C2O 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시, C7-C25 아르알킬, E로 치환된 C7-C25 아르알킬, C7-C 25 아르알콕시, E로 치환된 C7-C25 아르알콕시 또는 -CO-R28이고, R8은 C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴 또는 C7-C25 아르알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C 24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C20 헤테로아릴, E로 치환된 C2-C20 헤테로아릴, C2-C24 알케닐, C2-C24 알키닐, C1-C24 알콕시, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알콕시 또는 C7-C25 아르알킬이거나, R9 및 R10은 환, 특히 5원 또는 6원 환을 형성하고, R14 및 R15는 서로 독립적으로 H, C1-C24 알킬, E로 치환되고/되거나 D로 차단된 C1-C24 알킬, C6-C24 아릴, E로 치환된 C6-C24 아릴, C2-C2O 헤테로아릴 또는 E로 치환된 C2-C2O 헤테로아릴이고, D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31 -, -POR32-, -CR23=CR24- 또는 -C ≡C-이며, E는 -OR29, -SR29, -NR25 R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, -OCOOR27 또는 할로겐이고, 여기서 R23, R 24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C 24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이거나, R25 및 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히 , 또는 을 형성하며, R27 및 R28은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C1-C24 알킬이고, R29는 H, C6-C18아릴, C1-C24 알킬 또는 C1-C24 알콕시로 치환된 C6-C18 아릴, C1-C24 알킬 또는 -O-로 차단된 C 1-C24 알킬이며, R30 및 R31은 서로 독립적으로 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C 1-C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이고, R32는 C1-C24 알킬, C6-C18 아릴 또는 C1 -C24 알킬로 치환된 C6-C18 아릴이다]인 전기발광 장치.
  7. 제2항, 제3항 또는 제5항에 있어서, 2H-벤조트리아졸 화합물이 화학식 IIa, IIb, IIc 또는 IId의 화합물인 전기발광 장치.
    화학식 IIa
    화학식 IIb
    화학식 IIc
    화학식 IId
    위의 화학식 IIa 내지 IId에서,
    A21, A22, A23 및 A24는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1 -C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R 26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴, 특히 화학식 또는 의 그룹이거나,
    A22와 A23 또는 A11과 A23은 화학식 또는 의 그룹이고,
    A11, A12, A13, A14, A15, A16, A17 및 A18은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R26, -COOR27 또는 C2 - C10 헤테로아릴(여기서, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C 18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이고, R27은 C1-C24 알킬이다)이며,
    Y3은 화학식 , , , 또는 의 그룹{여기서, R41은 수소, C1-C24 알콕시 또는 OC7-C18 아르알킬이고, R42는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R43은 수소, 할로겐, -CONR25R26, -COOR27, , 특히 또는 [여기서, E1은 -S-, -O- 또는 -NR25'-(여기서, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6 -C10 아릴이다)이고, R110은 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이며, A11', A12', A13' 및 A14'는 서로 독립적으로 H, CN, C 1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27이다]이거나, R42 및 R43은 화학식 또는 의 그룹이고, R44는 수소 또는 C1-C24 알킬이며, R45는 수소 또는 C1-C24 알킬이고, R68 및 R69는 서로 독립적으로 C1-C 24 알킬, 특히 C4-C12 알킬, 특히 헥실, 헵틸, 2-에틸헥실 및 옥틸(여기서, 이들은 1개 또는 2개의 산소원자에 의해 차단될 수 있다)이며, R70, R71, R72, R73, R74, R75, R76, R90, R91, R92 및 R93은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C6-C10 아릴, C1-C 24 알콕시, C1-C24 알킬티오, -NR25R26, -CONR25R26 또는 -COOR27(여기서, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이고, R27은 C1-C24 알킬이다)이다}이다.
  8. 제2항, 제3항 또는 제6항에서, 2H-벤조트리아졸 화합물이 화학식 IIIa, IIIb, IIIc 또는 IIId의 화합물인 전기발광 장치.
    화학식 IIIa
    화학식 IIIb
    화학식 IIIc
    화학식 IIId
    위의 화학식 IIIa 내지 IIId에서,
    A41, A42, A43 및 A44는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1 -C24 알킬, C1-C24 퍼플루오로알킬, C6-C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R 26, -COOR27 또는 C2-C10 헤테로아릴, 특히 화학식 또는 의 그룹이거나,
    A42 및 A43은 화학식 또는 의 그룹이고,
    A51, A52, A53, A54, A55, A56, A57 , A58, A59 및 A60은 서로 독립적으로 H, CN, C1-C24 알킬, C1-C24 알콕시, C1-C24 알킬티오, C6 -C18 아릴, -NR25R26, -CONR25R26, -COOR 27 또는 C2-C10 헤테로아릴(여기서, E1은 O, S 또는 NR25이고, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C 24 알킬이며, R27은 C1-C24 알킬이다)이며,
    Y1은 화학식 , , , , , , 또는 의 그룹(여기서, R6은 C1-C24 알콕시 또는 -O-C7-C25 아르알킬이고, R7은 H 또는 C1-C24 알킬이며, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4 -C12 알킬이고, R25'는 C1-C24 알킬 또는 C6-C10 아릴이다)이다.
  9. 제2항, 제4항, 제5항 또는 제6항에 있어서, 2H-벤조트리아졸 화합물이 화학식 VIa의 화합물인 전기발광 장치.
    화학식 VIa
    위의 화학식 VIa에서,
    d는 0 또는 1이고,
    Y2는 -O-, -S-, -NR25-, , , , 또는 의 그룹(여기서, R9 및 R10은 서로 독립적으로 1개 또는 2개의 산소원자로 차단될 수 있는 C1-C24 알킬, 특히 C4-C12 알킬이고, R25는 H, C6-C18 아릴, C7-C18 아르알킬 또는 C1-C24 알킬이다)이며,
    Y3은 화학식 의 그룹(여기서, R41은 C1-C24 알콕시 또는 C7-C15 페닐알콕시이고, R44는 H 또는 C1-C24 알킬이다)이다.
  10. 화학식 I의 2H-벤조트리아졸 화합물.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    a는 0 또는 1이고,
    b는 0 또는 1이며,
    X1은 b가 1이면 화학식 의 그룹(여기서, c는 0 또는 1이다)이고, b가 0이면 Y3이며,
    X2 및 X3은 서로 독립적으로 화학식 의 그룹(여기서, d는 0 또는 1이다)이고,
    Ar1, Ar2 또는 Ar3는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이며,
    Y1 및 Y2는 서로 독립적으로 2가 연결 그룹이고,
    Y3 및 Y3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴, 특히 임의로 치환될 수 있는 C6-C30 아릴 또는 C2-C26 헤테로아릴이다.
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WO (1) WO2003105538A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160141808A (ko) * 2014-04-04 2016-12-09 유디씨 아일랜드 리미티드 고효율의 형광 유기 발광 소자

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US7507903B2 (en) 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8138413B2 (en) 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
JP4916661B2 (ja) 2002-06-06 2012-04-18 チバ ホールディング インコーポレーテッド エレクトロルミネセンス素子
DE10342340A1 (de) * 2003-09-11 2005-04-14 Basf Ag Verbindungen auf Basis von Fluoranthen und ihre Verwendung
JP2007518705A (ja) * 2003-12-05 2007-07-12 チバ　スペシャルティ　ケミカルズ　ホールディング　インコーポレーテッド エレクトロルミネセントデバイス
KR100577235B1 (ko) 2004-03-19 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
KR100565666B1 (ko) * 2004-03-22 2006-03-29 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
DE102004014534A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Basf Ag Triazolderivate und Verwendung von Triazolderivaten in organischen Leuchtdioden (OLEDs)
KR101080353B1 (ko) * 2004-07-02 2011-11-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7075231B1 (en) * 2005-01-03 2006-07-11 Eastman Kodak Company Tandem OLEDs having low drive voltage
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
SE528408C2 (sv) 2005-03-07 2006-11-07 Interactive Inst Ii Ab En metod och en anordning för visuell indikering av ström- eller effektförbrukning i en elkabel
JP2006310036A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板
US7989644B2 (en) 2005-05-30 2011-08-02 Basf Se Electroluminescent device
BRPI0620724A2 (pt) 2005-12-20 2013-07-16 Ciba Holding Inc complexos metÁlicos eletroluminescentes com triazàis
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
JP2008218986A (ja) * 2007-02-06 2008-09-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子
IT1393059B1 (it) * 2008-10-22 2012-04-11 Eni Spa Copolimeri pi-coniugati a basso gap contenenti unita' benzotriazoliche
TWI407831B (zh) * 2009-04-17 2013-09-01 Innolux Corp 影像顯示系統
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
FR2956028B1 (fr) 2010-02-08 2012-03-02 Oreal Composition cosmetique incluant au moins un compose fluorophore.
US9067919B2 (en) 2010-07-08 2015-06-30 Basf Se Use of dibenzofurans and dibenzothiophenes substituted by nitrogen-bonded five-membered heterocyclic rings in organic electronics
US9871210B2 (en) 2013-02-26 2018-01-16 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Naphthotriazole derivatives and organic electroluminescence devices
CN112079814B (zh) 2013-07-29 2023-11-07 保土谷化学工业株式会社 苯并三唑衍生物和有机电致发光器件
JP6479770B2 (ja) * 2014-04-10 2019-03-06 保土谷化学工業株式会社 キノリノトリアゾール誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104269495A (zh) * 2014-09-16 2015-01-07 南京邮电大学 一种高效率有机发光二极管及其制备方法
EP3521384B1 (en) * 2016-11-25 2021-09-22 LG Chem, Ltd. Ionic compound, and coating composition and organic light-emitting device comprising same
JP6868896B2 (ja) * 2017-02-20 2021-05-12 シプロ化成株式会社 波長変換材料を含有する樹脂組成物
WO2020114936A1 (en) * 2018-12-06 2020-06-11 Basf Se Novel procedure for the formation of 2h-benzotriazole bodies and congeners
KR20220051976A (ko) 2020-10-20 2022-04-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2684966A (en) * 1954-07-27 Triazole dyestuffs
US2784197A (en) * 1957-03-05 Fluorescent stilbyl ditriazole
US2784183A (en) * 1951-09-06 1957-03-05 Geigy Ag J R Fluorescent monotriazole compounds
US2713056A (en) * 1953-07-16 1955-07-12 Du Pont Fluorescent whitening agents
DE1052405B (de) 1956-09-06 1959-03-12 Geigy Ag J R Verfahren zur Herstellung von organisch-loeslichen, fluoreszierenden 4-(4,5-Arylen-1,
US3004896A (en) 1956-12-14 1961-10-17 Geigy Ag J R Ultra-violet light-absorbing composition of matter
NL223154A (ko) 1956-12-14
US3055896A (en) 1959-06-11 1962-09-25 American Cyanamid Co Aminohydroxyphenylbenzotriazoles and triazine derivatives thereof
US3072585A (en) 1960-01-13 1963-01-08 American Cyanamid Co Vinylbenzyloxy phenylbenzotriazoles
US3074910A (en) 1960-11-17 1963-01-22 Hercules Powder Co Ltd Stabilization of polyolefins with a nickel phenolate of a bis(p-alkyl phenol) monosulfide and an o-hydroxy phenyl benzotriazole
BE630549A (ko) 1961-06-16
US3230194A (en) 1961-12-22 1966-01-18 American Cyanamid Co 2-(2'-hydroxy-5'-tertiary-octylphenyl)-benzotriazole and polyolefins stabilized therewith
US3288786A (en) * 1962-09-10 1966-11-29 Gen Aniline & Film Corp Naphthotriazole optical brighteners
FR1397516A (fr) * 1963-03-28 1965-04-30 Basf Ag Composés oxdiazoliques fluorescents et procédé pour leur prêparation et leur emploi
US3341530A (en) * 1965-05-24 1967-09-12 Gen Aniline & Film Corp Naphtho(1, 2)triazole brighteners for fine fabrics
DE1285308B (de) * 1965-10-15 1968-12-12 Agfa Gevaert Ag Photographisches Material
ES344828A1 (es) 1966-09-08 1969-01-01 Geigy Ag J R Procedimiento para aprestar y emblanquecer opticamente ge- neros textiles.
DE1919181A1 (de) 1969-04-16 1970-10-22 Bayer Ag 3-[1,2,4-Triazolyl-(1)]-7-aryltriazolylcumarine
US4127586A (en) 1970-06-19 1978-11-28 Ciba-Geigy Corporation Light protection agents
CH550809A (de) * 1970-10-01 1974-06-28 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung von triazol-derivaten.
JPS4961070A (ko) * 1972-10-16 1974-06-13
JPS516540B2 (ko) * 1973-12-03 1976-02-28
JPS5473032A (en) * 1977-11-22 1979-06-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Color photographic material
US4278589A (en) 1978-06-26 1981-07-14 Ciba-Geigy Corporation 2-[2-Hydroxy-3,5-di-(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-2H-benzotriazole and stabilized compositions
US4275004A (en) 1978-06-26 1981-06-23 Ciba-Geigy Corporation High caustic coupling process for preparing substituted 2-nitro-2'-hydroxyazobenzenes
US4226763A (en) 1978-06-26 1980-10-07 Ciba-Geigy Corporation 2-[2-Hydroxy-3,5-di-(.alpha.,α-dimethylbenzyl)-phenyl]-2H-benzotriazole and stabilized compositions
US4315848A (en) 1979-05-10 1982-02-16 Ciba-Geigy Corporation 2-[2-Hydroxy-3,5-di-(α,α-dimethylbenzyl)-phenyl]-2H-benzotriazole and stabilized compositions
US4347180A (en) 1979-05-16 1982-08-31 Ciba-Geigy Corporation High caustic coupling process for preparing substituted 2-nitro-2'-hydroxyazobenzenes
US4383863A (en) 1979-12-17 1983-05-17 Ciba-Geigy Corporation 2-[2-Hydroxy-3,5-di-tert-octylphenyl]-2H-benzotriazole in stabilized photographic compositions
US4853471A (en) 1981-01-23 1989-08-01 Ciba-Geigy Corporation 2-(2-Hydroxyphenyl)-benztriazoles, their use as UV-absorbers and their preparation
JPS589151A (ja) 1981-07-09 1983-01-19 Canon Inc 電子写真感光体
DE3208933A1 (de) * 1982-03-12 1983-10-06 Bayer Ag Triazol-triazinyl-azo-farbstoffe
US4533612A (en) 1983-04-27 1985-08-06 Basf Aktiengesellschaft Electrophotographic recording materials containing special charge carrier-transporting compounds
JPS61113649A (ja) 1984-11-07 1986-05-31 Adeka Argus Chem Co Ltd 耐光性の改善された高分子材料組成物
US4937348A (en) 1984-11-09 1990-06-26 Adeka Argus Chemical Co., Ltd. Process for preparing 2,2'-methylene-bis-(4-hydrocarbyl-6-benzotriazolylphenols)
US4675352A (en) 1985-01-22 1987-06-23 Ciba-Geigy Corporation Liquid 2-(2-hydroxy-3-higher branched alkyl-5-methyl-phenyl)-2H-benzotriazole mixtures, stabilized compositions and processes for preparing liquid mixtures
JPH0621234B2 (ja) * 1987-03-25 1994-03-23 大日精化工業株式会社 顔料組成物及びその製造方法
JP2659095B2 (ja) 1987-06-30 1997-09-30 富士通株式会社 ゲートアレイ及びメモリを有する半導体集積回路装置
JP2681369B2 (ja) 1988-06-03 1997-11-26 塩野義製薬株式会社 ベンゾトリアゾール誘導体およびそれを含有するカルボン酸類分析用試薬
US5006662A (en) * 1988-10-17 1991-04-09 Ciba-Geigy Corp. Manufacturing process for a naphthotriazole stilbene fluorescent agent
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JPH03792A (ja) * 1989-02-17 1991-01-07 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
JPH02297893A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Nitto Denko Corp エレクトロルミネセンス素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
US5278314A (en) 1991-02-12 1994-01-11 Ciba-Geigy Corporation 5-thio-substituted benzotriazole UV-absorbers
EP0499011A1 (en) 1991-02-12 1992-08-19 Japat Ltd Organic electroluminescent element
US5280124A (en) 1991-02-12 1994-01-18 Ciba-Geigy Corporation 5-sulfonyl-substituted benzotriazole UV-absorbers
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3015163B2 (ja) * 1991-09-20 2000-03-06 旭電化工業株式会社 耐候性の改善された高分子材料組成物
US5268450A (en) 1992-11-24 1993-12-07 Phillips Petroleum Company Compositions comprising sulfur-containing derivatives of hydroxyphenylbenzotriazole and process therefor
US5319091A (en) 1992-11-24 1994-06-07 Phillips Petroleum Company Process for sulfur containing derivatives of hydroxyphenyl/benzotriazoles
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
JPH07138240A (ja) * 1993-11-12 1995-05-30 Kemipuro Kasei Kk ベンゾトリアゾール誘導体およびその用途
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
DE69535154T2 (de) * 1994-12-13 2007-08-16 Huntsman Advanced Materials (Switzerland) Gmbh Verfahren zur Behandlung von Textilmaterialien
JP3393729B2 (ja) * 1995-02-14 2003-04-07 旭電化工業株式会社 耐候性の改善された染色されたポリエステル繊維材料
US5574166A (en) 1995-04-19 1996-11-12 Ciba-Geigy Corporation Crystalline form of 2-(2-hydroxy-3-α-cumyl-5-tert-octylphenyl)-2H-benzotriazole
US5779937A (en) * 1995-05-16 1998-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US5629389A (en) * 1995-06-06 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Polymer-based electroluminescent device with improved stability
DE19535063A1 (de) * 1995-09-21 1997-03-27 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
JP3658891B2 (ja) 1996-11-05 2005-06-08 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US5977219A (en) 1997-10-30 1999-11-02 Ciba Specialty Chemicals Corporation Benzotriazole UV absorbers having enhanced durability
US6166218A (en) 1996-11-07 2000-12-26 Ciba Specialty Chemicals Corporation Benzotriazole UV absorbers having enhanced durability
JP3503403B2 (ja) * 1997-03-17 2004-03-08 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1140355A (ja) * 1997-07-14 1999-02-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
GB9715751D0 (en) * 1997-07-26 1997-10-01 Ciba Geigy Ag Formulations
JPH11157223A (ja) * 1997-12-01 1999-06-15 Konica Corp 感熱記録材料
JP3322204B2 (ja) * 1998-02-02 2002-09-09 富士電機株式会社 多色発光有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP3336606B2 (ja) * 1998-03-09 2002-10-21 日本製紙株式会社 感熱記録体
JP2000256667A (ja) 1999-03-11 2000-09-19 Taiho Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2001016057A1 (en) 1999-08-27 2001-03-08 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Coupling reactions using palladium catalysts
JP2001097949A (ja) * 1999-09-30 2001-04-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001332124A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Toshiba Chem Corp 導電性ペーストおよび光半導体装置
US6962755B2 (en) * 2000-07-17 2005-11-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element and azole compound
AU2002218309A1 (en) * 2000-11-27 2002-06-03 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Substituted 5-aryl and 5-heteroaryl-2-(2-hydroxyphenyl)-2h-benzotriazole derivatives as uv absorbers
JP4916661B2 (ja) 2002-06-06 2012-04-18 チバ ホールディング インコーポレーテッド エレクトロルミネセンス素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160141808A (ko) * 2014-04-04 2016-12-09 유디씨 아일랜드 리미티드 고효율의 형광 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP1520450B1 (en) 2017-08-02
MXPA04012183A (es) 2005-02-25
EP2315502A1 (en) 2011-04-27
EP2315502B1 (en) 2020-10-14
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TW200307737A (en) 2003-12-16
US20050175856A1 (en) 2005-08-11
WO2003105538A1 (en) 2003-12-18
CA2487430A1 (en) 2003-12-18
CN100502087C (zh) 2009-06-17
JP2005529172A (ja) 2005-09-29
EP2265092B1 (en) 2018-03-14
CN1659931A (zh) 2005-08-24
KR101017229B1 (ko) 2011-02-25
JP4916661B2 (ja) 2012-04-18
EP1520450A1 (en) 2005-04-06
US7541096B2 (en) 2009-06-02
AU2003238442A1 (en) 2003-12-22
WO2003105538A8 (en) 2004-12-16

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