RU2005110686A - Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности - Google Patents

Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности Download PDF

Info

Publication number
RU2005110686A
RU2005110686A RU2005110686/28A RU2005110686A RU2005110686A RU 2005110686 A RU2005110686 A RU 2005110686A RU 2005110686/28 A RU2005110686/28 A RU 2005110686/28A RU 2005110686 A RU2005110686 A RU 2005110686A RU 2005110686 A RU2005110686 A RU 2005110686A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
deposited layer
positive photoresist
metallic materials
negative photoresist
Prior art date
Application number
RU2005110686/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2334304C2 (ru
Inventor
Ренато КОНТА (IT)
Ренато КОНТА
Ирма ДИЗЕНЬЯ (IT)
Ирма ДИЗЕНЬЯ
Original Assignee
Оливетти Ай-Джет С.П.А. (It)
Оливетти Ай-Джет С.П.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Оливетти Ай-Джет С.П.А. (It), Оливетти Ай-Джет С.П.А. filed Critical Оливетти Ай-Джет С.П.А. (It)
Publication of RU2005110686A publication Critical patent/RU2005110686A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2334304C2 publication Critical patent/RU2334304C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00388—Etch mask forming
    • B81C1/00412—Mask characterised by its behaviour during the etching process, e.g. soluble masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Claims (20)

1. Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности на кристалле (55), имеющем верхнюю поверхность (11), в которой выполнено по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), отличающийся тем, что он включает в себя этапы, на которых:
(140) накладывают на упомянутую верхнюю поверхность (11) пленку (30) негативного фоторезиста, покрывающую упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12);
(141) экспонируют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством первой маски (31) в зоне (27), которая покрывает упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), так, что упомянутая пленка (30) полимеризуется в соответствии с упомянутой зоной (27);
(142) удаляют неполимеризованную часть упомянутой пленки (30) негативного фоторезиста таким образом, что, в соответствии с упомянутой зоной (27), поверх упомянутого по меньшей мере одного вытравленного углубления (12) остается покрытие (33);
(171) распределяют слой (161) резиста для обратной литографии на упомянутой верхней поверхности (11) упомянутого кристалла (55) и на упомянутом покрытии (33);
(172) распределяют слой (160) позитивного фоторезиста на упомянутом слое (161) резиста для обратной литографии.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что он также включает в себя этапы, на которых:
(174) экспонируют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством маски (13), которая имеет по меньшей мере одно окно (122), таким образом, что упомянутый слой (160) деполимеризуется в соответствии с упомянутым окном (122);
(175) удаляют деполимеризованную часть упомянутого слоя (160) позитивного фоторезиста таким образом, что получают по меньшей мере одну полость (64).
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что упомянутая по меньшей мере одна полость (64) имеет края (24) и подтравливания (22), упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста имеет верхнюю поверхность (114), а упомянутый способ также включает в себя этапы, на которых:
(176) наносят первый осажденный слой (52, 54) на упомянутую верхнюю поверхность (11) и дополнительно осажденный слой (116) на упомянутую верхнюю поверхность (114);
(177) удаляют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста и упомянутый слой (161) резиста для обратной литографии посредством растворителя, который действует через упомянутые края (24) и упомянутые подтравливания (22), оставляя в стороне упомянутый дополнительно осажденный слой (116);
(143) удаляют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) являются металлическими.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой золота, или титана, или платины.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой сплава золота / олова.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что упомянутый осажденный слой (116) и упомянутый осажденный слой (52, 54) содержат неметаллические материалы.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат оксид.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат карбид.
10. Способ по п.7, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат нитрид.
11. Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности на кристалле (55), имеющем верхнюю поверхность (11), в которой выполнено по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), отличающийся тем, что он включает в себя этапы, на которых:
(140) накладывают на упомянутую верхнюю поверхность (11) пленку (30) негативного фоторезиста, покрывающую упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12);
(141) экспонируют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством первой маски (31) в зоне (27), которая покрывает упомянутое по меньшей мере одно вытравленное углубление (12), так, что упомянутая пленка (30) полимеризуется в соответствии с упомянутой зоной (27);
(142) удаляют неполимеризованную часть упомянутой пленки (30) негативного фоторезиста таким образом, что, в соответствии с упомянутой зоной (27), поверх упомянутого по меньшей мере одного вытравленного углубления (12) остается покрытие (33);
(172) распределяют слой (160) позитивного фоторезиста на упомянутой верхней поверхности (11) упомянутого кристалла (55) и на упомянутом покрытии (33).
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что он также включает в себя этапы, на которых:
(174) экспонируют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) излучением посредством маски (13), которая имеет по меньшей мере одно окно (122), таким образом, что упомянутый слой (160) деполимеризуется в соответствии с упомянутым окном (122);
(175) удаляют деполимеризованную часть упомянутого слоя (160) позитивного фоторезиста таким образом, что получают по меньшей мере одну полость (64').
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что упомянутая по меньшей мере одна полость (64') имеет стенки (15), упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста имеет верхнюю поверхность (114), а упомянутый способ также включает в себя этапы, на которых:
(176) наносят первый осажденный слой (52, 54) на упомянутую верхнюю поверхность (11) и дополнительно осажденный слой (116) на упомянутую верхнюю поверхность (114);
(177) удаляют упомянутый слой (160) позитивного фоторезиста посредством растворителя, который действует через упомянутые стенки (15), оставляя в стороне упомянутый дополнительно осажденный слой (116);
(143) удаляют упомянутую пленку (30) негативного фоторезиста.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) являются металлическими.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой золота, или титана, или платины.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) включают в себя по меньшей мере один слой сплава золота / олова.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутый первый осажденный слой (52, 54) и упомянутый дополнительно осажденный слой (116) выполнены из неметаллических материалов.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат оксид.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат карбид.
20. Способ по п.17, отличающийся тем, что упомянутые неметаллические материалы содержат нитрид.
RU2005110686/28A 2002-09-12 2003-09-11 Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности RU2334304C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITTO2002A00793 2002-09-12
IT000793A ITTO20020793A1 (it) 2002-09-12 2002-09-12 Metodo per ricoprire selettivamente una superficie microlavorata.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005110686A true RU2005110686A (ru) 2005-09-10
RU2334304C2 RU2334304C2 (ru) 2008-09-20

Family

ID=31986049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005110686/28A RU2334304C2 (ru) 2002-09-12 2003-09-11 Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности

Country Status (12)

Country Link
US (1) US7255799B2 (ru)
EP (1) EP1546028B8 (ru)
JP (1) JP4559859B2 (ru)
KR (1) KR100997940B1 (ru)
CN (1) CN100439233C (ru)
AT (1) ATE553063T1 (ru)
AU (1) AU2003265164B2 (ru)
BR (1) BR0314276A (ru)
CA (1) CA2498669C (ru)
IT (1) ITTO20020793A1 (ru)
RU (1) RU2334304C2 (ru)
WO (1) WO2004025726A2 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100988437B1 (ko) * 2007-09-21 2010-10-18 주식회사 엘지화학 네가티브 포토레지스트를 이용한 유리 또는 금속 식각방법 및 이를 이용한 클리쉐의 제조방법
CN101654217B (zh) * 2008-08-21 2011-09-14 博奥生物有限公司 一种制作微元件的方法
JP5370330B2 (ja) * 2010-10-01 2013-12-18 住友金属鉱山株式会社 半導体素子搭載用基板の製造方法
CN103224866A (zh) * 2013-04-28 2013-07-31 王惠莹 一种马铃薯白酒的酿制方法
JP6557447B2 (ja) * 2013-10-31 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
CN103560083B (zh) * 2013-11-18 2015-12-30 电子科技大学 一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺
WO2020214238A1 (en) * 2019-04-16 2020-10-22 Applied Materials, Inc. Method of thin film deposition in trenches
TWI792260B (zh) * 2021-04-09 2023-02-11 晶瑞光電股份有限公司 利用金屬掀離製程的半導體元件製造方法及其製成之半導體元件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55154737A (en) * 1979-05-22 1980-12-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of forming pattern
JPS616830A (ja) * 1984-06-21 1986-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd パタ−ン形成方法
JPS61142761A (ja) * 1984-12-17 1986-06-30 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62195146A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5091288A (en) * 1989-10-27 1992-02-25 Rockwell International Corporation Method of forming detector array contact bumps for improved lift off of excess metal
US5888845A (en) * 1996-05-02 1999-03-30 National Semiconductor Corporation Method of making high sensitivity micro-machined pressure sensors and acoustic transducers
JPH10168557A (ja) * 1996-12-09 1998-06-23 Hitachi Ltd Ｖ溝付基板の蒸着方法
JPH11112045A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Fujitsu Ltd 微細パターン形成方法及びそれを利用した電子装置の製造方法
GB9819817D0 (en) * 1998-09-12 1998-11-04 Secr Defence Improvements relating to micro-machining
JP2001127155A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Ltd ビルドアップ基板、及びその製法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2334304C2 (ru) 2008-09-20
BR0314276A (pt) 2005-07-19
WO2004025726A3 (en) 2005-04-28
US20050224453A1 (en) 2005-10-13
EP1546028B8 (en) 2012-05-23
KR100997940B1 (ko) 2010-12-02
CN1688504A (zh) 2005-10-26
EP1546028B1 (en) 2012-04-11
US7255799B2 (en) 2007-08-14
JP4559859B2 (ja) 2010-10-13
CA2498669A1 (en) 2004-03-25
ITTO20020793A1 (it) 2004-03-13
ATE553063T1 (de) 2012-04-15
JP2005539379A (ja) 2005-12-22
WO2004025726A2 (en) 2004-03-25
CA2498669C (en) 2013-02-19
AU2003265164A1 (en) 2004-04-30
EP1546028A2 (en) 2005-06-29
AU2003265164B2 (en) 2010-06-03
KR20050047113A (ko) 2005-05-19
CN100439233C (zh) 2008-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7556897B2 (en) Methods of forming reticles
JP2004304097A (ja) パターン形成方法および半導体装置の製造方法
US4076860A (en) Method of forming electrode wirings in semiconductor devices
EP0803905A3 (en) Method of making semiconductor devices by patterning a wafer having a non-planar surface
RU2005110686A (ru) Способ выборочного покрытия микрообработанной поверхности
EP1520208A2 (en) Mask and manufacturing method using mask
US6383944B1 (en) Micropatterning method
KR20010048980A (ko) 에이치이엠티의 감마게이트 제조방법
WO1997043694A3 (de) Verfahren zur herstellung einer stencil-maske
KR100258803B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
JPS6066432A (ja) 微細パタ−ン形成法
JPS57180176A (en) Manufacturing method for semiconductor device
JPH11317345A (ja) 微細パターンの転写加工方法
JPS5691434A (en) Method for forming pattern of deposited film by lift-off method
JPS61128524A (ja) 微細パタ−ン形成方法
JPS58199525A (ja) Ｘ線用マスク
KR980003884A (ko) 레지스트 패턴 형성방법
KR950021120A (ko) 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법
JPS6021527A (ja) パタ−ンのリフトオフ形成方法
JPH04301852A (ja) パターン形成方法
JPS6247128A (ja) 微細パタ−ン形成方法
JPH03183134A (ja) 薄膜パターンの形成方法
JPH03286539A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08330330A (ja) ゲート電極の形成方法
JPS59172727A (ja) 微細幅の厚膜パタ−ンの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160912